TW201944511A - 具有自動傳送系統的磊晶製程系統和其自動傳送方法 - Google Patents

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Abstract

一種磊晶製程系統提供反應模組、傳送模組和載入/載出模組，傳送模組和載入/載出模組分別具有二個暫存機構，放置未經磊晶反應之晶圓的承載盤由載入/載出模組的二暫存機構之一或該傳送模組的一暫存機構被挪移至反應模組的反應腔體處以搭配頂棚進行磊晶反應，如此藉由傳送模組於反應模組、傳送模組和載入/載出模組之間自動傳送承載盤和頂棚。

Description

具有自動傳送系統的磊晶製程系統和其自動傳送方法
本發明是關於一種磊晶形成設備的領域，特別是關於一種磊晶手套箱設備和其自動傳送方法。
一般的磊晶製程機台包括反應模組、傳送模組和載入/載出模組，晶圓可被傳送模組傳遞於反應模組和載入/載出模組之間。由於磊晶成長反應時間長，且需經過漸進的降溫過程以避免損害磊晶層，故，如何兼顧降低機台停機時間和晶圓的磊晶品質是磊晶製程重要的課題之一。
本發明提供一種磊晶製程系統和其自動傳送方法，其僅使用三個模組即可構成具有自動傳送功能的系統架構，解決習知需額外設置一暫存區模組的設計，可減少占地面積(foot print)和降低機台設備的成本。
本發明提供一種磊晶製程系統和其自動傳送方法，其在傳送模組(Transfer Module, TM)和載入/載出模組(Load Lock Module, LLM)處分別設置兩個暫存空間，即可在磊晶製程機台中進行承載盤(susceptor)和頂棚(ceiling)的循環交換，減少機台的停機(downtime)，增加機台使用效率。
本發明提供一種磊晶製程系統和其自動傳送方法，其僅使用三個模組即可構成具有自動傳送功能，模組內設置歸位機構可進行個模組間的相互定位校準，增加機台作動時的準確度。
依據上述，一種磊晶製程系統，包括：一反應模組(RM)包含一反應腔體，一承載盤(susceptor)和一頂棚(ceiling) 容置於該反應腔體中以協助該承載盤中的至少一晶圓(wafer)進行一磊晶反應；一傳送模組(TM)，包括一第一暫存機構(stage)(T2)與一第二暫存機構(T1)，其中，該第一暫存機構提供置放該承載盤之用，該第二暫存機構提供置放該頂棚之用；一載入/載出模組(LLM)，包括一載入/載出腔體以及一第三暫存機構(L2)容置於該載入/載出腔體中，該第三暫存機構提供置放該承載盤或該頂棚之用；以及一第四暫存機構(L1)置於該載入/載出腔體下方並提供置放該承載盤或該頂棚之用；其中，放置未經磊晶反應之該晶圓的該承載盤由該第三暫存機構、該第四暫存機構以及該第一暫存機構三者之一被挪移至該反應腔體處。
依據上述，一種自動傳送方法，運作於可連通和隔絕的一載入/載出腔體、一傳送模組和一反應腔體中，包括：提供該傳送模組中的一第一暫存機構(stage)(T2)與一第二暫存機構(T1)；提供於該載入/載出腔體中的一第三暫存機構 (L2)；提供於該載入/載出腔體下方的一空間中的一第四暫存機構(L1)，該空間與該傳送模組連通；於該反應腔體中對一第一晶圓進行一磊晶反應，該第一晶圓放置於一第一承載盤中，且於該磊晶反應過程中有一第一頂棚配合該第一承載盤；提供具有一第二晶圓的一第二承載盤，該第二承載盤被放置於閒置中的該第三暫存機構、該第四暫存機構和該第一暫存機構三者之一以等待進行該磊晶反應；以及傳送該第一承載盤和該第二承載盤，在該第二承載盤被放置於該第三或該第四暫存機構的情況時，完成該磊晶反應的該第一承載盤由該反應腔體中被傳送至該第一暫存機構以進行降溫，然後傳送該第二承載盤至該反應腔體中以進行該磊晶反應；在該第二承載盤被放置於該第一暫存機構的情況時，完成該磊晶反應的該第一承載盤由該反應腔體中被傳送至該第三暫存機構或該第四暫存機構以進行降溫，然後傳送該第二承載盤至該反應腔體中以進行該磊晶反應。
本發明以下所稱的磊晶製程系統，主要為包括手套箱設備的磊晶製程設備。磊晶製程設備的手套箱設備一般包括的氣體管路系統、控制系統等，於此雖不顯示於圖上和說明，但可以理解的，實際體現於機台時將包括磊晶製程設備的必要系統。
另外，本發明以下所稱的暫存機構，可以包括一或多個底座放置物件，或是利用一或多個夾取機構固定物件，或是承載機構放置物件，其中，此處的物件為承載盤或頂棚。為保護放置或夾取的物件，底座或夾取機構可以是以陶瓷或石磨材料製作的裝置，或是具有陶瓷件或石磨件設置於暫存機構與物件接觸或承靠的位置處，例如底座由金屬材料製作，但在底座的邊緣設有陶瓷件或石磨件以供物件承靠。
又，以下所稱的磊晶晶圓(epitaxy wafer)係指經過化學氣相沉積等適當方式，在基板晶圓(substrate wafer)上成長一或多層磊晶層。故於本發明中，基板晶圓和和磊晶晶圓的區別是指經歷磊晶成長的前後物件。若未特別提及時，以下的晶圓則可以是基板晶圓或磊晶晶圓或二者。
圖1為本發明之一磊晶製程機台實施例的部分機構/部件位置的側面示意圖。參考圖1，本發明的磊晶製程機台2包括三個模組：反應模組12(reaction module, RM)、傳送模組14(TM)和載入/載出模組16(LLM)。反應模組12是提供進行晶圓的磊晶成長的場所和相關機構，其中，一或多個頂棚24和一或多個承載盤26可被安排在反應模組12的反應腔體22中。每一承載盤26中可容置一或多片晶圓(圖上未繪)，未經磊晶成長的晶圓(基板晶圓)可在反應模組12中進行磊晶成長的磊晶反應。載入/載出模組16是提供準備未經磊晶成長的晶圓(基板晶圓)和卸取完成磊晶製程的晶圓(磊晶晶圓)的場所和相關機構，傳送模組14則是提供晶圓和相關物件傳遞的場所和相關機構。是以，傳送模組14通常設置介於反應模組12和載入/載出模組16之間。其次，本發明廣義的反應模組12、傳送模組14和載入/載出模組16分別占有各自的長、寬、高的一空間並且更可包括一腔體。腔體可以占滿或小於各自所占有的空間，且其內可以設置或放置模組的機構。在各自的腔體小於各自所占有的空間的情況時，占有的空間的剩餘部分可以設置或規劃其他機構。於一實施例中，反應模組12包括一反應腔體22，載入/載出模組16包括一載入/載出腔體62。其次，本發明可指的反應模組12、傳送模組14和載入/載出模組16亦分別可為氮氣盒(nitrogen box)設計，各氮氣盒之間可設置閘閥機構，藉以作為氣體連通的通道或/和氣體隔絕、以及物件傳遞或/和隔離的通道。
圖2為本發明之一磊晶製程機台執行面朝上(face up)的部分機構的配置和傳送方式實施例的側視示意圖。請同時參照圖1和圖2，其次，傳送模組14更包括一第一暫存機構44(stage)和一第二暫存機構46，載入/載出模組16則更包括一第三暫存機構64和一第四暫存機構66。於一實施例中，一第一閘閥機構13(RTGV)設置於反應模組12和傳送模組14之間，一第二閘閥機構15(TLGV)設置於傳送模組14和載入/載出模組16之間，一第三閘閥機構17(LAGV)設置於載入/載出模組16和一外界之間。又，於一實施例中，於一完整的磊晶製程過程(包括傳送物件、進行磊晶成長和反應前後的升降溫和吹淨)中，第一暫存機構44可提供置放承載盤之用，第二暫存機構46可提供置放頂棚24之用。其次，第三暫存機構64和第四暫存機構66則皆可分別提供置放承載盤26或頂棚24之用，其中，在位置安排上，第四暫存機構66是置於載入/載出腔體62下方的空間60中，且此空間60的氮氣循環可和傳送模組14一起。再者，介於傳送模組14和載入/載出模組16之間的第二閘閥機構15(TLGV)是可滑動地位於第三暫存機構64處或位於第四暫存機構66處。當第二閘閥機構15滑動至第三暫存機構64處時，第四暫存機構66所在的空間60可和傳送模組14相通；反之，則傳送模組14可將頂棚24或承載盤26傳送於載入/載出模組16和反應模組12之間或是載入/載出模組16和傳送模組14之間。
請同時參照圖1、圖2，為方便說明，於反應模組12處以位置23(R1)和位置25(R2)分別表示承載盤和頂棚容置於反應腔體22中時的位置。於面朝上的磊晶製程情形時，承載基板晶圓的承載盤可由外界通過第三閘閥機構17(LAGV)放置於載入/載出模組16的閒置中的第三暫存機構64或進而再被移至閒置中的第四暫存機構66，乾淨的頂棚亦可放置於載入/載出模組16的閒置中的第三暫存機構64或進而再被移至閒置中的第四暫存機構66以準備進行磊晶成長。可以理解的，由外界送入磊晶製程機台2中的承載盤和頂棚的先後次序是可以對調的。
續參照圖1、圖2，通過第二閘閥機構15(TLGV)和第一閘閥機構13(RTGV)後，傳送模組14的機械手臂48可將載入/載出模組16處的承載盤和頂棚分別挪移入反應模組12處，其中，承載盤26被安裝在公轉盤上，此時的公轉盤在位置23(R1)處，頂棚24則安裝在位置25(R2)。其中，位置25(R2)是在反應腔體22的上腔底部附近，頂棚24在承載盤26的上方，即位置25(R2)在位置23(R1)的上方。關閉第一閘閥機構13(RTGV)後以啟動磊晶成長，一般而言，承載盤26中的基板晶圓和頂棚24在高溫與真空氛圍下進行磊晶成長的沉積反應以成長磊晶層，成長時間約需6小時才能成長到所需的磊晶層厚度。
續參考圖1和圖2，承上，當承載基板晶圓的承載盤和乾淨的頂棚被挪入反應腔體22後，承載有次一批待進行反應的基板晶圓的承載盤以及次一個頂棚可被放置於閒置中的第四暫存機構66或第三暫存機構64中以備。可以選擇地，放置於載入/載出模組16處的次一批承載盤可進一步被移入閒置中的傳送模組14的第一暫存機構44上以備，次一個頂棚則可被移入第二暫存機構46以備。是以，當反應模組12中有基板晶圓在進行磊晶成長時，次一批的承載盤和乾淨的頂棚可以被放置於閒置中的傳送模組14或閒置中的載入/載出模組16中，即本發明的傳送模組14和載入/載出模組16分別具有兩個暫存機構以放置次一批的承載盤和乾淨的頂棚。如此的優點之一在於，在反應模組12在進行磊晶成長的期間，次一批的承載盤和乾淨的頂棚能夠在磊晶製程機台2中備妥以待直接被移入反應模組12中。
續參考圖1和圖2，承上，在次一批待進行反應的晶圓的承載盤以及次一個頂棚被放置於載入/載出模組16中的情況時，通過第一閘閥機構13(RTGV)、傳送模組14的機械手臂48可將承載磊晶晶圓的承載盤26從反應模組12移入閒置中的第一暫存機構44，磊晶成長使用過的頂棚24則可停留於反應模組12中或是被移入閒置中的第二暫存機構46以進行吹淨和降溫或待移出磊晶製程機台2。接著，傳送模組14再將載入/載出模組16中的次一批承載基板晶圓的承載盤以及次一個頂棚移入清空的反應模組12中以開始次一批基板晶圓的磊晶成長。依據上述，在反應模組12進行磊晶成長的期間，承載磊晶晶圓的承載盤26可由第一暫存機構44被移至閒置中的第三暫存機構64或第四暫存機構66以待移出。同理，磊晶成長使用過的頂棚24亦可由第二暫存機構46被移至閒置中的第四暫存機構66或第三暫存機構64以待移出。是以，承載晶圓的承載盤可在磊晶製程機台2中分別自動被傳送而不會產生彼此等待傳送的時間，承載盤和頂棚可在反應模組12、傳送模組14和載入/載出模組16之間循環地被交換，減少磊晶製程機台2停機，增加其使用效率。
續參考圖1和圖2，可以理解的，在次一批待進行磊晶成長的承載盤和次一個頂棚被放置於第一暫存機構44和第二暫存機構46的情況時，承載磊晶晶圓的承載盤26和使用過的頂棚24可從反應模組12被移入閒置中的載入/載出模組16中，二者在經過氮氣吹淨和降溫後可直接由載入/載出模組16移出磊晶製程機台2。
圖3為本發明之一磊晶製程機台面朝下(face down)實施例的側面示意圖，圖4為本發明之磊晶製程機台執行面朝下(face up)的部分機構的配置和傳送方式實施例的側視示意圖。和圖1、圖2不同之處在於，在反應模組12中，公轉盤所在位置23(R1)是在頂棚24所在位置25(R2)的上方，即承載盤26在頂棚24的上方，頂棚24在反應腔體22的下腔附近。此情形的磊晶製程過程仍可善用本發明之分別具有二個暫存機構的傳送模組14和載入/載出模組16，執行如同面朝上製程的承載盤26和頂棚24的循環交換的自動傳送方式，於此不贅述。
圖5A~圖5C為本發明之傳送模組、部分的閘閥機構和暫存機構的配置俯視圖，當第一暫存機構44和第二暫存機構46皆為固定式時，如圖5A，第一暫存機構44和第二暫存機構46為上下層、重疊或對齊的位置關係，二者皆在傳送模組的氮氣盒的同一角落，例如與第一閘閥機構13同側的同一角落處。如圖5B，第一暫存機構44和第二暫存機構46亦為上下層的位置關係，但二者在傳送模組的氮氣盒的同一邊，例如與第一閘閥機構13或第二閘閥機構15不同側的邊界上。如圖5C，第一暫存機構44和第二暫存機構46為上下層但非重疊/非對齊的位置關係，例如第一暫存機構44設在鄰近第一閘閥機構13的角落上，且第二暫存機構46設在鄰近第二閘閥機構15的角落上，反之亦可。
再者，要說明的是，可以選擇地，傳送模組14的二個暫存機構亦可以是可動式的(參考圖1)，利用可上升下降的夾取機構49(圖1)夾取頂棚及承載盤。在二暫存機構為上下層、重疊或對齊的位置關係的情況下，上層夾取機構是夾取承載盤，下層夾取機構是夾取頂棚。在二暫存機構為上下層但非重疊/非對齊的位置關係的情況下，則不限何者是夾取承載盤。
圖6A為本發明之一載入/載出模組放置承載盤的立體側前視示意圖，圖6B為本發明之一載入/載出模組放置承載盤的另一立體側前視示意圖，圖6C為本發明之一載入/載出模組放置匣部件的前視示意圖，圖6D為本發明之一載入/載出模組的部分結構的另一立體前視示意圖。請參考圖6A~6D，於此實施例中，載入/載出模組16為一氮氣盒設計，在氮氣盒的中空腔體中設有第三暫存機構64，其中，第三暫存機構64包括一滑台63，滑台63上可放置一匣部件20(cassette)、承載盤26或頂棚24。其次，載入/載出模組16可以具有可上開啟的上蓋61，以方便使用者直接開啟載入/載出模組16並進行匣部件20的上下貨(load/unload)。再者，滑台63上的四角落各設有銷67(pin)以設置滑台63上的載有晶圓27的承載盤26。又，滑台63的基台68上設有一凹槽65，其中，凹槽65的凹陷深度可和第三閘閥機構17的開口大小配合，以便將匣部件20置於凹槽65上並直接滑入載入/載出腔體62中。另，基台68可藉由齒輪19而被帶動旋轉/定位。是以，本發明的磊晶製程機台2的優點之一是，載入/載出模組16的設計有利於分別進行匣部件20、承載盤26或頂棚24的上下貨、裝載/卸載以及充吹程序(pump/purge)的進行。舉例來說，承載基板晶圓的承載盤可放入匣部件中儲放，此匣部件可被放置在滑台的凹槽中後直接被推入載入/載出腔體內，關閉閘閥機構後即可對載入/載出腔體進行氮氣充吹程序；氮氣充吹程序結束後可開啟載入/載出腔體上方的上蓋，由載入/載出腔體的上方將匣部件取出並移至載入/載出腔體旁的左右兩側高架子之一中。
圖7A為本發明之設置歸位機構的俯視示意圖，圖7B為本發明之歸位機構的立體側視示意圖，圖7C為本發明之設置歸位機構的側視示意圖。請參考圖7A~圖7C，本發明於反應模組12和載入/載出模組16皆可設置歸位機構21來校準承載盤。於一實施例中，承載盤26和其周邊的機構的設計可和歸位機構21搭配以進行承載盤26的位置校準。於此實施例中，一歸位機構21具有一感測器29，在承載盤26被送入反應模組12並設置於公轉盤上時，歸位機構21的感測器29可以搭配承載盤26以執行歸位校準。又，歸位機構21更包括作動部件39(gear member)以因應需要轉動或帶動感測器29或歸位機構21本身。於此實施例中，感測器29可以是光遮斷器、反射式感測器或其他非接觸式感測器，作動部件39可以是齒輪組件或其他適合的轉動或帶動件。
圖8為本發明之載入/載出模組設置歸位機構的部分立體後視示意圖。請參考圖8，本發明的載入/載出模組16亦可設置一或多的歸位機構。舉例來說，於載入/載出模組16的適當位置設置承載盤的旋轉感測器71和滑台推入定位的滑台推入定位感測器69。滑台63下方設有直齒輪73(spur gear)以轉動滑台63，進而轉動滑台63上承載的承載盤或頂棚以進行定向。是以，在本發明的反應模組12和載入/載出模組16皆設有歸位機構的情況下，得以進行承載盤和頂棚的定向(orientation)以相互校正。如此一來，當承載盤和頂棚被傳送模組14在載入/載出模組16和反應模組12之間傳送時，透過歸位機構可以確保二者的位置定向。一旦有誤差產生時，載入/載出模組16和反應模組12二者之一可以先進行歸位校正，再將此歸位校正信號傳遞至二者的另一，藉以確保二者中的承載盤和頂棚的位置正確。
圖9為本發明之一自動傳送方法實施例的步驟示意圖。參考圖9，本發明的自動傳送方法可於可連通和隔絕的一載入/載出腔體、一傳送模組和一反應腔體中執行和運作。本發明的特徵之一在於，傳送模組提供了第一和第二暫存機構(步驟51)、在載入/載出腔體中提供了第三暫存機構(步驟52)、以及在載入/載出腔體下方的空間中提供了第四暫存機構(步驟53)。其中，載入/載出腔體下方的空間和傳送模組相通，其氮氣循環可和傳送模組一起。在反應腔體中、可對一承載盤(第一承載盤)中的基板晶圓(第一晶圓)進行磊晶成長反應，一般磊晶成長反應中有一頂棚(第一頂棚)和承載盤搭配以進行磊晶成長反應(步驟54)。另外，等待進行磊晶成長反應的另一基板晶圓被第二承載盤承載，其中，第二承載盤可被放置於閒置中的第三暫存機構、第四暫存機構和第一暫存機構三者之一(步驟55)。在第二承載盤被放置於該第三或該第四暫存機構的情況時，完成該磊晶反應、承載有磊晶晶圓的承載盤(第一承載盤)由反應腔體中被傳送至第一暫存機構以進行降溫，然後第二承載盤被傳送模組傳送至反應腔體中以進行磊晶成長反應(步驟56)。若第二承載盤被放置於該第一暫存機構的情況時，承載有磊晶晶圓的第一承載盤由反應腔體中被傳送至第三暫存機構或第四暫存機構以進行降溫，然後傳送第二承載盤至反應腔體中以進行磊晶反應(步驟57)。
呈稍早段落中所述，在第二承載盤被放置於第三暫存機構或第四暫存機構的情況時，乾淨的頂棚(第二頂棚)可以放置於閒置中的第三暫存機構或第四暫存機構，待使用過的第一頂棚由反應腔體傳送至閒置中的第二暫存機構以進行降溫時，第二頂棚可被傳送至反應腔體中。另，執行磊晶晶圓和其承載盤或更包括使用過的頂棚的降溫步驟是在以氮氣吹淨的氮氣氛圍下進行。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
2‧‧‧磊晶製程機台
12‧‧‧反應模組
13‧‧‧第一閘閥機構
14‧‧‧傳送模組
15‧‧‧第二閘閥機構
16‧‧‧載入/載出模組
17‧‧‧第三閘閥機構
19‧‧‧齒輪
20‧‧‧匣部件
21‧‧‧歸位機構
22‧‧‧反應腔體
23‧‧‧位置
24‧‧‧頂棚
25‧‧‧位置
26‧‧‧承載盤
27‧‧‧晶圓
29‧‧‧感測器
39‧‧‧作動部件
44‧‧‧第一暫存機構
46‧‧‧第二暫存機構
48‧‧‧機械手臂
49‧‧‧夾取機構
51、52、53、54、55、56、57‧‧‧步驟
60‧‧‧空間
61‧‧‧上蓋
62‧‧‧載入/載出腔體
63‧‧‧滑台
64‧‧‧第三暫存機構
65‧‧‧凹槽
66‧‧‧第四暫存機構
67‧‧‧銷
68‧‧‧基台
69‧‧‧滑台推入定位感測器
71‧‧‧旋轉感測器
73‧‧‧直齒輪
圖1為本發明之一磊晶製程機台實施例的部分機構/部件位置的側面示意圖。
圖2為本發明之一磊晶製程機台執行面朝上(face up)的部分機構的配置和傳送方式實施例的側視示意圖。
圖3為為本發明之一磊晶製程機台面朝下(face down)實施例的側面示意圖。
圖4為本發明之磊晶製程機台執行面朝下(face up)的部分機構/部件位置的側視示意圖。
圖5A為本發明之傳送模組、部分的閘閥機構和暫存機構之第一實施例的配置俯視圖。
圖5B為本發明之傳送模組、部分的閘閥機構和暫存機構之第二實施例的配置俯視圖。
圖5C為本發明之傳送模組、部分的閘閥機構和暫存機構之第三實施例的配置俯視圖。
圖6A為本發明之一載入/載出模組的部分結構的立體側前視示意圖。
圖6B為本發明之一載入/載出模組的部分結構的另一立體側前視示意圖。
圖6C為本發明之一載入/載出模組的部分結構和放置匣部件的前視示意圖。
圖6D為本發明之一載入/載出模組的部分結構的另一立體前視示意圖。
圖7A為本發明之設置歸位機構的俯視示意圖。
圖7B為本發明之歸位機構的立體側視示意圖。
圖7C為本發明之反應模組設置歸位機構的側視示意圖。
圖8為本發明之載入/載出模組設置歸位機構的部分立體後視示意圖。
圖9為本發明之一自動傳送方法實施例的步驟示意圖。

Claims (22)

  1. 一種磊晶製程系統，包括： 一反應模組包含一反應腔體，一承載盤(susceptor)和一頂棚(ceiling) 容置於該反應腔體中以協助該承載盤中的至少一晶圓進行一磊晶反應； 一傳送模組，包括一第一暫存機構(stage)與一第二暫存機構，其中，該第一暫存機構提供置放該承載盤之用，該第二暫存機構提供置放該頂棚之用； 一載入/載出模組，包括一載入/載出腔體以及一第三暫存機構容置於該載入/載出腔體中，該第三暫存機構提供置放該承載盤或該頂棚之用；及 一第四暫存機構置於該載入/載出腔體下方並提供置放該承載盤或該頂棚之用；其中， 放置未經磊晶反應之該晶圓的該承載盤由該第三暫存機構、該第四暫存機構以及該第一暫存機構三者之一被挪移至該反應腔體處。
  2. 如請求項1所述的磊晶製程系統，其中，該承載盤和該頂棚在處於一真空氛圍下的該反應腔體中進行該磊晶反應; 反應後，該承載盤和該頂棚在處於一氮氣氛圍下的該反應模組中、該傳送模組上或該載入/載出模組上進行降溫或清淨。
  3. 如請求項2所述的磊晶製程系統，更包括一第一閘閥機構設置於該反應腔體和容置該第一暫存機構與該第二暫存機構的一氮氣盒之間，以隔絕該反應腔體和該傳送模組。
  4. 如請求項3所述的磊晶製程系統，其中，該第一暫存機構和該第二暫存機構以上下層的位置關係位於該氮氣盒的一角落或一邊處，或該第一暫存機構和該第二暫存機構位於該氮氣盒的不同邊處。
  5. 如請求項3所述的磊晶製程系統，更包括一第二閘閥機構設置於該氮氣盒和該載入/載出腔體之間，以隔絕該傳送模組和該載入/載出腔體。
  6. 如請求項3所述的磊晶製程系統，其中，該第四暫存機構設置於與該傳送模組氮氣盒相通的一空間中或於該氮氣盒中。
  7. 如請求項1所述的磊晶製程系統，其中，該第一暫存機構和該第二暫存機構分別包括一複數底座，且任一該複數底座的邊緣設有承靠該承載盤或該頂棚的一陶瓷件或一石墨件。
  8. 如請求項1所述的磊晶製程系統，其中，該第一暫存機構和該第二暫存機構分別是固定式或可動式的。
  9. 如請求項1所述的磊晶製程系統，其中，該第三暫存機構與該第四暫存機構分別為複數陶瓷件或複數石墨件。
  10. 如請求項1所述的磊晶製程系統，其中，該反應模組、該傳送模組和該載入/載出模組分別為一氮氣盒設計。
  11. 如請求項10所述的磊晶製程系統，更包括一第一閘閥機構和一第二閘閥機構分別設置於該些氮氣盒設計之間，以及一第三閘閥機構設置於一該些氮氣盒設計和一外界之間。
  12. 如請求項11所述的磊晶製程系統，其中，該載入/載出模組更包括位於該載入/載出腔體中具有一凹槽的一滑台，當儲放該晶圓的一匣部件(cassette)被放置在該滑台上之該凹槽後，該匣部件從外界通過該第三閘閥機構到達該載入/載出腔體中。
  13. 如請求項1所述的磊晶製程系統，其中，該反應腔體和該載入/載出腔體分別更包括一歸位機構(home mechanism)以分別進行該承載盤和該頂棚的定向(orientation)。
  14. 如請求項1所述的磊晶製程系統，其中，該傳送模組更包括一機械手臂(robot)挪移該承載盤和該頂棚。
  15. 如請求項1所述的磊晶製程系統，其中，該承載盤被安裝於該反應腔體的一公轉盤上，並且該頂棚鄰近該承載盤設置。
  16. 一種自動傳送方法，運作於可連通和隔絕的一載入/載出腔體、一傳送模組和一反應腔體中，包括： 提供該傳送模組中的一第一暫存機構與一第二暫存機構； 提供於該載入/載出腔體中的一第三暫存機構； 提供於該載入/載出腔體下方的一空間中的一第四暫存機構，該空間與該傳送模組連通； 於該反應腔體中對一第一晶圓進行一磊晶反應，該第一晶圓放置於一第一承載盤中，且於該磊晶反應過程中有一第一頂棚配合該第一承載盤； 提供具有一第二晶圓的一第二承載盤，該第二承載盤被放置於閒置中的該第三暫存機構、該第四暫存機構和該第一暫存機構三者之一以等待進行該磊晶反應；以及 傳送該第一承載盤和該第二承載盤，在該第二承載盤被放置於該第三或該第四暫存機構的情況時，完成該磊晶反應的該第一承載盤由該反應腔體中被傳送至該第一暫存機構以進行降溫，然後傳送該第二承載盤至該反應腔體中以進行該磊晶反應；在該第二承載盤被放置於該第一暫存機構的情況時，完成該磊晶反應的該第一承載盤由該反應腔體中被傳送至該第三暫存機構或該第四暫存機構以進行降溫，然後傳送該第二承載盤至該反應腔體中以進行該磊晶反應。
  17. 如請求項16所述的自動傳送方法，其中，在該第二承載盤被放置於閒置中的該第三暫存機構或該第四暫存機構的情況時，更包括放置一第二頂棚於閒置中的該第四暫存機構或該第三暫存機構、經過該磊晶反應的該第一頂棚由該反應腔體傳送至該第二暫存機構以進行降溫、然後傳送該第二頂棚至該反應腔體中。
  18. 如請求項16所述的自動傳送方法，更包括提供該傳送模組一氮氣氛圍以降溫該第一承載盤和該第一頂棚。
  19. 如請求項16所述的自動傳送方法，其中，在該第二承載盤被放置於閒置中的該第一暫存機構的情況時，更包括放置一第二頂棚於該第二暫存機構、經過該磊晶反應的該第一頂棚由該反應腔體被傳送至閒置中的該第四暫存機構或該第三暫存機構以進行降溫、然後傳送該第二頂棚至該反應腔體中。
  20. 如請求項19所述的自動傳送方法，更包括提供該載入/載出腔一氮氣氛圍以降溫該第一承載盤和該第一頂棚。
  21. 如請求項16所述的自動傳送方法，其中，於該反應腔體中對該第一晶圓進行該磊晶反應的步驟前、更包括提供該反應腔體一真空氛圍，以及於該反應腔體中對該第一晶圓進行該磊晶反應的步驟後、提供該反應腔體一氮氣氛圍以降溫該反應腔體中的該第一承載盤和該第一頂棚。
  22. 如請求項16所述的自動傳送方法，更包括: 提供容置於該載入/載出腔體中、具有一凹槽的一滑台，其中，儲放該第二承載盤的一匣部件被放置在該滑台上之該凹槽並從一外界經過該載入/載出腔體對外界的一第三閘閥機構後移入到達該載入/載出腔體中並關閉該第三閘閥機構； 對該載入/載出腔體進行一充吹程序； 開啟該載入/載出腔體的一上蓋；以及 將該匣部件移入該載入/載出腔體旁的左右兩側高架子之一中。
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