TW201814959A - 天線系統及其天線結構 - Google Patents

Abstract

本發明公開一種天線系統及其天線結構。天線結構包括一基板、一輻射件、一耦合件、一接地件、一導電件以及一饋入件。輻射件設置在基板上，輻射件包括一用於提供一第一操作頻帶的第一輻射部、一用於提供一第二操作頻帶的第二輻射部以及一連接於第一輻射部與第二輻射部之間的耦合部。耦合件設置在基板上，耦合件與耦合部彼此分離且相互耦合。饋入件連接於耦合件與接地件之間，饋入件用來饋入一訊號。該導電件用來將該訊號傳導至該接地件。藉此，本發明所公開的天線系統及其天線結構不僅能夠提升天線性能，而且還能同時避免使用者接近時SAR值過高的問題。

Description

天線系統及其天線結構

本發明涉及一種無線通訊技術，特別是涉及一種天線系統及其天線結構。

首先，隨著可攜式電子裝置(例如智慧型手機、平板電腦、筆記型電腦)的使用率日益提高，使得近年來可攜式電子裝置的無線通訊技術更加被重視，而無線通訊品質需視可攜式電子裝置中的天線效率而定。因此，如何提升天線的輻射效率及易於調整整體頻率，已變的相當重要。

另外，由於天線所發出的電磁波會對人體造成影響，因此，目前國際非游離輻射防護委員會(International Commission on Non-Ionizing Radiation Protection，ICNIRP)建議生物體單位質量對電磁波能量比吸收率(Specific Absorption Rate，SAR)之值不應超過2.0W/Kg，而美國聯邦通訊委員會(Federal Communications Commission，FCC)則建議SAR值不超過1.6W/Kg。然而，目前現有技術為提升天線效率多會導致SAR值提高。

隨著近年來陸續開發出筆記型電腦與平板電腦相互結合的產品，例如二合一式的筆記型電腦(Hybrid laptops或2-in-1 laptops)，也就是說，筆記型電腦具有一般操作模式及平板模式，但現有的天線架構在平板電腦模式時，SAR值並無法達到法規之規範。雖然目前如美國專利公告第8,577,289號專利案，公開了一種「具有用於基於近接射頻功率控制的整合近接感測器之天線」，其能通過 判斷人體訊號，以調整天線的發射功率。然而，由於上述專利案中主要利用設置在饋入端與收發器之間的兩顆接地電容而使得天線具有感測功能，但是，這兩顆接地電容將會導致天線特性及感測距離較差的情形產生。

本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種天線系統及其天線結構，不僅能夠提升天線性能還能同時避免SAR值過高的問題產生。

為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一種技術方案是提供一種天線結構，其包括一基板、一輻射件、一耦合件、一接地件、一饋入件以及一導電件。該輻射件設置在該基板上，該輻射件包括一用於提供一第一操作頻帶的第一輻射部、一用於提供一第二操作頻帶的第二輻射部以及一連接於該第一輻射部與該第二輻射部之間的耦合部。該耦合件設置在該基板上，該耦合件與該耦合部彼此分離且相互耦合。該接地件與該耦合件彼此分離。該饋入件連接於該耦合件與該接地件之間，該饋入件用來饋入一訊號。該導電件用來將該訊號傳導至該接地件。

本發明所採用的另外一種技術方案是提供一種天線結構，其包括一基板、一輻射件、一耦合件、一接地件、一饋入件以及一導電件。該輻射件設置在該基板上，該輻射件包括一用於提供一第一操作頻帶的第一輻射部、一用於提供一第二操作頻帶的第二輻射部以及一連接於該第一輻射部與該第二輻射部之間的耦合部。該耦合件設置在該基板上，該耦合件與該耦合部彼此分離且相互耦合。該接地件與該耦合件彼此分離。該饋入件連接於該輻射件之該耦合部與該接地件之間，該饋入件用來饋入一訊號。該導電件用來將該訊號傳導至該接地件。

本發明所採用的另外一種技術方案是提供一種天線系統，其包括一天線結構、一近接感測模組以及一電感器。該天線結構包 括一基板、一輻射件、一耦合件、一接地件、一饋入件以及一導電件。該輻射件設置在該基板上，該輻射件包括一用於提供一第一操作頻帶的第一輻射部、一用於提供一第二操作頻帶的第二輻射部以及一連接於該第一輻射部與該第二輻射部之間的耦合部。該耦合件設置在該基板上，該耦合件與該耦合部彼此分離且相互耦合。該接地件與該耦合件彼此分離。該饋入件連接於該耦合件與該接地件之間，該饋入件用來饋入一訊號。該導電件用來將該訊號傳導至該接地件。該電感器連接於該輻射件與該近接感測模組之間。其中，該輻射件做為一感測電極以供該近接感測模組量測電容值。

本發明所採用的再一種技術方案是提供一種天線系統，其包括一天線結構、一近接感測模組以及一電感器。該天線結構包括一基板、一輻射件、一耦合件、一接地件、一饋入件以及一導電件。該輻射件設置在該基板上，該輻射件包括一用於提供一第一操作頻帶的第一輻射部、一用於提供一第二操作頻帶的第二輻射部以及一連接於該第一輻射部與該第二輻射部之間的耦合部。該耦合件設置在該基板上，該耦合件與該耦合部彼此分離且相互耦合。該接地件與該耦合件彼此分離。該饋入件連接於該輻射件之該耦合部與該接地件之間，該饋入件用來饋入一訊號。該導電件用來將該訊號傳導至該接地件。該電感器連接於該輻射件與該近接感測模組之間。其中，該輻射件做為一感測電極以供該近接感測模組量測電容值。

本發明的有益效果在於，本發明實施例所提供的天線系統及其天線結構不僅能夠提升天線性能，而且還能同時避免使用者接近時SAR值過高的問題。

為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，然而所提供的附圖僅提供參考與說明用，並非用來對本發明加以限制。

T、T’、T”‧‧‧天線系統

Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6、Q7、Q8、Q9、Q10、Q11、Q12‧‧‧天線結構

1‧‧‧基板

11‧‧‧第一表面

12‧‧‧第二表面

2、2’‧‧‧輻射件

21‧‧‧第一輻射部

22‧‧‧第二輻射部

23、23’‧‧‧耦合部

231‧‧‧第一耦合段

232‧‧‧第二耦合段

3、3’‧‧‧耦合件

31‧‧‧第一耦合臂

32‧‧‧第二耦合臂

3a‧‧‧第一耦合區塊

3b‧‧‧第二耦合區塊

4‧‧‧接地件

5、5’、5”‧‧‧導電件

51、51’、51”‧‧‧第一端部

52、52’、52”‧‧‧第二端部

53‧‧‧延伸部

54‧‧‧彎折部

6‧‧‧饋入件

61‧‧‧饋入端

62‧‧‧接地端

7、7’‧‧‧橋接件

71、71’‧‧‧第一側端

72、72’‧‧‧第二側端

73、73’‧‧‧本體

8‧‧‧寄生件

81‧‧‧第一寄生部

82‧‧‧第二寄生部

9‧‧‧接地耦合件

E‧‧‧金屬導體

H‧‧‧電感單元

G‧‧‧耦合間隙

W‧‧‧預定狹縫

V‧‧‧貫穿孔洞

P1‧‧‧近接感測模組

P2‧‧‧電感器

F‧‧‧控制模組

C‧‧‧背蓋結構

N‧‧‧顯示面板

Z1‧‧‧第一耦合區域

Z2‧‧‧第二耦合區域

L1、L1’‧‧‧第一長度

L2、L2’‧‧‧第二長度

D1‧‧‧第一距離

D2‧‧‧第二距離

M1~M10‧‧‧節點

圖1為本發明第一實施例天線結構的俯視透視示意圖。

圖2為本發明第一實施例天線結構的仰視透視示意圖。

圖3為本發明第一實施例的電壓駐波比示意圖。

圖4為本發明第二實施例天線結構的俯視透視示意圖。

圖5為本發明第三實施例天線結構的俯視透視示意圖。

圖6為本發明第四實施例天線結構的俯視透視示意圖。

圖7為本發明第五實施例天線結構的俯視透視示意圖。

圖8為本發明第六實施例天線結構的俯視透視示意圖。

圖9為圖8的A部分的局部放大示意圖。

圖10為本發明第七實施例天線結構的俯視透視示意圖。

圖11為本發明第八實施例天線結構的俯視透視示意圖。

圖12為本發明第八實施例天線結構的仰視透視示意圖。

圖13為本發明第九實施例天線結構的俯視透視示意圖。

圖14為本發明第九實施例天線結構的仰視透視示意圖。

圖15為本發明第十實施例天線結構的俯視透視示意圖。

圖16為本發明第十實施例天線結構的仰視透視示意圖。

圖17為本發明第十一實施例天線結構的俯視透視示意圖。

圖18為本發明第十一實施例天線結構的仰視透視示意圖。

圖19為本發明第十三實施例天線結構的俯視透視示意圖。

圖20為本發明第十二實施例天線系統的俯視透視示意圖。

圖21為本發明第十三實施例天線系統的模組方塊示意圖。

圖22為本發明第十四實施例天線系統的內部結構的示意圖。

圖23為本發明第十五實施例天線系統的內部結構的示意圖。

以下是通過特定的具體實例來說明本發明所公開有關“天線系統及其天線結構”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的 具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的精神下進行各種修飾與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，予以聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的技術範圍。

應理解，雖然本文中可能使用術語第一、第二、第三等來描述各種元件或信號等，但這些元件或信號不應受這些術語限制。這些術語乃用以區分一元件與另一元件，或者一信號與另一信號。另外，如本文中所使用，術語“或”視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的所有組合。

第一實施例

首先，請參閱圖1及圖2所示，圖1及圖2分別為第一實施例天線結構的俯視透視示意圖及仰視透視示意圖。本發明第一實施例提供一種天線結構Q1，其包括一基板1、一輻射件2、一耦合件3、一接地件4、一導電件5以及一饋入件6。輻射件2及耦合件3可設置在基板1上，饋入件6可電性連接於耦合件3與接地件4以用於來饋入一訊號，且饋入件6可以為一同軸電纜線，其具有一饋入端61與一接地端62，饋入端61可電性連接於耦合件3，接地端62可電性連接於接地件4。藉此，饋入件6可以用來饋入一訊號，而導電件5可用來將饋入件6所饋入的訊號傳導至接地件4。

承上述，請復參閱圖1及圖2所示，以第一實施例而言，基板1可包括一第一表面11(上表面)以及一相對於第一表面11的第二表面12(下表面)，耦合件3可設置於基板1的第一表面11上，輻射件2可設置於基板1的第二表面12上，藉此，耦合件3可以與輻射件2的一耦合部23彼此分離且相互耦合。然而，在其他實施方式(請參閱第六實施例)中輻射件2及耦合件3也可以設置在同一個表面上。須注意的是，以本發明實施例而言，耦合件3與輻 射件2的一耦合部23相互耦合，而饋入件6與輻射件2彼此分離。另外，基板1、輻射件2、耦合件3、接地件4、導電件5以及饋入件6的材質為所屬技術領域具有通常知識者容易瞭解的習知技術，在此容不再贅述。舉例來說，輻射件2、耦合件3、接地件4、導電件5可以為一金屬片、一金屬導線或者是其他具有導電效果的導電體。須要特別注意的是，耦合件3與輻射件2的耦合部23相互耦合所代表的是耦合件3與耦合部23是彼此分離的與耦接方式並不相同。

接著，請復參閱圖1所示，導電件5可設置在第一表面11上，且導電件5可連接於耦合件3與接地件4之間，且導電件5可以與耦合件3一體成型，以使得導電件5從耦合件3延伸至接地件4。接地件4電性連接於一金屬導體E，而金屬導體E可與基板1彼此相互分離。此外，導電件5可具有一連接於耦合件3的第一端部51及一連接於接地件4的第二端部52。以第一實施例而言，導電件5可具有一朝遠離耦合件3的方向延伸的延伸部53以及一從延伸部53彎折且延伸至接地件4的彎折部54。另外，第一端部51可位於延伸部53上，第二端部52可位於彎折部54上。藉此，導電件5可通過延伸部53(第一端部51)與耦合件3連接，並通過彎折部54(第二端部52)與接地件4電性連接。換句話說，由圖1可看出天線結構Q1在X-Y平面上時，延伸部53可以朝向一第一方向(負X方向)延伸，而彎折部54則可以朝向一第三方向(負Y方向)延伸，且延伸部53與彎折部54大致呈相互垂直設置。

接著，請復參閱圖2所示，輻射件2可設置在基板1上，輻射件2可包括一用於提供一第一操作頻帶的第一輻射部21、一用於提供一第二操作頻帶的第二輻射部22以及一連接於第一輻射部21與第二輻射部22之間的耦合部23。進一步來說，第一輻射部21可由第一輻射部21與第二輻射部22相接的耦合部23朝向一第一方向(負X方向)延伸，第二輻射部22可由耦合部23朝向一第 二方向(正X方向)延伸，其中第一方向與第二方向相異且可以大致平行。換句話說，第一輻射部21與第二輻射部22分別從耦合部23的兩相反側端向外延伸而出。藉此，第一輻射部21與第二輻射部22彼此相平行，而耦合部的延伸方向與第一輻射部21及第二輻射部22的延伸方向大致呈相互垂直設置。

承上述，值得說明的是，以本發明實施例而言，第一輻射部21的長度大於第二輻射部22的長度，第一輻射部21所提供的第一操作頻帶的頻率範圍(頻寬，bandwidth)介於698MHz至960MHz之間，且第二輻射部22所提供的第二操作頻帶的頻率範圍介於1425MHz至2690MHz之間，以適用於不同的LTE(Long Term Evolution)頻帶(Band)，然本發明不以此為限。附帶一提，為便於說明，下述實施例將以第一操作頻帶的頻率範圍介於698MHz至960MHz之間，第二操作頻帶的頻率範圍介於1425MHz至2690MHz之間的例子進行說明。

接著，請復參閱圖1及圖2所示，耦合件3與耦合部23之間彼此相互重疊的區域可定義為一第一耦合區域Z1(耦合件3在X-Y平面上之正投影與耦合部23在X-Y平面上之正投影所相互重疊的區域)，且第一耦合區域Z1的面積大小(耦合件3與耦合部23之間的耦合程度大小)與天線結構Q1所產生的操作頻帶的頻率範圍(頻寬，bandwidth)的大小呈正比關係，再者，第一耦合區域Z1的面積大小與天線結構Q1所產生的操作頻帶之中心頻率呈反比關係。換句話說，當第一耦合區域Z1愈小時，天線結構Q1所產生的操作頻帶的頻率範圍將會降低，而天線結構Q1所產生的操作頻帶之中心頻率將會提高。另外，第一耦合區域Z1的面積大小與天線結構Q1的中心頻率所對應的阻抗值接近一預設阻抗值的程度呈正比關係，也就是說，第一耦合區域Z1的面積愈大(耦合件3與耦合部23之間的耦合程度愈大，或耦合件3與耦合部23之間的耦合量愈大)時，天線結構Q1的中心頻率所對應的阻抗值會愈 接近預設阻抗值。反之，第一耦合區域Z1的面積愈小(耦合件3與耦合部23之間的耦合程度愈小，或耦合件3與耦合部23之間的耦合量愈小)時，天線結構Q1的中心頻率所對應的阻抗值會變大。

值得說明的是，當第一耦合區域Z1改變時，第一操作頻帶的頻率範圍及操作頻帶之中心頻率的變化程度將會大於第二操作頻帶的頻率範圍及操作頻帶之中心頻率的變化程度，其中第二操作頻帶高於第一操作頻帶。另外，須注意的是，為便於了解圖式上的內容，圖式中以耦合部23的區域小於耦合件3的區域表示，然而，在其他實施方式中，耦合部23的區域也可以是大於或者是等於耦合件3的區域。再者，也可以通過調整耦合部23與耦合件3之間的相對位置或者是調整耦合部23與耦合件3的大小而調整第一耦合區域Z1的面積大小。

承上述，導電件5從耦合件3延伸至接地件4的距離定義為一延伸長度(第一長度L1及第二長度L2的總和)，導電件5的延伸長度可與天線結構Q1所產生的操作頻帶的頻率範圍的大小呈正比關係，且導電件5的延伸長度與天線結構Q1所產生的操作頻帶的中心頻率所對應的阻抗值的大小呈反比關係。也就是說，導電件5的延伸長度愈小時，天線結構Q1所產生的操作頻帶的頻率範圍愈小，且天線結構Q1所產生的操作頻帶的中心頻率所對應的阻抗值愈大。反之，導電件5的延伸長度愈大時，天線結構Q1所產生的操作頻帶的中心頻率所對應的阻抗值愈小。值得說明的是，當阻抗值愈接近預設阻抗值時，操作頻帶的中心頻率所對應的電壓駐波比(Voltage standing wave ratio，VSWR)的值愈接近1。例如，當阻抗值愈接近預設阻抗值50歐姆，即操作頻帶的中心頻率所對應的電壓駐波比的值愈接近1。換句話說，可依據需求調整導電件5的延伸長度，以調整至所需之操作頻帶的頻率範圍及電壓駐波比。

另外，以第一實施例而言，導電件5具有一延伸部53及一連接於延伸部53的彎折部54，因此，導電件5的延伸長度可為延伸部53的一第一長度L1與彎折部54的一第二長度L2兩者的加總長度。其中，第一長度L1可以由耦合件3與耦合部23兩者相對所形成的第一耦合區域Z1的邊緣起算至彎折部54的邊緣，第二長度L2可以由延伸部53的邊緣起算至彎折部54與接地件4之間的交接處。

接著，請同時參閱圖3及下表一所示，圖3為電壓駐波比(Voltage standing wave ratio，VSWR)示意圖。

第二實施例

請參閱圖4所示，圖4為第二實施例天線結構的俯視透視示意圖。由圖4與圖1的比較可以了解，第二實施例與第一實施例最大的差別在於：第二實施例中所提供的天線結構Q2進一步包括 了一橋接件7。詳細來說，橋接件7可設置於基板1的第一表面11上且連接於導電件5及接地件4之間。橋接件7具有一第一側端71、一相對於第一側端71的第二側端72以及一連接於第一側端71與第二側端72之間的本體73。以第二實施例而言，第一側端71可連接於彎折部54，本體73可電性連接於接地件4，換句話說，橋接件7的第一側端71可連接於第二端部52。

承上述，值得說明的是，以第二實施例而言，耦合件3、導電件5及橋接件7三者可以一體成型。另外，基板1、輻射件2、耦合件3、接地件4、導電件5以及饋入件6的結構特徵與前述實施例相仿，在此容不再贅述。須特別說明的是，橋接件7設置的目的為使得接地件4能易於貼附於基板1上，雖然第二實施例中有說明可進一步設置橋接件7，然而，在其他實施方式中，也可以不用設置橋接件7。換句話說，設置有橋接件7的天線結構Q2，饋入件6的接地端62也可以電性連接於橋接件7或是接地件4，而使得接地端62間接連接與接地件4，然本發明不以此為限。另外，值得一提的是，舉例來說，橋接件7的材質可以為錫，接地件4的材質可以為銅，然本發明不以此為限。

第三實施例

請參閱圖5所示，圖5為第三實施例天線結構的俯視透視示意圖。由圖5與圖1的比較可以了解，第三實施例與第一實施例最大的差別在於：第三實施例中的天線結構Q3的導電件5’相異於第一實施例所提供的導電件5。舉例來說，導電件5’可為一設置(跨接)在耦合件3與接地件4之間的電感元件，電感元件可具有一第一端部51’及一相對應於第一端部51’的第二端部52’。電感元件可通過第一端部51’與耦合件3電性連接，並通過第二端部52’與接地件4電性連接。

另外，可通過更換不同的電感元件(導電件5’)，以調整電感值大小而間接改變天線結構Q3的操作頻帶的頻率範圍及操作頻帶 之中心頻率。以第三實施例而言，電感元件所提供的電感值大小與天線結構Q3所產生的操作頻帶的頻率範圍的大小呈正比關係，且電感元件所提供的電感值降低(減小)的程度與天線結構Q3所產生的操作頻帶的中心頻率所對應的阻抗值的大小呈反比關係。也就是說，電感元件所提供的電感值愈小時，天線結構Q3所產生的操作頻帶的頻率範圍愈小，且天線結構Q3所產生的操作頻帶的中心頻率所對應的阻抗值愈大。反之，電感元件所提供的電感值愈大時，天線結構Q3所產生的操作頻帶的頻率範圍愈大，且天線結構Q3所產生的操作頻帶的中心頻率所對應的阻抗值愈小。舉例來說，假設電感元件的電感值為6.8nH為參考值，當電感值愈大時，天線結構Q3所產生的操作頻帶的頻率範圍也會隨著增加，反之操作頻帶的頻率範圍則會隨之減少。換句話說，當電感值愈小時，中心頻率的阻抗值愈大，且低頻頻寬變窄，反之，當電感值愈大時，中心頻率的阻抗值愈小，低頻頻寬變寬。

值得一提的是，相較於第一實施例中以具有延伸部53及彎折部54作為導電件5的天線結構Q1，第三實施例中利用電感元件作為導電件5’時，能夠大幅縮小天線結構Q3的體積。另外，須注意的是，第三實施例中的基板1、輻射件2、耦合件3、接地件4以及饋入件6的結構特徵與前述實施例相仿，在此容不再贅述。另外，當利用電感元件做為導電件5’時，不僅可用於調整低頻與高頻之阻抗匹配，優選地，主要也能夠達到調整低頻頻率範圍(頻寬，bandwidth)之效果。

第四實施例

請參閱圖6所示，圖6為第四實施例天線結構的俯視透視示意圖。由圖6圖5的比較可知，第四實施例與第三實施例最大的差別在於：第四實施例中的天線結構Q4還進一步包括了一橋接件7’，橋接件7’可具有第一側端71’、第二側端72’及本體73’。橋接 件7’可設置於電感元件5’及接地件4之間。藉此，橋接件7’的第一側端71’可電性連接於電感元件5’的第二端部52’，本體73’可電性連接於接地件4。須注意的是，第四實施例中的其他元件的結構特徵與前述實施例相仿，在此容不再贅述。

第五實施例

首先，請參閱圖7所示，圖7為第五實施例天線結構的俯視透視示意圖。由圖7與圖4的比較可以了解，第五實施例與第二實施例最大的差別在於：第五實施例中的天線結構Q5還進一步包括了一鄰近地設置在第二輻射部22附近的寄生件8。寄生件8可設置在基板1上並連接於橋接件7，同時，寄生件8可連接於接地件4且與第二輻射部22互不重疊。藉此，寄生件8可用以調整第二操作頻帶之中心頻率所對應的阻抗值以及第二操作頻帶的頻率範圍。

接著，詳細來說，寄生件8可包括一連接於橋接件7的第二側端72的第一寄生部81以及一連接於第一寄生部81的第二寄生部82。舉例而言，第一寄生部81可朝一靠近第二輻射部22的第四方向(正Y方向)延伸，且第二寄生部82可朝一遠離耦合件3的第二方向(正X方向)延伸，且第二寄生部82的延伸方向大致平行於第二輻射部22的延伸方向。此外，由俯視圖觀之，寄生件8的第二寄生部82與第二輻射部22之間具有一預定狹縫W，當寄生件8的第二寄生部82相對於第二輻射部22的水平偏移距離(或稱預定狹縫W，即寄生件8的第二寄生部82與第二輻射部22之間彼此相距的距離)愈小時，第二操作頻帶之中心頻率所對應的阻抗值愈接近一預設阻抗值。當阻抗值愈接近預設阻抗值時，操作頻帶的中心頻率所對應的電壓駐波比的值愈接近1。

再者，寄生件8的延伸長度與天線結構Q5所產生的第二操作頻帶的頻率範圍的大小呈反比關係。也就是說，寄生件8的延伸 長度愈小，天線結構Q5所產生的操作頻帶的頻率範圍將會上升。舉例來說，寄生件8的延伸長度可以為第一寄生部81的一第一長度L1’與第二寄生部82的一第二長度L2’兩者的加總長度。其中，第一長度L1’可以由寄生件8與橋接件7兩者之間的連接處起算至第二寄生部82的邊緣，第二長度L2’可以由第一寄生部81的邊緣起算至第二寄生部82的端部。

值得說明的是，雖然第五實施例中所說明的是寄生件8連接於橋接件7，但是，在其他的實施方式中，也可以不設置有橋接件7(圖中未示出)，而是直接將接地件4電性連接於寄生件8，且讓寄生件8鄰近地設置在第二輻射部22附近而與第二輻射部22互不重疊，即寄生件8在X-Y平面上之正投影與第二輻射部22在X-Y平面上之正投影互不重疊。也就是說，寄生件8可具有一連接於接地件4的第一寄生部81以及一從第一寄生部81彎折且朝遠離耦合件3的方向延伸的第二寄生部82。藉此，以調整第二操作頻帶的阻抗值以及第二操作頻帶的頻率範圍。

附帶一提，通過在天線結構Q5的第二輻射部22附近設置寄生件8，可以用於強化第二操作頻帶的特性，優選地，可以強化2000MHZ至3000MHZ的特性，更優選地，可以為強化2600MHZ的特性。換句話說，介於2000MHZ至3000MHZ之間的頻率的電壓駐波比可以通過寄生件8的設置而更趨近於1。須注意的是，第五實施例中的其他元件的結構特徵與前述實施例相仿，在此容不再贅述。

第六實施例

首先，請參閱圖8所示，圖8為本發明第六實施例天線結構的俯視透視示意圖。由圖8與圖1的比較可知，第六實施例與第一實施例最大的差別在於：耦合件3’以及輻射件2’都設置在基板1的第一表面11上且彼此鄰近。詳細來說，第六實施例所提供的 天線結構Q6同樣地是利用耦合件3’與輻射件2’的耦合部23’相互耦合的特性，而讓天線結構Q6產生相對應的訊號收發效果。

接著，請一併參閱圖9所示，圖9為圖8的A部分的局部放大示意圖。舉例來說，耦合部23’具有一耦合段(第一耦合段231或/及第二耦合段232)，耦合件3’具有一耦合臂(第一耦合臂31或/及第二耦合臂32)，耦合段與耦合臂之間具有至少一個或多個耦合間隙G，特別說明的是，耦合段與耦合臂之間的耦合程度(即耦合量，也就是，耦合段與耦合臂彼此耦合的長度)與天線結構Q6所產生的操作頻帶的頻率範圍呈正比關係，再者，耦合段與耦合臂之間的耦合程度(耦合量)與天線結構Q6所產生的操作頻帶之中心頻率呈反比關係。另一方面，至少一耦合間隙G的距離愈小，其耦合量愈大，因此耦合間隙G的距離與天線結構Q6所產生的操作頻帶的頻率範圍呈反比關係且耦合間隙G的距離與天線結構Q6所產生的操作頻帶之中心頻率呈正比關係。換句話說，當耦合程度愈小或耦合間隙G的距離愈大時，天線結構Q6所產生的操作頻帶的頻率範圍將會降低，而天線結構Q6所產生的操作頻帶之中心頻率將會提高。

進一步來說，以圖9的實施方式而言，耦合部23’具有一第一耦合段231及一連接於第一耦合段231的第二耦合段232。第一耦合段231可朝向一第一方向(負X方向)延伸，而第二耦合段232可朝向一第三方向(負Y方向)延伸。另外，耦合臂可具有一第一耦合臂31及一連接於第一耦合臂31的第二耦合臂32。第一耦合臂31可朝向一第二方向(正X方向)延伸，而第二耦合臂32可朝向一第三方向(負Y方向)延伸。藉此，耦合段與耦合臂可以相互耦合。

值得說明的是，在其他實施方式中，可以設置有多個第一耦合段231及多個第一耦合臂31，以增加耦合部23’與耦合件3’之間的第一耦合區域Z1。藉此，多個第一耦合段231及多個第一耦 合臂31之間可具有多個耦合間隙G，且多個第一耦合段231及多個第一耦合臂31彼此交錯設置。須注意的是，第六實施例中的其他元件的結構特徵與前述實施例相仿，在此容不再贅述。

第七實施例

首先，請參閱圖10所示，圖10為本發明第七實施例天線結構的俯視透視示意圖。由圖10與圖7的比較可知，第七實施例與第一實施例最大的差別在於：第七實施例所提供的天線結構Q7的導電件5’的其中一端(第二端部52’)是連接於寄生件8，導電件5’的另外一端(第一端部51’)是連接於耦合件3，也就是說，導電件5’是連接於耦合件3與寄生件8之間，且寄生件8可通過一橋接件7’而連接於接地件4，即，橋接件7’可連接於導電件5’與接地件4之間。須說明的是，在其他實施方式中，可以不設置有橋接件7’，而是使得寄生件8直接連接於接地件4。另外，設置有橋接件7’的天線結構Q7中，饋入件6的饋入端61可電性連接於耦合件3，饋入件6的接地端62可電性連接於橋接件7’，而使得接地端62間接電性連接於接地件4。須注意的是，第七實施例中的其他元件的結構特徵與前述實施例相仿，在此容不再贅述。

請復參閱圖10所示，寄生件8具有一連接於接地件4的第一寄生部81以及一從第一寄生部81彎折且朝遠離耦合件3的方向延伸的第二寄生部82，藉此，導電件5’可連接於耦合件3與第一寄生部81之間，以使得導電件5’間接連接於接地件4。舉例來說，導電件5’可以為一設置在耦合件3與第一寄生部81之間的電感元件、金屬片、金屬導線或是其他具有導電效果的導電體。藉此，當導電件5’為電感元件時，電感元件(導電件5’)所提供的一電感值可以調整天線結構所產生的操作頻帶的頻率範圍，以及操作頻帶的中心頻率所對應的阻抗值的大小。也就是說，如同前述實施例所述，電感元件所提供的電感值愈小時，天線結構Q7所產生的 操作頻帶的頻率範圍愈小，且天線結構Q7所產生的操作頻帶的中心頻率所對應的阻抗值愈大。反之，電感元件所提供的電感值愈大時，天線結構Q7所產生的操作頻帶的頻率範圍愈大，且天線結構Q7所產生的操作頻帶的中心頻率所對應的阻抗值愈小。值得說明的是，如同前述圖7的實施例所述，寄生件8的第二寄生部82相對於第二輻射部22的水平偏移距離愈小，第二操作頻帶的中心頻率所對應之阻抗值愈接近一預設阻抗值。

第八實施例

首先，請參閱圖11及圖12所示，圖11及圖12分別為第八實施例天線結構的俯視透視示意圖及仰視透視示意圖，由圖11與圖10的比較可知，第八實施例與第七實施例最大的差別在於：第八實施例所提供的天線結構Q8還進一步包括一接地耦合件9，接地耦合件9與耦合件3彼此分離，且寄生件8、導電件5’可與輻射件2設置在同一個表面上。須注意的是，第八實施例中的其他元件的結構特徵與前述實施例相仿，在此容不再贅述。

請復參閱圖11及圖12所示，接地耦合件9、橋接件7’以及寄生件8可設置在基板1上，接地耦合件9與橋接件7’彼此分離且相互耦合，接地耦合件9連接於接地件4，橋接件7’可連接於寄生件8。藉此，接地耦合件9與橋接件7’相互重疊的區域可定義為一第二耦合區域Z2，且第二耦合區域Z2的面積大小與天線結構Q8所產生的操作頻帶的頻率範圍(頻寬，bandwidth)的大小呈正比關係，再者，第二耦合區域Z2的面積大小與天線結構Q8所產生的操作頻帶之中心頻率呈反比關係。

進一步來說，如圖11及圖12所示，耦合件3以及接地耦合件9可設置於第一表面11上，且接地耦合件9可連接於接地件4。另外，輻射件2、寄生件8、導電件5’以及橋接件7’可設置於第二表面12上，且導電件5’的其中一端(第二端部52’)可連接於寄生 件8，導電件5’的另外一端(第一端部51’)可連接於輻射件2的耦合部23。藉此，饋入件6所饋入的訊號可以依序經由第一耦合區域Z1、導電件5’、寄生件8、橋接件7’與接地耦合件9之間的第二耦合區域Z2以及接地件4，進而形成一迴路。值得說明的是，本實施例中，導電件5’可以為一設置在耦合部23與第一寄生部81之間的電感元件、金屬導線或者是其他具有導電效果的導電體等，本發明不以此為限。

第九實施例

首先，請參閱圖13及圖14所示，圖13及圖14分別為第九實施例天線結構的俯視透視示意圖及仰視透視示意圖，由圖13與圖1的比較可知，第九實施例與第一實施例最大的差別在於：第九實施例所提供的天線結構Q9中的導電件5”是與輻射件2的耦合部23彼此分離且相互耦合。饋入件6的訊號可通過耦合部23與導電件5”之間的耦合關係，而使得訊號能傳導至接地件4。須注意的是，第九實施例中的其他元件的結構特徵與前述實施例相仿，在此容不再贅述。

請復參閱圖13及圖14所示，詳細來說，以第九實施例而言，耦合件3可設置於第一表面11上，輻射件2、導電件5”可設置於第二表面12上。導電件5”可具有一與耦合部23彼此分離且相互耦合的第一端部51”以及一連接於接地件4的第二端部52”。值得說明的是，由於導電件5”是設置於第二表面12上，因此，可通過在金屬導體E或是基板1上形成一貫穿第一表面11及第二表面12的貫穿孔洞V(via，圖13及圖14中未示出，請參閱圖17及圖18)，而使得導電件5”通過貫穿孔洞V中的導電體(圖中未示出)而電性連接於接地件4。另外，也可以通過彎折導電件5”而使得導電件5”電性連接於接地件4。須注意的是，在貫穿孔洞V中設置導電體，以使得分別設置在兩相反表面上的元件電性連接，為 所屬技術領域入員所熟知之技術，在此容不再贅述。

優選地，如圖13及14所示，在本實施例中，還可進一步包括一電感單元H，電感單元H可設置於導電件5”之傳導路徑上，且位於第一表面11或第二表面12上。以本發明實施例而言，電感單元H位於耦合部23與接地件4之間，例如，如圖13及圖14所示的電感單元H可設置於導電件5”與接地件4之間，然本發明不以此為限。即，在其他實施方式中，電感單元H只要是位於導電件5”與接地件4之間的路徑即可。值得一提的是，當導電件5”的路徑愈長時，可選擇具有較小電感值的電感單元H。

承上述，請復參閱圖13及圖14所示，輻射件2的耦合部23與導電件5”的第一端部51”之間的耦合程度(即耦合量，也就是，第一端部51”與耦合部23彼此之間的耦合面積區域或是間距大小)與天線結構Q9所產生的操作頻帶的中心頻率所對應的阻抗值接近一預設阻抗值的程度呈正比關係。也就是說，輻射件2的耦合部23與導電件5”的第一端部51”之間的耦合區域(耦合面積)愈大或者是輻射件2的耦合部23與導電件5”的第一端部51”之間的間距愈小，代表著輻射件2的耦合部23與導電件5”的第一端部51”之間的耦合程度愈大(耦合量愈大)，此時，天線結構Q9的中心頻率所對應的阻抗值會愈接近預設阻抗值。反之，輻射件2的耦合部23與導電件5”的第一端部51”之間的耦合程度愈小，天線結構Q9的中心頻率所對應的阻抗值會變大。

第十實施例

首先，請參閱圖15及圖16所示，圖15及圖16分別為第十實施例天線結構的俯視透視示意圖及仰視透視示意圖，由圖15與圖1的比較可知，第十實施例與第一實施例最大的差別在於：第十實施例所提供的天線結構Q10中的耦合件3具有一第一耦合區塊3a及一第二耦合區塊3b，第一耦合區塊3a及第二耦合區塊3b 彼此分離且相互耦合，輻射件2的耦合部23至少與第一耦合區塊3a彼此分離且相互耦合，且饋入件6連接於第一耦合區塊3a與接地件4之間。此外，導電件5的其中一端(第一端部51)可連接於第二耦合區塊3b，導電件5的另外一端(第二端部52)可連接於接地件4。也就是說，第一耦合區塊3a與第二耦合區塊3b可通過耦合方式而將訊號傳遞至導電件5上。須注意的是，第十實施例中的其他元件的結構特徵與前述實施例相仿，在此容不再贅述。另外，值得說明的是，在其他實施方式中，輻射件2的耦合部23能同時耦合於第一耦合區塊3a及第二耦合區塊3b，或者是輻射件2的耦合部23僅耦合於第一耦合區塊3a或第一耦合區塊3b，本發明不以此為限。

請復參閱圖15及圖16所示，舉例來說，第十實施例中所提供的導電件5可為一電感元件，另外，當導電件5為金屬導線或者是其他具有導電效果的導電體時，天線結構Q10還可進一步包括一設置於導電件5之傳導路徑上之電感單元H。藉此，導電件5的其中一端(第一端部51)可連接於第二耦合區塊3b，導電件5的另外一端(第二端部52)可連接於電感單元H，且電感單元H連接於接地件4。須說明的是，電感單元H的設置位置及其效果如同前述實施例所述，在此容不再贅述。

另外，值得說明的是，如圖15及圖16所示，第一耦合區塊3a與第二耦合區塊3b之間的耦合程度(即耦合量，也就是，第一耦合區塊3a與第二耦合區塊3b彼此之間的耦合面積區域或是間距大小)與天線結構Q10所產生的操作頻帶的中心頻率所對應的阻抗值接近一預設阻抗值的程度呈正比關係。也就是說，第一耦合區塊3a與第二耦合區塊3b之間的耦合區域(耦合面積)愈大或者是第一耦合區塊3a與第二耦合區塊3b之間的間距愈小，代表著第一耦合區塊3a與第二耦合區塊3b之間的耦合程度愈大(耦合量愈大)，此時，天線結構Q10的中心頻率所對應的阻抗值會愈接近預 設阻抗值。反之，第一耦合區塊3a與第二耦合區塊3b之間的耦合程度愈小，天線結構Q10的中心頻率所對應的阻抗值會變大。

第十一實施例

首先，請參閱圖17及圖18所示，圖17及圖18分別為第十一實施例天線結構的俯視透視示意圖及仰視透視示意圖，由圖17與圖1的比較可知，第十一實施例與第一實施例最大的差別在於：饋入件6是連接於耦合部23與接地件4之間。進一步來說，如圖17及圖18所示，訊號可通過饋入件6而饋入耦合部23，接著，導電件5可通過一設置在基板1上的貫穿孔洞V而將訊號傳導至接地件4，藉此，以改變訊號饋入之方式。

接著，詳細來說，以第十一實施例而言，輻射件2可設置於基板1的第一表面11，導電件5及耦合件3可設置於基板1的第二表面12，以使得輻射件2與接地件4位於同一個平面以上。另外，饋入件6的饋入端61可電性連接於耦合部23，饋入件6的接地端62可電性連接於接地件4。因此，可通過在金屬導體E或是基板1上形成一貫穿第一表面11及第二表面12的貫穿孔洞V，而使得導電件5通過貫穿孔洞V中的導電體而電性連接於接地件4。另外，在其他實施方式中也可以通過彎折導電件5而使得導電件5電性連接於接地件4。須注意的是，第十一實施例中的其他元件的結構特徵與前述實施例相仿，且其他元件的特性或應用方式也與前述實施例相仿，在此容不再贅述。

進一步來說，第十一實施例中所說明地將饋入件6連接於耦合部23與接地件4之間，以及導電件5可通過一設置在基板1上的貫穿孔洞V而將訊號傳導至接地件4的實施方式，優選地也可以應用於前述第一實施例至第七實施例、第九實施例及第十實施例，然本發明不以此為限。也就是說，當輻射件2與接地件4設置在同一個平面時，且饋入件6是連接於耦合部23與接地件4之 間時，可利用貫穿孔洞V將訊號傳遞至接地件4。值得說明的是，當前述第六實施例應用第十一實施例所提供的實施方式時，所產生的結構將如下述第十二實施例所述。

第十二實施例

請參閱圖19所示，圖17及圖18分別為第十一實施例天線結構的俯視透視示意圖及仰視透視示意圖，由圖19與圖8的比較可知，第十二實施例與第六實施例最大的差別在於：饋入件6是連接於耦合部23與接地件4之間。進一步來說，如圖19所示，饋入件6的饋入端61可電性連接於耦合部23’，饋入件6的接地端62可電性連接於接地件4，藉此，以改變訊號饋入之方式。須注意的是，第十二實施例中的其他元件的結構特徵與前述實施例相仿，且其他元件的特性或應用方式也與前述實施例相仿，在此容不再贅述。也就是說，橋接件7、寄生件8、電感單元H等可依據需求而選擇性的設置。

第十三實施例

首先，請參閱圖20及圖21所示，圖20為本發明第十三實施例天線系統的俯視透視示意圖。圖21本發明第十三實施例天線系統的模組方塊示意圖。由圖20與圖1的比較可知，第十三實施例與第一實施最大的差別在於：第十三實施例所提供的天線系統T可以使用前述實施例中所提供的天線結構(Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6、Q7、Q8、Q9、Q10、Q11、Q12)並與一近接感測模組P1及一電感器P2配合使用。須說明的是，為便於說明，天線系統T中的天線結構以第一實施例所提供的天線結構Q1進行說明。藉此，通過近接感測模組P1及電感器P2的設置，天線結構Q1可具有一感測人體是否接近該天線系統T的功能，進而調整天線結構Q1的發射功率。另外，舉例來說，天線系統T可以應用於二合一式的筆 記型電腦(Hybrid laptops或2-in-1 laptops)，然本發明不以此為限。

詳細來說，電感器P2可電性連接於輻射件2與近接感測模組P1之間，近接感測模組P1可電性連接於電感器P2與接地件4之間。也就是說，近接感測模組P1及電感器P2可設置於基板1上且電性連接於輻射件2與金屬導體E之間，或者是輻射件2與接地件4之間，以形成一導電迴路。舉例來說，電感器P2可為一低通濾波器(Low-pass filter)，近接感測模組P1可為一電容值感測器，且通過電容值感測器及低通濾波器的設置後，天線結構Q1的輻射件2可做為一感測電極以供該近接感測模組P1量測電容值。另外，舉例來說，當天線系統T應用於二合一式的筆記型電腦時，金屬導體E可以為筆記型電腦的背蓋結構，然本發明不以此為限。須說明的是，雖然圖式中近接感測模組P1是通過金屬導體E而間接電性連接於接地件4，但是，在其他實施方式中，近接感測模組P1也可以是直接電性連接於接地件4或者是其他的接地迴路，本發明不以此為限制。

接著，舉例來說，近接感測模組P1及電感器P2，可電性連接於天線結構Q1及一控制模組F之間，且控制模組F電性連接於天線結構Q1。因此，控制模組F能夠依據近接感測模組P1所感測到的一訊號而調整天線結構Q1的發射功率。換句話說，近接感測模組P1可用於感測輻射件2與金屬導體E之間的寄生電容值，進而能夠依據寄生電容值來判斷物體(例如使用者的腿部或是其他部位)與近接感測模組P1之間的距離。值得說明的是，控制模組F的電路也可以整合在近接感測模組P1中，然本發明不以此為限。

藉此，天線結構Q1的輻射件2可視為一感測電極(sensor electrode或sensor pad)，控制模組F可以通過近接感測模組P1所感測到的電容值變化而判斷使用者的腿部或是其他部位是否位於一鄰近天線結構Q1的預定偵測範圍內。當使用者的腿部或其他部 位位於預定偵測範圍內時，控制模組F可以調降天線結構Q1的發射功率，以避免SAR值過高。當使用者的腿部或其他部位位於預定偵測範圍外時，控制模組F可以調升天線結構Q1的發射功率，以維持天線結構Q1的整體效率。須注意的是，本發明實施例中所提及的電感器P2非屬近接感測模組P1(Proximity Sensor，P-Sensor)。

第十四實施例

首先，請參閱圖22所示，圖22為本發明第十四實施例天線系統的內部結構的示意圖。以下將進一步說明前述實施例所提供的天線結構(Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6、Q7、Q8、Q9、Q10、Q11、Q12)或天線系統T設置在電子裝置中的實施方式。詳細來說，電子裝置(未標號)可包括一顯示面板N、一背蓋結構C以及前述實施例中所提供的天線系統T，(或天線結構(Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6、Q7、Q8、Q9、Q10、Q11、Q12))。

請復參閱圖22所示，顯示面板N及天線結構Q1可設置於背蓋結構C上，而天線結構Q1可以設置於顯示面板N的側邊，且輻射件2、基板1以及耦合件3依序堆疊而設置於背蓋結構C上，以使得輻射件2比耦合件3更接近背蓋結構C。藉此，由於輻射件2設置於電子裝置的較外層位置，且輻射件2係做為近接感測模組P1之感測電極，因此，天線結構Q1的感測距離能夠較遠。然而，由於顯示面板N的上表面至輻射件2的上表面之間的一第一距離D1較遠，因此，輻射件2將會受到顯示面板N的阻隔而導致天線效率下降。

第十五實施例

首先，請參閱圖23所示，圖23為本發明第十五實施例天線系統的內部結構的示意圖。由圖23與圖22的比較可知，第十五 實施例與第十四實施例最大的差別在於：第十五實施例的天線系統T”(或天線結構(Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6、Q7、Q8、Q9、Q10、Q11、Q12))的耦合件3、基板1以及輻射件2的排列方式相異於第十四實施例。以第十五實施例而言，是以耦合件3、基板1以及輻射件2依序堆疊而設置於背蓋結構C上的方式進行排列，以使得耦合件3比輻射件2更接近背蓋結構C。藉此，相較於第十四實施例，由於第十五實施例中輻射件2設置於電子結構的較內層位置，因此，天線結構的感測距離較近。但是，由於顯示面板N的上表面至輻射件2的上表面之間的一第二距離D2較近，因此，輻射件2將較不易受到顯示面板N的阻隔而能夠提升天線效率。換句話說，通過將第一實施例至第十五實施例的天線結構的輻射件2設置於電子結構的較內層位置，可提升天線效率。

實施例的有益效果

綜上所述，本發明的有益效果在於，本發明實施例所提供的天線系統(T、T’、T”)及其天線結構(Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6、Q7、Q8、Q9、Q10、Q11、Q12)不僅能夠提升天線性能，而且還能同時避免使用者接近時SAR值過高的問題。另外，須說明的是，前面實施例中所說明的天線結構(Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6、Q7、Q8、Q9、Q10、Q11、Q12)，其導電件(5、5’)、橋接件(7、7’)以及寄生件8可以應用於不同的實施例中，再者，耦合部(23、23’)與耦合件(3、3’)的耦合方式(設置於相同表面或相異表面)也可以交互應用於不同的實施例。藉此，本發明能夠任意搭配上述不同的元件，以調整所需要的天線特性。

以上所述僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的專利範圍，所以全部運用本發明說明書及附圖內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的保護範圍內。

Claims (28)

1. 一種天線結構，其包括：一基板；一輻射件，設置在該基板上，該輻射件包括一用於提供一第一操作頻帶的第一輻射部、一用於提供一第二操作頻帶的第二輻射部以及一連接於該第一輻射部與該第二輻射部之間的耦合部；一耦合件，設置在該基板上，該耦合件與該耦合部彼此分離且相互耦合；一接地件，與該耦合件彼此分離；一饋入件，連接於該耦合件與該接地件之間，該饋入件用來饋入一訊號；以及一導電件，用來將該訊號傳導至該接地件。
2. 如請求項1所述的天線結構，其中，該耦合件與該耦合部相互重疊的區域定義為一第一耦合區域，且該第一耦合區域的面積與該天線結構所產生的操作頻帶的頻率範圍呈正比關係。
3. 如請求項1所述的天線結構，其中，該導電件連接於該耦合件與該接地件之間，該導電件從該耦合件延伸至該接地件的距離定義為一延伸長度，該導電件的該延伸長度與該天線結構所產生的操作頻帶的頻率範圍呈正比關係。
4. 如請求項1所述的天線結構，其中，該導電件連接於該耦合件與該接地件之間，該導電件具有一朝遠離該耦合件的方向延伸的延伸部以及一從該延伸部彎折且延伸至該接地件的彎折部。
5. 如請求項1所述的天線結構，其中，該導電件為一設置在該耦合件與該接地件之間的電感元件，該電感元件所提供的一電感值可以調整該天線結構所產生的操作頻帶的頻率範圍。
6. 如請求項5所述的天線結構，其中，該電感值與該天線結構所 產生的操作頻帶的頻率範圍呈正比關係。
7. 如請求項1所述的天線結構，還進一步包括：一寄生件，該寄生件設置在該基板上，且該寄生件連接於該接地件且與該第二輻射部互不重疊。
8. 如請求項7所述的天線結構，其中，該寄生件具有一連接於該接地件的第一寄生部以及一從該第一寄生部彎折且朝遠離該耦合件的方向延伸的第二寄生部。
9. 如請求項8所述的天線結構，其中，該寄生件的該第二寄生部與該第二輻射部之間具有一預定狹縫。
10. 如請求項1所述的天線結構，其中，該基板包括一第一表面以及一相對於該第一表面的第二表面，該耦合件設置在該第一表面上，且該輻射件設置在該第二表面上。
11. 如請求項1所述的天線結構，其中，該基板包括一第一表面以及一相對於該第一表面的第二表面，且該耦合件與該輻射件都設置在該第一表面上且彼此鄰近。
12. 如請求項11所述的天線結構，其中，該耦合件與該耦合部之間具有一耦合間隙，該耦合間隙及該耦合件與該耦合部之間的一耦合量可用來調整該天線結構所產生的操作頻帶的頻率範圍及操作頻帶的中心頻率。
13. 如請求項1所述的天線結構，還進一步包括：一寄生件，該寄生件設置在該基板上，其中，該導電件的其中一端連接於該寄生件，該導電件的另外一端連接於該耦合件，且該寄生件連接於該接地件。
14. 如請求項13所述的天線結構，其中，該寄生件具有一連接於該接地件的第一寄生部以及一從該第一寄生部彎折且朝遠離該耦合件的方向延伸的第二寄生部，其中，該寄生件的該第二寄生部與該第二輻射部之間具有一預定狹縫。
15. 如請求項14所述的天線結構，其中，該導電件為一設置在該 耦合件與該第一寄生部之間的電感元件。
16. 如請求項1所述的天線結構，還進一步包括：一接地耦合件、一橋接件以及一寄生件，該接地耦合件、該橋接件以及該寄生件設置在該基板上，其中，該接地耦合件與該橋接件彼此分離且相互耦合，該接地耦合件連接於該接地件，且該橋接件連接於該寄生件。
17. 如請求項16所述的天線結構，其中，該導電件的其中一端連接於該寄生件，該導電件的另外一端連接於該耦合部。
18. 如請求項16所述的天線結構，其中，該寄生件具有一連接於該橋接件的第一寄生部以及一從該第一寄生部彎折且朝遠離該耦合件的方向延伸的第二寄生部，其中，該寄生件的該第二寄生部與該第二輻射部之間具有一預定狹縫。
19. 如請求項1所述的天線結構，其中，該導電件具有一與該耦合部彼此分離且相互耦合的第一端部以及一連接於該接地件的第二端部。
20. 如請求項19所述的天線結構，還進一步包括：一電感單元，該電感單元設置於該導電件之傳導路徑上。
21. 如請求項1所述的天線結構，其中，該耦合件具有一第一耦合區塊及一第二耦合區塊，該饋入件連接於該第一耦合區塊與該接地件之間，且該第一耦合區塊及該第二耦合區塊彼此分離且相互耦合。
22. 如請求項21所述的天線結構，其中，該導電件的其中一端連接於該第二耦合區塊，該導電件的另外一端連接於該接地件。
23. 如請求項21所述的天線結構，還進一步包括：一電感單元，該電感單元設置於該導電件之傳導路徑上。
24. 一種天線結構，其包括：一基板；一輻射件，設置在該基板上，該輻射件包括一用於提供一第一 操作頻帶的第一輻射部、一用於提供一第二操作頻帶的第二輻射部以及一連接於該第一輻射部與該第二輻射部之間的耦合部；一耦合件，設置在該基板上，該耦合件與該耦合部彼此分離且相互耦合；一接地件，與該耦合件彼此分離；一饋入件，連接於該耦合部與該接地件之間，該饋入件用來饋入一訊號；以及一導電件，用來將該訊號傳導至該接地件。
25. 一種天線系統，其包括：一天線結構，該天線結構包括：一基板；一輻射件，設置在該基板上，該輻射件包括一用於提供一第一操作頻帶的第一輻射部、一用於提供一第二操作頻帶的第二輻射部以及一設置在該第一輻射部與該第二輻射部之間的耦合部；一耦合件，設置在該基板上，該耦合件與該耦合部彼此分離且相互耦合；一接地件，與該耦合件彼此分離；一饋入件，連接於該耦合件與該接地件之間，該饋入件用來饋入一訊號；以及一導電件，用來將該訊號傳導至該接地件；一近接感測模組；以及一電感器，連接於該輻射件與該近接感測模組之間；其中，該輻射件做為一感測電極以供該近接感測模組量測電容值。
26. 如請求項25所述的天線系統，其中，該輻射件、該基板以及該耦合件依序堆疊而設置於一背蓋結構上，以使得該輻射件比 該耦合件更接近該背蓋結構。
27. 如請求項25所述的天線系統，其中，該耦合件、該基板以及該輻射件依序堆疊而設置於該背蓋結構上，以使得該耦合件比該輻射件更接近該背蓋結構。
28. 一種天線系統，其包括：一天線結構，該天線結構包括：一基板；一輻射件，設置在該基板上，該輻射件包括一用於提供一第一操作頻帶的第一輻射部、一用於提供一第二操作頻帶的第二輻射部以及一連接於該第一輻射部與該第二輻射部之間的耦合部；一耦合件，設置在該基板上，該耦合件與該耦合部彼此分離且相互耦合；一接地件，與該耦合件彼此分離；一饋入件，連接於該耦合部與該接地件之間，該饋入件用來饋入一訊號；以及一導電件，用來將該訊號傳導至該接地件；一近接感測模組；以及一電感器，連接於該輻射件與該近接感測模組之間；其中，該輻射件做為一感測電極以供該近接感測模組量測電容值。