TW201927986A - 用於微型揚聲器振膜之制振黏著劑層 - Google Patents

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克里斯多福 布萊德 二世 渥克
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Abstract

本發明提供薄膜，其包含制振黏著劑，該制振黏著劑包含一種聚矽氧烷或多種聚矽氧烷之混合物，並對於在20℃與250℃之間的所有溫度展現至少0.42的tan δ，且在250℃下展現比在20℃至250℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.20的tan δ；在一些情況下，對於在20℃與200℃之間的所有溫度展現至少0.42的tan δ，且在200℃下展現比在20℃至200℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.08的tan δ；在一些情況下，藉由利用電子束或過氧化物使該(多種)聚矽氧烷交聯而獲得。本發明亦提供包含此類膜之微型揚聲器振膜材料、次總成、及轉移帶。

Description

用於微型揚聲器振膜之制振黏著劑層
本揭露係關於用於片材(諸如可經轉換成微型揚聲器振膜)之制振黏著劑層。
微型揚聲器在小型電子裝置中越來越常見，諸如手機、平板電腦、耳塞式耳機、頭戴式耳機、及膝上型電腦。理想上，微型揚聲器振膜重量輕且非常堅固，以便展現出純粹的活塞運動，並且亦經充分制振，以抑制導致聲音重現失真的未驅動運動或共振。在一些情況下，振膜材料係三層的薄膜，該等薄膜包含一制振層，該制振層係夾置於兩個剛性層之間。制振層亦可作為將三個層結合在一起的黏著劑。在一些情況下，振膜材料包括五層、七層或更多層，其中該等層係交替的剛性層及制振層。
以下參考文獻可能與本揭露之技術的通常領域有關：US 7,569,278；US 5,308,887；US 5,624,763；US 5,464,659；US 5,823,301；WO 2008/141004；US 9,359,529；US 8,173,252；WO 2016/061121；CN 10202238 B；US2014/017491；US 5,712,038；US 5,695,867；US 8,541,481；US 9,017,771；US 4,678,828；WO 2016/061121；US 5,695,867；CN 102002238 B；US 7,726,441；US 8,141,676；US 2016/0309260；US 2014/0072163；US 2014/0284135。
本文中之比較例CE 17大致上係關於US 5,464,659的第17欄第29行至第18欄15行處；比較例5。
本文中之比較例CE 25大致上係關於US 8,173,252的第20欄第52至67行處；實例C-5d。
本文中之比較例CE 27大致上係關於US 9,359,529運用PSA6574聚矽氧壓敏性黏著劑之實例。
簡而言之，本揭露提供具有至少4微米且小於60微米(在一些實施例中為小於20微米)的厚度之膜，其包含制振黏著劑，該制振黏著劑包含一種聚矽氧烷或多種聚矽氧烷之混合物，其中該制振黏著劑對於在20℃與250℃之間的所有溫度展現至少0.42的tan δ，且其中該制振黏著劑在250℃下展現比在20℃至250℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.20的tan δ。
在另一態樣中，本揭露提供具有至少4微米且小於60微米(在一些實施例中為小於20微米)的厚度之膜，其包含制振黏著劑，該制振黏著劑包含一種聚矽氧烷或多種聚矽氧烷之混合物，其中該制振黏著劑對於在20℃與200℃之間的所有溫度展現至少0.42的tan δ，且其中該制振黏著劑在200℃下展現比在20℃至200℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.08之tan δ。
在另一態樣中，本揭露提供有至少4微米且小於20微米的厚度之膜，其包含制振黏著劑，該制振黏著劑係藉由使(多種)聚矽氧烷交聯而獲得，該交聯係藉由使該(多種)聚矽氧烷暴露於在大於150kV之電壓下在1.5與5.5Mrad之間之電子束輻射，該(多種)聚矽氧烷係呈聚矽氧烷膜之形式，該聚矽氧烷膜具有大於5微米且小於60微米(在一些實施例中為小於20微米)的厚度，其中該(多種)聚矽氧烷係指一種聚矽氧烷或多種聚矽氧烷之混合物，其中該(多種)聚矽氧烷包括：40至80合併wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的M及Q單元、及2.8至20wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的根據式-Si(Ph)2-O-之二苯基矽氧烷單元。
在另一態樣中，本揭露提供具有大於5微米且小於60微米(在一些實施例中為小於20微米)的厚度之膜，其包含制振黏著劑，該制振黏著劑係藉由使(多種)聚矽氧烷交聯而獲得，其中該交聯之實現係藉由將過氧化物交聯劑以等於該(多種)聚矽氧烷重量之1.0%與3.5%之間的之量摻合至該(多種)聚矽氧烷中、及透過活化該過氧化物交聯劑使該(多種)聚矽氧烷交聯，其中(多種)聚矽氧烷係指一種聚矽氧烷或多種聚矽氧烷之混合物，其中該(多種)聚矽氧烷包括：40至80合併wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的M及Q單元、及5至20wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的根據式-Si(Ph)2-O-之二苯基矽氧烷單元。在一些實施例中，該過氧化物交聯劑係過氧化苯甲醯。
在本揭露之膜的一些實施例中，該(多種)聚矽氧烷亦包括5至35wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的根據式-Si(Me)2-O-之二甲基矽氧烷單元。在本揭露之膜的一些實施例中，該(多種)聚矽氧烷包括64至76合併wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的M及Q單元。在本揭露之膜的一些實施例中，該制振黏著劑不包含衍生自丙烯酸酯單體之鏈段。在本揭露之膜的一些實施例中，該制振黏著劑在1000克測試重量與70℃下對不鏽鋼展現出大於6000分鐘之剪切黏著性。本揭露之膜的額外實施例係如以下「所選之實施例」所述。
在本揭露之膜的一些實施例中，該制振黏著劑在-40℃下展現出至少0.30、至少0.40、至少0.45、至少0.60、或至少0.90的tan δ。
在另一態樣中，本揭露提供微型揚聲器振膜材料，其包含二或更多個剛性層及至少一個制振層，其中該制振層係根據本揭露之膜。
在另一態樣中，本揭露提供用於製造微型揚聲器振膜材料之次總成，其包含一剛性層及一制振層，其中該制振層係根據本揭露之膜。
在另一態樣中，本揭露提供轉移帶，其包含根據本揭露之膜。
本揭露之微型揚聲器振膜材料、次總成、及轉移帶的額外實施例係如以下「所選之實施例」所述。
本揭露之前述發明內容並非意欲說明本發明之各實施例。本發明的一或多個實施例的細節也會在以下說明中提出。經由實施方式及申請專利範圍，本發明之其他特徵、目的、以及優點將顯而易見。
在本申請案中：「直接結合(directly bound)」係指彼此直接接觸並結合在一起的兩種材料，而且在其等之間無第三材料介入。
除非另有具體說明，本文中所用之所有科學及技術用語具有所屬技術領域中所通用的意義。
如本說明書以及隨附申請專利範圍中所使用，除非內文明確地另有所指，單數形「一(a/an)」以及「該(the)」涵蓋具有複數個指稱物(referents)的實施例。
如本說明書及隨附申請專利範圍中所使用，用語「或(or)」通常係以包括「及/或(and/or)」之含義採用，除非內文明確另有所指。
如本文中所使用，「具有(have,having)」、「包括(include,including)」、「包含(comprise,comprising)」或類似用語係以其開放式意義使用，且一般意指「包括但不限於(including,but not limited to)」。應理解，用語「由...組成(consisting of)」以及「基本上由...組成(consisting essentially of)」係歸於用語「包含(comprising)」及類似用語內。
110‧‧‧三層微型揚聲器振膜材料
120‧‧‧制振層
130‧‧‧剛性層
131‧‧‧剛性層
210‧‧‧五層微型揚聲器振膜材料
220‧‧‧制振層
221‧‧‧制振層
230‧‧‧剛性層
231‧‧‧剛性層
232‧‧‧剛性層
320‧‧‧制振層
330‧‧‧剛性層
350‧‧‧兩層次總成
420‧‧‧制振層
470‧‧‧轉移帶
480‧‧‧襯墊層
A‧‧‧線
B‧‧‧線
C‧‧‧線
圖1係根據本揭露之一實施例之三層微型揚聲器振膜材料的示意性截面圖。
圖2係根據本揭露之一實施例之五層微型揚聲器振膜材料的示意性截面圖。
圖3係根據本揭露之一實施例之次總成的示意性截面圖。
圖4係根據本揭露之一實施例之轉移帶的示意性截面圖。
圖5係呈現針對本揭露之一實施例(亦即本文中的實例4)所測得之動態機械分析數據的圖。
本揭露提供一種微型揚聲器振膜材料，其包含二或更多個剛性層及至少一個制振層(如本文中所提供)，各制振層之各面係直接結合至一剛性層。本揭露亦提供的是在一些實施例中可作為次組件用於微型揚聲器振膜材料之物品，諸如：一次總成，其包含一剛性層，該剛性層係直接結合於一制振層之一面；或一轉移帶，其包含一制振層，該制振層承載於一襯墊層上。
參照圖1，根據本揭露之一些實施例之三層微型揚聲器振膜材料110包括制振層120及剛性層130、131，該等剛性層係直接結合至制振層120。參照圖2，根據本揭露之一些實施例之五層微型揚聲器振膜材料210包括制振層220、221，該等制振層係與剛性層230、231、232交替。制振層220、221係直接結合至其等相鄰的該等 剛性層230、231、232。額外實施例可包含七層、九層或更多層，且包含交替的剛性層及制振層。
參照圖3，根據本揭露之一些實施例之兩層次總成350包括制振層320，該制振層係直接結合至剛性層330。參照圖4，根據本揭露之一些實施例之轉移帶470包括制振層420，該制振層承載於襯墊層480上。可選地，制振層420之暴露面可承載一第二襯墊層(圖未示)。
在一些實施例中，微型揚聲器振膜制振層係黏著劑。在一些實施例中，微型揚聲器振膜制振層可在至多200℃(且在一些實施例中為至多250℃)的溫度下操作，而未喪失制振特性。在一些實施例中，制振層包含制振黏著劑，該制振黏著劑包含一種聚矽氧烷或多種聚矽氧烷的混合物，該制振黏著劑對於在20℃與200℃之間的所有溫度(而在一些實施例中為對於在20℃和250℃之間的所有溫度)展現至少0.42的tan δ。在一些實施例中，該制振黏著劑在200℃下展現比在20℃至200℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.08的tan δ。在一些實施例中，該制振黏著劑在250℃下展現比在20℃至250℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.20的tan δ。在本揭露之膜的一些實施例中，該制振黏著劑在-40℃下展現至少0.30、至少0.40、至少0.45、至少0.60、或至少0.90的tan δ。額外實施例可限於以下所選之實施例中列舉的特性範圍。
在一些實施例中，制振黏著劑係經交聯。在一些此類實施例中，制振黏著劑係藉由暴露於電子束輻射來進行交聯。在一些此 類實施例中，制振黏著劑係藉由使用過氧化物來進行交聯。一般而言，制振黏著劑在進行交聯之前係塗佈成一薄膜，該薄膜在一些實施例中具有大於5微米且小於60微米(在一些實施例中為小於20微米)的厚度。額外實施例可限於以下所選之實施例中列舉的厚度範圍。
聚矽氧烷
在一些實施例中，制振層包含制振黏著劑，該制振黏著劑包含一種聚矽氧烷或多種聚矽氧烷的混合物。在一些此類實施例中，制振層包含一或多種MQ樹脂及一或多種直鏈或支鏈聚矽氧烷。
合適的MQ樹脂由下列結構單元M(即單價R'3SiO1/2單元)和Q(即四級SiO4/2單元)所構成。已設想到，有用於本揭露之MQ樹脂可選地可包括少量的D單元(即二價R'2SiO2/2單元)、T單元(即三價R'SiO3/2單元)、或「TOH」單元(亦即，Q單元鍵結至羥基而產生HOSiO3/2單元)。在一些實施例中，MQ樹脂僅含有M單元和Q單元。一般而言，MQ樹脂具有在100至50,000gm/莫耳(例如500至15,000gm/莫耳)範圍內的數量平均分子量，而且R’基團通常係甲基。MQ樹脂係共聚樹脂，其中各M單元係鍵結至一個Q單元，且各Q單元係鍵結至至少一個其他Q單元。其中一些Q單元僅鍵結至其他Q單元。適合之矽酸酯增黏樹脂可商購自Dow Corning(例如，DC 2-7066)、Momentive Performance Materials(例如，SR545及SR1000)等之來源。
可在本發明之實施中使用任何合適的直鏈或支鏈聚矽氧烷。一些實施例採用由下式描述的直鏈聚矽氧烷，該式表示具有脂族及/或芳族取代基之矽氧烷主鏈： 其中R1、R2、R3、及R4獨立地係選自由烷基和芳基所組成之群組，各R5係烷基且n和m係整數，而且m或n中之至少一者不是零。在一些實施例中，R5係甲基，亦即，非官能化聚矽氣材料係由三甲基矽氧基封端。在一些實施例中，R1及R2係烷基且n係0，亦即，該材料係聚(二烷基矽氧烷)。在一些實施例中，烷基係甲基，亦即聚(二甲基矽氧烷)(「PDMS」)。在一些實施例中，R1係烷基，R2係芳基，且n係零，亦即，該材料係聚(烷基芳基矽氧烷)。在一些實施例中，R1係甲基，且R2係苯基，亦即，該材料係聚(甲基苯基矽氧烷)。在一些實施例中，R1及R2係烷基，且R3及R4係芳基，亦即，該材料係聚(二烷基二芳基矽氧烷)。在一些實施例中，R1及R2係甲基，且R3及R4係苯基，亦即，該材料係聚(二甲基二苯基矽氧烷)。
除了官能性R基團之外，R基團可係非官能性基團，例如烷基或芳基，其包括鹵化(例如氟化)烷基及芳基。在一些實施例中，官能化聚矽氧材料可係支鏈的。例如，R基團中之一或多者可係具有官能性取代基及/或非官能性取代基之直鏈或支鏈矽氧烷。
可利用廣泛各式已知手段中任一者來組合聚矽氧烷。在一些實施例中，可使用常見設備(諸如混合機、摻合機、磨機、擠壓機、及類似者)來將各種組分預摻合。可在溶劑存在或不存在的條件下進行摻合。在一些實施例中，MQ樹脂與其他聚矽氧烷之組合進行可包括對該MQ樹脂進行共價鍵結。
在一些實施例中，聚矽氧烷或多種聚矽氧烷包括40至80合併wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的M及Q單元。在一些實施例中，聚矽氧烷或多種聚矽氧烷包括60至80合併wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的M及Q單元。在一些實施例中，聚矽氧烷或多種聚矽氧烷包括2.8至20wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的根據式-Si(Ph)2-O-之二苯基矽氧烷單元。在一些實施例中，聚矽氧烷或多種聚矽氧烷包括5至15wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的根據式-Si(Ph)2-O-之二苯基矽氧烷單元。額外實施例可限於以下所選之實施例中列舉的組成。
電子束交聯
在一些實施例中，形成制振層之聚矽氧烷或聚矽氧烷之混合物係藉由暴露於電子束輻射來進行交聯。
一般而言，聚矽氧烷或聚矽氧烷之混合物在進行交聯之前係塗佈成一薄膜，該薄膜在一些實施例中具有大於5微米且小於60微米(在一些實施例中為小於20微米)的厚度。可使用任何合適的塗佈方法，包括溶劑塗佈和熱熔融塗佈方法。
可利用任何合適的方法進行電子束交聯。可使用可購得的電子束產生設備，包括可購自Energy Sciences,Inc.(Wilmington,MA)的電子束產生設備。大致上，一支撐膜或襯墊運行通過惰性腔室，一般而言為氮氣氛。在一些實施例中，對兩側上具有一襯墊之未固化材料樣本進行處理。在一些實施例中，可將未固化材料樣本施加至一襯墊，而在其相對表面(「開放面(open face)」)上則沒有襯墊。該材料可自一側暴露於電子束幅照而穿過離型襯墊。在一些實施例中，未採用催化劑或起始劑，從而此類組成物「實質上不含(substantially free)」任何催化劑或起始劑。如本文中所使用，如果組成物不包括「有效量(effective amount)」之催化劑或起始劑，則該組成物「實質上不含催化劑及起始劑」。如所熟知，催化劑或起始劑之「有效量」取決於多種因素，包括催化劑或起始劑的類型、可固化材料的組成，以及固化方法(例如，熱固化、UV固化、及類似者)。在一些實施例中，如果特定催化劑或起始劑之量並未將組成物之固化時間(其相對於不存在該催化劑或起始劑之相同組成在相同條件下的固化時間)縮短至少10%，則該催化劑或起始劑並未以「有效量」存在。
在一些實施例中，電子束暴露限於在大於100kV(或更一般而言為大於150kV)之電壓下在1.5與5.5Mrad之間之電子束輻射。額外實施例可限於以下所選之實施例中列舉的膜厚度、組成、條件及/或暴露。
過氧化物交聯
在一些實施例中，形成制振層之聚矽氧烷或聚矽氧烷之混合物係藉由使用過氧化物交聯劑來進行交聯。
一般而言，聚矽氧烷或聚矽氧烷之混合物在進行交聯之前係塗佈成一薄膜，該薄膜在一些實施例中具有大於5微米且小於60微米(在一些實施例中為小於20微米)的厚度。可使用任何合適的塗佈方法，包括溶劑塗佈和熱熔融塗佈方法。
可利用任何合適的方法進行過氧化物交聯。一般而言，交聯之實現係藉由將過氧化物交聯劑以等於(多種)聚矽氧烷重量之1.0%與3.5%之間的量摻合至(多種)聚矽氧烷中，及在進行塗佈之後，(一般而言利用熱)活化過氧化物交聯劑。額外實施例可限於以下所選之實施例中列舉的膜厚度、組成、及/或條件。
剛性層
可在本揭露之實施例中使用任何合適的剛性層。在一些實施例中，各剛性層具有獨立地選自以下者的厚度：大於1微米且小於10微米的厚度。額外實施例可限於以下所選之實施例中列舉的厚度範圍。
在一些實施例中，剛性層包含高溫工程熱塑性塑料。在一些實施例中，剛性層包含選自下列之材料：聚苯并咪唑、聚醯胺-醯亞胺、聚醯亞胺、液晶聚合物、聚醚碸、聚苯基碸、聚醚醯亞胺、聚醚醚酮、及聚碸。在一些實施例中，剛性層包含聚醚醚酮(PEEK)。
所選之實施例
以下藉由字母及數字表示的實施例意欲進一步說明本揭露，但不應解讀為不當地限制本揭露。
DAFa1. 一種膜，其具有至少4微米且小於60微米的厚度，其包含制振黏著劑，該制振黏著劑包含一種聚矽氧烷或多種聚矽氧烷之混合物，其中該制振黏著劑對於在20℃與250℃之間的所有溫度展現至少0.42的tan δ，且其中該制振黏著劑在250℃下展現比在20℃至250℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.20的tan δ。
DAFa2. 根據實施例DAFa1之膜，其中該制振黏著劑在250℃下展現比在20℃至250℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.17的tan δ。
DAFa3. 根據實施例DAFa1之膜，其中該制振黏著劑在250℃下展現比在20℃至250℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.13的tan δ。
DAFa4. 根據實施例DAFa1之膜，其中該制振黏著劑在250℃下展現比在20℃至250℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.10的tan δ。
DAFa5. 根據實施例DAFa1之膜，其中該制振黏著劑在250℃下展現比在20℃至250℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.08的tan δ。
DAFa6. 根據實施例DAFa1至DAFa5中任一者之膜，其中該制振黏著劑在200℃下展現比在20℃至200℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.08的tan δ。
DAFa7. 根據實施例DAFa1至DAFa5中任一者之膜，其中該制振黏著劑在200℃下展現比在20℃至200℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.07的tan δ。
DAFa8. 根據實施例DAFa1至DAFa5中任一者之膜，其中該制振黏著劑在200℃下展現比在20℃至200℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.06的tan δ。
DAFa9. 根據實施例DAFa1至DAFa5中任一者之膜，其中該制振黏著劑在200℃下展現比在20℃至200℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.05的tan δ。
DAFa10. 根據實施例DAFa1至DAFa5中任一者之膜，其中該制振黏著劑在200℃下展現比在20℃至200℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.04的tan δ。
DAFa11. 根據實施例DAFa1至DAFa5中任一者之膜，其中該制振黏著劑在200℃下展現比在20℃至200℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.03的tan δ。
DAFa12. 根據實施例DAFa1至DAFa5中任一者之膜，其中該制振黏著劑在200℃下展現比在20℃至200℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.02的tan δ。
DAFa13. 根據實施例DAFa1至DAFa5中任一者之膜，其中該制振黏著劑在200℃下展現比在20℃至200℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.01的tan δ。
DAFa14. 根據實施例DAFa1至DAFa13中任一者之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與250℃之間的所有溫度展現至少0.45的tan δ。
DAFa15. 根據實施例DAFa1至DAFa13中任一者之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與250℃之間的所有溫度展現至少0.48的tan δ。
DAFa16. 根據實施例DAFa1至DAFa13中任一者之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與250℃之間的所有溫度展現至少0.51的tan δ。
DAFa17. 根據實施例DAFa1至DAFa13中任一者之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與250℃之間的所有溫度展現至少0.53的tan δ。
DAFa18. 根據實施例DAFa1至DAFa17中任一者之膜，其中tan δ係藉由動態機械分析來測量。
DAFa19. 根據實施例DAFa1至DAFa18中任一者之膜，其具有大於7微米的厚度。
DAFa20. 根據實施例DAFa1至DAFa19中任一者之膜，其具有小於45微米的厚度。
DAFa21. 根據實施例DAFa1至DAFa19中任一者之膜，其具有小於20微米的厚度。
DAFa22. 根據實施例DAFa1至DAFa19中任一者之膜，其具有小於17微米的厚度。
DAFa23. 根據實施例DAFa1至DAFa19中任一者之膜，其具有小於15微米的厚度。
DAFa24. 根據實施例DAFa1至DAFa19中任一者之膜，其具有小於14微米的厚度。
DAFa25. 根據實施例DAFa1至DAFa19中任一者之膜，其具有小於13微米的厚度。
DAFa26. 根據實施例DAFa1至DAFa25中任一者之膜，其中該制振黏著劑不包含衍生自丙烯酸酯單體之鏈段。
DAFa27. 根據實施例DAFa1至DAFa25中任一者之膜，其中該制振黏著劑在1000克測試重量與70℃下對不鏽鋼展現大於2000分鐘的剪切黏著性。
DAFa28. 根據實施例DAFa1至DAFa25中任一者之膜，其中該制振黏著劑在1000克測試重量與70℃下對不鏽鋼展現大於4000分鐘的剪切黏著性。
DAFa29. 根據實施例DAFa1至DAFa25中任一者之膜，其中該制振黏著劑在1000克測試重量與70℃下對不鏽鋼展現大於6000分鐘的剪切黏著性。
DAFa30. 根據實施例DAFa1至DAFa29中任一者之膜，其在25℃下具有小於100,000Pa的模數(G’)。
DAFa31. 根據實施例DAFa1至DAFa30中任一者之膜，其中該制振黏著劑在-40℃下展現至少0.30的tan δ。
DAFa32. 根據實施例DAFa1至DAFa30中任一者之膜，其中該制振黏著劑在-40℃下展現至少0.40的tan δ。
DAFa33. 根據實施例DAFa1至DAFa30中任一者之膜，其中該制振黏著劑在-40℃下展現至少0.45的tan δ。
DAFa34. 根據實施例DAFa1至DAFa30中任一者之膜，其中該制振黏著劑在-40℃下展現至少0.60的tan δ。
DAFa35. 根據實施例DAFa1至DAFa30中任一者之膜，其中該制振黏著劑在-40℃下展現至少0.90的tan δ。
DAFb1. 一種膜，其具有至少4微米且小於60微米的厚度，其包含制振黏著劑，該制振黏著劑包含一種聚矽氧烷或多種聚矽氧烷之混合物，其中該制振黏著劑對於在20℃與200℃之間的所有溫度展現至少0.42的tan δ，且其中該制振黏著劑在200℃下展現比在20℃至200℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.08的tan δ。
DAFb2. 根據實施例DAFb1之膜，其中該制振黏著劑在200℃下展現比在20℃至200℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.07的tan δ。
DAFb3. 根據實施例DAFb1之膜，其中該制振黏著劑在200℃下展現比在20℃至200℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.06的tan δ。
DAFb4. 根據實施例DAFb1之膜，其中該制振黏著劑在200℃下展現比在20℃至200℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.05的tan δ。
DAFb5. 根據實施例DAFb1之膜，其中該制振黏著劑在200℃下展現比在20℃至200℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.04的tan δ。
DAFb6. 根據實施例DAFb1之膜，其中該制振黏著劑在200℃下展現比在20℃至200℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.03的tan δ。
DAFb7. 根據實施例DAFb1之膜，其中該制振黏著劑在200℃下展現比在20℃至200℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.02的tan δ。
DAFb8. 根據實施例DAFb1之膜，其中該制振黏著劑在200℃下展現比在20℃至200℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.01的tan δ。
DAFb10. 根據實施例DAFb1至DAFb8中任一者之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與200℃之間的所有溫度展現至少0.45的tan δ。
DAFb11. 根據實施例DAFb1至DAFb8中任一者之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與200℃之間的所有溫度展現至少0.48的tan δ。
DAFb12. 根據實施例DAFb1至DAFb8中任一者之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與200℃之間的所有溫度展現至少0.51的tan δ。
DAFb13. 根據實施例DAFb1至DAFb8中任一者之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與200℃之間的所有溫度展現至少0.53的tan δ。
DAFb14. 根據實施例DAFb1至DAFb13中任一者之膜，其中tan δ係藉由動態機械分析來測量。
DAFb15. 根據實施例DAFb1至DAFb14中任一者之膜，其具有大於7微米的厚度。
DAFb16. 根據實施例DAFb1至DAFb15中任一者之膜，其具有小於45微米的厚度。
DAFb17. 根據實施例DAFb1至DAFb15中任一者之膜，其具有小於20微米的厚度。
DAFb18. 根據實施例DAFb1至DAFb15中任一者之膜，其具有小於17微米的厚度。
DAFb19. 根據實施例DAFb1至DAFb15中任一者之膜，其具有小於15微米的厚度。
DAFb20. 根據實施例DAFb1至DAFb15中任一者之膜，其具有小於14微米的厚度。
DAFb21. 根據實施例DAFb1至DAFb15中任一者之膜，其具有小於13微米的厚度。
DAFb22. 根據實施例DAFb1至DAFb21中任一者之膜，其中該制振黏著劑不包含衍生自丙烯酸酯單體之鏈段。
DAFb23. 根據實施例DAFb1至DAFb22中任一者之膜，其中該制振黏著劑在1000克測試重量與70℃下對不鏽鋼展現大於2000分鐘的剪切黏著性。
DAFb24. 根據實施例DAFb1至DAFb22中任一者之膜，其中該制振黏著劑在1000克測試重量與70℃下對不鏽鋼展現大於4000分鐘的剪切黏著性。
DAFb25. 根據實施例DAFb1至DAFb22中任一者之膜，其中該制振黏著劑在1000克測試重量與70℃條件下對不鏽鋼展現大於6000分鐘的剪切黏著性。
DAFb26. 根據實施例DAFb1至DAFb25中任一者之膜，其在25℃下具有小於100,000Pa的模數(G’)。
DAFb27. 根據實施例DAFb1至DAFb26中任一者之膜，其中該制振黏著劑在-40℃下展現至少0.30的tan δ。
DAFb28. 根據實施例DAFb1至DAFb26中任一者之膜，其中該制振黏著劑在-40℃下展現至少0.40的tan δ。
DAFb29. 根據實施例DAFb1至DAFb26中任一者之膜，其中該制振黏著劑在-40℃下展現至少0.45的tan δ。
DAFb30. 根據實施例DAFb1至DAFb26中任一者之膜，其中該制振黏著劑在-40℃下展現至少0.60的tan δ。
DAFb31. 根據實施例DAFb1至DAFb26中任一者之膜，其中該制振黏著劑在-40℃下展現至少0.90的tan δ。
DAFe1. 一種膜，其具有至少4微米且小於60微米的厚度，其包含制振黏著劑，該制振黏著劑係藉由使(多種)聚矽氧烷交聯而獲得，該交聯係藉由使該(多種)聚矽氧烷暴露於在大於150kV之電壓下在1.5與5.5Mrad之間之電子束輻射，該(多種)聚矽氧烷係呈聚矽氧烷膜之形式，該聚矽氧烷膜具有大於5微米且小於20微米的厚度，其中(多種)聚矽氧烷係指一種聚矽氧烷或多種聚矽氧烷之混合物，其中該(多種)聚矽氧烷包括： 40至80合併wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的M及Q單元、及2.8至20wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的根據式-Si(Ph)2-O-之二苯基矽氧烷單元。
DAFe2. 根據實施例DAFe1之膜，其具有大於7微米的厚度。
DAFe3. 根據實施例DAFe1或DAFe2之膜，其具有小於45微米的厚度。
DAFe4. 根據實施例DAFe1或DAFe2之膜，其具有小於20微米的厚度。
DAFe5. 根據實施例DAFe1或DAFe2之膜，其具有小於17微米的厚度。
DAFe6. 根據實施例DAFe1或DAFe2之膜，其具有小於15微米的厚度。
DAFe7. 根據實施例DAFe1或DAFe2之膜，其具有小於14微米的厚度。
DAFe8. 根據實施例DAFe1或DAFe2之膜，其具有小於13微米的厚度。
DAFe9. 根據實施例DAFe1至DAFe8中任一者之膜，其中該(多種)聚矽氧烷包括：5至35wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的根據式-Si(Me)2-O-之二甲基矽氧烷單元。
DAFe10. 根據實施例DAFe1至DAFe9中任一者之膜，其中該(多種)聚矽氧烷包含MQ聚矽氧烷及直鏈聚矽氧烷，其中該直鏈聚矽氧烷包含二苯基矽氧烷單元及二甲基矽氧烷單元。
DAFe11. 根據實施例DAFe1至DAFe9中任一者之膜，其中該(多種)聚矽氧烷包含MQ聚矽氧烷、第一直鏈聚矽氧烷、及第二直鏈聚矽氧烷，該第二直鏈聚矽氧烷之組成係與該第一直鏈聚矽氧烷不同，其中該第一直鏈聚矽氧烷包含二苯基矽氧烷單元及二甲基矽氧烷單元。
DAFe12. 根據實施例DAFe1至DAFe9中任一者之膜，其中該(多種)聚矽氧烷包含第一MQ聚矽氧烷、第二MQ聚矽氧烷、第一直鏈聚矽氧烷、及第二直鏈聚矽氧烷，該第二MQ聚矽氧烷之組成係與該第一MQ聚矽氧烷不同，該第二直鏈聚矽氧烷之組成係與該第一直鏈聚矽氧烷不同，其中該第一直鏈聚矽氧烷包含二苯基矽氧烷單元及二甲基矽氧烷單元。
DAFe13. 根據實施例DAFe1至DAFe12中任一者之膜，其中該(多種)聚矽氧烷包括：60至80合併wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的M及Q單元。
DAFe14. 根據實施例DAFe1至DAFe12中任一者之膜，其中該(多種)聚矽氧烷包括：62至78合併wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的M及Q單元。
DAFe15. 根據實施例DAFe1至DAFe12中任一者之膜，其中該(多種)聚矽氧烷包括：64至76合併wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的M及Q單元。
DAFe16. 根據實施例DAFe1至DAFe12中任一者之膜，其中該(多種)聚矽氧烷包括：66至74合併wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的M及Q單元。
DAFe17. 根據實施例DAFe1至DAFe12中任一者之膜，其中該(多種)聚矽氧烷包括：68至72合併wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的M及Q單元。
DAFe18. 根據實施例DAFe1至DAFe17中任一者之膜，其中該(多種)聚矽氧烷包括：至少6wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的根據式-Si(Ph)2-O-之二苯基矽氧烷單元。
DAFe19. 根據實施例DAFe1至DAFe17中任一者之膜，其中該(多種)聚矽氧烷包括：至少7wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的根據式-Si(Ph)2-O-之二苯基矽氧烷單元。
DAFe20. 根據實施例DAFe1至DAFe19中任一者之膜，其中該(多種)聚矽氧烷包括： 不多於15wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的根據式-Si(Ph)2-O-之二苯基矽氧烷單元。
DAFe21. 根據實施例DAFe1至DAFe19中任一者之膜，其中該(多種)聚矽氧烷包括：不多於12wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的根據式-Si(Ph)2-O-之二苯基矽氧烷單元。
DAFe22. 根據實施例DAFe1至DAFe19中任一者之膜，其中該(多種)聚矽氧烷包括：不多於10wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的根據式-Si(Ph)2-O-之二苯基矽氧烷單元。
DAFe23. 根據實施例DAFe1至DAFe19中任一者之膜，其中該(多種)聚矽氧烷包括：不多於9.5wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的根據式-Si(Ph)2-O-之二苯基矽氧烷單元。
DAFe24. 根據實施例DAFe1至DAFe19中任一者之膜，其中該(多種)聚矽氧烷包括：不多於9wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的根據式-Si(Ph)2-O-之二苯基矽氧烷單元。
DAFe25. 根據實施例DAFe1至DAFe24中任一者之膜，其中該交聯之實現係藉由使該(多種)聚矽氧烷暴露於電子束輻射，其穿過覆蓋該(多種)聚矽氧烷之一上表面之一聚合襯墊。
DAFe26. 根據實施例DAFe25之膜，其中該聚合襯墊具有小於100微米的厚度。
DAFe27. 根據實施例DAFe25之膜，其中該聚合襯墊具有小於80微米的厚度。
DAFe28. 根據實施例DAFe25之膜，其中該聚合襯墊具有小於55微米的厚度。
DAFe29. 根據實施例DAFe25至DAFe28中任一者之膜，其中該聚合襯墊包含聚酯。
DAFe30. 根據實施例DAFe1至DAFe24中任一者之膜，其中該交聯之實現係藉由使該(多種)聚矽氧烷直接暴露於電子束輻射，其未由任何固體材料媒介。
DAFe31. 根據實施例DAFe1至DAFe30中任一者之膜，其中該(多種)聚矽氧烷係暴露於在2.8與5.5Mrad之間之電子束輻射。
DAFe32.根據實施例DAFe1至DAFe30中任一者之膜，其中該(多種)聚矽氧烷係暴露於在1.8與4.2Mrad之間之電子束輻射。
DAFe33. 根據實施例DAFe1至DAFe30中任一者之膜，其中該(多種)聚矽氧烷係暴露於在2.8與4.2Mrad之間之電子束輻射。
DAFe34. 根據實施例DAFe1至DAFe30中任一者之膜，其中該(多種)聚矽氧烷係暴露於在1.8與3.7Mrad之間之電子束輻射。
DAFe35. 根據實施例DAFe1至DAFe30中任一者之膜，其中該(多種)聚矽氧烷係暴露於在2.8與3.7Mrad之間之電子束輻射。
DAFe36. 根據實施例DAFe1至DAF30中任一者之膜，其中該(多種)聚矽氧烷係暴露於在1.8與3.3Mrad之間之電子束輻射。
DAFe37. 根據實施例DAFe1至DAFe30中任一者之膜，其中該(多種)聚矽氧烷係暴露於在2.8與3.3Mrad之間之電子束輻射。
DAFe38. 根據實施例DAFe1至DAFe30中任一者之膜，其中該(多種)聚矽氧烷係暴露於在2.8與3.3Mrad之間之電子束輻射。
DAFe39. 根據實施例DAFe1至DAFe38中任一者之膜，其中該(多種)聚矽氧烷係暴露於在大於180kV之電壓下之電子束輻射。
DAFe40. 根據實施例DAFe1至DAFe38中任一者之膜，其中該(多種)聚矽氧烷係暴露於在大於200kV之電壓下之電子束輻射。
DAFe41. 根據實施例DAFe1至DAFe38中任一者之膜，其中該(多種)聚矽氧烷係暴露於在大於220kV之電壓下之電子束輻射。
DAFe42. 根據實施例DAFe1至DAFe41中任一者之膜，其中該(多種)聚矽氧烷係暴露於在不大於280kV之電壓下之電子束輻射。
DAFe43. 根據實施例DAFE1至DAFe42中任一者之膜，其中該交聯係在(多種)聚矽氧烷中不存在任何交聯劑之條件下實現。
DAFe44. 根據實施例DAFe1至DAFe43中任一者之膜，其中該聚矽氧烷膜具有大於7微米的厚度。
DAFe45. 根據實施例DAFe1至DAFe44中任一者之膜，其中該聚矽氧烷膜具有小於18微米的厚度。
DAFe46. 根據實施例DAFe1至DAFe44中任一者之膜，其中該聚矽氧烷膜具有小於17微米的厚度。
DAFe47. 根據實施例DAFe1至DAFe44中任一者之膜，其中該聚矽氧烷膜具有小於15微米的厚度。
DAFe48. 根據實施例DAFe1至DAFe44中任一者之膜，其中該聚矽氧烷膜具有小於14微米的厚度。
DAFe49. 根據實施例DAFe1至DAFe44中任一者之膜，其中該聚矽氧烷膜具有小於13微米的厚度。
DAFe50. 根據實施例DAFe1至DAFe49中任一者之膜，其中該制振黏著劑不包含衍生自丙烯酸酯單體之鏈段。
DAFe51. 根據實施例DAFe1至DAFe50中任一者之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與200℃之間的所有溫度展現至少0.42的tan δ，且其中該制振黏著劑在200℃下展現比在20℃至200℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.08的tan δ。
DAFe52. 根據實施例DAFe1至DAFe50中任一者之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與200℃之間的所有溫度展現至少0.42的tan δ，且其中該制振黏著劑在200℃下展現比在20℃至200℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.07的tan δ。
DAFe53. 根據實施例DAFe1至DAFe50中任一者之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與200℃之間的所有溫度展現至少0.42的tan δ，且其中該制振黏著劑在200℃下展現比在20℃至200℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.06的tan δ。
DAFe54. 根據實施例DAFe1至DAFe50中任一者之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與200℃之間的所有溫度展現至少0.42的tan δ， 且其中該制振黏著劑在200℃下展現比在20℃至200℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.05的tan δ。
DAFe55. 根據實施例DAFe1至DAFe50中任一者之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與200℃之間的所有溫度展現至少0.42的tan δ，且其中該制振黏著劑在200℃下展現比在20℃至200℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.04的tan δ。
DAFe56. 根據實施例DAFe1至DAFe50中任一者之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與200℃之間的所有溫度展現至少0.42的tan δ，且其中該制振黏著劑在200℃下展現比在20℃至200℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.03的tan δ。
DAFe57. 根據實施例DAFe1至DAFe50中任一者之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與200℃之間的所有溫度展現至少0.42的tan δ，且其中該制振黏著劑在200℃下展現比在20℃至200℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.02的tan δ。
DAFe58. 根據實施例DAFe1至DAFe50中任一者之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與200℃之間的所有溫度展現至少0.42的tan δ，且其中該制振黏著劑在200℃下展現比在20℃至200℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.01的tan δ。
DAFe59. 根據實施例DAFe1至DAFe58中任一者之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與250℃之間的所有溫度展現至少0.42的tan δ，且其中該制振黏著劑在250℃下展現比在20℃至250℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.20的tan δ。
DAFe60. 根據實施例DAFe1至DAFe58中任一者之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與250℃之間的所有溫度展現至少0.42的tan δ，且其中該制振黏著劑在250℃下展現比在20℃至250℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.17的tan δ。
DAFe61. 根據實施例DAFe1至DAFe58中任一者之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與250℃之間的所有溫度展現至少0.42的tan δ，且其中該制振黏著劑在250℃下展現比在20℃至250℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.13的tan δ。
DAFe62. 根據實施例DAFe1至DAFe58中任一者之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與250℃之間的所有溫度展現至少0.42的tan δ，且其中該制振黏著劑在250℃下展現比在20℃至250℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.10的tan δ。
DAFe63. 根據實施例DAFe1至DAFe58中任一者之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與250℃之間的所有溫度展現至少0.42的tan δ，且其中該制振黏著劑在250℃下展現比在20℃至250℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.08的tan δ。
DAFe64. 根據實施例DAFe1至DAFe63中任一者之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與250℃之間的所有溫度展現至少0.45的tan δ。
DAFe65. 根據實施例DAFe1至DAFe63中任一者之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與250℃之間的所有溫度展現至少0.48的tan δ。
DAFe66. 根據實施例DAFe1至DAFe63中任一者之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與250℃之間的所有溫度展現至少0.51的tan δ。
DAFe67. 根據實施例DAFe1至DAFe63中任一者之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與250℃之間的所有溫度展現至少0.53的tan δ。
DAFe68. 根據實施例DAFe48至DAFe67中任一者之膜，其中tan δ係藉由動態機械分析來測量。
DAFe69. 根據實施例DAFe1至DAFe68中任一者之膜，其中該制振黏著劑在1000克測試重量與70℃下對不鏽鋼展現大於2000分鐘的剪切黏著性。
DAFe70. 根據實施例DAFe1至DAFe68中任一者之膜，其中該制振黏著劑在1000克測試重量與70℃下對不鏽鋼展現大於4000分鐘的剪切黏著性。
DAFe71. 根據實施例DAFe1至DAFe68中任一者之膜，其中該制振黏著劑在1000克測試重量與70℃條件下對不鏽鋼展現大於6000分鐘的剪切黏著性。
DAFe72. 根據實施例DAFe1至DAFe71中任一者之膜，其在25℃下具有小於100,000Pa的模數(G’)。
DAFe73. 根據實施例DAFe1至DAFe72中任一者之膜，其中該制振黏著劑在-40℃下展現至少0.30的tan δ。
DAFe74. 根據實施例DAFe1至DAFe72中任一者之膜，其中該制振黏著劑在-40℃下展現至少0.40的tan δ。
DAFe75. 根據實施例DAFe1至DAFe72中任一者之膜，其中該制振黏著劑在-40℃下展現至少0.45的tan δ。
DAFe76. 根據實施例DAFe1至DAFe72中任一者之膜，其中該制振黏著劑在-40℃下展現至少0.60的tan δ。
DAFe77. 根據實施例DAFe1至DAFe72中任一者之膜，其中該制振黏著劑在-40℃下展現至少0.90的tan δ。
DAFp1. 一種膜，其具有大於5微米且小於60微米的厚度，其包含制振黏著劑，該制振黏著劑係藉由使該(多種)聚矽氧烷交聯而獲得，其中該交聯之實現係藉由將過氧化物交聯劑以等於該(多種)聚矽氧烷重量的1.0%與3.5%之間的量摻合至該(多種)聚矽氧烷中、及透過活化該過氧化物交聯劑使該(多種)聚矽氧烷交聯，其中(多種)聚矽氧烷係指一種聚矽氧烷或多種聚矽氧烷之混合物，其中該(多種)聚矽氧烷包括：40至80合併wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的M及Q單元、及5至20wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的根據式-Si(Ph)2-O-之二苯基矽氧烷單元。
DAFp2. 根據實施例DAFp1之膜，其具有大於7微米的厚度。
DAFp3. 根據實施例DAFp1或DAFp2之膜，其具有小於45微米的厚度。
DAFp4. 根據實施例DAFp1或DAFp2之膜，其具有小於20微米的厚度。
DAFp5. 根據實施例DAFp1或DAFp2之膜，其具有小於17微米的厚度。
DAFp6. 根據DAFp1或DAFp2之膜，其具有小於15微米的厚度。
DAFp7. 根據DAFp1或DAFp2之膜，其具有小於14微米的厚度。
DAFp8. 根據DAFp1或DAFp2之膜，其具有小於13微米的厚度。
DAFp9. 根據實施例DAFp1至DAFp8中任一者之膜，其中該(多種)聚矽氧烷包括：5至35wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的根據式-Si(Me)2-O-之二甲基矽氧烷單元。
DAFp10. 根據實施例DAFp1至DAFp9中任一者之膜，其中該(多種)聚矽氧烷包含MQ聚矽氧烷及直鏈聚矽氧烷，其中該直鏈聚矽氧烷包含二苯基矽氧烷單元及二甲基矽氧烷單元。
DAFp11. 根據實施例DAFp1至DAFp9中任一者之膜，其中該(多種)聚矽氧烷包含MQ聚矽氧烷、第一直鏈聚矽氧烷、及第二直鏈聚矽氧烷，該第二直鏈聚矽氧烷之組成係與該第一直鏈聚矽氧烷不同，其中該第一直鏈聚矽氧烷包含二苯基矽氧烷單元及二甲基矽氧烷單元。
DAFp12. 根據實施例DAFp1至DAFp9中任一者之膜，其中該(多種)聚矽氧烷包含第一MQ聚矽氧烷、第二MQ聚矽氧烷、第一直鏈聚矽氧烷、及第二直鏈聚矽氧烷，該第二MQ聚矽氧烷之組成係與該第一MQ聚矽氧烷不同，該第二直鏈聚矽氧烷之組成係與該第一直鏈聚矽氧烷不同，其中該第一直鏈聚矽氧烷包含二苯基矽氧烷單元及二甲基矽氧烷單元。
DAFp13. 根據實施例DAFp1至DAFp12中任一者之膜，其中該(多種)聚矽氧烷包括：60至80合併wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的M及Q單元。
DAFp14. 根據實施例DAFp1至DAFp12中任一者之膜，其中該(多種)聚矽氧烷包括：62至78合併wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的M及Q單元。
DAFp15. 根據實施例DAFp1至DAFp12中任一者之膜，其中該(多種)聚矽氧烷包括：64至76合併wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的M及Q單元。
DAFp16. 根據實施例DAFp1至DAFp12中任一者之膜，其中該(多種)聚矽氧烷包括：66至74合併wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的M及Q單元。
DAFp17. 根據實施例DAFp1至DAFp12中任一者之膜，其中該(多種)聚矽氧烷包括：68至72合併wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的M及Q單元。
DAFp18. 根據實施例DAFp1至DAFp17中任一者之膜，其中該(多種)聚矽氧烷包括： 至少6wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的根據式-Si(Ph)2-O-之二苯基矽氧烷單元。
DAFp19. 根據實施例DAFp1至DAFp17中任一者之膜，其中該(多種)聚矽氧烷包括：至少7wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的根據式-Si(Ph)2-O-之二苯基矽氧烷單元。
DAFp20. 根據實施例DAFp1至DAFp17中任一者之膜，其中該(多種)聚矽氧烷包括：不多於15wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的根據式-Si(Ph)2-O-之二苯基矽氧烷單元。
DAFp21. 根據實施例DAFp1至DAFp17中任一者之膜，其中該(多種)聚矽氧烷包括：不多於12wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的根據式-Si(Ph)2-O-之二苯基矽氧烷單元。
DAFp22. 根據實施例DAFp1至DAFp17中任一者之膜，其中該(多種)聚矽氧烷包括：不多於10wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的根據式-Si(Ph)2-O-之二苯基矽氧烷單元。
DAFp23. 根據實施例DAFp1至DAFp17中任一者之膜，其中該(多種)聚矽氧烷包括：不多於9.5wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的根據式-Si(Ph)2-O-之二苯基矽氧烷單元。
DAFp24. 根據實施例DAFp1至DAFp17中任一者之膜，其中該(多種)聚矽氧烷包括：不多於9wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的根據式-Si(Ph)2-O-之二苯基矽氧烷單元。
DAFp25. 根據實施例DAFp1至DAFp24中任一者之膜，其中該過氧化物交聯劑係藉由熱來活化。
DAFp26. 根據實施例DAFp1至DAFp25中任一者之膜，其中該過氧化物交聯劑係過氧化苯甲醯。
DAFp27. 根據實施例DAFp1至DAFp26中任一者之膜，其中該過氧化物交聯劑係以等於(多種)聚矽氧烷重量的2.3%與3.5%之間的量存在於該(多種)聚矽氧烷中。
DAFp28. 根據實施例DAFp1至DAFp26中任一者之膜，其中該過氧化物交聯劑係以等於(多種)聚矽氧烷重量的2.3%與3.3%之間的量存在於該(多種)聚矽氧烷中。
DAFp29. 根據實施例DAFp1至DAFp26中任一者之膜，其中該過氧化物交聯劑係以等於(多種)聚矽氧烷重量的2.7%與3.3%之間的量存在於該(多種)聚矽氧烷中。
DAFp30. 根據實施例DAFp1至DAFp29中任一者之膜，其中該制振黏著劑不包含衍生自丙烯酸酯單體之鏈段。
DAFp31. 根據實施例DAFp1至DAFp30中任一者之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與200℃之間的所有溫度展現至少0.42的tan δ， 且其中該制振黏著劑在200℃下展現比在20℃至200℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.08的tan δ。
DAFp32. 根據實施例DAFp1至DAFp30中任一者之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與200℃之間的所有溫度展現至少0.42的tan δ，且其中該制振黏著劑在200℃下展現比在20℃至200℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.07的tan δ。
DAFp33. 根據實施例DAFp1至DAFp30中任一者之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與200℃之間的所有溫度展現至少0.42的tan δ，且其中該制振黏著劑在200℃下展現比在20℃至200℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.06的tan δ。
DAFp34. 根據實施例DAFp1至DAFp30中任一者之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與200℃之間的所有溫度展現至少0.42的tan δ，且其中該制振黏著劑在200℃下展現比在20℃至200℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.05的tan δ。
DAFp35. 根據實施例DAFp1至DAFp30中任一者之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與200℃之間的所有溫度展現至少0.42的tan δ，且其中該制振黏著劑在200℃下展現比在20℃至200℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.04的tan δ。
DAFp36. 根據實施例DAFp1至DAFp30中任一者之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與200℃之間的所有溫度展現至少0.42的tan δ，且其中該制振黏著劑在200℃下展現比在20℃至200℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.03的tan δ。
DAFp37. 根據實施例DAFp1至DAFp30中任一者之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與200℃之間的所有溫度展現至少0.42的tan δ，且其中該制振黏著劑在200℃下展現比在20℃至200℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.02的tan δ。
DAFp38. 根據實施例DAFp1至DAFp30中任一者之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與200℃之間的所有溫度展現至少0.42的tan δ，且其中該制振黏著劑在200℃下展現比在20℃至200℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.01的tan δ。
DAFp39. 根據實施例DAFp1至DAFp38中任一者之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與250℃之間的所有溫度展現至少0.42的tan δ，且其中該制振黏著劑在250℃下展現比在20℃至250℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.20的tan δ。
DAFp40. 根據實施例DAFp1至DAFp38中任一者之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與250℃之間的所有溫度展現至少0.42的tan δ，且其中該制振黏著劑在250℃下展現比在20℃至250℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.17的tan δ。
DAFp41. 根據實施例DAFp1至DAFp38中任一者之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與250℃之間的所有溫度展現至少0.42的tan δ，且其中該制振黏著劑在250℃下展現比在20℃至250℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.13的tan δ。
DAFp42. 根據實施例DAFp1至DAFp38中任一者之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與250℃之間的所有溫度展現至少0.42的tan δ， 且其中該制振黏著劑在250℃下展現比在20℃至250℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.10的tan δ。
DAF43. 根據實施例DAFp1至DAFp38中任一者之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與250℃之間的所有溫度展現至少0.42的tan δ，且其中該制振黏著劑在250℃下展現比在20℃至250℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.08的tan δ。
DAFp44. 根據實施例DAFp1至DAFp43中任一者之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與250℃之間的所有溫度展現至少0.45的tan δ。
DAFp45. 根據實施例DAFp1至DAFp43中任一者之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與250℃之間的所有溫度展現至少0.48的tan δ。
DAFp46. 根據實施例DAFp1至DAFp43中任一者之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與250℃之間的所有溫度展現至少0.51的tan δ。
DAFp47. 根據實施例DAFp1至DAFp43中任一者之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與250℃之間的所有溫度展現至少0.53的tan δ。
DAFp48. 根據實施例DAFp31至DAFp47中任一者之膜，其中tan δ係藉由動態機械分析來測量。
DAFp49. 根據實施例DAFp1至DAFp48中任一者之膜，其中該制振黏著劑在1000克測試重量與70℃下對不鏽鋼展現大於2000分鐘的剪切黏著性。
DAFp50. 根據實施例DAFp1至DAFp48中任一者之膜，其中該制振黏著劑在1000克測試重量與70℃下對不鏽鋼展現大於4000分鐘的剪切黏著性。
DAFp51. 根據實施例DAFp1至DAFp48中任一者之膜，其中該制振黏著劑在1000克測試重量與70℃下對不鏽鋼展現大於6000分鐘的剪切黏著性。
DAFp52. 根據實施例DAFp1至DAFp51中任一者之膜，其在25℃下具有小於100,000Pa的模數(G’)。
DAFp53. 根據實施例DAFp1至DAFp52中任一者之膜，其中該制振黏著劑在-40℃下展現至少0.30的tan δ。
DAFp54. 根據實施例DAFp1至DAFp52中任一者之膜，其中該制振黏著劑在-40℃下展現至少0.40的tan δ。
DAFp55. 根據實施例DAFp1至DAFp52中任一者之膜，其中該制振黏著劑在-40℃下展現至少0.45的tan δ。
DAFp56. 根據實施例DAFp1至DAFp52中任一者之膜，其中該制振黏著劑在-40℃下展現至少0.60的tan δ。
DAFp57. 根據實施例DAFp1至DAFp52中任一者之膜，其中該制振黏著劑在-40℃下展現至少0.90的tan δ。
MDM1. 一種微型揚聲器振膜材料，其包含二或更多個剛性層及至少一個制振層，其中該制振層係根據前述實施例中任一者之膜，且其中各制振層之各面係直接結合至一剛性層。
MDM2. 根據實施例MDM1之微型揚聲器振膜材料，其中各剛性層具有獨立地選自以下者的厚度：大於1微米且小於10微米的厚度。
MDM3. 根據實施例MDM1之微型揚聲器振膜材料，其中各剛性層具有獨立地選自以下者的厚度：大於3微米且小於8微米的厚度。
MDM4. 根據實施例MDM1至MDM3中任一者之微型揚聲器振膜材料，其中各剛性層包含獨立地選自由高溫工程熱塑性塑料所組成之群組之材料。
MDM5. 根據實施例MDM1至MDM3中任一者之微型揚聲器振膜材料，其中各剛性層包含獨立地選自由下列所組成之群組之材料：聚苯并咪唑、聚醯胺-醯亞胺、聚醯亞胺、液晶聚合物、聚醚碸、聚苯基碸、聚醚醯亞胺、聚醚醚酮、及聚碸。
MDM6. 根據實施例MDM1至MDM3中任一者之微型揚聲器振膜材料，其中各剛性層包含聚醚醚酮。
MDM7. 根據實施例MDM1至MDM6中任一者之微型揚聲器振膜材料，其包含兩個剛性層及一個制振層。
MDM8. 根據實施例MDM1至MDM6中任一者之微型揚聲器振膜材料，其包含三個剛性層，該等剛性層係與兩個制振層交替。
MDM9. 根據實施例MDM1至MDM6中任一者之微型揚聲器振膜材料，其包含四個剛性層，該等剛性層係與三個制振層交替。
MDM10. 一種微型揚聲器振膜，其係由根據實施例MDM1至MDM9中任一者之微型揚聲器振膜材料製成。
MDM11. 一種微型揚聲器，其包含實施例MDM10之微型揚聲器振膜。
MDM12. 一種可攜式電子裝置，其包含實施例MDM11之微型揚聲器。
MS1. 一種用於製造微型揚聲器振膜材料之次總成，其包含一剛性層及一制振層，其中該制振層係根據實施例DAFa1至DAFa35、或DAFb1至DAFb31、或DAFe1至DAFe77、或DAFp1至DAFp57中任一者之膜，且其中該制振層之一第一面係直接結合至該剛性層。
MS2. 根據實施例MS1之次總成，其中該剛性層具有大於1微米且小於10微米的厚度。
MS3. 根據實施例MS1之次總成，其中該剛性層具有大於3微米且小於8微米的厚度。
MS4. 根據實施例MS1至MS3中任一者之次總成，其中該剛性層包含選自由高溫工程熱塑性塑料所組成之群組之一材料。
MS5. 根據實施例MS1至MS3中任一者之次總成，其中該剛性層包含選自由下列所組成之群組之一材料：聚苯并咪唑、聚醯胺-醯亞胺、聚醯亞胺、液晶聚合物、聚醚碸、聚苯基碸、聚醚醯亞胺、聚醚醚酮、及聚碸。
MS6. 根據實施例MS1至MS3中任一者之次總成，其中該剛性層包含聚醚醚酮。
MS7. 根據實施例MS1至MS6中任一者之次總成，其中該制振層具有一第二面，該第二面與該第一面相對，其中該第二面承載一襯墊層。
MS8. 根據實施例MS7之次總成，其中該襯墊層承載一離型層，該離型層與該制振層接觸。
MS9. 根據實施例MS8之次總成，其中該離型層包含氟聚矽氧聚合物。
TT1. 一種轉移帶，其包含根據實施例DAFa1至DAFa35、或DAFb1至DAFb31、或DAFe1至DAFe77、或DAFp1至DAFp57中任一者之膜，其中該膜之一第一面承載一襯墊層。
TT2. 根據實施例TT1之轉移帶，其中該襯墊層具有一第一面，該第一面承載一第一離型層，該第一離型層與該膜接觸。
TT3. 根據實施例TT2之轉移帶，其中該第一離型層包含第一氟聚矽氧聚合物。
TT4. 根據實施例TT1至TT3中任一者之轉移帶，其中該襯墊層具有一第二面，該第二面與該第一面相對，該第二面承載一第二離型層。
TT5. 根據實施例TT4之轉移帶，其中該第二離型層包含第二氟聚矽氧聚合物。
TT6. 根據實施例TT4至TT5中任一者之轉移帶，其中該第一離型層及該第二離型層中一者較另一者更容易與該膜分離。
TT7. 根據實施例TT5之轉移帶，其中第一氟聚矽氧聚合物與該第二氟聚矽氧聚合物之組成不同。
本揭露之目的及優點係藉由以下之實例而進一步說明，但不應不當地解讀這些實例中詳述的特定材料及其用量、以及其他條件及細節而限制本揭露。
實例
除非另有註明，否則所有試劑可獲自或可購自Aldrich Chemical Co.,Milwaukee,WI，或者可藉由已知方法合成。
測試方法 在70℃下採用1000克重量的剪切黏著強度
70℃下的剪切黏著強度的測量是根據ASTM D3654/D 3654M-06：「Standard Test Methods for Shear Adhesion of Pressure Sensitive Tapes」(2011重新核定)，其中測試是在70℃下進行。將黏著劑層壓至已塗底漆的0.002吋(51微米)聚酯膜。切出大小25.4毫米(1.0吋)×15.2公分(6.0吋)的條帶樣本。然後，將條帶樣本施加至一不鏽鋼面板上，該不鏽鋼面板先前已使用無絨紙巾，先以甲基乙基酮(MEK)，接著以丙酮，然後以正庚烷擦拭乾淨。然後，將樣本置中放置於面板上並黏附至一端，使得條帶在長度方向上以25.4毫米(1吋)與該面板重疊。然後，使用2公斤(4.4磅)橡膠輥以12吋/分鐘在各方向上滾壓條帶樣本兩次。將條帶的自由端對折，使其黏附於自身，以致於沒有黏著劑暴露出。將此自由端對折並圍繞一掛鉤，然後裝訂在一起，以將該掛鉤固定就位。在一70℃腔室中，將所得的面板/條帶/砝碼總成垂直懸掛於一支架(呈2度的角度)，以確保達成剪切失效模式。在溫度平衡10分鐘後，將一1.0公斤(2.2磅)的砝碼附接至掛鉤，然後記錄下條帶自面板掉落的經過時間(單位為 分鐘)。如果經過10,000分鐘仍未發生失效，則測試終止，並將結果記錄為「>10,000」。所記述的是兩個樣本之平均值。
在70℃下對500克重量的剪切黏著強度
由於PEEK本身在70℃下採用1kg負載時會扭曲和失效，因此一些測試是採用500克負載，如表3所示。上述程序進行了以下修改：將黏著劑層壓至一8微米厚PEEK膜，而不是聚酯膜。使用500克負載取代1000克負載。
動態機械分析(DMA)
利用動態機械分析來測量黏著劑之儲存模數和玻璃轉移溫度。使用流變儀(型號ARES G2 RHEOMETER，購自TA Instruments,New Castle,DE)，該流變儀具有平行的頂板和底板，該頂板和該底板之直徑各自為8毫米。將一呈圓盤(直徑8毫米且厚度大約1毫米)形式之黏著劑樣本轉移至流變儀之底板上。將流變儀之頂板降低至黏著劑樣本上，並且使該樣本經受振盪剪切，同時將該樣本以3℃/分鐘之速率自0℃加熱至250℃，以上是在1赫茲的頻率與1%的起始應變幅度(其中自動應變已啟用)下進行。關於自動應變，最小扭矩係4.0g-cm，最大容許扭矩係150.0g-cm，且應變調整量係50%的當前應變。將所選樣本自-40℃加熱至250℃(所有其他參數皆相同)，同時進行測試。收集在整個溫度範圍內的儲存模數(G’)及損耗模數(G”)數據，並且以帕斯卡為單位記述。tan δ是以(損耗模數/儲 存模數)=(G”/G’)的比值進行計算。將tan δ曲線展現局部峰值處的溫度記述為玻璃轉移溫度(Tg)(單位為℃)。在各種溫度下的G’和tan δ(包括最低tan δ)係記述於表中。
圖5係呈現針對實例4所測得之動態機械分析數據。線A代表G’，且線B代表G”，兩者均參照左側軸標度。線C表示tan δ，其參照右側軸標度。
材料
實例及比較例 製備7%過氧化苯甲醯溶液
Luperox® A75係用於製造BPO於甲苯中之溶液。將一500g玻璃廣口瓶加入28.00g的Luperox® A75及279.02g的甲苯，並將混合物在滾瓶機上滾轉50min。將純BPO萃取至甲苯中，同時可看見水在廣口瓶底部中。將混合物上方部分中的BPO溶液傾析至另一500g玻璃廣口瓶中，並且將一些溶液與水留下，以確保沒有水轉移至新的玻璃廣口瓶中。
獲得~300g的7% BPO於甲苯中之溶液。需要時，製備於甲苯中之新鮮BPO以用於各實例或比較例；如果已超過8小時之久，則不使用該溶液。
製備5%過氧化苯甲醯溶液
Luperox® A75係用於製造BPO於甲苯中之溶液。將1000g玻璃廣口瓶加入35.00g的Luperox® A75及498.76g的甲苯，並將混合物在滾瓶機上滾轉50min。將純BPO萃取至甲苯中，同時可看見水在廣口瓶底部中。將混合物上方部分中的BPO溶液傾析至另一500g玻璃廣口瓶中，並且將一些溶液與水留下，以確保沒有水轉移至新的玻璃廣口瓶中。
獲得~500g的5% BPO於甲苯中之溶液。需要時，製備於甲苯中之新鮮BPO以用於各實例或比較例；如果已超過8小時之久，則不使用該溶液。
製備20%的過氧化二(2,4-二氯苯甲醯)溶液
將100毫升廣口瓶加入10.0克DCBPO糊劑及15.0克甲苯。將廣口瓶密封並置於機械滾瓶機上一小時，以給出20.0%過氧化二(2,4-二氯苯甲醯)於(聚矽氧/MEK)中之溶液。
比較例1
使用一切口棒塗佈器，以手工方式將20.0克的Q2-7735溶液塗佈至一氟聚矽氧襯墊(SF 88001)之離型處理側上，該切口棒塗佈器的間隙設定為比該襯墊之厚度大上0.008吋(400微米)，且速度為3呎/分鐘(91公分/分鐘)。經塗佈黏著劑之溶劑去除與交聯，是以下列方式進行。首先，讓經塗佈襯墊在室溫下靜置15分鐘；接著，將其附接至一金屬片體並放置於一194℉(90℃)烘箱中五分鐘；而且最後將該總成置於一338℉(170℃)烘箱中三分鐘。獲得一黏著劑轉移帶，其在一離型襯墊上具有一厚度大約41微米的黏著劑層。
比較例2
將500毫升廣口瓶加入200.0克Q-7735及194.5克甲苯。將廣口瓶密封並置於機械滾瓶機上一小時，以給出27.9%固體(w：w)溶液。將此溶液中加入49.5克新鮮製備的7%過氧化苯甲醯溶液，其製成如上所述。將廣口瓶再次密封並置於機械滾瓶機上，此次時間持續15分鐘，以給出含有25.6%(w：w)固體之均質溶液。此溶液含有Q2-7735：BPO/97：3(w：w)。使用一切口棒塗佈器，將此溶液塗佈至一13吋(33公分)寬氟聚矽氧襯墊(SF 88001)之離型處理側上， 該切口棒塗佈器的間隙設定為比該襯墊之厚度大上0.004吋(102微米)，接著使經塗佈襯墊通過一具有三個區域的烘箱，該等區域設定在以下溫度：180℉、180℉、及300℉(82℃、82℃、及149℃)，以在4分鐘期間內去除溶劑並使黏著劑進行交聯。針對塗佈/乾燥/交聯程序，採用9呎/分鐘(2.74公尺/分鐘)的線速度。使用軋輥將所得物品之經交聯黏著劑表面層壓至一第二氟聚矽氧襯墊(SF 82001)之離型塗佈側。獲得一黏著劑轉移帶，其在兩個不同離型襯墊之間具有一厚度大約15微米的經交聯黏著劑層。
比較例3
加上以下修改重複比較例1。在氮氣氣氛中，以24.1fpm在240kV下4Mrad的劑量，用電子束照射黏著劑。
比較例4
加上以下修改重複比較例1。在氮氣氣氛中，以24.1fpm在240kV下8Mrad的劑量，用電子束照射黏著劑。
比較例5
將一加侖廣口瓶加入600.0克PSA 6574和450克甲苯。將廣口瓶密封並置於機械滾瓶機上一小時，以給出32.0%固體(w：w)溶液。使用一切口棒塗佈器，將此溶液塗佈至一13吋(33公分)寬氟聚矽氧襯墊(L5192)之離型處理側上，該切口棒塗佈器的間隙 設定為比該襯墊之厚度大上0.003吋(76微米)，接著使經塗佈襯墊通過一具有三個區域的烘箱，該等區域設定在以下溫度：180℉、180℉、及302℉(82℃、82℃、及150℃)，以在4分鐘期間內去除溶劑。針對塗佈/乾燥程序，採用9呎/分鐘(2.74公尺/分鐘)的線速度。使用軋輥將所得物品之黏著劑表面層壓至一第二氟聚矽氧襯墊(SF 82001)之離型塗佈側。獲得一黏著劑轉移帶，其在兩個不同離型襯墊之間具有一厚度大約16微米的黏著劑層。
比較例6
加上以下修改重複比較例5。移除SF 82001襯墊，並在氮氣氣氛中，以24.1fpm在240kV下7Mrad的劑量，用電子束照射黏著劑。
比較例7
將一加侖廣口瓶加入274.4克PSA 6574和156.4克甲苯。將廣口瓶密封並置於機械滾瓶機上一小時，以給出35.7%固體(w：w)溶液。將此溶液中加入93.3克甲苯和44.1克新鮮製備的7%過氧化苯甲醯溶液，其製成如上所述。將廣口瓶再次密封並置於機械滾瓶機上，此次時間持續15分鐘，以給出含有27.6%(w：w)固體之均質溶液。此溶液含有PSA 6574：BPO/98：2(w：w)。使用一切口棒塗佈器，將此溶液塗佈至一13吋(33公分)寬氟聚矽氧襯墊(L5192)之離型處理側上，該切口棒塗佈器的間隙設定為比該襯墊之厚度大上0.004 吋(102微米)，接著使經塗佈襯墊通過一具有三個區域的烘箱，該等區域設定在以下溫度：176℉、176℉、及300℉(80℃、80℃、及149℃)，以在4分鐘期間內去除溶劑並使黏著劑進行交聯。針對塗佈/乾燥/交聯程序，採用9呎/分鐘(2.74公尺/分鐘)的線速度。使用軋輥將所得物品之經交聯黏著劑表面層壓至一第二氟聚矽氧襯墊(SF 82001)之離型塗佈側。獲得一黏著劑轉移帶，其在兩個不同離型襯墊之間具有一厚度大約11微米的經交聯黏著劑層。
比較例8
將一加侖廣口瓶加入400.2克PSA 6574和224.5克甲苯。將廣口瓶密封並置於機械滾瓶機上一小時，以給出35.9%固體(w：w)溶液。將此溶液中加入89.6克新鮮製備的5%過氧化苯甲醯溶液，其製成如上所述。將廣口瓶再次密封並置於機械滾瓶機上，此次時間持續15分鐘，以給出含有32%(w：w)固體之均質溶液。此溶液含有PSA 6574：BPO/98：2(w：w)。使用一切口棒塗佈器，將此溶液塗佈至一13吋(33公分)寬氟聚矽氧襯墊(L5192)之離型處理側上，該切口棒塗佈器的間隙設定為比該襯墊之厚度大上0.004吋(102微米)，接著使經塗佈襯墊通過一具有三個區域的烘箱，該等區域設定在以下溫度：180℉、200℉、及350℉(82℃、93℃、及177℃)，以在4分鐘期間內去除溶劑並使黏著劑進行交聯。針對塗佈/乾燥/交聯程序，採用9呎/分鐘(2.74公尺/分鐘)的線速度。使用軋輥將所得物品之經交聯黏著劑表面層壓至一第二氟聚矽氧襯墊(SF 82001)之離型塗佈 側。獲得一黏著劑轉移帶，其在兩個不同離型襯墊之間具有一厚度大約11微米的經交聯黏著劑層。
比較例9
將以下材料加入一MAX 40 SPEEDMIXER杯(FlackTek,Incorporated,Landrum,SC)，以製備塗佈溶液：25.1克PSA 518和10.9克甲苯。將此等材料在一DAC 150.1 FVZ-K SPEEDMIXER(FlackTek,Incorporated,Landrum,SC)中，於2700rpm下混合45秒。將此溶液加入5.1克新鮮製備的7%的過氧化苯甲醯溶液，其製成如上所述，接著在2700rpm下混合額外45秒，以給出含有35%(w：w)固體之均質溶液。此溶液含有PSA 518：BPO/97.5：2.5(w：w)。使用一切口棒塗佈器，以手工方式將此溶液塗佈至一氟聚矽氧襯墊(SF 88001)之離型處理側上，該切口棒塗佈器的間隙設定為比該襯墊之厚度大上0.002吋(51微米)，且速度為3呎/分鐘(91公分/分鐘)。經塗佈黏著劑之溶劑去除與交聯，是以下列方式進行。首先，讓經塗佈襯墊在室溫下靜置10分鐘；接著，將其附接至矩形金屬框架之頂部，使得大多數經黏著劑塗佈區域懸置於該框架上方而未與該框架接觸，並將所得總成放置於一201℉(94℃)烘箱中十分鐘；而且最後將該總成置於一320℉(160℃)烘箱中五分鐘。獲得一黏著劑轉移帶，其在一離型襯墊上具有一厚度大約18微米的經交聯黏著劑層。
比較例10
使用一切口棒塗佈器，以手工方式將PSA 518塗佈至一氟聚矽氧襯墊(SF 88001)之離型處理側上，該切口棒塗佈器的間隙設定為比該襯墊之厚度大上0.004吋(102微米)，且速度為3呎/分鐘(91公分/分鐘)。經塗佈黏著劑之溶劑去除，是以下列方式進行。首先，讓經塗佈襯墊在室溫下靜置10分鐘；接著，將其附接至一金屬面板並放置於一257℉(125℃)烘箱中十分鐘。獲得一黏著劑轉移帶，其在一離型襯墊上具有一厚度大約16微米的黏著劑層。
比較例11
加上以下修改重複比較例10。在氮氣氣氛中，以24.1fpm在240kV下3Mrad的劑量，用電子束以開放面照射樣本。黏著劑係16微米厚。
比較例12
將一加侖廣口瓶加入224.2克7956和258.7克甲苯。將廣口瓶密封並置於機械滾瓶機上一小時，以給出26.0%固體(w：w)溶液。使用一切口棒塗佈器，將此溶液塗佈至一13吋(33公分)寬氟聚矽氧襯墊(L5192)之離型處理側上，該切口棒塗佈器的間隙設定為比該襯墊之厚度大上0.004吋(102微米)，接著使經塗佈襯墊通過一具有三個區域的烘箱，該等區域設定在以下溫度：176℉、184℉、及285℉(84℃、80℃、及141℃)，以在4分鐘期間內自黏著劑去除溶 劑。針對塗佈/乾燥程序，採用9呎/分鐘(2.74公尺/分鐘)的線速度。使用軋輥將所得物品之黏著劑表面層壓至SF 82001之離型塗佈側。獲得一黏著劑轉移帶，其在兩個不同離型襯墊之間具有一厚度大約14微米的黏著劑層。隨着時間經過，觀察到一些襯墊雜亂現象。
比較例13
加上以下修改重複比較例12。在氮氣氣氛中，以24.1fpm在240kV下3Mrad的劑量，用電子束穿過SF 82001襯墊照射一新鮮製備的樣本。
比較例14
將一加侖廣口瓶加入224.9克7956和262.9克甲苯。將廣口瓶密封並置於機械滾瓶機上45分鐘，以給出25.8%固體(w：w)溶液。將此溶液加入46.2克新鮮製備的7%過氧化苯甲醯溶液，其製成如上所述。將廣口瓶再次密封並置於機械滾瓶機上，此次時間持續15分鐘，以給出含有24.2%(w：w)固體之均質溶液。此溶液含有7956：BPO/97.5：2.5(w：w)。使用一切口棒塗佈器，將此溶液塗佈至一13吋(33公分)寬氟聚矽氧襯墊(L5104)之離型處理側上，該切口棒塗佈器的間隙設定為比該襯墊之厚度大上0.004吋(102微米)，接著使經塗佈襯墊通過一具有三個區域的烘箱，該等區域設定在以下溫度：176℉、176℉、及302℉(80℃、80℃、及150℃)，以在4分鐘期間內去除溶劑並使黏著劑進行交聯。針對塗佈/乾燥/交聯程序，採 用9呎/分鐘(2.74公尺/分鐘)的線速度。使用軋輥將所得物品之經交聯黏著劑表面層壓至一第二氟聚矽氧襯墊(1022)之離型塗佈側。獲得一黏著劑轉移帶，其在兩個不同離型襯墊之間具有一厚度大約13微米的經交聯黏著劑層。
實例1
將一加侖廣口瓶加入1360克PSA 6574和1260.9克甲苯。將廣口瓶密封並置於機械滾瓶機上一小時，以給出29.0%固體(w：w)溶液。使用一切口棒塗佈器，將此溶液塗佈至一13吋(33公分)寬氟聚矽氧襯墊(L5192)之離型處理側上，該切口棒塗佈器的間隙設定為比該襯墊之厚度大上0.004吋(102微米)，接著使經塗佈襯墊通過一具有三個區域的烘箱，該等區域設定在以下溫度：180℉、180℉、及270℉(82℃、82℃、及132℃)，以在4分鐘期間內去除溶劑。針對塗佈/乾燥程序，採用9呎/分鐘(2.74公尺/分鐘)的線速度。使用軋輥將所得物品之黏著劑表面層壓至一第二氟聚矽氧襯墊(SF 82001)之離型塗佈側。以24.1fpm在240kV下3Mrad，用電子束穿過SF 82001襯墊照射黏著劑。獲得一黏著劑轉移帶，其在兩個不同離型襯墊之間具有一厚度大約12微米的黏著劑層。
實例2
加上以下修改重複實例1。在氮氣氣氛中，以24.1fpm在240kV下3.5Mrad，用電子束竁過SF 82001襯墊照射黏著劑。
實例3
A部分：將500毫升廣口瓶加入10.0克DC 200及90.0克甲苯。將廣口瓶密封並置於機械滾瓶機上一小時，以給出均質的10%固體(w：w)溶液。
B部分：將一公升玻璃廣口瓶加入275.2克PSA 6574和251.6克甲苯。將廣口瓶密封並置於機械滾瓶機上一小時，以給出29.3%固體(w：w)溶液。將此溶液加入50.2克的A部分溶液，然後將廣口瓶再次密封並置於機械滾瓶機上，此次時間持續45分鐘，以給出含有27.6%(w：w)固體之均質溶液。此溶液含有PSA 6574：DC 200/96.85：3.15(w：w)。使用一切口棒塗佈器，將此溶液塗佈至一13吋(33公分)寬氟聚矽氧襯墊(L5192)之離型處理側上，該切口棒塗佈器的間隙設定為比該襯墊之厚度大上0.004吋(102微米)，接著使經塗佈襯墊通過一具有三個區域的烘箱，該等區域設定在以下溫度：174℉、184℉、及285℉(79℃、84℃、及141℃)，以在4分鐘內期間去除溶劑。針對塗佈/乾燥程序，採用9呎/分鐘(2.74公尺/分鐘)的線速度。使用軋輥將所得物品之黏著劑表面層壓至一第二氟聚矽氧襯墊(SF 82001)之離型塗佈側。獲得一黏著劑轉移帶，其在兩個不同離型襯墊之間具有一厚度大約12微米的黏著劑層。以24.1fpm在240kV下3Mrad，用電子束穿過SF 82001襯墊照射黏著劑。
實例4
將500毫升廣口瓶加入287.9克PSA 6574及286.8克甲苯。將廣口瓶密封並置於機械滾瓶機上一小時，以給出28.1%固體(w：w)溶液。使用一切口棒塗佈器，將溶液塗佈至一13吋(33公分)寬氟聚矽氧襯墊(L5192)之離型處理側上，該切口棒塗佈器的間隙設定為比該襯墊之厚度大上0.004吋(102微米)，接著使經塗佈襯墊通過一具有三個區域的烘箱，該等區域設定在以下溫度：174℉、184℉、及285℉(79℃、84℃、及141℃)，以在4分鐘期間內去除溶劑。針對塗佈/乾燥程序，採用9呎/分鐘(2.74公尺/分鐘)的線速度。使用軋輥將所得物品之黏著劑表面層壓至一第二氟聚矽氧襯墊(SF 82001)之離型塗佈側。以24.1fpm在240kV下3Mrad，用電子束穿過SF 82001襯墊照射樣本。獲得一黏著劑轉移帶，其在兩個不同離型襯墊之間具有一厚度大約11微米的經交聯黏著劑層。
圖5係呈現針對實例4所測得之動態機械分析數據。線A代表G’，且線B代表G”，兩者均參照左側軸標度。線C表示tan δ，其參照右側軸標度。
實例5
加上以下修改重複實例4。移除SF 82001襯墊，然後在氮氣氣氛中，以24.1fpm在240kV下3Mrad，用電子束以開放面照射黏著劑。
比較例15
加上以下修改重複實例4。移除SF 82001襯墊，然後在氮氣氣氛中，以24.1fpm在240kV下6Mrad，用電子束以開放面照射黏著劑。
實例6
加上以下修改重複實例3：
A部分：將500毫升廣口瓶加入17.8克7956及90.0克甲苯。將廣口瓶密封並置於機械滾瓶機上一小時，以給出均質的10%固體(w：w)溶液。
B部分：將一公升玻璃廣口瓶加入298.5克PSA 6574和285.8克甲苯。將廣口瓶密封並置於機械滾瓶機上一小時，以給出28.6%固體(w：w)溶液。將此溶液加入25.7克的A部分溶液，然後將廣口瓶再次密封並置於機械滾瓶機上，此次時間持續45分鐘，以給出含有27.8%(w：w)固體之均質溶液。此溶液含有PSA 6574：7956/98.5：1.5(w：w)。獲得一黏著劑轉移帶，其在兩個不同離型襯墊之間具有一厚度大約12微米的黏著劑層。以24.1fpm在240kV下3Mrad，用電子束穿過SF 82001襯墊照射黏著劑。
實例7
加上以下修改重複實例6：
B部分：將一公升玻璃廣口瓶加入288.0克PSA 6574和263.3克甲苯。將廣口瓶密封並置於機械滾瓶機上一小時，以給出29.3%固體 (w：w)溶液。將此溶液加入52.5克的A部分溶液，然後將廣口瓶再次密封並置於機械滾瓶機上，此次時間持續45分鐘，以給出含有27.6%(w：w)固體之均質溶液。此溶液含有PSA 6574：7956/96.85：3.15(w：w)。獲得在兩個不同離型襯墊之間之經電子束交聯的黏著劑，其厚度係12微米。
實例8
A部分：將500毫升廣口瓶加入10.0克DC 200及90.0克甲苯。將廣口瓶密封並置於機械滾瓶機上一小時，以給出均質的10%固體(w：w)溶液。
B部分：將一公升玻璃廣口瓶加入253.8克PSA 6574和205.8克甲苯。將廣口瓶密封並置於機械滾瓶機上一小時，以給出31.0%固體(w：w)溶液。將此溶液加入50.2克的A部分溶液，然後將廣口瓶再次密封並置於機械滾瓶機上，此次時間持續45分鐘，以給出均質溶液。接下來，添加45.9克的7% BPO溶液，並且將該溶液再次混合15分鐘，其含有27.1%(w：w)固體。此溶液含有PSA 6574：DC 200：BPO/94.6：3.3：2.1(w：w：w)。使用一切口棒塗佈器，將此溶液塗佈至一13吋(33公分)寬氟聚矽氧襯墊(L5192)之離型處理側上，該切口棒塗佈器的間隙設定為比該襯墊之厚度大上0.004吋(102微米)，接著使經塗佈襯墊通過一具有三個區域的烘箱，該等區域設定在以下溫度：176℉、176℉、及302℉(80℃、80℃、及150℃)，以在4分鐘期間內去除溶劑並使黏著劑進行交聯。針對塗佈/乾燥/交聯 程序，採用9呎/分鐘(2.74公尺/分鐘)的線速度。使用軋輥將所得物品之黏著劑表面層壓至一第二氟聚矽氧襯墊(1022)之離型塗佈側。獲得一黏著劑轉移帶，其在兩個不同離型襯墊之間具有一厚度大約12微米的黏著劑層。
實例9
加上以下修改重複實例8：
A部分：將500毫升廣口瓶加入17.8克7956及90.0克甲苯。將廣口瓶密封並置於機械滾瓶機上一小時，以給出均質的10%固體(w：w)溶液。
B部分：將一公升玻璃廣口瓶加入265.7克PSA 6574和215.4克甲苯。將廣口瓶密封並置於機械滾瓶機上一小時，以給出30.9%固體(w：w)溶液。將此溶液加入52.5克的A部分溶液，然後將廣口瓶再次密封並置於機械滾瓶機上，此次時間持續45分鐘，以給出均質溶液。接下來，添加48.1克的7% BPO溶液，並且將該溶液再次混合15分鐘。提供27.1%(w：w)固體溶液。此溶液含有PSA 6574：7956：BPO/94.6：3.3：2.1(w：w：w)。獲得一黏著劑轉移帶，其在兩個不同離型襯墊之間具有一厚度大約12微米的黏著劑層。
實例10
將以下材料加入一MAX 40 SPEEDMIXER杯(FlackTek,Incorporated,Landrum,SC)，以製備塗佈溶液：4.01克的 PSA 6574和16.01g的7956。將此等材料在一DAC 150.1 FVZ-K SPEEDMIXER(FlackTek,Incorporated,Landrum,SC)中，於2700rpm下混合45秒。將此溶液加入12.01g甲苯，並在2700rpm下將溶液混合額外45秒，以給出含有35%(w：w)固體之均質溶液。此溶液含有PSA 6574：7956/20：80(w：w)。使用一切口棒塗佈器，以手工方式將此溶液塗佈至一氟聚矽氧襯墊(SF 88001)之離型處理側上，該切口棒塗佈器的間隙設定為比該襯墊之厚度大上0.002吋(51微米)，且速度為3呎/分鐘(91公分/分鐘)。經塗佈黏著劑之溶劑去除，是以下列方式進行。首先，讓經塗佈襯墊在室溫下靜置10分鐘；接著，將其附接至矩形金屬框架之頂部，使得大多數經黏著劑塗佈區域懸置於該框架上方而未與該框架接觸，並將所得總成放置於一201℉(94℃)烘箱中十分鐘。將一氟聚矽氧襯墊SF 82001之離型處理側層壓至乾燥暴露之黏著劑。獲得一黏著劑轉移帶，其在一離型襯墊上具有一厚度大約12微米的黏著劑層。以在240kV下3Mrad，用電子束穿過SF 82001襯墊照射黏著劑。
實例11
加上以下修改重複實例10。將PEEK層壓至黏著劑表面，而不是SF 82001襯墊。以在240kV下3Mrad，用電子束穿過SF 88001襯墊照射樣本。黏著劑之厚度係12微米。
比較例16
加上以下修改重複實例11。未用電子束照射樣本。
實例12
將一加侖廣口瓶加入1000.0克PSA 6574和1153.8克庚烷。將廣口瓶密封並置於機械滾瓶機上一小時，以給出26%固體(w：w)溶液。將此溶液通過一刮刀塗佈機以18.4cc/min(其間隙為110微米，達4fpm，11吋寬)泵送至13吋寬離型襯墊SF 82001之離型處理側上，接著使經塗佈襯墊通過一具有四個區域的烘箱，該等區域設定在以下溫度：176℉、302℉、302℉、及302℉(80℃、150℃、150℃、及150℃)，以在5分鐘期間內從黏著劑去除溶劑。針對塗佈/程序，採用9呎/分鐘(2.74公尺/分鐘)的線速度。使用軋輥將所得物品之黏著劑表面層壓至8微米PEEK膜。獲得一黏著劑轉移帶，其在兩個不同離型襯墊之間具有一厚度大約11微米的黏著劑層。移除SF 82001襯墊，然後在氮氣氣氛中，以24.1fpm在240kV下3Mrad，用電子束以開放面照射黏著劑。
實例13
將一加侖廣口瓶加入250.4克PSA 6574、150.3克庚烷、及93.8克甲苯。將廣口瓶密封並置於機械滾瓶機上一小時，以給出28.4%固體(w：w)溶液。將此溶液中加入61.9克新鮮製備的7%過氧化苯甲醯溶液，其製成如上所述。將廣口瓶再次密封並置於機械滾瓶機上，此次時間持續15分鐘，以給出含有26.0%(w：w)固體之均質溶 液。此溶液含有PSA 6574：BPO/97：3(w：w)。使用一切口棒塗佈器，將此溶液塗佈至一13吋(33公分)寬氟聚矽氧襯墊(SF 88001)之離型處理側上，該切口棒塗佈器的間隙設定為比該襯墊之厚度大上0.004吋(102微米)，接著使經塗佈襯墊通過一具有三個區域的烘箱，該等區域設定在以下溫度：176℉、176℉、及300℉(80℃、80℃、及149℃)，以在4分鐘期間內去除溶劑並使黏著劑進行交聯。針對塗佈/乾燥/交聯程序，採用9呎/分鐘(2.74公尺/分鐘)的線速度。使用軋輥將所得物品之經交聯黏著劑表面層壓至一第二氟聚矽氧襯墊(SF 82001)之離型塗佈側。獲得一黏著劑轉移帶，其在兩個不同離型襯墊之間具有一厚度大約13微米的經交聯黏著劑層。
實例14
將一加侖廣口瓶加入440.1克PSA 6574、324.4克甲苯、及110.4克7956。將廣口瓶密封並置於機械滾瓶機上一小時，以給出35.2%固體(w：w)溶液。將此溶液中加入112.9克新鮮製備的7%過氧化苯甲醯溶液，其製成如上所述。將廣口瓶再次密封並置於機械滾瓶機上，此次時間持續15分鐘，以給出含有32.0%(w：w)固體之均質溶液。此溶液含有PSA 6574：7956：BPO/78：19.5：2.5(w：w：w)。使用一切口棒塗佈器，將此溶液塗佈至一13吋(33公分)寬氟聚矽氧襯墊(L5192)之離型處理側上，該切口棒塗佈器的間隙設定為比該襯墊之厚度大上0.0035吋(88微米)，接著使經塗佈襯墊通過一具有三個區域的烘箱，該等區域設定在以下溫度：176℉、176℉、及300℉ (80℃、80℃、及149℃)，以在4分鐘期間內去除溶劑並使黏著劑進行交聯。針對塗佈/乾燥/交聯程序，採用9呎/分鐘(2.74公尺/分鐘)的線速度。使用軋輥將所得物品之經交聯黏著劑表面層壓至一第二氟聚矽氧襯墊(SF 82001)之離型塗佈側。獲得一黏著劑轉移帶，其在兩個不同離型襯墊之間具有一厚度大約16微米的經交聯黏著劑層。
實例15
加上以下修改重複實例1。
將一加侖廣口瓶加入1360克PSA 6574和1260.9克甲苯。將廣口瓶密封並置於機械滾瓶機上一小時，以給出29.0%固體(w：w)溶液。使用一切口棒塗佈器，將此溶液塗佈至一13吋(33公分)寬氟聚矽氧襯墊(SF 88001)之離型處理側上，該切口棒塗佈器的間隙設定為比該襯墊之厚度大上0.002吋(51微米)，接著使經塗佈襯墊通過一具有三個區域的烘箱，該等區域設定在以下溫度：180℉、180℉、及270℉(82℃、82℃、及132℃)，以在4分鐘期間去除溶劑。針對塗佈/乾燥程序，採用9呎/分鐘(2.74公尺/分鐘)的線速度。使用軋輥將所得物品之黏著劑表面層壓至一第二氟聚矽氧襯墊(SF 82001)之離型塗佈側。獲得一黏著劑轉移帶，其在兩個不同離型襯墊之間具有一厚度大約8微米的黏著劑層。以24.1fpm在240kV下2Mrad，用電子束穿過SF 82001襯墊照射黏著劑。
實例16
加上以下修改重複實例15：切口棒間隙係0.004吋(102微米)。
實例17
將一500毫升廣口瓶加入200.2克PSA 6574、4.67克Andisil SF1230、及212.8克甲苯。將廣口瓶密封並置於機械滾瓶機上整夜，以給出28.0%固體(w：w)溶液。將此溶液中加入42.8克新鮮製備的7%過氧化苯甲醯溶液，其製成如上所述。將廣口瓶再次密封並置於機械滾瓶機上，此次時間持續15分鐘，以給出含有26%(w：w)固體之均質溶液。此溶液含有PSA 6574：Andisil SF1230：BPO/93.6：3.9：2.5(w：w：w)。使用一切口棒塗佈器，將此溶液塗佈至一13吋(33公分)寬氟聚矽氧襯墊(SF 88001)之離型處理側上，該切口棒塗佈器的間隙設定為比該襯墊之厚度大上0.004吋(102微米)，接著使經塗佈襯墊通過一具有三個區域的烘箱，該等區域設定在以下溫度：180℉、180℉、及300℉(82℃、82℃、及149℃)，以在4分鐘期間內去除溶劑並使黏著劑進行交聯。針對塗佈/乾燥/交聯程序，採用9呎/分鐘(2.74公尺/分鐘)的線速度。使用軋輥將所得物品之經交聯黏著劑表面層壓至一第二氟聚矽氧襯墊(SF 82001)之離型塗佈側。獲得一黏著劑轉移帶，其在兩個不同離型襯墊之間具有一厚度大約14微米的經交聯黏著劑層。
比較例17
將以下材料加入一MAX 40 SPEEDMIXER杯(FlackTek,Incorporated,Landrum,SC)，以製備塗佈溶液：75.0克PSA 6574和8.4克甲苯。將此等材料在一DAC 150.1 FVZ-K SPEEDMIXER(FlackTek,Incorporated,Landrum,SC)中，於2700rpm下混合45秒。將此溶液加入1.06克的20%的過氧化二(2,4-二氯苯甲醯)溶液，接著在2700rpm下混合額外45秒，以給出含有50%(w：w)固體之均質溶液。此溶液含有PSA6574-聚矽氧：DCBPO/99.5：0.5(w：w)。使用一切口棒塗佈器，以手工方式將此溶液塗佈至一氟聚矽氧襯墊(SF 88001)之離型處理側上，該切口棒塗佈器的間隙設定為比該襯墊之厚度大上0.006吋(153微米)，且速度為3呎/分鐘(91公分/分鐘)。經塗佈黏著劑之溶劑去除與交聯，是以下列方式進行。首先，讓經塗佈襯墊在室溫下靜置10分鐘；接著，將其附接至矩形金屬框架之頂部，使得大多數經黏著劑塗佈區域懸置於該框架上方而未與該框架接觸，並將所得總成放置於一167℉(75℃)烘箱中十分鐘；而且最後將該總成置於一347℉(175℃)烘箱中兩分鐘。獲得一黏著劑轉移帶，其在一離型襯墊上具有一厚度大約49微米的經交聯黏著劑層。
比較例18
將以下材料加入一MAX 40 SPEEDMIXER杯(FlackTek,Incorporated,Landrum,SC)，以製備塗佈溶液：75.0克PSA 6574和8.4克甲苯。將此等材料在一DAC 150.1 FVZ-K SPEEDMIXER(FlackTek,Incorporated,Landrum,SC)中，於2700rpm下混合45秒。將此溶液加入1.06克的20%的過氧化二(2,4-二氯苯甲醯)溶液，接著在2700rpm下混合額外45秒，以給出含有50%(w：w)固體之均質溶液。此溶液含有PSA 6574-聚矽氧：DCBPO/99.5：0.5(w：w)。將新的MAX 40 SPEEDMIXER杯加入30.00克此溶液及16.88克甲苯。將此等材料在一DAC 150.1 FVZ-K SPEEDMIXER(FlackTek,Incorporated,Landrum,SC)中，於2700rpm下混合45秒，以給出32%的固體均質溶液。使用一切口棒塗佈器，以手工方式將溶液塗佈至一氟聚矽氧襯墊(SF 88001)之離型處理側上，該切口棒塗佈器的間隙設定為比該襯墊之厚度大上0.002吋(51微米)，且速度為3呎/分鐘(91公分/分鐘)。經塗佈黏著劑之溶劑去除與交聯，是以下列方式進行。首先，讓經塗佈襯墊在室溫下靜置10分鐘；接著，將其附接至矩形金屬框架之頂部，使得大多數經黏著劑塗佈區域懸置於該框架上方而未與該框架接觸，並將所得總成放置於一167℉(75℃)烘箱中十分鐘；而且最後將該總成置於一347℉(175℃)烘箱中兩分鐘。獲得一黏著劑轉移帶，其在一離型襯墊上具有一厚度大約11微米的經交聯黏著劑層。
比較例19
重複實例12，但未用電子束照射。
比較例20
重複實例1，但在氮氣氣氛中，以24.1fpm利用4Mrad在120kV下的電子束進行照射。
比較例21
重複實例3，但未用電子束照射。
比較例22
重複實例6，但未用電子束照射。
比較例23
重複實例7，但未用電子束照射。
比較例24
將500毫升玻璃廣口瓶加入200.0克PSA 6574及183.0克甲苯。將廣口瓶密封並置於機械滾瓶機上一小時，以給出29.2%固體(w：w)溶液。將此溶液中加入66.7克新鮮製備的7%過氧化苯甲醯溶液，其製成如上所述。將廣口瓶再次密封並置於機械滾瓶機上，此次時間持續15分鐘，以給出含有25.9%(w：w)固體之均質溶液。此溶液含有PSA 6574：BPO/96：4(w：w)。使用一切口棒塗佈器，將此溶液塗佈至一13吋(33公分)寬氟聚矽氧襯墊(SF 88001)之離型處理側上，該切口棒塗佈器的間隙設定為比該襯墊之厚度大上0.004吋(102微米)，接著使經塗佈襯墊通過一具有三個區域的烘箱，該 等區域設定在以下溫度：180℉、180℉、及300℉(82℃、82℃、及149℃)，以在4分鐘期間內去除溶劑並使黏著劑進行交聯。針對塗佈/乾燥/交聯程序，採用9呎/分鐘(2.74公尺/分鐘)的線速度。使用軋輥將所得物品之經交聯黏著劑表面層壓至一第二氟聚矽氧襯墊(SF 82001)之離型塗佈側。獲得一黏著劑轉移帶，其在兩個不同離型襯墊之間具有一厚度大約18微米的經交聯黏著劑層。
比較例25
使用一切口棒塗佈器，以手工方式將25.0克的PSA6574溶液塗佈至一氟聚矽氧襯墊(SF 88001)之離型處理側上，該切口棒塗佈器的間隙設定為比該襯墊之厚度大上0.006吋(156微米)，且速度為3呎/分鐘(91公分/分鐘)。經塗佈黏著劑之溶劑去除，是以下列方式進行。首先，讓經塗佈襯墊在室溫下靜置10分鐘；接著，將其附接至一矩形金屬板之頂部，並將所得總成放置於一257℉(125℃)烘箱中十分鐘。獲得一黏著劑轉移帶，其在一離型襯墊上具有一厚度大約50微米的黏著劑層。在氮氣氣氛中，以24.1fpm在135kV下2.5Mrad，用電子束以開放面照射樣本。
比較例26
加上以下修改重複比較例25。切口棒間隙係0.004吋。黏著劑係25.0微米厚。在氮氣氣氛中，以24.1fpm在135kV下2.5Mrad，用電子束以開放面照射樣本。
比較例27
使用一切口棒塗佈器，將PSA 6574塗佈至一13吋(33公分)寬氟聚矽氧襯墊(SF 88001)之離型處理側上，該切口棒塗佈器的間隙設定為比該襯墊之厚度大上0.0065吋(165微米)，接著使經塗佈襯墊通過一具有三個區域的烘箱，該等區域設定在以下溫度：176℉、176℉、及270℉(80℃、80℃、及132℃)，以在4分鐘期間內去除溶劑。針對塗佈/乾燥程序，採用9呎/分鐘(2.74公尺/分鐘)的線速度。使用軋輥將所得物品之黏著劑表面層壓至一第二氟聚矽氧襯墊(SF 82001)之離型塗佈側。獲得一黏著劑轉移帶，其在兩個不同離型襯墊之間具有一厚度大約50微米的黏著劑層。移除SF 82001襯墊，並且以24.1fpm在300kV下6Mrad，用電子束以開放面照射黏著劑。
比較例28
將以下材料加入一MAX 40 SPEEDMIXER杯(FlackTek,Incorporated,Landrum,SC)，以製備塗佈溶液：2.02克的PSA 6574和18.01g的7956。將此等材料在一DAC 150.1 FVZ-K SPEEDMIXER(FlackTek,Incorporated,Landrum,SC)中，於2700rpm下混合45秒。將此溶液加入8.75g甲苯，並在2700rpm下將溶液混合額外45秒。將此溶液加入4.11克新鮮製備的7%的過氧化苯甲醯溶液，其製成如上所述，接著在2700rpm下混合額外45秒，以給 出含有35%(w：w)固體之均質溶液。此溶液含有PSA 6574：7956：BPO/9.75：87.75：2.5(w：w：w)。使用一切口棒塗佈器，以手工方式將此溶液塗佈至一氟聚矽氧襯墊(SF 88001)之離型處理側上，該切口棒塗佈器的間隙設定為比該襯墊之厚度大上0.002吋(51微米)，且速度為3呎/分鐘(91公分/分鐘)。經塗佈黏著劑之溶劑去除與交聯，是以下列方式進行。首先，讓經塗佈襯墊在室溫下靜置10分鐘；接著，將其附接至矩形金屬框架之頂部，使得大多數經黏著劑塗佈區域懸置於該框架上方而未與該框架接觸，並將所得總成放置於一201℉(94℃)烘箱中十分鐘；而且最後將該總成置於一300℉(149℃)烘箱中三分鐘。獲得一黏著劑轉移帶，其在一離型襯墊上具有一厚度大約11微米的經交聯黏著劑層。
比較例29
將以下材料加入一MAX 40 SPEEDMIXER杯(FlackTek,Incorporated,Landrum,SC)，以製備塗佈溶液：3.50克的PSA 6574和14.03g的7956。將此等材料在一DAC 150.1 FVZ-K SPEEDMIXER(FlackTek,Incorporated,Landrum,SC)中，於2700rpm下混合45秒。將此溶液加入7.63g甲苯，並在2700rpm下將溶液混合額外45秒。將此溶液加入3.59克新鮮製備的7%的過氧化苯甲醯溶液，其製成如上所述，接著在2700rpm下混合額外45秒，以給出含有35%(w：w)固體之均質溶液。此溶液含有PSA 6574：7956：BPO/19.5：78.0：2.5(w：w：w)。使用一切口棒塗佈器，以手工方式將此溶液 塗佈至一氟聚矽氧襯墊(SF 88001)之離型處理側上，該切口棒塗佈器的間隙設定為比該襯墊之厚度大上0.0025吋(63微米)，且速度為3呎/分鐘(91公分/分鐘)。經塗佈黏著劑之溶劑去除與交聯，是以下列方式進行。首先，讓經塗佈襯墊在室溫下靜置10分鐘；接著，將其附接至矩形金屬框架之頂部，使得大多數經黏著劑塗佈區域懸置於該框架上方而未與該框架接觸，並將所得總成放置於一201℉(94℃)烘箱中十分鐘；而且最後將該總成置於一320℉(160℃)烘箱中三分鐘。獲得一黏著劑轉移帶，其在一離型襯墊上具有一厚度大約12微米的經交聯黏著劑層。
實例18
將500毫升廣口瓶加入100克88778Gum及300克甲苯。將廣口瓶密封並置於機械滾瓶機上4天以給出均質的25.0%固體(w：w)溶液。將1加侖廣口瓶加入280.0克PSA 6574和150.1克甲苯。將廣口瓶密封並置於機械滾瓶機上1天以給出澄清溶液。如上所述，將1加侖廣口瓶加入265.8克的25%固體Gum溶液。將1加侖廣口瓶再次密封並置於機械滾瓶機上，此次時間持續24小時，以給出均質溶液，該均質溶液含有31.8%(w：w)固體，以及呈70：30(w：w)比的PSA 6574：88778 Gum。將1加侖廣口瓶加入56.3克的7%過氧化苯甲醯溶液，以製造含有PSA 6574：88778 Gum：BPO/68.775：29.475：1.75(w：w：w)之塗佈配方。使用一切口棒塗佈器，將此溶液塗佈至一13吋(33公分)寬SF 88001之離型處理側上，該切口棒塗佈 器的間隙設定為比該襯墊之厚度大上0.004吋(100微米)，接著使經塗佈襯墊通過一具有三個區域的烘箱，該等區域設定在以下溫度：180℉、180℉、及300℉(82℃、82℃、及149℃)，以在4分鐘期間內去除溶劑並使黏著劑進行交聯。針對塗佈/乾燥/交聯程序，採用9呎/分鐘(2.74公尺/分鐘)的線速度。使用軋輥將所得物品之經交聯黏著劑表面層壓至一第二氟聚矽氧襯墊(SF 82001)之離型塗佈側。獲得一黏著劑轉移帶，其在兩個不同離型襯墊之間具有一厚度大約18微米的經交聯黏著劑層。在製備黏著劑轉移帶之後，立即進行在70℃下對1000克重量的剪切黏著強度測試，這是因為觀察到黏著性建立於黏著劑與SF 82001襯墊之間的程度，已使得該黏著劑隨著時間實質上轉移至該SF 82001。
實例19
將500毫升廣口瓶加入100克88778 Gum及300克甲苯。將廣口瓶密封並置於機械滾瓶機上4天以給出均質的25.0%固體(w：w)溶液。
將以下材料加入一MAX 40 SPEEDMIXER杯(FlackTek,Incorporated,Landrum,SC)，以製備塗佈溶液：25.0克PSA 6574和15.0克甲苯。將此等材料在一DAC 150.1 FVZ-K SPEEDMIXER(FlackTek,Incorporated,Landrum,SC)中，於3200rpm下混合60秒兩次(共120秒)，以提供澄清溶液。將此溶液加入23.76克的25.0% Gum於甲苯中之溶液，並在3000rpm下將溶液混合 60秒兩次(共120秒)，以給出完全混合的溶液，其含有31%(w：w)固體。此溶液含有PSA 6574：88778 Gum/70：30(w：w)。將混合杯加入2.87克的7%過氧化苯甲醯於甲苯中之溶液，並在3000rpm下將溶液混合60秒兩次(共120秒)，以製造含有PSA 6574：88778 Gum：BPO/69.30：29.70：1.00(w：w：w)的30%固體塗佈配方。
使用一切口棒塗佈器，以手工方式將此溶液塗佈至一氟聚矽氧襯墊(SF 88001)之離型處理側上，該切口棒塗佈器的間隙設定為比該襯墊之厚度大於0.008吋(51微米)，且速度為3呎/分鐘(91公分/分鐘)。經塗佈黏著劑之溶劑去除與交聯，是以下列方式進行。首先，讓經塗佈襯墊在室溫下靜置5分鐘；接著，將其附接至矩形金屬框架之頂部，使得大多數經黏著劑塗佈區域懸置於該框架上方而未與該框架接觸，並將所得總成放置於一201℉(94℃)烘箱中五分鐘；最後，藉由將其置於一300℉(149℃)烘箱中3分鐘，使框架中的黏著劑進行交聯。獲得在一離型襯墊上之一厚度大約34微米(1.35密耳)的經交聯黏著劑層。
實例20
將500毫升廣口瓶加入150.04克PSA 6574(56%固體)、37.52克7956、及211.77克甲苯。密封玻璃瓶，並在機械滾瓶機上放置24個小時。將500毫升廣口瓶加入9.13克的PDM-1922，並將混合物滾轉24小時，以製造PSA6574：7956：PDM-1922重量比為73.6/18.4/8.0的27.9%固體之均質溶液。將廣口瓶加入41.84g的7% 過氧化苯甲醯於甲苯中之溶液，並將混合物滾轉50分鐘，以製造PSA 6574：7956：PDM-1922：BPO之比為71.76：17.94：7.80：2.50(w：w：w：w)的塗佈配方。
使用一切口棒塗佈器，將此溶液塗佈至一13吋(33公分)寬SF 88001之離型處理側上，該切口棒塗佈器的間隙設定為比該襯墊之厚度大上0.003吋(75微米)，接著使經塗佈襯墊通過一具有三個區域的烘箱，該等區域設定在以下溫度：176℉、176℉、及300℉(80℃、80℃、及149℃)，以在4分鐘期間去除溶劑並使黏著劑進行交聯。針對塗佈/乾燥/交聯程序，採用9呎/分鐘(2.74公尺/分鐘)的線速度。使用軋輥將所得物品之經交聯黏著劑表面層壓至一第二氟聚矽氧襯墊(SF 82001)之離型塗佈側。獲得一黏著劑轉移帶，其在兩個不同離型襯墊之間具有一厚度大約10微米的經交聯黏著劑層。
在以下各表中，「CE」係指比較例，而「Ex」係指實例。表一代表實例及比較例之聚矽氧烷含量。百分比係以聚矽氧烷總重量計的重量百分比。
表二代表實例及比較例之交聯條件。對於利用電子束輻射進行交聯之實例或比較例，提供電子束條件。對於利用過氧化物進行交聯之實例或比較例，提供過氧化物交聯條件。對於未進行交聯之比較例，未提供電子束或過氧化物交聯條件。在利用電子束輻射進行交聯之實例或比較例的情況下，如所指出的，一些是以開放面受到幅照，而一些則是穿過一覆蓋襯墊受到幅照。過氧化物百分比係以聚矽氧烷加上過氧化物之總重量計的重量百分比。L1係於其上澆注膜之襯墊。如果有的話，L2係經層壓於澆注膜上之襯墊；或者，在一些情況下，將一PEEK膜層壓於該澆注膜上。
表三代表剪切測試結果，其測量如上所述。結果係以分鐘為單位記述。並非所有比較例皆經過測試。
表四代表動態機械分析測試之結果。並非所有比較例及實例皆經過測試。記錄並記述最小tan δ(在20℃與250℃之間)，連同其最小值發生時的溫度。G’最小係指在最小tan δ之溫度下之G’。亦記錄並記述在25℃、200℃、250℃、以及-40℃(在一些情況下)之各者下的tan δ。
表四(續)
表五記述最小tan δ(在20℃與200℃之間)與在200℃下所測得tan δ之間的差值(「自最小值至200℃的ΔT.D.」)，以及最小tan δ(在20℃與250℃之間)與在250℃下所測得tan δ之間的差值(「自最小值至250℃的ΔT.D.」)。並非所有比較例及實例皆經過測試。
本揭露中的各種修改及變更對於所屬技術領域中具有通常知識者而言將顯而易知而未背離本揭露的範圍及原理，並且應理解的是，本揭露不應被不適當地限於本文中所陳述的例示性實施例。

Claims (20)

  1. 一種膜，其具有至少4微米且小於60微米的厚度，其包含制振黏著劑，該制振黏著劑包含一種聚矽氧烷或多種聚矽氧烷之混合物，其中該制振黏著劑對於在20℃與250℃之間的所有溫度展現至少0.42的tan δ，且其中該制振黏著劑在250℃下展現比在20℃至250℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.20的tan δ。
  2. 如請求項1之膜，其中該制振黏著劑在250℃下展現比在20℃至250℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.13的tan δ。
  3. 如請求項1至2中任一項之膜，其中該制振黏著劑在200℃下展現比在20℃至200℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.08的tan δ。
  4. 一種膜，其具有至少4微米且小於60微米的厚度，其包含制振黏著劑，該制振黏著劑包含一種聚矽氧烷或多種聚矽氧烷之混合物，其中該制振黏著劑對於在20℃與200℃之間的所有溫度展現至少0.42的tan δ，且其中該制振黏著劑在200℃下展現比在20℃至200℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.08的tan δ。
  5. 如請求項1或4之膜，其中該制振黏著劑在200℃下展現比在20℃至200℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.05的tan δ。
  6. 一種膜，其具有至少4微米且小於60微米的厚度，其包含制振黏著劑，該制振黏著劑係藉由使(多種)聚矽氧烷交聯而獲得，該交聯係藉由使該(多種)聚矽氧烷暴露於在大於150kV之電壓下在1.5與5.5Mrad之間之電子束輻射，該(多種)聚矽氧烷係呈聚矽氧烷膜之形式，該聚矽氧烷膜具有大於5微米且小於20微米的厚度，其中(多種)聚矽氧烷係指一種聚矽氧烷或多種聚矽氧烷之混合物，其中該(多種)聚矽氧烷包括： 40至80合併wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的M及Q單元、及2.8至20wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的根據式-Si(Ph)2-O-之二苯基矽氧烷單元。
  7. 如請求項6之膜，其中該(多種)聚矽氧烷係暴露於在大於150kV之電壓下在2.8與4.2Mrad之間之電子束輻射。
  8. 一種膜，其具有大於5微米且小於60微米的厚度，其包含制振黏著劑，該制振黏著劑係藉由使(多種)聚矽氧烷交聯而獲得，其中該交聯之實現係藉由將過氧化物交聯劑以等於該(多種)聚矽氧烷重量的1.0%與3.5%之間的量摻合至該(多種)聚矽氧烷中、及透過活化該過氧化物交聯劑使該(多種)聚矽氧烷交聯，其中(多種)聚矽氧烷係指一種聚矽氧烷或多種聚矽氧烷之混合物，其中該(多種)聚矽氧烷包括：40至80合併wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的M及Q單元、及5至20wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的根據式-Si(Ph)2-O-之二苯基矽氧烷單元。
  9. 如請求項8之膜，其中該過氧化物交聯劑係過氧化苯甲醯。
  10. 如請求項6至9中任一項之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與200℃之間的所有溫度展現至少0.42的tan δ，且其中該制振黏著劑在200℃下展現比在20℃至200℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.08的tan δ。
  11. 如請求項6至9中任一項之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與250℃之間的所有溫度展現至少0.42的tan δ，且其中該制振黏著劑在250℃下展現比在20℃至250℃範圍內所測得之最小tan δ大上不多於0.20的tan δ。
  12. 如請求項1、4、6及8中任一項之膜，其中該(多種)聚矽氧烷包括：5至35wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的根據式-Si(Me)2-O-之二甲基矽氧烷單元。
  13. 如請求項1、4、6及8中任一項之膜，其中該(多種)聚矽氧烷包括：64至76合併wt%(以(多種)聚矽氧烷之總重量計)的M及Q單元。
  14. 如請求項1、4、6及8中任一項之膜，其中該制振黏著劑對於在20℃與250℃之間的所有溫度展現至少0.48的tan δ。
  15. 如請求項1、4、6及8中任一項之膜，其中該制振黏著劑在-40℃下展現至少0.30的tan δ。
  16. 如請求項1、4、6及8中任一項之膜，其中該制振黏著劑不包含衍生自丙烯酸酯單體之鏈段。
  17. 如請求項1、4、6及8中任一項之膜，該膜具有大於5微米且小於20微米的厚度。
  18. 一種微型揚聲器振膜材料，其包含二或更多個剛性層及至少一個制振層，其中該制振層係如請求項1至17中任一項之膜，且其中各制振層之各面係直接結合至剛性層。
  19. 一種用於製造微型揚聲器振膜材料之次總成，其包含剛性層及制振層，其中該制振層係如請求項1至17中任一項之膜，且其中該制振層之第一面係直接結合至該剛性層。
  20. 一種轉移帶，其包含如請求項1至17中任一項之膜，其中該膜之第一面承載襯墊層。
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