TW201931019A - 在度量衡中的資料之估計 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示用於估計複數個資料集中之至少一者之一未知值的方法及裝置，每一資料集包含指示由一基板中或上所製造之一或多個特徵繞射及/或反射及/或散射的輻射之複數個值，其中該複數個資料集包含至少一個已知值，且其中該複數個資料集中之至少一者包含一未知值，該裝置包含一處理器，該處理器用以基於以下各者估計該至少一個資料集之該未知值：該複數個資料集之該等已知值；該複數個資料集之一資料集內之兩個或兩個以上值之間的一第一條件；及作為該複數個該等資料集之不同資料集之部分的兩個或兩個以上值之間的一第二條件。

Description

在度量衡中的資料之估計
本發明係關於在度量衡中的資料之估計。特定言之，本發明可係關於包含指示由在基板中或上製造之一或多個特徵繞射及/或反射及/或散射的輻射之值之資料的估計，該基板可為諸如晶圓之半導體基板。
微影裝置為經建構以將所要圖案施加至基板上之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)製造中。微影裝置可例如將圖案化器件(例如光罩)處之圖案(亦常常被稱作「設計佈局」或「設計」)投影至提供於基板(例如晶圓)上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。
為了將圖案投影於基板上，微影裝置可使用電磁輻射。此輻射之波長判定可形成於基板上之特徵之最小大小。當前在使用中之典型波長為365奈米(i線)、248奈米、193奈米及13.5奈米。相比於使用例如具有193奈米之波長的輻射之微影裝置，使用具有在1奈米至100奈米之範圍內(例如在5奈米至20奈米之範圍內，例如6.7奈米或13.5奈米)之波長的軟X射線或極紫外線(EUV)輻射之微影裝置可用以在基板上形成較小特徵。
低k1 微影可用以處理尺寸小於微影裝置之經典解析度極限的特徵。在此製程中，可將解析度公式表達為CD = k1 ×λ/NA，其中λ為所使用輻射之波長、NA為微影裝置中之投影光學件之數值孔徑、CD為「臨界尺寸」(通常為經印刷之最小特徵大小，但在此狀況下為半節距)且k1 為經驗解析度因數。一般而言，k1 愈小，則在基板上再生類似於由電路設計者規劃之形狀及尺寸以便達成特定電功能性及效能的圖案變得愈困難。為了克服此等困難，可將複雜微調步驟應用至微影投影裝置及/或設計佈局。此等步驟包括例如但不限於：NA之最佳化、自訂照明方案、使用相移圖案化器件、設計佈局之各種最佳化，諸如設計佈局中之光學近接校正(OPC，有時亦被稱作「光學及製程校正」)，或通常被定義為「解析度增強技術」(RET)之其他方法。替代地，用於控制微影裝置之穩定性之嚴格控制迴路可用以改良在低k1 下之圖案之再現。
為了正確且一致地曝光由微影裝置LA曝光之基板W，需要檢測基板以量測經圖案化結構之屬性，諸如後續層之間的疊對誤差、線厚度、臨界尺寸(CD)等。此製程可被稱為度量衡且可由諸如度量衡工具之一或多個檢測裝置進行。
在一些例示性方法及裝置中，可「在產品上」進行度量衡，此意謂使用在基板中或上製造之特徵來進行度量衡，該等特徵在總體IC設計中具有功能且貢獻於IC之操作。因此，此等特徵並非專用度量衡目標。用於此等度量衡技術中之技術可需要開發資料庫，可比較經量測資料與該等資料庫，以便判定基板上或中之一或多個特徵之一或多個參數。在一些實例中，此等庫可識別對於展現特定參數之特徵之複數個預期光學回應。藉由比較經量測光學回應與庫中之光學回應，可判定參數之估計值。
此等庫之開發係耗時的製程，此係因為其通常藉由使用馬克士威方程式模擬或估計當由來自特定光學系統之輻射照明時展現特定參數的特定特徵之光學回應而產生。該等庫貢獻於所謂的度量衡「配方」，且藉由耗時的模擬製程增加了「配方時間」(Time to Recipe; T2R)。另外，亦藉由耗時的模擬製程增加了在量測期間之光學回應之模擬。因此需要提供用於估計度量衡中之資料(諸如光學回應)之更高效方法及裝置。
根據本發明，在一態樣中，提供一種用於估計複數個資料集中之至少一者之一未知值的裝置，每一資料集包含指示由一基板中或上所製造之一或多個特徵繞射及/或反射及/或散射的輻射之複數個值。該複數個資料集包含至少一個已知值，且該複數個資料集中之至少一者包含一未知值。該裝置包含一處理器，該處理器經組態以基於以下各者估計該至少一個資料集之該未知值：該複數個資料集之該等已知值；該複數個資料集之一資料集內之兩個或兩個以上值之間的一第一條件；及作為該複數個該等資料集之不同資料集之部分的兩個或兩個以上值之間的一第二條件。
該第一條件及該第二條件可為經強加條件。
視情況，該第一條件包含一平滑度條件。
視情況，該第一條件包含指示該複數個資料集之該資料集內之一或多個值之間的量值之一差之資料。
視情況，該處理器經組態以在該複數個資料集之該資料集內之包含鄰近值的兩個或兩個以上值之間應用該第一條件。
視情況，該第二條件包含一相關性條件。
視情況，該第二條件包含該複數個該等資料集之該等不同資料集中之對應值之間的一相關性。
視情況，該相關性條件進一步包含該複數個資料集之該等資料集中之一者中的值之間的一相關性。
視情況，該第一條件及/或該第二條件指示該複數個資料集之一資訊內容。
視情況，該處理器經組態以基於一矩陣完成演算法估計該至少一個資料集之該未知值。
視情況，該矩陣完成演算法係基於一凸最佳化技術。
視情況，該凸最佳化技術包含近似分裂及原有對偶演算法中之一者。
視情況，該處理器經組態以基於以下方程式估計該至少一個資料集之該未知值：

其中di 為一資料集且形成一矩陣D之一列、DM 為該複數個已知值、γ為相比於該相關性條件向該平滑度條件指派一權重之一值、ϵ為D 中之已知值之一估計的一誤差項、M為識別該複數個已知值之一光罩，且TV為總變差。
視情況，該處理器經組態以估計針對複數個光學及/或特徵參數中之每一者之一或多個資料集中的未知值且產生資料集之一庫，該等資料集之該庫相當於經由由該感測器執行之一量測所獲得的一經量測資料集。
視情況，該處理器經組態以使該經量測資料集與該庫中之該等資料集中之至少一者匹配，以判定對該基板進行之一微影製程之至少一個參數。
視情況，該處理器經進一步組態以基於以下各者中之一或多者產生該至少一個資料集中之該等已知值中的一或多者：經組態以導引輻射朝向在一基板中或上所製造之該一或多個特徵的一光學系統之至少一個參數；該輻射之至少一個參數；及一基板中或上所製造之該一或多個特徵之至少一個參數。
視情況，該處理器經組態以在一資料集中資訊內容高於一臨限值的部位處產生該等已知值中之該一或多者。
視情況，該複數個資料集中之一或多者中之所有值係已知的。
視情況，所有值係已知的該一或多個資料集係與在該基板或另一基板上所製造之一或多個另外特徵相關。
視情況，該複數個資料集中之一或多者表示一光瞳影像且該等值中之一或多者表示一光瞳影像之一像素。
視情況，該等像素中之一或多者包含指示反射率或強度之資料。
視情況，該裝置進一步包含一感測器，該感測器經組態以接收由該一或多個特徵繞射及/或反射及/或散射之輻射。
根據本發明，在一態樣中，提供一種檢測裝置，其包含根據本文中所揭示之任何內容之一裝置。
視情況，該檢測裝置係一度量衡裝置。
根據本發明，在一態樣中，提供一種微影裝置，其包含根據本文中所揭示之任何內容之一裝置。
根據本發明，在一態樣中，提供一種微影製造單元，其包含根據本文中所揭示之任何內容之一裝置。
根據本發明，在一態樣中，提供一種用於估計複數個資料集中之至少一者之一未知值的方法，每一資料集包含指示由一基板中或上所製造之一或多個特徵繞射及/或反射及/或散射的輻射之複數個值。該複數個資料集包含至少一個已知值，且該複數個資料集中之至少一者包含一未知值。該方法包含藉由一處理器基於以下各者估計該至少一個資料集之該未知值：該複數個資料集之該等已知值；該複數個資料集之一資料集內之兩個或兩個以上值之間的一第一條件；及作為該複數個該等資料集之不同資料集之部分的兩個或兩個以上值之間的一第二條件。
視情況，該第一條件包含一平滑度條件。
視情況，該第一條件包含指示該複數個資料集之該資料集內之一或多個值之間的量值之一差之資料。
視情況，該方法進一步包含在該複數個資料集之該資料集內之包含鄰近值的兩個或兩個以上值之間應用該第一條件。
視情況，該第二條件包含一相關性條件。
視情況，該第二條件包含該複數個該等資料集之該等不同資料集中之對應值之間的一相關性。
視情況，該相關性條件進一步包含該複數個資料集之該等資料集中之一者中的值之間的一相關性。
視情況，該第一條件及/或該第二條件指示該複數個資料集之一資訊內容。
視情況，該方法進一步包含基於一矩陣完成演算法估計該至少一個資料集之該未知值。
視情況，該矩陣完成演算法係基於一凸最佳化技術。
視情況，該凸最佳化技術包含近似分裂及原有對偶演算法中之一者。
視情況，該方法進一步包含基於以下方程式估計該至少一個資料集之該未知值：

其中di 為一資料集且形成一矩陣D之一列、DM 為該複數個已知值、γ為相比於該相關性條件向該平滑度條件指派一權重之一值、ϵ為D 中之已知值之一估計的一誤差項、M為識別該複數個已知值之一光罩，且TV為總變差。
視情況，該方法進一步包含估計針對複數個光學及/或特徵參數中之每一者之一或多個資料集中的未知值且產生資料集之一庫，該等資料集之該庫相當於經由由該感測器執行之一量測所獲得的一經量測資料集。
視情況，該方法進一步包含估計針對複數個光學及/或特徵參數中之每一者之一或多個資料集中的未知值且產生資料集之一庫，該等資料集之該庫相當於經由由該感測器執行之一量測所獲得的一經量測資料集。
視情況，該方法進一步包含使該經量測資料集與該庫中之該等資料集中之至少一者匹配，以判定對該基板進行之一微影製程之至少一個參數。
視情況，該方法進一步包含基於以下各者中之一或多者產生該至少一個資料集中之該等已知值中的一或多者：經組態以導引輻射朝向在一基板中或上所製造之該一或多個特徵的一光學系統之至少一個參數；該輻射之至少一個參數；及一基板中或上所製造之該一或多個特徵之至少一個參數。
視情況，該方法進一步包含在一資料集中資訊內容高於一臨限值的部位處產生該等已知值中之該一或多者。
視情況，該複數個資料集中之一或多者中之所有值係已知的。
視情況，所有值係已知的該一或多個資料集係與在該基板或另一基板上所製造之一或多個另外特徵相關。
視情況，該複數個資料集中之一或多者表示一光瞳影像且該等值中之一或多者表示一光瞳影像之一像素。
視情況，該等像素中之一或多者包含指示反射率或強度之資料。
根據本發明，在一態樣中，提供一種電腦程式，其包含在經執行於至少一個處理器上時致使該至少一個處理器控制一裝置以進行本文中所揭示之任何方法的指令。
根據本發明，在一態樣中，提供一種載體，其含有上述該電腦程式，其中該載體為一電子信號、光信號、無線電信號中之一者，或為非暫時性電腦可讀儲存媒體。
在本發明文件中，術語「輻射」及「光束」用以涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線輻射(例如具有為365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)，及軟X射線及/或極紫外線(EUV輻射，例如具有在約1奈米至100奈米之範圍內之波長)。
如本文中所使用之術語「倍縮光罩」、「光罩」或「圖案化器件」可被廣泛地解譯為係指可用以向入射輻射光束賦予經圖案化橫截面之通用圖案化器件，經圖案化橫截面對應於待在基板之目標部分中產生之圖案；術語「光閥」亦可用於此內容背景中。除了經典光罩(透射或反射；二元、相移、混合式等)以外，其他此等圖案化器件之實例亦包括：
- 可程式化鏡面陣列。以引用方式併入本文中之美國專利第5,296,891號及第5,523,193號中給出關於此等鏡面陣列之更多資訊。
- 可程式化LCD陣列。以引用方式併入本文中之美國專利第5,229,872號中給出此構造之實例。
圖1示意性地描繪微影裝置LA。該微影裝置LA包括：照明系統(亦被稱作照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如UV輻射、DUV輻射或EUV輻射)；支撐結構(例如光罩台) T，其經建構以支撐圖案化器件(例如光罩) MA且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件MA之第一定位器PM；基板台(例如晶圓台) WT，其經建構以固持基板(例如抗蝕劑塗佈晶圓) W且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板之第二定位器PW；及投影系統(例如折射投影透鏡系統) PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如包含一或多個晶粒)上。
在操作中，照明器IL例如經由光束遞送系統BD自輻射源SO接收輻射光束。照明系統IL可包括用於導引、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。照明器IL可用以調節輻射光束B，以在圖案化器件MA之平面處在其橫截面中具有所要空間及角強度分佈。
本文所使用之術語「投影系統」PS應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的各種類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、合成、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更一般之術語「投影系統」PS同義。
微影裝置LA可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對較高折射率之液體(例如水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間-此亦被稱作浸潤微影。以引用方式併入本文中之美國專利第6,952,253號及PCT公開案第WO99-49504號中給出關於浸潤技術之更多資訊。
微影裝置LA亦可屬於具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台WT及例如兩個或兩個以上支撐結構T (圖中未繪示)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台/結構，或可對一或多個台進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於將圖案化器件MA之設計佈局曝光至基板W上。
在操作中，輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如光罩台T)上之圖案化器件(例如光罩MA)上，且係由該圖案化器件MA而圖案化。在已橫穿光罩MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF (例如干涉器件、線性編碼器、2D編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT，例如以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM且有可能另一位置感測器(其未在圖1中明確地描繪)可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位光罩MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等基板對準標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。
如圖2所展示，微影裝置LA形成微影製造單元LC (有時亦被稱作微影製造單元(lithocell)或(微影)叢集)之部分，微影製造單元LC常常亦包括用以對基板W執行曝光前製程及曝光後製程之裝置。習知地，此等裝置包括用以沈積抗蝕劑層之旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之顯影器DE、例如用於調節基板W之溫度(例如用於調節抗蝕劑層中之溶劑)之冷卻板CH及烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取基板W、在不同製程裝置之間移動基板W且將基板W遞送至微影裝置LA之裝載匣LB。微影製造單元中常常亦被集體地稱作塗佈顯影系統之器件通常係在塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，塗佈顯影系統控制單元TCU自身可受到監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦可例如經由微影控制單元LACU而控制微影裝置LA。
為了正確且一致地曝光由微影裝置LA曝光之基板W，需要檢測基板以量測經圖案化結構之屬性，諸如後續層之間的疊對誤差、線厚度、臨界尺寸(CD)等。出於此目的，可在微影製造單元LC中包括檢測工具(圖中未繪示)。若偵測到誤差，則可對後續基板之曝光或對待對基板W執行之其他處理步驟進行例如調整，尤其是在同一批量或批次之其他基板W仍待曝光或處理之前進行檢測的情況下。
亦可被稱作度量衡裝置之檢測裝置係用以判定基板W之屬性，且尤其判定不同基板W之屬性如何變化或與同一基板W之不同層相關聯之屬性在層與層間如何變化。檢測裝置可替代地經建構以識別基板W上之缺陷，且可例如為微影製造單元LC之部分，或可整合至微影裝置LA中，或可甚至為單機器件。檢測裝置可量測潛影(在曝光之後在抗蝕劑層中之影像)上之屬性，或半潛影(在曝光後烘烤步驟PEB之後在抗蝕劑層中之影像)上之屬性，或經顯影抗蝕劑影像(其中抗蝕劑之曝光部分或未曝光部分已被移除)上之屬性，或甚至經蝕刻影像(在諸如蝕刻之圖案轉印步驟之後)上之屬性。
通常微影裝置LA中之圖案化製程為在處理中之最具決定性步驟中的一者，其需要基板W上之結構之尺寸標定及置放之高準確度。為了確保此高準確度，可將三個系統組合於所謂的「整體」控制環境中，如圖3示意性地所描繪。此等系統中之一者為微影裝置LA，其(實際上)連接至度量衡工具MT (第二系統)且連接至電腦系統CL (第三系統)。此「整體」環境之關鍵在於最佳化此等三個系統之間的合作以增強總體製程窗且提供嚴格控制迴路，從而確保由微影裝置LA執行之圖案化保持在製程窗內。製程窗界定製程參數(例如劑量、焦點、疊對)之範圍，在該製程參數範圍內，特定製造製程得到所界定結果(例如功能半導體器件)-通常在該製程參數範圍內，微影製程或圖案化製程中之製程參數被允許變化。
電腦系統CL可使用待圖案化之設計佈局(之部分)以預測使用哪種解析度增強技術且執行演算微影模擬及計算以判定哪種光罩佈局及微影裝置設定達成圖案化製程之最大總體製程窗(在圖3中由第一標度SC1中之雙箭頭描繪)。通常，解析度增強技術經配置以匹配於微影裝置LA之圖案化可能性。電腦系統CL亦可用以偵測微影裝置LA當前正在製程窗內何處操作(例如，使用來自度量衡工具MT之輸入)以預測歸因於例如次佳處理是否可存在缺陷(在圖3中由第二標度SC2中之指向「0」之箭頭描繪)。
度量衡工具MT可將輸入提供至電腦系統CL以實現準確模擬及預測，且可將回饋提供至微影裝置LA以識別例如微影裝置LA之校準狀態中的可能漂移(在圖3中由第三標度SC3中之多個箭頭描繪)。
在微影製程中，需要對所產生結構進行頻繁量測，例如以用於製程控制及驗證。用以進行此類量測之工具通常被稱為度量衡工具MT。用於進行此類量測之不同類型的度量衡裝置MT為吾人所知，包括掃描電子顯微鏡或各種形式之散射計度量衡工具MT。散射計為多功能器具，其允許藉由在光瞳或與散射計之接物鏡之光瞳共軛的平面中具有感測器來量測微影製程之參數(量測通常被稱作以光瞳為基礎之量測)，或藉由在影像平面或與影像平面共軛之平面中具有感測器來量測微影製程之參數，在此狀況下量測通常被稱作以影像或場為基礎之量測。全文係以引用方式併入本文中之專利申請案US20100328655、US2011102753A1、US20120044470A、US20110249244、US20110026032或EP1,628,164A中進一步描述此類散射計及相關聯量測技術。前述散射計可使用來自軟x射線及可見光至近IR波長範圍之光來量測光柵。
在第一實施例中，散射計MT為角度解析散射計。在此散射計中，重建構方法可應用於經量測信號以重建構或計算光柵之屬性。此重建構可得自於例如由模擬散射輻射與目標結構之數學模型之相互作用且比較模擬結果與量測之結果。調整數學模型之參數直至經模擬相互作用產生相似於自真實目標觀測到之繞射圖案的繞射圖案為止。
在第二實施例中，散射計MT為光譜散射計MT。在此光譜散射計MT中，由輻射源發射之輻射經導引朝向至目標上且來自目標之反射或散射輻射經導引朝向至光譜儀偵測器上，該光譜儀偵測器量測鏡面反射輻射之光譜(亦即依據波長而變化的強度之量測)。自此資料，可例如藉由嚴密耦合波分析及非線性回歸或藉由與經模擬光譜庫相比較來重建構產生所偵測之光譜的目標之結構或剖面。
在第三實施例中，散射計MT為橢圓量測散射計。橢圓量測散射計允許藉由量測針對複數個偏振狀態中之每一者之散射輻射來判定微影製程之參數。此度量衡裝置藉由在度量衡裝置之照明區段中使用例如適當偏振濾光器來發射偏振光(諸如線性、圓形或橢圓)。適於度量衡裝置之源亦可提供偏振輻射。全文係以引用方式併入本文中之美國專利申請案11/451,599、11/708,678、12/256,780、12/486,449、12/920,968、12/922,587、13/000,229、13/033,135、13/533,110 及13/891,410中描述現有橢圓量測散射計之各種實施例。
在散射計MT之一項實施例中，散射計MT經調適以藉由量測反射光譜及/或偵測組態中之不對稱性(該不對稱性係與疊對之範圍有關)來量測兩個未對準光柵或週期性結構之疊對。可將兩個(通常重疊)光柵結構施加於兩個不同層(未必為連續層)中，且該兩個光柵結構可形成為處於晶圓上大體上相同的位置。散射計可具有如例如共同擁有之專利申請案EP1,628,164A中所描述之對稱偵測組態，使得任何不對稱性可明確區分的。此提供用以量測光柵中之未對準之直接了當的方式。可在全文係以引用方式併入本文中之PCT專利申請公開案第WO 2011/012624號或美國專利申請案US 20160161863中找到用於經由週期性結構之不對稱性量測含有週期性結構之兩個層之間的疊對誤差之另外實例。
其他所關注參數可為焦點及劑量。可藉由如全文係以引用方式併入本文中之美國專利申請案US2011-0249244中所描述之散射量測(或替代地藉由掃描電子顯微法)同時判定焦點及劑量。可使用具有針對焦點能量矩陣(FEM-亦被稱作焦點曝光矩陣)中之每一點之臨界尺寸及側壁角量測之獨特組合的單一結構。若可得到臨界尺寸及側壁角之此等獨特組合，則可根據此等量測獨特地判定焦點及劑量值。
度量衡目標可為藉由微影製程主要在抗蝕劑中形成且亦在例如蝕刻製程之後形成的複合光柵之總體。通常，光柵中之結構之節距及線寬很大程度上取決於量測光學件(尤其是光學件之NA)以能夠捕捉來自度量衡目標之繞射階。如較早所指示，繞射信號可用以判定兩個層之間的移位(亦被稱作「疊對」)或可用以重建構如藉由微影製程所產生的原始光柵之至少一部分。此重建構可用以提供微影製程之品質指導，且可用以控制微影製程之至少一部分。目標可具有較小子分段且經組態以模仿目標中之設計佈局之功能性部分的尺寸。歸因於此子分段，目標將表現得更相似於設計佈局之功能性部分，使得總體製程參數量測較佳類似於設計佈局之功能性部分。可在填充不足模式中或在填充過度模式中量測目標。在填充不足模式中，量測光束產生小於總體目標之光點。在填充過度模式中，量測光束產生大於總體目標之光點。在此填充過度模式中，亦有可能同時量測不同目標，藉此同時判定不同處理參數。
使用特定目標進行之微影參數之總體量測品質至少部分由用以量測此微影參數之量測配方判定。術語「基板量測配方」可包括量測自身之一或多個參數、經量測之一或多個圖案之一或多個參數，或此兩者。舉例而言，若用於基板量測配方中之量測為以繞射為基礎之光學量測，則量測之參數中之一或多者可包括輻射之波長、輻射之偏振、輻射相對於基板之入射角、輻射相對於基板上之圖案之定向，等等。用以選擇量測配方之準則中之一者可例如為量測參數中之一者對於處理變化之敏感度。全文係以引用方式併入本文中之美國專利申請案US2016-0161863及美國專利申請案US2016-0370717中描述更多實例。
在微影製程中，需要頻繁地進行所產生結構之量測，例如以用於製程控制及驗證。用於進行此類量測之各種工具為吾人所知，包括掃描電子顯微鏡或各種形式之度量衡裝置，諸如散射計。已知散射計之實例常常依賴於專用度量衡目標之供應，諸如，填充不足之目標(呈簡單光柵或不同層中之重疊光柵之形式的目標，其足夠大使得量測光束產生小於光柵之光點)或填充過度之目標(藉以照明光點部分或完全含有該目標)。另外，使用度量衡工具(例如，照明諸如光柵的填充不足之目標之角度解析散射計)會允許使用所謂的重建構方法，其中可藉由模擬散射輻射與目標結構之數學模型的相互作用且比較模擬結果與量測之結果來計算光柵之屬性。調整模型之參數直至經模擬相互作用產生相似於自真實目標所觀測之繞射圖案的繞射圖案為止。為了加速重建構製程，針對光柵參數及/或量測參數之每一特定集合模擬並儲存經模擬散射信號(或光學回應)庫，從而導致該經模擬散射信號。此庫產生允許重建構時間較快，但使用已經模擬之回應。
散射計為多功能器具，其允許藉由在光瞳或與散射計之接物鏡之光瞳共軛的平面中具有感測器來量測微影製程之參數(量測通常被稱作以光瞳為基礎之量測)，或藉由在影像平面或與影像平面共軛之平面中具有感測器來量測微影製程之參數，在此狀況下量測通常被稱作以影像或場為基礎之量測。全文係以引用方式併入本文中之專利申請案US20100328655、US2011102753A1、US20120044470A、US20110249244、US20110026032或EP1,628,164A中進一步描述此類散射計及相關聯量測技術。前述散射計可在一個影像中使用來自軟x射線及可見光至近IR波範圍之光來量測來自多個光柵之多個目標。
如上文所論述，重建構製程可包括在某些光學條件下針對在基板中或上製造之一或多個特徵開發經模擬光學回應庫。在假定特徵以不同程度展現一或多個微影參數，諸如CD、疊對、焦點、劑量及節距游移(pitchwalk)的情況下，可判定該等特徵之經模擬光學回應。光學回應(經模擬或經量測)可包括表示由基板繞射且在光學工具之光瞳平面或重新成像光瞳平面中量測以形成光瞳影像的光之值。在此類配置中，經模擬光學回應中所產生之值表示光瞳影像之像素。然而應理解，本文中所揭示之方法及裝置可應用於更一般狀況，其中庫包含資料集，每一資料集經由感測器可獲得且包含指示由在基板中或上製造之一或多個特徵繞射及/或反射及/或散射之輻射的複數個值。該等值可為反射率係數，其包含若干(例如4個)複係數。反射率係數提供在如下情況下判定在感測器之像素下之量測強度的資訊：給出在諸如本文中所揭示之裝置的裝置之使用中，照射於基板上之特徵上之輻射，且給出該裝置之光學系統，繞射/反射/散射輻射通過該光學系統傳播至感測器。以下之描述涉及如下狀況：其中資料集中之每一者應用於經模擬光瞳影像，但此應僅被理解為係例示性的。
廣義地說，可使用馬克士威方程式、基板之特徵之結構的知識及/或藉由假定在特徵中看到特定程度之微影參數來判定經模擬光瞳影像之像素。此將為熟習此項技術者所理解且此處並不加以詳細論述。然而，每一光瞳影像之全模擬係計算上昂貴且耗時的。因此，存在用於更有效地判定經模擬光瞳影像且藉此產生庫之若干種方法。舉例而言，在近似法中，待模擬之光瞳影像中之像素之線性近似係基於主像素之子集之反射率。近似法橫越光瞳中之像素建立關係，且使用主像素將彼關係應用至經模擬光瞳以估計剩餘像素。換言之，利用光瞳空間中之冗餘使得僅需要使用馬克士威方程式判定待模擬之光瞳中之像素之小子集，且可基於主像素估計剩餘像素。通常，近似法係基於大量全光瞳來判定光瞳影像中之像素之間的關係。基本上，方法查看關於一或多個堆疊之全光瞳影像之大集合、尋找表示全光瞳影像之此集合的主像素及全光瞳影像中之像素之間的關係。方法接著檢查基於主像素及關係對其他堆疊之光瞳影像之經判定近似的準確度。若該近似不良，則添加更多主像素及堆疊且重複製程。
本發明人已瞭解，庫產生之近似法類型中之進一步改良可改良配方時間(time to to recipe; T2R)，且因此使得庫產生更高效。詳言之，本文中所揭示之例示性方法及裝置可旨在避免或減少在庫產生之早期階段之冗餘計算的數目。在一些狀況下，此可使用轉移學習來達成，轉移學習可再次使用來自相似庫(其有可能對應於不同特徵(不同堆疊))之資料，以產生與將成為度量衡之主題之特徵相關的庫之光瞳影像。應注意，如本文中所使用，術語「堆疊」涵蓋在基板中或上製造之幾何結構及/或特定層結構之參數化。另外，「堆疊模擬」涵蓋堆疊之模型，其中一或多個參數固定處於特定值。作為近似法之部分，藉由基於馬克士威方程式判定全光瞳影像以判定橫越光瞳影像(亦即在光瞳影像內)中之像素之冗餘來「訓練」工具，但如上文所提及，此係計算上昂貴的。本文中所揭示之方法及裝置尋求以較少的計算工作量判定光瞳影像內之冗餘。特定言之，已知近似法使用全光瞳以尋找冗餘，而與此對比，本文中所揭示之方法及裝置使用以下知識：光瞳影像中之資料包括冗餘資料及彼冗餘之一或多個特性以判定光瞳影像之估計，而無需查看任何光瞳影像中之所有資料。
例示性方法及裝置可經組態以基於一或多個資料集中之至少一個已知值、資料集中之一者內之值之間的經強加第一條件及不同資料集中之值之間的經強加第二條件來估計該一或多個資料集中之複數個未知值。在特定實例中，資料集可表示光瞳影像，且已知及未知值可表示已知及未知像素值。在本文中所論述之特定實例中，第一條件可為一光瞳影像內之像素值之間的平滑度，及/或第二條件可為不同光瞳影像中之像素值之間的相關性。例示性方法及裝置可藉由利用關於相關性(其指示光瞳影像中之冗餘)及像素影像資料中之平滑度之假定來「填充」像素影像資料中之間隙。本發明人已瞭解，可將此等方法應用於產生經模擬像素影像庫之問題。數值結果展示：本文中所揭示之方法及裝置達成了與先前段落中之一者中所論述之技術相比優於一個數量級的均方誤差(MSE)之準確度，其中光瞳影像中僅10%的資料用作訓練資料。應注意，所需訓練資料為必須由馬克士威求解程序產生以能夠判定光瞳影像中之像素之間的關係(或第一及第二條件)之資料量。
圖4展示複數個光瞳影像400之示意性表示。該等光瞳影像包括像素402，像素402可指示自基板(堆疊)中或上之一或多個特徵反射或繞射之輻射的反射率或強度。應注意，光瞳影像400中之每一者中之像素值串接成單一向量。此等向量可作為矩陣被集體地處理，如圖4所展示。該複數個光瞳影像400中之每一者包含至少一個已知像素值402。已知像素值402可為使用上文所提及且為熟習此項技術者所知之技術所判定的經模擬像素值，自先前製程傳遞之像素值或此兩者之混合。在圖4所展示之例示性實施例中，像素影像400中之每一者為待估計之像素影像且包含已基於馬克士威方程式予以模擬的複數個像素402。光瞳影像中之每一者係與在基板中或上製造之相同特徵相關，此係因為其各自表示當由彼等特徵繞射及/或反射及/或散射輻射時將被預期的經模擬光瞳影像，但狀況無需如此。在例示性配置中，複數個光瞳影像400中之光瞳影像中之一或多者可已基於該基板或不同基板之另外特徵予以判定。實務上，由本文中所揭示之方法及裝置強加之平滑度及相關性條件針對不同特徵可能相似。因此，針對特徵之另一集合所判定之像素值可用於與將進行度量衡之特徵相關的光瞳影像之估計。
圖5展示用於估計光瞳影像400之方法的流程圖。最初，判定(500)平滑度條件及相關性條件。此可基於基於在基板中或上製造之一或多個特徵所量測或模擬的光瞳影像之經驗資料來完成。如先前所論述，該等特徵可對應於將進行度量衡之特徵或可對應於另外特徵。
平滑度條件可由光瞳影像內之兩個像素值之間的量值之差界定。量值之差愈低，平滑度愈高。平滑度條件可對光瞳影像之像素值強加平滑度之最小臨限值。可在鄰近像素值之間定義量值之差，且量值之差可與複數對鄰近像素值相關。應注意，資料集可為「真實」世界中之2-D像素反射率結構的抽象再現，且「鄰近」可意謂在2-D像素反射率結構中鄰近。亦即，如此處所使用之術語鄰近涵蓋當形成光瞳影像時將鄰近的像素值，當光瞳影像呈向量形式時可並非為該狀況。另外，量值之差可為橫越光瞳影像內之複數個像素之量值的平均差。平滑度條件可指示光瞳影像中之資訊內容。詳言之，平滑度愈高，光瞳影像中之高頻資料愈少。高頻資料可指示資訊內容。
可將相關性條件定義為不同光瞳影像中之像素值之間的相關性及/或同一光瞳影像中之像素值之間的相關性。像素值之間的相關性愈高，光瞳影像中之資訊內容愈低。相關性條件可對光瞳影像中之所估計像素值強加相關性之最大臨限值(或以另一種方式，強加資訊內容或等級之最小臨限值)。更特定言之，可將相關性條件定義為不同光瞳影像中之對應像素值之間的相關性。如此處所使用術語對應涵蓋當形成光瞳影像時在該光瞳影像中具有相同位置的像素值。相關性條件可指示複數個光瞳影像400中之資訊內容。在光瞳影像400中之資訊內容低的情況下，本文中所揭示之方法及裝置可經應用而以較大準確度估計光瞳影像400中之像素值。
在例示性配置中，可聯合地強加平滑度條件及相關性條件。亦即，可強加平滑度條件及相關性條件之組合。該組合可為平滑度條件及與相關性條件相關聯的資訊內容之總和。平滑度條件及與相關性條件相關聯的資訊內容之組合可強加單一組合之(或第三)條件。在此類配置中，可最小化組合之條件。
獲得(502)已知像素值402。此可藉由自先前製程獲得已知像素值402或藉由使用為熟習此項技術者所知之方法模擬已知像素值402來達成。如自圖4可看出，光瞳影像400中之每一者包括一些已知像素值402。在彼實例中，光瞳影像400中之每一者亦包括未知像素值。
接著進行(504)矩陣完成演算法以完成由向量化光瞳影像400形成之矩陣。更特定言之，矩陣完成演算法可使用經強加平滑度條件及經強加相關性條件作為自強加的不適定問題中之正則化，其係使用凸最佳化技術，諸如近似分裂及原有對偶演算法來求解。
在一個特定實例中，可藉由對針對D 之以下最佳化任務進行求解來定義矩陣完成演算法，但矩陣完成演算法之其他定義係可能的：
其中D 為由圖4中之400示意性表示的待模擬之向量化堆疊之光瞳影像之矩陣。矩陣D 之每一列di 表示一個全光瞳影像。為了執行近似，本文中所揭示之方法及裝置經組態以使用馬克士威方程式針對每一光瞳模擬若干像素D M 。可隨機地選擇像素D M 或可基於諸如以下一或多個參數選擇該等像素D M ：光瞳影像中之像素之部位，或針對特定像素橫越光瞳影像之相關性值。經由選擇光罩M 識別待模擬之像素。以上最佳化任務強加光瞳影像之經模擬矩陣(已知像素值)之間的差，且所估計像素值具有極小誤差，該誤差由ε給出。作為正則化，該方法強制每一光瞳影像具有一特定平滑度，例如每一光瞳影像中之像素之間的量值之差低於臨限值或經最小化(亦即平滑度得以最大化)。在一些例示性方法及裝置中，可藉由搜尋在經量測資料之誤差低於ε的約束下亦產生D之最低核範數之最平滑光瞳影像來最大化平滑度。另外，演算法強制使光瞳影像之間的像素相關，亦即，所得矩陣D 具有低資訊內容(低等級)且因此光瞳影像之間具有高相關性。以最小化矩陣D 之核範數之形式來放寬低資訊條件，以確保問題係凸的。
為了對上述最佳化問題求解且產生所估計之光瞳影像400，可應用凸最佳化技術，諸如近似分裂及原有對偶方法。由於所使用之函數係不可微分的，故可應用近似分裂方法。舉例而言，此等方法可基於前向-後向演算法、原有對偶演算法或增廣拉格朗日(Lagrangian)方法。替代途徑為使用至不可微分核及TV範數之平滑近似、用L2項替換資料保真度項，且使用基於梯度/赫斯之一階/二階方法。經強加之第一及第二條件，即平滑度及相關性條件表示自先前已知堆疊模擬之強知識轉移。在例示性配置中，針對多個應用執行之複數個全光瞳影像模擬包含已知堆疊模擬。可分析此等模擬以提取為應用、堆疊及/或光瞳影像所共同的一或多個屬性。可接著使用經提取屬性以判定相關性及平滑度條件。本發明人已觀測到，對於迄今遇到之所有應用，皆滿足了第一及第二條件，此意謂可使用來自與不同堆疊相關之先前製程之資料。
可接著將所估計光瞳影像形成(506)為庫，可比較經量測光瞳影像與該庫。例示性方法及裝置可藉由導引輻射至在基板中或上所製造之一或多個特徵上且感測已由該一或多個特徵繞射及/或反射及/或散射的輻射來量測(508)光瞳影像。可接著比較(510)經量測光瞳影像與庫中之所估計光瞳影像，且尋找適當接近的匹配。基於最接近地匹配於經量測光瞳影像之一或若干所估計光瞳影像，可判定(512)一或多個特徵之一或多個參數，諸如CD、疊對、焦點、劑量及節距游移。
圖6展示複數個光瞳影像600之另一例示性示意性表示。與圖4一樣，光瞳影像600包括像素402，像素402可指示自基板(堆疊)中或上之一或多個特徵反射或繞射之輻射的反射率或強度。在圖6之實例中，自先前製程獲得複數個光瞳影像602之一或多個第一光瞳影像602之一或多個像素。因此，該一或多個第一光瞳影像602包含多個已知像素值，且在所展示之實例中，一或多個第一光瞳影像602之全部像素值係已知的，但方法及裝置可使用已知像素值之其他百分比，例如至少50%、至少75%或至少90%。另外，在一些例示性配置中，一或多個第一光瞳影像602可包括少至一個已知像素值，但此將降低未知像素值之估計之準確度。通常，可以說第一光瞳影像602 (及第二光瞳影像604-下文所論述)中之已知像素值愈少，未知像素值之估計愈不準確。一或多個第一光瞳影像602之已知像素值可與基板之將進行度量衡之一或多個特徵相關。一或多個第一光瞳影像602之已知像素值可與基板之具有與基板之將進行度量衡之一或多個特徵相似的形狀之一或多個特徵相關。替代地及在圖6之狀況下，一或多個第一光瞳影像602之已知像素值可與同一基板或不同基板之其他特徵相關，且該等已知像素值已在先前經判定及/或估計。可自現有光瞳影像庫獲得一或多個第一光瞳影像602之已知像素值。將一或多個第一光瞳影像602表示為區塊或矩陣，但應理解，區塊可包含複數個向量化光瞳影像。
一或多個第二光瞳影像604為待估計之光瞳影像。一或多個第二光瞳影像604包含已知像素值606及未知像素值。
以與上文關於圖4及圖5所論述之相似的方式，可對可為自先前製程已知的全光瞳影像之一或多個第一光瞳影像602及僅像素值之部分已知的一或多個第二光瞳影像604之序連強加第一及第二條件(例如平滑度及相關性)。如上文所提及，自先前製程已知之像素值可與相同或另外一或多個特徵相關。
圖7展示用於估計光瞳影像604之另一方法的流程圖。圖7之多個步驟與圖5之步驟相同或相似，且此處並不再次加以詳細解釋。最初，判定(700)平滑度條件及相關性條件。獲得(702)一或多個第一光瞳影像602及一或多個第二光瞳影像604之已知像素值。此可藉由自先前製程獲得已知像素值、藉由使用為熟習此項技術者所知之方法模擬已知像素值或此兩者之組合來達成。在圖6之實例中，自先前製程獲得一或多個第一光瞳影像602，且模擬一或多個第二光瞳影像604之已知像素值606。如自圖6可看出，光瞳影像600中之每一者包括一些已知像素值。
接著進行(704)矩陣完成演算法以完成由向量化光瞳影像600形成之矩陣。可接著將所估計光瞳影像形成(706)為庫，可比較經量測光瞳影像與該庫。例示性方法及裝置可藉由導引輻射至在基板中或上所製造之一或多個特徵上且感測已由該一或多個特徵繞射及/或反射及/或散射的輻射來量測(708)光瞳影像。可接著比較(710)經量測光瞳影像與庫中之所估計光瞳影像，且尋找適當接近的匹配。基於最接近地匹配於經量測光瞳影像之一或若干所估計光瞳影像，可判定(712)一或多個特徵之一或多個參數，諸如CD、疊對、焦點、劑量及節距游移。
在其中使用馬克士威求解程序產生已知像素值的例示性方法及裝置中，可使用用於決定判定光瞳影像中之哪些像素值之一或多個策略。在一些例示性配置中，可在像素影像中之資訊內容較高之部位處產生較多的已知像素值。在一些光瞳影像中，此可意謂所產生之已知像素值之濃度在中心區處及在周邊區處較高。中心區與周邊區之間的區可包含相對於中心區及周邊區較少的所產生之已知像素值。在例示性配置中，可在資訊內容高於臨限值之部位處產生已知像素值。因此，在此等部位處，所產生之已知像素值之濃度較大。
圖8為說明可輔助實施本文所揭示之方法及流程之電腦系統1600的方塊圖。電腦系統1600包括用於傳達資訊之匯流排1602或其他通信機構，及與匯流排1602耦接以用於處理資訊之一處理器1604 (或多個處理器1604及1605)。電腦系統1600亦包括耦接至匯流排1602以用於儲存待由處理器1604執行之資訊及指令的主記憶體1606，諸如隨機存取記憶體(RAM)或其他動態儲存器件。主記憶體1606亦可用於在待由處理器1604執行之指令之執行期間儲存暫時性變數或其他中間資訊。電腦系統1600進一步包括耦接至匯流排1602以用於儲存用於處理器1604之靜態資訊及指令的唯讀記憶體(ROM) 1608或其他靜態儲存器件。提供諸如磁碟或光碟之儲存器件1610，且將該儲存器件耦接至匯流排1602以用於儲存資訊及指令。
電腦系統1600可經由匯流排1602耦接至用於向電腦使用者顯示資訊之顯示器1612，諸如陰極射線管(CRT)或平板顯示器或觸控面板顯示器。包括文數字按鍵及其他按鍵之輸入器件1614耦接至匯流排1602以用於將資訊及命令選擇傳達至處理器1604。另一類型之使用者輸入器件為用於將方向資訊及命令選擇傳達至處理器1604且用於控制顯示器1612上之游標移動的游標控制件1616，諸如，滑鼠、軌跡球或游標方向按鍵。此輸入器件通常具有在兩個軸線(第一軸線(例如x)及第二軸線(例如y))中之兩個自由度，其允許該器件指定在一平面中之位置。觸控面板(螢幕)顯示器亦可用作輸入器件。
如本文中所描述之方法中之一或多者可由電腦系統1600回應於處理器1604實行主記憶體1606中所含有之一或多個指令之一或多個序列予以執行。可將此等指令自另一電腦可讀媒體(諸如儲存器件1610)讀取至主記憶體1606中。主記憶體1606中含有之指令序列之執行致使處理器1604執行本文中所描述之製程步驟。呈多處理配置之一或多個處理器亦可用以執行主記憶體1606中含有之指令序列。在一替代實施例中，可代替或結合軟體指令而使用硬連線電路系統。因此，本文之描述不限於硬體電路系統及軟體之任何特定組合。
如本文中所使用之術語「電腦可讀媒體」係指參與將指令提供至處理器1604以供執行之任何媒體。此媒體可採取許多形式，包括但不限於：非揮發性媒體、揮發性媒體及傳輸媒體。非揮發性媒體包括例如光碟或磁碟，諸如儲存器件1610。揮發性媒體包括動態記憶體，諸如主記憶體1606。傳輸媒體包括同軸纜線、銅線及光纖，包括包含匯流排1602之電線。傳輸媒體亦可採取聲波或光波之形式，諸如，在射頻(RF)及紅外線(IR)資料通信期間產生之聲波或光波。電腦可讀媒體之常見形式包括例如軟碟、可撓性磁碟、硬碟、磁帶、任何其他磁性媒體、CD-ROM、DVD、任何其他光學媒體、打孔卡、紙帶、具有孔圖案之任何其他實體媒體、RAM、PROM及EPROM、FLASH-EPROM、任何其他記憶體晶片或卡匣、如下文所描述之載波，或可供電腦讀取之任何其他媒體。
可在將一或多個指令之一或多個序列攜載至處理器1604以供執行時涉及各種形式之電腦可讀媒體。舉例而言，最初可將該等指令承載於遠端電腦之磁碟上。遠端電腦可將指令載入至其動態記憶體中，且使用數據機經由電話線而發送指令。在電腦系統1600本端之數據機可接收電話線上之資料，且使用紅外線傳輸器將資料轉換成紅外線信號。耦接至匯流排1602之紅外線偵測器可接收紅外線信號中所攜載之資料且將資料置放於匯流排1602上。匯流排1602將資料攜載至主記憶體1606，處理器1604自該主記憶體擷取指令且並執行該等指令。由主記憶體1606接收之指令可視情況在供處理器1604執行之前或之後儲存於儲存器件1610上。
電腦系統1600亦較佳包括耦接至匯流排1602之通信介面1618。通信介面1618提供對網路鏈路1620之雙向資料通信耦合，該網路鏈路連接至區域網路1622。舉例而言，通信介面1618可為整合式服務數位網路(ISDN)卡或數據機以提供對對應類型之電話線之資料通信連接。作為另一實例，通信介面1618可為區域網路(LAN)卡以提供對相容LAN之資料通信連接。亦可實施無線鏈路。在任何此類實施中，通信介面1618發送且接收攜載表示各種類型之資訊之數位資料串流的電信號、電磁信號或光信號。
網路鏈路1620通常經由一或多個網路而向其他資料器件提供資料通信。舉例而言，網路鏈路1620可經由區域網路1622向主機電腦1624或向由網際網路服務提供者(ISP) 1626操作之資料設備提供連接。ISP 1626又經由全球封包資料通信網路(現在通常被稱作「網際網路」) 1628而提供資料通信服務。區域網路1622及網際網路1628兩者皆使用攜載數位資料串流之電信號、電磁信號或光信號。經由各種網路之信號及在網路鏈路1620上且經由通信介面1618之信號(該等信號將數位資料攜載至電腦系統1600及自電腦系統1600攜載數位資料)為輸送資訊的載波之例示性形式。
電腦系統1600可經由網路、網路鏈路1620及通信介面1618發送訊息及接收資料，包括程式碼。在網際網路實例中，伺服器1630可經由網際網路1628、ISP 1626、區域網路1622及通信介面1618而傳輸用於應用程式之所請求程式碼。舉例而言，一種此類經下載應用程式可提供本文中所描述之技術中的一或多者。所接收程式碼可在其被接收時由處理器1604執行，及/或儲存於儲存器件1610或其他非揮發性儲存器中以供稍後執行。以此方式，電腦系統1600可獲得呈載波之形式之應用程式碼。
在後續經編號條項中定義另外實施例：
1. 一種用於估計複數個資料集中之至少一者之一未知值的裝置，每一資料集包含指示由一基板中或上所製造之一或多個特徵繞射及/或反射及/或散射的輻射之複數個值，
其中該複數個資料集包含至少一個已知值，
且其中該複數個資料集中之至少一者包含一未知值，該裝置包含一處理器，該處理器經組態以基於以下各者估計該至少一個資料集之該未知值：
該複數個資料集之該等已知值；
該複數個資料集之一資料集內之兩個或兩個以上值之間的一第一條件；及
作為該複數個該等資料集之不同資料集之部分的兩個或兩個以上值之間的一第二條件。
2. 如條項1之裝置，其中該第一條件包含一平滑度條件。
3. 如條項1或2之裝置，其中該第一條件包含指示該複數個資料集之該資料集內之一或多個值之間的量值之一差之資料。
4. 如任一前述條項之裝置，其中該處理器經組態以在該複數個資料集之該資料集內之包含鄰近值的兩個或兩個以上值之間應用該第一條件。
5. 如任一前述條項之裝置，其中該第二條件包含一相關性條件。
6. 如任一前述條項之裝置，其中該第二條件包含該複數個該等資料集之該等不同資料集中之對應值之間的一相關性。
7. 如條項6之裝置，其中該相關性條件進一步包含該複數個資料集之該等資料集中之一者中的值之間的一相關性。
8. 如任一前述條項之裝置，其中該第一條件及/或該第二條件指示該複數個資料集之一資訊內容。
9. 如任一前述條項之裝置，其中該處理器經組態以基於一矩陣完成演算法估計該至少一個資料集之該未知值。
10. 如條項9之裝置，其中該矩陣完成演算法係基於一凸最佳化技術。
11. 如條項10之裝置，其中該凸最佳化技術包含近似分裂及原有對偶演算法中之一者。
12. 如任一前述條項之裝置，其中該處理器經組態以基於以下方程式估計該至少一個資料集之該未知值：

其中di 為一資料集且形成一矩陣D之一列、DM 為該複數個已知值、γ為相比於該相關性條件向該平滑度條件指派一權重之一值、ϵ為D 中之已知值之一估計的一誤差項、M為識別該複數個已知值之一光罩，且TV為總變差。
13. 如任一前述條項之裝置，其中該處理器經組態以估計針對複數個光學及/或特徵參數中之每一者之一或多個資料集中的未知值且產生資料集之一庫，該等資料集之該庫相當於經由由該感測器執行之一量測所獲得的一經量測資料集。
14. 如條項13之裝置，其中該處理器經組態以使該經量測資料集與該庫中之該等資料集中之至少一者匹配，以判定對該基板進行之一微影製程之至少一個參數。
15. 如任一前述條項之裝置，其中該處理器經進一步組態以基於以下各者中之一或多者產生該至少一個資料集中之該等已知值中的一或多者：
經組態以導引輻射朝向在一基板中或上所製造之該一或多個特徵的一光學系統之至少一個參數；
該輻射之至少一個參數；及
一基板中或上所製造之該一或多個特徵之至少一個參數。
16. 如條項15之裝置，其中該處理器經組態以在一資料集中資訊內容高於一臨限值的部位處產生該等已知值中之該一或多者。
17. 如任一前述條項之裝置，其中該複數個資料集中之一或多者中之所有值係已知的。
18. 如條項17之裝置，其中所有值係已知的該一或多個資料集係與在該基板或另一基板上所製造之一或多個另外特徵相關。
19. 如任一前述條項之裝置，其中該複數個資料集中之一或多者表示一光瞳影像且該等值中之一或多者表示一光瞳影像之一像素。
20. 如任一前述條項之裝置，其中該等像素中之一或多者包含指示反射率或強度之資料。
21. 如任一前述條項之裝置，其進一步包含一感測器，該感測器經組態以接收由該一或多個特徵繞射及/或反射及/或散射之輻射。
22. 一種檢測裝置，其包含如任一前述條項之裝置。
23. 如條項22之檢測裝置，其中該檢測裝置為一度量衡裝置。
24. 一種微影裝置，其包含一如條項1至21中任一項之裝置。
25. 一種微影製造單元，其包含一如條項1至24中任一項之裝置。
26. 一種用於估計複數個資料集中之至少一者之一未知值的方法，每一資料集包含指示由一基板中或上所製造之一或多個特徵繞射及/或反射及/或散射的輻射之複數個值，
其中該複數個資料集包含至少一個已知值，
且其中該複數個資料集中之至少一者包含一未知值，該方法包含藉由一處理器基於以下各者估計該至少一個資料集之該未知值：
該複數個資料集之該等已知值；
該複數個資料集之一資料集內之兩個或兩個以上值之間的一第一條件；及
作為該複數個該等資料集之不同資料集之部分的兩個或兩個以上值之間的一第二條件。
27. 如條項26之方法，其中該第一條件包含一平滑度條件。
28. 如條項26或27之方法，其中該第一條件包含指示該複數個資料集之該資料集內之一或多個值之間的量值之一差之資料。
29. 如條項26至28中任一項之方法，其進一步包含在該複數個資料集之該資料集內之包含鄰近值的兩個或兩個以上值之間應用該第一條件。
30. 如條項26至29中任一項之方法，其中該第二條件包含一相關性條件。
31. 如條項26至30中任一項之方法，其中該第二條件包含該複數個該等資料集之該等不同資料集中之對應值之間的一相關性。
32. 如條項31之方法，其中該相關性條件進一步包含該複數個資料集之該等資料集中之一者中的值之間的一相關性。
33. 如條項26至32中任一項之方法，其中該第一條件及/或該第二條件指示該複數個資料集之一資訊內容。
34. 如條項26至33中任一項之方法，其進一步包含基於一矩陣完成演算法估計該至少一個資料集之該未知值。
35. 如條項34之方法，其中該矩陣完成演算法係基於一凸最佳化技術。
36. 如條項35之方法，其中該凸最佳化技術包含近似分裂及原有對偶演算法中之一者。
37. 如條項26至36中任一項之方法，其進一步包含基於以下方程式估計該至少一個資料集之該未知值：

其中di 為一資料集且形成一矩陣D之一列、DM 為該複數個已知值、γ為相比於該相關性條件向該平滑度條件指派一權重之一值、ϵ為D 中之已知值之一估計的一誤差項、M為識別該複數個已知值之一光罩，且TV為總變差。
38. 如條項26至37中任一項之方法，其進一步包含估計針對複數個光學及/或特徵參數中之每一者之一或多個資料集中的未知值且產生資料集之一庫，該等資料集之該庫相當於經由由該感測器執行之一量測所獲得的一經量測資料集。
39. 如條項38之方法，其進一步包含使該經量測資料集與該庫中之該等資料集中之至少一者匹配，以判定對該基板進行之一微影製程之至少一個參數。
40. 如條項26至39中任一項之方法，其進一步包含基於以下各者中之一或多者產生該至少一個資料集中之該等已知值中的一或多者：
經組態以導引輻射朝向在一基板中或上所製造之該一或多個特徵的一光學系統之至少一個參數；
該輻射之至少一個參數；及
一基板中或上所製造之該一或多個特徵之至少一個參數。
41. 如條項40之方法，其進一步包含在一資料集中資訊內容高於一臨限值的部位處產生該等已知值中之該一或多者。
42. 如條項26至41中任一項之方法，其中該複數個資料集中之一或多者中之所有值係已知的。
43. 如條項42之方法，其中所有值係已知的該一或多個資料集係與在該基板或另一基板上所製造之一或多個另外特徵相關。
44. 如條項26至43中任一項之方法，其中該複數個資料集中之一或多者表示一光瞳影像且該等值中之一或多者表示一光瞳影像之一像素。
45. 如條項26至44中任一項之方法，其中該等像素中之一或多者包含指示反射率或強度之資料。
46. 一種電腦程式，其包含在經執行於至少一個處理器上時致使該至少一個處理器控制一裝置以進行如條項26至45中任一項之方法的指令。
47. 一種載體，其含有如條項46之電腦程式，其中該載體為一電子信號、光信號、無線電信號中之一者，或為非暫時性電腦可讀儲存媒體。
雖然在本文中可對在檢測或度量衡裝置之內容背景中的本發明之實施例進行特定參考，但本發明之實施例可用於其他裝置中。本發明之實施例可形成光罩檢測裝置、微影裝置或量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或光罩(或其他圖案化器件)之物件的任何裝置之部分。
儘管可在本文中特定地參考在IC製造中微影裝置之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用。可能之其他應用包括製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。
儘管可在本文中特定地參考在微影裝置之內容背景中之本發明之實施例，但本發明之實施例可用於其他裝置中。本發明之實施例可形成光罩檢測裝置、度量衡裝置或量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或光罩(或其他圖案化器件)之物件的任何裝置之部分。此等裝置通常可被稱作微影工具。此微影工具可使用真空條件或環境(非真空)條件。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如壓印微影)中，且在內容背景允許之情況下不限於光學微影。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
400‧‧‧向量化光瞳影像/像素影像
402‧‧‧像素/已知像素值
500‧‧‧步驟
502‧‧‧步驟
504‧‧‧步驟
506‧‧‧步驟
508‧‧‧步驟
510‧‧‧步驟
512‧‧‧步驟
600‧‧‧向量化光瞳影像
602‧‧‧第一光瞳影像
604‧‧‧第二光瞳影像
606‧‧‧已知像素值
700‧‧‧步驟
702‧‧‧步驟
704‧‧‧步驟
706‧‧‧步驟
708‧‧‧步驟
710‧‧‧步驟
712‧‧‧步驟
1600‧‧‧電腦系統
1602‧‧‧匯流排
1604‧‧‧處理器
1605‧‧‧處理器
1606‧‧‧主記憶體
1608‧‧‧唯讀記憶體(ROM)
1610‧‧‧儲存器件
1612‧‧‧顯示器
1614‧‧‧輸入器件
1616‧‧‧游標控制件
1618‧‧‧通信介面
1620‧‧‧網路鏈路
1622‧‧‧區域網路
1624‧‧‧主機電腦
1626‧‧‧網際網路服務提供者(ISP)
1628‧‧‧網際網路
1630‧‧‧伺服器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
BK‧‧‧烘烤板
C‧‧‧目標部分
CH‧‧‧冷卻板
CL‧‧‧電腦系統
DE‧‧‧顯影器
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器
I/O1‧‧‧輸入/輸出埠
I/O2‧‧‧輸入/輸出埠
LA‧‧‧微影裝置
LACU‧‧‧微影控制單元
LB‧‧‧裝載匣
LC‧‧‧微影製造單元
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化器件/光罩
MT‧‧‧度量衡工具
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位器
RO‧‧‧基板處置器或機器人
SC‧‧‧旋塗器
SC1‧‧‧第一標度
SC2‧‧‧第二標度
SC3‧‧‧第三標度
SCS‧‧‧監督控制系統
SO‧‧‧輻射源
T‧‧‧支撐結構/光罩台
TCU‧‧‧塗佈顯影系統控制單元
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
現在將參看隨附示意性圖式而僅作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中：
圖1描繪微影裝置之示意性綜述；
圖2描繪微影製造單元之示意性綜述；
圖3描繪整體微影之示意性表示，其表示用以最佳化半導體製造之三種關鍵技術之間的合作；
圖4描繪包含已知值及未知值之複數個資料集的示意性表示；
圖5為展示用於估計複數個資料集之方法的流程圖；
圖6描繪包含已知值及未知值之複數個資料集的示意性表示；
圖7為展示用於估計複數個資料集之方法的流程圖；及
圖8為說明可輔助實施本文所揭示之方法及流程之電腦系統的方塊圖。

Claims (15)

  1. 一種用於估計複數個資料集中之至少一者之一未知值的裝置，每一資料集包含指示由一基板中或上所製造之一或多個特徵繞射及/或反射及/或散射的輻射之複數個值， 其中該複數個資料集包含至少一個已知值， 且其中該複數個資料集中之至少一者包含一未知值，該裝置包含一處理器，該處理器經組態以基於以下各者估計該至少一個資料集之該未知值： 該複數個資料集之該等已知值； 該複數個資料集之一資料集內之兩個或兩個以上值之間的一第一條件；及 作為該複數個該等資料集之不同資料集之部分的兩個或兩個以上值之間的一第二條件。
  2. 如請求項1之裝置，其中該第一條件包含一平滑度條件，且視情況，其中該第一條件包含指示該複數個資料集之該資料集內之一或多個值之間的量值之一差之資料。
  3. 如請求項1或2之裝置，其中該第二條件包含一相關性條件。
  4. 如請求項1或2之裝置，其中該第二條件包含該複數個該等資料集之該等不同資料集中之對應值之間的一相關性，且視情況，其中該相關性條件進一步包含該複數個資料集之該等資料集中之一者中的值之間的一相關性。
  5. 如請求項1或2之裝置，其中該處理器經組態以基於一矩陣完成演算法估計該至少一個資料集之該未知值。
  6. 如請求項5之裝置，其中該矩陣完成演算法係基於一凸最佳化技術，且視情況，其中該凸最佳化技術包含近似分裂及原有對偶演算法中之一者。
  7. 如請求項1或2之裝置，其中該處理器經組態以基於以下方程式估計該至少一個資料集之該未知值： 其中di 為一資料集且形成一矩陣D之一列、DM 為該複數個已知值、γ為相比於該相關性條件向該平滑度條件指派一權重之一值、ϵ為D 中之已知值之一估計的一誤差項、M為識別該複數個已知值之一光罩，且TV為總變差。
  8. 如請求項1或2之裝置，其中該處理器經組態以估計針對複數個光學及/或特徵參數中之每一者之一或多個資料集中的未知值且產生資料集之一庫，該等資料集之該庫相當於經由由該感測器執行之一量測所獲得的一經量測資料集，且視情況，其中該處理器經組態以使該經量測資料集與該庫中之該等資料集中之至少一者匹配，以判定對該基板進行之一微影製程之至少一個參數。
  9. 如請求項1或2之裝置，其中該處理器經進一步組態以基於以下各者中之一或多者產生該至少一個資料集中之該等已知值中的一或多者： 經組態以導引輻射朝向在一基板中或上所製造之該一或多個特徵的一光學系統之至少一個參數； 該輻射之至少一個參數；及 一基板中或上所製造之該一或多個特徵之至少一個參數； 且視情況，其中該處理器經組態以在一資料集中資訊內容高於一臨限值的部位處產生該等已知值中之該一或多者。
  10. 如請求項1或2之裝置，其中該複數個資料集中之一或多者中之所有值係已知的，且視情況，其中所有值係已知的該一或多個資料集係與在該基板或另一基板上所製造之一或多個另外特徵相關。
  11. 如請求項1或2之裝置，其中該複數個資料集中之一或多者表示一光瞳影像且該等值中之一或多者表示一光瞳影像之一像素。
  12. 如請求項1或2之裝置，其中該等像素中之一或多者包含指示反射率或強度之資料。
  13. 一種微影裝置，其包含一如請求項1至12中任一項之裝置。
  14. 一種用於估計複數個資料集中之至少一者之一未知值的方法，每一資料集包含指示由一基板中或上所製造之一或多個特徵繞射及/或反射及/或散射的輻射之複數個值， 其中該複數個資料集包含至少一個已知值， 且其中該複數個資料集中之至少一者包含一未知值，該方法包含藉由一處理器基於以下各者估計該至少一個資料集之該未知值： 該複數個資料集之該等已知值； 該複數個資料集之一資料集內之兩個或兩個以上值之間的一第一條件；及 作為該複數個該等資料集之不同資料集之部分的兩個或兩個以上值之間的一第二條件。
  15. 一種電腦程式，其包含在經執行於至少一個處理器上時致使該至少一個處理器控制一裝置以進行如請求項14之方法的指令。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5523193A (en) 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
DE59105735D1 (de) 1990-05-02 1995-07-20 Fraunhofer Ges Forschung Belichtungsvorrichtung.
US5229872A (en) 1992-01-21 1993-07-20 Hughes Aircraft Company Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning
AU685950B2 (en) * 1994-06-25 1998-01-29 Panalytical B.V. Analysing a material sample
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
EP1309849A2 (en) 2000-08-10 2003-05-14 Therma-Wave, Inc. Database interpolation method for optical measurement of diffractive microstructures
KR100585476B1 (ko) 2002-11-12 2006-06-07 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
JP2005009941A (ja) * 2003-06-17 2005-01-13 Canon Inc ライブラリ作成方法
US20050185174A1 (en) * 2004-02-23 2005-08-25 Asml Netherlands B.V. Method to determine the value of process parameters based on scatterometry data
CN1947062A (zh) * 2004-02-23 2007-04-11 Asml荷兰有限公司 基于散射测量数据确定工艺参数值的方法
US7791727B2 (en) 2004-08-16 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization
US7791724B2 (en) 2006-06-13 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Characterization of transmission losses in an optical system
EP2097713A4 (en) * 2006-12-22 2010-09-15 Zygo Corp DEVICE AND METHOD FOR MEASURING SURFACE PROPERTIES
US7916927B2 (en) 2007-01-16 2011-03-29 Asml Netherlands B.V. Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
US7701577B2 (en) 2007-02-21 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
SG152187A1 (en) 2007-10-25 2009-05-29 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
NL1036123A1 (nl) 2007-11-13 2009-05-14 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method.
NL1036245A1 (nl) 2007-12-17 2009-06-18 Asml Netherlands Bv Diffraction based overlay metrology tool and method of diffraction based overlay metrology.
NL1036684A1 (nl) 2008-03-20 2009-09-22 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method.
NL1036685A1 (nl) 2008-03-24 2009-09-25 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method.
NL1036734A1 (nl) 2008-04-09 2009-10-12 Asml Netherlands Bv A method of assessing a model, an inspection apparatus and a lithographic apparatus.
NL1036857A1 (nl) 2008-04-21 2009-10-22 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method.
CN102067040B (zh) 2008-06-26 2013-05-08 Asml荷兰有限公司 重叠测量设备、光刻设备和使用这种重叠测量设备的器件制造方法
WO2010040696A1 (en) 2008-10-06 2010-04-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic focus and dose measurement using a 2-d target
WO2011012624A1 (en) 2009-07-31 2011-02-03 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus, lithographic system, and lithographic processing cell
NL2006229A (en) 2010-03-18 2011-09-20 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, and associated computer readable product.
NL2007176A (en) 2010-08-18 2012-02-21 Asml Netherlands Bv Substrate for use in metrology, metrology method and device manufacturing method.
US8381140B2 (en) * 2011-02-11 2013-02-19 Tokyo Electron Limited Wide process range library for metrology
IL218588A (en) * 2011-03-23 2015-09-24 Asml Netherlands Bv A method and system for calculating the electromagnetic scattering properties of a structure and for reconstructing approximate structures
NL2009004A (en) 2011-07-20 2013-01-22 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, and lithographic apparatus.
NL2010717A (en) 2012-05-21 2013-11-25 Asml Netherlands Bv Determining a structural parameter and correcting an asymmetry property.
CN105452963B (zh) * 2013-08-13 2017-08-22 Asml荷兰有限公司 用于评价结构的所感兴趣的参数的值的重构品质的方法和检验设备以及计算机程序产品
US9784690B2 (en) * 2014-05-12 2017-10-10 Kla-Tencor Corporation Apparatus, techniques, and target designs for measuring semiconductor parameters
JP6616416B2 (ja) 2014-11-26 2019-12-04 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 計測方法、コンピュータ製品およびシステム
IL256196B (en) 2015-06-17 2022-07-01 Asml Netherlands Bv Prescription selection based on inter-prescription composition
NL2017060A (en) * 2015-07-13 2017-01-17 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN108293193A (zh) * 2015-11-19 2018-07-17 华为技术有限公司 一种用于完成路测数据的高效计算方法
WO2017147261A1 (en) * 2016-02-24 2017-08-31 Kla-Tencor Corporation Accuracy improvements in optical metrology

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