TW202032201A - 位置度量衡裝置及相關聯光學元件 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示一種包含一光學元件之度量衡裝置，該光學元件經組態以在該度量衡裝置之一光瞳平面處或附近接收至少：第一輻射，其包含一第一較高繞射階；及第二輻射，其包含由用輻射照明一度量衡目標產生之一零階；且經組態以在一第一方向上一起引導該第一輻射及該第二輻射。該度量衡裝置進一步經組態以形成至少一第一干涉圖案之一第一影像，該第一干涉圖案由該第一輻射及該第二輻射在一影像平面處的干涉產生。

Description

位置度量衡裝置及相關聯光學元件
本發明係關於用於在微影程序中量測位置資訊的裝置。
微影裝置為將所要之圖案施加至基板上(通常施加至基板的目標部分上)之機器。微影裝置可用於例如積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其替代地稱作遮罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。此圖案可轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含一個或若干個晶粒之部分)上。通常經由成像至設置於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經連續圖案化之相鄰目標部分之網路。已知的微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束掃描圖案同時平行或反平行於此方向同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上來將圖案自圖案化器件轉印至基板。
在複雜器件之製造中，通常執行許多微影圖案化步驟，由此在基板上之連續層中形成功能性特徵。因此，微影裝置之效能之關鍵態樣為相對於(藉由相同裝置或不同微影裝置)佈設於先前層中之特徵正確且準確地置放經施加圖案的能力。出於此目的，基板具備一或多組對準標記。每一標記為其位置可稍後使用位置感測器(通常為光學位置感測器)來量測之結構。微影裝置包括一或多個對準感測器，可藉由該等對準感測器準確地量測基板上之標記之位置。已知來自不同製造商及相同製造商之不同產品的不同類型之標記及不同類型之對準感測器。廣泛地用於當前微影裝置中的一種類型之感測器係基於如US 6961116 (den Boef等人)中所描述之自參考干涉計。通常，分別量測標記以獲得X及Y位置。然而，可使用在公開專利申請案US 2009/195768 A (Bijnen等人)中所描述之技術來執行組合式X及Y量測。在US2015355554A1 (Mathijssen)、WO2015051970A1 (Tinnemans等人)中描述對此類感測器之修改及應用。所有此等公開案之內容係以引用方式併入本文中。
為了監視微影程序，量測經圖案化基板之參數。參數可包括例如形成於經圖案化基板中或經圖案化基板上之連續層之間的疊對誤差。可對產品基板及/或對專用度量衡目標執行此量測。存在用於對在微影程序中形成之顯微結構進行量測的各種技術，包括使用掃描電子顯微鏡及各種特殊化工具。特殊化檢測工具之快速且非侵入性形式為散射計，其中輻射光束經引導至基板之表面上之目標上，且量測經散射或經反射光束之屬性。已知兩種主要類型之散射計。光譜散射計將寬頻帶輻射光束引導至基板上且量測散射至特定窄角範圍中之輻射之光譜(隨波長而變化的強度)。角解析散射計使用單色輻射光束且量測隨角度而變化的經散射輻射之強度。
已知散射計之實例包括US2006033921A1及US2010201963A1中所描述的類型之角解析散射計。由此類散射計使用之目標為相對較大(例如，40μm乘40μm)之光柵，且量測束產生小於光柵之點(亦即，光柵未填滿)。除了藉由重建構進行特徵形狀之量測以外，亦可使用此裝置來量測基於繞射之疊對，如公開專利申請案US2006066855A1中所描述。使用繞射階之暗場成像的基於繞射之疊對度量衡實現對較小目標之疊對量測。可在國際專利申請案WO 2009/078708及WO 2009/106279中找到暗場成像度量衡之實例，該等文件特此以全文引用之方式併入。公開專利公開案US20110027704A、US20110043791A、US2011102753A1、US20120044470A、US20120123581A、US20130258310A、US20130271740A及WO2013178422A1中已描述該技術之進一步發展。此等目標可小於照明點且可由晶圓上之產品結構包圍。可使用複合光柵目標來在一個影像中量測多個光柵。所有此等申請案之內容亦以引用之方式併入本文中。
在比當前所使用更小之目標(對準標記)上執行對準愈來愈合乎需要。
在本發明之一第一態樣中，提供一種包含一光學元件之度量衡裝置，該光學元件經組態以在該度量衡裝置之一光瞳平面處或附近接收至少：第一輻射，其包含一第一較高繞射階；及第二輻射，其包含由用輻射照明一度量衡目標產生之一零階；且經組態以在一第一方向上一起引導該第一輻射及該第二輻射，該度量衡裝置進一步經組態以形成至少一第一干涉圖案之一第一影像，該第一干涉圖案由該第一輻射及該第二輻射在一影像平面處的干涉產生。
在本發明之一第二態樣中，提供一種具有複數個光學表面之光學元件，該複數個光學表面包含至少：第一光學表面，其在一第一梯度方向上具有一第一梯度；及第二光學表面，其在一第二梯度方向上具有一第二梯度，由此經組態以在至少一第一方向或一第二方向上在其上引導角解析輻射的不同部分。
在本發明之一第三態樣中，提供一種可變衰減器，其包含：一第一鏡面元件及一第二鏡面元件，其間隔一距離順序地配置；及一致動器，其用於改變該第一鏡面元件與該第二鏡面元件之間的該距離。
下文參考隨附圖式詳細地描述本發明之其他態樣、特徵及優點，以及本發明之各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文所描述之特定實施例。本文中僅出於說明性目的呈現此類實施例。基於本文中所含之教示，額外實施例對於熟習此項技術者將為顯而易見的。
在詳細地描述本發明之實施例之前，呈現可供實施本發明之實施例的實例環境係具指導性的。
圖1在200處將微影裝置LA展示為實施高體積微影製造程序之工業生產設施之部分。在本實例中，製造程序適用於在諸如半導體晶圓之基板上製造半導體產品(積體電路)。熟習此項技術者將瞭解，可藉由以此程序之變化處理不同類型之基板來製造廣泛多種產品。半導體產品之生產僅僅用作現今具有巨大商業意義之實例。
在微影裝置(或簡言之，「微影工具」200)內，在202處展示量測站MEA且在204處展示曝光站EXP。在206處展示控制單元LACU。在此實例中，每一基板逗留於量測站及曝光站以具有經施加圖案。舉例而言，在光學微影裝置中，投影系統用以使用經調節輻射及投影系統來將產品圖案自圖案化器件MA轉印至基板上。此轉印係藉由在輻射敏感抗蝕劑材料層中形成圖案之影像來完成。
本文所使用之術語「投影系統」應廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。圖案化MA器件可為將圖案賦予至藉由圖案化器件透射或反射之輻射光束的遮罩或倍縮光罩。熟知操作模式包括步進模式及掃描模式。眾所周知，投影系統可以多種方式與用於基板及圖案化器件之支撐件及定位系統合作，以將所要圖案施加至基板上之許多目標部分。可使用可程式化圖案化器件來替代具有固定圖案之倍縮光罩。舉例而言，輻射可包括在深紫外(DUV)波帶或極紫外(EUV)波帶中之電磁輻射。本發明亦適用於例如利用電子束之其他類型之微影程序，例如，壓印微影及直寫微影。
微影裝置控制單元LACU控制各種致動器及感測器之所有移動及量測以接收基板W及倍縮光罩MA且實施圖案化操作。 LACU亦包括用以實施與裝置之操作相關的所要計算之信號處理及資料處理能力。在實踐中，控制單元LACU將實現為許多次單元之系統，該等次單元各自處置裝置內之次系統或組件之即時資料獲取、處理及控制。
在曝光站EXP處將圖案施加至基板之前，在量測站MEA處處理基板以使得可進行各種預備步驟。預備步驟可包括使用位準感測器來映射基板之表面高度，及使用對準感測器來量測基板上之對準標記的位置。對準標記以規則柵格圖案標稱地配置。然而，歸因於在產生標記時之不準確度且亦歸因於基板貫穿其處理而發生之變形，標記與理想柵格有偏差。因此，除了量測基板之位置及定向以外，對準傳感器在實踐中必須詳細地量測基板區域上之許多標記之方位(在裝置將以極高準確度在正確方位處印刷產品特徵的情況下)。裝置可為具有兩個基板台之所謂的雙載物台類型，該等基板台各自具有藉由控制單元LACU控制之定位系統。當在曝光站EXP處曝光一個基板台上之一個基板時，可在量測站MEA處將另一基板裝載至另一基板台上，使得可進行各種預備步驟。因此，對準標記之量測極為耗時，且設置兩個基板台使得能夠顯著增加裝置之產出量。若位置感測器IF不能夠在基板台處於量測站以及處於曝光站時量測基板台之位置，則可設置第二位置感測器以使得能夠在兩個站處追蹤基板台之位置。微影裝置LA可(例如)屬於所謂的雙載物台類型，其具有兩個基板台及兩個站--曝光站及量測站，在該等站之間可交換該等基板台。在替代實施例中，量測站為單獨度量衡或對準裝置之部分。在另一實施例中，基板在量測站與曝光站之間交換，其中每一站包含用以固持基板之單獨基板台，且在執行了對基板之量測之後自量測基板台卸載基板，且接著傳送至曝光站之基板台並裝載於曝光站之基板台上以進行曝光程序。
在生產設施內，裝置200形成「微影單元」或「微影叢集」之部分，該「微影單元」或「微影叢集」亦含有塗佈裝置208以用於將感光抗蝕劑及其他塗層施加至基板W以供由裝置200圖案化。在裝置200之輸出側處，設置烘烤裝置210及顯影裝置212以用於將經曝光圖案顯影至實體抗蝕劑圖案中。在所有此等裝置之間，基板處置系統負責支撐基板且將基板自一件裝置傳送至下一裝置。通常統稱為塗佈顯影系統之此等裝置係在塗佈顯影系統控制單元之控制下，該塗佈顯影系統控制單元自身受監督控制系統SCS控制，該監督控制系統SCS亦經由微影裝置控制單元LACU控制微影裝置。因此，不同裝置可經操作以最大化產出量及處理效率。監督控制系統SCS接收配方資訊R，該配方資訊R極詳細地提供待執行以產生每一經圖案化基板之步驟的定義。
一旦已在微影單元中施加及顯影圖案，就將經圖案化基板220傳送至諸如在222、224、226處說明之其他處理裝置。廣泛範圍之處理步驟係藉由典型製造設施中之各種裝置予以實施。出於實例起見，此實施例中之裝置222為蝕刻站，且裝置224執行蝕刻後退火步驟。在另外的裝置226等中應用另外的物理及/或化學處理步驟。可需要眾多類型之操作以製作真實器件，諸如，材料之沈積、表面材料特性之修改(氧化、摻雜、離子植入等)、化學機械研磨(CMP)等等。在實踐中，裝置226可表示在一或多個裝置中執行之一系列不同處理步驟。作為另一實例，可提供用於實施自對準多重圖案化之裝置及處理步驟，以基於藉由微影裝置佈設之前驅圖案來產生多個較小特徵。
眾所周知，半導體器件之製造涉及此處理之許多重複，以在基板上逐層地構建具有適當材料及圖案之器件結構。因此，到達微影叢集之基板230可為新近製備之基板，或其可為先前已在此叢集中或在另一裝置中完全地經處理之基板。類似地，取決於所需處理，離開裝置226上之基板232可返回以用於同一微影叢集中之後續圖案化操作，其可經指定以用於不同叢集中之圖案化操作，或其可為待發送以用於切割及封裝之成品。
產品結構之每一層需要不同的一組程序步驟，且用於每一層處之裝置226可在類型方面完全不同。另外，即使在待由裝置226應用之處理步驟標稱地相同的情況下，在大設施中亦可存在並行地工作以對不同基板執行步驟226之若干假設相同的機器。此等機器之間的設定之較小不同或缺陷可意謂其以不同方式影響不同基板。即使為每一層相對所共有之步驟(諸如蝕刻(裝置222))亦可藉由標稱地相同但並行地工作之若干蝕刻裝置實施以最大化產出量。此外，在實踐中，不同層根據待蝕刻之材料的細節及諸如例如各向異性蝕刻的特殊要求而需要不同蝕刻程序，例如化學蝕刻、電漿蝕刻。
先前及/或後續程序可在如剛才所提及之其他微影裝置中執行，且甚至可在不同類型之微影裝置中執行。舉例而言，器件製造程序中之在諸如解析度及疊對之參數上要求極高的一些層可相比於要求較不高之其他層而在更進階微影工具中執行。因此，一些層可曝光於浸潤型微影工具中，而其他層曝光於「乾式」工具中。一些層可曝光於在DUV波長下工作之工具中，而其他層係使用EUV波長輻射來曝光。
為了正確地且一致地曝光由微影裝置曝光之基板，需要檢測經曝光基板以量測屬性，諸如後續層之間的疊對誤差、線厚度、臨界尺寸(CD)等。因此，在其中定位有微影單元LC之製造設施亦包括接收已在微影單元中經處理之基板W中之一些或全部的度量衡系統。將度量衡結果直接地或間接地提供至監督控制系統SCS。若偵測到誤差，則可對後續基板之曝光進行調整，尤其是在可足夠迅速地且快速地完成度量衡而同一批次之其他基板仍待曝光的情況下。此外，已曝光之基板可經剝離及重加工以改良良率，或經拋棄，由此避免對已知有缺陷之基板執行進一步處理。在基板之僅一些目標部分有缺陷的狀況下，可僅對良好的彼等目標部分執行進一步曝光。
度量衡裝置240亦展示於圖1中，設置該度量衡裝置240以用於在製造程序中之所要載物台處執行對產品之參數的量測。現代微影生產設施中之度量衡站之常見實例為散射計，例如暗場散射計、角解析散射計或光譜散射計，且其可經應用以在裝置222中之蝕刻之前量測在220處之經顯影基板之屬性。在使用度量衡裝置240之情況下，可判定(例如)諸如疊對或臨界尺寸(CD)之重要效能參數並不符合經顯影抗蝕劑中之指定準確度要求。在蝕刻步驟之前，存在經由微影叢集剝離經顯影抗蝕劑且重新處理基板220的機會。藉由監督控制系統SCS及/或控制單元LACU 206隨著時間推移進行較小調整，可使用來自裝置240之度量衡結果242以維持微影叢集中的圖案化操作之準確效能，由此最小化產品不合規格且需要重加工之風險。
另外，度量衡裝置240及/或其他度量衡裝置(未展示)可經應用以量測經處理基板232、234及傳入的基板230之屬性。可在經處理基板上使用度量衡裝置來判定諸如疊對或CD之重要參數。
在藉由使用對準感測器來量測基板上之對準標記的位置以執行對準時，將對準標記間距之大小減小至例如100nm之數量級內(更具體而言，300至800nm之範圍內)係合乎需要的。亦合乎需要的係減小對準標記之面積(佔據面積)，以使得許多(例如數百或甚至數千)對準標記可全部容納於晶圓上方；包括晶粒內、產品結構之間，其中晶圓空間係「昂貴的」。
許多當前對準感測器(諸如在介紹中提及之公開案中所描述的彼等對準感測器)需要相互相干之共軛離軸束(例如其來源於同一單模式輻射源)。此允許使用暗場成像模式在對應繞射階之間進行干涉，其中零階通常經阻擋。已相信此暗場成像提供優於亮場成像之效能。然而，使用空間相干的輻射產生干涉假影(諸如斑點效應)，該等干涉假影對於對準量測具有影響，從而導致位置誤差。
因此，提出適合於對準或位置量測之度量衡器件，其使用空間不相干輻射，由此消除斑點問題，同時能夠對不同形式之小對準標記進行對準。為了解析(例如小於照明波長的)小標記節距，提出在亮場模式中成像，其中較高繞射階藉由(例如偵測器上或附近的)影像平面中之零階干涉。在實施例中，提供零階強度之衰減以改良對比度(例如將零階強度減小至與其正干涉之較高繞射階的大小類似之大小)。
進一步提出藉由對主要針對曝光後度量衡(例如針對疊對/聚焦/CD度量衡)所設計之現有度量衡器件進行相對小之修改來提供此對準度量衡器件。此度量衡工具能夠經由對應繞射階之同步(並行)偵測或單獨偵測(例如+1及-1繞射階之同步偵測)來執行暗場度量衡(例如DBO/DBF)。修改可包含在光瞳平面處或附近之合適的光學元件，該光學元件引導至少一個較高繞射階及零階以使得其在影像平面處干涉以形成干涉圖案，可根據該干涉圖案(例如藉由干涉條紋之位置)判定對準。在此內容背景中，可採用光瞳平面來意謂晶圓之傅立葉(Fourier)影像平面或其光學共軛平面.
在實施例中，光學元件可將對應(例如+1及-1)繞射階中之每一者連同零階引導至影像平面處之不同區，使得此等繞射階中之每一者在影像平面處與零階相干涉以形成可藉由偵測器分別地成像的對應干涉圖案。在特定之視情況選用之實施例中，光學元件亦可藉由(例如正交)方向來分隔繞射階。在進一步視情況選用之修改中，對準度量衡器件亦可包含用於零階信號之衰減器。
本文中亦揭示用於實施此對準度量衡器件且在實施例中適合於經由對當前暗場(例如曝光後)度量衡器件(諸如介紹中所提及之彼等中之任何者)進行相對簡單之修改來實施此器件之合適的光學元件及衰減器。
此度量衡器件將能夠使用不相干輻射來量測小間距目標，由此消除斑點問題。此度量衡器件可用作用於量測基板位置(例如量測週期性結構或對準標記相對於固定參考位置之位置)的位置或對準感測器。然而，度量衡器件亦可用於量測疊對(例如量測不同層或甚至在縫綴標記的狀況下量測相同層中之週期性結構的相對位置)。度量衡器件亦能夠量測週期性結構之不對稱性，且因此可用以量測任何參數，該參數係基於目標不對稱性量測(例如使用基於繞射之疊對(DBO)技術之疊對或使用基於繞射之焦點(DBF)技術之焦點)的。
為了達成此目的，可藉由利用前述光學元件取代零階區塊(通常位於光瞳平面中)來修改前述暗場散射計，該光學元件將正一階繞射光束中之每一者在一不同方向上引導至負繞射光束，同時亦在此等方向中之每一者上引導零階光束。此使得能夠在影像平面處分別形成影像，避免零階干涉高階中之每一者。照明光瞳可具有與當前用於許多DBO/DBF應用中相同之輪廓，其中輻射僅經由一對相反象限透射。零階衰減器亦可置放於光瞳平面處，可能形成光學元件之部分。
圖2展示此度量衡器件之可能實施方案。設置係暗場散射量測之典型設置，其中照明光瞳IP在如已描述之四分之一輪廓中經模糊化。在基板W正交於物鏡OL之光軸的情況下置放目標或對準標記AM。基板W可由支撐件(未展示)支撐。自離軸角衝擊於對準標記AM上的量測輻射射線(未展示)產生一零階射線(實線0th)及兩個一階射線(虛線+1及-1)。應記住，在過度填充之小目標的情況下，此等射線僅為覆蓋包括對準標記AM及其他特徵之基板區域的許多平行射線中之一者。應注意，對準標記AM之光柵間距及照明角度可經設計或調整使得進入物鏡OL之一階射線與中心光軸緊密地對準。圖2中所說明之射線展示為略微離軸，僅僅以使其能夠在圖式中較易區分。
至少由基板W上之對準標記AM繞射之0及+1階係由物鏡16收集且視情況經由透鏡L之各種配置引導返回例如以聚焦至一或多個中間影像平面IIP上。視情況，設置光瞳分支，其包含光束分光器(或倒裝鏡面) BS，及連接至處理單元PU之光瞳偵測器PD。成像分支包含成像元件或最末透鏡FL以用於將目標之影像聚焦至成像偵測器上。
上文所描述之度量衡器件的元件一般與已知的上述暗場成像器件共用。在典型之暗場散射量測設置中，此處展示之照明輪廓僅允許偵測較高繞射階，而鏡面反射階在到達感測器時受阻擋。此處之差異為光學元件OE在光瞳平面中之設置，該光學元件OE在一不同(例如相反)方向上將+1繞射階(第一輻射)及零階(第二輻射)(之第一部分)引導至-1繞射階(第三輻射)及零階(之第二部分)。以此方式，光瞳可聚焦於影像平面處以形成單獨干涉影像：在影像偵測器ID之第一區上與零階的+1繞射階之第一干涉圖案及在影像偵測器ID之第二區上與零階的-1繞射階之第二干涉圖案。因此，在此應注意不存在零階區塊(裝置不作為暗場裝置進行操作)。然而，可視情況設置衰減器AT，其使零階之強度衰減至與所捕捉之(+1, -1)繞射階類似的位準處。此可在每一目標方向進行，使得來自經正交配置之光柵的+1繞射階(第四輻射)可用於與零階形成第三干涉圖案，及來自經正交配置之光柵的-1繞射階(第五輻射)可用於與零階形成第四干涉圖案。
將瞭解，圖2僅僅為說明基礎原理之例示性設置的圖式。細節之態樣，諸如光學路徑中之透鏡/透鏡元件之數目、方位及類型可與所展示不同。舉例而言，透鏡L、OL、FL中之一或多者可包含透鏡系統，其具有多個透鏡/其他光學元件，及/或可為反射而非透射的。舉例而言，省掉最末透鏡FL且可替代地設置具備聚焦能力(例如，各自包含透鏡)的光學元件之「楔」或次元件以除了引導外亦進行聚焦。
圖3(a)展示光學元件OE之第一實施例。光學元件OE以此種方式經組態以便確保(例如，在聚焦之後)零階及一階交疊於影像平面IP中或附近從而在該影像平面處之偵測器上形成干涉圖案。在此實施例中之光學元件包含由6個楔或六面楔(具有六個面之單一元件，每一面在一個或兩個方向上成角)或等效者界定的六個區。光學元件經成型使得在第一方向上引導零階0及正繞射階+1X及+1Y，以使得其可聚焦於偵測器(偵測平面)上之第一(例如，此處實例中之上部)區，且引導零階0及負繞射階-1X及-1Y以使得其可聚焦於偵測器上之第二(例如，下部)區。因此，箭頭指示每一區之楔梯度之方向(向上指示正梯度，向下指示負梯度)。光學元件之特定形狀及楔是否由一個元件、六個單獨元件(或其他數目之元件)實現並不重要。應注意，圖3(a)中之陰影指示楔區之兩個群組，亦即，按方向或按將在影像平面中經干涉之階；該陰影不以任何方式表示強度。
圖3(b)為所得影像之實例。在此實例中之對準標記具有與對角相對的兩個X方向光柵及2個Y方向光柵之典型DBO類型配置(但在一個層中)類似之形式。藉由在6面光學元件之後對光瞳進行再成像，產生彼此不相干之兩個位移影像。當第一階與零階交疊時，將形成成像於偵測器上之條紋。在具有對準標記之晶圓移動時監視此等條紋之相位的變化給出對準位置之量測。
圖3(c)展示光學元件OE之第二實施例，其包含由楔或楔面界定之8個區。箭頭及陰影同樣分別表示梯度方向及分組。在此實施例中，楔面在四個方向上經分組，由此將零階及第一方向階中之不同一者引導至四個方向中之各別一者，以使得其可分別聚焦於偵測器上之四個不同區上以形成四個干涉影像。如由圖3(d)可見，影像平面現包含對準標記之四個影像，每一影像由零階與一階中之不同一者的干涉形成，從而形成干涉圖案。四個單獨不相干影像使得能夠根據影像的相對強度判定關於標記不對稱性之更多資訊。此將在下文更詳細地描述。
此外，此四影像實施例使得將散焦效應與標記位移分開成為可能。每一個別干涉圖案將隨散焦之變化而移位。然而，對於「相反之影像」而言，此移位將在大小上相等且在方向上相反(亦即，0, +1X影像及0, -X影像中之條紋將在相反方向上移位相等大小)；此同樣適用於Y方向之影像。因此，將經對準之位置移位視為兩個獨立干涉影像之共有(同一方向)移位；而聚焦偏移將導致相反移位。
可經由考慮數個因素中之一或多者來選擇楔之定向及階，該等因素包括使影像對影像串擾最小化、使影像分隔最大化、使偵測器(相機)填充最佳化及/或使楔之可製造性最佳化。藉助於另外之實例，圖3(e)展示另外之8面實施例，其中楔具有相對於光軸之對準45度或其正交倍數的梯度。在圖3(f)中展示所得影像。此配置之優勢為對偵測器/相機上之影像進行更佳的區域填充。因此，相對於圖3(d)的狀況，圖3(f)中之影像配置所需之相機區域更小。
將瞭解，楔面之特定配置、其階及定向可在達成偵測器處之至少一個一階與零階之間的干涉的參數內在每一方向上或甚至僅針對單一方向(視情況選用兩個方向x/y目標，且所提出之系統涵蓋單一方向對準標記上之單一方向對準感測)與所展示之實例不同。單一繞射影像(每一方向)使得經成像之繞射條紋(亦即，繞射圖案之相位)能夠與固定參考進行比較。
因此，可藉由將根據圖案判定之位置與由以已知方式量測固定參考(例如，透射影像感測器(TIS)基準)獲得的位置進行比較來判定對準。單一條紋圖案(例如來自單一光柵對準標記)或每一方向之單一圖案(例如來自兩個光柵對準標記)可用於進行對準。然而，當(每一方向)存在多個影像時，多個影像之間的距離亦可用作參考。用於在兩個方向上執行對準之另一選項可使用具有單一2D週期性圖案之對準標記。此外，可運用本文中所描述之度量衡器件來量測非週期性圖案。另一對準標記選項可包含諸如對應於圖3之影像的四個光柵目標設計，其與目前通常用於量測疊對之設計(例如，DBO目標)類似。因此，諸如此等之目標通常已存在於晶圓上，且因此類似採樣可用於對準及疊對。此類對準方法已為吾人所知且將不進行進一步描述。
雖然一個影像足以使用適當校準來獲得目標之位置，但在實踐中此單一影像可能對散焦效應過於敏感。因此，至少兩個干涉圖案之成像係較佳的(例如，平均化單獨影像以給出更穩健之對準信號)。更特定言之，為了獲得對準標記之對準位置，提出自第一影像擷取第一位置值x1及自第二(相反)影像擷取第二位置值x2。標記之位置經判定為此等兩個值之間的平均值：(x1+x2)/2。
由於在至少一些實施例中，所提出之裝置至少捕捉由+1繞射階形成之第一影像及由-1繞射階形成的第二影像(在每一狀況下與零階相干涉)，故比較所得影像中之強度可提供關於標記不對稱性(例如，對準標記中之經設計成對稱之無意程序不對稱性，諸如層傾角或不相等之側壁角)之資訊。標記不對稱性之效應的量測可根據此強度比較(例如第一影像與第二影像之間的強度差)來判定。此強度差(或強度不對稱性)或其他比較可隨後用以使用對準標記來校正對準位置量測。用以量測程序不對稱性之技術可與用於使用當前處理後度量衡工具量測疊對之彼等技術類似。量測不對稱性之能力意謂疊對(或聚焦)亦可使用相同目標上的使用已知的基於繞射之疊對(聚焦)技術的相同工具來量測。
在圖3(b)中，影像描繪為由其中不存在零階的衰減之配置產生(圖3(b)、3(d)及3(f)中之陰影表示強度)。因此，對比度由於偵測器上之非干涉零階光(由每一影像周圍之白色圓圈表示)的亮度而受影響。圖3(d)及3(f)均展示由其中零階衰減(從而改良每一影像內之干涉圖案(條紋)的對比度且因此改良雜訊比)之配置產生的影像。通常零階具有比任何繞射階之強度強得多之強度。因此，光學元件可進一步包含衰減器，以平衡零階與第一繞射階之間的強度比(例如，使得零階強度在任何繞射階之10%內)。應注意，衰減可應用於圖3(a)的光學元件或任何其他合適之光學元件(或與圖3(a)的光學元件或任何其他合適之光學元件組合使用)。
在實施例中，可藉由將衰減濾光器應用於零階楔來提供衰減。此濾光器可具有低於20%之透射率、低於10%之透射率或低於5%之透射率(例如，4%透射率)。一個可能之濾光器實施方案包含使用靜態中性密度(ND)濾光器。此類ND濾光器可設置於濾光器輪或其他此類配置上以使得能夠選擇所要衰減。其他可能之濾光器實施方案包括空間光調變器(例如矽上液晶--LCoS)以用連續方式動態地改變衰減。
圖4說明圖2之裝置的工作配置，從而說明在由照明光束IB照明後零階光束0及一階光束+1穿過系統之路徑。自下至上分別說明了五個平面：晶圓或基板平面WP，其包含對準標記AM；照明光瞳平面IPP；光瞳平面PP，其包含光學元件OE；聚焦平面FLP，其包含最末透鏡；及影像平面(或偵測器平面) IP。在圖式之中心處，展示系統之(經簡化的)透視表示。此之左方為自上而下(相對於中心說明)展示之照明光瞳平面IPP處之照明光瞳IPP'。主透視影像之右方為在繞射之後晶圓平面WP'、照明光瞳平面IPP''、光瞳平面PP'及影像平面IP'處的自上而下表示。光瞳平面表示IPP''、PP'展示照明光束IB、零階光束0及一階光束+1之光瞳內的方位。晶圓平面WP'表示展示對準標記AM之位置，且影像平面IP'表示展示影像Im之位置以及與未明確展示之繞射階對應之其他干涉圖案的對應影像Im'(經虛線展示)。光學元件OE上之箭頭同樣表示楔表面梯度之方向。
由於本文中所揭示之概念的改良功能，故可最佳化每一標記及/或堆疊的零階強度。所需衰減之程度可在三個數量級上變化。固定之一組不同值的ND-濾光器對此可能不理想，且可能缺乏所要精度。另外，由於機械穩定性問題(振動等)，故如上文所提及之基於機械輪之衰減器(視需要旋轉ND濾光器)在對準感測器中係不合乎需要的。機械濾光器亦可能耗費較長時間以改變。
圖5描繪包含以可變反射器形式之可變衰減器VA的實施例，該可變衰減器VA旨在解決此等問題。將不再描述已描述之系統組件。如所展示，反射可變衰減器VA可位於感測器之光瞳平面處。各種實施例係可能的。所說明之實施例包含如圖5之插圖中所描繪的法布里-伯羅(Fabry-Perot)腔室。腔室包含藉由長度之小間隙d 分隔之兩個半透明鏡面元件M1、M2。此間隙長度d 可由例如壓電致動器P調整。位於腔室後之吸收板AB包含吸收材料。第一鏡面元件M1具有無衰減之區r1，其對應於1階繞射方位(例如，此等區具有鏡面式表面)，且半透明區r2具有反射率R 。鏡面元件M2係半透明的，其具有反射率R 。
藉由調整高度d ，腔室之反射率
Figure 02_image001
係根據以下進行微調：
Figure 02_image003
其中T 為透射率且R 為半透明鏡面之反射率。對於零階，透射光T 入射於(至少接近於)完美吸收器AB上且經完全吸收。在1階之方位處，頂部鏡面為(至少儘可能地接近於) 100%反射，亦即無(預期)衰減。
可展示(例如，在相對於相關波長謹慎選擇反射率R (例如，R =0.8)的情況下)可藉由距離d之變化將腔室之可變反射率
Figure 02_image005
自0 (完美吸收)微調至0.99 (幾乎完美反射)。壓電致動器P之行進範圍應例如介於40 nm與60 nm之間，具有例如1 nm之精度。鏡面之分隔可例如使用來自兩個半透明鏡面元件M1、M2上之電容式感測器及電容器板(未展示)之反饋來維持。
藉由使用此配置，達成反射中之空間可變衰減，其中偏光狀態無改變且提供僅使光瞳之部分(亦即，零階部分)衰減的可能性。不存在對大量數目之ND濾波光及濾光器輪之需求。由於衰減器為反射而非透射的，故更佳地控制熱錨。
以上實例已描述透射光學元件。雖然此在很大程度上有效，但光學元件(例如玻璃)中之分散使得偏轉角隨波長而變化。此等不同角度轉譯成偵測器上之移位影像，使得使用多個色源同時模糊垂直於條紋方向之偵測器上的影像。結果，周圍結構模糊且洩漏至對準目標影像中，阻礙對準信號之精確擷取。在上文所描述之數個實施例中，使用ND濾光器使零階衰減。然而，ND濾光器玻璃與透明光學元件(楔)玻璃之間的分散之差異導致一些色彩之對比度大大降低，此限制可用於此類實施例之源帶寬。
圖6說明將光瞳拆分成八個區段之反射光學元件ROE，及包含此反射光學元件ROE的感測器配置。將不再描述已描述之系統組件。此反射光學元件ROE具有零(或極低)分散，且取代先前實施例中之任何者中所描述之透明光學元件。
以與上文所描述之透射光學元件類似之方式，將光瞳區拆分成八個部分(4對)，其中每一對隨後成像於偵測器上。反射光學元件ROE之反射組件元件RCE1 、RCE2 在四個單獨方向上使用零階的一部分來引導每一較高階(每一方向上之正及負，例如，+1及-1)，其中箭頭同樣指示(反射)表面之梯度。最末透鏡FL將所得光瞳聚焦至四個影像中，每一影像均由各別較高一階與零階之干涉形成。反射組件元件RCE1 經配置以將高階繞射(每階一個)引導至偵測器上之不同方位，且(至少半)反射組件元件RCE2 經配置以將零階引導至偵測器上的彼等方位中之每一者。反射元件可為例如基於總內部反射之鏡面或稜鏡元件或類似者。在實施例中，反射組件元件RCE2 可包含零階之衰減；例如可置放部分透射鏡面以使反射光衰減。
圖6中之反射光學元件ROE基本上使用與圖3(c)及(e)中所描述之彼等者相同或類似之光學元件(例如楔)設計，但塗佈有或由反射材料(例如金屬)製成。圖6亦展示此反射光學元件ROE之可能方位。
圖7說明替代性反射光學元件ROE'配置，其可位於與圖6中之反射光學元件ROE相同之方位處。圖7展示包含順序地配置之四個次元件或鏡面配置M1 、M2 、M3 、M4 之反射光學元件ROE'。每一鏡面配置M1 、M2 、M3 、M4 經配置以由輸入光瞳InP形成單一個影像(亦即，將各別較高繞射階及零階引導至不同方向)。因此，每一鏡面與圖6中所展示之反射光學元件ROE的單一對應一對反射組件元件RCE1 ，RCE2 相對應。圖7展示反射光學元件ROE'之(a)俯視圖及(b)側視圖，以及光瞳內之鏡面配置M1 、 M2 、M3 、M4 (圖3(c))。圖3(c)展示包含第一鏡面元件a (用於較高繞射階)及第二鏡面元件b (用於零繞射階)的每一鏡面配置，其中光瞳之其餘部分(無陰影部分)為打開或完全透明的。如前所述，每一第二鏡面元件b可經配置以使零階強度衰減；例如，實施為半透明鏡面。
圖8說明另一替代性反射光學元件ROE''配置，其同樣可位於與圖6中之反射光學元件ROE相同之方位處。在此配置中，四個次元件包含四個光束分光器方塊BS1 、BS2 、BS3 、BS4 。類似於圖7，每一光束分光器方塊BS1 、BS2 、BS3 、BS4 包含第一鏡面元件a (用於較高繞射階)及第二鏡面元件b (用於零繞射階)，其中光瞳之其餘部分(無陰影部分)為完全透明的。如前所述，每一第二鏡面元件b可經配置以使零階強度衰減；例如，實施為半透明鏡面，或否則可在光束分光器方塊之後應用衰減。
亦可理解，圖3(a)中說明光學元件的反射版本，或本文中揭示或描述光學元件配置的任何其他者(例如，形成單一影像或每一方向的單一影像之光學元件)。將此應用於本文中所描述之反射實施例中之任何者，其中如何構造或配置六個(或更少)反射表面版本將立即顯而易見。
應注意，上文所描述之反射光學元件中之任何者可與上文所描述之可變衰減器VA組合使用，在此狀況下將不使零階反射表面衰減(例如，所有反射表面之反射率將與光瞳之零階部分及光瞳的繞射階部分類似或相同)。
對高階繞射或+1及-1階之任何提及可更一般化地延伸以意謂其他任何其他高繞射階，例如，其他對互補階(諸如+2及-2階、+3及-3階等)。偵測器可為任何合適之偵測器，諸如CCD相機或類似者。多個偵測器可用以偵測單獨偵測器上之每一影像。
在以下編號條項中描述根據本發明之另外實施例： 1.     一種度量衡裝置，其包含： 一光學元件，其經組態以在該度量衡裝置之一光瞳平面處或附近接收至少：第一輻射，其包含一第一較高繞射階；及第二輻射，其包含由用輻射照明一度量衡目標產生之一零階；且經組態以在一第一方向上一起引導該第一輻射及該第二輻射； 該度量衡裝置進一步經組態以形成至少一第一干涉圖案之一第一影像，該第一干涉圖案由該第一輻射及該第二輻射在一影像平面處的干涉產生。 2.     如條項1之度量衡裝置，其進一步包含一成像元件，該成像元件經定位以自該光學元件接收至少經引導之第一輻射及第二輻射，且經組態以在該影像平面處之一第一方位處形成至少該影像。 3.     如條項2之度量衡裝置，其中該光學元件經組態以另外接收包含一第二較高繞射階的第三輻射，該第二較高繞射階與該第一較高繞射階互補；該光學元件進一步經組態以： 在一第二方向上一起引導該第三輻射及該第二輻射，以使得該成像元件形成一第二干涉圖案之一第二影像，該第二干涉圖案由該第三輻射及該第二輻射在該影像平面處的干涉產生。 4.     如條項3之度量衡裝置，其中該光學元件經組態以另外接收：第四輻射，其包含一第三較高繞射階的，該第三較高繞射階對應於該第一較高繞射階但自與繞射該第一較高繞射階的度量衡目標或目標部分正交的一度量衡目標或目標部分繞射；及第五輻射，其包含一第四較高繞射階，該第四較高繞射階對應於該第二較高繞射階但自與繞射該第二較高繞射階的度量衡目標或目標部分正交的一度量衡目標或目標部分繞射，且 該成像元件可操作以對一第三干涉圖案進行成像，其由該第四輻射及該第二輻射在該影像平面處的干涉產生，及對一第四干涉圖案進行成像，其由該第五輻射及該第二輻射在該影像平面處的干涉產生。 5.     如條項4之度量衡裝置，其中該光學元件包含複數個光學表面，其配置於該光瞳平面內以在該第一方向或該第二方向上引導該光瞳平面之不同部分，其中該光學表面包含：一第一光學表面，其在一第一梯度方向上具有一第一梯度；及第二光學表面，其在一第二梯度方向上具有一第二梯度。 6.     如條項5之度量衡裝置，其包含：三個第一光學表面，其用於在該第一方向上引導該第一輻射、該第二輻射及該第四輻射；及三個第二光學表面，其用於在該第二方向上引導該第二輻射、該第三輻射及該第五輻射，以使得該第一干涉圖案及該第二干涉圖案包含於該第一影像中且該第三干涉圖案及該第四干涉圖案包含於該第二影像中。 7.     如條項4之度量衡裝置，其中該光學元件經組態以：在該第一方向上引導該第一輻射；在該第二方向上引導該第三輻射；在一第三方向上引導該第四輻射；及在一第四方向上引導該第五輻射，且經組態以該第二輻射引導至該第一方向、該第二方向、該第三方向及該第四方向中之每一者，以使得：該第一干涉圖案包含於該第一影像中；該第二干涉圖案包含於該第二影像中；該第三干涉圖案包含於該影像平面處之一第三方位處的一第三影像中；且該第四干涉圖案包含於該影像平面處之一第四方位處的一第四影像中。 8.     如條項7之度量衡裝置，其中該光學元件包含配置於該光瞳平面內之複數個光學表面，該複數個光學表面包含四對表面；其包含： 一第一對，其在一第一梯度方向上具有一第一梯度以在該第一方向上引導該第一輻射及該第二輻射； 一第二對，其在一第二梯度方向上具有一第二梯度以在該第二方向上引導該第三輻射及該第二輻射； 一第三對，其在一第三梯度方向上具有一第三梯度以在該第三方向上引導該第四輻射及該第二輻射； 一第四對，其在一第四梯度方向上具有一第四梯度以在該第四方向上引導該第五輻射及該第二輻射。 9.     如任一前述條項之度量衡裝置，其中該光學元件為透射的。 10.   如條項1至8中任一項之度量衡裝置，其中該光學元件為反射的。 11.    如條項10之度量衡裝置，其中該光學元件包含一次元件的順序配置。 12.   如條項11之度量衡裝置，其中該次元件的順序配置包含一鏡面或光束分光器的順序配置，每一次元件經組態以針對該光瞳平面之不同部分引導輻射。 13.   如任一前述條項之度量衡裝置，其包含一衰減器以用於使該第二輻射之強度衰減。 14.   如條項13之度量衡裝置，其中該衰減器經配置以使與該第二輻射對應之該光瞳平面之該部分衰減。 15.   如條項13或14之度量衡裝置，其中該衰減器經包含為該光學元件之部分或施加至該光學元件的一塗層。 16.   如條項13或14之度量衡裝置，其中該衰減器包含經配置以對該第二輻射進行濾光之一或多個濾光器。 17.   如條項13或14之度量衡裝置，其中該衰減器包含一可變衰減器。 18.   如條項17之度量衡裝置，其中該可變衰減器包含：一第一鏡面元件及一第二鏡面元件，其間隔一距離順序地配置；及 一致動器，其用於改變該第一鏡面元件與該第二鏡面元件之間的該距離。 19.   如條項18之度量衡裝置，其中該致動器為一壓電致動器。 20.   如條項18或19之度量衡裝置，其包含一吸收器材料以吸收未由該第一鏡面元件及該第二鏡面元件反射之任何輻射。 21.   如條項18、19或20之度量衡裝置，其中該第一鏡面元件包含高反射率之第一區及半透明度之第二區，且該第二鏡面元件為半透明的。 22.   如條項17至21中任一項之度量衡裝置，其中該可變衰減器位於該度量衡目標與該光學元件之間。 23.   如條項13至22中任一項之度量衡裝置，其中該衰減器使該第二輻射之該強度衰減至該第一輻射、該第三輻射、該第四輻射或該第五輻射中之任一者的強度的10%內。 24    如任一前述條項之度量衡裝置，其包含： 一偵測器，其可操作以捕捉該影像；及 一處理器，其可操作以根據該影像判定該度量衡目標之位置資訊。 25.   如條項24之度量衡裝置，其中該處理器可操作以根據該影像中之干涉條紋的位置判定該位置資訊。 26.   如條項24或25之度量衡裝置，其中該處理器可操作以比較來自兩個互補繞射階之兩個繞射圖案的強度； 且使用該比較來判定該度量衡目標中之不對稱性。 27.   如條項26之度量衡裝置，其使用該經判定之不對稱性來校正該位置資訊。 28.   如任一前述條項之度量衡裝置，其進一步包含投影光學器件以用於將量測輻射投射至該度量衡目標上且捕捉至少該零階及至少一個高階。 29.   如任一前述條項之度量衡裝置，其經組態為一對準感測器以用於判定一微影曝光或度量衡程序中之一基板或倍縮光罩的一對準位置。 30.   一種光學元件，其具有複數個光學表面，該複數個光學表面包含至少：第一光學表面，其在一第一梯度方向上具有一第一梯度；及第二光學表面，其在一第二梯度方向上具有一第二梯度，由此經組態以在至少一第一方向或一第二方向上引導入射於其上之一角解析輻射之不同部分。 31.   如條項30之光學元件，其包含三個第一光學表面及三個第二光學表面。 32.   如條項30之光學元件，其包含四對表面；其包含： 一第一對，其在該第一梯度方向上具有該第一梯度； 一第二對，其在該第二梯度方向上具有該第二梯度； 一第三對，其在一第三梯度方向上具有一第三梯度；及 一第四對，其在一第四梯度方向上具有一第四梯度； 由此經組態以將入射於其上之一角解析輻射的不同部分引導至該第一方向、該第二方向、一第三方向或一第四方向中之一者中。 33.   如條項30、31或32之光學元件，其中該光學元件為透射的。 34.   如條項30、31或32之光學元件，其中該光學元件為反射的。 35.   如條項34之光學元件，其中該光學元件包含一次元件的順序配置。 36.   如條項35之光學元件，其中該次元件之順序配置包含一鏡面或光束分光器的順序配置，每一次元件經組態以引導該角解析輻射的不同部分。 37.   如條項30至36中任一項之光學元件，其包含用於該角解析輻射之部分的一衰減器。 38.   一種可變衰減器，其包含：一第一鏡面元件及一第二鏡面元件，其間隔一距離順序地配置；及 一致動器，其用於改變該第一鏡面元件與該第二鏡面元件之間的該距離。 39.   如請求項38之可變衰減器，其中該致動器為一壓電致動器。 40.   如請求項38或39之可變衰減器，其包含一吸收劑材料以吸收未由該第一鏡面元件及該第二鏡面元件反射之任何輻射。 41.   如請求項38、39或40之可變衰減器，其中該第一鏡面元件包含高反射率之第一區及半透光度之第二區，且該第二鏡面元件為半透明的。
關於本文中所描述之度量衡器件使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋在任何波長範圍(包括紅外波長，諸如1000至3000 nm波長)內的所有類型之電磁輻射。
雖然以上描述描述了針對微影裝置/掃描器之校正，但經判定之校正亦可用於任何程序且供積體電路(IC)製造程序中之任何IC製造裝置(例如，蝕刻裝置，其對形成於一層內之結構之位置及/或尺寸具有影響)使用。
關於微影裝置使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如，具有為或約為365、355、248、193、157或126 nm之波長)及極紫外(EUV)輻射(例如，具有在5至20 nm範圍內的波長)，以及粒子束，諸如離子束或電子束。
術語「透鏡」在內容背景允許的情況下可指各種類型之光學組件中之任一者或組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
對特定實施例之前述描述將因此充分地揭露本發明之一般性質：在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用熟習此項技術者之知識來容易地針對各種應用修改及/或調適此等特定實施例，而無需進行不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及導引，此等調適及修改意欲在所揭示實施例之等效者的涵義及範圍內。應理解，本文中之措辭或術語係出於藉由實例進行描述而非限制之目的，以使得本說明書之術語或措辭應由熟習此項技術者鑒於該等教示及該導引進行解譯。
本發明之廣度及範疇不應受上述例示性實施例中之任何者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者進行界定。
+1:繞射階 +1X:正繞射階 +1Y:正繞射階 -1:繞射階 -1X:負繞射階 -1Y:負繞射階 0:零階 0th:實線 200:微影裝置 202:量測站 204:曝光站 206:控制單元 208:塗佈裝置 210:烘烤裝置 212:顯影裝置 220:基板 222:裝置 224:裝置 226:裝置 230:基板 232:基板 234:基板 240:度量衡裝置 242:度量衡結果 a:第一鏡面元件 b:第二鏡面元件 d:間隙長度 r1:區 r2:半透明區 AB:吸收板 AM:對準標記 AT:衰減器 BS:光束分光器 BS1:光束分光器方塊 BS2:光束分光器方塊 BS3:光束分光器方塊 BS4:光束分光器方塊 FL:最末透鏡 FLP:聚焦平面 Im:影像 Im':影像 InP:輸入光瞳 IB:照明光束 ID:影像偵測器 IF:位置感測器 IIP:中間影像平面 IP:影像平面 IP':影像平面 IPP:照明光瞳平面 IPP':照明光瞳 IPP'':照明光瞳平面 L:透鏡 LC:微影單元 M:鏡面 M1:鏡面配置 M2:鏡面配置 M3:鏡面配置 M4:鏡面配置 M1:半透明鏡面元件 M2:半透明鏡面元件 MA:圖案化器件 OE:光學元件 OL:物鏡 P:壓電致動器 PD:光瞳偵測器 PP:光瞳平面 PP':光瞳平面 PU:處理單元 R:配方資訊 RCE1:反射組件元件 RCE2:反射組件元件 ROE:反射光學元件 ROE':反射光學元件 ROE'':反射光學元件 T:透射光 VA:可變衰減器 W:基板 WP:晶圓或基板平面 WP':晶圓平面
現將參考隨附圖式藉助於實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中： 圖1描繪微影裝置連同形成用於半導體器件之生產設施的其他裝置； 圖2為根據本發明之實施例的度量衡器件之示意性說明； 圖3 (包括圖3(a)至3(f))為根據本發明之實施例且可用於圖2之度量衡器件中之三個替代性光學元件及對應對準影像的示意性說明； 圖4為穿過如圖2中所說明之度量衡器件的一階光束及零階光束的示意性說明； 圖5為根據本發明之實施例之可變衰減器及相關聯度量衡器件的示意性說明； 圖6為根據本發明之實施例之第一反射光學元件及相關聯度量衡器件的示意性說明； 圖7 (包括圖7(a)至7(c))為可用於圖2、5或6之任何度量衡器件中的第二反射光學之示意性說明；且 圖8為可用於圖2、5或6之任何度量衡器件中的第三反射光學之示意性說明。
d:間隙長度
r1:區
r2:半透明區
AB:吸收板
AM:對準標記
FL:最末透鏡
ID:影像偵測器
IPP:照明光瞳平面
M:鏡面
M1:半透明鏡面元件
M2:半透明鏡面元件
OE:光學元件
P:壓電致動器
VA:可變衰減器
W:基板

Claims (4)

  1. 一種可變衰減器，其包含：一第一鏡面元件及一第二鏡面元件，其間隔一距離順序地配置；及 一致動器，其用於改變該第一鏡面元件與該第二鏡面元件之間的該距離。
  2. 如請求項1之可變衰減器，其中該致動器為一壓電致動器。
  3. 如請求項1或2之可變衰減器，其包含一吸收劑材料以吸收未由該第一鏡面元件及該第二鏡面元件反射之任何輻射。
  4. 如請求項1或2之可變衰減器，其中該第一鏡面元件包含高反射率之第一區及半透明度之第二區，且該第二鏡面元件為半透明的。
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