TW202101019A - 用於決定基座的特性的系統、方法、及電腦程式產品 - Google Patents

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安德魯Ｌ 布萊洛赫
彼得 尼森
尼拉杰Ｓ 巴德瓦杰
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Abstract

提供一種用於確定可以與汽化器裝置相關聯的基座元件的特性的系統。系統包括電感器元件和控制裝置。控制裝置被配置為檢測與電感器元件相關聯的磁場，並基於磁場確定基座元件的特性。還揭示了一種方法和電腦程式產品。

Description

用於決定基座的特性的系統、方法、及電腦程式產品
對於相關申請案的交互參照：本申請案主張對於申請於2019年4月29日的美國專利臨時申請案第62/840,002號、申請於2019年8月21日的美國專利臨時申請案第62/889,752號、申請於2019年9月18日的美國專利臨時申請案第62/902,604號的優先權，在此仰賴且併入這些美國專利申請案之內容以作為參考。
感應加熱包括藉由電磁感應加熱被導電的物體（例如金屬物體）。例如，感應加熱包括基於藉由在物體中流動的渦電流在物體中產生的熱量來加熱物體。在一些情況下，感應加熱系統包括感應加熱器和要基於電磁感應被加熱的導電物體。感應加熱器包括電磁鐵和電子振盪器，電子振盪器使交流電（AC）穿過電磁鐵，從而使電磁鐵產生磁場（例如H場）。在某些情況下，磁場指向導電物體並穿透導電物體。可以基於磁場在導電物體內部產生電流。電流有時被稱為渦電流。渦電流可流過導電物體，並基於焦耳加熱（Joule heating）而使熱量在導電物體中產生。在一些情況下，導電物體包括鐵磁材料（例如鐵），並且基於磁滯（例如磁滯損耗）在導電物體中產生熱量。
在某些情況下，導電物體包括基座。基座包括具有吸收電磁能並將電磁能轉換成熱的能力的材料。另外，基座可以被配置為以輻射（例如紅外熱輻射）的形式散發熱量。電磁能包括射頻頻譜或微波頻譜中的輻射（例如，電磁輻射）。
本揭示內容總體上係關於用於確定元件的特性的系統、方法和產品，此元件例如為電磁耦合到諸如電感器線圈的電感器元件的基座元件。因此，本文揭示了用於確定基座元件的特性的裝置、系統、電腦程式產品、設備和/或方法的各種具體實施例。
在以下編號的條款中闡述了非限制性具體實施例：
條款1：一種用於確定與汽化器裝置相關聯的基座元件的溫度的系統，系統包括：感應加熱電路，包括：輻射電感器元件和電容器元件；至少一個處理器，其被編程或配置為：確定感應加熱電路對基座元件的磁特性的響應；以及基於感應加熱電路的響應來確定基座元件的溫度。
條款2：根據條款1所述的系統，其中，當確定感應加熱電路對基座元件的磁特性的響應時，至少一個處理器被編程或配置為：確定感應加熱電路的自諧振頻率（SRF）值。
條款3：根據條款1或2所述的系統，其中，當基於感應加熱電路的響應確定感應加熱電路的溫度時，至少一個處理器被編程或配置為：基於感應加熱電路的SRF值確定基座元件的溫度。
條款4：根據條款1-3中的任一項所述的系統，其中，電感器元件電磁耦合至基座元件。
條款5：根據條款1-4中的任一項所述的系統，其中，至少一個處理器進一步被編程或配置為：確定基座元件是否在感應加熱電路附近。
條款6：根據條款1-5中的任一項所述的系統，其中，當確定基座元件是否在感應加熱電路附近時，至少一個處理器被編程或配置為：將感應加熱電路的SRF值與相關聯於基座元件的預定頻率值進行比較；並基於確定感應加熱電路的SRF值對應於與基座元件相關的預定頻率值，來確定基座元件在感應加熱電路附近。
條款7：根據條款1-6中的任一項所述的系統，其中至少一個處理器進一步被編程或配置為：使基座元件產生熱量。
條款8：根據條款1-7中的任一項所述的系統，其中基座元件的溫度處於第一溫度，並且其中至少一個處理器被進一步編程或配置為：使基座元件從第一溫度變化到第二溫度。
條款9：根據條款1-8中的任一項所述的系統，其中，當使基座元件從第一溫度改變為第二溫度時，至少一個處理器被編程或配置為：調節提供給感應加熱電路的電能的量。
條款10：根據條款1-9中的任一項所述的系統，其中電感器元件被配置為在基座元件周圍產生變化的磁場。
條款11：根據條款1-10中的任一項所述的系統，還包括：藥筒；且其中基座元件是藥筒的部件；且其中基座與電感器元件電磁耦合。
條款12：一種用於確定與汽化器裝置相關聯的基座元件的溫度的方法，方法包括：由至少一個處理器使基座元件產生熱量；由至少一個處理器確定感應加熱電路對基座元件的磁特性的響應；以及基於感應加熱電路的響應確定基座元件的溫度。
條款13：根據條款12所述的方法，其中確定感應加熱電路對基座元件的磁特性的響應包括：確定感應加熱電路的自諧振頻率（SRF）值。
條款14：根據條款12或13所述的方法，其中基於感應加熱電路的響應來確定基座元件的溫度包括：基於感應加熱電路的SRF值來確定基座元件的溫度。
條款15：根據條款12-14中的任一項所述的方法，還包括：確定基座元件是否在感應加熱電路附近。
條款16：根據條款12-15中的任一項所述的方法，其中確定基座元件是否在感應加熱電路附近包括：將感應加熱電路的SRF值與與基座元件相關聯的預定頻率值進行比較；並基於確定感應加熱電路的SRF值對應於與基座元件相關的預定頻率值，來確定基座元件在感應加熱電路附近。
條款17：根據條款12-16中的任一項所述的方法，其中基座元件的溫度是第一溫度，並且方法還包括：使基座元件從第一溫度改變為第二溫度，其中引起基座元件從第一溫度改變到第二溫度包括：調節提供給感應加熱電路的電能的量。
條款18：一種用於確定相關聯於汽化器裝置的基座元件的溫度的電腦程式產品，包含具有一個或多個指令的至少一個非暫態性電腦可讀取媒體，指令在由至少一個處理器執行時使至少一個處理器：使基座元件產生熱量；確定當基座元件產生熱量時感應加熱電路對基座元件產生的磁場的響應；並基於感應加熱電路的響應來確定基座元件的溫度。
條款19：根據條款18所述的電腦程式產品，其中使至少一個處理器確定感應加熱電路對基座元件的磁特性的響應的一條或多條指令使至少一個處理器：基於基座元件產生的磁場確定感應加熱電路的自諧振頻率（SRF）值。
條款20：根據條款18或19所述的電腦程式產品，其中使至少一個處理器基於感應加熱電路的響應來確定基座元件的溫度的一條或多條指令使至少一個處理器執行以下操作：基於感應加熱電路的SRF值確定基座元件的溫度。
條款21：一種系統，包括：電感器元件；與電感器元件電磁耦合的基座元件；以及控制裝置，其中控制裝置被配置為基於基座元件的磁特性的變化來確定基座元件的溫度。
條款22：根據條款21所述的系統，其中電感器元件被配置為在基座元件周圍產生磁場。
條款23：根據條款21-22中的任一項所述的系統，其中基座元件至少部分地定位在藥筒內，並且其中藥筒至少部分地定位在電感器元件內。
條款24：根據條款21-23中的任一項所述的系統，其中基座元件與汽化器裝置相關聯。
條款25：根據條款21-24中的任一項所述的系統，其中控制裝置還被配置為檢測基座元件的磁特性的變化。
條款26：根據條款21-25中的任一項所述的系統，還包括感應加熱電路，其中電感器元件是感應加熱電路的元件。
條款27：根據條款26所述的系統，其中感應加熱電路包括電容器元件。
條款28：根據條款26或27所述的系統，其中控制裝置配置為：確定感應加熱電路對基座元件的磁特性變化的響應；並基於感應加熱電路的響應來確定基座元件的溫度。
條款29：根據條款26或27所述的系統，其中控制裝置配置為：確定感應加熱電路對基座元件的磁特性變化的響應；並基於感應加熱電路的響應來確定基座元件的接近度。
條款30：根據條款26或27所述的系統，其中控制裝置被配置為：確定感應加熱電路對基座元件的磁特性的變化的響應，包括藉由確定與感應加熱電路相關聯的自諧振頻率值；並基於感應加熱電路的響應來確定基座元件的溫度。
條款31：根據條款26或27所述的系統，其中控制裝置被配置為：確定感應加熱電路對基座元件的磁特性的變化的響應，包括藉由確定與感應加熱電路相關聯的自諧振頻率值；基於感應加熱電路的響應來確定基座元件的溫度；確定基座元件是否在感應加熱電路附近。
條款32：根據條款26或27所述的系統，其中控制裝置被配置為：確定感應加熱電路對基座元件的磁特性的變化的響應，包括藉由確定與感應加熱電路相關聯的自諧振頻率值；基於感應加熱電路的響應來確定基座元件的溫度；比較自諧振頻率值和與基座元件相關的頻率值；以及基於自諧振頻率值與與基座元件相關聯的頻率值的比較來確定基座元件與感應加熱電路的接近度。
條款33：根據條款28-32中的任一項所述的系統，其中感應加熱電路被配置為使基座元件產生熱量。
條款34：根據條款28-33中的任一項所述的系統，其中控制裝置被配置為：調節提供給感應加熱電路的電能的量，以使基座元件從第一溫度改變為第二溫度。
條款35：一種方法，包括：檢測基座元件的磁特性的變化，其中基座元件電磁耦合至電感器元件；以及基於基座元件的磁特性的變化來確定基座元件的溫度。
條款36：根據條款35所述的方法，其中基座元件至少部分地定位在藥筒中，並且其中藥筒至少部分地定位在電感器元件內。
條款37：根據條款35或36所述的方法，其中基座元件與汽化器裝置相關聯。
條款38：根據條款35-37中的任一項所述的方法，其中電感器元件是感應加熱電路的元件，方法還包括：確定感應加熱電路對基座元件的磁特性的變化的響應；以及基於感應加熱電路的響應確定基座元件的溫度。
條款39：根據條款38所述的方法，其中感應加熱電路包括電容器元件。
條款40：根據條款38或39所述的方法，方法進一步包括基於感應加熱電路的響應來確定基座元件的接近度。
條款41：根據條款38-40中的任一項所述的方法，方法還包括確定與感應加熱電路相關聯的自諧振頻率值。
條款42：根據條款38-41中的任一項所述的方法，方法還包括確定基座元件是否在感應加熱電路附近。
條款43：根據條款38-42中的任一項所述的方法，方法還包括將自諧振頻率值與與基座元件相關聯的頻率值進行比較，並基於將自諧振頻率值與與基座元件相關聯的頻率值進行比較確定基座元件與感應加熱電路的接近度。
條款44：根據條款38-43中的任一項所述的方法，方法還包括使基座元件產生熱量。
條款45：根據條款38-44中的任一項所述的方法，方法還包括：調節提供給感應加熱電路的電能的量，以使基座元件從第一溫度改變為第二溫度。
條款46：一種系統，包括：電感器元件；以及控制裝置，被配置為：檢測與電感器元件相關的磁場；並且基於磁場確定基座元件的特性。
條款47：根據條款46所述的系統，其中控制裝置還被配置為：基於基座元件的特性執行控制操作。
條款48：根據條款46或47所述的系統，其中當執行控制操作時，控制裝置被配置為：使基座元件產生熱量。
條款49：根據條款46-48中的任一項所述的系統，其中當執行控制操作時，控制裝置被配置為：使基座元件從第一溫度改變為第二溫度。
條款50：根據條款46-49中的任一項所述的系統，其中當使基座元件從第一溫度改變為第二溫度時，控制裝置被配置為：調節提供給電感器元件的電能的量。
條款51：根據條款46-50中的任一項所述的系統，其中當確定基座元件的特性時，控制裝置被配置為：確定基座元件的溫度。
條款52：根據條款46-51中的任一項所述的系統，其中控制裝置還被配置為：基於確定基座元件的溫度來執行控制操作。
條款53：根據條款46-52中的任一項所述的系統，其中當確定基座元件的特性時，控制裝置被配置為：確定基座元件是否在電感器元件附近。
條款54：根據條款46-53中的任一項所述的系統，其中控制裝置還被配置為：基於確定基座元件是否在電感器元件附近來執行控制操作。
條款55：根據條款46-54中的任一項所述的系統，還包括：感應加熱電路，其包括電感器元件和電容器元件；且其中控制裝置還被配置為：基於與電感器元件相關的磁場，確定感應加熱電路的響應。
條款56：根據條款46-55中的任一項所述的系統，其中當確定感應加熱電路的響應時，控制裝置被配置為：確定感應加熱電路的自諧振頻率（SRF）值。
條款57：根據條款46-56中的任一項所述的系統，其中當確定感應加熱電路的響應時，控制裝置被配置為：確定感應加熱電路的自諧振頻率（SRF）值。
條款58：根據條款46-57中的任一項所述的系統，其中，當確定基座元件的特性時，控制裝置被配置為：基於感應加熱電路的SRF值來確定基座元件的特性。
條款59：根據條款46-58中的任一項所述的系統，其中，當確定基座元件的特性時，控制裝置被配置為：基於感應加熱電路的SRF值來確定基座元件的溫度。
條款60：根據條款46-59中的任一項所述的系統，其中，當確定基座元件的特性時，控制裝置被配置為：基於感應加熱電路的SRF值確定基座元件是否在感應加熱電路附近。
條款61：根據條款46-60中的任一項所述的系統，其中當確定基座元件是否在感應加熱電路附近時，控制裝置被配置為：將感應加熱電路的SRF值與相關聯於基座元件的預定頻率值進行比較；並基於確定感應加熱電路的SRF值對應於與基座元件相關的預定頻率值，來確定基座元件在感應加熱電路附近。
條款62：根據條款46-61中的任一項所述的系統，其中當檢測與電感器元件相關聯的磁場時，控制裝置被配置為：基於基座元件在電感器元件附近，檢測與電感器元件相關聯的磁場。
條款63：根據條款46-62中的任一項所述的系統，其中當檢測與電感器元件相關聯的磁場時，控制裝置被配置為：使用至少一個感測器來檢測與電感器元件相關聯的磁場。
條款64：根據條款46-63中的任一項所述的系統，其中電感器元件是第一電感器元件，並且其中至少一個感測器包括：第二電感器元件；感應磁場的半導體感測器；或其任何組合。
條款65：根據條款46-64中的任一項所述的系統，其中至少一個感測器包括：霍爾效應感測器。
條款66：根據條款46-65中的任一項所述的系統，其中，當檢測與電感器元件相關聯的磁場時，控制裝置被配置為：檢測與電感器元件相關聯的磁場的變化。
條款67：根據條款46-66中的任一項所述的系統，其中，當檢測與電感器元件相關聯的磁場的變化時，控制裝置被配置為：基於基座元件的磁特性檢測與電感器元件相關聯的磁場的變化。
條款68：根據條款46-67中的任一項所述的系統，其中當檢測到與電感器元件相關聯的磁場的變化時，控制裝置被配置為：確定磁場的第一測量；確定磁場的第二測量；並計算出第一測量和第二測量之間的差異作為磁場的變化。
條款69：根據條款46-68中的任一項所述的系統，其中當確定基座元件的特性時，控制裝置被配置為：基於磁場的變化的振幅來確定基座元件的特性。
條款70：根據條款46-69中的任一項所述的系統，其中當確定基座元件的特性時，控制裝置被配置為：基於磁場的變化來確定基座元件的溫度。
條款71：根據條款46-70中的任一項所述的系統，其中當確定基座元件的特性時，控制裝置被配置為：基於磁場的變化來確定基座元件是否在電感器元件附近。
條款72：根據條款46-71中的任一項所述的系統，其中控制裝置還被配置為：確定與電感器元件相關聯的磁場的特性。
條款73：根據條款46-72中的任一項所述的系統，其中當確定與電感器元件相關聯的磁場的特性時，控制裝置被配置為：基於與電感器元件相關聯的磁場，確定由於電磁耦合到電感器元件的基座元件的磁導率的變化而引起的磁場的響應。
條款74：根據條款46-73中的任一項所述的系統，其中控制裝置還被配置為：確定與電感器元件的激勵相關聯的電壓，此係基於由於電磁耦合到電感器元件的基座元件的磁導率的變化所造成的磁場的響應。
條款75：根據條款46-74中的任一項所述的系統，其中控制裝置還被配置為：調節與電感器元件的激勵相關聯的電壓。
條款76：根據條款46-75中的任一項所述的系統，其中控制裝置還被配置為：基於與電感器元件的激勵相關聯的電壓來確定電感器元件中的電流。
條款77：根據條款46-76中的任一項所述的系統，其中控制裝置還被配置為：基於與電感器元件相關聯的磁場來確定與電感器元件相關聯的特性。
條款78：根據條款46-77中的任一項所述的系統，其中當確定與電感器元件相關聯的特性時，控制裝置被配置為：基於與電感器元件相關聯的磁場來確定電感器元件的電感值。
條款79：根據條款46-78中的任一項所述的系統，其中電感器元件電磁耦合至基座元件。
條款80：根據條款46-79中的任一項所述的系統，還包括：藥筒；並且其中基座元件位於藥筒內；並且其中藥筒被放置在電感器元件內。
條款81：一種用於確定基座元件的溫度的系統，包括：感應加熱電路；至少一個處理器，被編程或配置為：確定感應加熱電路的第一響應相位，其中第一響應相位係基於基座元件在第一驅動頻率下的磁特性，並且其中第一響應相位是相位差值，相位差值是在在第一驅動頻率下的驅動電流的相位和在第一驅動頻率下的感應加熱電路的電子部件兩端的電壓的相位之間；確定感應加熱電路的第二響應相位，其中第二響應相位係基於基座元件在第二驅動頻率下的磁特性，並且其中第二響應相位是相位差值，相位差值是在在第二驅動頻率下的驅動電流的相位和在第二驅動頻率下的感應加熱電路的電子部件兩端的電壓的相位之間；基於第一響應相位和第二響應相位，確定感應加熱電路的相位對頻率的函數；基於相位對頻率的函數，確定使函數的相位值為正交的頻率值；以及基於頻率值確定基座元件的溫度。
條款82：根據條款81所述的系統，其中感應加熱電路包括：電感器元件；以及電容器元件。
條款83：根據條款81或82所述的系統，其中感應加熱電路的部件包括：電感器元件、電容器元件、或提供與跨電感器元件或電容器元件兩端的電壓的相位相同的相位的感應加熱電路的部件。
條款84：根據條款81-83中的任一項所述的系統，其中至少一個處理器進一步被編程或配置為：確定感應加熱電路的第三響應相位，其中第三響應相位係基於基座元件在第三驅動頻率下的磁特性，並且其中第三響應相位是相位差值，相位差值是在在第三驅動頻率下的驅動電流的相位和在第三驅動頻率下的感應加熱電路的電子部件兩端的電壓的相位之間；以及確定感應加熱電路的第四響應相位，其中第四響應相位係基於基座元件在第四驅動頻率下的磁特性，並且其中第四響應相位是相位差值，相位差值是在在第四驅動頻率下的驅動電流的相位和在第四驅動頻率下的感應加熱電路的電子部件兩端的電壓的相位之間；其中當確定感應加熱電路的相位對頻率的函數時，至少一個處理器被編程或配置為：基於第一響應相位、第二響應相位、第三響應相位和第四響應相位，確定感應加熱電路的相位對頻率的函數。
條款85：根據條款81-84中的任一項所述的系統，其中函數包括多項式，且其中當確定相位對頻率的函數時，至少一個處理器被編程或配置為：確定多項式的多項式係數，此多項式擬合於感應加熱電路的第一響應相位、感應加熱電路的第二響應相位、感應加熱電路的第三響應相位和感應加熱電路的第四響應相位，且其中當確定使函數的響應相位值為正交的頻率值時，至少一個處理器被編程或配置為：基於多項式的多項式係數確定使函數的相位值為正交的頻率值。
條款86：根據條款81-85中的任一項所述的系統，其中當基於第一響應相位與第二響應相位確定相位對頻率的函數時，至少一個處理器被編程或配置為：確定多項式的多項式係數，此多項式擬合於感應加熱電路的第一響應相位與感應加熱電路的第二響應相位，且其中當確定使函數的響應相位值為正交的頻率值時，至少一個處理器被編程或配置為：基於多項式的多項式係數確定使函數的相位值為正交的頻率值。
條款87：根據條款81-86中的任一項所述的系統，其中至少一個處理器進一步被編程或配置為：基於電容器元件兩端的電壓的第一測量，確定在第一驅動頻率下感應加熱電路的電子部件兩端的電壓的相位；以及基於對電容器元件兩端的電壓的第二測量，來確定在第二驅動頻率下感應加熱電路的電子部件兩端的電壓的相位。
條款88：根據條款81-87中的任一項所述的系統，其中當確定基座元件的溫度時，至少一個處理器被編程或配置為：基於電感器元件產生的磁場的測量和使函數的相位值正交的頻率值，確定基座元件的溫度。
條款89：根據條款81-88中的任一項所述的系統，其中至少一個處理器進一步被編程或配置為：確定由電感器元件產生的磁場的測量，其中當確定基座元件的溫度時，至少一個處理器被編程或配置為：基於電感器元件產生的磁場的測量和使函數的相位值正交的頻率值，確定基座元件的溫度。
條款90：根據條款81-89中的任一項所述的系統，其中當確定基座元件的溫度時，至少一個處理器被編程或配置為：基於電容器元件兩端的A/C電壓的振幅和電容器元件兩端的A/C電壓的頻率，確定由電感器元件產生的磁場的測量；且其中當確定基座元件的溫度時，至少一個處理器被編程或配置為：基於電感器元件產生的磁場的測量和使函數的相位值正交的頻率值，確定基座元件的溫度。
條款91：根據條款81-90中的任一項所述的系統，其中當確定基座元件的溫度時，至少一個處理器被編程或配置為：確定電容器元件兩端的A/C電壓的振幅和電容器元件兩端的A/C電壓的頻率；基於電容器元件兩端的A/C電壓的振幅和電容器元件兩端的A/C電壓的頻率，確定由電感器元件產生的磁場的測量；以及基於電感器元件產生的磁場的測量和使函數的相位值正交的頻率值，確定基座元件的溫度。
條款92：根據條款81-91中的任一項所述的系統，還包括：至少一個溫度感測器；且其中當確定基座元件的溫度時，至少一個處理器被編程或配置為：基於使函數的相位值正交的頻率值以及至少一個溫度感測器的輸出，確定基座元件的溫度。
條款93：根據條款81-92中的任一項所述的系統，還包括：至少一個溫度感測器，其與以下至少一項熱接觸：電感器元件、電容器元件或其任意組合；且其中當確定基座元件的溫度時，至少一個處理器被編程或配置為：基於使函數的相位值正交的頻率值以及至少一個溫度感測器的輸出，確定基座元件的溫度。
條款94：根據條款81-93中的任一項所述的系統，其中至少一個溫度感測器耦合至系統的部件。
條款95：根據條款81-94中的任一項所述的系統，其中當確定基座元件的溫度時，至少一個處理器被編程或配置為：基於使函數的相位值正交的頻率值以及電感器元件、電容器元件或其組合的溫度，來確定基座元件的溫度。
條款96：根據條款81-95中的任一項所述的系統，其中當確定基座元件的溫度時，至少一個處理器被編程或配置為：基於由基座元件吸收的功率量，來確定基座元件的溫度。
條款97：根據條款81-96中的任一項所述的系統，其中至少一個處理器進一步被編程或配置為：基於基座元件吸收的功率量，來控制基座元件的溫度。
條款98：根據條款81-97中的任一項所述的系統，其中至少一個處理器進一步被編程或配置為：控制基座元件的溫度。
條款99：根據條款81-98中的任一項所述的系統，其中當控制基座元件的溫度時，至少一個處理器被編程或配置為：基於基座元件吸收的功率量，控制基座元件的溫度變化的速率。
條款100：根據條款81-99中的任一項所述的系統，其中至少一個處理器進一步被編程或配置為：提供與基座元件吸收的功率量相關聯的反饋結果。
條款101：根據條款81-100中的任一項所述的系統，其中至少一個處理器進一步被編程或配置為：基於基座元件吸收的功率量，確定基座元件是否靠近電感器元件。
條款102：根據條款81-101中的任一項所述的系統，其中至少一個處理器進一步被編程或配置為：基於相位對頻率的函數，確定基座元件吸收的功率量；且其中當確定基座元件的溫度時，至少一個處理器被編程或配置為：基於由基座元件吸收的功率量，來確定基座元件的溫度。
條款103：根據條款81-102中的任一項所述的系統，其中至少一個處理器進一步被編程或配置為：基於要提供給電感器元件以保持基座元件的指定溫度的電流的時間平均值，將一定量的電流提供給電感器元件。
條款104：根據條款81-103中的任一項所述的系統，其中當確定基座元件的溫度時，至少一個處理器被編程或配置為：基於至少一個校準過程的結果，來確定基座元件的溫度。
條款105：根據條款81-104中的任一項所述的系統，其中至少一個校準過程的結果包括：參考集，參考集具有基座元件的複數個溫度值和對於每個正交的函數的複數個相位值的複數個頻率值，其中複數個頻率值中的每個頻率值對應於基座元件的複數個溫度值中的每個溫度值；其中當確定基座元件的溫度時，至少一個處理器被編程或配置為：將使函數的相位值正交的頻率值與參考集進行比較；以及基於參考集中的溫度值確定基座元件的溫度，溫度值對應於使函數的相位值正交的頻率值。
條款106：根據條款81-105中的任一項所述的系統，其中至少一個校準過程包括參考校準過程，其中至少一個校準過程的結果是藉由執行參考校準過程而獲得的，並且其中執行參考校準過程包括：將第二基座元件保持在第一選定溫度，其中第二基座元件與參考感應加熱電路相關聯；對於第一選定溫度與第一選定驅動電流量，確定參考感應加熱電路的第一響應相位，其中第一響應相位係基於第二基座元件在第一驅動頻率下的磁特性，並且其中第一響應相位是相位差值，相位差值是在在第一驅動頻率下的驅動電流的相位和在第一驅動頻率下的參考感應加熱電路的電子部件兩端的電壓的相位之間；對於第一選定溫度與第一選定驅動電流量，確定參考感應加熱電路的第二響應相位，其中第二響應相位係基於第二基座元件在第二驅動頻率下的磁特性，並且其中第一響應相位是相位差值，相位差值是在在第二驅動頻率下的驅動電流的相位和在第二驅動頻率下的參考感應加熱電路的電子部件兩端的電壓的相位之間；基於參考感應加熱電路的第二響應相位和第一響應相位，確定感應加熱電路的相位對頻率的第一函數；基於相位對頻率的第一函數，確定使第一函數的相位值為正交的第一頻率值；將第二基座元件保持在第二選定溫度；對於第二選定溫度與第三選定驅動電流量，確定參考感應加熱電路的第三響應相位，其中第三響應相位係基於第二基座元件在第三驅動頻率下的磁特性，並且其中第三響應相位是相位差值，相位差值是在在第三驅動頻率下的驅動電流的相位和在第三驅動頻率下的參考感應加熱電路的電子部件兩端的電壓的相位之間；對於選定溫度與第三驅動電流量，確定參考感應加熱電路的第二響應相位，其中第二響應相位係基於第二基座元件在第二驅動頻率下的磁特性，並且其中第一響應相位是相位差值，相位差值是在在第二驅動頻率下的驅動電流的相位和在第二驅動頻率下的參考感應加熱電路的電子部件兩端的電壓的相位之間；基於參考感應加熱電路的第三響應相位和第四響應相位，確定感應加熱電路的相位對頻率的第二函數；基於相位對頻率的第二函數，確定使第二函數的相位值為正交的第二頻率值。
條款107：根據條款81-106中的任一項所述的系統，其中至少一個校準過程的結果包括參考校準過程的結果，其中參考校準過程的結果包含：參考集，參考集具有第二基座元件的複數個溫度值、複數個驅動電流量、和對於每個正交的第一函數與第二函數的複數個相位值中的每個相位值的複數個頻率值，其中複數個頻率值中的每個頻率值對應於第二基座元件的複數個溫度值中的每個溫度值，且其中複數個驅動電流量中的每個驅動電流量對應於第二基座元件的複數個溫度值中的每個溫度值；且其中當確定基座元件的溫度時，至少一個處理器經編程或配置以：基於參考集來確定基座元件的溫度，參考集具有第二基座元件的複數個溫度值、複數個驅動電流量、和使第一函數與第二函數的複數個相位值中的每個相位值為正交的複數個頻率值。
條款108：根據條款81-107中的任一項所述的系統，其中至少一個校準過程的結果包括參考校準過程的結果，其中參考校準過程的結果包含：基於參考集的校準函數，參考集具有第二基座元件的複數個溫度值、複數個驅動電流量、和對於每個正交的第一函數與第二函數的複數個相位值中的每個相位值的複數個頻率值，其中複數個頻率值中的每個頻率值對應於基座元件的複數個溫度值中的每個溫度值，且其中複數個驅動電流量中的每個驅動電流量對應於第二基座元件的複數個溫度值中的每個溫度值；且其中當確定基座元件的溫度時，至少一個處理器被編程或配置為：基於校準函數，來確定基座元件的溫度。
條款109：根據條款81-108中的任一項所述的系統，其中當確定基座元件的溫度時，至少一個處理器被編程或配置為：基於至少一個校準過程的結果確定基座元件的溫度，其中至少一個校準過程包括本地校準過程，並且其中至少一個處理器進一步被編程或配置為：執行本地校準過程，其中當執行本地校準過程時，至少一個處理器被編程或配置為：將基座元件保持在第一選定溫度；對於第一選定溫度與第一選定驅動電流量，確定感應加熱電路的第三響應相位，其中第三響應相位係基於基座元件在第三驅動頻率下的磁特性，其中第三響應相位是相位差值，相位差值是在在第三驅動頻率下的驅動電流的相位和在第三驅動頻率下的感應加熱電路的電子部件兩端的電壓的相位之間；對於選定溫度與第一選定驅動電流量，確定感應加熱電路的第四響應相位，其中第四響應相位係基於基座元件在第四驅動頻率下的磁特性，其中第四響應相位是相位差值，相位差值是在在第四驅動頻率下的驅動電流的相位和在第四驅動頻率下的感應加熱電路的電子部件兩端的電壓的相位之間；基於感應加熱電路的第四響應相位和第三響應相位，確定感應加熱電路的相位對頻率的第二函數；基於相位對頻率的第二函數，確定使第二函數的相位值為正交的第二頻率值；對於第一選定溫度與第二選定驅動電流量，確定感應加熱電路的第五響應相位，其中第五響應相位係基於基座元件在第五驅動頻率下的磁特性，其中第五響應相位是相位差值，相位差值是在在第五驅動頻率下的驅動電流的相位和在第五驅動頻率下的感應加熱電路的電子部件兩端的電壓的相位之間；對於選定溫度與第二選定驅動電流量，確定感應加熱電路的第六響應相位，其中第六響應相位係基於基座元件在第六驅動頻率下的磁特性，其中第六響應相位是相位差值，相位差值是在在第六驅動頻率下的驅動電流的相位和在第六驅動頻率下的感應加熱電路的電子部件兩端的電壓的相位之間；基於感應加熱電路的第五響應相位和第六響應相位，確定感應加熱電路的相位對頻率的第三函數；以及基於相位對頻率的第三函數，確定使第三函數的相位值為正交的第三頻率值。
條款110：根據條款81-109中的任一項所述的系統，其中至少一個校準過程的結果包括本地校準過程的結果；且其中至少一個處理器進一步被編程或配置以：確定本地校準過程的結果，其中對於第一選定溫度，本地校準過程的結果包括本地集，本地集具有複數個驅動電流量和對於每個正交的第二函數的複數個相位值中的每個相位值的複數個頻率值，其中複數個頻率值中的每個頻率值對應於對於第一選定溫度的複數個驅動電流值中的每個驅動電流值。
條款111：根據條款81-110中的任一項所述的系統，其中當確定基座元件的溫度時，至少一個處理器被編程或配置為：基於感應加熱電路的電感器元件中的A/C電流量，確定基座元件的溫度。
條款112：一種用於確定基座元件溫度的方法，包括：由至少一個處理器確定感應加熱電路的第一響應相位，其中第一響應相位係基於基座元件在第一驅動頻率下的磁特性，並且其中第一響應相位是相位差值，相位差值是在在第一驅動頻率下的驅動電流的相位和在第一驅動頻率下的感應加熱電路的電子部件兩端的電壓的相位之間；由至少一個處理器確定感應加熱電路的第二響應相位，其中第二響應相位係基於基座元件在第二驅動頻率下的磁特性，並且其中第二響應相位是相位差值，相位差值是在在第二驅動頻率下的驅動電流的相位和在第二驅動頻率下的感應加熱電路的電子部件兩端的電壓的相位之間；由至少一個處理器基於第一響應相位和第二響應相位，確定感應加熱電路的相位對頻率的函數；由至少一個處理器基於相位對頻率的函數，確定使函數的相位值為正交的頻率值；以及由至少一個處理器基於頻率值確定基座元件的溫度。
條款113：根據條款112所述的方法，方法還包括：確定感應加熱電路的第三響應相位，其中第三響應相位係基於基座元件在第三驅動頻率下的磁特性，並且其中第三響應相位是相位差值，相位差值是在在第三驅動頻率下的驅動電流的相位和在第三驅動頻率下的感應加熱電路的電子部件兩端的電壓的相位之間；以及確定感應加熱電路的第四響應相位，其中第四響應相位係基於基座元件在第四驅動頻率下的磁特性，並且其中第三響應相位是相位差值，相位差值是在在第四驅動頻率下的驅動電流的相位和在第四驅動頻率下的感應加熱電路的電子部件兩端的電壓的相位之間，其中確定對於感應加熱電路的相位對頻率函數包含：基於第一響應相位、第二響應相位、第三響應相位和第四響應相位，確定感應加熱電路的相位對頻率函數。
條款114：根據條款112或113中的任一項所述的方法，其中函數包括多項式，且其中當確定相位對頻率的函數時包含：確定多項式的多項式係數，此多項式擬合於感應加熱電路的第一響應相位、感應加熱電路的第二響應相位、感應加熱電路的第三響應相位和感應加熱電路的第四響應相位，且其中確定使函數的響應相位值為正交的頻率值包含：基於多項式的多項式係數確定使函數的相位值為正交的頻率值。
條款115：根據條款112-114中的任一項所述的方法，其中基於第一響應相位與第二響應相位確定相位對頻率的函數包含：確定多項式的多項式係數，此多項式擬合於感應加熱電路的第一響應相位與感應加熱電路的第二響應相位，且其中確定使函數的響應相位值為正交的頻率值包含：基於多項式的多項式係數確定使函數的相位值為正交的頻率值。
條款116：根據條款112-115中的任一項所述的方法，進一步包含：基於電容器元件兩端的電壓的第一測量，確定在第一驅動頻率下感應加熱電路的電子部件兩端的電壓的相位；以及基於對電容器元件兩端的電壓的第二測量，來確定在第二驅動頻率下感應加熱電路的電子部件兩端的電壓的相位。
條款117：根據條款112-116中的任一項所述的方法，其中確定基座元件的溫度包括：基於感應加熱電路的電感器元件產生的磁場的測量和使函數的相位值正交的頻率值，確定基座元件的溫度。
條款118：根據條款112-117中的任一項所述的方法，進一步包含：確定由電感器元件產生的磁場的測量，其中確定基座元件的溫度包含：基於電感器元件產生的磁場的測量和使函數的相位值正交的頻率值，確定基座元件的溫度。
條款119：根據條款112-118中的任一項所述的方法，其中確定基座元件的溫度包含：基於電容器元件兩端的A/C電壓的振幅的測量和電容器元件兩端的A/C電壓的頻率，確定由電感器元件產生的磁場的測量；且其中確定基座元件的溫度包含：基於電感器元件產生的磁場的測量和使函數的相位值正交的頻率值，確定基座元件的溫度。
條款120：根據條款112-119中的任一項所述的方法，其中確定基座元件的溫度包含：確定電容器元件兩端的A/C電壓的振幅和電容器元件兩端的A/C電壓的頻率；基於電容器元件兩端的A/C電壓的振幅和電容器元件兩端的A/C電壓的頻率，確定由電感器元件產生的磁場的測量；以及基於電感器元件產生的磁場的測量和使函數的相位值正交的頻率值，確定基座元件的溫度。
條款121：根據條款112-120中的任一項所述的方法，其中確定基座元件的溫度包含：基於使函數的相位值正交的頻率值以及至少一個溫度感測器的輸出，確定基座元件的溫度。
條款122：根據條款112-121中的任一項所述的方法，其中確定基座元件的溫度包含：基於使函數的相位值正交的頻率值以及至少一個溫度感測器的輸出，確定基座元件的溫度。
條款123：根據條款112-122中的任一項所述的方法，其中確定基座元件的溫度包含：基於使函數的相位值正交的頻率值以及電感器元件、電容器元件或其組合的溫度，來確定基座元件的溫度。
條款124：根據條款112-123中的任一項所述的方法，其中確定基座元件的溫度包含：基於由基座元件吸收的功率量，來確定基座元件的溫度。
條款125：根據條款112-124中的任一項所述的方法，進一步包含：基於由基座元件吸收的功率量，來控制基座元件的溫度。
條款126：根據條款112-125中的任一項所述的方法，還包括：控制基座元件的溫度。
條款127：根據條款112-126中的任一項所述的方法，其中控制基座元件的溫度包括：基於基座元件吸收的功率量，控制基座元件的溫度變化的速率。
條款128：根據條款112-127中的任一項所述的方法，還包括：提供與基座元件吸收的功率量相關聯的反饋結果。
條款129：根據條款112-128中的任一項所述的方法，還包括：基於基座元件吸收的功率量，確定基座元件是否靠近電感器元件。
條款130：根據條款112-129中的任一項所述的方法，還包括：基於相位對頻率的函數確定基座元件吸收的功率量，其中確定基座元件的溫度包括：基於基座元件吸收的功率量確定基座元件的溫度。
條款131：根據條款112-130中的任一項所述的方法，進一步包含：基於要提供給電感器元件以保持基座元件的指定溫度的電流的時間平均值，將一定量的電流提供給電感器元件。
條款132：根據條款112-131中的任一項所述的方法，其中確定基座元件的溫度包含：基於至少一個校準過程的結果，來確定基座元件的溫度。
條款133：根據條款112-132中的任一項所述的方法，其中至少一個校準過程的結果包括：參考集，參考集具有基座元件的複數個溫度值和對於每個正交的函數的複數個相位值的複數個頻率值，其中複數個頻率值中的每個頻率值對應於基座元件的複數個溫度值中的每個溫度值，且其中確定基座元件的溫度包含：將使函數的相位值正交的頻率值與參考集比較；以及基於參考集中的溫度值確定基座元件的溫度，溫度值對應於使函數的相位值正交的頻率值。
條款134：根據條款112-133中的任一項所述的方法，其中至少一個校準過程包括參考校準過程，其中至少一個校準過程的結果是藉由執行參考校準過程而獲得的，並且其中執行參考校準過程包括：將第二基座元件保持在第一選定溫度，其中第二基座元件與參考感應加熱電路相關聯；對於第一選定溫度與第一選定驅動電流量，確定參考感應加熱電路的第一響應相位，其中第一響應相位係基於第二基座元件在第一驅動頻率下的磁特性，並且其中第一響應相位是相位差值，相位差值是在在第一驅動頻率下的驅動電流的相位和在第一驅動頻率下的參考感應加熱電路的電子部件兩端的電壓的相位之間；對於第一選定溫度與第一選定驅動電流量，確定參考感應加熱電路的第二響應相位，其中第二響應相位係基於第二基座元件在第二驅動頻率下的磁特性，並且其中第一響應相位是相位差值，相位差值是在在第二驅動頻率下的驅動電流的相位和在第二驅動頻率下的參考感應加熱電路的電子部件兩端的電壓的相位之間；基於參考感應加熱電路的第二響應相位和第一響應相位，確定感應加熱電路的相位對頻率的第一函數；基於相位對頻率的第一函數，確定使第一函數的相位值為正交的第一頻率值；將第二基座元件保持在第二選定溫度；對於第二選定溫度與第三選定驅動電流量，確定參考感應加熱電路的第三響應相位，其中第三響應相位係基於第二基座元件在第三驅動頻率下的磁特性，並且其中第三響應相位是相位差值，相位差值是在在第三驅動頻率下的驅動電流的相位和在第三驅動頻率下的參考感應加熱電路的電子部件兩端的電壓的相位之間；對於選定溫度與第三驅動電流量，確定參考感應加熱電路的第二響應相位，其中第二響應相位係基於第二基座元件在第二驅動頻率下的磁特性，並且其中第一響應相位是相位差值，相位差值是在在第二驅動頻率下的驅動電流的相位和在第二驅動頻率下的參考感應加熱電路的電子部件兩端的電壓的相位之間；基於參考感應加熱電路的第三響應相位和第四響應相位，確定感應加熱電路的相位對頻率的第二函數；以及基於相位對頻率的第二函數，確定使第二函數的相位值為正交的第二頻率值。
條款135：根據條款112-134中的任一項所述的方法，其中至少一個校準過程的結果包括參考校準過程的結果，其中參考校準過程的結果包含：參考集，參考集具有第二基座元件的複數個溫度值、複數個驅動電流量、和對於每個正交的第一函數與第二函數的複數個相位值中的每個相位值的複數個頻率值，其中複數個頻率值中的每個頻率值對應於第二基座元件的複數個溫度值中的每個溫度值，且其中複數個驅動電流量中的每個驅動電流量對應於第二基座元件的複數個溫度值中的每個溫度值；且其中確定基座元件的溫度包含：基於參考集來確定基座元件的溫度，參考集具有第二基座元件的複數個溫度值、複數個驅動電流量、和使第一函數與第二函數的複數個相位值中的每個相位值為正交的複數個頻率值。
條款136：根據條款112-135中的任一項所述的方法，其中至少一個校準過程的結果包括參考校準過程的結果，其中參考校準過程的結果包含：基於參考集的校準函數，參考集具有第二基座元件的複數個溫度值、複數個驅動電流量、和對於每個正交的第一函數與第二函數的複數個相位值中的每個相位值的複數個頻率值，其中複數個頻率值中的每個頻率值對應於基座元件的複數個溫度值中的每個溫度值，且其中複數個驅動電流量中的每個驅動電流量對應於第二基座元件的複數個溫度值中的每個溫度值；且其中確定基座元件的溫度包含：基於校準函數，來確定基座元件的溫度。
條款137：根據條款112-136中的任一項所述的方法，其中確定基座元件的溫度包含：基於至少一個校準過程的結果確定基座元件的溫度，其中至少一個校準過程包括本地校準過程，方法進一步包含：執行本地校準過程，其中執行本地校準過程包含：將基座元件保持在第一選定溫度；對於第一選定溫度與第一選定驅動電流量，確定感應加熱電路的第三響應相位，其中第三響應相位係基於基座元件在第三驅動頻率下的磁特性，其中第三響應相位是相位差值，相位差值是在在第三驅動頻率下的驅動電流的相位和在第三驅動頻率下的感應加熱電路的電子部件兩端的電壓的相位之間；對於選定溫度與第一選定驅動電流量，確定感應加熱電路的第四響應相位，其中第四響應相位係基於基座元件在第四驅動頻率下的磁特性，其中第四響應相位是相位差值，該相位差值是在在第四驅動頻率下的驅動電流的相位和在第四驅動頻率下的感應加熱電路的電子部件兩端的電壓的相位之間；基於感應加熱電路的第四響應相位和第三響應相位，確定感應加熱電路的相位對頻率的第二函數；基於相位對頻率的第二函數，確定使第二函數的相位值為正交的第二頻率值；對於第一選定溫度與第二選定驅動電流量，確定感應加熱電路的第五響應相位，其中第三響應相位係基於該基座元件在第五驅動頻率下的磁特性，其中第五響應相位是相位差值，相位差值是在在第五驅動頻率下的驅動電流的相位和在第五驅動頻率下的感應加熱電路的電子部件兩端的電壓的相位之間；對於選定溫度與第二選定驅動電流量，確定感應加熱電路的第六響應相位，其中第六響應相位係基於基座元件在第六驅動頻率下的磁特性，其中第六響應相位是相位差值，相位差值是在在第六驅動頻率下的驅動電流的相位和在第六驅動頻率下的感應加熱電路的電子部件兩端的電壓的相位之間；基於感應加熱電路的第五響應相位和第六響應相位，確定感應加熱電路的相位對頻率的第三函數；以及基於相位對頻率的第三函數，確定使第三函數的相位值為正交的第三頻率值。
條款138：根據條款112-137中的任一項所述的方法，其中至少一個校準過程的結果包括本地校準過程的結果，方法還包括：確定本地校準過程的結果，其中對於第一選定溫度，本地校準過程的結果包括本地集，本地集具有複數個驅動電流量和對於每個正交的第二函數的複數個相位值中的每個相位值的複數個頻率值，其中複數個頻率值中的每個頻率值對應於對於第一選定溫度的複數個驅動電流值中的每個驅動電流值。
條款139：根據條款112-138中的任一項所述的方法，其中確定基座元件的溫度包含：基於感應加熱電路的電感器元件中的A/C電流量，確定基座元件的溫度。
條款140：一種用於確定基座元件的溫度的電腦程式產品，電腦程式產品包括至少一個非暫態性電腦可讀取媒體，包括一個或多個指令，當由至少一個處理器執行時，指令導致至少一個處理器：確定感應加熱電路的第一響應相位，其中第一響應相位係基於基座元件在第一驅動頻率下的磁特性，並且其中第一響應相位是相位差值，相位差值是在在第一驅動頻率下的驅動電流的相位和在第一驅動頻率下的感應加熱電路的電子部件兩端的電壓的相位之間；確定感應加熱電路的第二響應相位，其中第二響應相位係基於基座元件在第二驅動頻率下的磁特性，並且其中第二響應相位是相位差值，相位差值是在在第二驅動頻率下的驅動電流的相位和在第二驅動頻率下的感應加熱電路的電子部件兩端的電壓的相位之間；基於第一響應相位和第二響應相位，確定感應加熱電路的相位對頻率的函數；基於相位對頻率的函數，確定使函數的相位值為正交的頻率值；以及基於頻率值確定基座元件的溫度。
條款141：根據條款140所述的電腦程式產品，其中一個或多個指令進一步使至少一個處理器：確定感應加熱電路的第三響應相位，其中第三響應相位係基於基座元件在第三驅動頻率下的磁特性，並且其中第三響應相位是相位差值，相位差值是在在第三驅動頻率下的驅動電流的相位和在第三驅動頻率下的感應加熱電路的電子部件兩端的電壓的相位之間；以及確定感應加熱電路的第四響應相位，其中第四響應相位係基於基座元件在第四驅動頻率下的磁特性，並且其中第三響應相位是相位差值，相位差值是在在第四驅動頻率下的驅動電流的相位和在第四驅動頻率下的感應加熱電路的電子部件兩端的電壓的相位之間，其中使至少一個處理器確定感應加熱電路的相位對頻率函數的一個或多個指令使得至少一個處理器：基於第一響應相位、第二響應相位、第三響應相位和第四響應相位，確定感應加熱電路的相位對頻率函數。
條款142：根據條款140或141中的任一項所述的電腦程式產品，其中函數包括多項式，且其中使至少一個處理器確定相位對頻率函數的一個或多個指令使得至少一個處理器：確定多項式的多項式係數，此多項式擬合於感應加熱電路的第一響應相位、感應加熱電路的第二響應相位、感應加熱電路的第三響應相位和感應加熱電路的第四響應相位，且其中使至少一個處理器確定使函數的響應相位值正交的頻率值的一個或多個指令使得至少一個處理器：基於多項式的多項式係數確定使函數的相位值為正交的頻率值。
條款143：根據條款140-142中的任一項所述的電腦程式產品，其中使至少一個處理器基於第一響應相位與第二響應相位確定相位對頻率函數的一個或多個指令使得至少一個處理器：確定多項式的多項式係數，此多項式擬合於感應加熱電路的第一響應相位與感應加熱電路的第二響應相位，且其中使至少一個處理器確定使函數的響應相位值正交的頻率值的一個或多個指令使得至少一個處理器：基於多項式的多項式係數確定使函數的相位值為正交的頻率值。
條款144：根據條款140-143中的任一項所述的電腦程式產品，其中一個或多個指令還使至少一個處理器：基於電容器元件兩端的電壓的第一測量，確定在第一驅動頻率下感應加熱電路的電子部件兩端的電壓的相位；以及基於對電容器元件兩端的電壓的第二測量，來確定在第二驅動頻率下感應加熱電路的電子部件兩端的電壓的相位。
條款145：根據條款140-144中的任一項所述的電腦程式產品，其中使至少一個處理器確定基座元件的溫度的一個或多個指令使得至少一個處理器：基於感應加熱電路的電感器元件產生的磁場的測量和使函數的相位值正交的頻率值，確定基座元件的溫度。
條款146：根據條款140-145中的任一項所述的電腦程式產品，其中一個或多個指令還使至少一個處理器：確定由電感器元件產生的磁場的測量，其中使至少一個處理器確定基座元件的溫度的一個或多個指令使至少一個處理器：基於電感器元件產生的磁場的測量和使函數的相位值正交的頻率值，確定基座元件的溫度。
條款147：根據條款140-146中的任一項所述的電腦程式產品，其中使至少一個處理器確定基座元件的溫度的一個或多個指令使至少一個處理器：基於電容器元件兩端的A/C電壓的振幅和電容器元件兩端的A/C電壓的頻率，確定由電感器元件產生的磁場的測量；且其中使至少一個處理器確定基座元件的溫度的一個或多個指令使得至少一個處理器：基於電感器元件產生的磁場的測量和使函數的相位值正交的頻率值，確定基座元件的溫度。
條款148：根據條款140-147中的任一項所述的電腦程式產品，其中使至少一個處理器確定基座元件的溫度的一個或多個指令使至少一個處理器：確定電容器元件兩端的A/C電壓的振幅和電容器元件兩端的A/C電壓的頻率；基於電容器元件兩端的A/C電壓的振幅和電容器元件兩端的A/C電壓的頻率，確定由電感器元件產生的磁場的測量；以及基於電感器元件產生的磁場的測量和使函數的相位值正交的頻率值，確定基座元件的溫度。
條款149：根據條款140-148中的任一項所述的電腦程式產品，其中使至少一個處理器確定基座元件的溫度的一個或多個指令使得至少一個處理器：基於使函數的相位值正交的頻率值與至少一個溫度感測器的輸出，確定基座元件的溫度。
條款150：根據條款140-149中的任一項所述的電腦程式產品，其中使至少一個處理器確定基座元件的溫度的一個或多個指令使得至少一個處理器：基於使函數的相位值正交的頻率值與至少一個溫度感測器的輸出，確定基座元件的溫度。
條款151：根據條款140-150中的任一項所述的電腦程式產品，其中使至少一個處理器確定基座元件的溫度的一個或多個指令使得至少一個處理器：基於使函數的相位值正交的頻率值與電感器元件、電容器元件或其組合的溫度，確定基座元件的溫度。
條款152：根據條款140-151中的任一項所述的電腦程式產品，其中使至少一個處理器確定基座元件的溫度的一個或多個指令使至少一個處理器：基於基座元件吸收的功率量來確定基座元件的溫度。
條款153：根據條款140-152中的任一項所述的電腦程式產品，其中一個或多個指令進一步使至少一個處理器：基於基座元件吸收的功率量來控制基座元件的溫度。
條款154：根據條款140-153中的任一項所述的電腦程式產品，其中一個或多個指令進一步使至少一個處理器：控制基座元件的溫度。
條款155：根據條款140-154中的任一項所述的電腦程式產品，其中使至少一個處理器確定基座元件的溫度的一個或多個指令使至少一個處理器：基於基座元件吸收的功率量來控制基座元件的溫度變化的速率。
條款156：根據條款140-155中的任一項所述的電腦程式產品，其中一個或多個指令進一步使至少一個處理器：基於基座元件吸收的功率量來提供反饋結果。
條款157：根據條款140-156中的任一項所述的電腦程式產品，其中一個或多個指令進一步使至少一個處理器：基於基座元件吸收的功率量來確定基座元件是否靠近電感器元件。
條款158：根據條款140-157中的任一項所述的電腦程式產品，其中一個或多個指令進一步使至少一個處理器：基於相位對頻率的函數來確定基座元件吸收的功率量，其中使至少一個處理器確定基座元件的溫度的一個或多個指令使至少一個處理器：基於基座元件吸收的功率量確定基座元件的溫度。
條款159：根據條款140-158中的任一項所述的電腦程式產品，其中一個或多個指令進一步使至少一個處理器：基於要提供給電感器元件以保持基座元件的指定溫度的電流的時間平均值，將一定量的電流提供給電感器元件。
條款160：根據條款140-159中的任一項所述的電腦程式產品，其中使至少一個處理器確定基座元件的溫度的一個或多個指令使至少一個處理器：基於至少一個校準過程的結果來確定基座元件的溫度。
條款161：根據條款140-160中的任一項所述的電腦程式產品，其中至少一個校準過程的結果包括：參考集，參考集具有基座元件的複數個溫度值和對於每個正交的函數的複數個相位值的複數個頻率值，其中複數個頻率值中的每個頻率值對應於基座元件的複數個溫度值中的每個溫度值，且其中使至少一個處理器確定基座元件的溫度的一個或多個指令使至少一個處理器：將使函數的相位值正交的頻率值與參考集比較；以及基於參考集中的溫度值確定基座元件的溫度，溫度值對應於使函數的相位值正交的頻率值。
條款162：根據條款140-161中的任一項所述的電腦程式產品，其中至少一個校準過程包括參考校準過程，其中至少一個校準過程的結果是藉由執行參考校準過程而獲得的，並且其中執行參考校準過程包括：將第二基座元件保持在第一選定溫度，其中第二基座元件與參考感應加熱電路相關聯；對於第一選定溫度與第一選定驅動電流量，確定參考感應加熱電路的第一響應相位，其中第一響應相位係基於第二基座元件在第一驅動頻率下的磁特性，並且其中第一響應相位是相位差值，相位差值是在在第一驅動頻率下的驅動電流的相位和在第一驅動頻率下的參考感應加熱電路的電子部件兩端的電壓的相位之間；對於第一選定溫度與第一選定驅動電流量，確定參考感應加熱電路的第二響應相位，其中第二響應相位係基於第二基座元件在第二驅動頻率下的磁特性，並且其中第一響應相位是相位差值，相位差值是在在第二驅動頻率下的驅動電流的相位和在第二驅動頻率下的參考感應加熱電路的電子部件兩端的電壓的相位之間；基於參考感應加熱電路的第二響應相位和第一響應相位，確定感應加熱電路的相位對頻率的第一函數；基於相位對頻率的第一函數，確定使第一函數的相位值為正交的第一頻率值；將第二基座元件保持在第二選定溫度；對於第二選定溫度與第三選定驅動電流量，確定參考感應加熱電路的第三響應相位，其中第三響應相位係基於第二基座元件在第三驅動頻率下的磁特性，並且其中第三響應相位是相位差值，相位差值是在在第三驅動頻率下的驅動電流的相位和在第三驅動頻率下的參考感應加熱電路的電子部件兩端的電壓的相位之間；對於選定溫度與第三驅動電流量，確定參考感應加熱電路的第二響應相位，其中第二響應相位係基於第二基座元件在第二驅動頻率下的磁特性，並且其中第一響應相位是相位差值，相位差值是在在第二驅動頻率下的驅動電流的相位和在第二驅動頻率下的參考感應加熱電路的電子部件兩端的電壓的相位之間；基於參考感應加熱電路的第三響應相位和第四響應相位，確定感應加熱電路的相位對頻率的第二函數；以及基於相位對頻率的第二函數，確定使第二函數的相位值為正交的第二頻率值。
條款163：根據條款140-162中的任一項所述的電腦程式產品，其中至少一個校準過程的結果包括參考校準過程的結果，其中參考校準過程的結果包含：參考集，參考集具有第二基座元件的複數個溫度值、複數個驅動電流量、和對於每個正交的第一函數與第二函數的複數個相位值中的每個相位值的複數個頻率值，其中複數個頻率值中的每個頻率值對應於第二基座元件的複數個溫度值中的每個溫度值，且其中複數個驅動電流量中的每個驅動電流量對應於第二基座元件的複數個溫度值中的每個溫度值；且其中使至少一個處理器確定基座元件的溫度的一個或多個指令使得至少一個處理器：基於參考集來確定基座元件的溫度，參考集具有第二基座元件的複數個溫度值、複數個驅動電流量、和使第一函數與第二函數的複數個相位值中的每個相位值為正交的複數個頻率值。
條款164：根據條款140-163中的任一項所述的電腦程式產品，其中至少一個校準過程的結果包括參考校準過程的結果，其中參考校準過程的結果包含：基於參考集的校準函數，參考集具有第二基座元件的複數個溫度值、複數個驅動電流量、和對於每個正交的第一函數與第二函數的複數個相位值中的每個相位值的複數個頻率值，其中複數個頻率值中的每個頻率值對應於基座元件的複數個溫度值中的每個溫度值，且其中複數個驅動電流量中的每個驅動電流量對應於第二基座元件的複數個溫度值中的每個溫度值；且其中使至少一個處理器確定基座元件的溫度的一個或多個指令使至少一個處理器：基於校準函數來確定基座元件的溫度。
條款165：根據條款140-164中的任一項所述的系統，其中使至少一個處理器確定基座元件的溫度的一個或多個指令使至少一個處理器：基於至少一個校準過程的結果確定基座元件的溫度，其中至少一個校準過程包括本地校準過程，並且其中一個或多個指令進一步使至少一個處理器：執行本地校準過程，其中使至少一個處理器執行本地校準過程的一個或多個指令使至少一個處理器：將基座元件保持在第一選定溫度；對於第一選定溫度與第一選定驅動電流量，確定感應加熱電路的第三響應相位，其中第三響應相位係基於基座元件在第三驅動頻率下的磁特性，其中第三響應相位是相位差值，相位差值是在在第三驅動頻率下的驅動電流的相位和在第三驅動頻率下的感應加熱電路的電子部件兩端的電壓的相位之間；對於選定溫度與第一選定驅動電流量，確定感應加熱電路的第四響應相位，其中第四響應相位係基於基座元件在第四驅動頻率下的磁特性，其中第四響應相位是相位差值，相位差值是在在第四驅動頻率下的驅動電流的相位和在第四驅動頻率下的感應加熱電路的電子部件兩端的電壓的相位之間；基於感應加熱電路的第四響應相位和第三響應相位，確定感應加熱電路的相位對頻率的第二函數；基於相位對頻率的第二函數，確定使第二函數的相位值為正交的第二頻率值；對於第一選定溫度與第二選定驅動電流量，確定感應加熱電路的第五響應相位，其中第五響應相位係基於基座元件在第五驅動頻率下的磁特性，其中第五響應相位是相位差值，相位差值是在在第五驅動頻率下的驅動電流的相位和在第五驅動頻率下的感應加熱電路的電子部件兩端的電壓的相位之間；對於選定溫度與第二選定驅動電流量，確定感應加熱電路的第六響應相位，其中第六響應相位係基於基座元件在第六驅動頻率下的磁特性，其中第六響應相位是相位差值，相位差值是在在第六驅動頻率下的驅動電流的相位和在第六驅動頻率下的感應加熱電路的電子部件兩端的電壓的相位之間；基於感應加熱電路的第五響應相位和第六響應相位，確定感應加熱電路的相位對頻率的第三函數；以及基於相位對頻率的第三函數，確定使第三函數的相位值為正交的第三頻率值。
條款166：根據條款140-165中的任一項所述的電腦程式產品，其中至少一個校準過程的結果包括本地校準過程的結果，且其中一個或多個指令進一步使至少一個處理器：確定本地校準過程的結果，其中對於第一選定溫度，本地校準過程的結果包括本地集，本地集具有複數個驅動電流量和對於每個正交的第二函數的複數個相位值中的每個相位值的複數個頻率值，其中複數個頻率值中的每個頻率值對應於對於第一選定溫度的複數個驅動電流值中的每個驅動電流值。
條款167：根據條款140-166中的任一項所述的電腦程式產品，其中使至少一個處理器確定基座元件的溫度的一個或多個指令使至少一個處理器：基於感應加熱電路的電感器元件中的A/C電流量來確定基座元件的溫度。
如下面更詳細地描述的，在一些非限制性具體實施例中，系統包括電感器元件；與電感器元件電磁耦合的基座元件；以及控制裝置，其中控制裝置被配置為基於基座元件的磁特性的變化來確定基座元件的特性，例如溫度。在一些非限制性具體實施例中，一種方法，包括：檢測基座元件的磁特性的變化，其中基座元件電磁耦合至電感器元件；以及基於基座元件的磁特性的變化來確定基座元件的特性，例如溫度。
具體實施例還包括用於確定與汽化器裝置相關聯的基座元件的溫度的感應加熱系統，感應加熱系統包括：感應加熱線圈；基座；至少一個處理器，其被編程或配置為：確定基座元件的一種或多種磁特性的響應，並基於響應來確定基座元件的溫度。
下文為了描述而使用用詞「末端」、「上部」、「下部」、「右側」、「左側」、「垂直」、「水平」、「頂部」、「底部」、「側向」、「縱向」及其衍生詞，應與本揭示內容在附圖中的方向有關。然而，應理解，除非明確相反地指出，否則本揭示內容可以採取各種替代變型和步驟順序。還應理解，附圖中示出的以及以下說明書中描述的特定裝置和過程僅是本揭示內容的示例性具體實施例或態樣。因此，除非另外指出，否則與本文揭示的具體實施例或具體實施例的態樣有關的特定尺寸和其他實體特性不應被認為是限制性的。
除非明確說明，否則本文中使用的任何態樣、部件、元素、結構、動作、步驟、功能、指令和/或類似內容，均不應被解釋為關鍵或必要的。另外，如本文所使用，冠詞「一（a）」和「一（an）」意欲包括一個或多個項目，並且可以與「一個或多個」和「至少一個」互換使用。此外，如本文所用，用詞「集」意欲包括一個或多個項目（例如相關項目、不相關項目、相關和不相關項目的組合等），並且可以與「一個或多個」或「至少一個」互換使用。在僅意圖為一項的情況下，使用用詞「一個」或類似語言。同樣，如本文所使用的，用詞「具有」、「擁有」、「含有」等意欲是開放式術語。此外，短語「基於」意欲表示「至少部分地基於」和「至少部分地基於」，除非另有明確說明。
在一些非限制性具體實施例中，一種裝置，例如汽化器裝置，包括感應加熱系統。在一些非限制性具體實施例中，感應加熱系統包括電感器元件和基座元件。感應加熱系統可用於加熱與基座元件熱接觸的物體，例如材料（例如有機材料、合成材料等）。例如，電感器元件提供電磁場，電磁場使基座元件產生熱量，並且基座元件可用於加熱與基座元件熱接觸的物體（例如鄰近基座元件而可由基座元件加熱物體、接觸基座元件而可由基座元件加熱物體等）。
在一些非限制性具體實施例中，基於測量基座元件的溫度來控制基座元件的溫度。在一些非限制性具體實施例中，控制基座元件的溫度，使得由感應加熱系統加熱的材料（例如可汽化物質或用於汽化的物質）產生的蒸氣或氣溶膠的化學成分為在基於化學組成的期望溫度範圍內。在一些非限制性具體實施例中，期望的溫度範圍包括足夠高的溫度，以產生讓用戶滿意的氣溶膠，同時不使任何材料暴露於過量溫度。特定而言，期望的溫度範圍可以取決於將要汽化的特定材料的化學性質。例如，對於含有丙二醇、植物甘油和尼古丁的電子液體，所需溫度範圍包括188℃但不超過200℃的區域。在一些非限制性具體實施例中，可汽化物質是乾燥的草藥材料，例如煙草或草藥，類似地，當被加熱至正確的溫度時，提供了在不燃燒或最小燃燒可汽化物質的情況下遞送要吸入的氣溶膠的所需效果。
在某些應用中，溫度感測裝置的使用會帶來某些挑戰。例如，使用溫度感測裝置（例如熱電偶、感測器芯片和/或紅外溫度計），基於基座元件的尺寸和/或用於測量基座元件的溫度的溫度感測裝置的尺寸，來感測元件（例如裝置中的基座元件，例如汽化器裝置）的溫度，可能很困難。
作為示例，在小型感應加熱系統的汽化器裝置中，溫度感測裝置的尺寸會阻止溫度感測裝置使得不能用於感測基座元件的溫度，因為溫度感測裝置不能與基座元件熱接觸。另外，溫度感測裝置可能不能準確地感測基座元件的溫度，因為溫度感測裝置不能與基座元件熱接觸。此外，在一些情況下，溫度感測裝置可能不能與基座元件熱接觸，因為溫度感測裝置可能不能承受基座元件的溫度。在其他情況下，汽化器裝置的控制裝置可能無法從溫度感測裝置接收資訊。例如，由於控制裝置與溫度感測裝置之間的通訊實體障礙（例如溫度感測裝置所處的組件（例如藥筒）上的材料量）干擾，因此控制裝置可能無法從溫度感測裝置接收資訊。
為了解決這些問題中的至少一些，本揭示內容包括針對用於確定基座元件的特性（例如溫度）的系統、方法和電腦程式產品的非限制性具體實施例。在一些非限制性具體實施例中，系統包括電感器元件和配置成檢測與電感器元件相關聯的磁場並基於此磁場確定基座元件的特性的控制裝置。在一些非限制性具體實施例中，系統包括感應加熱電路，感應加熱電路包括電感器元件和/或電容器元件，並且控制裝置被配置為確定感應加熱電路對基座元件的磁特性的響應，並基於感應加熱電路的響應來確定基座元件的溫度。在一個示例中，控制裝置被配置為確定感應加熱電路的自諧振頻率（SRF）值，並基於感應加熱電路的SRF值來確定基座元件的溫度。如本文所使用的，用詞SRF可基於第一響應相位和第二響應相位與感應加熱電路的相位對頻率的函數的頻率值互換使用，其中此頻率值對應於為正交的函數的相位值。
以這種方式，本揭示內容的具體實施例允許基於與基座元件電磁耦合到的電感器元件相關聯的磁場來精確確定基座元件的特性，例如溫度，而沒有電感器元件的任何組件與基座元件熱接觸（例如，實體接觸使得基於基座元件和部件之間的傳導將發生熱傳遞）。另外，本揭示內容的具體實施例允許減少與拋棄式部件相關的成本，拋棄式部件包含基座元件，諸如包括基座元件和可汽化材料的藥筒。藥筒可以是一次性的，並且當藥筒內的可汽化材料用完時，可以在汽化器裝置中更換藥筒。與包括附加電路系統的部件（例如具有電路、溫度感測器和/或類似物的藥筒）以確定藥筒內基座的溫度相比，可以降低藥筒的製造成本。
圖1是系統100的非限制性具體實施例的圖，在系統100中可以實施如本文所揭示的系統、方法和/或電腦程式產品。在一些非限制性具體實施例中，系統100是裝置、系統和/或類似物中的部件。例如，系統100可以是如本文所述的汽化器裝置內的部件。在一些非限制性具體實施例中，系統100可以被實現為感應加熱系統和/或系統。
如圖1所示，系統100包括控制裝置110、電感器元件120、電源130和基座元件140。在一些非限制性具體實施例中，如圖1中進一步所示，系統100包括感應加熱電路150、電容器元件160和感測器元件170。在一些非限制性具體實施例中，感應加熱電路150包括電感器元件120和電容器元件160。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110包括一個或多個裝置，這些裝置能夠控制電源130以向系統100的一個或多個組件（例如電感器元件120）提供功率，和/或確定基座元件140的特性。在一個示例中，控制裝置110被配置為基於與電感器元件120相關聯的磁場（例如，磁場對基座元件140的磁特性的變化的響應）來確定基座元件140的特性（例如，溫度）。例如，控制裝置110包括計算裝置，諸如電腦、處理器、微處理器、控制器和/或類似物。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110包括一個或多個電路，電路為電源130提供的功率提供功率調節。
在一些非限制性具體實施例中，電感器元件120包括能夠向基座元件140提供電磁能和/或從基座元件140接收電磁能的一個或多個電子部件和/或一個或多個裝置。例如，電感器元件120包括感應線圈，諸如平面或薄餅電感器或螺旋電感器。在一些非限制性具體實施例中，電感器元件120被配置為向基座元件140提供電磁能（例如以磁場的形式（諸如磁場的形式）、以電磁輻射的形式等等），來使得基座元件140基於接收電磁能而產生熱量。在一些非限制性具體實施例中，電感器元件120與向基座元件140提供電磁能的另一電感器元件分離。在一些非限制性具體實施例中，電感器元件120具有基於其上應用感應加熱電路150的應用的尺寸和配置（例如，設計）。在一些非限制性具體實施例中，電感器元件120的長度在4mm至20mm之間的範圍內。在一示例中，電感器元件120具有約8mm的長度。在一些非限制性具體實施例中，電感器元件120具有在2mm至20mm之間的範圍內的寬度（例如，直徑）。在一實例中，電感器元件120具有約7mm的寬度。在一個示例中，電感器元件120包括感應線圈，感應線圈具有12匝22根規格的線材，分為2層，其內徑為約6mm。在一些非限制性具體實施例中，電感器元件120具有在0.5μH至6μH之間的範圍內的電感值。在一示例中，電感器元件120具有約0.9μH的電感值。
在一些非限制性具體實施例中，電源130包括一個或多個能夠向感應加熱電路150和/或控制裝置110提供電力的裝置。例如，電源130包括交流電（AC）電源（例如發電機、交流發電機等）和/或直流電（DC）電源（例如電池、電容器、燃料電池等等）。在一些非限制性具體實施例中，電源130被配置為向系統100的一個或多個部件提供功率。在一些非限制性具體實施例中，電源130包括一個或多個電路，電路為電源130提供的功率提供功率調節。
在一些非限制性具體實施例中，基座元件140包括一個或多個裝置，這些裝置能夠吸收電磁能、基於被吸收的電磁能產生熱量、和/或提供熱量（例如經由傳導提供熱量、經由輻射提供熱量等）至與一個或多個裝置熱接觸的物體（例如物質、裝置、部件等）。例如，基座元件140包括由導電材料構成的裝置。在一些非限制性具體實施例中，基座元件140電磁耦合到電感器元件120。在一些非限制性具體實施例中，基座元件140包括藉由渦流加熱的金屬導體、鐵、鋼（例如不銹鋼）、陶瓷磁鐵（例如鐵氧體）、FeCrAl合金、Kanthal、和/或半導體。在一些非限制性具體實施例中，基座元件140的長度在5mm至18mm之間的範圍內。在一示例中，基座元件140包括430合金不銹鋼並且具有大約15mm的長度。在一些非限制性具體實施例中，電感器元件120電磁耦合至基座元件140。
在一些非限制性具體實施例中，基座元件140具有基於基座元件140的幾何形狀（例如形狀）的構造。附加地或替代地，基座元件140的構造是基於預定構成基座元件140的類型和/或數量的一種或多種材料。在一些非限制性具體實施例中，基座元件140的配置限定與基座元件140相關聯的磁特性，例如基座元件140的磁化和/或由基座元件140產生的磁場的振幅。在一些非限制性具體實施例中，基座元件140具有包括絞合線、絞合材料繩、網、網孔管、數個同心網管、布、材料片、多孔固體（例如泡棉）、金屬網卷、金屬纖維、或其他具有適當尺寸和/或配置的幾何形狀。在一些非限制性具體實施例中，基座元件140包括鰭片、突起或其他細節，其構造成保持固體和/或半固體材料與基座元件140熱接觸。
在一些非限制性具體實施例中，基座元件140由材料的組合構成以實現適當的效果。例如，基座元件140包括由細感應加熱線、股線和/或細線與芯吸線、股線和/或細線的交織布（或緊密混合的組合）。附加地或可替代地，基座元件140包括以繩或泡棉的形式結合的材料，或適當地展開的材料薄片。在一些非限制性具體實施例中，基座元件140包括捲起的交替的材料箔。附加地或替代地，基座元件140被電感器元件120包圍（例如部分地、完全地等等），電感器元件120不必與基座元件140接觸。在一些非限制性具體實施例中，基座元件140包括網狀芯。在一些非限制性具體實施例中，網芯由藉由感應有效加熱的材料（例如FeCrAl合金或鐵氧體不銹鋼合金）構成。在一些非限制性具體實施例中，網孔芯是使用Kanthal網孔形成的。附加地或替代地，基座元件140可從藥筒移除，使得基座元件140可與藥筒分離地被清潔、重複使用和/或更換。
在一些非限制性具體實施例中，用於基座元件140的構造的材料包括磁性材料和/或金屬導體。附加地或替代地，基座元件140包括當基座元件140暴露於電磁能時基於渦電流和/或磁滯而產生熱量的材料。例如，在基座元件140的構造中使用在電磁場之間的範圍內具有相當大的磁滯的磁性和/或金屬導體材料。在一些非限制性具體實施例中，基座元件140包括一種材料，使得加熱既可以藉由渦流來實現，也可以藉由磁疇壁的運動來實現。在一些非限制性具體實施例中，構成基座元件140的材料包括鐵。在一些非限制性具體實施例中，基座元件140包括陶瓷磁體，例如鐵氧體。在一些非限制性具體實施例中，基座元件140包括半導體。
在一些非限制性具體實施例中，基座元件140被配置為基於基座元件140的毛細作用從儲存器轉移可汽化物質。在一些非限制性具體實施例中，可汽化物質是黏性物質（例如液體），並且隨著黏性物質被汽化，更多的黏性物質從儲存器移動到基座元件140的加熱部分。在一些非限制性具體實施例中，電感器元件120被配置為在基座元件140周圍產生磁場。在一些非限制性具體實施例中，基座元件140的至少一部分被定位在藥筒內，並且藥筒的至少一部分被定位在電感器元件120內。在一些非限制性具體實施例中，基座元件140位於藥筒內，並且藥筒位於電感器元件120內（例如如圖5中定位在藥筒518內的基座元件540所示）。
在一些非限制性具體實施例中，基座元件140與汽化器裝置（例如圖4A-4C所示的汽化器裝置400）相關聯。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110被配置為檢測基座元件140的磁性的變化。
在一些非限制性具體實施例中，系統100包括感應加熱電路150，並且電感器元件120是感應加熱電路150的組件。在一些非限制性具體實施例中，感應加熱電路150包括電感器元件120和電容器元件160。在一些非限制性具體實施例中，電感器元件120和電容器元件160被電連接。例如，感應加熱電路150包括與電容器元件160並聯電連接的電感器元件120。在另一示例中，感應加熱電路150包括與電容器元件160串聯電連接的電感器元件120。在一些非限制性具體實施例中，感應加熱電路150被配置為使基座元件140產生熱量。
在一些非限制性具體實施例中，電容器元件160包括一個或多個電子部件和/或一個或多個能夠在電路中提供一定量電容的裝置。例如，電容器元件160包括諸如平行板電容器的電容器。在一些非限制性具體實施例中，電容器元件160具有基於應用感應加熱電路150的應用的尺寸和構造。在一些非限制性具體實施例中，電容器元件160的長度在3.3mm至16mm之間的範圍內。在一實例中，電容器元件160具有約6mm的長度。在一些非限制性具體實施例中，電容器元件160具有在1.7mm至15mm之間的範圍內的寬度。在一示例中，電容器元件160具有約5mm的寬度。在一個示例中，電容器元件160包括並聯或串聯的表面安裝電容器或多於一個的表面安裝電容器，例如標準尺寸2220的表面安裝電容器（例如5.6mm×5mm）。在一些非限制性具體實施例中，電容器元件160的電容值在0.1μF至10μF之間的範圍內。在一示例中，電容器元件160具有約1.36μF的電容值。
在一些非限制性具體實施例中，系統100包括感測器元件170。在一些非限制性具體實施例中，感測器元件170連接到控制裝置110。在一些非限制性具體實施例中，感測器元件170是感應加熱電路150的部件。在一些非限制性具體實施例中，感測器元件170包括一個或多個電子部件和/或一個或多個能夠檢測與電感器元件120相關聯的磁場（例如，磁場的一個或多個特性）的裝置。例如，感測器元件170包括感測器，例如感測磁場的半導體感測器和/或霍爾效應感測器。在一些非限制性具體實施例中，感測器元件170包括溫度感測器。附加地或替代地，感測器元件170包括電感器元件（例如，另一電感器元件120）。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110被配置為確定感應加熱電路150對基座元件140的磁性的變化的響應，並基於感應加熱電路150的響應來確定基座元件140的溫度。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110被配置為確定基座元件140是否靠近感應加熱電路150（例如，在感應加熱電路150附近）。例如，控制裝置110被配置為基於感應加熱電路150的響應，來確定基座元件140是否在感應加熱電路150和/或電感器元件120附近。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110被配置為確定感應加熱電路150對基座元件140的磁性的變化的響應。例如，控制裝置110被配置為確定與感應加熱電路150相關聯的SRF值。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110被配置為基於感應加熱電路150的響應來確定基座元件140的溫度。例如，控制裝置110被配置為基於與感應加熱電路150相關聯的SRF值，來確定基座元件140的溫度。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110被配置為藉由確定與感應加熱電路150相關聯的SRF值，並比較SRF值與相關聯於基座元件140的頻率值，來確定感應加熱電路150對基座元件140的磁特性的變化的響應。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110被配置為基於將SRF值與與基座元件140相關聯的頻率值進行比較，來確定基座元件140是否在感應加熱電路150附近。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110被配置為基於感應加熱電路的響應並且基於確定基座元件140在感應加熱電路150附近，來確定基座元件的溫度。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110被配置為藉由確定與感應加熱電路150相關聯的SRF值，並基於感應加熱電路的響應確定基座元件140的第一溫度，來確定感應加熱電路150對基座元件140的磁特性的變化的響應。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110被配置為基於確定基座元件140的第一溫度，調節提供給感應加熱電路150的電能（例如電流和/或電壓）的量，以使基座元件140從第一溫度改變為第二溫度。
現在參見圖2，圖2是裝置200的示例部件的圖。裝置200可以對應於控制裝置110。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110包括至少一個裝置200和/或裝置200的至少一個組件。如圖2所示，裝置200包括匯流排202、處理器204、記憶體206、存儲部件208、輸入部件210、輸出部件212和通信介面214。
匯流排202包括允許裝置200的部件之間進行通信的部件。在一些非限制性具體實施例中，處理器204以硬體、軟體（例如韌體）或硬體和軟體的組合來實現。例如，處理器204包括處理器（例如中央處理單元（CPU）、圖形處理單元（GPU）、加速處理單元（APU）等）、微處理器、數字信號處理器（DSP）、和/或可以被編程執行功能的任何處理組件（例如、現場可編程閘陣列（FPGA）、特定應用積體電路（ASIC）等等）。記憶體206包括隨機存取記憶體（RAM）、唯讀記憶體（ROM）、和/或存儲資訊和/或指令以供處理器204使用的另一種類型的動態或靜態存儲裝置（例如快閃記憶體、磁性記憶體、光學記憶體等等）。
在一些非限制性具體實施例中，存儲組件208存儲與裝置200的操作和使用有關的資訊和/或軟體。例如，存儲組件208包括硬碟（例如、磁碟、光碟、磁光碟、固態硬碟等等）、光碟（CD）、數位多功能光碟（DVD）、軟碟、盒式磁帶、磁帶、快閃記憶體裝置（例如隨身碟）和/或另一種類型的電腦可讀取媒體以及相應的磁碟機。
在一些非限制性具體實施例中，輸入組件210包括允許裝置200諸如經由用戶輸入（例如觸控螢幕顯示器、鍵盤、小鍵盤、滑鼠、按鈕、開關、麥克風等等）。附加地或替代地，輸入組件210包括用於感測資訊的感測器（例如溫度感測器、加速計、陀螺儀、致動器、壓力感測器等）。輸出部件212包括提供來自裝置200的輸出資訊的組件（例如顯示器、揚聲器、一個或多個發光二極體（LED）等等）。
在一些非限制性具體實施例中，通信介面214包括類似於收發器的部件（例如收發器、單獨的接收器和發送器等等），其使得裝置200能夠與其他裝置通信，例如經由有線連結、無線連結、或有線和無線連結的組合。在一些非限制性具體實施例中，通信介面214允許裝置200從另一裝置接收資訊和/或向另一裝置提供資訊。例如，通信介面214包括乙太網路介面、光學介面、同軸介面、紅外線介面、射頻（RF）介面、通用串列匯流排（USB）介面、Wi-Fi®介面、蜂巢網路介面、Bluetooth®介面和/或類似者。
在一些非限制性具體實施例中，裝置200執行本文所述的一個或多個處理。在一些非限制性具體實施例中，裝置200基於處理器204執行由電腦可讀取媒體（例如記憶體206和/或存儲組件208）存儲的軟體指令來執行這些處理。電腦可讀取媒體（例如非暫態性電腦可讀取媒體）在本文中被定義為非暫態性記憶體裝置。非暫態性記憶體裝置包括位於單個實體存儲裝置內部的存儲空間或跨多個實體存儲裝置分佈的存儲空間。
經由通信介面214將軟體指令從另一電腦可讀取指令或另一裝置讀入記憶體206和/或存儲組件208。在一些非限制性具體實施例中，當被執行時，存儲在記憶體206和/或存儲組件208中的軟體指令使處理器204執行本文所述的一個或多個處理。另外地或替代地，硬連線電路系統代替軟體指令或與軟體指令結合使用，以執行本文所述的一個或多個處理。因此，本文描述的具體實施例不限於硬體電路和軟體的任何特定組合。
圖2中所示的部件的數量和佈置是提供作為示例。在一些非限制性具體實施例中，裝置200包括比圖2所示的那些更多的組件、更少的組件、不同的組件或不同地佈置的組件。附加地或替代地，裝置200的一組部件（例如一個或多個部件）可以執行被描述為由裝置200的另一組部件執行的一個或多個功能。
現在參考圖3A，圖3A是用於確定諸如感應加熱系統的系統中的基座元件（例如基座元件140）的特性的方法300A的非限制性具體實施例的流程圖。在一些非限制性具體實施例中，方法300A的一個或多個步驟由控制裝置110執行（例如完全地、部分地等）。在一些非限制性具體實施例中，方法300A的一個或多個步驟由與控制裝置110分離或包括控制裝置110的另一裝置或一組裝置執行。
如圖3A所示，在步驟302A，方法300A包括檢測與電感器元件相關的磁場。例如，控制裝置110檢測與電感器元件120相關聯的磁場。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於與電感器元件120相關聯的磁場來確定感應加熱電路150的響應。在一些非限制性具體實施例中，當確定感應加熱電路150的響應時，控制裝置110確定感應加熱電路150的自諧振頻率（SRF）值。
在一些非限制性具體實施例中，當檢測與電感器元件120相關聯的磁場時，控制裝置110基於基座元件140在電感器元件120附近來檢測與電感器元件相關聯的磁場。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110使用感測器元件170來檢測與電感器元件120相關聯的磁場。在一些非限制性具體實施例中，當檢測與電感器元件120相關聯的磁場時，控制裝置110檢測與電感器元件120相關聯的磁場的變化。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於基座元件140的磁特性來檢測與電感器元件120相關聯的磁場的變化。在一些非限制性具體實施例中，當檢測到與電感器元件120相關聯的磁場的變化時，控制裝置110確定磁場的第一測量值、確定磁場的第二測量值、並計算第一測量值與第二測量值之間的差作為磁場變化。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110確定與電感器元件120相關聯的磁場的特性。例如，控制裝置110基於與電感器元件120相關聯的磁場，來確定由於與電感器元件120電磁耦合的基座元件140的導磁率而引起的磁場的響應。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110確定與電感器元件120相關聯的特性。例如，控制裝置110基於與電感器元件120相關聯的磁場，來確定與電感器元件120相關聯的特性。在一些非限制性具體實施例中，當確定與電感器元件120相關聯的特性時，控制裝置110基於與電感器元件120相關聯的磁場來確定電感器元件120的電感值。
如圖3A所示，在步驟304A，方法300A包括基於磁場確定基座元件的特性。例如，控制裝置110基於與電感器元件120相關聯的磁場，來確定基座元件的特性。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於基座元件140的特性執行控制操作。在一些非限制性具體實施例中，當執行控制操作時，控制裝置110基於基座元件的特性使基座元件140產生熱量。在一些非限制性具體實施例中，當執行控制操作時，控制裝置110使基座元件140從第一溫度改變為第二溫度。在一些非限制性具體實施例中，當使基座元件140從第一溫度改變到第二溫度時，控制裝置110調整提供給電感器元件120的電能（例如，電流和/或電壓）的量。
在一些非限制性具體實施例中，當確定基座元件140的特性時，控制裝置110確定基座元件140的溫度。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於確定基座元件的溫度來執行控制操作。在一些非限制性具體實施例中，當確定基座元件140的特性時，控制裝置110確定基座元件140是否靠近（例如，接近）電感器元件120。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110確定基座元件140是否在電感器元件120附近，並且控制裝置110基於確定基座元件140在電感器元件120附近來執行控制操作。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於確定基座元件140不在電感器元件120附近而放棄執行控制操作。
在一些非限制性具體實施例中，當確定基座元件140的特性時，控制裝置110基於感應加熱電路150的SRF值來確定基座元件的特性。例如，當確定基座元件140的特性時，控制裝置110基於感應加熱電路150的SRF值來確定基座元件140的溫度。在另一示例中，當確定基座元件140的特性時，控制裝置110基於感應加熱電路150的SRF值，來確定基座元件140是否在感應加熱電路150附近。
在一些非限制性具體實施例中，當確定基座元件140的特性時，控制裝置110基於與電感器元件120相關聯的磁場的變化振幅，來確定基座元件140的特性。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於磁場的變化來確定基座元件140的溫度。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於磁場的變化來確定基座元件140是否在電感器元件120附近。
在一些非限制性具體實施例中，當確定基座元件140是否在感應加熱電路150附近時，控制裝置110將感應加熱電路150的SRF值與與基座元件140相關聯的預定頻率值進行比較，並基於確定感應加熱電路150的SRF值對應於與基座元件140相關聯的預定頻率值而確定基座元件140在感應加熱電路150附近。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110確定與電感器元件120的激勵相關聯的電壓，此係基於由於電磁耦合到電感器元件120的基座元件140的磁導率的變化所造成的與電感器元件120相關聯的磁場的響應。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110調節與電感器元件120的激勵相關聯的電壓。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於基座元件140的導磁率來調節與電感器元件120的勵磁相關的電壓。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110確定電感器元件120中的電流。例如，控制裝置110基於與電感器元件120的激勵相關聯的電壓來確定電感器元件120中的電流。
現在參考圖3B，圖3B是用於確定諸如感應加熱系統的系統中的基座元件（例如基座元件140）的特性的方法300B的非限制性具體實施例的流程圖。在一些非限制性具體實施例中，方法300B的一個或多個步驟由控制裝置110執行（例如完全地、部分地等）。在一些非限制性具體實施例中，方法300B的一個或多個步驟由與控制裝置110分離或包括控制裝置110的另一裝置或一組裝置執行。
如圖3B所示，在步驟302B，方法300B包括使基座元件產生熱量。例如，控制裝置110使電感器元件120提供由基座元件140接收的電磁能。在一些非限制性具體實施例中，基座元件140基於在基座元件140內部產生的電流和/或基於由基座元件140接收的電磁能的磁滯，而在基座元件140內產生熱量。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於提供給電感器元件120作為輸入的交流電使電感器元件120產生（例如，輻射）磁場。在一些非限制性具體實施例中，電感器元件120在基座元件140周圍產生磁場。
在一些非限制性具體實施例中，電感器元件120由電源130供電。例如，電感器元件120從電源130接收電能，此係基於控制裝置110控制提供給電感器元件120和由電感器元件120接收的電流和/或電壓的量。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110控制由電源130提供的電能的量。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110使電感器元件120產生磁場，磁場將被基座元件140接收（例如，被基座元件140吸收）。例如，控制裝置110向電感器元件120提供控制信號，並且電感器元件120基於來自控制裝置110的控制信號來產生將由基座元件140接收的磁場。
在一些非限制性具體實施例中，由電感器元件120接收的電能包括交流電。例如，控制裝置110從電源130接收直流電流（例如，直流電流），並且控制裝置110將直流電流轉換成交流電流（例如，交流電流）。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110將交流電提供給電感器元件120。在一些非限制性具體實施例中，交流電的頻率值在10kHz至10MHz之間的範圍內。在一些非限制性具體實施例中，交流電的頻率值在10kHz至100GHz之間的範圍內。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110向感應加熱電路150（例如，感應加熱電路150的電感器元件120）提供頻率值在10kHz至10MHz之間的交流電，且電感器元件120基於交流電產生電磁場。在一些非限制性具體實施例中，基座元件140包括一定量的鐵磁材料，使得當基座元件140接收到具有10kHz至10MHz之間的範圍中的頻率值的電磁場時，基於鐵磁材料的磁滯，基座元件140產生一部分的熱量。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110確定基座元件140的預定配置，基座元件140與包括一定量的鐵磁材料的基座元件140相關聯，使得基座元件140產生的一部分熱量是基於鐵磁材料的磁滯而產生的。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於確定基座元件140包括預定配置，來提供頻率值在10kHz至10MHz之間的交流電流。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於包括一材料量的基座元件140的配置來提供頻率值在10kHz至100GHz之間的交流電，其中此材料量為使得由基座元件140產生的大部分熱量是基於材料中的渦流的電阻加熱而產生的。例如，控制裝置110確定與包含一材料量的基座元件140相關聯的基座元件140的預定配置（例如預定幾何形狀、預定類型的一種或多種材料、和/或預定量的一種或多種材料），使得基座元件140產生的大部分熱量都是基於材料中的渦流基於電阻加熱而產生的。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於確定基座元件140包括預定配置，來提供頻率值在10kHz至100GHz之間的交流電流。
如圖3B進一步所示，在步驟304B，方法300B包括確定感應加熱電路的響應。例如，控制裝置110確定感應加熱電路150對基座元件140的磁特性的響應。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110將感應加熱電路150的SRF值確定為感應加熱電路150對基座元件140的磁特性的響應。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110使基座元件140基於基座元件140從感應加熱電路150的電感器元件120接收第一磁場而產生熱量。在一些非限制性具體實施例中，基座元件140基於從電感器元件120接收磁場來產生熱量和/或產生第二磁場。在一些非限制性具體實施例中，電感器元件120接收由基座元件140產生的第二磁場，並且基於電感器元件120接收到由基座元件140產生的第二磁場，感應加熱電路150的SRF值從第一SRF值變為第二SRF值。控制裝置110確定感應加熱電路150的第二SRF值和/或第一SRF值與第二SRF值之間的差。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於控制裝置110使基座元件140產生熱量，來確定感應加熱電路150的SRF值。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110確定基座元件140的磁特性的變化。例如，控制裝置110確定基座元件140的磁化強度的變化和/或基座元件140產生的磁場的振幅。在一些示例中，控制裝置110基於基座元件140的溫度變化來確定基座元件140的磁化強度的變化和/或由基座元件140產生的磁場的振幅。
在一些非限制性具體實施例中，感應加熱電路150的SRF值從基於基座元件140不靠近電感器元件120（例如不存在）的第一SRF值，改變為基於基座元件140靠近（例如存在接近）電感器元件120的第二SRF值。例如，感應加熱電路150的SRF值係基於電感器元件120的電感。在一些非限制性具體實施例中，當基座元件140產生熱量時（例如，基於由電感器元件120提供給基座元件140的電磁能產生熱量），電感器元件120的電感基於由基座元件140產生的磁場而改變。在一些非限制性具體實施例中，當基座元件140不靠近電感器元件120時，感應加熱電路150的SRF值是第一SRF值，因為基座元件140產生的磁場不會在電感器元件120的電感中引起變化（例如，可測量的變化）。在一些非限制性具體實施例中，當基座元件140靠近電感器元件120時，感應加熱電路150的SRF值是第二SRF值，因為基座元件140產生的磁場引起電感器元件120的電感變化。在一些非限制性具體實施例中，當基座元件140靠近電感器元件120時的第二SRF值是與基座元件140位於電感器元件120內相關聯的SRF值。
在一些非限制性具體實施例中，感應加熱電路150的SRF值是頻率值，在此頻率值處，電感器元件120將最大量的電磁能提供給基座元件140。在一些非限制性具體實施例中，當感應加熱電路150的交流電（例如，通過感應加熱電路150的電感器元件120的電流）處於最大振幅時，將最大量的電磁能提供給基座元件140。
在一些非限制性具體實施例中，當基座元件140在電感器元件120內時，控制裝置110確定感應加熱電路150的SRF值。例如，電感器元件120包括感應線圈和基座元件140的至少一部分（例如，基座元件140的長度的四分之一，基座元件140的長度的一半，基座元件140的一些，基座元件140的全部等等）定位在感應線圈內（例如被感應線圈包圍）。在一些非限制性具體實施例中，基座元件140位於藥筒（例如本文所揭示的藥筒）內，並且藥筒位於電感器元件120內。在一些非限制性具體實施例中，當基座元件140（例如位於藥筒中的基座元件140）位於電感器元件120內時，控制裝置110確定SRF值。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於基座元件140不在電感器元件120內來確定感應加熱電路150的SRF值。例如，電感器元件120包括感應線圈，並且基座元件140定位在感應線圈的外部（例如，基座元件140的任何部分都不被感應線圈包圍）。在一些非限制性具體實施例中，基座元件140與感應線圈同軸地定位。當基座元件140（例如位於藥筒中的基座元件140）未位於電感器元件120內時，控制裝置110確定SRF值。
在一些非限制性具體實施例中，當具有預定頻率值（例如驅動頻率值）的交流電被提供給感應加熱電路150時，控制裝置110基於電容器元件160兩端的電壓來確定感應加熱電路150的SRF值。例如，控制裝置110對電容器元件160上的電壓進行取樣，並基於此電壓的取樣來生成電壓波形。控制裝置110在交流電的預定頻率值處確定電壓波形的相位（例如，以度為單位）和電壓波形的振幅。控制裝置110基於電壓波形的相位來確定感應加熱電路150的SRF值。在一個示例中，控制裝置110將感應加熱電路150的SRF值確定為頻率值，在此頻率值處，電壓波形的相位的導數（例如變化率）具有最大值。在另一示例中，控制裝置110將感應加熱電路150的SRF值確定為電壓波形的振幅具有最大值的頻率值。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於感應加熱電路150中的交流電的頻率值來確定感應加熱電路150的SRF值。例如，控制裝置110確定在電感器元件120中流動的交流電流的頻率值，控制裝置110基於此交流電流的頻率值確定感應加熱電路150的SRF值。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於感應加熱電路150中的交流電的頻率值的變化來確定感應加熱電路150的SRF值。例如，控制裝置110確定在電感器元件120中流動的交流電的第一頻率值，並且控制裝置110確定在電感器元件120中流動的交流電的第二頻率值。控制裝置110基於第一頻率值和第二頻率值之間的差來確定流動的交流電流的頻率值的變化，並且控制裝置110基於交流電頻率值的變化來確定感應加熱電路150的SRF值。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於感應加熱電路150中的交流電的振幅來確定感應加熱電路150的SRF值。例如，控制裝置110確定在電感器元件120中流動的交流電流的振幅，且控制裝置110基於此交流電流的振幅確定感應加熱電路150的SRF值。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於感應加熱電路150中的交流電流的振幅變化來確定感應加熱電路150的SRF值。例如，控制裝置110確定在電感器元件120中流動的交流電的第一振幅，且控制裝置110確定在電感器元件120中流動的交流電的第二振幅。控制裝置110基於第一振幅值和第二振幅值之間的差來確定流動的交流電流的振幅的變化，並且控制裝置110基於交流電振幅的變化來確定感應加熱電路150的SRF值。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於時間間隔來確定感應加熱電路150的SRF值。例如，控制裝置110以小於2秒的時間間隔確定（例如連續確定）感應加熱電路150的SRF值。在一個示例中，控制裝置110以等於.1秒的時間間隔確定感應加熱電路150的SRF值。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110以毫秒時間尺度的時間間隔確定感應加熱電路150的SRF值。在一個示例中，控制裝置110以等於1ms的時間間隔確定感應加熱電路150的SRF值。在另一示例中，控制裝置110以等於2ms的時間間隔確定感應加熱電路150的SRF值。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於電感器元件120和電容器元件160確定感應加熱電路150的SRF值。例如，控制裝置110基於下式確定感應加熱電路150的SRF值：
Figure 02_image001
其中L是電感器元件120的電感值，C是電容器元件160的電容值。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於基座元件140的磁特性確定感應加熱電路150的SRF值。例如，控制裝置110基於由電感器元件120接收的基座元件140產生的磁場，來確定感應加熱電路150的SRF值。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110使電感器元件120產生由基座元件140接收的第一磁場。在一些非限制性具體實施例中，基座元件140基於從電感器元件120接收第一磁場而產生第二磁場。在一些非限制性具體實施例中，電感器元件120從基座元件140接收第二磁場，並且電感器元件120的電感基於第二磁場而改變。控制裝置110基於電感器元件120的電感的變化來確定感應加熱電路150的SRF值。在一些非限制性具體實施例中，第二磁場包括第一磁場的分量，分量具有與第一磁場的頻率值不同的頻率值。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於控制裝置110提供給感應加熱電路150的輸入，來確定感應加熱電路150的SRF值。在一些非限制性具體實施例中，基於感應加熱電路150和基座元件140的配置，感應加熱電路150的SRF值在100kHz至200kHz之間的範圍內。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110掃描（例如，提供具有特定頻率值的輸入電流）在100kHz至200kHz之間的範圍內的複數個頻率值。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110掃描在100kHz至200kHz之間的頻率值之間的範圍內的16個頻率值。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110測量時間延遲，時間延遲在掃描的每個頻率值處於感應加熱電路150的激勵與基座元件140的響應之間，感應加熱電路150的激勵係基於控制裝置110提供給感應加熱電路150的輸入（例如，提供作為感應加熱電路150的電感器元件120的輸入的交流電）。在一些非限制性具體實施例中，感應加熱電路150的激勵和/或來自基座元件140的響應，是由控制裝置110藉由測量電容器元件160兩端的電壓來測量的。
在一些非限制性具體實施例中，在所掃描的每個頻率值處由基於控制裝置110提供的輸入的感應加熱電路150的激勵與基座元件140的響應之間的時間延遲，被確定為在所掃描的每個頻率值處感應加熱電路150的相位對激勵的量度。控制裝置110確定感應加熱電路150的相位的數值導數，並且控制裝置110確定數值導數的最大值（例如，相位等於90度的感應加熱電路150的頻率值）作為感應加熱電路150的SRF值的值（例如，初始估計值）。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110再次在比初始掃描小的100kHz至200kHz之間的頻率值範圍內掃描頻率值（例如16個頻率值），並確定相位的導數，以確定感應加熱電路150的SRF值以確定第二值（例如更新後的估計值）。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110在小於四分之一秒的時間內確定感應加熱電路150的SRF值的第一值和第二值。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於感應加熱電路150的SRF值的初始估計值來確定感應加熱電路150的SRF值。例如，如上所述，控制裝置110確定感應加熱電路150的SRF值的初始估計值。在一些非限制性具體實施例中，由感應加熱電路150輸出的期望功率位準，由控制裝置110基於控制用於激勵半橋的電壓的控制裝置110來設置。在一些非限制性具體實施例中，電壓由控制裝置110提供的脈衝寬度調變信號控制。在一些非限制性具體實施例中，一旦設定了期望的功率位準，控制裝置110就以複數個不同的頻率值連續地將交流電作為輸入提供給感應加熱電路150。在一些非限制性具體實施例中，複數個頻率值包括四個頻率值，四個頻率值在SRF值的初始估計值的預定量之內並且在其之上，並且具有為控制裝置110的時脈的時脈週期的整數倍的週期。在一些非限制性具體實施例中，在複數個頻率值中的每個頻率值處，控制裝置110測量感應加熱電路150的激勵與基座元件140的響應之間的時間延遲，此時間延遲由控制裝置110測量並轉換為相位度數。在一些非限制性具體實施例中，基於作為驅動電流的方波來測量激勵，此驅動方波被提供給感應加熱電路150作為輸入電流（例如，提供給電感器元件120的輸入電流），並且基於感應加熱電路150的電壓響應（例如，電容器元件160兩端的電壓）來測量響應。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110藉由將對複數個頻率值（例如四個頻率值）的線性擬合外插至在SRF處發生共振時的相位值，來確定SRF值。附加地或替代地，控制裝置110藉由確定由複數個頻率值形成的線的導數（例如，與複數個頻率值相對應的相位的導數）來確定SRF值，其中，SRF值等於對應於線的導數最大值的頻率值。
在一些非限制性具體實施例中，隨著基座元件140的溫度變化，基座元件140的磁化率基於基座元件140的溫度變化而變化，反之亦然。在一些非限制性具體實施例中，基座元件140的磁化率的變化引起靠近基座元件140的電感器元件120的電感的變化，並且電感器元件120的電感的變化引起感應加熱電路150的SRF值的變化。
在一些非限制性具體實施例中，一旦控制裝置110確定了SRF值，控制裝置110就連續掃描複數個頻率值並基於複數個頻率值確定SRF值的更新值。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110確定感應加熱電路150的SRF值的值，並且控制裝置110以複數個頻率值提供交流電作為感應加熱電路150的輸入。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110確定複數個頻率值中的一個或多個頻率值對應於低於90度的相對相位值（例如作為驅動相位與測量相位之間的差的相位值）。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於確定複數個頻率值中的一個或多個頻率值對應於低於90度的相對相位值來改變複數個頻率值。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110改變複數個頻率值，使得所有複數個頻率值對應於高於90度的相對相位值。在以上示例中，控制裝置110將感應加熱電路150的SRF值確定為在複數個頻率值的頻率值之間的預定頻率範圍內的頻率值，此頻率值對應於最接近於90度相位的相位值。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110將感應加熱電路150的SRF值確定為一頻率值，此頻率值在對應於低於等於90度的相位值的相位值的複數個頻率值中的一頻率值，以及對應於高於等於90度的相位值（例如大於等於90度且最接近90度的相位值的相位）的相位值的複數個頻率值中的一頻率值之間。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110改變複數個頻率值，使得複數個頻率值保持接近（例如在其的預定值內）但高於SRF值。以此方式，控制裝置110允許感應加熱電路150在接近感應加熱電路150的SRF值的情況下操作，這比在感應加熱電路150的SRF值之外（例如，在接近頻率值之間的範圍之外）操作的感應加熱電路150更有效，同時仍然能夠基於基座元件140的溫度變化來測量SRF值如何變化。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110確定基座元件140是否在感應加熱電路150（例如感應加熱電路150的電感器元件120）附近。例如，控制裝置110基於感應加熱電路150的SRF值來確定基座元件140是否在感應加熱電路150附近。以此方式，包括系統100的裝置（例如系統100的控制裝置110）允許此裝置的用戶確定基座元件140是否在系統100的感應加熱電路150附近，而不必打開裝置的外殼。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110確定感應加熱電路150的SRF值，並且控制裝置110將感應加熱電路150的SRF值與與基座元件140相關聯的頻率值（例如頻率的閾值）進行比較。在一些非限制性具體實施例中，頻率值是與基座元件140相關聯的預定頻率值或當基座元件140在感應加熱電路150附近時感應加熱電路150的SRF值的測量值（例如，先前的測量值）。如果控制裝置110確定感應加熱電路150的SRF值對應於（例如，匹配、在預定閾值之內等等）頻率值，則控制裝置110確定基座元件140在感應加熱電路150附近。如果控制裝置110確定感應加熱電路150的SRF值不對應於頻率值，則控制裝置110確定基座元件140不在感應加熱電路150附近。
在一些非限制性具體實施例中，預定頻率值是當基座元件140不靠近感應加熱電路150時感應加熱電路150的SRF值的測量值。在一些非限制性具體實施例中，如果控制裝置110確定感應加熱電路150的SRF值對應於頻率值，則控制裝置110確定基座元件140不在感應加熱電路150附近。如果控制裝置110確定感應加熱電路150的SRF值不對應於頻率值，則控制裝置110確定基座元件140在感應加熱電路150附近。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於感應加熱電路150的SRF值，確定具有特定配置（例如用於加熱特定可汽化物質的配置、用於特定電子汽化器的標準配置、指示基座元件140的特性的配置、指示與基座元件140相關聯的可汽化物質的特性的配置等等）的基座元件（例如基座元件140）是否在感應加熱電路150（例如感應加熱電路150的電感器元件120）附近。以此方式，包括系統100的裝置（例如系統100的控制裝置110）可允許此裝置的用戶確定具有特定配置的基座元件140是否在系統100的感應加熱電路150附近，而不必打開裝置的外殼。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110確定感應加熱電路150的SRF值。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110將感應加熱電路150的SRF值與頻率值進行比較，其中頻率值是預定頻率值或感應加熱電路150的SRF值的測量值（例如先前的測量值）（當具有特定配置的基座元件140在感應加熱電路150附近時）。如果控制裝置110確定感應加熱電路150的SRF值對應於預定頻率值，則控制裝置110確定具有特定配置的基座元件140在感應加熱電路150附近。如果控制裝置110確定感應加熱電路150的SRF值不對應於頻率值，則控制裝置110確定具有特定配置的基座元件140不在感應加熱電路150附近。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於確定感應加熱電路150的SRF值不對應於與基座元件140相關聯的頻率值來執行動作。例如，控制裝置110確定感應加熱電路150的SRF值。控制裝置110基於感應加熱電路150的SRF值來確定基座元件在感應加熱電路150的附近，並且控制裝置110基於感應加熱電路150的SRF值確定基座元件不具有與基座元件140相關聯的特定構造。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於將感應加熱電路150的SRF值與與基座元件140相關聯的預定頻率值進行比較，來確定基座元件不具有特定配置。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110確定感應加熱電路150的SRF值不對應於與基座元件140相關聯的頻率值。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於確定感應加熱電路150的SRF值不對應於與基座元件140相關聯的頻率值來執行動作。在另一示例中，控制裝置110確定感應加熱電路150的SRF值，並且控制裝置110基於感應加熱電路150的SRF值確定基座元件（例如基座元件140）不在感應加熱電路150的附近。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於確定基座元件不在感應加熱電路150附近而執行動作。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於確定感應加熱電路150的SRF值不對應於與基座元件140相關聯的頻率值，和/或基於確定基座元件不在感應加熱電路150的附近，而顯示警告指示。例如，控制裝置110確定感應加熱電路150的SRF值不對應於與基座元件140相關聯的頻率值，並且控制裝置110產生信號而使得部件（例如汽化器裝置的部件，例如警告燈）顯示警告指示。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110確定基座元件不在感應加熱電路150的附近，並且控制裝置110生成使部件顯示警告指示的信號。在一些非限制性具體實施例中，汽化器裝置（例如本文所揭示的汽化器裝置）的部件顯示警告指示。例如，汽化器裝置的部件基於從控制裝置110接收到使組件顯示警告指示的信號，來顯示警告指示。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於確定感應加熱電路150的SRF值不對應於與基座元件140相關聯的頻率值，和/或基於確定基座元件不在感應加熱電路150的附近，而停用感應加熱電路150。例如，控制裝置110確定感應加熱電路150的SRF值不對應於與基座元件140相關聯的頻率值，並且控制裝置110放棄向感應加熱電路150供電。在另一示例中，控制裝置110確定基座元件不在感應加熱電路150的附近，並且控制裝置110放棄向感應加熱電路150提供電力。
如圖3B進一步所示，在步驟306B，方法300B包括確定基座元件的特性。例如，控制裝置110基於感應加熱電路150對基座元件140的磁特性的響應來確定基座元件140的特性。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於感應加熱電路150的SRF值來確定基座元件140的特性。例如，控制裝置110確定與感應加熱電路150的SRF值相對應的基座元件140的特性。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於感應加熱電路150的SRF值和感應加熱電路150的電特性的振幅的測量，來確定基座元件140的特性。在一些非限制性具體實施例中，感應加熱電路150的電特性，包括提供給感應加熱電路150的交流電（例如，提供給感應加熱電路150的電感器元件120的交流電）、電感器元件120產生的磁場、和/或電容器元件160兩端的電壓。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於由電感器元件120產生的磁場和感應加熱電路150的SRF值，來確定基座元件140的特性。例如，控制裝置110確定由電感器元件120產生的磁場的振幅和感應加熱電路150的SRF值。控制裝置110確定與由電感器元件120產生的磁場的振幅和感應加熱電路150的SRF值相對應的溫度曲線，其中溫度曲線指示基座元件140的溫度。
在一些非限制性具體實施例中，當基座元件140被電感器元件120加熱時，控制裝置110基於由電感器元件120產生的第一磁場，來確定感應加熱電路150的第一SRF值。在一些非限制性具體實施例中，當基座元件140被感應加熱電路150加熱時，控制裝置110基於由電感器元件120產生的第二磁場來確定感應加熱電路150的第二SRF值。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於感應加熱電路150的SRF值從第一SRF值到第二SRF的變化，來比較第一SRF值和第二SRF值，以確定基座元件140的溫度。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110確定與感應加熱電路150的SRF值的變化相對應的溫度變化。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於藉由獨立的溫度感測裝置（例如，紅外溫度計）同時測量感應加熱電路150的SRF值和基座元件140的溫度，來對基座元件140進行校準。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於基座元件140的校準和感應加熱電路150的SRF值來確定基座元件140的溫度。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110接收基座元件140的校準，基於在基座元件140的第一溫度（例如，在基座元件140的環境溫度下）確定感應加熱電路150的第一SRF值，並隨後在基座元件140的居里溫度下確定感應加熱電路150的第二SRF值。在一些非限制性具體實施例中，基於確定基座元件140的自發磁化何時改變為零（例如在居里溫度下），來確定在基座元件140的居里溫度下的感應加熱電路150的第二SRF值。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於感應加熱電路150的SRF值在第一溫度與基座元件140的居里溫度之間的溫度下確定基座元件140的溫度。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於基座元件140的磁特性的變化來確定基座元件140的溫度。例如，控制裝置110基於基座元件140的磁化強度的變化和/或由基座元件140產生的磁場的振幅來確定基座元件140的溫度。在一些非限制性具體實施例中，基座元件140的磁化強度的變化和/或由基座元件140產生的磁場的振幅對應於基座元件140的溫度變化，並且控制裝置110基於確定基座元件140的磁化強度的變化值和/或基座元件140產生的磁場的振幅來確定基座元件140的溫度變化的值。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110使基座元件140從第一溫度改變到第二溫度。例如，控制裝置110確定基座元件140的第一溫度。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於確定第一溫度不滿足溫度閾值而使基座元件140的溫度從第一溫度改變為第二溫度。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於調節感應加熱電路150中的交流電流量，使基座元件140從第一溫度改變為第二溫度。例如，控制裝置110基於控制裝置110調整提供給感應加熱電路150的交流電流的量，使基座元件140從第一溫度變化為第二溫度。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110實施一種或多種控制迴路演算法以測量基座元件140的溫度，並將基座元件140的溫度保持在期望溫度值或在溫度值之間的期望範圍內。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於校準測量來控制基座元件140的溫度。例如，感應加熱電路150的SRF值的複數個曲線和交流電的相應振幅值，被提供作為對於基座元件140預定溫度（例如室溫或20℃）感應加熱電路150的輸入，作為校準測量。然後，在感應加熱電路150的操作期間，控制裝置110確定感應加熱電路150的SRF值的複數個曲線，以及在基座元件140的複數個溫度中的每個溫度下的交流電的對應振幅值。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110藉由校準測量來劃分複數個曲線，以提供基於交流電而被補償的複數個線性圖。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於複數個線性圖來確定基座元件140的溫度。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110使用比例-積分-微分（PID）控制器基於複數個線性圖來確定基座元件140的溫度。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110藉由基於確定基座元件140的溫度來調節基座元件140的溫度來控制基座元件140的溫度。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110針對感應加熱電路150的複數個SRF值中的每一個來確定基座元件140的溫度，其對應於被提供為感應加熱電路150的輸入的交流電的複數個預定振幅。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110測量電容器元件160兩端的電壓的振幅，並確定作為感應加熱電路150的輸入提供的交流電的當前振幅。控制裝置110基於當前振幅確定基座元件140的第一溫度。在確定第一溫度之後，控制裝置110確定最接近當前振幅的交流電的複數個預定振幅中的預定振幅。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110確定感應加熱電路150的SRF值，並確定基座元件140的第二溫度，第二溫度對應於最接近當前振幅的預定振幅。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110比較第一溫度和第二溫度，並確定交流電的振幅（例如安培數）以提供或去除作為感應加熱電路150的輸入。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於確定振幅來提供或去除交流電的振幅作為感應加熱電路150的輸入。
在一些非限制性具體實施例中，為了在短時間內將基座元件140的溫度增加（例如加熱）到期望溫度，控制裝置110基於感應加熱電路150的校準對基座元件140所需增加的溫度估計交流電（例如，在基座元件140中引起熱脈衝的交流電）。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110將交流電提供給電感器元件120，以在短時間內以最大功率操作電感器元件120。
現在參考圖3C，圖3C是用於確定諸如感應加熱系統的系統中的基座元件（例如基座元件140）的特性的方法300C的非限制性具體實施例的流程圖。在一些非限制性具體實施例中，方法300C的一個或多個步驟由控制裝置110執行（例如完全地、部分地等）。在一些非限制性具體實施例中，方法300C的一個或多個步驟由與控制裝置110分離或包括控制裝置110的另一裝置或一組裝置執行。例如，與控制裝置110分離的附加控制裝置。
如圖3C所示，在步驟302C，方法300C包括確定感應加熱電路的響應相位。例如，控制裝置110確定感應加熱電路的第一響應相位。在一些非限制性具體實施例中，第一響應階段係基於基座元件140在第一驅動頻率下的磁特性。在一些非限制性具體實施例中，第一響應相位包括一相位差值，此相位差值是在在第一驅動頻率下的驅動電流的相位和在第一驅動頻率下的感應加熱電路150的電子部件（例如電感器元件120、電容器元件160等等）兩端的電壓（例如感應加熱電路150的電壓響應）的相位之間。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110確定感應加熱電路150的電子部件兩端的電壓的相位。例如，控制裝置110可以確定在第二驅動頻率下感應加熱電路150的電子部件兩端的電壓的相位。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110可以基於對電容器元件160兩端的電壓的第二測量，來確定在第二驅動頻率下感應加熱電路150的電子部件兩端的電壓的相位。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110確定感應加熱電路150的第二響應相位。例如，控制裝置110確定感應加熱電路150的第二響應相位。在一些非限制性具體實施例中，第二響應階段係基於基座元件140在第二驅動頻率下的磁特性。在一些非限制性具體實施例中，第二響應相位包括一相位差值，此相位差值是在在第二驅動頻率下的驅動電流的相位和在第二驅動頻率下的感應加熱電路150的電子部件兩端的電壓的相位之間。
如圖3C所示，在步驟304C，方法300C包括確定感應加熱電路150的相位與頻率的函數。例如，控制裝置110可以確定感應加熱電路150的相位與頻率的函數。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110可以基於第一響應相位和第二響應相位來確定感應加熱電路150的相位與頻率的函數。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110確定一多項式的多項式係數，此多項式擬合於感應加熱電路150的第一響應相位和感應加熱電路150的第二響應相位。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110可以確定使得函數的相位值正交的頻率值。例如，控制裝置110可以基於多項式的多項式係數，來確定使函數的相位值為正交的頻率值。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110可以確定感應加熱電路150的第三響應相位。例如，控制裝置110可以確定感應加熱電路150的第三響應相位，其中第三響應相位係基於基座元件140在第三驅動頻率下的磁特性。在一些非限制性具體實施例中，第三響應相位包括一相位差值，此相位差值是在在第三驅動頻率下的驅動電流的相位和在第三驅動頻率下的感應加熱電路150的電子部件兩端的電壓的相位之間。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110可以確定感應加熱電路150的第四響應相位。例如，控制裝置110可以確定感應加熱電路150的第四響應相位，其中第四響應相位係基於基座元件140在第四驅動頻率下的磁特性。在一些非限制性具體實施例中，第四響應相位包括一相位差值，此相位差值是在在第四驅動頻率下的驅動電流的相位和在第四驅動頻率下的感應加熱電路150的電子部件兩端的電壓的相位之間。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110可以基於第一響應相位、第二響應相位、第三響應相位和/或第四響應相位，來確定感應加熱電路150的相位對頻率的函數。
在一些非限制性具體實施例中，函數可以包括多項式。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110可確定一多項式的多項式係數，此多項式擬合於感應加熱電路150的第一響應相位、感應加熱電路150的第二響應相位、感應加熱電路150的第三響應相位、和/或感應加熱電路150的第四響應相位。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110可以基於多項式的多項式係數，來確定使函數的相位值為正交的頻率值。
如圖3C所示，在步驟306C，方法300C包括確定使函數的相位值為正交的頻率值。例如，控制裝置110可以確定使函數的相位值為正交的頻率值。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110可以基於相位對頻率的函數來確定使函數的相位值為正交的頻率值。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110藉由確定包括相位對頻率的函數的線的斜率，來確定感應加熱電路150的相位對頻率的函數，其中線係基於第一響應相位和第二響應相位。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於斜率確定使函數的相位值正交的頻率值。
如圖3C所示，在步驟308C，方法300C包括確定基座元件的溫度。例如，控制裝置110可以確定基座元件的溫度。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110可以基於頻率值來確定基座元件140的溫度。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於磁場的測量來確定基座元件140的溫度。例如，控制裝置110基於由電感器元件120產生的磁場的測量來確定基座元件140的溫度。附加地或可替代地，控制裝置110基於電感器元件120產生的磁場的測量和使函數的相位值正交的頻率值，確定基座元件140的溫度。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110確定磁場的測量值。例如，控制裝置110可以確定由電感器元件120產生的磁場的測量。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110可以基於磁場的測量來確定基座元件140的溫度。例如，控制裝置110可以基於由電感器元件120產生的磁場的測量來確定基座元件140的溫度。附加地或可替代地，控制裝置110可基於使函數的相位值正交的頻率值，確定基座元件140的溫度。例如，控制裝置110可基於電感器元件120產生的磁場的測量和使函數的相位值正交的頻率值，確定基座元件140的溫度。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110可以基於電容器元件160兩端的A/C電壓的振幅和電容器元件160兩端的A/C電壓的頻率，確定由電感器元件120產生的磁場的測量。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110可基於電感器元件120產生的磁場的測量和使函數的相位值正交的頻率值，確定基座元件140的溫度。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110確定電容器元件160兩端的A/C電壓的振幅和電容器元件160兩端的A/C電壓的頻率。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110可基於電容器元件160兩端的A/C電壓的振幅和電容器元件160兩端的A/C電壓的頻率，確定由電感器元件120產生的磁場的測量。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於電感器元件120產生的磁場的測量和使函數的相位值正交的頻率值，確定基座元件140的溫度。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於使函數的相位值正交的頻率值和至少一個溫度感測器的輸出，確定基座元件140的溫度。在一些非限制性具體實施例中，至少一個溫度感測器熱接觸（例如，根據傳導可以發生熱傳遞的實體接觸）電感器元件120、電容器元件160或任何組合中的至少一個。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於使函數的相位值正交的頻率值和至少一個溫度感測器的輸出，確定基座元件140的溫度。在一些非限制性具體實施例中，至少一個溫度感測器被耦合至（例如，使得溫度感測器可以感測其環境）系統的部件或與系統的部件熱接觸。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於使函數的相位值為正交的頻率值以及電感器元件、電容器元件或其任意組合的溫度，來確定基座元件140的溫度。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於基座元件140吸收的功率量來確定基座元件140的溫度。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於相位對頻率的函數，確定基座元件140吸收的功率量。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110可以基於與驅動A/C電流和感應加熱電路150的電子部件（例如電感器元件120、電容器元件160等等）兩端的電壓之間的相位差相關的函數的斜率，來確定基座元件140吸收的功率的量。例如，控制裝置110可以確定基座元件140吸收的功率量，此係基於一函數的斜率，此函數相關聯於驅動A/C電流（I(t)）與相關聯於一頻率（例如在此頻率處估算）的電壓響應之間的相位差，此頻率使驅動A/C電流（I(t)）的相位與感應加熱電路150的電子部件兩端的電壓的相位之間的相位差為正交。在這樣的示例中，控制裝置110可以基於控制裝置110確定諸如公式（1）的公式結果，來確定基座元件140吸收的功率量： (1)     1//(ω0 2 RC) 其中ω0 是使驅動A/C電流和電壓響應正交的頻率，C是感應加熱系統中的電容，且R是有效電阻，使得I(t)2 R是在感應加熱系統中作為熱量散發的瞬時功率（而非時間平均功率）。因此，可以根據在在存在基座元件（例如在感應加熱電路附近、在感應加熱電路的電感器元件附近）的情況下由公式（1）獲得的R值，與在不存在基座元件的情況下由公式（1）獲得的R值之間的差異，來獲得基座元件140所吸收的功率。在系統100的一個或多個部件的製造過程中，就可以獲得不存在基座元件時的R值。另外或可替代地，可以基於感應加熱系統的一個或多個部件的溫度來更新（例如校正）不具有基座元件的R值，其中感應加熱系統的部件的溫度不同於對沒有基座的裝置測量R值時的溫度。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於至少一個校準過程的結果，來確定基座元件140的溫度。例如，控制裝置110可以基於至少一個校準過程的結果來確定基座元件140的溫度，其中，至少一個校準過程的結果包括一參考集，此參考集具有基座元件140的複數個溫度值和對於每個正交的函數的複數個相位值的複數個頻率值，其中複數個頻率值中的每個頻率值對應於基座元件140的複數個溫度值中的每個溫度值。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110將使函數相位值為正交的頻率值與參考集進行比較，並且控制裝置110基於參考集中的一溫度值確定基座元件140的溫度，此溫度值對應於使函數的相位值正交的頻率值。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110可以基於電感器元件中的A/C電流量來確定基座元件140的溫度。例如，控制裝置110可以基於感應加熱電路150的電感器元件120中的A/C電流量來確定基座元件140的溫度。
在一些非限制性具體實施例中，至少一個校準過程可以包括參考校準過程。例如，控制裝置110可以執行至少一個校準過程，其中至少一個校準過程包括參考校準過程。在一些非限制性具體實施例中，參考校準過程可以在系統100的最終建構之前執行。例如，參考校準過程可以在系統100的最終建構之前的測試階段中執行。在一些非限制性具體實施例中，可以使用參考感應加熱電路來執行參考校準過程，參考感應加熱電路包括與感應加熱電路150具有相同或相似配置的感應加熱電路、和/或第二基座元件，第二基座元件包括具有與基座元件140相同或相似配置的基座元件，使得第二基座元件具有與基座元件140相同或相似的幾何形狀、相同或相似類型的一種或多種材料、和/或相同或相似量的一種或多種材料。
在一些非限制性具體實施例中，參考校準過程可以包括將第二基座元件保持在第一選定溫度。例如，第二基座元件可以與參考感應加熱電路150相關聯。在一些非限制性具體實施例中，參考校準過程可以包括針對第一選定溫度和第一選定驅動電流量確定參考感應加熱電路150的第一響應相位。例如，參考校準過程可以包括：對於第一選定溫度與第一選定驅動電流量，確定參考感應加熱電路150的第一響應相位，其中第一響應相位係基於第二基座元件在第一驅動頻率下的磁特性，其中第一響應相位是一相位差值，此相位差值是在在第一驅動頻率下的驅動電流的相位和在第一驅動頻率下的參考感應加熱電路150的電子部件兩端的電壓的相位之間。在一些非限制性具體實施例中，參考校準過程可以包括針對第一選定溫度和第一選定驅動電流量確定參考感應加熱電路150的第二響應相位。例如，參考校準過程可以包括：對於第一選定溫度與第一選定驅動電流量，確定參考感應加熱電路150的第二響應相位，其中第二響應相位係基於第二基座元件在第二驅動頻率下的磁特性，其中第一響應相位是一相位差值，此相位差值是在在第二驅動頻率下的驅動電流的相位和在第二驅動頻率下的參考感應加熱電路150的電子部件兩端的電壓的相位之間。在一些非限制性具體實施例中，參考校準過程可以包括確定參考感應加熱電路150的相位對頻率的第一函數。例如，參考校準過程可以包括基於參考感應加熱電路150的第一響應相位和第二響應相位，確定參考感應加熱電路150的相位對頻率的第一函數。在一些非限制性具體實施例中，參考校準過程可以包括確定第一頻率值。例如，參考校準過程可以包括：基於相位對頻率的第一函數，確定使第一函數的相位值為正交的第一頻率值。在一些非限制性具體實施例中，參考校準過程可以包括將第二基座元件保持在第二選定溫度。在一些非限制性具體實施例中，參考校準過程可以包括針對第二選定溫度和第三驅動電流量確定參考感應加熱電路150的第三響應相位。例如，參考校準過程可包含：對於第二選定溫度與第三選定驅動電流量，確定參考感應加熱電路150的第三響應相位，其中第三響應相位係基於第二基座元件在第三驅動頻率下的磁特性，並且其中第三響應相位是相位差值，相位差值是在在第三驅動頻率下的驅動電流的相位和在第三驅動頻率下的參考感應加熱電路150的電子部件兩端的電壓的相位之間。在一些非限制性具體實施例中，參考校準過程可以包括針對第二選定溫度和第三驅動電流量確定參考感應加熱電路150的第二響應相位。例如，對於選定溫度與第三驅動電流量，確定參考感應加熱電路150的第二響應相位，其中第二響應相位係基於第二基座元件在第二驅動頻率下的磁特性，並且其中第一響應相位是一相位差值，此相位差值是在在第二驅動頻率下的驅動電流的相位和在第二驅動頻率下的參考感應加熱電路150的電子部件兩端的電壓的相位之間。在一些非限制性具體實施例中，參考校準過程可以包括確定參考感應加熱電路150的相位對頻率的第二函數。例如，參考校準過程可以包括基於參考感應加熱電路150的第三響應相位和第四響應相位，確定參考感應加熱電路150的相位對頻率的第二函數。在一些非限制性具體實施例中，參考校準過程可以包括確定第二頻率值。例如，參考校準過程可以包括：基於相位對頻率的第二函數，確定使第二函數的相位值為正交的第二頻率值。
在一些非限制性具體實施例中，至少一個校準過程的結果可以包括至少一個參考校準過程的結果。例如，至少一個參考校準過程的結果可以包括一參考集，參考集具有參考校準過程中所涉及的基座元件140的複數個溫度值、在參考校準過程中使用的複數個驅動電流量、和/或在參考校準過程中確定的使一個或多個函數的複數個相位值中的每個相位值為正交的複數個頻率值。在一些非限制性具體實施例中，複數個頻率值中的每個頻率值，可以對應於第二基座元件的複數個溫度值中的每個溫度值。附加或可替代地，複數個驅動電流量中的每個驅動電流量可對應於第二基座元件的複數個溫度值中的每個溫度值。針對表1提供了一個示例，並且在此進行了描述。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110可以基於參考集來確定基座元件140的溫度，參考集具有第二基座元件的複數個溫度值、複數個驅動電流量、和/或使第一函數與第二函數的複數個相位值中的每個相位值為正交的複數個頻率值。在一些非限制性具體實施例中，參考校準過程的結果可以包括校準函數。例如，參考校準過程的結果可包含校準函數，校準函數係基於一參考集，參考集具有第二基座元件的複數個溫度值、複數個驅動電流量、和/或使第一函數與第二函數的複數個相位值中的每個相位值為正交的複數個頻率值。在一些非限制性具體實施例中，複數個頻率值中的每個頻率值，可以對應於第二基座元件140的複數個溫度值中的每個溫度值。附加或可替代地，複數個驅動電流量中的每個驅動電流量可對應於第二基座元件的複數個溫度值中的每個溫度值。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110可以基於校準函數來確定基座元件140的溫度。
在一些非限制性具體實施例中，至少一個校準過程可以包括本地校準過程。例如，控制裝置110可以執行至少一個校準過程，其中至少一個校準過程包括本地校準過程。在一些非限制性具體實施例中，本地校準過程可以包括將基座元件140保持在第一選定溫度。在一些非限制性具體實施例中，本地校準過程可以包括針對第一選定溫度和第一選定驅動電流量確定參考感應加熱電路150的第三響應相位。例如，本地校準過程可以包括：針對第一選定溫度和第一選定驅動電流量，確定感應加熱電路150的第三響應相位，其中第三響應相位係基於在第三驅動頻率下的基座元件140的磁特性。此外，本地校準過程可包含：對於第一選定溫度與第一選定驅動電流量，確定感應加熱電路150的第三響應相位，其中第三響應相位為一相位差值，相位差值是在在第三驅動頻率下的驅動電流的相位和在第三驅動頻率下的感應加熱電路150的電子部件兩端的電壓的相位之間。在一些非限制性具體實施例中，本地校準過程可以包括針對選定溫度和第一選定驅動電流量確定參考感應加熱電路150的第四響應相位。例如，本地校準過程可包含：對於選定溫度與第一選定驅動電流量，確定感應加熱電路150的第四響應相位，其中第四響應相位係基於基座元件140在第四驅動頻率下的磁特性，其中第四響應相位是一相位差值，此相位差值是在在第四驅動頻率下的驅動電流的相位和在第四驅動頻率下的感應加熱電路150的電子部件兩端的電壓的相位之間。在一些非限制性具體實施例中，本地校準過程可以包括確定感應加熱電路150的相位對頻率的第二函數。例如，本地校準過程可以包括基於感應加熱電路150的第三響應相位和第四響應相位，確定感應加熱電路150的相位對頻率的第二函數。在一些非限制性具體實施例中，本地校準過程可以包括確定使第二函數的相位值為正交的第二頻率值。例如，本地校準過程可以包括：基於相位對頻率的第二函數，確定使第二函數的相位值為正交的第二頻率值。在一些非限制性具體實施例中，本地校準過程可以包括針對第一選定溫度和第二選定驅動電流量確定感應加熱電路150的第五響應相位。例如，本地校準過程可以包括：針對第一選定溫度和第二選定驅動電流量，確定感應加熱電路150的第五響應相位，其中第五響應相位係基於在第五驅動頻率下的基座元件140的磁特性。額外或替代地，本地校準過程可包含：對於第一選定溫度與第二選定驅動電流量，確定感應加熱電路150的第五響應相位，其中第五響應相位為一相位差值，相位差值是在在第五驅動頻率下的驅動電流的相位和在第五驅動頻率下的感應加熱電路150的電子部件兩端的電壓的相位之間。在一些非限制性具體實施例中，本地校準過程可以包括針對選定溫度和第二選定驅動電流量確定感應加熱電路150的第六響應相位。例如，本地校準過程可包含：對於選定溫度與第二選定驅動電流量，確定感應加熱電路的第六響應相位，其中第六響應相位係基於基座元件140在第六驅動頻率下的磁特性，其中第六響應相位是一相位差值，相位差值是在在第六驅動頻率下的驅動電流的相位和在第六驅動頻率下的感應加熱電路150的電子部件兩端的電壓的相位之間。在一些非限制性具體實施例中，本地校準過程可以包括確定感應加熱電路150的相位對頻率的第三函數。例如，本地校準過程可以包括基於感應加熱電路150的第五響應相位和第六響應相位，確定感應加熱電路150的相位對頻率的第三函數。在一些非限制性具體實施例中，本地校準過程可以包括確定第三頻率值。例如，本地校準過程可以包括：基於相位對頻率的第三函數，確定使第三函數的相位值為正交的第三頻率值。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110確定本地校準過程的結果。例如，控制裝置110可以確定本地校準過程的結果，其中對於第一選定溫度，本地校準過程的結果包括一本地集，本地集具有複數個驅動電流量和對於每個正交的第二函數的複數個相位值中的每個相位值的複數個頻率值。在此示例中，複數個頻率值中的每個頻率值可對應於對於第一選定溫度的複數個驅動電流值中的每個驅動電流量。
在一些非限制性具體實施例中，感應加熱系統的行為可以基於基座元件140的磁行為和幾何形狀來建模。附加地或可替代地，可以基於感應加熱線圈的幾何形狀對感應加熱系統的行為進行建模。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110可基於使感應加熱電路150的驅動電流與電壓響應為正交的頻率值，並額外或替代地基於感應加熱線圈中的電流，來確定（或預測其相依性）基座元件140的溫度。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110可以提高由控制裝置110確定溫度的準確度。例如，控制裝置110可以基於控制裝置110執行如上所述的一個或多個校準過程，來提高由控制裝置110確定的溫度的準確度。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110可以執行一個或多個校準過程，並且控制裝置110可以使用由一個或多個校準過程生成的一個或多個輸出，來確定（例如測量）基座元件140溫度以及使感應加熱電路150的驅動電流與電壓響應為正交的頻率以及對於感應加熱線圈中電流的相關性（例如相依性）。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於執行參考校準過程的控制裝置110來確定基座元件140的溫度。附加地或可替代地，控制裝置110可以基於控制裝置110執行本地校準過程來確定基座元件140的溫度。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110可以基於感應加熱系統（例如在製造設施處被校準的參考感應加熱系統）執行第一或參考校準，此感應加熱系統可以不同於消費者感應加熱系統（例如提供給消費者的感應加熱系統）。特定而言，在一些非限制性具體實施例中，執行第一或參考校準過程包括：針對在參考感應加熱系統（例如改進的感應加熱系統）中的感應加熱線圈中的複數個A/C電流中的每個A/C電流以及複數個溫度中的每個溫度執行數個步驟，以便輸出一組值（例如，磁場值、溫度值、以及使感應加熱電路150的驅動電流和電壓響應為正交的結果溫度的值）。在某些情況下，這組值可用於校準消費者感應加熱系統。
在一些非限制性具體實施例中，包括參考感應加熱系統的系統100中的基座元件，被保持在選定溫度下，選定溫度是此複數個溫度中的一個溫度。例如，在一些情況下，包括參考感應加熱系統的系統100可以被配置為允許基座浸入保持在選定溫度的諸如油的流體中。在一些非限制性具體實施例中，溫度可以藉由熱電偶來測量。例如，控制裝置110可以基於熱電偶來測量溫度。在一些非限制性具體實施例中，使流體流動。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110可以確定所選擇的溫度以及由流體的大的熱質量來維持的溫度常數，允許在磁場值的範圍內確定正交的頻率值。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110可基於控制裝置110逐步將A/C電流的值從零逐步過渡到系統110能夠傳遞的最大A/C電流，來確定磁場值的範圍。
在一些非限制性具體實施例中，一旦系統100的基座元件140保持在選定溫度，就可以在選定溫度下確定系統100中的感應加熱電路的第一響應相位。在這種情況下，對於選擇的A/C電流量，第一響應相位可以基於基座元件140在第一驅動頻率下的磁特性。在一些非限制性具體實施例中，所選擇的A/C電流量可以是複數個A/C電流量中的A/C電流量（例如，將A/C電流的值從零逐步過渡到系統100能夠傳遞的最大A/C電流）。
在一些非限制性具體實施例中，第一或參考校準過程可以包括：在所選溫度下確定感應加熱電路150的第二響應相位，其中第二響應相位係基於對於所選A/C電流量在第二驅動頻率下基座元件140的磁特性。如可與確定第一響應相位的情形相同，所選擇的A/C電流量可以是複數個A/C電流量中的一個A/C電流量（例如，將A/C電流的值從零逐步過渡到消費者單元能夠傳遞的最大A/C電流）。
在一些非限制性具體實施例中，第一或參考校準過程還包括基於第一響應相位和第二響應相位在選定溫度下確定相位對頻率的函數，並在選定溫度下基於相位對頻率的函數確定使函數的響應相位值為正交的頻率值。
最後，第一或參考校準過程包括輸出一組關聯值的參考集，關聯值包括複數個溫度、複數個A/C電流量、和複數個頻率值（例如一組磁場值、溫度值、以及使感應加熱電路150的驅動電流和電壓響應為正交的結果頻率值）。特定而言，已經在複數個溫度中的選定溫度值和複數個A/C電流量中的選定A/C電流量下，確定了複數個頻率值中的每個頻率值。
下面所示的表1是參考校準值的示例表。特定而言，表1示出了由上述一個或多個參考校準過程輸出的值的表格的一部分。在這樣的示例中，相關值的參考集包括：與磁場、溫度以及使感應加熱電路150的驅動電流和電壓響應為正交的結果頻率相關的值。 表1
通過電感器元件的電流 （標準化單位） 溫度 （攝氏） 正交頻率 (kHz) 磁場 （標準化單位）
0.001417103 136.90 141.4003713 0.028342069
0.001457300 136.90 141.2639550 0.029145994
0.001496529 136.90 140.9818937 0.029930585
0.001535123 136.90 140.7972348 0.030702452
0.001577667 136.90 140.6333806 0.031553345
0.001614713 136.90 140.4239606 0.032294257
0.001659035 136.90 140.2956348 0.033180701
0.001698713 136.90 140.1095176 0.033974261
0.001739953 136.90 139.9457052 0.034799053
0.001781548 136.90 139.8069855 0.035630963
0.003974132 190.77 140.5911242 0.079482648
0.004051978 190.77 140.6623216 0.081039565
0.004129288 190.77 140.7065881 0.082585764
0.004205761 190.77 140.7714102 0.084115225
0.004285972 190.77 140.8278177 0.085719449
0.004363532 190.77 140.8881179 0.087270638
0.004445709 190.77 140.9533107 0.088914172
0.004531013 190.77 141.0173615 0.090620259
0.004614587 190.77 141.0864333 0.092291735
0.004700068 190.77 141.1327612 0.094001355
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110控制基座元件140的溫度。例如，控制裝置110可以基於基座元件140吸收的功率量來控制基座元件140的溫度。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110控制基座元件140的溫度變化的速率。例如，控制裝置110可以基於基座元件140吸收的功率量來控制基座元件140的溫度變化的速率。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110提供反饋結果。例如，控制裝置110可以提供與基座元件140吸收的功率量相關聯的反饋結果。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110確定基座元件140是否靠近電感器元件。例如，控制裝置110可基於基座元件140吸收的功率量來確定基座元件140是否靠近電感器元件。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110向電感器元件120提供一定量的電流。例如，控制裝置110可以基於要提供給電感器元件120的電流的時間平均值向電感器元件120提供一定量的電流。在這樣的示例中，要提供給電感器元件120的電流的時間平均值可以是維持基座元件140的指定溫度。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110來確定基座元件140的溫度，此係藉由確定跨感應加熱電路150的電容器元件160的A/C電壓的振幅、確定由電感器元件120產生的磁場的測量、以及根據電感器元件120產生的磁場的測量值和使感應加熱電路150的相位對頻率函數的相位值為正交的頻率值。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110可基於感應加熱電路160的電容器元件160兩端的A/C電壓的振幅和電容器元件160兩端的A/C電壓的頻率，確定磁場的測量。
現在參考圖4A-4C所示，圖4A-4C是汽化器裝置400的非限制性具體實施例的圖，汽化器裝置400包括用於確定基座元件的特性的系統，例如系統100。圖4A和圖4B示出了汽化器裝置400的組裝圖，而圖4C示出了汽化器裝置400的分解圖。如圖4A所示，汽化器裝置400包括殼體402。為了說明的目的，圖4B示出了汽化器裝置400，其中殼體402是透明的。如圖4B所示，汽化器裝置400包括感應加熱組件420、殼體402、電源416和管444。如圖4C所示，汽化器裝置400包括電子控制部件436、至少一個啟動按鈕438、感應加熱組件420、藥筒418、殼體402、電源416、閥442、管444和煙嘴部件446。在一些非限制性具體實施例中，電子控制部件436包括控制裝置110，或者與控制裝置110相同或實質相似的電子控制部件436。
在一些非限制性具體實施例中，感應加熱組件420包括機架448（例如，用於支撐感應加熱組件420的部件的內部框架）、電感器元件406、電容器元件414和/或加熱元件主體440。在一些非限制性具體實施例中，電感器元件406和電容器元件414被電連接（例如，以並聯電連接）以提供感應加熱電路。在一些非限制性具體實施例中，電感器元件406與電感器元件120相同或實質相似。在一些非限制性具體實施例中，電容器元件414與電容器元件160相同或實質相似。
在一些非限制性具體實施例中，加熱元件主體440的尺寸和/或配置設置成當電感器元件406定位在加熱元件主體440內時保持電感器元件406。附加或替代地，機架448的尺寸和/或配置設置成將電感器元件406和加熱元件主體440保持在電子控制部件436附近，這可以允許小型的尺寸並允許利用電子控制部件436控制電感器元件406。附加或替代地，加熱元件主體440充當由藥筒418內的基座元件的感應加熱所產生的熱的絕緣體，並且還使電子部件屏蔽自電感器元件406所產生的電磁能的輻射。
在一些非限制性具體實施例中，藥筒418的尺寸和/或構造設置成可安裝在電感器元件406內，這可以允許汽化器裝置400具有小型構造。在一些非限制性具體實施例中，藥筒418的一端具有孔，此孔允許來自可汽化物質的蒸氣從藥筒418中流出。在一些非限制性具體實施例中，藥筒418包括記憶體，並且記憶體的尺寸和/或構造設置成容納可汽化物質。在一些非限制性具體實施例中，基座元件的尺寸和/或構造設置成容納在記憶體中，並且基座元件140接觸記憶體的可汽化物質。在一些非限制性具體實施例中，電感器元件406的尺寸和/或配置設置為容納在加熱元件主體440內。在一些非限制性具體實施例中，電感器元件406被電磁耦合（例如電感耦合、磁耦合等）至藥筒418內的基座元件，並且基座元件140基於電磁感應（例如，藉由在基座元件140中產生的渦電流和/或在基座元件140中產生的磁滯）產生熱量。
在一些非限制性具體實施例中，藥筒418是作為汽化器裝置400的部件的可更換和/或一次性容器。例如，藥筒418容納預定量的可汽化物質，並且當可汽化劑用完或將要用完時，用戶可以用另一藥筒418替換藥筒418。
在一些非限制性具體實施例中，可汽化物質包括當加熱至預定溫度時產生供人類吸入的蒸氣的組合物、材料或物質。在一些非限制性具體實施例中，汽化器裝置400包括指示器，指示器指示藥筒418中剩餘的可汽化物質的量。在一些非限制性具體實施例中，指示器位於藥筒418上和/或汽化器裝置400的殼體上。在一些非限制性具體實施例中，指示器包括顯示螢幕，例如對用戶可見的汽化器裝置400上的數位或類比輸出螢幕。在一些非限制性具體實施例中，汽化器裝置400具有第二指示器，第二指示器指示藥筒418何時接近空的，並將其用作可汽化物質的小體積指示器。
在一些非限制性具體實施例中，藥筒418被配置為再填充有可汽化物質。另外地或可替代地，藥筒418被配置為當被定位在汽化器裝置400內時，例如通過殼體402中的孔口或縫隙而被重新填充。在一些非限制性具體實施例中，電感器元件406被構造為藥筒結構的一部分，藥筒結構包括藥筒418、基座元件和電感器元件406，使得藥筒結構是可更換的。在一些非限制性具體實施例中，藥筒結構（例如可更換式藥筒結構）包括電連結（例如電觸點），使得當可更換式藥筒結構位於汽化器裝置400內時，電感器元件406電連接至電子控制部件436。
在一些非限制性具體實施例中，可藉由移除殼體402並根據需要分離任何其他部件，來完成藥筒418的更換。在一些非限制性具體實施例中，在不移除殼體402的情況下完成藥筒418的更換。在一些非限制性具體實施例中，汽化器裝置400允許用戶在藥筒418為空時移除藥筒418，並在感應加熱組件420內用新的、滿的藥筒418替換藥筒418，而無需移除感應加熱組件420的任何其他部件。在一些非限制性具體實施例中，汽化器裝置400包括在其中限定的通道或腔室，通道或腔室允許移除空的或接近空的藥筒418並接收替換藥筒418。在一些非限制性具體實施例中，汽化器裝置400包括能夠被操縱（例如折疊、扭曲等）以打開以接受新藥筒418，並且然後能夠被操縱以關閉並將藥筒418放置在適當位置（例如以便加熱藥筒418內的可汽化物質）的腔室或通道。在一些非限制性具體實施例中，殼體402具有在其中限定的腔室或通道，並且殼體402被配置為在腔室或通道內接收藥筒418。
在一些非限制性具體實施例中，基座元件位於藥筒418內，並且經由感應加熱基座元件140，而沒有到電源410的電連結。附加或可替代地，藥筒418包括具有內表面的主體，並且基座元件140被定位成鄰近藥筒418的內表面。另外或替代地，藥筒418的主體和/或頸部用作基座元件140與感應加熱組件420之間的絕緣構件。在一些非限制性具體實施例中，絕緣構件去除（例如分離）感應加熱組件420以使其與藥筒418中的可汽化物質（例如液體）接觸。在一些非限制性具體實施例中，藥筒418由適當的絕緣材料構成，包括但不限於玻璃、玻璃纖維、陶瓷和/或類似物。在一些非限制性具體實施例中，藥筒418的開口端限定通過汽化器裝置400的空氣路徑。
在一些非限制性具體實施例中，啟動按鈕438被配置為突出穿過殼體402中的孔，使得使用者能夠啟動汽化器裝置400。附加或可替代地，啟動按鈕438被配置為使得不需要按下實體按鈕。在一些非限制性具體實施例中，啟動按鈕438包括觸控螢幕部件，例如電容式觸控螢幕。附加或可替代地，使用這種觸控螢幕，用戶能夠使用汽化器裝置400來檢查和/或驗證諸如年齡、使用次數和其他分析資料的資訊。附加或替代地，這種觸控螢幕功能與機載感測器相結合，從而形成智能汽化器，智能汽化器能夠被連接以進行通信並聯網到本地電腦或網際網路。
在一些非限制性具體實施例中，啟動按鈕438與汽化器裝置400的另一態樣和/或部件整合在一起。在一些非限制性具體實施例中，啟動按鈕438與煙嘴部件446整合在一起。在一些非限制性具體實施例中，與使用者的嘴到煙嘴組件446的接觸，允許啟動汽化器裝置400（例如，用作啟動按鈕438）。附加或替代地，啟動按鈕438包括生物特徵識別裝置（例如指紋掃描儀）和/或另一形式的識別裝置以識別用戶。在一些非限制性具體實施例中，用戶能夠個人化汽化器裝置400和/或防止其他人使用汽化器裝置400。這樣的特徵在汽化器裝置400的監視不總是可用的情況下和/或可以防止另一未授權用戶（例如，兒童）使用此裝置的情況下可能是有用的。
在一些非限制性具體實施例中，殼體402的尺寸和/或構造設置成實質容納（例如包圍）汽化器裝置400的部件，以為汽化器裝置400提供外觀，和/或允許汽化器裝置400在人體工程學上適配在用戶手中。在一些非限制性具體實施例中，殼體402包括上殼體402a和下殼體402b。在一些非限制性具體實施例中，上殼體402a和下殼體402b構造成具有美學上令人愉悅的外觀（例如，以模仿木紋的外觀）和/或根據所需包括顏色、圖案、標記等。在一些非限制性具體實施例中，上殼體402a和下殼體402b是可更換的，以允許用戶自訂汽化器裝置400的特定外觀。
在一些非限制性具體實施例中，外殼402由任何合適的材料構造，例如木材、金屬、玻璃纖維、塑料和/或類似材料。在一些非限制性具體實施例中，煙嘴部件446是可互換的。在一些非限制性具體實施例中，煙嘴組件446的變體被配置成使得煙嘴組件446限制氣流以再現拉動（pulling）感覺，類似於使用者對於吸煙、雪茄、煙斗和/或類似內容可能更喜歡和/或熟悉的感覺。在一些非限制性具體實施例中，啟動按鈕438包括一個或多個控制按鈕、感測器或開關，例如以允許用戶與汽化器裝置400互動。在一些非限制性具體實施例中，啟動按鈕438的互動包括打開和關閉汽化器裝置400。
在一些非限制性具體實施例中，閥442被配置為在不使用汽化器裝置400時控制氣流和/或密封記憶體。在一些非限制性具體實施例中，閥442的尺寸和/或構造設置成可裝配在具有孔的藥筒418的一端上。附加或替代地，閥442具有允許精確地附連到藥筒418上的配置，和/或尺寸和/或配置設置成接觸（例如，擱在）電感器元件406的端部上，以將藥筒418放置在電感器元件406內。在一些非限制性具體實施例中，藥筒418完全位於電感器元件406內，或者僅藥筒418的一部分位於電感器元件406內。在一些非限制性具體實施例中，閥442是電子控制的，並且被配置為保持關閉，直到使用者啟動汽化器裝置400（例如藉由啟動按鈕438）。在一些非限制性具體實施例中，基於煙嘴中的螺紋和/或斜度來手動控制閥442。例如，螺紋和/或斜度在閥442和藥筒418的頂部之間提供間隙。在一些非限制性具體實施例中，閥442由任何合適的材料構造，例如塑料、橡膠、玻璃纖維、金屬、玻璃和/或類似物。在一些非限制性具體實施例中，閥442由合適等級的矽橡膠構造。
在一些非限制性具體實施例中，管444的尺寸和/或構造設置成放置在閥442的遠離藥筒418的一端上。附加或替代地，管444的尺寸和/或構造設置成將藉由加熱可汽化物質而產生的蒸汽從煙嘴部件446中引出。在一些非限制性具體實施例中，管444是圓柱體。在一些非限制性具體實施例中，管444由任何合適的材料形成，包括但不限於玻璃。在一些非限制性具體實施例中，管444被配置為調節流入和/或流出汽化器裝置400的氣流（例如，與閥442相關聯）。在一些非限制性具體實施例中，管444和/或閥442構造成防止可汽化物質從藥筒418洩漏。
在一些非限制性具體實施例中，電源410是包括一個或多個電化學電池的裝置，此電化學電池將存儲的化學能轉換成電能。在一些非限制性具體實施例中，電源410的尺寸和/或配置適合於應用，例如在汽化器裝置400內放置電源410。在一些非限制性具體實施例中，電源410與電源130相同或實質相似。在一些非限制性具體實施例中，電源410包括電池。在一些非限制性具體實施例中，電池是一次電池、二次電池、可再充電電池和/或類似物。附加地或替代地，電池包括鹼性電池、手錶電池、鋰離子電池等。在一些非限制性具體實施例中，從電源410向電感器元件406提供功率（例如，以電能的形式，諸如電流和/或電壓的形式）。
在一些非限制性具體實施例中，汽化器裝置400的電子控制部件436包括包括交流電產生裝置的電路（例如被配置為基於從電源410接收直流電而提供交流電的電路）、控制裝置（例如控制裝置110）、和/或至少一個感測器。附加或替代地，控制裝置控制提供給電感器元件406的功率，這可以在低至數毫秒的時間尺度上提供對提供給電感器元件406的功率的精確監視和/或控制。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置被配置成接收資訊（例如來自感測器）並調節要由電感器元件406施加到基座元件上的加熱設定檔（例如與由電感器元件406產生的磁場的振幅相關的設定檔，其隨時間變化或不變化）。在一些非限制性具體實施例中，至少一個感測器能夠檢測和/或計算資訊，諸如來自或進入汽化器裝置400的氣流、汽化器裝置400內的位置處或離開汽化器裝置400的蒸氣的壓力、汽化器裝置400的部件或部件附近的位置的溫度（例如感應線圈的溫度）等等。在一些非限制性具體實施例中，這樣的特徵可以允許控制裝置確定汽化器裝置400的使用者開始吸氣和/或功率位準增加以補償進入的空氣冷卻基座元件140的趨勢（例如，低於其理想溫度、工作溫度範圍等）。在一些非限制性具體實施例中，當沒有進行主動吸氣時，控制裝置然後能夠減小功率，這可以改善電源410的壽命。
在一些非限制性具體實施例中，電子控制部件436的控制裝置能夠使用資訊來計算和/或實施溫度設定檔（例如，與基座元件的溫度相關聯的設定檔，其隨時間變化或不隨時間變化）以加熱可汽化物質。附加或可替代地，控制裝置構造成基於可汽化物質來調節由電感器元件406施加到基座元件140的加熱設定檔。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置能夠實施根據可汽化物質由電感器元件406施加到基座元件140的預定加熱設定檔。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置可以允許用戶修改設置和/或用於向可汽化物質提供熱量的整個演算法，以便獲得改善的體驗（例如優選體驗、最佳體驗等等）。在一些非限制性具體實施例中，所有電子組件（例如電子控制部件436）的配置具有足夠的能量效率，以允許汽化器裝置400為手持式並且由電池操作。附加或可替代地，電子部件包括印刷電路板，並且在一些非限制性具體實施例中，控制裝置包括處理器，諸如微處理器、微控制器等。
在一些非限制性具體實施例中，藥筒418包括包括與藥筒418的內容物相關聯的資訊的標識符。在一些非限制性具體實施例中，標識符包括提供與可汽化物質相關的資訊和/或與藥筒418內的基座元件相關的資訊的標記、條碼、標籤等等。在一些非限制性具體實施例中，標識符被結合到藥筒418中。例如，標識符被蝕刻到藥筒418中。
在一些非限制性具體實施例中，電子控制部件436連接到電感器元件406和/或被編程為讀取標識符並確定與藥筒418的內容物相關的資訊，從而使用與藥筒418的內容物相關的資訊（例如藉由電子控制部件436）來設置參數，並使電感器元件406根據藥筒418的內容資訊將加熱設定檔應用於可汽化物質。
現在參照圖5，圖5是感應加熱系統500的非限制性具體實施例的圖。如圖5所示，感應加熱系統500包括感應加熱電路550、控制裝置110、電源130、基座元件540、藥筒518和可汽化物質580。如圖5進一步所示，感應加熱電路550包括電感器520和電容器560。在一些非限制性具體實施例中，感應加熱電路550與感應加熱電路150相同或實質相似。在一些非限制性具體實施例中，電容器560與電容器元件160和/或電容器元件414相同或實質相似。在一些非限制性具體實施例中，電感器520與電感器元件120和/或電感器元件406相同或實質相似。在一些非限制性具體實施例中，基座元件540與基座元件140相同或實質相似。在一些非限制性具體實施例中，藥筒518與藥筒418相同或實質相似。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於控制裝置110提供給感應加熱電路550的輸入（例如具有頻率值的交流電）來確定感應加熱電路550的SRF值。在一些非限制性具體實施例中，基於感應加熱電路550和基座元件540的配置，感應加熱電路550的SRF值在100kHz至200kHz之間的範圍內。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於提供給感應加熱電路550的輸入來掃描頻率值之間的範圍內的複數個頻率值。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110測量時間延遲，時間延遲在掃描的每個頻率值處於感應加熱電路550的激勵與感應加熱電路550對基座元件540的磁特性的響應（例如感應加熱電路550的SRF值）之間，感應加熱電路550的激勵係基於控制裝置110提供給感應加熱電路550的輸入（例如，提供作為電感器520的輸入的交流電）。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110藉由測量電容器560兩端的電壓，來測量感應加熱電路550的激勵和/或感應加熱電路550對基座元件540的磁特性的響應。
如圖6A所示，曲線圖602包括對於在提供作為感應加熱電路550的輸入的交流電（例如驅動感應加熱電路550的交流電）與對於相關聯於交流電的頻率值的跨電容器560的電壓（例如電壓響應）之間的相位差的相位值。在一些非限制性具體實施例中，相位對應於時間延遲，時間延遲在感應加熱電路550的激勵與感應加熱電路550的響應之間，感應加熱電路550的激勵係基於控制裝置110提供作為對感應加熱電路550的輸入的交流電（例如作為對感應加熱電路的電感器520的輸入）。此曲線的形狀和位置響應於基座元件540的磁特性而變化，基座元件540的磁特性是基於電容器560兩端的電壓在0Hz至300kHz之間的範圍內測量的。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於電容器560兩端的電壓的相位值來確定感應加熱電路550的SRF值，電容器560的電壓的相位值是對於與被提供為感應加熱電路550的輸入的交流電相關聯的頻率值。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110確定電容器560兩端的電壓的相位的數值導數，其中相位在曲線602中示出。如圖6B所示，曲線圖606包括曲線圖602所示的相位對頻率值的數值導數。控制裝置110將數值導數的最大值607（例如，相位等於90度的感應加熱電路550的頻率值）確定為感應加熱電路550的SRF值的初始估計值。
在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於感應加熱電路550的SRF值的初始估計值來確定感應加熱電路550的SRF值。例如，如上所述，控制裝置110確定感應加熱電路550的SRF值的初始估計值。在一些非限制性具體實施例中，由感應加熱電路550輸出的期望功率位準，由控制裝置110基於控制電容器110兩端的電壓的控制裝置110來設置。一旦設定了期望的功率位準，控制裝置110就連續地以複數個不同的頻率值提供交流電作為感應加熱電路550的輸入。在一些非限制性具體實施例中，複數個頻率值包括四個頻率值，四個頻率值在SRF值的初始估計值的預定量之內並且在其之上，並且具有為控制裝置110的時脈的時脈週期的整數倍的週期。
如圖6A所示，SRF值的初始估計值為145 kHz，控制裝置110包括一個16 MHz時脈，複數個頻率值604包括四個頻率值，分別對應於16MHz時脈的110、109、108和107個週期：145.45 kHz、146.78 kHz、148.15 kHz和149.53 kHz。在複數個頻率值中的每個頻率值處，控制裝置110測量在感應加熱電路550的激勵與來自基座元件540的響應之間的時間延遲，並且控制裝置110可以將時間延遲轉換為相位的度數測量。控制裝置110基於在感應加熱電路550的激勵與基座元件540的響應之間的時間延遲來確定感應加熱電路550的SRF值。
在一些非限制性具體實施例中，當基座元件540的溫度改變時，基座元件540的磁特性（例如基座元件540的磁化率）基於基座元件540的溫度變化而改變，反之亦然。基座元件540的磁化率的變化，可以引起在基座元件540附近的電感器520的電感值的變化。電感器520的電感值的變化引起感應加熱電路550的SRF值的變化。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110基於感應加熱電路550的SRF值和感應加熱電路550的電特性的振幅的測量，來確定基座元件540的特性。在一些非限制性具體實施例中，感應加熱電路550的電特性，包括提供給感應加熱電路550的交流電（例如，提供給感應加熱電路550的電感器元件520的交流電）、電感器520產生的磁場、和/或電容器560兩端的電壓。
如圖6C所示，示出了溫度曲線610、612、614的曲線圖608，其對應於由電感器520產生的磁場的振幅和感應加熱電路550的SRF值的值。每個溫度曲線與基座元件140的不同溫度相關聯。溫度曲線610與基座元件140大約等於66.42℃的溫度相關，溫度曲線612與基座元件140大約等於168.68℃的溫度相關，並且溫度曲線614與基座元件112大約等於208.65°C的溫度相關。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110藉由確定複數個溫度曲線610、612、614中的哪個溫度曲線對應於電感器520產生的磁場和感應加熱電路550的SRF值，來基於由電感器520產生的磁場的振幅和感應加熱電路550的SRF值來確定基座元件540的溫度。例如，控制裝置110確定由電感器520產生的磁場和感應加熱電路550的SRF值對應於溫度曲線612，其指示基座元件540的溫度大約等於208.65℃。
現在參見圖7，圖7是感應加熱電路750的非限制性具體實施例的圖。在一些非限制性具體實施例中，感應加熱電路750與感應加熱電路150或感應加熱電路550相同或實質相似。在一些非限制性具體實施例中，半橋718被配置為向電感器電容器（LC）諧振電路724提供交流電。在一些非限制性具體實施例中，感應加熱電路部分708被配置為檢測感應加熱電路750對諸如基座元件140的基座元件的磁性的響應。在一些非限制性具體實施例中，諸如控制裝置110之類的控制裝置電連接至感應加熱電路750，以根據具有足夠的精度的感應加熱電路750的交流電的相位，來確定感應加熱電路750的自諧振頻率（SRF）值，以確定基座元件140的溫度（例如基於基座元件140的配置）。
如圖7進一步所示，感應加熱電路750的部件，例如DC-DC轉換器704和半橋718，被配置為向LC諧振電路724提供功率。在一些非限制性具體實施例中，LC諧振電路724包括電感器726、電容器728和電容器730。在一些非限制性具體實施例中，電感器726與電感器元件120和/或電感器元件520相同或實質相似。在一些非限制性具體實施例中，電感器726包括0.9μH的電感器。在一些非限制性具體實施例中，電容器728和電容器730中的每一個與電容器元件160相同或實質相似。在一些非限制性具體實施例中，電容器728和電容器730的組合與電容器元件160相同或實質相似。在一些非限制性具體實施例中，電容器728和電容器730均包括680nF電容器。在一些非限制性具體實施例中，電容器728和電容器730與線圈串聯或並聯電連接。
在一些非限制性具體實施例中，LC諧振電路724配置有串聯電連接到地的電容器728和電容器730，且電感器726連接到電容器728和電容器730之間的點。以這種方式，與使用單個電容器的電容值等於電容器728和電容器730之和的電容值的情況相比，電容器728和電容器730在電容器728和電容器730的每一個上具有一半的電壓。由於電容器的電容值與電壓容量有關，因此將總電容值需求分成複數個電容器可以使用尺寸較小的電容器，從而與包括具有較大尺寸的單個電容器的電路的裝置相比，對整合有感應加熱電路750的裝置提供了更小的外形尺寸。
如圖7進一步所示，感應加熱電路750包括DC-DC轉換器704、半橋718和LC諧振電路724。在一些非限制性具體實施例中，DC-DC轉換器704是降壓轉換器、升壓轉換器或降壓-升壓轉換器。在一些情況下，半橋718包括場效電晶體（FET）720和FET 722。在一些非限制性具體實施例中，FET 720和/或FET 722包括金屬-氧化物-半導體FET（MOSFET）。
在一些非限制性具體實施例中，DC-DC轉換器704提供可變電壓以調節LC諧振電路724中的功率（例如電能），並且半橋718在接近LC諧振電路724的SRF值（例如包括LC諧振電路724的感應加熱電路750的SRF值）的情況下激勵LC諧振電路724。
在一些非限制性具體實施例中，半橋718包括以50％或大約50％的工作週期相對驅動的FET 720和FET 722。在一些非限制性具體實施例中，使用閘極驅動器，以使得FET 720和FET 722都不會同時開啟，並且使FET效率最大化。在一些非限制性具體實施例中，感應加熱電路750中未示出閘極驅動器和由控制裝置（例如控制裝置110）提供用於控制閘極驅動器的控制信號（例如邏輯信號），但是閘極驅動器FET電連接到FET 720的閘極和FET 722的閘極。
在一些非限制性具體實施例中，藉由使用半橋718，由電源（例如電源130）提供電連接706處的功率在LC諧振電路724的SRF值f0 處最大。SRF值f0 可以根據以下公式計算：
Figure 02_image003
在一些非限制性具體實施例中，使用半橋718來控制提供給基座元件的功率，此係藉由改變激勵頻率遠離LC振盪電路724的SRF，從而減小由電感器726產生的交變電磁場的振幅。在一些非限制性具體實施例中，半橋718將通過LC諧振電路724的交流電的頻率值保持為接近LC諧振電路724的SRF值，以進行基座元件的精確溫度測量。在一些非限制性具體實施例中，DC-DC轉換器704用於控制（例如調節）提供給半橋718的功率。
在一些非限制性具體實施例中，DC-DC轉換器704是降壓轉換器，其使用具有變化的工作週期的固定頻率值。在一些非限制性具體實施例中，將DC-DC轉換器704的切換頻率設置為明顯高於LC諧振電路724的SRF的頻率值。在一些非限制性具體實施例中，基於約150kHz的LC諧振電路724的SRF，切換頻率DC-DC轉換器704在300kHz至10MHz的範圍內。
在一些非限制性具體實施例中，FET 720和FET 722由具有頻率值的方波透過閘極驅動器驅動，此方波由控制裝置（例如控制裝置110）中的脈衝寬度調變（PWM）電路產生。在一些非限制性具體實施例中，半橋718使用具有可變頻率值的50％工作週期。在一些非限制性具體實施例中，以工作週期為50％以外的工作週期在半橋718的輸出波形中產生DC偏移，並將其提供給電感器726。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置控制（例如調節）在電連結706處提供給DC-DC轉換器704的電能（例如電流和/或電壓）。
在一些非限制性具體實施例中，為了控制感應加熱電路750內的交流電，控制裝置對電感器726的輸出和地之間的電壓進行取樣（例如對電容器730兩端的電壓進行取樣）以生成電壓波形，並且將電壓波形提供給控制裝置以調節由電感器726產生的功率（例如以磁場的形式）。在一些非限制性具體實施例中，電壓波形將提供與通過電感器726的交流電的驅動頻率值的相同頻率值的電壓的相位和振幅。
在一些非限制性具體實施例中，在基於時間延遲（例如感應加熱電路750的部件引入的時間延遲）校正相位之後，相位被用於計算LC諧振電路724的SRF值，而電壓的振幅用於計算交流電的振幅。在某些情況下，藉由確定使交流電的振幅最大的驅動頻率值，來測量LC諧振電路724的SRF值。在一些非限制性具體實施例中，LC諧振電路724的SRF值是由電感器726產生的磁場的大小和基座元件的溫度兩者的函數。在一些非限制性具體實施例中，交流電的振幅與電容器730兩端的電壓振幅成正比，並且LC諧振電路724的SRF值用於確定基座元件140的溫度。
在一些非限制性具體實施例中，感應加熱電路部分708被配置為檢測LC諧振電路724對基座元件（例如基座元件140）的磁特性的響應。如圖7進一步所示，感應加熱電路部分708包括衰減器760、放大器770、濾波器780和類比數位轉換器（ADC）790。在一些非限制性具體實施例中，濾波器780包括3極貝塞爾低通濾波器（LPF）。
在一些具體實施例中，衰減器760接收電容器730兩端的時變電壓作為輸入。在一些非限制性具體實施例中，衰減器760包括被配置為分壓器的複數個電阻器，使得衰減器760的輸出是輸入電壓的固定分數。在電容器兩端的電壓超過下游部件可以承受的最大電壓的具體實施例中，這是理想的。在一些具體實施例中，放大器770向放大器770的輸入信號提供高阻抗，並且向放大器770的輸出信號提供低阻抗。在一些非限制性具體實施例中，放大器770包括運算放大器。在一些非限制性具體實施例中，放大器770的輸出電壓被配置為與輸入電壓成比例。在一些具體實施例中，放大器770具有可變的增益，使得此增益可以由控制裝置改變，以改善由ADC 790提供給控制裝置的數位信號的解析度。在一些非限制性具體實施例中，濾波器780從放大器770接收信號，並以高於指定頻率（例如SRF值）的頻率濾除不想要的雜訊，同時保持信號的相位和振幅不變。在一些非限制性具體實施例中，ADC 790將濾波器780的輸出轉換為數位值，然後此數位值被控制裝置用於控制演算法中。在一些非限制性具體實施例中，在將輸出提供給ADC 790之前，對濾波器780的輸出進行緩衝。在一些非限制性具體實施例中，ADC 790是晶片上系統（SoC）的一部分。
在一些非限制性具體實施例中，衰減器760的輸出被放大和/或緩衝直到濾波器780。如圖7進一步所示，濾波器780的輸出被提供給ADC 790。在一些非限制性具體實施例中，在將輸出提供給ADC 790之前，對濾波器780的輸出額外地進行緩衝。
為了確定LC諧振電路724的SRF值，由控制裝置（例如，控制裝置110）確定相位差，此相位差在藉由交替接通FET 720和FET 722提供的激勵信號（例如交流電）與LC諧振電路724對基座元件的磁特性（例如由基座元件產生的磁場）的響應之間的相位差。在共振時，相位差為90度。在一些情況下，感應加熱電路750在控制裝置（例如，控制裝置110）的控制下被使用以確定LC諧振電路724的響應。
現在參見圖8，圖8是包括上面討論的基於參考校準過程輸出的值的曲線的曲線圖800。例如，控制裝置110可以基於執行一個或多個參考校準過程的控制裝置110來輸出一組或多組值802a-802n。在一些非限制性具體實施例中，控制裝置110可以顯示頻率的參考校準數據集（例如關聯值的參考集）的一部分的示例，對於溫度與A/C磁場的不同振幅在此頻率處感應加熱電路的驅動電流和電壓響應正交。
繼續參照圖8，在圖800中顯示相關值的參考集，圖包括值的三維圖（x, y, z），其中沿x軸為溫度（攝氏度）、沿y軸為磁場（標準化單位）、以及沿z軸為結果頻率（kHz），在結果頻率處感應加熱電路的驅動電流和電壓響應為正交。
現在參照圖9，圖9示出了擬合的多項式函數的圖900。在一些非限制性具體實施例中，系統的控制裝置（例如系統100的控制裝置110）可以確定擬合的一個或多個多項式函數902a-902n。在這樣的示例中，在控制裝置110基於磁場（例如基於通過電感器元件的電流確定的磁場）與測量頻率而確定基座元件（例如基座元件140）的溫度時，控制裝置110可使用多項式函數，在測量頻率處感應加熱電路（例如感應加熱電路150）的的驅動電流與電壓響應（例如跨電子部件（例如電容器或電感器）兩端的測量電壓）為正交。在一些非限制性具體實施例中，擬合的多項式函數可以包括擷取校準資訊的有資料效率的方法。
在一些非限制性具體實施例中，裝置（例如控制裝置，諸如控制裝置110或其他類似裝置）可以基於一個或多個參考校準過程來產生輸出。例如，裝置可以基於一個或多個參考校準過程來生成輸出，參考校準過程可以包括函數（例如多項式函數、線性函數等）。在這樣的示例中，函數可以基於控制裝置110在確定基座的溫度作為A/C電流量和頻率值的函數時可以使用的關聯值的參考集。在一些非限制性具體實施例中，裝置可以基於函數或參考集的關聯值來確定基座元件的溫度，其中函數基於關聯值的集合。
繼續參考圖9，擬合到參考校準函數的值的表面，被示為參考校準函數的值對六階多項式的最小二乘擬合。另外或替代地，參考校準函數的值可以擬合到任何有用的函數，包括三次樣條和分段線性函數。上面描述的與表1相關聯的圖9中的此參考校準函數，可以包括參考校準函數的多個值，以使裝置能夠確定與任何裝置相關聯的基座元件的溫度。例如，上面描述的與表1相關聯的圖9中的參考校準函數，可以包括參考校準函數的多個值，以使裝置能夠確定與一系統相關聯的基座元件的溫度，其中相關聯於系統的基座元件被使用操作參數預配置，操作參數類似於在參考校準過程中使用的基座元件。實際上，系統可產生測量頻率，在測量頻率處感應加熱電路的驅動電流與電壓響應為正交，測量頻率位於基於基座元件對於相同條件的參考系統的數十Hz以內。
為了使系統既容易製造又便宜，並且可以使用與參考基座相似但不相同的基座元件進行操作，系統的控制裝置（例如，系統100的控制裝置110）可以執行第二次快速校準過程和/或本地校準過程，以相對於已校準的系統對系統進行標準化，並在確定基座元件的溫度時提高控制裝置的精度。
在一些非限制性具體實施例中，執行本地校準過程以將本地裝置（例如，包括消費者正在使用的感應加熱系統的汽化器裝置）對參考校準標準化。在這種情況下，執行本地校準過程以將用戶處的感應加熱系統對參考校準標準化，可提高確定位於本地裝置內的基座元件的溫度的精度。
在一些非限制性具體實施例中，類似於第一或參考校準過程，第二或本地校準過程包括數個步驟。特定而言，對於所選溫度以及對於感應加熱系統中的感應加熱線圈中的複數個A/C電流量中的每一個，將感應加熱系統中的基座元件保持在所選溫度。在這種情況下，感應加熱系統是本地裝置或消費者單元。
在所選溫度下確定感應加熱系統（例如本地裝置或用戶單元）中感應加熱電路的第一響應相位。在此，第一響應相位係基於在對於所選A/C電流量的第一驅動頻率下基座元件的磁特性，其中所選量是複數個A/C電流量中的一個。
在所選溫度下確定感應加熱電路的第二響應相位。在此，第二響應相位係基於在對於所選A/C電流量的第二驅動頻率下基座元件的磁特性。
在所選溫度下確定基於第一響應相位與第二響應相位的相位對頻率函數，並且基於相位對頻率函數在所選溫度下確定使函數的響應相位值為正交的頻率值。
確定一組關聯值的本地集，包括所選溫度、複數個A/C電流量、和複數個頻率值（例如一組磁場值、溫度值、以及使感應加熱電路的驅動電流和電壓響應為正交的結果頻率值）。在此情況中，已經在所選溫度值和複數個A/C電流量中的所選A/C電流量下，確定了複數個頻率值中的每個頻率值。最後，基於相關值的參考集（藉由執行第一或參考校準過程獲得）和相關值的本地集（藉由執行第二或本地校準過程獲得），來確定基座元件的溫度。
現在參見圖10，圖10示出了曲線圖1000，曲線圖1000包括相關聯於低溫（例如約22℃）的溫度值，對於參考基座元件與系統（例如涉及在工廠校準的基座元件的系統100）以及不同的基座元件與系統（例如涉及不同於在工廠校準的系統100的基座元件的基座元件）。如圖10所示，「X」字符可以表示與參考校準數據集相關聯的值1004，而「O」字符可以表示與本地校準相關聯的值1006。在這種情況下，線圈中的基座元件的長度和線圈內的位置均不同於參考基座元件和裝置的組合。感應加熱電路的驅動電流和電壓響應正交時的測量頻率的影響顯而易見。如果參考數據經過轉換以反映圖10中所示曲線之間的差異，則參考校準仍可用於準確的溫度確定。一種這樣的變換是從參考和本地校準中確定比率曲線，如圖10所示。為了確定裝置和基座元件新組合的溫度值，將使感應加熱電路的驅動電流和電壓響應正交的頻率，乘以與通過正使用之線圈的電流相對應的比率曲線的值。可以將使感應加熱電路的驅動電流和電壓響應正交的頻率校正值，與從參考校準數據集導出的多項式或其他函數一起使用，以提供準確的溫度。實際上，最好將多項式或三次樣條擬合的比率與圖10中的校準曲線相乘，以減少雜訊並允許在任何電流值下獲得比率校正，而無需插值。
儘管已經基於當前被認為是最實際和優選的具體實施例出於說明的目的詳細描述了本揭示內容，但是應當理解，這種細節僅是出於該目的，並且本揭示內容不限於所揭示的具體實施例，而是相反的，意在覆蓋所附申請專利範圍的精神和範圍內的修改和等效佈置。例如，應當理解，本揭示內容考慮了在可能的範圍內，任何具體實施例的一個或多個特徵可以與任何其他具體實施例的一個或多個特徵組合。
在考慮以下描述和所附申請專利範圍時，本揭示內容的這些和其他特徵和特性以及結構的相關元件的操作和功能以及零件和製造的經濟性的結合將變得更加顯而易見，參照附圖，所有這些均形成了本說明書的一部分，其中在各個附圖中，相似的元件符號表示相應的部分。然而，應當明確地理解，附圖僅出於說明和描述的目的，並且不意欲作為對本揭示內容的限制的定義。說明書與附加申請專利範圍中所使用的單數形式「一(a)」、「一(an)」以及「該」，包含複數的參照物，除非背景內容清楚表示並非如此。
100:系統 110:控制裝置 120:電感器元件 130:電源 140:基座元件 150:感應加熱電路 160:電容器元件 170:感測器元件 200:裝置 202:匯流排 204:處理器 206:記憶體 208:存儲部件 210:輸入部件 212:輸出部件 214:通信介面 300A:方法 302A:步驟 304A:步驟 300B:方法 302B:步驟 304B:步驟 306B:步驟 300C:方法 302C:步驟 304C:步驟 306C:步驟 308C:步驟 400:汽化器裝置 402:殼體 402a:上殼體 402b:下殼體 406:電感器元件 414:電容器元件 416:電源 418:藥筒 420:感應加熱組件 436:電子控制部件 438:啟動按鈕 440:加熱元件主體 442:閥 444:管 446:煙嘴部件 448:機架 500:感應加熱系統 518:藥筒 520:電感器 540:基座元件 550:感應加熱電路 560:電容器 580:可汽化物質 602:曲線圖 604:頻率值 606:曲線圖 607:最大值 608:曲線圖 610:溫度曲線 612:溫度曲線 614:溫度曲線 706:電連接 708:感應加熱電路部分 718:半橋 720:場效電晶體（FET） 722:場效電晶體（FET） 724:LC諧振電路 726:電感器 728:電容器 730:電容器 750:感應加熱電路 760:衰減器 770:放大器 780:濾波器 790:類比數位轉換器（ADC） 800:曲線圖 802a-802n:值 900:曲線圖 902a-902n:值 1000:曲線圖 1004:值 1006:值
下面參考在示意性附圖中示出的示例性具體實施例來更詳細地解釋本揭示內容的其他優點和細節，其中：
圖1是系統的非限制性具體實施例的圖，根據本揭示內容的原理，利用此系統可以實現本文所述的系統、方法和/或產品。
圖2是圖1的一個或多個裝置的部件的非限制性具體實施例的圖；
圖3A是確定基座元件的特性的方法的非限制性具體實施例的流程圖；
圖3B是確定基座元件的特性的方法的非限制性具體實施例的流程圖；
圖3C是確定基座元件的溫度的方法的非限制性具體實施例的流程圖；
圖4A-4C是汽化器裝置的非限制性具體實施例的圖；
圖5是確定基座元件的溫度的系統的非限制性具體實施例的圖；
圖6A-6C是系統用於確定基座元件的溫度的曲線圖；和
圖7是確定基座元件的特性的系統的部件的非限制性具體實施例的圖；
圖8是曲線圖的非限制性具體實施例，曲線圖包括基於參考校準過程輸出的值的曲線圖；
圖9是多項式函數圖的非限制性具體實施例；和
圖10是曲線圖的非限制性具體實施例，曲線圖包括與用於參考基座和系統以及不同基座和系統的低溫相關的值。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100:系統
110:控制裝置
120:電感器元件
130:電源
140:基座元件
150:感應加熱電路
160:電容器元件
170:感測器元件

Claims (20)

  1. 一種用於確定一基座元件的一溫度的系統，包括： 一感應加熱電路； 至少一個處理器，該至少一個處理器經過編程或配置以： 確定該感應加熱電路的一第一響應相位，其中該第一響應相位係基於該基座元件在一第一驅動頻率下的一磁特性，並且其中該第一響應相位是一相位差值，該相位差值是在在該第一驅動頻率下的一驅動電流的一相位和在該第一驅動頻率下的該感應加熱電路的一電子部件兩端的一電壓的一相位之間； 確定該感應加熱電路的一第二響應相位，其中該第二響應相位係基於該基座元件在一第二驅動頻率下的一磁特性，並且其中該第二響應相位是一相位差值，該相位差值是在在該第二驅動頻率下的一驅動電流的一相位和在該第二驅動頻率下的該感應加熱電路的該電子部件兩端的一電壓的一相位之間； 基於該第一響應相位和該第二響應相位，確定該感應加熱電路的一相位對頻率的函數； 基於該相位對頻率的函數，確定使該函數的一相位值為正交的一頻率值；和 基於該頻率值確定該基座元件的一溫度。
  2. 如請求項1所述之系統，其中該感應加熱電路包括： 一電感器元件；和 一電容器元件。
  3. 如請求項1所述之系統，其中該至少一個處理器進一步經編程或配置以： 確定該感應加熱電路的一第三響應相位，其中該第三響應相位係基於該基座元件在一第三驅動頻率下的一磁特性，並且其中該第三響應相位是一相位差值，該相位差值是在在該第三驅動頻率下的一驅動電流的一相位和在該第三驅動頻率下的該感應加熱電路的該電子部件兩端的一電壓的一相位之間；和 確定該感應加熱電路的一第四響應相位，其中該第四響應相位係基於該基座元件在一第四驅動頻率下的一磁特性，並且其中該第四響應相位是一相位差值，該相位差值是在在該第四驅動頻率下的一驅動電流的一相位和在該第四驅動頻率下的該感應加熱電路的該電子部件兩端的一電壓的一相位之間；和 其中，當確定該感應加熱電路的該相位對頻率的函數時，該至少一個處理器被編程或配置為： 基於該第一響應相位、該第二響應相位、該第三響應相位和該第四響應相位，確定該感應加熱電路的該相位對頻率的函數。
  4. 如請求項2所述之系統，其中當確定該基座元件的該溫度時，該至少一個處理器被編程或配置為： 確定該電容器元件兩端的一A/C電壓的一振幅和該電容器元件兩端的該A/C電壓的一頻率； 基於該電容器元件兩端的一A/C電壓的該幅度和該電容器元件兩端的該A/C電壓的該頻率，確定由該電感器元件產生的一磁場的一測量；和 基於該電感器元件產生的該磁場的該測量和使該函數的該相位值正交的該頻率值，確定該基座元件的該溫度。
  5. 如請求項2所述之系統，該系統進一步包含： 至少一個溫度感測器，該至少一個溫度感測器與以下至少之一熱接觸： 該電感器元件， 該電容器元件，或 以上的任何組合；和 其中當確定該基座元件的該溫度時，該至少一個處理器被編程或配置為： 基於使該函數的該相位值正交的該頻率值和該至少一個溫度感測器的一輸出，確定該基座元件的該溫度。
  6. 如請求項1所述之系統，其中該至少一個處理器進一步經編程或配置以： 基於該相位對頻率的函數，確定該基座元件吸收的一功率量；和 其中當確定該基座元件的該溫度時，該至少一個處理器被編程或配置為： 基於該基座元件吸收的該功率量，確定該基座元件的該溫度。
  7. 如請求項3所述之系統，其中當確定該基座元件的該溫度時，該至少一個處理器被編程或配置為： 基於至少一個校準過程的一結果，確定該基座元件的該溫度。
  8. 如請求項7所述之系統，其中該至少一個校準過程的該結果包括： 一參考集，該參考集具有該基座元件的複數個溫度值和對於每個正交的該函數的複數個相位值的複數個頻率值，其中該複數個頻率值中的每個頻率值對應於該基座元件的該複數個溫度值中的每個溫度值； 其中當確定該基座元件的該溫度時，該至少一個處理器被編程或配置為： 比較使該函數的該相位值正交的該頻率值與該參考集；和 基於該參考集中的一溫度值確定該基座元件的該溫度，該溫度值對應於使該函數的該相位值正交的該頻率值。
  9. 如請求項7所述之系統，其中該至少一個校準過程包括一參考校準過程，其中該至少一個校準過程的該結果是藉由執行該參考校準過程而獲得的，並且其中執行該參考校準過程包括： 將一第二基座元件保持在一第一選定溫度，其中該第二基座元件與一參考感應加熱電路相關聯； 對於該第一選定溫度與一第一選定驅動電流量，確定該參考感應加熱電路的一第一響應相位，其中該第一響應相位係基於該第二基座元件在一第一驅動頻率下的一磁特性，並且其中該第一響應相位是一相位差值，該相位差值是在在該第一驅動頻率下的一驅動電流的一相位和在該第一驅動頻率下的該參考感應加熱電路的一電子部件兩端的一電壓的一相位之間； 對於該第一選定溫度與該第一選定驅動電流量，確定該參考感應加熱電路的一第二響應相位，其中該第二響應相位係基於該第二基座元件在一第二驅動頻率下的一磁特性，並且其中該第一響應相位是一相位差值，該相位差值是在在該第二驅動頻率下的一驅動電流的一相位和在該第二驅動頻率下的該參考感應加熱電路的該電子部件兩端的一電壓的一相位之間； 基於該參考感應加熱電路的該第二響應相位和該第一響應相位，確定該感應加熱電路的一相位對頻率的第一函數； 基於該相位對頻率的第一函數，確定使該第一函數的一相位值為正交的一第一頻率值； 將該第二基座元件保持在一第二選定溫度； 對於該第二選定溫度與一第三選定驅動電流量，確定該參考感應加熱電路的一第三響應相位，其中該第三響應相位係基於該第二基座元件在一第三驅動頻率下的該磁特性，並且其中該第三響應相位是一相位差值，該相位差值是在在該第三驅動頻率下的一驅動電流的一相位和在該第三驅動頻率下的該參考感應加熱電路的該電子部件兩端的一電壓的一相位之間； 對於該選定溫度與該第三驅動電流量，確定該參考感應加熱電路的一第二響應相位，其中該第二響應相位係基於該第二基座元件在一第二驅動頻率下的一磁特性，並且其中該第一響應相位是一相位差值，該相位差值是在在該第二驅動頻率下的一驅動電流的一相位和在該第二驅動頻率下的該參考感應加熱電路的該電子部件兩端的一電壓的一相位之間； 基於該參考感應加熱電路的該第三響應相位和該第四響應相位，確定該參考感應加熱電路的一相位對頻率的第二函數； 基於該相位對頻率的第二函數，確定使該第二函數的一相位值為正交的一第二頻率值。
  10. 如請求項1所述之系統，其中當確定該基座元件的該溫度時，該至少一個處理器被編程或配置為： 基於至少一個校準過程的一結果確定該基座元件的該溫度，其中該至少一個校準過程包括一本地校準過程，以及 其中至少一個處理器被進一步編程或配置為： 執行該本地校準過程， 其中當執行該本地校準過程時，該至少一個處理器被編程或配置為： 將該基座元件保持在一第一選定溫度； 對於該第一選定溫度與一第一選定驅動電流量，確定該感應加熱電路的一第三響應相位，其中該第三響應相位係基於該基座元件在一第三驅動頻率下的一磁特性，其中該第三響應相位是一相位差值，該相位差值是在在該第三驅動頻率下的一驅動電流的一相位和在該第三驅動頻率下的該感應加熱電路的一電子部件兩端的一電壓的一相位之間； 對於該選定溫度與該第一選定驅動電流量，確定該感應加熱電路的一第四響應相位，其中該第四響應相位係基於該基座元件在一第四驅動頻率下的一磁特性，其中該第四響應相位是一相位差值，該相位差值是在在該第四驅動頻率下的一驅動電流的一相位和在該第四驅動頻率下的該感應加熱電路的該電子部件兩端的一電壓的一相位之間； 基於該感應加熱電路的該第四響應相位和該第三響應相位，確定該感應加熱電路的一相位對頻率的第二函數； 基於該相位對頻率的第二函數，確定使該第二函數的一相位值為正交的一第二頻率值； 對於該第一選定溫度與一第二選定驅動電流量，確定該感應加熱電路的一第五響應相位，其中該第五響應相位係基於該基座元件在一第五驅動頻率下的一磁特性，其中該第五響應相位是一相位差值，該相位差值是在在該第五驅動頻率下的一驅動電流的一相位和在該第五驅動頻率下的該感應加熱電路的一電子部件兩端的一電壓的一相位之間； 對於該選定溫度與該第二選定驅動電流量，確定該感應加熱電路的一第六響應相位，其中該第六響應相位係基於該基座元件在一第六驅動頻率下的一磁特性，其中該第六響應相位是一相位差值，該相位差值是在在該第六驅動頻率下的一驅動電流的一相位和在該第六驅動頻率下的該感應加熱電路的該電子部件兩端的一電壓的一相位之間； 基於該感應加熱電路的該第五響應相位和該第六響應相位，確定該感應加熱電路的一相位對頻率的第三函數；和 基於該相位對頻率的第三函數，確定使該第三函數的一相位值為正交的一第三頻率值。
  11. 如請求項10所述之系統，其中該至少一個校準過程的該結果包括該本地校準過程的結果；和 其中至少一個處理器被進一步編程或配置為： 確定該本地校準過程的該結果，其中對於該第一選定溫度，該本地校準過程的該結果包括一本地集，該本地集具有複數個驅動電流量和對於每個正交的該第二函數的複數個相位值中的每個相位值的複數個頻率值，其中該複數個頻率值中的每個頻率值對應於對於該第一選定溫度的該複數個驅動電流值中的每個驅動電流值。
  12. 一種用於確定一基座元件的一溫度的方法，包括以下步驟： 由至少一個處理器確定一感應加熱電路的一第一響應相位，其中該第一響應相位係基於該基座元件在一第一驅動頻率下的一磁特性，並且其中該第一響應相位是一相位差值，該相位差值是在在該第一驅動頻率下的一驅動電流的一相位和在該第一驅動頻率下的該感應加熱電路的一電子部件兩端的一電壓的一相位之間； 由至少一個處理器確定該感應加熱電路的一第二響應相位，其中該第二響應相位係基於該基座元件在一第二驅動頻率下的一磁特性，並且其中該第二響應相位是一相位差值，該相位差值是在在該第二驅動頻率下的一驅動電流的一相位和在該第二驅動頻率下的該感應加熱電路的該電子部件兩端的一電壓的一相位之間； 由至少一個處理器基於該第一響應相位和該第二響應相位，確定該感應加熱電路的一相位對頻率的函數； 由至少一個處理器基於該相位對頻率的函數，確定使該函數的一相位值為正交的一頻率值；和 由至少一個處理器基於該頻率值確定該基座元件的一溫度。
  13. 如請求項12所述之方法，該方法進一步包含以下步驟： 確定該感應加熱電路的一第三響應相位，其中該第三響應相位係基於該基座元件在一第三驅動頻率下的一磁特性，並且其中該第三響應相位是一相位差值，該相位差值是在在該第三驅動頻率下的一驅動電流的一相位和在該第三驅動頻率下的該感應加熱電路的該電子部件兩端的一電壓的一相位之間；和 確定該感應加熱電路的一第四響應相位，其中該第四響應相位係基於該基座元件在一第四驅動頻率下的一磁特性，並且其中該第四響應相位是一相位差值，該相位差值是在在該第四驅動頻率下的一驅動電流的一相位和在該第四驅動頻率下的該感應加熱電路的該電子部件兩端的一電壓的一相位之間， 其中確定該感應加熱電路的該相位對頻率的函數之步驟包括以下步驟： 基於該第一響應相位、該第二響應相位、該第三響應相位和該第四響應相位，確定該感應加熱電路的該相位對頻率的函數。
  14. 如請求項12所述之方法，其中基於該第一響應相位和該第二響應相位來確定該相位對頻率的函數之步驟包括以下步驟： 確定一多項式的多項式係數，該多項式擬合於該感應加熱電路的該第一響應相位和該感應加熱電路的該第二響應相位，以及 其中確定使該函數的該響應相位值為正交的該頻率值之步驟包括以下步驟： 基於該多項式的該等多項式係數，確定使該函數的該相位值為正交的該頻率值。
  15. 如請求項12所述之方法，該方法進一步包含以下步驟： 基於該基座元件吸收的一功率量，確定該基座元件的該溫度。
  16. 如請求項13所述之方法，其中確定該基座元件的該溫度之步驟包括以下步驟： 基於至少一個校準過程的一結果，確定該基座元件的該溫度。
  17. 如請求項16所述之方法，其中該至少一個校準過程的該結果包括： 一參考集，該參考集具有該基座元件的複數個溫度值和對於每個正交的該函數的複數個相位值的複數個頻率值，其中該複數個頻率值中的每個頻率值對應於該基座元件的該複數個溫度值中的每個溫度值，以及 其中確定該基座元件的該溫度之步驟包括以下步驟： 比較使該函數的該相位值正交的該頻率值與該參考集；和 基於該參考集中的一溫度值確定該基座元件的該溫度，該溫度值對應於使該函數的該相位值正交的該頻率值。
  18. 如請求項16所述之方法，其中該至少一個校準過程包括一參考校準過程，其中該至少一個校準過程的該結果是藉由執行該參考校準過程而獲得的，並且其中執行該參考校準過程包括： 將一第二基座元件保持在一第一選定溫度，其中該第二基座元件與一參考感應加熱電路相關聯； 對於該第一選定溫度與一第一選定驅動電流量，確定該參考感應加熱電路的一第一響應相位，其中該第一響應相位係基於該第二基座元件在一第一驅動頻率下的一磁特性，並且其中該第一響應相位是一相位差值，該相位差值是在在該第一驅動頻率下的一驅動電流的一相位和在該第一驅動頻率下的該參考感應加熱電路的一電子部件兩端的一電壓的一相位之間； 對於該第一選定溫度與該第一選定驅動電流量，確定該參考感應加熱電路的一第二響應相位，其中該第二響應相位係基於該第二基座元件在一第二驅動頻率下的一磁特性，並且其中該第一響應相位是一相位差值，該相位差值是在在該第二驅動頻率下的一驅動電流的一相位和在該第二驅動頻率下的該參考感應加熱電路的該電子部件兩端的一電壓的一相位之間； 基於該參考感應加熱電路的該第二響應相位和該第一響應相位，確定該感應加熱電路的一相位對頻率的第一函數； 基於該相位對頻率的第一函數，確定使該第一函數的一相位值為正交的一第一頻率值； 將該第二基座元件保持在一第二選定溫度； 對於該第二選定溫度與該第三選定驅動電流量，確定該參考感應加熱電路的一第三響應相位，其中該第三響應相位係基於該第二基座元件在一第三驅動頻率下的該磁特性，並且其中該第三響應相位是一相位差值，該相位差值是在在該第三驅動頻率下的一驅動電流的一相位和在該第三驅動頻率下的該參考感應加熱電路的該電子部件兩端的一電壓的一相位之間； 對於該選定溫度與該第三驅動電流量，確定該參考感應加熱電路的一第二響應相位，其中該第二響應相位係基於該第二基座元件在一第二驅動頻率下的一磁特性，並且其中該第一響應相位是一相位差值，該相位差值是在在該第二驅動頻率下的一驅動電流的一相位和在該第二驅動頻率下的該參考感應加熱電路的該電子部件兩端的一電壓的一相位之間； 基於該參考感應加熱電路的該第三響應相位和該第四響應相位，確定該感應加熱電路的一相位對頻率的第二函數；和 基於該相位對頻率的第二函數，確定使該第二函數的一相位值為正交的一第二頻率值。
  19. 如請求項18所述之方法，其中該至少一個校準過程的該結果包括該參考校準過程的一結果， 其中該參考校準過程的該結果包括： 一校準函數，該校準函數係基於一參考集，該參考集具有該第二基座元件的複數個溫度值、複數個驅動電流量、和對於每個正交的該第一函數與該第二函數的複數個相位值中的每個相位值的複數個頻率值，其中該複數個頻率值中的每個頻率值對應於該基座元件的該複數個溫度值中的每個溫度值，且其中該複數個驅動電流量中的每個驅動電流量對應於該第二基座元件的該複數個溫度值中的每個溫度值；和 其中確定該基座元件的該溫度之步驟包括以下步驟： 基於該校準函數確定該基座元件的該溫度。
  20. 一種用於確定一基座元件的一溫度的電腦程式產品，包含具有一個或多個指令的至少一個非暫態性電腦可讀取媒體，該等指令在由至少一個處理器執行時使該至少一個處理器： 確定一感應加熱電路的一第一響應相位，其中該第一響應相位係基於該基座元件在一第一驅動頻率下的一磁特性，並且其中該第一響應相位是一相位差值，該相位差值是在在該第一驅動頻率下的一驅動電流的一相位和在該第一驅動頻率下的該感應加熱電路的一電子部件兩端的一電壓的一相位之間； 確定該感應加熱電路的一第二響應相位，其中該第二響應相位係基於該基座元件在一第二驅動頻率下的一磁特性，並且其中該第二響應相位是一相位差值，該相位差值是在在該第二驅動頻率下的一驅動電流的一相位和在該第二驅動頻率下的該感應加熱電路的該電子部件兩端的一電壓的一相位之間； 基於該第一響應相位和該第二響應相位，確定該感應加熱電路的一相位對頻率的函數； 基於該相位對頻率的函數，確定使該函數的一相位值為正交的一頻率值；和 基於該頻率值確定該基座元件的一溫度。
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