TW201900407A - 透明導電膜 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種透明性及導電性優異，進而具有高硬度之透明導電膜。
本發明之一形態之透明導電膜係成膜於基底上之透明導電膜。上述透明導電膜包含氧化錫、1.5wt%以上2.5wt%以下之氧化鉭及0.3wt%以上0.7wt%以下之氧化鈮。此種透明導電膜由於包含氧化錫、1.5wt%以上2.5wt%以下之氧化鉭及0.3wt%以上0.7wt%以下之氧化鈮，故而具有高硬度，進而透明性及導電性優異。

Description

透明導電膜
本發明係關於一種透明導電膜。
代表性的表面保護膜有DLC(Diamond Like Carbon；類鑽碳)膜。DLC膜例如包含sp3鍵與sp2鍵，sp3鍵之比率越多則鑽石性越強，sp2鍵之比率越多則石墨(graphite)性越強。例如，若sp3鍵之比率高，則DLC膜的透明性、高硬度性、絕緣性優異，若sp2鍵之比率高，則非透明性、低硬度性、導電性優異。DLC膜係用於溫度感測器的表面保護膜(例如，參照專利文獻1)，或者用於顯示面板的表面保護膜(例如，參照專利文獻2)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開2003-207396號公報。
專利文獻2：日本特開2013-130854號公報。
然而，於作為表面保護膜而被要求低電阻之規格之情形時，若使DLC膜中sp2鍵之比率增加，雖DLC膜的電阻會下降，但膜的透明性卻降低且硬度變低。另一方面，若使DLC膜中sp3鍵之比率增加，雖透明性及硬度會提高，但電阻卻上升。
鑒於如上情況，本發明之目的在於提供一種透明性及導電性優異，進而具有高硬度之透明導電膜。
為了達成上述目的，本發明之一形態之透明導電膜係成膜於基底上之透明導電膜。上述透明導電膜包含氧化錫、1.5wt%以上2.5wt%以下之氧化鉭及0.3wt%以上0.7wt%以下之氧化鈮。
此種透明導電膜由於包含氧化錫、1.5wt%以上2.5wt%以下之氧化鉭及0.3wt%以上0.7wt%以下之氧化鈮，故而具有高硬度，進而透明性及導電性優異。
上述透明導電膜亦可具有1000nm以下之厚度。
此種薄的透明導電膜亦具有高硬度，進而透明性及導電性優異。
上述透明導電膜亦可具有100Ω/sq.以下之片電阻 (sheet resistance)。
根據此種透明導電膜，片電阻成為100Ω/sq.以下，導電性優異。
上述透明導電膜亦可具有3500μΩ．cm以下之電阻率。
根據此種透明導電膜，電阻率成為3500μΩ．cm以下，導電性優異。
上述透明導電膜亦可具有1000kgf/mm2以上之維氏硬度(Vickers hardness)。
根據此種透明導電膜，維氏硬度成為1000kgf/mm2以上，硬度優異。
如上所述，根據本發明，可提供一種透明性及導電性優異，進而具有高硬度之透明導電膜。
1‧‧‧濺鍍裝置
10‧‧‧真空容器
10h‧‧‧開口
11‧‧‧閘閥
15‧‧‧氣體導入配管
16‧‧‧基板托盤
17‧‧‧旋轉軸
18‧‧‧溫度調整器
20‧‧‧成膜源
20A、20B‧‧‧陰極單元
21A、21B‧‧‧電源
22A、22B‧‧‧纜線
23A、23B‧‧‧擋板
30‧‧‧真空排氣泵
50‧‧‧基板
101‧‧‧容器本體
102‧‧‧蓋體
103‧‧‧處理室
201A、201B‧‧‧靶
202A、202B‧‧‧背襯板
203A、203B‧‧‧磁鐵
A、B‧‧‧線(透光率)
圖1係形成本實施形態之透明導電膜之成膜裝置的概略剖面圖。
圖2係表示本實施形態之透明導電膜的光學特性之曲線圖。
以下，一面參照圖式，一面說明本發明之實施形態。於各圖式中有時導入XYZ軸座標。
圖1係形成本實施形態之透明導電膜之成膜裝置的概略剖面圖。
本實施形態之透明導電膜例如藉由圖1所示之磁控(magnetron)方式之濺鍍(sputtering)裝置1所形成。濺鍍裝置1具備真空容器10、氣體導入配管15、基板托盤(tray)16、成膜源20、電源21A、21B及真空排氣泵30等。
真空容器10具有容器本體101及蓋體102，該容器本體101係上端已開口，該蓋體102係覆蓋容器本體101的上端。真空容器10成為接地電位。於真空容器10的側壁係設置有開口10h。於開口10h係設置有閘閥(gate valve)11。真空容器10係經由閘閥11例如與其他真空容器連結。
真空容器10於內部劃分形成有處理室103。處理室103可藉由真空排氣泵30而被維持於減壓狀態(例如，1×10-5Pa以下)。真空排氣泵30例如由渦輪分子泵(turbomolecular pump)及旋轉泵(rotary pump)所構成，該旋轉泵係與渦輪分子泵之排壓側連接。另外，於真空容器10係設置有用以向 處理室103內導入放電氣體的氣體導入配管15。放電氣體例如包含氬及氧之至少一者。放電氣體並不限於氬、氧。
於處理室103中係設置有用以支持基板50的基板托盤16。基板托盤16能夠以旋轉軸17為中心而旋轉。於基板托盤16與蓋體102之間係設置有加熱器(heater)機構等的溫度調整器18。基板托盤16例如成為接地電位。於基板托盤16可設置複數個基板50。基板托盤16可相對於旋轉軸17裝卸，例如可將複數個基板50與基板托盤16一起搬送於處理室103內外。
於基板托盤16下係配置有成膜源20。成膜源20與基板托盤16對向。在圖1之例中，作為成膜源20，例示有複數個陰極單元(cathode unit)20A、20B。陰極單元20A具有靶(target)201A、背襯板(backing plate)202A及磁鐵203A。陰極單元20B具有靶201B、背襯板202B及磁鐵203B。
陰極單元數並不限於圖示之數量。靶201A、201B為濺鍍源，並且亦為陰極電極。基板50與靶201A、201B之間之距離例如為60mm以上300mm以下。
靶201A、201B之任一者包含氧化錫、氧化鉭及氧化鈮。或者，亦可為靶201A包含氧化錫、氧化鉭及氧化鈮之至少兩種材料，靶201B包含氧化錫、氧化鉭及氧化鈮中 除了靶201A之材料以外的材料。或者，亦可為於處理室103設置陰極單元20A、20B以外的其他陰極單元，靶201A包含氧化錫，靶201B包含氧化鉭，其餘靶包含氧化鈮。
靶201A、201B之各自的平面形狀例如為圓形。例如，各自的直徑為4英吋。對於靶201A而言，於濺鍍時自電源21A經由纜線(cable)22A供給1W/cm2以上3W/cm2以下之電力。對於靶201B而言，於濺鍍時自電源21B經由纜線22B供給1W/cm2以上3W/cm2以下之電力。
磁鐵203A設置於背襯板202A的背面側。自磁鐵203A發出之磁場經由背襯板202A洩漏至靶201A的表面。磁鐵203B設置於背襯板202B的背面側。自磁鐵203B發出之磁場經由背襯板202B洩漏至靶201B的表面。
靶201A的表面係隔開預定距離而由擋板(shutter)23A所覆蓋(關閉狀態)，或者自擋板23A敞開而向處理室103露出(打開狀態)。靶201B的表面係隔開預定距離而由擋板23B覆蓋，或者自擋板23B敞開而向處理室103露出。
在本實施形態中係表示以下例子作為一例：靶201A成為濺鍍源，於基板50形成有包含氧化錫、氧化鉭及氧化鈮之透明導電膜。亦即，靶201A包含氧化錫、氧化鉭及氧化鈮，擋板23A為打開狀態，靶201A成為濺鍍源，包 含氧化錫、氧化鉭及氧化鈮之透明導電膜成膜於基板50。再者，於濺鍍時擋板23B為關閉狀態。
靶201A例如包含作為主成分之氧化錫(SnO2)、1.5wt%以上2.5wt%以下之氧化鉭(Ta2O5)、及0.3wt%以上0.7wt%以下之氧化鈮(Nb2O5)。於靶201A中，例如包含96.8wt%以上98.2wt%以下之氧化錫。
作為一例，於靶201A中氧化錫成為主成分，且包含2.0wt%之氧化鉭及0.5wt%之氧化鈮。在該情形下，於靶201A中例如包含97.5wt%之氧化錫。關於氧化錫、氧化鉭及氧化鈮之各自之組成，除化學計量組成(stoichiometric composition)以外，亦可為與化學計量組成接近之組成。
電源21A、21B之各者例如為DC(direct current；直流)電源、RF(radio frequency；射頻)電源(頻率：13.56MHz)或DC脈衝(pulse)電源(脈衝頻率：5kHz以上400kHz以下)之任一者。靶201A經由纜線22A與電源21A連接。於纜線22A之中途亦可設置有匹配電路(matching circuit)。靶201B經由纜線22B與電源21B連接。於纜線22B之中途亦可設置有匹配電路。
在濺鍍裝置1中，於處理室103被維持於預定壓力之放電氣體之狀態下，自電源21A對靶201A施加預定功率 之電力。藉此，於處理室103中係產生有電漿而電漿中的離子將靶201A予以濺鍍。結果，自靶201A所釋放出之濺鍍粒子堆積於基板50上。亦即，於基板50的表面成膜透明導電膜。放電氣體例如為氧氣或氧氣與氬氣之混合氣體。
另外，由於濺鍍裝置1採用磁控方式，因此在靶201A附近電子之捕獲(trapping)效應得到促進，放電氣體高效率地電離(electrolytic dissociation)。藉此，放電氣體中的離子以高頻率碰撞靶201A，濺鍍粒子自靶201A高效率地被釋放出。濺鍍時之真空容器10內的氣體氛圍為0.1Pa以上10Pa以下。
例如可使用藍寶石基板、玻璃基板、半導體基板等作為透明導電膜之基底的基板50。於基板50的表面亦可形成有導電膜、導電膜圖案(pattern)、絕緣膜(無機物、有機物)、絕緣膜圖案等。於濺鍍時，基板50的溫度例如控制為25℃(室溫)以上300℃以下。基板50的平面形狀例如為矩形，一邊的長度為30mm以上200mm以下。
以下表示成膜條件的例子。
靶材：氧化錫(97.5wt%)/氧化鉭(2.0wt%)/氧化鈮(0.5wt%)
電力：2W/cm2(DC電源)
氬分壓：0.5Pa
氧分壓：2×10-2Pa
基板溫度：室溫
膜退火(anneal)(成膜後)：250℃、1小時(大氣氛圍)
此處，氧分壓為一例，藉由調整氧分壓而適宜調整透明導電膜中的氧濃度，從而將透明導電膜的電阻率調整為所期望之值。另外，透明導電膜的厚度為1000nm以下。
於本實施形態中，成膜於基板50上之透明電極膜例如適用於感測器的表面保護膜、ESD(Electro Static Discharge；靜電放電)對策用的表面保護膜、顯示面板的表面保護膜等。成膜於基板50上之透明電極膜的透明性、導電性優異，且適於硬塗(hard coating)。
以下，對成膜於基板50上之透明電極膜進行說明。
透明導電膜包含作為主成分之氧化錫(SnOx：1.5≦x≦2)、1.5wt%以上2.5wt%以下之氧化鉭(Ta2Oy：3.5≦y≦5)及0.3wt%以上0.7wt%以下之氧化鈮(Nb2Oz：3.5≦z≦5)。於透明導電膜中例如包含有96.8wt%以上98.2wt%以下之氧化錫。氧化錫、氧化鉭及氧化鈮之各自的組成可為化學計量組成，亦可為與化學計量組成接近之組成。所謂與化學計量組成接近之組成例如為氧處於若干缺損狀態之組成。
作為一例，於透明導電膜中氧化錫成為主成分，且包 含有2.0wt%之氧化鉭及0.5wt%之氧化鈮。例如，透明導電膜中的氧化錫的濃度為97.5wt%。此種透明導電膜由於包含氧化錫、1.5wt%以上2.5wt%以下之氧化鉭及0.3wt%以上0.7wt%以下之氧化鈮，因此具有高硬度，進而透明性及導電性優異。
例如，具有1000kgf/mm2以上之維氏硬度。另外，透明導電膜於可見光區域中具有76%以上之透光率。進而，透明導電膜具有100Ω/sq.以下之片電阻，具有3500μΩ．cm以下之電阻率。
再者，於透明導電膜中有時含有靶材的製造過程中所導入之微量的鋁(Al)、鋯(Zr)等元素。不論透明導電膜中含有或不含微量元素(Al、Zr等)，於本實施形態中均可獲得實質上相同之效果。再者，以作為副成分而言，除上述之氧化物以外，任一第3族元素均符合。
其次，對透明導電膜的具體效果進行說明。
圖2係表示本實施形態之透明導電膜的光學特性之曲線圖。圖2之橫軸為波長(nm)，縱軸為透光率(%)。
在圖2係表示有形成有透明導電膜之藍寶石基板的透光率(A線)及藍寶石基板的透光率(B線)。B線相當於附透 明導電膜之藍寶石基板的透光率的背景(background)。此處，藍寶石基板的厚度為0.5mm。透明導電膜的厚度為360nm。
如圖2所示，在400nm以上之波長頻帶中，附透明導電膜之藍寶石基板的透光率成為65%以上83%以下。若由藍寶石基板的透光率(背景值)換算透明導電膜的單層的透光率，則透明導電膜於波長為400nm以上時透光率成為76%以上97%以下。
另外，在圖2所示之透明導電膜中，片電阻成為75Ω/sq.以上100Ω/sq.以下，電阻率成為2625μΩ．cm以上3500μΩ．cm以下。在透明導電膜中，若片電阻大於100Ω/sq.，則於用作電極之情形時，有片電阻高且缺陷產生之情況因此欠佳。
另外，於表1中表示本實施形態之透明導電膜的硬度與比較例之ITO(Indium Tin Oxide；銦錫氧化物)膜的硬度。
比較例(ITO膜)中之成膜條件如下：
靶材：氧化銦(90wt%)/氧化錫(10wt%)
電力：2W/cm2(DC電源)
氬分壓：0.5Pa
氧分壓：5×10-3Pa
基板溫度：室溫
膜退火(成膜後)：250℃、1小時(大氣氛圍)。
表1中，「HM」為馬氏硬度(Martens hardness)。「HIT」為奈米壓痕硬度(nanoindentation hardness)。「HV」為維氏硬度。使用藍寶石基板作為基板50。
如表1所示，實施例(透明導電膜)的馬氏硬度、奈米壓痕硬度及維氏硬度係較比較例(ITO膜)的馬氏硬度、奈米壓痕硬度及維氏硬度高。ITO膜係作為透明性導電膜廣為大眾所知之材料。本實施形態之透明導電膜與ITO膜相比具有更高的硬度。例如，實施例(透明導電膜)之各自的硬度成為比較例(ITO膜)的大致3倍。
如此，本實施形態之透明導電膜具有高硬度，進而透明性及導電性優異。尤其是若將本實施形態之透明導電膜用作器件(device)的表面保護膜，則器件的耐損傷性大幅提高。例如，即便用人手或筆觸碰透明導電膜，透明導電膜亦歷經長時間不易受到損傷，且亦不易帶電。
以上，雖然對本發明之實施形態進行了說明，當然本 發明並不僅限定於上述之實施形態，而可施加各種變更。

Claims (9)

  1. 一種透明導電膜，係成膜於基底上，且包含：氧化錫；1.5wt%以上2.5wt%以下之氧化鉭；以及0.3wt%以上0.7wt%以下之氧化鈮。
  2. 如請求項1所記載之透明導電膜，其中前述透明導電膜具有1000nm以下之厚度。
  3. 如請求項1或2所記載之透明導電膜，其中前述透明導電膜具有100Ω/sq.以下之片電阻。
  4. 如請求項1或2所記載之透明導電膜，其中前述透明導電膜具有3500μΩ．cm以下之電阻率。
  5. 如請求項3所記載之透明導電膜，其中前述透明導電膜具有3500μΩ．cm以下之電阻率。
  6. 如請求項1或2所記載之透明導電膜，其中前述透明導電膜具有1000kgf/mm 2以上之維氏硬度。
  7. 如請求項3所記載之透明導電膜，其中前述透明導電膜具有1000kgf/mm 2以上之維氏硬度。
  8. 如請求項4所記載之透明導電膜，其中前述透明導電膜具有1000kgf/mm 2以上之維氏硬度。
  9. 如請求項5所記載之透明導電膜，其中前述透明導電膜具有1000kgf/mm 2以上之維氏硬度。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101002492B1 (ko) * 2002-08-02 2010-12-17 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 스퍼터링 타겟, 소결체, 이들을 사용하여 제조한 도전막,유기 ｅｌ 소자, 및 이것에 사용하는 기판
JP4851777B2 (ja) * 2005-11-09 2012-01-11 三井金属鉱業株式会社 ＳｎＯ２系スパッタリングターゲットおよびその製造方法
CN101460651B (zh) * 2006-06-08 2011-04-06 旭硝子株式会社 透明导电膜及其制造方法以及用于其制造的溅射靶材
JP4859726B2 (ja) * 2007-03-29 2012-01-25 三井金属鉱業株式会社 ＳｎＯ２系スパッタリングターゲットおよびスパッタ膜
JP5249560B2 (ja) * 2007-11-09 2013-07-31 三井金属鉱業株式会社 ＳｎＯ２系スパッタリングターゲット
CN103038834A (zh) * 2010-06-04 2013-04-10 奈米新素材株式会社 透明导电膜、透明导电膜用靶及透明导电膜用靶的制造方法
JP6010024B2 (ja) * 2011-05-13 2016-10-19 ジオマテック株式会社 透明導電膜付き基板及び色素増感太陽電池
JP2013173658A (ja) * 2012-02-27 2013-09-05 Sumitomo Chemical Co Ltd 酸化錫系焼結体およびその製造方法

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