TW202041872A

TW202041872A - 測試電子組件之裝置及方法

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Publication number: TW202041872A
Application number: TW108129554A
Authority: TW
Inventors: 孫俊宏; 劉益廷
Original assignee: 台灣福雷電子股份有限公司
Priority date: 2019-05-09
Filing date: 2019-08-20
Publication date: 2020-11-16
Also published as: US11656270B2; CN111999570A; US20200355738A1

Abstract

本發明提供一種裝置，其包括一控制單元及包括電腦程式碼之一記憶體。該裝置能夠將具有一第一值之一第一信號及具有一第二值之一第二信號施加至一電子組件且接收一第一反饋信號。該裝置能夠判定與該第一反饋信號相關聯之一第一參數。該裝置能夠將具有一第三值之一第三信號及該第二信號施加至該電子組件且接收一第二反饋信號。該裝置能夠判定與該第二反饋信號相關聯之一第二參數。若該第一參數不同於該第二參數，則該裝置能夠將具有一第四值之一第四信號及該第二信號施加至該電子組件。

Description

測試電子組件之裝置及方法

本發明大體上係關於一種測試電子組件之裝置及測試電子組件之方法。

在製造積體器件/電子組件之後，可進行分析或測試以驗證積體器件/電子組件之功能。失敗分析為在參數變化(例如，電壓、電流及時序)下判定積體裝置/電子組件之操作區域。舉例而言，失敗分析可用於判定積體器件/電子組件在各種輸入信號之下可承受之限制。

什穆(Shmoo)測試為測試中之一者，其可用於失敗分析或用於積體器件之自動測試設備(ATE)中。什穆測試涉及以二維圖/圖式之形式(亦即，什穆圖)提供積體器件之一系列量測結果之視覺表示。在什穆測試中，對ATE執行之每一個體量測可導致不合格或產生數值結果(例如，失效計數值或位元錯誤率)。在比較方法中，在寬參數範圍內藉由高解析度且因此大量所需量測來產生什穆圖。由於彼等量測僅可連續執行，所以什穆圖之產生為耗時的。

提議一種用於改善積體器件之測試速度的方法及裝置。在所提議之方法及裝置中，完成什穆圖需要較少量測，且因此積體器件/電子組件之測試的整體時間可減少。在所提議之方法及裝置中，計算複雜度亦減少且因此系統過載同樣可減少。

在一或多個實施例中，提供一種包括控制單元之裝置及包括電腦程式碼之記憶體。記憶體及電腦程式碼經組態以藉由控制單元使裝置執行操作。裝置能夠將具有第一值之第一信號及具有第二值之第二信號施加至電子組件且接收第一反饋信號。裝置能夠判定與第一反饋信號相關聯之第一參數。裝置能夠將具有第三值之第三信號及第二信號施加至電子組件且接收第二反饋信號。裝置能夠判定與第二反饋信號相關聯之第二參數。若第一參數不同於第二參數，則裝置能夠將具有第四值之第四信號及第二信號施加至電子組件。其中第一差值存在於第三值與第一值之間，且其中第二差值存在於第四值與第一值之間。

在一或多個實施例中，提供一種包括控制單元之裝置及包括電腦程式碼之記憶體。記憶體及電腦程式碼經組態以藉由控制單元使裝置執行操作。裝置能夠接收與第一座標之第一值及第二座標之第二值相關聯的第一參數。裝置能夠接收與第一座標之第三值及第二座標之第二值相關聯的第二參數。若第一參數不同於第二參數，則裝置能夠接收與第一座標之第四值及第二座標之第二值相關聯的第三參數。其中第一差值存在於第三值與第一值之間，且其中第二差值存在於第四值與第一值之間。

在一或多個實施例中，提供一種用於測試電子組件之方法。方法包括接收與第一座標之第一值及第二座標之第二值相關聯的第一參數。方法包括接收與第一座標之第三值及第二座標之第二值相關聯的第二參數。方法包括若第一參數不同於第二參數，則接收與第一座標之第四值及第二座標之第二值相關聯的第三參數。其中第一差值存在於第三值與第一值之間，且其中第二差值存在於第四值與第一值之間。

以下揭示內容提供用於實施所提供之主題之不同特徵的許多不同實施例或實例。組件之特定實例及配置在下文描述。當然，此等僅為實例且不意欲為限制性的。在本發明中，在以下描述中提及第一特徵形成在第二特徵上方或上可包括第一特徵與第二特徵直接接觸地形成之實施例，且亦可包括額外特徵可在第一特徵與第二特徵之間形成，使得第一特徵與第二特徵可不直接接觸之實施例。另外，本發明可在各種實例中重複參考標號及/或字母。此重複為出於簡單性及清晰之目的，且本身不指示所論述之各種實施例及/或配置之間的關係。

在下文更詳細地論述本發明之實施例。然而，應瞭解，本發明提供可在廣泛多種特定內容中體現之許多適用的發明性概念。所論述特定實施例僅為說明性的且並不限制本發明之範疇。

圖1說明根據本發明之一些實施例的用於測試電子組件之裝置的示意圖。裝置1可用於積體器件/電子組件之失敗分析中。裝置1可用於積體器件/電子組件之自動測試中。

裝置1包括計算器件2、控制器件4、測試器件6及負載板8。一或多個電子連接存在於計算器件2與控制器件4之間。一或多個電子連接存在於控制器件4與測試器件6之間。一或多個電子連接存在於測試器件6與負載板8之間。

計算器件2包括處理單元10及記憶體單元12。

處理單元10可包括但不限於，例如，中央處理單元(CPU)、微處理器、特殊應用指令集處理器(ASIP)、機器控制單元(MCU)、圖形處理單元(GPU)、物理學處理單元(PPU)、數位信號處理器(DSP)、影像處理器、共處理器、儲存控制器、浮點單元、網路處理器、多核處理器、前端處理器或類似者。處理單元10可電連接至記憶體單元12。

記憶體單元12可包括但不限於隨機存取記憶體(RAM)，諸如靜態RAM (SRAM)或動態RAM (DRAM)。在一些實施例中，記憶體單元12可包括唯讀記憶體(ROM)。記憶體單元12可包括用於儲存最近已存取之資料之快取記憶體(未圖示)，使得可更快地伺服對彼資料之未來請求。儲存於快取記憶體中之資料可包括處理單元10之更早計算的結果。儲存於快取記憶體中之資料可包括儲存於記憶體單元12中之資料的複本。

計算器件2包括安裝於其上的用於產生用於測試之資料的應用程式設計介面(API)。藉由API產生之資料可儲存於記憶體單元12中。

控制器件4包括處理單元14、記憶體單元16及一或多個輸入/輸出(I/O)埠18。

處理單元14可包括但不限於，例如，中央處理單元(CPU)、微處理器、特殊應用指令集處理器(ASIP)、機器控制單元(MCU)、圖形處理單元(GPU)、物理學處理單元(PPU)、數位信號處理器(DSP)、影像處理器、共處理器、儲存控制器、浮點單元、網路處理器、多核處理器、前端處理器或類似者。處理單元14可電連接至記憶體單元16。處理單元14可電連接至I/O埠18。記憶體單元16可電連接至I/O埠18。

記憶體單元16可包括但不限於隨機存取記憶體(RAM)，諸如靜態RAM (SRAM)或動態RAM (DRAM)。在一些實施例中，記憶體單元16可包括唯讀記憶體(ROM)。記憶體單元16可包括用於儲存最近已存取之資料之快取記憶體(未圖示)，使得可更快地伺服對彼資料之未來請求。儲存於快取記憶體中之資料可包括處理單元14之更早計算的結果。儲存於快取記憶體中之資料可包括儲存於記憶體單元16中之資料的複本。

控制器件4可自計算器件2接收測試資料。控制器件4可基於自計算器件2接收之測試資料產生測試指令/命令。藉由控制器件4產生之測試指令/命令可儲存於記憶體單元16中。藉由控制器件4產生之測試指令/命令可經由I/O埠18傳輸至測試器件6。

I/O埠18可為能夠發送及接收資料之任何電腦埠。I/O埠18可包括但不限於通用串列匯流排(USB)埠、IEEE 1394埠(亦稱為火線埠)、PS/2埠(亦稱為迷你DIN埠)、串聯埠(亦稱為RS-232或通信(COM)埠)、並聯埠(亦稱為線式打印機(LPT)埠)、小型電腦系統介面(SCSI)埠、1/8吋音頻迷你插口、RG-6同軸埠或樂器數位介面(MIDI)埠。

測試器件6包括用於測試積體器件/電子組件之一或多個模組。參看圖1，測試器件6包括直流電(DC)模組20、精度量測單元(PMU) 22、數位模組24及繼電器板26。控制器件4可基於測試指令/命令之類型/內容將測試指令/命令傳輸至測試器件6之對應模組。

DC模組20可用於測試積體器件/電子組件之DC參數。在一些實施例中，DC模組20可將DC電流提供至受測試之積體器件/電子組件。在一些實施例中，DC模組20可將電壓提供至受測試之積體器件/電子組件。

PMU 22可用於測試積體器件/電子組件之DC參數。PMU 22可提供具有高精確度之DC參數。PMU 22可提供具有小幅值/量值之DC參數。在一些實施例中，PMU 22可提供具有較小值之精確DC電流。在一些實施例中，PMU 22可提供具有小量值之精確電壓。

數位模組24可用於測試積體器件/電子組件之功能。在一些實施例中，數位模組24可用於將各種信號提供至DUT 28。在一些實施例中，數位模組24可用於測試DUT 28之互連積體電路(I2C)匯流排。在一些實施例中，數位模組24可用於測試DUT 28之電晶體-電晶體邏輯(TTL)。在一些實施例中，數位模組24可用於測試DUT 28之串列周邊介面(SPI)。在一些實施例中，數位模組24可用於將基頻信號或射頻信號提供至DUT 28。

在一些實施例中，數位模組24可將具有不同切換頻率之信號提供至DUT 28。在一些實施例中，數位模組24可控制待提供至DUT 28之信號之上升/下降邊緣。在一些實施例中，數位模組24可將同步或不同步信號提供至DUT 28。

繼電器板26可將路徑選路提供至測試器件6。在一些實施例中，若DUT 28之接腳的數目超出可由測試裝置6提供之測試通道的數目，則接腳中之一些可經由繼電器板26連接至相同通道。繼電器板26可用以將不同接腳連接至測試器件6之特定測試通道。

受測試器件(DUT) 28可固定於負載板8上。一或多個導電連接或實體連接存在於DUT 28與負載板8之間。在一些實施例中，DUT 28可為積體電路或電子組件。

圖2A說明根據本發明之一些實施例的受測試器件(DUT)之透視圖。參見圖2A，DUT 28包括八個接腳。可預期DUT 28可包括更多接腳或更少接腳。在失敗分析或自動測試期間，一或多個測試信號/命令可提供至DUT 28。在一些實施例中，信號S1提供至DUT 28，且信號S2提供至DUT 28。DUT 28回應於信號S1及信號S2產生輸出信號(或反饋信號) Z。

信號S1、信號S2與反饋信號Z1之間的關係可表達於以下等式中：

......................................(1)

反饋信號Z可為信號S1及信號S2之函數。

在一些實施例中，信號S1及信號S2可提供至DUT 28之不同接腳。在一些實施例中，信號S1及信號S2可提供至DUT 28之相同接腳。參見圖2A，信號S1可提供至DUT 28之接腳「1」，且信號S2可提供至DUT 28之接腳「2」。可預期信號S1及S2可提供至DUT 28之其他接腳。參見圖2A，反饋信號Z可在接腳「5」處藉由DUT 28產生。可預期反饋信號Z可在其他接腳處藉由DUT 28產生。

在一些實施例中，信號S1及信號S2可同步提供至DUT 28。在一些實施例中，信號S1及信號S2可同時提供至DUT 28。在一些實施例中，信號S1及信號S2可連續提供至DUT 28。在一些實施例中，信號S1及信號S2可在不同時序提供至DUT 28。

在一些實施例中，信號S1及信號S2可包括相同屬性(例如，信號S1及S2兩者皆為電壓或電流)。在一些實施例中，信號S1及信號S2可包括不同屬性。

圖2B說明根據本發明之一些實施例的DUT之一系列量測結果的視覺表示。參見圖2B，視覺表示3包括以二維圖/圖式之形式展示之DUT 28的一系列量測結果。此類視覺表示3有時稱為「什穆」圖。參見圖2B，視覺表示3經由水平座標及豎直座標提供。水平座標表示提供至DUT 28之信號S1，且豎直座標表示提供至DUT 28之信號S2。

參見圖2B，藉由將具有值30_s1之信號S1及具有值30_s2之信號S2提供至DUT 28獲得量測結果30。藉由將具有值32_s1之信號S1及具有值32_s2之信號S2提供至DUT 28獲得量測結果32。在圖2B中標記為「P」之量測結果30意指回應於具有值30_s1之信號S1及具有值30_s2之信號S2由DUT 28提供之反饋信號Z遵守或滿足用於DUT 28的特定要求。在圖2B中標記為「F」之量測結果32意指回應於具有值32_s1之信號S1及具有值32_s2之信號S2由DUT 28提供之反饋信號Z未能遵守或滿足用於DUT 28的特定要求。

視覺表示3產生在具有解析度之參數範圍內。參見圖2B，藉由將具有解析度36之信號S1及具有解析度38之信號S2提供至DUT 28產生視覺表示3。在一些實施例中，解析度36可為電壓幅度差。在一些實施例中，解析度36可為電流值差。在一些實施例中，解析度38可為電壓幅度差。在一些實施例中，解析度38可為電流值差。在一些實施例中，解析度36可與解析度38相同。在一些實施例中，解析度36可不同於解析度38。

在一些實施例中，解析度36可為0.0125伏特之電壓差。在一些實施例中，解析度38可為0.0125伏特之電壓差。在一些實施例中，解析度36可為0.0125 A之電流差。在一些實施例中，解析度38可為0.0125 A之電流差。可預期解析度36及38可為除電壓及電流以外之參數。可預期解析度36及38可為具有其他值差之參數。

參見圖2B，虛擬邊緣34存在於所有量測結果均為「P」的區域與所有量測均為「F」之區域之間。積體器件/電子組件之操作區域在參數變化(例如，電壓、電流及時序)下可在獲得虛擬邊緣34之後經判定。

在圖2B中所示之實施例中，信號S1之20不同值在測試期間提供至DUT 28，且信號S2之20不同值在測試期間提供至DUT 28。此等信號S1及S2之不同值之組合產生DUT 28之400個量測結果。因此，在完成400次量測之後可得到虛擬邊緣34。

假設對DUT 28的每一量測花費1秒，將花費接近7分鐘以完成單個DUT 28之什穆圖。此有時為不可接受的，因為工程師可能需要進行用於數十或甚至數百個電子組件或積體器件之失敗分析。此外，由於信號S1及S2之解析度增加，有時可能需要超過數千個量測結果以完成單個電子組件之什穆圖(例如，在6A、7A及8A中展示之實施例中，針對單個電子組件需要進行6561次量測)。完成測試所花費之整體時間將為極大的。

圖3A、圖3B、圖3C及圖3D為根據本發明之一些實施例的用於測試電子組件之各種操作。

參見圖3A，用於測試電子組件之方法包括將具有不同值之信號S1及具有不同值之信號S2提供至DUT 28。參見圖3A，信號S1以值差40遞增地提供至DUT 28。信號S2以值差42遞增地提供至DUT 28。值差40可選擇為比解析度36大以便減少所需的量測之總數目。值差值42可選擇為比解析度38大以使減少所需的量測之總數目。

在一些實施例中，差值40可選擇為與差值42相同。在一些實施例中，差值40可選擇為不同於差值42。

方法包括回應於信號S1及信號S2之不同組合記錄每一反饋信號Z之狀態。參見圖3A，將信號S1之五個不同值及信號S2之五個不同值提供至DUT 28。信號S1之五個不同值及信號S2之五個不同信號產生25個組合且因此得到25個量測結果((亦即25個反饋信號Z)。在一些實施例中，所進行之此等25個量測被稱為「導頻量測」或「導頻點」。

反饋信號Z中之每一者將與DUT 28之要求或準則相比較以用於判定其狀態。方法包括回應於信號S1及信號S2之不同組合觀察每一反饋信號Z之狀態。參見圖3A，此等反饋信號取決於其是否滿足DUT 28之此類要求或準則經標記為「P」或「F」。可粗略地自圖3A得知在其中所有狀態標記為「P」之區域與其中所有狀態標記為「F」之區域之間存在邊界。可進行更多量測以便獲得DUT 28之更精密操作區域。

在根據本發明之一些實施例的方法中，可自包括「P」及「F」二者之一對狀態開始進行其他量測。參見圖3A，可自包括狀態44a及狀態44b之一對開始進行其他量測。在一些實施例中，可自包括狀態46a及狀態46b之一對狀態開始進行其他量測。在一些實施例中，可自包括狀態48a及狀態48b之一對狀態開始進行其他量測。在一些實施例中，可在包括「P」及「F」二者之任何一對狀態之間進行其他量測。

在後續段落中，自包括狀態44a及狀態44b之一對開始獲得之量測結果可被稱為「群集」。自包括狀態46a及狀態46b之一對開始獲得之量測結果可被稱為另一「群集」。自包括狀態48a及狀態48b之一對開始獲得之量測結果可被稱為又一「群集」。

參見圖3A，自包括狀態44a及狀態44b之一對開始獲得之量測結果可被稱為群集C1。自包括狀態46a及狀態46b之一對開始獲得之量測結果可被稱為群集C2。自包括狀態48a及狀態48b之一對開始獲得之量測結果可被稱為群集C3。

以包括狀態44a及狀態44b之一對(亦即，群集C1)作為實例，狀態44a與狀態44b之間的其他量測可在方向d1上執行。可藉由逐漸增大信號S1之值同時保持信號S2之值不變而對DUT 28進行其他量測。在一些實施例中，每次信號S1之值可以解析度36增大。

以包括狀態46a及狀態46b之一對(亦即，群集C2)作為實例，狀態46a與狀態46b之間的其他量測可在方向d2上執行。當時，可藉由逐漸減小信號S1之值同時保持信號S2之值不變而對DUT 28進行其他量測。在一些實施例中，每次信號S1之值可以解析度36減小。

以包括狀態48a及狀態48b之一對(亦即，群集C3)作為實例，狀態48a與狀態48b之間的其他量測可在方向d3上執行。當時，可藉由逐漸增大信號S2之值同時保持信號S1之值不變而對DUT 28進行其他量測。在一些實施例中，每次信號S2之值可以解析度38增大。

以包括狀態48a及狀態48b之一對(亦即，群集C3)作為實例，狀態48a與狀態48b之間的其他量測可在方向d4上執行。當時，可藉由逐漸減小信號S2之值同時保持信號S1之值不變而對DUT 28進行其他量測。在一些實施例中，每次信號S2之值可以解析度38減小。

參見圖3B，描述且解釋在方向d1上在狀態44a與狀態44b之間進行的操作。在根據本發明之一些實施例的方法中，一旦沿方向d1發現不同於狀態44a之狀態，則信號S1之值之遞增停止且信號S2之值增大。此外，當狀態尚未變化時，信號S1之值減小至最末值。

假設藉由提供具有值44a_s1之信號S1且提供具有值44a_s2之信號S2至DUT 28來獲得狀態44a，並且藉由提供具有值50_s1之信號S1且提供具有值50_s2之信號S2至DUT 28來獲得狀態50。值50_s1大於值44a_s1，且值50_s2與值44a_s2相同。

一旦狀態50經判定為不同於狀態44a，則方法包括用於獲得狀態51之操作。為了獲得狀態51，將具有值51_s1之信號S1及具有值51_s2之信號S2提供至DUT 28。值51_s1與值44a_s1相同，且值51_s2大於值44a_s2。

參見圖3C，描述且解釋在方向d1上在狀態44a與狀態44b之間進行的其他操作。在獲得狀態51之後，可沿方向d1進行其他操作以獲得DUT 28之狀態變化(亦即，自「P」改變成「F」或反之亦然)。在圖中3C中所展示之實例中，狀態變化可在狀態52與狀態53之間發現。

方法包括增大信號S1之值直至發現狀態變化。舉例而言，一旦狀態52經判定為與狀態51相同，則該方法包括用於獲得狀態53之操作。為了獲得狀態53，將具有值53_s1之信號S1及具有值53_s2之信號S2提供至DUT 28。值53_s1大於值52_s1，且值53_s2與值52_s2相同。

一旦沿方向d1發現狀態變化，則信號S1之值之增大停止且信號S2之值增大。此外，當狀態尚未變化時，信號S1之值減小至最末值。舉例而言，一旦狀態53經判定為不同於狀態52，則方法包括用於獲得狀態54之操作。為了獲得狀態54，將具有值54_s1之信號S1及具有值54_s2之信號S2提供至DUT 28。值54_s1與值52_s1相同，且值54_s2大於值52_s2。

將繼續如根據圖3B及圖3C所描述之操作直至在群集內發現虛擬邊緣/邊界為止。

參見圖3D，可繼續如根據圖3B及圖3C所描述之操作直至在群集C1內發現虛擬邊緣/邊界為止。在群集C1內發現虛擬邊緣/邊界之後，可在另一群集中進行如根據圖3B及圖3C所描述之操作。在一些實施例中，在群集C1內發現虛擬邊緣/邊界內之後，可在群集C2上進行如根據圖3B及圖3C所描述之操作。在一些實施例中，在群集C1內發現虛擬邊緣/邊界之後，可對群集C3進行如根據圖3B及圖3C所描述之操作。在一些實施例中，在群集C1內發現虛擬邊緣/邊界之後，可對群集C4進行如根據圖3B及圖3C所描述之操作。

在一些實施例中，可繼續如根據圖3B及圖3C所描述之操作直至信號S2達到預定值T1 (亦即，臨限值T1)為止。以群集C1作為實例，臨限值T1可為等於44a_s2及差值42之總和之值。以群集C4作為實例，臨限值T1可為等於46a_s2 (亦即，提供至DUT 28以獲得狀態46a之信號S2的值)及差值42之總和之值。

圖4A、圖4B及圖4C為根據本發明之一些實施例的用於測試電子組件之各種操作。

參見圖4A，描述且解釋在方向d1上在狀態44a與狀態44b之間進行的其他操作。藉由將具有值50_s1之信號S1及具有值50_s2之信號S2提供至DUT 28獲得狀態50。一旦值50_s1在可發現狀態變化(亦即，自「P」改變成「F」或反之亦然)之前等於或超出預定值T2 (亦即，臨限值T2)，則方法包括放棄在狀態44a與狀態44b之間進行其他量測，且接著在另一對狀態(亦即，另一群集)之間開始量測。

在一些實施例中，預定值T2可為在44a_s1與44b_s1之間的值。在一些實施例中，預定值T2可為差值40之約一半之值。在一些實施例中，預定值T2可為差值40之約三分之一(1/3)的值。在一些實施例中，預定值T2可為差值40之約三分之二(2/3)之值。在一些實施例中，預定值T2可為大約差值40之四分之一(1/4)的值。在一些實施例中，預定值T2可為差值40之約四分之三(3/4)的值。在一些實施例中，預定值T2可為少於差值40之值。

在一些實施例中，方法包括在距一對狀態44a及狀態44b最遠的一對狀態之間開始其他量測。在一些實施例中，方法包括在狀態46a與狀態46b之間開始其他量測。狀態46a與狀態46b之間的量測可以類似於根據圖3B及圖3C所描述之彼等的方式進行。

參見圖4B，描述根據本發明之一些實施例之方法的一種操作。藉由將具有值47_s1之信號S1及具有值47_s2之信號S2提供至DUT 28獲得狀態47。一旦值47_s1在可發現狀態變化(亦即，自「P」改變成「F」或反之亦然)之前等於或超出預定值T2，則方法包括放棄在狀態46a與狀態46b之間進行其他量測，且接著在另一對狀態之間開始量測。

在一些實施例中，方法包括在狀態49a與狀態49b之間開始其他量測。狀態49a與狀態49b之間的量測可以類似於根據圖3B及圖3C所描述之彼等的方式進行。

圖4C展示根據本發明之一些實施例所描述的方法之一種操作。參見圖4C，在群集C2及C3內進行之量測已經完成，此係因為已在群集C2及C3內發現虛擬邊緣/邊界。然而，尚未在群集C1及C4內發現虛擬邊緣/邊界，此係因為沿方向d1進行之量測已經停止，如根據圖4A及圖4B所論述。根據本發明之一些實施例的方法可進一步包括沿不同於方向d1之方向d2在群集C1及C4上再次進行量測。

在一些實施例中，對群集C1進行之量測可自狀態44b朝向狀態44a開始。在群集C1內之量測可以類似於根據圖3B及圖3C所描述之彼等的方式進行。在一些實施例中，對群集C4進行之量測可自狀態46b朝向狀態46a開始。在群集C4內之量測可以類似於根據圖3B及圖3C所描述之彼等的方式進行。

根據圖3A、圖3B、圖3C、圖3D、圖4A、圖4B及圖4C所描述之操作可應用於半導體/積體器件之幾個製造階段。

在一些實施例中，根據圖3A、圖3B、圖3C、圖3D、圖4A、圖4B及圖4C所描述之操作可應用於新設計產品之大批量生產。藉由獲得新設計產品之操作區域之二維表示(亦即，什穆圖)，涉及大批量生產之工程師可容易地理解新設計產品之操作限制。舉例而言，涉及新設計產品之品質控制程序之工程師可容易地理解判定產品的成品率之準則。

在一些實施例中，根據圖3A、圖3B、圖3C、圖3D、圖4A、圖4B及圖4C所描述之操作可應用於分級產品。舉例而言，具有更寬操作區域之產品可分類為高級產品且具有更高價格。產品之更寬操作區域展示在苛刻環境中產品仍可正常運行(例如，在高溫中或在高壓中)。

在根據圖3A、圖3B、圖3C、圖3D、圖4A、圖4B及圖4C所描述之操作中，若獲得失敗結果(亦即，「F」) (此意謂回應於信號S1及信號S2由DUT 28提供之反饋信號Z未能遵守或未能滿足DUT 28之特定要求)，則可進行若干操作。

在一些實施例中，若獲得失敗結果，則可關於整體測試程序進行失敗分析。在一些實施例中，若獲得失敗結果，則可關於在測試程序期間所使用之設備進行失敗分析。舉例而言，可檢查且檢驗如根據圖1所描述之裝置之器件及模組。在一些實施例中，若獲得失敗結果，則可檢查且檢驗進行測試之環境(例如，溫度及/或濕度)。

若在整體測試程序正確的情況下獲得失敗結果(例如，在測試設備及測試環境中未發現異常)，則最終什穆圖可提供至大批量生產程序之下一階段。在一些實施例中，最終什穆圖可提供至下游製造者。下游製造者可基於什穆圖微調其製作程序。

圖5A及圖5B為根據本發明的一些實施例的在測試完成之後展示量測結果之視覺表示的示意圖。

根據本發明之一些實施例之方法包括調節差值40及差值42以便修改測試之「導頻點」或「導頻量測」的數目。參見圖5A及圖5B，圖5B中之差值40大於圖5A中之差值，且圖5B中之差值42大於圖5A中的差值。

圖5A為在「導頻點」之數目選定為25之情況下的量測結果的視覺表示。亦即，將信號S1之五個不同值及信號S2之五個不同值提供至DUT 28。在圖5A中所展示之實施例中，除25個導頻點之外，在可判定DUT 28之精密操作區域之前需要另外的53次量測。因此，在完成DUT 28之測試之前需要總共78次量測。

與圖2B中所展示之實施例相比，圖5A中所展示之實施例所需的量測之總數目自400顯著減少至78。因此，完成什穆圖所需之時間減少接近80%且圖5A中所展示之實施例的效率顯著提高。

圖5B為在「導頻點」的數目選定為9之情況下的量測結果之視覺表示。亦即，將信號S1之三個不同值及信號S2之三個不同值提供至DUT 28。在圖5B中所展示之實施例中，除9個導頻點之外，在可判定DUT 28之精密操作區域之前需要另外的55次量測。因此，在完成DUT 28之測試之前需要總共64次量測。

與圖2B中所展示之實施例相比，圖5B中所展示之實施例所需的量測之總數目自400顯著減少至64。因此，完成什穆圖所需之時間減少接近84%且圖5B中所展示之實施例的效率顯著提高。

圖6A為根據本發明之比較實施例的電子組件之量測結果之視覺表示。參見圖6A，提供至DUT 28之信號S1及S2兩者為電壓信號。在此比較實施例中，若所提供之信號S1在約0.225伏特至0.75伏特範圍內，則DUT 28無法適當運行。在此比較實施例中，若信號S1及S2之組合處於區域55內，則DUT 28無法適當運行。在此比較實施例中，在判定DUT 28之操作區域之前進行總共6561次量測。

圖6B為根據本發明之一些實施例的電子組件之量測結果之視覺表示。圖6B中所展示之量測結果可基於上文根據圖3A、圖3B、圖3C、圖3D、圖4A、圖4B及圖4C所論述之操作而獲得。在此實施例中，在可判定DUT 28之操作區域之前僅進行1038次量測。顯而易見地，圖6B中所展示之實施例之效率比圖6A中所展示的實施例之效率相對更高。

圖7A為根據本發明之比較實施例的電子組件之量測結果之視覺表示。參見圖7A，提供至DUT 28之信號S1及S2兩者為電壓信號。在此比較實施例中，若所提供之信號S2在約0.15伏特至0.75伏特範圍內，則DUT 28無法適當運行。在此比較實施例中，若信號S1及S2之組合處於區域56內，則DUT 28無法適當運行。在此比較實施例中，在判定DUT 28之操作區域之前進行總共6561次量測。

圖7B為根據本發明之一些實施例的電子組件之量測結果之視覺表示。圖7B中所展示之量測結果可基於上文根據圖3A、圖3B、圖3C、圖3D、圖4A、圖4B及圖4C所論述之操作而獲得。在此實施例中，在可判定DUT 28之操作區域之前僅進行1113次量測。顯而易見地，圖7B中所展示之實施例之效率比圖7A中所展示的實施例之效率相對更高。

圖8A為根據本發明之比較實施例的電子組件之量測結果之視覺表示。參見圖8A，提供至DUT 28之信號S1及S2兩者為電壓信號。在此比較實施例中，若信號S1及S2之組合處於區域57內，則DUT 28無法適當運行。在此比較實施例中，在判定DUT 28之操作區域之前進行總共6561次量測。

圖8B為根據本發明之一些實施例的電子組件之量測結果之視覺表示。圖8B中所展示之量測結果可基於上文根據圖3A、圖3B、圖3C、圖3D、圖4A、圖4B及圖4C所論述之操作而獲得。在此實施例中，在判定DUT 28之操作區域之前僅進行793次量測。顯而易見地，圖8B中所展示之實施例之效率比圖8A中所展示的實施例之效率相對更高。

圖9A、圖9B及圖9C為根據本發明之一些比較實施例的用於測試電子組件之各種操作。

方法包括提供具有各種值之信號S1及信號S2以便獲得類似於根據圖3A所描述之彼等的「導頻量測」一旦已經完成「導頻量測」，則可針對由四個導頻點組成之群進行其他量測。參見圖9A，若四個導頻點之狀態不相同(亦即，狀態60B不同於狀態60A、60C及60D)，則進行其他量測以便判定狀態61。

可藉由提供具有值61_s1之信號S1及具有值61_s2之信號S2獲得狀態61。可藉由提供具有值60A_s1之信號S1及具有值60A_s2之信號S2獲得狀態60A。可藉由提供具有值60B_s1之信號S1及具有值60B_s2之信號S2獲得狀態60B。可藉由提供具有值60C_s1之信號S1及具有值60C_s2之信號S2獲得狀態60C。可藉由提供具有值60D_s1之信號S1及具有值60D_s2之信號S2獲得狀態60D。

在一些實施例中，狀態61可為狀態60A、60B、60C及60D之視覺表示之幾何中心。在一些實施例中，值61_s1在值60C_s1與60B_s1之間。在一些實施例中，值61_s2在值60A_s2與60B_s2之間。

參見圖9B，另一方面，若四個導頻點之狀態相同(亦即，狀態60A、60B、60C及60D全部為「P」)，則並不需要其他量測來判定狀態62。狀態62可指派為與狀態60A、60B、60C及60D相同。藉由指派獲得之狀態在隨後段落中可被稱為「內插點」。

參見圖9C，由狀態60C、60D、61及62組成之群可進一步使用以獲得狀態63。可以類似於或等同於如根據圖9A及圖9B所描述之彼等的方式判定狀態63。在一些實施例中，若狀態60C、60D、61及62彼此相同，則狀態63經指派為等同於狀態60C、60D、61及62。

在一些實施例中，若狀態60C、60D、61及62彼此不同，則方法包括將具有值63_s1之信號S1及具有值63_s2之信號S2提供至DUT 28，以及基於藉由DUT 28輸出之反饋信號判定狀態63。

如根據圖9A、圖9B及圖9C所描述之操作可重複或迭代。依循如根據圖9A、圖9B及圖9C所說明之操作，可找到DUT 28之精確操作區域。

然而，如根據圖9A、圖9B及圖9C所描述之操作在計算上比根據圖3A、圖3B、圖3C、圖3D、圖4A、圖4B及圖4C所描述之彼等操作更複雜。如根據圖9A、圖9B及圖9C所描述之操作包括基於三角函數之演算，此係因為需要找到以矩形形狀安置之四種狀態(例如，狀態60A、狀態60B、狀態60C及狀態60D的幾何中心(例如，狀態61)。因此，如根據圖9A、圖9B及圖9C所描述之操作之計算複雜度為

，此意謂其需要指數運行時間。相反，如根據圖3A、圖3B、圖3C、圖3D、圖4A、圖4B及圖4C所描述之操作之計算複雜度為

，此係由於所涉及之演算為線性的且因此其採取線性運行時間。

圖10A及圖10B為根據本發明之一些比較實施例的在測試完成之後展示量測結果之視覺表示的示意圖。

如圖10A及圖10B中所展示之該等量測結果之視覺表示可使用根據圖9A、圖9B及圖9C所描述之方法獲得。根據本發明之比較實施例之方法包括調節差值40及差值42以便修改測試之「導頻點」或「導頻量測」的數目。參見圖10A及圖10B，圖10B中之差值40大於圖10A中之差值，且圖10B中之差值42大於圖10A中之差值。

圖10A為在「導頻點」之數目選定為25之情況下的量測結果之視覺表示。亦即，將信號S1之五個不同值及信號S2之五個不同值提供至DUT 28。在圖10A中所展示之實施例中，除25個導頻點之外，在可判定DUT 28之精密操作區域之前需要另外的74次量測。因此，在完成DUT 28之測試之前需要總共99次量測。此外，24個「內插點」在測試期間使用。

與圖2B中所展示之實施例相比，圖10A中所展示之實施例所需的量測之總數目自400減少至99。因此，測量所需之時間減少約75%。然而，圖10A中所展示之實施例需要「內插點」的額外計算且因此將增加完成什穆圖之總時間。此外，如先前根據圖9A、圖9B及圖9C所論述，圖10A中所展示之實施例所需之計算複雜度比圖5A中所展示之實施例所需之計算複雜度高得多。

圖10B為在「導頻點」的數目選定為9之情況下的量測結果之視覺表示。亦即，將信號S1之三個不同值及信號S2之三個不同值提供至DUT 28。在圖10B中所展示之實施例中，除9個導頻點之外，在可判定DUT 28之精密操作區域之前需要另外的84次量測。因此，在完成DUT 28之測試之前需要總共93次量測。此外，35個「內插點」在測試期間使用。

與圖2B中所展示之實施例相比，圖10B中所展示之實施例所需的量測之總數目自400減少至93。因此，測量所需之時間減少約76%。然而，圖10B中所展示之實施例需要「內插點」的額外計算且因此將增加完成什穆圖之總時間。此外，如先前根據圖9A、圖9B及圖9C所論述，圖10B中所展示之實施例所需之計算複雜度比圖5B中所展示之實施例所需之計算複雜度高得多。

如本文中所使用，為易於描述，諸如「在……下方」、「低於」、「在……下部」、「高於」、「在……上部」、「在……下部」、「左邊」、「右邊」及其類似物之空間相對術語在本文中可用於描述如圖式中所說明之元件或特徵與另一元件或特徵之關係。除圖式中所描繪之定向以外，空間相對術語意欲涵蓋裝置在使用或操作中之不同定向。裝置可以其他方式定向（旋轉90度或處於其他定向）且本文中所使用的空間相對描述詞可同樣相應地進行解譯。應理解，當將元件被稱為「連接」或「耦接」至另一元件時，其可直接連接或耦接至另一元件，或可存在介入元件。

如本文所使用，術語「大致」、「實質上」、「大體」及「大約」係用以描述及考慮小的變化。當與事件或情形結合使用時，術語可指事件或情形明確發生之個例以及事件或情形極近似於發生之個例。如本文中關於給定值或範圍所使用，術語「約」通常意謂在給定值或範圍之±10%、±5%、±1%或±0.5%內。範圍可在本文中表現為自一個端點至另一端點或在兩個端點之間。除非另外指定，否則本文中所揭示之所有範圍包括端點。術語「實質上共面」可指沿著同一平面處於數微米(μm)內(諸如，沿著同一平面處於10 μm內、5 μm內、1 μm內或0.5 μm內)之兩個表面。在稱數值或特性「實質上」相同時，該術語可指該等值處於該等值之平均值的±10%、±5%、±1%或±0.5%內。

如本文中所使用，術語「大致」、「實質上」、「大體」及「大約」係用以描述及考慮小的變化。當與事件或情形結合使用時，術語可指事件或情形明確發生之個例以及事件或情形極近似於發生之個例。舉例而言，當結合數值使用時，該等術語可指小於或等於該數值之±10%的變化範圍，諸如，小於或等於±5%、小於或等於±4%、小於或等於±3%、小於或等於±2%、小於或等於±1%、小於或等於±0.5%、小於或等於±0.1%或者小於或等於±0.05%之變化範圍。舉例而言，若兩個數值之間的差小於或等於該等值之平均值的±10% (諸如，小於或等於±5%、小於或等於±4%、小於或等於±3%、小於或等於±2%、小於或等於±1%、小於或等於±0.5%、小於或等於±0.1%、或者小於或等於±0.05%)，則可認為該兩個數值「實質上」或「大約」相同。舉例而言，「實質上」平行可指代相對於0°而言小於或等於±10°之變化範圍，諸如，小於或等於±5°、小於或等於±4°、小於或等於±3°、小於或等於±2°、小於或等於±1°、小於或等於±0.5°、小於或等於±0.1°或者小於或等於±0.05°之變化範圍。舉例而言，「實質上」垂直可指相對於90°而言小於或等於±10°之變化範圍，諸如，小於或等於±5°、小於或等於±4°、小於或等於±3°、小於或等於±2°、小於或等於±1°、小於或等於±0.5°、小於或等於±0.1°，或小於或等於±0.05°之變化範圍。

舉例而言，若在兩種表面之間的移位等於或低於5 µm、等於或低於2 µm、等於或低於1 µm，或等於或低於0.5 µm，則可認為兩個表面共面或實質上共面。若在表面上的任何兩種點之間的相對於平板之表面的移位等於或低於5 µm、等於或低於2 µm、等於或低於1 µm，或等於或低於0.5 µm，則可認為表面為平面或實質上平面。

如本文中所使用，術語「導電性」、「導電」及「導電率」指代傳送電流之能力。導電材料通常指示呈現對於電流流動之極小或零阻力之彼等材料。導電率之一個量度為西門子/公尺(S/m)。通常，導電材料係具有大於約10⁴ S/m (諸如至少10⁵ S/m或至少10⁶ S/m)之導電率的一種材料。材料之導電率有時可隨溫度變化。除非另外規定，否則材料之導電率係在室溫下量測。

除非上下文另外明確規定，否則如本文中所使用，單數術語「一」及「該」可包括複數個指示物。在一些實施例之描述中，組件設置在另一組件「上」或「上方」可涵蓋前者組件直接在後者組件上(例如，與之實體接觸)的情況，以及一或多個介入組件位於前者組件與後者組件之間的情況。

除非另外規定，否則諸如「上方」、「下方」、「向上」、「左邊」、「右邊」、「向下」、「頂部」、「底部」、「豎直」、「水平」、「側」、「較高」、「較低」、「下部」、「上部」、「下方」、「下面」等空間描述係關於相對於圖中所展示之定向加以指示。應理解，本文中所使用之空間描述僅出於說明之目的，且本文中所描述之結構之實際實施可以任何定向或方式在空間上配置，其限制條件為本發明之實施例之優點不因此配置而有偏差。

雖然已參考本發明之特定實施例描述及說明本發明，但此等描述及說明並不限制本發明。熟習此項技術者可清楚地理解，可作出各種改變，且可在實施例內替代等效組件而不脫離如由所附申請專利範圍所界定之本發明的真實精神及範圍。說明可不必按比例繪製。歸因於在製造製程中的變量等，在本發明中之藝術再現與實際裝置之間可存在區別。可存在並未特定說明的本發明之其他實施例。應將本說明書及圖式視為說明性而非限制性的。可作出修改，以使特定情形、材料、物質組成、方法或程序適應於本發明之目標、精神及範疇。所有此類修改意欲在此處附加之申請專利範圍之範疇內。雖然已參考按特定次序執行之特定操作描述本文中所揭示的方法，但可理解，在不脫離本發明之教示的情況下，可組合、細分，或重新定序此等操作以形成等效方法。因此，除非在本文中特定地指示，否則操作之次序及分組並非對本發明之限制。

前述內容概述本發明之若干實施例及詳細態樣的特徵。本發明中描述之實施例可易於用作設計或修改用於進行本文中引入之實施例的相同或類似目的及/或達成相同或類似優勢的其他製程及結構的基礎。此等等效構造並不脫離本發明之精神及範疇，且可在不脫離本發明之精神及範疇的情況下作出各種改變、替代及更改。

1:裝置 2:計算器件 3:視覺表示 4:控制器件 6:測試器件 8:負載板 10:處理單元 12:記憶體單元 14:處理單元 16:記憶體單元 18:輸入/輸出埠 20:直流電模組 22:精確度量測單元 24:數位模組 26:繼電器板 28:受測試器件 30:量測結果 32:量測結果 34:虛擬邊緣 36:解析度 38:解析度 40:差值 42:差值 44a:狀態 44b:狀態 46a:狀態 46b:狀態 47:狀態 48a:狀態 48b:狀態 49a:狀態 49b:狀態 50:狀態 51:狀態 52:狀態 53:狀態 54:狀態 55:區域 56:區域 57:區域 60:狀態 60A:狀態 60B:狀態 60C:狀態 60D:狀態 62:狀態 63:狀態 C1:群集 C2:群集 C3:群集 C4:群集 d1:方向 d2:方向 d3:方向 d4:方向

當結合附圖閱讀時，自以下詳細描述容易地理解本發明之態樣。應注意，各種特徵可能未按比例繪製，且各種特徵之尺寸可出於論述之清晰起見而任意增大或減小。

圖1說明根據本發明之一些實施例的用於測試電子組件之裝置的示意圖。

圖2A說明根據本發明之一些實施例的受測試器件(DUT)之透視圖。

圖2B說明根據本發明之一些實施例的DUT之一系列量測結果的視覺表示。

圖6A為根據本發明之比較實施例的電子組件之量測結果之視覺表示。

圖6B為根據本發明之一些實施例的電子組件之量測結果之視覺表示。

圖7A為根據本發明之比較實施例的電子組件之量測結果之視覺表示。

圖7B為根據本發明之一些實施例的電子組件之量測結果之視覺表示。

圖8A為根據本發明之比較實施例的電子組件之量測結果之視覺表示。

圖8B為根據本發明之一些實施例的電子組件之量測結果之視覺表示。

貫穿該等圖式及實施方式使用共同參考數字以指示相同或類似元件。結合隨附圖式，自以下實施方式，本發明將更顯而易見。

1:裝置

2:計算器件

3:視覺表示

4:控制器件

6:測試器件

8:負載板

10:處理單元

12:記憶體單元

14:處理單元

16:記憶體單元

18:輸入/輸出埠

20:直流電模組

22:精確度量測單元

24:數位模組

26:繼電器板

28:受測試器件

Claims

一種裝置，其包含：一控制單元；一記憶體，其包括電腦程式碼；且其中該記憶體及該電腦程式碼經組態以藉由該控制單元使該裝置執行：將具有一第一值之一第一信號及具有一第二值之一第二信號施加至一電子組件且接收一第一反饋信號；判定與該第一反饋信號相關聯之一第一參數；將具有一第三值之一第三信號及該第二信號施加至該電子組件且接收一第二反饋信號；判定與該第二反饋信號相關聯之一第二參數；及若該第一參數不同於該第二參數，則將具有一第四值之一第四信號及該第二信號施加至該電子組件，其中一第一差值存在於該第三值與該第一值之間，且其中一第二差值存在於該第四值與該第一值之間。
如請求項1之裝置，其進一步包含：將具有一第五值之一第五信號及具有一第六值之一第六信號施加至該電子組件且接收一第三反饋信號：將具有一第七值之一第七信號及該第六信號施加至該電子組件且接收一第四反饋信號；將具有一第八值之一第八信號及具有一第九值之一第九信號施加至該電子組件且接收一第五反饋信號；及將具有一第十值之一第十信號及該第九信號施加至該電子組件且接收一第六反饋信號；其中與該第三反饋信號相關聯的一第三參數不同於與該第四反饋信號相關聯之一第四參數，且其中與該第五反饋信號相關聯之一第五參數不同於與該第六反饋信號相關聯的一第六參數。
如請求項2之裝置，其進一步包含：回應於該第四信號及該第二信號自該電子組件接收一第七反饋信號；判定與該第七反饋信號相關聯之一第七參數；及若該第七參數不同於該第一參數，則將該第一信號及具有一第十一值之一第十一信號施加至該電子組件；其中一第三差值存在於該第十一值與該第二值之間。
如請求項2之裝置，其進一步包含：回應於該第四信號及該第二信號自該電子組件接收一第七反饋信號；判定與該第七反饋信號相關聯之一第七參數；及若該第七參數等同於該第一參數，則將具有一第十一值之一第十一信號及該第二信號施加至該電子組件，其中該第二差值存在於該第十一值與該第四值之間。
如請求項4之裝置，其進一步包含：回應於該第十一信號及該第二信號自該電子組件接收一第八反饋信號；判定與該第八反饋信號相關聯之一第八參數；及在該第八參數等同於該第七參數且該第十一值等於或大於一第一臨限值的情況下：將具有一第十二值之一第十二信號及該第六信號施加至該電子組件；其中該第十二值在該第五值與該第七值之間。
如請求項5之裝置，其進一步包含：回應於該第十二信號及該第六信號自該電子組件接收一第九反饋信號；判定與該第九反饋信號相關聯之一第九參數；及在該第九參數等同於該第三參數且該第十二值等於或大於該第一臨限值的情況下：將具有一第十三值之一第十三信號及該第九信號施加至該電子組件；其中該第十三值在該第八值與該第十值之間。
如請求項3之裝置，其進一步包含：若該第十一值等於一第二臨限值，則將具有一第十二值之一第十二信號及該第六信號施加至該電子組件；其中該第十二值在該第五值與該第七值之間，且其中與該第四反饋信號相關聯的一第四參數不同於與該第三反饋信號相關聯之一第三參數。
如請求項6之裝置，其進一步包含：將該第一參數、該第二參數、該第三參數、該第四參數、該第五參數、該第六參數、該第七參數、該第八參數及該第九參數提供至一顯示器件以用於在一二維圖中顯示。
如請求項2之裝置，其中多個一第四差值存在於該第六值與該第二值之間。
如請求項2之裝置，其中該第一差值及該第二差值為正值，且其中該第一差值大於該第二差值。
如請求項2之裝置，其中該第一差值及該第二差值為負值，且其中該第一差值之一絕對值大於該第二差值之一絕對值。
一種裝置，其包含：一控制單元；一記憶體，其包括電腦程式碼；且其中該記憶體及該電腦程式碼經組態以藉由該控制單元使該裝置執行：接收與一第一座標之一第一值及一第二座標之一第二值相關聯的一第一參數；接收與該第一座標之一第三值及該第二座標之該第二值相關聯的一第二參數；及若該第一參數不同於該第二參數，則接收與該第一座標之一第四值及該第二座標之該第二值相關聯的一第三參數，其中一第一差值存在於該第三值與該第一值之間，且其中一第二差值存在於該第四值與該第一值之間。
如請求項12之裝置，其進一步包含：接收與該第一座標之一第五值及該第二座標之一第六值相關聯的一第四參數；接收與該第一座標之一第七值及該第二座標之該第六值相關聯的一第五參數；接收與該第一座標之一第八值及該第二座標之一第九值相關聯的一第六參數；接收與該第一座標之一第十值及該第二座標之該第九值相關聯的一第七參數；其中該第四參數不同於該第五參數，且其中該第六參數不同於該第七參數。
如請求項13之裝置，其進一步包含：若該第三參數不同於該第一參數，則接收與該第一座標之該第一值及該第二座標之一第十一值相關聯的一第八參數，其中一第三差值存在於該第十一值與該第二值之間。
如請求項13之裝置，其進一步包含：若該第三參數等同於該第一參數，則接收與該第一座標之一第十一值及該第二座標之第二值相關聯的一第八參數，其中該第二差值存在於該第十一值與該第四值之間。
如請求項15之裝置，其進一步包含：若該第八參數等同於該第三參數且該第十一值等於或大於一第一臨限值，則接收與該第一座標之一第十二值及該第二座標之該第六值相關聯的一第九參數；其中該第十二值在該第五值與該第七值之間。
如請求項16之裝置，其進一步包含：若該第九參數等同於該第四參數且該第十二值等於或大於該第一臨限值，則接收與該第一座標之一第十三值及該第二座標之該第九值相關聯的一第十參數，其中該第十三值在該第八值與該第十值之間。
如請求項14之裝置，其進一步包含：若該第十一值等於一第二臨限值，則接收與該第一座標之一第十二值及該第二座標之該第六值相關聯的一第九參數；其中該第十二值在該第五值與該第七值之間，且其中該第四參數不同於該第五參數。
如請求項17之裝置，其中該第一臨限值為該第一差值的約1/2。
如請求項17之裝置，其進一步包含：將該第一參數、該第二參數、該第三參數、該第四參數、該第五參數、該第六參數、該第七參數、該第八參數、該第九參數及該第十參數提供至一顯示器件以用於在一二維圖中顯示；及將複數個參數對提供至該顯示器件以用於在該二維圖中顯示，其中該等參數對中之每一者包括兩個不同參數，其中該第四參數與該第二參數之間的一距離大於在該複數個參數對中之任一者與該二維圖中的該第二參數之間的一距離。