TW202022343A - 將含顆粒樣品引入分析儀器之系統及使用方法 - Google Patents

Abstract

本發明係關於用於將樣品引入分析儀器之系統及方法。所述系統及方法適合於處理液體樣品或氣體樣品（包含含有顆粒污染物之樣品）以用於使用分析儀器進行後續分析。

Description

將含顆粒樣品引入分析儀器之系統及使用方法

本文所描述之態樣大體上係關於用於將樣品引入分析儀器之系統及方法，且更特定言之，係關於適用於處理液體樣品或氣體樣品（包含含有顆粒污染物之樣品）以用於藉由分析裝置/儀器（諸如質譜儀及/或感應耦合電漿質譜儀）進行後續分析之系統。

質量分析，更特定言之質譜為用於鑑定未知化合物及用於測定已知化合物之精確質量的有效分析技術。有利地，化合物可以微小量偵測或分析，使得可在化學上複雜的混合物中以極低濃度鑑定化合物。包含感應耦合電漿質譜（「ICP-MS）之質譜已在多個領域中得到實際應用，包含醫學、藥理學、食品科學、半導體製造、環境科學及安全。

典型的質譜儀包含使相關顆粒電離之離子源。習知離子源可例如藉由電噴射或化學電離形成離子。將離子傳遞至分析儀區域，在所述區域將所述離子根據其質量（m）比電荷（Z）比率（m/z）分離。隨後在偵測器處偵測分離的離子。可將來自偵測器之訊號發送至計算裝置或類似裝置，在所述裝置中可將m/z比率與其相對豐度一起儲存，以便以m/z頻譜形式呈現。

在ICP-MS分析中，將樣品以氣霧劑滴形式引入氬電漿中。電漿使氣霧劑乾燥、使分子解離，隨後自組分移除電子，從而形成單電荷離子，將所述離子導入稱為質譜儀之質量過濾裝置中。

大部分ICP-MS儀器包含以下組件：樣品引入系統，其由霧化器及噴霧室組成；ICP炬管及RF線圈，其用於生成充當離子源的氬電漿；接口，其連接常壓ICP離子源與高真空質譜儀之；真空系統，其為離子光學器件、四極桿及偵測器提供高真空；質譜儀之前的碰撞/反應池，其用於消除可能降低可達到的偵測極限之干擾；離子光學器件，其將所需離子導引至四極桿中同時確保自離子束中丟棄中性物質及光子；質譜儀，其充當質量過濾器以按離子之質荷比（m/z）對其進行分類；偵測器，其對離開四極桿之個別離子進行計數；及數據處理及系統控制器，其控制儀器控制及資料處理方面以獲取最終的濃縮結果。

存在各種適合之系統及方法用於將含有所關注分析物之液體樣品電離成小氣霧劑噴流滴。通常，在此分配過程中涉及霧化器氣流，且衝擊加熱器氣流有助於小滴去溶劑化。在電漿由氬氣組成之ICP-MS系統之情形下，在引入分析儀器之前氣霧劑滴可與另一載氣（諸如氬氣）交換以避免例如基於氬的電漿之干擾。

製備用於分析之液體樣品的系統未經配置以處理呈氣體形式之氣體樣品。當需要分析氣體樣品時，必須購買及使用分離設備。通常，在引入霧化器等之前，必須首先藉由將氣體樣品輸注入水或另一液體中將氣體樣品轉換成液體樣品。

或者，用於製備氣體樣品之某些系統通常包含與氣體交換裝置耦接之氣體顆粒化裝置。此等系統亦不可在液體樣品與氣體樣品之間互換。當樣品呈氣體形式且分析裝置為例如ICP-MS時，亦存在能夠校正系統之難題，因為校準標準物通常為液體。

目前，一種系統不能用以同時分析液體樣品及氣體樣品而不必將氣體樣品轉換成液體樣品。

以下呈現了本文描述之各種特徵之簡化概述。此概述並非廣泛綜述，且並不意欲鑑定所需或至關重要之元件或劃定申請專利範圍之範疇。以下概述僅以簡化形式呈現一些概念，作為下文提供之更詳細描述的引導性序言。

為克服上文所描述之先前技術中之限制，並克服在閱讀及理解本說明書後將顯而易見之其他限制，本文所描述之態樣係關於製備用於引入到分析儀器中的液體及氣體樣品之系統及方法。

一個態樣係關於經配置以接收待提供至分析裝置之液體樣品或氣體樣品之系統，所述系統包括：腔室，所述腔室包括具有入口端和出口端之外殼；所述入口端具有經配置以自氣體樣品源接收氣體樣品之氣體入口埠及經配置以自液體樣品源接收液體樣品且自液體樣品形成液體樣品氣霧劑的液體入口埠；所述出口端具有與氣體交換裝置耦接之出口埠以使得氣體樣品液體樣品穿過出口埠流動至氣體交換裝置；在入口端與出口端之間延伸的內部腔室，所述內部腔室連接至液體入口埠以接收液體樣品；且所述腔室經操作以選擇性接收氣體樣品或液體樣品。

另一態樣係關於經配置以接收待提供至分析裝置之液體樣品或氣體樣品之系統，所述系統包括：腔室，所述腔室包括具有入口端及出口端之外殼；所述入口端具有經配置以自液體樣品源接收液體樣品且自液體樣品形成液體樣品氣霧劑之液體入口埠；所述出口端具有與氣體交換裝置耦接的出口埠以使得液體樣品將穿過出口流動至氣體交換裝置；及在入口端與出口端之間延伸的內部腔室，所述內部腔室連接至液體入口埠以接收液體樣品；及氣體入口埠，所述氣體入口埠連接至鄰近出口端之氣體交換裝置且經配置以自氣體樣品源接收氣體樣品，所述系統可操作以選擇性接收氣體樣品或液體樣品。

另一態樣係關於用於分析液體樣品或氣體樣品之系統，所述系統包括：液體樣品源及氣體樣品源；樣品遞送裝置，用於自相應樣品源選擇性轉移液體樣品或氣體樣品；加熱腔室，其耦接至液體樣品源及氣體樣品源，所述加熱腔室包括：入口端，所述入口端具有經配置以接收氣體樣品之氣體入口埠及經配置以接收液體樣品之液體入口埠；出口端；質量流量控制器，其控制樣品氣體自氣體樣品至氣體入口埠之流率；氣體交換裝置，其介接至腔室之出口，所述氣體交換裝置具有用於接收交換氣體的交換氣體入口埠及用於排出輸出氣體之輸出氣體出口埠；分析裝置，其用於自氣體交換裝置接收輸出氣體；及質量流量計，其在氣體交換裝置之出口與分析裝置之入口之間介接，所述質量流量計經配置以提供氣體交換裝置之輸出的流率，所述流率為樣品氣體自氣體樣品之流率的至少98%。

另一態樣係關於一種製備用於分析之液體或氣體樣品之方法，其包括：將液體樣品或氣體樣品自相應液體樣品源或氣體樣品源選擇性轉移至氣體交換裝置，其中在氣體交換裝置之前將液體樣品氣霧化；使氣霧化液體樣品或氣體樣品通過氣體交換裝置；與氣霧化液體樣品或氣體樣品逆向流動注射交換氣體通過氣體交換裝置；將氣體交換裝置輸出傳遞至分析裝置；及在氣體交換裝置及分析裝置之接口處監測輸出流率。

亦揭示以下系統及方法，諸如使用藉由將污染物轉移至與分析裝置相容之第二氣體（交換氣體）來分析含有污染物之第一氣體（例如樣品氣體）之分析裝置的系統，所述系統包括：（a）具有膜（例如納菲（nafion）膜）之氣體交換裝置，氣體交換裝置經由此膜運行，所述氣體交換裝置進一步包括：（i）用於接收第一氣體之第一輸入埠，（ii）用於接收第二氣體之第二輸入埠，（iii）用於自氣體交換裝置釋放至少第二氣體之第一輸出埠，及（iv）用於釋放包括污染物之第二氣體至分析裝置之第二輸出埠，從而：（i）使用第一質量流量控制器將第一氣體引入第一輸入埠中，（ii）使用第二質量流量控制器將第二氣體引入第二輸入埠中，（iii）第一輸出埠連接至壓力閥（或限制器），及（iv）第二輸出埠連接至質量流量計；及（b）基於微處理器之裝置，其用於：（i）控制氣體交換裝置（包含膜）的溫度，及（ii）監測及比較質量流量計與第一質量流量控制器，且基於比較調整第二質量流量控制器以在質量流量計處達成所需流率。在實施例中，氣體交換裝置進一步包括用於接收第三氣體（例如補充氣體）之第三輸入埠，從而使用第三質量流量控制器將第三氣體引入第三輸入埠中。在一些實施例中，基於微處理器之裝置控制第三質量流量控制器以控制第三氣體進入第三輸入埠之量。舉例而言，第三氣體可為在系統校準期間確定之氣體，以使得進入第三輸入埠（且受基於微處理器之裝置控制）之第三氣體之量係基於系統上所使用之校準樣品，第三氣體之此等量基於使用對照、標準或校準樣品達成分析裝置之最大靈敏度。

亦揭示一種系統，其中分析裝置為感應耦合電漿質譜儀，第二氣體為氬氣，且第三氣體為氮氣。在此類實施例中，控制可能已基於藉由ICP-MS由液體對照/樣品量測銦之量。

在實施例中，系統包括用於接收含有污染物之氣體樣品或含有污染物之液體樣品的腔室（例如噴霧室），所述腔室連接於第一質量流量控制器與第一輸入埠之間。如此，所揭示之與其相關之系統及方法可用於分析含有污染物之氣體樣品或含有污染物之液體樣品。由此可將含有污染物之液體樣品經由霧化器引入腔室中，且其後引入氣體交換裝置之第一輸入埠。在一些實施例中，腔室包括將含有污染物之氣體樣品自第一質量流量控制器傳輸至第一輸入埠之管子。管子可為例如PTFE管子或一些適合於傳輸如本文所提供之含有污染物的氣體樣品之其他管子，且所揭示之方法及系統不限於一種類型的視情況選用之管子。在實施例中，加熱腔室以達到系統之最大效率。在某些實施例中，所揭示之系統允許含有污染物之第二氣體與含有污染物之第一氣體的交換率之比率為至少98%。

亦揭示使用分析裝置藉由將污染物轉移至與分析裝置相容之第二氣體（交換氣體）來分析第一氣體（樣品氣體）之方法，所述方法包括：（i）使用第一質量流量控制器將第一氣體提供至氣體交換裝置之第一輸入埠（ii）使用第二質量流量控制器將第二氣體提供至氣體交換裝置之第二輸入埠，（iii）使用壓力閥自氣體交換裝置自第一輸出埠釋放至少第一氣體，及（iv）自氣體交換裝置之第二輸出埠釋放含有污染物之第二氣體至質量流量計，且其後釋放至分析裝置，其中基於微處理器之裝置量測並比較第一質量流量控制器與質量流量計處的氣體之量，且基於比較，基於微處理器之裝置調整壓力閥及第二質量流量控制器中之至少一者以達成所需質量流量控制器（例如含有污染物之第一氣體）與質量流量計（例如含有污染物之第二氣體）處的量測值之間的差值。如此，應理解質量流量計量測自氣體交換裝置流向或流至分析儀器之第二（例如交換）氣體（含有污染物）之量。如此，在實施例中，調整包括調整以使含有污染物之第二氣體與含有污染物之第一氣體之交換率之比率達到至少98%。

在實施例中，方法包括使用經微處理器控制之裝置來控制氣體交換裝置之溫度。

在一些實施例中，方法包括使用第三質量流量控制器將第三氣體提供至氣體交換裝置之第三輸入埠；及視情況控制第三質量流量控制器以控制進入第三輸入埠的第三氣體之量。在一些實施例中，方法包括基於使用液體標準物之系統之校準來控制進入第三輸入埠的第三氣體之量。

在所揭示之方法之一個實施例中，分析裝置為感應耦合電漿質譜儀，第二氣體為氬氣，且第三氣體為氮氣。

在至少一個實施例中，所揭示之方法包含提供用於接收含有污染物之氣體樣品或含有污染物之液體樣品的腔室，所述腔室連接於第一質量流量控制器與第一輸入埠之間。在一些實施例中，提供腔室包括提供包括有將含有污染物之氣體樣品自第一質量流量控制器傳輸至第一輸入埠之管子的腔室。在實施例中，方法進一步包括加熱腔室。

得益於下文進一步詳細論述之揭示內容將瞭解此等及另外的態樣。

在各個實施例之以下描述中，參考上文標識且形成其一部分的附圖，且在附圖中藉助於說明展示可實踐本文所描述之態樣中之各個實施例。應理解，在不脫離本文所描述之範疇之情況下，可利用其他實施例且可進行結構性及功能性修改。各個態樣能夠具有其他實施例且能夠以各種不同方式實踐或執行。

作為下文更詳細描述之標的物的一般介紹，本文所描述之態樣係關於用於製備用於引入分析儀器中之液體及氣體樣品的系統及方法。

應理解，本文所用之措詞及術語係用於描述目的且不應被視為限制性的。確切而言，給予本文所用之片語及術語其最廣泛解釋及含義。「包含」及「包括」及其變化形式之使用意謂涵蓋其後列出之項目及其等效者，以及其他項目及其等效者。術語「安裝」、「連接」、「耦接」、「安置」、「結合」及類似術語之使用意欲包含藉由已知的任何適合之方法直接及間接以及固定或可移除安裝、連接、耦接、安置及結合。

用於測試液體或氣體樣品之分析儀器可在引入分析儀器之前與一或多個製備樣品之設備一起操作。如圖1中所描繪，用於製備用於分析測試之樣品的系統10可包含液體樣品源12及氣體樣品源14。可將液體樣品自液體樣品源12轉移至霧化器11，所述霧化器11耦接至腔室20，在一些實施例中，腔室20為可如本文所揭示而修改的噴霧室。可將氣體樣品自氣體樣品源14轉移至腔室20。在通過腔室20之後，在引入分析裝置24之前液體樣品或氣體樣品將通過耦接至腔室20之氣體交換裝置22。更特定言之，利用此系統10，有可能在將樣品引入分析裝置24之前經由耦接至氣體交換裝置22的同一腔室20或可互換腔室20處理液體樣品及氣體樣品兩者。不需要單獨的液體樣品設備系統及氣體樣品設備系統。利用系統10，有可能容易地自一種類型（例如氣體）樣品切換到其他（例如液體）類型樣品，而不必利用其他設備或重新配置現有系統10。

儘管圖1之元件展示為框圖，但本揭示案不限於此。特定言之，圖1中之方框中之一或多者可合併成單一方框或藉由單一方框執行之功能可劃分為多個現有或新方框。舉例而言，儘管在圖1中霧化器11視覺上描繪為靠近腔室20耦接，圖1涵蓋霧化器11可遠離或與腔室20間隔安置。

圖2描繪用於製備引入分析儀器之液體樣品或氣體樣品之系統100中的設備之說明性佈置。在此實例中，將來自液體樣品源102之液體樣品及來自氣體樣品源104之氣體樣品均傳送至同一腔室106，視所分析之樣品而定。在流過腔室106之後，所選樣品通過至氣體交換裝置130，有時亦稱為去溶劑器。

可諸如藉由抽吸將液體樣品自液體樣品源102經由液體流動管道108傳送且注入霧化器110中，在所述霧化器中將液體樣品霧化成薄霧或氣霧劑。將液體樣品薄霧自霧化器110注入腔室106中。在某些態樣中，腔室106可為諸如本領域中熟習此項技術者已知之噴霧室。亦參考圖5A，霧化器110在入口壁506上之液體入口埠502處耦接至腔室106之入口端500。可使用任何適合之霧化器。諸如玻璃或PFA同心噴霧器之多種噴霧器可購自例如Meinhard及Elemental Scientific。

液體樣品薄霧自霧化器110流至腔室106之內部120中，其安置於腔室106之外殼125的內部。可將內部120加熱至例如超過液體樣品之蒸發溫度之溫度。在某些實施例中，內部腔室120中之溫度維持約40℃至約150℃，且更佳地在約70℃與約110℃之間。隨後，通常在壓力梯度之影響下可使所得液體樣品之氣霧劑滴流過內部腔室120，自腔室106之入口端500至出口端520且進入氣體交換裝置130。

有時，其可需要分析一或多種氣體樣品。氣體樣品亦可在系統100中處理。可使用系統100製備之氣體樣品包含（但不限於）表1中所列之彼等氣體及空氣。 表1

可諸如藉由抽吸將氣體樣品自氣體樣品源104經由藉由連接器114耦接至腔室106之氣體流動管道112傳送。質量流量控制器116用於控制來自氣體樣品源104之樣品氣體之流率。氣體樣品源104處之選擇器閥118用以在不同氣體樣品之間切換，以使得最終可使用系統100將多種氣體樣品各自引入分析裝置150。

氣體樣品通過氣體入口埠504流入內部腔室120，通過內部腔室120，且通過出口埠512離開。

內部腔室120可具有大體上圓形的橫截面且沿其長度具有均一直徑。在其他態樣中，內部腔室120可具有不同形狀之橫截面或沿腔室之長度自入口端500至出口端520可為不均一的。

在實施例中，腔室106長度可在約10 cm與約30 cm之間且直徑可在約5 cm與約10 cm之間，更佳地長度為約20 cm且直徑為約7 cm。液體入口埠之直徑在約10 mm與約20 mm之間，更佳地為約0.5 mm。視所需之自腔室106之出口端520的氣體流量而定，在某些實施例中出口埠512之直徑可在約5 mm至約30 mm範圍內。

內部腔室120之內壁124可襯有任何材料，該等材料可承受腔室中之高溫及由液體樣品氣霧劑及/或氣體樣品形成之條件。在一個態樣中，表面襯有含氟聚合物，諸如全氟烷氧基（PFA）或聚四氟乙烯（PTFE）。如下文針對圖3及圖4所論述，在圖2之系統中可使用氣體流動通道322。

視情況，排放口或類似開口（未展示）可沿入口端500之下部部分放置，用於移除可沿內部120之底部128收集之過量液體樣品冷凝物。

可使用任何已知連接器將流動管道108、112可移除地連接至其相應入口埠。液體流動管道108視情況可可移除地連接至霧化器110，其中霧化器110始終保持耦接至入口埠502。連接器應為提供緊固密封以限制液體樣品、氣體樣品或處理氣體之洩漏且限制整個系統100中之壓力變化的類型及尺寸。

尤其當處理氣體樣品時，在系統100或任何其他實施例中，使用已知裝置（例如質量流量計、壓力閥/限制器等）量測並控制氣體樣品自樣品源104通過內部124及至氣體交換裝置130中之流率以限制壓力變化且有助於封閉膜138處之恰當氣體交換。在某些態樣中，維持正壓以使氣體樣品通過系統100移向並進入氣體交換裝置130。亦可控制來自封閉膜138之交換氣體之流率以與樣品氣體之流率一致。

氣體交換裝置130具有限定用於自出口埠512（圖5B）接收液體樣品氣霧劑及氣體樣品之入口132之孔。用管道及諸如推合連接器、螺紋連接器或其他適合之連接器的類似者將出口埠512連接至入口132以在腔室106與氣體交換裝置130之間提供密封連接。在氣體交換裝置與入口132相對之末端處的孔界定連接至分析裝置150（諸如ICP-MS或其他分析儀器/分析系統）之出口134。

氣體交換裝置130可由沿軸136延伸之大體上圓柱形殼體形成。當然可能為其他幾何形狀。較佳地，氣體交換裝置130包含封閉膜138以允許使用交換將顆粒自氣體樣品或液體樣品氣霧劑轉移至載氣，諸如與分析儀器（諸如ICP-MS）之電漿相容的氬氣。在某些態樣中，封閉膜138可為含氟聚合物膜。氣體交換裝置可藉由加熱器加熱，例如烘箱（未展示）。加熱器可經配置以將封閉膜138加熱至所需溫度（例如在約110℃與約160℃之間或更高）。各種適合之氣體交換裝置可購自例如日本之J-Science Lab Co., Ltd.。

使諸如氬氣之交換氣體在入口埠140處進入氣體交換裝置130且在氣體交換裝置130內流動。質量流量控制器162可靠近入口埠140放置以控制交換氣體進入氣體交換裝置130之流量。膜138允許交換氣體通過其向內擴散。膜138亦允許溶劑蒸氣（具有液體樣品）或氣體（具有氣體樣品）通過其向外擴散，但將此等樣品中所含有之顆粒及/或乾燥氣霧劑保持在膜內。由此，用膜內之交換氣體替換溶劑蒸氣或樣品氣體。隨後將過量交換氣體與溶劑蒸氣或氣體一起經由出口埠142移除。亦即，交換氣體流動有助於移除擴散通過封閉膜138之溶劑蒸氣（具有液體樣品）或樣品氣體（具有氣體樣品）。

隨後使保持在膜138內之樣品顆粒通過適合之連接流入（通常在壓力梯度之影響下）分析裝置150。

在某些態樣中，氣體交換裝置130之效率為約80%或更高、約90%或更高、約95%或更高、約97%或更高、約98%或更高或約99%或更高。

若需要額外的氣體流動以提高流向分析裝置之氣體流動之流率，則可在補充埠148處將補充氣體引入氣體交換裝置130中。質量流量控制器164可靠近補充埠148放置。舉例而言，補充氣體為氮氣。

舉例而言，當分析裝置為帶有氬電漿之ICP-MS且交換氣體為氬氣時，可能需要使用氮氣作為補充氣體，因為氮氣添加將有助於將氬電漿能量傳導/轉移至由交換氣體流運載之乾燥氣霧劑，從而促進氬電漿中元素之恰當霧化/電離。如下文所論述，例如在ICP-MS之校準期間測定氮氣流率，且隨後在整個過程中維持氮氣流率。

亦可在系統100中之其他位置處引入補充氣體以達成對樣品氣體流動及系統壓力之所需控制。

氣體樣品的流率可為0至2 L/min，例如0.2至1.8 L/min，或0.4至1.5 L/min。交換氣體流率在0與12 L/min之間。補充氣體可在0與50 mL/min之間，例如約1至45 mL/min。

質量流量計160可在氣體交換裝置與分析裝置之間介接。重要地，對於氣體樣品，氣體交換裝置130之出口136處的流率或壓力必須接近或等於在質量流量控制器116處所量測之樣品氣體之流率或壓力，以便維持污染物對濃度的線性響應。質量流量計160可用以量測流向分析裝置之氣體的流量，且可監測此值與質量流量控制器116所設置的值之比率。理想地，氣體之流量為由氣體樣品之質量流量控制器所量測的氣體樣品之流量的至少98%或至少99%。

將膜封閉在加熱器中，且將溫度控制在80與180℃之間。溫度控制與交換氣體流動/壓力一起為確保恰當/有效交換之兩個基本參數。可藉由與氣體交換裝置138之內部流動連通的壓力計144量測且控制氣體交換裝置130內之壓力。自氣體交換裝置之入口至出口之氣體壓力應為恆定的，且應足夠高以確保將交換氣體轉移至封閉膜中且將樣品氣體自封閉膜中轉移出。適合之壓力包含0.1至2 KPa，例如0.3 KPa。氣體樣品及/或液體樣品通過入口132及出口134之流量可使用本領域中熟習此項技術者已知之技術來控制。舉例而言，可將交換氣體設定為流率為1至15 L/min、或1至12 L/min、或3至10 L/min（例如8 L/min）以便獲得所需壓力。

質量流量控制器116、162、及164，質量流量計160，壓力計144及類似者可連接至經微處理器控制之裝置（「計算機」）（例如）以量測、監測及控制各種輸入及流率。計算機亦可用於量測、監測及控制所有條件，包含溫度及壓力。計算機可基於量測值進行調整，諸如改變流率等。在一些實施例中，計算機可調整交換氣體之流率，維持補充氣體之所需流率及/或控制壓力計及/或溫度，以確保達成最大氣體交換所需條件。

如所描述，腔室106容納液體樣品或氣體樣品，且有可能在樣品源102、104之間切換而幾乎不中斷或不中斷。

在其他態樣中，現參考圖3及圖4，系統300可包含兩個單獨的、可移除腔室，所述腔室在系統300中可互換使用。氣體腔室302專門用於氣體樣品且包含氣體通道322。液體腔室304專門用於液體樣品且不包含氣體通道。液體腔室304在配置及操作上與上文關於腔室106及來自液體樣品源102的液體樣品之處理類似，不同之處在於液體腔室304不存在與氣體樣品源104之連接。當需要處理氣體樣品時，將與氣體樣品源104連接之氣體腔室302（與如上文所描述系統100之連接類似）插入系統300中且與氣體交換裝置130耦接。當需要處理液體樣品時，將與液體樣品源102連接之液體腔室304（與如上文所描述系統100之連接類似）插入系統300中且與氣體交換裝置130耦接。以此方式，氣體樣品或液體樣品均可在系統300中處理。

如圖4中更詳細說明，當以可操作方式耦接至用於處理氣體樣品之氣體交換裝置130時，氣體腔室302可視情況包含氣體通道322，所述氣體通道安置在內部腔室320內且在一端連接至入口端500處之氣體入口埠504（圖5A）。氣體通道在殼體之入口端與出口端之間傳遞氣體而不損失任何氣體樣品且不損失壓力。

如上文關於系統100所描述，質量流量控制器116用於控制樣品氣體自氣體樣品源104經由氣體流動管道112之流率，所述氣體流動管道藉由連接器114耦接至腔室302。氣體樣品源104處之選擇器閥118用以在不同氣體樣品之間切換，以使得可使用系統300將多種氣體樣品各自引入分析裝置150。

在氣體腔室302中，氣體通道322將內部腔室320之長度自入口壁506處之氣體入口埠504（圖5A）延伸至出口壁510處之出口埠512（圖5B）且排出至氣體交換裝置130之入口132。將通過腔室302之氣體樣品流導引通過氣體通道322。氣體通道322可沿腔室之軸放置或可向腔室壁偏移。一般而言，將放置氣體通道322以使得其自氣體入口埠504直接延伸至出口埠512，以用於不受阻的流動路徑。因此，氣體通道之長度通常對應於入口端500與出口端520之間的腔室302之長度。

氣體通道322可為可撓性或剛性的。其可由用於內襯內部腔室320（或內部腔室120）之內壁324之相同材料或不同材料構成。在一個態樣中，選擇對所處理之氣體樣品呈惰性的材料。在某些實例中，氣體通道322可包括PFA或PTFE導管。氣體通道322之直徑及厚度亦將至少部分取決於氣體入口埠504及出口埠512之方位及尺寸。在一個態樣中，氣體通道包括0.25吋直徑PTFE導管。使用任何適合之連接器將氣體通道322連接至埠504、512以提供緊固且密封連接。

若在操作過程中需要用於氣體通道322之另外支持，則可包含本領域中熟習此項技術者已知之其他特徵，諸如隔板。

腔室302連接至氣體交換裝置130，其特徵及操作在上文關於系統100描述。

當在系統300中處理氣體樣品時，使用已知技術量測且控制自樣品源104通過氣體通道322並進入氣體交換裝置130之氣體樣品流率以限制壓力變化並有助於封閉膜138處的恰當氣體交換。在某些態樣中，維持正壓以使氣體樣品通過系統300移向並進入氣體交換裝置130。亦可控制來自封閉膜138之交換氣體之流率以與處理氣體之流率一致。在某些態樣中，質量流量計160可在氣體交換裝置與分析裝置之間介接且連接至質量流量控制器116。在實施例中，質量流量計160與計算機連通。

如上文針對系統100所論述，若需要額外的氣體流動來維持或調整跨越膜138之壓力以獲得所需氣體交換率，可在補充埠148處將補充氣體引入氣體交換裝置130中。補充氣體可為與交換氣體相同的氣體或可為不同氣體。補充氣體可與交換氣體一起流過並離開氣體交換裝置130。補充氣體亦可用於提高樣品氣體流動之流率。亦可在系統100中之其他位置處引入補充氣體以達成對樣品氣體流動及系統壓力之所需控制。在交換氣體為氬氣之一個示例實施例中，補充氣體可為氮氣，且在用液體標準物校準所揭示之方法及系統時同時測定補充氣體之量。

如圖6中所描繪，製備用於分析測試之樣品之系統600可包含液體樣品源602及氣體樣品源604。可將液體樣品自液體樣品源602轉移至耦接至腔室608的霧化器606。在通過腔室608之後，在引入分析裝置612之前液體樣品將通過耦接至腔室608之氣體交換裝置610。可將氣體樣品自氣體樣品源604繞過腔室608轉移至氣體交換裝置610。更特定言之，利用此系統600，有可能在將樣品引入分析裝置612之前經由一個耦接至氣體交換裝置610之腔室608處理液體樣品及氣體樣品兩者，同時仍達成所期望的結果。不需要單獨的液體樣品設備系統及氣體樣品設備系統。利用系統600，有可能無需利用其他設備或重新配置現有系統600而容易地自一種類型之樣品切換至其他類型或與氣體樣品一起處理液體樣品。

儘管圖6之元件展示為框圖，但本揭示案不限於此。特定言之，圖6中之方框中之一或多者可合併成單一方框或藉由單一方框執行之功能可劃分為多個現有或新方框。舉例而言，儘管在圖6中霧化器11視覺上描繪為靠近腔室608耦接，圖6涵蓋霧化器606可遠離或與腔室608間隔放置。

圖7描繪用於製備引入分析儀器之液體樣品或氣體樣品之系統700中的設備之說明性佈置。在系統700中，將氣體樣品自氣體樣品源104經由氣體流動管道112傳送至由連接器714耦接之氣體交換裝置130之入口132。質量流量控制器116用於控制來自氣體樣品源104之樣品氣體之流率。氣體樣品源104處之選擇器閥118用以在不同氣體樣品之間切換，以使得可使用系統300將多種氣體樣品各自引入分析裝置150。將液體樣品自液體樣品源102經由液體流動管道108傳送至霧化器110及腔室106。在此佈置中，氣體樣品繞過腔室106。如上文所描述，在傳遞至入口132之前可在腔室106中處理液體樣品。

使用任何適合之連接器714（諸如旋鍛類型）將氣體流動管道112連接至氣體交換裝置130。在一個態樣中，腔室106與氣體交換裝置130之間的「T」連接可用以將氣體流動管道112耦接至腔室106及氣體交換裝置130之入口132。

利用系統700，將氣體樣品自氣體樣品源104獨立引入分析裝置150。如上文關於系統100所描述，將液體樣品傳送通過腔室106。

如同本文所描述之其他系統，使用已知裝置（例如質量流量計、壓力計等）量測且控制氣體樣品自樣品源104流入氣體交換裝置130之流率以限制壓力變化並有助於封閉膜138處之恰當氣體交換。在某些態樣中，維持正壓以使氣體樣品通過系統700移向並進入氣體交換裝置130。亦可控制來自封閉膜138之交換氣體之流率以與校準期間的處理氣體之流率一致。在某些態樣中，質量流量計160可在氣體交換裝置與分析裝置之間介接且連接至質量流量控制器116。

如上文針對系統100所論述，若需要額外的氣體流動來維持或調整跨越膜138之壓力以獲得所需氣體交換率，可在補充埠148處將補充氣體引入氣體交換裝置130中。補充氣體可為與交換氣體相同的氣體或可為不同氣體。補充氣體可與交換氣體一起流過並離開氣體交換裝置130。補充氣體亦可用於提高樣品氣體流動之流率。亦可在系統100中之其他位置處引入補充氣體以達成對樣品氣體流動及系統壓力之所需控制。

質量流量計160可在氣體交換裝置與分析裝置之間介接。如先前針對系統100所論述，關於氣體樣品，氣體交換裝置130之出口134處之流率或壓力必須接近或等於在質量流量控制器116處所量測的樣品氣體之流率或壓力以便維持污染物對濃度之線性響應。質量流量計160可用以量測流向分析裝置之氣體的流量，且可例如藉由計算機監測此值與質量流量控制器116所設置的值之比率。理想地，氣體之流量為由氣體樣品之質量流量控制器所量測的氣體樣品之流量的至少98%或至少99%。

將膜封閉在加熱器中，且將溫度控制在80與180℃之間。溫度控制與交換氣體流動/壓力一起為確保恰當/有效交換之兩個基本參數。可藉由與氣體交換裝置138之內部流動連通的壓力計144量測且控制氣體交換裝置130內之壓力。自氣體交換裝置之入口至出口之氣體壓力應為恆定的，且應足夠高以確保將交換氣體轉移至封閉膜中且將樣品氣體自封閉膜中轉移出。適合之壓力包含0.1至2 KPa，例如0.3 KPa。氣體樣品及/或液體樣品通過入口132及出口134之流量可使用本領域中熟習此項技術者已知之技術來控制。舉例而言，可將交換氣體設定為流率為1至15 L/min、或1至12 L/min、或3至10 L/min（例如8 L/min）以便獲得所需壓力。

質量流量控制器116、162、及164，質量流量計160，壓力計144及類似者可連接至經微處理器控制之裝置（「計算機」）（例如）以量測、監測及控制各種輸入及流率。計算機亦可用於量測、監測及控制所有條件，包含溫度及壓力。計算機可基於量測值進行調整，諸如改變流率等。在一些實施例中，計算機可調整交換氣體之流率，維持補充氣體之所需流率及/或控制壓力計及/或溫度，以確保達成最大氣體交換所需條件。

應理解，在本文所描述之系統中之每一者中，相似特徵由相似附圖標號指示且在各系統中以相似方式操作。

在本文所描述之任何系統中，在操作中，可根據本領域中熟習此項技術者已知之校準技術使用液體標準物對氣體交換裝置進行初始校準。基於校準，可確定氣體樣品質量流量控制器116、交換氣體質量流量控制器162及/或補充氣體（例如氮氣）質量流量控制器164之所需流率。此等值一般在過程開始時設置且隨後監測。將液體標準物102通過樣品管線108吸入霧化器110，將液體霧化進入線性路徑加熱之噴霧室124（溫度在120與130℃之間）。加熱噴霧室使氣霧劑之液體組分蒸發有助於其在GED 130中之交換。隨後將乾燥氣霧劑運載至ICP-MS 150。可在入口埠148處添加氮氣以改善電漿中之電離。

一旦在本文所描述之任何系統中處理含顆粒之液體樣品及/或氣體樣品，則可藉由本領域中熟習此項技術者已知的技術來分析由分析裝置150產生之資料，所述技術包含在美國專利申請公開案第2015/0235833號中所描述之技術，其揭示內容全文併入本文中。

應理解，儘管在本文中使用感應耦合電漿及質譜儀作為示例，但任何氣相或顆粒樣品分析系統均視為等效的且可替代地使用。

圖8描繪利用所揭示之方法及系統之實驗室空氣掃描的ICP-MS結果。圖9描繪圖8之實驗室空氣之掃描的結果之定量結果。表概述以下資訊：樣品氣體流量、最常見分析顆粒尺寸、平均顆粒分佈尺寸、所偵測之含有分析元素之顆粒數量、含有分析元素之顆粒濃度、背景水準強度（溶解強度）及溶解濃度（表示分析樣品中之背景濃度水準）。

根據所揭示之方法及系統，將經壓縮空氣連接至氣體樣品質量流量控制器116。使空氣基質（78.09%氮氣、20.95%氧氣、0.93%氬氣、0.04%二氧化碳）與氬氣交換且藉由ICP-MS分析經壓縮空氣中之雜質。圖10描繪30多種元素之經壓縮空氣之掃描結果。

使用可攜式空氣泵將環境實驗室空氣泵吸通過樣品質量流量控制器116，以進行流量控制。實驗室空氣樣品經由安置在內部腔室內之氣體通道行進通過加熱腔室（110℃）。質量流量控制器控制進入系統之流率（1 L/min）。所得流動輸入加熱含氟聚合物膜（160℃）內之氣體交換裝置。以足夠壓力（0.3 KPa）及流率（8 L/min）將氬氣交換氣體泵吸入氣體交換管以迫使氬氣通過膜。氬氣替代空氣基質（78.09%氮氣、20.95%氧氣、0.93%氬氣、0.04%二氧化碳）且將空氣污染物引導進入GED 130之存在。在進入質量流量計及ICP-MS之前添加148之補償氣體氮氣。圖11描繪來自ICP-MS分析儀器之掃描結果。

圖12描繪在實驗室空氣中發現的鈉（Na）之示例顯示。對於其他元素，例如但不限於鉀、鎂、銅、鐵、鋅或鉛，可顯示類似結果。

儘管已以特定針對於結構特徵及/或方法動作之語言描述標的物，但應理解所附申請專利範圍中所定義之標的物未必限於上文所描述之特定特徵或動作。確切而言，上文所描述之特定特徵及動作描述為以下申請專利範圍之示例實施方案。

10:系統 11:霧化器 12:液體樣品源 14:氣體樣品源 20:噴霧室 22:氣體交換裝置 24:分析裝置 100:系統 102:液體樣品源 104:氣體樣品源 106:腔室 108:液體流動管道 110:霧化器 112:氣體流動管道 114:連接器 116:質量流量控制器 118:選擇閥 120:內部/內部腔室 124:內部/內壁/噴霧室 125:外殼 128:底部 130:氣體交換裝置 132:入口 134:出口 136:軸 138:封閉膜/氣體交換裝置 140:入口埠 142:出口埠 144:壓力計 148:補充埠/入口埠 150:分析裝置 160:質量流量計 162:質量流量控制器 164:質量流量控制器 300:系統 302:氣體腔室 304:液體腔室 320:內部腔室 322:氣體通道/氣體流動通道 324:內壁 500:入口端 502:入口埠/液體入口埠 504:氣體入口埠 506:入口壁 510:出口壁 512:出口埠 520:出口端 600:系統 602:液體樣品源 604:氣體樣品源 606:霧化器 608:腔室 610:氣體交換裝置 612:分析裝置 700:系統 714:連接器

藉由參考以下參考附圖之描述，可獲得對本文所描述之態樣及其優勢之更全面理解，其中相同附圖標號指示相同特徵，且其中：

圖1為根據一或多個示例實施例之可與腔室一起使用之組件的框圖。

圖2描繪根據一或多個示例實施例之用於將液體及氣體樣品引入分析儀器之系統的說明性佈置，其展示腔室之剖視圖及耦接至腔室之氣體交換裝置的剖視圖。

圖3描繪根據一或多個示例實施例之用於將液體及氣體樣品引入分析儀器之系統的另一說明性佈置，其展示兩個之剖視圖及可耦接至腔室中之一者的氣體交換裝置之剖視圖。

圖4描繪圖3之系統，其說明圖3之氣體樣品腔室，所述氣體樣品腔室耦接至用於處理氣體樣品的氣體交換裝置。

圖5A描繪根據一或多個示例實施例之腔室的入口端上之入口埠。

圖5B描繪根據一或多個示例實施例之腔室的出口端上之出口埠。

圖6為用於將液體及氣體樣品引入氣體交換裝置之替代實施例之另一框圖。

圖7描繪根據一或多個示例實施例之用於將液體及氣體樣品引入分析儀器之系統的說明性佈置，其展示腔室之剖視圖及耦接至腔室的氣體交換裝置之剖視圖，其中將液體樣品引入腔室之入口且將氣體樣品通過腔室之出口引入。

圖8描繪使用所揭示之方法及系統之實驗室空氣之掃描結果。

圖9描繪使用所揭示之方法及系統的圖8之實驗室空氣之掃描定量結果。

圖10描繪使用所揭示之方法及系統的經壓縮空氣之掃描結果。

圖11描繪使用所揭示之方法及系統的環境空氣分析之掃描結果。

圖12描繪在使用所揭示之方法及系統的實驗室空氣中所發現之鈉（Na）之示例顯示。

10:系統

11:霧化器

12:液體樣品源

14:氣體樣品源

20:噴霧室

22:氣體交換裝置

24:分析裝置

Claims (24)

1. 一種系統，其經配置以接收待提供至分析裝置之液體樣品或氣體樣品，所述系統包括： 腔室，其包括具有入口端及出口端之外殼； 所述入口端具有經配置以自氣體樣品源接收氣體樣品之氣體入口埠及經配置以自液體樣品源接收液體樣品且自所述液體樣品形成液體樣品氣霧劑之液體入口埠； 所述出口端具有耦接至氣體交換裝置之出口埠以使得所述氣體樣品或液體樣品將流過所述出口埠至所述氣體交換裝置； 在所述入口端與所述出口端之間延伸的內部腔室，所述內部腔室連接至所述液體入口埠以接收所述液體樣品；及 所述腔室可操作以選擇性接收所述氣體樣品或所述液體樣品。
2. 如申請專利範圍第1項所述之系統，其進一步包括連接至所述液體入口埠之霧化器以自所述液體樣品形成所述液體樣品氣霧劑。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之系統，其進一步包括氣體流動管道以將所述氣體樣品自所述氣體樣品源傳送至所述氣體入口埠。
4. 如申請專利範圍第3項所述之系統，其進一步包括連接至所述氣體流動管道之選擇器閥，且其中所述氣體樣品源包括不同氣體樣品以使得所述選擇器閥在所述不同氣體樣品之間選擇性切換。
5. 如申請專利範圍第3項或第4項所述之系統，其進一步包括連接至所述氣體流動管道之質量流量控制器以控制所述氣體樣品之流率。
6. 如申請專利範圍第5項所述之系統，其中所述氣體交換裝置具有入口孔及出口孔，所述入口孔用於自所述出口埠接收所述液體樣品氣霧劑或氣體樣品，所述出口孔用以將自所述液體樣品氣霧劑或氣體樣品移除之樣品顆粒傳送至分析裝置。
7. 如申請專利範圍第6項所述之系統，其進一步包括在所述氣體交換裝置與所述分析裝置之間介接之質量流量計。
8. 如申請專利範圍第7項所述之系統，其中所述質量流量計經配置以向所述分析裝置提供氣體之流動，如藉由所述質量流量控制器所量測所述氣體之流動為所述氣體樣品之流動的至少98%。
9. 如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述之系統，其進一步包括在所述外殼之所述入口端與所述出口端之間延伸且安置在所述內部腔室內之氣體通道，所述氣體通道連接至所述氣體入口埠以允許所述氣體樣品進入及通過所述氣體通道。
10. 如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述之系統，其中所述氣體交換裝置包括沿軸延伸且包圍用於自所述氣體樣品或液體樣品氣霧劑移除及轉移顆粒之膜的圓柱形殼體、以及交換氣體入口埠及交換氣體出口埠。
11. 一種系統，其經配置以接收待提供至分析裝置之液體樣品或氣體樣品，所述系統包括： 腔室，其包括具有入口端及出口端之外殼； 所述入口端具有經配置以自液體樣品源接收液體樣品且自所述液體樣品形成液體樣品氣霧劑之液體入口埠； 所述出口端具有耦接至氣體交換裝置之出口埠以使得所述液體樣品將流過所述出口埠至所述氣體交換裝置；及 在所述入口端與所述出口端之間延伸的內部腔室，所述內部腔室連接至所述液體入口埠以接收所述液體樣品；及 氣體入口埠，其鄰近所述出口端連接至所述氣體交換裝置且經配置以自氣體樣品源接收氣體樣品， 所述系統可操作以選擇性接收所述氣體樣品或所述液體樣品。
12. 如申請專利範圍第11項所述之系統，其進一步包括氣體流動管道以將所述氣體樣品自所述氣體樣品源傳送至所述氣體入口埠。
13. 如申請專利範圍第12項所述之系統，其進一步包括連接至所述氣體流動管道之選擇器閥，且其中所述氣體樣品源包括不同氣體樣品以使得所述選擇器閥在所述不同氣體樣品之間選擇性切換。
14. 如申請專利範圍第12項所述之系統，其進一步包括連接至所述氣體流動管道之質量流量控制器以控制氣體樣品之流率。
15. 如申請專利範圍第14項所述之系統，其中所述氣體交換裝置具有入口孔及出口孔，所述入口孔用於自所述出口埠接收所述液體樣品氣霧劑或自所述氣體入口埠接收氣體樣品，所述出口孔用以將自所述液體樣品氣霧劑或氣體樣品移除之樣品顆粒傳送至分析裝置。
16. 如申請專利範圍第15項所述之系統，其進一步包括在所述氣體交換裝置與所述分析裝置之間介接之質量流量計。
17. 如申請專利範圍第16項所述之系統，其中所述質量流量計經配置以向所述分析裝置提供氣體之流動，如藉由所述質量流量控制器所量測所述氣體之流動為所述氣體樣品之流動的至少98%。
18. 如申請專利範圍第15項所述之系統，其中所述氣體交換裝置包括沿軸延伸且包圍用於自所述氣體樣品或液體樣品氣霧劑移除及轉移顆粒之膜的圓柱形殼體、以及交換氣體入口埠及交換氣體出口埠。
19. 一種用於分析液體樣品或氣體樣品之系統，所述系統包括： 液體樣品源及氣體樣品源； 樣品遞送裝置，用於自相應樣品源選擇性轉移所述液體樣品或所述氣體樣品； 耦接至所述液體樣品源及所述氣體樣品源之加熱腔室，所述加熱腔室包括： 入口端，其具有經配置以接收所述氣體樣品之氣體入口埠及經配置以接收所述液體樣品之液體入口埠； 出口端； 質量流量控制器，用於控制樣品氣體自所述氣體樣品至所述氣體入口埠之流率； 介接至所述加熱腔室之出口的氣體交換裝置，所述氣體交換裝置具有用於接收交換氣體之交換氣體入口埠及用於排出輸出氣體之輸出氣體出口埠； 分析裝置，用於自所述氣體交換裝置接收所述輸出氣體；及， 在所述氣體交換裝置之出口與所述分析裝置之輸入之間介接的質量流量計，所述質量流量計經配置以提供所述氣體交換裝置之所述輸出氣體之流率，所述流率為來自所述氣體樣品的所述樣品氣體之流率的至少98%。
20. 一種製備用於分析之液體樣品或氣體樣品之方法，其包括： 將所述液體樣品或所述氣體樣品自相應液體樣品源或氣體樣品源選擇性轉移至氣體交換裝置，其中在所述氣體交換裝置之前將所述液體樣品氣霧化； 使所述氣霧化液體樣品或氣體樣品通過所述氣體交換裝置； 與所述氣霧化液體樣品或氣體樣品逆向流動注射交換氣體通過所述氣體交換裝置； 將所述氣體交換裝置之輸出傳遞至分析裝置；及 在所述氣體交換裝置及所述分析裝置之界面處監測輸出流率。
21. 如申請專利範圍第20項所述之方法，其進一步包括注射補充氣體至所述輸出以提供所述氣體交換裝置的所述輸出之流率，所述流率為來自所述氣體樣品源之所述氣體樣品之流率的至少98%。
22. 如申請專利範圍第20項所述之方法，其中將所述液體樣品自所述液體樣品源經由包括入口端、出口端及內部腔室之殼體轉移至所述氣體交換裝置，所述液體樣品自所述入口端通過所述內部腔室至所述出口端，所述液體樣品在所述入口端處氣霧化。
23. 如申請專利範圍第22項所述之方法，其中在轉移至所述氣體交換裝置之前將所述氣體樣品自所述氣體樣品源轉移通過所述內部腔室。
24. 如申請專利範圍第20項所述之方法，其中將所述氣體樣品自所述氣體樣品源直接轉移至所述氣體交換裝置。

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