TW202038464A - 光電二極體陣列 - Google Patents

光電二極體陣列 Download PDF

Info

Publication number
TW202038464A
TW202038464A TW108146748A TW108146748A TW202038464A TW 202038464 A TW202038464 A TW 202038464A TW 108146748 A TW108146748 A TW 108146748A TW 108146748 A TW108146748 A TW 108146748A TW 202038464 A TW202038464 A TW 202038464A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
organic
conductor
layer stack
reflective
Prior art date
Application number
TW108146748A
Other languages
English (en)
Inventor
吉蘭姆 費齊特
伊莉莎白 史畢區里
Original Assignee
英商弗萊克英納寶有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 英商弗萊克英納寶有限公司 filed Critical 英商弗萊克英納寶有限公司
Publication of TW202038464A publication Critical patent/TW202038464A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
    • H10K39/30—Devices controlled by radiation
    • H10K39/32—Organic image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
    • H01L27/14605—Structural or functional details relating to the position of the pixel elements, e.g. smaller pixel elements in the center of the imager compared to pixel elements at the periphery
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14689—MOS based technologies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/40—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising a p-i-n structure, e.g. having a perovskite absorber between p-type and n-type charge transport layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/60—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation in which radiation controls flow of current through the devices, e.g. photoresistors
    • H10K30/65—Light-sensitive field-effect devices, e.g. phototransistors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/81—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/81—Electrodes
    • H10K30/82—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

一種方法，所述方法包括在支撐膜上形成界定光電二極體陣列的第一層堆疊體；在原位形成於所述支撐膜上的所述第一層堆疊體之上形成第二層堆疊體，所述第二層堆疊體界定了電路，通過所述電路，能夠經由所述光電二極體陣列外部的導體陣列獨立地檢測每個光電二極體的光響應；其中形成所述第一層堆疊體包括在第一電極上沉積有機半導體材料，並且在所述有機半導體材料上沉積第二電極，其中所述電路包括具有光敏半導體通道的電晶體，並且所述第二電極還起到實質上阻擋光從所述支撐膜的方向入射到所述光敏半導體通道上的作用。

Description

光電二極體陣列
發明領域
本發明關於光電二極體陣列。
發明背景
包括光電二極體陣列的電子裝置可應用於例如指紋檢測器、靜脈圖案檢測器、圖像感測器、X射線檢測器等。
本發明的發明人已經對開發包括用於光電二極體的有源元件的有機半導體材料的光電二極體陣列進行了研究。
發明概要
本發明提供了一種方法，所述方法包括在支撐膜上形成界定光電二極體陣列的第一層堆疊體；在原位形成於所述支撐膜上的所述第一層堆疊體之上形成第二層堆疊體，所述第二層堆疊體界定了電路，通過所述電路，能夠經由所述光電二極體陣列外部的導體陣列獨立地檢測每個光電二極體的光響應；其中形成所述第一層堆疊體包括在第一電極上沉積有機半導體材料，並且在所述有機半導體材料上沉積第二電極，其中所述電路包括具有光敏半導體通道的電晶體，並且所述第二電極還起到實質上阻擋光從所述支撐膜的方向入射到所述光敏半導體通道上的作用。
根據一個實施例，沉積所述第二電極包括在所述有機半導體材料上沉積有機導體材料，以及在所述有機導體材料上沉積反射導體材料。
根據一個實施例，所述方法還包含：在所述有機半導體材料上沉積所述有機導體材料的連續層，在所述有機導體材料的連續層上沉積所述反射導體材料的連續層，以及圖案化所述有機導體材料的連續層和所述反射導體材料的連續層以界定一個或多個像素電極。
根據一個實施例，在每個像素電極的區域，有機導體材料圖案的邊緣與所述反射導體圖案的邊緣實質對齊。
根據一個實施例，所述方法還包括首先圖案化所述反射導體材料的連續層，隨後利用所述反射導體材料的圖案化層作為掩模來圖案化所述有機導體材料的連續層。
本發明還提供一種電子裝置，所述電子裝置包括支撐膜；第一層堆疊體，界定包含有機半導體材料的光電二極體陣列；以及第二層堆疊體，界定電路，通過所述電路，能夠經由所述光電二極體陣列外部的導體陣列獨立地檢測每個光電二極體的光響應；其中所述電路包括具有光敏半導體通道的電晶體；並且其中所述第一層堆疊體包括位於所述有機半導體材料與所述第二層堆疊體之間的電極，所述電極還起到實質上阻擋光從所述支撐膜的方向入射到所述光敏半導體通道上的作用。
根據一個實施例，所述第二電極包括在所述有機半導體材料上的有機導體材料，以及在所述有機導體材料上的反射導體材料層。
根據一個實施例，所述有機導體材料層和所述反射導體材料層是圖案化層，共同界定出一個或多個像素電極。
根據一個實施例，在每個像素電極的區域中，所述有機導體材料圖案的邊緣與所述反射導體圖案的邊緣實質對齊。
本發明還提供另一種方法，所述方法包括在支撐膜上形成界定光電二極體陣列的第一層堆疊體；在所述支撐膜上原位形成的所述第一層堆疊體之上形成第二層堆疊體，所述第二層堆疊體界定了電路，通過所述電路，能夠經由所述光電二極體陣列外部的導體陣列獨立地檢測每個光電二極體的光響應；其中形成所述第一層堆疊體包括在不對所述有機半導體材料進行任何等離子體預處理的情況下，用包含至少一種離聚物的陰極材料塗覆有機半導體材料。
根據一個實施例，所述電路包括具有光敏半導體通道的電晶體，並且其中所述方法包括用反射導體材料塗覆所述陰極材料，其中所述陰極材料和所述反射導體材料一起實質上阻擋光從所述支撐膜的方向入射到所述光敏半導體通道上。
根據一個實施例，所述陰極材料包括PEDOT:PSS。
根據一個實施例，所述反射半導體材料包括無機金屬。
較佳實施例之詳細說明 在一個示例實施例中，與光電二極體陣列相關聯的電路包括有機電晶體裝置(諸如有機薄膜電晶體(OTFT)裝置)。OTFT包括用於半導體通道的有機半導體(例如，有機聚合物或小分子半導體)。
為了簡單起見，附圖僅示出了兩個光電二極體，但是光電二極體陣列可以包括大量的光電二極體和用於經由光電二極體陣列外部的導體獨立地檢測所述大量光電二極體中的每一個的光響應的電路。光電二極體陣列外部的這些導體可以例如被路由到位於光電二極體陣列外部或位於光電二極體陣列背面的處理電路/晶片。
參考圖1a至1h，通過氣相沉積技術(諸如濺射)，將諸如金屬氧化物導體(例如，銦錫氧化物ITO)的透明導體材料沉積在包括例如透明塑膠支撐膜的透明支撐組件2上。透明塑膠支撐膜可形成所得裝置的主要結構元件，並且在沉積透明導體材料之前可在一個或兩個表面上具有塗層。然後，圖案化透明導體材料層，例如借由通過光致抗蝕劑掩模進行蝕刻以界定下像素電極陣列4。
通過液體處理技術(例如旋塗、噴墨印刷、棒塗)，將[022] 在感興趣的電磁頻率區域(例如，可見光區域和/或紅外光區域)中具有帶隙的有機半導體材料(例如，有機半導體聚合物)溶液的膜沉積在透明導體圖案4上，然後乾燥以去除溶劑。考慮到該有機半導體響應暴露於感興趣的頻率區域中的電磁輻射而產生電荷載流子對的關鍵功能，在下文中將該有機半導體稱為光敏半導體。還圖案化所得的光敏有機半導體層以界定光敏有機半導體島陣列6(例如，通過使用光致抗蝕劑掩模的光刻技術)，每個半導體島與相應的下像素陽極4接觸，但保留所述相應的下像素陽極4的一部分是暴露的，用於之後形成的導電夾層向下連接至下像素陽極4。
例如，在沉積光敏有機半導體之前可以先沉積另一有機半導體，該另一有機半導體不一定在感興趣的電磁頻率區域具有帶隙，但是起到促進在光敏有機半導體中產生的電荷載流子向陽極4移動的作用；和/或可以在光敏有機半導體的沉積之後，沉積另一有機半導體，該另一有機半導體在感興趣的電磁頻率區域中不一定具有帶隙，但具有促進在光敏有機半導體中生成的電荷載流子運動到陰極8、9的作用。這樣的兩層、三層或更多層的有機半導體層的堆疊體可以在單個步驟中被圖案化以界定有機半導體島陣列。再者，每個半導體島與相應的下像素陽極4接觸，但保留所述相應的下像素陽極4的一部分是暴露的，用於之後形成的導電夾層向下連接到下像素陽極4。
在有機半導體圖案(包括有機半導體層或有機半導體層的堆疊體)6的上表面不進行任何等離子體預處理的情況下，然後通過液體處理技術(例如旋塗)，將一種或多種離聚物溶液(諸如聚(3，4-亞乙基二氧噻吩)(PEDOT)和聚對苯乙烯磺酸鹽(PSS)的混合物)的連續膜8沉積在半導體圖案6上，並乾燥以去除溶劑。接下來，通過氣相沉積技術(諸如濺射)，在離聚物層8上沉積例如是反射無機金屬層的反射導體材料的連續層9，反射無機金屬諸如銀、金、鉬、鋁或鉭。然後通過光刻技術將連續反射導體層9圖案化以產生圖案化的反射導體層9。例如，光刻技術可以包括：在連續反射導體層9上沉積光致抗蝕劑材料(未示出)，照射光致抗蝕劑的選定部分以在所述光致抗蝕劑層中產生潛在的溶解度圖案，將所述潛在的溶解度圖案顯影以產生圖案化的光致抗蝕劑層，然後使用所述圖案化的光致抗蝕劑層作為掩模通過以下方式對下面的連續反射導體層9進行圖案化，所述方式例如將工件浸入酸溶液中反應性地去除通過圖案化的光致抗蝕劑暴露的反射導體層9的一部分。然後將所得的反射導體材料的圖案化層本身用作掩模以圖案化下面的連續離聚物層8(通過例如反應性離子蝕刻(RIE))，並形成像素電極陣列，每個像素電極包括在有機半導體6上方的離聚物8和在離聚物8上的反射導體材料9。該技術使得反射導體層和離聚物層中的圖案實質上對準。
所得的像素陰極陣列的每個像素陰極8、9與相應的半導體島6接觸，並且不與相應的像素陽極4有任何直接接觸。有機半導體表面的等離子體預處理可用於促進使用一種或多種離聚物(例如PEDOT：PSS混合物)對有機半導體表面進行緊密塗覆，但是本申請的發明人發現等離子處理會損害有機半導體並降低其性能，並且為了補償沒有等離子體預處理，該實施例取而代之的是用增加的離聚物8的厚度塗覆未處理的有機半導體表面。在該實施例中，通過將離聚物8放置在光敏半導體6和電路之間來有利地利用離聚物厚度的增加，其如下所述的包括具有光敏半導體通道的OTFT。在該位置，由離聚物8的厚度增加引起的離聚物層8的光吸收增加不會減少光在光敏半導體6上的入射。此外，厚離聚物層8的增加的光吸收也有利地起到以下作用：減少了光從塑膠支撐膜2的方向入射到光敏半導體通道上的情況。通過厚的離聚物層8的這種遮蔽被用於補充對離聚物層8進行圖案化的反射導體層9。厚的離聚物層8和上面的反射導體層9一起起到實質上阻止光從塑膠支撐膜2的方向入射在光敏半導體通道上的作用。
在形成圖案化的陰極層9之後，沉積一個或多個有機電絕緣層14。然後，對這些一個或多個絕緣層14進行圖案化，以界定向下延伸到每個像素陽極4和每個像素陰極8、9的貫穿孔(通孔)16。接下來沉積導體材料，通過例如氣相沉積貴金屬，以形成在絕緣層圖案14上延伸的導體層。圖案化所述導體層以形成用於OTFT陣列的源極-漏極導體圖案20、22和公共導體線(COM線)陣列18。源極-漏極導體圖案20、22界定至少(i)源極導體陣列20，每個源極導體延伸到光電二極體陣列的外部區域以及向與相應光電二極體相關聯的OTFT的相應行提供源極電極；和(ii)漏極導體陣列22，每個漏極導體向相應OTFT提供漏極電極並經由相應貫穿孔16與相應的光電二極體的陰極8、9接觸。每個COM線18經由貫穿孔16連接到光電二極體相應行的像素陽極4，並且還延伸到光電二極體陣列的外部區域。
有機半導體材料24沉積在導體圖案18, 20, 22上，並被圖案化以形成半導體島陣列24，每個半導體島為相應OTFT提供半導體通道。柵極介電層或柵極介電層的堆疊體26形成在半導體圖案上以形成每個OTFT的柵極電介質。
通過例如氣相沉積貴金屬，[028] 在柵極電介質層26上沉積導體材料，並圖案化形成柵極導體陣列28。每個柵極導體28為OTFT的相應列提供柵極電極，由此每個OTFT與柵極和源極導體的相應獨特組合關聯，使得獨立檢測陣列中的每個光電二極體的光響應成為可能。
可以在柵極導體圖案28上方添加其他層，諸如頂部封裝層30.以保護OTFT陣列和光電二極體陣列，防止潛在的降解物質諸如氧氣和水氣的進入。
如上所述，在該實施例中，利用了厚的離聚物層8和用於對離聚物層8進行圖案化的反射導體層9，以遮蔽OTFT陣列的光敏半導體通道，防止光從支撐組件2的方向入射(這光會影響OTFT的電流-電壓(IV)特性，從而使檢測器輸出的可靠性降低)，並且圖1的實施例的特徵在於像素電極8、9和OTFT的半導體通道之間沒有任何遮光層(例如金屬層)。圖2示出了圖1a至1h所示的技術的一種變型，其中將附加的遮光層12結合到器件架構中。圖1的絕緣層14在圖2中設置為絕緣層10、14的堆疊體，並且在沉積第二絕緣層14之前先沉積導體材料(例如，通過氣相沉積貴金屬)形成導體層，然後對該導體層進行圖案化以界定導體線陣列，每個導體線位於OTFT的相應行的半導體通道區域中。
另一變型(未示出)涉及通過附加的絕緣層，用柵極導體圖案28上方的導體平面代替COM線18，該導體平面經由貫穿孔16和在所述附加的絕緣層中的其他貫穿孔與所有像素陽極4接觸。
除了上面明確提到的任何修改之外，對於本領域技術人員顯而易見的是，可以在本發明的範圍內對所描述的實施例進行各種其他修改。
申請人在此單獨公開了本文所述的每個單獨的特徵以及兩個或更多個這樣的特徵的任意組合，達到根據本領域技術人員的知識，總體上基於本申請說明書能夠執行這樣的特徵或組合的程度，而不論這些特徵或特徵的組合是否解決了本文公開的任何問題，並且不限於申請專利範圍的範圍。申請人指出，本發明的各個方面可以由任何這樣的單個特徵或特徵的組合組成。
2:透明支撐組件 4:像素電極陣列;像素陽極;電荷載流子向陽極 6:光敏有機半導體島陣列;半導體圖案;有機半導體;光敏半導體 8:離聚物層; 像素電極;像素陰極 9:連續層;反射導體層;陰極層; 像素電極; 像素陰極 10:絕緣層 12:遮光層 14:絕緣層圖案; 絕緣層 16:貫穿孔 18:公共導體線(COM線)陣列;COM線;導體圖案 20:源極導體陣列; 導體圖案 22:源極-漏極導體圖案; 導體圖案 24:有機半導體材料 26:堆疊體 28:柵極導體陣列
下面僅通過舉例的方式，參考附圖詳細描述本發明的實施例，其中： 圖1a至1h示出了根據本發明示例實施例的技術； 圖2示出了圖1a至1h的技術的變型。
2:透明支撐組件
4:像素電極陣列；像素陽極；電荷載流子向陽極
6:光敏有機半導體島陣列；半導體圖案；有機半導體；光敏半導體
8:離聚物層；像素電極；像素陰極
9:連續層；反射導體層；陰極層；像素電極；像素陰極
14:絕緣層圖案；絕緣層
16:貫穿孔

Claims (13)

  1. 一種方法，其特徵在於，所述方法包括在支撐膜上形成界定光電二極體陣列的第一層堆疊體；在原位形成於所述支撐膜上的所述第一層堆疊體之上形成第二層堆疊體，所述第二層堆疊體界定了電路，通過所述電路，能夠經由所述光電二極體陣列外部的導體陣列獨立地檢測每個光電二極體的光響應；其中形成所述第一層堆疊體包括在第一電極上沉積有機半導體材料，並且在所述有機半導體材料上沉積第二電極，其中所述電路包括具有光敏半導體通道的電晶體，並且所述第二電極還起到實質上阻擋光從所述支撐膜的方向入射到所述光敏半導體通道上的作用。
  2. 如請求項1所述的方法，其中，沉積所述第二電極包括在所述有機半導體材料上沉積有機導體材料，以及在所述有機導體材料上沉積反射導體材料。
  3. 如請求項2所述的方法，其中，所述方法包含：在所述有機半導體材料上沉積所述有機導體材料的連續層，在所述有機導體材料的連續層上沉積所述反射導體材料的連續層，以及圖案化所述有機導體材料的連續層和所述反射導體材料的連續層以界定一個或多個像素電極。
  4. 如請求項3所述的方法，其中，在每個像素電極的區域中，有機導體材料圖案的邊緣與所述反射導體圖案的邊緣實質對齊。
  5. 如請求項4所述的方法，其中，所述方法包括首先圖案化所述反射導體材料的連續層，隨後利用所述反射導體材料的圖案化層作為掩模來圖案化所述有機導體材料的連續層。
  6. 一種電子裝置，其特徵在於，所述電子裝置包括支撐膜；第一層堆疊體，界定包含有機半導體材料的光電二極體陣列；以及第二層堆疊體，界定電路，通過所述電路，能夠經由所述光電二極體陣列外部的導體陣列獨立地檢測每個光電二極體的光響應；其中所述電路包括具有光敏半導體通道的電晶體；並且其中所述第一層堆疊體包括位於所述有機半導體材料與所述第二層堆疊體之間的電極，所述電極還起到實質上阻擋光從所述支撐膜的方向入射到所述光敏半導體通道上的作用。
  7. 如請求項6所述的電子裝置，其中，所述第二電極包括在所述有機半導體材料上的有機導體材料，以及在所述有機導體材料上的反射導體材料層。
  8. 如請求項7所述的電子裝置，其中，所述有機導體材料層和所述反射導體材料層是圖案化層，共同界定出一個或多個像素電極。
  9. 如請求項8所述的電子裝置，其中，在每個像素電極的區域中，所述有機導體材料圖案的邊緣與所述反射導體圖案的邊緣實質對齊。
  10. 一種方法，特徵在於，所述方法包括在支撐膜上形成界定光電二極體陣列的第一層堆疊體；在原位形成於所述支撐膜上的所述第一層堆疊體之上形成第二層堆疊體，所述第二層堆疊體界定了電路，通過所述電路，能夠經由所述光電二極體陣列外部的導體陣列獨立地檢測每個光電二極體的光響應；其中形成所述第一層堆疊體包括在不對所述有機半導體材料進行任何等離子體預處理的情況下，用包含至少一種離聚物的陰極材料塗覆有機半導體材料。
  11. 如請求項10所述的方法，其中，所述電路包括具有光敏半導體通道的電晶體，並且其中所述方法包括用反射導體材料塗覆所述陰極材料，其中所述陰極材料和所述反射導體材料一起實質上阻擋光從所述支撐膜的方向入射到所述光敏半導體通道上。
  12. 如請求項10或11所述的方法，其中，所述陰極材料包括PEDOT:PSS。
  13. 如請求項11或12所述的方法，其中，所述反射半導體材料包括無機金屬。
TW108146748A 2018-12-21 2019-12-19 光電二極體陣列 TW202038464A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB1820987.4A GB2580098A (en) 2018-12-21 2018-12-21 Photodiode arrays
GB1820987.4 2018-12-21

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202038464A true TW202038464A (zh) 2020-10-16

Family

ID=65364317

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108146748A TW202038464A (zh) 2018-12-21 2019-12-19 光電二極體陣列

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10971550B2 (zh)
CN (1) CN111354753A (zh)
GB (1) GB2580098A (zh)
TW (1) TW202038464A (zh)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI585955B (zh) * 2008-11-28 2017-06-01 半導體能源研究所股份有限公司 光感測器及顯示裝置
TWI551604B (zh) * 2010-07-13 2016-10-01 住友化學股份有限公司 有機半導體組成物、有機薄膜及具備該有機薄膜之有機薄膜電晶體
FR3025052B1 (fr) * 2014-08-19 2017-12-15 Isorg Dispositif de detection d'un rayonnement electromagnetique en materiaux organiques
WO2016104339A1 (ja) * 2014-12-25 2016-06-30 シャープ株式会社 フォトセンサ基板、及びその製造方法
KR102604434B1 (ko) * 2018-10-11 2023-11-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20200203433A1 (en) 2020-06-25
GB2580098A (en) 2020-07-15
CN111354753A (zh) 2020-06-30
US10971550B2 (en) 2021-04-06
GB201820987D0 (en) 2019-02-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6740884B2 (en) Imaging array and methods for fabricating same
US5399884A (en) Radiation imager with single passivation dielectric for transistor and diode
CN101983439B (zh) 有机薄膜晶体管
WO2020238912A1 (zh) 阵列基板及其制造方法、光检测方法及组件、显示装置
KR20060098522A (ko) 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
CN109004015B (zh) 一种盖板及其制作方法、显示面板及显示装置
US20190102018A1 (en) Touch display panel, method for fabricating the same, and touch display device
US20030201396A1 (en) Imaging array and methods for fabricating same
US7151342B2 (en) Processes for removing organic layers and organic electronic devices formed by the processes
JP7019577B2 (ja) 上部透明電極を有する光電子アレイデバイス
US20240049524A1 (en) Organic light-emitting display device and method of manufacturing same
CN111785745B (zh) 光传感器、光传感装置及其制备方法
WO2014015604A1 (zh) 传感器及其制造方法
TW202038464A (zh) 光電二極體陣列
CN111162112A (zh) 一种双面oled显示结构及制作方法
TW202105714A (zh) 包含薄膜電晶體和有機光二極體的影像感測器矩陣陣列裝置
US8586400B2 (en) Fabricating method of organic photodetector
CN110164946A (zh) 显示基板及制造方法、显示装置
CN212750898U (zh) 一种oled显示装置
CN211265481U (zh) 一种双面oled显示结构
US20190252632A1 (en) Pixelated sensor device with organic photoactive layer
KR20060097967A (ko) 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
EP2784840B1 (en) Method of manufacturing an organic device
TWI778087B (zh) 光檢測器陣列及其製造方法、以及包括光檢測器陣列之成像裝置
CN107958956B (zh) 有机薄膜晶体管元件及其制作方法