TW202039263A - 具有傳導性構件之流體晶粒 - Google Patents

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Abstract

數個實施例包括包含流體晶粒、支撐元件與傳導性構件的流體裝置。該支撐元件耦接至該流體晶粒，且該支撐元件有形成於其中之一流體通道。該流體通道暴露該流體晶粒之背面的至少一部份。該支撐元件進一步包括穿過它的一構件開孔。該傳導性構件連接至該流體晶粒，且該傳導性構件至少部份設置於該構件開孔中致使該傳導性構件的一部份暴露於該支撐元件之該流體通道。

Description

具有傳導性構件之流體晶粒
發明領域
本發明係有關於具有傳導性構件之流體晶粒。
發明背景
微流體裝置可對應至傳輸、分配及/或處理微小容積(例如，數微升)之流體的各種微機電系統。有些示範微流體裝置包括流體晶粒、流體感測器及/或其他類似裝置。作為流體晶粒的又一實施例，列印頭為經組配為可控制地分配流體液滴的裝置。
發明概要
依據本發明之一實施例，係特地提出一種流體裝置，其包含：有一背面的一流體晶粒；耦接至該流體晶粒的一支撐元件，該支撐元件有形成於其中之一流體通道，該流體通道暴露該流體晶粒之該背面之至少一部份，該支撐元件進一步有穿過該支撐元件的一構件開孔；與連接至該流體晶粒的一傳導性構件，該傳導性構件至少部份設置在該構件開孔中致使該傳導性構件的一部份暴露於該支撐元件之該流體通道。
流體噴射裝置的實施例可包含一支撐元件，至少一流體晶粒，與至少一傳導性構件。該至少一流體晶粒耦接至該支撐元件。該支撐元件可具有形成於其中之一流體通道，在此該流體通道可暴露該流體晶粒之背面的至少一部份。在一些實施例中，該流體晶粒可包含穿過該流體晶粒之背面而形成且流體耦接至該支撐元件之流體通道的數個流體端口。在一些實施例中，該流體晶粒可包括至少一感測器元件，其設置在該流體晶粒的背面上且暴露於流體通道。在一些實施例中，該感測器元件可包含可暴露於與晶粒背面接觸之流體的電極。此外，該支撐元件可包括穿過支撐元件的構件開孔。該傳導性構件可接合且穿過支撐元件的構件開孔致使該傳導性構件的至少一部份暴露於流體通道。此外，該傳導性構件可連接至流體晶粒。
在一些實施例中，該流體晶粒經由黏著劑可耦接至支撐元件。在一些實施例中，該流體晶粒至少部份嵌入支撐元件的材料。例如，該支撐元件可包含環氧模製化合物(epoxy mold compound)，且該流體晶粒可至少部份模製於支撐元件中。在其他實施例中，該至少一流體晶粒可耦接至輔助支撐元件，它可稱為「獨立件(chiclet)」，且該獨立件在支撐元件的凹部中可耦接至支撐元件。在一些實施例中，獨立件及/或支撐元件可用模造製程形成。在其他實施例中，獨立件及/或支撐元件可用囊封製程形成。在其他實施例中，獨立件及/或支撐元件可用其他機械加工製程形成，例如切割、研磨、接合等等。
在一些實施例中，該流體晶粒可對應至流體噴射晶粒。在此類實施例中，流體噴射晶粒可包含複數個噴嘴，在此該等噴嘴可用來選擇性地分配流體液滴。在包含噴嘴的進一步實施例中，該流體噴射晶粒可對應至以經由噴嘴來噴射列印材料之流體液滴而可選擇性地分配列印材料的列印頭。流體噴射晶粒的頂面可包括形成於其中的噴嘴孔口，且流體噴射晶粒的噴嘴層可包括從中穿過而形成且在頂面上之噴嘴孔口結尾的噴嘴。流體噴射晶粒的噴嘴可流體耦接至流體腔室，在此該等流體腔室可形成於流體噴射晶粒鄰近噴嘴層的腔室層中。流體致動器可設置於各個流體腔室中，且各個流體致動器的致動可造成流體在流體致動器位於其中的各個流體腔室中移位。流體在各個流體腔室中的移位接著可造成流體液滴通過流體耦接至各個流體腔室的各個噴嘴噴出。為了供應流體至流體腔室，該等流體腔室可流體耦接至穿過流體噴射晶粒之背面而形成的流體端口。
實作於流體噴射裝置中之流體致動器類型的一些實施例包括可造成流體液滴從噴嘴孔口噴出/分配的熱噴射器、壓電噴射器及/或其他此類噴射器。在一些實施例中，該等流體噴射晶粒可用矽或矽基材料形成。例如噴嘴、流體腔室及流體通路的各種特徵可從使用於基於矽裝置之加工的各種材料及製程形成，例如二氧化矽、氮化矽、金屬、環氧樹脂、聚亞醯胺、其他碳基材料等等。在此類流體特徵可用各種微加工製程時，例如蝕刻、沉積、微影、接合、切割及/或其他此類微加工製程。
在一些實施例中，流體噴射晶粒可稱為條片(sliver)。一般而言，條片可對應至流體噴射晶粒，其具有：約650微米或更小的厚度；約30毫米或更小的外部尺寸；及/或約3至1或更大的長寬比。在一些實施例中，條片的長寬比可為約10至1或更大。在一些實施例中，條片的長寬比可為約50至1或更大。在一些實施例中，流體噴射晶粒可呈非矩形。在這些實施例中，流體噴射晶粒的第一部份可具有與上述實施例近似的尺寸/特徵，且與第一部份相比，流體噴射晶粒的第二部份有較大的寬度及較小的長度。在一些實施例中，第二部份的寬度可約為第一部份之寬度大小的兩倍。在這些實施例中，流體噴射晶粒可具有沿著它配置數個噴嘴的長形第一部份，且流體噴射晶粒可具有可配置流體噴射晶粒之電氣連接點於其上的第二部份。
在一些實施例中，支撐元件可由單一材料形成，亦即，該支撐元件可均勻一致。此外，在一些實施例中，支撐元件可為單件，亦即，支撐元件可為單塊。在一些實施例中，支撐元件及/或獨立件可包含環氧模製化合物，例如來自日立化學公司的CEL400ZHF40WG，及/或其他此類材料。在另一實施例中，支撐元件及/或獨立件可包含例如PET、PPS、LCP、PSU、PEEK的熱塑性材料及/或其他此類材料。因此，在一些實施例中，支撐元件及/或獨立件可呈實質均勻一致。在一些實施例中，支撐元件及/或獨立件可由單件形成，致使支撐元件及/或獨立件可包含沒有接點或接縫的模料。如本文所使用的，模製支撐元件及/或模製獨立件可能不涉及可形成載體及/或獨立件於其中的製程；反而，模製支撐元件及/或模製獨立件可涉及從它可形成載體及/或獨立件的材料。
如本文所述的示範流體裝置可實作於列印裝置中，例如二維列印機及/或三維列印機(3D)。應瞭解，有些示範流體裝置可為列印頭。在一些實施例中，流體裝置可實作於列印裝置中且可用來列印內容於媒體上，例如紙、基於粉末之建築材料層、反應裝置(例如實驗室晶片裝置)等等。示範流體裝置包括基於墨水的噴射裝置，數位滴定裝置，三維列印裝置，配藥裝置，實驗室晶片裝置，流體診斷電路，及/或可分配/噴出流體數量的其他此類裝置。
在一些實施例中，流體噴射裝置可實作於其中的列印裝置在逐層加成製程中藉由沉積可消耗性流體可列印內容。可消耗性流體及/或耗材可包括所使用的所有材料及/或化合物，例如，包括墨水、調色劑、流體或粉末，或用於列印的其他原料。此外，如本文所述的列印材料可包含可消耗性流體以及其他耗材。列印材料可包含墨水、調色劑、流體、粉末、著色劑、清漆、末道漆(finish)、光澤增進劑、黏合劑、助熔劑、抑制劑及/或可使用於列印製程中的其他此類材料。
此時翻到附圖，且特別是圖1A至圖1B，這些附圖提供圖示示範流體裝置10之一些組件的方塊圖。在此實施例中，流體裝置10包含支撐元件12與耦接至支撐元件12的流體晶粒14。如圖示，支撐元件12包括形成於其中的流體通道16。流體晶粒14耦接至支撐元件致使流體晶粒14之背面20的至少一部份暴露於支撐元件12的流體通道16。該支撐元件進一步包括從中穿過而形成的構件開孔22。如實施例所示，構件開孔22經形成為開孔與流體通道16緊鄰。裝置10包括接合且穿過支撐元件12之構件開孔22的傳導性構件24。如圖示，傳導性構件24的一部份暴露於且設置於流體通道16中。此外，傳導性構件24連接至流體晶粒14。
在圖1B中，示範流體裝置10進一步包含形成於流體晶粒14之背面20中的複數個流體端口26。因此，在此實施例中，流體端口26可流體耦接至支撐元件12的流體通道16致使流體可從流體通道16傳輸到流體端口26。此外，圖1B進一步圖示示範流體晶粒14，其包括設置及/或形成於流體晶粒之背面20上的至少一感測器元件28致使感測器元件28可暴露於流體通道16。至少一感測器28與流體端口26以虛線圖示以顯示在有些實作中可包括這些組件中之一或兩者。
圖2A提供示範流體裝置100之一些組件的橫截面圖，且圖2B提供該等裝置100組件中之一些的上視圖。如圖示，流體晶粒102可耦接至支撐元件104。應注意，流體晶粒102的周界在圖2B中以虛線圖示以圖示流體晶粒102之背面105的至少一部份可以被支撐元件104覆蓋。支撐元件104包括形成於其中的流體通道106。如圖示，通道106暴露流體晶粒102之背面105的至少一部份108。在流體晶粒102之背面105的暴露部份108上，流體端口110可從中穿過而形成致使支撐元件104的流體通道106可流體耦接至流體晶粒102的流體端口110。
此外，裝置100可包括電氣連接至流體晶粒102的傳導性元件112。該傳導性構件可穿過構件開孔114致使傳導性構件112的一部份可暴露於流體通道106。如此一實施例所示，流體晶粒102及傳導性構件112的基板可連接至電氣接地線。因此，當流體裝置100的通道106包括在其中的流體以及裝置100電氣連接時，電化學電池可由傳導性構件112與流體晶粒102基板形成。
在一些實施例中，當與流體通道之流體接觸時，使傳導性構件112與流體晶粒102耦接在一起可促進電化學電池。在一些實施例中，流體晶粒102的基板可為矽。在一些實施例中，形成在傳導性構件112之暴露部份與流體晶粒102之暴露部份108之間的電化學電池可減少流體晶粒102之暴露部份108由傳導性構件112與流體晶粒102之間的電蝕效應(galvanic effect)引起的侵蝕，其中流體通道的流體用作電解液。在此類實施例中，可減少流體晶粒102暴露於流體之表面的侵蝕，包括流體端口的表面，流體腔室的表面，及/或流體晶粒102的背面。在一些實施例中，該流體可具有大於約7的pH值。在一些實施例中，該流體可具有大於約8的pH值。在一些實施例中，該流體的pH值可在約7至約9的範圍內。在此類實施例中，該傳導性構件可包含金，鉭，鍍金，及/或鍍鉭。
此外，在一些實施例中，傳導性構件112暴露於流體通道106的表面積可大於流體晶粒102暴露於流體通道106的表面積。例如，流體晶粒102暴露於流體通道的表面積可為第一表面積，且傳導性構件112暴露於流體通道的表面可為第二表面積。在一些實施例中，該第二表面積可大於該第一表面積。在其他實施例中，該第二表面積可小於該第一表面積。在其他實施例中，該第一表面積與該第二表面積可大約相等。在一些實施例中，第二表面積與第一表面積的比可在約1：1至約5：1之間。在一些實施例中，第二表面積與第一表面積的比可約為3：1。在一些實施例中，第二表面積與第一表面積的比可約為2.5：1至約3.5：1。在一些實施例中，第二表面積與第一表面積可大於約5：1。在一些實施例中，第二表面積與第一表面積的比可小於約1：1(例如，0.9：1，0.8：1，0.5：1，等等)。
圖3提供圖示示範流體裝置150之一些組件的方塊圖。在此實施例中，流體裝置150包含形式為匣筒外殼(cartridge housing)152的支撐元件。匣筒外殼152包括形成於其中的至少一流體貯器154，且匣筒外殼152進一步包含形成於其中用於各個流體貯器154的至少一流體通道156。
此外，裝置150包括耦接至外殼152的至少一流體晶粒158。至少一流體晶粒158的背面160包括形成於其中的流體端口162。類似其他的實施例，各流體晶粒158的背面160之至少一部份暴露於形成於支撐元件中的流體通道156，在此實施例中，該支撐元件對應至匣筒外殼152。在此實施例中，流體端口162流體耦接至各個流體通道156，且流體通道156流體耦接至各個流體貯器154。因此，流體經由流體通道156可從流體貯器154傳輸到流體晶粒158的流體端口162。
在此實施例中，裝置150包括接合且穿過構件開孔166的至少一傳導性構件164致使傳導性構件164的至少一部份暴露於流體通道156。如圖示，傳導性構件164電氣連接至至少一流體晶粒158。如在其他實施例中所述，傳導性構件164與流體晶粒158可電氣連接至共同接地。藉由電氣接地傳導性構件164及流體晶粒158，當傳導性構件164及流體晶粒158與流體通道156的流體接觸時，在其間可形成電化學電池。在此類實施例中，由傳導性構件164、流體晶粒158及流體通道156之流體形成的電化學電池可減少及/或防止流體晶粒158之表面由與其接觸之流體造成的侵蝕。
此時翻到圖4，此圖提供圖示示範流體裝置200之一些組件的方塊圖。流體裝置200包括與至少一流體晶粒204耦接的支撐元件202。支撐元件202包括形成於其中的至少一流體通道206。至少一流體晶粒204的背面208包括形成於其中的流體端口210。類似其他的實施例，各流體晶粒204的背面208之至少一部份暴露於各個流體通道206。在此實施例中，流體端口210流體耦接至各個流體通道206，以及流體通道206。因此，流體經由流體通道206可傳輸到流體晶粒204的流體端口210。
此外，各流體晶粒204進一步包括流體耦接至流體端口210的噴射腔室212。設置在各噴射腔室212中的流體晶粒204包括流體致動器214。各噴射腔室212流體耦接至各個噴嘴216。各噴嘴216延伸穿過一層流體晶粒204且在噴嘴孔口220處的流體晶粒204之正面218結尾。在與圖4實施例類似的實施例中，流體裝置200可對應至流體噴射裝置。在此類實施例中，藉由致動流體致動器214，可通過彼之噴嘴216可控地分配流體液滴。流體噴射裝置的一些實施例可包括列印頭，數位滴定裝置，及/或可控地分配小容積(例如，皮升等級、微升等級等等)之流體的其他此類微流體裝置。
此外，在此實施例中，裝置200包括接合且穿過支撐元件202之構件開孔232的至少一傳導性構件230致使傳導性構件230的至少一部份暴露於流體通道206。如圖示，傳導性構件230電氣連接至至少一流體晶粒204。如在其他實施例中所述，傳導性構件230與流體晶粒204可電氣連接至共同接地。藉由電氣接地傳導性構件230與流體晶粒204，當傳導性構件230及流體晶粒204與流體通道206的流體接觸時，在其間可形成電化學電池。
圖5提供示範流體裝置250的展開等角視圖。在此實施例中，流體裝置250包括形式為匣筒外殼252的支撐元件。如圖示，該匣筒外殼可包括包含至少一流體晶粒256之流體晶粒總成254可設置於其中的凹陷部253。如圖示，流體裝置250可包括穿過匣筒外殼252而形成的構件開孔258，且可將傳導性構件260的形狀製作成它可位於構件開孔258中。傳導性黏著劑262可設置在傳導性構件260與流體晶粒總成254之間致使傳導性黏著劑262使傳導性構件260黏著至匣筒外殼252且使傳導性構件260連接至流體晶粒256。在此實施例中，該流體晶粒總成包括與傳導性黏著劑262接觸的傳導性跡線264，且傳導性跡線264促成流體晶粒256與傳導性構件260的電氣連接。此外，如在此實施例中所示，匣筒外殼252包括穿過匣筒外殼252而形成且位於凹陷部253中的流體通道266。儘管在此實施例中未圖示，然而應明白，當流體晶粒總成254位於凹陷部253中時，流體通道266與流體晶粒256的流體端口對齊。
圖6A至圖6D提供可實作於實施例中之各種傳導性構件的視圖。在圖6A中，傳導性構件300對應至有圓柱形狀的長形插銷，其具有：可將其大小經製作成可穿過構件開孔的第一部份302a；可接合支撐元件在構件開孔四周之肩部的第二部份302b；與，可接合支撐元件且有助於使傳導性構件300固定於支撐元件且電氣連接至流體晶粒的第三部份302c。在此實施例中，在接合且穿過構件開孔時，第一部份302a可對應至傳導性構件300的一部份，它可暴露於流體裝置之流體通道的流體。因此，第一部份302a可具有有助於電化學電池之形成的表面積，如本文所述。圖6B圖示示範傳導性構件320。在此實施例中，傳導性構件320有其大小經製作成可穿過支撐構件之構件開孔的第一部份322a，如本文所述。此外，第一部份322a可暴露於位在構件開孔中的流體通道。在此實施例中，傳導性構件320可包括形成於第一部份322a中的開孔324。在與圖6B之實施例類似的實施例中，開孔324可經形成傳導性構件320中將會暴露於流體通道的部份可具有一特定表面積，在此該表面積可致能如本文所述之電化學電池的形成。傳導性構件320可進一步包括：可接合支撐構件緊鄰構件開孔之一部份的第二部份322b以有助於使傳導性構件320固定於支撐元件。在圖6C中，傳導性構件340包括在傳導性構件340之第一部份344上的一或多個肋條或凸起342。類似其他的實施例，肋條或凸起的大小及個數可對應至傳導性構件將會暴露於流體通道的表面積。
圖6D為沿著圖6A傳導性構件300之直線D-D繪出的橫截面圖。在一些實施例中，傳導性構件可由一種以上的材料形成。在圖6D的實施例中，該傳導性構件可具有由第一材料形成的核心360，其至少部份被一層362第二材料圍封。傳導性構件的實施例可至少部份由以下各者形成：金，金合金，鎳，鎳合金，鉭，鉭合金，鋁，鋁合金，不鏽鋼，各種塑膠，或彼等之任何組合。在一實施例中，傳導性構件的核心可由鍍上外金層(outer gold layer)的鎳合金形成。在另一實施例中，傳導性構件的核心可為不鏽鋼，該不鏽鋼核心可鍍上一層鎳然後一層金。在另一實施例中，該傳導性構件可包括由塑膠形成的核心，且該核心可鍍上一層鎳然後一層金。其他實施例可包括有助於電氣傳導之各種示範材料的各種組合。
圖7提供圖5之流體裝置250的等角俯視圖。圖8提供沿著圖7之直線E-E繪出的橫截面圖。如在這些視圖中所示，流體晶粒總成254可設置於匣筒外殼252的凹陷部253中致使在流體晶粒256背面上的流體端口(未圖示)可對齊且流體耦接至匣筒外殼252的流體通道266(圖示於圖5及圖8)。此外，圖7至圖8的視圖圖示傳導性構件260在構件開孔258中的對齊。如上述，傳導性黏著劑262可設置於傳導性構件260上，且傳導性黏著劑262可接合及電氣連接至傳導性構件260和流體晶粒總成254的傳導性跡線264以藉此電氣連接傳導性構件260與流體晶粒256。如在圖8中所示，至少傳導性構件260的一部份260a可暴露於流體通道266。
圖9提供圖示示範流體裝置400的方塊圖。在此實施例中，流體裝置400包括耦接至支撐元件404的複數個流體晶粒402。在此實施例中，該流體晶粒包括有噴嘴孔口406形成於彼之正面408上的噴嘴。儘管未圖示但是前面實施例已予描述，各噴嘴可流體耦接至噴射腔室，且各噴射腔室可流體耦接至形成於背面(亦即，與正面408相反的表面)中的流體端口。此外，應注意，在此實施例中，複數個流體晶粒402通常以交錯且重疊的方式沿著支撐元件404的寬度配置。
支撐元件404包括形成於其中的流體通道410。流體通道410以虛線圖示以表明該等通道係穿過支撐元件404的背面而形成。如圖示，流體晶粒402與流體通道410中之一者對齊致使各晶粒402之背面的至少一部份暴露於對齊的流體通道410。因此，形成於流體晶粒402背面上的流體端口流體耦接至對齊的流體通道410。此外，流體裝置400包括傳導性構件412。與前面的實施例類似，各傳導性構件412可對齊流體通道410且位於支撐元件404的構件開孔中致使傳導性構件412的至少一部份暴露於流體通道410。此外，各傳導性構件412經由傳導性跡線414可電氣連接至複數個流體晶粒402中之一些。
圖10的流程圖500圖示可執行以形成如本文所述之流體裝置的製程之示範運作。如圖示，至少一傳導性構件可耦接至支撐元件(區塊502)。如在本文所提供的一些實施例中所示，傳導性構件的至少一部份可穿過形成於支撐元件中的構件開孔，且傳導性構件的一部份可接合且緊鄰支撐元件的表面。在一些實施例中，傳導性構件可壓入配合於支撐元件的構件開孔中。在一些實施例中，傳導性構件可嵌件模製(insert mold)於支撐元件的構件開孔中。至少一流體晶粒可耦接至支撐元件(區塊504)。如在其他實施例中所述，經由黏著劑、模製及/或其他此類耦接製程，流體晶粒可耦接至支撐元件。在一些實施例中，至少一流體晶粒與支撐元件的耦接可包含耦接包括至少一流體晶粒的流體晶粒總成與支撐元件。可電氣連接該至少一流體晶粒與該至少一傳導性構件(區塊506)。如在本文所提供的一些實施例中所示，流體晶粒與傳導性構件可經由傳導性跡線電氣連接。在一些實施例中，傳導性黏著劑可設置在流體晶粒的電氣接點與傳導性構件之間。在其他實施例中，用焊接傳導性跡線或打線接合件，傳導性構件可電氣連接至流體晶粒。
因此，本文所提供的實施例可提供包括電氣連接至流體晶粒之傳導性構件的流體噴射裝置。傳導性構件及流體晶粒的部份可暴露於流體通道。由於流體晶粒與傳導性構件電氣連接，在傳導性構件、流體晶粒、流體通道的流體之間可形成電化學電池。在一些實施例中，如本文所述之電化學電池的形成可減少流體與流體晶粒的暴露表面相互作用。在一些實施例中，用描述於本文之實施例促成的電化學電池可減少流體晶粒之暴露表面的侵蝕。
已提出前述說明以圖解說明及描述所述原理的實施例。此說明非旨在窮盡或限制這些原理為所揭露的任何確切形式。如本文所使用的，關於數值的「大約」可表示±10%的範圍。此外，儘管本文描述各種實施例，然而可組合及/或移除考慮到之各種實施例的元件及/或元件組合。例如，本文所提供於圖10流程圖中的運作可依序、同時或以不同的次序進行。此外，圖示於圖1至圖9之實施例的組件在任何其他附圖中可增加任何數量及/或移除。鑑於本說明，有可能有許多修改及變體。因此，提供於附圖及描述於本文的前述實施例不應被視為要限制本揭示內容的範疇，其係界定於專利請求項中。
10:示範流體裝置 12:支撐元件 14:流體晶粒 16:流體通道 20:背面 22:構件開孔 24:傳導性構件 26:流體端口 28:感測器元件 100:流體裝置 102:流體晶粒 104:支撐元件 105:背面 106:流體通道 108:背面105的(暴露)部份 110:流體端口 112:傳導性元件 114:構件開孔 150:示範流體裝置 152:匣筒外殼 154:流體貯器 156:流體通道 158:流體晶粒 160:背面 162:流體端口 164:傳導性構件 166:構件開孔 200:示範流體裝置 202:支撐元件 204:流體晶粒 206:流體通道 208:背面 210:流體端口 212:噴射腔室 214:流體致動器 216:噴嘴 218:正面 220:噴嘴孔口 230:傳導性構件 232:構件開孔 250:示範流體裝置 252:匣筒外殼 253:凹陷部 254:流體晶粒總成 256:流體晶粒 258:構件開孔 260:傳導性構件 260a:傳導性構件260的一部份 262:傳導性黏著劑 264:傳導性跡線 266:流體通道 300:傳導性構件 302a:第一部份 302b:第二部份 302c:第三部份 320:示範傳導性構件 322a:第一部份 322b:第二部份 324:開孔 340:傳導性構件 342:肋條或凸起 344:第一部份 360:核心 362:第二材料層 400:示範流體裝置 402:流體晶粒 404:支撐元件 406:噴嘴孔口 408:正面 410:流體通道 412:傳導性構件 414:傳導性跡線 500:流程圖 502-506:區塊
圖1A至圖1B為圖示示範流體噴射裝置之一些組件的方塊圖。
圖2A至圖2B為圖示示範流體噴射裝置之一些組件的不同視圖。
圖3為圖示示範流體噴射裝置之一些組件的方塊圖。
圖4為圖示示範流體噴射裝置之一些組件的方塊圖。
圖5為示範流體噴射裝置的展開等角視圖。
圖6A至圖6C的等角視圖圖示可實作於描述於本文之流體噴射裝置中的示範傳導性構件。
圖6D為圖6A之示範傳導性構件的橫截面圖。
圖7為示範流體噴射裝置之一些組件的等角俯視圖。
圖8為示範流體噴射裝置之一些組件的橫截面圖。
圖9為示範流體噴射裝置之一些組件的上視圖。
圖10為圖示示範製程之運作的流程圖。
附圖中，用相同的元件符號表示類似但不一定相同的元件。附圖不一定按比例繪製，且跨大有些部份的尺寸以更清楚地圖解說明圖示實施例。此外，附圖提供與本說明一致的實施例及/或實作；不過，本說明不受限於附圖所提供的實施例及/或實作。
10:示範流體裝置
12:支撐元件
14:流體晶粒
16:流體通道
20:背面
22:構件開孔
24:傳導性構件

Claims (15)

  1. 一種流體裝置，其包含： 有一背面的一流體晶粒； 耦接至該流體晶粒的一支撐元件，該支撐元件有形成於其中之一流體通道，該流體通道暴露該流體晶粒之該背面之至少一部份，該支撐元件進一步有穿過該支撐元件的一構件開孔；與 連接至該流體晶粒的一傳導性構件，該傳導性構件至少部份設置在該構件開孔中致使該傳導性構件的一部份暴露於該支撐元件之該流體通道。
  2. 如請求項1之流體裝置，其中，該流體晶粒包括複數個流體端口，該等流體端口穿過該流體晶粒之該背面而形成，致使該支撐元件之該流體通道係流體耦接至該流體晶粒之該等流體端口，該流體裝置進一步包含： 耦接至該支撐元件的一匣筒外殼，該匣筒外殼有設置於其中的一流體貯器，該流體貯器經由該支撐元件之該流體通道來流體連接至該流體晶粒之該等流體端口。
  3. 如請求項1之流體裝置，其中，該傳導性構件與該流體晶粒係電氣連接至一共同接地。
  4. 如請求項3之流體裝置，其中，該傳導性構件將會在與該流體通道的流體接觸時與該流體晶粒一起形成一電化學電池。
  5. 如請求項1之流體裝置，其中，該流體晶粒之該背面有暴露於該流體通道的第一表面積，該傳導性構件有暴露於該流體通道的第二表面積，且該第二表面積大於該第一表面積。
  6. 如請求項1之流體裝置，其中，該流體晶粒包含一矽基板。
  7. 如請求項1之流體裝置，其中，該流體晶粒包括了設置於彼之該背面上的至少一感測器元件。
  8. 如請求項1之流體裝置，其中，該流體晶粒進一步包括： 穿過該流體晶粒之該背面而形成的複數個流體端口，該等複數個流體端口係流體耦接至該支撐元件之該流體通道； 形成於該流體晶粒中的複數個流體腔室，該等流體腔室係流體耦接至該等流體端口； 穿過該流體晶粒之一頂面而形成的複數個噴嘴，該等複數個噴嘴係流體耦接至該等流體腔室；與 複數個流體致動器，該等複數個流體致動器設置於該等複數個流體腔室中。
  9. 如請求項1之流體裝置，其進一步包含： 使該傳導性構件黏著至該支撐元件且使該傳導性構件連接至該流體晶粒的一傳導性黏著劑。
  10. 一種流體裝置，其包含： 有一流體通道形成於其中的一匣筒外殼，該匣筒外殼進一步有穿過它的一構件開孔； 耦接至該匣筒外殼的一流體晶粒，該流體晶粒有形成於彼之背面中的複數個流體端口，該流體晶粒之該背面之至少一部份暴露於該流體通道，致使該流體通道流體耦接至該等流體端口； 一流體貯器，其設置於該外殼內且流體耦接至該流體通道，致使該流體貯器經由該流體通道及該等流體端口供應流體至該流體晶粒；與 一傳導性構件，其電氣連接至該流體晶粒且至少部份設置於該構件開孔中，致使該傳導性構件的一部份暴露於該流體通道。
  11. 如請求項10之流體裝置，其中，該傳導性構件與該流體晶粒係電氣連接至一共同接地，致使該傳導性構件、該流體晶粒和該流體通道的流體形成一電化學電池。
  12. 如請求項10之流體裝置，其中，該傳導性構件由一核心與一外層形成，該核心由一第一材料形成，且該外層由一第二材料形成。
  13. 如請求項10之流體裝置，其中，該流體晶粒進一步包含： 形成於該流體晶粒中的複數個流體腔室，該等流體腔室係流體耦接至該等流體端口； 穿過該流體晶粒之一頂面而形成的複數個噴嘴，該等複數個噴嘴係流體耦接至該等流體腔室；與 複數個流體致動器，該等複數個流體致動器係設置於該等複數個流體腔室中。
  14. 一種流體裝置，其包含： 複數個流體晶粒； 耦接至該等複數個流體晶粒的一支撐元件，該支撐元件有形成於其中的至少一流體通道，該至少一流體通道暴露該等複數個流體晶粒中之各流體晶粒之一背面的至少一部份，該支撐元件有從中穿過而形成的至少一構件開孔；與 至少一傳導性構件，其耦接至該支撐元件且穿過該至少一構件開孔，致使該至少一傳導性構件的至少一部份暴露於該至少一流體通道，該至少一傳導性構件連接至該等複數個流體晶粒。
  15. 如請求項14之流體裝置，其中，該等複數個流體晶粒中之各流體晶粒包含一矽基板，該至少一傳導性構件與各流體晶粒係連接至一共同接地，致使該至少一傳導性構件與該等複數個流體晶粒將會在與該流體通道之流體接觸時形成一電化學電池。
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