TW202046633A - 偏壓裝置 - Google Patents
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Abstract
偏壓裝置包含電晶體、偏壓電路及阻抗單元。電晶體具有第一端、第二端及控制端，電晶體的第二端提供第一偏壓至放大器之輸入端。偏壓電路具有第一端、第二端及第三端。偏壓電路的第二端耦接於第一系統電壓端以接收第一系統電壓，而偏壓電路的第三端耦接於電晶體之控制端以提供第二偏壓至電晶體之該控制端。阻抗單元具有第一端及第二端。阻抗單元的第一端接收第一參考電壓，而阻抗單元的第二端耦接於偏壓電路之第一端。阻抗單元根據放大器之輸入端所接收之射頻訊號的頻率調整射頻訊號進入電晶體之第二端的輸入阻抗。
Description
本發明是有關於一種偏壓裝置，特別是一種能夠調整阻抗以維持放大器線性度的偏壓裝置。
在無線通信中，由於操作環境的條件可能會隨時隨地改變，因此為了確保訊號傳輸的品質，常會透過放大器來將傳輸訊號放大，以改善無線通信中訊號傳輸和訊號接收的品質。一般來說，放大器會透過偏壓電路提供適當的偏壓操作環境，以確保增益效能及線性度能夠符合需求。
然而，在不同的應用中，放大器可能會需要放大不同頻率的射頻(Radio Frequency，RF)訊號。在先前技術中，偏壓電路的阻抗對於在不同頻率下會有不同的阻抗響應，因此當放大器所接收到的訊號頻率有變化時，偏壓電路就無法對應地提供阻抗及偏壓，造成放大器的線性度下降，並使傳輸訊號失真。
本發明的一實施例提供一種偏壓裝置，偏壓裝置包含電晶體、偏壓電路及阻抗單元。
電晶體具有第一端、第二端及控制端，電晶體的第二端提供第一偏壓至放大器之輸入端。偏壓電路具有第一端、第二端及第三端，偏壓電路的第二端可耦接於系統電壓端以接收系統電壓，而偏壓電路的第三端耦接於電晶體之控制端。偏壓電路提供第二偏壓至電晶體之控制端。阻抗單元具有第一端及第二端，阻抗單元的第一端接收參考電壓，而阻抗單元的第二端耦接於偏壓電路之第一端。阻抗單元根據放大器之輸入端所接收之射頻訊號的頻率調整射頻訊號進入電晶體之第二端之輸入阻抗。
第1圖是本發明一實施例之偏壓裝置100的示意圖。偏壓裝置100包含電晶體M1、偏壓電路110及第一阻抗單元120。在第1圖的實施例中，偏壓裝置100可以提供放大器A1所需的偏壓。
電晶體M1具有第一端，第二端及控制端。電晶體M1的第二端可提供偏壓VB1至放大器A1的輸入端IN。偏壓電路110具有第一端、第二端及第三端，偏壓電路110的第二端可耦接於系統電壓端NV1以接收系統電壓V1，而偏壓電路110的第三端可耦接於電晶體M1之控制端，並可提供偏壓VB2至電晶體M1之控制端。第一阻抗單元120具有第一端及第二端，第一阻抗單元120的第一端可耦接至參考電壓端NVR以接收參考電壓Vref1，而第一阻抗單元120的第二端可耦接於偏壓電路110之第一端。
在第1圖的實施例中，電晶體M1的第一端可耦接於系統電壓端NV2，並可接收系統電壓V2。在此情況下，由於偏壓電路110可以經由第一阻抗單元120接收到參考電壓Vref1，並且可以根據參考電壓Vref1提供穩定的偏壓VB2至電晶體M1的控制端，使得電晶體M1能夠穩定地提供放大器A1所需的偏壓。
此外，在本發明的有些實施例中，第一阻抗單元120在不同的頻率下可以提供不同的阻抗，因此透過選擇適當的第一阻抗單元120，就可以根據放大器A1之輸入端IN所接收之射頻訊號SIGRF
的頻率調整電晶體M1之第二端的輸入阻抗Zin1(f)，亦即從電晶體M1之第二端看進去的阻抗。如此一來，當射頻訊號SIGRF
的頻率變動時，第一阻抗單元120也會對應改變電晶體M1之第二端的輸入阻抗Zin1(f)，因此不同頻率的射頻訊號SIGRF
經由電晶體M1之第二端進入第一阻抗單元120的多寡程度也會有所不同，進而得以動態地調整偏壓VB1及VB2，使得偏壓裝置100能夠提供穩定的偏壓，以維持放大器A1的線性度。
在第1圖中，偏壓裝置100可另包含電容C1。電容C1具有第一端及第二端。電容C1的第一端可耦接於電晶體M1之控制端，而電容C1的第二端可耦接於系統電壓端NV1以接收系統電壓V1。在有些實施例中，透過電容C1也可以調整電晶體M1之第二端的輸入阻抗Zin1(f)，因此能夠使得偏壓裝置100的設計更加彈性。然而在有些實施例中，倘若透過第一阻抗單元120即足以提供適當的阻抗，則亦可將電容C1省略。
在第1圖中偏壓電路110可包含電阻112及二極體114及116。電阻112具有第一端及第二端，電阻112的第一端可耦接於偏壓電路110之第一端，而電阻112的第二端可耦接於偏壓電路110之第三端。二極體114具有第一端及第二端，二極體114的第一端可耦接於電阻112之第二端。二極體116可具有第一端及第二端，二極體116的第一端可耦接於二極體114之第二端，而二極體116的第二端可耦接於偏壓電路110之第二端。在第1圖中，二極體114及116可以利用以二極體方式連接的電晶體(diode-connected transistor)來實作。
此外，在有些實施例中，第一阻抗單元120可包含微帶線(microstrip line)、電感或焊線(bonding wire)，且在有些實施例中，其中的電感可以是螺旋電感(spiral inductor)。然而，第一阻抗單元120並不以上述元件為限，第2圖是本發明一實施例之偏壓裝置200的示意圖。偏壓裝置200與偏壓裝置100具有相似的結構並且可以根據相似的原理操作，然而在第2圖中，第一阻抗單元220可包含彼此串聯之電感222及電阻224。
第3圖是本發明一實施例之偏壓裝置300的示意圖。偏壓裝置300與偏壓裝置100具有相似的結構並且可以根據相似的原理操作，然而在第3圖中，阻抗單元320可包含傳輸線322及耦合元件(coupler)324。傳輸線322具有第一端及第二端，傳輸線322的第一端可耦接於第一阻抗單元320之第一端，而傳輸線322的第二端可耦接於第一阻抗單元320之第二端。耦合元件324具有第一端及第二端，耦合元件324的第一端與傳輸線322相耦合，而耦合元件324的第二端可耦接於放大器A1之輸出端OUT。在本發明的有些實施例中，耦合元件324的第二端也可根據需求而改成耦接於放大器A1之輸入端IN。
第4圖是本發明一實施例之偏壓裝置400的示意圖。偏壓裝置400與偏壓裝置100具有相似的結構並且可以根據相似的原理操作，然而在第4圖中，第一阻抗單元420可包含傳輸線422、電感424及電容426。傳輸線422具有第一端及第二端，傳輸線422的第一端可耦接於第一阻抗單元420之第一端，而傳輸線422的第二端可耦接於阻抗單元420之第二端。電感424具有第一端及第二端，電感424的第一端可耦接至傳輸線422。電容426具有第一端及第二端，電容426的第一端可耦接於電感424之第二端，而電容426的第二端可耦接於放大器A1之輸出端OUT。在本發明的有些實施例中，電容426的第二端也可根據需求而改成耦接於放大器A1之輸入端IN。
第5圖是本發明一實施例之偏壓裝置500的示意圖。偏壓裝置500與偏壓裝置100具有相似的結構並且可以根據相似的原理操作，然而在第5圖中，偏壓裝置500可另包含第二阻抗單元530。第二阻抗單元530具有第一端及第二端。第二阻抗單元530的第一端可耦接於系統電壓端NV2以接收系統電壓V2，而第二阻抗單元530的第二端可耦接於電晶體M1之第一端。第二阻抗單元530同樣可以根據射頻訊號SIGRF
的頻率調整進入電晶體M1之第二端的輸入阻抗Zin1(f)。也就是說，在第5圖的實施例中，偏壓裝置500可以同時透過第一阻抗單元120及第二阻抗單元530來調整不同射頻訊號頻率下，由電晶體M1之第二端看進去的輸入阻抗，以確保偏壓裝置500在不同的射頻訊號頻率下，能夠提供穩定的偏壓，以維持放大器A1的線性度。
在第5圖中，第二阻抗單元530可包含彼此串聯的電感532及電阻534。然而在有些實施例中，第二阻抗單元530也可以利用其他的元件來實作。舉例來說，第二阻抗單元530也可包含微帶線、電感，或焊線，且在有些實施例中，其中的電感可以是螺旋電感(spiral inductor)。
此外，在第5圖中，偏壓電路510可包含電阻512及電晶體M2。電阻512具有第一端及第二端，電阻512的第一端耦接於偏壓電路510之第一端，而電阻512的第二端可耦接於偏壓電路510之第三端。電晶體M2具有第一端、第二端及控制端，電晶體M2的第一端耦接於電阻512之第二端，電晶體M2的第二端耦接於偏壓電路510之第二端，而電晶體M2的控制端可耦接於電晶體M1之第二端。
第6圖是本發明一實施例之偏壓裝置600的示意圖。偏壓裝置600與偏壓裝置500具有相似的結構並且可以根據相似的原理操作，然而在第6圖中，偏壓裝置600可包含偏壓電路110，並可另包含第三阻抗單元640。第三阻抗單元640具有第一端及第二端。第三阻抗單元640的第一端可耦接於電晶體M1之第二端，而第三阻抗單元640的第二端可耦接於放大器A1之輸入端IN。 在第6圖中，第三阻抗單元640包含微帶線642、電阻644。微帶線642及電阻644可串聯於第三阻抗單元640之第一端及第二端之間。此外，在有些實施例中，第三阻抗單元640還可包含電容646，且電容646可以與電阻644並聯。在有些實施例中，第三阻抗單元640也可將電容646省略。
第7圖是本發明一實施例之偏壓裝置700的示意圖。偏壓裝置700與偏壓裝置600具有相似的結構並且可以根據相似的原理操作，然而在第7圖中，第三阻抗單元740可包含微帶線742、電阻744及虛部阻抗單元746。虛部阻抗單元746可與電阻744及微帶線742串聯。在有些實施例中，虛部阻抗單元746可例如包含互相並聯之電容及電感。
第8圖是本發明一實施例之偏壓裝置800的示意圖。偏壓裝置800與偏壓裝置600具有相似的結構並且可以根據相似的原理操作，然而在第8圖中，偏壓裝置800可另包含數位控制電路850。數位控制電路850具有第一端及第二端，數位控制電路850的第一端可耦接於系統電壓端NV2以接收系統電壓V2，而數位控制電路850的第二端可耦接於第一阻抗單元320之第一端。數位控制電路850可以根據數位控制訊號SIGCTRL
輸出參考電壓Vref1至阻抗單元120之第一端以致能或失能偏壓電路810。
在第8圖中，數位控制電路850可包含反相器852及854、電晶體M3、電阻856及電容858。反相器852具有輸入端及輸出端，反相器852的輸入端可接收數位控制訊號SIGCTRL
。反相器854具有輸入端及輸出端，反相器854的輸入端可耦接於反相器852之輸出端。電晶體M3具有第一端、第二端及控制端，電晶體M3的第一端可耦接於數位控制電路850之第一端，電晶體M3的第二端可耦接於數位控制電路850之第二端，而電晶體M3的控制端可耦接於反相器854之輸出端。電阻856具有第一端及第二端，電阻856的第一端可耦接於電晶體M3之第一端，而電阻856的第二端可耦接於電晶體M3之控制端。電容858具有第一端及第二端，電容858的第一端可耦接於電晶體M3之控制端，而電容858的第二端可耦接於系統電壓端NV1。
偏壓裝置800除了可以透過第一阻抗單元320及第二阻抗單元530來調整電晶體M1的輸入阻抗Zin1(f)之外，還可以透過第一阻抗單元320調整進入電晶體M3之第二端的輸入阻抗Zin2(f)，使得偏壓裝置800在不同的射頻訊號頻率下，能夠可適性地提供穩定的偏壓，以維持放大器A1的線性度。
此外，由於第一阻抗單元320會耦接至放大器A1的輸出端OUT，因此第一阻抗單元320根據參考電壓Vref1而產生至偏壓電路810之第一端的監測電壓VD會與放大器A1的輸出功率有關。在此情況下，偏壓裝置800中的電晶體M3還可以作為射頻訊號功率偵測器以偵測放大器A1 所輸出的射頻訊號功率，並可將監測電壓VD提供給在放大器A1之前的前級放大器A0所對應的偏壓裝置800’中的偏壓電路810’的第一端，以調整偏壓裝置800’所產生的偏壓，亦即調整前級放大器A0所接收的偏壓VB1’，使偏壓VB1’能夠可適性的隨後級放大器A1的輸出功率以及射頻訊號頻率改變，進而對放大器A1的振幅調變-振幅調變(AM-AM)失真及振幅調變-相位調變(AM-PM)失真進行補償。此外，在有些實施例中，射頻訊號路徑上可能有兩級以上的放大器，在此情況下，監測電壓VD也可提供至其他前級放大器的偏壓裝置。
在有些其他實施例中，偏壓裝置800也可能利用其他的結構或元件所實作的第一阻抗單元來取代第一阻抗單元320，而在其所產生的監測電壓VD會與放大器A1之輸出功率有關的情況下，偏壓裝置800仍可將監測電壓VD提供至前級放大器的偏壓裝置來調整前級放大器所接收到的偏壓。舉例來說，在第4圖中，第一阻抗單元420也會耦接至放大器A1的輸出端OUT，因此當利用第一阻抗單元420取代偏壓裝置800中的第一阻抗單元320時，第一阻抗單元420提供至偏壓電路810之第一端的監測電壓VD也會與放大器A1的輸出功率有關，因此亦可將監測電壓VD提供給在放大器A1之前的前級放大器A0所對應的偏壓裝置800’，以調整前級放大器A0所接收到的偏壓VB1’。
在第8圖中，數位控制電路850是耦接在系統電壓端NV2及第一阻抗單元120之間，然而在有些實施例中，數位控制電路850也可耦接在第一阻抗單元120及偏壓電路810之間。第9圖是本發明一實施例之偏壓裝置900的示意圖。偏壓裝置900與偏壓裝置800具有相似的結構並且可以根據相似的原理操作，舉例來說，數位控制電路950也可包含反相器952及954、電晶體M3、電阻956及電容958。然而在第9圖中，數位控制電路950的第一端可耦接於第一阻抗單元120之第二端以接收參考電壓Vref2，數位控制電路950的第二端可耦接於偏壓電路810，而第一阻抗單元120之第一端可耦接至參考電壓端NVR以接收參考電壓Vref1。在有些實施例中，參考電壓Vref1實質上可與系統電壓V2相同，而參考電壓端NVR也可以實質上與系統電壓端NV2相通。在此情況下，數位控制電路950可根據數位控制訊號SIGCTRL
輸出將參考電壓Vref2傳送至偏壓電路810以致能或失能偏壓電路810，亦同樣可達到本發明之主要目的。
此外，由於第一阻抗單元320會耦接至放大器A1的輸出端OUT，因此數位控制電路950根據參考電壓Vref2而產生至偏壓電路810之第一端的監測電壓VD會與放大器A1的輸出功率有關。在此情況下，亦可將監測電壓VD提供給在放大器A1之前的前級放大器A0所對應的偏壓裝置900’中的偏壓電路810’的第一端，以調整偏壓裝置800’所產生的偏壓，亦即調整前級放大器A0所接收的偏壓VB1’，使偏壓VB1’能夠可適性的隨後級放大器A1的輸出功率以及射頻訊號頻率改變，進而對放大器A1的振幅調變-振幅調變(AM-AM)失真及振幅調變-相位調變(AM-PM)失真進行補償。此外，在有些實施例中，射頻訊號路徑上可能有兩級以上的放大器，在此情況下，監測電壓VD也可提供至其他前級放大器的偏壓裝置。
在有些其他實施例中，偏壓裝置900也可能利用其他的結構或元件所實作的第一阻抗單元來取代第一阻抗單元320，而在其所產生的監測電壓VD會與放大器A1之輸出功率有關的情況下，偏壓裝置900仍可將監測電壓VD提供至前級放大器的偏壓裝置來調整前級放大器所接收到的偏壓。舉例來說，當第一阻抗單元320改以第4圖之第一阻抗單元420來實作時，數位控制電路950同樣可根據參考電壓Vref2產生監測電壓VD至偏壓電路810的第一端，並可將監測電壓VD提供至放大器A1之前的前級放大器A0所對應的偏壓裝置900’ 中的偏壓電路810’的第一端，以調整前級放大器A0所接收到的偏壓VB1’，進而對放大器A1的振幅調變-振幅調變(AM-AM)失真及振幅調變-相位調變(AM-PM)失真進行補償。
此外，本發明的數位控制電路並不以第8圖所示的數位控制電路850為限，在本發明的其他實施例中，數位控制電路850及950也可以利用其他元件或其他結構來實作。第10圖是本發明一實施例之偏壓裝置1000的示意圖。偏壓裝置1000與偏壓裝置800具有相似的結構並且可以根據相似的原理操作，然而在第10圖中，數位控制電路1050包含電晶體M3、M4、M5、M6及M7、低通濾波器1052及1054以及電壓隨耦器(voltage follower)1056。
電晶體M3具有第一端，第二端及控制端，電晶體M3的控制端可接收數位控制訊號SIGCTRL
。電晶體M4具有第一端，第二端及控制端，電晶體M4的第二端可耦接於系統電壓端NV1，而電晶體M4的控制端可耦接於電晶體M3之第二端。電晶體M5具有第一端，第二端及控制端，電晶體M5的第二端可耦接於系統電壓端NV1，而電晶體M5的控制端可經由電阻R4耦接於電晶體M4之第一端。電晶體M6具有第一端，第二端及控制端，電晶體M6的第一端可耦接於電晶體M3之第一端，電晶體M6之第二端可經由電阻R3耦接於電晶體M4之第一端，而電晶體M6之控制端可耦接於電晶體M6之第二端。電晶體M7具有第一端，第二端及控制端，電晶體M7的第二端可經由電阻R5耦接於電晶體M5之第一端，而電晶體M7的控制端可耦接於電晶體M7之第二端。
低通濾波器1052具有第一端及第二端，低通濾波器1052的第一端可耦接於數位控制電路1050之第一端，而低通濾波器1052的第二端可耦接於電晶體M3之第一端。低通濾波器1054具有第一端及第二端，低通濾波器1054的第一端可耦接於低通濾波器1052之第二端，而低通濾波器1054的第二端可耦接於電晶體M7之第一端。
電壓隨耦器1056具有第一端、第二端及第三端，電壓隨耦器1056的第一端可耦接於低通濾波器1052之第二端，電壓隨耦器1056的第二端可耦接於電晶體M5之第一端，而電壓隨耦器1056的第三端可耦接於數位控制電路1050之第二端。
在第10圖的實施例中，低通濾波器1052可包含電感L1及電容C1。電感L1具有第一端及第二端，電感L1的第一端可耦接於低通濾波器1052之第一端，而電感L1的第二端可耦接於低通濾波器1052之第二端。電容C1具有第一端及第二端，電容C1的第一端可耦接於低通濾波器1052之第二端，而電容C1的第二端可耦接於系統電壓端NV1。
此外，低通濾波器1054可包含電阻R1及電容C2。電阻R1具有第一端及第二端，電阻R1的第一端可耦接於低通濾波器1054之第一端，而電阻R1的第二端可耦接於低通濾波器1054之第二端。電容C2具有第一端及第二端，電容C2的第一端可耦接於低通濾波器1054之第二端，而電容C2的第二端可耦接於系統電壓端NV1。
再者，電壓隨耦器1056可包含電晶體M8及電容C3。電晶體M8具有第一端及第二端，電晶體M8的第一端可耦接於電壓隨耦器1056之第一端，電晶體M8的第二端可耦接於電壓隨耦器1056之第三端，而電晶體M8的控制端可耦接於電壓隨耦器1056之第二端。電容C3具有第一端及第二端，電容C3的第一端可耦接於電壓隨耦器1056之第一端，而電容C3的第二端可耦接於系統電壓端NV1。
此外，數位控制電路1050還可包含電阻R2至R6。在第10圖中，電阻R2可耦接在電晶體M3之第二端及電晶體M4之控制端之間，電阻R3可耦接在電晶體M6之第二端及電晶體M4之第一端之間，電阻R4可耦接在電晶體M4之第一端及電晶體M5之控制端之間，電阻R5可耦接在電晶體M7之第二端及電晶體M5之第一端之間，而電阻R6可耦接在低通濾波器1054及電晶體M8之第一端之間。
在第10圖中，第一阻抗單元320可根據數位控制電路1050所產生的參考電壓來提供監測電壓VD至偏壓電路810的第一端，且監測電壓VD亦可提供至前級放大器A0的偏壓裝置1000’以調整前級放大器A0所接收到的偏壓VB1’。在有些實施例中，偏壓裝置1000也可能利用其他的結構或元件所實作的第一阻抗單元來取代第一阻抗單元320，而在其所產生的監測電壓VD會與放大器A1之輸出功率有關的情況下，偏壓裝置1000仍可將監測電壓VD提供至前級放大器的偏壓裝置來調整前級放大器所接收到的偏壓。舉例來說，當第一阻抗單元320改以第4圖之第一阻抗單元420來實作時，數位控制電路1050同樣可經由第一阻抗單元420提供監測電壓VD至偏壓電路810的第一端，並可將監測電壓VD提供至放大器A1之前的前級放大器A0所對應的偏壓裝置1000’ 中的偏壓電路810’的第一端，以對應調整前級放大器A0所接收到的偏壓VB1’，進而達到對放大器A1的振幅調變-振幅調變(AM-AM)失真及振幅調變-相位調變(AM-PM)失真進行補償目的。
綜上所述，本發明所提供的偏壓裝置可以透過阻抗單元來改變提供偏壓的電晶體的輸入阻抗，使得放大器在接收到不同頻率的輸入射頻訊號時，能夠處於穩定的偏壓條件，以使放大器維持一致的線性度，並且可針對放大器的振幅調變-振幅調變(AM-AM)失真及振幅調變-相位調變(AM-PM)失真進行補償。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、800’、900’、1000’:偏壓裝置
110、510、810:偏壓電路
120、220、320:第一阻抗單元
530:第二阻抗單元
640、740:第三阻抗單元
Zin1(f)、Zin2(f):輸入阻抗
112、224、512、534、644、744、856、956、R1至R6 :電阻
114、116、814、816:二極體
M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7:電晶體
Vref1、Vref2:參考電壓
NV1、NV2:系統電壓端
NVR:參考電壓端
V1、V2:系統電壓
SIGRF:射頻訊號
A1、A0:放大器
IN:輸入端
OUT:輸出端
VB1、VB2、VB1’:偏壓
C1、C2、C3、426、646、858、958:電容
L1、222、424、532:電感
322、422:傳輸線
324:耦合元件
642、742:微帶線
746:虛部阻抗單元
850、950、1050:數位控制電路
SIGCTRL:數位控制訊號
852、854、952、954:反相器
VD:監測電壓
1052、1054:低通濾波器
1056:電壓隨耦器
第1圖是本發明一實施例之偏壓裝置的示意圖。
第2圖是本發明一實施例之偏壓裝置的示意圖。
第3圖是本發明一實施例之偏壓裝置的示意圖。
第4圖是本發明一實施例之偏壓裝置的示意圖。
第5圖是本發明一實施例之偏壓裝置的示意圖。
第6圖是本發明一實施例之偏壓裝置的示意圖。
第7圖是本發明一實施例之偏壓裝置的示意圖。
第8圖是本發明一實施例之偏壓裝置的示意圖。
第9圖是本發明一實施例之偏壓裝置的示意圖。
第10圖是本發明一實施例之偏壓裝置的示意圖。
100:偏壓裝置
110:偏壓電路
120:第一阻抗單元
112:電阻
114、116:二極體
M1:電晶體
Vref1:參考電壓
NV1、NV2:系統電壓端
NVR:參考電壓端
V1、V2:系統電壓
SIGRF:射頻訊號
A1:放大器
IN:輸入端
OUT:輸出端
Zin1(f):輸入阻抗
VB1、VB2:偏壓
C1:電容
Claims (20)
- 一種偏壓裝置，包含： 一第一電晶體，具有一第一端，一第二端用以提供一第一偏壓至一放大器之一輸入端，及一控制端； 一偏壓電路，具有一第一端，一第二端耦接於一第一系統電壓端以接收一第一系統電壓，及一第三端耦接於該第一電晶體之該控制端，用以提供一第二偏壓至該第一電晶體之該控制端；及 一第一阻抗單元，具有一第一端用以接收一第一參考電壓，及一第二端耦接於該偏壓電路之該第一端，及根據該放大器之該輸入端所接收之一射頻訊號的一頻率調整該第一電晶體之該第二端之一輸入阻抗。
- 如請求項1所述之偏壓裝置，其中該第一阻抗單元係根據該放大器之該輸入端所接收之該射頻訊號的該頻率調整該輸入阻抗以維持該放大器之一線性度。
- 如請求項1所述之偏壓裝置，另包含： 一第二阻抗單元，具有一第一端耦接於一第二系統電壓端以接收一第二系統電壓，及一第二端耦接於該第一電晶體之該第一端，用以根據該射頻訊號之該頻率調整該第一電晶體之該第二端之該輸入阻抗。
- 如請求項3所述之偏壓裝置，其中該第二阻抗單元包含一微帶線、一電感、一焊線(bonding wire)或彼此串聯之一電感及一電阻。
- 如請求項4所述之偏壓裝置，其中該電感係為一螺旋電感(spiral inductor)。
- 如請求項1所述之偏壓裝置，其中該偏壓電路包含： 一電阻，具有一第一端耦接於該偏壓電路之該第一端，及一第二端耦接於該偏壓電路之該第三端； 一第一二極體，具有一第一端耦接於該電阻之該第二端，及一第二端；及 一第一二極體，具有一第一端耦接於該第一二極體之該第二端，及一第二端耦接於該偏壓電路之該第二端。
- 如請求項1所述之偏壓裝置，其中該偏壓電路包含： 一電阻，具有一第一端耦接於該偏壓電路之該第一端，及一第二端耦接於該偏壓電路之該第三端；及 一第二電晶體，具有一第一端耦接於該電阻之該第二端，一第二端耦接於該偏壓電路之該第二端，及一控制端耦接於該第一電晶體之該第二端。
- 如請求項1所述之偏壓裝置，另包含： 一電容，具有一第一端耦接於該第一電晶體之該控制端，及一第二端耦接於該第一系統電壓端以接收該第一系統電壓。
- 如請求項1所述之偏壓裝置，另包含： 一第三阻抗單元，具有一第一端耦接於該第一電晶體之該第二端，及一第二端耦接於該放大器之該輸入端。
- 如請求項9所述之偏壓裝置，其中該第三阻抗單元包含： 一微帶線(Microstrip)及一電阻，串聯於該第三阻抗單元之該第一端及該第二端之間。
- 如請求項10所述之偏壓裝置，其中該第三阻抗單元另包含： 一電容，與該電阻並聯。
- 如請求項10所述之偏壓裝置，其中該第三阻抗單元另包含： 一虛部阻抗單元，與該電阻及該微帶線串聯，該虛部阻抗單元包含互相並聯之一電容及一電感。
- 如請求項1所述之偏壓裝置，另包含： 一數位控制電路，具有一第一端耦接於一第二系統電壓端以接收一第二系統電壓，及一第二端耦接於該第一阻抗單元之該第一端，用以根據一數位控制訊號輸出該第一參考電壓至該第一阻抗單元之該第一端以致能或失能該偏壓電路。
- 如請求項1所述之偏壓裝置，另包含： 一數位控制電路，具有一第一端耦接於該第一阻抗單元之該第二端以接收一第二參考電壓，及一第二端耦接於該偏壓電路，用以根據一數位控制訊號以輸出該第二參考電壓至該偏壓電路以致能或失能該偏壓電路； 其中該第一阻抗單元之該第一端係耦接至一參考電壓端以接收該第一參考電壓。
- 如請求項13或14所述之偏壓裝置，其中該數位控制電路包含： 一第一反相器，具有一輸入端用以接收該數位控制訊號，及一輸出端； 一第二反相器，具有一輸入端耦接於該第一反相器之該輸出端，及一輸出端； 一第三電晶體，具有一第一端耦接於該數位控制電路之該第一端，一第二端耦接於該數位控制電路之該第二端，及一控制端耦接於該第二反相器之該輸出端； 一電阻，具有一第一端耦接於該第三電晶體之該第一端，及一第二端耦接於該第三電晶體之該控制端；及 一電容，具有一第一端耦接於該第三電晶體之該控制端，及一第二端耦接於該第一系統電壓端。
- 如請求項13或14所述之偏壓裝置，其中： 該偏壓電路之該第一端用以接收該第一阻抗單元或該數位控制電路所產生之一監測電壓；及 該監測電壓係另提供至與該放大器設置在同一射頻訊號路徑上之一前級放大器所對應之一偏壓裝置。
- 如請求項1所述之偏壓裝置，其中該第一阻抗單元包含一微帶線、一電感、一焊線(bonding wire)或彼此串聯之一電感及一電阻。
- 如請求項17所述之偏壓裝置，其中該電感係為一螺旋電感(spiral inductor)。
- 如請求項1所述之偏壓裝置，其中該第一阻抗單元包含： 一傳輸線，具有一第一端耦接於該第一阻抗單元之該第一端，及一第二端耦接於該第一阻抗單元之該第二端；及 一耦合元件，具有一第一端與該傳輸線相耦合，及一第二端耦接於該放大器之該輸入端或該放大器之一輸出端。
- 如請求項1所述之偏壓裝置，其中該第一阻抗單元包含： 一傳輸線，具有一第一端耦接於該第一阻抗單元之該第一端，及一第二端耦接於該第一阻抗單元之該第二端； 一電感，具有一第一端耦接於該傳輸線，及一第二端；及 一電容，具有一第一端耦接於該電感之該第二端，及一第二端耦接於放大器之該輸入端或該放大器之一輸出端。
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