TW201912833A - Cvd沉膜偏移製程異常之量測與監控方法 - Google Patents

Abstract

本發明一種CVD沉膜偏移製程異常之量測與監控方法，其係於玻璃基板經CVD製程機台進行沉膜後，自CVD製程機台之進出口退出的過程中，由感應器感應觸發號，控制拍攝單元以單色燈源照射配合拍攝鏡頭拍攝該完成沉膜之玻璃基板的圖像，快速擷取玻璃基板上CVD沉膜與玻璃基板邊緣的視覺量測計算，並記錄至儲存單元，由斷判單元的軟體比對沉膜偏移距離，自動進行CVD沉膜偏移量測與監控，滿足即時並量化的監控機制。

Description

CVD沉膜偏移製程異常之量測與監控方法

本發明係有關於一種量測與監控方法，尤指一種CVD沉膜偏移製程異常之量測與監控方法。

現況TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體) CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沉積)製程皆是使用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，電漿增強化學氣相沉積)，CVD為高溫製程，且有大量化學氣體流入，玻璃基板亦會因為高溫形變，易使得玻璃基板位置位移造成破片，遮蔽框(Shadow Frame)可固定玻璃基板，避免位移發生破片。

是以TFT CVD沉膜製程需要藉由遮蔽框覆蓋玻璃，再進行通電沉膜動作，然而一旦機台真空內自動控制裝置定位(Robot Alignment)偏移，使得遮蔽框覆蓋玻璃不完全，便會造成玻璃在真空室(Chamber)內破片或製程中產生Mura(亮度不均勻造成各種痕跡)問題發生，目前產線做法是由人員以定時抽驗與目視方法進行監控，凸顯現況機台製程欠缺即時沉膜偏移監控機制，作為預防機台故障前或產品異常發生後的預測及監控方法，如此不僅浪費人力，無法達到即時監控，並且監控的效果不佳。

本發明人有鑑於習知CVD沉膜偏移製程異常，是由人員以定時抽驗與目視方法進行監控，具有上述缺點，是以乃思及創作的意念，經多方探討與試作樣品試驗，及多次修正改良後，終推出本發明。

本發明提供一種CVD沉膜偏移製程異常之量測與監控方法，其係將一量測與監控系統架設在一CVD製程機台外側，該CVD製程機台正面設有一出入口，該量測與監控系統包含：一拍攝單元、一儲存單元及一判定單元，該拍攝單元具有二單色燈源、至少一感應器及二拍攝鏡頭，該二單色燈源係朝下設置於該CVD製程機台之出入口上方兩側，該感應器係設置於該CVD製程機台之出入口周邊，該二拍攝鏡頭係朝上設置於該CVD製程機台之出入口下方兩側，該CVD沉膜偏移製程異常之量測與監控方法包含以下步驟：(1)玻璃基板由CVD製程機台之進出口放入進行通電沉膜製程，當玻璃基板經CVD製程機台進行沉膜後，由CVD製程機台之進出口退出時，由拍攝單元之感應器感應觸發信號；(2)於完成沉膜之玻璃基板退出CVD製程機台之進出口的過程中，控制拍攝單元之二單色燈源照射配合二拍攝鏡頭拍攝該完成沉膜之玻璃基板的圖像，快速擷取玻璃基板上CVD沉膜與玻璃基板邊緣的視覺量測計算；(3)擷取記錄玻璃基板帳料資訊與沉膜偏移量測數據至儲存單元；(4)由斷判單元的軟體比對上述量測數據，一旦沉膜偏移距離超出標準，即判定為不良品，交由產線人員進行後續處理，如沉膜偏移距離未超出標準，即判定為良品，輸送至下一流程進行後續作業。

本發明CVD沉膜偏移製程異常之量測與監控方法之主要目的，在於其每一片玻璃基板經CVD製程機台進行沉膜後，由CVD製程機台之進出口退出時，都可自動進行CVD沉膜偏移量測與監控，滿足即時並量化的監控機制，達到節省人力及全面性監控。

請參閱第一圖、第二圖、第三圖及第四圖，本發明CVD沉膜偏移製程異常之量測與監控方法，其係將一量測與監控系統10架設在一CVD製程機台20外側，該CVD製程機台20正面設有一出入口21，該CVD製程機台20作業時，係利用機械手臂夾取玻璃基板30由出入口21放入CVD製程機台20內，進行通電沉膜動作，完成沉膜後再由機械手臂夾取玻璃基板30由出入口21抽出CVD製程機台20，該量測與監控系統10包含：一拍攝單元11、一儲存單元12及一判定單元13，該拍攝單元11具有二單色燈源111、二感應器112及二拍攝鏡頭113，該二單色燈源111係朝下設置於該CVD製程機台20之出入口21上方兩側，該單色燈源111係採用紅、綠、藍(三原色光)其中一色，該感應器112係設置於該CVD製程機台20之出入口21周邊，該二拍攝鏡頭113係朝上設置於該CVD製程機台20之出入口21下方兩側，該二拍攝鏡頭113為光電耦合元件(CCD)。

本發明CVD沉膜偏移製程異常之量測與監控方法包含以下步驟：

(1)觸發信號步驟100，玻璃基板30由CVD製程機台20之進出口21放入進行通電沉膜製程，當玻璃基板30經CVD製程機台20進行沉膜後，由CVD製程機台20之進出口21退出時，由拍攝單元11之感應器感應112感應觸發信號。

(2)擷取圖像步驟200，於完成沉膜之玻璃基板30退出CVD製程機台20之進出口21的過程中，控制拍攝單元11之二單色燈源111照射配合二拍攝鏡頭113拍攝該完成沉膜之玻璃基板30四角落的圖像，快速擷取玻璃基板30上CVD沉膜與玻璃基板30邊緣的視覺量測計算。

(3)記錄步驟300，將擷取的玻璃基板30帳料資訊與沉膜偏移量測數據記錄至儲存單元12。

(4)比對步驟400，由斷判單元13的軟體比對上述量測數據，一旦沉膜偏移距離超出標準，即判定為不良品(NG)，交由產線人員進行後續處理，如沉膜偏移距離未超出標準，即判定為良品(OK)，輸送至下一流程進行後續作業。

由上述具體實施例之結構，可得到下述之效益：

本發明CVD沉膜偏移製程異常之量測與監控方法，其係於每一片玻璃基板30經CVD製程機台20進行沉膜後，由CVD製程機台20之進出口21退出時，利用拍攝圖像方式自動化方式進行CVD沉膜偏移量測與監控，滿足即時並量化的監控機制，達到節省人力及全面性監控的效果，大幅提升產品良率。

10‧‧‧量測與監控系統

11‧‧‧拍攝單元

111‧‧‧單色燈源

112‧‧‧感應器

113‧‧‧拍攝鏡頭

12‧‧‧儲存單元

13‧‧‧判定單元

20‧‧‧CVD製程機台

21‧‧‧出入口

30‧‧‧玻璃基板

100‧‧‧觸發信號步驟

200‧‧‧擷取圖像步驟

300‧‧‧記錄步驟

400‧‧‧比對步驟

第一圖係本發明的結構示意圖。 第二圖係本發明拍攝單元設置於CVD製程機台上之立體圖。 第三圖係本發明拍攝單元之拍攝動作示意圖。 第四圖係本發明之流程方塊圖。

Claims (4)

1. 一種CVD沉膜偏移製程異常之量測與監控方法，其係將一量測與監控系統架設在一CVD製程機台外側，該CVD製程機台正面設有一出入口，該量測與監控系統包含：一拍攝單元、一儲存單元及一判定單元，該拍攝單元具有二燈源、至少一感應器及二拍攝鏡頭，該二燈源係朝下設置於該CVD製程機台之出入口上方兩側，該感應器係設置於該CVD製程機台之出入口周邊，該二拍攝鏡頭係朝上設置於該CVD製程機台之出入口下方兩側，該CVD沉膜偏移製程異常之量測與監控方法包含以下步驟： (1)玻璃基板由CVD製程機台之進出口放入進行通電沉膜製程，當玻璃基板經CVD製程機台進行沉膜後，由CVD製程機台之進出口退出時，由拍攝單元之感應器感應觸發信號； (2)於完成沉膜之玻璃基板退出CVD製程機台之進出口的過程中，控制拍攝單元之二燈源照射配合二拍攝鏡頭拍攝該完成沉膜之玻璃基板的圖像，快速擷取玻璃基板上CVD沉膜與玻璃基板邊緣的視覺量測計算； (3)擷取記錄玻璃基板帳料資訊與沉膜偏移量測數據至儲存單元； (4)由斷判單元的軟體比對上述量測數據，一旦沉膜偏移距離超出標準，即判定為不良品，交由產線人員進行後續處理，如沉膜偏移距離未超出標準，即判定為良品，輸送至下一流程進行後續作業。
2. 如申請專利範圍第1項所述之CVD沉膜偏移製程異常之量測與監控方法，其中該燈源為單色燈源，該單色燈源係採用紅、綠、藍(三原色光)其中一色。
3. 如申請專利範圍第1項所述之CVD沉膜偏移製程異常之量測與監控方法，其中該拍攝鏡頭為光電耦合元件(CCD)。
4. 如申請專利範圍第1項所述之CVD沉膜偏移製程異常之量測與監控方法，其中該步驟(2)係拍攝該完成沉膜之玻璃基板四角落的圖像。