TW201830550A - 真空處理裝置 - Google Patents

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Abstract

[課題] 　　提供機差被抑制的具備雙室的真空處理裝置。 [解決手段] 　　作成一種真空處理裝置，具有：真空處理室(410、411)、上部電極(430)及下部電極(420、421)、第1高頻電源(470、471)及第2高頻電源(450、451)、第1整合器(475、476)及第2整合器(460、461)、將下部電極的電極軸(425、426)與第2整合器連接的銅板(464)、設置下部電極的電極軸(425、426)及第2整合器(460、461)的驅動基座(440)、使驅動基座(440)升降的驅動部(445)、配置於從各排氣口的距離(L3)為相同的位置的排氣部(494)。

Description

真空處理裝置
本發明，係有關真空處理裝置。
於半導體裝置的製程中，運用利用電漿進行晶圓的表面處理的真空處理裝置。例如，於專利文獻1，係已揭露一種晶圓處理裝置，為了提供高速處理量的晶圓處理用裝置，包含載鎖(load lock)室、搬運室、連接於前述搬運室的分別形成彼此被空間上隔離的複數個處理區域的1個以上的處理室、配置於前述搬運室內的第1晶圓處理構材，處理室係構成為可在至少2個處理區域同時進行複數個分離的程序（雙室方式），利用透過共有氣源、共有排氣系統、個別的氣體分配組件、個別的RF電源、及個別的溫度控制系統而帶來的高度的處理控制，從而可在1個處理室內將至少2個晶圓同時處理。 [先前技術文獻] [專利文獻] 　　[專利文獻1]日本專利特開2013-179309號公報
[發明所欲解決之問題] 　　使用專利文獻1的雙室方式，使得可實現高速處理量的真空處理裝置。所以，發明人等就此技術進一步進行檢討。結果，得知在2個處理區域所處理的晶圓方面，具有於處理結果發生變異性（認識到有機差）的情況。 　　本發明之目的，係在於提供具備雙室的真空處理裝置，其中在各處理區域中的處理的機差受到抑制。 [解決問題之技術手段] 　　在供於達成上述目的用的一實施方式方面，作成一種真空處理裝置，具有第1處理部、與前述第1處理部同形狀、同尺寸的第2處理部、驅動基座、驅動部、排氣部， 　　該第1處理部具備： 　　具有第1排氣口的第1真空處理室； 　　配置於前述第1真空處理室之上部並被接地的第1上部電極； 　　配置於前述第1真空處理室的下部且可升降的第1下部電極； 　　對於前述第1下部電極，供應具有第1高頻的第1高頻電力的第1高頻電源及供應具有屬比前述第1高頻高的頻率的第2高頻的第2高頻電力的第2高頻電源； 　　連接於前述第1高頻電源的第1整合器； 　　連接於前述第1整合器及前述第2高頻電源的第2整合器； 　　將前述第1下部電極的第1電極軸及前述第2整合器之間連接的第1銅板； 　　該第2處理部具備： 　　具有第2排氣口的第2真空處理室； 　　配置於前述第2真空處理室之上部並被接地的第2上部電極； 　　配置於前述第2真空處理室的下部且可升降的第2下部電極； 　　對於前述第2下部電極，供應具有前述第1高頻的第1高頻電力的第3高頻電源及供應具有屬比前述第1高頻高的頻率的前述第2高頻的第2高頻電力的第4高頻電源； 　　連接於前述第3高頻電源的第3整合器； 　　連接於前述第3整合器及前述第4高頻電源的第4整合器； 　　將前述第2下部電極的第2電極軸及前述第4整合器之間連接的第2銅板； 　　該驅動基座係設置前述第1電極軸、前述第2電極軸、前述第2整合器及前述第4整合器， 　　該驅動部係使前述驅動基座升降， 　　該排氣部係以從前述第1排氣口及前述第2排氣口的距離成為相同的方式而配置。 [對照先前技術之功效] 　　依本發明時，可提供具備雙室的真空處理裝置，其中在各處理區域中的處理的機差受到抑制。
發明人等，係在雙室方式的真空處理裝置方面，就在各處理區域所處理的結果發生變異的原因，從排氣部、包含整合器、佈線等的電力輸入部、樣品台的驅動部、氣體供應部等的觀點重新進行研究。結果，得知尤其排氣部及電力輸入部、樣品台的驅動部等為變異性的原因。本發明係基於此新的發現而產生者。 　　以下，就本發明的實施例，利用圖式進行說明。 [實施例] 　　就本發明的實施例利用圖1～圖7進行說明。 　　圖1，係本發明的實施例相關的包含2組雙電漿處理部的真空處理裝置的示意橫剖面圖（平面配置圖）。於本圖，包含2組雙電漿處理部的真空處理裝置100，係具有：包含大氣搬運室101及裝載埠110、111、112的大氣側區塊（圖右側）、包含真空搬運室301及雙室第1真空處理部400、雙室第2真空處理部401的真空側區塊（圖面左側）、將大氣側區塊與真空側區塊進行連結且內部可被從大氣壓進行真空（減壓）可變調節的載鎖室200。大氣側區塊，係在大氣壓或同等的氣壓下就半導體晶圓等的被處理物（樣品）進行搬運、收納位置定位等的部分，真空側區塊係在被減壓的壓力下將晶圓等的樣品進行搬運，進行電漿處理等，在載置樣品的狀態下使壓力上下的部分。另外，具有2個的載鎖室，係可將其中一個使用於往處理前的晶圓的真空搬運室301的搬入，將另一個使用於往處理後的晶圓的大氣搬運室的搬出。 　　大氣側區塊，係具備：大氣搬運室101；安裝於此大氣搬運室101的前面側，收納處理用或清潔用的樣品的盒子被載於其上表面的複數個裝載埠110、111、112。大氣側區塊，係收納於裝載埠110、111、112的各盒子的內部的處理用或清潔用的晶圓被與連結於大氣搬運室101的背面的載鎖室200之間進行交換的地點，在大氣搬運室101內部係為了如此的晶圓的搬運而配置具備晶圓保持用的具有複數關節的臂件的大氣搬運用機器人120。另外，大氣搬運用機器人120的臂件可為1個，惟透過上下2階配置，使得可從大氣搬運室往載鎖室200迅速搬運晶圓，或從載鎖室200經由大氣搬運室往裝載埠110、111、112迅速搬出晶圓。 　　真空側區塊，係具備減壓而處理樣品的複數個雙室真空處理部400、401、與此等雙室真空處理部400、401連結並在該內部具備將樣品在減壓下進行搬運的真空搬運用機器人310的真空搬運室301。符號410表示第1真空處理室，符號411表示第2真空處理室，符號420表示第1樣品台（下部電極），符號421表示第2樣品台（下部電極），符號460表示27MHz用第1整合器，符號461表示27MHz用第2整合器。另外，於圖1中雖省略雙室真空處理部401的構成部分的符號的圖示，惟與雙室真空處理部400相同。此外，真空搬運用機器人310的臂件雖可為1個，惟透過上下2階配置，使得可從載鎖室200經由真空搬運室301往雙室真空處理部400、401迅速搬運晶圓、或從雙室真空處理部400、401經由真空搬運室301往載鎖室200迅速搬出。此真空側區塊，係被構成為其內部被減壓而可維持高的真空度的壓力的區塊。 　　在本實施例，係構成真空處理裝置100的各部分如大氣搬運用機器人、真空搬運用機器人的動作、在真空處理室的處理等的真空處理裝置的動作等，係基於來自與此等可通訊地連接的未圖示的控制裝置的指令信號而進行。 　　利用圖2，就本實施例相關的真空處理裝置的真空處理部的構成，詳細進行說明。圖2，係本實施例相關的真空處理裝置中的真空處理部的要部縱剖面圖（一部分方塊圖）。尤其，在本圖係說明真空處理裝置中的包含雙室（平行配置的第1及第2真空處理室）的複數個真空處理部之中的1個，包含其他雙室的真空處理部亦具備同等的構成，包含此等雙室的真空處理部係如以下者：就相同或近似於視為相同的程度的形成於半導體晶圓上的具有複數個膜層的膜構造，以相同或近似於視為相同的程度的壓力、處理氣體的流量、組成等的條件進行處理。此外，雖不言而喻，惟一個真空處理部所含的雙室（鄰接配置的第1及第2真空處理室）彼此，係於製作精度的範圍內具有相同形狀、相同尺寸。此外，一個真空處理部所含的雙室（第1及第2真空處理室）內的處理雖相同，惟複數個真空處理部可分別進行不同的處理。此外，在本實施例係使真空搬運室301平面形狀下為四角形，惟亦可作成其以上的平面多角形，於載鎖室側以外的邊（面）個別配置真空處理部。 　　在本圖中構成真空處理部的真空處理室410、411，係接地的上部電極430分別被配置於上部被開放的真空容器的具有圓筒形的側壁之上端部上方而構成為真空容器的一部分，該上部電極430包含具備氣體供應口的上蓋431、和設有供於對真空處理室410、411的內部分別流放處理用氣體用的複數個導入孔的氣體分散板432。在真空容器之側壁上端部與氣體分散板432的外周緣部下表面之間夾著未圖示的O環體等的密封構材予以連結，將真空容器的內外氣密地密封，從而分別構成作為側壁內側的電漿形成用的空間的真空處理室410、411。 　　往真空處理室410、411導入的處理用氣體，係被經由氣體分配器481從氣體供應器480供應。從氣體分配器481至上蓋431，係例如利用第1氣體配管482與第2氣體配管483而供應。第1氣體配管482，係此情況下，連接至真空處理室410、411的氣體分散板432的內側的空間，優選上以至第1真空處理室410為止的配管距離及至第2真空處理室411為止的配管距離相等的方式在分歧點484分歧。同樣，第2氣體配管483，係此情況下，連接至真空處理室410、411的氣體分散板432的外側的空間，優選上以至第1真空處理室410為止的配管距離及至第2真空處理室411為止的配管距離相等的方式在分歧點485分歧。藉此，可減低對於氣體供應的機差。此外，透過將分歧點配置於各真空處理室的附近，使得可縮短總共的配管長。從上蓋431所供應的處理氣體係從設於氣體分散板432的複數個氣體導入孔導入至真空處理室。另外，第1氣體配管、第2氣體配管的距離等，在比起從各分歧點至各真空處理室的距離非常長的情況下，係可無視各分歧點至各真空處理室為止的距離的差，未必需要作成等距離。 　　於第1真空處理部410的內部，係配置可升降的第1樣品台（下部電極）420，其係與上部電極430相向而同軸平行配置，被載置樣品415，並內建金屬電極；於第2真空處理部411的內部，係配置可升降的第2樣品台（下部電極）421，其係與上部電極430相向而同軸平行配置，被載置樣品416，並內建金屬電極（構成平行平板電極）。第1樣品台420的樣品台用軸（第1電極軸）425及第2樣品台421的樣品台用軸（第2電極軸）426兩者皆設置於一個驅動基座440。於個別的樣品台用軸的內部係內建下部電極供電用電纜。驅動基座440，係透過配置於第1及第2真空處理室410、411之中央部的驅動部（馬達）445被升降，因應於此2個樣品台420、421被同時升降。指向上下方向的2個雙方向粗線箭頭，係表示個別的樣品台420、421的移動方向。亦即，2個樣品在第1及第2真空處理室410、411被同時處理（平行處理）。透過使驅動部為一個(共通)，使得可抑制在假設使用具有機差的2個馬達時恐產生的第1真空處理室及第2真空處理室中的機差。此外，透過使馬達為1個，使得可使馬達的專屬區域為小型。 　　對於第1樣品台（下部電極）420，係供應電漿生成用之例如27MHz的高頻電力、將電漿中的離子引入至處理晶圓用之例如400kHz高頻電力、將處理晶圓往樣品台靜電吸附用的直流電力。27MHz的高頻電力，係經由具有長方體形狀的27MHz用第1整合器（匹配箱：MB）460從27MHz用高頻第1電源450往下部電極（第1樣品台）420供應。400kHz高頻電力及直流電力，係經由400kHz用第1整合器475、連接電纜477及27MHz用第1整合器460，從400kHz用高頻第1電源470及直流第1電源472往下部電極（第1樣品台）420供應。另外，27MHz係正確上為27.12MHz，惟本說明書中方便上記載為27MHz。 　　對於第2樣品台（下部電極）421亦如同第1樣品台420，供應電漿生成用的27MHz的高頻電力、將電漿中的離子引入至處理晶圓用的400kHz高頻電力、將處理晶圓往樣品台靜電吸附用的直流電力。27MHz的高頻電力，係經由27MHz用第2整合器（匹配箱：MB）461從27MHz用高頻第2電源451往下部電極（第2樣品台）421供應。400kHz高頻電力及直流電力，係經由400kHz用第2整合器476、連接電纜478及27MHz用第2整合器461，從400kHz用高頻第2電源471及直流第2電源473往下部電極（第2樣品台）421供應。另外，與第1真空處理室410與第2真空處理室411的邊界相距的第1樣品台420與第2樣品台421的距離係同等作成L1（對稱配置）。 　　27MHz用第1整合器460及27MHz用第2整合器461，係設置於設置下部電極420的第1電極軸425及下部電極421的第2電極軸426的驅動基座440的兩端，作成分別連動的構成。於圖3，示出在示於圖2的A-A線部的橫剖面圖（平面配置圖）（其中，驅動部係省略）。此外，於圖4示出驅動基座周邊部的透視圖（其中，排氣部省略）。此外，於圖5，示出在示於圖4的B-B線部的橫剖面圖（平面配置圖）。此外，於圖6，示出在示於圖5的C-C線部的縱剖面圖。如示於圖2至圖4，透過將各整合器460、461配置於驅動基座440的兩端，使得於第1真空處理室410，27MHz用第1整合器460與包含第1電極軸425旳下部電極420係配合驅動基座440的升降而同時升降，故27MHz用第1整合器460與第1電極軸425之間的距離成為固定，作為將27MHz用第1整合器460與第1電極軸425連接的佈線可使用不易變形的銅板464。藉此，即使第1樣品台（下部電極）420升降，比起27MHz用第1整合器460與第1電極軸425之間的佈線具有可撓性的情況，因佈線的變形而發生的阻抗的變動受到抑制，可提升所生成的電漿的再現性、穩定性等。此外，透過作成將27MHz用第1整合器460及27MHz用第2整合器461從驅動基座440吊掛的構成，使得可將各整合器與驅動部配置於相同的高度，故比起將各整合器配置於驅動基座之上的構成，可縮小高度方向的尺寸。此外，整合器460及整合器461，係就雙室真空處理部平面地視看時，從真空處理室410及真空處理室411之側面將至少一部分，優選上將輸入端子部予以突出而配置。據此將400KHz用第1整合器475與27MHz用第1整合器460連接的連接電纜477的連接及電纜的變形變容易。第2真空處理室側亦相同，故省略說明。另外，符號412表示處理室基座，符號446表示對於可升降的各電極軸的外周密封用的伸縮管。 　　此外，透過使27MHz用第1整合器460與第1電極軸425之間、及27MHz用第2整合器461與第2電極軸426之間為相同距離，分別以難變形的銅板進行連接，使得比起使用具有可撓性的佈線的情況，因升降而發生的個別的佈線形狀的變化受到抑制，故可抑制第1真空處理室與第2真空處理室之間的機差。此外，透過使用銅板，使得即使發生如假設使用被遮蓋的同軸電纜等因而發熱的狀況的情況下，仍散熱性佳，故可減低加熱的影響（佈線電阻值增大等）。 　　此外，如示於圖4至圖6般在本實施例中銅板464係作成在高度方向上寬度寬的配置。藉此，可縮小專屬佔用面積。示於圖4的符號427係電極軸殼。符號447係驅動軸，配置於驅動基座之中央部。此外，示於圖5的符號463表示第2整合器內部的銅板，符號465表示構成供電路徑並從外力保護銅板的盒子，符號466表示銅板支承（絕緣體），符號467表示第2整合器內部的銅板463與往第1電極軸連接的銅板464的連接部。另外，盒子465從銅板(供電路徑)464絕緣而被設為接地電位，如示於圖6般銅板464與盒子465間的絕緣距離方面係20mm以上為優選。此外，盒子465係在處理室基座412下方的驅動基座440的下方被包覆而配置，成為在大氣釋放等的保養時不發生與作業員的接觸的構成。 　　此外，27MHz用第1整合器460及27MHz用第2整合器461分別被設置於驅動基座440的兩端，故可在該等間的區域配置排氣部。藉此，減低比電氣佈線粗的排氣配管的路由距離，減低排氣配管的專屬區域，此外，排氣傳導度被減低因而可使用小型的泵浦，故可謀得此等之專屬佔用面積的減低。此外，真空泵浦周圍的保養、收納空間的確保等成為可能。 　　如此般27MHz的高頻電力、400kHz高頻電力、直流電力被供應至樣品台（下部電極）的構成的情況下，上部電極430可設為接地電位，故不需要往上部電極的電力供應線。為此，可將400kHz用第1整合器475及400kHz用第2整合器476往上部電極430之上方配置，比起將400kHz用第1整合器475及400kHz用第2整合器476往第1真空處理室410及第2真空處理室411的下部與其他構材並列配置的情況，可減低專屬佔用面積。 　　接著，利用圖7說明有關27MHz用整合器。另外，此處係利用27MHz用第1整合器460進行說明，惟基本的構成係27MHz用第2整合器461亦同。圖7，係供於說明27MHz用第1整合器用的圖，左圖係整體示意透視圖，右圖係內部電路的示意方塊圖。於27MHz用第1整合器460，係具備被供應來自400kHz用第1整合器475的400kHz的高頻電力及直流電力的第1輸入端子501、被供應來自27MHz用第1高頻電源450的27MHz用第1高頻電力的第2輸入端子502（左圖未圖示）、成為供於往第1樣品台（下部電極）420的第1電極軸425供應400kHz高頻電力、直流電力、27MHz高頻電力用的輸出端子的銅板連接部（輸出端子）467（右圖係未圖示）。 　　第1輸入端子501，係由於400kHz用第1整合器475被配置於上部電極430之上部，故配置於27MHz用第1整合器之上部。此外，輸出端子467，係為了縮短往第1樣品台（下部電極）420的第1電極軸425的佈線長，配置於第1電極軸425側的27MHz用第1整合器460之側面。第2輸入端子502的配置處無特別限制，而在本實施例係配置於未配置輸出端子467之側的側面。另外，圖7右圖之指向上下方向的雙方向箭頭，係表示27MHz用第1整合器460伴隨驅動基座的升降所移動的方向。 　　27MHz用第1整合器460，係具備27MHz截止用濾波器468、400kHz截止用濾波器及27MHz用的整合電路（匹配電路：MC）469。在本實施例，係將27MHz截止用濾波器468配置於前述第1輸入端子的附近。於27MHz用第1整合器460具備27MHz截止用濾波器468，使得在400kHz用第1整合器475與27MHz用第1整合器460之間，防止27MHz的反射波的發生，不需要考慮連接電纜477（第2真空處理室側係連接電纜478）的加熱，故在本實施例係作為此等整合器之間的連接電纜477使用可撓性的同軸電纜。配置於上部電極430之上部的400kHz用第1整合器475，係雖在伴隨上部電極開閉的裝置的保養之際產生移動的必要，惟透過使用可撓性的同軸電纜作為此等整合器之間的佈線，使得400kHz用第1整合器475的移動變容易，可易於進行保養。 　　在本實施例，係雖400kHz用截止濾波器及27MHz用截止濾波器的輸出被連接於銅板連接端子467而銅板(供電路徑)464兼作為400kHz及27MHz的供電路徑，惟亦可構成不同的路徑。此情況下亦作成400kHz供電路徑上的27MHz用截止濾波器468與電極軸425的距離在驅動基座上下移動不變化（被抑制）的構成，在來自電源（例如，27MHz用高頻第1電源450）的電力的往載台的供電路徑係將整合器（例如，27MHz用第1整合器460）與上下軸（例如，第1電極軸425）之間的距離固定，另一方面在固定於與電源450分離的位置的偏壓形成用的電源（例如，400kHz用高頻第1電源470）的供應路徑係濾波器（例如，27MHz截止用濾波器468）與上下軸425之間的距離被固定，濾波器468與整合器（例如，400kHz用第1整合器475）之間係以介電體遮蓋的同軸或可撓電纜進行連接。 　　第1真空處理部410的排氣口，係如示於圖2，從第1樣品台420的第1電極軸425配置於距離L2的位置，第2真空處理部411的排氣口，係從第2樣品台421的第2電極軸426配置於距離L2的位置。此外，此等排氣口係如示於圖3般從第1電極軸425及第2電極軸426之中心以相同角度θ，配置於第1真空處理部410及第2真空處理部411個別的同位置。再者，此等排氣口與緩衝室492係分別以第1排氣配管490及第2排氣配管491進行連接，使與包含緩衝室492、調壓閥493、排氣泵浦494的共通的排氣部的距離L3為相同（圖2、圖3）。藉此，排氣泵浦494之中心係從雙室真空處理部之中心偏移，此情況下，朝圖2的左側偏移而配置，可在雙室真空處理部的下方右側設置空間，可確保配置未圖示的機器的有效的空間，使真空處理裝置的佔用面積的小面積化為有效。另外，第1及第2樣品台420、421、第1及第2電極軸425、426、緩衝室492（排氣部），係如示於圖3般平面形狀為圓形。 　　藉此，從排氣的觀點而言可抑制第1真空處理室410與第2真空處理室411的機差。此外，使從排氣泵浦為1個，使得可抑制假設使用有機差的2個排氣泵浦時恐發生的第1真空處理部410與第2真空處理部411的機差。此外，使排氣泵浦為1個，使得可使排氣泵浦的專屬區域為小型。 　　利用示於圖1的具備雙室的真空處理裝置進行樣品的電漿處理的結果，比起歷來，在各腔室的處理的變異性被減低（機差被減低）。 　　依以上本實施例時，可提供具備雙室的真空處理裝置，其中在各處理區域中的處理的機差受到抑制。此外，透過在上部接地電極之上部配置400kHz用整合器，使得可對於佔用面積謀求裝置的緊緻化。此外，透過將27MHz用整合器配置於驅動基座的兩端，將排氣部配置於該等之間，使得可對於佔用面積謀求裝置的緊緻化。此外，透過將27MHz用整合器吊掛於驅動基座而保持，使得可謀得在高度方向的緊緻化。此外，透過在從第1真空處理室及第2真空處理室成為等距離的位置使供應氣體配管分歧，使得可進一步減低機差。此外，透過將包含400kHz用整合電路的400kHz用整合器、和包含27MHz用整合電路及400kHz截止用濾波器及27MHz截止用濾波器的27MHz用整合器之間以可撓性的同軸電纜進行連接，使得可易於進行裝置的保養。 　　另外，在本實施例係雖於電漿生成用的高頻電源方面使用頻率27MHz的電源，於偏壓施加用的高頻電源方面使用頻率400KHz的電源，惟只要為發揮個別的作用者則非限於此等頻率者。此外，安裝於驅動基座440的整合器，係不同的頻率的高頻電力（不限於電漿生成用及偏壓施加用的組合）被施加於樣品台的情況下，安裝頻率的高的高頻電力用的整合器，將個別的頻率用的截止濾波器設於頻率高的高頻電力用的整合器為有效。3個以上的不同的頻率的高頻電力被施加於樣品台的情況下，係將頻率最高的高頻電力作為對象考慮即可。 　　此外，本發明係非限定於上述的實施例者，包含各種的變化例。例如，上述之實施例係為了以容易理解的方式說明本發明而詳細說明者，未必限定於具備所說明之全部的構成。此外，可將實施例的構成的一部分置換為具有其他同等的功能的其他構成，此外，亦可於實施例的構成追加其他構成。
100‧‧‧真空處理裝置
101‧‧‧大氣搬運室
110、111、112‧‧‧裝載埠
120‧‧‧大氣搬運用機器人
200‧‧‧載鎖室
301‧‧‧真空搬運室
310‧‧‧真空搬運用機器人
400‧‧‧雙室第1真空處理部
401‧‧‧雙室第2真空處理部
410‧‧‧第1真空處理室
411‧‧‧第2真空處理室
412‧‧‧處理室基座
415、416‧‧‧樣品
420‧‧‧第1樣品台（下部電極）
421‧‧‧第2樣品台（下部電極）
425‧‧‧第1電極軸（樣品台用軸）
426‧‧‧第2電極軸（樣品台用軸）
427‧‧‧電極軸殼
430‧‧‧上部電極（接地）
431‧‧‧上蓋
432‧‧‧氣體分散板
440‧‧‧驅動基座
445‧‧‧驅動部（馬達）
446‧‧‧伸縮管
447‧‧‧驅動軸
450‧‧‧27MHz用高頻第1電源
451‧‧‧27MHz用高頻第2電源
460‧‧‧27MHz用第1整合器（匹配箱）
461‧‧‧27MHz用第2整合器（匹配箱）
463、464‧‧‧銅板
465‧‧‧盒子
466‧‧‧銅板支承
467‧‧‧銅板連接部（輸出端子）
468‧‧‧27MHz截止用濾波器
469‧‧‧400kHz截止用濾波器＋整合電路（MC）
470‧‧‧400kHz用高頻第1電源
471‧‧‧400kHz用高頻第2電源
472‧‧‧直流第1電源
473‧‧‧直流第2電源
475‧‧‧400kHz用第1整合器（匹配箱MB）
476‧‧‧400kHz用第2整合器（匹配箱MB）
477、478‧‧‧400kHz用整合器與27MHz用整合器之間的連接電纜
480‧‧‧氣體供應器
481‧‧‧氣體分配器
482‧‧‧第1氣體配管
483‧‧‧第2氣體配管
484‧‧‧第1氣體配管的往第1真空處理室及第2真空處理室的分歧點
485‧‧‧第2氣體配管的往第1真空處理室及第2真空處理室的分歧點
490‧‧‧第1排氣配管
491‧‧‧第2排氣配管
492‧‧‧緩衝室
493‧‧‧調壓閥
494‧‧‧排氣泵浦
501‧‧‧第1輸入端子
502‧‧‧第2輸入端子
[圖1]本發明的實施例相關的真空處理裝置的示意橫剖面圖（平面配置圖）。 　　[圖2]示於圖1的真空處理裝置中的真空處理部的要部縱剖面圖（一部分方塊圖）。 　　[圖3]示於圖2的A-A線部方面的示意橫剖面圖。 　　[圖4]示於圖2的真空處理部方面的要部示意透視圖。 　　[圖5]示於圖4的B-B線部方面的示意橫剖面圖。 　　[圖6]示於圖5的C-C線部方面的示意橫剖面圖（包含一部分下部電極）。 　　[圖7]供於就與示於圖2的真空處理部方面的下部電極所連接的整合器進行說明用的圖，左圖係整體示意透視圖，右圖係內部電路的示意方塊圖。

Claims (13)

  1. 一種真空處理裝置，具有第1處理部、與前述第1處理部同形狀、同尺寸的第2處理部、驅動基座、驅動部、排氣部， 　　該第1處理部具備： 　　具有第1排氣口的第1真空處理室； 　　配置於前述第1真空處理室之上部並被接地的第1上部電極； 　　配置於前述第1真空處理室的下部且可升降的第1下部電極； 　　對於前述第1下部電極，供應具有第1高頻的第1高頻電力的第1高頻電源及供應具有屬比前述第1高頻高的頻率的第2高頻的第2高頻電力的第2高頻電源； 　　連接於前述第1高頻電源的第1整合器； 　　連接於前述第1整合器及前述第2高頻電源的第2整合器； 　　將前述第1下部電極的第1電極軸及前述第2整合器之間連接的第1銅板； 　　該第2處理部具備： 　　具有第2排氣口的第2真空處理室； 　　配置於前述第2真空處理室之上部並被接地的第2上部電極； 　　配置於前述第2真空處理室的下部且可升降的第2下部電極； 　　對於前述第2下部電極，供應具有前述第1高頻的第1高頻電力的第3高頻電源及供應具有屬比前述第1高頻高的頻率的前述第2高頻的第2高頻電力的第4高頻電源； 　　連接於前述第3高頻電源的第3整合器； 　　連接於前述第3整合器及前述第4高頻電源的第4整合器； 　　將前述第2下部電極的第2電極軸及前述第4整合器之間連接的第2銅板； 　　該驅動基座係設置前述第1電極軸、前述第2電極軸、前述第2整合器及前述第4整合器， 　　該驅動部係使前述驅動基座升降， 　　該排氣部係以從前述第1排氣口及前述第2排氣口的距離成為相同的方式而配置。
  2. 如請求項1之真空處理裝置，其中， 　　前述第1整合器，係配置於前述第1上部電極之上部， 　　前述第3整合器，係配置於前述第2上部電極之上部。
  3. 如請求項1之真空處理裝置，其中， 　　前述驅動部的驅動軸，係配置於前述驅動基座之中央部， 　　前述第2整合器與前述第4整合器，係分別配置於從前述中央部成為等距離的前述驅動基座的兩端。
  4. 如請求項3之真空處理裝置，其中， 　　前述第2整合器與前述第4整合器，係分別吊掛於前述驅動基座而配置。
  5. 如請求項3之真空處理裝置，其中， 　　前述排氣部，係配置於前述第2整合器與前述第4整合器之間。
  6. 如請求項1之真空處理裝置，其進一步具備往前述第1真空處理室及前述第2真空處理室所供應的氣體供應器， 　　連接於前述氣體供應器的氣體配管，係在至前述第1真空處理室及前述第2真空處理室的距離成為相等的位置分歧。
  7. 如請求項1之真空處理裝置，其中， 　　前述第2整合器及前述第4整合器，係分別具備供於將往前述第2及第4高頻電源的前述第1高頻進行截止用的第1高頻截止用濾波器、供於將往前述第1及第3高頻電源的前述第2高頻進行截止用的第2高頻截止用濾波器兩者。
  8. 如請求項7之真空處理裝置，其中， 　　前述第2整合器及前述第4整合器具有的前述第2高頻截止用濾波器，係分別配置於連接於前述第1整合器的前述第2整合器的連接端子附近、及連接於前述第3整合器的前述第4整合器的連接端子附近。
  9. 如請求項7之真空處理裝置，其中， 　　前述第1整合器與前述第2整合器、及前述第3整合器與前述第4整合器，係分別以同軸電纜而連接。
  10. 如請求項1之真空處理裝置，其中， 　　前述第1整合器及前述第3整合器，係分別連接於直流電源， 　　前述第1整合器係經由前述第2整合器對於前述第1下部電極、前述第3整合器係經由前述第4整合器對於前述第2下部電極分別供應直流電力。
  11. 如請求項1之真空處理裝置，其中， 　　前述第1銅板及前述第2銅板，係在高度方向寬度寬。
  12. 如請求項1之真空處理裝置，其中， 　　前述第1銅板及前述第2銅板，係分別收納於盒子， 　　前述盒子之間的絕緣距離為20mm以上。
  13. 一種真空處理裝置，具有予以載置儲存樣品的盒子的裝載埠、連接於前述裝載埠並具備大氣搬運用機器人的大氣搬運室、連接於前述大氣搬運室的載鎖室、連接於前述載鎖室並具備真空搬運用機器人的真空搬運室、連接於前述真空搬運室的包含第1真空處理部的複數個真空處理部， 　　前述第1真空處理部，係具有第1處理部、與前述第1處理部同形狀、同尺寸的第2處理部、驅動基座、驅動部、排氣部， 　　該第1處理部具備： 　　具有第1排氣口的第1真空處理室； 　　配置於前述第1真空處理室之上部並被接地的第1上部電極； 　　配置於前述第1真空處理室的下部且可升降的第1下部電極； 　　對於前述第1下部電極，供應具有第1高頻的第1高頻電力的第1高頻電源及供應具有屬比前述第1高頻高的頻率的第2高頻的第2高頻電力的第2高頻電源； 　　連接於前述第1高頻電源的第1整合器； 　　連接於前述第1整合器及前述第2高頻電源的第2整合器； 　　將前述第1下部電極的第1電極軸及前述第2整合器之間連接的第1銅板； 　　該第2處理部具備： 　　具有第2排氣口的第2真空處理室； 　　配置於前述第2真空處理室之上部並被接地的第2上部電極； 　　配置於前述第2真空處理室的下部且可升降的第2下部電極； 　　對於前述第2下部電極，供應具有前述第1高頻的第1高頻電力的第3高頻電源及供應具有屬比前述第1高頻高的頻率的前述第2高頻的第2高頻電力的第4高頻電源； 　　連接於前述第3高頻電源的第3整合器； 　　連接於前述第3整合器及前述第4高頻電源的第4整合器； 　　將前述第2下部電極的第2電極軸及前述第4整合器之間連接的第2銅板； 　　該驅動基座係設置前述第1電極軸、前述第2電極軸、前述第2整合器及前述第4整合器， 　　該驅動部係使前述驅動基座升降， 　　該排氣部係以從前述第1排氣口及前述第2排氣口的距離成為相同的方式而配置。
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