TW201924925A - 極紫外光表膜 - Google Patents

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查坦雅 克里莎娜 安迪
葛瑞夫 丹尼司 迪
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麥可 亞弗列德 喬瑟夫斯 庫伊肯
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Abstract

本發明揭示一種包含一金屬矽氧化物層之表膜。亦揭示一種包含一鉬層、一釕層及一氮氧化矽層之表膜，其中該鉬層安置於該釕層與該氮氧化矽層之間。亦揭示一種製造用於一微影裝置之一表膜的方法，該方法包含：提供一金屬矽氧化物層，揭示一種包含有包含一金屬矽氧化物層之一表膜的微影總成，且揭示一種包含一金屬矽氧化物層之一表膜在一微影裝置中的用途。

Description

極紫外光表膜
本發明係關於一種用於微影裝置之表膜、一種製造用於微影裝置之表膜的方法及一種包含表膜之微影裝置，以及其用途。
微影裝置為經建構以將所要之圖案施加至基板上之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)製造中。微影裝置可例如將來自圖案化器件(例如，光罩)之圖案投影至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。
由微影裝置使用以將圖案投影至基板上之輻射之波長判定可形成於彼基板上之特徵之最小大小。相比於習知微影裝置(其可(例如)使用具有193 nm之波長之電磁輻射)，使用為具有在4 nm至20 nm範圍內之波長之電磁輻射的EUV輻射之微影裝置可用以在基板上形成較小特徵。
微影裝置包括圖案化器件(例如，光罩或倍縮光罩)。輻射被提供通過圖案化器件或自圖案化器件反射以在基板上形成影像。可提供表膜以保護圖案化器件免受空浮粒子及其他形式之污染影響。圖案化器件之表面上之污染可造成基板上之製造缺陷。
亦可提供表膜以用於保護除圖案化器件之外的光學組件。表膜亦可用以在彼此密封之微影裝置之區之間提供用於微影輻射之通路。表膜亦可用作濾光器，諸如光譜純度濾光器。歸因於微影裝置，特別是EUV微影裝置內部有時惡劣的環境，需要表膜展現極佳的化學穩定性及熱穩定性。
已知表膜可包含例如獨立隔膜，諸如矽隔膜、氮化矽、石墨烯或石墨烯衍生物、碳奈米管，或其他隔膜材料。光罩總成可包括保護圖案化器件(例如，光罩)免受粒子污染之表膜。表膜可藉由表膜框架支撐，從而形成表膜總成。可例如藉由將表膜邊界區膠合至框架來將表膜附接至框架。框架可永久地或以可解除方式附接至圖案化器件。
在使用期間，微影裝置中之表膜之溫度升高至自約500℃至1000℃或更高的任何溫度。此等高溫可能損壞表膜，且因此期望改良耗散熱以便降低表膜之操作溫度且改良表膜使用壽命之方式。
已嘗試之一種方式為將薄金屬膜(塗層) (例如，釕膜)塗覆於表膜上。金屬膜增加表膜之輻射率，且藉此提高熱自表膜發出之速率，藉此致使表膜在與其吸熱相同之速率下發出熱的平衡溫度降低。
然而，眾所周知的是，在相對較低溫度下沈積於惰性基板上之金屬膜處於能量上不利的狀態，且薄金屬膜在基板上之加熱或退火導致在遠低於金屬膜之熔點的溫度下具有熱不穩定性。因而，當金屬膜被加熱時，提供了充足能量以致使孔形成於金屬膜中，該等孔經由表面擴散程序形成。孔生長且最終聚結以形成形狀不規則之島狀物。膜破裂以形成孔且最終形成島狀物或液滴之此程序被稱為抗濕潤。儘管此程序在某些情形下(諸如形成催化劑粒子以用於碳奈米管之生長)可為有益的，但在其他領域中，此係極其不理想的。舉例而言，在微電子之領域中，抗濕潤致使電互連失敗，且對於表膜，諸如EUV表膜，抗濕潤改變發射金屬層之功能性。因此，本發明之目標為延緩或防止金屬膜抗濕潤。
由於金屬層增加了表膜之熱發射率，因此當表膜變熱時，金屬膜輻射且控制表膜之溫度。當金屬膜抗濕潤以形成島狀物時，發射率極迅速地下降至可忽略的值，從而導致溫度顯著上升及隨之發生的表膜失效。
自與金屬膜之熱抗濕潤相關之文獻已知，抗濕潤程序始終開始於在金屬膜中形成孔，其限制條件為此等孔尚不存在。形成孔之邊緣的材料藉由毛細管力起作用，毛細管力往往會擴大孔，使得鄰近孔之邊緣最終聚結且形成材料束。當退火繼續進行且施加充足能量時，此等材料束分裂成島狀物。金屬膜之島狀物之平均大小與金屬膜之初始厚度成比例，島狀物之大小亦隨著退火持續時間增大，藉此較大島狀物之大小以較小島狀物為代價經由金屬物種在基板上之原子遷移二生長。此抗濕潤描述大體上適用於惰性基板上具有數百奈米下至約10 nm之厚度的金屬膜。
在EUV表膜上之Ru奈米塗層具有SiOx Ny 罩蓋層的狀況下，此Ru形態演變亦得以保持，其限制條件為Ru厚度低於臨限厚度。氮氧化矽罩蓋層充當化學蝕刻阻滯劑層。因此，在低於臨限值之情況下，Ru愈厚且退火良率愈長，Ru層分裂成之島狀物的大小愈來愈大。臨限厚度並非通用的，且其精確值取決於若干因素，其中Ru層之質量密度及SiOx Ny 頂蓋層之原子組成係關鍵的。臨限厚度在0 nm與10 nm之間。在一種狀況下，已發現Ru臨限厚度為約4.5 nm，但如所提及，此為特定針對所應用之材料製備及退火條件的值。對於高於臨限值之Ru厚度，抗濕潤程序在孔形成階段或在材料股形成階段停止，此取決於達到之表膜溫度。EUV表膜上之Ru允許孔形成或分裂發生之前的溫度顯著高於惰性基板上之抗濕潤的文獻報告。此指示金屬物種在外部表膜表面上之原子遷移大大衰減。此出人意料之實現對於本發明係重要的。
即使厚度超出特定臨限厚度之釕膜在EUV微影裝置之操作條件下穩定，金屬層之厚度亦致使表膜吸收較多入射EUV輻射，且因此表膜之EUV透射率降低。能夠通過表膜之EUV輻射的減少量意謂微影裝置之產出率隨著所需曝露時間變長而減小。當然，有可能藉由減小金屬層之厚度來提高表膜之EUV透射率，但此導致如上文所描述之金屬層之非所要抗濕潤，該抗濕潤導致過熱且最終導致表膜失效。
因此期望提供一種製造表膜之方法，該表膜能夠承受微影裝置，特別是EUV微影裝置之操作條件，且具有充足EUV透射率以允許高掃描器良率，亦即每小時曝露晶圓之數目。亦期望提供一種熱穩定且化學穩定之表膜，其展現可接受的EUV透射率。
雖然本申請案大體上在微影裝置，特別是EUV微影裝置之內容背景中提及表膜，但本發明不僅僅限於表膜及微影裝置，且應瞭解，本發明之標的物可用於任何其他適合裝置或情形中。
舉例而言，本發明之方法可同樣應用於光譜純度濾光器，其為一種類型之表膜。實務上，EUV源(諸如使用電漿產生EUV輻射之彼等EUV源)不僅發射所要之「帶內」EUV輻射，而且發射非所要的(帶外)輻射。此帶外輻射最顯著地介於深UV (DUV)輻射範圍(100 nm至400 nm)內。此外，在一些EUV源，例如雷射產生電漿EUV源之狀況下，來自雷射之輻射(通常為10.6微米)亦可形成非所要的(帶外)紅外(IR)輻射之重要源。
在微影裝置中，可出於若干原因而需要光譜純度。一個原因為抗蝕劑對輻射之帶外波長敏感，且因此施加至抗蝕劑之曝露圖案的影像品質可能在抗蝕劑曝露於此類帶外輻射之情況下惡化。此外，帶外紅外輻射，例如一些雷射產生電漿源中之10.6微米輻射，引起對微影裝置內之圖案化器件、基板及光學件之非想要及不必要的加熱。此類加熱可能引起此等元件損壞、其壽命降低及/或投影至抗蝕劑塗佈基板上及施加至抗蝕劑塗佈基板之圖案中的缺陷或失真。
光譜純度濾光器可例如由塗佈有反射金屬(諸如鉬或釕)之矽隔膜形成。在使用中，典型的光譜純度濾光器可經受來自例如入射紅外及EUV輻射之高熱負荷。熱負荷可導致光譜純度濾光器之溫度高於800℃，此導致塗層之最終分層或抗濕潤。矽隔膜之分層及降解可能因氫氣之存在而加快，氫氣通常在使用光譜純度濾光器以便抑制碎片(例如來自抗蝕劑之分子除氣，或粒子碎片或其類似者)進入或離開微影裝置之某些部分的環境中用作氣體。因此，光譜純度濾光器可用作表膜，且反之亦然。因此，本申請案中對「表膜」之參考亦指對「光譜純度濾光器」之參考。儘管在本申請案中主要參考表膜，但所有特徵可同樣應用於光譜純度濾光器。應理解，光譜純度濾光器為一種類型之表膜。
在微影裝置(及/或方法)中，需要最小化用以將圖案施加至抗蝕劑塗佈基板之輻射的強度損失。此狀況之一個原因在於：理想上儘可能多的輻射應可供用於將圖案施加至基板，例如以減少曝露時間且增大產出率。同時，需要最小化通過微影裝置且入射於基板上之非所要的輻射(例如帶外)輻射之量。此外，需要確保用於微影方法或裝置中之表膜具有適當的壽命，且不會隨著時間推移由於表膜可曝露於之高熱負荷及/或表膜可曝露於之氫氣(或其類似物，諸如包括H*及HO*的自由基物種)而快速降解。因此，需要提供改良(或替代)表膜，且例如提供適合用於微影裝置及/或方法中之表膜。
在已考慮到關於已知表膜及關於生產表膜之已知方法之前述問題的情況下製造本發明。
根據本發明之一第一態樣，提供一種用於一微影裝置之表膜，其中該表膜包含金屬矽氧化物層。該金屬矽氧化物層可充當一外部表面原子遷移衰減器。
表膜可包含矽層或基板。矽層或基板可充當提供機械預張力及穩固性之核心層。矽可用作基板，此係因為使用已知技術來製造能夠自支撐之矽晶圓係可能的。製造足夠大以用作表膜之矽晶圓亦係可能的。在EUV微影裝置中使用矽之優點在於，矽吸收的通過表膜之EUV輻射較少。即使如此，矽之發射率仍低於其他材料，因此儘管其不高度吸收EUV輻射，但矽相對緩慢地輻射熱，且因此在EUV輻射通過時變熱。
表膜可包含金屬層。金屬層可充當熱發射率增強層。金屬層具有高於矽之發射率，且因此用以藉由增大遠離表膜輻射熱之速率來冷卻矽。
金屬矽氧化物層可安置在矽基板與金屬層之間。不希望受科學理論束縛，來自經Ru塗佈之表膜之專用雷射退火實驗的觀測結果指示，界面金屬矽氧化物層之存在用以將金屬物種錨定至矽基板，且防止金屬層抗濕潤。
金屬矽氧化物界面層中的金屬可與金屬層中的金屬相同。較佳在金屬矽氧化物界面層及金屬層兩者中使用相同金屬以最大化兩個層之間的相互作用及金屬層之錨定程度。
金屬可為任何適合金屬。適合金屬為具有高發射率且具有低EUV吸收特性且不易於氧化之金屬，且若其易於氧化，則其亦易於還原回至其金屬狀態，或若其氧化但不易於還原回至其金屬狀態，則其至少具有提供發射率之氧化物。金屬可選自釕、鋯、鉿及/或其組合。較佳地，金屬為釕，此係由於其在其金屬形式以及其經氧化形式中具熱導性。儘管操作表膜之氛圍處於減壓下且主要包含氫氣，但歸因於在使用中之表膜之高溫，金屬層可與存在之任何氧反應。對於大多數金屬，氧化物之發射率比金屬形式低得多，因此金屬之氧化可能降低表膜之效能。然而，由於氧化釕具熱導性且具有良好發射率，因此其仍能夠將熱輻射掉，且表膜之效能得以維持。
金屬層之厚度可小於或等於大約6 nm，較佳小於或等於大約5 nm，更佳小於或等於大約4.5 nm，且甚至更佳小於或等於大約3.5 nm。已測試出，具有大於大約4.5 nm之厚度的金屬層對抗濕潤具抗性，但提供較低EUV透射率。儘管較低透射率可能為可接受的以便允許金屬層之厚度增大從而延長表膜的使用壽命，但期望具有較薄金屬層同時維持對抗濕潤之抗性。歸因於金屬矽氧化物界面層使金屬層穩定，已出人意料地發現，相比於先前之狀況，亦即，亦對於厚度小於4.5 nm之膜，可使用較薄金屬層而無抗濕潤。
金屬層可在矽基板之單側上。已發現，在矽基板的一側上提供金屬層足以增大表膜之發射率同時維持可接受的EUV透射率。
矽基板可包含氮氧化矽罩蓋層。氮氧化矽罩蓋層能夠與金屬層反應以便形成金屬矽氧化物層。因而，氮氧化矽層可完全反應以形成金屬矽氧化物層，或可僅部分反應。
在一實施例中，表膜可包含鉬。鉬較佳安置於金屬釕層與矽基板之間。較佳地，鉬安置於金屬釕層與氮氧化矽層之界面處。氮氧化矽層較佳安置於矽基板之表面上。鉬可以層形式提供。鉬可提供於表膜之一個或兩個面上。詳言之，矽基板可形成中心核心，其具有兩個面，且每一面可具備氮氧化矽層。鉬層可提供於氮氧化矽層上。鉬可提供於一個或兩個氮氧化矽層上。在鉬提供於氮氧化矽層中之僅一者上之情況下，表膜在使用中經定向以使得包含鉬之面面向倍縮光罩。應瞭解，亦涵蓋反向定向。
已意外地發現，鉬之存在不僅改良了表膜之反射率，且亦充當釕與氮氧化矽層之界面處的障壁且防止表膜在操作溫度下氧化及互混。包含在釕與氮氧化矽層之間的界面處之鉬的表膜不展示抗濕潤，即使在曝露於超過500℃之溫度後亦如此。另外，鉬可至少部分地氧化，此避免了釕與矽反應以形成矽化釕(Ru2 Si3 )。在類似於掃描器條件之條件下測試期間，已發現根據本發明之表膜在用於對多於10,000個晶圓成像之後具有小於1%之透射率損失。
因而，在一個實施例中，提供一種用於微影裝置之表膜，其中表膜包含氮氧化矽層、鉬層及釕層。釕及/或鉬層可為金屬的。
鉬層位於氮氧化矽層與釕層之間。氮氧化矽層可部分或完全反應以提供釕矽氧化物層。因此，氮氧化矽層可至少部分地轉化成釕矽氧化物層，且替代氮氧化矽層或除了氮氧化矽層之外，表膜可包含釕矽氧化物層。氮氧化矽層可提供於矽基板上，矽基板可為多晶矽基板。總之，本發明之表膜可包含位於矽基板與金屬釕層之間的釕矽氧化物界面層。釕矽氧化物界面層用以防止金屬釕層之抗濕潤，藉此允許塗覆較薄釕層。此產生相比於已知表膜更穩定的表膜，其具有經改良EUV透射率。另外，包含鉬層之表膜在曝露於表膜使用期間經受之條件時進一步阻止抗濕潤。
根據本發明之一第二態樣，提供一種製造用於一微影裝置之一表膜的方法，該方法包含提供一金屬矽氧化物層。
已意外地發現，金屬矽氧化物層可防止上覆金屬層之抗濕潤。此防止金屬層及表膜過早失效，且亦允許使用較薄金屬層，因此允許較大比例之入射EUV輻射通過表膜。
金屬矽氧化物層可藉由任何適合途徑來提供。舉例而言，在表膜包含矽基板及金屬層之情況下，可藉由將表膜加熱至低於抗濕潤在第一時間段內發生之溫度的溫度來提供金屬矽氧化物。矽基板較佳包含氮氧化矽罩蓋層。
若表膜經加熱至高於抗濕潤發生之溫度的溫度，則金屬層將在其與矽基板及/或氮氧化矽罩蓋層反應之前抗濕潤。因而，藉由將表膜加熱至低於抗濕潤發生之溫度的溫度，此將允許金屬矽氧化物層形成。在金屬矽氧化物層已形成後，有可能將表膜加熱達到高於先前在金屬矽氧化物層使金屬層穩定時已產生之抗濕潤之溫度的溫度。在使用中，表膜極迅速地變熱，且因此在接通EUV輻射之後的極短時間內超過抗濕潤溫度。
抗濕潤發生之溫度將取決於金屬層之厚度以及金屬層附接至其上之基板的性質。熟習此項技術者將能夠藉由加熱表膜直至觀測到抗濕潤來判定金屬層及基板之任何給定組合的抗濕潤溫度。
表膜較佳在足以允許金屬矽氧化物層形成之時間內加熱至低於抗濕潤溫度。當金屬矽氧化物層花費時間形成時，表膜需要在足以允許金屬矽氧化物層形成之時間段內保持處於所需溫度。
加熱可藉由任何適合之構件來實現。加熱可藉由將表膜置放至加熱室中來實現，但較佳藉由將表膜曝露於雷射輻射來實現。較佳地，所使用之功率為大約125 Weq 或更低。在此，125 Weq 定義為等效於入射於在125 W下在中間焦點處操作之微影裝置中之表膜上之功率的功率，如下文所論述。
在反應以形成金屬矽氧化物之後，可將額外金屬塗覆於表膜以便考慮或代替已反應以形成金屬矽氧化物層之任何金屬。以此方式，可達成金屬層之所需厚度。
在替代實施例中，金屬矽氧化物層係藉由濺鍍而形成。金屬目標可使用已知技術來濺鍍以沈積於矽基板上。在濺鍍中使用之電漿之組成可經改質以改變膜之特性。舉例而言，電漿可包含氧，氧與金屬及矽反應以形成金屬矽氧化物層。
在金屬矽氧化物層已形成後，金屬層可形成於金屬矽氧化物層上。金屬層可包含釕。包含鉬之金屬層可提供於氮氧化矽層與釕層之間。
根據本發明之一第三態樣，提供一種用於一微影裝置之總成，其包含根據本發明之第一或第二態樣之一表膜、用於支撐該表膜之一框架及附接至該框架之一圖案化器件。
根據本發明之一第四態樣，提供一種根據本發明之第一或第二態樣之一表膜在一微影裝置中之用途。
關於該等態樣中之任一者所描述之特徵可與關於本發明之其他態樣中之任一者所描述之特徵組合。舉例而言，根據本發明之第一態樣之表膜的特徵可與根據本發明之第二態樣之任何特徵組合，且反之亦然。
現在將參考EUV微影裝置描述本發明。然而，應瞭解，本發明不限於表膜且同樣適用於光譜純度濾光器。
圖1展示根據本發明之一個實施例之微影系統，其包括根據本發明之第一態樣或根據本發明之第二態樣之方法製造的表膜15。微影系統包含輻射源SO及微影裝置LA。輻射源SO經組態以產生極紫外線(EUV)輻射光束B。微影裝置LA包含照明系統IL、經組態以支撐圖案化器件MA (例如，光罩)之支撐結構MT、投影系統PS及經組態以支撐基板W之基板台WT。照明系統IL經組態以在輻射光束B入射於圖案化器件MA上之前調節該輻射光束B。投影系統經組態以將輻射光束B (現在由光罩MA圖案化)投影至基板W上。基板W可包括先前形成之圖案。在此種狀況下，微影裝置將經圖案化輻射光束B與先前形成於基板W上之圖案對準。在此實施例中，表膜15描繪於輻射之路徑中且保護圖案化器件MA。應瞭解，表膜15可位於任何所需位置中且可用以保護微影裝置中之鏡面中的任一者。
輻射源SO、照明系統IL及投影系統PS可皆經建構及配置使得其可與外部環境隔離。處於低於大氣壓力之壓力下的氣體(例如氫氣)可提供於輻射源SO中。真空可提供於照明系統IL及/或投影系統PS中。在充分地低於大氣壓力之壓力下的少量氣體(例如，氫氣)可提供於照明系統IL及/或投影系統PS中。
圖1所展示之輻射源SO係屬於可被稱作雷射產生電漿(LPP)源之類型。可例如為CO2 雷射之雷射1經配置以經由雷射光束2將能量沈積至諸如錫(Sn)之燃料中，該燃料自燃料發射極3提供。儘管在以下描述中提及錫，但可使用任何適合燃料。燃料可(例如)呈液體形式，且可(例如)為金屬或合金。燃料發射極3可包含噴嘴，該噴嘴經組態以沿著朝向電漿形成區4之軌跡引導例如呈液滴之形式的錫。雷射光束2在電漿形成區4處入射於錫上。雷射能量至錫中之沈積在電漿形成區4處產生電漿7。在電漿之離子之去激發及再結合期間自電漿7發射包括EUV輻射之輻射。
EUV輻射係由近正入射輻射收集器5 (有時更通常被稱作正入射輻射收集器)收集及聚焦。收集器5可具有經配置以反射EUV輻射(例如，具有諸如13.5 nm之所要波長之EVU輻射)之多層結構。收集器5可具有橢圓形組態，其具有兩個橢圓焦點。第一焦點可處於電漿形成區4處，且第二焦點可處於中間焦點6處，如下文所論述。
雷射1可與輻射源SO分離。在此種狀況下，雷射光束2可憑藉包含例如適合導向鏡及/或光束擴展器及/或其他光學件之光束遞送系統(未展示)而自雷射1傳遞至輻射源SO。雷射1及輻射源SO可一起被認為是輻射系統。
由收集器5反射之輻射形成輻射光束B。輻射光束B聚焦於點6處以形成電漿形成區4之影像，該影像充當用於照明系統IL之虛擬輻射源。輻射光束B聚焦之點6可被稱作中間焦點。輻射源SO經配置使得中間焦點6位於輻射源之圍封結構9中之開口8處或附近。
輻射光束B自輻射源SO傳送至照明系統IL中，該照明系統IL經組態以調節輻射光束。照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11。琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11共同提供具有所要橫截面形狀及所要角分佈之輻射光束B。輻射光束B自照明系統IL傳遞且入射於由支撐結構MT固持之圖案化器件MA上。圖案化器件MA反射且圖案化輻射光束B。除了琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11以外或代替琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11，照明系統IL亦可包括其他鏡面或器件。
在自圖案化器件MA反射之後，經圖案化輻射光束B進入投影系統PS。投影系統包含複數個鏡面13、14，該複數個鏡面13、14經組態以將輻射光束B投影至由基板台WT固持之基板W上。投影系統PS可將縮減因數應用於輻射光束，從而形成特徵小於圖案化器件MA上之對應特徵的影像。舉例而言，可應用為4之減小因數。儘管在圖1中投影系統PS具有兩個鏡面13、14，但投影系統可包括任何數目個鏡面(例如，六個鏡面)。
圖1中所展示之輻射源SO可包括未說明之組件。舉例而言，光譜濾光器可提供於輻射源中。光譜濾光器可實質上透射EUV輻射，但實質上阻擋其他波長之輻射，諸如紅外線(IR)輻射。實際上，光譜濾光器可為根據本發明之任何態樣的表膜。
術語「EUV輻射」可被認為涵蓋具有在4 nm至20 nm之範圍內(例如，在13 nm至14 nm之範圍內)之波長之電磁輻射。EUV輻射可具有小於10 nm之波長，例如，在4 nm至10 nm之範圍內，諸如，6.7 nm或6.8 nm。
根據本發明之一態樣之例示性表膜包含矽基板、釕矽氧化物界面層及金屬釕層。在另一例示性表膜中，鉬層可提供於矽基板上之氮氧化矽層與金屬釕層之間。矽基板為表膜提供支撐及強度，而金屬釕層用以增大表膜之發射率，藉此延長表膜之使用壽命且允許其在高於已知表膜之功率下操作。釕矽氧化物層用以錨定金屬釕且停止或至少減少釕金屬抗濕潤之傾向。鉬層亦改良表膜之發射率，且亦充當障壁以進一步抑制釕在高溫下之抗濕潤，藉此增加表膜之壽命。此亦允許在較高功率下使用表膜而不會使效能降級。
儘管可在本文中特定地參考在微影裝置之內容背景中之本發明之實施例，但本發明之實施例可用於其他裝置中。本發明之實施例可形成光罩檢測裝置、度量衡裝置或量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或光罩(或其他圖案化器件)之物件之任何裝置之部分。此等裝置可一般被稱作微影工具。此微影工具可使用真空條件或周圍(非真空)條件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍及條項之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
1. 一種製造用於一微影裝置之一表膜的方法，該方法包含提供一金屬矽氧化物層。
2. 如條項1之方法，其中該表膜包含一矽基板及一金屬層，且其中該金屬矽氧化物層係藉由將表膜加熱至低於抗濕潤在一第一時間段內發生之溫度的一溫度而形成。
3. 如條項2之方法，其中該第一時間段對於該金屬矽氧化物層形成係足夠的。
4. 如條項2或條項3之方法，其中該加熱係使用雷射輻射來實現，較佳其中功率為大約125 Weq 或更低。
5. 如條項1之方法，其中該金屬矽氧化物層係藉由濺鍍而形成。
6. 如條項2至5中任一項之方法，其中在該金屬矽氧化物層已形成之後，該金屬層形成於該金屬矽氧化物層上。
7. 如條項2至6中任一項之方法，其中該金屬層包含釕。
8. 如條項2至7中任一項之方法，其中該方法進一步包含在該矽基板與該釕層之間提供一鉬層。
1‧‧‧雷射
2‧‧‧雷射光束
3‧‧‧燃料發射極
4‧‧‧電漿形成區
5‧‧‧收集器
6‧‧‧中間焦點
7‧‧‧電漿
8‧‧‧開口
9‧‧‧圍封結構
10‧‧‧琢面化場鏡面器件
11‧‧‧琢面化光瞳鏡面器件
13‧‧‧鏡面
14‧‧‧鏡面
15‧‧‧表膜
B‧‧‧輻射光束
IL‧‧‧照明系統
LA‧‧‧微影裝置
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧支撐結構
PS‧‧‧投影系統
SO‧‧‧輻射源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
現將參考隨附示意性圖式僅藉助於實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中：
- 圖1描繪根據本發明之一實施例的包含微影裝置及輻射源之微影系統。

Claims (21)

  1. 一種用於一微影裝置之表膜，其中該表膜包含一金屬矽氧化物層。
  2. 如請求項1之表膜，其中該表膜包含一矽基板。
  3. 如請求項1或2之表膜，其中該表膜包含一金屬層。
  4. 如請求項3之表膜，其中該金屬矽氧化物層安置於該矽基板與該金屬層之間。
  5. 如請求項4之表膜，其中該金屬層中之金屬與該金屬矽氧化物中之金屬相同。
  6. 如請求項5之表膜，其中該金屬係選自釕、鋯及/或鉿。
  7. 如請求項6之表膜，其中該金屬為釕。
  8. 如請求項3之表膜，其中該金屬層之厚度小於或等於大約6 nm，較佳小於或等於大約5 nm，更佳小於或等於大約4.5 nm，且甚至更佳小於或等於大約3.5 nm。
  9. 如請求項3之表膜，其中該金屬層在該矽基板之一單側上。
  10. 如請求項1或2之表膜，其中該表膜包含一氮氧化矽罩蓋層。
  11. 如請求項10之表膜，其中該氮氧化矽罩蓋層安置於一或該矽基板上。
  12. 如請求項1或2之表膜，其中該表膜進一步包含一鉬層。
  13. 如請求項1或2之表膜，其中該表膜進一步包含一氮氧化矽層。
  14. 如請求項12之表膜，其中該表膜進一步包含一氮氧化矽層，且該鉬層安置於該氮氧化矽層與該釕層之間。
  15. 一種用於一微影裝置之表膜，其包含安置於一釕層與一氮氧化矽層之間的一鉬層。
  16. 如請求項15之表膜，其中該鉬層及該釕層中之一者或兩者為金屬的。
  17. 如請求項16之表膜，其中該氮氧化矽層安置於一矽基板上，較佳安置於一多晶矽基板上。
  18. 一種製造用於一微影裝置之一表膜的方法，該方法包含提供一金屬矽氧化物層。
  19. 一種製造用於一微影裝置之一表膜的方法，該方法包含提供安置於一釕層與一氮氧化矽層之間的一鉬層。
  20. 一種用於一微影裝置之總成，其包含如請求項1至17中任一項之表膜、用於支撐該表膜之一框架及附接至該框架之一圖案化器件。
  21. 一種如請求項1至17中任一項之表膜在一微影裝置中的用途。
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