TW201944508A - 檢測鰭片移除之方法 - Google Patents

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Abstract

一種檢測鰭片移除之方法，包括：提供一基板至少包括一第一區域具有第一鰭片係於一第一方向上延伸，和一第二區域具有第二鰭片係於一第二方向上延伸，其中第一方向垂直於第二方向；形成一材料層於基板上並覆蓋第一鰭片和第二鰭片；分別以材料層上方之一第一圖案和一第二圖案對第一鰭片和第二鰭片進行相同圖案化，並同時移除部分的第一與第二鰭片，以分別形成第一鰭片特徵於第一區域和形成第二鰭片特徵於第二區域，其中第一圖案在第二方向上係具有第一尺寸，第二圖案在第二方向上係具有第二尺寸，且第二尺寸相等於第一尺寸；以及利用該些第二鰭片特徵以檢測該些第一鰭片特徵。

Description

檢測鰭片移除之方法
本發明是有關於一種檢測鰭片移除之方法，且特別是有關於一種利用形成一檢測圖案(a monitoring pattern)以檢測鰭片移除之方法。
近年來半導體元件尺寸日益減小。對半導體技術來說，持續縮小半導體結構尺寸、改善速率、增進效能、提高密度及降低每單位積體電路的成本，係為半導體技術重要的發展目標。隨著半導體元件尺寸的縮小，其電子特性仍然必須維持甚至是更加改善，以符合市場上對應用電子產品的要求。一般而言，半導體元件的各層結構與所屬部件(例如鰭片)若有損壞或是殘留有不需要的多餘物質，都會對元件的電子特性造成無法忽略的影響，因此這是半導體元件製造時所需注意的重要問題之一。例如，在鰭片移除的傳統製程中，於蝕刻之前該些鰭片是被一材料層所覆蓋住，因此在以蝕刻移除不需要的鰭片部分後，可能會產生鰭片損傷和/或鰭片殘餘物，而影響產品良率。
本發明係有關於一種檢測鰭片移除之方法，其利用形成一檢測圖案(monitoring pattern)而檢測。根據實施例之方法，鰭片移除的圖案準確度可以快速地被確認和被校正，因而可增加製造之半導體元件的產品良率和節省生產成本。
根據一實施例，係提出一種檢測鰭片移除之方法，包括：提供一基板至少包括一第一區域具有第一鰭片係於一第一方向上延伸，和一第二區域具有第二鰭片係於一第二方向上延伸，其中第一方向垂直於第二方向；形成一材料層於基板上並覆蓋第一鰭片和第二鰭片；分別以材料層上方之一第一圖案和一第二圖案對該些第一鰭片和該些第二鰭片進行相同圖案化，並同時移除部分的第一鰭片與第二鰭片，以分別形成第一鰭片特徵於第一區域和形成第二鰭片特徵於第二區域，其中第一圖案在第二方向上係具有一第一尺寸，第二圖案在第二方向上係具有一第二尺寸，且第二尺寸相等於第一尺寸；以及利用該些第二鰭片特徵以檢測(monitoring)該些第一鰭片特徵。
為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式詳細說明如下：
於本揭露之實施例中，係提出一種檢測鰭片移除之方法，其中係利用位於一目標區域(target region)以外的鰭片來形成一檢測圖案(monitoring pattern)。根據實施例，在一目標區域中關於形成目標鰭片特徵(target fin features；或稱第一鰭片特徵)的一鰭片移除之臨界尺寸(a fin-removing critical dimension)，可以透過在不同於目標區域的一區域裡所形成的第二鰭片特徵(second fin features)之一檢測臨界尺寸(a monitoring critical dimension)，而簡易地被檢測。因此，根據實施例之方法，鰭片移除的圖案準確度可以快速地被確認和被校正，因而可增加製造之半導體元件的產品良率和節省生產成本。
以下係提出相關實施例，配合圖示以詳細說明本揭露所提出之相關結構及方法。例如以一半導體元件之兩個區域其所具有之鰭片係在不同方向上延伸做為例子以說明實施例中鰭片移除之檢測。然而本揭露並不僅限於此。需注意的是，本揭露並非顯示出所有可能的實施例。因此，未於本揭露提出的其他實施態樣也可能可以應用。相關領域者可在不脫離本揭露之精神和範圍內對實施例之結構和製程加以變化與修飾，以符合實際應用所需。再者，圖式係已簡化以利清楚說明實施例之內容，圖式上的尺寸比例並非按照實際產品等比例繪製。因此，說明書和圖示內容僅作敘述實施例之用，而非作為限縮本揭露保護範圍之用。
再者，說明書與請求項中所使用的序數例如”第一”、”第二”、”第三”等之用詞，是為了修飾請求項之元件，其本身並不意含及代表該請求元件有任何之前的序數，也不代表某一請求元件與另一請求元件的順序、或是製造方法上的順序，該些序數的使用僅用來使具有某命名的一請求元件得以和另一具有相同命名的請求元件能作出清楚區分。再者，說明書與請求項中可能使用的空間相關之用詞，例如”之下”(beneath)”、“下方,”(below)、“較低的”(lower)、 “上方”(above)、“較高的”(upper) 或類似詞語，是用來便於敘述和參照如圖示所繪製之其中一元素或特徵與另一元素或特徵之間的空間關係。因此具通常知識者可知，該些空間相關之用詞除了包括如圖所示之元件方位，更包括了元件於使用或操作時不同於圖示的方位。因此，說明書與請求項中所使用的該些用詞僅用以敘述實施例之用，而非用以限制本揭露保護範圍之用。
第1圖係簡示一半導體結構於鰭片移除製程(fin-remove process)之前的一鰭片剖面示意圖。於一鰭片移除製程時，不需要的鰭片部分係可例如以蝕刻方式去除，而產生需要的鰭片特徵(desired fin features)。一般而言，蝕刻之前係以一材料層(a material layer)覆蓋鰭片。如第1圖所示，具有一鰭片11之一基板10係以一材料層12覆蓋，且形成一光阻(PR)圖案13於材料層12上以圖案化(例如蝕刻)該鰭片11。然而，由於在圖案化前鰭片被材料層所覆蓋，不可能在剪除不需要的鰭片部分時可以透過例如一掃描式顯微鏡來捕捉到鰭片移除時之臨界尺寸(critical dimension，CD)。如果鰭片移除之臨界尺寸過大，則可能產生鰭片損傷；若鰭片移除之臨界尺寸太小，則不需要的鰭片部分會有殘餘物留下。因此，蝕刻後檢查之臨界尺寸 (after-etching-inspection critical dimension，AEI CD)是一重要關鍵，因為由於蝕刻圖案與鰭片的不當重疊所引起的鰭片損傷(因臨界尺寸過大所致)和/或鰭片殘餘(因臨界尺寸過小所致)會影響元件電性。根據本揭露，係提出一種檢測鰭片移除之方法，特別是檢測鰭片移除之臨界尺寸，用於檢視一區域(例如記憶體區域)內的鰭片。應用實施例之方法時可形成一檢測圖案(monitoring pattern)，其提供了一個更簡便的方式以檢查位於一目標區域(例如一第一區域)中的目標鰭片特徵(target fin features)之一鰭片移除之臨界尺寸。之後，將一鰭片移除之臨界尺寸與位於目標區域以外的一區域(例如一第二區域)中的第二鰭片特徵的一檢測臨界尺寸相比較。據此，應用實施例之方法可以增進目標鰭片(target fins)之鰭片移除時的圖案精確度。
於一實施例中，係選擇兩個不同區域其包括之鰭片係於不同方向延伸，其中一個區域(例如一第二區域)係選擇用以形成一檢測圖案，用以檢測另一個區域(例如一第一區域)中的鰭片特徵。第2圖為根據本揭露一實施例之應用於一鰭片移除製程中的一半導體結構之上視圖。係提出一基板20，基板20至少包括一第一區域(first region)A1具有多個第一鰭片(first fins)211於一第一方向D1上延伸，和一第二區域(second region)A2具有多個第二鰭片(second fins)212係於一第二方向D2上延伸。於此示例中，第一方向D1(例如X-方向)係垂直於第二方向D2(例如Y-方向)。再者，於一示例中，第一區域A1例如為一記憶體區域(cell region)，第二區域A2例如為一非記憶體區域(non-cell region)。在進行鰭片移除製程之前，係有一材料層22形成於基板20上並覆蓋該些第一鰭片211和該些第二鰭片212。
於一鰭片移除製程中，係將不需要的鰭片部分例如以蝕刻方式移除，以於相關區域中形成需要的鰭片特徵(desired fin features)。第3圖係沿第2圖中剖面線3-3所繪製之第一區域中的第一鰭片特徵的剖面示意圖。第4圖係沿第2圖中剖面線4-4所繪製之第二區域中的第二鰭片特徵的剖面示意圖。當進行鰭片移除製程時，係分別以材料層22上方之一第一圖案(first pattern) P1和一第二圖案(second pattern)P2對第一鰭片211和第二鰭片212進行相同圖案化，並同時移除部分的第一鰭片211與部分的第二鰭片212，因而分別形成第一鰭片特徵(first fin features)211f於第一區域A1(第3圖)和形成第二鰭片特徵(second fin features)212f於第二區域A2(第4圖)。再者，於鰭片移除製程期間，第一圖案P1在第二方向D2上係具有一第一尺寸(first dimension)C1，第二圖案P2在第二方向D2上係具有一第二尺寸(second dimension)C2，且根據本揭露之實施例，第二尺寸C2與第一尺寸C1相等。 於一示例中，第一鰭片211和第二鰭片212可同時被蝕刻。在鰭片移除製程之後， 於第一區域A1中所形成的第一鰭片特徵211f可以利用於第二區域A2中所形成的第二鰭片特徵212f來做檢測(monitored)。
於一示例中，具有一特定臨界尺寸的一光阻圖案(PR pattern)可形成於材料層22上，且光阻圖案包括第一圖案P1對應第一區域A1中的第一鰭片211，以及包括第二圖案P2對應第二區域A2中的第二鰭片212，其中係藉由光阻圖案而蝕刻材料層22、第一鰭片211和第二鰭片212，以於第一區域A1中形成前述第一鰭片特徵211f，和於第二區域A2中形成前述第二鰭片特徵212f。
再者，實施例中係較佳地選擇排列適當的第二鰭片212以於後續步驟產生第二鰭片特徵212f ；舉例來說，第二鰭片212之間的間距(pitch)係大於第一鰭片211之間的間距。請參照第2-4圖。於一實施例中，第一鰭片211具有一第一鰭片臨界尺寸間距(a first fin critical dimension pitch)S1，第二鰭片212具有一第二鰭片臨界尺寸間距(a second fin critical dimension pitch)S2，其中第二鰭片臨界尺寸間距S2大於第一鰭片臨界尺寸間距S1，如第2圖所示。於另一實施例中，第二鰭片212之第二鰭片臨界尺寸間距S2係大於2倍的第一鰭片211之第一鰭片臨界尺寸間距S1(e.g. S2＞2*S1)。據此，於曝光、顯影和蝕刻步驟後，可順利且完整地形成第二鰭片特徵212f於第二區域A2中，因而使第二區域A2中所形成的第二鰭片特徵212f可產生一完整的圖案，可用以檢測第一區域A1中的第一鰭片特徵211f。
此外，已知鰭片的形成方式有許多種，其中一種方式是以芯軸(mandrels)側壁的間隔物(spacers)來定義出鰭片。於應用本揭露之一示例中，用來形成之後第二鰭片特徵的芯軸和間隔物之安排及其尺寸，其相關設置和設計，例如具有充足的間距等，係以之後能形成具有完整廓型的一檢測圖案(monitoring pattern)而定。第5A圖係簡單繪製根據本揭露之一示例中位於一基板之第一區域A1的第一芯軸(first mandrels)511及形成於其側壁的第一間隔物(first spacers)611。而第5B圖係簡單繪製根據本揭露之一示例中位於一基板之第二區域A2的第二芯軸(second mandrels)512及形成於其側壁的第二間隔物(second spacers)612。在移除第一芯軸511和第二芯軸512後，第一間隔物611 和第二間隔物612的圖案係轉移至下方基板，以形成如上述之第一鰭片 211和第二鰭片212(如第2圖所示)。於一示例中，若第一芯軸511在第二方向D2(例如Y-方向)上具有第一寬度y1，且可用來產生第一鰭片圖案(例如在一記憶體區域中)的第一間隔物611，其兩相鄰之第一間隔物611係分隔開一第一距離x1，則可設計第二芯軸512在第二方向D2上具有第二寬度y2，且可用來產生第二鰭片圖案(例如在一非記憶體區域中)的第二間隔物612，其兩相鄰之相鄰之第二間隔物612係分隔開一第二距離x2，其中第二寬度y2係等於或大於兩倍的第一寬度y1(i.e. y2 ≥ 2´y1)，第二距離x2係等於或大於兩倍的第一距離x1(i.e. x2≥ 2´x1)，而可形成具有完整廓型的一檢測圖案(monitoring pattern)。
根據實施例，在形成第二鰭片特徵212f之後，例如利用一適當量測工具例如一掃描式電子顯微鏡(SEM)，而在第二方向D2上獲得一檢測臨界尺寸(a monitoring critical dimension)，其定義為兩相鄰之第二鰭片特徵的一最小距離(minimum distance)。第6A圖係簡繪根據本揭露一實施例之與第二區域相關之一種第二圖案(second pattern)的顯影後檢查(after-develop-inspection，ADI)SEM影像之示意圖。一第二圖案P2，包括一光阻部分PR-2和一或多個第二移除部(second removing portions)32於第一方向D1上延伸，係提供於第二鰭片212上方，其中在第二圖案P2下方且在第二方向D2上延伸的第二鰭片212因為被材料層22所覆蓋而未顯示於第6A圖中。第6B圖係簡繪根據本揭露一實施例中與第6A圖之第二區域相關之第二圖案的蝕刻後檢查(after-etching -inspection，AEI)SEM影像之示意圖。 蝕刻後，第6A圖中在材料層22下方且在第二方向D2上延伸的第二鰭片係透過第二圖案P2的一或多個第二移除部32(在第一方向D1上延伸)而進行部分移除，因而形成第二鰭片特徵212f，如第6B圖所示。根據實施例，蝕刻後，兩相鄰之第二鰭片特徵212f之間沿著第二方向D2之一最小距離(例如第二鰭片特徵212f-2和212f-3之間的最小距離)係定義為沿著第二方向D2之一檢測臨界尺寸(monitoring critical dimension)Cm。所獲得之檢測臨界尺寸Cm，例如透過掃描式電子顯微鏡所測得，可用來決定第一鰭片的移除臨界尺寸是否適當(亦即，移除臨界尺寸沒有過大或過小的問題)。
根據一實施例，前述之利用第二鰭片特徵檢測第一鰭片特徵之步驟係包括：獲得第二區域A2中第二鰭片特徵212f之間的一檢測臨界尺寸Cm；和比較一預定臨界尺寸(pre-determined critical dimension，例如一Cp-det 值)與檢測臨界尺寸Cm，其中預定臨界尺寸係為第一區域A1中第一鰭片特徵211f的一理想臨界尺寸(ideal critical dimension)。
再者，一實施例之方法中更包括：反饋(feed-backing)檢測臨界尺寸Cm的一比較結果至一微影製程(lithography process)。於一示例中，若比較結果發現，第二鰭片特徵212f之檢測臨界尺寸Cm不等於第一區域A1中第一鰭片特徵211f的預定臨界尺寸(例如一Cp-det 值)，則鰭片移除之臨界尺寸的設計可再進一步調整，和/或重新製作一具有該預定臨界尺寸或一修飾之臨界尺寸的遮罩。以最終獲得適當的第一鰭片之移除臨界尺寸(i.e.移除第一鰭片之臨界尺寸沒有過大或過小的問題)。
雖然第2圖中係繪示第一圖案P1包括一個第一移除部(first removing portion)31於第一方向D1上延伸，而第二圖案P2包括一個第二移除部(second removing portion)32於第一方向D1上延伸，但本揭露並不限制於此。於一些實施例中，所形成的第一圖案P1和第二圖案P2，其分別用來移除位於下方之第一鰭片211和第二鰭片212所不需要的部分，可各自包括二個或更多個移除部，且該些移除部在第二方向D2上可具有相同或不同的臨界尺寸，以檢測目標區域中的目標鰭片特徵(例如記憶體區域中的第一鰭片特徵)，視實際應用之需求而定。第7圖為根據本揭露另一實施例之應用於一鰭片移除製程中的一半導體結構之上視圖。第7圖與第2圖相同或類似的元件係沿用相同或類似的標號，以利清楚說明。
如第7圖所示之一示例結構，提供一基板20至少包括一第一區域A1(例如一記憶體區域)具有多個第一鰭片211於第一方向D1上延伸，和一第二區域A2(例如一非記憶體區域)具有多個第二鰭片212係於第二方向D2上延伸，其中第一方向D1(例如X-方向)係垂直於第二方向D2(例如Y-方向)。第一鰭片211和第二鰭片212係被一材料層22覆蓋，且一PR圖案包括第一圖案和第二圖案係形成於材料層22上方以於後續同時移除兩區域中不需要的鰭片部分之用。 對應於下方第一鰭片211的第一圖案係包括二或多個第一移除部(例如第一移除部311、312和313)於第一方向D1上延伸，且第一移除部311、312和313在第二方向D2上具有不同的開口尺寸(opening dimensions)C11、C12和C13；亦即，開口尺寸可表示為：C11 ≠ C12 ≠ C13。類似地，對應於下方第二鰭片212的第二圖案係包括二或多個第二移除部(例如第二移除部321、322和323)於第一方向D1上延伸，且第二移除部321、322和323在第二方向D2上具有不同的開口尺寸C21、C22和C23；亦即，開口尺寸可表示為：C21 ≠ C22 ≠ C23。根據實施例，第一移除部311之開口尺寸C11係等於第二移除部321之開口尺寸C21，第一移除部312之開口尺寸C12係等於第二移除部322之開口尺寸C22，第一移除部313之開口尺寸C13係等於第二移除部323之開口尺寸C23。於鰭片移除步驟後，第一區域A1之第一鰭片211係透過第一圖案P1(例如第一移除部311、312和313)蝕刻，以移除不需要的鰭片部分而形成第一鰭片特徵；第二區域A2之第二鰭片212係透過第二圖案P2(例如第二移除部321、322和323)蝕刻，以移除不需要的鰭片部分而形成第二鰭片特徵；其中所獲得之兩相鄰第二鰭片特徵在第二方向D2上的一最小距離係定義為沿著第二方向D2之一檢測臨界尺寸(monitoring critical dimension)Cm(如上述；第6B圖)，其與第一區域中第一鰭片特徵的一預定臨界尺寸(a pre-determined critical dimension)相比較，以檢測第一鰭片特徵。
值得注意的是，如第7圖所示之相鄰接之第一移除部311、312和313僅用以簡單示例之用，並非限制本揭露之保護範圍與應用，這些第一移除部例如311、312和313可以形成於第一區域中的任何位置，視實際應用時需移除的鰭片位置之設計而決定。至於第二移除部321、322和323亦不限制於如第7圖所示之相鄰位置，第二移除部(例如321、322和323)的相關位置可視第一移除部(例如311、312和313)的相關位置而決定 。如實施例中(例如第2圖、第7圖)所提供之相關元件/組成/層，例如第一和第二鰭片、第一和第二移除部等，其構型、安排設置和尺寸係供示例說明。因此，領域技術者可運用本揭露之保護範圍內文中所述之內容所包括之原理，以變化和修飾而得多種相關元件/組成/層之構型、安排設置和尺寸，包括即使該些構型、安排設置和尺寸未清楚描述於此之可能示例。
於一實施例中，在一鰭片切除製程(fin-cut process)前，第一鰭片特徵211f (如第3圖所示)可以是記憶體區域中鰭片之一主要圖案。於一實際應用中，一般可使用兩張遮罩以移除和切除不需要的鰭片部分或區段。其中一鰭片移除製程(fin-remove process)(例如使用一第一遮罩)中係以較小臨界尺寸(smaller critical dimensions)移除鰭片。而一鰭片切除製程(例如使用一第二遮罩)中係以較大臨界尺寸(larger critical dimensions)切除鰭片。而本揭露之實施例係適合但不限制於應用在鰭片移除製程中。
根據上述，係提出一種形成一檢測圖案以檢測鰭片移除之方法。根據實施例，在一目標區域(例如第一區域)中，所形成目標鰭片特徵(target fin features)之一鰭片移除之臨界尺寸(a fin-removing critical dimension)，可以透過與在第二區域(不同於目標區域)中第二鰭片特徵之一檢測臨界尺寸(a monitoring critical dimension)進行比較，而更簡易地被檢測。因此，根據實施例之方法，在目標區域中鰭片移除的圖案準確度可以快速地被確認，如果需要也可快速地被校正。如此，可增加製造之半導體元件的產品良率和節省生產成本。
如上述圖示之結構和步驟，是用以敘述本揭露之部分實施例或應用例，本揭露並不限制於上述結構和步驟之範圍與應用態樣。其他不同結構態樣之實施例，例如不同內部組件的已知構件都可應用，其示例之結構和步驟可根據實際應用之需求而調整。因此圖示之結構僅為舉例說明之用，而非限制之用。通常知識者當知，應用本揭露之相關結構和步驟過程，例如半導體結構中的相關元件和層的排列方式，或製造步驟細節等，都可能以依實際應用樣態所需而可能有相應的調整和變化。
綜上所述，雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10、20‧‧‧基板
11‧‧‧鰭片
211‧‧‧第一鰭片
212‧‧‧第二鰭片
211f‧‧‧第一鰭片特徵
212f、212f-1、212f-2、212f-3、212f-4‧‧‧第二鰭片特徵
12、22‧‧‧材料層
13‧‧‧光阻圖案
31、311、312、313‧‧‧第一移除部
32、321、322、323‧‧‧第二移除部
511‧‧‧第一芯軸
512‧‧‧第二芯軸
611‧‧‧第一間隔物
612‧‧‧第二間隔物
P1‧‧‧第一圖案
P2‧‧‧第二圖案
A1‧‧‧第一區域
A2‧‧‧第二區域
D1‧‧‧第一方向
D2‧‧‧第二方向
C1‧‧‧第一尺寸
C2‧‧‧第二尺寸
C11、C12、C13、C21、C22、C23‧‧‧開口尺寸
S1‧‧‧第一鰭片臨界尺寸間距
S2‧‧‧第二鰭片臨界尺寸間距
Cm‧‧‧檢測臨界尺寸
y1‧‧‧第一寬度
y2‧‧‧第二寬度
x1‧‧‧第一距離
x2‧‧‧第二距離
第1圖係簡示一半導體結構於鰭片移除製程之前的一鰭片剖面示意圖。 第2圖為根據本揭露一實施例之應用於一鰭片移除製程中的一半導體結構之上視圖。 第3圖係沿第2圖中剖面線3-3所繪製之第一區域中的第一鰭片特徵的剖面示意圖。 第4圖係沿第2圖中剖面線4-4所繪製之第二區域中的第二鰭片特徵的剖面示意圖。 第5A圖係簡單繪製根據本揭露之一示例中位於一基板之第一區域的第一芯軸及形成於其側壁的第一間隔物之示意圖。 第5B圖係簡單繪製根據本揭露之一示例中位於一基板之第二區域的第二芯軸及形成於其側壁的第二間隔物之示意圖。 第6A圖係簡繪根據本揭露一實施例之與第二區域相關之一種第二圖案的顯影後檢查(ADI)SEM影像之示意圖。 第6B圖係簡繪根據本揭露一實施例中與第6A圖之第二區域相關之第二圖案的蝕刻後檢查(AEI)SEM影像之示意圖。 第7圖為根據本揭露另一實施例之應用於一鰭片移除製程中的一半導體結構之上視圖。

Claims (15)

  1. 一種檢測鰭片移除之方法，包括： 提供一基板至少包括一第一區域(first region)具有第一鰭片(first fins)係於一第一方向上延伸，和一第二區域(second region)具有第二鰭片(second fins)係於一第二方向上延伸，其中該第一方向垂直於該第二方向； 形成一材料層(a material layer)於該基板上並覆蓋該些第一鰭片和該些第二鰭片； 分別以該材料層上方之一第一圖案(first pattern)和一第二圖案(second pattern)對該些第一鰭片和該些第二鰭片進行相同圖案化，並同時移除部分的該些第一鰭片與該些第二鰭片，以分別形成第一鰭片特徵(first fin features)於該第一區域和第二鰭片特徵(second fin features)於該第二區域，其中該第一圖案在該第二方向上係具有一第一尺寸(first dimension)，該第二圖案在該第二方向上係具有一第二尺寸(the second dimension)，且該第二尺寸相等於該第一尺寸；以及 利用該些第二鰭片特徵以檢測(monitoring)該些第一鰭片特徵。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該些第一鰭片之一第一鰭片臨界尺寸間距(a first fin critical dimension pitch)係小於該些第二鰭片之一第二鰭片臨界尺寸間距(a second fin critical dimension pitch)。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該些第二鰭片之一第二鰭片臨界尺寸間距(a second fin critical dimension pitch) 係大於2倍的該些第一鰭片之一第一鰭片臨界尺寸間距(a first fin critical dimension pitch)。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第一區域係為一記憶體區域(cell region)，該第二區域係為一非記憶體區域(non-cell region)。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中在圖案化後，係在該第二方向上取得一檢測臨界尺寸(a monitoring critical dimension)，其定義為該第二區域中兩相鄰之該些第二鰭片特徵的一最小距離(minimum distance)。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之方法，更包括：比較該檢測臨界尺寸與該些第一鰭片特徵之預定的一理想臨界尺寸(an ideal critical dimension)。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中係形成具有一特定臨界尺寸的一光阻圖案(PR pattern)於該材料層上，該光阻圖案包括該第一圖案對應該些第一鰭片和該第二圖案對應該些第二鰭片，其中係藉由該光阻圖案而蝕刻部分之該材料層、該些第一鰭片和該些第二鰭片，以於該第一區域中形成該些第一鰭片特徵，和於該第二區域中形成該些第二鰭片特徵。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第一圖案包括一第一移除部(first removing portion)於該第一方向上延伸且對應於位於下方的該些第一鰭片，以及該第二圖案包括一第二移除部(second removing portion)於該第一方向上延伸且對應於位於下方的該些第二鰭片。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中在前述進行相同圖案化之步驟中，位於該第一區域之該些第一鰭片係以該第一圖案進行蝕刻以形成該些第一鰭片特徵，位於該第二區域之該些第二鰭片係以該第二圖案進行蝕刻以形成該些第二鰭片特徵，其中蝕刻後，兩相鄰之該些第二鰭片特徵之間沿著該第二方向之一最小距離係定義為沿著該第二方向之一檢測臨界尺寸(monitoring critical dimension)。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中前述之利用該些第二鰭片特徵檢測該些第一鰭片特徵之步驟係包括： 獲得該第二區域中該些第二鰭片特徵之間的該檢測臨界尺寸；和 比較一預定臨界尺寸與該檢測臨界尺寸，其中該預定臨界尺寸係為該第一區域中該些第一鰭片特徵之一理想臨界尺寸。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之方法，更包括：反饋(feed-backing)該檢測臨界尺寸之一比較結果至一微影製程(lithography process)。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中若該檢測臨界尺寸不等於該預定臨界尺寸，則該方法更包括調整鰭片移除之臨界尺寸的設計，和重新製作具有該預定臨界尺寸之一遮罩。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中對應位於下方之該些第一鰭片的該第一圖案至少包括兩個第一移除部於該第一方向上延伸，且前述兩個第一移除部係於該第二方向上具有不同的開口尺寸。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中對應位於下方之該些第二鰭片的該第二圖案至少包括兩個第二移除部於該第一方向上延伸，且前述兩個第二移除部係於該第二方向上具有不同的開口尺寸。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中前述兩個第一移除部於沿著該第二方向上具有一第一開口尺寸(first opening dimension)和一第二開口尺寸(second opening dimension)，且該第一開口尺寸不同於該第二開口尺寸； 前述兩個第二移除部於沿著該第二方向上具有一第三開口尺寸(third opening dimension)和一第四開口尺寸(fourth opening dimension)，且該第三開口尺寸不同於該第四開口尺寸， 其中該第三開口尺寸相等於該第一開口尺寸，該第四開口尺寸相等於該第二開口尺寸。
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