CN110350309B

CN110350309B - 天线结构

Info

Publication number: CN110350309B
Application number: CN201810291020.7A
Authority: CN
Inventors: 曾世贤; 张正邦
Original assignee: Wistron Neweb Corp
Current assignee: Wistron Neweb Corp
Priority date: 2018-04-03
Filing date: 2018-04-03
Publication date: 2020-09-25
Anticipated expiration: 2038-04-03
Also published as: CN110350309A

Abstract

本发明公开一种天线结构。该天线结构包括一基板、一第一辐射件、一第二辐射件、一第一电感、一接地件、一第一导电件以及一馈入件；该第一辐射件设置在该基板上；该第二辐射件设置在该基板上，该第二辐射件具有一馈入部；该第一电感耦接于该第一辐射件与该第二辐射件之间；该第一导电件耦接于该馈入部与该接地件之间；该馈入件耦接于该馈入部与该接地件之间，用来馈入一信号。本发明能利用“电感耦接于该第一辐射件与该第二辐射件之间”的技术方案，以抑制相异频带之间的相互影响。

Description

天线结构

技术领域

本发明涉及一种天线结构，特别是涉及一种具有多操作频带的天线结构。

背景技术

首先，随着便携式电子装置(例如智能型手机、平板计算机、笔记本型计算机)的使用率日益提高，使得近年来便携式电子装置的无线通信技术更加被重视，而无线通信质量需视便携式电子装置中的天线效率而定。因此，如何提升天线的增益，已变得相当重要。再者，虽然现有的某些天线架构(例如平面型倒F型天线(Planar inverted-F antenna，PIFA))中能产生多个频带，但是，相异的频带之间会彼此影响，而导致天线的匹配效果变差。

另外，随着次世代通信技术5G LAA(Licensed Assisted Access)的来临，现有天线结构(例如平面型倒F型天线)的设计已经无法满足第五代通信系统的应用频带。虽然目前如美国专利公告第8,552,912号专利案，公开了一种“适用于薄型通信装置的天线(Antenna for thin communication apparatus)”，其能利用接地线段112、114(groundsegments 112and 114)而达到提高带宽的特性。然而，第五代通信系统对于频带及带宽有着更高的需求，US 8,552,912号专利案并无法达到同时涵盖4G及5G频带的效果。

因此，需要提供一种天线结构来解决上述问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种能同时涵盖4G及5G频带的天线结构，同时还能抑制相异频带之间的相互影响。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是，提供一种天线结构，该天线结构包括一基板、一第一辐射件、一第二辐射件、一第一电感、一接地件、一第一导电件以及一馈入件；该第一辐射件设置在该基板上；该第二辐射件设置在该基板上，该第二辐射件具有一馈入部；该第一电感耦接于该第一辐射件与该第二辐射件之间；该第一导电件耦接于该馈入部与该接地件之间；该馈入件耦接于该馈入部与该接地件之间，用来馈入一信号。

本发明的其中一有益效果在于，本发明实施例所提供的天线结构，其能利用“电感耦接于该第一辐射件与该第二辐射件之间”的技术方案，以抑制相异频带之间的相互影响。

为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。

附图说明

图1为本发明第一实施例的天线结构的其中一俯视示意图。

图2为本发明第一实施例的天线结构的其中一实施方式的电路架构示意图。

图3为本发明第一实施例的天线结构的另外一实施方式的电路架构示意图。

图4为本发明第二实施例的天线结构的其中一实施方式的电路架构示意图。

图5为本发明第二实施例的天线结构的另外一实施方式的电路架构示意图。

图6为本发明第二实施例的天线结构的又一实施方式的电路架构示意图。

图7为本发明第三实施例的天线结构的其中一实施方式的电路架构示意图。

图8为本发明第三实施例的天线结构的另外一实施方式的电路架构示意图。

图9为本发明第三实施例的天线结构的其中一俯视示意图。

图10为本发明第三实施例的天线结构在不同频率下的电压驻波比的曲线图。

图11为本发明第四实施例的天线结构的其中一俯视示意图。

图12为本发明第四实施例的天线结构的其中一实施方式的电路架构示意图。

图13为本发明第四实施例的天线结构的另外一实施方式的电路架构示意图。

图14为本发明第四实施例的天线结构的又一实施方式的电路架构示意图。

图15为本发明第四实施例的天线结构的又一实施方式的电路架构示意图。

图16为本发明第四实施例的天线结构的另外再一实施方式的电路架构示意图。

图17为本发明第四实施例的天线结构的另外又一实施方式的电路架构示意图。

图18为本发明第五实施例的天线结构的其中一实施方式的电路架构示意图。

图19为本发明第五实施例的天线结构的另外一实施方式的电路架构示意图。

图20为本发明第五实施例的天线结构的其中一俯视示意图。

主要组件符号说明：

U 天线结构 71 开路端

1 基板 72 连接端

2 第一辐射件 8 第二导电件

21 第一辐射部 9 第三导电件

3 第二辐射件 F 馈入件

31 馈入部 F1 馈入端

32 第二辐射部 F2 接地端

4 第一电感 P 寄生件

5 接地件 P1 第一寄生部

6 第一导电件 P2 第二寄生部

61 第一导电本体 B 桥接件

62 第二电感 E 金属导体

7 残带 W 预定狭缝

X、Y 方向

具体实施方式

以下是通过特定的具体实施例来说明本发明所公开有关“天线结构”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本发明的优点与效果。本发明可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不悖离本发明的构思下进行各种修改与变更。另外，本发明的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本发明的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本发明的保护范围。

应理解，虽然本文中可能使用术语第一、第二、第三等来描述各种元件或者信号，但这些元件或者信号不应受这些术语的限制。这些术语主要是用以区分一元件与另一元件，或者一信号与另一信号。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。

[第一实施例]

首先，请参阅图1及图2，图1为本发明第一实施例的天线结构的其中一俯视示意图，也就是天线结构实现在基板上的示意图，图2为本发明第一实施例的天线结构的其中一实施方式的电路架构示意图。本发明提供一种天线结构U，其包括一基板1、一第一辐射件2、一第二辐射件3、一第一电感4、一接地件5、一第一导电件6以及一馈入件F。第一辐射件2、第二辐射件3、第一电感4以及第一导电件6可设置于基板1上，且第一电感4可耦接于第一辐射件2与第二辐射件3之间，也就是说，第一电感4的一端(图中未标号)可耦接于第一辐射件2，第一电感4的另一端(图中未标号)可耦接于第二辐射件3。另外，第二辐射件3可具有一馈入部31，第一导电件6可耦接于第二辐射件3的馈入部31与接地件5之间。再者，馈入件F可耦接于馈入部31与接地件5之间，以用来馈入一信号。此外，馈入件F可具有一馈入端F1及一接地端F2，馈入端F1可耦接于馈入部31，接地端F2可耦接于接地件5。另外，需特别说明的是，本发明全文中的耦接可以是直接连接或者是间接连接，抑或是直接电性连接或者是间接电性连接，本发明不以此为限。

承上述，值得说明的是，基板1、第一辐射件2、第二辐射件3、接地件5、第一导电件6的材质可以使用任何种类的导电材质，并且上述元件也可以使用任何的成形方法制作，在此不再赘述。举例来说，第一辐射件2、第二辐射件3及第一导电件6可以为一金属片、一金属导线或者是其他具有导电效果的导电体。另外，基板1可为一印刷电路板(Printed circuitboard，PCB)。再者，馈入件F可以为一同轴电缆(Coaxial cable)，然而本发明不以上述举例为限。须说明的是，为使得附图能易于了解，除天线结构U实现在基板1上的示意图之外，在其他的附图中，以替代符号作为如图1所示的同轴电缆的架构。

承上述，请再参阅图1及图2，第二辐射件3可与第一导电件6一体成型的设置，也就是说，第二辐射件3与第一导电件6可为一金属片。另外，接地件5可电性连接于一金属导体E，而金属导体E可与基板1彼此相互分离。进一步来说，以本发明实施例而言，第一辐射件2可包括一第一辐射部21，第二辐射件3还可包括一连接于馈入部31的第二辐射部32，第一辐射部21可朝向一第一方向(负X方向)延伸，第二辐射部32可朝向一第二方向(正X方向)延伸，第一方向与第二方向可彼此相异。举例来说，以图1及图2的实施方式而言，第一方向与第二方向彼此相反。

承上述，请再参阅图1及图2，以第一实施例而言，第一辐射部21能产生频率范围介于698MHz至960MHz之间的一第一操作频带，第二辐射部32能产生频率范围介于1425MHz至5850MHz之间的一第二操作频带，藉此，以适用于4G LTE(Long Term Evolution)频带(Band)以及5G LAA(Licensed Assisted Access)频带，然而本发明不以此为限。另外，举例来说，第二操作频带中可包括频率范围介于1425MHz至2690MHz之间的第一频带范围、介于3400MHz至3800MHz之间的第二频带范围及介于5150MHz至5850MHz之间的第三频带范围，然而本发明不以此为限。换句话说，在其他实施方式中，第二操作频带也可以仅具有第一频带范围及第二频带范围、第二频带范围及第三频带范围或者是第一频带范围及第三频带范围，本发明不以此为限。然而，需特别说明的是，在图1至图3所提供的天线结构U，第二操作频带中还可以包括频率范围介于4300MHz至4700MHz之间的频带范围，第一实施例所提供的天线结构U可操作于第一操作频带及第二操作频带的第一频带范围、4300MHz至4700MHz之间的频带范围以及第三频带范围。

承上述，举例来说，第一电感4可具有一介于1纳亨利(nH)至30纳亨利(nH)之间的电感值，然而本发明不以此为限。藉此，通过设置在第一辐射件2与第二辐射件3的第一电感4，可避免第一辐射件2的信号影响第二辐射件3的信号，也就是说，能增加第二辐射件3的匹配效果，避免第二辐射件3受到第一辐射件2的倍频影响。

承上述，请再参阅图1及图2，举例来说，在图1及图2的实施方式中，第一导电件6可具有一第一导电本体61，第一导电本体61的一端(图中未标号)可耦接于馈入部31，第一导电本体61的另一端(图中未标号)可耦接于接地件5，然而本发明不以此为限。接着，请参阅图3，图3为本发明第一实施例的天线结构的另外一实施方式的电路架构示意图。由图3与图2的比较可知，在图3的实施方式中，第一导电件6可包括一第一导电本体61以及一连接于第一导电本体61的第二电感62，第一导电本体61的一端可耦接于馈入部31，第一导电本体61的另一端可耦接于第二电感62的一端(图中未标号)，第二电感62的另一端(图中未标号)可耦接于接地件5。此外，举例来说，第二电感62可具有一介于2.7纳亨利(nH)至15纳亨利(nH)之间的电感值，然而本发明不以此为限。藉此，通过调整第二电感62的电感值，可调整第一操作频带的中心频率所对应的阻抗值。

承上述，值得说明的是，请再参阅图1至图3，在其他实施方式中，天线结构U还可进一步包括一第一电容(图中未示出)及一第二电容(图中未示出)，第一电容可耦接在第一辐射件2与第二辐射件3之间，且第一电容可与第一电感4相互串联。另外，第二电容可耦接在馈入部31与接地件5之间，且第二电容可与第二电感62相互串联。须说明的是，在其他实施方式中，可以只配置第一电容或是只配置第二电容。同时，通过第一电容和/或第二电容的设置，可以调整第一操作频带和/或第二操作频带的阻抗值，此外，也能够调整第一操作频带和/或第二操作频带的频率范围。

[第二实施例]

首先，请参阅图4，图4为本发明第二实施例的天线结构的其中一实施方式的电路架构示意图。由图4与图2的比较可知，第二实施例与第一实施例的差别在于：第二实施例所提供的天线结构U还可进一步包括一残带7(stub)。藉此，通过残带7的设置，可调整第二操作频带中的第三频带范围的中心频率。

承上述，进一步来说，残带7可设置在基板1上，且与第一导电件6及第二辐射件3一体成型的设置，同时，残带7可具有一开路端71以及一耦接于第一导电件6的连接端72。以本发明实施例而言，残带7的连接端72的定义为由残带7的开路端71起算，所连接到的第一个节点。此外，开路端71相对于连接端72所延伸而出的长短，可调整第二操作频带中的第三频带范围的中心频率。换句话说，相较于第一实施例，通过残带7的设置，当残带7的长度愈长时，可调整第二操作频带中的第三频带范围的中心频率往低频靠近。

接着，请参阅图5，图5为本发明第二实施例的天线结构的另外一实施方式的电路架构示意图。由图5与图2的比较可知，在图5的实施方式中，残带7可具有一开路端71以及一耦接于馈入部31的连接端72。此外，残带7可设置在馈入部31的一侧，第一导电件6可设置在馈入部31的另一侧。

接着，请参阅图6，第一导电件6可包括一第一导电本体61以及一第二电感62，第一导电本体61的一端耦接于馈入部31，第一导电本体61的另一端耦接于残带7的连接端72，第二电感62的一端耦接于第一导电本体61的另一端与残带7的连接端72之间，且第二电感62的另一端耦接于接地件5。另外，须特别说明的是，第二实施例所提供的天线结构U可操作的频带与第一实施例相似，第二实施例与第一实施例的差别在于，第二实施例所提供的天线结构U通过残带7的设置，可调整第二操作频带中的第三频带范围的中心频率。第二实施例中所示的其他结构特征与前述实施例的说明内容相仿，在此不再赘述。

[第三实施例]

首先，请参阅图7，图7为本发明第三实施例的天线结构的其中一实施方式的电路架构示意图。由图7与图2的比较可知，第三实施例与第一实施例的差别在于：第三实施例所提供的天线结构U还可进一步包括一寄生件P，藉此，通过寄生件P的设置，可增加第二操作频带中的第一频带范围及第二频带范围的增益。

承上述，进一步来说，寄生件P可设置在基板1上，且邻近于第二辐射部32。另外，寄生件P的一端可耦接于接地件5，以第三实施例而言，寄生件P可具有一耦接于接地件5的第一寄生部P1以及一从第一寄生部P1弯折且朝远离馈入部31的方向延伸的第二寄生部P2。

接着，请参阅图8及图9，图8为本发明第三实施例的天线结构的另外一实施方式的电路架构示意图，图9为本发明第三实施例的天线结构的其中一俯视示意图。由图8与图6的比较可知，相较于图6的实施方式，在图8的实施方式中，天线结构U还可进一步包括一寄生件P，且由图8与图7的比较可知，相较于图7的实施方式，在图8的实施方式中，天线结构U还可进一步包括一残带7，且第一导电件6可包括一第一导电本体61以及一第二电感62。换句话说，由于在图8的实施方式中，其具有残带7、第二电感62及寄生件P，因此，天线结构U可具有上述元件分别产生的特性。

接着，请再参阅图9，值得说明的是，通过在天线结构U的第二辐射部32的附近所设置的寄生件P，可以用于强化第二辐射部32的操作频带(第二操作频带)的特性，优选地，可以强化第二操作频带中的第一频带范围及第二频带范围的增益。此外，寄生件P的第二寄生部P2与第二辐射部32之间可具有一预定狭缝W(即寄生件P的第二寄生部P2与第二辐射部32之间彼此相距的距离)。同时，通过调整第二寄生部P2相对于第二辐射部32的预定狭缝W，可以调整第二操作频带中的第一频带范围及第二频带范围的中心频率所对应的阻抗值，进而调整操作频带的中心频率所对应的电压驻波比的值。换句话说，通过寄生件P的设置可增加第二操作频带中的第一频带范围及第二频带范围的增益。

进一步来说，如图9所示，天线结构U还可进一步包括一桥接件B，桥接件B可设置于基板，桥接件B可耦接于接地件5以及第一导电件6之间。换句话说，第一导电件6的一端(图中未标号)可耦接于馈入部31，第一导电件6的另一端(图中未标号)可耦接于桥接件B，以使得第一导电件6通过桥接件B而耦接于接地件5。另外，馈入件F的馈入端F1可耦接于馈入部31，馈入件F的接地端F2可耦接于桥接件B，以使得馈入件F通过桥接件B而耦接于接地件5。再者，以图9的实施方式而言，桥接件B可耦接于接地件5、第一导电件6的第二电感62以及馈入件F之间。

承上述，值得说明的是，桥接件B设置的目的为使得接地件5能易于贴附于基板1上，虽然图9的实施方式中有说明可进一步设置桥接件B，然而，在其他实施方式中，也可以不用设置桥接件B。另外，值得一提的是，举例来说，桥接件B的材质可以为锡或者其他导电材料，接地件5的材质可以为铜或者其他导电材料，然而本发明不以此为限。

另外，须特别说明的是，第三实施例所提供的天线结构U可操作于第一操作频带及第二操作频带的第一频带范围、第二频带范围以及第三频带范围。第三实施例中所示的其他结构特征与前述实施例的说明内容相仿，在此不再赘述。

接着，请同时参阅图10及下表1，图10为本发明第三实施例的天线结构在不同频率下的电压驻波比(Voltage standing wave ratio，VSWR)的曲线图。

表1

节点	频率(MHz)	电压驻波比
			M1	698	4.67
M2	960	4.71
			M3	1425	3.20
M4	2690	2.05
			M5	3400	2.18
M6	3800	2.94
			M7	5150	3.03
M8	5850	3.48

[第四实施例]

首先，请参阅图11及图12，图11为本发明第四实施例的天线结构的其中一俯视示意图，图12为本发明第四实施例的天线结构的其中一实施方式的电路架构示意图。由图11及图12与图1及图2的比较可知，第四实施例与第一实施例的差别在于：第四实施例所提供的天线结构U还可进一步包括一第二导电件8。以第四实施例而言，第二导电件8可耦接于第一辐射件2与第一导电件6之间，以使得第二辐射件3、第一电感4、第一辐射件2、第二导电件8及第一导电件6之间形成一回路。藉此，以提升第二操作频带中的第二频带范围的增益。

进一步来说，第二辐射件3、第一电感4、第一辐射件2、第二导电件8及第一导电件6之间所形成的回路的电气长度，优选为第二操作频带中的第二频带范围的最低操作频率所对应的1/4倍波长，然而本发明不以此为限。

接着，请参阅图13至图17，图13至图17分别为本发明第四实施例的天线结构在不同实施方式中的电路架构示意图。如图13及图14所示，由图13及图14与图12的比较可知，在图13及图14的实施方式中，天线结构U还可进一步包括一残带7，残带7可具有一开路端71以及一耦接于第一导电件6的连接端72。此外，通过残带7的设置，可调整第二操作频带中的第三频带范围的中心频率。进一步来说，由图13与图14的比较可知，由于第二导电件8耦接在第一导电件6上的位置不同，因此，残带7的连接端72的位置也会随之改变，然而，须说明的是，残带7的连接端72的定义为由残带7的开路端71起算，所连接到的第一个节点。

接着，如图15及图16所示，由图15及图16与图13及图14的比较可知，在图15及图16的实施方式中，第一导电件6可包括一第一导电本体61以及一第二电感62。藉此，以通过调整第二电感62的电感值，而调整第一操作频带的中心频率所对应的阻抗值。

接着，请参阅图17，由图17与图15的比较可知，在图17的实施方式中，天线结构U还可包括一寄生件P，以通过寄生件P的设置，而增加第二操作频带中的第一频带范围及第二频带范围的增益。此外，须说明的是，在图16的实施方式中，也可以设置如图17所示的寄生件P，以增加第二操作频带中的第一频带范围及第二频带范围的增益。再者，须特别说明的是，第四实施例所提供的天线结构U可操作于第一操作频带及第二操作频带的第一频带范围、第二频带范围以及第三频带范围。第四实施例中所示的其他结构特征与前述实施例的说明内容相仿，在此不再赘述。

[第五实施例]

首先，请参阅图18，并一并配合图5，图18为本发明第五实施例的天线结构的其中一实施方式的电路架构示意图。由图18与图5的比较可知，在图18的实施方式中，天线结构U还可进一步包括一寄生件P以及一残带7，且该第一导电件6包括一第一导电本体61以及一第二电感62。承上述，如图18所示，第一导电件6可耦接于馈入部31与接地件5之间，寄生件P可耦接于第一导电件6且寄生件P能邻近于第二辐射部32设置。此外，寄生件P可具有一耦接于第一导电件6的第一寄生部P1以及一从第一寄生部P1弯折且朝远离馈入部31的方向延伸的第二寄生部P2，第二电感62可耦接于馈入部31与寄生件P之间。另外，残带7可具有一开路端71以及一耦接于馈入部31的连接端72。藉此，通过寄生件P、残带7及第二电感62的设置，天线结构U可具有上述元件分别产生的特性。

接着，请参阅图19及图20，图19为本发明第五实施例的天线结构的另外一实施方式的电路架构示意图，图20为本发明第五实施例的天线结构的其中一俯视示意图。由图19与图18的比较可知，在图19的实施方式中，还可进一步包括一第二导电件8以及一第三导电件9。藉此，以形成一回路，进而提升第二操作频带中的第二频带范围的增益。

承上述，详细来说，第三导电件9的一端(图中未标号)可耦接于馈入部31，第三导电件9的另一端(图中未标号)可耦接于残带7的连接端72，第二导电件8可耦接于第一辐射件2与第三导电件9之间，以形成一回路。藉此，由于图19及图20的实施方式中，天线结构U具有第二电感62、残带7、寄生件P以及第二导电件8，因此，天线结构U可具有上述元件分别产生的特性。须特别说明的是，第五实施例所提供的天线结构U可操作于第一操作频带及第二操作频带的第一频带范围、第二频带范围以及第三频带范围。

[实施例的有益效果]

本发明的其中一有益效果在于，本发明实施例所提供的天线结构U，其能利用“电感4耦接于第一辐射件2与第二辐射件3之间”的技术方案，以抑制相异频带之间的相互影响。进一步来说，可避免第一辐射件2的信号影响第二辐射件3的信号，也就是说，能增加第二辐射件3的匹配效果，避免第二辐射件3受到第一辐射件2的倍频影响。优选地，本发明能通过第一电感4的设置，可以避免第二操作频带中的第一频带范围受到第一辐射件2的影响。

更进一步来说，当本发明实施例所提供的天线结构U上的第一导电件6包括有一第二电感62时，可通过调整第二电感62的电感值，而调整第一操作频带的中心频率所对应的阻抗值。更进一步来说，当本发明实施例所提供的天线结构U具有寄生件P时，可增加第二操作频带中的第一频带范围及第二频带范围的增益。更进一步来说，当本发明实施例所提供的天线结构U具有残带7时，可调整第二操作频带中的第三频带范围的中心频率。更进一步来说，当本发明实施例所提供的天线结构U具有第二导电件8所形成的回路时，能提升第二操作频带中的第二频带范围的增益。

以上所公开的内容仅为本发明的优选可行实施例，并非因此局限本发明的权利要求书，所以凡是运用本发明说明书及附图内容所做的等同技术变化，均包含于本发明的权利要求书内。

Claims

1.一种天线结构，该天线结构包括：

一基板；

一第一辐射件，该第一辐射件设置在该基板上；

一第二辐射件，该第二辐射件设置在该基板上，该第二辐射件具有一馈入部；

一第一电感，该第一电感耦接于该第一辐射件与该第二辐射件之间；

一接地件；

一第一导电件，该第一导电件耦接于该馈入部与该接地件之间，该第一导电件包括一第一导电本体以及一连接于该第一导电本体的第二电感；以及

一馈入件，该馈入件耦接于该馈入部与该接地件之间，用来馈入一信号。

2.如权利要求1所述的天线结构，还包括：一残带，其中，该残带具有一开路端以及一耦接于该第一导电件的连接端。

3.如权利要求2所述的天线结构，其中，该第一导电本体的一端耦接于该馈入部，该第一导电本体的另一端耦接于该残带的该连接端，该第二电感的一端耦接于该第一导电本体的该另一端，该第二电感的另一端耦接于该接地件。

4.如权利要求3所述的天线结构，其中，该第二电感具有一介于2.7纳亨利至15纳亨利之间的电感值。

5.如权利要求1所述的天线结构，还包括：一寄生件，该寄生件设置在该基板上，该寄生件耦接于该接地件，该寄生件具有一耦接于该接地件的第一寄生部以及一从该第一寄生部弯折且朝远离该馈入部的方向延伸的第二寄生部。

6.如权利要求5所述的天线结构，还包括：一残带，其中，该残带具有一开路端以及一耦接于该第一导电件的连接端。

7.如权利要求6所述的天线结构，其中，该第一导电本体的一端耦接于该馈入部，该第一导电本体的另一端耦接于该残带的该连接端，该第二电感的一端耦接于该第一导电本体的该另一端，该第二电感的另一端耦接于该接地件。

8.如权利要求1所述的天线结构，还包括：一第二导电件，该第二导电件耦接于该第一辐射件与该第一导电件之间，以形成一回路。

9.如权利要求8所述的天线结构，还包括：一残带，其中，该残带具有一开路端以及一耦接于该第一导电件的连接端。

10.如权利要求9所述的天线结构，其中，该第一导电本体的一端耦接于该馈入部，该第一导电本体的另一端耦接于该残带的该连接端，该第二电感的一端耦接于该第一导电本体的该另一端，该第二电感的另一端耦接于该接地件。

11.如权利要求10所述的天线结构，还包括：一寄生件，该寄生件设置在该基板上，该寄生件耦接于该接地件，该寄生件具有一耦接于该接地件的第一寄生部以及一从该第一寄生部弯折且朝远离该馈入部的方向延伸的第二寄生部。

12.如权利要求1所述的天线结构，还包括：一寄生件，该寄生件设置在该基板上，该寄生件耦接于该第一导电件，该寄生件具有一耦接于该第一导电件的第一寄生部以及一从该第一寄生部弯折且朝远离该馈入部的方向延伸的第二寄生部，该第二电感耦接于该馈入部与该寄生件之间。

13.如权利要求12所述的天线结构，还包括：一残带，其中，该残带具有一开路端以及一耦接于该馈入部的连接端。

14.如权利要求12所述的天线结构，还包括：一第二导电件、一第三导电件以及一残带，该残带具有一开路端以及一连接端，其中，该第三导电件的一端耦接于该馈入部，该第三导电件的另一端耦接于该残带的该连接端，该第二导电件耦接于该第一辐射件与该第三导电件之间，以形成一回路。

15.如权利要求1所述的天线结构，还包括：一残带，其中，该残带具有一开路端以及一耦接于该馈入部的连接端。

16.如权利要求1所述的天线结构，其中，该第一电感具有一介于1纳亨利至30纳亨利之间的电感值。