TW202103246A - 發光元件的轉移方法、顯示面板及其製備方法、基板 - Google Patents

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Abstract

一種發光元件的轉移方法包括：提供複數發光元件，每一發光元件設置有一第一磁性材料層；提供第一電磁平板，使第一電磁平板磁性吸附複數發光元件；提供一接收基板，接收基板包括基底、第二磁性材料層、結合層，結合層定義有複數接收區域，每一接收區域用於對應接收一個發光元件，基底的一側設置有第二電磁平板；使複數發光元件及複數接收區域一一對準；以及對第二電磁平板通電，對第一電磁平板斷電，使每一發光元件對應轉移至接收基板的接收區域。還提供一種基板、應用該基板的顯示面板及該顯示面板的製備方法。

Description

發光元件的轉移方法、顯示面板及其製備方法、基板
本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種發光元件的轉移方法、一種顯示面板的製備方法、一種應用於顯示面板的基板及一種顯示面板。
目前，發光二極體（Light Emitting Diode，LED）等發光元件的尺寸越來越趨向於微小化，這使得將大量微小的發光元件轉移到一接收基板的技術難度越來越高。
本發明提供一種發光元件的轉移方法，其包括以下步驟： 提供一承載基板，其一表面上設置有複數發光元件，每一所述發光元件遠離所述承載基板的一端設置有一第一磁性材料層； 提供一第一電磁平板，所述第一電磁平板上設置有複數吸附位置，對所述第一電磁平板通電，以使每一所述吸附位置磁性吸附來自所述承載基板的一個所述發光元件； 提供一接收基板，所述接收基板包括基底、設於所述基底一側的第二磁性材料層、設於所述第二磁性材料層遠離所述基底的一側的結合層，所述結合層定義有複數接收區域，每一接收區域用於對應接收一個所述發光元件，所述基底遠離所述第二磁性材料層的一側設置有一第二電磁平板； 將所述第一電磁平板的磁性吸附有複數所述發光元件的表面與所述接收基板的設置有複數所述接收區域的表面對置，以使複數所述發光元件及複數所述接收區域為一一對準的；以及 對所述第二電磁平板通電，以使每一所述發光元件的第一磁性材料層及所述第二磁性材料層之間形成磁力，對所述第一電磁平板斷電，以使每一所述發光元件在自身重力及所述磁力的作用下脫離所述第一電磁平板，並對應轉移至所述接收基板的所述接收區域。
本發明還提供一種顯示面板的製備方法，其包括以下步驟： 提供一承載基板，其一表面上設置有複數發光元件，每一所述發光元件遠離所述承載基板的一端設置有一第一磁性材料層； 提供一第一電磁平板，所述第一電磁平板上設置有複數吸附位置，對所述第一電磁平板通電，以使每一所述吸附位置藉由磁性吸附來自所述承載基板的一個所述發光元件； 提供一接收基板，所述接收基板包括基底、設於所述基底一側的第二磁性材料層、設於所述第二磁性材料層遠離所述基底的一側的結合層，所述結合層定義有複數接收區域，每一接收區域用於對應接收一個所述發光元件，所述基底遠離所述第二磁性材料層的一側設置有第二電磁平板； 將所述第一電磁平板的磁性吸附有複數所述發光元件的表面與所述接收基板的設置有複數所述接收區域的表面對置，以使複數所述發光元件及複數所述接收區域為一一對準的；以及 對所述第二電磁平板通電，以使每一所述發光元件的第一磁性材料層及所述第二磁性材料層之間形成磁力，對所述第一電磁平板斷電，以使每一所述發光元件在自身重力及所述磁力的作用下脫離所述第一電磁平板，並對應轉移至所述接收基板的所述接收區域； 其中，所述結合層包括設於所述第二磁性材料層遠離所述基底的一側的薄膜電晶體陣列層以及位於所述薄膜電晶體陣列層遠離所述基底的一側的畫素定義層，所述畫素定義層具有暴露所述薄膜電晶體陣列層的複數接觸孔，每一接觸孔定義為一個所述接收區域。
本發明還提供一種基板，應用於顯示面板，所述基板包括基底、設於所述基底一側的第二磁性材料層、以及設於所述第二磁性材料層遠離所述基底的一側的薄膜電晶體陣列層。
本發明還提供一種顯示面板，其包括上述的基板及安裝在所述基板上並電性連接所述薄膜電晶體陣列層的發光元件。
本發明提供的發光元件的轉移方法、顯示面板的製備方法，對第一電磁平板通電後，其與複數接收區域對應的表面可一次磁性吸附大量的發光元件，可實現對發光元件晶粒的巨量轉移。
另，接收基板上設置第二磁性材料層，藉由對第二電磁平板通電，使得對第一電磁平板斷電後，每一發光元件除去自身重力外，還受到接收基板上與之對應的接收區域的第二磁性材料層的磁力吸引，是故避免了每一發光元件在轉移至對應的接收區域上出現偏移的問題，有利於提高發光元件在轉移過程中的準確率。
本發明實施例提供一種發光元件的轉移方法，下面結合圖1至圖12對所述發光元件的轉移方法的各步驟進行詳細的說明。該轉移方法包括以下步驟。
步驟S11：如圖1所示，提供複數發光元件10。
如圖1所示，複數發光元件10有序地間隔排佈在承載基板20上。每一發光元件10包括依次層疊設置的P型摻雜的無機發光材料層12、活性層13、N型摻雜的無機發光材料層14。活性層13位於P型摻雜的無機發光材料層12及N型摻雜的無機發光材料層14之間。
於一實施例中，每一發光元件10的相對兩端分別設置有第一電極11及第二電極15，其中第一電極11及第二電極15分別為一第一磁性材料層16，且二者的磁性相反。P型摻雜的無機發光材料層12電性連接第一電極11，N型摻雜的無機發光材料層14電性連接第二電極15。即，第一電極11及第二電極15為磁性相反的異名磁極，例如，第一電極11的磁極為N極，第二電極15的磁極為S極，或者第一電極11的磁極為S極，第二電極15的磁極為N極。
於另一實施例中，該第一磁性材料層16不作為發光元件10的電極。每一發光元件10的第一電極11及第二電極15上分別設置第一磁性材料層16，且二者的磁性相反。
於再一實施例中，每一發光元件10僅第一電極11或第二電極15上設置有第一磁性材料層16，每一發光元件10均保持設置有第一磁性材料層16的一端朝上有序地排佈在承載基板20上。
於一實施例中，第一磁性材料層16為可供磁吸引材料，例如可為鋁鎳鈷系永磁合金、鐵鉻鎳系永磁合金、永磁鐵氧體、其他稀土永磁材料或者上述材料構成的複合永磁性材料。
於一實施例中，發光元件10可為傳統的LED、miniLED或者microLED。其中，microLED又稱微型發光二極體，意指晶粒尺寸小於100微米的LED。miniLED又稱次毫米發光二極體，其尺寸介於傳統的LED及microLED之間，習知意指晶粒尺寸大致在100到200微米的LED。
步驟S12：如圖2所示，提供一第一電磁平板30。
如圖2所示，第一電磁平板30的表面上設置有一絕緣非磁性材料層31。所述絕緣非磁性材料層31具有暴露所述第一電磁平板30的表面的複數通孔33。每一通孔33定義為一個吸附位置32。相鄰的二通孔33之間藉由絕緣非磁性材料層31彼此間隔。所述第一電磁平板30通電後對應每一個所述通孔33的位置（即露出的第一電磁平板30的部分）可磁性吸附一個所述發光元件10，其他位置不可磁性吸附所述發光元件10。即，所述第一電磁平板30通電後僅對應複數通孔33的位置具有磁性。每一通孔33的尺寸均稍大於待吸附的一個發光元件10的尺寸，但每一通孔33的大小只能對應吸附一個發光元件10。
於一實施例中，所述絕緣非磁性材料層31可為聚醯亞胺基複合材料。
於一實施例中，第一電磁平板30的遠離絕緣非磁性材料層31的一側還可設置機械手臂（圖未示），以抓住第一電磁平板30作上下移動或左右移動。
於一實施例中，對應第一電磁平板30設置有控制電路（圖未示），可藉由控制電路給第一電磁平板30施加電壓或電流，以使第一電磁平板30具有磁性。另，還可藉由調節控制電路給第一電磁平板30施加的電壓或電流的大小來控制第一電磁平板30的磁性強弱。
步驟S13：如圖3所示，提供一接收基板40。
如圖3所示，所述接收基板40包括基底41、設於所述基底41一側的第二磁性材料層43、設於所述第二磁性材料層43遠離所述基底41的一側的結合層45，所述結合層45定義有複數接收區域450，每一接收區域450用於對應接收一個所述發光元件10。所述基底41遠離所述第二磁性材料層43的一側設置有第二電磁平板50。其中，圖2中所示的第一電磁平板30，其絕緣非磁性材料層31上開設的複數所述通孔33與接收基板40上的複數所述接收區域450在數量及位置上為一一對應的。
於一實施例中，對應第二電磁平板50設置有控制電路（圖未示），可藉由控制電路給第二電磁平板50施加電壓或電流，以使第二電磁平板50具有磁性，進而使接收基板40上的第二磁性材料層43具有磁性。另，還可藉由調節控制電路給第二電磁平板50施加的電壓或電流的大小控制第二電磁平板50的磁性強弱，以進一步控制接收基板40上的第二磁性材料層43的磁性強弱。
於一實施例中，接收基板40為一薄膜電晶體（Thin Film Transistor，TFT）基板。所述結合層45包括設於所述第二磁性材料層43遠離所述基底41的一側的薄膜電晶體陣列層451以及位於所述薄膜電晶體陣列層451遠離所述基底41的一側的畫素定義層452。所述畫素定義層452具有暴露所述薄膜電晶體陣列層451的複數接觸孔453，每一接觸孔453定義為一個所述接收區域450。
於一實施例中，基底41的材料可為玻璃、石英、矽片等，亦可為聚醯亞胺（polyimide，PI）或聚對苯二甲酸(Poly Ethylene Terephthalate, PET)等柔性材料。
於一實施例中，第二磁性材料層43的材料為可供磁吸引材料，例如可為鎳、鐵、鋁鎳鈷系永磁合金、鐵鉻鎳系永磁合金、永磁鐵氧體、其他稀土永磁材料或者上述材料構成的複合永磁性材料。
於一實施例中，所述接收基板40還包括位於所述第二磁性材料層43及所述薄膜電晶體陣列層451之間的絕緣層44，以電性絕緣第二磁性材料層43及薄膜電晶體陣列層451，避免發光元件10轉移過程中薄膜電晶體陣列層451對第二磁性材料層43產生影響。絕緣層44可以由矽氧化物(SiOx)層、矽氮化物(SiNx)層或其多層形成。
於一實施例中，所述接收基板40還包括位於所述基底41及所述第二磁性材料層43之間的隔離層42（barrier layer），以避免外界水汽等對第二磁性材料層43、薄膜電晶體陣列層451造成影響。隔離層42可以由矽氧化物(SiOx)層、矽氮化物(SiNx)層或其多層形成。
如圖4所示，在製作TFT基板過程中，首先於基底41上依次形成隔離層42、第二磁性材料層43及絕緣層44。然後再依次製備薄膜電晶體陣列層451、畫素定義層452。
其中，薄膜電晶體陣列層451包括第一緩衝層51、第二緩衝層52、複數TFT53（圖中僅示意性地畫出一個）、第一層間介電層54、第二層間介電層55、覆蓋層56以及接觸電極57。
TFT53包括閘極GE、半導體層AS、閘極絕緣層GI、源極SE以及汲極DE。覆蓋層56具有暴露TFT53的汲極DE的過孔561。接觸電極57藉由過孔561電性連接TFT53的汲極DE。畫素定義層452上定義的接觸孔453（接收區域450）暴露出接觸電極57，以用於電性連接一發光元件10。
於一實施例中，TFT基板定義有複數畫素單元，每一個畫素單元包括複數子畫素。每一個畫素單元包括發不同種顏色光的發光元件10。
於一實施例中，每一畫素單元分別包括紅色子畫素、藍色子畫素以及綠色子畫素。每一個紅色子畫素對應一個發紅光的發光元件10。每一個藍色子畫素對應一個發藍光的發光元件10，每一個綠色子畫素對應一個發綠光的發光元件10。
於其他實施例中，除去紅色子畫素、藍色子畫素以及綠色子畫素以外，每一畫素單元還可包括白色子畫素，每一白色子畫素對應一個發白光的發光元件10或多色子畫素，每一多色子畫素對應一個發多色的發光元件10。
於一實施例中，第二磁性材料層43為整面設置的，其對應所有的接收區域450。
於另一實施例中，如圖5及圖6所示，所述第二磁性材料層43包括間隔設置的複數磁性材料單元431，每一所述磁性材料單元431對應至少一個所述接收區域450。
如圖5所示，每一磁性材料單元431對應一個所述接收區域450。其中每一磁性材料單元431在基底41上的投影完全覆蓋其對應的接收區域450在基底41上的投影。即每一磁性材料單元431對應一個子畫素設置。
如圖6所示，每一磁性材料單元431亦可以對應相鄰的三個所述接收區域450。其中每一磁性材料單元431在基底41上的投影完全覆蓋其對應的三個接收區域450在基底41上的投影。即每一磁性材料單元431可以對應複數子畫素設置。
可以理解地，每一磁性材料單元431的形狀不限，例如，其可為圖5中示出的圓形，或圖6示出的矩形。
步驟S14：如圖7至圖9所示，對所述第一電磁平板30通電，以使其每一吸附位置32磁性吸附來自承載基板20的一個發光元件10。
如圖7所示，將第一電磁平板30移動到承載基板20的上方，並使複數通孔33與位於承載基板20上的複數發光元件10一一對準。
如圖8所示，第一電磁平板30上的複數通孔33與位於承載基板20上的複數發光元件10一一對準後，將第一電磁平板30中的控制電路開啟，藉由控制電路給第一電磁平板30施加一電壓或電流。當第一電磁平板30被施加一電壓或電流後，第一電磁平板30產生與每一個發光元件10的第一電極11（第一磁性材料層16）磁極相反的磁性。
如圖9所示，位於承載基板20上的發光元件10由於與第一電磁平板30之間磁力的作用，被吸附到第一電磁平板30的對應通孔33的位置。其中，第一電磁平板30對應每一個通孔33的位置可吸附一個所述發光元件10，第一電磁平板30對應其他位置由於絕緣非磁性材料層31的作用無法吸附發光元件10。
步驟S15：將所述第一電磁平板30的磁性吸附有複數所述發光元件10的表面與所述接收基板40的設置有複數所述接收區域450的表面對置，以使複數所述發光元件10及複數所述接收區域450為一一對準的。
如圖10所示，當第一電磁平板30的對應每一通孔33的位置均吸附一個發光元件10後，保持第一電磁平板30通電，將第一電磁平板30移動到接收基板40的上方，並使第一電磁平板30上吸附的每一發光元件10與接收基板40上對應的接收區域450一一對準。
步驟S16：對所述第二電磁平板50通電，以使每一所述發光元件10的第一磁性材料層16及所述第二磁性材料層43之間形成磁力，對所述第一電磁平板30斷電，以使每一所述發光元件10在自身重力及所述磁力的作用下脫離所述第一電磁平板30，並對應轉移至所述接收基板40的所述接收區域450。
如圖11所示，將第一電磁平板30上吸附的每一發光元件10與接收基板40上對應的接收區域450一一對準後，將第一電磁平板30朝向接收基板40移動，使每一發光元件10抵持接觸對應的接收區域450；與此同時，對所述第二電磁平板50通電，以使第二磁性材料層43產生磁性，進而使每一所述發光元件10的第一磁性材料層16及所述第二磁性材料層43之間形成磁力；然後，如圖12所示，對所述第一電磁平板30斷電，每一所述發光元件10及其第一電極11、第二電極15在自身重力及所述磁力的共同作用下脫離所述第一電磁平板30，而轉移至對應的接收區域450上；然後，將第一電磁平板30及其絕緣非磁性材料層31及第二電磁平板50移去。
需要說明的是，該發光元件10的轉移方法中，不限定每一發光元件10的發光顏色。由於本發明實施例的發光元件的轉移方法，對第一電磁平板30通電後，其與複數接收區域450對應的表面可一次磁性吸附大量的發光元件10，可實現對發光元件10的巨量轉移。
另，接收基板40上設置第二磁性材料層43，藉由對第二電磁平板50通電，使得對第一電磁平板30斷電後，每一發光元件10除去自身重力外，還受到接收基板40上與之對應的接收區域450的第二磁性材料層43的磁力吸引，是故避免了每一發光元件10在轉移至對應的接收區域450上出現偏移的問題，有利於提高發光元件10在轉移過程中的準確率。
本發明實施例還提供一種顯示面板100的製備方法，其包括以下步驟。
步驟S21：提供複數發光元件10。
步驟S22：提供一第一電磁平板30。
步驟S23：提供一接收基板40。
步驟S24：對所述第一電磁平板30通電，以使其每一吸附位置32磁性吸附來自承載基板20的一個發光元件10。
步驟S25：將所述第一電磁平板30的磁性吸附有複數所述發光元件10的表面與所述接收基板40的設置有複數所述接收區域450的表面對置，以使複數所述發光元件10及複數所述接收區域450為一一對準的。
步驟S26：對所述第二電磁平板50通電，以使每一所述發光元件10的第一磁性材料層16及所述第二磁性材料層43之間形成磁力，對所述第一電磁平板30斷電，以使每一所述發光元件10在自身重力及所述磁力的作用下脫離所述第一電磁平板30，並對應轉移至所述接收基板40的所述接收區域450。
其中，步驟S21至步驟S26與上述步驟S11至步驟S16相同，在此不再贅述。
步驟S27：於所述畫素定義層452遠離所述基底41的一側形成平坦化層60。
如圖13所示，每一所述發光元件10的第一電極11藉由接觸電極57電性連接薄膜電晶體陣列層451，所述平坦化層60填充相鄰發光元件10之間的間隙，並暴露出每一所述發光元件10的第一電極11。
步驟S28：於平坦化層60所述形成公共電極層70。
如圖14所示，所述公共電極層70電性連接每一所述發光元件10的第一電極11。其中，公共電極層70可以藉由導線等連接至驅動電路（圖未示），以向發光元件10的第一電極11施加電壓。當發光元件10的第一電極11及第二電極15之間存在以正向偏壓時，該發光元件10在該正向偏壓下發光。
步驟S29：如圖15所示，於公共電極層70遠離平坦化層60的一側形成封裝層80，進而得到顯示面板100。
可以理解的，若步驟S21中，提供的複數發光元件10均為發同一種顏色光的發光元件，如均為發紅光的發光元件、均為發綠光的發光元件、均為發藍光的發光元件等，則該顯示面板100為一單色的顯示面板。該單色的顯示面板可用作廣告標牌、指示燈顯示等。若步驟S21中，提供的複數發光元件10為發不同種顏色光的發光元件，則該顯示面板100為一彩色的顯示面板。該彩色的顯示面板可應用於手機、平板電腦、智慧手錶等。
需要說明的是，第二磁性材料層43僅在發光元件10轉移到接收基板40的過程中使用。在後續顯示面板100進行顯示時，第二磁性材料層43不工作，且亦不會對發光元件10的發光造成影響。
以上實施方式僅用以說明本發明的技術方案而非限制，儘管參照較佳實施方式對本發明進行了詳細說明，本領域的普通技術人員應當理解，可以對本發明的技術方案進行修改或等同替換，而不脫離本發明技術方案的精神及範圍。
10:發光元件 11:第一電極 12:P型摻雜的無機發光材料層 13:活性層 14:N型摻雜的無機發光材料層 15:第二電極 16:第一磁性材料層 20:承載基板 30:第一電磁平板 31:絕緣非磁性材料層 32:吸附位置 33:通孔 40:接收基板 41:基底 42:隔離層 43:第二磁性材料層 431:磁性材料單元 44:絕緣層 45:結合層 450:接收區域 453:接觸孔 451:薄膜電晶體陣列層 452:畫素定義層 50:第二電磁平板 51:第一緩衝層 52:第二緩衝層 53:TFT AS:半導體層 GI:閘極絕緣層 SE:源極 DE:汲極 GE:閘極 54:第一層間介電層 55:第二層間介電層 56:覆蓋層 561:過孔 57:接觸電極 60:平坦化層 70:公共電極層 80:封裝層 100:顯示面板
圖1為本發明實施例的發光元件的轉移方法的步驟S11提供的發光元件的示意圖。
圖2為本發明實施例的發光元件的轉移方法的步驟S12提供的第一電磁平板的示意圖。
圖3為本發明實施例的發光元件的轉移方法的步驟S13提供的接收基板及第二電磁平板的示意圖。
圖4為本發明實施例的發光元件的轉移方法的接收基板的製備示意圖。
圖5為本發明一實施例的接收基板其磁性材料單元及接受區域在基底上的投影示意圖。
圖6為本發明另一實施例的接收基板其磁性材料單元及接受區域在基底上的投影示意圖。
圖7至圖9為本發明實施例的發光元件的轉移方法的步驟S14的示意圖。
圖10為本發明實施例的發光元件的轉移方法的步驟S15的示意圖。
圖11至圖12為本發明實施例的發光元件的轉移方法的步驟S16的示意圖。
圖13為本發明實施例的顯示面板的製備方法的步驟S27的示意圖。
圖14為本發明實施例的顯示面板的製備方法的步驟S28的示意圖。
圖15為本發明實施例的顯示面板的製備方法的步驟S29的示意圖。
10:發光元件
15:第二電極
16:第一磁性材料層
30:第一電磁平板
31:絕緣非磁性材料層
40:接收基板
41:基底
42:隔離層
43:第二磁性材料層
44:絕緣層
45:結合層
450:接收區域
453:接觸孔
451:薄膜電晶體陣列層
452:畫素定義層
50:第二電磁平板
53:TFT
57:接觸電極

Claims (12)

  1. 一種發光元件的轉移方法，其改良在於，包括以下步驟： 提供一承載基板，其一表面上設置有複數發光元件，每一所述發光元件遠離所述承載基板的一端設置有一第一磁性材料層； 提供一第一電磁平板，所述第一電磁平板上設置有複數吸附位置，對所述第一電磁平板通電，以使每一所述吸附位置磁性吸附來自所述承載基板的一個所述發光元件； 提供一接收基板，所述接收基板包括基底、設於所述基底一側的第二磁性材料層、設於所述第二磁性材料層遠離所述基底的一側的結合層，所述結合層定義有複數接收區域，每一接收區域用於對應接收一個所述發光元件，所述基底遠離所述第二磁性材料層的一側設置有一第二電磁平板； 將所述第一電磁平板的磁性吸附有複數所述發光元件的表面與所述接收基板的設置有複數所述接收區域的表面對置，以使複數所述發光元件及複數所述接收區域為一一對準的；以及 對所述第二電磁平板通電，以使每一所述發光元件的第一磁性材料層及所述第二磁性材料層之間形成磁力，對所述第一電磁平板斷電，以使每一所述發光元件在自身重力及所述磁力的作用下脫離所述第一電磁平板，並對應轉移至所述接收基板的所述接收區域。
  2. 如請求項1所述的發光元件的轉移方法，其中，所述第二磁性材料層包括間隔設置的複數磁性材料單元，每一所述磁性材料單元對應至少一個所述接收區域。
  3. 如請求項1所述的發光元件的轉移方法，其中，所述第一電磁平板的表面上設置有一絕緣非磁性材料層，所述絕緣非磁性材料層具有暴露所述第一電磁平板的表面的複數通孔，複數所述通孔與複數所述接收區域為一一對應的，每一所述通孔定義為一個所述吸附位置。
  4. 如請求項1所述的發光元件的轉移方法，其中，所述發光元件為發光二極體。
  5. 一種顯示面板的製備方法，其包括以下步驟： 提供一承載基板，其一表面上設置有複數發光元件，每一所述發光元件遠離所述承載基板的一端設置有一第一磁性材料層； 提供一第一電磁平板，所述第一電磁平板上設置有複數吸附位置，對所述第一電磁平板通電，以使每一所述吸附位置藉由磁性吸附來自所述承載基板的一個所述發光元件； 提供一接收基板，所述接收基板包括基底、設於所述基底一側的第二磁性材料層、設於所述第二磁性材料層遠離所述基底的一側的結合層，所述結合層定義有複數接收區域，每一接收區域用於對應接收一個所述發光元件，所述基底遠離所述第二磁性材料層的一側設置有第二電磁平板； 將所述第一電磁平板的磁性吸附有複數所述發光元件的表面與所述接收基板的設置有複數所述接收區域的表面對置，以使複數所述發光元件及複數所述接收區域為一一對準的；以及 對所述第二電磁平板通電，以使每一所述發光元件的第一磁性材料層及所述第二磁性材料層之間形成磁力，對所述第一電磁平板斷電，以使每一所述發光元件在自身重力及所述磁力的作用下脫離所述第一電磁平板，並對應轉移至所述接收基板的所述接收區域； 其中，所述結合層包括設於所述第二磁性材料層遠離所述基底的一側的薄膜電晶體陣列層以及位於所述薄膜電晶體陣列層遠離所述基底的一側的畫素定義層，所述畫素定義層具有暴露所述薄膜電晶體陣列層的複數接觸孔，每一接觸孔定義為一個所述接收區域。
  6. 如請求項5所述的顯示面板的製備方法，其中，所述接收基板還包括位於所述第二磁性材料層及所述薄膜電晶體陣列層之間的絕緣層。
  7. 如請求項5所述的顯示面板的製備方法，其中，所述接收基板還包括位於所述基底及所述第二磁性材料層之間的隔離層。
  8. 如請求項5所述的顯示面板的製備方法，其中，所述第二磁性材料層包括間隔設置的複數磁性材料單元，每一所述磁性材料單元對應至少一個所述接收區域。
  9. 如請求項5所述的顯示面板的製備方法，其中，所述薄膜電晶體陣列層包括複數薄膜電晶體，每一所述發光元件的相對兩端分別設置有第一電極及第二電極，每一所述發光元件的第一電極電性連接一個所述薄膜電晶體，將複數所述發光元件對應轉移至所述接收基板的所述接收區域後，還包括於所述畫素定義層遠離所述基底的一側形成平坦化層的步驟，所述平坦化層填充相鄰發光元件之間的間隙，並暴露出每一所述發光元件的第二電極。
  10. 如請求項9所述的顯示面板的製備方法，其中，還包括於平坦化層所述形成公共電極層的步驟，所述公共電極層電性連接每一所述發光元件的第二電極。
  11. 一種基板，應用於顯示面板，其中，所述基板包括基底、設於所述基底一側的第二磁性材料層、以及設於所述第二磁性材料層遠離所述基底的一側的薄膜電晶體陣列層。
  12. 一種顯示面板，其中，包括如請求項11所述的基板及安裝在所述基板上並電性連接所述薄膜電晶體陣列層的發光元件。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110416124B (zh) * 2019-07-05 2020-10-13 深超光电（深圳）有限公司 Led的转移方法及led显示面板的制备方法
KR20210081734A (ko) * 2019-12-24 2021-07-02 엘지디스플레이 주식회사 Led 이송 장치
CN111244016B (zh) * 2020-03-10 2022-10-18 深超光电（深圳）有限公司 转移装置、转移装置的制备方法、转移方法
CN114537963A (zh) * 2022-01-12 2022-05-27 安徽继胜磁性材料有限公司 软磁性材料加工用转运工装

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100700841B1 (ko) * 2005-11-16 2007-03-28 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열 전사 장치 및 이를 이용한 레이저 열 전사법
US20070063205A1 (en) * 2005-08-30 2007-03-22 Kang Tae M Organic light emitting display device
JP2010045287A (ja) * 2008-08-18 2010-02-25 Sony Corp 素子の移載方法
WO2015178245A1 (ja) * 2014-05-22 2015-11-26 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
CN106571371B (zh) 2015-10-09 2019-08-09 群创光电股份有限公司 阵列基板及其应用装置与组装方法
CN107305915B (zh) * 2016-04-19 2019-04-05 财团法人工业技术研究院 电子-可编程磁性转移模块和电子元件的转移方法
CN107437523B (zh) * 2016-05-26 2020-01-31 群创光电股份有限公司 拾取与放置装置及其作动方法
CN107808835B (zh) * 2017-10-20 2020-07-10 深圳市华星光电技术有限公司 导磁板及器件转移装置
CN107680983B (zh) * 2017-10-30 2022-03-29 厦门乾照光电股份有限公司 Micro LED阵列器件、拾取装置及相关制作方法、转运方法
KR20190095803A (ko) * 2018-02-07 2019-08-16 엘지전자 주식회사 표시장치
KR20190114330A (ko) * 2018-03-29 2019-10-10 (주)포인트엔지니어링 마이크로 led 전사헤드
TWI662660B (zh) * 2018-09-03 2019-06-11 欣興電子股份有限公司 發光二極體封裝結構及其製造方法
CN109378370B (zh) * 2018-12-05 2020-08-25 合肥京东方光电科技有限公司 微型led的转移设备、显示基板的制造系统及制造方法
CN109755162B (zh) * 2019-01-15 2022-05-27 京东方科技集团股份有限公司 一种转移装置、Micro-LED晶粒及转移方法
CN110335874B (zh) * 2019-06-28 2021-04-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示基板、其制备方法及其显示装置
CN110379760B (zh) * 2019-07-05 2021-04-02 深超光电（深圳）有限公司 发光元件的转移方法、显示面板及其制备方法、基板
CN110416124B (zh) * 2019-07-05 2020-10-13 深超光电（深圳）有限公司 Led的转移方法及led显示面板的制备方法
CN110265341B (zh) * 2019-07-05 2021-04-02 深超光电（深圳）有限公司 发光元件的转移方法、显示面板及其制备方法、基板
CN110379758B (zh) * 2019-07-05 2021-02-02 深超光电（深圳）有限公司 吸附装置、转移系统及转移方法

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