TW201941493A - 天線結構 - Google Patents

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Abstract

本發明公開一種天線結構，其包括一基板、一第一輻射件、一第二輻射件、一第一電感、一接地件、一第一導電件以及一饋入件。第一輻射件設置在基板上。第二輻射件設置在基板上，第二輻射件具有一饋入部。第一電感耦接於第一輻射件與第二輻射件之間。第一導電件耦接於饋入部與接地件之間。饋入件耦接於饋入部與接地件之間，用來饋入一訊號。

Description

天線結構
本發明涉及一種天線結構，特別是涉及一種具有多操作頻帶的天線結構。
首先，隨著可攜式電子裝置(例如智慧型手機、平板電腦、筆記型電腦)的使用率日益提高，使得近年來可攜式電子裝置的無線通訊技術更加被重視，而無線通訊品質需視可攜式電子裝置中的天線效率而定。因此，如何提升天線的增益，已變得相當重要。再者，雖然現有的某些天線架構(例如平面型倒F型天線(Planar inverted-F antenna，PIFA))中能產生多個頻帶，但是，相異的頻帶之間會彼此影響，而導致天線的匹配效果變差。
另外，隨著次世代通訊技術5G LAA(Licensed Assisted Access)的來臨，現有天線結構(例如平面型倒F型天線)的設計已經無法滿足第五代通訊系統的應用頻帶。雖然目前如美國專利公告第8,552,912號專利案，公開了一種“適用於薄型通訊裝置之天線(Antenna for thin communication apparatus)”，其能利用接地線段112、114(ground segments 112 and 114)而達到提高頻寬之特性。然而，第五代通訊系統對於頻帶及頻寬有著更高之需求，US 8,552,912號專利案並無法達到同時涵蓋4G及5G頻帶之效果。
本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種能同時涵蓋4G及5G頻帶的天線結構，同時還能抑制相異頻帶之間的相互影響。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案 是，提供一種天線結構，其包括一基板、一第一輻射件、一第二輻射件、一第一電感、一接地件、一第一導電件以及一饋入件。該第一輻射件設置在該基板上。該第二輻射件設置在該基板上，該第二輻射件具有一饋入部。該第一電感耦接於該第一輻射件與該第二輻射件之間。該第一導電件耦接於該饋入部與該接地件之間。該饋入件耦接於該饋入部與該接地件之間，用來饋入一訊號。
本發明的其中一有益效果在於，本發明實施例所提供的天線結構，其能利用“電感耦接於該第一輻射件與該第二輻射件之間”的技術方案，以抑制相異頻帶之間的相互影響。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明用，並非用來對本發明加以限制。
U‧‧‧天線結構
1‧‧‧基板
2‧‧‧第一輻射件
21‧‧‧第一輻射部
3‧‧‧第二輻射件
31‧‧‧饋入部
32‧‧‧第二輻射部
4‧‧‧第一電感
5‧‧‧接地件
6‧‧‧第一導電件
61‧‧‧第一導電本體
62‧‧‧第二電感
7‧‧‧殘帶
71‧‧‧開路端
72‧‧‧連接端
8‧‧‧第二導電件
9‧‧‧第三導電件
F‧‧‧饋入件
F1‧‧‧饋入端
F2‧‧‧接地端
P‧‧‧寄生件
P1‧‧‧第一寄生部
P2‧‧‧第二寄生部
B‧‧‧橋接件
E‧‧‧金屬導體
W‧‧‧預定狹縫
X、Y‧‧‧方向
圖1為本發明第一實施例的天線結構的其中一俯視示意圖。
圖2為本發明第一實施例的天線結構的其中一實施方式的電路架構示意圖。
圖3為本發明第一實施例的天線結構的另外一實施方式的電路架構示意圖。
圖4為本發明第二實施例的天線結構的其中一實施方式的電路架構示意圖。
圖5為本發明第二實施例的天線結構的另外一實施方式的電路架構示意圖。
圖6為本發明第二實施例的天線結構的再一實施方式的電路架構示意圖。
圖7為本發明第三實施例的天線結構的其中一實施方式的電路架構示意圖。
圖8為本發明第三實施例的天線結構的另外一實施方式的電路架構示意圖。
圖9為本發明第三實施例的天線結構的其中一俯視示意圖。
圖10為本發明第三實施例的天線結構在不同頻率下的電壓駐波比的曲線圖。
圖11為本發明第四實施例的天線結構的其中一俯視示意圖。
圖12為本發明第四實施例的天線結構的其中一實施方式的電路架構示意圖。
圖13為本發明第四實施例的天線結構的另外一實施方式的電路架構示意圖。
圖14為本發明第四實施例的天線結構的再一實施方式的電路架構示意圖。
圖15為本發明第四實施例的天線結構的又一實施方式的電路架構示意圖。
圖16為本發明第四實施例的天線結構的另外再一實施方式的電路架構示意圖。
圖17為本發明第四實施例的天線結構的另外又一實施方式的電路架構示意圖。
圖18為本發明第五實施例的天線結構的其中一實施方式的電路架構示意圖。
圖19為本發明第五實施例的天線結構的另外一實施方式的電路架構示意圖。
圖20為本發明第五實施例的天線結構的其中一俯視示意圖。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“天線結構”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲 明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。
應理解，雖然本文中可能使用術語第一、第二、第三等來描述各種元件或者信號，但這些元件或者信號不應受這些術語的限制。這些術語主要是用以區分一元件與另一元件，或者一信號與另一信號。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
[第一實施例]
首先，請參閱圖1及圖2所示，圖1為本發明第一實施例的天線結構的其中一俯視示意圖，也就是天線結構實現在基板上的示意圖，圖2為本發明第一實施例的天線結構的其中一實施方式的電路架構示意圖。本發明提供一種天線結構U，其包括一基板1、一第一輻射件2、一第二輻射件3、一第一電感4、一接地件5、一第一導電件6以及一饋入件F。第一輻射件2、第二輻射件3、第一電感4以及第一導電件6可設置於基板1上，且第一電感4可耦接於第一輻射件2與第二輻射件3之間，也就是說，第一電感4的一端(圖中未標號)可耦接於第一輻射件2，第一電感4的另一端(圖中未標號)可耦接於第二輻射件3。另外，第二輻射件3可具有一饋入部31，第一導電件6可耦接於第二輻射件3的饋入部31與接地件5之間。再者，饋入件F可耦接於饋入部31與接地件5之間，以用來饋入一訊號。此外，饋入件F可具有一饋入端F1及一接地端F2，饋入端F1可耦接於饋入部31，接地端F2可耦接於接地件5。另外，需特別說明的是，本發明全文中的耦接可以是直接連接或者是間接連接，抑或是直接電性連接或者是間接電性連接，本發明不以此為限。
承上述，值得說明的是，基板1、第一輻射件2、第二輻射件3、接地件5、第一導電件6的材質可以使用任何種類的導電材質， 並且上述元件也可以使用任何的成形方法製作，在此不再贅述。舉例來說，第一輻射件2、第二輻射件3及第一導電件6可以為一金屬片、一金屬導線或者是其他具有導電效果的導電體。另外，基板1可為一印刷電路板(Printed circuit board，PCB)。再者，饋入件F可以為一同軸電纜(Coaxial cable)，然本發明不以上述舉例為限。須說明的是，為使得圖式能易於了解，除天線結構U實現在基板1上的示意圖之外，在其他的圖式中，以替代符號作為如圖1所示的同軸電纜的架構。
承上述，請復參閱圖1及圖2所示，第二輻射件3可與第一導電件6一體成型的設置，也就是說，第二輻射件3與第一導電件6可為一金屬片。另外，接地件5可電性連接於一金屬導體E，而金屬導體E可與基板1彼此相互分離。進一步來說，以本發明實施例而言，第一輻射件2可包括一第一輻射部21，第二輻射件3還可包括一連接於饋入部31的第二輻射部32，第一輻射部21可朝向一第一方向(負X方向)延伸，第二輻射部32可朝向一第二方向(正X方向)延伸，第一方向與第二方向可彼此相異。舉例來說，以圖1及圖2的實施方式而言，第一方向與第二方向彼此相反。
承上述，請復參閱圖1及圖2所示，以第一實施例而言，第一輻射部21能產生頻率範圍介於698MHz至960MHz之間的一第一操作頻帶，第二輻射部32能產生頻率範圍介於1425MHz至5850MHz之間的一第二操作頻帶，藉此，以適用於4G LTE(Long Term Evolution)頻帶(Band)以及5G LAA(Licensed Assisted Access)頻帶，然本發明不以此為限。另外，舉例來說，第二操作頻帶中可包括頻率範圍介於1425MHz至2690MHz之間的第一頻帶範圍、介於3400MHz至3800MHz之間的第二頻帶範圍及介於5150MHz至5850MHz之間的第三頻帶範圍，然本發明不以此為限。換句話說，在其他實施方式中，第二操作頻帶也可以僅具有第一 頻帶範圍及第二頻帶範圍、第二頻帶範圍及第三頻帶範圍或者是第一頻帶範圍及第三頻帶範圍，本發明不以此為限。然而，需特別說明的是，在圖1至圖3所提供的天線結構U，第二操作頻帶中還可以包括頻率範圍介於4300MHz至4700MHz之間的頻帶範圍，第一實施例所提供的天線結構U可操作於第一操作頻帶及第二操作頻帶的第一頻帶範圍、4300MHz至4700MHz之間的頻帶範圍以及第三頻帶範圍。
承上述，舉例來說，第一電感4可具有一介於1奈亨利(nH)至30奈亨利(nH)之間的電感值，然本發明不以此為限。藉此，通過設置在第一輻射件2與第二輻射件3的第一電感4，可避免第一輻射件2的訊號影響第二輻射件3的訊號，也就是說，能增加第二輻射件3的匹配效果，避免第二輻射件3受到第一輻射件2的倍頻影響。
承上述，請復參閱圖1及圖2所示，舉例來說，在圖1及圖2的實施方式中，第一導電件6可具有一第一導電本體61，第一導電本體61的一端(圖中未標號)可耦接於饋入部31，第一導電本體61的另一端(圖中未標號)可耦接於接地件5，然本發明不以此為限。接著，請參閱圖3所示，圖3為本發明第一實施例的天線結構的另外一實施方式的電路架構示意圖。由圖3與圖2的比較可知，在圖3的實施方式中，第一導電件6可包括一第一導電本體61以及一連接於第一導電本體61的第二電感62，第一導電本體61的一端可耦接於饋入部31，第一導電本體61的另一端可耦接於第二電感62的一端(圖中未標號)，第二電感62的另一端(圖中未標號)可耦接於接地件5。此外，舉例來說，第二電感62可具有一介於2.7奈亨利(nH)至15奈亨利(nH)之間的電感值，然本發明不以此為限。藉此，通過調整第二電感62的電感值，可調整第一操作頻帶的中心頻率所對應的阻抗值。
承上述，值得說明的是，請復參閱圖1至圖3所示，在其他 實施方式中，天線結構U還可進一步包括一第一電容(圖中未示出)及一第二電容(圖中未示出)，第一電容可耦接在第一輻射件2與第二輻射件3之間，且第一電容可與第一電感4相互串聯。另外，第二電容可耦接在饋入部31與接地件5之間，且第二電容可與第二電感62相互串聯。須說明的是，在其他實施方式中，可以只配置第一電容或是只配置第二電容。同時，通過第一電容或/及第二電容的設置，可以調整第一操作頻帶或/及第二操作頻帶的阻抗值，此外，也能夠調整第一操作頻帶或/及第二操作頻帶的頻率範圍。
[第二實施例]
首先，請參閱圖4所示，圖4為本發明第二實施例的天線結構的其中一實施方式的電路架構示意圖。由圖4與圖2的比較可知，第二實施例與第一實施例的差別在於：第二實施例所提供的天線結構U還可進一步包括一殘帶7(stub)。藉此，通過殘帶7的設置，可調整第二操作頻帶中的第三頻帶範圍的中心頻率。
承上述，進一步來說，殘帶7可設置在基板1上，且與第一導電件6及第二輻射件3一體成型的設置，同時，殘帶7可具有一開路端71以及一耦接於第一導電件6的連接端72。以本發明實施例而言，殘帶7的連接端72的定義為由殘帶7的開路端71起算，所連接到的第一個節點。此外，開路端71相對於連接端72所延伸而出的長短，可調整第二操作頻帶中的第三頻帶範圍的中心頻率。換句話說，相較於第一實施例，通過殘帶7的設置，當殘帶7的長度愈長時，可調整第二操作頻帶中的第三頻帶範圍的中心頻率往低頻靠近。
接著，請參閱圖5所示，圖5為本發明第二實施例的天線結構的另外一實施方式的電路架構示意圖。由圖5與圖2的比較可知，在圖5的實施方式中，殘帶7可具有一開路端71以及一耦接 於饋入部31的連接端72。此外，殘帶7可設置在饋入部31的一側，第一導電件6可設置在饋入部31的另一側。
接著，請參閱圖6所示，第一導電件6可包括一第一導電本體61以及一第二電感62，第一導電本體61的一端耦接於饋入部31，第一導電本體61的另一端耦接於殘帶7的連接端72，第二電感62的一端耦接於第一導電本體61的另一端與殘帶7的連接端72之間，且第二電感62的另一端耦接於接地件5。另外，須特別說明的是，第二實施例所提供的天線結構U可操作的頻帶與第一實施例相似，第二實施例與第一實施例的差別在於，第二實施例所提供的天線結構U通過殘帶7的設置，可調整第二操作頻帶中的第三頻帶範圍的中心頻率。第二實施例中所示的其他結構特徵與前述實施例之說明內容相仿，在此不再贅述。
[第三實施例]
首先，請參閱圖7所示，圖7為本發明第三實施例的天線結構的其中一實施方式的電路架構示意圖。由圖7與圖2的比較可知，第三實施例與第一實施例的差別在於：第三實施例所提供的天線結構U還可進一步包括一寄生件P，藉此，通過寄生件P的設置，可增加第二操作頻帶中的第一頻帶範圍及第二頻帶範圍的增益。
承上述，進一步來說，寄生件P可設置在基板1上，且鄰近於第二輻射部32。另外，寄生件P的一端可耦接於接地件5，以第三實施例而言，寄生件P可具有一耦接於接地件5的第一寄生部P1以及一從第一寄生部P1彎折且朝遠離饋入部31的方向延伸的第二寄生部P2。
接著，請參閱圖8及圖9所示，圖8為本發明第三實施例的天線結構的另外一實施方式的電路架構示意圖，圖9為本發明第三實施例的天線結構的其中一俯視示意圖。由圖8與圖6的比較 可知，相較於圖6的實施方式，在圖8的實施方式中，天線結構U還可進一步包括一寄生件P，且由圖8與圖7的比較可知，相較於圖7的實施方式，在圖8的實施方式中，天線結構U還可進一步包括一殘帶7，且第一導電件6可包括一第一導電本體61以及一第二電感62。換句話說，由於在圖8的實施方式中，其具有殘帶7、第二電感62及寄生件P，因此，天線結構U可具有上述元件分別產生的特性。
接著，請復參閱圖9所示，值得說明的是，通過在天線結構U的第二輻射部32的附近所設置的寄生件P，可以用於強化第二輻射部32的操作頻帶(第二操作頻帶)的特性，優選地，可以強化第二操作頻帶中的第一頻帶範圍及第二頻帶範圍的增益。此外，寄生件P的第二寄生部P2與第二輻射部32之間可具有一預定狹縫W(即寄生件P的第二寄生部P2與第二輻射部32之間彼此相距的距離)。同時，通過調整第二寄生部P2相對於第二輻射部32的預定狹縫W，可以調整第二操作頻帶中的第一頻帶範圍及第二頻帶範圍之中心頻率所對應的阻抗值，進而調整操作頻帶的中心頻率所對應的電壓駐波比的值。換句話說，通過寄生件P的設置可增加第二操作頻帶中的第一頻帶範圍及第二頻帶範圍的增益。
進一步來說，如圖9所示，天線結構U還可進一步包括一橋接件B，橋接件B可設置在基板，橋接件B可耦接於接地件5以及第一導電件6之間。換句話說，第一導電件6的一端(圖中未標號)可耦接於饋入部31，第一導電件6的另一端(圖中未標號)可耦接於橋接件B，以使得第一導電件6通過橋接件B而耦接於接地件5。另外，饋入件F的饋入端F1可耦接於饋入部31，饋入件F的接地端F2可耦接於橋接件B，以使得饋入件F通過橋接件B而耦接於接地件5。再者，以圖9的實施方式而言，橋接件B可耦接於接地件5、第一導電件6的第二電感62以及饋入件F之間。
承上述，值得說明的是，橋接件B設置的目的為使得接地件 5能易於貼附於基板1上，雖然圖9的實施方式中有說明可進一步設置橋接件B，然而，在其他實施方式中，也可以不用設置橋接件B。另外，值得一提的是，舉例來說，橋接件B的材質可以為錫或者其它導電材料，接地件5的材質可以為銅或者其它導電材料，然本發明不以此為限。
另外，須特別說明的是，第三實施例所提供的天線結構U可操作於第一操作頻帶及第二操作頻帶的第一頻帶範圍、第二頻帶範圍以及第三頻帶範圍。第三實施例中所示的其他結構特徵與前述實施例之說明內容相仿，在此不再贅述。
接著，請同時參閱圖10及下表一所示，圖10為本發明第三實施例的天線結構在不同頻率下的電壓駐波比(Voltage standing wave ratio，VSWR)的曲線圖。
[第四實施例]
首先，請參閱圖11及圖12所示，圖11為本發明第四實施例的天線結構的其中一俯視示意圖，圖12為本發明第四實施例的天 線結構的其中一實施方式的電路架構示意圖。由圖11及圖12與圖1及圖2的比較可知，第四實施例與第一實施例的差別在於：第四實施例所提供的天線結構U還可進一步包括一第二導電件8。以第四實施例而言，第二導電件8可耦接於第一輻射件2與第一導電件6之間，以使得第二輻射件3、第一電感4、第一輻射件2、第二導電件8及第一導電件6之間形成一迴路。藉此，以提昇第二操作頻帶中的第二頻帶範圍的增益。
進一步來說，第二輻射件3、第一電感4、第一輻射件2、第二導電件8及第一導電件6之間所形成的迴路的電氣長度，優選為第二操作頻帶中的第二頻帶範圍的最低操作頻率所對應的1/4倍波長，然本發明不以此為限。
接著，請參閱圖13至圖17所示，圖13至圖17分別為本發明第四實施例的天線結構在不同實施方式中的電路架構示意圖。如圖13及圖14所示，由圖13及圖14與圖12的比較可知，在圖13及圖14的實施方式中，天線結構U還可進一步包括一殘帶7，殘帶7可具有一開路端71以及一耦接於第一導電件6的連接端72。此外，通過殘帶7的設置，可調整第二操作頻帶中的第三頻帶範圍的中心頻率。進一步來說，由圖13與圖14的比較可知，由於第二導電件8耦接在第一導電件6上的位置不同，因此，殘帶7的連接端72的位置也會隨之改變，然而，須說明的是，殘帶7的連接端72的定義為由殘帶7的開路端71起算，所連接到的第一個節點。
接著，如圖15及圖16所示，由圖15及圖16與圖13及圖14的比較可知，在圖15及圖16的實施方式中，第一導電件6可包括一第一導電本體61以及一第二電感62。藉此，以通過調整第二電感62的電感值，而調整第一操作頻帶的中心頻率所對應的阻抗值。
接著，請參閱圖17所示，由圖17與圖15的比較可知，在圖 17的實施方式中，天線結構U還可包括一寄生件P，以通過寄生件P的設置，而增加第二操作頻帶中的第一頻帶範圍及第二頻帶範圍的增益。此外，須說明的是，在圖16的實施方式中，也可以設置如圖17所示的寄生件P，以增加第二操作頻帶中的第一頻帶範圍及第二頻帶範圍的增益。再者，須特別說明的是，第四實施例所提供的天線結構U可操作於第一操作頻帶及第二操作頻帶的第一頻帶範圍、第二頻帶範圍以及第三頻帶範圍。第四實施例中所示的其他結構特徵與前述實施例之說明內容相仿，在此不再贅述。
[第五實施例]
首先，請參閱圖18所示，並一併配合圖5所示，圖18為本發明第五實施例的天線結構的其中一實施方式的電路架構示意圖。由圖18與圖5的比較可知，在圖18的實施方式中，天線結構U還可進一步包括一寄生件P以及一殘帶7，且該第一導電件6包括一第一導電本體61以及一第二電感62。承上述，如圖18所示，第一導電件6可耦接於饋入部31與接地件5之間，寄生件P可耦接於第一導電件6且寄生件P能鄰近於第二輻射部32設置。此外，寄生件P可具有一耦接於第一導電件6的第一寄生部P1以及一從第一寄生部P1彎折且朝遠離饋入部31的方向延伸的第二寄生部P2，第二電感62可耦接於饋入部31與寄生件P之間。另外，殘帶7可具有一開路端71以及一耦接於饋入部31的連接端72。藉此，通過寄生件P、殘帶7及第二電感62的設置，天線結構U可具有上述元件分別產生的特性。
接著，請參閱圖19及圖20所示，圖19為本發明第五實施例的天線結構的另外一實施方式的電路架構示意圖，圖20為本發明第五實施例的天線結構的其中一俯視示意圖。由圖19與圖18的比較可知，在圖19的實施方式中，還可進一步包括一第二導電件 8以及一第三導電件9。藉此，以形成一迴路，進而提昇第二操作頻帶中的第二頻帶範圍的增益。
承上述，詳細來說，第三導電件9的一端(圖中未標號)可耦接於饋入部31，第三導電件9的另一端(圖中未標號)可耦接於殘帶7的連接端72，第二導電件8可耦接於第一輻射件2與第三導電件9之間，以形成一迴路。藉此，由於圖19及圖20的實施方式中，天線結構U具有第二電感62、殘帶7、寄生件P以及第二導電件8，因此，天線結構U可具有上述元件分別產生的特性。須特別說明的是，第五實施例所提供的天線結構U可操作於第一操作頻帶及第二操作頻帶的第一頻帶範圍、第二頻帶範圍以及第三頻帶範圍。
[實施例的有益效果]
本發明的其中一有益效果在於，本發明實施例所提供的天線結構U，其能利用“電感4耦接於第一輻射件2與第二輻射件3之間”的技術方案，以抑制相異頻帶之間的相互影響。進一步來說，可避免第一輻射件2的訊號影響第二輻射件3的訊號，也就是說，能增加第二輻射件3的匹配效果，避免第二輻射件3受到第一輻射件2的倍頻影響。優選地，本發明能通過第一電感4的設置，可以避免第二操作頻帶中的第一頻帶範圍受到第一輻射件2的影響。
更進一步來說，當本發明實施例所提供的天線結構U上的第一導電件6包括有一第二電感62時，可通過調整第二電感62的電感值，而調整第一操作頻帶的中心頻率所對應的阻抗值。更進一步來說，當本發明實施例所提供的天線結構U具有寄生件P時，可增加第二操作頻帶中的第一頻帶範圍及第二頻帶範圍的增益。更進一步來說，當本發明實施例所提供的天線結構U具有殘帶7時，可調整第二操作頻帶中的第三頻帶範圍的中心頻率。更進一 步來說，當本發明實施例所提供的天線結構U具有第二導電件8所形成的迴路時，能提昇第二操作頻帶中的第二頻帶範圍的增益。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。

Claims (16)

  1. 一種天線結構，其包括：一基板；一第一輻射件，設置在該基板上；一第二輻射件，設置在該基板上，該第二輻射件具有一饋入部；一第一電感，耦接於該第一輻射件與該第二輻射件之間；一接地件；一第一導電件，耦接於該饋入部與該接地件之間；以及一饋入件，耦接於該饋入部與該接地件之間，用來饋入一訊號。
  2. 如請求項1所述的天線結構，更包括：一殘帶，其中，該殘帶具有一開路端以及一耦接於該第一導電件的連接端。
  3. 如請求項2所述的天線結構，其中，該第一導電件包括一第一導電本體以及一第二電感，該第一導電本體的一端耦接於該饋入部，該第一導電本體的另一端耦接於該殘帶的該連接端，該第二電感的一端耦接於該第一導電本體的該另一端，該第二電感的另一端耦接於該接地件。
  4. 如請求項3所述的天線結構，其中，該第二電感具有一介於2.7奈亨利至15奈亨利之間的電感值。
  5. 如請求項1所述的天線結構，更包括：一寄生件，該寄生件設置在該基板上，該寄生件耦接於該接地件，該寄生件具有一耦接於該接地件的第一寄生部以及一從該第一寄生部彎折且朝遠離該饋入部的方向延伸的第二寄生部。
  6. 如請求項5所述的天線結構，更包括：一殘帶，其中，該殘帶具有一開路端以及一耦接於該第一導電件的連接端。
  7. 如請求項6所述的天線結構，其中，該第一導電件包括一第一導電本體以及一第二電感，該第一導電本體的一端耦接於該饋入部，該第一導電本體的另一端耦接於該殘帶的該連接端，該第二 電感的一端耦接於該第一導電本體的該另一端，該第二電感的另一端耦接於該接地件。
  8. 如請求項1所述的天線結構，更包括：一第二導電件，該第二導電件耦接於該第一輻射件與該第一導電件之間，以形成一迴路。
  9. 如請求項8所述的天線結構，更包括：一殘帶，其中，該殘帶具有一開路端以及一耦接於該第一導電件的連接端。
  10. 如請求項9所述的天線結構，其中，該第一導電件包括一第一導電本體以及一第二電感，該第一導電本體的一端耦接於該饋入部，該第一導電本體的另一端耦接於該殘帶的該連接端，該第二電感的一端耦接於該第一導電本體的該另一端，該第二電感的另一端耦接於該接地件。
  11. 如請求項10所述的天線結構，更包括：一寄生件，該寄生件設置在該基板上，該寄生件耦接於該接地件，該寄生件具有一耦接於該接地件的第一寄生部以及一從該第一寄生部彎折且朝遠離該饋入部的方向延伸的第二寄生部。
  12. 如請求項1所述的天線結構，更包括：一寄生件，該第一導電件包括一第一導電本體以及一第二電感，該寄生件設置在該基板上，該寄生件耦接於該第一導電件，該寄生件具有一耦接於該第一導電件的第一寄生部以及一從該第一寄生部彎折且朝遠離該饋入部的方向延伸的第二寄生部，該第二電感耦接於該饋入部與該寄生件之間。
  13. 如請求項12所述的天線結構，更包括：一殘帶，其中，該殘帶具有一開路端以及一耦接於該饋入部的連接端。
  14. 如請求項12所述的天線結構，更包括：一第二導電件、一第三導電件以及一殘帶，該殘帶具有一開路端以及一連接端，其中，該第三導電件的一端耦接於該饋入部，該第三導電件的另一端耦接於該殘帶的該連接端，該第二導電件耦接於該第一輻 射件與該第三導電件之間，以形成一迴路。
  15. 如請求項1所述的天線結構，更包括：一殘帶，其中，該殘帶具有一開路端以及一耦接於該饋入部的連接端。
  16. 如請求項1所述的天線結構，其中，該第一電感具有一介於1奈亨利至30奈亨利之間的電感值。
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