TW201903354A - 光源裝置以及具備該裝置的測距感測器 - Google Patents

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Abstract

光源裝置（10）具備照射雷射光的光源部（11）、聚光透鏡（12）、以及透光性螢光體（13）。聚光透鏡（12）對自光源部（11）照射的雷射光進行聚光。透光性螢光體（13）於內部設置有由聚光透鏡（12）聚光的雷射光的聚光點，且於雷射光透射的部分中發出螢光。

Description

光源裝置以及具備該裝置的測距感測器
本發明是有關於一種光源裝置以及具備該裝置的測距感測器。
近年來，使用的是將出射藍色雷射光的光源部、與被照射藍色雷射光而經激發並發出螢光的螢光體組合而成的光源裝置。 例如，專利文獻1中揭示了一種光源裝置，其為了實現光源裝置的小型化及高亮度化，使用由自多個半導體雷射出射並由聚光透鏡聚光的雷射光激發而發出波長各不相同的螢光光的多個螢光體，並以各半導體雷射的發光點與各螢光體經由聚光透鏡而成為彼此共軛關係的方式構成。 [現有技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2013-120735號公報 [專利文獻2]日本專利第5649202號公報 [專利文獻3]日本專利特開2007-148418號公報
然而，所述先前的光源裝置具有如以下所示的問題。 即，所述公報所揭示的光源裝置中，螢光體是混入至樹脂等黏合劑中而形成，因此，當自半導體雷射出射的雷射光照射至螢光體時，雷射光於螢光體的內部發生散射。因此，無法效率良好地導出螢光體中所發出的螢光，難以獲得亮度充分高的光源。 另外，所述專利文獻2中對使用了未使用樹脂等黏合劑的單晶的螢光體的光源裝置進行了記載。但，若對單晶的螢光體僅照射雷射光，則難以獲得經充分高亮度化的光源。 本發明的課題在於提供一種可獲得較先前亮度更高的光源的光源裝置以及具備該裝置的測距感測器。 [解決課題之手段] 第1發明的光源裝置具備照射雷射光的光源部、聚光透鏡、以及透光性螢光體。聚光透鏡對自光源部照射的雷射光進行聚光。透光性螢光體於內部設置有由聚光透鏡聚光的雷射光的聚光點，且於雷射光透射的部分中發出螢光。 此處，以聚光點位於透光性螢光體的內部的方式照射自光源部照射並由聚光透鏡聚光的雷射光，並使用透光性螢光體中被雷射光激發的螢光作為光源。 此處，作為所述光源部，例如可使用照射藍色雷射光的雷射二極體（Laser Diode，LD）等。另外，自光源部照射的雷射光並不限定於平行光，亦可為具有若干發散的光。 作為所述聚光透鏡，只要為具有可對透光性螢光體聚集雷射光的功能者即可，其形狀並無限制。 所述透光性螢光體例如為多面體或球等塊狀的螢光體，包括單晶螢光體、透光性陶瓷螢光體等。而且，所謂透光性，是經雷射光照射而於螢光體內部幾乎不存在雷射光的散射的特性（亦包括不存在散射的特性），且是指於螢光體的內部形成聚光點（spot）的程度的散射特性。另外，所謂透光性，是指於螢光體的內部中產生的螢光幾乎不存在散射的特性（包括不存在散射的特性）。 藉此，於透光性螢光體中的被照射由聚光透鏡聚光的雷射光的內部，沿雷射光的傳播方向而形成發出由雷射光激發的螢光的螢光光源部，並且藉由透光性螢光體的特性，可使雷射光幾乎不發生散射地導入至內部。 其結果，可效率良好地導出形成於透光性螢光體的螢光光源部中發出的螢光，因此可獲得較先前亮度更高的光源。 第2發明的光源裝置如第1發明的光源裝置所述，其中透光性螢光體於內部設置有由聚光透鏡聚光的雷射光的聚光點，雷射光以小於入射至透光性螢光體的表面時的光束直徑、及自透光性螢光體的表面出射時的光束直徑的任一者的光束直徑透射聚光點，並於雷射光透射的部分發出螢光。 此處，於透光性螢光體中，雷射光以小於入射至透光性螢光體的雷射光、及自透光性螢光體出射的雷射光各自的光束直徑的光束直徑通過聚光點，並於雷射光的透射部分中產生螢光。 因此，藉由將雷射光聚光至透光性螢光體的內部以提高每體積的能量密度，可獲得較先前亮度更高的光源。 第3發明的光源裝置如第1發明或第2發明的光源裝置所述，其中聚光點設置於距透光性螢光體的表面為500 μm以內的範圍。 此處，使雷射光聚光至距透光性螢光體的表面為500 μm以內的範圍。 藉此，於透光性螢光體中，在雷射光經聚光的部分形成被激發而發出螢光的螢光光源部。而且，自透光性螢光體的表面至內部500 μm的位置，雷射光幾乎不會發生散射地照射，因此，可效率良好地自所期望的方向導出所發出的螢光。 第4發明的光源裝置如第1發明或第2發明的光源裝置所述，其中聚光點設置於距透光性螢光體的表面為160 μm以內的範圍。 此處，作為更佳的範圍，使雷射光聚光至距透光性螢光體的表面為160 μm以內的範圍。 藉此，於透光性螢光體中，在雷射光經聚光的部分形成被激發而發出螢光的螢光光源部。而且，自透光性螢光體的表面至內部160 μm的位置，雷射光幾乎不會發生散射地照射，因此，可效率良好地自所期望的方向導出所發出的螢光。 第5發明的光源裝置如第1發明至第4發明中任一發明的光源裝置所述，其中透光性螢光體為單晶螢光體。 此處，作為透光性螢光體而使用了單晶螢光體。 藉此，與先前的包含樹脂等黏合劑的螢光體相比，由聚光透鏡聚光的雷射光於內部幾乎不發生散射地傳播，因此可效率良好地發出螢光。藉此，可獲得較先前亮度更高的光源。 第6發明的光源裝置如第1發明至第4發明中任一發明的光源裝置所述，其中透光性螢光體具有球、橢圓體或多面體的形狀。 此處，作為透光性螢光體而使用了球形狀、橢圓體形狀或多面體形狀的螢光體。 藉此，於球形狀等的透光性螢光體中的雷射光經聚光的部分中，可沿雷射傳播方向形成由雷射光激發而發出螢光的螢光光源部。而且，自透光性螢光體的表面至內部，雷射光幾乎不會發生散射地照射，因此，可效率良好地自所期望的方向導出所發出的螢光。 第7發明的光源裝置如第1發明至第6發明中任一發明的光源裝置所述，其更具備導入用透鏡，所述導入用透鏡至少對透光性螢光體中所發出的螢光進行聚光。 此處，設置有導入用透鏡，所述導入用透鏡導出透光性螢光體的內部中的雷射光所照射的部分（螢光光源部）中發出的螢光。 藉此，透光性螢光體中發出的螢光自透光性螢光體中的導入用透鏡的方向被導出向外部。 藉此，可獲得較先前亮度更高的光源。 第8發明的光源裝置如第7發明的光源裝置所述，其更具備光纖，所述光纖於第1端面處被照射導入用透鏡中所聚光的螢光，並且自與第1端面為相反側的第2端面出射螢光。 此處，於導出透光性螢光體的內部中發出的螢光的導入用透鏡的下游側，配置有將自導入用透鏡入射的螢光自入射側（第1端面）的相反側（第2端面）出射的光纖。 藉此，可自光纖的第1端面導入螢光，且自第2端面出射高亮度的光。 第9發明的光源裝置如第8發明的光源裝置所述，其中相對於單一的透光性螢光體，設置有多個包括導入用透鏡及光纖的螢光導入系統。 此處，相對於單一的透光性螢光體，配置有多個螢光導入系統（導入用透鏡及光纖）。 藉此，可將透光性螢光體中發出的高亮度的螢光導入至多個螢光導入系統中而分別用作高亮度的光源。 第10發明的光源裝置如第7發明或第8發明中任一發明的光源裝置所述，其中導入用透鏡以透鏡的中心軸相對於自光源部照射並由聚光透鏡聚光的雷射光的雷射傳播的中心軸而成為同軸的方式配置。 此處，導入用透鏡以如下方式配置：使透鏡的中心軸、與透光性螢光體的內部中的雷射光的雷射傳播的中心軸一致。 藉此，使導入用透鏡的中心軸對準形成於透光性螢光體的內部的螢光發光部分（螢光光源部）的中心軸而配置，因此，可效率良好地導出透光性螢光體中發出的螢光。藉此，可獲得較先前亮度更高的光源。 另外，使導入用透鏡的中心軸對準形成於透光性螢光體的內部的螢光發光部分（螢光光源部）的中心軸而配置，因此，可將光源部的下游側所配置的光學系統（聚光透鏡、導入用透鏡）配置於直線上。藉此，可容易地進行光軸調整，並且可使光學系統小型化。 第11發明的光源裝置如第8發明或第9發明的光源裝置所述，其中導入用透鏡的透鏡中心軸相對於聚光透鏡的透鏡中心軸傾斜地配置。 此處，以導入用透鏡的中心軸相對於聚光透鏡的透鏡中心軸而傾斜（非同軸）的方式配置。 藉此，可防止照射至透光性螢光體的雷射光中的、於透光性螢光體中未被吸收而透射的雷射光入射至導入用透鏡。 藉此，可降低自光源裝置出射的光中所含雷射光的能量，因此可獲得確保了雷射製品的安全基準的高亮度的光源。 第12發明的光源裝置如第8發明的光源裝置所述，其中包括導入用透鏡及光纖的多個螢光導入系統以導入用透鏡位於以透光性螢光體為中心的一個球面上的方式配置。 此處，相對於單一的透光性螢光體，多個螢光導入系統（導入用透鏡及光纖）配置於以透光性螢光體為中心的共同的球面上。 藉此，可將透光性螢光體中發出的高亮度的螢光導入至距透光性螢光體等距離地配置的多個螢光導入系統而分別用作高亮度的光源。 第13發明的光源裝置如第1發明至第12發明中任一發明的光源裝置所述，其中相對於單一的透光性螢光體而設置有多個包括光源部及聚光透鏡的雷射聚光系統。 此處，相對於單一的透光性螢光體，配置有多個雷射聚光系統（光源部及聚光透鏡）。 藉此，可將對透光性螢光體自多個部位照射雷射光而激發的高亮度的螢光用作光源。 第14發明的光源裝置如第13發明的光源裝置所述，其中多個雷射聚光系統以聚光透鏡位於以透光性螢光體為中心的一個球面上的方式配置。 此處，相對於單一的透光性螢光體，多個雷射聚光系統（光源部及聚光透鏡）配置於以透光性螢光體為中心的共同的球面上。 藉此，相對於透光性螢光體，可自距透光性螢光體等距離地配置的多個雷射聚光系統照射雷射光而導出高亮度的螢光以用作光源。 第15發明的光源裝置如第1發明至第14發明中任一發明的光源裝置所述，其中透光性螢光體具有使雷射光透射並使螢光反射的第1面、以及使雷射光反射並使螢光透射的第2面。 此處，於透光性螢光體中設置有使雷射光透射並使螢光反射的面（第1面）、以及使雷射光反射並使螢光透射的面（第2面）。 此處，所述第1面及第2面分別可使用例如藉由蒸鍍或濺射等而成膜於透光性螢光體的雷射透射/螢光反射膜、雷射反射/螢光透射膜等。 因此，藉由在透光性螢光體中的供雷射光入射的部分配置第1面，可於第1面中使對透光性螢光體照射的雷射光透射，並且將由雷射光激發的螢光向出射側反射。 而且，藉由在供由雷射光激發的螢光出射的部分配置第2面，可將對透光性螢光體照射的雷射光中的未被透光性螢光體吸收而透射的雷射光反射而返回至透光性螢光體的內部，並且可將由雷射光激發的螢光透射而加以出射。 第16發明的光源裝置如第1發明至第15發明中任一發明的光源裝置所述，其更具備凹面鏡，所述凹面鏡配置於透光性螢光體的入射面側，使自光源部照射的雷射光透射，並且將透光性螢光體中所發出的螢光中的、發出至入射面側的螢光向透光性螢光體側反射。 此處，於透光性螢光體的入射面側、即聚光透鏡與透光性螢光體之間，配置有使雷射光透射並反射螢光的凹面鏡。 此處，所述凹面鏡中可使用二向色反射鏡（dichroic mirror）。 藉此，可使由聚光透鏡聚光的雷射光透射而照射至透光性螢光體，並且可藉由凹面鏡將透光性螢光體中發出的螢光中的、放射至透光性螢光體的入射面側的螢光向螢光的發光位置方向反射。 其結果，藉由凹面鏡，可效率良好地導出透光性螢光體中發出的螢光，因此可獲得進一步經高亮度化的光源。 第17發明的光源裝置如第1發明至第15發明中任一發明的光源裝置所述，其更具備凹面鏡，所述凹面鏡配置於透光性螢光體的出射面側，將自光源部照射並通過透光性螢光體的雷射光反射，並且使透光性螢光體中所發出的螢光中的、發出至出射面側的螢光透射。 此處，於透光性螢光體的出射面側配置有反射雷射光並使螢光透射的凹面鏡。 此處，所述凹面鏡中可使用二向色反射鏡、或具有使螢光通過的開口的穿孔反射鏡等。 藉此，可使透光性螢光體中發出的螢光透射，並且可藉由凹面鏡將由聚光透鏡聚光並透射過透光性螢光體的雷射光向螢光的發光位置方向反射。 其結果，藉由凹面鏡，將透射過透光性螢光體的雷射光再次向透光性螢光體側反射，藉此可效率良好地導出螢光，因此可獲得進一步經高亮度化的光源。 第18發明的光源裝置如第16發明或第17發明的光源裝置所述，其中凹面鏡為二向色反射鏡、或具有開口部的穿孔反射鏡。 此處，作為凹面鏡而使用了二向色反射鏡或具有開口部的穿孔反射鏡。 藉此，於設置於透光性螢光體中的雷射光的入射面側的凹面鏡中，可使雷射光透射，並且可將在透光性螢光體中發光並放射至入射面側的螢光向透光性螢光體中的發光位置方向反射。 或者，於設置於透光性螢光體中的出射面側的凹面鏡中，可使透光性螢光體中發出的螢光透射，並且可將透射過透光性螢光體的雷射光向透光性螢光體中的發光位置方向反射。 其結果，可獲得進一步經高亮度化的光源。 第19發明的光源裝置如第1發明的光源裝置所述，其中透光性螢光體具有球狀的形狀。 此處，作為透光性螢光體而使用了球狀的螢光體。 藉此，於球狀的透光性螢光體中的雷射光所聚光的部分中，可沿雷射傳播方向形成由雷射光激發而發出螢光的螢光光源部。而且，自透光性螢光體的表面至內部，雷射光幾乎不發生散射地照射，因此，可效率良好地自所期望的方向導出所發出的螢光。 第20發明的光源裝置如第19發明的光源裝置所述，其中透光性螢光體具有導入自光源部照射並由聚光透鏡聚光的雷射光的第1開口部、以及導出藉由雷射光而於透光性螢光體中發出的螢光的第2開口部。 此處，於球狀的透光性螢光體中設置第1開口部、第2開口部，自第1開口部導入由聚光透鏡聚光的雷射光，並且自第2開口部導出透光性螢光體中所激發的螢光。 藉此，可使用具有導入雷射光的第1開口部以及導出螢光的第2開口部的透光性螢光體而導出高亮度的光。 第21發明的光源裝置如第19發明或第20發明的光源裝置所述，其中包括光源部以及聚光透鏡的雷射聚光系統以使雷射光聚光至球狀的透光性螢光體的中心部分的方式配置。 此處，使雷射光聚光至球狀的透光性螢光體中的中心部分。 藉此，可於球狀的透光性螢光體的中心部分形成發出螢光的螢光光源部，並自螢光光源部朝向所有方位出射螢光。 第22發明的光源裝置如第19發明至第21發明中任一發明的光源裝置所述，其中於以透光性螢光體為中心的一個球面上，配置有多個包括光源部及聚光透鏡的雷射聚光系統。 此處，相對於單一的球狀的透光性螢光體，於以透光性螢光體為中心的共同的球面上配置有多個雷射聚光系統（光源部及聚光透鏡）。 藉此，相對於球狀的透光性螢光體，可自距透光性螢光體等距離地配置的多個雷射聚光系統照射雷射光而導出高亮度的螢光以用作光源。 第23發明的光源裝置如第19發明至第22發明中任一發明的光源裝置所述，其更具備：導入用透鏡，對透光性螢光體中所發出的螢光進行聚光；以及光纖，所述光纖於第1端面處被照射導入用透鏡中所聚光的螢光，並且自與第1端面為相反側的第2端面出射螢光。 此處，於透光性螢光體的下游側配置有導入用透鏡以及光纖，所述導入用透鏡導出透光性螢光體的內部中的雷射光所照射的部分（螢光光源部）中發出的螢光，所述光纖將自導入用透鏡入射的螢光自入射側（第1端面）的相反側（第2端面）出射。 藉此，透光性螢光體中發出的螢光自透光性螢光體中的導入用透鏡的方向被導出向外部。而且，可自光纖的第1端面導入由導入用透鏡聚光的螢光，且自第2端面出射高亮度的光。 第24發明的光源裝置如第23發明的光源裝置所述，其中於以透光性螢光體為中心的一個球面上，配置有多個包括導入用透鏡及光纖的螢光導入系統。 此處，相對於單一的球狀的透光性螢光體，於以透光性螢光體為中心的共同的球面上配置有多個螢光導入系統（導入用透鏡及光纖）。 藉此，可將球狀的透光性螢光體中發出的高亮度的螢光導入至距透光性螢光體等距離地配置的多個螢光導入系統而分別用作高亮度的光源。 第25發明的光源裝置如第23發明或第24發明的光源裝置所述，其中導入用透鏡以透鏡的中心軸與自光源部照射並由聚光透鏡聚光的雷射光的光軸成為同軸的方式配置。 此處，螢光導入系統中所含的導入用透鏡以如下方式配置：使透鏡的中心軸、與透光性螢光體的內部中的雷射光的雷射傳播的中心軸一致。 藉此，使導入用透鏡的中心軸對準形成於球狀的透光性螢光體的內部的螢光發光部分（螢光光源部）的中心軸而配置，因此，可效率良好地導出透光性螢光體中發出的螢光。藉此，可獲得較先前亮度更高的光源。 另外，使導入用透鏡的中心軸對準形成於球狀的透光性螢光體的內部的螢光發光部分（螢光光源部）的中心軸而配置，因此，可將光源部的下游側所配置的光學系統（聚光透鏡、導入用透鏡等）配置於直線上。藉此，可容易地進行光軸調整，並且可使光學系統小型化。 第26發明的光源裝置如第23發明或第24發明的光源裝置所述，其中導入用透鏡的透鏡中心軸相對於聚光透鏡的透鏡中心軸傾斜地配置。 此處，以導入用透鏡的中心軸相對於聚光透鏡的透鏡中心軸而傾斜（非同軸）的方式配置。 藉此，可防止照射至透光性螢光體的雷射光中的、於透光性螢光體中未被吸收而透射的雷射光入射至導入用透鏡。 藉此，於導入用透鏡中僅導入透光性螢光體中的由雷射光激發的螢光，因此可獲得較先前亮度更高的光源。 第27發明的光源裝置具備照射雷射光的光源部、聚光透鏡、透光性螢光體、反射膜、第1開口部以及第2開口部。聚光透鏡對自光源部照射的雷射光進行聚光。透光性螢光體於雷射光透射的部分中發出螢光。反射膜設置於透光性螢光體的表面的至少一部分，對雷射光或螢光進行反射。第1開口部形成於反射膜中的雷射光的入射側的一部分，使雷射光入射。第2開口部形成於反射膜中的螢光的出射側的一部分，使螢光出射。 此處，對透光性螢光體照射自光源部照射並由聚光透鏡聚光的雷射光，以將透光性螢光體中由雷射光激發的螢光用作光源，並且於透光性螢光體的表面的至少一部分設置有反射膜。而且，於透光性螢光體中設置第1開口部、第2開口部，自第1開口部導入由聚光透鏡聚光的雷射光，並且自第2開口部導出透光性螢光體中所激發的螢光。 藉此，可經由第1開口部向透光性螢光體的內部導入雷射光，並且將導入至透光性螢光體的雷射光、或自透光性螢光體中的雷射光的通過部分發出的螢光向所期望的方向反射，並經由第2開口部導出螢光。 其結果，可效率良好地導出形成於透光性螢光體的螢光光源部中發出的螢光，因此可獲得較先前亮度更高的光源。 第28發明的測距感測器具備第1發明至第27發明中任一發明的光源裝置、接收自光源裝置照射的光的反射光的光接收部、以及基於光接收部中所接收的光的量而測定距對象物的距離的測定部。 此處，使用所述光源裝置構成了測距感測器。 藉此，可使用較先前經高亮度化的光源，因此能夠獲得可延長測定距離、可提高響應速度等效果。 第29發明的測距感測器如第28發明的測距感測器所述，其更具有供光源裝置輸出的包含多個波長的光通過的色像差焦點透鏡。光接收部經由色像差焦點透鏡而接收照射至對象物的包含多個波長的光的反射光。測定部基於光接收部中的光接收量成為最大的反射光的波長，測定距對象物的距離。 此處，構成了如下的共焦點式的測距感測器：使用色像差焦點透鏡，按照波長（按照顏色）對包含多個波長的光進行分離，並對各波長的光的峰值進行檢測，藉此測定距對象物的距離。 藉此，如上所述般使用照射較先前經高亮度化的光的光源裝置構成了測距感測器，因此可獲得高性能的共焦點式的測距感測器。 [發明的效果] 根據本發明的光源裝置，可獲得較先前亮度更高的光源。
（實施方式1） 使用圖1～圖4、圖31及圖32，如以下般對本發明的一實施方式的光源裝置10以及具備該光源裝置10的共焦點測量裝置（測距感測器）50進行說明。 （共焦點測量裝置50） 如圖1所示，搭載有本實施方式的光源裝置10的共焦點測量裝置50為利用共焦點光學系統對測量對象物T的位移進行測量的測量裝置。藉由共焦點測量裝置50進行測量的測量對象物T中例如存在有液晶顯示面板的單元間隙等。 如圖1所示，共焦點測量裝置50具備：頭部51，具有共焦點的光學系統；控制器部53，經由光纖52而光學性地連接；監視器54，顯示自控制器部53輸出的訊號。 頭部51於筒狀的框體部內具有繞射透鏡（色像差焦點透鏡）51a、配置於較繞射透鏡51a更靠測量對象物T側的物鏡51b、以及設置於光纖52與繞射透鏡51a之間的聚光透鏡51c。 繞射透鏡51a使自後述的出射多個波長的光的光源（例如，白色光源）出射的光沿光軸方向產生色像差。繞射透鏡51a於透鏡的表面週期性地形成有例如開諾全息（Kinoform）形狀或二元（binary）形狀（台階形狀、階梯形狀）等微細的起伏形狀。再者，繞射透鏡51a的形狀並不限定於所述構成。 物鏡51b將於繞射透鏡51a中產生了色像差的光聚光至測量對象物T。 聚光透鏡51c設置於光纖52與繞射透鏡51a之間，以使光纖52的數值孔徑與繞射透鏡51a的數值孔徑一致。 其原因在於：自光源出射的光經由光纖52而被引導至頭部51中，為了藉由繞射透鏡51a有效地利用自光纖52出射的光，需要使光纖52的數值孔徑（NA：numerical aperture）與繞射透鏡51a的數值孔徑一致。 光纖52為自頭部51至控制器部53的光路，並且亦作為針孔（pinhole）發揮功能。即，經物鏡51b聚光的光中，於測量對象物T處聚焦的光於光纖52的開口部處聚焦。因此，光纖52作為將不於測量對象物T處聚焦的波長的光遮擋，且使於測量對象物T處聚焦的光通過的針孔發揮功能。 共焦點測量裝置50亦可為於自頭部51至控制器部53的光路中不使用光纖52的構成，但藉由於所述光路中使用光纖52，可使頭部51相對於控制器部53可撓性地移動。另外，共焦點測量裝置50在為自頭部51至控制器部53的光路中不使用光纖52的構成的情況下，需要具備針孔，但在為使用光纖52的構成的情況下，共焦點測量裝置50無需具備針孔。 控制器部53於內部搭載有作為光源的光源裝置10、分支光纖56、分光器57、攝像元件（光接收部）58、控制電路部（測定部）59。再者，關於光源裝置10的詳細構成，將於之後的段落中進行詳述。 分支光纖56在與形成自頭部51至控制器部53的光路的光纖52的連接側具有一根光纖55a，且在該連接側的相反側具有兩根光纖15、光纖55b。再者，光纖15構成後述的光源裝置10的一部分。光纖55b連接於分光器57，以自端面導入由分光器57聚光的光。 因此，分支光纖56將自光源裝置10出射的光引導至光纖52，並自頭部51對測量對象物T進行照射。進而，分支光纖56經由光纖52及頭部51而將測量對象物T的表面反射的光引導至分光器57。 分光器57具有：凹面反射鏡57a，對經由頭部51而返回的反射光進行反射；繞射光柵57b，供經凹面反射鏡57a反射的光入射；以及聚光透鏡57c，對自繞射光柵57b出射的光進行聚光。再者，分光器57只要可對經由頭部51而返回的反射光按照波長進行區分，則可為車爾尼-特納（Czerny-Turner）型、利特羅（Littrow）型等任意的構成。 攝像元件58為對自分光器57出射的光的強度進行測定的線路互補金屬氧化物半導體（Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS）或電荷耦合元件（Charge Coupled Device，CCD）。此處，於共焦點測量裝置50中，藉由分光器57及攝像元件58構成測定部，所述測定部對經由頭部51而返回的反射光的強度按照波長進行測定。 再者，測定部只要可對自頭部51返回的光的強度按照波長進行測定，則亦可藉由CCD等攝像元件58的單體而構成。另外，攝像元件58亦可為二維的CMOS或二維的CCD。 控制電路部59對光源裝置10或攝像元件58等的動作進行控制。另外，雖未圖示，但控制電路部59具有輸入接口、輸出接口等，所述輸入接口輸入用以對光源裝置10或攝像元件58等的動作進行調整的訊號，所述輸出接口輸出攝像元件58的訊號。 監視器54顯示攝像元件58所輸出的訊號。例如，監視器54描繪自頭部51返回的光的光譜波形，並顯示測量對象物的位移。 於本實施方式的共焦點測量裝置50中，藉由搭載有以下的光源裝置10，可獲得高亮度的光源。 藉此，作為測量裝置，能夠獲得可延長測定距離、可提高響應性等效果。 再者，關於光源裝置10的構成，於以下進行詳細說明。 （光源裝置10） 本實施方式的光源裝置10作為所述共焦點測量裝置50的光源而搭載，如圖2所示，具備光源部11、聚光透鏡12、透光性螢光體13、導入用透鏡14、以及光纖15。 光源部11例如為出射峰值波長為450 nm左右的雷射光的半導體雷射，且向聚光透鏡12的方向照射雷射光來作為用以使透光性螢光體13中發出螢光的激發光。 聚光透鏡12為入射面及出射面均為凸狀的透鏡，且將自光源部照射的雷射光聚光至透光性螢光體13的內部。詳細而言，聚光透鏡12於距透光性螢光體13的入射面13a為500 μm以內的距離中對雷射光進行聚光。 再者，關於由聚光透鏡12聚光的雷射光的聚光點X的位置（距入射側表面的深度），將於之後的段落中進行詳述。 透光性螢光體13例如為摻雜有Ce離子的釔鋁石榴石（yttrium aluminum garnet，YAG）的單晶螢光體，且如圖2所示，具有板狀的形狀。另外，透光性螢光體13具有分別沿垂直於雷射傳播方向的面配置的入射面13a以及出射面13b。而且，透光性螢光體13於自光源部11照射並由聚光透鏡12聚光的雷射光所照射的部分中，如圖2所示般朝向所有方位發出具有480 nm～750 nm的範圍的波長的螢光。 而且，如圖3所示，於透光性螢光體13中，在雷射光所照射的部分，沿雷射光的傳播方向而形成長的大致筒狀的螢光光源部20。 螢光光源部20形成於雷射光在透光性螢光體13的內部通過的部分，如圖3及圖4所示，在雷射傳播方向上具有長的大致筒狀的形狀。 而且，螢光光源部20於各部中朝向所有方位發出螢光，因此可視作形成於透光性螢光體13的內部的光源。具體而言，如圖4所示，螢光光源部20於沿著雷射光的傳播方向的長邊方向中的中央部分具有剖面圓的半徑變小的徑縮小部，從而具有朝向兩端而剖面圓的半徑變大的大致圓筒狀的形狀。 即，螢光光源部20以雷射光的聚光點X位於徑縮小部剖面20b的方式形成。而且，螢光光源部20形成為：與雷射光的擴散對應地，入射側剖面20a及出射側剖面20c的剖面積變得大於徑縮小部剖面20b。 例如，螢光光源部20於雷射光的入射側的端面（入射側剖面20a）、大致筒狀的中央部分的徑縮小部（徑縮小部剖面20b）、雷射光的出射側的端面（出射側剖面20c）中，分別朝向所有方位發出螢光。 藉此，於螢光光源部20發出的螢光中，由導入用透鏡14聚光至光纖15的端面（第1面）的螢光的光量成為如下光量：於導入用透鏡14的透鏡中心軸A2方向上延伸的光纖15的景深內所存在的螢光光源部20射出的螢光中，由導入用透鏡14導入的光量。 再者，所謂景深，是指於被攝物側（物面側），在使用透鏡進行了對焦的位置的前後視作實用上已對焦的範圍。另外，所謂焦點深度，是將景深置換成膜側（像面側）者。即，處於景深中者均可以對焦的方式拍攝。 另外，將景深中的對焦位置的後側稱為後方景深，將對焦位置的前側稱為前方景深。 導入用透鏡14與聚光透鏡12同樣地為入射面及出射面均為凸狀的透鏡，且配置於透光性螢光體13中的雷射光傳播方向上的下游側。而且，導入用透鏡14將於透光性螢光體13的內部（螢光光源部20）發出的螢光聚光至光纖15的端面。 另外，如圖3所示，導入用透鏡14以透鏡中心軸A2與透光性螢光體13的內部中的雷射光傳播的中心軸A1成為同軸（同一直線上）的方式配置。如此般，藉由以雷射傳播的中心軸A1與導入用透鏡14的透鏡中心軸A2成為同軸的方式配置，可使螢光光源部20中發出的螢光效率良好地自第1面15a向光纖15內入射。 光纖15為構成所述共焦點測量裝置50的分支光纖56的一根光纖，且於內部形成自共焦點測量裝置50的頭部51照射的光的光路。 另外，如圖3所示，光纖15具有供由導入用透鏡14聚光的螢光入射的端面（第1面15a）、以及所述端面相反側的出射側的端面（第2面15b）。 藉此，光纖15可使自第1面15a入射的光自第2面15b出射。 於本實施方式的光源裝置10中，藉由如上所述的構成，如圖2所示，藉由聚光透鏡12，將自光源部11照射的激發用的雷射光聚光至透光性螢光體13的內部。而且，如圖3所示，藉由導入用透鏡14，將透光性螢光體13的內部中的雷射光的聚光部分所產生的螢光聚光至光纖15的第1面15a。 此處，於本實施方式的光源裝置10中，如上所述般對單晶的螢光體（透光性螢光體13）的內部照射由聚光透鏡12聚光的雷射光。 此時，雷射光若入射至單晶的螢光體（透光性螢光體13），則於螢光體內，光幾乎不會發生擴散地一邊激發螢光一邊透射螢光體內部。 即，於本實施方式的光源裝置10中，使用的是幾乎不使入射至內部的雷射光散射的單晶螢光體（透光性螢光體）。因此，與先前的使用樹脂等黏合劑而加固的螢光體相比，可效率良好地導出藉由入射至內部的雷射光而發出的螢光，因此，可獲得較先前亮度更高的光源。 ＜關於聚光點X的位置（深度）＞ 於本實施方式中，藉由聚光透鏡12而形成於透光性螢光體13的內部的雷射光的聚光點X形成於距透光性螢光體13的入射側的表面為500 μm以內，更佳為160 μm以內。 此處，成為最大光量的聚光點X由以下決定：由光源部11及聚光透鏡12決定的雷射NA、距透光性螢光體13的供雷射入射的表面的距離、以及透光性螢光體13的吸收係數。 圖31中示出針對透光性螢光體13的吸收係數而表示透光性螢光體13的內部所形成的聚光點X距螢光體表面的距離（深度）與螢光體內部中的放射亮度之間的關係的曲線圖。 再者，於圖31所示的曲線圖中，示出了將焦點位置半徑（光束腰（beam waist）光束半徑）設為20 μm、將雷射NA（數值孔徑（Numerical Aperture））設為0.06的情況下的聚光點X距螢光體表面的距離與螢光體內部的放射亮度之間的關係。 具體而言，圖31所示的曲線圖針對透光性螢光體13的吸收係數20、40、80、160而示出了螢光體內放射亮度相對於聚光點X的深度（距螢光體表面的距離）的變化。 另外，於圖31所示的曲線圖中，針對各吸收係數而繪製當自螢光體表面至聚光點X的距離為0 μm即聚光點X處於表面時，將螢光體內的反射亮度設為1.00（W/sr/m3 ）的情況下的相對放射亮度。而且，以數值範圍的形式規定成為大於1.00（W/sr/m3 ）的放射亮度的聚光點X的深度。 例如，於透光性螢光體13的吸收係數為20的情況下，如圖31的曲線圖所示，距螢光體表面的聚光點X的距離（深度）為0 μm～500 μm的範圍成為大於1.00（W/sr/m3 ）的放射亮度。另一方面，若距螢光體表面的聚光點X的距離（深度）超過500 μm，則成為小於1.00（W/sr/m3 ）的亮度。因此，於透光性螢光體13的吸收係數為20的情況下，若為500 μm以內則可獲得高亮度的光源。 繼而，於透光性螢光體13的吸收係數為40的情況下，如圖31的曲線圖所示，距螢光體表面的聚光點X的距離（深度）為0 μm～300 μm的範圍成為大於1.00（W/sr/m3 ）的放射亮度。另一方面，若距螢光體表面的聚光點X的距離（深度）超過300 μm，則成為小於1.00（W/sr/m3 ）的亮度。因此，於透光性螢光體13的吸收係數為40的情況下，若為300 μm以內則可獲得高亮度的光源。 繼而，於透光性螢光體13的吸收係數為80的情況下，如圖31的曲線圖所示，距螢光體表面的聚光點X的距離（深度）為0 μm～160 μm的範圍成為大於1.00（W/sr/m3 ）的放射亮度。另一方面，若距螢光體表面的聚光點X的距離（深度）超過160 μm，則成為小於1.00（W/sr/m3 ）的亮度。因此，於透光性螢光體13的吸收係數為80的情況下，若為160 μm以內則可獲得高亮度的光源。 繼而，於透光性螢光體13的吸收係數為160的情況下，如圖31的曲線圖所示，距螢光體表面的聚光點X的距離（深度）為0 μm～80 μm的範圍成為大於1.00（W/sr/m3 ）的放射亮度。另一方面，若距螢光體表面的聚光點X的距離（深度）超過80 μm，則成為小於1.00（W/sr/m3 ）的亮度。因此，於透光性螢光體13的吸收係數為160的情況下，若為80 μm以內則可獲得高亮度的光源。 如以上所述，為了獲得經高亮度化的光源，距螢光體表面的聚光點X的距離（深度）較佳為500 μm以下。 另外，作為更佳的範圍，於吸收係數為80的情況下，為了獲得高亮度化的光源，較佳為距高亮度化的螢光體表面的聚光點X的距離（深度）為160 μm以下。 再者，圖31所示的曲線圖是藉由以下的數1的式子而推導出。 [數1]即，數1的式子為如圖32所示般使用轉換效率A、透光性螢光體13的吸收係數α、LD功率ILD 、剖面積S(x'-x) 、透光性螢光體13的厚度t、自表面至透光性螢光體13內的聚光點X的距離x、自表面至測量位置的距離x'、聚光位置中的雷射半徑rBW 來表示每單位面積的放射亮度L(x) 的關係式。 再者，於所述數1的式子中，剖面積S(x'-x) 藉由以下的數2的關係式來表示。 [數2]此處，剖面積近似為自聚光位置起以雷射NA（0.06）發散者，並將θ設為雷射光進出透光性螢光體的內部時的最大錐角的一半。另外，於聚光位置中具有有限的面積SBW ，將其半徑設為rBW 。於光學系統中，不可超過繞射界限地縮小地會聚，因此將有效的面積設為變數。 再者，透光性螢光體13的吸收係數α使用以下的數3的關係式來表示。 即，當將入射至透光性螢光體13之前的光的強度設為I0 時，根據朗伯比爾（Lambert-Beer）定律，入射後的光的強度I 使用吸收係數α而藉由以下的式子來表示。 [數3]此處，x為媒質的距離。 可獲得經高亮度化的光源的I 的範圍為0.2≦I ≦1。 （實施方式2） 使用圖5至圖7，如以下般對本發明的實施方式2的光源裝置進行說明。 本實施方式的光源裝置110與所述實施方式1的不同之處在於：如圖5所示，於透光性螢光體113與導入用透鏡14之間設置有凹面鏡116。 再者，關於光源裝置110的其他構成，因與所述實施方式1的光源裝置10相同，故此處標註相同的符號，並省略關於其構成的詳細說明。 如圖5所示，本實施方式的光源裝置110具備：光源部11、聚光透鏡12、透光性螢光體113、凹面鏡116、導入用透鏡14、以及光纖15。 透光性螢光體113例如為摻雜有Ce離子的YAG的單晶螢光體，且具有板狀的形狀。 凹面鏡116配置於透光性螢光體113與導入用透鏡14之間，於透光性螢光體113側的入射面具有凹狀的反射面。而且，凹面鏡116具有使透光性螢光體113中所激發的螢光透射，並且將透射過透光性螢光體113的雷射光反射的特性。 藉此，可將自形成於透光性螢光體113的內部的螢光光源部120朝向所有方位射出的螢光中的、射出至導入用透鏡14側的螢光導入至導入用透鏡14中而不會被凹面鏡116遮擋。 進而，如圖6所示，可藉由凹面鏡116將透光性螢光體113中未被吸收而透射的雷射光反射而返回至透光性螢光體113側。 其結果，於透光性螢光體113中，可導入較所述實施方式1中所照射的雷射光更多的激發光以激發螢光，因此可獲得較先前進一步經高亮度化的光源。 另外，使透光性螢光體113較所述實施方式1的透光性螢光體13薄，藉此可增多在透射過透光性螢光體113後由凹面鏡116反射而再次照射至透光性螢光體113的雷射光，可獲得進一步經高亮度化的光源。 進而，如圖6所示，凹面鏡116以凹狀的曲面的中心出現於螢光光源部120的中心軸A1的方式配置。 藉此，可使所反射的雷射光再次向發出螢光的部分（螢光光源部120）的位置聚光。 其結果，於透光性螢光體113中，可導入較所述實施方式1中所照射的雷射光更多的激發光以激發螢光，因此可獲得較先前進一步經高亮度化的光源。 另外，凹面鏡116更佳為具有以由聚光透鏡12聚光至透光性螢光體113內的雷射光的聚光點X為中心的球面或非球面的形狀。 藉此，可使所反射的雷射光再次向發出螢光的部分（螢光光源部120）聚光。 其結果，於導入用透鏡14中，可導入較所述實施方式1中所導入的螢光更多的螢光並向光纖15的第1面15a聚光，因此可獲得更有效地經高亮度化的光源。 再者，作為凹面鏡116，可使用二向色反射鏡、或者於彎月形透鏡的凹面中蒸鍍反射雷射光的反射膜而成的透鏡、於使螢光通過的部分中具有開口且於凹狀的面中使雷射光反射的穿孔反射鏡等。 例如，於使用二向色反射鏡作為凹面鏡116的情況下，如圖7所示，藉由使約480 nm以下的波長的光（雷射光）反射，並且使大於約480 nm的波長的光（螢光）透射，可在使螢光透射的同時使雷射光反射。 （實施方式3） 使用圖8至圖10，如以下般對本發明的實施方式3的光源裝置進行說明。 本實施方式的光源裝置210與所述實施方式1的不同之處在於：如圖8所示，於聚光透鏡12與透光性螢光體13之間設置有凹面鏡216。 再者，關於光源裝置210的其他構成，因與所述實施方式1的光源裝置10相同，故此處標註相同的符號，並省略關於其構成的詳細說明。 如圖8所示，本實施方式的光源裝置210具備：光源部11、聚光透鏡12、凹面鏡216、透光性螢光體13、導入用透鏡14、以及光纖15。 凹面鏡216配置於聚光透鏡12與透光性螢光體13之間，於透光性螢光體13側的面具有凹狀的反射面。而且，凹面鏡216具有使由聚光透鏡12聚光的雷射光透射，並且將透光性螢光體13的內部中發出的螢光反射的特性。 藉此，可將自光源部11照射並由聚光透鏡12聚光的雷射光照射至透光性螢光體13而不會被凹面鏡216遮擋。進而，如圖9所示，可藉由凹面鏡216，將自形成於透光性螢光體13的內部的螢光光源部220朝向所有方位射出的螢光中的、射出至聚光透鏡12側的螢光反射而返回至透光性螢光體13側。 其結果，於導入用透鏡14中，可導入較所述實施方式1中所導入的螢光更多的螢光並向光纖15的第1面15a聚光，因此可獲得較先前進一步經高亮度化的光源。 進而，凹面鏡216以凹狀的曲面的中心出現於螢光光源部220的中心軸A1的方式配置。 藉此，可使所反射的螢光向發出螢光的部分（螢光光源部220）的位置聚光。 其結果，於導入用透鏡14中，可導入較所述實施方式1中所導入的螢光更多的螢光並向光纖15的第1面15a聚光，因此可獲得更有效地經高亮度化的光源。 另外，凹面鏡216更佳為具有以由聚光透鏡12聚光至透光性螢光體13內的雷射光的聚光點X為中心的球面或非球面的形狀。 藉此，可使所反射的螢光向發出螢光的部分（螢光光源部220）聚光。 其結果，於導入用透鏡14中，可導入較所述實施方式1中所導入的螢光更多的螢光並向光纖15的第1面15a聚光，因此可獲得更有效地經高亮度化的光源。 再者，作為凹面鏡216，可使用二向色反射鏡、或者於彎月形透鏡的凹面中蒸鍍反射螢光的反射膜而成的透鏡、於使雷射光通過的部分中具有開口且於凹狀的面中使螢光反射的穿孔反射鏡等。 例如，於使用二向色反射鏡作為凹面鏡216的情況下，如圖10所示，藉由使約480 nm以下的波長的光（雷射光）透射，並且使大於約480 nm的波長的光（螢光）反射，可在使雷射光透射的同時使螢光反射。 （實施方式4） 使用圖11至圖12（b），如以下般對本發明的實施方式4的光源裝置進行說明。 本實施方式的光源裝置310與所述實施方式1的不同之處在於：如圖11所示，代替板狀的透光性螢光體13而設置有球形狀的透光性螢光體313。 再者，關於光源裝置310的其他構成，因與所述實施方式1的光源裝置10相同，故此處標註相同的符號，並省略關於其構成的詳細說明。 如圖11所示，本實施方式的光源裝置310具備：光源部11、聚光透鏡12、透光性螢光體313、導入用透鏡14、以及光纖15。 透光性螢光體313例如為摻雜有Ce離子的YAG的單晶螢光體，且具有球形形狀。而且，透光性螢光體313中，由聚光透鏡12聚光的雷射光的聚光點X設置於透光性螢光體313的中心，藉此以聚光點X為中心而朝向所有方位發出螢光。 另外，於球形狀的透光性螢光體313中，如圖12（a）所示，於內部發出的螢光在透光性螢光體313與空氣的界面（出射部313a）處幾乎不發生折射地被導入至導入用透鏡14。 另一方面，於所述實施方式1等中說明的板狀的透光性螢光體13中，如圖12（b）所示，於內部發出的螢光一邊在透光性螢光體13與空氣的界面（出射部13ba）中發生折射而呈廣角地發散，一邊被導入至導入用透鏡14。 因此，藉由代替板狀的透光性螢光體13而使用球形狀的透光性螢光體313，可將透光性螢光體313的內部中發出的螢光幾乎不發生折射地引導至導入用透鏡14。 其結果，導入用透鏡14中的螢光的結合效率提高，因此可相對於光纖15的第1面15a而使更高亮度的光聚光。 另外，於本實施方式中，以於球形狀的透光性螢光體313的中心形成聚光點X的方式對雷射光進行照射·聚光。 藉此，以作為球的中心的聚光點X為中心而朝向所有方位發出的螢光無論自何處導出，均以距聚光點X相同的距離向空氣中射出。 其結果，可以自任何方向均大致相同的亮度導出自球形狀的透光性螢光體313導出的螢光。 （實施方式5） 使用圖13及圖14，如以下般對本發明的實施方式5的光源裝置410進行說明。 本實施方式的光源裝置410與所述實施方式1的不同之處在於：如圖13所示，相對於具有長方體（多面體）形狀的透光性螢光體413，為了自彼此正交的兩個方向照射雷射光，設置有兩個包括光源部11及聚光透鏡12的雷射聚光系統411a、雷射聚光系統411b。 再者，關於光源裝置410的其他構成，因與所述實施方式1的光源裝置10相同，故此處標註相同的符號，並省略關於其構成的詳細說明。 如圖13所示，本實施方式的光源裝置410具備：包括光源部11及聚光透鏡12的雷射聚光系統411a、包括光源部11及聚光透鏡12的雷射聚光系統411b、透光性螢光體413、導入用透鏡14、以及光纖15。 雷射聚光系統411a以聚光透鏡12的透鏡中心軸與導入螢光的導入用透鏡14的透鏡中心軸成為同軸的方式配置。 即，自雷射聚光系統411a照射的雷射光經由聚光透鏡12而聚光至透光性螢光體413，並於以聚光點X為中心的部分中發出螢光。然後，於透光性螢光體413中發出的螢光藉由與雷射聚光系統411a配置於同一直線上的導入用透鏡14而聚光，並照射至光纖15的第1面15a。 雷射聚光系統411b沿如下方向配置：聚光透鏡12的透鏡中心軸與導入螢光的導入用透鏡14的透鏡中心軸大致正交（交叉）。 即，自雷射聚光系統411b照射的雷射光經由聚光透鏡12而聚光至透光性螢光體413，並於以聚光點X為中心的部分中發出螢光。 此時，由雷射聚光系統411b的聚光透鏡12聚光的雷射光以與由雷射聚光系統411a的聚光透鏡12聚光的雷射光成為相同的聚光點X的方式照射。 而且，於透光性螢光體413中發出的螢光朝向所有方位照射，因此由沿著與雷射聚光系統411b正交的方向配置的導入用透鏡14聚光，並照射至光纖15的第1面15a。 另外，如圖13所示，雷射聚光系統411a、雷射聚光系統411b配置於以形成於透光性螢光體413的內部的聚光點X為中心的圓周上。 藉此，自配置於相同距離的多個雷射聚光系統411a、雷射聚光系統411b對透光性螢光體413照射雷射光。 透光性螢光體413例如為摻雜有Ce離子的YAG的單晶螢光體，且如圖13及圖14所示，具有長方體（六面體）形狀，具有入射面413a、出射面413b、以及入射面413c。 入射面413a為與配置有導入用透鏡14的出射面413b對向的面，供自雷射聚光系統411a照射的雷射光入射。 出射面413b為配置有導入用透鏡14之側的面，使由自雷射聚光系統411a、雷射聚光系統411b照射的雷射光激發而朝向所有方位發出的螢光中的、發出至導入用透鏡14側的螢光出射。 入射面413c為相對於入射面413a及出射面413b而垂直的面，供自雷射聚光系統411b照射的雷射光入射。 於本實施方式的光源裝置410中，如圖13所示，自兩個雷射聚光系統411a、雷射聚光系統411b照射的雷射光聚光至形成於透光性螢光體413的內部的共同的聚光點X。 藉此，與具有僅一個雷射聚光系統的構成相比，聚光點X中的雷射光的光量成為大致兩倍，因此所激發的螢光亦成為大致兩倍，可獲得進一步經高亮度化的光源。 另外，於本實施方式中，如圖14所示，於透光性螢光體413的內部，由兩個雷射聚光系統411a、雷射聚光系統411b照射的雷射光的聚光點X以距入射面413a的距離d1與距入射面413c的距離d2大致相同的方式形成。 如此般，由兩個雷射聚光系統411a、雷射聚光系統411b照射的雷射光的聚光點X被配置成距各入射面413a、入射面413c的距離d1、距離d2成為大致相同的距離，藉此可使聚光點X中的螢光的亮度進一步提高。 再者，於本實施方式中，對設置有兩個雷射聚光系統的構成進行了說明，但本發明並不限定於此，亦可為於長方體形狀的透光性螢光體的周圍設置有三個以上的雷射聚光系統的構成。 （實施方式6） 使用圖15及圖16，如以下般對本發明的實施方式6的光源裝置510進行說明。 本實施方式的光源裝置510與所述實施方式1的不同之處在於：如圖15所示，相對於具有長方體（多面體）形狀的透光性螢光體513，為了自彼此正交的兩個方向導入螢光，設置有兩個螢光導入系統514a、螢光導入系統514b。 再者，關於光源裝置510的其他構成，因與所述實施方式1的光源裝置10相同，故此處標註相同的符號，並省略關於其構成的詳細說明。 如圖15所示，本實施方式的光源裝置510具備：光源部11、聚光透鏡12、透光性螢光體513、包括導入用透鏡14及光纖15的螢光導入系統514a、以及包括導入用透鏡14及光纖15的螢光導入系統514b。 螢光導入系統514a以導入用透鏡14的透鏡中心軸與對雷射光進行聚光的聚光透鏡12的透鏡中心軸成為同軸的方式配置。 即，於螢光導入系統514a中，藉由自單一的光源部11照射並由聚光透鏡12聚光的雷射光使透光性螢光體513激發而產生的螢光藉由與聚光透鏡12配置於同一直線上的導入用透鏡14而聚光，並照射至光纖15的第1面15a。 螢光導入系統514b沿如下方向配置：導入用透鏡14的透鏡中心軸相對於聚光透鏡12的透鏡中心軸及螢光導入系統514a的導入用透鏡14的透鏡中心軸而大致正交（交叉）。 即，自光源部11照射的雷射光經由聚光透鏡12而聚光至透光性螢光體513，並於以聚光點X為中心的部分中發出螢光。 此時，於透光性螢光體513的內部中產生的螢光朝向所有方位射出。其中，朝向配置有螢光導入系統514a、螢光導入系統514b的方向，自配置於距雷射光的聚光點X為大致相同距離的出射面513b、出射面513c分別出射螢光。 然後，自出射面513b、出射面513c出射的螢光分別於螢光導入系統514a、螢光導入系統514b中由導入用透鏡14聚光，並照射至光纖15的第1面15a。 另外，如圖15所示，螢光導入系統514a、螢光導入系統514b配置於以形成於透光性螢光體513的內部的聚光點X為中心的圓周上。 藉此，透光性螢光體513對配置於相同距離的多個螢光導入系統514a、螢光導入系統514b照射螢光。 透光性螢光體513例如為摻雜有Ce離子的YAG的單晶螢光體，且如圖15及圖16所示，具有長方體（六面體）形狀，具有入射面513a、出射面513b、以及出射面513c。 入射面513a為與配置有導入用透鏡14的出射面513b對向的面，供自光源部11經由聚光透鏡12而照射的雷射光入射。 出射面513b為配置有螢光導入系統514a的導入用透鏡14之側的面，使由自光源部11照射的雷射光激發而朝向所有方位發出的螢光中的、發出至螢光導入系統514a側的螢光出射。 出射面513c為相對於入射面513a及出射面513b而垂直的面，使由自光源部11照射的雷射光激發而朝向所有方位發出的螢光中的、發出至螢光導入系統514b側的螢光出射。 於本實施方式的光源裝置510中，如圖15所示，將於自光源部11照射並由聚光透鏡12聚光的雷射光的聚光點X的周圍產生的螢光，自配置有螢光導入系統514a、螢光導入系統514b的兩個方向導出而設為光源。 藉此，可自單一的光源部11藉由兩個螢光導入系統514a、螢光導入系統514b導出螢光，因此可設置多個光纖光源。 另外，於本實施方式中，如圖16所示，於透光性螢光體513的內部，由單一的光源部11照射的雷射光的聚光點X以距出射面513b的距離d3與距出射面513c的距離d2大致相同的方式形成。 如此般，藉由配置成自處於距聚光點X大致相同距離的出射面513b、出射面513c分別出射由兩個螢光導入系統514a、螢光導入系統514b導出的螢光，可獲得兩個大致相同明度的光纖光源。 再者，於本實施方式中，對設置有兩個螢光導入系統的構成進行了說明，但本發明並不限定於此，亦可為於長方體形狀的透光性螢光體的周圍設置有三個以上的螢光導入系統的構成。 （實施方式7） 使用圖17，如以下般對本發明的實施方式7的光源裝置610進行說明。 本實施方式的光源裝置610與所述實施方式5的不同之處在於：如圖17所示，代替長方體形狀的透光性螢光體而設置有球形狀的透光性螢光體613。 再者，關於光源裝置610的其他構成，因與所述實施方式1的光源裝置10相同，故此處標註相同的符號，並省略關於其構成的詳細說明。 如圖17所示，本實施方式的光源裝置610具備：包括光源部11及聚光透鏡12的雷射聚光系統611a、包括光源部11及聚光透鏡12的雷射聚光系統611b、透光性螢光體613、導入用透鏡14、以及光纖15。 雷射聚光系統611a以聚光透鏡12的透鏡中心軸與導入螢光的導入用透鏡14的透鏡中心軸成為同軸的方式配置。 即，自雷射聚光系統611a照射的雷射光經由聚光透鏡12而聚光至球形狀的透光性螢光體613的中心，並於以聚光點X為中心的部分中發出螢光。然後，於透光性螢光體613中發出的螢光藉由與雷射聚光系統611a配置於同一直線上的導入用透鏡14而聚光，並照射至光纖15的第1面15a。 雷射聚光系統611b沿如下方向配置：聚光透鏡12的透鏡中心軸與導入螢光的導入用透鏡14的透鏡中心軸大致正交（交叉）。 即，自雷射聚光系統611b照射的雷射光經由聚光透鏡12而聚光至球形狀的透光性螢光體613的中心，並於以聚光點X為中心的部分中發出螢光。 此時，由雷射聚光系統611b的聚光透鏡12聚光的雷射光與由雷射聚光系統611a的聚光透鏡12聚光的雷射光相同地，以成為球形狀的透光性螢光體613的中心位置（聚光點X）的方式照射。 而且，於透光性螢光體613中發出的螢光朝向所有方位照射，因此由沿著與雷射聚光系統611b正交的方向配置的導入用透鏡14聚光，並照射至光纖15的第1面15a。 另外，如圖17所示，雷射聚光系統611a、雷射聚光系統611b配置於以形成於透光性螢光體613的內部的聚光點X為中心的球面上。 藉此，自配置於相同距離的多個雷射聚光系統611a、雷射聚光系統611b對透光性螢光體613照射雷射光。 透光性螢光體613例如為摻雜有Ce離子的YAG的單晶螢光體，且具有球的形狀，於所述球的中心形成雷射光的聚光點X。 於本實施方式的光源裝置610中，如圖17所示，自兩個雷射聚光系統611a、雷射聚光系統611b照射的雷射光聚光至形成於球形狀的透光性螢光體613的中心的共同的聚光點X。 藉此，與具有僅一個雷射聚光系統的構成相比，聚光點X中的雷射光的光量成為大致兩倍，因此所激發的螢光亦成為大致兩倍，可獲得進一步經高亮度化的光源。 另外，於本實施方式中使用了球形狀的透光性螢光體613，因此於透光性螢光體613的內部，由兩個雷射聚光系統611a、雷射聚光系統611b照射的雷射光的聚光點X距任何入射面的距離均大致相同。 如此般，由兩個雷射聚光系統611a、雷射聚光系統611b照射的雷射光的聚光點X被配置成距各入射面的距離成為大致相同的距離，藉此可使聚光點X中的螢光的亮度進一步提高。 再者，於本實施方式中，對設置有兩個雷射聚光系統的構成進行了說明，但本發明並不限定於此，亦可為於球形狀的透光性螢光體的周圍設置有三個以上的雷射聚光系統的構成。 進而，於本實施方式中，以於球形狀的透光性螢光體613的中心形成聚光點X的方式對雷射光進行照射·聚光。 藉此，以作為球的中心的聚光點X為中心而朝向所有方位發出的螢光無論自何處導出，均以距聚光點X相同的距離向空氣中射出。 其結果，可以自任何方向均大致相同的亮度導出自球形狀的透光性螢光體613導出的螢光。 （實施方式8） 使用圖18，如以下般對本發明的實施方式8的光源裝置710進行說明。 本實施方式的光源裝置710與所述實施方式6的不同之處在於：如圖18所示，代替長方體形狀的透光性螢光體而設置有球形狀的透光性螢光體713。 再者，關於光源裝置710的其他構成，因與所述實施方式1的光源裝置10相同，故此處標註相同的符號，並省略關於其構成的詳細說明。 如圖18所示，本實施方式的光源裝置710具備：光源部11、聚光透鏡12、透光性螢光體713、包括導入用透鏡14及光纖15的螢光導入系統714a、以及包括導入用透鏡14及光纖15的螢光導入系統714b。 透光性螢光體713例如為摻雜有Ce離子的YAG的單晶螢光體，且具有球形形狀。 如圖18所示，螢光導入系統714a、螢光導入系統714b配置於以球形狀的透光性螢光體713為中心的球面上。 藉此，透光性螢光體713對配置於相同距離的多個螢光導入系統714a、螢光導入系統714b照射螢光。 螢光導入系統714a以導入用透鏡14的透鏡中心軸與對雷射光進行聚光的聚光透鏡12的透鏡中心軸成為同軸的方式配置。 即，於螢光導入系統714a中，藉由自單一的光源部11照射並由聚光透鏡12聚光的雷射光使透光性螢光體713激發而產生的螢光藉由與聚光透鏡12配置於同一直線上的導入用透鏡14而聚光，並照射至光纖15的第1面15a。 螢光導入系統714b沿如下方向配置：導入用透鏡14的透鏡中心軸相對於聚光透鏡12的透鏡中心軸及螢光導入系統714a的導入用透鏡14的透鏡中心軸而大致正交（交叉）。 即，自光源部11照射的雷射光經由聚光透鏡12而聚光至球形狀的透光性螢光體713，並於球的中心（聚光點X）發出螢光。 此時，於球形狀的透光性螢光體713的內部中產生的螢光朝向所有方位射出。其中，朝向配置有螢光導入系統714a、螢光導入系統714b的方向，自配置於距雷射光的聚光點X為大致相同距離的球的出射面分別出射螢光。 然後，自透光性螢光體713出射的螢光分別於螢光導入系統714a、螢光導入系統714b中由導入用透鏡14聚光，並照射至光纖15的第1面15a。 於本實施方式的光源裝置710中，如圖18所示，將於自光源部11照射並由聚光透鏡12聚光的雷射光的聚光點X中產生的螢光，自配置有螢光導入系統714a、螢光導入系統714b的兩個方向導出而設為光纖光源。 藉此，可自單一的光源部11藉由兩個螢光導入系統714a、螢光導入系統714b導出螢光，因此可設置多個照射同等亮度的光的光纖光源。 另外，於本實施方式中，於球形狀的透光性螢光體713的內部，由單一的光源部11照射的雷射光的聚光點X形成於球的中心。 因此，藉由配置成自處於距聚光點X大致相同距離的出射面分別出射由兩個螢光導入系統714a、螢光導入系統714b導出的螢光，可獲得兩個大致相同明度的光纖光源。 再者，於本實施方式中，對設置有兩個螢光導入系統的構成進行了說明，但本發明並不限定於此，亦可為於球形狀的透光性螢光體的周圍設置有三個以上的螢光導入系統的構成。 （實施方式9） 使用圖19，如以下般對本發明的實施方式9的光源裝置810進行說明。 本實施方式的光源裝置810與所述實施方式7、實施方式8的不同之處在於：如圖19所示，分別設置有各兩個雷射聚光系統811a、雷射聚光系統811b以及螢光導入系統814a、螢光導入系統814b。 再者，關於光源裝置810的其他構成，因與所述實施方式1的光源裝置10相同，故此處標註相同的符號，並省略關於其構成的詳細說明。 如圖19所示，本實施方式的光源裝置810具備：包括光源部11及聚光透鏡12的雷射聚光系統811a、包括光源部11及聚光透鏡12的雷射聚光系統811b、球形狀的透光性螢光體813、包括導入用透鏡14及光纖15的螢光導入系統814a、以及包括導入用透鏡14及光纖15的螢光導入系統814b。 如圖19所示，雷射聚光系統811a、雷射聚光系統811b配置於以球形狀的透光性螢光體813為中心的球面上。 藉此，自配置於相同距離的多個雷射聚光系統811a、雷射聚光系統811b對透光性螢光體813照射雷射光。 雷射聚光系統811a以聚光透鏡12的透鏡中心軸與螢光導入系統814a的導入用透鏡14的透鏡中心軸成為同軸的方式配置。 即，自雷射聚光系統811a照射的雷射光經由聚光透鏡12而聚光至球形狀的透光性螢光體813的中心，並於以聚光點X為中心的部分中發出螢光。然後，於透光性螢光體813中發出的螢光藉由螢光導入系統814a、螢光導入系統814b各自的導入用透鏡14而聚光，並照射至光纖15的第1面15a。 雷射聚光系統811b沿如下方向配置：聚光透鏡12的透鏡中心軸與螢光導入系統814a、螢光導入系統814b的導入用透鏡14的透鏡中心軸交叉。 即，自雷射聚光系統811b照射的雷射光經由聚光透鏡12而聚光至球形狀的透光性螢光體813的中心，並於以聚光點X為中心的部分中發出螢光。 此時，由雷射聚光系統811b的聚光透鏡12聚光的雷射光與由雷射聚光系統811a的聚光透鏡12聚光的雷射光相同地，以成為球形狀的透光性螢光體813的中心位置（聚光點X）的方式照射。 透光性螢光體813例如為摻雜有Ce離子的YAG的單晶螢光體，且具有球形形狀。 而且，透光性螢光體813中發出的螢光朝向所有方位照射，因此由沿著與雷射聚光系統811b正交的方向配置的兩個螢光導入系統814a、螢光導入系統814b各自的導入用透鏡14聚光，並照射至光纖15的第1面15a。 如圖19所示，螢光導入系統814a、螢光導入系統814b配置於以球形狀的透光性螢光體813為中心的球面上。 藉此，透光性螢光體813對配置於相同距離的多個螢光導入系統814a、螢光導入系統814b照射螢光。 螢光導入系統814a以導入用透鏡14的透鏡中心軸與雷射聚光系統811a的聚光透鏡12的透鏡中心軸成為同軸的方式配置。 即，於螢光導入系統814a中，藉由自兩個光源部11照射並由聚光透鏡12聚光的雷射光使透光性螢光體813激發而產生的螢光由導入用透鏡14聚光，並照射至光纖15的第1面15a。 螢光導入系統814b沿如下方向配置：導入用透鏡14的透鏡中心軸相對於雷射聚光系統811a、雷射聚光系統811b各自的聚光透鏡12的透鏡中心軸及螢光導入系統814a的導入用透鏡14的透鏡中心軸而交叉。 即，自兩個光源部11照射的雷射光經由聚光透鏡12而聚光至球形狀的透光性螢光體813，並於球的中心（聚光點X）發出螢光。 此時，於球形狀的透光性螢光體813的內部中產生的螢光朝向所有方位射出。其中，朝向配置有螢光導入系統814a、螢光導入系統814b的方向，自配置於距雷射光的聚光點X為大致相同距離的球的出射面分別出射螢光。 然後，自透光性螢光體813出射的螢光分別於螢光導入系統814a、螢光導入系統814b中由導入用透鏡14聚光，並照射至光纖15的第1面15a。 於本實施方式的光源裝置810中，如圖19所示，於球形狀的透光性螢光體813的周圍配置有多個雷射聚光系統811a、雷射聚光系統811b以及多個螢光導入系統814a、螢光導入系統814b。 因此，藉由使自多個光源部11照射的雷射光聚光至球形狀的透光性螢光體813的中心，與包括單一的光源部11的構成相比，可導出約兩倍亮度的螢光。 另外，藉由於球形狀的透光性螢光體813的周圍配置多個包括光纖15的螢光導入系統814a、螢光導入系統814b，可以自任何方向均大致相同的亮度導出多個在球的中心產生的螢光。 （實施方式10） 使用圖20及圖21，如以下般對本發明的實施方式10的光源裝置910進行說明。 本實施方式的光源裝置910與所述實施方式1的不同之處在於：如圖20所示，設置有於球的內部包括雷射透射/螢光反射膜（第1面）913a、雷射反射/螢光透射膜（第2面）913b的透光性螢光體913。 再者，關於光源裝置910的其他構成，因與所述實施方式1的光源裝置10相同，故此處標註相同的符號，並省略關於其構成的詳細說明。 如圖20所示，本實施方式的光源裝置910具備：光源部11、聚光透鏡12、透光性螢光體913、導入用透鏡14、以及光纖15。 透光性螢光體913例如為摻雜有Ce離子的YAG的單晶螢光體，且具有球形形狀。而且，如圖21所示，透光性螢光體913於其內部分別具有雷射透射/螢光反射膜913a、雷射反射/螢光透射膜913b。另外，於球形狀的透光性螢光體913中，自光源部11照射的雷射光藉由聚光透鏡12而聚光至球的中心（聚光點X）。 雷射透射/螢光反射膜913a使自光源部11照射並由聚光透鏡12聚光的雷射光透射，並且將透光性螢光體913內產生的螢光反射。而且，如圖21所示，雷射透射/螢光反射膜913a設置於雷射光的入射面側。 雷射反射/螢光透射膜913b使自光源部11照射並由聚光透鏡12聚光的雷射光反射，並且使透光性螢光體913內產生的螢光透射。而且，如圖21所示，雷射反射/螢光透射膜913b設置於螢光的出射面側。 此處，雷射透射/螢光反射膜913a及雷射反射/螢光透射膜913b可分別藉由蒸鍍或濺射等方法而成膜於透光性螢光體913。 藉此，因透光性螢光體913具有雷射透射/螢光反射膜913a，對於自光源部11照射並由聚光透鏡12聚光的雷射光而言，可使其入射至透光性螢光體913的內部。而且，對於由聚光至球形狀的透光性螢光體913的中心（聚光點X）的雷射光激發而射出至所有方位的螢光而言，可將其於雷射光的入射側反射至出射螢光之側。 另一方面，因透光性螢光體913具有雷射反射/螢光透射膜913b，對於自光源部11照射並由聚光透鏡12聚光的雷射光中的、於透光性螢光體913中未被吸收而透射的雷射光而言，可使其再次朝向透光性螢光體913的中心（聚光點X）反射。而且，對於由聚光至球形狀的透光性螢光體913的中心（聚光點X）的雷射光激發而射出至所有方位的螢光而言，可使其自配置有導入用透鏡14的出射側向外部透射。 再者，於圖21中，列舉雷射透射/螢光反射膜913a與雷射反射/螢光透射膜913b設置為大致相同的面積的例子進行了說明。但，本發明並不限定於此，亦可設置為彼此不同的面積。 另外，如圖21所示，雷射透射/螢光反射膜913a與雷射反射/螢光透射膜913b無需以包圍透光性螢光體913的外周的方式配置，只要至少於雷射光的入射部分與螢光的出射部分中設置有各膜即可。 （實施方式11） 使用圖22至圖23，如以下般對本發明的實施方式11的光源裝置1010進行說明。 本實施方式的光源裝置1010與所述實施方式9等的不同之處在於使用如下的球形狀的透光性螢光體1013：所述球形狀的透光性螢光體1013如圖22所示，於相對於導出螢光的導入用透鏡14的透鏡中心軸而交叉的方向上配置多個雷射聚光系統1011a、雷射聚光系統1011b、雷射聚光系統1011c，並且表面進行了一層鏡面塗佈（mirror coating）。 再者，關於光源裝置1010的其他構成，因與所述實施方式1的光源裝置10相同，故此處標註相同的符號，並省略關於其構成的詳細說明。 如圖22所示，本實施方式的光源裝置1010具備：包括光源部11及聚光透鏡12的雷射聚光系統1011a、包括光源部11及聚光透鏡12的雷射聚光系統1011b、包括光源部11及聚光透鏡12的雷射聚光系統1011c、透光性螢光體1013、導入用透鏡14、以及光纖15。 如圖22所示，雷射聚光系統1011a、雷射聚光系統1011b、雷射聚光系統1011c配置於以球形狀的透光性螢光體1013為中心的球面上。 藉此，自配置於相同距離的多個雷射聚光系統1011a、雷射聚光系統1011b、雷射聚光系統1011c對透光性螢光體1013照射雷射光。 另外，雷射聚光系統1011a、雷射聚光系統1011b、雷射聚光系統1011c分別沿相對於導出螢光的導入用透鏡14的中心軸而交叉的方向配置。而且，雷射聚光系統1011a、雷射聚光系統1011b、雷射聚光系統1011c藉由聚光透鏡12對自各自的光源部11照射的雷射光進行聚光，並使雷射光聚光至球形狀的透光性螢光體1013的中心（聚光點X）。 透光性螢光體1013例如為摻雜有Ce離子的YAG的單晶螢光體，且具有球形形狀。而且，如圖23所示，透光性螢光體1013具有雷射透射/螢光反射鏡1013a、以及雷射反射/螢光透射鏡1013b。 雷射透射/螢光反射鏡1013a具有如下性質：使自雷射聚光系統1011a、雷射聚光系統1011b、雷射聚光系統1011c中所含的各光源部11照射並由各聚光透鏡12聚光的雷射光透射，並且將藉由雷射光而於球形狀的透光性螢光體1013的中心（聚光點X）發出的螢光反射。 雷射反射/螢光透射鏡1013b具有如下性質：將自雷射聚光系統1011a、雷射聚光系統1011b、雷射聚光系統1011c中所含的各光源部11照射並由各聚光透鏡12聚光的雷射光中的、於透光性螢光體1013內未被吸收而透射的雷射光反射，並再次引導至聚光點X。 於本實施方式的光源裝置1010中，如以上所述，於球形狀的透光性螢光體1013中設置有波長選擇性的反射鏡（雷射透射/螢光反射鏡1013a、雷射反射/螢光透射鏡1013b）。 因此，藉由將入射至透光性螢光體1013內且未被吸收而透射的雷射光朝向聚光點X反射，可進一步促進聚光點X中的螢光的激發而形成更高亮度的光源。 另外，於透光性螢光體1013中的雷射光的導入口及螢光的導出口分別配置有雷射透射/螢光反射鏡1013a、雷射反射/螢光透射鏡1013b。 藉此，可於不設置導入窗及導出窗等開口的情況下防止遮擋雷射光的導入及螢光的導出。 進而，於本實施方式中，如圖22所示，以球形狀的透光性螢光體1013為中心，在不與導入用透鏡14成為同軸度的位置配置有各雷射聚光系統1011a、雷射聚光系統1011b、雷射聚光系統1011c。 因此，藉由使自多個雷射聚光系統1011a、雷射聚光系統1011b、雷射聚光系統1011c照射的雷射光聚光至球形狀的透光性螢光體1013的中心（聚光點X），且亦使其反射光反射至聚光點X，可獲得進一步經高亮度化的光源。 再者，於圖23中，列舉雷射透射/螢光反射鏡1013a及雷射反射/螢光透射鏡1013b設置為大致相同的面積的例子進行了說明。但，本發明並不限定於此，亦可設置為彼此不同的面積。 另外，如圖23所示，雷射透射/螢光反射鏡1013a及雷射反射/螢光透射鏡1013b無需以包圍透光性螢光體1013的外周的方式配置，只要至少於雷射光的入射部分與螢光的出射部分中設置有各反射鏡即可。 （實施方式12） 使用圖24，如以下般對本發明的實施方式12的光源裝置1110進行說明。 本實施方式的光源裝置1110與所述實施方式10等的不同之處在於：如圖24所示，自球形狀的透光性螢光體1113中所形成的導入窗（第1開口部）1113a入射經聚光的雷射光，並且自導出窗（第2開口部）1113b導出螢光，所述導出窗（第2開口部）1113b與沿著大致正交（交叉）於聚光透鏡12的透鏡中心軸的方向配置的導入用透鏡14對向配置。 再者，關於光源裝置1110的其他構成，因與所述實施方式1的光源裝置10相同，故此處標註相同的符號，並省略關於其構成的詳細說明。 如圖24所示，本實施方式的光源裝置1110具備：光源部11、聚光透鏡12、透光性螢光體1113、導入用透鏡14、以及光纖15。 光源部11及聚光透鏡12處於不與導出螢光的導入用透鏡14同軸的位置，且沿與導入用透鏡14的中心軸交叉的方向配置。 透光性螢光體1113例如為摻雜有Ce離子的YAG的單晶螢光體，且具有球形形狀。而且，透光性螢光體1113具有形成於與聚光透鏡12對向的位置的導入窗1113a、形成於與導入用透鏡14對向的位置的導出窗1113b、以及反射膜1113c。 導入窗1113a為形成於球形狀的透光性螢光體1113中的雷射光的導入位置的開口，將由聚光透鏡12聚光的雷射光引導至聚光點X。 導出窗1113b為用以將螢光導出至導入用透鏡14及光纖15側而形成的開口，導出聚光點X中發出的螢光。 反射膜1113c將經由導入窗1113a而入射的雷射光中的、於透光性螢光體1113內未被吸收而透射的雷射光朝向聚光點X反射。進而，反射膜1113c將於聚光點X中發光並射出至所有方位的螢光中的、射出至與導出窗1113b不同方向的螢光向導出窗1113b側反射。 因此，藉由配置成雷射聚光系統（光源部11及聚光透鏡12）與螢光導入系統（導入用透鏡14及光纖15）不成為同軸，可分別利用雷射光的反射光、螢光的反射光而獲得更高亮度的光源。 再者，於本實施方式中，對分別設置有各一個雷射聚光系統（光源部11及聚光透鏡12）與螢光導入系統（導入用透鏡14及光纖15）的構成進行了說明。但，本發明並不限定於此。 例如，亦可為於球形狀的透光性螢光體的周圍分別設置有多個雷射聚光系統（光源部11及聚光透鏡12）與螢光導入系統（導入用透鏡14及光纖15）的構成。 （實施方式13） 使用圖25，如以下般對本發明的實施方式13的光源裝置1210進行說明。 本實施方式的光源裝置1210與所述實施方式12的不同之處在於：如圖25所示，於球形狀的透光性螢光體1213的周圍，設置有三個雷射聚光系統（光源部11及聚光透鏡12）。 再者，關於光源裝置1210的其他構成，因與所述實施方式1的光源裝置10相同，故此處標註相同的符號，並省略關於其構成的詳細說明。 如圖25所示，本實施方式的光源裝置1210具備：包括光源部11及聚光透鏡12的雷射聚光系統1211a、包括光源部11及聚光透鏡12的雷射聚光系統1211b、包括光源部11及聚光透鏡12的雷射聚光系統1211c、透光性螢光體1213、導入用透鏡14、以及光纖15。 如圖25所示，雷射聚光系統1211a～雷射聚光系統1211c配置於以球形狀的透光性螢光體1213為中心的球面上。 藉此，自配置於相同距離的多個雷射聚光系統1211a、雷射聚光系統1211b、雷射聚光系統1211c對透光性螢光體1213照射雷射光。 另外，雷射聚光系統1211a、雷射聚光系統1211b、雷射聚光系統1211c分別經由形成於透光性螢光體1213的導入窗（第1開口部）1213a、導入窗（第1開口部）1213b、導入窗（第1開口部）1213c而將雷射光聚光至透光性螢光體1213的中心（聚光點X）。 透光性螢光體1213例如為摻雜有Ce離子的YAG的單晶螢光體，且具有球形形狀。而且，透光性螢光體1213具有形成於與雷射聚光系統1211a～雷射聚光系統1211c的各聚光透鏡12對向的位置的導入窗1213a～導入窗1213c、形成於與導入用透鏡14對向的位置的導出窗（第2開口部）1213d、以及反射膜1213e。 導入窗1213a～導入窗1213c為形成於球形狀的透光性螢光體1213中的雷射光的導入位置的開口，將由聚光透鏡12聚光的雷射光引導至聚光點X。 導出窗1213d為用以將螢光導出至導入用透鏡14及光纖15側而形成的開口，導出聚光點X中發出的螢光。 反射膜1213e將經由導入窗1213a～導入窗1213c而入射的雷射光中的、於透光性螢光體1213內未被吸收而透射的雷射光朝向聚光點X反射。進而，反射膜1213e將於聚光點X中發光並射出至所有方位的螢光中的、射出至與導出窗1213d對向的方向的螢光向導出窗1213d側反射。 因此，藉由配置成雷射聚光系統（光源部11及聚光透鏡12）與螢光導入系統（導入用透鏡14及光纖15）不成為同軸，可分別利用雷射光的反射光、螢光的反射光而獲得更高亮度的光源。 （實施方式14） 使用圖26，如以下般對本發明的實施方式14的光源裝置1310進行說明。 本實施方式的光源裝置1310與所述實施方式12、實施方式13的不同之處在於：如圖26所示，於球形狀的透光性螢光體1313的周圍，設置有六個雷射聚光系統（光源部11及聚光透鏡12）。 再者，關於光源裝置1310的其他構成，因與所述實施方式1的光源裝置10相同，故此處標註相同的符號，並省略關於其構成的詳細說明。 如圖26所示，本實施方式的光源裝置1310具備：包括光源部11及聚光透鏡12的雷射聚光系統1311a、包括光源部11及聚光透鏡12的雷射聚光系統1311b、包括光源部11及聚光透鏡12的雷射聚光系統1311c、包括光源部11及聚光透鏡12的雷射聚光系統1311d、包括光源部11及聚光透鏡12的雷射聚光系統1311e、包括光源部11及聚光透鏡12的雷射聚光系統1311f、透光性螢光體1313、導入用透鏡14、以及光纖15。 如圖26所示，雷射聚光系統1311a～雷射聚光系統1311f配置於以球形狀的透光性螢光體1313為中心的球面上。 藉此，自配置於相同距離的多個雷射聚光系統1311a～雷射聚光系統1311f對透光性螢光體1313照射雷射光。 另外，雷射聚光系統1311a～雷射聚光系統1311f分別經由形成於透光性螢光體1313的導入窗（第1開口部）1313a、導入窗（第1開口部）1313b、導入窗（第1開口部）1313c、導入窗（第1開口部）1313d、導入窗（第1開口部）1313e、導入窗（第1開口部）1313f而將雷射光聚光至透光性螢光體1313的中心（聚光點X）。 透光性螢光體1313例如為摻雜有Ce離子的YAG的單晶螢光體，且具有球形形狀。而且，透光性螢光體1313具有形成於與雷射聚光系統1311a～雷射聚光系統1311f的各聚光透鏡12對向的位置的導入窗1313a～導入窗1313f、形成於與導入用透鏡14對向的位置的導出窗（第2開口部）1313g、以及反射膜1313h。 導入窗1313a～導入窗1313f為形成於球形狀的透光性螢光體1313中的雷射光的導入位置的開口，將由聚光透鏡12聚光的雷射光引導至聚光點X。 導出窗1313g為用以將螢光導出至導入用透鏡14及光纖15側而形成的開口，導出聚光點X中發出的螢光。 反射膜1313h將藉由經由導入窗1313a～導入窗1313f而入射的雷射光而於聚光點X中發光並射出至所有方位的螢光中的、射出至與導出窗1313g對向的方向的螢光向導出窗1313g側反射。 因此，藉由配置成雷射聚光系統（光源部11及聚光透鏡12）與螢光導入系統（導入用透鏡14及光纖15）不成為同軸，可利用螢光的反射光而獲得更高亮度的光源。 （實施方式15） 使用圖27，如以下般對本發明的實施方式15的光源裝置1410進行說明。 本實施方式的光源裝置1410與所述實施方式12的不同之處在於：如圖27所示，以球形狀的透光性螢光體1413為中心，於相對於單一的雷射聚光系統（光源部11及聚光透鏡12）而非同軸位置配置有多個螢光導入系統1414a、螢光導入系統1414b。 再者，關於光源裝置1410的其他構成，因與所述實施方式1的光源裝置10相同，故此處標註相同的符號，並省略關於其構成的詳細說明。 如圖27所示，本實施方式的光源裝置1410具備：光源部11、聚光透鏡12、透光性螢光體1413、包括導入用透鏡14及光纖15的螢光導入系統1414a、以及包括導入用透鏡14及光纖15的螢光導入系統1414b。 雷射聚光系統（光源部11及聚光透鏡12）經由透光性螢光體1413中所形成的導入窗（第1開口部）1413a而將雷射光聚光至透光性螢光體1413的中心（聚光點X）。 螢光導入系統1414a、螢光導入系統1414b分別配置於以球形狀的透光性螢光體1413為中心的球面上的不與雷射聚光系統成為同軸的位置。而且，螢光導入系統1414a、螢光導入系統1414b經由透光性螢光體1413中所形成的導出窗（第2開口部）1413b、導出窗（第2開口部）1413c，導出透光性螢光體1413的中心（聚光點X）中發出的螢光，並藉由導入用透鏡14聚光至光纖15的第1面15a。 透光性螢光體1413例如為摻雜有Ce離子的YAG的單晶螢光體，且具有球形形狀。而且，透光性螢光體1413具有導入窗1413a、導出窗1413b、導出窗1413c、以及反射膜1413d。 導入窗1413a為形成於球形狀的透光性螢光體1413中的雷射光的導入位置的開口，將由聚光透鏡12聚光的雷射光引導至聚光點X。 導出窗1413b、導出窗1413c為用以將螢光導出至導入用透鏡14及光纖15側而形成的開口，導出聚光點X中發出的螢光。 反射膜1413d將藉由經由導入窗1413a而入射的雷射光而於聚光點X中發光並射出至所有方位的螢光中的、射出至與導出窗1413b、導出窗1413c不同方向的螢光向導出窗1413b、導出窗1413c側反射。 因此，藉由配置成雷射聚光系統（光源部11及聚光透鏡12）與螢光導入系統（導入用透鏡14及光纖15）不成為同軸，可分別利用雷射光的反射光以及螢光的反射光而獲得更高亮度的光源。 （實施方式16） 使用圖28，如以下般對本發明的實施方式16的光源裝置1510進行說明。 本實施方式的光源裝置1510與所述實施方式12的不同之處在於：如圖28所示，於具有立方體（多面體）形狀的透光性螢光體1513的外部，設置有使雷射光反射的凹面鏡1516a、以及使螢光反射的凹面鏡1516b。 再者，關於光源裝置1510的其他構成，因與所述實施方式1的光源裝置10相同，故此處標註相同的符號，並省略關於其構成的詳細說明。 如圖28所示，本實施方式的光源裝置1510具備：光源部11、聚光透鏡12、透光性螢光體1513、導入用透鏡14、光纖15、以及凹面鏡1516a、凹面鏡1516b。 透光性螢光體1513例如為摻雜有Ce離子的YAG的單晶螢光體，且具有立方體形狀。而且，透光性螢光體1513自入射面1513a入射雷射光，並且自與入射面1513a交叉的出射面1513b導出螢光。 凹面鏡1516a與透光性螢光體1513的入射面1513a的對向面對向配置。而且，凹面鏡1516a將自透光性螢光體1513的入射面1513a的對向面透射的雷射光朝向聚光點X反射。 凹面鏡1516b與透光性螢光體1513的出射面1513b的對向面對向配置。而且，凹面鏡1516b將於透光性螢光體1513的聚光點X中發光並射出至所有方位的螢光中的、自出射面1513b的對向面透射的螢光朝向聚光點X反射。 於本實施方式的光源裝置1510中，如上所述般於立方體形狀的透光性螢光體1513的外側分別設置有使雷射光反射的凹面鏡1516a、以及使螢光反射的凹面鏡1516b。 藉此，可起到如下的與所述各實施方式相同的效果：可在不於透光性螢光體的內部設置具有反射雷射光或螢光的功能的構件的情況下獲得更高亮度的光源。 再者，於本實施方式的構成中，於設置多個雷射聚光系統的情況下，亦可設置如下的雷射聚光系統：所述雷射聚光系統自相對於包括圖28所示的聚光透鏡12的透鏡中心軸以及導入用透鏡14的透鏡中心軸的平面而垂直的方向（垂直於紙面的方向）照射雷射光。 （實施方式17） 使用圖29，如以下般對本發明的實施方式17的光源裝置1610進行說明。 本實施方式的光源裝置1610與所述實施方式16的不同之處在於：如圖29所示，於具有立方體（多面體）形狀的透光性螢光體1613的外部，配置設置於彼此對向的位置的兩個雷射聚光系統1611a、雷射聚光系統1611b，並且在與螢光導入系統（導入用透鏡14）對向的位置設置有使螢光反射的凹面鏡1616。 再者，關於光源裝置1610的其他構成，因與所述實施方式1的光源裝置10相同，故此處標註相同的符號，並省略關於其構成的詳細說明。 如圖29所示，本實施方式的光源裝置1610具備：包括光源部11及聚光透鏡12的雷射聚光系統1611a、包括光源部11及聚光透鏡12的雷射聚光系統1611b、透光性螢光體1613、導入用透鏡14、光纖15、以及凹面鏡1616。 如圖29所示，雷射聚光系統1611a、雷射聚光系統1611b配置於以形成於立方體形狀的透光性螢光體1613的內部的聚光點X為中心的圓周上。 藉此，自配置於相同距離的多個雷射聚光系統1611a、雷射聚光系統1611b對透光性螢光體1613照射雷射光。 透光性螢光體1613例如為摻雜有Ce離子的YAG的單晶螢光體，且具有立方體形狀。而且，透光性螢光體1613自彼此對向的入射面1613a、入射面1613b入射雷射光，並且自與入射面1613a、入射面1613b交叉的出射面1613c導出螢光。 凹面鏡1616與透光性螢光體1613的出射面1613c的對向面對向配置。而且，凹面鏡1616將於透光性螢光體1613的聚光點X中發光並射出至所有方位的螢光中的、自出射面1613c的對向面透射的螢光朝向聚光點X反射。 於本實施方式的光源裝置1610中，如上所述般於立方體形狀的透光性螢光體1613的外側配置設置於彼此對向的位置的兩個雷射聚光系統1611a、雷射聚光系統1611b，並且設置有使螢光反射的凹面鏡1616。 藉此，可起到如下的與所述各實施方式相同的效果：可在不於透光性螢光體的內部設置具有反射螢光的功能的構件的情況下獲得更高亮度的光源。 （實施方式18） 使用圖30，如以下般對本發明的實施方式18的光源裝置1710進行說明。 本實施方式的光源裝置1710與所述實施方式1的不同之處在於：如圖30所示，相對於具有長方體形狀（板狀）的透光性螢光體1713的入射面1713a，自多個方向照射雷射光並聚光至共同的聚光點X。 再者，關於光源裝置1710的其他構成，因與所述實施方式1的光源裝置10相同，故此處標註相同的符號，並省略關於其構成的詳細說明。 如圖30所示，本實施方式的光源裝置1710具備：包括光源部11及聚光透鏡12的雷射聚光系統1711a、包括光源部11及聚光透鏡12的雷射聚光系統1711b、透光性螢光體1713、導入用透鏡14、以及光纖15。 如圖30所示，雷射聚光系統1711a及雷射聚光系統1711b配置於以形成於長方體形狀的透光性螢光體1713的內部的聚光點X為中心的圓周上。 藉此，自配置於相同距離的多個雷射聚光系統1711a、雷射聚光系統1711b對透光性螢光體1713照射雷射光。 另外，雷射聚光系統1711a、雷射聚光系統1711b均對透光性螢光體1713的入射面1713a照射雷射光。而且，雷射聚光系統1711a及雷射聚光系統1711b分別以聚光透鏡12的透鏡中心軸相對於導入螢光之側的導入用透鏡14的透鏡中心軸而傾斜的方式配置。 透光性螢光體1713例如為摻雜有Ce離子的YAG的單晶螢光體，且具有長方體（板狀）的形狀。而且，透光性螢光體1713中，自兩個雷射聚光系統1711a、雷射聚光系統1711b入射至入射面1713a的雷射光於共同的聚光點X中聚光。而且，藉由自兩個雷射聚光系統1711a、雷射聚光系統1711b照射的雷射光而激發的螢光自出射面1713b導出，並藉由導入用透鏡14聚光至光纖15的第1面15a。 於本實施方式的光源裝置1710中，如上所述，於相對於長方體（板狀）的透光性螢光體1713的單一的入射面1713a而自多處照射雷射光的情況下，使所述雷射光聚光至透光性螢光體1713的內部的共同的聚光點X。 藉此，於透光性螢光體1713的聚光點X中，於具有僅一個雷射聚光系統的構成相比，所聚光的雷射光的光量成為大致兩倍，因此所激發的螢光亦成為大致兩倍，可獲得進一步經高亮度化的光源。 [其他實施方式] 以上對本發明的一實施方式進行了說明，但本發明並不限定於所述實施方式，可在不脫離發明的主旨的範圍內進行各種變更。 （A） 於所述實施方式中，列舉使用板狀或球形狀的透光性螢光體的例子進行了說明。但，本發明並不限定於此。 例如，亦可使用具有橢圓體或多角形等其他形狀的透光性螢光體。 （B） 於所述實施方式中，將為球、板、多面體的透光性螢光體與單個·多個雷射聚光系統、單個·多個螢光導入系統組合而對各實施方式的內容進行了說明。但，本發明並不限定於此。 例如，並不限定於所述實施方式中所說明的組合，亦可為藉由所述實施方式以外的組合而實現的構成。 （C） 於所述實施方式中，列舉對共焦點測量裝置（測距感測器）50的光源裝置10應用本發明的例子進行了說明。但，本發明並不限定於此。 例如，作為搭載本發明的光源裝置的測距感測器，並不限於共焦點測量裝置等測距感測器，亦可使用其他測距感測器。 另外，作為光源裝置，亦可將本發明應用作頭燈（headlight）、內窺鏡的光源裝置。 [產業上之可利用性]
本發明的光源裝置起到可獲得較先前亮度更高的光源的效果，因此可廣泛應用作各種光源裝置。
10‧‧‧光源裝置
11‧‧‧光源部
12‧‧‧聚光透鏡
13‧‧‧透光性螢光體
13a‧‧‧入射面
13b‧‧‧出射面
13ba‧‧‧出射部
14‧‧‧導入用透鏡
15‧‧‧光纖
15a‧‧‧第1面
15b‧‧‧第2面
20‧‧‧螢光光源部
20a‧‧‧入射側剖面
20b‧‧‧徑縮小部剖面
20c‧‧‧出射側剖面
50‧‧‧共焦點測量裝置（測距感測器）
51‧‧‧頭部
51a‧‧‧繞射透鏡（色像差焦點透鏡）
51b‧‧‧物鏡
51c‧‧‧聚光透鏡
52‧‧‧光纖
53‧‧‧控制器部
54‧‧‧監視器
55a、55b‧‧‧光纖
56‧‧‧分支光纖
57‧‧‧分光器
57a‧‧‧凹面反射鏡
57b‧‧‧繞射光柵
57c‧‧‧聚光透鏡
58‧‧‧攝像元件（光接收部）
59‧‧‧控制電路部（測定部）
110‧‧‧光源裝置
113‧‧‧透光性螢光體
113a‧‧‧入射面
113b‧‧‧出射面
116‧‧‧凹面鏡
120‧‧‧螢光光源部
210‧‧‧光源裝置
216‧‧‧凹面鏡
220‧‧‧螢光光源部
310‧‧‧光源裝置
313‧‧‧透光性螢光體
313a‧‧‧出射部
410‧‧‧光源裝置
411a、411b‧‧‧雷射聚光系統
413‧‧‧透光性螢光體
413a‧‧‧入射面
413b‧‧‧出射面
413c‧‧‧入射面
510‧‧‧光源裝置
513‧‧‧透光性螢光體
513a‧‧‧入射面
513b、513c‧‧‧出射面
514a、514b‧‧‧螢光導入系統
610‧‧‧光源裝置
611a、611b‧‧‧雷射聚光系統
613‧‧‧透光性螢光體
710‧‧‧光源裝置
713‧‧‧透光性螢光體
714a、714b‧‧‧螢光導入系統
810‧‧‧光源裝置
811a、811b‧‧‧雷射聚光系統
813‧‧‧透光性螢光體
814a、814b‧‧‧螢光導入系統
910‧‧‧光源裝置
913‧‧‧透光性螢光體
913a‧‧‧雷射透射/螢光反射膜（第1面）
913b‧‧‧雷射反射/螢光透射膜（第2面）
1010‧‧‧光源裝置
1011a、1011b、1011c‧‧‧雷射聚光系統
1013‧‧‧透光性螢光體
1013a‧‧‧雷射透射/螢光反射鏡
1013b‧‧‧雷射透射/螢光反射鏡
1110‧‧‧光源裝置
1113‧‧‧透光性螢光體
1113a‧‧‧導入窗（第1開口部）
1113b‧‧‧導出窗（第2開口部）
1113c‧‧‧反射膜
1210‧‧‧光源裝置
1211a～1211c‧‧‧雷射聚光系統
1213‧‧‧透光性螢光體
1213a～1213c‧‧‧導入窗（第1開口部）
1213d‧‧‧導出窗（第2開口部）
1213e‧‧‧反射膜
1310‧‧‧光源裝置
1311a～1311f‧‧‧雷射聚光系統
1313‧‧‧透光性螢光體
1313a～1313f‧‧‧導入窗（第1開口部）
1313g‧‧‧導出窗（第2開口部）
1313h‧‧‧反射膜
1410‧‧‧光源裝置
1413‧‧‧透光性螢光體
1413a‧‧‧導入窗（第1開口部）
1413b、1413c‧‧‧導出窗（第2開口部）
1413d‧‧‧反射膜
1414a、1414b‧‧‧螢光導入系統
1510‧‧‧光源裝置
1513‧‧‧透光性螢光體
1513a‧‧‧入射面
1513b‧‧‧出射面
1516a、1516b‧‧‧凹面鏡
1610‧‧‧光源裝置
1611a、1611b‧‧‧雷射聚光系統
1613‧‧‧透光性螢光體
1613a、1613b‧‧‧入射面
1613c‧‧‧出射面
1616‧‧‧凹面鏡
1710‧‧‧光源裝置
1711a、1711b‧‧‧雷射聚光系統
1713‧‧‧透光性螢光體
1713a‧‧‧入射面
1713b‧‧‧出射面
A1‧‧‧中心軸
A2‧‧‧透鏡中心軸
d1、d2、d3‧‧‧距離
rBW‧‧‧聚光位置中的雷射半徑
SBW‧‧‧面積
S(x'-x)‧‧‧剖面積
T‧‧‧測量對象物
t‧‧‧透光性螢光體的厚度
X‧‧‧聚光點
x‧‧‧自表面至透光性螢光體內的聚光點的距離
x'‧‧‧自表面至測量位置的距離
θ‧‧‧雷射光進出透光性螢光體的內部時的最大錐角的一半
圖1為表示搭載有本發明的一實施方式的光源裝置的共焦點測量裝置的構成的示意圖。 圖2為表示圖1的共焦點測量裝置中所搭載的光源裝置的構成的示意圖。 圖3為對圖2的光源裝置的主要部分進行了放大後的示意圖。 圖4為表示圖3的透光性螢光體的內部所形成的螢光光源部的形狀的示意圖。 圖5為表示本發明的實施方式2的光源裝置的構成的示意圖。 圖6為對圖5的光源裝置的主要部分進行了放大後的示意圖。 圖7為表示圖5的光源裝置中所含的凹面鏡（二向色反射鏡）的波長特性的曲線圖。 圖8為表示本發明的實施方式3的光源裝置的構成的示意圖。 圖9為對圖8的光源裝置的主要部分進行了放大後的示意圖。 圖10為表示圖8的光源裝置中所含的凹面鏡（二向色反射鏡）的波長特性的曲線圖。 圖11為表示本發明的實施方式4的光源裝置的構成的示意圖。 圖12（a）為表示圖11的光源裝置中所含的透光性螢光體中的光的折射的示意圖。圖12（b）為表示作為比較例的、圖2的光源裝置中所含的透光性螢光體中的光的折射的示意圖。 圖13為表示本發明的實施方式5的光源裝置的構成的示意圖。 圖14為表示圖13的光源裝置中所含的透光性螢光體的內部中所形成的聚光點的位置的示意圖。 圖15為表示本發明的實施方式6的光源裝置的構成的示意圖。 圖16為表示圖15的光源裝置中所含的透光性螢光體的內部中所形成的聚光點的位置的示意圖。 圖17為表示本發明的實施方式7的光源裝置的構成的示意圖。 圖18為表示本發明的實施方式8的光源裝置的構成的示意圖。 圖19為表示本發明的實施方式9的光源裝置的構成的示意圖。 圖20為表示本發明的實施方式10的光源裝置的構成的示意圖。 圖21為表示圖20的光源裝置中所含的透光性螢光體的構成的放大圖。 圖22為表示本發明的實施方式11的光源裝置的構成的示意圖。 圖23為表示圖22的光源裝置中所含的透光性螢光體的構成的示意圖。 圖24為表示本發明的實施方式12的光源裝置的構成的示意圖。 圖25為表示本發明的實施方式13的光源裝置的構成的示意圖。 圖26為表示本發明的實施方式14的光源裝置的構成的示意圖。 圖27為表示本發明的實施方式15的光源裝置的構成的示意圖。 圖28為表示本發明的實施方式16的光源裝置的構成的示意圖。 圖29為表示本發明的實施方式17的光源裝置的構成的示意圖。 圖30為表示本發明的實施方式18的光源裝置的構成的示意圖。 圖31為針對透光性螢光體的吸收係數表示圖3的透光性螢光體的內部所形成的聚光點距螢光體表面的距離與螢光體內部中的放射亮度之間的關係的曲線圖。 圖32為用以說明作為圖31的曲線圖的根據的數式的圖。

Claims (29)

  1. 一種光源裝置，其具備： 光源部，照射雷射光； 聚光透鏡，對自所述光源部照射的所述雷射光進行聚光；以及 透光性螢光體，於內部設置有由所述聚光透鏡聚光的所述雷射光的聚光點，且於所述雷射光透射的部分中發出螢光。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的光源裝置，其中 所述透光性螢光體於內部設置有由所述聚光透鏡聚光的所述雷射光的聚光點，所述雷射光以小於入射至所述透光性螢光體的表面時的光束直徑、及自所述透光性螢光體的表面出射時的光束直徑的任一者的光束直徑透射聚光點，並於所述雷射光透射的部分發出螢光。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的光源裝置，其中 所述聚光點設置於距所述透光性螢光體的表面為500 μm以內的範圍。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的光源裝置，其中 所述聚光點設置於距所述透光性螢光體的表面為160 μm以內的範圍。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的光源裝置，其中 所述透光性螢光體為單晶螢光體。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的光源裝置，其中 所述透光性螢光體具有球、橢圓體或多面體的形狀。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的光源裝置， 其更具備導入用透鏡，所述導入用透鏡至少對所述透光性螢光體中所發出的所述螢光進行聚光。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的光源裝置， 其更具備光纖，所述光纖於第1端面處被照射所述導入用透鏡中所聚光的所述螢光，並且自與所述第1端面為相反側的第2端面出射所述螢光。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的光源裝置，其中 相對於單一的所述透光性螢光體，設置有多個包括所述導入用透鏡及所述光纖的螢光導入系統。
  10. 如申請專利範圍第7項所述的光源裝置，其中 所述導入用透鏡以透鏡的中心軸相對於自所述光源部照射並由所述聚光透鏡聚光的所述雷射光的雷射傳播的中心軸而成為同軸的方式配置。
  11. 如申請專利範圍第8項所述的光源裝置，其中 所述導入用透鏡的透鏡中心軸相對於所述聚光透鏡的透鏡中心軸傾斜地配置。
  12. 如申請專利範圍第8項所述的光源裝置，其中 包括所述導入用透鏡及所述光纖的多個螢光導入系統以所述導入用透鏡位於以所述透光性螢光體為中心的一個球面上的方式配置。
  13. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的光源裝置，其中 相對於單一的所述透光性螢光體而設置有多個包括所述光源部及所述聚光透鏡的雷射聚光系統。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的光源裝置，其中 所述多個雷射聚光系統以所述聚光透鏡位於以所述透光性螢光體為中心的一個球面上的方式配置。
  15. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的光源裝置，其中 所述透光性螢光體具有使所述雷射光透射並使所述螢光反射的第1面、以及使所述雷射光反射並使所述螢光透射的第2面。
  16. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的光源裝置， 其更具備凹面鏡，所述凹面鏡配置於所述透光性螢光體的入射面側，使自所述光源部照射的所述雷射光透射，並且將所述透光性螢光體中所發出的所述螢光中的，發出至所述入射面側的所述螢光向所述透光性螢光體側反射。
  17. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的光源裝置， 其更具備凹面鏡，所述凹面鏡配置於所述透光性螢光體的出射面側，將自所述光源部照射並通過所述透光性螢光體的所述雷射光反射，並且使所述透光性螢光體中所發出的所述螢光中的，發出至所述出射面側的所述螢光透射。
  18. 如申請專利範圍第16項所述的光源裝置，其中 所述凹面鏡為二向色反射鏡、或具有開口部的穿孔反射鏡。
  19. 如申請專利範圍第1項所述的光源裝置，其中 所述透光性螢光體具有球狀的形狀。
  20. 如申請專利範圍第19項所述的光源裝置，其中 所述透光性螢光體具有導入自所述光源部照射並由所述聚光透鏡聚光的所述雷射光的第1開口部、以及導出藉由所述雷射光而於所述透光性螢光體中發出的所述螢光的第2開口部。
  21. 如申請專利範圍第19項或第20項所述的光源裝置，其中 包括所述光源部以及所述聚光透鏡的雷射聚光系統以使所述雷射光聚光至球狀的所述透光性螢光體的中心部分的方式配置。
  22. 如申請專利範圍第19項或第20項所述的光源裝置，其中 於以所述透光性螢光體為中心的一個球面上，配置有多個包括所述光源部及所述聚光透鏡的雷射聚光系統。
  23. 如申請專利範圍第19項或第20項所述的光源裝置，其更具備： 導入用透鏡，對所述透光性螢光體中所發出的所述螢光進行聚光；以及 光纖，所述光纖於第1端面處被照射所述導入用透鏡中所聚光的所述螢光，並且自與所述第1端面為相反側的第2端面出射所述螢光。
  24. 如申請專利範圍第23項所述的光源裝置，其中 於以所述透光性螢光體為中心的一個球面上，配置有多個包括所述導入用透鏡及所述光纖的螢光導入系統。
  25. 如申請專利範圍第23項所述的光源裝置，其中 所述導入用透鏡以透鏡的中心軸與自所述光源部照射並由所述聚光透鏡聚光的所述雷射光的光軸成為同軸的方式配置。
  26. 如申請專利範圍第23項所述的光源裝置，其中 所述導入用透鏡的透鏡中心軸相對於所述聚光透鏡的透鏡中心軸傾斜地配置。
  27. 一種光源裝置，其具備： 光源部，照射雷射光； 聚光透鏡，對自所述光源部照射的所述雷射光進行聚光； 透光性螢光體，於由所述聚光透鏡聚光的所述雷射光透射的部分中發出螢光； 反射膜，設置於所述透光性螢光體的表面的至少一部分，對所述雷射光或所述螢光進行反射； 第1開口部，形成於所述反射膜中的所述雷射光的入射側的一部分，使所述雷射光入射；以及 第2開口部，形成於所述反射膜中的所述螢光的出射側的一部分，使所述螢光出射。
  28. 一種測距感測器，其具備： 如申請專利範圍第1項或第2項所述的光源裝置； 光接收部，接收自所述光源裝置照射的光的反射光；以及 測定部，基於所述光接收部中所接收的光的量，測定距對象物的距離。
  29. 如申請專利範圍第28項所述的測距感測器， 其更具有供所述光源裝置輸出的包含多個波長的光通過的色像差焦點透鏡， 所述光接收部經由所述色像差焦點透鏡而接收照射至所述對象物的所述包含多個波長的光的反射光，並且 所述測定部基於所述光接收部中的光接收量成為最大的所述反射光的波長，測定距所述對象物的距離。
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