TW201944615A - 基材、電子裝置、以及發光元件及其製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明公開一種基材、電子裝置、以及發光元件及其製造方法。發光元件的製造方法包括提供具有成長面的基材以及形成半導體發光結構於基材上。提供基材的步驟還進一步包括提供具有光滑表面的初始基板；形成基底金屬層於光滑表面上；形成增厚層於基底金屬層上，以形成包括增厚層與基底金屬層的基材，增厚層與基底金屬層之間的結合強度大於基底金屬層與初始基板之間的結合強度；以及將基材由初始基板分離，基底金屬層的表面為成長面，且成長面的表面粗糙度和光滑表面的表面粗糙度之間的差值不超過5nm。

Description

基材、電子裝置、以及發光元件及其製造方法

本發明涉及一種基材、電子裝置、以及發光元件及其製造方法，特別是涉及一種以金屬做為基材的微發光二極體元件、其製造方法以及應用其的電子裝置。

發光二極體(LED)目前被廣泛應用於照明裝置以及做為液晶顯示器裝置中的背光模組。隨著發光二極體製作技術的發展，目前的發光二極體的晶粒尺寸(邊長)已可縮小至100微米以下，被稱為微發光二極體(Micro LED)，而可被應用於顯示面板中做為自發光的顯示畫素。

微發光二極體包括多層三五族半導體磊晶層，前述的三五族半導體可以是砷化鎵(GaAs)、磷化鋁(AlP)、氮化鎵(GaN)等。為了成長三五族半導體磊晶層，一般會使用和磊晶層的晶格常數相互匹配的基材，以減少磊晶層中的晶格缺陷。一般常用於成長三五族半導體磊晶層的基材例如是砷化鎵晶圓或者是藍寶石基材。

然而，砷化鎵晶圓或藍寶石基材的價格較為昂貴，且尺寸有限，而應用於顯示面板的微發光二極體的數量超過百萬個。若要應用這些基材來製造應用於顯示面板的微發光二極體，須使用大量的基材。如此，將使顯示面板的成本過高，而降低市場競爭力。

另一方面，目前是通過有機金屬化學氣相沉積(Metal Organic Chemical.Vapor Phase Deposition,MOCVD)來製造三五族半導體磊晶層的製程溫度高達1000℃以上，導致製程成本較高。因此， 目前仍待研發出其他可用來成長磊晶層的基材以及製程，以進一步降低微發光二極體的製造成本。

本發明所要解決的技術問題在於，降低發光元件的基材成本以及製造成本，以使發光元件易於大量生產。如此，可進一步降低微發光二極體顯示裝置的生產成本。

為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是，提供一種發光元件的製造方法，其包括：提供具有成長面的基材以及形成半導體發光結構於基材上。提供基材的步驟包括：提供一具有光滑表面的初始基板；形成基底金屬層於光滑表面上；形成增厚層於基底金屬層上，以形成包括增厚層與基底金屬層的基材，增厚層與基底金屬層之間的結合強度大於基底金屬層與初始基板之間的結合強度；以及將基材由初始基板分離，其中，所述基底金屬層的表面為成長面，且成長面的表面粗糙度和光滑表面的表面粗糙度之間的差值不超過5nm。

為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外一技術方案是，提供一種基材，其用以成長至少一磊晶層。基材包括一增厚層以及一和增厚層結合的基底金屬層。基底金屬層具有一成長面，且成長面的表面粗糙度不超過5nm。

為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外一技術方案是，提供一種發光元件，其包括基材以及半導體發光結構。基材包括增厚層以及和增厚層結合的基底金屬層。基底金屬層具有一成長面，且成長面的表面粗糙度不超過5nm。半導體發光結構設置於成長面上。

為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外一技術方案是，提供一種電子裝置，其包括多個如上所述的發光元件。

本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的發光元件及其製造方法以及應用其的電子裝置，其能通過“在具有光滑表面 的初始基板上形成基底金屬層以及增厚層”的技術方案，可以形成用於成長半導體發光結構的基材。相較於現有的藍寶石基材以及砷化鎵基材，本發明實施例所提供的基材的成本較低，且可用以大面積製造半導體發光結構，而有利於發光元件的量產。如此，當本發明實施例的發光元件應用於電子裝置時，可使電子裝置具有較低的製造成本。

為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。

M1、M2‧‧‧發光元件

10、10’‧‧‧初始基板

10S、10S’‧‧‧光滑表面

100、100’‧‧‧子基板

100s‧‧‧邊緣

20‧‧‧基材

20S‧‧‧成長面

21‧‧‧基底金屬層

SL‧‧‧過渡表層

22‧‧‧增厚層

BL‧‧‧緩衝層

30‧‧‧半導體發光結構

31‧‧‧P型半導體層

32‧‧‧主動層

33‧‧‧N型半導體層

L1‧‧‧雷射光

S100~S104、S200、S300‧‧‧流程步驟

圖1顯示本發明發光元件的製造方法的流程圖。

圖2A顯示本發明的製造方法的步驟S101於一實施例中的示意圖。

圖2B顯示本發明的製造方法的步驟S102於一實施例的示意圖。

圖2C顯示本發明的製造方法的步驟S102於另一實施例的示意圖。

圖2D顯示本發明的製造方法的步驟S103於一實施例的示意圖。

圖2E顯示本發明的製造方法的步驟S104於一實施例的示意圖。

圖2F顯示本發明的製造方法的步驟S200於一實施例的示意圖。

圖2G顯示本發明的製造方法的步驟S300於一實施例的示意圖。

圖2H顯示本發明的製造方法的步驟S300於另一實施例的示意圖。

圖3A顯示本發明一實施例的初始基板在接合前的俯視示意 圖。

圖3B顯示本發明一實施例的初始基板在接合前的側視示意圖。

圖4A顯示本發明一實施例的初始基板在接合後的俯視示意圖。

圖4B顯示本發明一實施例的的初始基板在接合後的側視示意圖。

以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“發光元件、其製造方法以及應用其的電子裝置”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。

請參照圖1以及圖2A至2H。圖1顯示本發明一實施例的發光元件的製造方法的流程圖，圖2A至2H繪示製造本發明其中一實施例的發光元件的詳細步驟。通過本發明實施例所提供的製造方法，可以降低發光元件的製造成本。前述的發光元件例如是發光二極體。

請參照圖1，在步驟S100中，提供一基材。提供基材的步驟至少包括步驟S101~S104。進一步而言，在步驟S101中，提供一初始基板，且初始基板具有一光滑表面。

如圖2A所示，初始基板10可以是具有結晶方向的基材或者是非晶基材。具有結晶方向的基材例如是矽基材、鍺基材、砷化鎵基材或是藍寶石基材，而非晶基材例如是塑膠基材或玻璃基 材。為了不論初始基板10是否選擇具有特定的結晶方向，初始基板10的光滑表面10S的表面粗糙度(Ra)不超過2nm。

請參照圖1以及圖2B。在步驟S102中，形成基底金屬層於初始基板上。具體而言，基底金屬層21是被形成在初始基板10的光滑表面10S上，如圖2B所示。

在一實施例中，基底金屬層21是通過物理氣相沉積法形成於初始基板10上。本實施例中，基底金屬層21可通過濺鍍或者蒸鍍形成於初始基板10上。另外，基底金屬層21的厚度是介於100奈米至200奈米之間。

基底金屬層21的材料可以選自由鐵、鈷、鎳、銅、鉬、金、鉑、鋁、鋅、銀、鈦、矽、鍺、鉿及其任意組合所組成的群組其中一種。基底金屬層21的材料可以根據實際應用選擇，在後文中將進一步舉例說明，在此並不贅述。

請參照圖2C，顯示本發明另一實施例的製造方法的步驟S102的示意圖。須說明的是，在初始基板10為具有結晶方向的基材的條件下，在形成基底金屬層21的初始階段，儘管基底金屬層21與初始基板10的材料不同，基底金屬層21的原子仍會依據初始基板10的結晶方向排列，而形成一具有單晶結構的過渡表層SL。隨著基底金屬層21的膜厚增加，基底金屬層21的原子離初始基板10越遠，也漸漸地不再依照初始基板10的結晶方向堆積，而根據材料本身的結晶特性來堆積。

也就是說，在初始基板10上所形成的基底金屬層21會具有和光滑表面10S直接連接的過渡表層SL。過渡表層SL具有單晶結構，並和初始基板10會具有相同的結晶方向。

先說明的是，基底金屬層21和初始基板10連接的表面之後會用於成長半導體發光結構。據此，在一實施例中，初始基板10的材料可以選擇晶格常數和半導體發光結構的晶格常數匹配的材料，從而使過渡表層SL的晶格常數也能夠匹配半導體發光結構的 晶格常數。

所述的晶格常數匹配是指兩種異質材料的晶格常數之間的差異不超過5%。也就是說，通過選擇適合的初始基板10以及基底金屬層21，可以使過渡表層SL的晶格常數與半導體發光結構的晶格常數之間的差異不超過5%。舉例而言，若構成半導體發光結構的材料為氮化鎵，基底金屬層21的材料可以選擇鉿，其中鉿的晶格常數可以和氮化鎵的晶格常數匹配。過渡表層SL的厚度大約是介於30至60nm之間。

另外，要說明的是，雖然基底金屬層21被形成於初始基板10上，但是基底金屬層21和初始基板10之間並未產生化學反應，因此在基底金屬層21和初始基板10的界面不會產生其他化合物。

請參照圖1以及圖2D。在步驟S103中，形成增厚層於基底金屬層上，以形成基材。增厚層與基底金屬層之間的結合強度大於基底金屬層與初始基板之間的結合強度。

圖2D接續圖2B的步驟。在基底金屬層21上繼續形成增厚層22，而形成基材20。另外，增厚層22主要是用於提供足以使基材20與初始基板10分離的內應力。只要增厚層22的厚度能夠使基材20與初始基板10分離，即可達到本發明之目的。因此，在本發明中，對於增厚層22的膜層品質或者是結晶特性並沒有特定要求。

在一實施例中，增厚層22的厚度大約為基底金屬層21的厚度的10倍至20倍，以提供足以使基材20與初始基板10分離的內應力。在一實施例中，增厚層22的厚度至少大於20微米。

據此，可通過物理氣相沉積製程或電鍍於基底金屬層21上形成增厚層22。相較於物理氣相沉積(如：濺鍍)製程而言，通過電鍍可以在相對較短的時間內形成具有足夠厚度的增厚層22，但增厚層22的緻密度較低。

增厚層22的材料也可以選擇由鐵、鈷、鎳、銅、鉬、金、鉑、 鋁、鋅、銀、鈦、矽、鍺、鉿及其任意組合所組成的群組其中一種。在一實施例中，基底金屬層21的材料與增厚層22的材料都是銅。然而，增厚層22的材料也可以和基底金屬層21的材料不同。據此，在另一實施例中，基底金屬層21的材料為鉿，而增厚層22的材料為銅。

請參照圖1以及圖2E。在步驟S104中，將基材由初始基板剝離。基材20可用以成長磊晶層，且基材20包括增厚層22以及和增厚層22結合的基底金屬層21。基底金屬層21具有一成長面20S，且成長面20S的表面粗糙度和光滑表面10S的表面粗糙度之間的差值不超過5nm。

如圖2E所示，由於基材20的內應力大於基底金屬層21與初始基板10之間的結合強度，因此可在不破壞基材20的情況下將基材20由初始基板10剝離。另外，基底金屬層21與初始基板10之間並沒有產生化學反應或鍵結，因此在將基材20與初始基板10分離之後，並不會損壞基底金屬層21和初始基板10連接的表面。

在將基材20與初始基板10分離之後，基材20原本和初始基板10直接接觸表面，可做為成長半導體發光結構的成長面20S。值得一提的是，通過上述步驟之後，基材20的成長面20S的表面粗糙度會大致和光滑表面10S的表面粗糙度相同。進一步而言，成長面20S的表面粗糙度與光滑表面10S的表面粗糙度之間的差值不超過5nm(奈米)。在一實施例中，成長面20S的表面粗糙度不超過5nm(奈米)，一般是介於1至3nm(奈米)。

須說明的是，由於半導體發光結構的總厚度大約只有4至5微米，因此基材20的成長面20S的表面粗糙度對於半導體發光結構的晶格缺陷數量有顯著的影響。

須說明的是，在現有技術中，較少以金屬基材做為半導體發光結構的基材的其中一個原因是，金屬基材的表面粗糙度較難達到低於5nm，而符合磊晶要求。

然而，通過本發明實施例的製造方法來形成發光元件的基材，不僅可降低基材的製造成本，也可使基材具有符合磊晶要求的表面粗糙度。除此之外，本發明實施例所提供的基材20具有可撓性，從而可使發光元件應用於製作可撓式顯示裝置。

另外要說明的是，雖然本發明實施例的基材20以應用於成長半導體發光結構為例來進行說明，但本發明中並未限制基材20的應用領域。在其他實施例中，通過上述方式所製造的基材20也可以根據實際需要，而成長不同材料以及厚度的磊晶層，以形成其他半導體元件，例如：太陽能電池。

請參照圖1以及圖2F。在步驟S200中，形成一緩衝層於基材上。如圖2E所示，緩衝層BL形成在基材20的成長面20S上。

緩衝層BL的材料的晶格常數，可以和半導體發光結構的材料的晶格常數相互匹配。在一實施例中，當半導體發光結構的材料為氮化鎵時，緩衝層BL的材料為氮化鋁或氧化鋅。

除此之外，在後續形成半導體發光結構的步驟中，緩衝層BL可以減少因為基材20與半導體發光結構之間的熱膨脹係數差異而產生的熱應力。在一實施例中，緩衝層BL的厚度可介於50至200nm(奈米)。

另外，在本實施例中，緩衝層BL是通過濺鍍形成於基材20上，且形成緩衝層BL的加工溫度是介於500℃至600℃之間。相較於有機金屬化學氣相沉積而言，通過濺鍍來形成緩衝層BL，可使加工溫度較低，且有利於大面積製作。另一方面，由於基材20的材料是金屬，通過有機金屬化學氣相形成緩衝層BL的加工溫度較高，可能會導致基材20被熔融。

接著，請參照圖1以及圖2G。在步驟S300中，形成半導體發光結構於基材上。如圖2G所示，在緩衝層BL上形成半導體發光結構30。半導體發光結構30包括P型半導體層31、N型半導體層33以及一主動層32。主動層32位於P型半導體層31以及N 型半導體層33之間，並可包括單個或者多個量子阱(quantum well)。在一實施例中，半導體發光結構30的材料可以是氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)、磷化鋁(AlP)等三五族半導體材料。

半導體發光結構30是通過物理氣相沉積形成於緩衝層BL上。進一步而言，半導體發光結構30可通過濺鍍形成於緩衝層BL上。須說明的是，在現有的技術中，較少使用濺鍍來製作半導體發光結構，主要因為由濺鍍所形成的磊晶層的品質，比不上由有機金屬化學氣相沉積所形成的磊晶層的品質，而磊晶層的品質又影響發光元件M1的發光效率以及亮度。據此，以往在製造半導體發光結構30時，濺鍍通常不會是首要選擇。

但是，在將發光元件M1應用在顯示裝置中作為顯示畫素時，由於發光元件M1的數量巨大(可能多達數百萬個)，因此對於單個發光元件M1的亮度以及發光效率的要求較為寬鬆。據此，本發明中，以能夠大面積地形成半導體發光結構30作為主要考量。因此，本發明實施例中，是選擇通過濺鍍來製造半導體發光結構30。如此，有利於發光元件M1大量生產，而可進一步降低顯示裝置的成本。

另外，相較於有機金屬化學氣相沉積製程，通過濺鍍來製造半導體發光結構30的製程溫度也相對較低。因此，基材20材料的選擇也較多。

須說明的是，由於金屬的熱膨脹係數與半導體材料差異太大，在過高的製程溫度下，會使半導體發光結構應力過大而破裂，或是因高溫而產生金屬蒸氣，污染了腔體。因此，本發明實施例中，選擇通過濺鍍來形成半導體發光結構30也可避免上述問題。

請參照圖1以及圖2H，在本發明另一實施例中，在進行步驟S104之後，也可以直接進行步驟S300。也就是說，在將基材20和初始基板10分離之後，可以直接在基材20的成長面20S上形成半導體發光結構30，如圖2H所示。換句話說，在本實施例中， 形成緩衝層BL的步驟可以被省略。

進一步而言，當初始基板10為具有單晶結構的基板時，可使基底金屬層21的過渡表層SL也具有單晶結構，如圖2C所示。當基底金屬層21的過渡表層SL的晶格常數直接可和半導體發光結構30的晶格常數匹配時，也可以將緩衝層BL省略。

也就是說，在形成增厚層22以及將基材20與初始基板10分離之後，可以直接將半導體發光結構30形成於基材20的成長面20S上。據此，本實施例的發光元件M2包括基材20以及半導體發光結構30，而半導體發光結構30是直接設置在基材20的成長面20S上。

在本發明另一實施例中，提供初始基板10的步驟還包括：提供多個子基板，每一子基板具有和另一子基板相互配合的輪廓；以及接合多個子基板，以形成初始基板。

請參照圖3A以及圖3B，分別顯示初始基板在接合前的俯視示意圖以及側視示意圖。如圖3A所示，先提供多個子基板100，且每一個子基板100具有和另一子基板100相互配合的輪廓。在一實施例中，子基板100的材料例如是藍寶石基板或者是半導體材料。具體而言，可以將半導體晶圓或者是藍寶石晶圓切割成四方形，以形成子基板100。之後，再將子基板100相互拼接。兩相鄰的子基板100的邊緣100s可相互配合。之後，請參照圖3B，通過對兩相鄰的子基板100的邊緣100s照射雷射光L1，可以使兩相鄰的子基板100的邊緣100s被局部熔融而接合。

請參照圖4A以及圖4B，分別顯示初始基板在接合後的俯視示意圖以及側視示意圖。如圖4A與圖4B所示，經過雷射光L1的照射之後，多個子基板100’相互接合而形成大面積的初始基板10’。之後，通過執行圖1所示的步驟S102至S104，初始基板10’可應用於形成適合於成長半導體發光結構30的基材20。

相較於前一實施例中的初始基板10，本實施例的初始基板10’ 的光滑表面10S’的面積更大。因此，應用初始基板10’所製造的基材20也具有更大的面積，可用以成長具有大面積的半導體發光結構30。本發明實施例所提供的發光元件M1、M2可應用於電子裝置(未圖示)中，例如是顯示裝置或者照明裝置。

換句話說，電子裝置可以包括多個發光元件M1(或M2)。當電子裝置為顯示裝置時，多個發光元件M1(或M2)可以成陣列排列，以作為顯示畫素，或者是作為顯示裝置的背光源。在另一實施例中，當電子裝置為照明裝置時，多個成陣列排列的發光元件M1(或M2)可以形成一面光源。

另外，既然在製造發光元件M2的過程中，初始基板10’會和基材20分離，初始基板10’可重複應用於製造基材20。因此，相較於先前要形成大量的發光元件所需要的成本，本發明實施例所提供的發光元件M2的製造方法可具有更低的製造成本。

綜上所述，本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的發光元件及其製造方法以及應用其的電子裝置，其能通過“在具有光滑表面10S、10S’的初始基板10、10’上形成基底金屬層21以及增厚層22”來形成基材20，可以使基材20的成長面20S的表面粗糙度和初始基板10、10’的光滑表面10S、10S’的表面粗糙度大致相同，而符合成長半導體發光結構的需求。

相較於現有的藍寶石基材以及砷化鎵基材，本發明實施例所提供的基材20的成本較低，且可用以大面積製造半導體發光結構30，而有利於發光元件M1的量產。如此，當本發明實施例的發光元件M1應用於電子裝置時，可使電子裝置具有較低的製造成本。

另外，現有的單晶藍寶石基板等單晶基板的熱傳導性不佳，因而無法有效對微發光二極體散熱。特別是當大電流通過高輸出發光二極體時，元件的溫度會上升，而導致發光效率降低或元件壽命降低。相較之下，本發明實施利用成長半導體發光結構30的基材20的材料可以選擇金屬材料，因此對於發光元件M1、M2而 言，具有更好的散熱效果。

以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。

Claims (21)

1. 一種發光元件的製造方法，其包括：提供一具有一成長面的基材，其中，提供所述基材的步驟包括：提供一初始基板，所述初始基板具有一光滑表面；形成一基底金屬層於所述光滑表面上；形成一增厚層於所述基底金屬層上，以形成至少包括所述增厚層與所述基底金屬層的所述基材，其中，所述增厚層與所述基底金屬層之間的結合強度大於所述基底金屬層與所述初始基板之間的結合強度；以及將所述基材由所述初始基板剝離，其中，所述基底金屬層的表面為所述成長面，且所述成長面的表面粗糙度和所述光滑表面的表面粗糙度之間的差值不超過5nm；以及形成一半導體發光結構於所述基材的所述成長面上。
2. 如請求項1所述的製造方法，其中，所述光滑表面的表面粗糙度不超過2nm，且所述成長面的表面粗糙度不超過5nm。
3. 如請求項1所述的製造方法，其中，所述初始基板為塑膠基材、矽基材、鍺基材、藍寶石基材或玻璃基材。
4. 如請求項1所述的製造方法，其中，所述初始基板為具有一結晶方向基材，所述基底金屬層具有直接連接所述光滑表面的一過渡表層，且所述過渡表層具有和所述初始基板相同的結晶方向。
5. 如請求項4所述的製造方法，其中，所述過渡表層的晶格常數和所述半導體發光結構的晶格常數之間的差異不超過5%。
6. 如請求項1所述的製造方法，還進一步包括：在形成所述半導體發光結構之前，形成一緩衝層於所述成長面上。
7. 如請求項6所述的製造方法，其中，構成所述緩衝層的材料為氧化鋅或氮化鋁。
8. 如請求項6所述的製造方法，其中，所述緩衝層通過濺鍍形成於所述成長面上，且形成所述緩衝層的加工溫度是介於500℃至600℃之間。
9. 如請求項1所述的製造方法，其中，所述基底金屬層的厚度介於100奈米至200奈米之間，且所述增厚層的厚度至少大於20微米。
10. 如請求項1所述的製造方法，其中，所述增厚層的材料與所述基底金屬層的材料選自由鐵、鈷、鎳、銅、鉬、金、鉑、鋁、鋅、銀、鈦、矽、鍺、鉿及其任意組合所組成的群組其中一種。
11. 如請求項1所述的製造方法，其中，所述基底金屬層通過濺鍍或者蒸鍍形成於所述初始基板上，且所述增厚層通過電鍍形成於所述基底金屬層上。
12. 如請求項1所述的製造方法，其中，所述半導體發光結構通過濺鍍形成於所述基材上。
13. 如請求項1所述的製造方法，其中，提供所述初始基板的步驟還進一步包括：提供多個子基板，每一所述子基板具有和另一所述子基板相互配合的輪廓；以及 接合多個所述子基板，以形成所述初始基板，其中，兩相鄰的所述子基板的邊緣是通過雷射光而熔融接合。
14. 一種發光元件，其包括：一基材，其包括一增厚層以及一和所述增厚層結合的基底金屬層，其中，所述基底金屬層具有一成長面，所述成長面的表面粗糙度不超過5nm；以及一半導體發光結構，其設置於所述成長面上。
15. 如請求項14所述的發光元件，其中，所述基底金屬層包括一具有單晶結構的過渡表層，所述過渡表層的晶格常數和所述半導體發光結構的晶格常數之間的差異不超過5%。
16. 如請求項14所述的發光元件，其中，所述基底金屬層的厚度介於100奈米至200奈米之間，所述增厚層的厚度至少大於20微米。
17. 如請求項14所述的發光元件，其中，所述增厚層的材料與所述基底金屬層的材料都選自由鐵、鈷、鎳、銅、鉬、金、鉑、鋁、鋅、銀、鈦、矽、鍺、鉿及其任意組合所組成的群組其中一種。
18. 如請求項14所述的發光元件，還進一步包括：一位於所述發光元件與所述基材之間的緩衝層，所述緩衝層的材料為氧化鋅或氮化鋁。
19. 一種電子裝置，所述電子裝置包括多個發光元件，每一所述發光元件包括：一基材，其包括一增厚層以及一和所述增厚層結合的基底金 屬層，其中，所述基底金屬層具有一成長面，所述成長面的表面粗糙度不超過5nm；以及一半導體發光結構，其設置於所述成長面上。
20. 如請求項19所述的電子裝置，其中，所述電子裝置為顯示裝置或者照明裝置。
21. 一種基材，其用以成長至少一磊晶層，所述基材包括一增厚層以及一和所述增厚層結合的基底金屬層，其中，所述基底金屬層具有一成長面，所述成長面的表面粗糙度不超過5nm。