TW201936904A

TW201936904A - 液晶組成物

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Publication number: TW201936904A
Application number: TW107144123A
Authority: TW
Inventors: 小坂翔太; 栗沢和樹
Original assignee: 日商迪愛生股份有限公司
Priority date: 2017-12-21
Filing date: 2018-12-07
Publication date: 2019-09-16
Also published as: CN111448291A; KR20200101325A; WO2019124094A1; JPWO2019124094A1; JP7255496B2

Abstract

本發明之課題在於提供一種聚合性液晶組成物，其介電異向性（Δε）為負，滿足一般液晶組成物所要求之在寬廣的溫度範圍下之顯示、高速應答性及低電壓驅動性，並且於形成液晶顯示元件時，沒有顯示不良，或顯示不良極少；本發明之課題在於提供一種液晶顯示元件，其使用有該液晶組成物。
一種液晶組成物，其介電異向性（Δε）為負，且含有1種或2種以上之選自通式（N－1）、（N－2）及（N－3）所表示之化合物中之化合物，及1種或2種以上之聚合性化合物。

Description

液晶組成物

本發明係關於一種液晶組成物。

液晶顯示元件係藉由對夾持於2片基板間之液晶組成物施加電壓，控制其配向，而使光學特性變化，從而進行顯示。液晶組成物藉由施加電壓，而從初期之配向狀態變化。此初期之配向狀態受使用有經摩擦之聚醯亞胺的配向膜控制，但關於經摩擦之聚醯亞胺，由於難以分割配向狀態，因此開發並實用化使用聚合性化合物來控制預傾角之方法。又，近來亦探討「不使用配向膜本身，而是藉由自配向性化合物來控制初期之配向狀態的」方法。然而，於此等方法中，為了控制液晶組成物之配向，使用聚合性化合物之聚合物。

此等液晶顯示元件在「將於液晶組成物中含有聚合性化合物之聚合性液晶組成物滴加於基板，夾持於另一片基板」之狀態下，照射紫外線，使聚合性化合物聚合。此時，雖然會以使液晶組成物成為特定的配向狀態之方式來選擇聚合性化合物及液晶組成物，但是在以往的聚合性液晶組成物中，會有初期之配向狀態不足，或是會隨時間變化等之問題。若發生此等問題，則液晶顯示元件會產生顯示不良。因此，期望可達成特定的配向狀態之聚合性液晶組成物之開發。

[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特表2014－524951號公報

[發明所欲解決之課題]

本發明之課題在於提供一種聚合性液晶組成物，其介電異向性（Δε）為負，滿足一般液晶組成物所要求之在寬廣的溫度範圍下之顯示、高速應答性及低電壓驅動性，並且於形成液晶顯示元件時，沒有顯示不良，或顯示不良極少；本發明之課題在於提供一種液晶顯示元件，其使用有該液晶組成物。
[解決課題之技術手段]

本發明提供一種液晶組成物，其介電異向性（Δε）為負，且含有1種或2種以上之選自通式（N－1）、（N－2）及（N－3）所表示之化合物中之化合物，及1種或2種以上之聚合性化合物，此外，本發明提供一種使用有該聚合性液晶組成物之液晶顯示元件，

（式中，R^N11 、R^N12 、R^N21 、R^N22 、R^N31 及R^N32 各自獨立地表示碳原子數1～8之烷基，該烷基中之1個或未鄰接之2個以上的－CH₂ －亦可各自獨立地被－CH＝CH－、－C≡C－、－O－、－CO－、－COO－或－OCO－取代，
A^N11 、A^N12 、A^N21 、A^N22 、A^N31 及A^N32 各自獨立地表示選自由下述（a）、（b）、（c）、（d）所組成之群中的基：
（a）1,4－伸環己基（存在於此基中之1個－CH₂ －或未鄰接之2個以上的－CH₂ －可被取代成－O－）
（b）1,4－伸苯基（存在於此基中之1個－CH＝或未鄰接之2個以上的－CH＝可被取代成－N＝）
（c）萘－2,6－二基、1,2,3,4－四氫萘－2,6－二基或十氫萘－2,6－二基（存在於萘－2,6－二基或1,2,3,4－四氫萘－2,6－二基中之1個－CH＝或未鄰接之2個以上的－CH＝可被取代成－N＝）及
（d）1,4－伸環己烯基（cyclohexenylene），
上述之基（a）、基（b）、基（c）及基（d）亦可各自獨立地被氰基、氟原子或氯原子取代，
Z^N11 、Z^N12 、Z^N21 、Z^N22 、Z^N31 及Z^N32 各自獨立地表示單鍵、－CH₂ CH₂ －、－（CH₂ ）₄ －、－OCH₂ －、－CH₂ O－、－COO－、－OCO－、－OCF₂ －、－CF₂ O－、－CH＝N－N＝CH－、－CH＝CH－、－CF＝CF－或－C≡C－，
X^N21 表示氫原子或氟原子，
T^N31 表示－CH₂ －或氧原子，
n^N11 、n^N12 、n^N21 、n^N22 、n^N31 及n^N32 各自獨立地表示0～3之整數，n^N11 ＋n^N12 、n^N21 ＋n^N22 及n^N31 ＋n^N32 各自獨立地為1、2或3，當A^N11 ～A^N32 、Z^N11 ～Z^N32 存在複數個之情形時，其等可相同或亦可不同）。

本案之聚合性液晶特別是可用於形成主動矩陣驅動用液晶顯示元件。
[發明之效果]

藉由使用本發明之聚合性液晶組成物，可提供一種VA型、IPS型、FFS型、PSA型或PSVA型液晶顯示元件，該液晶顯示元件其製造液晶顯示元件後之液晶組成物的配向可成為目標狀態，且沒有因液晶組成物之配向不良所引起之顯示不良，或因液晶組成物之配向不良所引起之顯示不良被抑制。

本發明之液晶組成物具有負的介電異向性，向列相－等向性液體之轉移溫度為60℃以上，介電異向性之絶對値為1.5以上，含有1種或2種以上選自下述通式（N－1）、（N－2）及（N－3）所表示之化合物群中之化合物。

通式（N－1）、（N－2）及（N－3）所表示之化合物相當於介電性為負之化合物（Δε之符號為負，且其絶對値大於2）。

通式（N－1）、（N－2）及（N－3）所表示之化合物，較佳為Δε為負且其絕對值大於3的化合物。

通式（N－1）、（N－2）及（N－3）中，R^N11 、R^N12 、R^N21 、R^N22 、R^N31 及R^N32 較佳為各自獨立地為碳原子數1～8之烷基、碳原子數1～8之烷氧基、碳原子數2～8之烯基或碳原子數2～8之烯氧基，較佳為碳原子數1～5之烷基、碳原子數1～5之烷氧基、碳原子數2～5之烯基或碳原子數2～5之烯氧基，更佳為碳原子數1～5之烷基或碳原子數2～5之烯基，更佳為碳原子數2～5之烷基或碳原子數2～3之烯基，尤佳為碳原子數3之烯基（丙烯基）。

又，當其所鍵結之環結構為苯基（芳香族）的情形時，較佳為直鏈狀之碳原子數1～5之烷基、直鏈狀之碳原子數1～4之烷氧基及碳原子數4～5之烯基，當其所鍵結之環結構為環己烷、哌喃及二㗁烷等飽和之環結構的情形時，較佳為直鏈狀之碳原子數1～5之烷基、直鏈狀之碳原子數1～4之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2～5之烯基。為了使向列相穩定化，當存在碳原子之情形時氧原子合計較佳在5以下，較佳為直鏈狀。

作為烯基，較佳選自式（R1）至式（R5）中任一者表示之基（各式中之黑點表示環結構中的碳原子）。

當要求增大Δn之情形時，A^N11 、A^N12 、A^N21 、A^N22 、A^N31 及A^N32 較佳為各自獨立地為芳香族，為了改善應答速度，較佳為脂肪族，較佳為表示反式－1,4－伸環己基、1,4－伸苯基、2－氟－1,4－伸苯基、3－氟－1,4－伸苯基、3,5－二氟－1,4－伸苯基、2,3－二氟－1,4－伸苯基、1,4－伸環己烯基、1,4－雙環[2.2.2]伸辛基、哌啶－1,4－二基、萘－2,6－二基、十氫萘－2,6－二基或1,2,3,4－四氫萘－2,6－二基，更佳表示下述之結構，

更佳表示反式－1,4－伸環己基、1,4－伸環己烯基或1,4－伸苯基。

Z^N11 、Z^N12 、Z^N21 、Z^N22 、Z^N31 及Z^N32 較佳為各自獨立地表示－CH₂ O－、－CF₂ O－、－CH₂ CH₂ －、－CF₂ CF₂ －或單鍵，更佳為－CH₂ O－、－CH₂ CH₂ －或單鍵，尤佳為－CH₂ O－或單鍵。

X^N21 較佳為氟原子。

T^N31 較佳為氧原子。

n^N11 ＋n^N12 、n^N21 ＋n^N22 及n^N31 ＋n^N32 較佳為1或2，較佳為n^N11 為1，n^N12 為0之組合；n^N11 為2，n^N12 為0之組合；n^N11 為1，n^N12 為1之組合；n^N11 為2，n^N12 為1之組合；n^N21 為1，n^N22 為0之組合；n^N21 為2，n^N22 為0之組合；n^N31 為1，n^N32 為0之組合；n^N31 為2，n^N32 為0之組合。

於本案中，％於未特別記載之情形時，表示質量％。

相對於本發明之組成物的總量，式（N－1）所表示之化合物較佳含量的下限值為1％，為10％，為20％，為30％，為40％，為50％，為55％，為60％，為65％，為70％，為75％，為80％。較佳含量的上限值為95％，為85％，為75％，為65％，為55％，為45％，為35％，為25％，為20％。

相對於本發明之組成物的總量，式（N－2）所表示之化合物較佳含量的下限值為1％，為10％，為20％，為30％，為40％，為50％，為55％，為60％，為65％，為70％，為75％，為80％。較佳含量的上限值為95％，為85％，為75％，為65％，為55％，為45％，為35％，為25％，為20％。

相對於本發明之組成物的總量，式（N－3）所表示之化合物較佳含量的下限值為1％，為10％，為20％，為30％，為40％，為50％，為55％，為60％，為65％，為70％，為75％，為80％。較佳含量的上限值為95％，為85％，為75％，為65％，為55％，為45％，為35％，為25％，為20％。

於將本發明之組成物的黏度保持得低，需要應答速度快之組成物的情形時，較佳為上述之下限值低且上限值低。並且，於將本發明之組成物的Tni保持得高，需要溫度穩定性佳之組成物的情形時，較佳為上述之下限值低且上限值低。又，為了將驅動電壓保持得低而想要增大介電異向性時，較佳提高上述之下限值，且上限值高。

作為通式（N－1）所表示之化合物，可舉下述通式（N－1a）～（N－1g）所表示之化合物群。

（式中，R^N11 及R^N12 表示與通式（N－1）中之R^N11 及R^N12 相同的意義，n^Na11 表示0或1，n^Nb11 表示1或2，n^Nc11 表示0或1，n^Nd11 表示1或2，n^Ne11 表示1或2，n^N ^f ¹² 表示1或2，n^Ng11 表示1或2，A^Ne11 表示反式－1,4－伸環己基或1,4－伸苯基，A^Ng11 表示反式－1,4－伸環己基、1,4－伸環己烯基或1,4－伸苯基，但至少1個A^Ng11 表示1,4－伸環己烯基，Z^Ne11 表示單鍵或伸乙基（ethylene），但分子內所存在之至少1個Z^Ne11 表示伸乙基，分子內存在之複數個A^Ne11 、Z^Ne11 、及／或A^Ng11 可相同亦可不同）
更具體而言，通式（N－1）所表示之化合物，較佳為選自通式（N－1－1）～（N－1－21）所表示之化合物群中的化合物。

通式（N－1－1）所表示之化合物為下述之化合物。

（式中，R^N111 及R^N112 各自獨立地表示與通式（N－1）中之R^N11 及R^N12 相同的意義）
R^N111 較佳為碳原子數1～5之烷基或碳原子數2～5之烯基，較佳為丙基、戊基或乙烯基。R^N112 較佳為碳原子數1～5之烷基、碳原子數4～5之烯基或碳原子數1～4之烷氧基，較佳為乙氧基或丁氧基。

通式（N－1－1）所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。

當重視改善Δε之情形時，較佳將含量設定得高一些，當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定得高一些，則效果高，當重視T_NI 之情形時，若將含量設定得低一些，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳將含量之範圍設定在中間。

相對於本發明之組成物的總量，式（N－1－1）所表示之化合物較佳含量的下限值為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％，為23％，為25％，為27％，為30％，為33％，為35％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為50％，為40％，為38％，為35％，為33％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％，為10％，為8％，為7％，為6％，為5％，為3％。

並且，通式（N－1－1）所表示之化合物，較佳為選自式（N－1－1.1）至式（N－1－1.23）所表示之化合物群中的化合物，較佳為式（N－1－1.1）～（N－1－1.4）所表示之化合物，較佳為式（N－1－1.1）及式（N－1－1.3）所表示之化合物。

式（N－1－1.1）～（N－1－1.22）所表示之化合物可單獨使用，亦可組合使用，單獨或此等化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％，為23％，為25％，為27％，為30％，為33％，為35％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為50％，為40％，為38％，為35％，為33％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％，為10％，為8％，為7％，為6％，為5％，為3％。

通式（N－1－2）所表示之化合物為下述之化合物。

（式中，R^N121 及R^N122 各自獨立地表示與通式（N－1）中之R^N11 及R^N12 相同的意義）
R^N121 較佳為碳原子數1～5之烷基或碳原子數2～5之烯基，較佳為乙基、丙基、丁基或戊基。R^N122 較佳為碳原子數1～5之烷基、碳原子數4～5之烯基或碳原子數1～4之烷氧基，較佳為甲基、丙基、甲氧基、乙氧基或丙氧基。

通式（N－1－2）所表示之化合物可單獨使用，但亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。

當重視改善Δε之情形時，較佳將含量設定得高一些，當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定得低一些，則效果高，當重視T_NI 之情形時，若將含量設定得高一些，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳將含量之範圍設定在中間。

相對於本發明之組成物的總量，式（N－1－2）所表示之化合物較佳含量的下限值為5％，為7％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％，為23％，為25％，為27％，為30％，為33％，為35％，為37％，為40％，為42％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為50％，為48％，為45％，為43％，為40％，為38％，為35％，為33％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％，為10％，為8％，為7％，為6％，為5％。

並且，通式（N－1－2）所表示之化合物，較佳為選自式（N－1－2.1）至式（N－1－2.22）所表示之化合物群中的化合物，較佳為式（N－1－2.3）至式（N－1－2.7）、式（N－1－2.10）、式（N－1－2.11）、式（N－1－2.13）及式（N－1－2.20）所表示之化合物，當重視改良Δε之情形時，較佳為式（N－1－2.3）至式（N－1－2.7）所表示之化合物，當重視改良T_NI 之情形時，較佳為式（N－1－2.10）、式（N－1－2.11）及式（N－1－2.13）所表示之化合物，當重視改良應答速度之情形時，較佳為式（N－1－2.20）所表示之化合物。

式（N－1－2.1）至式（N－1－2.22）所表示之化合物可單獨使用，亦可組合使用，單獨或此等化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％，為23％，為25％，為27％，為30％，為33％，為35％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為50％，為40％，為38％，為35％，為33％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％，為10％，為8％，為7％，為6％，為5％，為3％。

通式（N－1－3）所表示之化合物為下述之化合物。

（式中，R^N131 及R^N132 各自獨立地表示與通式（N－1）中之R^N11 及R^N12 相同的意義）
R^N131 較佳為碳原子數1～5之烷基或碳原子數2～5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。R^N132 較佳為碳原子數1～5之烷基、碳原子數3～5之烯基或碳原子數1～4之烷氧基，較佳為1－丙烯基、乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式（N－1－3）所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。

當重視改善Δε之情形時，較佳將含量設定得高一些，當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定得高一些，則效果高，當重視T_NI 之情形時，若將含量設定得多一些，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳將含量之範圍設定在中間。

相對於本發明之組成物的總量，式（N－1－3）所表示之化合物較佳含量的下限值為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為35％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％。

並且，通式（N－1－3）所表示之化合物，較佳為選自式（N－1－3.1）至式（N－1－3.21）所表示之化合物群中的化合物，較佳為式（N－1－3.1）～（N－1－3.7）及式（N－1－3.21）所表示之化合物，較佳為式（N－1－3.1）、式（N－1－3.2）、式（N－1－3.3）、式（N－1－3.4）及式（N－1－3.6）所表示之化合物。

式（N－1－3.1）～式（N－1－3.4）、式（N－1－3.6）及式（N－1－3.21）所表示之化合物可單獨使用，亦可組合使用，較佳為式（N－1－3.1）及式（N－1－3.2）之組合或選自式（N－1－3.3）、式（N－1－3.4）及式（N－1－3.6）中之2種或3種的組合。單獨或此等化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為35％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％。

通式（N－1－4）所表示之化合物為下述之化合物。

（式中，R^N141 及R^N142 各自獨立地表示與通式（N－1）中之R^N11 及R^N12 相同的意義）
R^N141 及R^N142 較佳為各自獨立地為碳原子數1～5之烷基、碳原子數4～5之烯基或碳原子數1～4之烷氧基，較佳為甲基、丙基、乙氧基或丁氧基。

通式（N－1－4）所表示之化合物可單獨使用，但亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。

當重視改善Δε的情形時，較佳將含量設定得高一些，當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定得高一些，則效果高，當重視T_NI 之情形時，若將含量設定得低一些，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳將含量之範圍設定在中間。

相對於本發明之組成物的總量，式（N－1－4）所表示之化合物較佳含量的下限值為3％，為5％，為7％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為35％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％，為11％，為10％，為8％。

並且，通式（N－1－4）所表示之化合物，較佳為選自式（N－1－4.1）至式（N－1－4.14）所表示之化合物群中的化合物，較佳為式（N－1－4.1）～（N－1－4.4）所表示之化合物，較佳為式（N－1－4.1）、式（N－1－4.2）及式（N－1－4.4）所表示之化合物。

式（N－1－4.1）～（N－1－4.14）所表示之化合物可單獨使用，亦可組合使用，單獨或此等化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為3％，為5％，為7％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為35％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％，為11％，為10％，為8％。

通式（N－1－5）所表示之化合物為下述之化合物。

（式中，R^N151 及R^N152 各自獨立地表示與通式（N－1）中之R^N11 及R^N12 相同的意義）
R^N151 及R^N152 較佳為各自獨立地為碳原子數1～5之烷基、碳原子數4～5之烯基或碳原子數1～4之烷氧基，較佳為乙基、丙基或丁基。

通式（N－1－5）所表示之化合物可單獨使用，但亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。

當重視Δε之改善的情形時，較佳將含量設定得高一些，當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定得低一些，則效果高，當重視T_NI 之情形時，若將含量設定得高一些，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳將含量之範圍設定在中間。

相對於本發明之組成物的總量，式（N－1－5）所表示之化合物較佳含量的下限值為5％，為8％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為35％，為33％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％。

並且，通式（N－1－5）所表示之化合物，較佳為選自式（N－1－5.1）至式（N－1－5.6）所表示之化合物群中的化合物，較佳為式（N－1－5.1）、式（N－1－5.2）及式（N－1－5.4）所表示之化合物。

式（N－1－5.1）、式（N－1－5.2）及式（N－1－5.4）所表示之化合物可單獨使用，亦可組合使用，單獨或此等化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為5％，為8％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為35％，為33％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％。

通式（N－1－10）所表示之化合物為下述之化合物。

（式中，R^N1101 及R^N1102 各自獨立地表示與通式（N－1）中之R^N11 及R^N12 相同的意義）
R^N1101 較佳為碳原子數1～5之烷基或碳原子數2～5之烯基，較佳為乙基、丙基、丁基、乙烯基或1－丙烯基。R^N1102 較佳為碳原子數1～5之烷基、碳原子數4～5之烯基或碳原子數1～4之烷氧基，較佳為乙氧基，丙氧基或丁氧基。

通式（N－1－10）所表示之化合物可單獨使用，但亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。

相對於本發明之組成物的總量，式（N－1－10）所表示之化合物較佳含量的下限值為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為35％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％。

並且，通式（N－1－10）所表示之化合物，較佳為選自式（N－1－10.1）至式（N－1－10.14）所表示之化合物群中的化合物，較佳為式（N－1－10.1）～（N－1－10.5）所表示之化合物，較佳為式（N－1－10.1）及式（N－1－10.2）所表示之化合物。

式（N－1－10.1）及式（N－1－10.2）所表示之化合物可單獨使用，亦可組合使用，單獨或此等化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為35％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％。

通式（N－1－11）所表示之化合物為下述之化合物。

（式中，R^N1111 及R^N1112 各自獨立地表示與通式（N－1）中之R^N11 及R^N12 相同的意義）
R^N1111 較佳為碳原子數1～5之烷基或碳原子數2～5之烯基，較佳為乙基、丙基、丁基、乙烯基或1－丙烯基。R^N1112 較佳為碳原子數1～5之烷基、碳原子數4～5之烯基或碳原子數1～4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式（N－1－11）所表示之化合物可單獨使用，但亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。

相對於本發明之組成物的總量，式（N－1－11）所表示之化合物較佳含量的下限值為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為35％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％。

並且，通式（N－1－11）所表示之化合物，較佳為選自式（N－1－11.1）至式（N－1－11.14）所表示之化合物群中的化合物，較佳為式（N－1－11.1）～（N－1－11.14）所表示之化合物，較佳為式（N－1－11.2）及式（N－1－11.4）所表示之化合物。

式（N－1－11.2）及式（N－1－11.4）所表示之化合物可單獨使用，亦可組合使用，單獨或此等化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為35％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％。

通式（N－1－12）所表示之化合物為下述之化合物。

（式中，R^N1121 及R^N1122 各自獨立地表示與通式（N－1）中之R^N11 及R^N12 相同的意義）
R^N1121 較佳為碳原子數1～5之烷基或碳原子數2～5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。R^N1122 較佳為碳原子數1～5之烷基、碳原子數4～5之烯基或碳原子數1～4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式（N－1－12）所表示之化合物可單獨使用，但亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。

相對於本發明之組成物的總量，式（N－1－12）所表示之化合物較佳含量的下限值為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為35％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％。

通式（N－1－13）所表示之化合物為下述之化合物。

（式中，R^N1131 及R^N1132 各自獨立地表示與通式（N－1）中之R^N11 及R^N12 相同的意義）
R^N1131 較佳為碳原子數1～5之烷基或碳原子數2～5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。R^N1132 較佳為碳原子數1～5之烷基、碳原子數4～5之烯基或碳原子數1～4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式（N－1－13）所表示之化合物可單獨使用，或亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。

當重視改善Δε之情形時，較佳將含量設定得高一些，當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定得高一些，則效果高，當重視T_NI 之情形時，若將含量設定得高一些，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳將含量之範圍設定在中間。

相對於本發明之組成物的總量，式（N－1－13）所表示之化合物較佳含量的下限值為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為35％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％。

通式（N－1－14）所表示之化合物為下述之化合物。

（式中，R^N1141 及R^N1142 各自獨立地表示與通式（N－1）中之R^N11 及R^N12 相同的意義）
R^N1141 較佳為碳原子數1～5之烷基或碳原子數2～5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。R^N1142 較佳為碳原子數1～5之烷基、碳原子數4～5之烯基或碳原子數1～4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式（N－1－14）所表示之化合物可單獨使用，但亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。

相對於本發明之組成物的總量，式（N－1－14）所表示之化合物較佳含量的下限值為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為35％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％。

通式（N－1－15）所表示之化合物為下述之化合物。

（式中，R^N1151 及R^N1152 各自獨立地表示與通式（N－1）中之R^N11 及R^N12 相同的意義）
R^N1151 較佳為碳原子數1～5之烷基或碳原子數2～5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。R^N1152 較佳為碳原子數1～5之烷基、碳原子數4～5之烯基或碳原子數1～4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式（N－1－15）所表示之化合物可單獨使用，但亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。

相對於本發明之組成物的總量，式（N－1－15）所表示之化合物較佳含量的下限值為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為35％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％。

通式（N－1－16）所表示之化合物為下述之化合物。

（式中，R^N1161 及R^N1162 各自獨立地表示與通式（N－1）中之R^N11 及R^N12 相同的意義）
R^N1161 較佳為碳原子數1～5之烷基或碳原子數2～5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。R^N1162 較佳為碳原子數1～5之烷基、碳原子數4～5之烯基或碳原子數1～4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式（N－1－16）所表示之化合物可單獨使用，但亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。

相對於本發明之組成物的總量，式（N－1－16）所表示之化合物較佳含量的下限值為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為35％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％。

通式（N－1－17）所表示之化合物為下述之化合物。

（式中，R^N1171 及R^N1172 各自獨立地表示與通式（N－1）中之R^N11 及R^N12 相同的意義）
R^N1171 較佳為碳原子數1～5之烷基或碳原子數2～5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。R^N1172 較佳為碳原子數1～5之烷基、碳原子數4～5之烯基或碳原子數1～4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式（N－1－17）所表示之化合物可單獨使用，但亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。

相對於本發明之組成物的總量，式（N－1－17）所表示之化合物較佳含量的下限值為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為35％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％。

通式（N－1－18）所表示之化合物為下述之化合物。

（式中，R^N1181 及R^N1182 各自獨立地表示與通式（N－1）中之R^N11 及R^N12 相同的意義）
R^N1181 較佳為碳原子數1～5之烷基或碳原子數2～5之烯基，較佳為甲基、乙基、丙基或丁基。R^N1182 較佳為碳原子數1～5之烷基、碳原子數4～5之烯基或碳原子數1～4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式（N－1－18）所表示之化合物可單獨使用，但亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。

相對於本發明之組成物的總量，式（N－1－18）所表示之化合物較佳含量的下限值為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為35％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％。

並且，通式（N－1－18）所表示之化合物，較佳為選自式（N－1－18.1）至式（N－1－18.5）所表示之化合物群中的化合物，較佳為式（N－1－18.1）～（N－1－18.3）所表示之化合物，較佳為式（N－1－18.2）及式（N－1－18.3）所表示之化合物。

通式（N－1－20）所表示之化合物為下述之化合物。

（式中，R^N1201 及R^N1202 各自獨立地表示與通式（N－1）中之R^N11 及R^N12 相同的意義）
R^N1201 及R^N1202 較佳為各自獨立地為碳原子數1～5之烷基或碳原子數2～5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。

通式（N－1－20）所表示之化合物可單獨使用，但亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。

相對於本發明之組成物的總量，式（N－1－20）所表示之化合物較佳含量的下限值為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為35％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％。

通式（N－1－21）所表示之化合物為下述之化合物。

（式中，R^N1211 及R^N1212 各自獨立地表示與通式（N－1）中之R^N11 及R^N12 相同的意義）
R^N1211 及R^N1212 較佳為各自獨立地為碳原子數1～5之烷基或碳原子數2～5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。

通式（N－1－21）所表示之化合物可單獨使用，但亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。

當重視改善Δε的情形時，較佳將含量設定得高一些，當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定得高一些，則效果高，當重視T_NI 之情形時，若將含量設定得多一些，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳將含量之範圍設定在中間。

相對於本發明之組成物的總量，式（N－1－21）所表示之化合物較佳含量的下限值為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為35％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％。

通式（N－1－22）所表示之化合物為下述之化合物。

（式中，R^N1221 及R^N1222 各自獨立地表示與通式（N－1）中之R^N11 及R^N12 相同的意義）
R^N1221 及R^N1222 較佳為各自獨立地為碳原子數1～5之烷基或碳原子數2～5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。

通式（N－1－22）所表示之化合物可單獨使用，但亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。

相對於本發明之組成物的總量，式（N－1－22）所表示之化合物較佳含量的下限值為1％，為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為35％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％，為10％，為5％。

並且，通式（N－1－22）所表示之化合物，較佳為選自式（N－1－22.1）至式（N－1－22.12）所表示之化合物群中的化合物，較佳為式（N－1－22.1）～（N－1－22.5）所表示之化合物，較佳為式（N－1－22.1）～（N－1－22.4）所表示之化合物。

通式（N－3）所表示之化合物，較佳為選自通式（N－3－2）所表示之化合物群中的化合物。

（式中，R^N321 及R^N322 各自獨立地表示與通式（N－3）中之R^N11 及R^N12 相同的意義）
R^N321 及R^N322 較佳為碳原子數1～5之烷基或碳原子數2～5之烯基，較佳為丙基或戊基。

通式（N－3－2）所表示之化合物可單獨使用，但亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。

當重視改善Δε的情形時，較佳將含量設定得高一些，當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定得高一些，則效果高，當重視T_NI 之情形時，若將含量設定得高一些，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳將含量之範圍設定在中間。

相對於本發明之組成物的總量，式（N－3－2）所表示之化合物較佳含量的下限值為3％，為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％，為23％，為25％，為27％，為30％，為33％，為35％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為50％，為40％，為38％，為35％，為33％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％，為10％，為8％，為7％，為6％，為5％。

並且，通式（N－3－2）所表示之化合物，較佳為選自式（N－3－2.1）至式（N－3－2.3）所表示之化合物群中的化合物。

液晶組成物中所含有之「通式（N－1）、（N－2）及（N－3）所表示之化合物中，Z^N11 、Z^N12 、Z^N21 、Z^N22 、Z^N31 及Z^N32 為單鍵」之化合物之合計含量相對於通式（N－1）、（N－2）及（N－3）所表示之化合物之合計含量，較佳為5～50質量％，於液晶組成物中所含有之「通式（N－1）所表示之化合物中，Z^N11 、Z^N12 、Z^N21 、Z^N22 、Z^N31 及Z^N32 為單鍵」之化合物之合計含量相對於通式（N－1）、（N－2）及（N－3）所表示之化合物之合計含量，較佳為5～50質量％。

作為Z^N11 及Z^N12 為單鍵之通式（N－1）所表示之化合物，較佳為通式（N－1a）、（N－1b）、（N－1c）及（N－1g）所表示之化合物，較佳為（N－1a）、（N－1b）及（N－1c）所表示之化合物。

又，較佳為通式（N－1－1）、（N－1－2）、（N－1－3）、（N－1－4）、（N－1－5）及（N－1－22）所表示之化合物，較佳為通式（N－1－1）、（N－1－2）、（N－1－3）、（N－1－4）及（N－1－5）所表示之化合物。

介電異向性為負之化合物的合計含量中之通式（N－1）、（N－2）及（N－3）所表示之化合物的合計含量較佳為80％以上，較佳為85％以上，較佳為87％以上，較佳為90％以上，較佳為93％以上，較佳為96％以上，較佳為98％以上，較佳為實質上100％以上。「實質上」是指：除了在製造時非意圖地含有之雜質等之化合物以外。

液晶組成物中所含有之「通式（N－1）、（N－2）及（N－3）所表示之化合物中之Z^N11 、Z^N12 、Z^N21 、Z^N22 、Z^N31 及Z^N32 為單鍵」之化合物之合計含量相對於通式（N－1）、（N－2）及（N－3）所表示之化合物之合計含量，較佳為50～100％，較佳為60～100％，較佳為65～95％，較佳為70～90％。

液晶組成物中所含有之「通式（N－1）所表示之化合物中之Z^N11 及Z^N12 為單鍵」之化合物之合計含量相對於通式（N－1）、（N－2）及（N－3）所表示之化合物之合計含量，較佳為50～100％，較佳為60～100％，較佳為65～95％，較佳為70～90％。

液晶組成物中所含有之通式（N－1a）、（N－1b）、（N－1c）及（N－1g）所表示之化合物之合計含量相對於通式（N－1）、（N－2）及（N－3）所表示之化合物之合計含量，較佳為50～100％，較佳為60～100％，較佳為65～95％，較佳為70～90％。

液晶組成物中所含有之通式（N－1－1）、（N－1－2）、（N－1－3）及（N－1－4）所表示之化合物之合計含量相對於通式（N－1）、（N－2）及（N－3）所表示之化合物之合計含量，較佳為50～100％，較佳為60～100％，較佳為65～95％，較佳為70～90％。

「通式（N－1）、（N－2）及（N－3）所表示之化合物中之Z^N11 、Z^N12 、Z^N21 、Z^N22 、Z^N31 及Z^N32 為單鍵之化合物之含量」相對於「通式（N－1）、（N－2）及（N－3）所表示之化合物之合計含量」、「通式（N－1）所表示之化合物中之Z^N11 及Z^N12 為單鍵之化合物之含量」相對於「通式（N－1）、（N－2）及（N－3）所表示之化合物之合計含量」、「通式（N－1a）、（N－1b）、（N－1c）及（N－1g）所表示之化合物之含量」相對於「通式（N－1）、（N－2）及（N－3）所表示之化合物之合計含量」、及「通式（N－1－1）、（N－1－2）、（N－1－3）及（N－1－4）所表示之化合物之含量」相對於「通式（N－1）、（N－2）及（N－3）所表示之化合物之合計含量」的較佳下限値為50％，為60％，為65％，為70％。同樣地，較佳之上限値為100％，為98％，為95％，為93％，為91％，為90％。

藉由調整上述含量，在使用本案發明之液晶組成物而製作液晶顯示元件時，本發明之液晶組成物較佳含有1種或2種以上通式（L）所表示的化合物。通式（L）所表示之化合物相當於介電性大致為中性的化合物（Δε之值為－2～2）。因此，將分子內所具有之鹵素等極性基的個數設為2個以下者為較佳，設為1個以下者為較佳，不具有者為較佳。

（式中，R^L1 及R^L2 各自獨立地表示碳原子數1～8之烷基，該烷基中之1個或未鄰接之2個以上的－CH₂ －亦可各自獨立地被－CH＝CH－、－C≡C－、－O－、－CO－、－COO－或－OCO－取代，
n^L1 表示0、1、2或3，
A^L1 、A^L2 及A^L3 各自獨立地表示選自由下述（a）、（b）、（c）組成之群中的基：
（a）1,4－伸環己基（存在於此基中之1個－CH₂ －或未鄰接之2個以上的－CH₂ －可被取代成－O－）
（b）1,4－伸苯基（存在於此基中之1個－CH＝或未鄰接之2個以上的－CH＝可被取代成－N＝）及
（c）萘－2,6－二基、1,2,3,4－四氫萘－2,6－二基或十氫萘－2,6－二基（存在於萘－2,6－二基或1,2,3,4－四氫萘－2,6－二基中之1個－CH＝或未鄰接之2個以上的－CH＝可被取代成－N＝），
上述之基（a）、基（b）及基（c）亦可各自獨立地被氰基、氟原子或氯原子取代，
Z^L1 及Z^L2 各自獨立地表示單鍵、－CH₂ CH₂ －、－（CH₂ ）₄ －、－OCH₂ －、－CH₂ O－、－COO－、－OCO－、－OCF₂ －、－CF₂ O－、－CH＝N－N＝CH－、－CH＝CH－、－CF＝CF－或－C≡C－，
當n^L1 為2或3而存在複數個A^L2 之情形時，其等可相同或亦可不同，當n^L1 為2或3而存在複數個Z^L3 之情形時，其等可相同或亦可不同，但不包括通式（N－1）、（N－2）及（N－3）所表示之化合物）
通式（L）所表示之化合物可單獨使用，但亦可組合使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等想要的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種。或者於本發明之其他實施形態為2種，為3種，為4種，為5種，為6種，為7種，為8種，為9種，為10種以上。

於本發明之組成物中，通式（L）所表示之化合物的含量，必須根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率、製程相容性、滴痕、殘影、介電異向性等所要求的性能作適當調整。

相對於本發明之組成物的總量，式（L）所表示之化合物較佳含量的下限值為1％，為10％，為20％，為30％，為40％，為50％，為55％，為60％，為65％，為70％，為75％，為80％。較佳含量的上限值為95％，為85％，為75％，為65％，為55％，為45％，為35％，為25％。

於將本發明之組成物的黏度保持得低，需要應答速度快之組成物的情形時，較佳為上述之下限值高且上限值高。並且，於將本發明之組成物的Tni保持得高，需要溫度穩定性佳之組成物的情形時，較佳為上述之下限值高且上限值高。又，為了將驅動電壓保持得低而想要增大介電異向性時，較佳降低上述之下限值，且上限值低。

當重視可靠性之情形時，R^L1 及R^L2 較佳均為烷基，當重視降低化合物之揮發性的情形時，較佳為烷氧基，當重視黏性之降低的情形時，較佳至少一者為為烯基。

存在於分子內之鹵素原子較佳為0、1、2或3個，較佳為0或1，當重視與其他液晶分子之相溶性的情形時，較佳為1。

關於R^L1 及R^L2 ，當其所鍵結之環結構為苯基（芳香族）的情形時，較佳為各自獨立地為直鏈狀之碳原子數1～5之烷基、直鏈狀之碳原子數1～4之烷氧基及碳原子數4～5之烯基，當其所鍵結之環結構為環己烷、哌喃及二㗁烷等飽和之環結構的情形時，較佳為各自獨立地為直鏈狀之碳原子數1～5之烷基、直鏈狀之碳原子數1～4之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2～5之烯基。為了使向列相穩定化，當存在碳原子之情形時氧原子合計較佳在5以下，較佳為直鏈狀。

作為烯基，較佳為選自式（R1）至式（R5）中任一者表示之基（各式中之黑點表示環結構中的碳原子）。

當n^L1 重視應答速度之情形時，較佳為0，為了改善向列相之上限溫度，較佳為2或3，為了取得此等之平衡，較佳為1。又，為了滿足所求之特性，較佳將不同之值的化合物組合作為組成物。

當要求增大Δn之情形時，A^L1 、A^L2 及A^L3 較佳為芳香族，為了改善應答速度，較佳為脂肪族，較佳各自獨立地表示反式－1,4－伸環己基、1,4－伸苯基、2－氟－1,4－伸苯基、3－氟－1,4－伸苯基、3,5－二氟－1,4－伸苯基、1,4－伸環己烯基、1,4－雙環[2.2.2]伸辛基、哌啶－1,4－二基、萘－2,6－二基、十氫萘－2,6－二基或1,2,3,4－四氫萘－2,6－二基，更佳表示下述之結構，

更佳表示反式－1,4－伸環己基或1,4－伸苯基。

當Z^L1 及Z^L2 重視應答速度之情形時，較佳為單鍵。

通式（L）所表示之化合物，分子內之鹵素原子數較佳為0個或1個。

通式（L）所表示之化合物，較佳為選自通式（L－1）～（L－7）所表示之化合物群中的化合物。

通式（L－1）所表示之化合物為下述之化合物。

（式中，R^L11 及R^L12 各自獨立地表示與通式（L）中之R^L1 及R^L2 相同的意義）
R^L11 及R^L12 較佳為直鏈狀之碳原子數1～5之烷基、直鏈狀之碳原子數1～4之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2～5之烯基。

通式（L－1）所表示之化合物可單獨使用，或亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。

相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的下限值為1％，為2％，為3％，為5％，為7％，為10％，為15％，為20％，為25％，為30％，為35％，為40％，為45％，為50％，為55％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為95％，為90％，為85％，為80％，為75％，為70％，為65％，為60％，為55％，為50％，為45％，為40％，為35％，為30％，為25％。

於將本發明之組成物的黏度保持得低，需要應答速度快之組成物的情形時，較佳為上述之下限值高且上限值高。並且，於將本發明之組成物的Tni保持得高，需要溫度穩定性佳之組成物的情形時，較佳為上述之下限值為中間值，且上限值為中間值。又，為了將驅動電壓保持得低而想要增大介電異向性時，較佳為上述之下限值低且上限值低。

通式（L－1）所表示之化合物，較佳為選自通式（L－1－1）所表示之化合物群中的化合物。

（式中，R^L12 表示與通式（L－1）中之意義相同的意義）
通式（L－1－1）所表示之化合物，較佳為選自式（L－1－1.1）至式（L－1－1.3）所表示之化合物群中的化合物，較佳為式（L－1－1.2）或式（L－1－1.3）所表示之化合物，尤其較佳為式（L－1－1.3）所表示之化合物。

相對於本發明之組成物的總量，式（L－1－1.3）所表示之化合物較佳含量的下限值為1％，為2％，為3％，為5％，為7％，為10％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為20％，為15％，為13％，為10％，為8％，為7％，為6％，為5％，為3％。

通式（L－1）所表示之化合物，較佳為選自通式（L－1－2）所表示之化合物群中的化合物。

（式中，R^L12 表示與通式（L－1）中之意義相同的意義）
相對於本發明之組成物的總量，式（L－1－2）所表示之化合物較佳含量的下限值為1％，為5％，為10％，為15％，為17％，為20％，為23％，為25％，為27％，為30％，為35％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為60％，為55％，為50％，為45％，為42％，為40％，為38％，為35％，為33％，為30％。

並且，通式（L－1－2）所表示之化合物，較佳為選自式（L－1－2.1）至式（L－1－2.4）所表示之化合物群中的化合物，較佳為式（L－1－2.2）至式（L－1－2.4）所表示之化合物。尤其是式（L－1－2.2）所表示之化合物，由於特別改善本發明之組成物的應答速度，故較佳。又，要求較應答速度高之Tni時，較佳使用式（L－1－2.3）或式（L－1－2.4）所表示之化合物。式（L－1－2.3）及式（L－1－2.4）所表示之化合物的含量，不建議為了使於低溫之溶解度良好而設在30％以上。

相對於本發明之組成物的總量，式（L－1－2.2）所表示之化合物較佳含量的下限值為10％，為15％，為18％，為20％，為23％，為25％，為27％，為30％，為33％，為35％，為38％，為40％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為60％，為55％，為50％，為45％，為43％，為40％，為38％，為35％，為32％，為30％，為27％，為25％，為22％。

相對於本發明之組成物的總量，式（L－1－1.3）所表示之化合物及式（L－1－2.2）所表示之化合物之合計的較佳含量下限值為10％，為15％，為20％，為25％，為27％，為30％，為35％，為40％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為60％，為55％，為50％，為45％，為43％，為40％，為38％，為35％，為32％，為30％，為27％，為25％，為22％。

通式（L－1）所表示之化合物，較佳為選自通式（L－1－3）所表示之化合物群中的化合物。

（式中，R^L13 及R^L14 各自獨立地表示碳原子數1～8之烷基或碳原子數1～8之烷氧基）
R^L13 及R^L14 較佳為直鏈狀之碳原子數1～5之烷基、直鏈狀之碳原子數1～4之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2～5之烯基。

相對於本發明之組成物的總量，式（L－1－3）所表示之化合物較佳含量的下限值為1％，為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％，為23％，為25％，為30％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為60％，為55％，為50％，為45％，為40％，為37％，為35％，為33％，為30％，為27％，為25％，為23％，為20％，為17％，為15％，為13％，為10％。
並且，通式（L－1－3）所表示之化合物，較佳為選自式（L－1－3.1）至式（L－1－3.13）所表示之化合物群中的化合物，較佳為式（L－1－3.1）、式（L－1－3.3）或式（L－1－3.4）所表示之化合物。尤其是式（L－1－3.1）所表示之化合物，由於特別改善本發明之組成物的應答速度，故較佳。又，相較於應答速度，更要求高Tni時，較佳使用式（L－1－3.3）、式（L－1－3.4）、式（L－1－3.11）及式（L－1－3.12）所表示之化合物。式（L－1－3.3）、式（L－1－3.4）、式（L－1－3.11）及式（L－1－3.13）所表示之化合物的合計含量，不建議為了使於低溫之溶解度良好而設在20％以上。

相對於本發明之組成物的總量，式（L－1－3.1）所表示之化合物較佳含量的下限值為1％，為2％，為3％，為5％，為7％，為10％，為13％，為15％，為18％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為20％，為17％，為15％，為13％，為10％，為8％，為7％，為6％。

通式（L－1）所表示之化合物，較佳為選自通式（L－1－4）及／或（L－1－5）所表示之化合物群中的化合物。

（式中，R^L15 及R^L16 各自獨立地表示碳原子數1～8之烷基或碳原子數1～8之烷氧基）
R^L15 及R^L16 較佳為直鏈狀之碳原子數1～5之烷基、直鏈狀之碳原子數1～4之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2～5之烯基。

相對於本發明之組成物的總量，式（L－1－4）所表示之化合物較佳含量的下限值為1％，為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為25％，為23％，為20％，為17％，為15％，為13％，為10％。

相對於本發明之組成物的總量，式（L－1－5）所表示之化合物較佳含量的下限值為1％，為5％，為10％，為13％，為15％，為17％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為25％，為23％，為20％，為17％，為15％，為13％，為10％。

並且，通式（L－1－4）及（L－1－5）所表示之化合物，較佳為選自式（L－1－4.1）至式（L－1－5.3）所表示之化合物群中的化合物，較佳為式（L－1－4.2）或式（L－1－5.2）所表示之化合物。

相對於本發明之組成物的總量，式（L－1－4.2）所表示之化合物較佳含量的下限值為1％，為2％，為3％，為5％，為7％，為10％，為13％，為15％，為18％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為20％，為17％，為15％，為13％，為10％，為8％，為7％，為6％。

較佳組合選自式（L－1－1.3）、式（L－1－2.2）、式（L－1－3.1）、式（L－1－3.3）、式（L－1－3.4）、式（L－1－3.11）及式（L－1－3.12）所表示之化合物中之2種以上的化合物，較佳組合選自式（L－1－1.3）、式（L－1－2.2）、式（L－1－3.1）、式（L－1－3.3）、式（L－1－3.4）及式（L－1－4.2）所表示之化合物中之2種以上的化合物，此等化合物之合計含量之較佳含量的下限值，相對於本發明之組成物總量，為1％，為2％，為3％，為5％，為7％，為10％，為13％，為15％，為18％，為20％，為23％，為25％，為27％，為30％，為33％，為35％，關於上限值，相對於本發明之組成物總量，為80％，為70％，為60％，為50％，為45％，為40％，為37％，為35％，為33％，為30％，為28％，為25％，為23％，為20％。當重視組成物之可靠性的情形時，較佳組合選自式（L－1－3.1）、式（L－1－3.3）及式（L－1－3.4））所表示之化合物中之2種以上的化合物，當重視組成物之應答速度的情形時，較佳組合選自式（L－1－1.3）、式（L－1－2.2）所表示之化合物中之2種以上的化合物。
通式（L－1）所表示之化合物，較佳為選自通式（L－1－6）所表示之化合物群中的化合物。

（式中，R^L17 及R^L18 各自獨立地表示甲基或氫原子）
相對於本發明之組成物的總量，式（L－1－6）所表示之化合物較佳含量的下限值為1％，為5％，為10％，為15％，為17％，為20％，為23％，為25％，為27％，為30％，為35％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為60％，為55％，為50％，為45％，為42％，為40％，為38％，為35％，為33％，為30％。

並且，通式（L－1－6）所表示之化合物，較佳為選自式（L－1－6.1）至式（L－1－6.3）所表示之化合物群中的化合物。

通式（L－2）所表示之化合物為下述之化合物。

（式中，R^L21 及R^L22 各自獨立地表示與通式（L）中之R^L1 及R^L2 相同的意義）
R^L21 較佳為碳原子數1～5之烷基或碳原子數2～5之烯基，R^L22 較佳為碳原子數1～5之烷基、碳原子數4～5之烯基或碳原子數1～4之烷氧基。

通式（L－2）所表示之化合物可單獨使用，或亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。

當重視於低溫之溶解性的情形時，若將含量設定得高一些，則效果高，相反地，當重視應答速度之情形時，若將含量設定得低一些，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳將含量之範圍設定在中間。

相對於本發明之組成物的總量，式（L－2）所表示之化合物較佳含量的下限值為1％，為2％，為3％，為5％，為7％，為10％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為20％，為15％，為13％，為10％，為8％，為7％，為6％，為5％，為3％。

並且，通式（L－2）所表示之化合物，較佳為選自式（L－2.1）至式（L－2.6）所表示之化合物群中的化合物，較佳為式（L－2.1）、式（L－2.3）、式（L－2.4）及式（L－2.6）所表示之化合物。

通式（L－3）所表示之化合物為下述之化合物。

（式中，R^L31 及R^L32 各自獨立地表示與通式（L）中之R^L1 及R^L2 相同的意義）
R^L31 及R^L32 較佳為各自獨立地為碳原子數1～5之烷基、碳原子數4～5之烯基或碳原子數1～4之烷氧基。

通式（L－3）所表示之化合物可單獨使用，或亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。

相對於本發明之組成物的總量，式（L－3）所表示之化合物較佳含量的下限值為1％，為2％，為3％，為5％，為7％，為10％。相對於本發明之組成物的總量，較佳含量的上限值為20％，為15％，為13％，為10％，為8％，為7％，為6％，為5％，為3％。

當得到高雙折射率的情形時，若將含量設定得高一些，則效果高，相反地，當重視高Tni之情形時，若將含量設定得低一些，則效果高。並且，當改良滴痕或殘影特性之情形時，較佳將含量之範圍設定在中間。

並且，通式（L－3）所表示之化合物，較佳為選自式（L－3.1）至式（L－3.7）所表示之化合物群中的化合物，較佳為式（L－3.2）至式（L－3.5）所表示之化合物。

通式（L－4）所表示之化合物為下述之化合物。

（式中，R^L41 及R^L42 各自獨立地表示與通式（L）中之R^L1 及R^L2 相同的意義）
R^L41 較佳為碳原子數1～5之烷基或碳原子數2～5之烯基，R^L42 較佳為碳原子數1～5之烷基、碳原子數4～5之烯基或碳原子數1～4之烷氧基。
通式（L－4）所表示之化合物可單獨使用，但亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。

於本發明之組成物中，通式（L－4）所表示之化合物的含量，必須根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率、製程相容性、滴痕、殘影、介電異向性等所要求的性能作適當調整。

相對於本發明之組成物的總量，式（L－4）所表示之化合物較佳含量的下限值為1％，為2％，為3％，為5％，為7％，為10％，為14％，為16％，為20％，為23％，為26％，為30％，為35％，為40％。相對於本發明之組成物的總量，式（L－4）所表示之化合物之較佳含量的上限值為50％，為40％，為35％，為30％，為20％，為15％，為10％，為5％。

通式（L－4）所表示之化合物，例如較佳為式（L－4.1）至式（L－4.3）所表示之化合物。

可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能，可含有式（L－4.1）所表示之化合物，或可含有式（L－4.2）所表示之化合物，或可含有式（L－4.1）所表示之化合物與式（L－4.2）所表示之化合物兩者，或亦可含有所有式（L－4.1）至式（L－4.3）所表示之化合物。相對於本發明之組成物的總量，式（L－4.1）或式（L－4.2）所表示之化合物較佳含量的下限值為3％，為5％，為7％，為9％，為11％，為12％，為13％，為18％，為21％，較佳上限值為45％，為40％，為35％，為30％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％，為10％，為8％。

當含有式（L－4.1）所表示之化合物與式（L－4.2）所表示之化合物兩者的情形時，兩化合物相對於本發明之組成物總量之較佳含量的下限值為15％，為19％，為24％，為30％，較佳上限值為45％，為40％，為35％，為30％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％。

通式（L－4）所表示之化合物，例如較佳為式（L－4.4）至式（L－4.6）所表示之化合物，較佳為式（L－4.4）所表示之化合物。

可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能，可含有式（L－4.4）所表示之化合物，或可含有式（L－4.5）所表示之化合物，或亦可含有式（L－4.4）所表示之化合物與式（L－4.5）所表示之化合物兩者。

相對於本發明之組成物的總量，式（L－4.4）或式（L－4.5）所表示之化合物較佳含量的下限值為3％，為5％，為7％，為9％，為11％，為12％，為13％，為18％，為21％。較佳上限值為45％，為40％，為35％，為30％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％，為10％，為8％。

當含有式（L－4.4）所表示之化合物與式（L－4.5）所表示之化合物兩者的情形時，兩化合物相對於本發明之組成物總量之較佳含量的下限值為15％，為19％，為24％，為30％，較佳上限值為45％，為40％，為35％，為30％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為13％。

通式（L－4）所表示之化合物，較佳為式（L－4.7）至式（L－4.10）所表示之化合物，尤其較佳為式（L－4.9）所表示之化合物。

通式（L－5）所表示之化合物為下述之化合物。

（式中，R^L51 及R^L52 各自獨立地表示與通式（L）中之R^L1 及R^L2 相同的意義）
R^L51 較佳為碳原子數1～5之烷基或碳原子數2～5之烯基，R^L52 較佳為碳原子數1～5之烷基、碳原子數4～5之烯基或碳原子數1～4之烷氧基。

通式（L－5）所表示之化合物可單獨使用，或亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。

於本發明之組成物中，通式（L－5）所表示之化合物的含量，必須根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率、製程相容性、滴痕、殘影、介電異向性等所要求的性能作適當調整。

相對於本發明之組成物的總量，式（L－5）所表示之化合物較佳含量的下限值為1％，為2％，為3％，為5％，為7％，為10％，為14％，為16％，為20％，為23％，為26％，為30％，為35％，為40％。相對於本發明之組成物的總量，式（L－5）所表示之化合物之較佳含量的上限值為50％，為40％，為35％，為30％，為20％，為15％，為10％，為5％。
通式（L－5）所表示之化合物，較佳為式（L－5.1）或式（L－5.2）所表示之化合物，尤其較佳為式（L－5.1）所表示之化合物。

此等化合物相對於本發明之組成物總量的較佳含量之下限值為1％，為2％，為3％，為5％，為7％。此等化合物之較佳含量的上限值為20％，為15％，為13％，為10％，為9％。

通式（L－5）所表示之化合物，較佳為式（L－5.3）或式（L－5.4）所表示之化合物。

通式（L－5）所表示之化合物，較佳為選自式（L－5.5）至式（L－5.7）所表示之化合物群中的化合物，尤其較佳為式（L－5.7）所表示之化合物。

通式（L－6）所表示之化合物為下述之化合物。

（式中，R^L61 及R^L62 各自獨立地表示與通式（L）中之R^L1 及R^L2 相同的意義，X^L61 及X^L62 各自獨立地表示氫原子或氟原子）
R^L61 及R^L62 較佳為各自獨立地為碳原子數1～5之烷基或碳原子數2～5之烯基，較佳為X^L61 及X^L62 中之一者為氟原子，另一者為氫原子。

通式（L－6）所表示之化合物可單獨使用，或亦可組合2種以上之化合物使用。可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能適當組合使用。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種，為5種以上。

相對於本發明之組成物的總量，式（L－6）所表示之化合物較佳含量的下限值為1％，為2％，為3％，為5％，為7％，為10％，為14％，為16％，為20％，為23％，為26％，為30％，為35％，為40％。相對於本發明之組成物的總量，式（L－6）所表示之化合物之較佳含量的上限值為50％，為40％，為35％，為30％，為20％，為15％，為10％，為5％。當重點在於增大Δn之情形時，以增多含量為較佳，當重點在於低溫之析出的情形時，含量以較少為佳。

通式（L－6）所表示之化合物，較佳為式（L－6.1）至式（L－6.9）所表示之化合物。

可組合之化合物的種類並沒有特別限制，較佳自此等化合物之中含有1種～3種，更佳含有1種～4種。又，由於所選擇之化合物的分子量分布廣亦對溶解性有效，故較佳例如自式（L－6.1）或（L－6.2）所表示之化合物選擇1種化合物，自式（L－6.4）或（L－6.5）所表示之化合物選擇1種化合物，自式（L－6.6）或式（L－6.7）所表示之化合物選擇1種化合物，自式（L－6.8）或（L－6.9）所表示之化合物選擇1種化合物，再適當將此等加以組合。其中，較佳含有式（L－6.1）、式（L－6.3）、式（L－6.4）、式（L－6.6）及式（L－6.9）所表示之化合物。

並且，通式（L－6）所表示之化合物，例如較佳為式（L－6.10）至式（L－6.17）所表示之化合物，其中，較佳為式（L－6.11）所表示之化合物。

通式（L－7）所表示之化合物為下述之化合物。

（式中，R^L71 及R^L72 各自獨立地表示與通式（L）中之R^L1 及R^L2 相同的意義，A^L71 及A^L72 各自獨立地表示與通式（L）中之A^L2 及A^L3 相同的意義，A^L71 及A^L72 上之氫原子亦可各自獨立地氟原子取代，Z^L71 表示與通式（L）中之Z^L2 相同的意義，X^L71 及X^L72 各自獨立地表示氟原子或氫原子）
式中，R^L71 及R^L72 較佳為各自獨立地為碳原子數1～5之烷基、碳原子數2～5之烯基或碳原子數1～4之烷氧基，A^L71 及A^L72 較佳為各自獨立地為1,4－伸環己基或1,4－伸苯基，A^L71 及A^L72 上之氫原子亦可各自獨立地被氟原子取代，Z^L71 較佳為單鍵或－COO－，較佳為單鍵，X^L71 及X^L72 較佳為氫原子。

可組合之化合物的種類並沒有特別限制，可根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率等所要求的性能組合。使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態為1種，為2種，為3種，為4種。

於本發明之組成物中，通式（L－7）所表示之化合物的含量，必須根據於低溫之溶解性、轉移溫度、電可靠性、雙折射率、製程相容性、滴痕、殘影、介電異向性等所要求的性能作適當調整。

相對於本發明之組成物的總量，式（L－7）所表示之化合物較佳含量的下限值為1％，為2％，為3％，為5％，為7％，為10％，為14％，為16％，為20％。相對於本發明之組成物的總量，式（L－7）所表示之化合物之較佳含量的上限值為30％，為25％，為23％，為20％，為18％，為15％，為10％，為5％。

當期望本發明之組成物為高Tni之實施形態的情形時，較佳使式（L－7）所表示之化合物的含量多一點，當期望低黏度之實施形態的情形時，較佳使含量少一點。

並且，通式（L－7）所表示之化合物，較佳為式（L－7.1）至式（L－7.4）所表示之化合物，較佳為式（L－7.2）所表示之化合物。

並且，通式（L－7）所表示之化合物，較佳為式（L－7.11）至式（L－7.13）所表示之化合物，較佳為式（L－7.11）所表示之化合物。

並且，通式（L－7）所表示之化合物，為式（L－7.21）至式（L－7.23）所表示之化合物。較佳為式（L－7.21）所表示之化合物。

並且，通式（L－7）所表示之化合物，較佳為式（L－7.31）至式（L－7.34）所表示之化合物，較佳為式（L－7.31）或／及式（L－7.32）所表示之化合物。

並且，通式（L－7）所表示之化合物，較佳為式（L－7.41）至式（L－7.44）所表示之化合物，較佳為式（L－7.41）或／及式（L－7.42）所表示之化合物。

並且，通式（L－7）所表示之化合物，較佳為式（L－7.51）至式（L－7.53）所表示之化合物。

相對於本發明之組成物的總量，通式（i）、通式（ii）、通式（L）及（N）所表示之化合物之合計的較佳含量的下限值為80％，為85％，為88％，為90％，為92％，為93％，為94％，為95％，為96％，為97％，為98％，為99％，為100％。較佳含量的上限值為100％，為99％，為98％，為95％。

相對於本發明之組成物的總量，通式（i）、通式（ii）、通式（L－1）至（L－7）及（M－1）至（M－8）所表示之化合物之合計的較佳含量的下限值為80％，為85％，為88％，為90％，為92％，為93％，為94％，為95％，為96％，為97％，為98％，為99％，為100％。較佳含量的上限值為100％，為99％，為98％，為95％。

本案發明之組成物較佳為不含有於分子內具有過氧（－CO－OO－）結構等氧原子彼此鍵結之結構之化合物。

於重視組成物之可靠性及長期穩定性之情形時，較佳為將具有羰基之化合物之含量設為相對於上述組成物之總質量為5％以下，更佳為設為3％以下，進一步較佳為設為1％以下，最佳為實質上不含有。

於重視利用UV照射之穩定性之情形時，較佳為將氯原子所取代之化合物之含量設為相對於組成物之總質量為15％以下，較佳為設為10％以下，較佳為設為8％以下，更佳為設為5％以下，較佳為設為3％以下，進一步較佳為實質上不含有。

較佳為使分子內之環結構均為六員環之化合物之含量較多，較佳為將分子內之環結構均為六員環之化合物之含量設為相對於組成物之總質量為80％以上，更佳為設為90％以上，進一步較佳為設為95％以上，最佳為實質上僅由分子內之環結構均為六員環之化合物構成組成物。

為了抑制因組成物之氧化所導致之劣化，較佳為使具有伸環己烯基作為環結構之化合物之含量較少，較佳為將具有伸環己烯基之化合物之含量設為相對於上述組成物之總質量為10％以下，較佳為設為8％以下，更佳為設為5％以下，較佳為設為3％以下，進一步較佳為實質上不含有。

於重視黏度之改善及Tni之改善之情形時，較佳為使於分子內具有氫原子可被取代為鹵素之2－甲基苯－1,4－二基的化合物之含量較少，較佳為將於分子內具有2－甲基苯－1,4－二基之化合物之含量設為相對於上述組成物之總質量為10％以下，較佳為設為8％以下，更佳為設為5％以下，較佳為設為3％以下，進一步較佳為實質上不含有。

本案中所謂實質上不含有係指除非意圖性地含有之物以外而不含有之含義。

本發明之第一實施形態之組成物中所含有之化合物於具有烯基作為側鏈之情形時，在上述烯基和環己烷鍵結之情形時，該烯基之碳原子數較佳為2～5，在上述烯基和苯鍵結之情形時，該烯基之碳原子數較佳為4～5，上述烯基之不飽和鍵結與苯不直接鍵結者為較佳。

本發明中所使用之液晶組成物之平均彈性常數（K_AVG ）較佳為10至25，作為其下限值，較佳為10，較佳為10.5，較佳為11，較佳為11.5，較佳為12，較佳為12.3，較佳為12.5，較佳為12.8，較佳為13，較佳為13.3，較佳為13.5，較佳為13.8，較佳為14，較佳為14.3，較佳為14.5，較佳為14.8，較佳為15，較佳為15.3，較佳為15.5，較佳為15.8，較佳為16，較佳為16.3，較佳為16.5，較佳為16.8，較佳為17，較佳為17.3，較佳為17.5，較佳為17.8，較佳為18；作為其上限值，較佳為25，較佳為24.5，較佳為24，較佳為23.5，較佳為23，較佳為22.8，較佳為22.5，較佳為22.3，較佳為22，較佳為21.8，較佳為21.5，較佳為21.3，較佳為21，較佳為20.8，較佳為20.5，較佳為20.3，較佳為20，較佳為19.8，較佳為19.5，較佳為19.3，較佳為19，較佳為18.8，較佳為18.5，較佳為18.3，較佳為18，較佳為17.8，較佳為17.5，較佳為17.3，較佳為17。於重視削減消耗電力之情形時，有效的是抑制背光源之光量，液晶顯示元件較佳為使光之透射率提高，因此較佳為將K_AVG 之值設定為較低。於重視應答速度之改善之情形時，較佳為將K_AVG 之值設定為較高。

作為本發明之聚合性化合物，較佳為以下通式（P）所表示之化合物。

（上述通式（P）中，R^p1 表示氫原子、氟原子、氰基、氫原子、氫原子亦可被鹵素原子取代之碳原子數1～15之烷基、氫原子亦可被鹵素原子取代之碳原子數1～15之烷氧基、氫原子亦可被鹵素原子取代之碳原子數1～15之烯基、氫原子亦可被鹵素原子取代之碳原子數1～15之烯氧基或－Sp^p2 －P^p ² ，
P^p1 及P^p2 各自獨立地表示通式（P^p1 －1）～式（P^p1 －9）中之任一者，

（式中，R^p11 及R^p12 各自獨立地表示氫原子、碳原子數1～5之烷基或碳原子數1～5之鹵化烷基，W^p11 表示單鍵、－O－、－COO－或亞甲基，t^p11 表示0、1或2，於分子内存在複數個R^p11 、R^p12 、W^p11 及／或t^p11 之情形時，其等可相同或亦可不同）
Sp^p1 及Sp^p2 各自獨立地表示單鍵或間隔基，
Z^p1 及Z^p2 各自獨立地表示單鍵、－O－、－S－、－CH₂ －、－OCH₂ －、－CH₂ O－、－CO－、－C₂ H₄ －、－COO－、－OCO－、－OCOOCH₂ －、－CH₂ OCOO－、－OCH₂ CH₂ O－、－CO－NR^ZP1 －、－NR^ZP1 －CO－、－SCH₂ －、－CH₂ S－、－CH＝CR^ZP1 －COO－、－CH＝CR^ZP1 －OCO－、－COO－CR^ZP1 ＝CH－、－OCO－CR^ZP1 ＝CH－、－COO－CR^ZP1 ＝CH－COO－、－COO－CR^ZP1 ＝CH－OCO－、－OCO－CR^ZP1 ＝CH－COO－、－OCO－CR^ZP1 ＝CH－OCO－、－（CH₂ ）_z －COO－、－（CH₂ ）₂ －OCO－、－OCO－（CH₂ ）₂ －、－（C＝O）－O－（CH₂ ）₂ －、－CH＝CH－、－CF＝CF－、－CF＝CH－、－CH＝CF－、－CF₂ －、－CF₂ O－、－OCF₂ －、－CF₂ CH₂ －、－CH₂ CF₂ －、－CF₂ CF₂ －或－C≡C－（式中，R^ZP1 各自獨立地表示氫原子或碳原子數1～4之烷基，於分子内存在複數個R^ZP1 之情形時，其等可相同或亦可不同）
A^p2 表示1,4－伸苯基、1,4－伸環己基、蒽－2,6－二基、菲－2,7－二基、吡啶－2,5－二基、嘧啶－2,5－二基、萘－2,6－二基、茚烷－2,5－二基、1,2,3,4－四氫萘－2,6－二基或1,3－二㗁烷－2,5－二基，A^p2 未經取代或可被碳原子數1～12之烷基、碳原子數1～12之鹵化烷基、碳原子數1～12之烷氧基、碳原子數1～12之鹵化烷氧基、鹵素原子、氰基、硝基或－Sp^p2 －P^p2 取代，
A^p1 表示（A^p1 －11）～（A^p1 －19）所表示之基，

（式中，於★與Sp^p1 或Z^p1 鍵結，於★★與Z^p1 鍵結，結構中之1個或2個以上之氫原子亦可被碳原子數1～12之烷基、碳原子數1～12之鹵化烷基、碳原子數1～12之烷氧基、碳原子數1～12之鹵化烷氧基、鹵素原子、氰基、硝基、或－Sp^p2 －P^p2 取代）
A^p3 表示（A^p3 －11）～（A^p3 －19）所表示之基，

（式中，於★與Z^p2 鍵結，於★★與R^p1 或Z^p2 鍵結，結構中之1個或2個以上之氫原子亦可被碳原子數1～12之烷基、碳原子數1～12之鹵化烷基、碳原子數1～12之烷氧基、碳原子數1～12之鹵化烷氧基、鹵素原子、氰基、硝基、或－Sp^p2 －P^p2 取代）
m^p2 及m^p3 各自獨立地表示0、1、2或3，m^p1 及m^p4 各自獨立地表示1、2或3，於分子内存在複數個P^p1 、Sp^p1 、A^p1 、Z^p1 、Z^p2 、A^p3 及／或R^p1 之情形時，其等可相同或亦可不同）。又，較佳為含有1種或2種以上該聚合性單體。

於本發明之通式（P）中，R^p1 較佳為－Sp^p2 －P^p2 。

P^p1 及P^p2 各自獨立地為式（P^p1 －1）～式（P^p1 －3）中之任一者為較佳，較佳為（P^p1 －1）。

R^p11 及R^p12 各自獨立地為氫原子或甲基為較佳。

m^p1 +m^p4 為2以上為較佳，較佳為2或3。

Z^p1 及Z^p2 較佳為各自獨立地為單鍵、－OCH₂ －、－CH₂ O－、－CO－、－C₂ H₄ －、－COO－、－OCO－、－COOC₂ H₄ －、－OCOC₂ H₄ －、－C₂ H₄ OCO－、－C₂ H₄ COO－、－CH＝CH－、－CF₂ －、－CF₂ O－、－（CH₂ ）₂ －COO－、－（CH₂ ）₂ －OCO－、－OCO－（CH₂ ）₂ －、－CH＝CH－COO－、－COO－CH＝CH－、－OCOCH＝CH－、－COO－（CH₂ ）₂ －、－OCF₂ －或－C≡C－，較佳為單鍵、－OCH₂ －、－CH₂ O－、－C₂ H₄ －、－COO－、－OCO－、－COOC₂ H₄ －、－OCOC₂ H₄ －、－C₂ H₄ OCO－、－C₂ H₄ COO－、－CH＝CH－、－（CH₂ ）₂ －COO－、－（CH₂ ）₂ －OCO－、－OCO－（CH₂ ）₂ －、－CH＝CH－COO－、－COO－CH＝CH－、－OCOCH＝CH－、－COO－（CH₂ ）₂ －或－C≡C－，較佳為分子内所存在的只有一個為－OCH₂ －、－CH₂ O－、－C₂ H₄ －、－COO－、－OCO－、－COOC₂ H₄ －、－OCOC₂ H₄ －、－C₂ H₄ OCO－、－C₂ H₄ COO－、－CH＝CH－、－（CH₂ ）₂ －COO－、－（CH₂ ）₂ －OCO－、－OCO－（CH₂ ）₂ －、－CH＝CH－COO－、－COO－CH＝CH－、－OCOCH＝CH－、－COO－（CH₂ ）₂ －或－C≡C－，其他的全部都是單鍵，較佳為分子内所存在的只有一個為－OCH₂ －、－CH₂ O－、－C₂ H₄ －、－COO－或－OCO－，其他的全部都是單鍵，較佳為全部都是單鍵。

又，較佳為只有分子内所存在之Z^p1 及Z^p2 中之一者為選自由－CH＝CH－COO－、－COO－CH＝CH－、－（CH₂ ）₂ －COO－、－（CH₂ ）₂ －OCO－、－O－CO－（CH₂ ）₂ －、－COO－（CH₂ ）₂ －所組成之群中之連結基，其他為單鍵。

Sp^p1 及Sp^p2 各自獨立地表示單鍵或碳原子數1～30之伸烷基，該伸烷基中之－CH₂ －只要氧原子彼此不直接鍵結，則亦可被－O－、－CO－、－COO－、－OCO－、－CH＝CH－或－C≡C－取代，該伸烷基中之氫原子亦可被鹵素原子取代，較佳為直鏈之碳原子數1～10之伸烷基或單鍵。

A^p2 較佳為1,4－伸苯基、1,4－伸環己基、蒽－2,6－二基、菲－2,7－二基、或萘－2,6－二基，較佳為1,4－伸苯基、1,4－伸環己基、菲－2,7－二基、或萘－2,6－二基，於m^p2 +m^p3 為0時，較佳為菲－2,7－二基，於m^p2 +m^p3 為1、2或3時，較佳為1,4－伸苯基或1,4－伸環己基。為了改善與液晶化合物之相溶性，A^p2 其結構中之1或2以上之氫原子亦可被甲基、乙基、甲氧基、乙氧基或氟原子取代。

A^p1 較佳為式（A^p1 －15）、（A^p1 －16）、（A^p1 －17）或（A^p1 －18）。為了改善與液晶化合物之相溶性，A^p1 其結構中之1或2以上之氫原子亦可被甲基、乙基、甲氧基、乙氧基或氟原子取代。

A^p3 較佳為式（A^p1 －14）、（A^p1 －15）、（A^p1 －16）、（A^p1 －17）或（A^p1 －18）。為了改善與液晶化合物之相溶性，A^p3 其結構中之1或2以上之氫原子亦可被甲基、乙基、甲氧基、乙氧基或氟原子取代。

m^p2 +m^p3 較佳為0、1、2或3，較佳為1或2。

關於通式（P）所表示之化合物之合計含量，相對於含有本案之通式（P）所表示之化合物之組成物，較佳為含有0.05～10％，較佳為含有0.1～8％，較佳為含有0.1～5％，較佳為含有0.1～3％，較佳為含有0.2～2％，較佳為含有0.2～1.3％，較佳為含有0.2～1％，較佳為含有0.2～0.56％。

關於通式（P）所表示之化合物之合計含量之較佳下限値，相對於含有本案之通式（P）所表示之化合物之組成物，為0.01％，為0.03％，為0.05％，為0.08％，為0.1％，為0.15％，為0.2％，為0.25％，為0.3％。

關於通式（P）所表示之化合物之合計含量之較佳上限値，相對於含有本案之通式（P）所表示之化合物之組成物，為10％，為8％，為5％，為3％，為1.5％，為1.2％，為1％，為0.8％，為0.5％。

若含量較少，則添加通式（P）所表示之化合物之效果難以顯現，會產生液晶組成物之配向控制力弱，或配向控制力隨時間經過而變弱等問題，若過多，則會產生硬化後所殘存的量變多、硬化費時、液晶之可靠性下降等問題。因此，考慮其等之平衡而設定含量。

通式（P）所表示之化合物較佳為通式（P－1）、通式（P－2）、通式（P－3）、及通式（P－4）所表示之化合物。

（式中，P^p11 、P^p12 、P^p21 、P^p22 、P^p31 、P^p32 、P^p41 及P^p42 各自獨立地表示與通式（P）中之P^p1 相同的意義，
Sp^p11 、Sp^p12 、Sp^p21 、Sp^p22 、Sp^p31 、Sp^p32 、SP^p41 及SP^p42 各自獨立地表示與通式（P）中之Sp^p1 相同的意義，
A^p11 、A^p12 、A^p13 、A^p21 、A^p22 、A^p23 、A^p32 及A^p42 各自獨立地表示1,4－伸苯基、1,4－伸環己基、蒽－2,6－二基、菲－2,7－二基、吡啶－2,5－二基、嘧啶－2,5－二基、萘－2,6－二基、茚烷－2,5－二基、1,2,3,4－四氫萘－2,6－二基或1,3－二㗁烷－2,5－二基，A^p11 、A^p12 、A^p13 、A^p21 、A^p22 、A^p23 、A^p32 及A^p42 各自獨立地未經取代或可被碳原子數1～12之烷基、碳原子數1～12之鹵化烷基、碳原子數1～12之烷氧基、碳原子數1～12之鹵化烷氧基、鹵素原子、氰基、硝基或通式（P）中之－Sp^p2 －P^p2 取代，
A^p41 表示與通式（P）之A^p1 相同的意義，
A^p43 表示與通式（P）中之A^p3 相同的意義，
Z^p21 、Z^p22 、Z^p41 及Z^p42 表示單鍵、－O－、－S－、－CH₂ －、－OCH₂ －、－CH₂ O－、－CO－、－C₂ H₄ －、－COO－、－OCO－、－OCOOCH₂ －、－CH₂ OCOO－、－OCH₂ CH₂ O－、－CO－NR^ZP1 －、－NR^ZP1 －CO－、－SCH₂ －、－CH₂ S－、－CH＝CR^ZP1 －COO－、－CH＝CR^ZP1 －OCO－、－COO－CR^ZP1 ＝CH－、－OCO－CR^ZP1 ＝CH－、－COO－CR^ZP1 ＝CH－COO－、－COO－CR^ZP1 ＝CH－OCO－、－OCO－CR^ZP1 ＝CH－COO－、－OCO－CR^ZP1 ＝CH－OCO－、－（CH₂ ）_z －COO－、－（CH₂ ）₂ －OCO－、－OCO－（CH₂ ）₂ －、－（C＝O）－O－（CH₂ ）₂ －、－CH＝CH－、－CF＝CF－、－CF＝CH－、－CH＝CF－、－CF₂ －、－CF₂ O－、－OCF₂ －、－CF₂ CH₂ －、－CH₂ CF₂ －、－CF₂ CF₂ －或－C≡C－（式中，R^ZP1 各自獨立地表示氫原子或碳原子數1～4之烷基，於分子内存在複數個R^ZP1 之情形時，其等可相同或亦可不同），但分子内所存在之Z^p21 及Z^p22 之至少一者表示單鍵以外）
P^p11 、P^p12 、P^p21 、P^p22 、P^p31 、P^p32 、P^p41 及P^p42 較佳為各自獨立地與通式（P）中之P^p1 相同地為式（P^p1 －1）～式（P^p1 －3）之任一者，較佳為（P^p1 －1），R^p11 及R^p12 較佳為各自獨立地為氫原子或甲基。

Sp^p11 、Sp^p12 、Sp^p21 、Sp^p22 、Sp^p31 、Sp^p32 、Sp^p41 及Sp^p42 各自獨立地表示單鍵或碳原子數1～30之伸烷基，該伸烷基中之－CH₂ －只要氧原子彼此不直接鍵結，亦可被－O－、－CO－、－COO－、－OCO－、－CH＝CH－或－C≡C－取代，該伸烷基中之氫原子亦可被鹵素原子取代，較佳為直鏈之碳原子數1～10之伸烷基或單鍵。

A^p11 、A^p12 、A^p13 、A^p21 、A^p22 、A^p23 、A^p32 及A^p42 較佳為各自獨立地為1,4－伸苯基、1,4－伸環己基、蒽－2,6－二基、菲－2,7－二基或萘－2,6－二基，較佳為1,4－伸苯基、1,4－伸環己基、菲－2,7－二基或萘－2,6－二基。於通式（P－1）及（P－2）中，較佳為各自獨立地為1,4－伸苯基或1,4－伸環己基，為了改善與液晶化合物之相溶性，其結構中之1個或2個以上之氫原子亦可被甲基、乙基、甲氧基、乙氧基或氟原子取代。於通式（P－3）中，較佳為菲－2,7－二基，為了改善與液晶化合物之相溶性，其結構中之1個或2個以上之氫原子亦可被甲基、乙基、甲氧基、乙氧基或氟原子取代。

Z^p21 較佳為單鍵、－OCH₂ －、－CH₂ O－、－CO－、－C₂ H₄ －、－COO－、－OCO－、－COOC₂ H₄ －、－OCOC₂ H₄ －、－C₂ H₄ OCO－、－C₂ H₄ COO－、－CH＝CH－、－CF₂ －、－CF₂ O－、－（CH₂ ）₂ －COO－、－（CH₂ ）₂ －OCO－、－OCO－（CH₂ ）₂ －、－CH＝CH－COO－、－COO－CH＝CH－、－OCOCH＝CH－、－COO－（CH₂ ）₂ －、－OCF₂ －或－C≡C－，較佳為單鍵、－OCH₂ －、－CH₂ O－、－C₂ H₄ －、－COO－、－OCO－、－COOC₂ H₄ －、－OCOC₂ H₄ －、－C₂ H₄ OCO－、－C₂ H₄ COO－、－CH＝CH－、－（CH₂ ）₂ －COO－、－（CH₂ ）₂ －OCO－、－OCO－（CH₂ ）₂ －、－CH＝CH－COO－、－COO－CH＝CH－、－OCOCH＝CH－、－COO－（CH₂ ）₂ －或－C≡C－，較佳為分子内所存在的只有一個為－OCH₂ －、－CH₂ O－、－C₂ H₄ －、－COO－、－OCO－、－COOC₂ H₄ －、－OCOC₂ H₄ －、－C₂ H₄ OCO－、－C₂ H₄ COO－、－CH＝CH－、－（CH₂ ）₂ －COO－、－（CH₂ ）₂ －OCO－、－OCO－（CH₂ ）₂ －、－CH＝CH－COO－、－COO－CH＝CH－、－OCOCH＝CH－、－COO－（CH₂ ）₂ －或－C≡C－，其他的全部都是單鍵，較佳為分子内所存在的只有一個為－OCH₂ －、－CH₂ O－、－C₂ H₄ －、－COO－或－OCO－，其他的全部都是單鍵，較佳為全部都是單鍵。

又，較佳為只有分子内所存在之Z^p21 之一個為選自由－（CH₂ ）₂ －COO－、－（CH₂ ）₂ －OCO－、－O－CO－（CH₂ ）₂ －、－COO－（CH₂ ）₂ －所組成之群中之連結基，其他為單鍵。

作為本發明之通式（P－1）所表示之化合物之較佳例子，可列舉下述式（P－1－1）～式（P－1－46）所表示之聚合性化合物。

（式中，P^p11 、P^p12 、Sp^p11 及Sp^p12 表示與通式（P－1）中之P^p11 、P^p12 、Sp^p11 及Sp^p12 相同的意義）
作為本發明之通式（P－2）所表示之化合物之較佳例子，可列舉下述式（P－2－1）～式（P－2－12）所表示之聚合性化合物。

（式中，P^p21 、P^p22 、Sp^p21 及Sp^p22 表示與通式（P－2）中之P^p21 、P^p22 、Sp^p21 及Sp^p22 相同的意義）
作為本發明之通式（P－3）所表示之化合物之較佳例子，可列舉下述式（P－3－1）～式（P－3－15）所表示之聚合性化合物。

（式中，P^p31 、P^p32 、Sp^p31 及Sp^p32 表示與通式（P－3）中之P^p31 、P^p32 、Sp^p31 及Sp^p32 相同的意義）
作為本發明之通式（P－4）所表示之化合物之較佳例子，可列舉下述式（P－4－1）～式（P－4－15）所表示之聚合性化合物。

（式中，P^p41 、P^p42 、Sp^p41 及Sp^p42 表示與通式（P－4）中之P^p41 、P^p42 、Sp^p41 及Sp^p42 相同的意義）
本發明之組成物為了進一步賦予垂直配向性，較佳為含有自配向性化合物。自配向性化合物係「不用將以往之聚醯亞胺等液晶配向膜用於基板之一方或雙方，而控制液晶組成物之配向性」之化合物。

自配向性化合物主要被使用於添加在液晶組成物中，具備下述功能：和與含有該液晶組成物之液晶層直接抵接的構件（電極（例如，ITO）、基板（例如，玻璃基板、丙烯酸基板、透明基板、可撓基板等）、樹脂層（例如，濾色器、配向膜、保護層等）、絕緣膜（例如，無機材料膜、SiNx等））相互作用，誘發液晶層之液晶分子之垂直配列或同質排列。尤佳為可使液晶組成物對基板垂直或大致垂直地配向之化合物。

自配向性化合物較佳為具有：用於進行聚合之聚合性基、和液晶分子類似之液晶原基、可和與液晶層直接抵接之構件相互作用的吸附基、誘發液晶分子之配向的柔性基（flexible group）。

自配向性化合物較佳為以下通式（SAL）所表示之化合物。

（上述式中，P^al 表示通式（P－I）～通式（P－IX）所表示之基，

（式中，R^p11 及R^p12 各自獨立地表示氫原子、碳原子數1～5之烷基或碳原子數1～5之鹵化烷基，W^p11 表示單鍵、－O－、－COO－或亞甲基，t^p11 表示0、1或2）
Sp^al 表示單鍵或直鏈狀或者支鏈狀之碳原子數1～20個的伸烷基，伸烷基中之1個或未鄰接之2個以上的－CH₂ －亦可各自獨立地經－CH＝CH－、－C≡C－、－O－、－CO－、－COO－或－OCO－取代，
T表示吸附基，
MG表示液晶原基，
Cg表示氫原子、上述吸附基、上述－Sp^al －P^al 或直鏈狀或者支鏈狀之碳原子數1～20的伸烷基，該伸烷基中之1個或未鄰接之2個以上的－CH₂ －亦可各自獨立地經－CH＝CH－、－C≡C－、－O－、－CO－、－COO－或－OCO－取代，Cg、MG及T之任一者皆亦可被取代成上述為聚合性基－Sp^al －P^al －，
n^sal1 、n^sal2 及n^sal3 各自獨立地表示1～5之自然數）
本發明之聚合性基係P^al 所表示之基，直接或視需要而經由間隔基與其他結構鍵結。聚合性基較佳為以P^al －Sp^al －表示。

P^al 較佳為選自以下通式（P－I）～通式（P－IX）所表示之群中之基。

（式中，R^p11 及R^p12 各自獨立地表示氫原子、碳原子數1～5之烷基或碳原子數1～5之鹵化烷基，W^p11 表示單鍵、－O－、－COO－或亞甲基，t^p11 表示0、1或2）
上述P^a1 較佳為選自以下通式（P－I）～通式（P－IX）所表示之群中之基，較佳為通式（P－I）。

於本發明之自配向性化合物中，P^al －Sp^al －亦可和液晶原基、吸附基及／或柔性基鍵結。

又，於本發明之自配向性化合物中，聚合性基較佳為直接或經由間隔基來和液晶原基、吸附基或柔性基鍵結，更佳為直接或經由間隔基來和液晶原基或吸附基鍵結。

上述間隔基（Sp^al ）較佳為表示單鍵或直鏈狀或支鏈狀之碳原子數1～20個的伸烷基，更佳為表示單鍵或直鏈狀之碳原子數1～20個的伸烷基，更佳為表示單鍵或直鏈狀之碳原子數2～10個的伸烷基。又，於上述間隔基（Sp^al ）中，伸烷基中之1個或未鄰接之2個以上之－CH₂ －亦可各自獨立地被－CH＝CH－、－C≡C－、－O－、－CO－、－COO－或－OCO－取代。

於本發明之自配向性化合物中，聚合性基（P^al －Sp^al －）之數量較佳為1以上且5以下，更佳為1以上且4以下，再更佳為2以上且4以下，再更佳為2或3，進而更佳為2。

P^al －Sp^al －中之氫原子亦可被聚合性基、吸附基及／或柔性基取代。

本發明之液晶原基係指具備剛直部分的基，例如具備一個以上環式基者，較佳為具有2～4個環式基，更佳為具有3～4個環式基，視需要，環式基亦可以連結基來連結。液晶原基較佳為和液晶層中所使用之液晶化合物類似的骨架。

再者，本說明書中之「環式基」，係指所構成之原子鍵結成環狀之原子團，包含碳環、雜環、飽和或不飽和環式結構、單環、2環式結構、多環式結構、芳香族、非芳香族等。又，環式基亦可至少含有一個雜原子，而且，亦可被至少一個取代基（鹵素原子、反應性官能基、有機基（烷基、芳基等））取代。於環式基為單環之情形時，液晶原基較佳為含有2個以上之單環。

上述液晶原基例如較佳以通式（AL）表示。

（式中，Z^AL 表示單鍵、－CH＝CH－、－CF＝CF－、－C≡C－、－COO－、－OCO－、－OCOO－、－CF₂ O－、－OCF₂ －、－CH＝CHCOO－、－OCOCH＝CH－、－CH₂ －CH₂ COO－、－OCOCH₂ ―CH₂ －、－CH＝C（CH₃ ）COO－、－OCOC（CH₃ ）＝CH－、－CH₂ －CH（CH₃ ）COO－、－OCOCH（CH₃ ）－CH₂ －、－OCH₂ CH₂ O－或碳原子數1～20之伸烷基，此伸烷基中之1個或未鄰接之2個以上的－CH₂ －亦可被－O－、－COO－或－OCO－取代，
A^AL 表示2價之環式基，
Z^AL 及A^AL 中之1個或2個以上的氫原子亦可各自獨立地經鹵素原子、吸附基、P^a1 －Sp^a1 －或1價有機基取代，
當Z^AL 及A^AL 各自存在複數個之情形時，各自彼此可相同或亦可不同，m^AL 表示1～5之整數，上述式中之左端的＊及右端的＊表示鍵結鍵）
於通式（AL）中，Z^AL 較佳為單鍵或碳原子數2～20之伸烷基，更佳為單鍵或碳原子數2～10之伸烷基。上述伸烷基中之1個或未鄰接之2個以上的－CH₂ －亦可被－O－、－COO－或－OCO－取代。並且，當想要的是棒狀分子之直線性的情形時，較佳為環與環直接連結之形態的單鍵或直接連結環與環之原子的數目為偶數個之形態。例如，當－CH₂ －CH₂ COO－之情形時，直接連結環與環之原子的數目為4個。

於通式（AL）中，環式基較佳表示選自由1,4－伸苯基、1,4－伸環己基、1,4－環己烯基、四氫哌喃－2,5－二基、1,3－二㗁烷－2,5－二基、四氫噻喃（tetrahydrothiopyran）－2,5－二基、噻吩－2,5－二基、1,4－雙環（2,2,2）伸辛基、十氫萘－2,6－二基、吡啶－2,5－二基、嘧啶－2,5－二基、吡－2,5－二基、噻吩－2,5－二基、1,2,3,4－四氫萘－2,6－二基、2,6－伸萘基、菲－2,7－二基、9,10－二氫菲－2,7－二基、1,2,3,4,4a,9,10a－八氫菲－2,7－二基、1,4－伸萘基、苯并[1,2－b：4,5－b‘]二噻吩－2,6－二基、苯并[1,2－b：4,5－b‘]二硒吩－2,6－二基、[1]苯并噻吩并（benzothieno）[3,2－b]噻吩－2,7－二基、[1]苯并硒吩并（benzoselenopheno）[3,2－b]硒吩－2,7－二基及茀－2,7－二基組成之群中的1種構造，此等構造可未經取代或經取代，更佳為1,4－伸苯基、1,4－伸環己基、2,6－伸萘基或菲－2,7－二基，較佳為1,4－伸苯基或1,4－伸環己基。又，環式基中之1個或2個以上的氫原子亦可被鹵素原子、吸附基、P^a1 －Sp^a1 －或1價有機基取代。

於通式（AL）中，所謂一價有機基，為藉由有機化合物成為1價基之形態而構成化學構造之基，係指從有機化合物去除1個氫原子而成之原子團，例如可列舉：碳原子數1～15之烷基、碳原子數2～15之烯基、碳原子數1～14之烷氧基、碳原子數2～15之烯氧基等，較佳為碳原子數1～15之烷基或碳原子數1～14之烷氧基。又，上述烷基、烯基、烷氧基、烯氧基中之1個或未鄰接之2個以上的－CH₂ －亦可被－O－、－COO－或－OCO－取代。並且，上述一價有機基亦可具有作為後述之柔性基的功用。

上述通式（AL）中，m^AL 較佳為2～4之整數。

上述液晶原基之中，尤佳之形態為以下述通式（AL－1）或（AL－2）表示，更佳為式（AL－1）。

（上述式中，X^al1 ～X^al18 各自獨立地表示氫原子、鹵素原子、P^a1 －Sp^a1 －、吸附基或柔性基，環A及環B各自獨立地表示環己烷環或苯環，
X^al1 ～X^al18 之任1種或2種以上被取代成上述吸附基，
X^al1 ～X^al18 之任1種或2種以上被取代成上述柔性基，
上述吸附基及上述柔性基亦可經取代成上述P^a1 －Sp^a1 －，
於通式（AL－1）或通式（AL－2）各自具有1種或2種以上之上述P^a1 －Sp^a1 －）
於上述式（AL－1）中，較佳為X^a11 或X^a18 ～X^a112 之至少1種或2種以上被取代成吸附基，更佳為X^a11 或X^a110 之至少1種或2種以上被取代成吸附基。另，於此情形時，上述吸附基亦可被取代成P^a1 －Sp^a1 －。尤其是當環A為環己烷環之情形時，較佳為X^a110 被取代成吸附基。

於上述式（AL－1）中，較佳為X^a16 ～X^a114 之至少1種或2種以上經取代成聚合性基，更佳為X^al9 或X^a111 之任一者被取代成P^a1 －Sp^a1 －。

於上述式（AL－1）中，較佳為X^a11 ～X^a13 、X^a6 ～X^a114 、X^a117 ～X^a118 之至少1種或2種以上被取代成柔性基，較佳為X^a11 ～X^a13 、X^a6 ～X^a19 、X^a111 ～X^a114 或X^a117 ～X^a118 之至少1種或2種以上被取代成柔性基。更佳為X^a11 被取代成柔性基，且X^a6 ～X^a19 或X^a111 ～X^a114 之任1種被取代成柔性基。於此情形時，再更佳為前者之X^a11 中的柔性基其碳原子數較後者之柔性基多。柔性基亦可被取代成P^a1 －Sp^a1 －。

於上述式（AL－2）中，較佳為X^a11 或X^a16 ～X^a110 之至少1種或2種以上被取代成吸附基，更佳為X^a11 或X^a18 被取代成吸附基。另，於此情形時，吸附基亦可被取代成P^a1 －Sp^a1 －。尤其是當環A為環己烷環之情形時，較佳為X^a18 被取代成吸附基。

於上述式（AL－2）中，較佳為X^al6 ～X^a110 之任1種或2種以上被取代成P^a1 －Sp^a1 －，更佳為X^al7 或X^a19 之任一者被取代成P^a1 －Sp^a1 －。

於上述式（AL－2）中，較佳為X^a16 ～X^a110 之至少1種或2種以上被取代成P^a1 －Sp^a1 －，更佳為X^a17 或X^a14 之任一者被取代成P^a1 －Sp^a1 －。

於上述式（AL－2）中，較佳為X^a11 ～X^a17 或X^a9 ～X^a114 之至少1種或2種以上被取代成柔性基，較佳為X^a11 、X^a4 ～X^a17 或X^a19 ～X^a112 之至少1種或2種以上被取代成柔性基。更佳為X^a11 被取代成柔性基，且X^al4 ～X^a17 或X^a19 ～X^a112 之任1種被取代成柔性基。於此情形時，再更佳為前者之X^a11 中之柔性基其碳原子數較後者之柔性基多。柔性基亦可被取代成P^a1 －Sp^a1 －。

作為上述液晶原基之較佳形態，可列舉以下式（AL－1－1）～（AL－2－3）。通式（AL）係其等結構中之2個氫原子脫離而成之結構。

其等通式（AL－1－1）～（AL－2－3）中之環己環、苯環、吡喃環或二㗁烷環中之一個或兩個以上之氫原子亦可被鹵素原子、P^a1 －Sp^a1 －、1價之有機基（例如，碳原子數1～15之烷基、碳原子數1～14之烷氧基）、吸附基或彎曲基取代。

上述液晶原基中之較佳形態係通式（AL－1－1）、通式（AL－1－4）、通式（AL－1－7）、通式（AL－2－1）或通式（AL－2－3）所表示之結構，係通式（AL－1－4）、通式（AL－1－7）或通式（AL－2－3）所表示之結構，係通式（AL－1－4）或通式（AL－1－7）所表示之結構。

本發明之吸附基為具備有與基板、膜、電極等吸附介質吸附之功用的基。吸附一般分為形成化學鍵（共價鍵、離子鍵或金屬鍵）而於吸附介質與被吸附質之間吸附的化學吸附，或該化學吸附以外的物理吸附，本說明書之吸附可為化學吸附或物理吸附之任一者，較佳藉由物理吸附來與吸附介質吸附。因此，本發明之吸附基較佳為能夠與吸附介質作物理吸附之基，該吸附基更佳藉由分子間作用力來與吸附介質結合。作為藉由該分子間作用力來與吸附介質結合之形態，可舉藉由永久偶極、永久四極、分散力、電荷移動力或氫鍵等相互作用來與吸附介質結合。作為本發明之吸附基的較佳形態，可舉能夠藉由氫鍵來與吸附介質結合之形態。於此情形時，本發明之吸附基可為透過氫鍵之質子的施體或者受體，又亦可為兩者。

本發明之吸附基，較佳為含有極性要素之基，該極性要素具有碳原子與雜原子連結之原子團。於本說明書所稱之極性要素，係指碳原子與雜原子直接連結之原子團。作為上述雜原子，較佳為選自由N、O、S、P、B及Si組成之群中的至少1種，較佳為選自由N、O及S組成之群中的至少1種，較佳為選自由N及O組成之群中的至少1種，較佳為O。

又，於本發明之自配向性化合物中，本發明之極性要素的價數為一價、二價、三價等，並無特別限定，又，吸附基中之極性要素的個數亦無特別限制。

於本發明之自配向性化合物中，上述吸附基較佳於一分子中具有1～8個，更佳具有1～4個，再更佳具有1～3個。

另，本發明之吸附基不包含P^a1 －Sp^a1 －及柔性基。

本發明之吸附基含有1個或2個以上之極性要素，吸附基大致可區分為環式基型與鏈式基型。環式基型為在其構造中含有環式基之形態，該環式基具備含有極性要素之環狀構造，而鏈式基型則為在其構造中不含有環式基（具備含有極性要素之環狀構造）之形態。鏈式基為在直鏈或支鏈之鏈狀基中具有極性要素的形態，亦可在此一部分具有不含有極性要素之環狀構造。

所謂本發明之吸附基為含有環式基的形態，意指環狀之原子排列內含有至少1個極性要素的形態。另，所謂本說明書中之環式基，則如上所述。因此，當本發明之吸附基為含有環式基之形態的情形時，只要含有具極性要素之環式基即可，吸附基整體上可為支鏈，亦可為直鏈狀。

而所謂本發明之吸附基為鏈式基的形態，意指下述形態：分子內沒有含有極性要素之環狀原子排列，且於線狀之原子排列（亦可支鏈）內含有至少1個極性要素。另，所謂本說明書中之鏈式基，係指構造式中沒有環狀原子排列且構成之原子鍵結成線狀（亦可支鏈）的原子團，係指非環式基。若換言之，則為下述概念：指直鏈狀或支鏈狀之脂肪族基，可含有飽和鍵或不飽和鍵之任一者，例如包含烷基、烯基、烷氧基、酯基、醚基或酮基等，亦可被至少1個取代基（反應性官能基（乙烯基、丙烯醯基（acryl group）、甲基丙烯醯基（methacryl group）等）、鏈狀有機基（烷基、氰基等））取代。又，本發明之鏈式基可為直鏈狀或支鏈狀之任一者。

本發明之吸附基較佳具有鏈式基或環式基，當重視吸附能力之情形時，較佳為鏈式基，若從對液晶組成物之穩定性的觀點，則較佳為環式基。

本發明之吸附基為環式基的情形時，更佳為碳原子數3～20個之雜芳香族基（包含縮合環）或碳原子數3～20個之雜脂肪族基（包含縮合環），再更佳為碳原子數3～12個之雜芳香族基（包含縮合環）或碳原子數3～12個之雜脂肪族基（包含縮合環），進而再更佳為表示5員環雜芳香族基、5員環雜脂肪族基、6員環雜芳香族基或6員環雜脂肪族基，此等之環構造中的氫原子亦可被取代成鹵素原子、碳原子數1～5之直鏈狀或者支鏈狀的烷基或烷基氧基。

當本發明之吸附基為鏈式基的情形時，較佳為直鏈狀或者支鏈狀之碳原子數1～20個之烷基中的氫原子或－CH₂ －被取代成極性要素，該烷基中之1個或未鄰接之2個以上的－CH₂ －亦可被－CH＝CH－、－C≡C－、－O－、－CO－、－COO－或－OCO－取代。又，當本發明之吸附基為鏈式基的情形時，較佳於端部含有極性要素或含有2個以上之極性要素。

本發明之吸附基的氫原子亦可被取代成聚合性基。

本發明之極性要素的種類，具體而言，較佳為以含有氧原子之極性要素（以下，稱為含氧極性要素）、含有氮原子之極性要素（以下，稱為含氮極性要素）、含有磷原子之極性要素（以下，稱為含磷極性要素）、含有硼原子之極性要素（以下，稱為含硼極性要素）、含有矽原子之極性要素（以下，稱為含矽極性要素）或含有硫原子之極性要素（以下，稱為含硫極性要素）表示的部分構造，從吸附能力之觀點，更佳為含氮極性要素或含氧極性要素，再更佳為含氧極性要素。

作為上述含氧極性要素，較佳為選自由羥基（－OH）、烷醇基（alkylol group）（－R^t －OH；R^t 為伸烷基）、烷氧基（－OR；其中，R為烷基）、甲醯基（－CHO）、羧基（－COOH）、醚基（－R^t OR^t ’－；其中，R^t 、R^t’ 為伸烷基或伸烯基（alkenylene group））、羰基（－R^t －C（＝O）－R^t’ －；其中，R^t 、R^t’ 為伸烷基或伸烯基）、碳酸酯基（－O－C（＝O）－O－）及酯基（－COOR^t’ －；其中，R^t’ 為伸烷基或伸烯基）組成之群中的至少1種基或於碳原子連結有該基之基。

作為上述含氮極性要素，較佳為選自由氰基（－CN）、1級胺基（－NH₂ ）、2級胺基（－NH－）、3級胺基（－NRR’；其中，R、R’為烷基）、吡啶基、胺甲醯基（－CONH₂ ）及脲基（－NHCONH₂ ）組成之群中的至少1種基或於碳原子連結有該基之基。

作為上述含磷極性要素，較佳為選自由膦基（phosphinyl）（－CX₂ －P（＝O）H₂ ）及磷酸基（－CX₂ －OP（＝O）（OH）₂ ）組成之群中的至少1種基或於碳原子連結有該基之基。

作為上述含硼極性要素，較佳為於碳原子連結有硼酸基（－B（OH）₂ ）之基。

作為上述含矽極性要素，較佳為－Si（OH）₃ 基或－Si（OR）（OR’）（OR’’）（其中，R、R’、R’’為烷基）基連結於碳原子之基。

作為上述含硫極性要素，較佳為選自由巰基（－SH）、硫基（－S－）、氧硫基（－S（＝O）－）、磺醯基（－SO₂ －）、磺醯胺基（sulfonamide group）（－SO₂ NH₂ ）、磺酸基（－SO₃ H）及亞磺酸基（－S（＝O）OH）組成之群中的至少1種基或於碳原子連結有該基之基。

因此，本發明之吸附基較佳為選自由環式基具備有含氧極性要素而成之基（以下，稱為含氧環式基）、環式基具備有氮原子極性要素而成之基（以下，稱為含氮環式基）、環式基具備有含磷極性要素而成之基（以下，稱為含磷環式基）、環式基具備有含硼極性要素而成之基（以下，稱為含硼環式基）、環式基具備有含矽極性要素而成之基（以下，稱為含矽環式基）、環式基具備有含硫極性要素而成之基（以下，稱為含硫環式基）、鏈式基具備有含氧極性要素而成之基（以下，稱為含氧鏈式基）、鏈式基具備有氮原子極性要素而成之基（以下，稱為含氮鏈式基）、鏈式基具備有含磷極性要素而成之基（以下，稱為含磷鏈式基）、鏈式基具備有含硼極性要素而成之基（以下，稱為含硼鏈式基）、鏈式基具備有含矽極性要素而成之基（以下，稱為含矽鏈式基）及鏈式基具備有含硫極性要素而成之基（以下，稱為含硫鏈式基）組成之群中1種或2種以上的基本身或含有該基，從吸附能力之觀點，更佳為含有選自由含氧環式基、含硫環式基、含氧鏈式基及含氮鏈式基組成之群中1種或2種以上的基。

作為本發明之吸附基，較佳為由下述通式（T）表示之基。

（上述通式（T）中，X^t1 表示碳原子數1～18個之直鏈狀或支鏈狀的烷基或－NH₂ ，上述烷基中之氫原子亦可被取代成氰基、P^a1 －Sp^a1 －，或上述烷基之－CH₂ －亦可以氧原子不直接鄰接之方式被取代成－O－、－COO－、－C（＝O）－、－OCO－、－CH＝CH－，
上述R^t1 表示氫原子、碳原子數1～5個之烷基或亦可與Z^t1 鍵結之碳原子數1～8個之直鏈狀或者支鏈狀的伸烷基或亦可與Z^t1 鍵結之碳原子數2～8個之直鏈狀或者支鏈狀的伸烯基，上述Z^t2 表示單鍵、碳原子數1～18個之直鏈狀或者支鏈狀的伸烷基或碳原子數2～18個之直鏈狀或者支鏈狀的伸烯基，該伸烷基或該伸烯基之－CH₂ －亦可以氧原子不直接鄰接之方式被取代成－O－、－COO－、－C（＝O）－、－OCO－，
Z^t1 表示單鍵、碳原子數1～18個之直鏈狀或者支鏈狀的伸烷基或碳原子數2～18個之直鏈狀或者支鏈狀的伸烯基，該伸烷基之－CH₂ －亦可以氧原子不直接鄰接之方式被取代成－O－、－COO－、－C（＝O）－、－OCO－，又，當X^t1 為－Z^t2 －O－R^at 基，且R^at 為伸烷基或伸烯基之情形時，亦可將Z^t1 之氫原子取代而與R^t1 鍵結，
Ｗ^t0 表示碳原子數1～18個之直鏈狀或者支鏈狀的伸烷基，該伸烷基之－CH₂ －亦可以氧原子不直接鄰接之方式被取代成－O－、－CH＝CH－、－COO－、－C（＝O）－、－OCO－，又，上述伸烷基之氫原子亦可被取代成通式（T），
Ｗ^t1 表示單鍵或直鏈狀或者支鏈狀之伸烷基，該伸烷基之－CH₂ －亦可以氧原子不直接鄰接之方式被取代成－O－、－COO－、－C（＝O）－、－OCO－，
n^t1 表示0以上4以下之整數，
分子內之氫原子亦可被取代成上述聚合性基P^a1 －Sp^a1 －，＊表示鍵結鍵，與液晶原基、聚合性基、柔性基或間隔基鍵結）
於上述通式（T）中，較佳之X^t1 表示碳原子數1～17個之直鏈狀或支鏈狀的烷基、－NH₂ 或－Z^t2 －O－R^t1 基，該烷基中之氫原子亦可被取代成氰基、P^a1 －Sp^a1 －，上述R^t1 表示氫原子、碳原子數1～5個之烷基或亦可與Z^t1 鍵結之碳原子數1～8個之直鏈狀或者支鏈狀的伸烷基或亦可與Z^t1 鍵結之碳原子數2～8個之直鏈狀或者支鏈狀的伸烯基，上述Z^t2 表示單鍵、碳原子數1～18個之直鏈狀或者支鏈狀的伸烷基或碳原子數2～18個之直鏈狀或者支鏈狀的伸烯基，該伸烷基或該伸烯基之－CH₂ －亦可以氧原子不直接鄰接之方式被取代成－O－、－COO－、－C（＝O）－、－OCO－。

於上述通式（T）中，作為吸附基（通式（T））亦可被吸附基（通式（T））取代之形態，可舉上述通式（T）以下述通式（t）表示之基。

（上述通式（t）中，X^t1 、Z^t1 、Ｗ^t1 及n^t1 與上述通式（T）中之記號相同，
Ｗ^t2 表示單鍵或2價～4價之有機基，
m^t1 表示1以上3以下之整數，分子內之氫原子亦可被取代成上述聚合性基P^a1 －Sp^a1 －，＊表示鍵結鍵，與液晶原基、聚合性基、柔性基或間隔基鍵結）
上述通式（t）中之「－Ｗ^t2 －Any」表示：Ｗ^t2 表示單鍵～多價基，鍵結鍵為1價～多價（Any）。

於上述通式（t）中，所謂2～4價之有機基，係指：藉由有機化合物成為2～4價基之形態而為構成化學構造之基，從有機化合物去除2～4個氫原子而成的原子團。

於上述通式（t）中，為2價～4價有機基之－Ｗ^t2 －Any較佳為鏈狀有機基，例如，可列舉：直鏈狀或者支鏈狀之碳原子數1個～10個的伸烷基（該伸烷基之－CH₂ －亦可以氧原子不直接鄰接之方式被取代成－O－、－COO－、－C（＝O）－、－OCO－）、直鏈狀或者支鏈狀之碳原子數1個～10個的伸烷基多價基（該伸烷基之－CH₂ －亦可以氧原子不直接鄰接之方式被取代成－O－、－COO－、－C（＝O）－、－OCO－）、－PH－、－POH－、－NH－、氮原子或磷原子等。該伸烷基多價基係指從伸烷基進一步去除1～2個氫原子所產生之3價或4價之基，指於所謂之烴鏈具有游離原子價的3～4價基。

以上述通式（t）表示之基為通式（T）中之Ｗ^t0 的較佳態樣，亦即吸附基（通式（T））亦可被吸附基（通式（T））取代之形態的一態樣，作為以上述通式（t）表示之基的較佳形態，例如當Ｗ^t2 為3價有機基之情形時，亦即m^t1’ 為2，Ｗ^t2 為氮原子或伸烷基多價基之情形時，例如可列舉以下之通式（t－a）或（t－b）。

（上述式（t－a）及（t－b）中，R^tc 以氫原子、直鏈狀或者支鏈狀之碳原子數1個～10個的烷基或聚合性基P^a1 －Sp^a1 －表示，
Z^t1 及Z^t1’ 各自獨立地表示與通式（T）中之Z^t1 相同的意義，
X^t1 及X^t1’ 各自獨立地表示與通式（T）中之Z^t1 相同的意義，
Ｗ^t1 表示與通式（T）中之Ｗ^t1 相同的意義，
n^t1 及n^t1’ 各自獨立地表示與通式（T）中之n^t1 相同的意義，
分子內之氫原子亦可被取代成上述聚合性基P^a1 －Sp^a1 －，＊表示鍵結鍵，與液晶原基、聚合性基、柔性基或間隔基鍵結）
於通式（t）中，例如當－Ｗ^t2 －Any為4價有機基之情形時，亦即m^t1’ 為3，－Ｗ^t2 －Any為伸烷基多價基之情形時，例如可舉以下之通式（t－c）。

（上述式（t－c）中，Z^t1 、Z^t1’ 及Z^t1’’ 各自獨立地表示與通式（T）中之Z^t1 相同的意義，
X^t1 、X^t1’ 及X^t1’’ 各自獨立地表示與通式（T）中之X^t1 相同的意義，
Ｗ^t1 表示與通式（T）中之Ｗ^t1 相同的意義，
n^t1 、n^t1’ 及n^t1’’ 各自獨立地表示與通式（T）中之n^t1 相同的意義，分子內之氫原子亦可被取代成上述聚合性基P^a1 －Sp^a1 －，＊表示鍵結鍵，與液晶原基、聚合性基、柔性基或間隔基鍵結）
於上述通式（t）中，m^t1’ 較佳為1或2，m^t1’ 更佳為1。又，於以上述通式（t－a）、通式（t－b）、通式（t－c）表示的形態之中，較佳為以上述通式（t－a）表示的形態。

於上述通式（t）中，－Ｗ^t2 －Any較佳為單鍵或2價～3價有機基，更佳為單鍵、直鏈狀或者支鏈狀之碳原子數1～8個的伸烷基（該伸烷基之－CH₂ －亦可以氧原子不直接鄰接之方式被取代成－O－）、直鏈狀或者支鏈狀之碳原子數1～8個的烷三基（alkanetriyl）（該烷三基之－CH₂ －亦可以氧原子不直接鄰接之方式被取代成－O－）或直鏈狀或者支鏈狀的烷基－亞基（該烷基－亞基之－CH₂ －亦可以氧原子不直接鄰接之方式被取代成－O－）。例如，可列舉以下之基。

（上述式中，R^tc 表示碳原子數1～8個之烷基或聚合性基（P^a1 －Sp^a1 －），n^t0 表示1～7之整數，＊表示鍵結鍵）又，亦可將Ｗ^t2 之氫原子取代成聚合性基（P^a1 －Sp^a1 －）。

於上述通式（t）中，m^t1 較佳表示1或2。

於上述通式（T）或通式（t）中，Ｗ^t1 較佳表示單鍵或直鏈狀或者支鏈狀之碳原子數1～8個的伸烷基（表示單鍵或直鏈狀或者支鏈狀之伸烷基，該伸烷基之－CH₂ －亦可以氧原子不直接鄰接之方式被取代成－O－、－COO－、－C（＝O）－、－OCO－），更佳表示單鍵或直鏈狀或者支鏈狀之碳原子數1～7個的伸烷基（表示單鍵或直鏈狀或者支鏈狀之伸烷基，該伸烷基之－CH₂ －亦可以氧原子不直接鄰接之方式被取代成－O－）。又，Ｗ^t1 亦可取代於液晶原基、聚合性基或柔性基之氫原子而鍵結。

於上述通式（T）或通式（t）中，包含X^t1 未與Z^t1 鍵結之形態（鏈式基）及X^t1 與Z^t1 鍵結形成環之形態（環式基）。

於前者之形態的情形時，較佳為碳原子數1～8個之直鏈狀或者支鏈狀的烷基、經－NH₂ 、－Z^t2 －O－R^t1 基或氰基取代之碳原子數1～7個之直鏈狀或者支鏈狀的烷基，更佳為碳原子數1～7個之直鏈狀或支鏈狀的烷基、經－Z^t2 －O－R^t1 基、氰基取代之碳原子數1～7個之直鏈狀或支鏈狀的烷基。又，於前者之形態的情形時，上述R^t1 各自獨立地表示氫原子、碳原子數1～5個之烷基，上述Z^t2 較佳為單鍵、碳原子數1～10個之直鏈狀或者支鏈狀的伸烷基或碳原子數2～10個之直鏈狀或者支鏈狀的伸烯基（該伸烷基或該伸烯基之－CH₂ －亦可以氧原子不直接鄰接之方式被取代成－O－、－COO－、－C（＝O）－、－OCO－）。

於後者之形態的情形時，較佳為n^t1 為1以上，X^t1 為－Z^t2 －O－R^t1 ，R^t1 為碳原子數1～7個之直鏈狀或者支鏈狀的伸烷基或碳原子數2～7個之直鏈狀或者支鏈狀的伸烯基，將Z^t1 之氫原子取代而與R^t1 鍵結，例如，較佳以下述通式（T’）表示。

（上述通式（T’）中，R^t1’ 各自獨立地表示碳原子數1～8之直鏈狀或者支鏈狀的伸烷基或碳原子數2～8之直鏈狀或者支鏈狀的伸烯基，
Z^t2’ 各自獨立地表示單鍵、碳原子數1～10之直鏈狀或者支鏈狀的伸烷基或碳原子數2～10之直鏈狀或者支鏈狀的伸烯基，該伸烷基或該伸烯基之－CH₂ －亦可以氧原子不直接鄰接之方式被取代成－O－、－COO－、－C（＝O）－、－OCO－，
Z^t1’ 表示碳原子數1～18個之直鏈狀或者支鏈狀的伸烷基3價基或碳原子數1～18個之直鏈狀或者支鏈狀的伸烯基3價基，該伸烷基3價基或伸烯基3價基之－CH₂ －亦可以氧原子不直接鄰接之方式被取代成－O－、－COO－、－C（＝O）－或OCO－，
Ｗ^t2 表示單鍵或2價～4價之有機基，
－Ｗ^t1 －表示單鍵或直鏈狀或者支鏈狀之伸烷基，該伸烷基之－CH₂ －亦可以氧原子不直接鄰接之方式被取代成－O－、－COO－、－C（＝O）－、－OCO－，
n^t1’ 表示1以上且4以下之整數，
m^t1’ 表示1以上且3以下之整數，分子內之氫原子亦可被取代成上述聚合性基P^a1 －Sp^a1 －，＊表示鍵結鍵，與液晶原基、聚合性基、柔性基或間隔基鍵結）
該伸烷基3價基係指從伸烷基進一步去除1個氫原子所產生的3價之基。該伸烯基3價基則是指從伸烯基進一步去除1個氫原子所產生的3價之基，包含所謂於烴鏈具有游離原子價的3價之基，例如烷三基或烷基－亞基等。

於上述通式（T）中，當X^t1 為未與Z^t1 鍵結之形態（鏈式基）的情形時，Z^t1 表示單鍵、碳原子數1～12個之直鏈狀或者支鏈狀的伸烷基或碳原子數2～12個之直鏈狀或者支鏈狀的伸烯基，該伸烷基之－CH₂ －亦可被取代成－O－、－COO－、－C（＝O）－、－OCO－。

於上述通式（T）中，當X^t1 為與Z^t1 鍵結之形態（環式基）的情形時，則如上述通式（T’）。

於上述通式（T）中，n^t1 較佳表示0以上且3以下之整數，n^t1 更佳表示0以上且2以下之整數。

上述通式（T）較佳為選自由通式（T－1－1）～（T－4－1）表示之環式基及通式（T－5－1）表示之鏈式基組成之群中的至少1種。當本發明之通式（T）表示之吸附基選擇環式基的情形時，從吸附能力及對液晶組成物之相溶性的觀點，較佳為通式（T－1－1）或通式（T－2－1）。而當本發明之通式（T）表示之吸附基選擇鏈式基的情形時，則從吸附能力及對液晶組成物之穩定性的觀點，較佳為通式（T－5－1）。

（式中，X^t ^a 及X^t ^b 各自獨立地表示－O－、－S－或－CH₂ －，
R^t5 表示碳原子數1～8個之直鏈狀或支鏈狀的烷基、氰基化烷基或碳原子數1～8個之直鏈狀或支鏈狀的烷氧基，此等烷基中之至少2個以上的－CH₂ －亦可以氧原子不直接鄰接之方式被取代成－CH＝CH－、－C≡C－、－O－或－NH－，
Z^t3 表示單鍵、碳原子數1～18個之直鏈狀或者支鏈狀的伸烷基或碳原子數2～18個之直鏈狀或者支鏈狀的伸烯基，該伸烷基或該伸烯基之－CH₂ －亦可以氧原子不直接鄰接之方式被取代成－O－、－COO－、－C（＝O）－、－OCO－，
Ｗ^t2 表示單鍵或1價～4價之有機基，
Ｗ^t1 表示單鍵或直鏈狀或者支鏈狀之伸烷基，
n^t1 表示0以上且4以下之整數，
m^t1 表示1以上且3以下之整數，分子內之氫原子亦可被取代成上述聚合性基P^a1 －Sp^a1 －，＊表示鍵結鍵，與液晶原基、聚合性基、柔性基或間隔基鍵結）
於上述通式（T－1－1）～（T－4－1）中，較佳為X^ta 或X^tb 之任一者為－O－，更佳為X^ta 及X^tb 為－O－。

作為上述通式（T－1－1）～（T－4－1）之具體例，可列舉以下之基。

（上述式中，R^tc 以氫原子、碳原子數1～7個之烷基或聚合性基P^a1 －Sp^a1 －，分子內之氫原子亦可被取代成上述聚合性基P^a1 －Sp^a1 －，＊表示鍵結鍵，與液晶原基、聚合性基、柔性基或間隔基鍵結）
上述通式（T－5－1）較佳表示通式（T－5－2）。

（上述通式（T－5－2）中，Ｗ^t1 表示與上述通式（T－5）中之Ｗ^t1 相同的意義，R^t51 及R^t52 各自獨立地表示碳原子數1～8個之直鏈狀或支鏈狀的烷基或氰基化烷基，此等烷基中之至少2個以上的－CH₂ －亦可以氧原子不直接鄰接之方式被－CH＝CH－、－C≡C－、－O－或－NH－取代，R^tc 以氫原子、碳原子數1～7個之烷基或聚合性基P^a1 －Sp^a1 －表示，n^t1 、n^t2 及n^t3 各自獨立地表示0或1，分子內之氫原子亦可被取代成P^a1 －Sp^a1 －）
作為上述通式（T－5－1）之具體例，可列舉以下之基。

（上述式中，R^tc 以氫原子、碳原子數1～7個之烷基或聚合性基P^a1 －Sp^a1 －表示，分子內之氫原子亦可被取代成上述聚合性基P^a1 －Sp^a1 －，＊表示鍵結鍵，與液晶原基、聚合性基、柔性基或間隔基鍵結）

（上述式中，R^tc 以氫原子、碳原子數1～7個之烷基或聚合性基P^a1 －Sp^a1 －表示，分子內之氫原子亦可被取代成上述聚合性基P^a1 －Sp^a1 －）（＊表示鍵結鍵，與液晶原基、聚合性基、柔性基或間隔基鍵結）
再者，作為本案之自配向性化合物之極性基，較佳為並非是羥基（醇性、酚性、－COOH、－SO₂ (OH)等）者。

於本發明之自配向性化合物中，較佳為使吸附基所含之極性要素或聚合性基所含之極性要素局部化的形態。吸附基為用以使液晶組成物垂直配向之重要的構造，藉由吸附基與聚合性基鄰接，可得到更良好之配向性，又，顯示出對液晶組成物之良好的溶解性。具體而言，較佳為於液晶原基之同一環上具有聚合性基及吸附基的形態。於此情形時，包含「1個以上之聚合性基及1個以上之吸附基各自鍵結於同一環上的形態」與「1個以上之聚合性基的至少一個或1個以上之吸附基的至少一個之中，其中一者鍵結於另一者，於同一環上具有聚合性基及吸附基的形態」。又，於此情形時，聚合性基之間隔基的氫原子亦可經吸附基取代，並且亦包含吸附基之分子的氫原子被聚合性基之間隔基取代的形態。

又，於本發明之自配向性化合物中，聚合性基之1個以上的氫原子亦可被取代成吸附基。作為此情形時之較佳形態，可舉聚合基P^a1 或視需要之連結於該聚合基之SP^a1 的1個以上的氫原子被取代成吸附基之形態，作為更佳之形態，則可舉聚合性基（P^a1 －Sp^a1 －）中之1個以上的氫原子被取代成上述通式（T）表示之吸附基的形態。

例如，作為吸附基與聚合性基連結之適合的形態，可列舉以下之式（T－1－1.1）、（T－6－1.1）或（T－5－1.1）。

（上述式中，R^t11a 、R^t16a 及R^t151a 各自獨立地表示氫原子或碳原子數1～3之烷基，R^t151b 及R^t151c 各自獨立地表示碳原子數1～3之烷基、碳原子數1～3之氰基化烷基，
X^a 及X^b 表示－O－、－S－或－CH₂ －，
L^t151a 及L^t151b 各自獨立地表示亞甲基、伸乙基、伸丙基、亞乙烯基、伸乙烯基、異伸丙烯基或亞乙基，
n^t11c ，n^t151c 、n^t16c 、n^t151d 、n^t151e 、n^t151f 及n^t151g 各自獨立地表示0或1，n^t11a 、n^t11b 、n^t16a 、n^t16b 、n^t151a 及n^t151b 各自獨立地表示1～11之整數，＊表示對液晶原基之鍵結鍵）
於上述式（T－1－1.1）中，較佳為X^a 或X^b 之任一者為－O－，更佳為X^ta 及X^tb 為－O－。

較佳於上述式（T－5－1.1）中，L^t151a 及L^t151b 各自獨立地為亞甲基、伸乙基、亞乙烯基、伸乙烯基、異伸丙烯基或亞乙基。

於上述式（T－1－1.1）、（T－6－1.1）及（T－5－1.1）中，n^t11a 、n^t11b 、n^t16a 、n^t16b 、n^t151a 及n^t151b 較佳各自獨立地為1～8之整數，更佳為1～5之整數。

本發明之柔性基具有誘導液晶分子之配向的功能，較佳表示直鏈狀或者支鏈狀之碳原子數1～20的伸烷基，更佳表示直鏈狀之碳原子數1～20的伸烷基，更佳表示直鏈狀之碳原子數2～15的伸烷基。又，該伸烷基中之1個或未鄰接之2個以上的－CH₂ －亦可各自獨立地經－CH＝CH－、－C≡C－、－O－、－CO－、－COO－或－OCO－取代。

從自配向性化合物對於液晶層具備有所謂之兩親媒性的觀點，上述柔性基較佳鍵結於液晶原基。

於本發明之自配向性化合物中，上述柔性基較佳具有1～6個，更佳具有1～4個，再更佳具有1～3個。

於上述自配向性化合物中，不易與液晶層融合之吸附基或聚合性基等極性部分及容易與液晶層融合之液晶原基或柔性基等非極性部分，較佳於分子內不均勻地存在，較佳為對所謂之液晶層顯示出兩親媒性。因此，本發明之自配向性化合物較佳為下述構造：於液晶原基之一端部具有使液晶分子配向之柔性基，而於液晶原基之另一端部具有聚合性基及吸附基。認為是在液晶層與基板之界面附近由於界面自由能變高，故於一分子內具有對液晶層具親和性之非極性部分與對液晶層之親和性低的極性部分的物質會排列於界面上，因而將界面自由能降低。

本發明之液晶組成物中之自配向性化合物的含量下限較佳為0.02質量％，較佳為0.03質量％，較佳為0.04質量％，較佳為0.05質量％，較佳為0.06質量％，較佳為0.07質量％，較佳為0.08質量％，較佳為0.09質量％，較佳為0.1質量％，較佳為0.12質量％，較佳為0.15質量％，較佳為0.17質量％，較佳為0.2質量％，較佳為0.22質量％，較佳為0.25質量％，較佳為0.27質量％，較佳為0.3質量％，較佳為0.32質量％，較佳為0.35質量％，較佳為0.37質量％，較佳為0.4質量％，較佳為0.42質量％，較佳為0.45質量％，較佳為0.5質量％，較佳為0.55質量％。本發明之液晶組成物中之通式（I）所表示之聚合性化合物的含量上限較佳為2.5質量％，較佳為2.3質量％，較佳為2.1質量％，較佳為2質量％，較佳為1.8質量％，較佳為1.6質量％，較佳為1.5質量％，較佳為1質量％，較佳為0.95質量％，較佳為0.9質量％，較佳為0.85質量％，較佳為0.8質量％，較佳為0.75質量％，較佳為0.7質量％，較佳為0.65質量％，較佳為0.6質量％，較佳為0.55質量％，較佳為0.5質量％，較佳為0.45質量％，較佳為0.4質量％。

本發明之自配向性化合物之特別合適的具體例，為以下之通式（al－1－1）所表示的化合物。

（上述通式（al－1－1）中，R^al3 表示碳原子數1～12之直鏈狀的烷基，於該烷基中，1個或未鄰接之2個以上的－CH₂ －亦可被－O－或－CH＝CH－取代，
L^al5 、L^al6 、L^al7 及L^al8 各自獨立地表示氫原子、碳原子數1～12個之烷基、鹵素原子或上述P^a1 －Sp^a1 －，於該烷基中，1個或未鄰接之2個以上的－CH₂ －亦可被－O－或－CH＝CH－取代，
環A^al3 表示1,4－伸環己基或1,4－伸苯基，
R^ala 或R^alb 各自獨立地表示氫原子或上述P^a1 －Sp^a1 －，R^ala 或R^alb 之至少一者表示上述P^a1 －Sp^a1 －，
Z^al3 表示單鍵、－CH₂ －CH₂ －、－CH₂ －O－或O－CH₂ －，
R^al4 表示由上述通式（T）表示之吸附基，
p^a13 及p^a14 各自獨立地表示0或1）
較佳於上述通式（al－1－1）中，L^al7 及L^al8 中之一者表示碳原子數1～5個之烷基。

於上述通式（al－1－1）中，R^ala 及R^alb 較佳表示上述P^a1 －Sp^a1 －。

於上述通式（al－1－1）中，R^al4 較佳為上述通式（T－1－1）～（T－7－1）或式（T－1－1.1）或（T－5－1.1）。

作為較佳的化合物，可列舉以下之式（AL－2.1）～（AL－2.60）所表示的化合物。

本發明之組成物為了提高可靠性，可進一步含有1種或2種以上化合物（Q）來作為添加劑。化合物（Q）較佳為具有下述結構。

（式中，R^Q 表示羥基、氫原子、碳原子數1至22之直鏈烷基或支鏈烷基，該烷基中之一個或兩個以上之CH₂ 基亦可以氧原子不直接鄰接之方式被－O－、－CH＝CH－、－CO－、－OCO－、－COO－、－C≡C－、－CF₂ O－、－OCF₂ －取代，於*與其他結構鍵結）
R^Q 表示碳原子數1至22之直鏈烷基或支鏈烷基，該烷基中之一個或兩個以上之CH₂ 基可以氧原子不直接鄰接的方式被－O－、－CH＝CH－、－CO－、－OCO－、－COO－、－C≡C－、－CF₂ O－、－OCF₂ －取代，較佳為碳原子數1至10之直鏈烷基、直鏈烷氧基、一個CH₂ 基被－OCO－或－COO－取代之直鏈烷基、支鏈烷基、支鏈烷氧基、一個CH₂ 基被－OCO－或－COO－取代之支鏈烷基，更佳為碳原子數1至20之直鏈烷基、一個CH₂ 基被－OCO－或－COO－取代之直鏈烷基、支鏈烷基、支鏈烷氧基、一個CH₂ 基被－OCO－或－COO－取代之支鏈烷基。M^Q 表示反式－1,4－伸環己基、1,4－伸苯基或單鍵，較佳為反式－1,4－伸環己基或1,4－伸苯基。

更具體而言，化合物（Q）較佳為下述通式（Q－a）至通式（Q－d）所表示之化合物。

式中，R^Q1 較佳為碳原子數1至10之直鏈烷基或支鏈烷基，R^Q2 較佳為碳原子數1至20之直鏈烷基或支鏈烷基，R^Q3 較佳為碳原子數1至8之直鏈烷基、支鏈烷基、直鏈烷氧基或支鏈烷氧基，L^Q 較佳為碳原子數1至8之直鏈伸烷基或支鏈伸烷基。通式（Q－a）至通式（Q－d）所表示之化合物中，更佳為通式（Q－c）及通式（Q－d）所表示之化合物。

於本案發明之組成物中，較佳為含有1種或2種通式（Q）所表示之化合物，更佳為含有1種至5種，其含量較佳為0.001至1％，更佳為0.001至0.1％，尤佳為0.001至0.05％。

又，作為本發明中可使用之抗氧化劑或光穩定劑，具體而言較佳為以下（Q－1）～（Q－44）所表示之化合物。

（式中，n表示0至20之整數）
本實施形態之液晶組成物係應用於液晶顯示元件。以下，一面適當參照圖1、2一面對本實施形態之液晶顯示元件之例進行說明。

圖1係示意性地表示液晶顯示元件之構成之圖。於圖1中，為了方便說明，使各構成要素相離而表示。如圖1所示，本實施形態之液晶顯示元件1具備以對向之方式配置之第一基板2及第二基板3、以及設置於第一基板2與第二基板3之間之液晶層4，液晶層4係由上述本實施形態之液晶組成物所構成。

於第一基板2，於液晶層4側之面形成有像素電極層5。於第二基板3，於液晶層4側形成有共通電極層6。第一基板2及第二基板3亦可由一對偏光板7、8夾持。亦可於第二基板3之液晶層4側進一步設置有濾色器9。

即，一實施形態之液晶顯示元件1具有依序積層有第一偏光板7、第一基板2、像素電極層5、含有液晶組成物之液晶層4、共通電極層6、濾色器9、第二基板3、及第二偏光板8之構成。

第一基板2及第二基板3係由例如玻璃或塑膠等具有柔軟性之材料形成。第一基板2及第二基板3之至少一者係由透明之材料形成，另一者可由透明之材料形成，亦可由金屬或矽等不透明之材料形成。第一基板2及第二基板3係藉由配置於周緣區域之環氧系熱硬化性組成物等密封材料及封閉材料而相互貼合，為了保持基板間距離，亦可於其間配置例如玻璃粒子、塑膠粒子、氧化鋁粒子等粒狀間隔劑、或藉由光微影法所形成之由樹脂所構成之間隔柱。

第一偏光板7及第二偏光板8可以調整各偏光板之偏光軸而使視野角或對比度變得良好之方式進行調整，較佳為以其等之透射軸於正常顯黑模式下作動之方式具有相互正交之透射軸。尤佳為第一偏光板7及第二偏光板8中之任一者以具有與未施加電壓時之液晶分子之配向方向平行之透射軸之方式配置。

就防止光洩漏之觀點而言，濾色器9較佳為形成黑矩陣，且較佳為於與薄膜電晶體對應之部分形成黑矩陣（未圖示）。

黑矩陣可與濾色器一起設置於與陣列基板為相反側之基板，可與濾色器一起設置於陣列基板側，亦可分別分開設置，即，黑矩陣設置於陣列基板，濾色器設置於另一基板。又，黑矩陣可與濾色器分開設置，亦可藉由將濾色器之各色重疊而使透射率降低。

圖2係將圖1中之形成於第一基板2上之像素電極層5之一部分即由I線所包圍之區域放大之俯視圖。如圖2所示，於形成於第一基板2之表面之包含薄膜電晶體之像素電極層5中，用以供給掃描訊號之複數個閘極匯流排線11與用以供給顯示訊號之複數個資料匯流排線12相互交叉而呈矩陣狀配置。再者，圖2中僅示有一對閘極匯流排線11、11及一對資料匯流排線12、12。

藉由由複數個閘極匯流排線11及複數個資料匯流排線12所包圍之區域，而形成液晶顯示元件之單位像素，於該單位像素內形成有像素電極13。像素電極13具有具備相互正交而構成十字形狀之兩個主幹部與自各主幹部延伸之複數個分支部的所謂魚骨結構。又，於一對閘極匯流排線11、11之間，與閘極匯流排線11大致平行地設置有Cs電極14。又，於閘極匯流排線11與資料匯流排線12相互交叉之交叉部附近，設置有包含源極電極15及汲極電極16之薄膜電晶體。於汲極電極16設置有接觸孔17。

閘極匯流排線11及資料匯流排線12較佳為分別由金屬膜所形成，更佳為由Al、Cu、Au、Ag、Cr、Ta、Ti、Mo、W、Ni或其合金所形成，進一步較佳為由Mo、Al或其合金所形成。

為了提高透射率，像素電極13較佳為透明電極。透明電極係藉由將氧化物半導體（ZnO、InGaZnO、SiGe、GaAs、IZO（Indium Zinc Oxide）、ITO（Indium Tin Oxide）、SnO、TiO、AZTO（AlZnSnO）等）進行濺鍍等而形成。此時，透明電極之膜厚可為10～200 nm。又，為了降低電阻，亦可藉由將非晶ITO膜進行煅燒而以多晶ITO膜之形式形成透明電極。

本實施形態之液晶顯示元件例如可藉由將Al或其合金等金屬材料進行濺鍍而於第一基板2及第二基板3上形成配線，並分別形成像素電極層5及共通電極層6。又，濾色器9例如可藉由顏料分散法、印刷法、電沈積法或、染色法等而製作。若將利用顏料分散法之濾色器之製作方法作為一例進行說明，則將濾色器用硬化性著色組成物塗佈於該透明基板上，實施圖案化處理，繼而藉由加熱或光照射而使之硬化。藉由對於紅、綠、藍之3種顏色分別進行該步驟，可製作濾色器用像素部。又，濾色器9亦可設置於具有TFT等之基板側。

第一基板2與第二基板3係以像素電極層5及共通電極層6分別成為內側之方式對向，此時亦可經由間隔件而調整第一基板2與第二基板3之間隔。此時，液晶層4之厚度較佳為以成為例如1～100 μm之方式調整。

於使用偏光板7、8之情形時，較佳為以對比度成為最大之方式調整液晶層4之折射率異向性Δn與液晶層4之厚度之積。又，於具有兩片偏光板7、8之情形時，亦可以調整各偏光板之偏光軸而使視野角或對比度變得良好之方式調整。進一步，亦可使用用以擴大視野角之相位差膜。其後，將環氧系熱硬化性組成物等密封劑以設置有液晶注入口之形式網版印刷於該基板，將該基板彼此貼合並進行加熱，使密封劑熱硬化。

作為使組成物夾持於2片基板2、3間之方法，可使用通常之真空注入法或滴加注入（ODF：One Drop Fill）法等，於真空注入法中雖然不會產生滴痕，但存在殘留注入痕跡之問題，於本實施形態中，可更適宜地用於使用ODF法製造之顯示元件。於ODF法之液晶顯示元件製造步驟中，於底板或前板之任一基板，使用分注器將環氧系光熱併用硬化性等之密封劑呈閉環堤狀描繪，於其中，於脫氣下滴加特定量之組成物後，將前板與底板接合，藉此可製造液晶顯示元件。於本實施形態中，於ODF法中可抑制將液晶組成物滴加至基板時之滴痕之產生。再者，所謂滴痕，定義為於黑顯示之情形時滴加液晶組成物之痕跡浮現白色之現象。

又，於利用ODF法之液晶顯示元件之製造步驟中，必須根據液晶顯示元件之尺寸而滴加最佳之液晶注入量，本實施形態之液晶組成物對於例如液晶滴加時產生之滴加裝置內之急遽之壓力變化或衝擊之影響較少，可長時間穩定地持續滴加液晶，因此亦可將液晶顯示元件之良率保持為較高。尤其，多用於最近流行之智慧型手機之小型液晶顯示元件由於最佳之液晶注入量較少，故而本身難以將自最佳值之偏差控制於一定範圍內，藉由使用本實施形態之液晶組成物，於小型液晶顯示元件中亦可實現穩定之液晶材料之噴出量。

於本實施形態之液晶組成物含有聚合性化合物之情形時，作為使聚合性化合物聚合之方法，為了獲得液晶之良好之配向性能，較理想為適度之聚合速度，因此較佳為藉由照射單一之紫外線或電子束等活性能量射線、或將其等併用或依序照射而進行聚合之方法。於使用紫外線之情形時，可使用偏光光源，亦可使用非偏光光源。又，於在使含有聚合性化合物之組成物夾持於2片基板間之狀態下進行聚合之情形時，至少照射面側之基板必須被賦予對於活性能量射線適當之透明性。又，亦可使用如下手段：於光照射時使用遮罩僅使特定之部分聚合後，藉由使電場或磁場或溫度等條件變化而使未聚合部分之配向狀態變化，進一步照射活性能量射線使之聚合。尤其於進行紫外線曝光時，較佳為一面對含有聚合性化合物之組成物施加交流電場一面進行紫外線曝光。施加之交流電場較佳為頻率10 Hz～10 kHz之交流，更佳為頻率60 Hz～10 kHz，電壓係取決於液晶顯示元件之所欲之預傾角而選擇。即，可藉由施加之電壓而控制液晶顯示元件之預傾角。於橫向電場型MVA模式之液晶顯示元件中，就配向穩定性及對比度之觀點而言，較佳為將預傾角控制為80度～89.9度。

照射時之溫度較佳為保持本實施形態之組成物之液晶狀態之溫度範圍內。較佳為於接近室溫之溫度下，即，典型的是於15～35℃之溫度下進行聚合。作為產生紫外線之燈，可使用金屬鹵化物燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈等。又，作為照射之紫外線之波長，較佳為照射並非組成物之吸收波長區域之波長區域之紫外線，且較佳為視需要截取紫外線而使用。照射之紫外線之強度較佳為0.1 mW／cm² ～100 W／cm² ，更佳為2 mW／cm² ～50 W／cm² 。照射之紫外線之能量可適當調整，較佳為10 mJ／cm² ～500 J／cm² ，更佳為100 mJ／cm² ～200 J／cm² 。於照射紫外線時亦可使強度變化。照射紫外線之時間係根據照射之紫外線強度而適當選擇，較佳為10秒～3600秒，更佳為10秒～600秒。

於本實施形態之液晶組成物中，化合物（i）由於不會阻礙上述聚合性化合物之聚合反應，故而聚合性化合物彼此適宜地聚合，可抑制未反應之聚合性化合物殘存於液晶組成物中。

於使用例如上述化合物（ii）作為聚合性化合物之情形時，所獲得之液晶顯示元件1具備兩個基板2、3、設置於兩個基板2、3之間之含有液晶組成物及通式（ii）所表示之化合物之聚合物的液晶層4。於此情形時，認為通式（ii）所表示之化合物之聚合物偏集存在於液晶層4中之基板2、3側。

液晶顯示元件1可為主動矩陣驅動用液晶顯示元件。液晶顯示元件1可為PSA型、PSVA型、VA型、IPS型、FFS型或ECB型之液晶顯示元件，較佳為PSA型液晶顯示元件。

於本實施形態之液晶顯示元件中，由於使用含有化合物（i）之液晶組成物，故而無需於第一基板2及第二基板3之液晶層4側設置聚醯亞胺配向膜等配向膜。即，本實施形態之液晶顯示元件可採用兩個基板中之至少一基板不具有聚醯亞胺配向膜等配向膜之構成。
[實施例]

以下舉出實施例更進一步詳述本發明，但本發明並沒有限定於此等實施例。又，下述實施例及比較例之組成物中的「％」意指『質量％』。
實施例中關於液晶化合物之記載使用以下之代號。
（環結構）

（側鏈結構及連結結構）

[表1]

實施例中，測定之特性如下。再者，測定只要沒有特別記載，則是根據JEITA ED－2521B所規定之方法。

T_ni ：向列相－等向性液相轉移溫度（℃）
Δn ：於25℃之折射率異向性
Δε ：於25℃之介電異向性
K11 ：於25℃之彈性常數K11（pN）
K33 ：於25℃之彈性常數K33（pN）
γ1 ：於25℃之旋轉黏性（mPa･s）
低溫保存性之評價試驗：過濾液晶組成物，利用真空減壓條件進行溶存空氣之去除。加入到充分洗淨後之容器，於－20℃之環境下靜置240小時。然後，藉由目視觀察有無析出，以下述2個等級來進行判定。

○：無法確認到析出
×：可確認到析出
垂直配向性之評價試驗：製作「具備由透明共通電極構成之透明電極層及濾色器層，但不具有配向膜的第一基板（共通電極基板）」與「具有像素電極層但不具有配向膜的第二基板（像素電極基板），該像素電極層具有受到主動元件驅動之透明像素電極」。將液晶組成物滴加於第一基板上，以第二基板進行夾持，使密封材硬化，從而得到液晶單元。使用偏光顯微鏡觀察此時之垂直配向性，以下述4個等級加以評價。
◎：均勻地垂直配向
○：僅具有非常少的配向缺陷，但為可容許之等級
△：含有配向缺陷，為不可容許之等級
×：配向不良非常惡劣
預傾角穩定性之評價試驗：對於上述（垂直配向性之評價試驗）中所使用之液晶單元，一面施加10 V、100 Hz之矩形交流波一面使用高壓水銀燈照射於365 nm之照度為100 m／cm² 之UV光200秒。其後，一面施加10 V、100 Hz之矩形交流波一面對單元施加物理性外力，對於白顯示之穩定性以下述4個等級加以評價。

◎：均勻地配向
○：僅具有非常少的配向缺陷，但為可容許之等級
△：含有配向缺陷，為不可容許之等級
×：配向不良非常惡劣
（實施例1～24、比較例1）
製備下表所示之LC－1～LC－14、及LC－R1之液晶組成物，測定其等之物性。物性係如表2～4所示。

[表2]

[表3]

[表4]

製備相對於上述各液晶組成物100質量份，以表中之添加量添加聚合性化合物而成之含有聚合性化合物之液晶組成物，確認低溫保存性、垂直配向性及預傾角穩定性。特性係如表5～9所示。確認到：本案發明之聚合性液晶組成物均具有優異特性。

[表5]

[表6]

[表7]

[表8]

[表9]

1‧‧‧液晶顯示元件

2‧‧‧第一基板

3‧‧‧第二基板

4‧‧‧液晶層

5‧‧‧像素電極層

6‧‧‧共通電極層

7‧‧‧第一偏光板

8‧‧‧第二偏光板

9‧‧‧濾色器

11‧‧‧閘極匯流排線

12‧‧‧資料匯流排線

13‧‧‧像素電極

14‧‧‧Cs電極

15‧‧‧源極電極

16‧‧‧汲極電極

17‧‧‧接觸孔

圖1係示意性地表示液晶顯示元件之一實施形態之圖。

圖2係將圖1中之由I線所包圍之區域放大之俯視圖。

Claims

一種液晶組成物，其介電異向性（Δε）為負，且含有1種或2種以上之選自通式（N－1）、（N－2）及（N－3）所表示之化合物中之化合物，及1種或2種以上之聚合性化合物，（式中，R^N11 、R^N12 、R^N21 、R^N22 、R^N31 及R^N32 各自獨立地表示碳原子數1～8之烷基，該烷基中之1個或未鄰接之2個以上的－CH₂ －亦可各自獨立地被－CH＝CH－、－C≡C－、－O－、－CO－、－COO－或－OCO－取代， A^N11 、A^N12 、A^N21 、A^N22 、A^N31 及A^N32 各自獨立地表示選自由下述（a）、（b）、（c）、（d）所組成之群中的基：（a）1,4－伸環己基（存在於此基中之1個－CH₂ －或未鄰接之2個以上的－CH₂ －可被取代成－O－）（b）1,4－伸苯基（存在於此基中之1個－CH＝或未鄰接之2個以上的－CH＝可被取代成－N＝）（c）萘－2,6－二基、1,2,3,4－四氫萘－2,6－二基或十氫萘－2,6－二基（存在於萘－2,6－二基或1,2,3,4－四氫萘－2,6－二基中之1個－CH＝或未鄰接之2個以上的－CH＝可被取代成－N＝）及（d）1,4－伸環己烯基（cyclohexenylene），上述之基（a）、基（b）、基（c）及基（d）亦可各自獨立地被氰基、氟原子或氯原子取代， Z^N11 、Z^N12 、Z^N21 、Z^N22 、Z^N31 及Z^N32 各自獨立地表示單鍵－CH₂ CH₂ －、－（CH₂ ）₄ －、－OCH₂ －、－CH₂ O－、－COO－、－OCO－、－OCF₂ －、－CF₂ O－、－CH＝N－N＝CH－、－CH＝CH－、－CF＝CF－或－C≡C－， X^N21 表示氫原子或氟原子， T^N31 表示－CH₂ －或氧原子， n^N11 、n^N12 、n^N21 、n^N22 、n^N31 及n^N32 各自獨立地表示0～3之整數，n^N11 ＋n^N12 、n^N21 ＋n^N22 及n^N31 ＋n^N32 各自獨立地為1、2或3，當A^N11 ～A^N32 、Z^N11 ～Z^N32 存在複數個之情形時，其等可相同或亦可不同）。
如請求項1所述之聚合性液晶組成物，其中，液晶組成物中所含有之通式（N－1）、（N－2）及（N－3）所表示之化合物中之Z^N11 、Z^N12 、Z^N21 、Z^N22 、Z^N31 及Z^N32 為單鍵之化合物的合計含量相對於通式（N－1）、（N－2）及（N－3）所表示之化合物的合計含量，為50～100質量%。
如請求項1所述之液晶組成物，其中，液晶組成物中所含有之下述化合物的合計含量相對於通式（N－1）、（N－2）及（N－3）所表示之化合物的合計含量，為5～50質量%；該化合物係通式（N－1）、（N－2）及（N－3）所表示之化合物中之Z^N11 及Z^N12 之至少一者為單鍵以外之連結基，Z^N21 及Z^N22 之至少一者為單鍵以外之連結基，Z^N31 及Z^N32 之至少一者為單鍵以外之連結基的化合物。
如請求項1至3中任一項所述之液晶組成物，其含有1種或2種以上之通式（P）所表示之化合物來作為聚合性化合物，（上述通式（P）中，R^p1 表示氫原子、氟原子、氰基、氫原子、氫原子亦可被鹵素原子取代之碳原子數1～15之烷基、氫原子亦可被鹵素原子取代之碳原子數1～15之烷氧基、氫原子亦可被鹵素原子取代之碳原子數1～15之烯基、氫原子亦可被鹵素原子取代之碳原子數1～15之烯氧基或－Sp^p2 －P^p ² ， P^p1 及P^p2 各自獨立地表示通式（P^p1 －1）～式（P^p1 －9）中之任一者，（式中，R^p11 及R^p12 各自獨立地表示氫原子、碳原子數1～5之烷基或碳原子數1～5之鹵化烷基，W^p11 表示單鍵、－O－、－COO－或亞甲基，t^p11 表示0、1或2，於分子内存在複數個R^p11 、R^p12 、W^p11 及／或t^p11 之情形時，其等可相同或亦可不同） Sp^p1 及Sp^p2 各自獨立地表示單鍵或間隔基， Z^p1 及Z^p2 各自獨立地表示單鍵、－O－、－S－、－CH₂ －、－OCH₂ －、－CH₂ O－、－CO－、－C₂ H₄ －、－COO－、－OCO－、－OCOOCH₂ －、－CH₂ OCOO－、－OCH₂ CH₂ O－、－CO－NR^ZP1 －、－NR^ZP1 －CO－、－SCH₂ －、－CH₂ S－、－CH＝CR^ZP1 －COO－、－CH＝CR^ZP1 －OCO－、－COO－CR^ZP1 ＝CH－、－OCO－CR^ZP1 ＝CH－、－COO－CR^ZP1 ＝CH－COO－、－COO－CR^ZP1 ＝CH－OCO－、－OCO－CR^ZP1 ＝CH－COO－、－OCO－CR^ZP1 ＝CH－OCO－、－（CH₂ ）_z －COO－、－（CH₂ ）₂ －OCO－、－OCO－（CH₂ ）₂ －、－（C＝O）－O－（CH₂ ）₂ －、－CH＝CH－、－CF＝CF－、－CF＝CH－、－CH＝CF－、－CF₂ －、－CF₂ O－、－OCF₂ －、－CF₂ CH₂ －、－CH₂ CF₂ －、－CF₂ CF₂ －或－C≡C－（式中，R^ZP1 各自獨立地表示氫原子或碳原子數1～4之烷基，於分子内存在複數個R^ZP1 之情形時，其等可相同或亦可不同） A^p2 表示1,4－伸苯基、1,4－伸環己基、蒽－2,6－二基、菲－2,7－二基、吡啶－2,5－二基、嘧啶－2,5－二基、萘－2,6－二基、茚烷－2,5－二基、1,2,3,4－四氫萘－2,6－二基或1,3－二㗁烷－2,5－二基，A^p2 未經取代或可被碳原子數1～12之烷基、碳原子數1～12之鹵化烷基、碳原子數1～12之烷氧基、碳原子數1～12之鹵化烷氧基、鹵素原子、氰基、硝基或－Sp^p2 －P^p2 取代， A^p1 表示（A^p1 －11）～（A^p1 －19）所表示之基，（式中，於★與Sp^p1 或Z^p1 鍵結，於★★與Z^p1 鍵結，結構中之1個或2個以上之氫原子亦可被碳原子數1～12之烷基、碳原子數1～12之鹵化烷基、碳原子數1～12之烷氧基、碳原子數1～12之鹵化烷氧基、鹵素原子、氰基、硝基、或－Sp^p2 －P^p2 取代） A^p3 表示（A^p3 －11）～（A^p3 －19）所表示之基，（式中，於★與Z^p2 鍵結，於★★與R^p1 或Z^p2 鍵結，結構中之1個或2個以上之氫原子亦可被碳原子數1～12之烷基、碳原子數1～12之鹵化烷基、碳原子數1～12之烷氧基、碳原子數1～12之鹵化烷氧基、鹵素原子、氰基、硝基、或－Sp^p2 －P^p2 取代） m^p2 及m^p3 各自獨立地表示0、1、2或3，m^p1 及m^p4 各自獨立地表示1、2或3，於分子内存在複數個P^p1 、Sp^p1 、A^p1 、Z^p1 、Z^p2 、A^p3 及／或R^p1 之情形時，其等可相同或亦可不同）。
如請求項1至4中任一項所述之液晶組成物，其含有1種或2種以上之通式（SAL）所表示之化合物來作為聚合性化合物，（上述式中，P^al 表示通式（P－I）～通式（P－IX）所表示之基，（式中，R^p11 及R^p12 各自獨立地表示氫原子、碳原子數1～5之烷基或碳原子數1～5之鹵化烷基，W^p11 表示單鍵、－O－、－COO－或亞甲基，t^p11 表示0、1或2） Sp^al 表示單鍵或直鏈狀或者支鏈狀之碳原子數1～20個的伸烷基，伸烷基中之1個或未鄰接之2個以上的－CH₂ －亦可各自獨立地經－CH＝CH－、－C≡C－、－O－、－CO－、－COO－或－OCO－取代， T表示吸附基， MG表示液晶原基， Cg表示氫原子、上述吸附基、上述－Sp^al －P^al 或直鏈狀或者支鏈狀之碳原子數1～20的伸烷基，該伸烷基中之1個或未鄰接之2個以上的－CH₂ －亦可各自獨立地經－CH＝CH－、－C≡C－、－O－、－CO－、－COO－或－OCO－取代，Cg、MG及T之任一者皆亦可被取代成上述聚合性基－Sp^al －P^al －， n^sal1 、n^sal2 及n^sal3 各自獨立地表示1～5之自然數）。
如請求項1所述之液晶組成物，其中，液晶組成物中所含有之下述化合物的合計含量相對於通式（N－1）、（N－2）及（N－3）之化合物的合計含量，為50～95質量%；該化合物係通式（N－1）所表示之化合物中之Z^N11 及Z^N12 之至少一者為單鍵以外之連結基，Z^N21 及Z^N22 之至少一者為單鍵以外之連結基，Z^N31 及Z^N32 之至少一者為單鍵以外之連結基的化合物。
一種液晶顯示元件，其使用有請求項1至6中任一項所述之液晶組成物。
一種主動矩陣驅動用液晶顯示元件，其使用有請求項1至6中任一項所述之液晶組成物。
IPS型、FFS型、PSA型或PSVA型液晶顯示元件，其使用有請求項1至6中任一項所述之液晶組成物。