TW202001274A - 用以測量到一鐵磁元件之一距離的距離感測器、磁性懸浮系統及用以測量到一鐵磁元件之一距離的方法 - Google Patents

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Abstract

本揭露有關於用以測量到鐵磁元件的距離之距離感測器、用以磁性懸浮鐵磁元件之磁性懸浮系統、及用以補償距離感測器中之雜散磁場的方法。根據第一方面,提出測量到鐵磁元件之距離的距離感測器。根據第二方面,提出磁性懸浮鐵磁元件的磁性懸浮系統,包括至少一電磁致動器及根據第一方面之至少一距離感測器,其中此至少一距離感測器裝配以測量到鐵磁元件之距離。根據第三方面,提出測量到鐵磁元件之距離的方法,包括提供包括第一霍爾元件及第二霍爾元件的距離感測器;偵測第一及第二霍爾元件之第一及第二訊號;及從第一訊號減去第二訊號。根據第四實施例,提出根據第一方面之距離感測器的使用,其中距離感測器使用於磁性懸浮系統中,其中距離感測器裝配以測量到懸浮主體之距離。

Description

用以測量到一鐵磁元件之一距離的距離感測器、磁性懸浮系統及用以測量到一鐵磁元件之一距離的方法
本揭露之數個實施例是有關於一種用以測量到一鐵磁元件的距離感測器。更特別是,本揭露之數個實施例特別是有關於一種用以磁性懸浮一鐵磁元件的磁性懸浮系統,及一種用以補償一距離感測器中之數個雜散磁場(stray magnetic fields)的方法。
已知的數個系統係用以執行數種製程,舉例為在處理腔室中塗佈基材。已知的數種方法係用以沈積材料於基材上。作為一例子來說,基材可利用蒸發製程、物理氣相沈積(physical vapor deposition,PVD)製程、或化學氣相沈積(chemical vapor deposition,CVD)製程進行塗佈。PVD製程例如是濺射製程、噴塗製程(spraying process)等。製程可在沈積設備的處理腔室中執行,將塗佈之基材係位在沈積設備之處理腔室。沈積材料係提供於處理腔室中。數個材料例如是小分子、金屬、氧化物、氮化物及碳化物,可使用以沈積於基材上。再者,像是蝕刻、成型(structuring)、退火(annealing)、或類似者之其他製程可在處理腔室中執行。
舉例來說,塗佈製程可舉例為視為用於在顯示器製造技術中的大面積基材。已塗佈之基材可使用於數種應用中及數種技術領域中。舉例來說,一種應用可為有機發光二極體(organic light emitting diode,OLED)面板。其他應用包括絕緣面板、例如是半導體裝置之微電子學、具有薄膜電晶體(TFT)之基材、彩色濾光片或類似者。OLEDs係為由(有機)分子薄膜所組成之固態裝置,固態裝置利用電之應用來產生光。作為一例子來說,OLED顯示器可在電子裝置上提供明亮之顯示,及相較於舉例為液晶顯示器(liquid crystal displays,LCDs)來說係使用較少之電力。在處理腔室中,有機分子係產生(舉例為蒸發、濺射、或噴塗等)及沈積成數層於基材上。粒子可舉例為通過具有邊界或特定圖案之遮罩,以沈積材料於基材上的特定位置來舉例為形成OLED圖案於基材上。
處理系統可包括磁性懸浮系統,用以舉例為在塗佈製程期間於處理腔室中導引載體。磁性懸浮系統可適用於提供載體於處理位置中,及/或在處理腔室中傳送載體。磁性懸浮系統可包括一或多個懸浮單元,具有電磁致動器、感測器、訊號處理器及功率放大器,以形成閉迴路控制,使得懸浮之載體係維持在相距磁性軸承之預定距離處。
在基材係於高度真空中進行處理之應用中,致動器、感測器及其他元件之金屬屏蔽係阻止數種形式之距離感測器的應用。在此些應用中,基於例如是霍爾效應感測器(hall effect sensors)之磁效應的距離感測器係使用,因為此些距離感測器能夠通過非鐵金屬隔離來測量距離。
磁性懸浮系統之一方面係在懸浮單元中讓電磁致動器及距離感測器靠近彼此定位,以達成最小尺寸之磁性懸浮系統及透過致動器及感測器之搭配改善控制表現。
有鑑於上述,本揭露之一方面係提供一種距離感測器及用以操作其之方法,而克服本技術領域中之至少一些問題。
根據一第一實施例,提出一種用以測量到一鐵磁元件的一距離之距離感測器。距離感測器包括至少一第一永久磁鐵元件;至少一第一霍爾元件;及至少一第二霍爾元件;其中第一永久磁鐵元件產生一第一磁場,及在第一霍爾元件之位置的第一磁場的方向係實質上相反於在第二霍爾元件之位置的第一磁場的方向。
根據一第二實施例,提出一種用以磁性懸浮一鐵磁元件之磁性懸浮系統。磁性懸浮系統包括至少一電磁致動器及根據第一實施例之至少一距離感測器;其中此至少一距離感測器係裝配,以測量到鐵磁元件的一距離。
根據一第三實施例,提出一種用以測量到一鐵磁元件的一距離的方法。此方法包括提供一距離感測器,距離感測器包括一第一霍爾元件及一第二霍爾元件;偵測第一霍爾元件之一第一訊號及第二霍爾元件的一第二訊號;及從第一訊號減去第二訊號。
根據一第四實施例,提出根據第一實施例之一距離感測器的一使用。距離感測器係使用於一磁性懸浮系統中,其中距離感測器裝配,以測量到一懸浮主體之一距離。
數個實施例係亦有關於用以執行所揭露之方法之設備,且包括用以執行各所述之方法步驟的設備部件。此些方法步驟可藉由硬體元件、由合適軟體程式化之電腦、兩者之任何結合或任何其他方式執行。再者,根據本揭露之數個實施例係亦有關於數個方法,所述之設備係藉由此些方法操作。它包括數個方法步驟,用以執行設備之各功能。為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解,下文特舉實施例,並配合所附圖式詳細說明如下:
詳細的參照將以本揭露的數種實施例來達成,本揭露之數種實施例的一或多個例子係繪示於圖式中。在圖式之下方說明中,相同的參考編號可意指相同的元件。一般來說,僅有有關於個別實施例之相異處係進行說明。各例子係藉由說明本揭露的方式提供且不意味為本揭露的一限制。再者,所說明或敘述而做為一實施例之部份之特徵可用於其他實施例或與其他實施例結合,以取得再其他實施例。此意指本說明包括此些調整及變化。
此處所述之數個實施例包含載體之磁性懸浮及/或傳送,載體舉例為基材載體。於是,載體之磁性懸浮可為非接觸的。本揭露通篇使用之名稱「非接觸」可理解為載體之重量係不由機械接觸或機械力所支承,但由磁性力所支承的含義。特別是,載體可利用磁力取代機械力來支承於懸浮或漂浮狀態中。於一些應用中,在系統中懸浮及舉例為移動載體期間,載體及設備之剩餘部份之間可沒有任何機械接觸。
相較於用以在處理系統中導引載體之機械裝置來說,非接觸懸浮不遭受影響載體之移動的線性及/或準確性之摩擦力係為一優點。載體之非接觸傳送係提供載體之無摩擦移動,其中在沈積製程中舉為相對於遮罩來說,載體之位置可控制及維持而具有高準確性。再者,懸浮係提供載體之快速加速或減速,及/或載體速度之精密調整。
舉例來說,在沈積製程期間,載體之非接觸懸浮或傳送係有利的,沒有粒子在傳送載體期間因載體及例如是機械軌道之設備的部件之間的機械接觸而產生。因此,非接觸之磁性懸浮系統係提供沈積於基材上之層的改善純度及均勻性,特別是因為粒子產生係在使用非接觸磁性懸浮時減到最少。
磁性懸浮系統可裝配,以在真空環境中操作。處理系統可包括至少一真空腔室,其中沈積製程係於基材上執行。此至少一真空腔室可包括一或多個真空幫浦,連接於真空腔室,用以在真空腔室之內側產生真空。此一或多個真空幫浦例如是渦輪幫浦及/或冷凍幫浦(cryo-pumps)。磁性懸浮系統可裝配,以傳送基材至真空腔室中、離開真空腔室或通過真空腔室。
磁性懸浮系統可使用以傳送載體。載體可適用於運載一個基材、數個基材及/或一個遮罩。載體可為基材載體,舉例為適用於運載一個大面積基材及/或數個大面積基材。或者,載體可為遮罩載體,舉例為適用於運載邊緣排除遮罩(edge exclusion mask)。邊緣排除遮罩係用以避免基材之邊緣在沈積製程中進行塗佈。
根據此處所述數個實施例之載體無需受限於基材載體或遮罩載體。此處所述之方法亦應用於其他形式的載體,也就是適用於運載舉例為基材或遮罩以外之物體或裝置的載體。
如此處所使用之名稱「基材」可包含非撓性基材及撓性基材兩者。非撓性基材舉例為玻璃基材、晶圓、例如是藍寶石或類似者之透明水晶片。撓性基材例如是網格(web)或箔。根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例,此處所述之數個實施例可用於顯示器PVD,也就是濺射沈積於用於顯示器市場之大面積基材上。
根據數個實施例,大面積基材或個別之載體可具有至少0.67 m2 的尺寸。尺寸可從約0.67 m2 (0.73 m x 0.92 m – 第4.5代)至約8 m2 ,更特別是從約2 m2 至約9 m2 ,或甚至是達12 m2 。舉例來說,大面積基材或載體可為第4.5代、第5代、第7.5代、第8.5代、或甚至是第10代。第4.5代對應於約0.67 m2 之基材(0.73 m x 0.92 m)、第5代對應於約1.4 m2 之基材(1.1 m x 1.3 m)、第7.5代對應於約4.29 m2 之基材(1.95 m x 2.2 m)、第8.5代對應於約5.7 m2 之基材(2.2 m x 2.5 m)、第10代對應於約8.7 m2 之基材(2.85 m × 3.05 m)。甚至例如是第11代及第12代之更高代及對應之基材面積可以類似之方式應用。
圖式係繪示出垂直定向的載體。如第1圖中範例地繪示,支撐基材120之載體110係定向於第一方向192及第二方向194所定義的平面中,其中第一方向192係實質上定向於載體傳送方向中,及第二方向194係定向而實質上平行於重力方向。第一方向192係定向而實質上垂直於第二方向194。然而,此處所述之數個實施例係不限於垂直定向之載體。舉例為水平定向之載體的其他定向可亦提供。
於本揭露中,技術用語「實質上平行」方向可包括數個方法,此些方向係彼此形成達10度之小角度,或甚至是達15度之小角度。技術用語「實質上垂直」方向可包括數個方向,此些方向係彼此形成少於90度的角度,舉例為至少80度或至少75度。類似之考量係應用於實質上平行或垂直之軸、平面、面積、定向或類似者的概念。
此處所述之一些實施例包含「垂直方向」之概念。垂直方向係視為一方向,此方向係平行或實質上平行於沿著重力延伸之方向。垂直方向可偏離準確垂直(後者係由重力所定義)達舉例為15度之角度。
此處所述數個實施例可更包含「水平方向」之概念。水平方向係理解為與垂直方向有所區別。水平方向可垂直或實質上垂直於由重力所定義的準確垂直方向。
此處所述之數個實施例係有關於一種用以測量到鐵磁元件之距離感測器,以及一種用以磁性懸浮鐵磁元件的磁性懸浮系統。首先參照第1圖,第1圖繪示根據此處所述數個實施例之磁性懸浮系統100的一例子的示意圖。
第1圖中所示之磁性懸浮系統100包括載體110。載體110支撐基材120。載體110包括鐵磁元件150,鐵磁元件150舉例為鐵磁材料棒。磁性懸浮系統100包括數個懸浮單元170,此些懸浮單元170包括舉例為主動磁性單元,例如是電磁裝置、螺線管、線圈或超導磁鐵。此些懸浮單元170之個別的懸浮單元係以參考編號175標註。此些懸浮單元170於第一方向192中延伸。載體110係沿著此些懸浮單元170為可移動的。鐵磁元件150及此些懸浮單元170係裝配,以用於提供磁性懸浮力來懸浮載體110。磁性懸浮力係在第二方向194中延伸。
第1圖中所示之磁性懸浮系統100可包括數個距離感測器(未繪示),設置於此些懸浮單元170。距離感測器可設置於各懸浮單元175。或者,距離感測器可設置於各懸浮單元175中。距離感測器可裝配,以用於在載體110之非接觸懸浮期間測量此些懸浮單元170及載體110之間的距離。
第1圖中所示之磁性懸浮系統100包括磁性驅動結構180。磁性驅動結構180包括數個磁性驅動單元。磁性驅動結構180之個別的磁性驅動單元係以參考編號185標註。載體110可包括第二鐵磁元件160,以與磁性驅動結構180之磁性驅動單元185交互作用。磁性驅動結構180之磁性驅動單元185係舉例為沿著第一方向192驅動處理系統中之載體。舉例來說,第二鐵磁元件160可包括數個永久磁鐵,此些永久磁鐵係以交替的磁性配置。第二鐵磁元件160之生成的磁場可與磁性驅動結構180之此些磁性驅動單元185交互作用,以在懸浮時於第一方向192中移動載體110。
磁性懸浮系統100包括控制器130。控制器130可連接於此些懸浮單元170及/或距離感測器。控制器130可裝配,以用於控制載體110之磁性懸浮。控制器130可裝配,以基於舉例為供應至控制器130之距離感測器所測量的距離,在載體110之懸浮期間用於控制載體110及些懸浮單元170之間的距離。磁性驅動結構180可在控制器130之控制之下驅動載體110。
現在參照第2a及2b圖,第2a及2b圖繪示懸浮單元175之剖面圖。第2a圖繪示在第一方向192中或在載體傳送方向中之剖面圖,以及第2b圖在第三方向196中或在橫向於載體傳送方向之方向中的剖面圖。第三方向196垂直於第一方向192及第二方向194。
根據可與此處所述其他實施例結合之本揭露的數個實施例,懸浮單元175包括至少一電磁致動器178。電磁致動器178可包括至少一線圈178a及至少一鐵磁芯178b,及基於應用至線圈178a之電流產生磁場。由電磁致動器178產生的磁場係在第二方向194中提供磁性懸浮力至鐵磁元件150,而致使鐵磁元件150所貼附之載體110懸浮。
根據可與此處所述其他實施例結合之本揭露的數個實施例,此至少一電磁致動器、此至少一距離感測器及控制器可包含在氣密殼體中。因在高度或超高真空應用中操作磁性懸浮系統100之故,懸浮單元175之數種元件係與周圍真空環境隔離。基於此目的,懸浮單元175可更包括殼體176,包圍懸浮單元175之元件,而隔離懸浮單元175之元件與周圍真空環境。殼體176可為包圍內部體積177之氣密殼體,使得內部體積177係與周圍真空環境分離。分離內部體積177與周圍真空環境係避免周圍真空環境之污染物。
殼體176可包括非鐵磁材料,而提供位於殼體176中之此至少一距離感測器200偵測通過殼體176的磁場。舉例來說,殼體176可包括金屬,特別是鋁合金或非鐵磁不鏽鋼。
內部體積177可維持在與周圍真空環境之相同壓力,或維持在與周圍真空環境之不同壓力。舉例來說,內部體積177可維持在較高於周圍真空環境之壓力。此特徵係讓包含在殼體176中之懸浮單元175的元件經由對流來進行冷卻,或調整內部體積177之平均自由徑(mean free path),使得包含在殼體176中之電性或電子元件之電弧係避免。再者,內部體積177可包含相同於周圍真空環境之氣體成份,或不同於周圍真空環境的氣體成份。
根據可與此處所述其他實施例結合之本揭露的數個實施例,懸浮單元175可更包括控制器179。控制器179係電性貼附至少一距離感測器200及至少一電磁致動器178。控制器179可從至少一距離感測器200取得距離訊號,此距離訊號對應於距離感測器200及鐵磁元件150之間的距離X。基於取得之距離訊號,控制器179係輸出致動訊號,此距離訊號係對應於藉由電磁致動器178提供之目標致動力。
根據可與此處所述其他實施例結合之本揭露的一實施例,控制器179可裝配以用於閉迴路控制此至少一電磁致動器,以控制到鐵磁元件150的距離。舉例來說,控制器179可應用閉迴路控制機制來維持目標距離。閉迴路控制機制可包括比例-積分(PI)控制器、比例-積分-微分(PID)控制器、或本技術領域中之任何其他閉迴路控制器。閉迴路控制機構可將至少一距離訊號作為輸入,及可產生用於至少一電磁致動器之控制訊號來作為輸出。閉迴路控制機制可裝配,以接收其他輸入訊號。舉例來說,至少一電磁致動器的估測之電流訊號可使用來作為額外之輸入訊號。
如第2a及2b圖中所範例地繪示,控制器179可為懸浮單元175之元件。在此情況中,此些懸浮單元170中之各懸浮單元175可各具有分離之控制器179,可獨立地控制各懸浮單元175。設置於各懸浮單元175中之各分離的控制器179可選擇地電性貼附於控制器130,如第1圖中所範例地繪示。或者,控制器179可為控制器130之元件,其中用於此些懸浮單元170中之各懸浮單元175的各控制器179係整合於單一之控制器130中。
根據可與此處所述其他實施例結合之本揭露的數個實施例,懸浮單元175更包括至少一距離感測器200。如第2a圖中所範例地繪示,懸浮單元175可包括兩個距離感測器200,配置於電磁致動器178之兩側上。距離感測器200之數量可為各電磁致動器178應用至少一距離感測器,特別是各電磁致動器178應用兩個距離感測器。
距離感測器200可包括至少一轉換器,回應於磁場變化它的輸出電壓。舉例來說,距離感測器200可包括霍爾效應感測器或巨磁阻(giant magnetoresistive,GMR)感測器 。距離感測器200係裝配以用於偵測鐵磁元件150之磁場,使得距離感測器200及鐵磁元件150之間的距離X可決定。距離感測器200係因而能夠使用來非接觸地決定懸浮單元175及載體110之間的距離,鐵磁元件150係貼附於載體110。再者,既然鐵磁元件150之磁場係偵測出來,在距離感測器200及鐵磁元件150之間的非鐵磁元件之存在係不妨礙距離感測器200之操作。
距離感測器200可位於適當的位置中,以可靠地測量到鐵磁元件150之距離X。距離感測器200可固定於懸浮單元175,或可位於懸浮單元175中。如第2a及2b圖中範例地繪示,距離感測器200可串連電磁致動器178。在感測器/致動器對中之感測器及致動器之搭配係較佳的,以達成懸浮單元175之可靠及高表現控制。因此,距離感測器200定位而靠近電磁致動器178係較佳的。再者,定位距離感測器200靠近電磁致動器178係具有提供懸浮單元175更緊密之額外成效。
然而,既然電磁致動器178產生電磁場來懸浮載體110,定位距離感測器200靠近電磁致動器178係變得有問題。距離感測器200可偵測到電磁致動器178所產生之雜散磁場,使得電磁致動器178及距離感測器200之間不需要的交互耦合係產生。因雜散磁場所導致之此交互耦合係影響可靠決定出距離感測器200及鐵磁元件150之間的距離X,及因而影響可靠決定出載體及磁性懸浮系統之間的距離。
現在參照第3a及3b圖,第3a及3b圖繪示根據本揭露之數個實施例之距離感測器200之側視剖面圖。其中,用以測量到鐵磁元件150之距離X的距離感測器200係提供。距離感測器200包括至少一第一永久磁鐵元件201、至少一第一霍爾元件203及至少一第二霍爾元件204,其中第一永久磁鐵元件201產生第一磁場205。第一及第二霍爾元件203、204係定向,使得在第一霍爾元件203之位置的第一磁場205的方向係實質上相反於在第二霍爾元件204之位置的第一磁場205的方向。
第二磁場206可藉由電磁致動器178產生來作為懸浮載體110之不需要的效應。第二磁場206可包括雜散磁場。既然第二磁場206之大小係決定於供應於載體110之懸浮力,距離感測器200上之第二磁場206的效應係產生電磁致動器178及距離感測器200之間的不需要的交互耦合。藉由提供根據本揭露之距離感測器200,可補償此不需要的耦合。
提供具有至少一第一永久磁鐵元件201及第一及第二霍爾元件203、204之距離感測器200係讓鐵磁元件150及距離感測器200之間的距離X係藉由偵測第一磁場205來決定,而亦補償第二磁場206。第一磁場205產生通過第一霍爾元件203之正電壓成份及通過第二霍爾元件204之負電壓成份。同時,第二磁場206係產生通過第一及第二霍爾元件203、204的正電壓成份。藉由從第一霍爾元件203產生之電壓減去第二霍爾元件204產生之電壓,通過第一及第二霍爾元件203、204之第二磁場206產生的電壓成份係消去,及通過第一及第二霍爾元件203、204之第一磁場205產生之電壓成份係保留。
第一及第二霍爾元件203、204係基於供應於其之磁場產生。第一及第二霍爾元件203、204係定位,使得第一磁場205係在第一及第二霍爾元件203、204中感應生成電壓。第一磁場205之強度係受到鐵磁元件150之存在影響,使得第一磁場205中之一差值係在鐵磁元件150靠近或遠離距離感測器200時產生。藉由定位第一及第二霍爾元件203、204而使得第一磁場205係產生電壓於其中,可測量出距離感測器200及鐵磁元件150之間的距離。
第一磁場205係藉由至少ㄧ第一永久磁鐵元件201產生。首先參照第3a圖中範例地繪示之實施例,距離感測器200包括第一永久磁鐵元件201。第一永久磁鐵元件201係定位,使得磁場迴圈係產生,而讓在距離感測器200之一側上的磁通方向係在離開鐵磁元件150之第一磁通方向中,及在距離感測器200之另一側上的磁通方向係在朝向鐵磁元件150之第二磁通方向中。距離感測器200可更包括芯元件202,定位以導引第一磁場205。第一及第二霍爾元件203、204係定位在第一磁場205中,使得第一霍爾元件203係位在第一磁通方向中之磁通區域中,及第二霍爾元件204係位在第二磁通方向中之磁通區域中。
替換配置係範例地繪示於第3b圖中。在此實施例中,第一永久磁鐵元件201a及第二永久磁鐵元件201b係設置。第一及第二永久磁鐵元件201a、201b係相反於彼此配置,使得磁場迴圈係產生,而讓在距離感測器200之一側上的磁通方向係在離開鐵磁元件150之第一磁通方向中,及在距離感測器200之另一側上的磁通方向係在朝向鐵磁元件150之第二磁通方向中。距離感測器200可更包括芯元件202,定位以導引第一磁場205。第一及第二霍爾元件203、204係定位在第一磁場205中,使得第一霍爾元件203係位在第一磁通方向中之磁通區域中,及第二霍爾元件204係位在第二磁通方向中之磁通區域中。
此至少一第一永久磁鐵元件201可包括於數個永久磁鐵元件中。舉例來說,距離感測器200可包括至少兩個第一永久磁鐵元件,或可包括至少兩個第一永久磁鐵元件及至少兩個第二永久磁鐵元件。此些永久磁鐵元件可定向,使得此些永久磁鐵元件形成海爾貝克陣列(Halbach array),而讓此些永久磁鐵元件產生的磁場係在面對鐵磁元件150之一側上較強,及相反於鐵磁元件150之側上較弱。海爾貝克陣列具有不產生磁場於它的後表面上之優點,使得相較於傳統之磁鐵元件,可能對磁性干擾敏感之位於懸浮單元中之其他元件受到第一磁場的影響程度較少。
根據本揭露之數個實施例,第一及第二霍爾元件203、204係相反於彼此定向,使得第一磁場205在第一及第二霍爾元件203、204中產生正電壓。此意味第一及第二霍爾元件203、204係定向,使得位在第一磁通方向中之磁通區域中的第一霍爾元件203係定向在第一磁通方向中,位在第二磁通方向中之磁通區域中的第二霍爾元件204係定向在第二磁通方向中。在第3a及3b圖中所示之剖面側視圖中係得出第一霍爾元件203向上定向,及第二霍爾元件204向下定向。
在第一及第二霍爾元件203、204係彼此相反定向的情況中,第一磁場205在第一霍爾元件203及第二霍爾元件204兩者中產生正電壓,使得各電壓之大小係實質上彼此相等。然而,第二磁場206在第一及第二霍爾元件203、204之其中一者中產生正電壓且在第一及第二霍爾元件203、204之另一者中產生負電壓,使得各電壓之大小係實質上彼此相等。有此得出第ㄧ及第二霍爾元件203、204之各者產生的電壓可相加,使得第一磁場205產生之電壓係維持及第二磁場206產生之電壓係消除,而補償距離感應器200之輸出電壓上之第二磁場206之任何效應的測量電壓。
作為一替代實施例來說,第一及第二霍爾元件203、204可定向於彼此相同的方向中,使得第一磁場205於一個霍爾元件中產生正電壓及在另一個霍爾元件中產生負電壓。在第3a及3b圖中所示之剖面側視圖中,有此得出在此情況中,第一及第二霍爾元件203、204兩者係皆向上定向或皆向下定向。
在第一及第二霍爾元件203、204可定向於彼此相同之方向中的情況中,第一磁場205於第一霍爾元件203中產生正電壓及在第二霍爾元件204中產生負電壓,使得各電壓之大小係實質上彼此相同。然而,第二磁場206在第一及第二霍爾元件203、204兩者中產生正電壓,使得各電壓之大小係實質上彼此相同。有此得出第一及第二霍爾元件203、204之各者產生之電壓可相減,使得第一磁場205產生之電壓係維持及第二磁場206產生之電壓係消去,而補償距離感測器200之輸出電壓上之第二磁場206之任何效應的測量電壓。
藉由裝配根據本揭露之距離感測器200,可補償雜散磁場。雜散磁場可舉例為藉由電磁致動器、基材載體上之磁性元件、或陰極靶材產生。補償雜散磁場係提供距離感測器200更靠近電磁致動器定位,使得磁性懸浮系統之改善的表現可藉由感測器及致動器之搭配達成。再者,藉由補償雜散磁場,距離感測器200可產生更可靠及準確之距離測量,使得載體及磁性懸浮系統之間的距離可更可靠及準確維持。
根據可與此處所述其他實施例結合之本揭露的一實施例,第2a及2b圖中所示之控制器179可裝配,以用於補償至少一電磁致動器所產生及作用於此至少一距離感測器上的雜散磁場。控制器179可電性貼附於此至少一距離感測器200,使得控制器179可分別接收來自第一及第二霍爾元件的第一及第二訊號。控制器179可裝配,以讓第一及第二訊號彼此相減,使得此至少一電磁致動器產生之雜散磁場所產生的訊號成份係補償。
根據本揭露之第三實施例,提出用以測量到鐵磁元件之距離的方法。此方法包括提供距離感測器,距離感測器包括第一霍爾元件及第二霍爾元件;偵測第一霍爾元件之第一訊號及第二霍爾元件之第二訊號;及從第一訊號減去第二訊號。
現在參照第5圖,第5圖繪示根據本揭露之數個實施例之用以測量到鐵磁元件之距離的方法500之流程圖。方法500開始於起點510。
在方塊511,提供距離感測器,距離感測器包括第一霍爾元件及第二霍爾元件。距離感測器可為根據此處所述之數個實施例之距離感測器,其中距離感測器係能夠測量到鐵磁元件之距離。距離感測器可舉例為提供而相鄰於電磁致動器。電磁致動器所產生之不需要的雜散磁場可能影像距離感測器,使得電磁致動器及距離感測器之間的交互耦合係產生。
在方塊512,偵測第一霍爾元件之第一訊號,而在方塊513,偵測第二霍爾元件之第二訊號。第一及第二霍爾元件之第一及第二訊號可分別各包括距離測量訊號及雜散磁場訊號之成份。第一及第二訊號之各者的距離測量訊號成份可實質上在大小中相等但在極性中相反,而第一及第二訊號之各者的雜散磁場訊號成份可在大小中實質上相同及可具有相同極性。
在方塊514,第一霍爾元件的第一訊號及第二霍爾元件之第二訊號係彼此相減。既然第一及第二訊號之各者的雜散磁場訊號成份係在大小上實質上相同及具有相同極性,第一及第二訊號彼此相減係消去第一及第二訊號之雜散磁場訊號成份的各者。雜散磁場訊號成份因而補償,使得保持不受到不需要的雜散磁場影響的距離訊號可產生。最後,方法500在終點520結束。
根據可與此處所述其他實施例結合之進一步實施例,方塊511提供之距離感測器可更包括至少一第一永久磁鐵元件,此至少一第一永久磁鐵元件用以產生第一磁場,其中在第一霍爾元件之位置的第一磁場的方向係實質上相反於在第二霍爾元件之位置的第一磁場的方向。或者,在方塊511提供之距離感測器可更包括至少一第一永久磁鐵元件及至少一第二永久磁鐵元件,此至少一第一永久磁鐵元件及此至少一第二永久磁鐵元件用以產生第一磁場,其中在第一霍爾元件之位置的第一磁場之方向係實質上相反於在第二霍爾元件之位置的第一磁場的方向。第一磁場因而致使第一霍爾元件產生第一距離測量訊號成份,及第二霍爾元件產生第二距離測量訊號成份,其中第一距離測量訊號成份之極性係相反於第二距離測量訊號成份的極性。舉例來說,第一磁場可致使第一霍爾元件產生正電壓成份及第二霍爾元件產生負電壓成份。第一及第二霍爾元件分別產生之第一及第二距離測量訊號成份之大小可實質上相同,使得當第一及第二霍爾元件的第一及第二訊號係於方塊514中分別彼此相減時,第一及第二距離測量訊號成份不消去彼此,及第一及第二雜散磁場成份係補償。因此,可產生保持不受到雜散磁場之效應影響的距離訊號。
方法500可利用控制器執行。舉例來說,再次參照第2a及2b圖,方法500可藉由控制器179執行,控制器179可為懸浮單元175之元件。控制器179可電性貼附於至少一距離感測器200,使得控制器179接收第一訊號及第二訊號來作為輸入。
如上所述,磁性懸浮系統之一方面係在懸浮單元中定位電磁致動器及距離感測器靠近彼此,以達成磁性懸浮系統之最小尺寸,及透過致動器及感測器之搭配改善控制表現。電磁致動器及距離感測器之間較靠近的一個不需要的效應是電磁致動器產生之雜散磁場係感應出與距離感測器的交互耦合效應。此處所述之數個實施例係舉例為利用第一及及第二霍爾元件及減去第一及第二霍爾元件的訊號以補償雜散磁場來解決。
然而,當距離感測器甚至更靠近電磁致動器定位時,其他不需要的效應係感應出來,因為雜散磁場可能不均等地影響距離感測器中的第一及第二霍爾元件。舉例來說,雜散磁場之曲率可能在距離感測器所定位之區域中較高,或雜散磁場之大小可能不均勻。此些效應特別是對可能舉例為位在數個電磁致動器之間的距離感測器產生問題。在此些情況中,第一及第二磁場訊號成份可能在大小中不夠相同來讓第二磁場訊號透過相減來完全地補償。因此,此些效應之額外補償可為有利的。
現在參照第6圖,第6圖繪示用以測量到鐵磁元件之距離的方法501的流程圖。根據可與此處所述其他實施例結合的本揭露之數個實施例,方法501更包括利用線圈電流偵測至少一電磁致動器之線圈電流,以估測此至少一電磁致動器產生的磁通的額外步驟,及補償距離感測器測量之距離訊號的錯誤成份的額外步驟。方法501開始於起點510。
包括根據上述方法500之方塊511、512、513及514的方法501更包括於方塊515中偵測至少一電磁致動器之線圈電流。電磁致動器中之線圈電流係與電磁致動器產生之磁通成比例。線圈電流可從送至電磁致動器之電流訊號偵測出來,或藉由利用電流感應器偵測出來。電流感應器係裝配以測量電磁致動器之線圈中的電流。
再者,在方塊516中,此至少一電磁致動器產生之磁通係估測出來。產生之磁通的估測係基於在方塊515中偵測之此至少一電磁致動器之線圈電流。估測磁通包括產生磁通補償訊號。磁通補償訊號可使用,以補償距離感測器所產生之距離訊號的錯誤成份。
最後,在方塊517中,距離感測器所測量之距離訊號的錯誤成份係補償。補償係藉由從距離感測器所偵測之距離訊號減去在方塊516中產生之磁通補償訊號,使得還沒藉由方塊514補償之電磁致動器及距離感測器之間的交互耦合的其他效應係進行補償。
執行如上所述之方法501係提供雜散磁場之其他補償,例如是非均勻或高曲率之雜散磁場,或來自相鄰之電磁致動器的雜散磁場,使得距離感測器可甚至更靠近電磁致動器定位,而更改善磁性懸浮系統的表現。
根據可與此處所述其他實施例結合之本揭露的數個實施例,於方塊516中估測磁通包括基於線圈電流之大小及/或頻率計算磁通的模型。線圈電流可舉例感應出在殼體176中之渦電流(eddy currents),或可產生決定於頻率之提供的磁通大小。再者,鐵磁元件150可為可導引出頻率相依性(frequency dependence)的非層疊元件。模型可包括針對提供之線圈電流大小及/或頻率之電磁致動器所產生的磁通之預定或預先計算模型。舉例來說,模型可包括預先計算值之查找表。或者,模型可基於針對提供之線圈電流大小及/或頻率之電磁致動器所產生之磁通的數學近似來即時計算。
磁通的模型可藉由回應於提供之線圈電流而測量電磁致動器之磁通表現來決定,及決定出其於距離訊號上的效應。鐵磁元件係固定於相距距離感測器之已知距離處,及線圈電流係供應至電磁致動器,而自距離感測器產生距離訊號。改變供應至電磁致動器之線圈電流係產生磁通之改變,而在磁通之影響下改變來自距離感測器的距離訊號。藉由測量基於線圈電流之距離訊號的改變,模型可計算而用以基於線圈電流估測電磁致動器之磁通所具有之對距離訊號的效應。
模型可考慮其他參數來估測此至少一電磁致動器產生之磁通。舉例來說,模型可包括數個參數,此些參數係有關於至少一相鄰電磁致動器的線圈電流。如果電磁致動器靠近它的鄰近者定位時,相鄰電磁致動器所產生之雜散磁通可亦與相鄰之距離感測器交叉耦合。因作用於距離感測器上之雜散磁通所導致的距離感測器產生之距離訊號的錯誤成份可因而進一步補償。
根據可與此處所述其他實施例結合之本揭露的數個實施例,估測磁通係於數位訊號處理器上執行。數位訊號處理器一般包括類比-數位轉換器(analog-digital converter,ADC)、數位訊號處理單元、數位-類比轉換器(digital-analog converter,DAC),提供即時操控類比訊號。數位訊號處理器可為設置在懸浮單元中之分離元件,或可整合於用於懸浮單元的控制器中。在數位訊號處理器上執行磁通的估測提供磁通的即時估測,而提供較快之距離訊號之取得,及提供懸浮系統維持載體及懸浮系統之間的目標距離之較好表現。
綜上所述,雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作各種之更動與潤飾。因此,本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧磁性懸浮系統 110‧‧‧載體 120‧‧‧基材 130、179‧‧‧控制器 150‧‧‧鐵磁元件 160‧‧‧第二鐵磁元件 170、175‧‧‧懸浮單元 176‧‧‧殼體 177‧‧‧內部體積 178‧‧‧電磁致動器 178a‧‧‧線圈 178b‧‧‧鐵磁芯 180‧‧‧磁性驅動結構 185‧‧‧磁性驅動單元 192‧‧‧第一方向 194‧‧‧第二方向 196‧‧‧第三方向 200‧‧‧距離感測器 201、201a‧‧‧第一永久磁鐵元件 201b‧‧‧第二永久磁鐵元件 202‧‧‧芯元件 203‧‧‧第一霍爾元件 204‧‧‧第二霍爾元件 205‧‧‧第一磁場 206‧‧‧第二磁場 500、501‧‧‧方法 510‧‧‧起點 511-517‧‧‧方塊 520‧‧‧終點 X‧‧‧距離
為了使本揭露的上述特徵可詳細地瞭解,簡要摘錄於上之本揭露之更特有的說明可參照數個實施例。所附之圖式係有關於本揭露之數個實施例且係說明於下方: 第1圖繪示根據此處所述數個實施例之磁性懸浮系統的前視圖; 第2a圖繪示根據此處所述數個實施例之磁性懸浮系統的剖面側視圖; 第2b圖繪示根據此處所述數個實施例之磁性懸浮系統的剖面前視圖; 第3a、3b圖繪示根據此處所述數個實施例之距離感測器的剖面側視圖; 第4圖繪示根據此處所述數個實施例之用以測量到鐵磁元件之距離之方法的流程圖;以及 第5圖繪示根據此處所述數個實施例之用以進一步補償距離感測器之錯誤成份之方法的流程圖。
150‧‧‧鐵磁元件
176‧‧‧殼體
200‧‧‧距離感測器
201‧‧‧第一永久磁鐵元件
202‧‧‧芯元件
203‧‧‧第一霍爾元件
204‧‧‧第二霍爾元件
205‧‧‧第一磁場
206‧‧‧第二磁場
X‧‧‧距離

Claims (20)

  1. 一種距離感測器(200),用以測量到一鐵磁元件(150)的一距離,該距離感測器包括: 至少一第一永久磁鐵元件(201, 201a); 至少一第一霍爾元件(203);及 至少一第二霍爾元件(204); 其中該至少一第一永久磁鐵元件(201, 201a)產生一第一磁場(205),及在該第一霍爾元件(203)之位置的該第一磁場(205)的方向係實質上相反於在該第二霍爾元件(204)之位置的該第一磁場(205)的方向。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之距離感測器(200),更包括至少一第二永久磁鐵元件(201b),平行於該第一永久磁鐵元件(201a)配置及具有相反於該第一永久磁鐵元件(201a)的極性,其中該第一及第二永久磁鐵元件(201a, 201b)產生該第一磁場(205)。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之距離感測器(200),其中該第一及第二霍爾元件(203, 204)係相反於彼此定向,使得該第一磁場(205)在該第一及第二霍爾元件(203, 204)中產生一正電壓。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之距離感測器(200),其中該第一及第二霍爾元件(203, 204)係相反於彼此定向,使得該第一磁場(205)在該第一及第二霍爾元件(203, 204)中產生一正電壓。
  5. 一種磁性懸浮系統(100),用以磁性懸浮一鐵磁元件(150),該磁性懸浮系統包括: 至少一電磁致動器(178);及 如申請專利範圍第1至4項之任一者所述之至少一距離感測器(200); 其中該至少一距離感測器(200)係裝配,以測量到該鐵磁元件(150)的距離(X)。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之磁性懸浮系統(100),更包括一控制器(130, 179),裝配以用於該至少一電磁致動器(178)之閉迴路控制,以控制到該鐵磁元件(150)的該距離(X)。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之磁性懸浮系統,其中該控制器(130, 179)係裝配,以用於補償該至少一電磁致動器(178)所產生及作用於該至少一距離感測器(200)之複數個磁場。
  8. 如申請專利範圍第5項所述之磁性懸浮系統(100),其中該至少一電磁致動器(178)係裝配,以用於在一傳送方向(192)中傳送該鐵磁元件(150)。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之磁性懸浮系統(100),其中該至少一電磁致動器(178)係裝配,以用於在一傳送方向(192)中傳送該鐵磁元件(150)。
  10. 如申請專利範圍第5項所述之磁性懸浮系統(100),其中該鐵磁元件係為一基材載體(110)。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之磁性懸浮系統(100),其中該鐵磁元件係為一基材載體(110)。
  12. 如申請專利範圍第6項所述之磁性懸浮系統(100),其中該至少一電磁致動器(178)、該至少一距離感測器(200)及該控制器(179)係包含於一氣密之殼體(176)中,其中該殼體(176)包括一非鐵磁材料。
  13. 如申請專利範圍第5項所述之磁性懸浮系統(100),其中該磁性懸浮系統(100)係裝配,以用於在一真空中操作。
  14. 如申請專利範圍第9項所述之磁性懸浮系統(100),其中該磁性懸浮系統(100)係裝配,以用於在一真空中操作。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之磁性懸浮系統(100),其中該磁性懸浮系統(100)係裝配,以用於在一真空中操作。
  16. 一種用以測量到一鐵磁元件(150)的一距離(X)的方法,該方法包括: 提供一距離感測器(200),該距離感測器包括一第一霍爾元件(203)、一第二霍爾元件(204)、及至少一第一永久磁鐵元件(201, 201a),該至少一第一永久磁鐵元件用以產生一第一磁場(205),其中在該第一霍爾元件(203)之位置的該第一磁場(205)的方向係實質上相反於在該第二霍爾元件(204)之位置的該第一磁場(205)的方向; 偵測該第一霍爾元件(203)之一第一訊號及該第二霍爾元件(204)的一第二訊號;及 從該第一訊號減去該第二訊號。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之方法,更包括: 偵測至少一電磁致動器(178)的一線圈電流; 利用該線圈電流來估測該至少一電磁致動器(178)所產生之磁通;及 補償該距離感測器(200)所測量之一距離訊號的一錯誤成份。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之方法,其中估測該磁通包括基於該線圈電流之大小及/或頻率計算該磁通的一模型。
  19. 如申請專利範圍第17或18項之任一者所述之方法,其中估測該磁通係於一數位訊號處理器上執行。
  20. 在一磁性懸浮系統(100)中之如申請專利範圍第1至4項之任一者所述之該距離感測器(200)的使用,其中該距離感測器(200)係裝配以測量到一懸浮主體之距離(X)。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2592349B (en) * 2020-01-30 2022-04-27 Flexi Group Uk Ltd Cantilever platform
CN112629397B (zh) * 2021-02-08 2021-09-28 宁波中车时代传感技术有限公司 一种自诊断的高速磁悬浮列车间隙传感器及自诊断方法
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05236610A (ja) * 1991-07-12 1993-09-10 Ebara Corp 磁気浮上搬送装置
US5610518A (en) * 1995-03-16 1997-03-11 Eastman Kodak Company Method and apparatus for detecting small magnetizable particles and flaws in nonmagnetic conductors
JPH09210612A (ja) * 1996-01-31 1997-08-12 Shimadzu Corp 位置検出装置
JPH1082661A (ja) * 1996-09-10 1998-03-31 Harmonic Drive Syst Ind Co Ltd 反射型のオプティカルエンコーダ
JP4543181B2 (ja) * 2004-12-20 2010-09-15 国立大学法人九州工業大学 超電導磁気浮上による非接触搬送装置
JP6314372B2 (ja) * 2013-04-22 2018-04-25 村田機械株式会社 位置検出装置、位置検出方法、及び移動体システム
DE102014003882B4 (de) * 2014-03-19 2017-07-13 Applied Materials, Inc. (N.D.Ges.D. Staates Delaware) Transportvorrichtung zum Bewegen und/oder Positionieren von Objekten
EP3567347B1 (de) * 2016-04-29 2020-08-26 TDK-Micronas GmbH Abstandsmessvorrichtung
KR101965370B1 (ko) * 2016-05-18 2019-04-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 캐리어 또는 기판의 운송을 위한 장치 및 방법

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