TW201941337A - 用於處理縮小尺寸的基板的處理套件 - Google Patents

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Abstract

本案提供了用於處理縮小尺寸的基板的處理套件的實施例。在一些實施例中，處理套件包括具有袋部的基板載具，袋部配置以保持基板，其中袋部部分地延伸穿過基板載具的厚度；且其中袋部包含環形溝，其設置在袋部的底板的周圍。

Description

用於處理縮小尺寸的基板的處理套件
本案的實施例一般關於基板處理設備。
隨著技術以及更緊湊、更小的具有高的計算能力的電子設備的進步，產業重點已從200 mm移至300 mm 晶圓。當300 mm的晶圓的處理在市場上變得更佔優勢，提高了對具有300 mm的處理能力的工具的需求，引領工具製造商進行設計並構建更多300 mm的工具，而慢慢淘汰200 mm的工具。
然而，儘管進步到300 mm的基板處理，許多芯片製造商仍具有於其各自庫存中的大量的200 mm基板。發明人認為，希望處理200 mm的基板的芯片製造商及其他人，可能不希望購買可能很快就會過時的200 mm的工具。
因此，發明人提供了用於處理縮小尺寸的基板的處理套件。
本案提供了用於處理縮小尺寸的基板的處理套件的實施例。在一些實施例中，處理套件包括具有袋部的一基板載具，袋部配置以保持基板，其中袋部部分地延伸穿過基板載具的厚度，且其中袋部包含環形溝，其設置在袋部的底板的周圍。
在一些實施例中，處理套件包括基板載具，基板載具具有袋部，袋部配置以保持部分地延伸穿過基板載具的厚度的基板，並且基板載具具有包括環形向上延伸突起的最上表面；以及遮蔽環，設置在基板載具上方，以屏蔽在袋部的徑向外側一部分的基板載具，並且遮蔽環在下表面中具有與基板載具的環形向上延伸突起相對應的環形凹槽，並且其中遮蔽環的內徑係小於袋部的外徑。
在一些實施例中，處理腔室包括具有支撐表面的基板支撐件；基板載具，設置在支撐表面頂上，基板載具具有用於保持基板的袋部；遮蔽環，設置在基板載具頂上，以屏蔽在袋部的徑向外側的一部分的基板載具；以及，處理套件，其具有圍繞基板載具及遮蔽環而設置的處理套件防護，以界定出基板上方的處理容積。
以下描述本案的其他及進一步實施例。
本案的實施例一般關於用於處理縮小尺寸的基板的處理套件。具體而言，本案的實施例提供了使用300 mm工具來處理200 mm基板，同時保持這些工具仍能夠處理300 mm基板的能力的手段。在200 mm和300 mm功能之間的切換是可逆的，並且可以由使用者干涉中作選擇，而無需任何硬體的修改，因此有利地減少或消除任何停機時間。
所發明的處理套件包含基板載具100及遮蔽環200。具有用於支撐遮蔽環200的突起的沉積環300，亦可用來在處理縮小尺寸的基板（例如，200 mm）的期間，將遮蔽環200支撐在基板載具100上方。以下參考圖1A和1B描述基板載具100。圖1A是根據本案的一些實施例的基板載具100的示意性俯視圖。圖1B是沿著線B-B'截取的基板載具100的橫截面圖。
基板載具100係由介電材料形成，例如，單晶矽石英、陶瓷、純度為99％或更高的碳化矽。基板載具100包括主體及配置以保持基板S的袋部102。在一些實施例中，基板S可為200 mm基板。袋部102部分地延伸穿過基板載具100的厚度。為了能夠在配置以處理300 mm基板的腔室中處理200 mm基板，基板載具100的尺寸仿效成300 mm基板。亦即，基板載具100的直徑104為約300 mm。在一些實施例中，袋部102的直徑106在約200 mm與約210 mm之間。在一些實施例中，在基板S的邊緣與袋部102的壁之間的間隔103為至少0.25 mm。在一些實施例中，從基板載具100的上表面到袋部102的底板112的袋部102的深度108在約0.5 mm與約0.7 mm之間。
在一些實施例中，袋部102包括設置在袋部102的底板112的周邊處的環形溝110，以防止在基板S上的背面沉積，及防止在基板S與任何在袋部102內的沉積材料之間產生電弧作用。在一些實施例中，環形溝110的深度114為約0.2 mm與約0.6 mm之間。在一些實施例中，深度114為約0.4 mm。在一些實施例中，環形溝110的橫截面寬度116為約0.8 mm至約1.2 mm。在一些實施例中，環形溝110的橫截面寬度116為約1 mm。
在一些實施例中，基板載具的最上表面117經配置以與遮蔽環200（如下述）的底表面相配合。最上表面117包括環形向上延伸突起119，其經配置以設置在形成於遮蔽環200的底表面中的相應環形凹槽內。
在一些實施例中，基板載具100可包括複數個舉升銷孔118，相應的複數個舉升銷（未圖示）可延伸通過舉升銷孔118以接收基板S，並可將基板S降低或舉升進出袋部102。在一些實施例中，基板載具100可進一步包括至少一個突起120（在圖1A中圖示了三個），其徑向向內延伸進入袋部102，以在基板載具100的處理（如藉由傳送機器人）期間防止或限制基板S四處移動。在一些實施例中，至少一突起在袋部102中延伸約0.2 mm至約0.5 mm。
在一些實施例中，基板載具100還可包括對準特徵122，其延伸到袋部102中約1 mm。對準特徵122經配置以延伸到基板S中的對應凹口（未圖示）中，以使基板S相對於基板載具100正確地對準。在一些實施例中，基板載具100可以包括類似的凹口124，其經配置以接收基板支撐件的對應的對準特徵（未圖示），以使基板載具100相對於基板支撐件能正確地對準。
以下參照圖2A與2B說明遮蔽環200。圖2A是根據本案的一些實施例的遮蔽環200的示意性俯視圖。圖2B是沿著線B-B'所截取的遮蔽環200的橫截面圖。遮蔽環200由具有高導熱率的介電材料形成，例如，具有99％或更高純度的石英或陶瓷。在一些實施例中，遮蔽環200的內徑202比袋部102的直徑106小約0.2 mm至約0.4 mm（即，在約199.6 mm與約209.8 mm之間），以減少在環形溝110中的沉積。在一些實施例中，遮蔽環200的上表面204具有水平外部部分及傾斜的內部部分。傾斜的內部部分包括具有梯度205的表面（例如，與遮蔽環的水平面成一角度設置的表面）。在一些實施例中，梯度205為約2.5°與約3.1°之間。發明人已發現，小於約2.5°的梯度將導致在基板S的斜面（未圖示）處的更多沉積，並且大於約3.1°的梯度將導致在基板S的邊緣處的不均勻沉積。
遮蔽環200經配置以設置在基板載具100之上，以屏蔽在袋部102的徑向外側的基板載具100的部分130（見圖1）。環形凹槽206形成在遮蔽環200的下表面中，當遮蔽環200被置於基板載具100上方時，遮蔽環200與基板載具100的環形向上延伸突起119相配合。遮蔽環200還包括設置在環形凹槽206徑向外側的凸緣208，其位於沉積環300的突起上，如以下所述。
以下參照圖3A與3B說明沉積環300。圖3A是根據本案的一些實施例的沉積環300的示意性俯視圖。圖3B是沿著線B-B'所截取的沉積環300的橫截面圖。在一些實施例中，沉積環300包括主體302，及從主體302向上延伸的複數個突起304A-C（圖3A中圖示了三個）。複數個突起304A-C經配置以沿著凸緣208支撐遮蔽環200。複數個突起304A-C經配置以不干涉300 mm基板的處理。也就是說，複數個突起304A-C經配置以，在藉由突起沉積期間，最小化或基本上消除任何對300 mm基板的遮蔽效應。
在一些實施例中，複數個突起304A-C中的每一個係設置在形成於主體302中的孔310內。孔310的形狀對應於突起的底部的形狀。在一些實施例中，每個突起可藉由螺釘312固定至主體302，螺釘312延伸穿過形成在主體302的底表面316中的埋頭孔314，並且被擰入形成在該突起底部的相應的螺紋孔中。在一些實施例中，複數個突起304A-C可替代地使用粘合劑固定至主體。在一些實施例中，主體302及複數個突起304A-C可替代地形成整體結構。複數個突起304A-C由與主體302相同的材料所形成，以最小化或基本上消除複數個突起304A-C與主體302之間的電弧作用及熱膨脹失配。
複數個突起304A-C圍繞沉積環300的中心軸配置，使得在複數個突起304A-C中的兩個之間存在足夠的空間，以允許基板傳送機器人的終端作用器穿過，並舉升或放置基板（例如，300 mm基板）或基板載具100。這樣，在複數個突起304A-C中的第一者（例如，304A）與複數個突起304A-C中的第二者（例如，304B）之間的第一角度318，係在約90°與約110°之間。類似地，在複數個突起304A-C中的第一者（例如，304A）與複數個突起304A-C中的第三者（例如，304c）之間的第二角度320，也在約90°與約110°之間。結果，複數個突起304A-C中的第二者與第三者之間的第三角度322係足夠大，使得基板傳送機器人的終端作用器可在複數個突起304A-C中的第二者與第三者之間通過。
與複數個突起304A-C相切並設置在複數個突起304A-C內的圓324的直徑326係大於300 mm，以提供間隙給將放置於沉積環300內的支撐表面上的300 mm基板及基板載具100。然而，直徑326小於遮蔽環200的外徑210（參見圖2A），使得複數個突起304A-C沿著凸緣208支撐遮蔽環200。如圖3B所示，在一些實施例中，複數個突起304A-C中的每一個還可包括從突起的上表面308向上延伸的台階306，以最小化該些突起與該遮蔽環之間的接觸面積，從而最小化或基本上消除任何粒子的產生。
在一些實施例中，沉積環300可包括複數個徑向向內延伸的突起328（圖3A中圖示了三個），其與基板支撐件中的對應凹口（未圖示）配合，沉積環300設置在該基板支撐件上以將沉積環300與該基板支撐件對準。
圖4概要地圖示了集成多腔室基板處理工具400的非限制性示例的平面圖，其具有根據本案的用於處理不同尺寸的基板的設備。適用於根據本發明的修改及使用的工具的實例包括，美商應用材料公司（Applied Materials, Inc., of Santa Clara, California）獲得的APPLIEDCHELGER® ，CENTURA® ，ENDURA® 和PRODUCER® 系列的集成基板處理工具。多腔室基板處理工具400包括耦接到主框的多個處理室，該多個處理室包括兩個傳送室（例如，傳送室408及傳送室433）。
多腔室基板處理工具400包含前端工廠介面（FI），其與裝載閘室404選擇性連通。多腔室基板處理工具400通常經配置以處理具有第一尺寸的基板（諸如具有第一直徑的晶圓，例如300mm等）。一或多個前開式晶圓傳送盒（FOUP），例如FOUP 401a、FOUP 401b、及FOUP 401c，係設置在FI 402上或耦接至FI 402，以將基板提供至多腔室基板處理工具400，或從多腔室基板處理工具400接收基板。在一些實施例中，FOUP中的其中一者經配置以保持基板載具（如，基板載具100），其上設置有具縮小尺寸的基板（如，200 mm）。在一些實施例中，FOUP中的另一者經配置以保持遮蔽環（如，遮蔽環200）。
工廠介面機器人403係設置於FI 402之內。工廠介面機器人403經配置以將基板、載具、及或遮蔽環來/回傳送於FOUP 401a、401b、及橋接FOUP 401c，以及在橋接FOUP 401c與裝載閘室404之間傳送。在操作的一例中，工廠介面機器人403從FOUP 401a取得具有縮小尺寸的基板的基板載具，並且傳送保持基板的載具至裝載閘室404，使得縮小尺寸的基板可在多腔室基板處理工具400內進行處理。
裝載閘室404提供了在FI 402與第一傳送室組件410之間的真空介面。第一傳送室組件410的內部區域通常保持在真空狀態，並提供中間區域，在該中間區域中，將基板或保持基板的基板載具從一個腔室移動到另一個腔室及/或到裝載閘室。
在一些實施例中，第一傳送室組件410被分成兩部分。在本案的一些實施例中，第一傳送室組件410包括傳送室408及真空延伸室407。傳送室408與真空延伸室407係耦接在一起並彼此流體連通。在處理期間，第一傳送室組件410的內部容積通常保持在低壓或真空條件下。裝載閘室404可以分別通過狹縫閥405與406連接到FI 402與真空延伸室407。
在一些實施例中，傳送室408可以是具有複數個側壁、一底部及一蓋子的多邊形結構。複數個側壁可以具有貫穿其而形成的開口，且配置成與處理室、真空延伸室及/或通過室連接。圖4中所示的傳送室408具有正方形或矩形形狀，並且耦接到處理室411、413、通過室431及真空延伸室407。傳送室408可分別經由狹縫閥416、418及417與處理室411、413及通過室431選擇性地連通。
在一些實施例中，中央機器人409可安裝在傳送室408中，在形成於傳送室408的底部上的機器人埠處。中央機器人409係設置在傳送室408的內部容積420中，並且經配置以將基板414（或保持基板的基板載具）往復於處理室411、413、通過室431及裝載閘室404之間。在一些實施例中，中央機器人409可包括用於保持基板、保持縮小尺寸的基板的基板載具、或遮蔽環的兩個葉片，每個葉片安裝於裝載在同一機器人基座上的一可獨立控制的機器臂上。在一些實施例中，中央機器人409可以具有垂直移動葉片的能力。
真空延伸室407經配置以對真空系統提供對於第一傳送室組件410的介面。在一些實施例中，真空延伸室407包括一底部、一蓋子及側壁。壓力調節埠可以形成在真空延伸室407的底部上，並經配置以適應真空泵系統。開口係形成在側壁上，使得真空延伸室407係與傳送室408流體連通，並且與裝載閘室404選擇性連通。
在一些實施例中，真空延伸室407包括架子（未圖示），其經配置以儲存一或多個基板或保持基板的基板載具。直接或間接連接到傳送室408的處理室，可儲存它們的基板或保持基板於架子上的基板載具，並且使用中央機器人409來傳送它們。
多腔室基板處理工具400還可包括第二傳送室組件430，其藉由通過室431連接到第一傳送室組件410。在一些實施例中，類似於裝載閘室的通過室431，經配置以提供在兩個處理環境之間的介面。在這樣的實施例中，通過室431提供真空介面在第一傳送室組件410與第二傳送室組件430之間。
在一些實施例中，第二傳送室組件430被分成兩部分，以最小化多腔室基板處理工具400的覆蓋區。在本案的一些實施例中，第二傳送室組件430包括傳送室433及真空延伸室432，其彼此流體連通。在處理期間，第二傳送室組件430的內部容積通常保持在低壓或真空條件下。通過室431可分別通過狹縫閥417與438連接到傳送室408與真空延伸室432，使得傳送室408內的壓力可以保持在不同的真空水平。
在一些實施例中，傳送室433可以是具有複數個側壁、一底部及一蓋子的一多邊形結構。複數個側壁可以具有貫穿其而形成的開口，且配置成與處理室、真空延伸室及/或通過室連接。圖4中所示的傳送室433具有正方形或矩形形狀，並且耦接到處理室435、436、437、及真空延伸室432。傳送室433可分別經由狹縫閥441、440、439與處理室435、436、437選擇性地連通。
中央機器人434可安裝在傳送室433中，在形成於傳送室433的底部上的機器人埠處。中央機器人434係設置在傳送室433的內部容積449中，並且經配置以將基板443（或保持基板的基板載具或遮蔽環）往復於處理室435、436、437、及通過室431之間。在一些實施例中，中央機器人434可包括用於保持基板或保持基板的基板載具的兩個葉片，每個葉片安裝於裝載在同一機器人基座上的可獨立控制的機器臂上。在一些實施例中，中央機器人434可以具有垂直移動葉片的能力。
在一些實施例中，真空延伸室432經配置以提供在真空系統與第二傳送室組件430之間的介面。在一些實施例中，真空延伸室432包括一底部、一蓋子及側壁。壓力調節埠可以形成在真空延伸室432的底部上，並經配置以適應真空泵系統。開口係貫穿形成在側壁上，使得真空延伸室432係與傳送室433流體連通，並且與通過室431選擇性連通。
在本案的一些實施例中，真空延伸室432包含架子（未圖示），類似於以上有關真空延伸室407的描述。直接或間接連接到傳送室433的處理室，可儲存基板或保持基板於架子上的基板載具。
通常，基板係在具有用於支撐設置在其上的基板的基座的密封室中作處理。基座可以包括基板支撐件，基板支撐件具有設置在其中的電極以靜電地保持基板，或者在處理過程中將保持縮小尺寸基板的基板載具保持在基板支撐件上。對於耐受較高腔室壓力的過程，基座可以替代地包括基板支撐件，該基板支撐件具有與真空源連通的開口，用於在處理期間將基板牢固地保持在基板支撐件上。
可以在任何處理室411、413、435、436或437中執行的處理，包括沉積、植入及熱處理等。在一些實施例中，處理室例如處理室411、413、435、436、或437的任一者，經配置以在一基板上，或同時在多個基板上執行濺射製程。在一些實施例中，處理室411是一個除氣室。在一些實施例中，處理室413是預金屬化清潔室。預金屬化清潔室可使用包含惰性氣體，例如氬，的濺射清潔製程。在一些實施例中，處理室435是沉積室。與本案所述的實施例一起使用的沉積室可以是任何已知的沉積室。
圖5記載了具有根據本案的一些實施例的處理套件的處理室（如，處理室411、413、435、436、437中的任意一者）的示意性橫截面圖。如圖5所示，基板載具100具有基板S（即，縮小尺寸的基板）坐落在基板支撐件504的支撐表面502的頂上。遮蔽環200置放在基板載具100及複數個突起304A-C（圖5僅顯示出304C）的頂上。具有處理套件防護506及在該處理套件防護的唇部頂上的覆蓋環508的處理套件，界定出基板S上方的處理容積510。在一些實施例中，在覆蓋環508的內徑與複數個突起304A-C之間的第一徑向距離512，係在約1.5 mm與約2.5 mm之間。在一些實施例中，在凸緣208的內壁516與複數個突起304A-C之間的第二徑向距離514，係在約0.7 mm與約1.5 mm之間，以補償在處理期間的遮蔽環200的熱膨脹。
儘管前述內容關於本案的實施例，但在不脫離其基本範圍前提下，可設計出本案的其他及進一步的實施例。
100‧‧‧基板載具
102‧‧‧袋部
103‧‧‧間隔
104‧‧‧直徑
106‧‧‧直徑
108‧‧‧深度
110‧‧‧環形溝
112‧‧‧底板
114‧‧‧深度
116‧‧‧橫截面寬度
117‧‧‧最上表面
118‧‧‧舉升銷孔
119‧‧‧環形向上延伸突起
120‧‧‧突起
122‧‧‧對準特徵
124‧‧‧凹口
130‧‧‧部分
200‧‧‧遮蔽環
202‧‧‧內徑
208‧‧‧凸緣
210‧‧‧外徑
300‧‧‧沉積環
302‧‧‧主體
304A‧‧‧突起
304B‧‧‧突起
304C‧‧‧突起
306‧‧‧台階
308‧‧‧上表面
310‧‧‧孔
312‧‧‧螺釘
314‧‧‧埋頭孔
316‧‧‧底表面
318‧‧‧第一角度
320‧‧‧第二角度
322‧‧‧第三角度
324‧‧‧圓
326‧‧‧直徑
328‧‧‧突起
400‧‧‧多腔室基板處理工具
401a‧‧‧前開式晶圓傳送盒（FOUP）
401b‧‧‧前開式晶圓傳送盒（FOUP）
401c‧‧‧前開式晶圓傳送盒（FOUP）
402‧‧‧前端工廠介面（FI）
403‧‧‧工廠介面機器人
404‧‧‧裝載閘室
405‧‧‧狹縫閥
406‧‧‧狹縫閥
407‧‧‧真空延伸室
408‧‧‧傳送室
409‧‧‧中央機器人
410‧‧‧第一傳送室組件
411‧‧‧處理室
413‧‧‧處理室
414‧‧‧基板
416‧‧‧狹縫閥
417‧‧‧狹縫閥
418‧‧‧狹縫閥
420‧‧‧內部容積
430‧‧‧第二傳送室組件
431‧‧‧通過室
432‧‧‧真空延伸室
433‧‧‧傳送室
434‧‧‧中央機器人
435‧‧‧處理室
436‧‧‧處理室
437‧‧‧處理室
438‧‧‧狹縫閥
439‧‧‧狹縫閥
440‧‧‧狹縫閥
441‧‧‧狹縫閥
443‧‧‧基板
449‧‧‧內部容積
502‧‧‧支撐表面
504‧‧‧基板支撐件
506‧‧‧處理套件防護
508‧‧‧覆蓋環
510‧‧‧處理容積
512‧‧‧第一徑向距離
514‧‧‧第二徑向距離
516‧‧‧內壁
S‧‧‧基板
藉由參考所附圖式中描繪的本案的說明性實施例，可理解以上發明內容並在下面更詳細說明本案的實施例。然而，所附圖式僅示出了本案的典型實施例，因此不應視為對請求範圍的限制，因為本案可允許其他同等有效的實施例。
圖1A是根據本案的一些實施例的基板載具的示意性俯視圖。
圖1B是沿著圖1A的線B-B'截取的基板載具的橫截面圖。
圖2A是根據本案的一些實施例的遮蔽環的示意性俯視圖。
圖2B是沿著圖2A的線B-B'截取的遮蔽環的橫截面圖。
圖3A是根據本案的一些實施例的沉積環的示意性俯視圖。
圖3B是沿著圖3A的線B-B'截取的沉積環的橫截面圖。
圖4是根據本案的一些實施例的適用於處理不同尺寸基板的多腔室群集工具的平面圖。
圖5記載了具有根據本案的一些實施例的處理套件的處理室的示意性橫截面圖。
為了便於理解，在可能的情況下，使用相同的元件符號來表示附圖中共有的相同元件。附圖未按比例繪製，並且為了清楚起見可能經簡化。一個實施例的元件和特徵可有利地併入其他實施例中，而不需進一步贅述。
國內寄存資訊 （請依寄存機構、日期、號碼順序註記）
無
國外寄存資訊 （請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記）
無

Claims (20)

  1. 一種處理套件，包含： 一基板載具，該基板載具具有一袋部，該袋部配置以保持一基板，其中該袋部部分地延伸穿過該基板載具的一厚度，且其中該袋部包含一環形溝，該環形溝設置在該袋部的一底板的一周圍。
  2. 如請求項1所述之處理套件，其中該袋部的一直徑在約200 mm與約210 mm之間。
  3. 如請求項1所述之處理套件，其中該袋部的一深度在約0.5 mm與約0.7 mm之間。
  4. 如請求項1所述之處理套件，其中該環形溝的一深度在約0.2 mm與約0.6 mm之間。
  5. 如請求項1所述之處理套件，其中該環形溝的一橫截面寬度在約0.8 mm與約1.2 mm之間。
  6. 如請求項1至5任一項所述之處理套件，其中該基板載具係由單晶矽石英、陶瓷、或碳化矽所形成。
  7. 如請求項1至5任一項所述之處理套件，其中該基板載具包括至少一突起，該突起徑向地向該袋部內延伸。
  8. 如請求項1至5任一項所述之處理套件，其中該基板載具包括一對準特徵，該對準特徵延伸進入該袋部。
  9. 一種處理套件，包含： 一基板載具，該基板載具具有一袋部，該袋部配置以保持一基板，該袋部部分地延伸穿過該基板載具的一厚度，且該基板載具具有一最上表面，該最上表面包括一環形向上延伸突起；及 一遮蔽環，該遮蔽環設置於該基板載具之上，以屏蔽在該袋部的徑向外側的一部分的該基板載具，且該遮蔽環具有一環形凹槽，該環形凹槽在對應於該基板載具的環形向上延伸突起的一下表面上，且其中該遮蔽環的一內徑小於該袋部的一外徑。
  10. 如請求項9所述之處理套件，其中該遮蔽環的一上表面具有一表面，該表面與該遮蔽環的一水平面成約2.5°至約3.1°的一角度而設置。
  11. 如請求項9所述之處理套件，其中該袋部包括一環形溝，該環形溝設置在該袋部的一底板的一周圍，該環形溝具有在約0.2 mm與約0.6 mm之間的一深度。
  12. 如請求項9所述之處理套件，其中該遮蔽環包括一凸緣，該凸緣設置成於該環形凹槽的徑向向外。
  13. 如請求項9所述之處理套件，其中該基板載具包括至少一突起，該突起徑向地向該袋部內延伸。
  14. 如請求項9所述之處理套件，其中該遮蔽環係由石英或陶瓷所形成。
  15. 如請求項9至14任一項所述之處理套件，更包含一沉積環，該沉積環設置在該遮蔽環之下，且該沉積環具有用於支撐該遮蔽環的至少一突起。
  16. 一種處理室，包含： 一基板支撐件，具有一支撐表面； 一基板載具，設置在該支撐表面頂上，該基板載具具有一袋部，該袋部配置以保持一基板； 一遮蔽環，設置在該基板載具頂上，以屏蔽在該袋部的徑向外側的一部分的該基板載具； 一處理套件，具有設置於該基板載具與該遮蔽環附近的一處理套件防護，以界定出該基板上方的一處理容積。
  17. 如請求項16所述之處理室，更包含一沉積環，該沉積環設置在該遮蔽環之下，其中該遮蔽環包括位於一徑向向外部分的一凸緣，且該沉積環包括複數個突起，該些突起係配置以沿著該凸緣支撐該遮蔽環。
  18. 如請求項16所述之處理室，其中該袋部包括一環形溝，該環形溝設置在該袋部的一底板的一周圍。
  19. 如請求項16所述之處理室，其中該遮蔽環的一內徑係在0.1 mm與約0.2 mm之間，小於該袋部的一直徑。
  20. 如請求項16至19任一項所述之處理室，其中該基板載具的一最上表面係配置以與該遮蔽環的一底表面相配合。
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