TW201826429A - 用於處理基板的處理套件及方法 - Google Patents

用於處理基板的處理套件及方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201826429A
TW201826429A TW106140894A TW106140894A TW201826429A TW 201826429 A TW201826429 A TW 201826429A TW 106140894 A TW106140894 A TW 106140894A TW 106140894 A TW106140894 A TW 106140894A TW 201826429 A TW201826429 A TW 201826429A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
conductive
gap
shroud
processing
lower wall
Prior art date
Application number
TW106140894A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI758358B (zh
Inventor
善Ｘ 尼古言
曾為民
曹勇
Original Assignee
美商應用材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商應用材料股份有限公司 filed Critical 美商應用材料股份有限公司
Publication of TW201826429A publication Critical patent/TW201826429A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI758358B publication Critical patent/TWI758358B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3441—Dark space shields
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32651—Shields, e.g. dark space shields, Faraday shields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3438—Electrodes other than cathode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02266—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by physical ablation of a target, e.g. sputtering, reactive sputtering, physical vapour deposition or pulsed laser deposition

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

此處提供用於處理腔室之處理套件及用於處理基板之方法的實施例。在某些實施例中，一種處理套件，包括：非導電上部護罩，具有配置成環繞濺鍍標靶之上部分及從上部分向下延伸之下部分；及導電下部護罩，由非導電上部護罩徑向向外佈置，且具有圓柱形主體、下壁及唇部，圓柱形主體具有上部分及下部分，下壁從下部分徑向向內突出，且唇部從下壁向上突起。圓柱形主體藉由第一間隙與非導電上部護罩隔開。下壁藉由第二間隙與非導電上部護罩之下部分隔開，第二間隙配置成限制介於非導電上部護罩之中的容積及導電下部護罩的圓柱形主體之直接視線。

Description

用於處理基板的處理套件及方法
本揭露案之實施例大致關於半導體處理。
某些基板處理腔室利用包括接地的護罩之處理套件，此接地的護罩環繞處理腔室的內部容積。濺鍍標靶藉由RF及/或DC電源供電，且因此作用為陰極。因為護罩被接地，所以護罩作用為陽極。然而，發明人發現在處理腔室中已執行某些次數的處理之後，從濺鍍標靶濺鍍的介電材料覆蓋接地的護罩，且導致非所欲的陽極消失效應。為了克服上述缺陷，實行金屬貼附步驟，使得護罩可再次作用為陽極。然而，因為貼附步驟需要停止處理直到貼附步驟實行完成，所以產量受到不利的影響。
因此，發明人已提供用於基板處理腔室之改良的處理套件。
此處提供用於處理腔室之處理套件及用於處理基板之方法的實施例。在某些實施例中，一種處理套件，包括：非導電上部護罩，具有配置成環繞濺鍍標靶之上部分及從上部分向下延伸之下部分；及導電下部護罩，由非導電上部護罩徑向向外佈置，且具有圓柱形主體、下壁及唇部，圓柱形主體具有上部分及下部分，下壁從下部分徑向向內突出，且唇部從下壁向上突起，其中圓柱形主體藉由第一間隙與非導電上部護罩徑向隔開，且其中下壁藉由第二間隙與非導電上部護罩之下部分垂直隔開，第二間隙配置成限制介於非導電上部護罩之中的容積及導電下部護罩的圓柱形主體之直接視線。
在某些實施例中，一種處理腔室，包括：腔室主體；基板支撐件，佈置於腔室主體之中；濺鍍標靶，佈置於腔室主體之中在基板支撐件上方；及處理套件，佈置於基板支撐件四周。處理套件包括：配接器，耦合至腔室主體的頂部；非導電上部護罩，具有環繞濺鍍標靶之上部分及從上部分向下延伸之下部分，其中上部分透過配接器耦合至腔室主體；及導電下部護罩，由非導電上部護罩徑向向外耦合至腔室主體，且具有圓柱形主體、下壁及唇部，圓柱形主體具有上部分及下部分，下壁從下部分徑向向內突出，且唇部從下壁向上突起，其中圓柱形主體藉由第一間隙與非導電上部護罩徑向隔開，且其中下壁藉由第二間隙與非導電上部護罩之下部分垂直隔開，第二間隙配置成限制介於非導電上部護罩之中的容積及導電下部護罩的圓柱形主體之直接視線。
在某些實施例中，一種處理基板之方法包括：將支撐基板的基板支撐件從非處理位置抬升至處理位置；在處理腔室的內部容積之中形成電漿，以從濺鍍標靶濺鍍材料至基板上。處理腔室包括的處理套件，處理套件具有非導電上部護罩及導電下部護罩，非導電上部護罩具有配置成環繞濺鍍標靶之上部分及從上部分向下延伸之下部分；且導電下部護罩由非導電上部護罩徑向向外佈置，且具有圓柱形主體、下壁及唇部，圓柱形主體具有上部分及下部分，下壁從下部分徑向向內突出，且唇部從下壁向上突起，其中圓柱形主體藉由第一間隙與非導電上部護罩徑向隔開，且其中下壁藉由第二間隙與非導電上部護罩之下部分垂直隔開，第二間隙配置成限制介於非導電上部護罩之中的容積及導電下部護罩的圓柱形主體之直接視線；以及遮罩環，配置成與唇部接面，其中第二間隙在處理位置中完全佈置於遮罩環下方。
本揭露案之其他及進一步實施例將如下說明。
此處提供用於處理腔室之處理套件的實施例及用於處理基板之方法。所發明的處理套件包括非導電上部護罩及由非導電內部護罩徑向向外佈置的導電下部護罩。非導電上部護罩與導電下部護罩的部分重疊。因為非導電上部護罩在導電下部護罩徑向向內佈置，所以非導電上部護罩吸收從濺鍍標靶所濺鍍的大部分的介電材料。結果，當與傳統處理套件護罩比較時，導電下部護罩於更多的處理次數中繼續作用為陽極，而無須貼附步驟。
第1圖根據本揭露案之某些實施例，描繪適合與上述處理套件一起使用之處理腔室的概要視圖。適合的PVD腔室之範例包括ALPS® Plus以及SIP ENCORE® PVD處理腔室，兩者均可從加州聖克拉拉市的應用材料公司商業上取得。來自應用材料公司或其他製造商的其他處理腔室亦可從此處所揭露之發明方法受益。
處理腔室100含有用於支撐基板104的基板支撐件102，及濺鍍源，例如濺鍍標靶106。基板支撐件102可定位於腔室主體177之中，腔室主體177包括接地的下部主體108、接地的配接器142、底部腔室壁152、及接地的護罩140。濺鍍標靶106可耦合至源分配板（未顯示）。源分配板可由適合的導電材料製成，以從一或更多電源引導功率至濺鍍標靶106。可利用任何數量的電源以提供功率至電鍍標靶106，而適應在處理腔室100中實行的特定應用或處理。舉例而言，在某些實施例中，DC電源126及RF電源124可透過源分配板分別提供DC功率及RF功率至濺鍍標靶106。在此實施例中，可利用DC電源126以施加負電壓或偏壓至濺鍍標靶106。在某些實施例中，藉由RF電源124供應的RF能量可為在從約2MHz至約60MHz之頻率範圍中，例如可使用非限制性的2MHz、13.56MHz、27.12MHz或60MHz的頻率。在某些實施例中，可提供複數個RF電源（例如，二或更多個），而以複數個上述頻率提供RF能量。
可提供接地護罩140以覆蓋處理腔室100之蓋的外側表面。接地護罩140舉例而言可透過腔室主體的接地連接而耦合接地。接地護罩140可包含任何適合的導電材料，例如鋁、銅或類似者。在某些實施例中，可在接地護罩140及分配板的外表面、及濺鍍標靶106之間提供絕緣間隙139，以避免RF及DC能量直接路由接地。絕緣間隙可以空氣或某些其他適合的介電材料填充，例如陶瓷、塑膠或類似者。
濺鍍標靶106可透過介電配接器144支撐於接地的導電配接器142上。在某些實施例中，接地的配接器142可以鋁形成。濺鍍標靶106包含在濺鍍期間待沉積至基板104上的材料，例如矽或另一介電材料。在某些實施例中，背板202（顯示於第2圖中）可耦合至濺鍍標靶106之面向源分配板的表面132。背板202可包含導電材料，例如銅-鋅、銅-鉻或與標靶相同的材料，使得RF及DC功率可透過背板202耦合至標靶406。或者，背板202可為非導電的且可包括導電元件（未顯示），例如用於將RF及DC功率耦合至濺鍍標靶106的電氣饋通或類似者。
基板支撐件102具有面向濺鍍標靶106的支撐表面110且支撐待處理之基板104。在某些實施例中，導電殼體120可佈置於基板支撐件102之至少一部分四周。基板支撐件102可在用於處理之處理腔室100的內部容積148中支撐基板104。內部容積148界定為在處理期間位於基板支撐件102上方的區域（例如，當在處理位置中時，介於濺鍍標靶106及基板支撐件102之間）。
在某些實施例中，基板支撐件102可透過連接至底部腔室壁152之風箱150而垂直地可移動，以允許基板104透過在處理腔室100之下部分中的負載鎖定閥（未顯示）傳送至基板支撐件102上，且由此抬升至用於處理的一或更多位置。
可透過質流控制器156從氣源154供應一或更多處理氣體至處理腔室100的下部分中。排氣通口158可透過閥160提供且耦合至幫浦（未顯示），用於對處理腔室100的內部排氣且促進在處理腔室100的內側維持所欲的壓力。
在某些實施例中，一或更多電源（如顯示的RF偏壓電源162及DC電源164）可耦合至基板支撐件102。當存在時，RF偏壓電源162可耦合至基板支撐件102以感應基板104上負的DC偏壓。此外，在某些實施例中，可於處理期間在基板104上形成負的DC自我偏壓。
處理腔室100進一步包括處理套件170，處理套件170具有耦合至介電配接器144的非導電上部護罩173及耦合至腔室主體177的導電下部護罩174。在某些實施例中，非導電上部護罩173可替代地放置在配接器142的壁架176上。在某些實施例中，非導電上部護罩173為圓柱形的，且包括環繞濺鍍標靶106的上部分171及從上部分171向下延伸的下部分172。導電下部護罩174包括圓柱形主體166，此圓柱形主體166具有上部分167及下部分168、從下部分168徑向向內突出之下壁128及從下壁128向上突起的唇部169。在某些實施例中，非導電上部護罩173可以由處理相容的陶瓷形成，例如石英、藍寶石、氧化鋁、碳化矽及類似者。在某些實施例中，導電下部護罩174可以導電材料形成，例如鋁及類似者。
在某些實施例中，一或更多導電條帶130可將導電下部護罩174電氣耦合至導電殼體120。在某些實施例中，處理套件170亦包括遮罩環186，配置成與導電下部護罩174的唇部169接面，以透過導電下部護罩174及腔室主體177將基板支撐件接地。沉積環122可用以在處理期間保護基板104的周圍。
第2圖根據本揭露案之某些實施例，圖示處理套件170的特寫剖面視圖。如第2圖中圖示，非導電上部護罩173延伸且保護在上部分167及導電下部護罩174的下部分168之至少一部分上。導電下部護罩174的圓柱形主體166藉由第一間隙D1 與非導電上部護罩173徑向隔開，第一間隙D1 介於約0.375英吋及約1英吋之間。導電下部護罩174的下壁128藉由第二間隙D2 與非導電上部護罩173之下部分172垂直隔開，第二間隙D2 介於約0.375英吋及約1英吋之間，且配置成限制介於非導電上部護罩173之中的容積（即，內部容積148）及導電下部護罩174的圓柱形主體166之直接視線。在某些實施例中，第一及第二間隙D1 、D2 為相等的。第一及第二間隙D1 、D2 允許次級電漿形成於非導電上部護罩173及導電下部護罩174之間，因此有利地在陰極及陽極之間建立「橋接」，同時保護陽極（即，導電下部護罩174）遠離介電材料的沉積。
返回第1圖，在某些實施例中，磁鐵190可佈置於處理腔室100的四周，用於選擇性地在基板支撐件102及濺鍍標靶106之間提供磁場。舉例而言，如第1圖中所顯示，磁鐵190可佈置於接地的下部主體108之外側四周，正好在基板支撐件102的上方之區域中。在某些實施例中，磁鐵190可額外地或替代地佈置於其他位置中，例如鄰接於配接器142。磁鐵190可為電磁鐵，且可耦合至用於控制藉由電磁鐵所產生之磁場大小的電源（未顯示）。
可提供控制器118且耦合至處理腔室100之各種部件，以控制此等部件之操作。控制器118包括中央處理單元（CPU）112、記憶體114及支援電路116。控制器118可直接控制處理腔室100，或透過與特定處理腔室及/或支援系統部件相關聯之電腦（或控制器）來控制處理腔室100。控制器118可為任何形式的通用電腦處理器，而可在工業設定中用以控制各種腔室及子處理器。控制器118的記憶體114或電腦可讀取媒體可為一或更多立即可取得之記憶體，例如隨機存取記憶體（RAM）、唯讀記憶體（ROM）、軟碟、硬碟、光學儲存媒體（例如，光碟或數位視訊碟片）、快取驅動、或不論本端或遠端的任何其他形式的數位儲存。支援電路116耦合至CPU 112用於以傳統的方式支援處理器。此等電路包括快取、電源供應器、時鐘電路、輸入/輸出電路及子系統、及類似者。此處所述的發明方法可儲存於記憶體114中作為可執行或調用而以此處所述之方式控制處理腔室100之操作的軟體常式。軟體常式亦可藉由第二CPU（未顯示）儲存及/或執行，此第二CPU遠端地定位於CPU 112所控制的硬體。
第3圖為流程圖，根據本揭露案的某些實施例圖示處理基板的方法300。於302處，將基板104放置在基板支撐件102的支撐表面110上。於304處，從非處理位置（顯示於第1圖中）抬升基板支撐件102至處理位置（顯示於第2圖中）。於306處，在處理腔室100的內部容積148之中形成電漿，以從濺鍍標靶106濺鍍材料至基板104上。如上說明，因為處理套件170提供陽極（即，導電下部護罩174）的保護，所以在需要貼附步驟以復原陽極之前可運行更多次處理（例如，方法300），因此顯著增進處理腔室100的產量。
因此，此處提供用於基板處理腔室之處理套件的實施例。發明的處理套件相較於傳統處理套件，可藉由更長時間地允許導電護罩繼續作用為陽極，而促進處理腔室增加的產量。
儘管以上導向本揭露案之實施例，可衍生出本揭露案的其他及進一步實施例而並未悖離其基本範疇。
100‧‧‧處理腔室
102‧‧‧基板支撐件
104‧‧‧基板
106‧‧‧濺鍍標靶
108‧‧‧接地的下部主體
110‧‧‧支撐表面
112‧‧‧CPU
114‧‧‧記憶體
116‧‧‧支援電路
118‧‧‧控制器
120‧‧‧導電殼體
122‧‧‧沉積環
124‧‧‧RF電源
126‧‧‧DC電源
128‧‧‧下壁
130‧‧‧導電條帶
132‧‧‧面向板的表面
139‧‧‧絕緣間隙
140‧‧‧接地護罩
142‧‧‧接地的導電配接器
144‧‧‧介電配接器
148‧‧‧內部容積
150‧‧‧風箱
152‧‧‧底部腔室壁
154‧‧‧氣源
156‧‧‧質流控制器
158‧‧‧排氣通口
160‧‧‧閥
162‧‧‧RF偏壓電源
164‧‧‧DC電源
166‧‧‧圓柱形主體
167‧‧‧圓柱形主體
168‧‧‧下部分
169‧‧‧唇部
170‧‧‧處理套件
171‧‧‧上部分
172‧‧‧下部分
173‧‧‧非導電上部護罩
174‧‧‧導電下部護罩
176‧‧‧壁架
177‧‧‧腔室主體
186‧‧‧遮罩環
190‧‧‧磁鐵
202‧‧‧背板
300‧‧‧方法
302‧‧‧步驟
304‧‧‧步驟
306‧‧‧步驟
如上摘要且如下更加詳細討論之本揭露案的實施例，可藉由參考隨附圖式中繪製的圖示性實施例而理解。然而，隨附圖式僅圖示本揭露案的通常實施例，且因此不應考量為限制本揭露案之範疇，因為本揭露案認可其他均等效果之實施例。
第1圖根據本揭露案之某些實施例，描繪適合與處理套件一起使用之處理腔室。
第2圖根據本揭露案之某些實施例，描繪用於基板處理腔室之處理套件的剖面視圖。
第3圖為流程圖，根據本揭露案之某些實施例，圖示處理基板之方法。
為了促進理解，已盡可能地使用相同的元件符號代表共通圖式中相同的元件。圖式並非按照比例繪製，且為了清楚起見而可簡化。一個實施例的元件及特徵可有利地併入其他實施例中而無須進一步說明。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

Claims (20)

  1. 一種處理套件，包含： 一非導電上部護罩，具有配置成環繞一濺鍍標靶之一上部分及從該上部分向下延伸之一下部分；及一導電下部護罩，由該非導電上部護罩徑向向外佈置，且具有一圓柱形主體、一下壁及一唇部，該圓柱形主體具有一上部分及一下部分，該下壁從該下部分徑向向內突出，且該唇部從該下壁向上突起，其中該圓柱形主體藉由一第一間隙與該非導電上部護罩徑向隔開，且其中該下壁藉由一第二間隙與該非導電上部護罩之該下部分垂直隔開，該第二間隙配置成限制介於該非導電上部護罩之中的一容積及該導電下部護罩的該圓柱形主體之一直接視線。
  2. 如請求項1所述之處理套件，其中該第一間隙為介於約0.375英吋及約1英吋之間。
  3. 如請求項1所述之處理套件，其中該第二間隙為介於約0.375英吋及約1英吋之間。
  4. 如請求項1所述之處理套件，其中該第一間隙與該第二間隙相等。
  5. 如請求項4所述之處理套件，其中該第一間隙與該第二間隙之各者介於約0.375英吋及約1英吋之間。
  6. 如請求項1至5任一項所述之處理套件，其中該非導電上部護罩以一陶瓷形成。
  7. 如請求項1至5任一項所述之處理套件，其中該導電下部護罩以鋁形成。
  8. 如請求項1至5任一項所述之處理套件，其中該非導電上部護罩為圓柱形的。
  9. 如請求項1至5任一項所述之處理套件，進一步包含： 一遮罩環，配置成與該唇部接面。
  10. 一種處理腔室，包含： 一腔室主體；一基板支撐件，佈置於該腔室主體之中；一濺鍍標靶，佈置於該腔室主體之中在該基板支撐件上方；及一處理套件，佈置於該基板支撐件四周，該處理套件包含：一配接器，耦合至該腔室主體的一頂部；一非導電上部護罩，具有環繞該濺鍍標靶之一上部分及從該上部分向下延伸之一下部分，其中該上部分透過該配接器耦合至該腔室主體；及一導電下部護罩，由該非導電上部護罩徑向向外耦合至該腔室主體，且具有一圓柱形主體、一下壁及一唇部，該圓柱形主體具有一上部分及一下部分，該下壁從該下部分徑向向內突出，且該唇部從該下壁向上突起，其中該圓柱形主體藉由一第一間隙與該非導電上部護罩徑向隔開，且其中該下壁藉由一第二間隙與該非導電上部護罩之該下部分垂直隔開，該第二間隙配置成限制介於該非導電上部護罩之中的一容積及該導電下部護罩的該圓柱形主體之一直接視線。
  11. 如請求項10所述之處理腔室，其中該腔室主體為接地的。
  12. 如請求項11所述之處理腔室，進一步包含： 一導電條帶，佈置於該下壁及該基板支撐件之間，以透過該導電下部護罩及該腔室主體將該基板支撐件接地。
  13. 如請求項10所述之處理腔室，其中該非導電上部護罩為圓柱形的。
  14. 如請求項10所述之處理腔室，其中該非導電上部護罩以一陶瓷形成。
  15. 如請求項10所述之處理腔室，其中該導電下部護罩以鋁形成。
  16. 如請求項10所述之處理腔室，其中該處理套件進一步包含： 一遮罩環，配置成與該唇部接面。
  17. 如請求項10至16任一項所述之處理腔室，其中該第一間隙為介於約0.375英吋及約1英吋之間。
  18. 如請求項10至16任一項所述之處理腔室，其中該第二間隙為介於約0.375英吋及約1英吋之間。
  19. 如請求項10至16任一項所述之處理腔室，其中該第一間隙與該第二間隙相等，且其中該第一間隙與該第二間隙之各者介於約0.375英吋及約1英吋之間。
  20. 一種處理套件，包含： 一非導電上部護罩，具有配置成環繞一濺鍍標靶之一上部分及從該上部分向下延伸之一下部分；及一導電下部護罩，由該非導電上部護罩徑向向外佈置，且具有一圓柱形主體、一下壁及一唇部，該圓柱形主體具有一上部分及一下部分，該下壁從該下部分徑向向內突出，且該唇部從該下壁向上突起，其中該圓柱形主體藉由一第一間隙與該非導電上部護罩徑向隔開，該第一間隙介於約0.375英吋及約1英吋之間，且其中該下壁藉由一第二間隙與該非導電上部護罩之該下部分垂直隔開，該第二間隙介於約0.375英吋及約1英吋之間，且配置成限制介於該非導電上部護罩之中的一容積及該導電下部護罩的該圓柱形主體之一直接視線。
TW106140894A 2016-11-25 2017-11-24 用於處理基板的處理套件及方法 TWI758358B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662426391P 2016-11-25 2016-11-25
US62/426,391 2016-11-25
US15/818,169 US10886113B2 (en) 2016-11-25 2017-11-20 Process kit and method for processing a substrate
US15/818,169 2017-11-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201826429A true TW201826429A (zh) 2018-07-16
TWI758358B TWI758358B (zh) 2022-03-21

Family

ID=62190364

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106140894A TWI758358B (zh) 2016-11-25 2017-11-24 用於處理基板的處理套件及方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10886113B2 (zh)
KR (1) KR102488946B1 (zh)
CN (1) CN110036137B (zh)
TW (1) TWI758358B (zh)
WO (1) WO2018098100A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI815945B (zh) * 2018-08-10 2023-09-21 美商應用材料股份有限公司 多陰極沉積系統
US20210066050A1 (en) * 2019-08-28 2021-03-04 Applied Materials, Inc. High conductance inner shield for process chamber
US11913107B2 (en) * 2019-11-08 2024-02-27 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for processing a substrate
TW202129045A (zh) * 2019-12-05 2021-08-01 美商應用材料股份有限公司 多陰極沉積系統與方法
CN115679271A (zh) * 2021-07-22 2023-02-03 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺腔室

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5658442A (en) 1996-03-07 1997-08-19 Applied Materials, Inc. Target and dark space shield for a physical vapor deposition system
US6129808A (en) 1998-03-31 2000-10-10 Lam Research Corporation Low contamination high density plasma etch chambers and methods for making the same
US6398929B1 (en) 1999-10-08 2002-06-04 Applied Materials, Inc. Plasma reactor and shields generating self-ionized plasma for sputtering
JP4450472B2 (ja) 2000-03-08 2010-04-14 株式会社アルバック スパッタリング装置
US7041201B2 (en) * 2001-11-14 2006-05-09 Applied Materials, Inc. Sidewall magnet improving uniformity of inductively coupled plasma and shields used therewith
WO2005104203A1 (ja) * 2004-03-31 2005-11-03 Fujitsu Limited 基板処理装置および半導体装置の製造方法
KR100591433B1 (ko) * 2004-12-29 2006-06-22 동부일렉트로닉스 주식회사 질화 티타늄(ＴｉＮ) 스퍼터링 공정용 실드 및 코팅방법
US7713390B2 (en) 2005-05-16 2010-05-11 Applied Materials, Inc. Ground shield for a PVD chamber
US20080257263A1 (en) 2007-04-23 2008-10-23 Applied Materials, Inc. Cooling shield for substrate processing chamber
JP5916384B2 (ja) * 2008-04-16 2016-05-11 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ ウェハ処理堆積物遮蔽構成材
US9123511B2 (en) 2008-05-02 2015-09-01 Applied Materials, Inc. Process kit for RF physical vapor deposition
KR20120004502A (ko) 2009-04-03 2012-01-12 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 고압 ｒｆ-ｄｃ 스퍼터링과 이 프로세스의 단차 도포성 및 막 균일성을 개선하기 위한 방법
US9834840B2 (en) 2010-05-14 2017-12-05 Applied Materials, Inc. Process kit shield for improved particle reduction
US8702918B2 (en) 2011-12-15 2014-04-22 Applied Materials, Inc. Apparatus for enabling concentricity of plasma dark space
US9472443B2 (en) * 2013-03-14 2016-10-18 Applied Materials, Inc. Selectively groundable cover ring for substrate process chambers
US9177763B2 (en) * 2013-03-15 2015-11-03 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for measuring pressure in a physical vapor deposition chamber
WO2015041978A1 (en) * 2013-09-17 2015-03-26 Applied Materials, Inc. Extended dark space shield
US10648071B2 (en) 2016-11-19 2020-05-12 Applied Materials, Inc. Process kit having a floating shadow ring

Also Published As

Publication number Publication date
CN110036137B (zh) 2021-08-17
US10886113B2 (en) 2021-01-05
KR102488946B1 (ko) 2023-01-13
KR20190078657A (ko) 2019-07-04
WO2018098100A1 (en) 2018-05-31
US20180151337A1 (en) 2018-05-31
TWI758358B (zh) 2022-03-21
CN110036137A (zh) 2019-07-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI758358B (zh) 用於處理基板的處理套件及方法
US9472443B2 (en) Selectively groundable cover ring for substrate process chambers
JP6238963B2 (ja) プロセスキットシールドおよびプロセスキットシールドを有する物理的気相堆積チャンバ
CN110036136B (zh) 具有浮动遮蔽环的工艺配件
US9991101B2 (en) Magnetron assembly for physical vapor deposition chamber
US11289312B2 (en) Physical vapor deposition (PVD) chamber with in situ chamber cleaning capability
US20190259586A1 (en) Methods and apparatus for maintaining low non-uniformity over target life
JP2007042818A (ja) 成膜装置及び成膜方法
US20210319989A1 (en) Methods and apparatus for processing a substrate
US20170211175A1 (en) Sputter source for semiconductor process chambers
TW201627517A (zh) 用於物理氣相沉積介電質沉積的設備
WO2014159222A1 (en) Methods and apparatus for processing a substrate using a selectively grounded and movable process kit ring
TWI801472B (zh) 用於基板邊緣均勻化的方法及設備
KR20220046654A (ko) 물리 기상 증착(pvd) 유전체 증착을 위한 방법들 및 장치
TWI795420B (zh) 具有雙位置磁控管及中央供給冷卻劑的陰極組件
US11361982B2 (en) Methods and apparatus for in-situ cleaning of electrostatic chucks
US20240093355A1 (en) Glassy Carbon Shutter Disk For Physical Vapor Deposition (PVD) Chamber