TW202009222A - 氨水處理裝置 - Google Patents

Abstract

本發明為一種氨水處理裝置，包括一第一外殼體、複數個第一板槽及一加熱單元。複數個第一板槽以層疊的方式設置於第一外殼體的容置空間內，並將容置空間區隔成為一流動空間。第一外殼體的上方連接至少一液體輸入端及至少一氣體輸出端，而第一外殼體的下方則連接至少一液體輸出端。由液體輸入端進入的氨水會經由上方的第一板槽的容置槽溢流至下方的第一板槽，氨水的溫度會隨著逐漸朝加熱單元的方向靠近而上昇，以產生氨氣及水溶液，其中氨氣可回收再利用，而水溶液則可符合環保法規的排放標準。

Description

氨水處理裝置

本發明是有關於一種氨水處理裝置，可用以處理廢氨水，並產生氨氣及水溶液，其中氨氣可回收再利用，而水溶液則可符合環保法規的排放標準。

氨氣是半導體製程中重要的材料，以發光二極體(LED)為例，純氨是製造LED的氮化鎵晶體的重要材料，一般LED廠使用之純氨雖為6N5(99.99995%)以上的等級，但純氨仍無法避免含有微量的有機物，例如丙酮、異丙醇、甲烷、乙烷、丙烷、乙烯、丙烯等等。當LED廠以MOCVD製程在高溫下(750~1050℃)合成氮化鎵時，有機物將會裂解為烷類、烯類、一氧化碳、二氧化碳、碳粒、烯酮等等的衍生雜質。

在另一方面，每提供100公斤的純氨進入LED製程，將會有80公斤的氨氣被排出製程，而一般排出製程的氨氣濃度約為10%~15%，並包括氫氣、氮氣、甲烷、微量氣體(一氧化碳、二氧化碳、烯酮)及粒狀物(碳粒及金屬鎵)，一般大都將這些排出的氨氣視為廢棄物而不再利用。排出的廢氨氣通常會被導入水中，並形成氨水排出。

本發明提出一種氨水處理裝置，可用以處理半導體製程中所產生的氨水，並產生氨氣及水溶液。藉此可將氨氣回收再利用，而處理過程中所產生的水溶液則可符合環保法規的排放標準。為此本發明不僅可降低半導體製程的成本，亦可降低排放氣體對環境所造成的污染。

本發明提出一種氨水處理裝置，包括複數個層疊設置的第一板槽，並在各個第一板槽之間形成一流動空間。此外第一板槽的上表面具有一容置槽，可用以容納由液體輸入端進入的氨水，其中容置槽內的氨水受熱後，部分的水氣及氨氣會由氨水排出，此外排出的水氣及氨氣可進一步加熱上方的第一板槽及氨水。

本發明提出一種氨水處理裝置，主要於一第一外殼體內設置複數個層疊設置的第一板槽，並透過第一板槽將第一外殼體內的容置空間區隔成一流動空間。第一外殼體的上方設置至少一液體輸入端及至少一氣體輸出端，而第一外殼體的下方則設置至少一液體輸出端。由液體輸入端進入的氨水會經由上方的第一板槽流到下方的第一板槽，而後再流到加熱單元。隨著氨水逐漸靠近加熱單元，氨水的溫度將會逐漸上昇，使得氨水內的氨氣排出，而最靠近加熱單元的氨水的氨濃度很低，並符合環保法規的排放標準，可由液體輸出端排出。

本發明提出一種氨水處理裝置，包括：複數個第一板槽，以層疊的方式設置，第一板槽包括一板體及至少一側板，其中板體包括一上表面及一下表面，而側板設置於板體的上表面，使得側板與板體的上表面之間形成至少一容置槽；一第一外殼體，包括複數個殼板、至少一液體輸入端、至少一液體輸出端及至少一氣體輸出端，複數個殼板內具有一容置空間，層疊設置的第一板槽設置於容置空間內，並將容置空間區隔成為一流動空間，其中液體輸入端、液體輸出端及氣體輸出端流體連通流動空間；及一加熱單元，位於層疊設置的複數個第一板槽的下方。

在本發明氨水處理裝置一實施例中，其中相鄰的第一板槽之間存在一間隔空間。

在本發明氨水處理裝置一實施例中，其中相鄰的第一板槽分別連接第一外殼體的相面對的兩個殼板，並於第一板槽與殼板之間形成一連通道，且間隔空間及開連通道形成流動空間。

在本發明氨水處理裝置一實施例中，其中側板、板體的上表面及第一外殼體的殼板形成容置槽。

在本發明氨水處理裝置一實施例中，其中液體輸入端為一氨水的輸入口，氣體輸出端為一氨氣的輸出口，而液體輸出端則為一水溶液的輸出口。

在本發明氨水處理裝置一實施例中，其中液體輸入端及氣體輸出端靠近第一外殼體的頂部，而液體輸出端則靠近第一外殼體的底部。

在本發明氨水處理裝置一實施例中，其中板體的上表面及下表面分別具有複數個凹陷部。

在本發明氨水處理裝置一實施例中，其中側板與板體的上表面的凹陷部形成容置槽。

在本發明氨水處理裝置一實施例中，其中相鄰的第一板槽的凹陷部之間具有一間隔空間，且間隔空間的剖面為六邊形、正六邊形、四邊形、多邊形、圓形或圓弧形。

在本發明氨水處理裝置一實施例中，還包括一氨氣濃度提升裝置，包括：複數個第二板槽，以層疊的方式設置，第二板槽包括一板體及至少一側板，其中側板與板體之間形成至少一容置槽；一第二外殼體，包括複數個殼板、至少一氣體輸入端、至少一氣體輸出端及至少一液體輸出端，複數個殼板內具有一容置空間，層疊設置的第二板槽設置於容置空間內，並將容置空間區隔成為一流動空間，其中氣體輸入端、氣體輸出端及液體輸出端流體連通流動空間，其中第二外殼體上的氣體輸入端連接第一外殼體上的氣體輸出端；及一冷卻單元，位於層疊設置的複數個第二板槽的上方。

請參閱圖1，為本發明氨水處理裝置一實施例的構造示意圖。如圖所示，本發明所述的氨水處理裝置10主要包括一第一外殼體11、複數個第一板槽13及一加熱單元17。

第一外殼體11包括複數個殼板110，並於複數個殼板110之間形成一容置空間111，而複數個第一板槽13則設置在第一外殼體11的容置空間111內。在本發明一實施例中，第一外殼體11可以是正方體或長方體，當然在實際應用時第一外殼體11亦可以是其它不同形狀的立體構造。

第一外殼體11包括至少一液體輸入端151、至少一液體輸出端153及至少一氣體輸出端155，其中液體輸入端151、液體輸出端153及氣體輸出端155皆流體連通第一外殼體11內的容置空間111。在本發明一實施例中，液體輸入端151及氣體輸出端155靠近第一外殼體11的頂部，而液體輸出端153則靠近第一外殼體11的底部。在本發明一實施例中，液體輸入端151及氣體輸出端155的設置高度高於液體輸出端153，另外氣體輸出端155的設置高度則高於液體輸入端151。

複數個第一板槽13以層疊的方式設置，並於相鄰的第一板槽13之間形成一間隔空間113，例如位於上方的第一板槽13的下表面134與其下方的第一板槽13的上表面132之間存在間隔空間113。此外各個第一板槽13包括一板體131及一側板133，其中板體131包括一上表面132及一下表面134，而側板133則設置在板體131的上表面132，並在側板133及板體131的上表面132之間形成一容置槽135。

在本發明一實施例中，第一板槽13的側板133可設置在板體131的周圍，如圖2所示，板體131為長方形，並於板體131的四個邊皆設置側板133，以在板體131與側板133之間形成容置槽135。圖3中虛線構造為第一外殼體11，在將第一板槽13設置在第一外殼體11內部時，可使得相鄰的第一板槽13的一端分別連接第一外殼體11不同的殼板110或相面對的兩個殼板110。例如若最下方的第一板槽13的一端連接第一外殼體11的右殼板112，則與最下方的第一板槽13相鄰的另一第一板槽13的一端則連接第一外殼體11的左殼板114，而上方的其他第一板槽13同樣以交錯方式分別連接第一外殼體11相面對的兩個殼板110上，如此第一板槽13的一端與第一外殼體11的殼板110之間將會形成一連通道115，如圖3所示。

在本發明另一實施例中，第一板槽13的側板133可設置在板體131的至少一側邊，如圖4所示，板體131為長方形，並於板體131的一個邊上設置側板133。圖5中虛線構造為第一外殼體11，其中第一板槽13連接在第一外殼體11的殼板110的內表面後，板體131、側板133及第一外殼體11的殼板110之間將會形成容置槽135，如圖5所示。

間隔空間113會與連通道115流體連接，並形成一流體連接液體輸入端151、液體輸出端153及氣體輸出端155的流動空間117。具體而言，本發明將層疊設置的第一板槽13設置於第一外殼體11的容置空間11內，並將容置空間11區隔成為流動空間117，其中液體輸入端151、液體輸出端153及氣體輸出端155流體連通流動空間117。

由第一外殼體11上方的液體輸入端151進入的液體會先累積在最上方的第一板槽13的容置槽135內，當累積的液體高度超過側板131的高度時，液體將會由上方第一板槽13的容置槽135溢流至下方第一板槽13的容置槽135，液體最後會流到第一外殼體11的底部。

加熱單元17設置在層疊設置的第一板槽13的下方，例如加熱單元17可設置在第一外殼體11的底部。加熱單元17用以提高第一板槽13、容置空間111內部的氣體及液體的溫度。例如提高各個容置槽135內的液體的溫度。

在本發明一實施例中，液體輸入端151為一氨水121的輸入口，液體輸出端153為一水溶液123的輸出口，而氣體輸出端155則為一氨氣125的輸出口。在實際應用時可將氨水121由液體輸入端151輸入第一外殼體11內，氨水121在進入第一外殼體11後，將會依序累積在各個第一板槽13的容置槽135內，而後經由層疊的各個第一板槽13溢流到第一外殼體11的底部。

由於加熱單元17的作用，第一外殼體11內的第一板槽13的溫度會高於外界的溫度。進入的氨水121在接觸第一板槽13後，氨水121的溫度將會上昇，使得氨水121中部分的水氣及氨氣125釋出，以增加氨的氣化量。此外當容置槽135內氨水121的高度超過側板131的高度時，氨水121將會由上方第一板槽13的容置槽135溢流至下方第一板槽13的容置槽135，並以下方第一板槽13加熱氨水121，使得氨水121中部分的水氣及氨氣125被排出。

隨著氨水121溢流到下方的第一板槽13，氨水121將會越接近加熱單元17，使得氨水121的溫度隨著流到下方的第一板槽13逐漸增加，而氨水121內的氨氣125則會進一步排出。氨水121最後會溢流到第一外殼體11底部，並與加熱單元17接觸，此時氨水121的溫度最高，而氨水121內大部分的氨氣125會被排出，使得氨水121形成一水溶液123，其中水溶液123可由下方的液體輸出端153輸出。

由氨水121中排出的氨氣125會沿著流動空間117朝氣體輸出口155的方向流動，最後由氣體輸出口155排出。另外下方的第一板槽13的容置槽135內的氨水121溫度較高，使得排出的氨氣125及水氣的溫度較上方的容置槽135內的氨水121高。因此氨氣125及水氣由下方容置槽135的氨水121排出並與上方的第一板槽13接觸，藉此將氣體的熱能傳給上方的第一板槽13，並可加熱上方第一板槽13的氨水121。

另外下方的第一板槽13產生的氣體，如氨氣及水氣，在將熱能傳給上方的第一板槽13的過程中，部分的氨氣及水氣將會冷凝在上方的第一板槽13的下表面134，並重新分配氣相的成份，以增加氨氣的比例。

在本發明實施例中，越靠近加熱單元17的空間、第一板槽13及容置槽135內的氨水121的溫度越高，而越遠離加熱單元17的空間、第一板槽13及容置槽135內的氨水121的溫度則較低。

氨水121的溫度會隨著接近加熱單元17而逐漸增加，並使得氨水121的含氨量逐漸降低。具體來說，當氨水121輸送至最下方，並與加熱單元17接觸時，氨水121內大部分的氨會因為溫度上昇而析出，並產生符合環保法規排放標準的水溶液123。

在本發明一實施例中，加熱單元17的溫度可介於攝氏50度至150之間，而由氣體輸出端155排出的氨氣125的質量濃度則約為25%。具體來說，當質量濃度為6%的氨水121在經過8層第一板槽13之後，氨水121的質量濃度可降至0.05%。當然以上的數據僅為本發明的一實施例，並非本發明權利範圍的限制。

具體來說氨水處理裝置10輸出的水溶液123中的氨濃度，會隨著加熱單元17的溫度及第一板槽13的數量與面積而改變，使用者可依據需求調整。因此加熱單元17的溫度及第一板槽13的數量與面積並非本發明權利範圍的限制。

此外加熱單元17可以是一般常見的電加熱器、瓦斯加熱器或者是熱循環系統，例如加熱單元17可包括至少一輸入端171及至少一輸出端173，其中熱流體(熱油)由輸入端171進入加熱單元17，並由輸出端173輸出。

在本發明另一實施例中，如圖6所示，氨水處理裝置10亦可包括一熱交換器14，其中熱交換器14設置在第一外殼體11的外部。液體輸入端151連接至少一輸入管線152，而液體輸出端153則連接至少一輸出管線154，輸入管線152及輸出管線154連接熱交換器14。具體來說，輸入管線152及輸出管線154在熱交換器內14相互靠近或接觸，使得輸出管線154內的水溶液123加熱(預熱)輸入管線152內的氨水121，以提高氨水121的溫度及降低水溶液123的溫度。

請參閱圖7，為本發明氨水處理裝置又一實施例的構造示意圖。如圖所示，本發明所述的氨水處理裝置20的主要包括一第一外殼體21、複數個第一板槽23及一加熱單元27，本發明實施例的剖面方向與圖1實施例的剖面方向垂直。

在本發明實施例中，如圖8及圖9所示，第一板槽23包括一板體231及至少一側板233，其中板體231包括一上表面232及一下表面234，並於上表面232及下表面234上形成複數個凹陷部237。具體來說可以將平板彎折或加壓成型，以在板體231上形成複數個凹陷部237。板體231的上表面232的凹陷部237的一端或兩端可設置側板233，使得側板233與板體231上表面232的凹陷部237形成一容置槽235。

複數個第一板槽23以層疊方式設置，如圖10及圖11，當兩個第一板槽23重疊時，兩個相鄰的第一板槽23的凹陷部237之間可形成至少一間隔空間213。此外兩個相鄰的第一板槽23的兩端不重疊，並在第一板槽23的一端與第一外殼體21之間形成一連通道215，使得間隔空間213及連通道215流體連接形成一流動空間217，例如兩個第一板槽23上設置有側板233的側邊不重疊。

在本發明上述實施例中，兩個相鄰的第一板槽23的凹陷部237所形成的間隔空間213的剖面為六邊形或正六邊形，使得間隔空間213形成一六邊形或正六邊形的柱狀體。在不同實施例中，兩個第一板槽23所形成的間隔空間213的剖面亦可為其他幾何形狀，例如圓形、橢圓形、圓弧形、半圓型、四邊形、菱形等。

在本發明實施例中，在兩個相鄰的第一板槽23中，位於上方的第一板槽23的下表面234接觸下方的第一板槽23的上表面232，但在實際應用時相鄰的第一板槽23並不一定要相接觸，亦可使得位於上方的第一板槽23的下表面234與位於下方的第一板槽23的上表面232之間存在一間隔。

在本發明另一實施例中，氨水處理裝置10亦可包括一氨氣濃度提升裝置30，如圖1及圖12所示。氨氣濃度提升裝置30主要包括一第二外殼體31、複數個第二板槽33及一冷卻單元37。複數個第二板槽33則設置在第二外殼體31內，並於第二外殼體31內形成一流動空間117。氨氣濃度提升裝置30中的第二板槽33包括一板體331及一側板333，並透過板體331及側板333形成一容置槽335，基本上第二板槽33的構造與設置方式與氨水處理裝置10的第一板槽13相近，在此便不再重複說明。冷卻單元37設置在層疊設置的第二板槽33的上方，並用以降低第二板槽33、流動空間117內部的氣體及液體的溫度。

第二外殼體31包括至少一氣體輸入端351、至少一氣體輸出端353及至少一液體輸出端355，其中氣體輸入端351、氣體輸出端353及液體輸出端355皆流體連通第二外殼體31內的流動空間117。此外，第二外殼體31透過氣體輸入端351連接第一外殼體11的氣體輸出端155，使得氨氣125由氣體輸出端155輸送至氣體輸入端351。

由於冷卻單元37的作用，第二外殼體31內的第二板槽33的溫度會低於外界的溫度。氨氣125在接觸第二板槽33後，氨氣125內的水氣會因為溫度下降而凝結在第二板槽33的下表面，藉此以去除氨氣中的水氣，以提高氨氣125的濃度，並產生一高濃度氨氣321。此外凝結的水溶液323會因為重力的作用，而流到下方第二板槽33的容置槽335內，使得第二板槽33的容置槽335內的水溶液323慢慢增加，並溢流至下方的第二板槽33及第二外殼體31的底部。高濃度氨氣321則可由第二外殼體31上方的氣體輸出端353輸出，而水溶液323則由第二外殼體31下方的液體輸出端355輸出。

具體來說，由第一外殼體11的氣體輸出端155的氨氣125的濃度並不高，如上所述氨氣125的質量濃度可能約為25%。因此可將由第一外殼體11的氣體輸出端155輸出的氨氣125導入氨氣濃度提升裝置30，以進一步提高氨氣的濃度，例如由氨氣濃度提升裝置30的氣體輸出端321輸出質量濃度99%的高濃度氨氣321，經過濃度提升後的氨氣則可以再次利用。

在本發明一實施例中，如圖13所示，亦可將氨氣濃度提升裝置30整合在氨水處理裝置10/40內，並將圖1的第一外殼體11及圖12的第二外殼體31整合為一外殼體41，例如氨氣濃度提升裝置30以層疊方式設置在氨水處理裝置10/40內。氨水處理裝置40主要包括一外殼體41、複數個板槽43、一加熱單元17及一冷卻單元37。

本發明實施例的外殼體41的構造與第一外殼體11及第二外殼體31相似，而板槽43的構造則與第一板槽13及第二板槽33相似，其中板槽43包括一板體431及至少一側板433，側板433位於板體431的上表面，並於板體431與側板433之間形成一容置槽435。此外板槽43在外殼體41內的設置及排列方式亦與圖1及圖12相近，在此便不再重複說明。

在本發明實施例中，主要將將加熱單元17設置在層疊設置的板槽43下方，並將冷卻單元37設置在層疊設置的板槽43上方。液體輸入端451連接外殼體41的中間位置，其中液體輸入端451上方及下方的外殼體41內皆設置板槽43，例如複數個層疊的板槽43。液體輸出端453設置外殼體41及/或液體輸入端451的下方，例如液體輸出端453位於最下方的板槽43與加熱單元17之間或下方。氣體輸出端455設置在外殼體41及/或液體輸入端451的上方，例如氣體輸出端455位於最上方的板槽43與冷卻單元37之間或上方。

下方的加熱單元17用以加熱位於液體輸入端451下方的板槽43，而上方的冷卻單元37則用以冷卻液體輸入端451上方的板槽43。例如液體輸入端451下方的加熱單元17及板槽43可被定義為加熱區42，而液體輸入端451上方的冷卻單元37及板槽43則可定義為冷凝區44，其中加熱區42的功能如圖1所述，而冷凝區44的功能如圖12所述。由液體輸入端451進入的氨水121會溢流到下方的板槽43及加熱單元17，並受熱產生水溶液123及氨氣125，其中水溶液123會往外殼體41的下方流，並由液體輸出端453流出外殼體41，而氨氣125則會往外殼體41的上方移動。

氨氣125往外殼體41的上方移動時將會被冷卻單元37冷卻，使得氨氣125的溫度降低。氨氣125中的水氣會凝結在板槽43的下表面，藉此以去除氨氣中的水氣，以提高氨氣125的濃度，並產生一高濃度氨氣321，其中高濃度氨氣321可由外殼體41上方的氣體輸出端455輸出。

在本發明另一實施例中，如圖14所示，氨水處理裝置40亦可包括至少一輸送泵48及至少一管線49，其中液體輸出端453透過輸送泵48連接管線49。管線49在靠近液體輸出端453及液體輸入端451的位置穿透外殼體41，並在外殼體41內部形成一循環管線。外殼體41內的部分管線49位於板槽43的容置槽435內，例如管線49位於加熱區42的板槽43的容置槽435內，亦可延伸到冷凝區44內的部分板槽43。管線49會與容置槽435內的水溶液123接觸，並以管線49內的水溶液協助加熱單元17加熱水溶液123，藉此以進一步提高加熱的效率及降低能量的損耗。

一般而言通常會使用泡罩塔或殼管式熱交換器處理廢氨水，以泡罩塔為例，在以泡罩塔加熱氨水並使得一部分的氨水氣化後，泡罩塔的每一板都會有3-7%的霧滴會傳遞或延伸至上一板，其中霧滴的含氨濃度與氨水相近。當霧滴夾帶水氣上一板時，將會增加上一板的水氣，並降低上一板的含氨濃度。相較於泡罩塔而言，殼管式熱交換器則可以避免氨水氣化的過程中所產生的霧滴。

殼管式熱交換器雖然可以減少產生的霧滴，但仍存在構造複雜、製作成本較高及加熱效率較差等的問題。為此本發明進一步提出氨水處理裝置10/40的構造，其中氨水被加熱單元17及/或最下方的板槽13/43加熱後雖然有可能會產生霧滴。但由於上方的板槽13/43的溫度較低，因此霧滴傳送到上方的板槽13/43時，會被上方板槽13/43的容置槽135/435內的氨水121吸收，而不會有霧滴傳遞或延伸到上一層的問題。

由於下方的板槽13/43的容置槽135/435內的氨水121溫度較高，因此下方容置槽135/435排出的氨氣125及水氣的溫度較上方的容置槽135/435內的氨水121高，可用以加熱上方板槽13/43，並可提高加熱的效率。在以下方容置槽135/435排出的氨氣125及水氣加熱上方容置槽135/435時，氨氣125及水氣的溫度會降低，其中較高比例的水氣會凝結在板槽13/43的下表面，同樣可減少霧滴，並使得氨氣125的濃度提高，例如有5%的水氣液化時，約可提高3%氨氣的濃度。因此本發明的氨水處理裝置10/40相較於泡罩塔而言，可有效減少霧滴及提高氨氣的濃度，而相較於殼管式熱交換器而言，則具有構造簡單、製作成本低廉及加熱效率高等優點。

以上所述者，僅為本發明之一較佳實施例而已，並非用來限定本發明實施之範圍，即凡依本發明申請專利範圍所述之形狀、構造、特徵及精神所為之均等變化與修飾，均應包括於本發明之申請專利範圍內。

10‧‧‧氨水處理裝置11‧‧‧第一外殼體110‧‧‧殼板111‧‧‧容置空間112‧‧‧右殼板113‧‧‧間隔空間114‧‧‧左殼板115‧‧‧連通道117‧‧‧流動空間121‧‧‧氨水123‧‧‧水溶液125‧‧‧氨氣13‧‧‧第一板槽131‧‧‧板體132‧‧‧上表面133‧‧‧側板134‧‧‧下表面135‧‧‧容置槽14‧‧‧熱交換器151‧‧‧液體輸入端152‧‧‧輸入管線153‧‧‧液體輸出端154‧‧‧輸出管線155‧‧‧氣體輸出端17‧‧‧加熱單元171‧‧‧輸入端173‧‧‧輸出端20‧‧‧氨水處理裝置21‧‧‧第一外殼體213‧‧‧間隔空間215‧‧‧連通道217‧‧‧流動空間23‧‧‧第一板槽231‧‧‧板體232‧‧‧上表面233‧‧‧側板234‧‧‧下表面235‧‧‧容置槽237‧‧‧凹陷部27‧‧‧加熱單元30‧‧‧氨氣濃度提升裝置31‧‧‧第二外殼體321‧‧‧高濃度氨氣323‧‧‧水溶液33‧‧‧第二板槽331‧‧‧板體333‧‧‧側板335‧‧‧容置槽351‧‧‧氣體輸入端353‧‧‧氣體輸出端355‧‧‧液體輸出端37‧‧‧冷卻單元40‧‧‧氨氣濃度提升裝置41‧‧‧外殼體42‧‧‧加熱區43‧‧‧板槽431‧‧‧板體433‧‧‧側板435‧‧‧容置槽44‧‧‧冷凝區451‧‧‧液體輸入端453‧‧‧液體輸出端455‧‧‧氣體輸出端48‧‧‧輸送泵49‧‧‧管線

圖1：為本發明氨水處理裝置一實施例的構造示意圖。

圖2：為本發明氨水處理裝置的第一板槽一實施例的立體示意圖。

圖3：為本發明氨水處理裝置的第一板槽及殼體一實施例的立體示意圖。

圖4：為本發明氨水處理裝置的第一板槽又一實施例的立體示意圖。

圖5：為本發明氨水處理裝置的第一板槽及殼體又一實施例的立體示意圖。

圖6：為本發明氨水處理裝置又一實施例的構造示意圖。

圖7：為本發明氨水處理裝置又一實施例的構造示意圖。

圖8：為本發明氨水處理裝置的第一板槽又一實施例的剖面示意圖。

圖9：為本發明氨水處理裝置的第一板槽又一實施例的立體示意圖。

圖10：為本發明氨水處理裝置中層疊設置的第一板槽一實施例的剖面示意圖。

圖11：為本發明氨水處理裝置中層疊設置的第一板槽一實施例的立體示意圖。

圖12：為本發明氨水處理裝置的氨氣濃度提升裝置一實施例的構造示意圖。

圖13：為本發明氨水處理裝置又一實施例的構造示意圖。

圖14：為本發明氨水處理裝置又一實施例的構造示意圖。

10‧‧‧氨水處理裝置

11‧‧‧第一外殼體

110‧‧‧殼板

111‧‧‧容置空間

112‧‧‧右殼板

113‧‧‧間隔空間

114‧‧‧左殼板

115‧‧‧連通道

117‧‧‧流動空間

121‧‧‧氨水

123‧‧‧水溶液

125‧‧‧氨氣

13‧‧‧第一板槽

131‧‧‧板體

132‧‧‧上表面

133‧‧‧側板

134‧‧‧下表面

135‧‧‧容置槽

151‧‧‧液體輸入端

153‧‧‧液體輸出端

155‧‧‧氣體輸出端

17‧‧‧加熱單元

171‧‧‧輸入端

173‧‧‧輸出端

30‧‧‧氨氣濃度提升裝置

Claims (13)

1. 一種氨水處理裝置，包括： 複數個第一板槽，以層疊的方式設置，該第一板槽包括一板體及至少一側板，其中該板體包括一上表面及一下表面，而該側板設置於該板體的該上表面，使得該側板與該板體的該上表面之間形成至少一容置槽； 一第一外殼體，包括複數個殼板、至少一液體輸入端、至少一液體輸出端及至少一氣體輸出端，該複數個殼板之間具有一容置空間，該層疊設置的第一板槽設置於該容置空間內，並將該容置空間區隔成為一流動空間，其中該液體輸入端、該液體輸出端及該氣體輸出端流體連通該流動空間；及 一加熱單元，位於層疊設置的該複數個第一板槽的下方。
2. 如申請專利範圍第1項所述的氨水處理裝置，其中相鄰的該第一板槽之間具有一間隔空間。
3. 如申請專利範圍第2項所述的氨水處理裝置，其中相鄰的該第一板槽分別連接該第一外殼體的相面對的兩個殼板，並於該第一板槽與該殼板之間形成一連通道，且該間隔空間及該連通道形成該流動空間。
4. 如申請專利範圍第1項所述的氨水處理裝置，其中該側板、該板體的上表面及該第一外殼體的該殼板形成該容置槽。
5. 如申請專利範圍第1項所述的氨水處理裝置，其中該液體輸入端為一氨水的輸入口，該氣體輸出端為一氨氣的輸出口，而該液體輸出端則為一水溶液的輸出口。
6. 如申請專利範圍第1項所述的氨水處理裝置，其中該液體輸入端及該氣體輸出端靠近該第一外殼體的頂部，而該液體輸出端則靠近該第一外殼體的底部。
7. 如申請專利範圍第1項所述的氨水處理裝置，其中該板體的該上表面及該下表面分別具有複數個凹陷部。
8. 如申請專利範圍第7項所述的氨水處理裝置，其中該側板與該板體的上表面的該凹陷部形成該容置槽。
9. 如申請專利範圍第7項所述的氨水處理裝置，其中相鄰的該第一板槽的該凹陷部之間具有一間隔空間，且該間隔空間的剖面為六邊形、正六邊形、四邊形、多邊形、圓形或圓弧形。
10. 如申請專利範圍第1項所述的氨水處理裝置，還包括一氨氣濃度提升裝置，包括： 複數個第二板槽，以層疊的方式設置，該第二板槽包括一板體及至少一側板，其中該側板與該板體之間形成至少一容置槽； 一第二外殼體，包括複數個殼板、至少一氣體輸入端、至少一氣體輸出端及至少一液體輸出端，該複數個殼板之間具有一容置空間，該層疊設置的第二板槽設置於該容置空間內，並將該容置空間區隔成為一流動空間，其中該氣體輸入端、該氣體輸出端及該液體輸出端流體連通該流動空間，其中該第二外殼體上的氣體輸入端連接該第一外殼體上的氣體輸出端；及 一冷卻單元，位於層疊設置的該複數個第二板槽的上方。
11. 一種氨水處理裝置，包括： 複數個板槽，以層疊的方式設置，該板槽包括一板體及至少一側板，其中該板體包括一上表面及一下表面，而該側板設置於該板體的該上表面，使得該側板與該板體的該上表面之間形成至少一容置槽； 一外殼體，包括複數個殼板、至少一液體輸入端、至少一液體輸出端及至少一氣體輸出端，該複數個殼板之間具有一容置空間，該層疊設置的板槽設置於該容置空間內，並將該容置空間區隔成為一流動空間，其中該液體輸入端、該液體輸出端及該氣體輸出端流體連通該流動空間，且該流體輸入端的上方及下方皆設置該板槽； 一加熱單元，位於該流體輸入端及層疊設置的該複數個板槽的下方；及 一冷卻單元，位於該流體輸入端及層疊設置的該複數個板槽的上方。
12. 如申請專利範圍第11項所述的氨水處理裝置，包括至少一輸送泵及至少一管線，該液體輸出端透過該輸送泵連接該管線，其中該管線穿透該外殼體，且部分該管線位於該板槽的該容置槽內。
13. 如申請專利範圍第11項所述的氨水處理裝置，其中該液體輸入端下方的該加熱單元及該板槽被定義為一加熱區，而該液體輸入端上方的該冷卻單元及該板槽則被定義為一冷凝區。

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