TW201920359A - 感光性樹脂組成物、乾膜、硬化物、半導體元件、印刷配線板以及電子零件 - Google Patents

Abstract

本發明之課題為提供一種低溫硬化性、感度、顯像對比、無電解銅鍍敷液耐性優異之感光性樹脂組成物、具有由該組成物所得之樹脂層之乾膜、該組成物或該乾膜之樹脂層之硬化物以及具有該硬化物之半導體元件、印刷配線板以及電子零件。 　　作為解決手段，本案發明提供一種感光性樹脂組成物，其係含有聚醯胺酸酯與光鹼基產生劑之感光性樹脂組成物，且其特徵為作為前述聚醯胺酸酯，係包含具有下述一般式(A)表示之重複構造之完全酯之聚醯胺酸酯，作為前述光鹼基產生劑，係包含下述一般式(B)表示之化合物、肟酯化合物等中至少任1種。

Description

感光性樹脂組成物、乾膜、硬化物、半導體元件、印刷配線板以及電子零件

本發明為關於一種感光性樹脂組成物、乾膜、硬化物、半導體元件、印刷配線板以及電子零件。

聚亞醯胺被廣泛地應用在基於高絕緣性、耐熱性、高機械強度等之優異特性的各種領域。例如，不僅是最初所應用之航空宇宙領域，也漸漸地適用於半導體元件之塗布膜或可撓式印刷配線板、耐熱絕緣性層間材。

聚亞醯胺之熱可塑性以及對有機溶劑之溶解性較差，且具有加工較困難之點。因此，聚亞醯胺廣泛地被使用在摻混聚醯胺酸或聚醯胺酸酯等之聚亞醯胺前驅物與光反應性化合物所得之感光性樹脂組成物中，藉由照射活性光線後而顯像，形成所期望之圖型膜後，施予高溫使其閉環並進行亞醯胺化之手法中(例如專利文獻1、2)。

例如專利文獻1中有記載一種包含聚醯胺酸酯與感光性鹼基產生劑之負階調組成物。且，專利文獻2中有記載一種特定構造之鹼基產生劑以及包含特定構造之鹼基產生劑與高分子前驅物之感光性樹脂組成物。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1] 特開平5-197148號公報 　　[專利文獻2] 專利第5598031號公報

[本發明欲解決之課題]

然而，專利文獻1中記載之負階調組成物，其課題為提供一種用於製造集積回路之感光性聚亞醯胺，雖然有記載聚醯胺酸酯與苄基氨基甲酸酯等各種感光性鹼基產生劑之組合，但根據聚醯胺酸酯與鹼基產生劑之組合的種類，感度或溶解對比會降低。例如專利文獻1之實施例中記載之組成物，雖然在低溫也能夠亞醯胺化，但為了形成良好之圖型，必須要照射多量之活性光線，感度並不充分。

專利文獻2中記載之感光性樹脂組成物之課題為感度優異且無論高分子前驅物之種類，溶解對比皆優異等，但實際上，根據高分子前驅物與鹼基產生劑之組合的種類，感度或溶解對比會降低。例如，專利文獻2之實施例所記載之組成物中，由於作為高分子前驅物使用聚醯胺酸，由於未曝光部也會進行亞醯胺化且對顯像液之溶解性會過高，因此顯像對比會變小。且，無電解銅鍍敷液耐性也較不充分。

近年來，用於電子零件或半導體裝置等之材料多樣化，且有無法耐於用於達到充分的亞醯胺化之高溫(例如350℃)過程之電子零件等。且，回路配線等更高精細化，也有起因於高溫過程之回路配線等之收率降低之虞。

且，為了製造之效率化，將用於半導體製造之矽晶圓等基材的直徑變大的傾向較顯著。作為半導體元件中之表面保護膜，使用聚亞醯胺膜時，由於自加熱硬化時之溫度回到室溫時之基材與聚亞醯胺膜之熱收縮率差，在界面會產生應力。且，此應力會使基材往彎曲之方向。此基材之彎曲量會隨基材之直徑變大而變大。彎曲量變得過大，則製造過程上會產生不良情形，在聚亞醯胺膜會有產生破裂之虞。因此，盡可能地將用來得到聚亞醯胺膜之加熱溫度設定地較低較佳。

於此，本發明之目的為提供一種低溫硬化性、感度、顯像對比、無電解銅鍍敷液耐性優異之感光性樹脂組成物、具有由該組成物所得之樹脂層之乾膜、該組成物或該乾膜之樹脂層之硬化物以及具有該硬化物之半導體元件、印刷配線板以及電子零件。 [解決課題之手段]

本發明者有件於上述進行縝密探討之結果發現藉由組合完全酯之聚醯胺酸酯與具有特定構造之光鹼基產生劑，能夠解決上述課題，進而完成本發明。

亦即，本發明之感光性樹脂組成物係含有聚醯胺酸酯與光鹼基產生劑之感光性樹脂組成物， 　　且其特徵為作為前述聚醯胺酸酯，包含具有下述一般式(A)表示之重複構造之完全酯之聚醯胺酸酯，(一般式(A)中，X_A 為四價之有機基，Y_A 為二價之有機基，R_A1 以及R_A2 分別獨立為一價之有機基，且亦可相同或相異，n為1以上之整數)。 　　作為前述光鹼基產生劑，係包含下述一般式(B)或(C)表示之化合物、下述一般式(D)~(H)之任一者表示之4級銨鹽、藉由活性光線之照射使分子中產生包含分別1個以上氮原子與氧原子之3級胺之4級銨鹽、肟酯化合物以及含有下述一般式(I)表示之胺甲醯基氧基亞胺基之化合物之至少任1種，(一般式(B)中，R_B1 及R_B2 分別獨立為氫原子或有機基，亦可相同或相異，R_B1 及R_B2 此等亦可鍵結並形成環狀構造，亦可包含雜原子之鍵結，但，R_B1 及R_B2 中至少1個為有機基，R_B3 及R_B4 分別獨立為氫原子、鹵原子、羥基、巰基、硫醚基、矽烷基、矽醇基、硝基、亞硝基、亞磺酸基、磺酸基、磺酸根基、膦基、磷烷基、膦醯基、磷酸基、或有機基，亦可相同或相異，R_B5 、R_B6 、R_B7 及R_B8 分別獨立為氫原子、鹵原子、羥基、巰基、硫醚基、矽烷基、矽醇基、硝基、亞硝基、亞磺酸基、磺酸基、磺酸根基、膦基、磷烷基、膦醯基、磷酸基、胺基、銨基或有機基，亦可相同或相異，R_B5 、R_B6 、R_B7 及R_B8 此等2個以上亦可鍵結並形成環狀構造，亦可包含雜原子之鍵結，R_B9 為氫原子或有機基)(一般式(C)中，Z_C 為氫原子或硝基，R_C1 、R_C2 、R_C3 及R_C4 分別獨立為碳數1~8之烷基，R_C5 為氫原子或碳數1~8之烷基，R_C1 及R_C2 以及R_C3 及R_C4 亦可分別互相形成環構造)(一般式(D)中，R_D1 為碳數1~18之烷基、碳數2~18之烯基、碳數2~18之炔基、碳數6~14之芳基、硝基、羥基、氰基、-OR_D2 表示之烷氧基、-NR_D3 R_D4 表示之胺基、R_D5 CO-表示之醯基、R_D6 COO-表示之醯氧基、-SR_D7 表示之烷基硫基或芳基硫基、或鹵原子，R_D2 、R_D5 、R_D6 及R_D7 為碳數1~8之烷基或碳數6~12之芳基，R_D3 及R_D4 為氫原子、碳數1~8之烷基或碳數6~12之芳基，n為0~7之整數，Y_D ⁺ 為下述式(D1)~(D4)中任一者表示之第4級銨基，Q_D 為氮原子或次甲基(-CH-)，t及u為2或3，w為0~2之整數，A_D 為氫原子、羥基或鹵原子，R_D8 ~R_D10 為碳數1~18之烷基、碳數2~18之烯基或碳數6~14之芳基，R_D1 與 CH₂ -Y_D ⁺ X_D ^- 亦可鍵結於相同苯環上或鍵結於相異之苯環，X_D ^- 為選自硼酸鹽陰離子、酚鹽陰離子及羧酸鹽陰離子中之相對陰離子)。(一般式(E)中，R_E1 為碳數1~18之烷基、碳數2~18之烯基、碳數2~18之炔基、碳數6~14之芳基、硝基、羥基、氰基、-OR_E2 表示之烷氧基、-NR_E3 R_E4 表示之胺基、R_E5 CO-表示之醯基、R_E6 COO-表示之醯氧基、-SR_E7 表示之烷基硫基或芳基硫基、或鹵原子，R_E2 、R_E5 、R_E6 及R_E7 為碳數1~8之烷基或碳數6~12之芳基，R_E3 及R_E4 為氫原子、碳數1~8之烷基或碳數6~12之芳基，m為0~9之整數，Y_E ⁺ 為下述式(E1)~(E4)中任一者表示之第4級銨基，Q_E 為氮原子或次甲基(-CH-)，t及u為2或3，w為0~2之整數，A_E 為氫原子、羥基或鹵原子，R_E8 ~R_E10 為碳數1~18之烷基、碳數2~18之烯基或碳數6~14之芳基，R_E1 與 CH₂ -Y_E ⁺ X_E ^- 亦可鍵結於相同苯環上或鍵結於相異之苯環，X_E ^- 為選自硼酸鹽陰離子、酚鹽陰離子及羧酸鹽陰離子中之相對陰離子)。(一般式(F)中，R_F1 、R_F2 、R_F4 及R_F5 分別獨立為氫原子或碳數1~6之烷基，R_F3 及Ar_F 分別獨立為碳數6~14之芳基，此等芳基亦可具有取代基，其取代基為碳數1~18之烷基、碳數2~18之烯基、碳數2~18之炔基、碳數6~14之芳基、硝基、羥基、氰基、-OR_F6 表示之烷氧基、-NR_F7 R_F8 表示之胺基、R_F9 CO-表示之醯基、R_F10 COO-表示之醯氧基、 -SR_F11 表示之烷基硫基或芳基硫基、或鹵原子，此等之取代基能夠與芳基成為環構造，R_F6 、R_F9 、R_F10 及R_F11 分別獨立為碳數1~8之烷基或碳數6~12之芳基，R_F7 及R_F8 分別獨立為氫原子、碳數1~8之烷基或碳數6~12之芳基，Y_F ⁺ 為下述式(F1)或(F2)中任一者表示之第4級銨基，(一般式(G)中，R_G1 ~R_G5 分別獨立為氫原子、碳數1~18之烷基、碳數2~18之烯基、碳數2~18之炔基、碳數6~14之芳基、硝基、羥基、氰基、-OR_G6 表示之烷氧基、-NR_G7 R_G8 表示之胺基、R_G9 CO-表示之醯基、R_G10 COO-表示之醯氧基、-SR_G11 表示之烷基硫基或芳基硫基。烷基、烯基、炔基及芳基亦可具有取代基，其取代基與前述R_G1 ~R_G5 相同，此等之取代基能夠成為環構造， R_G6 、R_G9 、R_G10 及R_G11 分別獨立為碳數1~8之烷基或碳數6~12之芳基，R_G7 及R_G8 分別獨立為氫原子、碳數1~8之烷基或碳數6~12之芳基，Ar_G 基為碳數6~14之芳基，此等芳基亦可具有取代基，其取代基與前述R_G1 ~R_G5 相同，此等之取代基能夠與芳基成為環構造， Y_G ⁺ 為下述式(G1)~(G4)之任一者表示之第4級銨基，Q_G 為氮原子或次甲基(-CH-)，t及u為2或3，w為0~2之整數，A_G 為氫原子、羥基或鹵原子，R_G12 ~R_G14 為碳數1~18之烷基、碳數2~18之烯基或碳數6~14之芳基)(一般式(H)中，Ar_H1 為碳數6~12之芳基，且芳香環中氫原子之至少一個經包含氧原子、硫原子、氮原子之取代基所取代之基；Ar_H2 為碳數6~14之芳基，且芳基中氫原子之一部分亦可經碳數1~18之烷基、碳數2~18之烯基、碳數2~18之炔基、碳數6~14之芳基、硝基、羥基、氰基、-OR_H11 表示之烷氧基、-NR_H12 R_H13 表示之胺基、R_H14 CO-表示之醯基、R_H15 COO-表示之醯氧基、-SR_H16 表示之烷基硫基或芳基硫基或鹵原子所取代；R_H1 及R_H2 分別獨立為氫原子、碳數1~18之烷基或碳數6~14之芳基，Ar_H1 、R_H1 、R_H2 亦可互相鍵結並形成環構造；R_H3 為碳數1~18烷基；n為1~4之整數，但n為4時，Ar_H1 為碳數6~12之芳基；R_H11 、R_H14 、R_H15 及R_H16 分別獨立為碳數1~8之烷基或碳數6~14之芳基；R_H12 及R_H13 分別獨立為氫原子、碳數1~8之烷基或碳數6~14之芳基；Y_H ⁺ 為下述一般式(H1)或(H2)之任一者表示之第4級銨基；式(H1)中，R_H4 ~R_H5 分別獨立為碳數1~18之烷基、碳數2~18之烯基或碳數6~14之芳基，且亦可互相鍵結形成環構造；Q_H 為伸甲基(-CH₂ -)m或上述一般式(H3)表示之基；m為2或3之整數；式(H2)中，R_H6 ~R_H8 分別獨立為碳數1~18之烷基、碳數2~18之烯基或碳數6~14之芳基，且亦可互相鍵結並形成環構造；式(H3)中，R_H9 ~R_H10 分別獨立為氫原子、碳數1~18之烷基、碳數6~14之芳基，且亦可互相鍵結並形成環構造)。(一般式(I)中，Y_I 選自-(CH₂ )m-基、脂環式基、伸芳基、 -(CH₂ )m-基與脂環式基鍵結者、-(CH₂ )m-基與伸芳基鍵結者，m為2~7之整數，R_I1 為芳香族基或取代烷基)。

本發明之感光性樹脂組成物，作為前述光鹼基產生劑，包含一般式(B)表示之化合物較佳。

本發明之感光性樹脂組成物，作為前述光鹼基產生劑，包含下述式表示之化合物較佳。

本發明之乾膜，其特徵為具有樹脂層，該樹脂層係將前述感光性樹脂組成物塗布於薄膜並乾燥所得。

本發明之硬化物，其特徵為將前述感光性樹脂組成物或前述乾膜之樹脂層硬化所得。

本發明之半導體元件，其特徵為具有前述硬化物。

本發明之印刷配線板，其特徵為具有前述硬化物。

本發明之電子零件，其特徵為具有前述硬化物。 [發明效果]

藉由本發明，能夠提供一種低溫硬化性、感度、顯像對比、無電解銅鍍敷液耐性優異之感光性樹脂組成物、具有該組成物所得之樹脂層脂乾膜、該組成物或該乾膜之樹脂層之硬化物以及具有該硬化物之半導體元件、印刷配線板以及電子零件。

[實施發明之形態]

以下，針對本發明感光性樹脂組成物中所含有之成分進行詳述。

[聚醯胺酸酯] 　　本發明之感光性樹脂組成物包含具有下述一般式(A)表示之重複構造之完全酯之聚醯胺酸酯。本發明中，「完全酯」意指聚醯胺酸酯實質的上不包含醯胺酸部分之意。亦即，完全酯之聚醯胺酸酯為聚醯胺酸酯之重複構造中醯胺酸酯部分超過95%(較佳為98%以上，且最較佳為100%)之酯，與例如專利第4687938號公報所記載之包含醯胺酸部分以及醯胺酸酯部分兩者之聚醯胺酸衍生物(所謂部分酯化聚醯胺酸酯)相異。醯胺酸酯部分若為95%以下，則聚醯胺酸之羧基會與光鹼基產生劑所產生之鹼基反應，較難得到低溫硬化性與優異之顯像對比。(一般式(A)中，X_A 為四價之有機基，Y_A 為二價之有機基，R_A1 及R_A2 分別獨立為一價之有機基，且亦可相同或相異，n為1以上之整數)。於此，有機基意指包含碳原子之基。

前述聚醯胺酸酯之較佳數平均分子量為1000~100萬，再較佳為3000~50萬，更再較佳為5000~10萬。

該本發明所屬技術領域中，對一般式(A)中之R_A1 及/或R_A2 ，有例如使用自由基聚合起始劑使具有包含碳碳雙鍵之丙烯醯基之聚亞醯胺前驅物聚合之技術思想，但本發明與其技術思想相異。以與如此相異之技術思想之發明的觀點來看，一般式(A)中，R_A1 及R_A2 為不包含自由基聚合性之不飽和鍵結之有機基，尤其是不包含碳碳雙鍵之有機基較佳。作為包含自由基聚合性之不飽和鍵結之有機基，有舉出烯基、炔基、(甲基)丙烯醯基等具有乙烯構造之基。

一般式(A)中，作為R_A1 及R_A2 能夠取得之有機基，能舉例如烷基、芳基等之具有烴基、雜原子之基等。作為具有烴基及雜原子之基，分別亦可為具有環烷基等之脂環式骨架之基，亦可不具有脂環式骨架。作為具有雜原子之基，亦可為具有醚構造或酯構造之基。且，以降低膜減的觀點來看，R_A1 及R_A2 能夠取得之有機基之碳原子數為10以下較佳，為1~4再較佳。

一般式(A)中，R_A1 及R_A2 ，以聚醯胺酸酯之合成時溶解性的觀點來看，為烷基較佳。作為烷基，有舉例如甲基、乙基、丙基、丁基等。

一般式(A)中，因應X_A 及Y_A 之用途，為芳香族基，較佳為碳原子數6~32之芳香族基，或脂肪族基，較佳為選自碳原子數4~20之脂肪族基。X_A 及Y_A 為聚醯胺酸酯之製造中所使用之後述酸二酐以及二胺或二異氰酸酯中包含之取代基X_A 及Y_A 較佳。X_A 為芳香族環與脂肪族之縮合環時，酸酐基若與芳香族環鍵結，則會成為芳香族基，酸酐基若與脂肪族環鍵結，則會成為脂肪族基。關於Y_A 亦相同，胺基若與芳香族環鍵結，則會成為芳香族基，胺基若與脂肪族環鍵結，則會成為脂肪族基。

一般式(A)中，X_A 能夠取得之4價芳香族基之碳原子數為6~30較佳，為6~24再較佳。4價芳香族基為具有苯骨架、聯苯骨架、雙苯骨架等之包含苯環之骨架之基較佳。作為前述4價芳香族基之具體例，有舉出下述基，但不限定於此等，只要因應用途選擇能夠包含於聚醯胺酸酯之公知的芳香族基即可。

前述4價芳香族基，於前述芳香族基中，為下述基較佳。

前述一般式(A)中，Y_A 能夠取得之2價芳香族基，為於芳香環上與前述一般式(A)中之氮原子鍵結再較佳。前述2價芳香族基之碳原子數為6~30較佳，為6~24再較佳。前述2價芳香族基為具有苯骨架、聯苯基骨架、雙苯基骨架等包含苯環之骨架之基較佳。作為前述2價芳香族基之具體例，有舉出下述基，但不限定於此等，只要因應用途選擇能夠包含於聚醯胺酸酯之公知的芳香族基即可。

(式中，A為單鍵，表示選自-CH₂ -、-O-、-CO-、-S-、 -SO₂ -、-NHCO-、-C(CF₃ )₂ -、-C(CH₃ )₂ -所成群之2價基)。

且，以短波長光形成感光性樹脂組成物之硬化物圖型時，以聚合物之吸收特性的觀點來看，作為X_A 及Y_A ，亦可使用脂肪族基。且，例如作為X_A 及Y_A ，使用含有氟之基時，能夠提升光吸收之低波長化或誘電特性。

本發明中，因應用途，選擇前述聚醯胺酸酯之構造很重要。

且，X_A 之4價僅表示用來與酸鍵結之價數，但X_A 亦可具有取代基。同樣地，Y_A 之2價僅表示用來與胺鍵結之價，但其他進而亦可具有取代基。

前述聚醯胺酸酯能夠使用以往公知之方法來合成。例如使3,3’-二苯基酮四羧酸二酐等之酸酐與乙醇等之醇反應，形成半酯。將其半酯使用氯化亞硫醯形成二酯二酸氯。藉由將其二酯二酸氯與3,5-二胺基安息香酸等之二胺反應，能夠得到聚醯胺酸酯。

且，藉由使上述酸酐與醇反應所得之半酯與二異氰酸異佛酮等之二異氰酸酯反應，亦可得到前述聚醯胺酸酯。且，使用上述二胺之合成方法比使用二異氰酸酯之合成方法能夠更簡單地合成聚醯胺酸酯。

能夠使用於前述聚醯胺酸酯之合成之前述酸酐為羧酸二酐較佳，為四羧酸二酐再較佳。作為例，能夠舉出下述一般式表示者。

(式中之X_A 如一般式(A)所述)。

作為前述聚醯胺酸酯之合成原料，藉由使用上述一般式之酸酐，能夠容易地導入前述一般式之聚醯胺酸酯中重複單位中之X_A 基。

作為能夠適用於上述前述聚醯胺酸酯之合成之酸二酐的具體例，有舉出伸乙基四羧酸二酐、丁烷四羧酸二酐、環丁烷四羧酸二酐、甲基環丁烷四羧酸二酐、環戊烷四羧酸二酐等之脂肪族四羧酸二酐；苯均四酸二酐、3,3’,4,4’-二苯基酮四羧酸二酐、2,2’,3,3’-二苯基酮四羧酸二酐、2,3’,3,4’-二苯基酮四羧酸二酐、3,3’,4,4’-聯苯基四羧酸二酐、2,2’,3,3’-聯苯基四羧酸二酐、2,3’,3,4’-聯苯基四羧酸二酐、2,2’,6,6’-聯苯基四羧酸二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)丙烷二酐、2,2-雙(2,3-二羧基苯基)丙烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)醚二酐、雙(3,4-二羧基苯基)碸二酐、1,1-雙(2,3-二羧基苯基)乙烷二酐、雙(2,3-二羧基苯基)甲烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)甲烷二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷二酐、2,2-雙(2,3-二羧基苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷二酐、1,3-雙[(3,4-二羧基)苄醯基]苯二酐、1,4-雙[(3,4-二羧基)苄醯基]苯二酐、2,2-雙{4-[4-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}丙烷二酐、2,2-雙{4-[3-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}丙烷二酐、雙{4-[4-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}酮二酐、雙{4-[3-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}酮二酐、4,4’-雙[4-(1,2-二羧基)苯氧基]聯苯基二酐、4,4’-雙[3-(1,2-二羧基)苯氧基]聯苯基二酐、雙{4-[4-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}酮二酐、雙{4-[3-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}酮二酐、雙{4-[4-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}碸二酐、雙{4-[3-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}碸二酐、雙{4-[4-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}硫醚基二酐、雙{4-[3-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}硫醚基二酐、2,2-雙{4-[4-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷二酐、2,2-雙{4-[3-(1,2-二羧基)苯氧基]苯基}-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷二酐、2,3,6,7-萘四羧酸二酐、1,1,1,3,3,3-六氟-2,2-雙(2,3-或3,4-二羧基苯基)丙烷二酐、1,4,5,8-萘四羧酸二酐、1,2,5,6-萘四羧酸二酐、1,2,3,4-苯四羧酸二酐、1,2,4,5-苯四羧酸二酐、3,4,9,10-苝四羧酸二酐、2,3,6,7-蔥四羧酸二酐、1,2,7,8-菲四羧酸二酐、吡啶四羧酸二酐、磺醯基二苯二甲酸酐、m-三苯基-3,3’,4,4’-四羧酸二酐、p-三苯基-3,3’,4,4’-四羧酸二酐等之芳香族四羧酸二酐、1,3,3a,4,5,9b-六氫-5(四氫-2,5-二側氧-3-喃基)萘并[1,2-c]呋喃-1,3-二酮等。

上述酸二酐之中，作為四羧酸二酐，為苯均四酸二酐、3,3’,4,4’-二苯基酮四羧酸二酐、3,3’,4,4’-聯苯基四羧酸二酐、4,4’-氧基二苯二甲酸二酐、2,2’,6,6’-聯苯基四羧酸二酐、雙(3,4-二羧基苯基)醚二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷二酐、1,2,4,5-苯四羧酸二酐、1,3,3a,4,5,9b-六氫-5(四氫-2,5-二側氧-3-喃基)萘并[1,2-c]呋喃-1,3-二酮較佳。

前述聚醯胺酸酯之合成中，酸酐亦可單獨使用1種，亦可併用2種以上。

作為併用之酸二酐，若使用導入氟之酸二酐，或具有脂環骨架之酸二酐，則不會損及透明性非常多，就能夠調整溶解性或熱膨張率等之物性。且，若使用苯均四酸酐、3,3’,4,4’-聯苯基四羧酸二酐、1,4,5,8-萘四羧酸二酐等之較硬之酸二酐，最後所得之聚亞醯胺之線熱膨張係數會變得較小，但會有阻礙透明性提升之傾向，因此亦可注意共聚合比例地來併用。

作為能夠用來得到前述聚醯胺酸酯之前述二胺，有舉出下述一般式所示之二胺。惟，下述者為一例，只要在不違反本發明主旨之內，能夠使用公知者。

(式中，Y_A 如一般式(A)所述)。

作為前述二胺，有舉出二胺基異佛酮(3-胺基甲基-3,5,5-三甲基環己基胺)、甲苯二胺、4,4’-伸甲基二苯基二胺、六伸甲基二胺、4,4’-氧基二苯胺等。

作為能夠用來得到前述聚醯胺酸酯之前述二異氰酸酯，有舉出下述一般式所示之二異氰酸酯。惟，下述者為一例，只要在不違反本發明主旨之內，能夠使用公知者。

(式中，Y_A 如一般式(A)所述)。

作為前述二異氰酸酯，有舉出二異氰酸異佛酮(ITI)、甲苯二異氰酸酯(TDI)、4,4’-二異氰酸伸甲基二苯基(MDI)、2,2-雙(4-異氰酸酯苯基)六氟丙烷、六伸甲基二異氰酸酯(HMDI)等。

前述聚醯胺酸酯亦可單獨使用1種，亦可組合2種以上來使用。前述聚醯胺酸酯之摻混量，以去除溶劑之組成物之固形分全量基準，為50~95質量%較佳，為60~95質量%再較佳。

本發明之感光性樹脂組成物，在不損及本發明效果之範圍下，亦可含有前述聚醯胺酸酯以外之聚亞醯胺前驅物。

[光鹼基產生劑] 　　本發明之感光性樹脂組成物中，作為光鹼基產生劑，包含選自一般式(B)或(C)表示之化合物、一般式(D)~(H)之任一者表示之4級銨鹽、藉由活性光線之照射使分子中產生包含分別1個以上氮原子與氧原子之3級胺之4級銨鹽、肟酯化合物以及含有一般式(I)表示之胺甲醯基氧基亞胺基之化合物中至少任1種。前述光鹼基產生劑之中，包含一般式(B)表示之香豆酸型之化合物、一般式(D)表示之4級銨鹽以及肟酯化合物中至少任1種較佳，以感度及顯像對比之觀點來看，包含一般式(B)表示之香豆酸型之化合物再較佳，尤其是包含以下化合物(B-1)較佳。

前述光鹼基產生劑亦可單獨使用1種，亦可組合2種以上來使用。前述光鹼基產生劑之摻混量，以去除溶劑之組成物之固形分全量基準，為1~20質量%較佳，為5~15質量%再較佳。

[一般式(B)表示之香豆酸型之化合物](一般式(B)中，R_B1 及R_B2 分別獨立為氫原子或有機基，亦可相同或相異，R_B1 及R_B2 此等亦可鍵結並形成環狀構造，亦可包含雜原子之鍵結，但，R_B1 及R_B2 中至少1個為有機基，R_B3 及R_B4 分別獨立為氫原子、鹵原子、羥基、巰基、硫醚基、矽烷基、矽醇基、硝基、亞硝基、亞磺酸基、磺酸基、磺酸根基、膦基、磷烷基、膦醯基、磷酸基、或有機基，亦可相同或相異，R_B5 、R_B6 、R_B7 及R_B8 分別獨立為氫原子、鹵原子、羥基、巰基、硫醚基、矽烷基、矽醇基、硝基、亞硝基、亞磺酸基、磺酸基、磺酸根基、膦基、磷烷基、膦醯基、磷酸基、胺基、銨基或有機基，亦可相同或相異，R_B5 、R_B6 、R_B7 及R_B8 此等2個以上亦可鍵結並形成環狀構造，亦可包含雜原子之鍵結，R_B9 為氫原子或有機基)。

一般式(B)中，R_B1 及R_B2 以產生之鹼基的鹼基性之觀點來看，一起為烷基，或形成互相鍵結之環狀構造之伸烷基鏈較佳，形成互相鍵結之環狀構造之伸烷基鏈最佳。構成前述烷基或伸烷基鏈之碳原子數為1~20較佳，為1~8再較佳。

一般式(B)中，R_B3 及R_B4 為氫原子或烷基較佳，一起為氫原子最佳。前述烷基之碳原子數為1~20較佳，為1~8再較佳。

一般式(B)中，R_B5 、R_B6 、R_B7 及R_B8 為氫原子、烷基或烷氧基較佳，全部為氫原子最佳。前述烷基之碳原子數為1~20較佳，為1~8再較佳。前述烷氧基之碳原子數為1~20較佳，為1~8再較佳。

一般式(B)中，R_B9 為氫原子或藉由電磁波之照射及/或加熱而能夠脫保護之保護基之有機基較佳，為氫原子最佳。

作為一般式(B)表示之香豆酸型之化合物，為以下化合物B-1較佳。

本發明之感光性樹脂組成物藉由組合聚醯胺酸酯與上述化合物(B-1)，曝光感度會提升，並能夠更加抑制曝光量，同時顯像對比更提升，顯像性優異。 　　本發明之感光性樹脂組成物，尤其是藉由經碳數1~4之烷基酯化之聚醯胺酸酯與上述化合物(B-1)之組合，可為高感度，且於低溫也能夠亞醯胺化，顯像對比優異，因此在耐熱性較低之基材上形成硬化物圖型之用途中較適合。且，由於無電解銅鍍敷液耐性優異，因此於該硬化物上製作銅配線之用途，例如用於再配線層之絕緣材用途中較適合。

[一般式(C)表示之化合物](一般式(C)中，Z_C 為氫原子或硝基，R_C1 、R_C2 、R_C3 及R_C4 分別獨立為碳數1~8之烷基，R_C5 為氫原子或碳數1~8之烷基，R_C1 及R_C2 以及R_C3 及R_C4 亦可分別互相形成環構造)。

本發明之感光性樹脂組成物中，作為一般式(C)表示之化合物，包含以下化合物(C-1)較佳。

[一般式(D)表示之4級銨鹽](一般式(D)中，R_D1 為碳數1~18之烷基、碳數2~18之烯基、碳數2~18之炔基、碳數6~14之芳基、硝基、羥基、氰基、-OR_D2 表示之烷氧基、-NR_D3 R_D4 表示之胺基、R_D5 CO-表示之醯基、R_D6 COO-表示之醯氧基、-SR_D7 表示之烷基硫基或芳基硫基、或鹵原子，R_D2 、R_D5 、R_D6 及R_D7 為碳數1~8之烷基或碳數6~12之芳基，R_D3 及R_D4 為氫原子、碳數1~8之烷基或碳數6~12之芳基，n為0~7之整數，Y_D ⁺ 為下述式(D1)~(D4)中任一者表示之第4級銨基，Q_D 為氮原子或次甲基(-CH-)，t及u為2或3，w為0~2之整數，A_D 為氫原子、羥基或鹵原子，R_D8 ~R_D10 為碳數1~18之烷基、碳數2~18之烯基或碳數6~14之芳基，R_D1 與 CH₂ -Y_D ⁺ X_D ^- 亦可鍵結於相同苯環上或鍵結於相異之苯環，X_D ^- 為選自硼酸鹽陰離子、酚鹽陰離子及羧酸鹽陰離子中之相對陰離子)。 　　本發明之感光性樹脂組成物中，作為一般式(D)表示之化合物，包含以下化合物(D-1)~(D-9)中至少任一種較佳。

[一般式(E)表示之4級銨鹽](一般式(E)中，R_E1 為碳數1~18之烷基、碳數2~18之烯基、碳數2~18之炔基、碳數6~14之芳基、硝基、羥基、氰基、-OR_E2 表示之烷氧基、-NR_E3 R_E4 表示之胺基、R_E5 CO-表示之醯基、R_E6 COO-表示之醯氧基、-SR_E7 表示之烷基硫基或芳基硫基、或鹵原子，R_E2 、R_E5 、R_E6 及R_E7 為碳數1~8之烷基或碳數6~12之芳基，R_E3 及R_E4 為氫原子、碳數1~8之烷基或碳數6~12之芳基，m為0~9之整數，Y_E ⁺ 為下述式(E1)~(E4)中任一者表示之第4級銨基，Q_E 為氮原子或次甲基(-CH-)，t及u為2或3，w為0~2之整數，A_E 為氫原子、羥基或鹵原子，R_E8 ~R_E10 為碳數1~18之烷基、碳數2~18之烯基或碳數6~14之芳基，R_E1 與 CH₂ -Y_E ⁺ X_E ^- 亦可鍵結於相同苯環上或鍵結於相異之苯環，X_E ^- 為選自硼酸鹽陰離子、酚鹽陰離子及羧酸鹽陰離子中之相對陰離子)。

本發明之感光性樹脂組成物中，作為一般式(E)表示之化合物，包含以下化合物(E-1)~(E-11)中至少任一種較佳。

[一般式(F)表示之羧酸型之4級銨鹽](一般式(F)中，R_F1 、R_F2 、R_F4 及R_F5 分別獨立為氫原子或碳數1~6之烷基，R_F3 及Ar_F 分別獨立為碳數6~14之芳基，此等芳基亦可具有取代基，其取代基為碳數1~18之烷基、碳數2~18之烯基、碳數2~18之炔基、碳數6~14之芳基、硝基、羥基、氰基、-OR_F6 表示之烷氧基、-NR_F7 R_F8 表示之胺基、R_F9 CO-表示之醯基、R_F10 COO-表示之醯氧基、 -SR_F11 表示之烷基硫基或芳基硫基、或鹵原子，此等之取代基能夠與芳基成為環構造，R_F6 、R_F9 、R_F10 及R_F11 分別獨立為碳數1~8之烷基或碳數6~12之芳基，R_F7 及R_F8 分別獨立為氫原子、碳數1~8之烷基或碳數6~12之芳基，Y_F ⁺ 為下述式(F1)或(F2)中任一者表示之第4級銨基，

本發明之感光性樹脂組成物中，作為一般式(F)表示之化合物，包含以下化合物(F-1)較佳。

[一般式(G)表示之磺酸型之4級銨鹽](一般式(G)中，R_G1 ~R_G5 分別獨立為氫原子、碳數1~18之烷基、碳數2~18之烯基、碳數2~18之炔基、碳數6~14之芳基、硝基、羥基、氰基、-OR_G6 表示之烷氧基、-NR_G7 R_G8 表示之胺基、R_G9 CO-表示之醯基、R_G10 COO-表示之醯氧基、-SR_G11 表示之烷基硫基或芳基硫基。烷基、烯基、炔基及芳基亦可具有取代基，其取代基與前述R_G1 ~R_G5 相同，此等之取代基能夠成為環構造，R_G6 、R_G9 、R_G10 及R_G11 分別獨立為碳數1~8之烷基或碳數6~12之芳基，R_G7 及R_G8 分別獨立為氫原子、碳數1~8之烷基或碳數6~12之芳基， Ar_G 基為碳數6~14之芳基，此等芳基亦可具有取代基，其取代基與前述R_G1 ~R_G5 相同，此等之取代基能夠與芳基成為環構造，Y_G ⁺ 為下述式(G1)~(G4)之任一者表示之第4級銨基，Q_G 為氮原子或次甲基(-CH-)，t及u為2或3，w為0~2之整數，A_G 為氫原子、羥基或鹵原子，R_G12 ~R_G14 為碳數1~18之烷基、碳數2~18之烯基或碳數6~14之芳基)。

本發明之感光性樹脂組成物中，作為一般式(G)表示之化合物，包含以下化合物(G-1)及(G-2)中至少一種較佳。

[一般式(H)表示之硼型之4級銨鹽](一般式(H)中，Ar_H1 為碳數6~12之芳基，且芳香環中氫原子之至少一個經包含氧原子、硫原子、氮原子之取代基所取代之基；Ar_H2 為碳數6~14之芳基，且芳基中氫原子之一部分亦可經碳數1~18之烷基、碳數2~18之烯基、碳數2~18之炔基、碳數6~14之芳基、硝基、羥基、氰基、-OR_H11 表示之烷氧基、-NR_H12 R_H13 表示之胺基、R_H14 CO-表示之醯基、R_H15 COO-表示之醯氧基、-SR_H16 表示之烷基硫基或芳基硫基或鹵原子所取代；R_H1 及R_H2 分別獨立為氫原子、碳數1~18之烷基或碳數6~14之芳基，Ar_H1 、R_H1 、R_H2 亦可互相鍵結並形成環構造；R_H3 為碳數1~18烷基；n為1~4之整數，但n為4時，Ar_H1 為碳數6~12之芳基；R_H11 、R_H14 、R_H15 及R_H16 分別獨立為碳數1~8之烷基或碳數6~14之芳基；R_H12 及R_H13 分別獨立為氫原子、碳數1~8之烷基或碳數6~14之芳基；Y_H ⁺ 為下述一般式(H1)或(H2)之任一者表示之第4級銨基；式(H1)中，R_H4 ~R_H5 分別獨立為碳數1~18之烷基、碳數2~18之烯基或碳數6~14之芳基，且亦可互相鍵結形成環構造；Q_H 為伸甲基(-CH₂ -)m或上述一般式(H3)表示之基；m為2或3之整數；式(H2)中，R_H6 ~R_H8 分別獨立為碳數1~18之烷基、碳數2~18之烯基或碳數6~14之芳基，且亦可互相鍵結並形成環構造；式(H3)中，R_H9 ~R_H10 分別獨立為氫原子、碳數1~18之烷基、碳數6~14之芳基，且亦可互相鍵結並形成環構造)。

作為一般式(H)表示之光鹼基產生劑之陽離子構造，例如以下化學式(H_CA -1)~(H_CA -12)表示者能夠為較佳例示。

作為一般式(H)表示之光鹼基產生劑之陰離子構造，例如為以下化學式(H_A -1)~(H_A -11)表示者能夠為較佳例示。

一般式(H)表示之光鹼基產生劑能夠藉由公知方法來製造。以下化學反應式表示一例。藉由直接或於溶媒中使具有對應目的光鹼基產生劑之取代基(Ar_H1 、R_H1 及R_H2 )之脫離基(Z_H )所取代之化合物(E_H )，與對應第4級銨基(Y_H ⁺ )之胺(Y_H )反應，能夠得到將Z_H ^- 作為對陰離子之陽離子中間體。於有機溶媒或水中使此陽離子中間體，與具有另外以公知方法所製造之對應目的光鹼基產生劑之取代基(Ar_H2 、R_H3 )之硼酸酯金屬鹽進行陰離子交換，能夠得到目的光鹼基產生劑。

(式中，Ar_H1 、Ar_H2 、R_H1 、R_H2 、R_H3 、Y_H ⁺ 與一般式(H)相同，Z為脫離基，Z_H ^- 藉由脫離所生成之對陰離子，Y_H 為相當於第4級銨之胺，M_H ⁺ 為金屬陽離子)。

作為胺(Y_H )，有包含化學式(H_Y -1)所示之胺{1,8-二氮雜雙環[5,4,0]-十一烯-7(DBU；「DBU」為San-Apro股份公司之登錄商標)}、化學式(H_Y -2)所示之胺{1,5-二氮雜雙環[4,3,0]-壬烯-5(DBN)}、化學式(H_Y -3)所示之胺{各記號與化學式(H2)相同。例如為1-氮雜雙環[2.2.2]辛烷、3-羥基-1-氮雜雙環[2.2.2]辛烷及1,4-二氮雜雙環[2.2.2]辛烷等環狀胺及三烷基胺(三丁基胺、三辛基胺、辛基二甲基胺及二異丙基乙基胺等)、三烯基胺(三烯丙基胺等)及三芳基胺(三苯基胺、三p-基胺及二苯基p-基胺等鎖狀胺等}及化學式(H_Y -4)表示之胺{化學式(H_Y -4)中，R_H17 為碳數1~18之烷基、R_H18 為碳數1~18之烷基、碳數2~18之烯基或碳數6~14之芳基，且亦可互相鍵結並形成環構造。例如為1-甲基咪唑-3-基、1,2-二甲基咪唑-3-基、1-甲基-2-乙基咪唑-3-基)等}。

作為脫離基(Z_H )，有包含鹵原子(氯原子及溴原子等)、磺醯基氧基(三氟甲基磺醯基氧基、4-甲基苯基磺醯基氧基及甲基磺醯基氧基等)及醯氧基(乙醯氧基及三氟甲基羰基氧基等)。此等中，以容易製造等之觀點來看，為鹵原子及磺醯基氧基較佳。

本發明之感光性樹脂組成物中，作為一般式(H)表示之硼型之4級銨鹽，包含具有氧硫 骨架之硼型之4級銨鹽較佳。

[藉由活性光線之照射使分子中產生包含分別1個以上氮原子與氧原子之3級胺之4級銨鹽] 　　前述4級銨鹽為以下述構造式表示，且藉由活性光線之照射會產生3級胺之光鹼基產生劑。式中，Z為具有苯、苯并呋喃、萘、蔥、菲、芘等骨架之芳香族基。(A_J ⁺ 表示4級銨基，B_J ^- 表示相對離子，Z_J 表示芳香族基)。

本發明之感光性樹脂組成物中，作為前述4級銨鹽，包含以下化合物(J-1)較佳。

[肟酯化合物] 　　肟酯化合物為具有下述部分構造(K)之化合物。

作為肟酯化合物，有舉出1,2-辛烷二酮-1-[4-(苯基硫基)-2-(O-苄醯基肟)]、下述式(K1)表示之化合物、2-(乙醯基氧基亞胺基甲基)硫 -9-酮以及乙酮,1-[9-乙基-6-(2-甲基苄醯基)-9H-唑咔-3-基]-,1-(O-乙醯基肟)及下述一般式(K2)表示之化合物等具有唑咔骨架之肟酯系化合物等。

一般式(K2)中，R_K21 表示氫原子、苯基、烷基、環烷基、烷醯基或苄醯基。R_K22 以及R_K24 分別獨立表示苯基、烷基、環烷基、烷醯基或苄醯基。R_K23 表示氫原子、鹵原子、碳數1~12之烷基、環戊基、環己基、苯基、苄基、苄醯基、碳數2~12之烷醯基、碳數2~12之烷氧基羰基(構成烷氧基之烷基的碳數為2以上時，烷基亦可經1個以上羥基所取代，烷基鏈中間亦可具有1個以上氧原子)或苯氧基羧基。且，上述苯基及苄醯基在各別之苯環上亦可具有烷基等之取代基。

如此之肟酯化合物，由於例如對於直接成像用之曝光，能夠提高本發明之感光性樹脂組成物的感度，且解像性優異，故較佳。且，肟酯化合物亦可為二聚體。

作為二聚體之肟酯化合物，為下述一般式(K3)表示之化合物再較佳。

一般式(K3)中，R_K33 表示氫原子、烷基、烷氧基、苯基、萘基。R_K31 、R_K32 分別獨立表示氫原子、烷基、烷氧基、鹵素基、苯基、萘基、蒽基、吡啶基、苯并呋喃基、苯并噻吩基。 　　Ar_K3 表示單鍵或碳數1~10之伸烷基、伸乙烯基、伸苯基、雙伸苯基、伸啶基、伸萘基、伸蒽基、伸噻吩基、伸呋喃基、2,5-吡咯-二基、4,4’-二苯乙烯-二基、4,2’-苯乙烯-二基。 　　n表示0~1之整數。

作為由R_K33 表示之烷基，為碳數1~17之烷基較佳。作為由R_K33 表示之烷氧基，為碳數1~8之烷氧基較佳。由R_K33 表示之苯基亦可具有取代基，作為該該取代基，有舉例如烷基(較佳為碳數1~17)、烷氧基(較佳為碳數1~8)、胺基、烷基胺基(較佳為烷基之碳數1~8)或二烷基胺基(較佳為烷基之碳數1~8)等。由R_K33 表示之萘基亦可具有取代基，作為該取代基，有舉出與由R_K33 表示之苯基所能夠具有之上述取代基相同之基。

作為由R_K31 及R_K32 表示之烷基，為碳數1~17之烷基較佳。作為由R_K31 及R_K32 表示之烷氧基，為碳數1~8之烷氧基較佳。由R_K31 及R_K32 表示之苯基亦可具有取代基，作為該取代基，有舉例如烷基(較佳為碳數1~17)、烷氧基(較佳為碳數1~8)、胺基、烷基胺基(較佳為烷基之碳數1~8)或二烷基胺基(較佳為烷基之碳數1~8)等。由R_K31 及R_K32 表示之萘基亦可具有取代基，作為該取代基，有舉出與由R_K31 及R_K32 表示之苯基所能夠具有之上述取代基相同之基。

進而，一般式(K3)中，R_K31 、R_K32 分別獨立為甲基或乙基，R_K32 為甲基或苯基，Ar_K3 為單鍵或伸苯基、伸萘基或伸噻吩基，n為0較佳。

作為一般式(K3)表示之化合物，為下述化合物(K3-1)再較佳。

作為肟酯化合物，作為市售品，有舉出BASF Japan公司製之CGI-325、Irgacure OXE01(1.2-辛烷二酮,1-[4-(苯基硫基)-,2-(O-苄醯基肟)])、Irgacure OXE02 (乙酮,1-[9-乙基-6-(2-甲基苄醯基)-9H-唑咔-3-基]-,1-(0-乙醯基肟))、ADEKA公司製N-1919、NCI-831、常州強力電子新材料有限公司公司製之TR-PBG-304、日本化學工業所公司製之TOE-04-A3等。

本發明之感光性樹脂組成物中，作為肟酯化合物，包含具有唑咔骨架之肟酯化合物較佳。

且，作為肟酯化合物，亦能夠使用下述一般式(K4)~(K8)表示之化合物。

(一般式(K4)中，X_K4 為選自-(CH₂ )n-基、脂環式基、伸芳基、-(CH₂ )n-基與脂環式基鍵結者、-(CH₂ )n-基與伸芳基鍵結者，n為2~7之整數，R_K41 為芳香族基或取代烷基)。

作為一般式(K4)表示之肟酯化合物，包含下述化合物(K4-1)~(K4-7)中至少任1種較佳。

(一般式(K5)中，有機基D_K5 為1~4價之有機基，R_K51 為2價之有機基，R_K52 、R_K53 分別表示1價有機基，R_K52 、R_K53 中至少一個表示芳香族基。m為0或1，m為0時，前述D_K5 之有機基並非芳香族基。n為1~4之整數，複數個R_K51 、R_K52 、R_K53 分別亦可相同或相異)。

作為一般式(K5)表示之肟酯化合物，包含下述化合物(K5-1)較佳。

(一般式(K6)中，X_K6 為4價有機基，n表示0~3之整數。R_K61 為芳香族基或碳數為1以上之烷基)。

作為一般式(K6)表示之肟酯化合物，包含下述化合物(K6-1)及(K6-2)中至少任1種較佳。

(一般式(K7)中，X_K7 為具有連結基Y_K7 之伸芳基，n表示0~3之整數。R_K71 為具有連結基Y_K7 之芳香族基或烷基，Y_K7 為2價有機基)。

作為一般式(K7)表示之肟酯化合物，包含下述化合物(K7-1)~(K7-4)中至少任1種較佳。

(一般式(K8)中，X_K8 為2價有機基，n表示1~5之整數。R_K81 表示芳香族基或碳數為1以上之烷基)。

作為一般式(K8)表示之肟酯化合物，包含下述化合物(K8-1)及(K8-2)中至少任1種較佳。且，下述化合物(K8-1)及(K8-2)中，n表示1~5之整數。

[含有一般式(I)表示之胺甲醯基氧基亞胺基之化合物](一般式(I)中，Y_I 選自-(CH₂ )m-基、脂環式基、伸芳基、 -(CH₂ )m-基與脂環式基鍵結者、-(CH₂ )m-基與伸芳基鍵結者，m為2~7之整數，R_I1 為芳香族基或取代烷基)。

本發明之感光性樹脂組成物在不損及本發明效果之範圍內，亦可含有前述光鹼基產生劑以外之光鹼基產生劑。

以下，說明能夠摻混在本發明之感光性樹脂組成物之其他成分。

能夠使用在本發明之感光性樹脂組成物之溶媒，只要是能夠溶解於聚醯胺酸酯、光鹼基產生劑以及其他添加劑者即可，並無特別限制。作為一例，能夠舉出N,N’-二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、N-乙基-2-吡咯烷酮、N,N’-二甲基乙醯胺、二乙二醇二甲基醚、環戊酮、γ-丁內酯、α-乙醯基-γ-丁內酯、四甲基尿素、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、N-環己基-2-吡咯烷酮、二甲基亞碸、六甲基磷醯胺、吡啶、γ-丁內酯、二乙二醇單甲基醚。此等亦可單獨使用，亦可混合2種以上來使用也無妨。使用之溶媒量雖無特別限定，但例如因應於塗布膜厚或黏度，相對於前述聚醯胺酸酯100質量份，以50~9000質量份之範圍來使用即可。

本發明之感光性樹脂組成物中，進一步為了更提升光感度，能夠添加增感劑。作為增感劑，有舉例如米氏酮、4,4’-雙(二乙基胺基)二苯基酮、2,5-雙(4’-二乙基氨基苯并甲基)環戊烷、2,6-雙(4’-二乙基氨基苯并甲基)環己酮、2,6-雙(4’-二甲基氨基苯并甲基)-4-甲基環己酮、2,6-雙(4’-二乙基氨基苯并甲基)-4-甲基環己酮、4,4’-雙(二甲基胺基)查耳酮、4,4’-雙(二乙基胺基)查耳酮、p-二甲基胺基亞肉桂基二氫茚酮、p-二甲基胺基苯亞基二氫茚酮、2-(p-二甲基胺基苯基雙伸苯基)-苯并噻唑、2-(p-二甲基胺基苯基伸乙烯基)苯并噻唑、2-(p-二甲基胺基苯基伸乙烯基)異萘并噻唑、1,3-雙(4’-二甲基氨基苯并甲基)丙酮、1,3-雙(4’-二乙基氨基苯并甲基)丙酮、3,3’-羰基-雙(7-二乙基胺基香豆素)、3-乙醯基-7-二甲基胺基香豆素、3-乙氧基羰基-7-二甲基胺基香豆素、3-苄氧基羰基-7-二甲基胺基香豆素、3-甲氧基羰基-7-二乙基胺基香豆素、3-乙氧基羰基-7-二乙基胺基香豆素、N-苯基-N’-乙基乙醇胺、N-苯基二乙醇胺、N-p-基二乙醇胺、N-苯基乙醇胺、4-嗎啉基二苯基酮、二甲基胺基安息香酸異戊酯、二乙基胺基安息香酸異戊酯、2-巰基苯并咪唑、1-苯基-5-巰基四唑、2-巰基苯并噻唑、2-(p-二甲基胺基苯乙烯基)苯并噁唑、2-(p-二甲基胺基苯乙烯基)苯并噻唑、2-(p-二甲基胺基苯乙烯基)萘并(1,2-d)噻唑、2-(p-二甲基胺基苄醯基)苯乙烯等，以感度之觀點來看，使用4-(1-甲基乙基)-9H-硫 -9-酮等之氧硫 類較佳。此等可單獨或組合2~5種類來使用。增感劑相對於前述聚醯胺酸酯100質量份，使用0.1~10質量份較佳。

且，本發明之感光性樹脂組成物中，為了提升與基材之接著性，能夠摻混接著助劑。作為接著助劑，只要不違反本發明之主旨能夠使用公知者。能夠舉例如γ-胺基丙基二甲氧基矽烷、N-(β-胺基乙基)-γ-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-環氧丙基氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-[3-(三乙氧基矽烷基)丙基]酞胺酸、二苯基酮四羧酸二酐與(三乙氧基矽烷基)丙基胺之反應生成物等。接著助劑之摻混量相對於前述聚醯胺酸酯100質量份，為0.5~10質量份之範圍較佳。

且，本發明之感光性樹脂組成物中亦可添加鹼基增殖劑。形成厚膜之圖型時，由表面至底部要求相同程度之光鹼基產生劑的分解率。此時，為了提升感度，添加鹼基增殖劑較佳。能夠使用例如特開2012-237776號公報、特開2006-282657號公報等中所揭示之鹼基增殖劑。

且，本發明之感光性樹脂組成物中，在不會大幅損及硬化後之膜特性之範圍內，亦可添加因光而產生酸之其他感光性成分。本發明之感光性樹脂組成物中添加具有1個或2個以上伸乙基性不飽和鍵結之化合物時，亦可添加光自由基產生劑。

為了對本發明之感光性樹脂組成物賦予加工特性或各種機能性，另外亦可摻混各種有機或無機之低分子或高分子化合物。例如，能夠使用染料、界面活性劑、整平劑、可塑劑、微粒子等。微粒子中包含聚苯乙烯、聚四氟乙烯等有機微粒子、膠態矽石、碳、層狀矽酸鹽等之無機微粒子等，且此等亦可為多孔質或中空構造。作為欲得到多孔質形狀或中空構造之具體材料，有各種顏料、填料、以及纖維等。

本發明之乾膜具有於乘載薄膜(支持體)上塗布本發明感光性樹脂組成物並使其乾燥所得之樹脂層。乾膜之形成係將本發明之感光性樹脂組成物以上述有機溶劑稀釋，調整成適當的黏度之後，藉由點塗布機、刮刀塗布機、撕裂塗布機、棒式塗布機、擠壓塗布機、反向塗布機、轉印輥塗布機、凹版塗布機、噴霧塗布機等以均勻的厚度塗布於乘載薄膜上。之後，將經塗布之感光性樹脂組成物以一般為50~130℃之溫度乾燥1~30分鐘，藉此能夠形成樹脂層。關於塗布膜厚並無特別限制，但一般來說，乾燥後脂膜厚能夠在10~150μm，較佳在20~60μm之範圍中來適當地選擇。

作為乘載薄膜，有使用塑膠薄膜，使用聚對苯二甲酸酯等之聚酯薄膜、聚亞醯胺薄膜、聚醯胺亞醯胺薄膜、聚丙烯薄膜、聚苯乙烯薄膜等之塑膠薄膜較佳。關於乘載薄膜之厚度並無特別限制，但一般來說在10~ 150μm之範圍內適當地選擇。

於乘載薄膜上形成本發明之感光性樹脂組成物而成之樹脂層後，以防止灰塵附著於膜表面等目的，進一步於膜表面積層能夠剝離之覆蓋薄膜較佳。作為能夠剝離之覆蓋薄膜，能夠使用例如聚伸乙烯薄膜、聚四氟乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、經表面處理之紙等。作為覆蓋薄膜，在剝離覆蓋薄膜時，只要是比樹脂層與乘載薄膜之接著力小者即可。

接著，針對作為使用本發明感光性樹脂組成物之硬化物之圖型膜的製造方法進行說明。如下述製造方法之記載，本發明之感光性樹脂組成物能夠適當地作為負型感光性樹脂組成物來使用。

首先，作為步驟1，將感光性樹脂組成物塗布於基材上，並藉由乾燥得到塗膜。作為將感光性樹脂組成物塗布於基材上之方法，能夠使用以往用於感光性樹脂組成物之塗布之方法，例如以旋轉塗布機、棒塗布機、刮刀塗布機、布廉塗布機、網版印刷機等來塗布之方法、以噴霧塗布機來噴霧塗布之方法，進一步能使用噴墨法等。作為塗膜之乾燥方法，有使用風乾、以烘箱或熱板來加熱乾燥、真空乾燥等之方法。且，塗膜之乾燥期望以不引起感光性樹脂組成物中之聚醯胺酸酯之亞醯胺化之條件來進行。具體來說，能夠將自然乾燥、送風乾燥或加熱乾燥以20~140℃下1分鐘~1小時之條件來進行。較佳為在熱板上進行1~20分鐘之乾燥。且，也可以進行真空乾燥，此時，能夠以室溫下1分鐘~1小時之條件來進行。

基材並無特別限制，能夠廣泛地適用矽晶圓、配線基板、各種樹脂、金屬、半導體裝置之保護層保護膜等。

且，由於低溫下也能夠亞醯胺化，因此具有能夠廣泛地適用在印刷配線板之基板等不適合高溫處理之構件、材料中之特徵。

接著，作為步驟2，將上述塗膜介隔著具有圖型之光罩，或者直接曝光。曝光光線使用能夠使光鹼基產生劑活性化而能產生鹼基之波長者。如上述，藉由使用適當的增感劑，能夠調製光感度。作為曝光裝置，能夠使用接觸對準器、鏡面投射、分節器、雷射直射曝光裝置等。

接著，作為步驟3，加熱至使塗膜中產生之鹼基促進塗膜之亞醯胺化。藉此，上述步驟2中，曝光部所產生之鹼基會成為觸媒，聚醯胺酸酯會部分的亞醯胺化。加熱時間以及加熱溫度會因為使用之聚醯胺酸酯、塗布膜厚、光鹼基產生劑之種類來適當地變更。典型來說，為10μm左右之塗布膜厚時，以110~200℃下2~10分鐘左右。加熱溫度若過低，則無法有效率地達成部分的亞醯胺化。另一方面，加熱溫度若過高，則未曝光部之亞醯胺化會進行，曝光部與未曝光部之溶解性的差會變小，會有對圖型形成造成不良影響之虞。

接著，作為步驟4，將塗膜以顯像液處理。藉此，能夠在基材上形成由聚醯胺酸酯以及部分亞醯胺化之聚亞醯胺而成之圖型膜。

作為顯像使用之方法，能夠舉出以往熟知之光阻之顯像方法，選自例如旋轉噴霧法、木槳法、伴隨超音波處理之浸漬法等中任意方法。作為顯像液，能夠舉出氫氧化鈉、草酸鈉、矽酸鈉、氨水等無機鹼類、乙基胺、二乙基胺、三乙基胺、三乙醇胺等之有機胺類、四甲基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨等四級銨鹽類等之水溶液。且，因應必要，能夠於此等中將甲醇、乙醇、異丙基醇等水溶性有機溶媒或界面活性劑作為適當量添加水溶液來使用。之後，因應必要，將塗膜以清洗液洗淨，得到圖型膜。作為清洗液，能夠將蒸餾水、甲醇、乙醇、異丙醇等單獨或組合來使用。 　　且，作為顯像液，亦可使用例如N-甲基-2-吡咯烷酮、N-乙醯基-2-吡咯烷酮、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、二甲基亞碸、γ-丁內酯、六甲基偶磷基三醯胺、甲醇、乙醇、異丙基醇、甲基卡必醇、乙基卡必醇、甲苯、二甲苯、乳酸乙酯、丙酮酸乙酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯、甲基-3-甲氧基丙酸酯、乙基-3-乙氧基丙酸酯、2-庚酮、乙酸乙酯、二丙酮醇等有機溶劑。

之後，作為步驟5，加熱圖型膜。加熱溫度適當地設定成能夠使聚亞醯胺之圖型膜硬化。例如，於惰性氣體中，於150~300℃進行5~120分鐘左右之加熱。加熱溫度之再較佳範圍為150~250℃，更較佳範圍為160~220℃。加熱能夠藉由使用例如熱板、烘箱、能夠設定溫度模式之升溫式烘箱來進行。作為此時之環境(氣體)，亦可使用空氣，亦可使用氮、氬等惰性氣體。

本發明之感光性樹脂組成物之用途並無特別限定，有舉例如印刷油墨、接著劑、充填劑、電子材料、光回路零件、成形材料、阻劑材料、建築材料、3次元造形、光學構件等、樹脂材料所使用之公知之各種領域･製品等。尤其是適合使用在聚亞醯胺膜之耐熱性、寸法安定性、絕緣性等之特性為有效的廣泛領域･製品，例如塗料或印刷油墨，或彩色過濾器、可撓式顯示器用薄膜、半導體元件之被覆膜、電子零件、層間絕緣膜、焊料阻劑等之印刷配線板之被覆膜、光回路、光回路零件、反射防止膜、全像片、光學構件或建築材料之形成材料。

尤其是本發明之感光性樹脂組成物主要作為圖型形成材料(阻劑)使用，藉此所形成之圖型膜功能為作為聚亞醯胺而成之永久膜，並作為賦予耐熱性或絕緣性之成分，能夠適合於形成例如彩色過濾器、可撓式顯示器用薄膜、受動零件用絕緣材料、半導體元件之被覆膜、層間絕緣膜、焊料阻劑或包覆層膜等之印刷配線板之被覆膜等電子零件用被覆膜、焊料壩、光回路、光回路零件、反射防止膜、其他光學構件或電子構件。 [實施例]

以下，使用實施例進一步更詳細地說明本發明，但本發明不限定於下述實施例。

＜聚亞醯胺前驅物之合成＞ [合成例1：聚醯胺酸酯1之合成] 　　於300 mL錐形瓶添加作為酸二酐之4,4’-氧基二苯二甲酸二酐7.76 g(25.0 mmol)、甲醇50 mL、甲苯50 mL，進行還流一整晚。還流後，進行溶媒餾去，藉由減壓乾燥得到半酯。接著，添加乙酸乙酯40 mL，使半酯溶解。於此分成4次來緩慢地添加草醯氯(7.93 g，62.5 mmol，2.5 eq.)，每次添加1滴N,N-二甲基甲醯胺。將此溶液還硫4小時，溶媒餾去後藉由減壓乾燥得到二氯二酯。 　　氮氣流下，於200 mL之四口濾瓶中添加作為二胺之4,4’-氧基二苯胺(5.01 g，25.0 mmol)、N-甲基吡咯烷酮(以下稱作NMP)60 mL、吡啶(3.96 g，50.0 mmol)，並使其溶解。於此，一邊將二氯二酯以四氫呋喃15 mL溶解之溶液冰鎮，一邊滴落，於室溫下攪拌一整晩。將所得之溶液注入離子交換水，使其再沉澱，以甲醇洗淨，藉由減壓乾燥得到聚醯胺酸酯1。將所得之聚醯胺酸酯的重量平均分子量Mw以GPC測定後，以聚苯乙烯換算為100000。且，將酯化率以1H-NMR測定後，如圖1所示為100%。

[合成例2：聚醯胺酸酯2之合成] 　　除了將作為酸二酐之4,4’-氧基二苯二甲酸二酐變更成3,3’,4,4’-聯苯基四羧酸二酐以外，其餘與合成例1同樣地來合成聚醯胺酸酯2。將所得之聚醯胺酸酯的重量平均分子量Mw以GPC測定後，以聚苯乙烯換算為30000。且，將酯化率以1H-NMR測定後為100%。

[合成例3：聚醯胺酸酯3之合成] 　　除了將作為酸二酐之4,4’-氧基二苯二甲酸二酐變更成苯均四酸二酐以外，其餘與合成例1同樣地來合成聚醯胺酸酯3。將所得之聚醯胺酸酯的重量平均分子量Mw以GPC測定後，以聚苯乙烯換算為20000。且，將酯化率以1H-NMR測定後為100%。

[合成例4：聚醯胺酸酯4之合成] 　　除了將草醯氯的添加量變更成1.9eq.以外，其餘與合成例1同樣地來合成聚醯胺酸酯4。將所得之聚醯胺酸酯的重量平均分子量Mw以GPC測定後，以聚苯乙烯換算為100000。且，將酯化率以1H-NMR測定後為96%。

[比較合成例1：部分酯化聚醯胺酸酯R-1之合成] 　　氮氣流下於300 mL二口錐形瓶添加4,4’-氧基二苯胺 (4.87g，24.3 mmol)、NMP 100 mL，一直攪拌至4,4’-氧基二苯胺完全溶解。進而，添加4,4’-氧基二苯二甲酸二酐(7.76g，25.0 mmol)，於室溫攪拌一整晩。攪拌後，將N,N-二甲基甲醯胺二甲基縮醛(5.96 g，50.0 mmol)以NMP10 mL稀釋來添加，於40℃使其反應3小時。將所得之溶液注入離子交換水中，吸引濾過並以甲醇洗淨，減壓乾燥後得到部分酯化聚醯胺酸酯R-1。將所得之部分酯化聚醯胺酸酯的重量平均分子量Mw以GPC測定後，以聚苯乙烯換算為75000。且，將酯化率以¹ H-NMR測定後為70%。

[比較合成例2：聚醯胺酸R-2之合成] 　　氮氣流下於300 mL二口錐形瓶添加4,4’-氧基二苯胺 (4.87g，24.3 mmol)、NMP 100 mL，一直攪拌至4,4’-氧基二苯胺完全溶解。進而，添加4,4’-氧基二苯二甲酸二酐(7.76g，25.0 mmol)於室溫下攪拌一整晩。將所得之溶液注入離子交換水中，吸引濾過並以甲醇洗淨，減壓乾燥後得到聚醯胺酸R-2。將所得之聚醯胺酸的重量平均分子量Mw以GPC測定後，以聚苯乙烯換算為16000。

(酯化率之算出方法) 　　聚醯胺酸酯1之酯化率之算出以¹ H-NMR(in DMSO-d₆ )來進行。圖表上，以聚醯胺酸酯之重複構造中的芳香族質子的積分值14作為基準時，自3.8ppm附近之甲基酯波峰之積分值A與積分值之理論值6來計算。 酯化率=100×A/6 　　且，關於聚醯胺酸酯2~4以及部分酯化聚醯胺酸酯R-1之酯化率也與上述相同，自聚醯胺酸酯之重複構造中的芳香族質子之積分值與酯部分之質子之積分值來算出。

[實施例1~10、比較例1~3] 　　以下述表記載之摻混比(質量比)來摻混上述所得之聚亞醯胺前驅物、光鹼基產生劑、溶劑，得到實施例以及比較例之感光性樹脂組成物。且評價各組成物之性能。評價之方法如以下所述。

(亞醯胺化結束溫度) 　　將上述各組成物旋轉塗布於矽晶圓上使乾燥後之膜厚成為5μm，於100℃之熱板上使其乾燥5分鐘。使用三永電機製作所製桌上型曝光裝置藉由高壓水銀燈對所得之乾燥膜進行10 J/cm² 之寬曝光。將此矽晶圓於設定成特定溫度之熱板上加熱5分鐘後，測定紅外分光光譜，自下述式算出亞醯胺化率。上述式中I₁₃₈₀ 係隨著亞醯胺化之進行而增大之來自C-N伸縮振動之波峰面積，I₁₅₀₀ 係反應前後沒有變化之來自芳香環之C=C伸縮振動之波峰面積。samp.為實施例以及比較例之硬化樣品，imide為標準硬化樣品。標準硬化樣品係將乾燥膜於熱板上以300℃加熱1小時來製作。根據上述式算出亞醯胺化率，將成為100%之溫度定義成亞醯胺化結束溫度。

(感度) 　　將上述各組成物旋轉塗布於矽晶圓上使乾燥後之膜厚成為5μm，於100℃之熱板上使其乾燥5分鐘。於所得之乾燥膜上接著阻劑評價用圖型光罩，使用三永電機製作所製桌上型曝光裝置，藉由高壓水銀燈來進行特定量之寬曝光。之後，於YAMATO科學製烘箱中，實施例1~10以120℃，比較例1~3以160℃曝光10分鐘後施予加熱，以NMP:乙醇=1:1之混合顯像液浸漬顯像，以離子交換水洗淨所得之聚亞醯胺圖型藉由JEOL製掃描型電子顕微鏡觀察，能夠形成L/S=20/20 μm之圖型。 　　將最少曝光量定義為感度。

(顯像對比) 　　將上述各組成物旋轉塗布於矽晶圓上使乾燥後之膜厚成為5μm，於100℃之熱板上使其乾燥5分鐘。對所得之乾燥膜的一半蓋上光罩，使用三永電機製作所製桌上型曝光裝置，藉由高壓水銀燈來進行10 J/cm² 之寬曝光。之後，於YAMATO科學製烘箱中，實施例1~10以120℃，比較例1~3以160℃曝光10分鐘後，施予加熱，以NMP:乙醇=1:1之混合顯像液來浸漬顯像，以離子交換水來洗淨。自所得之膜之曝光部與未曝光部之顯像前後的膜厚並藉由下述式來算出顯像對比。顯像對比為10以上定義成◎，為5以上且未滿10定義成○，為未滿5定義成×。

(無電解銅鍍敷液耐性) 　　將上述各組成物旋轉塗布於矽晶圓上使乾燥後之膜厚成為5μm，於100℃之熱板上使其乾燥5分鐘。使用三永電機製作所製桌上型曝光裝置藉由高壓水銀燈對所得之乾燥膜進行10 J/cm² 之寬曝光。將此矽晶圓以熱板上160℃加熱5分鐘後，於調溫至36℃之無電解銅鍍敷液(上村工業製THRU-CUP PEA)浸漬20分鐘，將膜厚沒有變化者定義為○，將溶解自矽晶圓上消失者定義為×。

･聚醯胺酸酯1之重複構造･聚醯胺酸酯2之重複構造･聚醯胺酸酯3之重複構造･光鹼基產生劑1(相當於一般式(B)表示之化合物)･光鹼基產生劑2(相當於一般式(D)表示之4級銨鹽)･光鹼基產生劑3(相當於肟酯化合物)･光鹼基產生劑R-3

由表1所示之結果可明確得知本發明實施例1~10之組成物在160℃或180℃這種較低溫之下，亞醯胺化會結束，且感度、顯像對比及無電解銅鍍敷液耐性皆優異。尤其是，由實施例1~3與實施例10之對比可得知醯胺酸酯部分之酯化率越高，能夠得到低溫硬化性與優異之顯像對比。相對於此，將聚亞醯胺前驅物變更為部分酯或聚醯胺酸之比較例1，2中，亞醯胺化之結束必須要到200℃，且感度與顯像對比較差，對無電解銅鍍敷液也會溶解。且，將光鹼基產生劑變更為以往熟知之具有氨基甲酸酯骨架之化合物的比較例3中，在亞醯胺化結束溫度與無電解銅鍍敷液耐性這兩點上能夠顯示與實施例1~9同等的性能，但顯像對比較差，且圖型形成必須要5000 J/cm² 之能量。

[圖1] 合成例1合成之聚醯胺酸酯1之¹ H-NMR(in DMSO-d₆ )之圖表。橫軸表示化學位移(ppm)，縱軸表示相對強度。

Claims (8)

1. 一種感光性樹脂組成物，其係含有聚醯胺酸酯與光鹼基產生劑之感光性樹脂組成物，其特徵為 　　作為前述聚醯胺酸酯，包含具有下述一般式(A)所表示之重複構造之完全酯之聚醯胺酸酯，(一般式(A)中，X_A 為四價之有機基，Y_A 為二價之有機基，R_A1 及R_A2 分別獨立為一價之有機基，且亦可相同亦可相異，n為1以上之整數) 　　作為前述光鹼基產生劑，包含下述一般式(B)或(C)所表示之化合物、下述一般式(D)~(H)之任一者所表示之四級銨鹽、藉由活性光線之照射而產生分子中包含氮原子與氧原子各自一個以上之三級胺之四級銨鹽、肟酯化合物、以及含有下述一般式(I)所表示之胺甲醯基氧基亞胺基之化合物之至少任1種，(一般式(B)中，R_B1 及R_B2 各自獨立為氫原子或有機基，且亦可相同亦可相異，R_B1 及R_B2 此等亦可鍵結並形成環狀構造，亦可包含雜原子之鍵結，但R_B1 及R_B2 之至少1個為有機基，R_B3 及R_B4 各自獨立為氫原子、鹵原子、羥基、巰基、氫硫基、矽烷基、矽醇基、硝基、亞硝基、亞磺酸基、磺酸基、磺酸根基、膦基、氧膦基、膦醯基、磷酸酯基、或有機基，且亦可相同亦可相異，R_B5 、R_B6 、R_B7 及R_B8 各自獨立為氫原子、鹵原子、羥基、巰基、氫硫基、矽烷基、矽醇基、硝基、亞硝基、亞磺酸基、磺酸基、磺酸根基、膦基、氧膦基、膦醯基、磷酸酯基、胺基、銨基或有機基，且亦可相同亦可相異，R_B5 、R_B6 、R_B7 及R_B8 此等2個以上亦可鍵結並形成環狀構造，亦可包含雜原子之鍵結，R_B9 為氫原子或有機基)(一般式(C)中，Z_C 為氫原子或硝基，R_C1 、R_C2 、R_C3 及R_C4 各自獨立為碳數1~8之烷基，R_C5 為氫原子或碳數1~8之烷基，R_C1 及R_C2 以及R_C3 及R_C4 亦可各自互相形成環構造)(一般式(D)中，R_D1 為碳數1~18之烷基、碳數2~18之烯基、碳數2~18之炔基、碳數6~14之芳基、硝基、羥基、氰基、-OR_D2 所表示之烷氧基、-NR_D3 R_D4 所表示之胺基、R_D5 CO-所表示之烷氧基、R_D6 COO-所表示之醯氧基、 -SR_D7 所表示之烷硫基或芳硫基、或鹵原子，R_D2 、R_D5 、R_D6 及R_D7 為碳數1~8之烷基或碳數6~12之芳基，R_D3 及R_D4 為氫原子、碳數1~8之烷基或碳數6~12之芳基，n為0~7之整數，Y_D ⁺ 為下述式(D1)~(D4)之任一者所表示之第4級銨基，Q_D 為氮原子或次甲基(-CH-)，t及u為2或3，w為0~2之整數，A_D 為氫原子、羥基或鹵原子，R_D8 ~R_D10 為碳數1~18之烷基、碳數2~18之烯基或碳數6~14之芳基，R_D1 與 CH₂ -Y_D ⁺ X_D ^- 亦可鍵結於相同之苯環，亦可鍵結於相異之苯環，X_D ^- 為選自硼酸鹽陰離子、酚鹽陰離子及羧酸鹽陰離子中之相對陰離子)(一般式(E)中，R_E1 為碳數1~18之烷基、碳數2~18之烯基、碳數2~18之炔基、碳數6~14之芳基、硝基、羥基、氰基、-OR_E2 所表示之烷氧基、-NR_E3 R_E4 所表示之胺基、R_E5 CO-所表示之烷氧基、R_E6 COO-所表示之醯氧基、-SR_E7 所表示之烷硫基或芳硫基、或鹵原子，R_E2 、R_E5 、R_E6 及R_E7 為碳數1~8之烷基或碳數6~12之芳基，R_E3 及R_E4 為氫原子、碳數1~8之烷基或碳數6~12之芳基，m為0~9之整數，Y_E ⁺ 為下述式(E1)~(E4)之任一者所表示之四級銨基，Q_E 為氮原子或次甲基(-CH-)，t及u為2或3，w為0~2之整數，A_E 為氫原子、羥基或鹵原子，R_E8 ~R_E10 為碳數1~18之烷基、碳數2~18之烯基或碳數6~14之芳基，R_E1 與 CH₂ -Y_E ⁺ X_E ^- 亦可鍵結於相同之苯環，亦可鍵結於相異之苯環，X_E ^- 為選自硼酸鹽陰離子、酚鹽陰離子及羧酸鹽陰離子中之相對陰離子)(一般式(F)中，R_F1 、R_F2 、R_F4 及R_F5 各自獨立為氫原子或碳數1~6之烷基，R_F3 及Ar_F 各自獨立為碳數6~14之芳基，此等之芳基亦可具有取代基，此取代基為碳數1~18之烷基、碳數2~18之烯基、碳數2~18之炔基、碳數6~14之芳基、硝基、羥基、氰基、-OR_F6 所表示之烷氧基、-NR_F7 R_F8 所表示之胺基、R_F9 CO-所表示之烷氧基、R_F10 COO-所表示之醯氧基、-SR_F11 所表示之烷硫基或芳硫基、或鹵原子，此等之取代基能夠與芳基成為環構造，R_F6 、R_F9 、R_F10 及R_F11 各自獨立為碳數1~8之烷基或碳數6~12之芳基，R_F7 及R_F8 各自獨立為氫原子、碳數1~8之烷基或碳數6~12之芳基，Y_F ⁺ 為下述式(F1)或(F2)之任一者所表示之四級銨基)(一般式(G)中，R_G1 ~R_G5 各自獨立為氫原子、碳數1~18之烷基、碳數2~18之烯基、碳數2~18之炔基、碳數6~14之芳基、硝基、羥基、氰基、-OR_G6 所表示之烷氧基、 -NR_G7 R_G8 所表示之胺基、R_G9 CO-所表示之烷氧基、R_G10 COO-所表示之醯氧基、-SR_G11 所表示之烷硫基或芳硫基，烷基、烯基、炔基及芳基亦可具有取代基，此取代基與前述R_G1 ~R_G5 相同，此等之取代基能夠成為環構造，R_G6 、R_G9 、R_G10 及R_G11 各自獨立為碳數1~8之烷基或碳數6~12之芳基，R_G7 及R_G8 各自獨立為氫原子、碳數1~8之烷基或碳數6~12之芳基，Ar_G 基為碳數6~14之芳基，此等之芳基亦可具有取代基，此取代基與前述R_G1 ~R_G5 相同，此等之取代基能夠與芳基成為環構造，Y_G ⁺ 為下述式(G1)~ (G4)之任一者所表示之四級銨基，Q_G 為氮原子或次甲基(-CH-)，t及u為2或3，w為0~2之整數，A_G 為氫原子、羥基或鹵原子，R_G12 ~R_G14 為碳數1~18之烷基、碳數2~18之烯基或碳數6~14之芳基)(一般式(H)中，Ar_H1 為碳數6~12之芳基，且芳香環之氫原子中至少一個為經包含氧原子、硫原子、氮原子之取代基取代之基；Ar_H2 為碳數6~14之芳基，且芳基中氫原子之一部分亦可經碳數1~18之烷基、碳數2~18之烯基、碳數2~18之炔基、碳數6~14之芳基、硝基、羥基、氰基、-OR_H11 所表示之烷氧基、-NR_H12 R_H13 所表示之胺基、R_H14 CO-所表示之烷氧基、R_H15 COO-所表示之醯氧基、-SR_H16 所表示之烷硫基或芳硫基、或鹵原子取代；R_H1 及R_H2 各自獨立為氫原子、碳數1~18之烷基或碳數6~14之芳基，Ar_H1 、R_H1 、R_H2 亦可互相鍵結並形成環構造；R_H3 為碳數1~18烷基；n為1~4之整數，但n為4時，Ar_H1 為碳數6~12之芳基；R_H11 、R_H14 、R_H15 及R_H16 各自獨立為碳數1~8之烷基或碳數6~14之芳基；R_H12 及R_H13 各自獨立為氫原子、碳數1~8之烷基或碳數6~14之芳基；Y_H ⁺ 為下述一般式(H1)或(H2)之任一者所表示之四級銨基；式(H1)中，R_H4 ~R_H5 各自獨立為碳數1~18之烷基、碳數2~18之烯基或碳數6~14之芳基，且亦可互相鍵結並形成環構造；Q_H 為亞甲基(-CH₂ -)m、或上述一般式(H3)所表示之基；m為2或3之整數；式(H2)中，R_H6 ~R_H8 各自獨立為碳數1~18之烷基、碳數2~18之烯基或碳數6~14之芳基，且亦可互相鍵結並形成環構造；式(H3)中，R_H9 ~R_H10 各自獨立為氫原子、碳數1~18之烷基、碳數6~14之芳基，且亦可互相鍵結並形成環構造)(一般式(I)中，Y_I 選自-(CH₂ )m-基、脂環式基、伸芳基、 -(CH₂ )m-基與脂環式基鍵結者、-(CH₂ )m-基與伸芳基鍵結者，m為2~7之整數，R_I1 為芳香族基或取代烷基)。
2. 如請求項1之感光性樹脂組成物，其中，作為前述光鹼基產生劑，包含一般式(B)所表示之化合物。
3. 如請求項2之感光性樹脂組成物，其中，作為前述光鹼基產生劑，包含下述式所表示之化合物，。
4. 一種乾膜，其特徵為具有將如請求項1之感光性樹脂組成物塗布於薄膜並乾燥所得之樹脂層。
5. 一種硬化物，其特徵為將如請求項1~3中任1項之感光性樹脂組成物或如請求項4之乾膜之樹脂層硬化所得。
6. 一種半導體元件，其特徵為具有如請求項5之硬化物。
7. 一種印刷配線板，其特徵為具有如請求項5之硬化物。
8. 一種電子零件，其特徵為具有如請求項5之硬化物。