TW201947294A

TW201947294A - 顯示面板

Info

Publication number: TW201947294A
Application number: TW107116879A
Authority: TW
Inventors: 范鐸正; 詹鈞翔; 李欣浤; 江啟聖; 蔡旻錦; 蔡庭瑋
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2018-05-17
Filing date: 2018-05-17
Publication date: 2019-12-16
Also published as: CN108828834A; TWI663447B

Abstract

一種顯示面板，包括對應設置的第一基板和第二基板、顏色轉換層、第一遮光層、第一反射層、至少三個畫素單元及顯示介質層。顯示介質層設置於第一基板與第二基板之間。顏色轉換層包括至少三個顏色轉換單元，至少三個顏色轉換單元對應至少三個畫素單元。第一遮光層具有數個分別隔開至少三個顏色轉換單元之第一遮光單元，且第一遮光層於第一基板的法線方向上係延伸超過顏色轉換層。第一反射層具有數個第一反射單元，此些第一反射單元分別設置於至少三個顏色轉換單元之至少一側邊。

Description

顯示面板

本發明是有關於一種顯示面板，且特別是有關於一種具有較佳顯示品質之顯示面板。

隨著科技進步，具備顯示面板的電子顯示裝置已廣泛地應用於日常生活的用品中，舉凡智慧型手機、平板電腦、筆記型電腦、顯示器或電視等，皆是現代人不可或缺的必需品。

當此類型的電子顯示裝置逐漸成為市場主流的情況下，如何提升顯示面板的顯示品質以及光源之出光效率，已成為相關業者所致力的目標之一。

本發明係有關於一種顯示面板，可透過在第一基板上設置遮光層與反射層，進一步提升顯示面板之顯示品質以及光源之出光效率。

根據本發明之一方面，提出一種顯示面板。顯示面板包括一第一基板、一第二基板、一顏色轉換層、一第一遮光層、一第一反射層、至少三個畫素單元以及一顯示介質層。第二基板與第一基板對應設置。顯示介質層設置於第一基板與第二基板之間。顏色轉換層設置於第一基板之內表面，顏色轉換層包括至少三個顏色轉換單元。第一遮光層具有複數個第一遮光單元，此些第一遮光單元設置於第一基板之內表面，此些第一遮光單元分別隔開至少三個顏色轉換單元，且第一遮光層於第一基板的法線方向上係延伸超過顏色轉換層。第一反射層具有複數個第一反射單元，此些第一反射單元設置於第一基板之內表面，此些第一反射單元分別設置於至少三個顏色轉換單元之至少一側邊。至少三個畫素單元設置於第二基板之內表面，其中至少三個顏色轉換單元對應至少三個畫素單元。

為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式詳細說明如下：

以下係提出各種實施例進行詳細說明，本發明並非顯示出所有可能的實施例，未於本發明提出的其它實施態樣也可以應用。再者，圖式上的尺寸比例並非按照實際產品等比例繪製。因此，說明書和圖示內容僅作敘述實施例之用，而非作為限縮本發明保護範圍之用。此外，實施例中之圖式係省略部分元件，以清楚顯示本發明之技術特點。以下是以相同/類似的符號表示相同/類似的元件或步驟做說明。

在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同的元件。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，「連接」可以指物理及/或電性連接。再者，「電性連接」或「耦合」係可為二元件間存在其它元件。

本文使用的「約」、「近似」、或「實質上」包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量(即，測量系統的限制)。例如，「約」可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30％、±20％、±10％、±5％內。再者，本文使用的「約」、「近似」或「實質上」可依光學性質、蝕刻性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。

除非另有定義，本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。

請參照第1圖，其繪示根據本揭露一實施例之顯示面板1之部分上視圖。顯示面板1包括第一基板110，其中，第一基板110為靠近觀看者(例如：人眼)之一側，例如：圖面所示之視角(例如：從Z軸方向的視角)，可為觀看者(例如：人眼)觀看顯示面板1時之視角(例如：從Z軸方向的視角)。

顯示面板1包括畫素陣列PA，畫素陣列PA可由多個畫素單元P可呈陣列形式排列組成。每一畫素單元P包括至少一主動元件T以及與至少一主動元件T電性連接之至少一畫素電極PE。畫素陣列PA可更包括數條資料線DL、數條掃描線SL、或其它合適的線，每一畫素單元P可透過主動元件T與對應的資料線DL以及對應的掃描線SL電性連接，以接收驅動信號，進而驅動畫素陣列PA。

在此，顯示面板1更包括一第一遮光層112，設置於第一基板110之內表面。第一遮光層112例如是黑色矩陣，以避免相鄰之畫素單元P產生混光而降低色純度。第一遮光層112可包括多個第一遮光單元（例如：標示於第2～3圖），這些第一遮光單元可實質上沿X軸或Y軸延伸，而每兩行與每兩列的第一遮光單元可定義一畫素單元P(或可稱為一子畫素單元)。於部份實施例中，畫素單元P可為單一個區域或者是至少二個區域，其可依照需求來設計或選擇。

請參照第2圖，其繪示根據本揭露一實施例之顯示面板1之第一基板110之一側的剖視圖。顯示面板1包括一顏色轉換層111，設置於第一基板110之內表面。顏色轉換層111可包括至少三個顏色轉換單元111R、111G及111B為範例，但不限於此。顏色轉換單元111R、111G及111B可一對一地對應於一個如第1圖所示之畫素單元P，但不限於此。如第2圖所示，其顯示出顏色轉換單元111R對應於第一畫素單元P1。

顏色轉換單元111R、111G及111B可具有單層或多層結構之光致發光（photoluminescence, PL）材料，且光致發光材料可包含螢光（phosphor）材料、量子點（quantum dot, QD）材料、鈣鈦礦（perovskite）材料、或其它合適的光致發光材料。在一實施例中，顏色轉換單元111R例如可包括用以產生紅光波長之量子點材料Q1，顏色轉換單元111G例如可包括用以產生綠光波長之量子點材料Q2，顏色轉換單元111B例如可包括透明光阻或透明平坦層，其中顏色轉換單元111B可以不需摻雜任何量子點材料，但本發明並不以此為限。當例如是光源（例如：背光模組）所發出之光線BL為藍光的情形下，顏色轉換單元111R可將藍光的波長轉換為紅光的波長，顏色轉換單元111G可將藍光的波長轉換為綠光的波長，而顏色轉換單元111B可使光線BL直接穿透。因此，穿透顏色轉換單元111R、111G及111B的光分別為紅光、綠光及藍光。於部分實施例中，若顏色轉換單元111B例如可包括用以產生包含藍色量子點材料（未標示），則光源（例如：背光模組）所發出之光線BL可為紫外光，而其餘的顏色轉換單元（例如：顏色轉換單元111R或顏色轉換單元111G）亦可將紫外光的波長轉換為所對應顏色（例如：紅光或綠光）的波長。

如前所述，顯示面板1的第一遮光層112更包括多個第一遮光單元112S1。第一遮光單元112S1設置於第一基板110之內表面。在第2圖中，係顯示出一部分實質上沿Y軸延伸的第一遮光單元112S1。當然，於圖中未顯示出的地方更包括其它實質上沿Y軸以及其它實質上沿X軸延伸的第一遮光單元112S1。這些第一遮光單元112S1分別隔開顏色轉換單元111R、111G及111B，以防混光的情況產生。舉例而言，第一遮光層112於第一基板110的法線方向上（例如：Z軸之方向）係延伸超過顏色轉換層111，以避免應射入特定顏色轉換單元的光（例如是應射入顏色轉換單元111R的光）朝向其它顏色轉換單元（例如顏色轉換單元111G及/或111B）入射。

顯示面板1可更包括一第一反射層113。第一反射層113可為單層或多層結構，且其材質包含金屬、合金、或其它合適的反射材質。在一實施例中，第一反射層113可具有多個第一反射單元113R1，第一反射單元113R1設置於第一基板110之內表面。這些第一反射單元113R1分別設置於顏色轉換單元111R、111G及111B之至少一側邊。在一實施例中，第一反射單元113R1可實質上沿X軸或Y軸延伸。在第2圖中，係顯示出一部分實質上沿Y軸延伸的第一反射單元113R1。當然，於圖中未顯示出的地方更可包括其它實質上沿Y軸以及其它實質上沿X軸延伸的第一反射單元113R1。因此，在X-Y平面上每兩行與每兩列的第一反射單元113R1可位於其中至少一顏色轉換單元111R、111G或111B之至少一部份四周。較佳地，第一反射單元113R1可位於其中至少一顏色轉換單元111R、111G或111B之四周，但不限於此。

藉由使多個第一反射單元113R1分別設置於顏色轉換單元111R、111G及111B之至少一側邊，可避免射至顏色轉換單元111R、111G及111B之側邊的光線(例如：包含光源(例如：背光模組)之光線BL及/或轉換出的光線(例如：紅色光、綠色光及/或藍色光)被吸收而使出光量降低，以進一步提升出光效率。

在一實施例中，顏色轉換層111於第一基板110的法線方向上（例如：Z軸之方向）實質上係不延伸超過第一反射層113，以免降低出光量。

在一實施例中，每一第一遮光單元112S1可包括一第一遮光結構112A與一第二遮光結構112B。每一第一反射單元113R1實質上沿第一基板110的法線方向（例如：Z軸之方向）係位於第一遮光結構112A與第二遮光結構112B之間，且第一遮光結構112A實質上沿第一基板110的法線方向係位於第一基板110與第一反射單元113R1之間。舉例而言，從第一基板110朝向負Z軸的方向，依序可為第一遮光結構112A、第一反射單元113R1以及第二遮光結構112B。從另一方面觀之，第一反射單元113R1夾設於第一遮光結構112A與第二遮光結構112B之間，且第一反射單元113R1與第一遮光結構112A至少一部分重疊以及第一反射單元113R1與第二遮光結構112B至少一部分重疊。

以對應於第一畫素單元P1之顏色轉換單元111R為例，第一遮光結構112A，較佳地，亦可圍繞於顏色轉換單元111R之四周，但不限於此。與不具有第一遮光結構112A之顯示面板（例如：第一反射單元113R1直接與第一基板110之內表面接觸）相比，第一遮光結構112A的設置可讓對比度有所提升。進一步言之，由於不具有第一遮光結構112A之顯示面板係以第一反射單元113R1直接與第一基板110之內表面接觸，第一反射單元113R1反而容易反射由外部射入之光線而降低對比度。

在一實施例中，顯示面板1可選擇性地更包括一平坦層114以及一偏光層115（例如：線柵偏光結構）其中至少一者，但不限於此。本實施例係以顯示面板1更包括一平坦層114以及一偏光層115為範例，但不限於此。舉例而言，平坦層114可覆蓋顏色轉換層111、第一遮光層112及第一反射層113。偏光層115例如是線柵偏光結構，具有多個線柵，該些線柵之任二個為實質上平行且具有間隙。其中顏色轉換層111位於偏光層115與第一基板110之間。在部分實施例中，偏光層115與顏色轉換層111之間可選擇性的設置膜層，例如：顏色轉換層111位於偏光層115與第一基板110之間可選擇性地存在或不存在平坦層114。對應於第一畫素單元P1之顏色轉換單元111R為例，當光線BL穿過平坦層114時，第一光束L1將被第二遮光結構112B所吸收，而第二光束L2可射入顏色轉換單元111R中，以激發量子點材料Q1，其中第一光束L1與垂直第一基板110的法線方向夾角大於第二光束L2與垂直第一基板110的法線方向夾角，詳細圖示可參考第5A圖所繪示的第一光束L1與第二光束L2。當第二光束L2進入顏色轉換單元111R中時，朝向顏色轉換單元111R之側邊的第二光束L2將進一步由第一反射單元113R1所反射，以激發其它量子點材料Q1。此外，由量子點材料Q1所激發出的第三光束L3亦可由第一反射單元113R1所反射。因此，在X-Y平面上每兩行與每兩列的第一反射單元113R1，較佳地，可圍繞於顏色轉換單元111R之四周，並在顏色轉換單元111R的周圍形成一反射腔體，藉此來進一步反射並集中光線，以提升出光效率。

如第2圖所示，第一遮光結構112A實質上沿第一基板110的法線方向（例如：Z軸之方向）之高度（或稱為厚度）為H1，第一反射單元113R1實質上沿第一基板110的法線方向（例如：Z軸之方向）之高度（或稱為厚度）為H2，第二遮光結構112B實質上沿第一基板110的法線方向（例如：Z軸之方向）之高度（或稱為厚度）為H3，顏色轉換單元111R、111G及111B實質上沿第一基板110的法線方向（例如：Z軸之方向）之高度（或稱為厚度）為H4，第一遮光結構112A、第一反射單元113R1及第二遮光結構112B整體實質上沿第一基板110的法線方向（例如：Z軸之方向）之高度（或稱為厚度）為H5。在一實施例中，H1小於約1微米，例如可約為0.5微米，可增加對比度。在一實施例中，H2大於約2微米且小於約7微米，其可視顏色轉換單元111R、111G及111B之高度（或稱為厚度，例如：H4）做改變。在一實施例中，H3大於約4微米且小於約9微米。當H4實質上等於H1加H2（例如：H4=H1+H2）的情況下，第一遮光層112於第一基板110的法線方向（例如：Z軸之方向）上超過顏色轉換層111的高度（或稱為厚度）可介於約4微米～約9微米之間。此外，第二遮光結構112B之高度（例如：H3）係大於第一遮光結構112A之高度（例如：H1）。在一實施例中，H1加H2之值可大於或實質上等於H4（例如：H1+H2H4），例如：顏色轉換層111於第一基板110的法線方向上（例如：Z軸之方向）實質上係不延伸超過第一反射層113，可避免降低出光量。在一實施例中，H5的高度係相對地高，例如可約為12微米。若H5大於約12微米，可能會降低出光量；若H5小於約12微米，則可能造成混光而降低色飽和度。

請參照第3圖，其繪示根據本揭露另一實施例之顯示面板2之第一基板110之一側的剖視圖。本實施例之顯示面板2與第2圖所示實施例之顯示面板1至少一不同處在於：第一遮光層112以及第一反射層113的配置。其餘相同或類似之處，請參閱前述實施例之描述，於此不再重複說明。

在一實施例中，第一遮光層112可具有多個第一遮光單元112S2，第一遮光單元112S2設置於第一基板110之內表面。在第3圖中，係顯示出一部分實質上沿Y軸延伸的第一遮光單元112S2。當然，於圖中未顯示出的地方更包括其它實質上沿Y軸以及其它實質上沿X軸延伸的第一遮光單元112S2。這些第一遮光單元112S2分別隔開顏色轉換單元111R、111G及111B，以防混光的情況產生。第一遮光層112於第一基板110的法線方向上（例如:Z軸之方向）係延伸超過顏色轉換層111，以避免應射入特定顏色轉換單元的光（例如是應射入顏色轉換單元111R的光）朝向其它顏色轉換單元（例如顏色轉換單元111G或111B）入射。

在一實施例中，第一反射層113可具有多個第一反射單元113R2，第一反射單元113R2設置於第一基板110之內表面。這些第一反射單元113R2分別設置於顏色轉換單元111R、111G及111B之至少一側邊。在一實施例中，每一第一反射單元113R2可位於其中至少一顏色轉換單元111R、111G或111B之至少一部份四周。較佳地，第一反射單元113R2可位於其中至少一顏色轉換單元111R、111G或111B之四周，但不限於此。

在一實施例中，每一第一反射單元113R2可位於第一遮光單元112S2與其中至少一顏色轉換單元111R、111G或111B之間。以對應於第一畫素單元P1之顏色轉換單元111R為範例，第一畫素單元P1由外至內依序可為第一遮光單元112S2、第一反射單元113R2以及顏色轉換單元111R。從另一方面觀之，第一反射單元113R2位於顏色轉換單元111R側邊與第一遮光單元112S2側邊之間。於部分實施例中，第一遮光單元112S2直接與第一基板110內表面接觸。舉例而言，第一遮光單元112S2直接與第一基板110內表面接觸，且內表面不存在膜層；或者，第一基板110內表面存在膜層，第一遮光單元112S2直接與第一基板110內表面上之膜層接觸。

藉由使多個第一反射單元113R2分別設置於顏色轉換單元111R、111G及111B之至少一側邊，可避免射至顏色轉換單元111R、111G及111B之側邊的光線被吸收而使出光量降低，以進一步提升出光效率。

在一實施例中，顯示面板2可選擇性地更包括一平坦層114以及一偏光層115。平坦層114及偏光層115（例如：線柵偏光結構）類似於第2圖所示之顯示面板1之配置，可參閱前述實施例，於此不再重複說明。以對應於第一畫素單元P1之顏色轉換單元111R為例，當光線BL穿過偏光層115（例如：線柵偏光結構）及平坦層114時，第一光束L1將被第一遮光單元112S2所吸收，而第二光束L2可射入顏色轉換單元111R中，以激發量子點材料Q1。當第二光束L2進入顏色轉換單元111R中時，朝向顏色轉換單元111R之側邊的第二光束L2將進一步由第一反射單元113R2所反射，以激發其它量子點材料Q1。此外，由量子點材料Q1所激發出的第三光束L3亦可由第一反射單元113R2所反射。因此，每一第一反射單元113R2較佳地可圍繞於顏色轉換單元111R之四周，並在顏色轉換單元111R的周圍形成一反射腔體，藉此來進一步反射並集中光線，以提升出光效率。

如第3圖所示，第一反射單元113R2實質上沿第一基板110的法線方向（例如：Z軸之方向）之高度（或稱為厚度）為H6，第一遮光單元112S2實質上沿第一基板110的法線方向（例如：Z軸之方向）之高度（或稱為厚度）為H7，第一反射單元113R2之尺寸（或稱為寬度）為H8。在一實施例中，H6大於約3微米且小於約8微米。在一實施例中，顏色轉換層111於第一基板110的法線方向上（例如：Z軸之方向）之高度（或稱為厚度）實質上係不延伸超過第一反射層113之高度（或稱為厚度），故顏色轉換單元111R、111G及111B實質上沿第一基板110的法線方向（例如：Z軸之方向）之高度（或稱為厚度）係不大於第一反射層113於第一基板110的法線方向上（例如：Z軸之方向）之高度（或稱為厚度）H6。在一實施例中，H7的高度（或稱為厚度）係相對地高，例如可約為12微米。若H7大於約12微米，可能會降低出光量；若H7小於約12微米，則可能造成混光而降低色飽和度。在一實施例中，H7減H6之值大於約4微米且小於約9微米（例如：4微米＜(H7-H6)＜9微米）。當顏色轉換單元111R、111G及111B實質上沿第一基板110的法線方向（例如：Z軸之方向）之高度（或稱為厚度）實質上等於H6的情況下，第一遮光層112於第一基板110的法線方向上（例如：Z軸之方向）超過顏色轉換層111的高度介於約4微米～約9微米之間。在一實施例中，H8小於約1微米（例如：H8＜1微米），可避免過多的外部光線（例如：從第一基板110外表面進入的光線）經由第一反射單元113R2反射而降低對比度。

請參照第4A～4B圖，其繪示根據本揭露一些實施例之顯示面板10及20的剖視圖。在第4A～4B圖之實施例中，顯示面板10及20可為非自發光型顯示器，例如是液晶顯示器，但不限於此。

如第4A～4B圖所示，顯示面板10及20包括第一基板110、第二基板120以及顯示介質層140。第二基板120與第一基板110對應設置。顯示介質層140設置於第一基板110與第二基板120之間，顯示介質層140例如可為液晶層，但不限於此。於其它實施例中，顯示介質層140之材料可包含電泳材料、電濕潤材料、電粉塵材料、或其它合適之非自發光材料。雖第4A～4B圖未繪示，顯示面板10及20可更包括如第1圖所示之畫素陣列PA，且畫素陣列PA包括至少三個畫素單元，例如第一畫素單元P1、第二畫素單元P2及第三畫素單元P3，這些畫素單元（例如：P1~P3）設置於第二基板120之內表面。

在一實施例中，顯示面板10及20可更包括一背光模組130，背光模組130設置於第二基板120下方，用以發出光線BL。雖第4A～4B圖繪示之背光模組130為設置於第二基板120下方之直下式背光模組，但本揭露不限於此。於其它實施例中，背光模組130可為側入式背光模組，例如：可設置於第二基板120之側邊，或者是背光模組130之光源可設置於光學層（例如：擴散光層或導光層，未標示）之側邊，且光學層（例如：擴散光層或導光層，未標示）設置於第二基板120下方。此外，製造背光模組之光源之材料可為有機材料、無機材料、鈣鈦礦材料、或其它合適的材料、或前述之組合，及/或也不限單一顆光源之尺寸（例如：釐米(mm)、微米(μm)、奈米(nm)、或其它合適的尺寸）。

第4A～4B圖完整繪示出至少三個畫素單元，包括第一畫素單元P1、第二畫素單元P2以及第三畫素單元P3。第一基板110、顏色轉換層111、平坦層114及偏光層115（例如：線柵偏光結構）已於第2圖及第3圖之實施例中描述，且其具有類似之配置，於此不再重複描述。此外，在一實施例中，顯示面板10及20可更包括另一偏光層（例如另一線柵偏光結構，未標示），設置於第二基板120上，但不限於此。於部分實施例中，另一偏光層（例如另一線柵偏光結構，未標示）可選擇性地設置於第二基板120與顯示介質層140之間或者是第二基板120外表面（或可稱為第二基板120與背光模組130之間）。於其它實施例中，另一偏光層可以為外貼偏光片，然本發明並不以此為限。

在一實施例中，顏色轉換單元111R對應於第一畫素單元P1，顏色轉換單元111G對應於第二畫素單元P2，顏色轉換單元111B對應於第三畫素單元P3。當背光模組130所發出之光線BL為藍光的情形下，顏色轉換單元111R可將藍光的波長轉換為紅光的波長，顏色轉換單元111G可將藍光的波長轉換為綠光的波長，而顏色轉換單元111B可使光線BL直接穿透，進而使第一畫素單元P1發出紅光RL，第二畫素單元P2發出綠光GL，第三畫素單元P3發出藍光之光線BL。當背光模組130所發出之光線BL為紫外光的情形下，顏色轉換單元111R可將紫外光的波長轉換為紅光的波長，顏色轉換單元111G可將紫外光的波長轉換為綠光的波長，而顏色轉換單元111B可將紫外光的波長轉換為藍光的波長，進而使第一畫素單元P1發出紅光RL，第二畫素單元P2發出綠光GL，第三畫素單元P3發出藍光之光線BL。

第4A圖之顯示面板10的第一遮光層112以及第一反射層113係類似於第2圖之各種實施例的配置，並且可參閱前述實施例。如第4A圖所示，藉由使多個第一反射單元113R1分別設置於顏色轉換單元111R、111G及111B之至少一側邊，例如使第一反射單元113R1設置於第一遮光結構112A與第二遮光結構112B之間，較佳地，可位於顏色轉換單元111R、111G及111B之四周，可進一步反射並集中光線，以提升出光效率。

再者，藉由在第一基板110之內表面上依序設置第一遮光結構112A、第一反射單元113R1及第二遮光結構112B，且其整體高度(或稱為厚度，例如：第2圖所示之H5)係相對地高，故可避免應射入特定顏色轉換單元的光（例如是應射入顏色轉換單元111R的光）朝向其它顏色轉換單元（例如顏色轉換單元111G或111B）入射，導致混光的情形產生而降低色飽和度。並且，第一遮光結構112A的設置可避免外部光線由第一反射單元113R1反射而降低對比度。

請參照第4B圖，與第4A圖所示實施例之顯示面板10至少一不同處在於：第4B圖之顯示面板20的第一遮光層112以及第一反射層113係類似於第3圖之實施例的配置。其餘相同或類似之處，可參閱前述實施例，於此不再重複說明。

藉由使多個第一反射單元113R2分別設置於顏色轉換單元111R、111G及111B之至少一側邊，例如使每一第一反射單元113R2設置於第一遮光單元112S2與其中一顏色轉換單元111R、111G或111B之間，可進一步反射並集中光線，以提升出光效率。

再者，第一遮光單元112S2之高度(或稱為厚度，例如：第3圖所示之H7)係相對地高，故可避免應射入特定顏色轉換單元的光（例如是應射入顏色轉換單元111R的光）朝向其它顏色轉換單元（例如顏色轉換單元111G或111B）入射，導致混光的情形產生而降低色飽和度。並且，第一反射單元113R2之尺寸(或稱為寬度，例如：第3圖所示之H8)係相對地薄，以免過多的外部光線經由第一反射單元113R2反射而降低對比度。

請參照第5A～5D圖，其繪示根據本揭露其它實施例之顯示面板11、12、21及22的剖視圖。在第5A～5D圖之實施例中，顯示面板11、12、21及22可為自發光型顯示器，例如是搭載有電致發光（Electro Luminescence, EL）元件（例如：有機EL元件、無機EL元件、鈣鈦礦發光元件、量子點發光元件、或其它合適的電致發光材料）之顯示器或其它合適的自發光型顯示器。於部份實施例中，也不限單一電致發光元件之尺寸（例如：釐米(mm)、微米(μm)、奈米(nm)、或其它合適的尺寸）。

如第5A～5D圖所示，顯示面板11、12、21及22包括第一基板110、第二基板120以及顯示介質層140。第二基板120與第一基板110對應設置。顯示介質層140設置於第一基板110與第二基板120之間，顯示介質層140可包括一自發光層121。雖第5A～5D圖未繪示，顯示面板11、12、21及22可更包括如第1圖所示之畫素陣列PA，且畫素陣列PA包括至少三個畫素單元（或稱為至少三個子畫素單元），例如第一畫素單元P1、第二畫素單元P2及第三畫素單元P3，這些畫素單元設置於第二基板120之內表面。於部分實施例中，每一個畫素單元可為至少一個區域，例如：一個區域、二個區域、或其它合適數目的區域。

如第5A～5D圖所示，自發光層121設置於第二基板120之內表面。自發光層121包括至少三個自發光單元121L，且這些自發光單元121L對應於至少三個畫素單元P1~P3。這些自發光單元121L可一對一地對應於第一畫素單元P1、第二畫素單元P2及第三畫素單元P3。在一實施例中，每一自發光單元121L包括單層或多層結構，且其包含之發光之材料，例如：有機發光材料、微型發光材料、量子點材料、鈣鈦礦材料、或其它合適的材料、或前述之組成。每一自發光單元121L可對應其一畫素單元且朝向顏色轉換單元發射光線。舉例而言，對應於第二畫素單元P2之自發光單元121L可朝向顏色轉換單元111G發射光線。

第5A～5D圖完整繪示出至少三個畫素單元，包括第一畫素單元P1、第二畫素單元P2以及第三畫素單元P3。第一基板110、顏色轉換層111、平坦層114及偏光層115（例如：線柵偏光結構）已於第2圖及第3圖之實施例中描述，且其具有類似之配置，於此不再重複描述。此外，在部份實施例中，顯示面板11、12、21及22其中至少一者可選擇性地不包括另一偏光層（例如：另一線柵偏光結構，未標示），或者依需求設計而更選擇性的包含另一偏光層（例如：另一線柵偏光結構或偏光片，未標示）。

在一實施例中，顏色轉換單元111R對應於第一畫素單元P1，顏色轉換單元111G對應於第二畫素單元P2，顏色轉換單元111B對應於第三畫素單元P3。當每一自發光單元121L為發出藍光的情形下，顏色轉換單元111R可將藍光的波長轉換為紅光的波長，顏色轉換單元111G可將藍光的波長轉換為綠光的波長，而顏色轉換單元111B可使光線BL直接穿透或是可將光線BL往藍光的波長較為純化，進而使第一畫素單元P1發出紅光RL，第二畫素單元P2發出綠光GL，第三畫素單元P3發出藍光之光線BL。當每一自發光單元121L為發出紫外光的情形下，顏色轉換單元111R可將紫外光的波長轉換為紅光的波長，顏色轉換單元111G可將紫外光的波長轉換為綠光的波長，而顏色轉換單元111B可將紫外光的波長轉換為藍光的波長，進而使第一畫素單元P1發出紅光RL，第二畫素單元P2發出綠光GL，第三畫素單元P3發出藍光之光線BL。

第5A圖之顯示面板11的第一遮光層112以及第一反射層113係類似於第2圖之實施例的配置並且可參閱前述實施例。請參照第5A圖，顯示面板11更包括一第二遮光層122。在一實施例中，第二遮光層122可具有多個第二遮光單元122S1，第二遮光單元122S1設置於第二基板120之內表面。在第5A圖中，係顯示出一部分實質上沿Y軸延伸的第二遮光單元122S1。當然，於圖中未顯示出的地方更包括其它實質上沿Y軸以及其它實質上沿X軸延伸的第二遮光單元122S1。這些第二遮光單元122S1分別隔開自發光單元121L。在一實施例中，第二遮光層122於第二基板120的法線方向上（例如：Z軸之方向）係延伸超過自發光層121，以防應射入特定畫素單元的光（例如是應射入第二畫素單元P2的光）射入相鄰之畫素單元（例如第一畫素單元P1或第三畫素單元P3）中。

在一實施例中，顯示面板11可更包括一第二反射層123。第二反射層123可為單層或多層結構，且其材質包含金屬、合金、或其它合適的反射材質。在一實施例中，第二反射層123可具有多個第二反射單元123R1，第二反射單元123R1設置於第二基板120之內表面。這些第二反射單元123R1分別設置於自發光單元121L之至少一側邊。在一實施例中，第二反射單元123R1可實質上沿X軸或Y軸延伸。在第5A圖中，係顯示出一部分實質上沿Y軸延伸的第二反射單元123R1。當然，於圖中未顯示出的地方更可包括其它實質上沿Y軸以及其它實質上沿X軸延伸的第二反射單元123R1。因此，在X-Y平面上每兩行與每兩列的第二反射單元123R1可位於其中至少一自發光單元121L之至少一部份四周。較佳地，第二反射單元123R1可位於其中至少一自發光單元121L之四周，但不限於此。

在一實施例中，每一第二反射單元123R1實質上沿第二基板120的法線方向（例如：Z軸之方向）係位於第二基板120與第二遮光單元122S1之間。舉例而言，從第二基板120朝向正Z軸的方向，依序可為第二反射單元123R1以及第二遮光單元122S1。於部分實施例中，第二反射單元123R1直接與第二基板120內表面接觸。舉例而言，第二反射單元123R1直接與第二基板120內表面接觸，且內表面不存在膜層；或者，第二基板120內表面存在膜層，第二反射單元123R1直接與第二基板120內表面上之膜層接觸。於其它實施例中，第二反射單元123R1與第二基板120之間也可選擇性的存在其它膜層（例如：其它遮光層）。在一實施例中，第二遮光單元122S1實質上沿第二基板120的法線方向之高度（或稱為厚度）大於自發光單元121L實質上沿第二基板120的法線方向（例如：Z軸之方向）之高度（或稱為厚度）及/或第二反射單元123R1實質上沿第二基板120的法線方向（例如：Z軸之方向）之高度（或稱為厚度）。

藉由使多個第二反射單元123R1分別設置於自發光單元121L之至少一側邊，可進一步減少自發光單元121L所發出之光線被第二遮光單元122S1吸收的機率。在一實施例中，第二反射單元123R1實質上沿第二基板120的法線方向（例如：Z軸之方向）之高度（或稱為第二反射單元123R1之頂面）係實質上等於自發光單元121L之高度（或稱為自發光單元121L之頂面），以免增加反射之光線的複雜度。

在上述各實施例之顯示面板11的配置之下，以第二畫素單元P2為範例，自發光單元121L所發出之光線中，僅第二光束L2可射入顏色轉換單元111G中，第一光束L1則被第一遮光單元112S1及/或第二遮光單元122S1所吸收，故對應於第二畫素單元P2之自發光單元121L所發出之光線，並不會射入相鄰之第一畫素單元P1或第三畫素單元P3中。

請參照第5B圖，與第5A圖所示實施例之顯示面板11至少一不同處在於：第二遮光層122以及第二反射層123的配置。其餘相同或類似之處，可參閱前述實施例，於此不再重複說明。

在一實施例中，第二遮光層122可具有多個第二遮光單元122S2，第二遮光單元122S2設置於第二基板120之內表面。在第5B圖中，係顯示出一部分實質上沿Y軸延伸的第二遮光單元122S2。當然，於圖中未顯示出的地方更包括其它實質上沿Y軸以及其它實質上沿X軸延伸的第二遮光單元122S2。這些第二遮光單元122S2分別隔開自發光單元121L。在一實施例中，第二遮光層122於第二基板120的法線方向上（例如：Z軸之方向）之高度（例如：頂面）係延伸超過自發光層121之高度（例如：頂面），以防應射入特定畫素單元的光（例如是應射入第二畫素單元P2的光）射入相鄰之畫素單元（例如第一畫素單元P1或第三畫素單元P3）中。

在一實施例中，第二反射層123可具有多個第二反射單元123R2，第二反射單元123R2可設置於第二基板120之內表面。這些第二反射單元123R2可分別設置於自發光單元121L之至少一側邊。在一實施例中，每一第二反射單元123R2可位於其中至少一自發光單元121L之至少一部份四周。較佳地，第二反射單元123R2可位於其中至少一自發光單元121L之四周，但不限於此。

在一實施例中，每一第二反射單元123R2可位於第二遮光單元122S2與其中至少一自發光單元121L之間。以第二畫素單元P2為範例，第二畫素單元P2由外至內依序可為第二遮光單元122S2、第二反射單元123R2以及自發光單元121L。從另一方面觀之，第二反射單元123R2位於自發光單元121L側邊與第二遮光單元122S2側邊之間。於部分實施例中，第二遮光單元122S2直接與第二基板120內表面接觸。舉例而言，第二遮光單元122S2直接與第二基板120內表面接觸，且內表面不存在膜層；或者，第二基板120內表面存在膜層，第二遮光單元122S2直接與第二基板120內表面上之膜層接觸。

藉由使多個第二反射單元123R2分別設置於自發光單元121L之至少一側邊，可進一步減少自發光單元121L所發出之光線被第二遮光單元122S2吸收的機率。在一實施例中，第二反射單元123R2沿第二基板120的法線方向（例如：Z軸方向）之高度（或稱為第二反射單元123R2之頂面）係實質上等於自發光單元121L之高度（或稱為自發光單元121L之頂面），以免增加反射之光線的複雜度。

在上述各實施例之顯示面板12的配置之下，以第二畫素單元P2為範例，自發光單元121L所發出之光線中，僅第二光束L2可射入顏色轉換單元111G中，第一光束L1則被第一遮光單元112S1及/或第二遮光單元122S1所吸收，故對應於第二畫素單元P2之自發光單元121L所發出之光線，並不會射入相鄰之第一畫素單元P1或第三畫素單元P3中。

請參照第5C圖，與第5A圖所示實施例之顯示面板11至少一不同處在於：第5C圖之顯示面板21的第一遮光層112以及第一反射層113係類似於第3圖之實施例的配置。其餘相同或類似之處，可參閱前述實施例，於此不再重複說明。

在各實施例之顯示面板21的配置之下，以第二畫素單元P2為範例，自發光單元121L所發出之光線中，僅第二光束L2可射入顏色轉換單元111G中，第一光束L1則被第一遮光單元112S2及/或第二遮光單元122S1所吸收，故對應於第二畫素單元P2之自發光單元121L所發出之光線，並不會射入相鄰之第一畫素單元P1或第三畫素單元P3中。

此外，藉由使多個第一反射單元113R2分別設置於顏色轉換單元111R、111G及111B之至少一側邊，例如使每一第一反射單元113R2設置於第一遮光單元112S2與其中一顏色轉換單元111R、111G或111B之間，可進一步反射並集中光線，以提升出光效率。

再者，第一遮光單元112S2之高度（或稱為厚度）係相對地高，故可避免應射入特定顏色轉換單元的光（例如是應射入顏色轉換單元111R的光）朝向其它顏色轉換單元（例如顏色轉換單元111G或111B）入射，導致混光的情形產生而降低色飽和度。並且，第一反射單元113R2之厚度係相對地薄，以免過多的外部光線經由第一反射單元113R2反射而降低對比度。

請參照第5D圖，與第5B圖所示實施例之顯示面板12至少一不同處在於：第5D圖之顯示面板22的第一遮光層112以及第一反射層113係類似於第3圖之實施例的配置。其餘相同或類似之處，可參閱前述實施例，於此不再重複說明。

在各實施例之顯示面板22的配置之下，以第二畫素單元P2為範例，自發光單元121L所發出之光線中，僅第二光束L2可射入顏色轉換單元111G中，第一光束L1則被第一遮光單元112S2及/或第二遮光單元122S2所吸收，故對應於第二畫素單元P2之自發光單元121L所發出之光線，並不會射入相鄰之第一畫素單元P1或第三畫素單元P3中。

綜上所述，雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

1、2、10、20、11、12、21、22‧‧‧顯示面板

110‧‧‧第一基板

111‧‧‧顏色轉換層

111B、111G、111R‧‧‧顏色轉換單元

112‧‧‧第一遮光層

112S1、112S2‧‧‧第一遮光單元

112A‧‧‧第一遮光單元之第一遮光結構

112B‧‧‧第一遮光單元之第二遮光結構

113‧‧‧第一反射層

113R1、113R2‧‧‧第一反射單元

114‧‧‧平坦層

115‧‧‧偏光層

120‧‧‧第二基板

121‧‧‧自發光層

121L‧‧‧自發光單元

122‧‧‧第二遮光層

122S1、122S2‧‧‧第二遮光單元

123‧‧‧第二反射層

123R1、123R2‧‧‧第二反射單元

130‧‧‧背光模組

140‧‧‧顯示介質層

P‧‧‧畫素單元

T‧‧‧主動元件

H1‧‧‧第一遮光結構沿第一基板的法線方向之高度

H2‧‧‧第一反射單元沿第一基板的法線方向之高度

H3‧‧‧第二遮光結構沿第一基板的法線方向之高度

H4‧‧‧顏色轉換單元沿第一基板的法線方向之高度

H5‧‧‧第一遮光結構、第一反射單元及第二遮光結構整體沿第一基板的法線方向之高度

H6‧‧‧第一反射單元沿第一基板的法線方向之高度

H7‧‧‧第一遮光單元沿第一基板的法線方向之高度

H8‧‧‧第一反射單元之厚度

L1‧‧‧第一光束

L2‧‧‧第二光束

L3‧‧‧第三光束

P1‧‧‧第一畫素單元

P2‧‧‧第二畫素單元

P3‧‧‧第三畫素單元

Q1‧‧‧用以產生紅光波長之量子點材料

Q2‧‧‧用以產生綠光波長之量子點材料

BL‧‧‧光線

GL‧‧‧綠光

RL‧‧‧紅光

PA‧‧‧畫素陣列

DL‧‧‧資料線

PE‧‧‧畫素電極

SL‧‧‧掃描線

第1圖繪示根據本揭露一實施例之顯示面板之部分上視圖。第2圖繪示根據本揭露一實施例之顯示面板之第一基板之剖視圖。第3圖繪示根據本揭露另一實施例之顯示面板之第一基板之剖視圖。第4A～4B圖繪示根據本揭露一實施例之顯示面板的剖視圖。第5A～5D圖繪示根據本揭露另一實施例之顯示面板的剖視圖。

Claims

一種顯示面板，包括：一第一基板及一第二基板，該第二基板與該第一基板對應設置；一顏色轉換層，設置於該第一基板之內表面，該顏色轉換層包括至少三個顏色轉換單元；一第一遮光層，具有複數個第一遮光單元，該些第一遮光單元設置於該第一基板之內表面，該些第一遮光單元分別隔開該至少三個顏色轉換單元，且該第一遮光層於該第一基板的法線方向上係延伸超過該顏色轉換層；一第一反射層，具有複數個第一反射單元，該些第一反射單元設置於該第一基板之內表面，該些第一反射單元分別設置於該至少三個顏色轉換單元之至少一側邊；至少三個畫素單元，設置於該第二基板之內表面，其中該至少三個顏色轉換單元對應該至少三個畫素單元；以及一顯示介質層，設置於該第一基板與該第二基板之間。
如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該第一遮光層於該第一基板的法線方向上超過該顏色轉換層的高度介於4微米～9微米之間。
如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該顏色轉換層於該第一基板的法線方向上實質上係不延伸超過該第一反射層。
如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中各該第一遮光單元包括一第一遮光結構與一第二遮光結構，各該第一反射單元沿該第一基板的法線方向係位於各該第一遮光結構與各該第二遮光結構之間，各該第一遮光結構沿該第一基板的法線方向係位於該第一基板與各該第一反射單元之間。
如申請專利範圍第4項所述之顯示面板，其中各該第二遮光結構沿該第一基板的法線方向之高度大於各該第一遮光結構沿該第一基板的法線方向之高度。
如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中各該第一反射單元係位於各該第一遮光單元與各該顏色轉換單元之間。
如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，更包括：一背光模組，設置於該第二基板下方。
如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，更包括：一自發光層，設置於該第二基板之內表面，該自發光層包括至少三個自發光單元，且該至少三個自發光單元對應該至少三個畫素單元；以及一第二遮光層，具有複數個第二遮光單元，該些第二遮光單元設置於該第二基板之內表面，該些第二遮光單元分別隔開該至少三個自發光單元。
如申請專利範圍第8項所述之顯示面板，更包括：一第二反射層，具有複數個第二反射單元，該些第二反射單元設置於該第二基板之內表面，該些第二反射單元分別設置於該至少三個自發光單元之至少一側邊；其中，該第二遮光層於該第二基板的法線方向上係延伸超過該自發光層。
如申請專利範圍第9項所述之顯示面板，其中各該第二反射單元沿該第二基板的法線方向位於該第二基板與各該第二遮光單元之間。
如申請專利範圍第10項所述之顯示面板，其中該些第二遮光單元其中至少一者沿該第二基板的法線方向之高度係大於該些第二反射單元其中至少一者及/或該些自發光單元其中至少一者沿該第二基板的法線方向之高度。
如申請專利範圍第9項所述之顯示面板，其中各該第二反射單元係位於各該第二遮光單元與各該自發光單元之間。
如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，更包括：一平坦層，覆蓋該顏色轉換層、該第一遮光層及該第一反射層；以及一偏光層，設置於該平坦層遠離該第一基板之一側。
如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，更包括：一偏光層，設置於該第一基板上，且該顏色轉換層位於該偏光層與該第一基板之間。
如申請專利範圍第13項或第14項所述之顯示面板，其中，該偏光層包含一線柵偏光結構，且該線柵偏光結構具有複數個線柵。
如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中各該顏色轉換單元具有光致發光材料。