TW201842116A - 晶圓加工用黏著片材 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種適於抑制晶圓切割時產生之灰塵對加工對象物附著之晶圓加工用黏著片材。 本發明之晶圓加工用黏著片材10具有包含作為含有塑化劑之聚烯烴系基材之基材11、及含有塑化劑之黏著劑層12的積層構造。黏著劑層12中之塑化劑之含量係相對於黏著劑層12中之黏著劑100質量份，例如為1～100質量份。

Description

晶圓加工用黏著片材

本發明係關於一種可用於晶圓之切割等之晶圓加工用黏著片材。

於半導體裝置之製造過程中，有使用切割裝置所具備之旋轉刀片進行用以將半導體晶圓單片化為複數個半導體晶片之晶圓切割步驟之情形。於晶圓切割步驟中，例如於使半導體晶圓保持於具有黏著面之晶圓加工用黏著片材之黏著面上之狀態下，藉由旋轉刀片而將該半導體晶圓切斷而單片化為複數個半導體晶片。關於此種晶圓切割之技術，例如記載於下述之專利文獻1～3中。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2002-192465號公報 [專利文獻2]日本專利特開2014-158046號公報 [專利文獻3]日本專利特開2016-96239號公報

[發明所欲解決之問題] 於實施切削加工之切割步驟中，不可避免會產生切削屑等灰塵，為了去除產生之灰塵或冷卻切削部位等，向旋轉刀片及半導體晶圓不斷供給水流，在此過程中進行切割步驟之切削加工。然而，即便於水流供給下之切割步驟中，亦有於經過該切割步驟之加工對象物附著有灰塵之情形。於半導體裝置之製造中，關於此種灰塵要求降低附著量，於提交至切割步驟中之切削加工對象物為單片化為要求尤其高之表面清淨度之元件者之情形、例如為單片化為CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補金氧半導體)影像傳感器等固體攝像元件之晶圓積層體之情形時，該要求強烈。 本發明係基於如上之情況而想出者，其目的在於提供一種適於抑制晶圓切割時產生之灰塵對加工對象物附著之晶圓加工用黏著片材。 [解決課題之技術手段] 由本發明所提供之晶圓加工用黏著片材具有包含聚烯烴系基材與黏著劑層之積層構造。聚烯烴系基材含有塑化劑，且黏著劑層含有黏著劑及塑化劑。於本發明中，所謂聚烯烴系基材，係指聚烯烴系樹脂於基材構成材料中佔有最大質量比率之基材。 此種構成之晶圓加工用黏著片材可於半導體裝置之製造過程中，用於實施切削加工之切割步驟等。於切割步驟中，例如於對密接於本晶圓加工用黏著片材之黏著劑層之半導體晶圓等加工對象物，向切割裝置具備之旋轉刀片及加工對象物持續供給水流時，進行切削加工。於本晶圓加工用黏著片材中，於黏著劑層中包含塑化劑，此外於基材中亦包含塑化劑，故而於切割步驟中對加工對象物與本晶圓加工用黏著片材一同用旋轉刀片進行切削之情形時，於旋轉刀片與本晶圓加工用黏著片材之接觸界面旋轉刀片相對於該片材容易滑動，其結果為，可用所供給之水流將切削屑等灰塵自切削部位及其附近有效地去除。於切割步驟中自切削部位及其附近所去除之灰塵越多，附著於提交至切割步驟中之加工對象物之灰塵越少。 另一方面，本發明者等人獲得如下之見解：與對不含塑化劑之黏著劑層用切割用之旋轉刀片進行切削之情形相比，對含有塑化劑之黏著劑層用旋轉刀片進行切削之情形有於黏著劑層之切削部位黏著劑細小地斷裂而飛散之傾向。因為含有塑化劑之黏著劑層藉由旋轉刀片之切削所產生之黏著劑屑容易微粒化。關於切割步驟中所產生之黏著劑屑群，認為其平均粒徑越小，每單位體積之表面積越大，故而容易捕捉源自加工對象物之半導體屑或金屬屑等其他灰塵。與半導體屑或金屬屑等其他灰塵相比，黏著劑屑具有明顯小之比重，藉由此種黏著劑屑之其他灰塵之捕捉意味著與該其他灰塵本身相比比重較小之複合灰塵形成。該複合灰塵與半導體屑或金屬屑等相比，比重亦較小，故而難以於水中沈澱而不易殘留於加工對象物上。因此，本晶圓加工用黏著片材具有藉由旋轉刀片之切削所產生之黏著劑屑容易微粒化之含塑化劑之黏著劑層的構成有助於抑制灰塵對加工對象物附著。 如上所述般，本晶圓加工用黏著片材適於抑制晶圓切割時所產生之灰塵對加工對象物之附著。又，本晶圓加工用黏著片材之基材如上所述般為聚烯烴系基材，可作為對環境友好之無氯乙烯之片材支持體而發揮功能。具備此種基材之本晶圓加工用黏著片材係於晶圓切割時不以源自基材之切削屑之形式產生含氯乙烯之切削屑，此外，適於抑制切削屑等灰塵對加工對象物之附著。 本晶圓加工用黏著片材之黏著劑層中之塑化劑之含量係相對於黏著劑層中之黏著劑100質量份，較佳為1質量份以上，更佳為4質量份以上，更佳為8質量份以上，更佳為12質量份以上。有黏著劑層中之塑化劑之含量越大，越可享受因塑化劑帶來之上述之灰塵附著量降低效果的傾向。 就於黏著劑層中適當地表現含有黏著劑之接著性等基本特性之觀點而言，本晶圓加工用黏著片材之黏著劑層中之塑化劑之含量係相對於黏著劑層中之黏著劑100質量份，較佳為100質量份以下，更佳為80質量份以下，更佳為70質量份以下。 本晶圓加工用黏著片材之黏著劑層較佳為包含芳香族羧酸酯系塑化劑及/或聚酯系塑化劑作為塑化劑。又，本晶圓加工用黏著片材之聚酯系基材較佳為包含芳香族羧酸酯系塑化劑及/或聚酯系塑化劑作為塑化劑。作為黏著劑層中或聚酯系基材中之芳香族羧酸酯系塑化劑，較佳為對苯二甲酸二-2-乙基己酯。該等構成就獲得上述之灰塵附著量降低效果方面而言較佳。 本晶圓加工用黏著片材之聚烯烴系基材較佳為無氯乙烯。此種構成就獲得對環境友好之晶圓加工用黏著片材方面而言較佳。又，本晶圓加工用黏著片材之聚烯烴系基材包含乙烯-乙酸乙烯酯共聚物或乙烯-丙烯共聚物作為樹脂主成分。所謂基材之樹脂主成分，係指於基材中所含之樹脂成分中占最大之質量比率者。此種構成就於晶圓加工用黏著片材之基材中即便其為無氯乙烯關於強度等亦確保充分之特性方面而言較佳。

圖1係本發明之一實施形態之晶圓加工用黏著片材10之剖面模式圖。晶圓加工用黏著片材10係具有包含基材11與黏著劑層12之積層構造，且於半導體裝置之製造過程中，可用於實施切削加工之切割步驟等中者。又，晶圓加工用黏著片材10具有與半導體晶圓或晶圓積層體等加工對象物對應之尺寸之例如圓盤形狀。 晶圓加工用黏著片材10之基材11係於該片材中作為支持體發揮功能之元件，例如為塑膠膜之形態。又，基材11係聚烯烴系基材，於其構成材料中以最大之質量比率含有聚烯烴系樹脂。作為此種聚烯烴系樹脂，例如可列舉：低密度聚乙烯、直鏈狀低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、乙烯-丙烯共聚物(例如無規共聚聚丙烯及嵌段共聚聚丙烯)、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、離子聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-丁烯共聚物、及乙烯-己烯共聚物。作為基材11之構成材料，可使用一種聚烯烴系樹脂，亦可使用兩種以上之聚烯烴系樹脂。於本實施形態中，基材11較佳為包含乙烯-乙酸乙烯酯共聚物或乙烯-丙烯共聚物作為樹脂主成分。 基材11亦可於其構成材料中將其他樹脂與聚烯烴系樹脂一同含有。作為此種其他樹脂，例如可列舉：聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚酯、聚胺基甲酸酯、聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳香族聚醯胺、聚苯硫醚、芳香族聚醯胺、氟樹脂、纖維素系樹脂、及聚矽氧樹脂。作為聚酯，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯、及聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)。作為基材11之構成材料，可使用一種其他樹脂，亦可使用兩種以上之其他樹脂。基材11較佳為無氯乙烯。 基材11中之樹脂材料之含有比率例如為100質量%以下，較佳為90質量%以下。 基材11係將塑化劑與如上所述之樹脂材料一同含有。作為塑化劑，例如可列舉：芳香族羧酸酯系塑化劑、脂肪族羧酸酯系塑化劑、及聚酯系塑化劑。作為芳香族羧酸酯系塑化劑，例如可列舉：鄰苯二甲酸酯、對苯二甲酸酯、己二酸酯、苯甲酸酯、偏苯三甲酸酯、及均苯四甲酸酯。作為脂肪族羧酸酯系塑化劑，例如可列舉：癸二酸酯、壬二酸酯、順丁烯二酸酯、及檸檬酸酯。作為上述之鄰苯二甲酸酯(鄰苯二甲酸酯系塑化劑)，例如可列舉：鄰苯二甲酸二正辛酯、鄰苯二甲酸二-2-乙基己酯、鄰苯二甲酸二異壬酯、鄰苯二甲酸二異癸酯、及鄰苯二甲酸二丁酯。作為上述之對苯二甲酸酯(對苯二甲酸酯系塑化劑)，例如可列舉：對苯二甲酸二-2-乙基己酯。作為上述之己二酸酯(己二酸酯系塑化劑)，例如可列舉：己二酸二正辛酯、己二酸二-2-乙基己酯、及己二酸二異壬酯。作為上述之苯甲酸酯(苯甲酸酯系塑化劑)，例如可列舉：苯甲酸二醇酯。作為上述之偏苯三甲酸酯(偏苯三甲酸酯系塑化劑)，例如可列舉：偏苯三甲酸三正辛酯、偏苯三甲酸三-2-乙基己酯、偏苯三甲酸三異壬酯、偏苯三甲酸三正癸酯、及偏苯三甲酸三異癸酯。作為上述之均苯四甲酸酯(均苯四甲酸酯系塑化劑)，例如可列舉：均苯四甲酸四正辛酯、均苯四甲酸四-2-乙基己酯、及均苯四甲酸四正癸酯。作為上述之檸檬酸酯(檸檬酸酯系塑化劑)，例如可列舉：乙醯檸檬酸三丁酯。又，作為上述之聚酯系塑化劑，例如可列舉：藉由碳數2～10之脂肪族二羧酸(己二酸、壬二酸、癸二酸、鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸等)及/或芳香族二羧酸、與碳數2～10之二醇(乙二醇、丙二醇、丁二醇、新戊二醇、己二醇等)之縮聚所得之聚酯。作為基材11之含有成分，可使用一種塑化劑，亦可使用兩種以上之塑化劑。於本實施形態中，基材11較佳為包含芳香族羧酸酯系塑化劑及/或聚酯系塑化劑作為塑化劑。作為基材11中之芳香族羧酸酯系塑化劑，較佳為對苯二甲酸二-2-乙基己酯。 基材11中之塑化劑之含有比率較佳為1質量%以上，更佳為3質量%以上，更佳為5質量%以上，更佳為7質量%以上，更佳為9質量%以上，更佳為11質量%以上。基材11中之塑化劑之含有比率較佳為100質量%以下，更佳為70質量%以下，更佳為50質量%以下。 除如上所述之樹脂材料及塑化劑以外，基材11亦可含有其他成分。基材11可具有單層構造，亦可具有多層構造。於單層構造之基材11中，上述之樹脂材料或塑化劑之組成可為均勻，亦可不均勻。多層構造之基材11可為不含聚烯烴系樹脂之層，亦可為不含塑化劑之層。於基材11包含塑膠膜之情形時，可為未延伸膜，可為單軸延伸膜，亦可為雙軸延伸膜。又，於如下所述般基材11上之黏著劑層12為紫外線硬化型之情形時，基材11較佳為具有紫外線透過性。 基材11中之黏著劑層12側之表面亦可實施用以提高與黏著劑層12之密接性之物理處理、化學處理、或底塗處理。作為物理處理，例如可列舉：電暈處理、電漿處理、噴砂加工處理、臭氧暴露處理、火焰暴露處理、高壓電擊暴露處理、及離子化放射線處理。作為化學處理，例如可列舉：鉻酸處理。 就確保用以使基材11作為晶圓加工用黏著片材10中之支持體發揮功能之強度之觀點而言，基材11之厚度較佳為40 μm以上，更佳為50 μm以上，更佳為55 μm以上，更佳為60 μm以上。又，就於晶圓加工用黏著片材10中實現適度可撓性之觀點而言，基材11之厚度較佳為200 μm以下，更佳為180 μm以下，更佳為150 μm以下。 晶圓加工用黏著片材10之黏著劑層12含有黏著劑及塑化劑。 黏著劑層12中之黏著劑可為可藉由放射線照射或加熱等來自外部之作用而顯著地降低黏著力之黏著劑(黏著力降低型黏著劑)，亦可為藉由來自外部之作用而黏著力幾乎不降低或完全不降低之黏著劑(黏著力非降低型黏著劑)，可於保持於晶圓加工用黏著片材10之狀態下，根據施加加工之加工對象物之加工方法或加工條件等而適宜選擇。 於使用黏著力降低型黏著劑作為黏著劑層12中之黏著劑之情形時，於晶圓加工用黏著片材10之使用過程中，可區別使用黏著劑層12顯示相對高之黏著力之狀態與顯示相對低之黏著力之狀態。例如，於在用以使半導體晶圓單片化為半導體晶片之切割步驟中使用晶圓加工用黏著片材10時，利用黏著劑層12顯示相對高之黏著力之狀態，可抑制、防止保持於黏著劑層12之半導體晶圓自黏著劑層12之隆起或剝離。並且，此種切割步驟後，於用以自晶圓加工用黏著片材10拾取半導體晶片之拾取步驟中，可降低黏著劑層12之黏著力，並且可自黏著劑層12適當地拾取半導體晶片。 作為此種黏著力降低型黏著劑，例如可列舉：放射線硬化型黏著劑(具有放射線硬化性之黏著劑)或加熱發泡型黏著劑等。於本實施形態之黏著劑層12中，可使用一種黏著力降低型黏著劑，亦可使用兩種以上之黏著力降低型黏著劑。又，可由黏著力降低型黏著劑形成黏著劑層12之整體，亦可由黏著力降低型黏著劑形成黏著劑層12之一部分。例如於黏著劑層12具有單層構造之情形時，可由黏著力降低型黏著劑形成黏著劑層12之整體，亦可由黏著力降低型黏著劑形成黏著劑層12中之特定之部位(例如作為半導體晶圓等加工對象物之貼合對象區域之中央區域)，由黏著力非降低型黏著劑形成其他部位(例如為環狀框之貼合對象區域且位於中央區域之外側的區域)。又，於黏著劑層12具有積層構造之情形時，可由黏著力降低型黏著劑形成成為積層構造之所有層，亦可由黏著力降低型黏著劑形成積層構造中之一部分層。 作為黏著劑層12中之放射線硬化型黏著劑，例如可使用藉由電子束、紫外線、α射線、β射線、γ射線、或X射線之照射而硬化之類型之黏著劑，可尤佳地使用藉由紫外線照射而硬化之類型之黏著劑(紫外線硬化型黏著劑)。 作為黏著劑層12中之放射線硬化型黏著劑，例如可列舉：含有作為丙烯酸系黏著劑之丙烯酸系聚合物等基礎聚合物、與放射線聚合性之具有碳-碳雙鍵等官能基之放射線聚合性之單體成分或低聚物成分的添加型之放射線硬化型黏著劑。 上述之丙烯酸系聚合物較佳為包含源自丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯之單體單元作為以質量比率計最多之主要之單體單元。以下，用「(甲基)丙烯酸」表示「丙烯酸」及/或「甲基丙烯酸」。 作為用以形成丙烯酸系聚合物之單體單元之(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸環烷基酯、(甲基)丙烯酸芳酯等含烴基之(甲基)丙烯酸酯。作為(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸之甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、第二丁酯、第三丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯即月桂酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、及二十烷基酯。作為(甲基)丙烯酸環烷基酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸之環戊酯及環己酯。作為(甲基)丙烯酸芳酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸苯酯及(甲基)丙烯酸苄酯。作為成為用以獲得丙烯酸系聚合物之主單體之(甲基)丙烯酸酯，可使用一種(甲基)丙烯酸酯，亦可使用兩種以上之(甲基)丙烯酸酯。就於黏著劑層12適當地表現根據(甲基)丙烯酸酯之黏著性等基本特性方面而言，作為用以形成丙烯酸系聚合物之總單體成分中之主單體之(甲基)丙烯酸酯之比率較佳為40質量%以上，更佳為60質量%以上。 關於丙烯酸系聚合物，為了對其凝集力或耐熱性等進行改質，亦可包含源自可與(甲基)丙烯酸酯共聚之其他單體之單體單元。作為此種單體成分，例如可列舉：含羧基之單體、酸酐單體、含羥基之單體、含縮水甘油基之單體、含磺酸基之單體、含磷酸基之單體、丙烯醯胺、及丙烯腈等含官能基之單體等。作為含羧基之單體，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、伊康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、及丁烯酸。作為酸酐單體，例如可列舉：順丁烯二酸酐及伊康酸酐。作為含羥基之單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、及(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯。作為含縮水甘油基之單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸縮水甘油酯及(甲基)丙烯酸甲基縮水甘油酯。作為含磺酸基之單體，例如可列舉：苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、及(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸。作為含磷酸基之單體，例如可列舉： 2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯。作為丙烯醯胺，例如可列舉：N-丙烯醯𠰌啉。作為用以獲得丙烯酸系聚合物之該其他單體，可使用一種單體，亦可使用兩種以上之單體。就於黏著劑層12適當地表現根據(甲基)丙烯酸酯之黏著性等基本特性方面而言，用以形成丙烯酸系聚合物之總單體成分中之該其他單體成分之比率較佳為60質量%以下，更佳為40質量%以下。 關於丙烯酸系聚合物，為了於其聚合物骨架中形成交聯結構，亦可含有源自可與作為主單體之(甲基)丙烯酸酯等單體成分共聚之多官能性單體之單體單元。作為此種多官能性單體，例如可列舉：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯(即(甲基)丙烯酸聚縮水甘油酯)、聚酯(甲基)丙烯酸酯、及(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯。作為用以獲得丙烯酸系聚合物之多官能性單體，可使用一種多官能性單體，亦可使用兩種以上之多官能性單體。就於黏著劑層12適當地表現根據(甲基)丙烯酸酯之黏著性等基本特性方面而言，用以形成丙烯酸系聚合物之總單體成分中之多官能性單體之比率較佳為40質量%以下，更佳為30質量%以下。 丙烯酸系聚合物可使用以形成其之原料單體聚合而獲得。作為聚合方法，例如可列舉：溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、及懸濁聚合。就使用晶圓加工用黏著片材10之半導體裝置製造方法中之高度之清淨性之觀點而言，晶圓加工用黏著片材10中之黏著劑層12中之低分子量物質較佳為較少，丙烯酸系聚合物之數量平均分子量較佳為10萬以上，更佳為20萬～300萬。 為了提高丙烯酸系聚合物等基礎聚合物之數量平均分子量，黏著劑層12或用以形成其之黏著劑例如亦可含有外部交聯劑。作為用以與丙烯酸系聚合物等基礎聚合物反應而形成交聯結構之外部交聯劑，可列舉：聚異氰酸酯化合物、環氧化合物、多元醇化合物(多酚系化合物等)、氮丙啶化合物、及三聚氰胺系交聯劑。黏著劑層12或用以形成其之黏著劑中之外部交聯劑之含量係相對於基礎聚合物100質量份，較佳為10質量份以下，更佳為0.1～7質量份。 作為用以形成放射線硬化型黏著劑之上述之放射線聚合性單體成分，例如可列舉：胺基甲酸酯低聚物、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、及1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯。作為用以形成放射線硬化型黏著劑之上述之放射線聚合性低聚物成分，例如可列舉：胺基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各種低聚物，分子量100～30000左右者較為適當。放射線硬化型黏著劑中之放射線聚合性之單體成分或低聚物成分之總含量係於可適當地降低所形成之黏著劑層12之黏著力之範圍決定，相對於丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100質量份，例如為5～500質量份，較佳為40～150質量份。又，作為添加型之放射線硬化型黏著劑，例如亦可使用於日本專利特開昭60-196956號公報中揭示者。 作為黏著劑層12中之放射線硬化型黏著劑，例如亦可列舉：含有於聚合物側鏈、或聚合物主鏈中、聚合物主鏈末端具有放射線聚合性之碳-碳雙鍵等官能基之基礎聚合物的內在型之放射線硬化型黏著劑。此種內在型之放射線硬化型黏著劑就抑制因所形成之黏著劑層12內之低分子量成分之移動導致之黏著特性之不明顯之經時性變化方面而言較佳。 作為內在型之放射線硬化型黏著劑中所含之基礎聚合物，較佳為以丙烯酸系聚合物作為基本骨架者。作為形成此種基本骨架之丙烯酸系聚合物，可採用上述之丙烯酸系聚合物。作為放射線聚合性之碳-碳雙鍵向丙烯酸系聚合物中之導入方法，例如可列舉如下方法：使包含具有特定之官能基(第1官能基)之單體之原料單體共聚而獲得丙烯酸系聚合物後，使具有可於與第1官能基之間發生反應而鍵結之特定之官能基(第2官能基)與放射線聚合性碳-碳雙鍵的化合物，於維持碳-碳雙鍵之放射線聚合性之情況下與丙烯酸系聚合物進行縮合反應或加成反應。 作為第1官能基與第2官能基之組合，例如可列舉：羧基與環氧基、環氧基與羧基、羧基與氮丙啶基、氮丙啶基與羧基、羥基與異氰酸基、異氰酸基與羥基。該等組合中，就追蹤反應之容易性之觀點而言，較佳為羥基與異氰酸基之組合、或異氰酸基與羥基之組合。又，製作具有反應性較高之異氰酸基之聚合物之技術難度較高，就丙烯酸系聚合物之製作或獲取之容易性之觀點而言，更佳為丙烯酸系聚合物側之上述第1官能基為羥基且上述第2官能基為異氰酸基之情形。於該情形時，作為並有放射線聚合性碳-碳雙鍵與作為第2官能基之異氰酸基之異氰酸酯化合物，例如可列舉：甲基丙烯醯基異氰酸酯、2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、及間異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯。又，作為伴隨第1官能基之丙烯酸系聚合物，較佳為包含源自上述含羥基之單體之單體單元者，亦較佳為包含源自2-羥基乙基乙烯醚、或4-羥基丁基乙烯醚、二乙二醇單乙烯醚等醚系化合物之單體單元者。 黏著劑層12中之放射線硬化型黏著劑較佳為含有光聚合起始劑。作為光聚合起始劑，例如可列舉：α-酮醇系化合物、苯乙酮系化合物、安息香醚系化合物、縮酮系化合物、芳香族磺醯氯系化合物、光活性肟系化合物、二苯甲酮系化合物、9-氧硫𠮿系化合物、樟腦醌、鹵化酮、醯基膦氧化物、及醯基磷酸酯。作為α-酮醇系化合物，例如可列舉：4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α'-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、及1-羥基環己基苯基酮。作為苯乙酮系化合物，例如可列舉：甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、及2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-𠰌啉基丙烷-1。作為安息香醚系化合物，例如可列舉：安息香乙醚、安息香異丙醚、及茴香偶姻甲醚。作為縮酮系化合物，例如可列舉：苄基二甲基縮酮。作為芳香族磺醯氯系化合物，例如可列舉：2-萘磺醯氯。作為光活性肟系化合物，例如可列舉：1-苯酮-1,1-丙烷二酮-2-(鄰乙氧基羰基)肟。作為二苯甲酮系化合物，例如可列舉：二苯甲酮、苯甲醯苯甲酸、及3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮。作為9-氧硫系化合物，例如可列舉：9-氧硫、2-氯9-氧硫𠮿、2-甲基9-氧硫𠮿、2,4-二甲基9-氧硫𠮿、異丙基9-氧硫𠮿、2,4-二氯9-氧硫𠮿、2,4-二乙基9-氧硫𠮿、及2,4-二異丙基9-氧硫𠮿。黏著劑層12中之放射線硬化型黏著劑中之光聚合起始劑之含量係相對於丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100質量份，例如為0.05～20質量份。 黏著劑層12中之上述之加熱發泡型黏著劑係含有藉由加熱而進行發泡或膨脹之成分(發泡劑或熱膨脹性微球等)之黏著劑，作為發泡劑，可列舉各種無機系發泡劑及有機系發泡劑，作為熱膨脹性微球，例如可列舉於殼內封入有藉由加熱而容易氣體化並膨脹之物質的構成之微球。作為無機系發泡劑，例如可列舉：碳酸銨、碳酸氫銨、碳酸氫鈉、亞硝酸銨、硼氫化鈉、及疊氮類。作為有機系發泡劑，例如可列舉：三氯單氟甲烷或二氯單氟甲烷等氯氟化烷烴、偶氮二異丁腈或偶氮二甲醯胺、偶氮二羧酸鋇等偶氮系化合物、對甲苯磺醯肼或二苯基碸-3,3'-二磺醯肼、4,4'-氧基雙(苯磺醯肼)、烯丙基雙(磺醯肼)等肼系化合物、ρ-甲苯基磺醯胺基脲或4,4'-氧基雙(苯磺醯胺基脲)等胺脲系化合物、5-嗎啉基-1,2,3,4-噻三唑等三唑系化合物、以及N,N'-二亞硝基五亞甲基四胺或N,N'-二甲基-N,N'-二亞硝基對苯二甲醯胺等N-亞硝基系化合物。作為用以形成如上所述之熱膨脹性微球之藉由加熱而容易氣體化並膨脹之物質，例如可列舉：異丁烷、丙烷、及戊烷。可藉由如下之方法而製作熱膨脹性微球：藉由凝聚法或界面聚合法等而將藉由加熱而容易氣體化並膨脹之物質封入至殼形成物質內。作為殼形成物質，可使用：顯示熱熔融性之物質、或可藉由封入物質之熱膨脹之作用而破裂之物質。作為此種物質，例如可列舉：偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯醇縮丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏二氯乙烯、及聚碸。 作為上述之黏著力非降低型黏著劑，例如可列舉感壓型黏著劑。於該感壓型黏著劑中，關於黏著力降低型黏著劑，包含預先藉由放射線照射而使上述之放射線硬化型黏著劑硬化並確保特定之黏著力之形態之黏著劑。預先藉由放射線照射而使放射線硬化型黏著劑硬化之形態之黏著劑(放射線已照射之放射線硬化型黏著劑)即便藉由放射線照射而使黏著力降低，亦可藉由聚合物成分之含量而顯示因該聚合物成分帶來之黏著性，於切割步驟等中可發揮可用於將被著體黏著保持之黏著力。於本實施形態之黏著劑層12中，可使用一種黏著力非降低型黏著劑，亦可使用兩種以上之黏著力非降低型黏著劑。又，可由黏著力非降低型黏著劑形成黏著劑層12之整體，亦可由黏著力非降低型黏著劑形成黏著劑層12之一部分。例如於黏著劑層12具有單層構造之情形時，可由黏著力非降低型黏著劑形成黏著劑層12之整體，亦可由黏著力非降低型黏著劑形成黏著劑層12中之特定部位(例如為環狀框之貼合對象區域且處於半導體晶圓等加工對象物之貼合對象區域之外側的區域)，由黏著力降低型黏著劑形成其他部位(例如作為加工對象物之貼合對象區域之中央區域)。例如於本實施形態中，於使用放射線已照射之放射線硬化型黏著劑之情形時，可於黏著劑層12之面擴大方向，由放射線已照射之放射線硬化型黏著劑形成黏著劑層12之整體，亦可由放射線已照射之放射線硬化型黏著劑形成黏著劑層12之一部分且由放射線未照射之放射線硬化型黏著劑形成其他部分。又，於黏著劑層12具有積層構造之情形時，可由黏著力非降低型黏著劑形成形成積層構造之所有層，亦可由黏著力非降低型黏著劑形成積層構造中之一部分層。 另一方面，作為黏著劑層12中之放射線已照射之放射線硬化型黏著劑以外之感壓型黏著劑，例如可較佳地使用：以丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物之丙烯酸系黏著劑、或橡膠系黏著劑。於黏著劑層12含有丙烯酸系黏著劑作為感壓型黏著劑之情形時，作為該丙烯酸系黏著劑之基礎聚合物之丙烯酸系聚合物較佳為包含源自(甲基)丙烯酸酯之單體單元作為以質量比率計最多之主要之單體單元。作為此種丙烯酸系聚合物，例如關於放射線硬化型黏著劑，可列舉上述之丙烯酸系聚合物。 作為黏著劑層12中之塑化劑，例如可列舉：芳香族羧酸酯系塑化劑、脂肪族羧酸酯系塑化劑、及聚酯系塑化劑，具體而言，可列舉作為基材11之含有成分之上述之塑化劑。於本實施形態中，黏著劑層12較佳為包含芳香族羧酸酯系塑化劑及/或聚酯系塑化劑作為塑化劑。作為黏著劑層12中之芳香族羧酸酯系塑化劑，較佳為對苯二甲酸二-2-乙基己酯。黏著劑層12中之塑化劑之含量係相對於黏著劑層12中之黏著劑100質量份，較佳為1質量份以上，更佳為4質量份以上，更佳為8質量份以上，更佳為12質量份以上。又，黏著劑層12中之塑化劑之含量係相對於黏著劑層12中之黏著劑100質量份，較佳為100質量份以下，更佳為80質量份以下，更佳為70質量份以下。 除上述之各成分以外，黏著劑層12亦可於無損本發明之效果之範圍含有其他成分。例如亦可含有交聯促進劑、抗老化劑、顏料或染料等著色劑等作為其他成分。著色劑亦可為接收放射線照射而著色之化合物。作為此種化合物，例如可列舉隱色染料。 黏著劑層12之厚度較佳為1～50 μm，更佳為2～30 μm，更佳為5～25 μm。例如，就於黏著劑層12包含放射線硬化型黏著劑之情形時，取得該黏著劑層12於放射線硬化之前後對被著體之接著力之平衡方面而言，此種構成較佳。 具有如上所述之構成之晶圓加工用黏著片材10可藉由於含有塑化劑之聚烯烴系基材上設置含有黏著劑與塑化劑之黏著劑層而製作(第1方法)。或，晶圓加工用黏著片材10亦可藉由於成為基材11之聚烯烴系基材上設置含有黏著劑與塑化劑之黏著劑層，其後對黏著劑層中之塑化劑進行謀求向部分之基材之移行(即向基材之擴散)之老化處理而製作(第2方法)。基材例如可藉由壓延製膜法、有機溶劑中之流延法、密閉系中之吹脹擠出法、T模擠壓法、共擠壓法、乾式層壓法等製膜方法而製作。對製膜後之膜或基材視需要實施特定之表面處理。於黏著劑層之形成中，例如製備黏著劑層形成用之黏著劑溶液後，首先，將該黏著劑溶液塗佈於基材上或特定之分隔件(即剝離襯墊)上而形成黏著劑塗膜。作為黏著劑溶液之塗佈方法，例如可列舉：輥式塗敷、網版塗敷、及凹版塗敷。繼而，藉由視需要對該黏著劑塗膜進行加熱而產生交聯反應，又，視需要進行脫溶劑。用於脫溶劑之加熱溫度例如為80～150℃，用於脫溶劑之加熱時間例如為0.5～5分鐘。於黏著劑層形成於分隔件上之情形時，將伴隨該分隔件之黏著劑層貼合於基材。上述之第2方法中之用於老化處理之溫度例如為80～150℃，該老化處理之時間例如為0.5～5分鐘。 亦可以被覆黏著劑層12之形態將分隔件設置於晶圓加工用黏著片材10(省略圖示)。分隔件係用以保護黏著劑層12使其不露出之元件，於使用晶圓加工用黏著片材10時自該片材剝離。作為分隔件，例如可列舉：對聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜，藉由氟系剝離劑或丙烯酸長鏈烷基酯系剝離劑等剝離劑進行表面塗佈而成之塑膠膜或紙類等。 此種構成之晶圓加工用黏著片材10可如上所述般於半導體裝置之製造過程中，用於實施切削加工之切割步驟等中。於切割步驟中，於如圖2(a)所示般將半導體晶圓或晶圓積層體等加工對象物20保持於晶圓加工用黏著片材10之黏著劑層12之狀態下，驅動切割裝置所具備之旋轉刀片(省略圖示)，進行對加工對象物20之切削加工。該切削加工係於向旋轉刀片及加工對象物20持續供給水流時進行。如圖2(b)所示般，由切割用之旋轉刀片所形成之切削槽G係以到達例如晶圓加工用黏著片材10之深度而形成(於圖2(b)中，以粗實線模式性地表示切削槽G)。藉由經由此種切割步驟，而加工對象物20單片化為半導體晶片等元件晶片21。 於晶圓加工用黏著片材10中，如上所述般於黏著劑層12中包含塑化劑，此外，於基材11中亦包含塑化劑。因此，於在切割步驟中對加工對象物20以及晶圓加工用黏著片材10用旋轉刀片進行切削之情形時，於旋轉刀片與晶圓加工用黏著片材10之接觸界面旋轉刀片相對於該片材容易滑動，其結果為，用所供給之水流將切削屑等灰塵自切削部位及其附近有效率地去除。於切割步驟中自切削部位及其附近所去除之灰塵越多，附著於提交至切割步驟中之加工對象物20之灰塵越少。 另一方面，本發明者等人獲得如下之見解：與對不含塑化劑之黏著劑層用切割用之旋轉刀片進行切削之情形相比，對含有塑化劑之黏著劑層用旋轉刀片進行切削之情形有於黏著劑層之切削部位黏著劑細小地斷裂而飛散之傾向。其原因在於：含有塑化劑之黏著劑層之藉由旋轉刀片之切削所產生之黏著劑屑容易微粒化。關於切割步驟中所產之黏著劑屑群，認為其平均粒徑越小，每單位體積之表面積越大，故而容易捕捉來自加工對象物20之半導體屑或金屬屑等其他灰塵。與半導體屑或金屬屑等其他灰塵相比，黏著劑屑具有明顯小之比重，藉由此種黏著劑屑之其他灰塵之捕捉意味著與該其他灰塵本身相比比重較小之複合灰塵形成。該複合灰塵與半導體屑或金屬屑等相比，比重較小，故而難以於水中沈澱而不易殘留於加工對象物20上。因此，晶圓加工用黏著片材10具有藉由旋轉刀片之切削所產生之黏著劑屑容易微粒化之含有塑化劑之黏著劑層12的構成有助於抑制灰塵對加工對象物20之附著。 如上所述般，晶圓加工用黏著片材10適於抑制晶圓切割時產生之灰塵對加工對象物20之附著。 晶圓加工用黏著片材10之黏著劑層12中之塑化劑之含量係如上所述般相對於黏著劑層12中之黏著劑100質量份，較佳為1質量份以上，更佳為4質量份以上，更佳為8質量份以上，更佳為12質量份以上。有黏著劑層12中之塑化劑之含量越大，越可享受因塑化劑帶來之上述之灰塵附著量降低效果之傾向。又，就於黏著劑層12中適當地表現含有黏著劑之接著性等基本特性之觀點而言，黏著劑層12中之塑化劑之含量係如上所述般相對於黏著劑層12中之黏著劑100質量份，較佳為100質量份以下，更佳為80質量份以下，更佳為70質量份以下。 晶圓加工用黏著片材10之基材11較佳為無氯乙烯。此種構成就獲得對環境友好之晶圓加工用黏著片材10方面而言較佳。又，基材11包含乙烯-乙酸乙烯酯共聚物或乙烯-丙烯共聚物作為樹脂主成分。此種構成就於基材11中即便其為無氯乙烯關於強度等亦可確保充分之特性方面而言較佳。 晶圓加工用黏著片材10之基材11係如上所述般較佳為包含芳香族羧酸酯系塑化劑及/或聚酯系塑化劑作為塑化劑。又，晶圓加工用黏著片材10之黏著劑層12係如上所述般較佳為包含芳香族羧酸酯系塑化劑及/或聚酯系塑化劑作為塑化劑。作為基材11中及黏著劑層12中之芳香族羧酸酯系塑化劑，較佳為對苯二甲酸二-2-乙基己酯。該等構成就獲得上述之灰塵附著量降低效果方面而言較佳。 [實施例] [實施例1] ＜黏著劑溶液之製備＞ 於作為具備李比希冷卻器、氮氣導入管、分液漏斗、溫度計、及攪拌裝置之反應容器之容量1 L之圓底可分離式燒瓶內，將包含甲基丙烯酸月桂酯(商品名「EXCEPARL L-MA」，花王股份有限公司製造)83質量份、甲基丙烯酸2-羥基乙酯(商品名「Acryester HO」，MITSUBISHI RAYON股份有限公司製造)9質量份、異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(商品名「Karenz MOI」，昭和電工股份有限公司製造)8質量份、作為熱聚合起始劑之2,2'-偶氮二異丁腈(岸田化學股份有限公司製造)0.2質量份、及作為溶劑之乙酸乙酯50質量份之混合物於60℃±2℃之溫度條件下、於氮氣環境下攪拌6小時(聚合反應)。藉此，獲得含有基礎聚合物P1之基礎聚合物溶液。繼而，向該基礎聚合物溶液中，添加作為光聚合起始劑之1-羥基環己基苯基酮(商品名「Irgacure 184」，BASF公司製造)、作為交聯劑之聚異氰酸酯化合物(商品名「Coronate L」，Nippon Polyurethane股份有限公司製造)、作為塑化劑之對苯二甲酸二-2-乙基己酯(商品名「ADK CIZER D-810」，ADEKA股份有限公司製造)、及作為溶劑之乙酸乙酯並進行混合，製備黏著劑溶液。於該黏著劑溶液中，相對於基礎聚合物100質量份，光聚合起始劑之含量為5質量份，交聯劑之含量為2.5質量份，作為塑化劑之對苯二甲酸二-2-乙基己酯之含量為5質量份，固形物成分濃度(乙酸乙酯以外之成分之濃度)為20質量%。 ＜基材之製作＞ 以如下之方式製作包含作為聚烯烴系樹脂之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)之基材(EVA基材)。首先，藉由T模擠壓法將乙烯-乙酸乙烯酯共聚樹脂(商品名「EVAFLEX P1007」，Du Pont-Mitsui Polychemicals股份有限公司製造)進行製膜，獲得厚度100 μm之EVA膜。繼而，對該EVA膜之單面實施電暈處理。以如此之方式製作EVA基材(厚度100 μm)。 ＜晶圓加工用黏著片材之製作＞ 於用於輕剝離化之具有實施有聚矽氧處理之面之PET剝離襯墊之聚矽氧處理面上塗佈本實施例中之上述之黏著劑溶液而形成塗膜。繼而，對該塗膜於80℃下加熱2分鐘而進行脫溶劑，形成厚度15 μm之黏著劑層。繼而，使用手壓輥將上述之EVA基材貼合於該黏著劑層之露出面，其後，於50℃下進行72小時之老化處理。藉由該老化處理，而謀求黏著劑層對基材之密接化，並且對黏著劑層中之塑化劑謀求對部分基材之移行、即向基材之擴散。以如上之方式，製作具有包含基材與黏著劑層之積層構造之實施例1之晶圓加工用黏著片材。將關於實施例1之晶圓加工用黏著片材之構成示於表1(針對下述之實施例及比較例，亦相同；又，於表1中，表示組成之各數值之單位係相對之“質量份”)。 [實施例2、3] 於黏著劑溶液之製備中，將作為塑化劑之對苯二甲酸二-2-乙基己酯(商品名「ADK CIZER D-810」，ADEKA股份有限公司製造)之調配量設為20質量份(實施例2)及40質量份(實施例3)而替代5質量份，除此以外，以與實施例1之晶圓加工用黏著片材相同之方式，製作實施例2、3之晶圓加工用黏著片材。 [實施例4] 於黏著劑溶液之製備中，使用聚酯系塑化劑(商品名「POLYSIZER W-360-ELS」，DIC股份有限公司製造)20質量份，替代作為塑化劑之對苯二甲酸二-2-乙基己酯(商品名「ADK CIZER D-810」，ADEKA股份有限公司製造)5質量份，除此以外，以與實施例1之晶圓加工用黏著片材相同之方式，製作實施例4之晶圓加工用黏著片材。 [實施例5] 於具備李比希冷卻器、氮氣導入管、分液漏斗、溫度計、及攪拌裝置之反應容器內之甲苯溶劑中，使丙烯酸2-乙基己酯0.75 mol、N-丙烯醯𠰌啉0.25 mol、及丙烯酸2-羥基乙酯0.22 mol共聚，而獲得丙烯酸系共聚物。於該聚合反應中，將反應溫度設為60℃，將反應時間設為8小時。並且，使0.11 mol之異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯與該丙烯酸系共聚物進行加成反應，於聚合物分子內側鏈導入碳-碳雙鍵。於該加成反應中，將反應溫度設為50℃，將反應時間設為6小時。藉此，獲得含有基礎聚合物P2之基礎聚合物溶液。繼而，向該基礎聚合物溶液中，添加作為光聚合起始劑之1-羥基環己基苯基酮(商品名「Irgacure 184」，BASF公司製造)、作為交聯劑之聚異氰酸酯化合物(商品名「Coronate L」，Nippon Polyurethane股份有限公司製造)、作為塑化劑之對苯二甲酸二-2-乙基己酯(商品名「ADK CIZER D-810」，ADEKA股份有限公司製造)、及作為溶劑之乙酸乙酯並進行混合，製備黏著劑溶液。於該黏著劑溶液中，相對於基礎聚合物100質量份，光聚合起始劑之含量為5質量份，交聯劑之含量為2.5質量份，作為塑化劑之對苯二甲酸二-2-乙基己酯之含量為20質量份，固形物成分濃度(乙酸乙酯以外之成分之濃度)為20質量%。並且，使用該黏著劑溶液替代實施例1中所述之黏著劑溶液，除此以外，以與實施例1之晶圓加工用黏著片材相同之方式，製作實施例5之晶圓加工用黏著片材。 [實施例6] 以如下之方式製作包含作為聚烯烴系樹脂之乙烯-丙烯共聚物(EPR)之基材(EPR基材)。首先，藉由T模擠壓法將包含乙烯-丙烯共聚物之樹脂(商品名「VistaMax 3000」，Exxon Mobil公司製造)進行製膜，獲得厚度100 μm之EPR膜。繼而，對該EPR膜之單面實施電暈處理。以如此之方式，製作EPR基材(厚度100 μm)。並且，使用該EPR基材替代實施例1中所述之EVA基材，除此以外，以與實施例1之晶圓加工用黏著片材相同之方式，製作實施例6之晶圓加工用黏著片材。 [比較例1] 於黏著劑溶液之製備中不使用對苯二甲酸二-2-乙基己酯，除此以外，以與實施例1之晶圓加工用黏著片材相同之方式，製作比較例1之晶圓加工用黏著片材。 [比較例2] 不使用對苯二甲酸二-2-乙基己酯，除此以外，藉由與實施例5之黏著劑溶液製備方法相同之方法而製備黏著劑溶液。並且，使用該黏著劑溶液替代實施例1中所述之黏著劑溶液，除此以外，以與實施例1之晶圓加工用黏著片材相同之方式，製作比較例2之晶圓加工用黏著片材。 [比較例3] 關於實施例6，藉由與上述基材製作方法相同之方法，製作單面實施有電暈處理之EPR基材(厚度100 μm)。並且，使用該EPR基材替代實施例1中所述之EVA基材，及於黏著劑溶液之製備中不使用對苯二甲酸二-2-乙基己酯，除此以外，以與實施例1之晶圓加工用黏著片材相同之方式，製作比較例3之晶圓加工用黏著片材。 ＜黏著力＞ 針對實施例1～6及比較例1～3之各晶圓加工用黏著片材，以如下之方式測定90°剝離黏著力。首先，自黏著劑層不經由紫外線照射之晶圓加工用黏著片材，切出供黏著力測定之樣品片(寬度20 mm×長度150 mm)。繼而，藉由使2 kg之手壓輥進行1次往返之壓接作業而將該樣品片貼合於實施過鏡面化處理之鏡面矽晶圓(商品名「CZN＜100＞2.5-3.5」，直徑4英吋，信越半導體股份有限公司製造)。繼而，於常溫環境下之1小時之放置後，使用剝離試驗機(商品名「Tensilon型剝離試驗機 TMC-1kNB」，Tamsui股份有限公司製造)，測定樣品片對該鏡面矽晶圓之90°剝離黏著力(N/20 mm)。於本測定中，測定溫度或剝離溫度為23℃，拉伸角度為90°，拉伸速度為300 mm/min。將其測定結果示於表1。 ＜灰塵附著量＞ 針對實施例1～6及比較例1～3之各晶圓加工用黏著片材，以如下之方式研究用於切割步驟之情形之灰塵附著量。首先，針對對鏡面矽晶圓(直徑8英吋，厚度600 μm，TOKYO OHKA KOGYO股份有限公司製造)進行背面研削而製成厚度250 μm之晶圓之非研削面，將晶圓加工用黏著片材貼合於其黏著劑層側。貼合係藉由於23℃及50%RH之條件下使用手壓輥之壓接作業而進行。繼而，使用切割裝置(商品名「DFD6361」，DISCO股份有限公司製造)，對處於保持於晶圓加工用黏著片材之狀態之上述之晶圓，藉由利用Z1刀片(商品名「ZH05-SD3500-N1-70」，DISCO股份有限公司製造)之第1研削與其後之利用Z2刀片(商品名「ZH05-SD4000-N1-70」，DISCO股份有限公司製造)之第2研削之兩個階段之研削加工，而進行全切切割。於該切割步驟中，切斷模式為向下切斷，刀片轉數為35000 rpm，切割速度為50 mm/秒，Z1刀片之切削深度為190 μm，Z2刀片之切削深度為90 μm，切割尺寸為4.0 mm×5.0 mm，形成超過晶圓加工用黏著片材上之晶圓亦延伸至晶圓加工用黏著片材內之深度之切削槽(280 μm)。此種切割步驟中，向旋轉刀片及晶圓持續供給水流。又，切割步驟後，進行於晶圓轉數1000 rpm及90秒之條件下之洗淨步驟。並且，針對藉由切割步驟中之晶圓之單片化所獲得之晶片之表面，使用形狀解析雷射顯微鏡VK-X150(KEYENCE股份有限公司製造)以倍率200倍(目鏡之倍率10倍，物鏡之倍率20倍)進行觀察，測量存在於1個晶片之表面(與密接於晶圓加工用黏著片材之側相反側之表面)之灰塵之數。將灰塵數未達50個之情形評價為“○”，將50個以上且未達100個之情形評價為“△”，將100個以上之情形評價為“×”。將該評價結果示於表1。 [表1]

10‧‧‧晶圓加工用黏著片材

11‧‧‧基材

12‧‧‧黏著劑層

20‧‧‧加工對象物

21‧‧‧元件晶片

G‧‧‧切削槽

圖1係本發明之一實施形態之晶圓加工用黏著片材之剖面模式圖。 圖2(a)、(b)係表示圖1所示之晶圓加工用黏著片材之使用態樣之一例。

Claims (10)

1. 一種晶圓加工用黏著片材，其具有積層構造，該積層構造包含： 含有塑化劑之聚烯烴系基材；及 含有塑化劑之黏著劑層。
2. 如請求項1之晶圓加工用黏著片材，其中上述黏著劑層包含芳香族羧酸酯系塑化劑及/或聚酯系塑化劑作為塑化劑。
3. 如請求項2之晶圓加工用黏著片材，其中上述芳香族羧酸酯系塑化劑為對苯二甲酸二-2-乙基己酯。
4. 如請求項1之晶圓加工用黏著片材，其中上述聚烯烴系基材包含芳香族羧酸酯系塑化劑及/或聚酯系塑化劑作為塑化劑。
5. 如請求項4之晶圓加工用黏著片材，其中上述芳香族羧酸酯系塑化劑為對苯二甲酸二-2-乙基己酯。
6. 如請求項1之晶圓加工用黏著片材，其中上述聚烯烴系基材包含乙烯-乙酸乙烯酯共聚物或乙烯-丙烯共聚物作為樹脂主成分。
7. 如請求項1之晶圓加工用黏著片材，其中上述聚烯烴系基材係無氯乙烯。
8. 如請求項1至7中任一項之晶圓加工用黏著片材，其中上述黏著劑層中之上述塑化劑之含量係相對於上述黏著劑層中之黏著劑100質量份為1質量份以上。
9. 如請求項1至7中任一項之晶圓加工用黏著片材，其中上述黏著劑層中之上述塑化劑之含量係相對於上述黏著劑層中之黏著劑100質量份為100質量份以下。
10. 如請求項8之晶圓加工用黏著片材，其中上述黏著劑層中之上述塑化劑之含量係相對於上述黏著劑層中之黏著劑100質量份為100質量份以下。