TW201809842A - 減少電致變色裝置中在匯流條下方之缺陷 - Google Patents

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Abstract

本發明提供了製造電致變色裝置之方法，其減少在一頂部匯流條下方之短路之形成，而不用預先判定將在該裝置上何處施加頂部匯流條。使用此類方法製造之裝置可在該頂部匯流條下方被去活化，或可在該頂部匯流條下方包括活性材料。製造在一頂部匯流條下方具有活性材料之裝置的方法包括：沈積一改型頂部匯流條；在該電致變色裝置中製造自修復層；及在施加匯流條之前修改該裝置之一頂部透明導電層。

Description

減少電致變色裝置中在匯流條下方之缺陷
電致變色為其中材料在被置於不同電子狀態中時通常藉由經受電壓變化而展現光學特性之由電化學介導之可逆變化的現象。光學特性通常為色彩、透射率、吸光度及反射率中之一或多個。一種眾所周知之電致變色材料為氧化鎢(WO3 )。氧化鎢為陰極著色型電致變色材料，其藉由電化學還原而自透明(無色)轉變為著色(通常為藍色)。該電致變色材料藉由電化學氧化而自著色轉變為透明。 電致變色材料可併入至例如住宅、商業、載運工具及其他用途之窗戶及鏡子中。此類窗戶之色彩、透射率、吸光度及/或反射率可藉由將電荷或電位施加至電致變色材料來可逆地變化。施加至窗戶之電致變色裝置之小電壓會使該窗戶變深；使電壓反向會使該窗戶變淺。此種能力允許控制穿過窗戶之光之量，且使得電致變色裝置或窗片有機會用作節能裝置。 儘管20世紀60年代就發現了電致變色，但令人遺憾地，電致變色裝置且尤其是電致變色裝置或窗片仍然存在各種問題，且業界最近才開始實現其全部商業潛能。
提供了用於製造電致變色裝置之方法。一個態樣涉及一種製造電致變色裝置之方法，該方法包括在基板上製造電致變色堆疊，而不用首先判定電致變色裝置上用於匯流條施加之一或多個區。 另一態樣涉及一種製造電致變色裝置之方法，該電致變色裝置包括介於第一透明導電層與第二透明導電層之間的電致變色堆疊，該透明導電層經組態以在電致變色堆疊之表面上傳遞電位且由此引起電致變色裝置之光學切換，該製造方法包括：(a)接收基板；(b)在安置在基板之表面上之第一透明導電層上製造電致變色堆疊，藉此電致變色堆疊包含電致變色層及反電極層；(c)在電致變色堆疊上形成第二透明導電層；(d)在第二透明導電層之區上形成匯流條，藉此該區在該第一透明導電層上方；及(e)在製造電致變色堆疊及第二透明導電層之後，(i)使電致變色裝置在處於匯流條下方之區中失活，但實質上不使電致變色裝置在不處於匯流條下方之區中失活，或在(ii)在不處於匯流條下方之區中激活電致變色裝置，但實質上不在匯流條下方之區中激活電致變色裝置。在一些實施例中，(e)在執行(d)之前執行，而在其他實施例中，(e)可在執行(d)之後執行，而在其他實施例中，使前述區中之裝置失活既可在施加匯流條之前，亦可在施加匯流條之後逐步完成。在一些實施例中，在電致變色裝置之表面之可視區域上提供匯流條中之一或多個。匯流條中之一或多個可為透明的。 在各種實施例中，該方法亦包括在製造電致變色堆疊之設備中將第一透明導電層沈積在基板上。 在一些實施例中，該方法亦包括將該基板自該基板之一卷材連續饋送至在該基板上塗佈該電致變色堆疊之一設備。在一些實施中，基板包括柔性玻璃。在某些實施例中，無論是否對薄玻璃進行輥對輥處理，皆在一個設施處對該基板塗佈電致變色裝置，之後將該基板運輸至另一設施以供進一步處理，包括將基板切割成子裝置或窗片。 該方法亦可包括在基板之表面上形成第一透明導電層。形成第一透明導電層，製造電致變色堆疊及形成第二透明導電層可依次地在濺鍍設備中執行，該濺鍍設備在基板之表面上塗佈第一透明導電層及第二透明導電層及電致變色堆疊。 在一些實施例中，操作(b)及(c)依次地在濺鍍設備中執行，該濺鍍設備在基板之表面上塗佈第一透明導電層及第二透明導電層及電致變色堆疊，且操作(d)在濺鍍設備外部執行。在某些實施例中，(e)亦在濺鍍設備外部執行。 該方法可在沈積第二透明導電層之前，在未劃線之情況下或在未隔離第一透明導電層之區之情況下執行。該方法可在沈積第二透明導電層之前，在未劃線之情況下或在未隔離電致變色堆疊之區之情況下執行。在一些實施例中，該方法亦可包括在第二透明導電層及/或第一透明導電層上形成一或多個額外匯流條。在一些實施例中，該方法亦可包括切割基板以提供多個電致變色裝置或窗片。 該方法可在完成電致變色裝置及第二透明導電層之前，在不預先限定將在何處形成第二透明導電層之匯流條之情況下執行。 製造電致變色堆疊可包括將元素鋰沈積在反電極層及/或電致變色層上。 匯流條可具有達約144吋之長度。第二透明導電層實質上可為透明的。在一些實施例中，基板之最大尺寸為至少約144吋。若使用輥對輥製程，則144吋尺寸指代寬度，而基板之長度可更長，例如，幾百呎長或更大。 (e)中之失活可包括降低第一透明導電層及/或電致變色裝置之電致變色層及/或反電極層在匯流條下方之區中之導電性。降低導電性可包括使第一透明導電層在匯流條下方之區中發生化學反應。 化學反應可包括使第一透明導電層暴露於活性氧源，且由此第一透明導電層包含透明層。透明層可選自由以下各項組成之群：摻雜金屬之氧化物、未摻雜金屬之氧化物、氮化物及金屬。在一些實施例中，活性氧源為基板。 化學反應可包括藉由以下方式來形成鈍化層：使第一透明導電層與施加來形成匯流條之材料中所存在之組分接觸，或使第一透明導電層暴露於高溫。 失活可包括防止電致變色裝置在匯流條下方之區中鋰化。 在一些實施例中，電致變色層包括電致變色金屬氧化物，且由此(e)中之失活包括使電致變色層中之間隙氧與電致變色金屬氧化物反應來產生化學計量之或富氧形式之不具有電致變色活性之金屬氧化物。電致變色金屬氧化物可為氧化鎢。 (e)中之失活可包括在匯流條下方之區中施加過量氧。 在一些實施例中，操作(e)可包括：(i)在操作(b)及/或(c)期間，敏化電致變色堆疊、第一透明導電層及/或第二透明導電層；及(ii)在操作(c)之後，在匯流條下方或其附近局部地施加刺激以使敏化之電致變色堆疊、第一透明導電層及/或第二透明導電層在匯流條下方之區中失活，或者在並未匯流條下方之區中激活敏化之電致變色堆疊、第一透明導電層及/或第二透明導電層。 敏化可包括選自由以下各項組成之群之處理：施加熱量、輻照、施加化學品或組合物及其組合。刺激可選自由以下各項組成之群：輻照、加熱、暴露於化學品或組合物及其組合。 降低第一透明導電氧化物層及/或電致變色層及/或反電極層之導電性可包括將熱量及/或其他能量施加至此等層中之一或多個。在一些實施例中，IR加熱可用於降低此等層中之一或多個之導電性。該層可藉由熱量來融合或以其他方式改變該層之形態以抑制導電性及/或離子運動。 另一態樣涉及一種製造電致變色裝置之方法，該電致變色裝置包括介於第一透明導電層與第二透明導電層之間的電致變色堆疊，該透明導電層經組態以在電致變色堆疊之表面上傳遞電位，且由此引起電致變色裝置之光學切換，該製造方法包括：(a)接收基板；(b)在安置在基板之表面上之第一透明導電層上製造電致變色堆疊，藉此電致變色堆疊包含電致變色層及反電極層；(c)在電致變色堆疊上形成第二透明導電層；(d)在第二透明導電層之區上形成匯流條，藉此該區處於第一透明導電層上方；及(e)執行減少短路之操作，該減少短路之操作(i)防止在第二透明導電層與第一透明導電層之間在匯流條下方之區中形成電短路，及/或(ii)去除已在第二透明導電層與第一透明導電層之間在匯流條下方之區中形成之電短路，藉此在製造電致變色堆疊及第二透明導電層之後，在實質上不使電致變色裝置在匯流條下方之區中失活之情況下，執行(e)。在一些實施例中，在電致變色裝置之內部或該電致變色裝置之表面之可視區上提供匯流條中之一或多個。匯流條可為透明的。亦可形成一或多個匯流條。在一些實施例中，匯流條中之一或多個可為透明的。 在一些實施例中，減少短路之操作包括藉由以下方式來形成匯流條：在實質上不允許導電材料之導電物質遷移之介質中施加匯流條導電材料，從而抑制或防止該導電材料抵達及電接觸第二透明導電層。介質可為固體，或介質可為膠帶，或介質可為凝膠或液體，或介質可為抑制導電材料之遷移之聚合物固體，諸如環氧樹脂、聚醯亞胺、胺基甲酸酯及其類似者。介質自身可具有導電性，例如用例如作為側鏈或整合至聚合物鏈之導電物質官能化之聚合物。在某些實施例中，導電材料自身經組態以不發生遷移。在某些實施例中，將導電障壁層施加至第二透明導電層，且之後在上面施加匯流條。導電障壁層可由導電性比匯流條差，或與之相同或大於該匯流條之材料製成。 減少短路之操作可包括藉由以下方式來形成匯流條：在介質中施加匯流條導電材料，該介質隔絕導電材料，從而防止該導電材料遷移至第二透明導電層。 減少短路之操作可包括在匯流條與第二透明導電層之間形成障壁層。障壁層可包括材料，諸如石墨及石墨烯、氧化鈦、氧化錫、氧化鋅、氧化鋁、氮化鋁、氮化鈦、氮化鉭、鉻、氮化物、SiOx Ny 化合物、碳、及其組合。 減少短路之操作可在(d)期間執行，使得形成匯流條包括自抵制電遷移至第二透明導電層中之包括導電材料之組合物形成匯流條。 減少短路之操作可包括施加刺激，該刺激修復第二透明導電層與電致變色裝置之層之間的現有短路。施加修復現有短路之刺激可包括在第二透明導電層與匯流條下方之區中之電致變色裝置之層之間施加電流。施加修復現有短路之刺激可包括使匯流條下方之區中之電致變色裝置暴露於高溫。施加修復現有短路之刺激可包括使匯流條下方之區中之電致變色裝置暴露於雷射能。施加修復現有短路之刺激可包括使現有短路與化學品反應以使得現有短路相對不導電。刺激可為例如交流電、熱量、雷射輻照及其類似者。 減少短路之操作可包括阻斷第二透明導電層中在原本可能形成短路之點處之通路。通路可包括第二透明導電層中之缺陷、凹陷或裂隙。阻斷第二透明導電層中之通路可包括使第二透明導電層之至少一部分熔化或流動。阻斷第二透明導電層中之通路可包括用阻止來自匯流條之材料遷移至第二透明導電層中之材料填充通路。阻斷第二透明導電層中之通路可包括在(d)中形成匯流條之前用實質上不導電之材料覆蓋第二透明導電層。該材料可為例如不導電之聚合物材料。 在各種實施例中，該方法亦包括在製造電致變色堆疊之設備中將第一透明導電層沈積在基板上。一些方法可涉及在執行(d)之前執行(e)。 在一些實施例中，該方法亦包括將基板自基板之卷材連續地饋送至在基板上塗佈電致變色堆疊之設備。在一些實施中，基板包括柔性玻璃。 該方法亦可包括在基板之表面上形成第一透明導電層。形成第一透明導電層，製造電致變色堆疊及形成第二透明導電層可依次地在濺鍍設備中執行，該濺鍍設備在基板之表面上塗佈第一透明導電層及第二透明導電層及電致變色堆疊。 在一些實施例中，操作(b)及(c)依次地在濺鍍設備中執行，該濺鍍設備在基板之表面上塗佈第一透明導電層及第二透明導電層及電致變色堆疊，且操作(d)在濺鍍設備外部執行。 該方法可在形成第二透明導電層之前，在未劃線之情況下或在未隔離第一透明導電層之區之情況下執行。該方法可在形成第二透明導電層之前，在未劃線之情況下或在未隔離電致變色堆疊之區之情況下執行。在一些實施例中，該方法亦可包括在第二透明導電層及/或第一透明導電層上形成一或多個額外匯流條。一或多個匯流條可為透明的。在一些實施例中，該方法亦可包括切割基板以提供多個電致變色裝置或窗片。 該方法可在完成電致變色裝置及第二透明導電層之前，在不預先限定將在何處形成第二透明導電層之匯流條之情況下執行。 製造電致變色堆疊可包括將元素鋰沈積在反電極層及/或電致變色層上。 另一態樣涉及一種電致變色裝置，該電致變色裝置包括：基板，其具有表面；第一透明導電層，其安置在基板表面上；電致變色堆疊，其處於第一透明導電層上，藉此電致變色堆疊包括電致變色層及反電極層；第二透明導電層，其處於電致變色堆疊上；及匯流條，其電耦合至第二透明導電層之區，藉此該區處於第一透明導電層上方，且藉此電致變色堆疊安置在兩個透明導電層之間，該透明導電層經組態以在電致變色堆疊之表面上傳遞電位且由此引起電致變色裝置之光學切換，藉此在製造電致變色堆疊及第二透明導電層之後，電致變色堆疊在匯流條下方之區中失活。 另一態樣涉及一種電致變色裝置，該電致變色裝置包括：基板，其具有表面；第一透明導電層，其安置在基板表面上；電致變色堆疊，其處於第一透明導電層上，藉此電致變色堆疊包括電致變色層及反電極層；第二透明導電層，其處於電致變色堆疊上；及匯流條，其電耦合至第二透明導電層之區，藉此該區處於第一透明導電層上方，且藉此電致變色堆疊安置在兩個透明導電層之間，該透明導電層經組態以在電致變色堆疊之表面上傳遞電位且由此引起電致變色裝置之光學切換，藉此電致變色堆疊有活性，且在匯流條下方之區中之短路及/或潛在缺陷有所減少。在一些實施例中，潛在缺陷中之至少一個為潛在短路。 另一態樣涉及一種用於製造電致變色裝置之系統，該電致變色裝置包括在兩個透明導電層之間的電致變色堆疊，該透明導電層經組態以在電致變色堆疊之表面上傳遞電位且由此引起電致變色裝置之光學切換，該製造設備包括：(a)塗佈設備，其經組態以接收視情況具有上面安置了第一透明導電層之表面的基板；在第一透明導電層上製造電致變色堆疊，其中電致變色堆疊包括電致變色層及反電極層；及在電致變色堆疊上形成第二透明導電層；及(b)後塗佈圖案化設備，其經組態以接收在兩個透明導電層之間具有電致變色堆疊之基板；形成電耦合至第二透明導電層及/或第一透明導電層之一或多個匯流條；及使下伏裝置在一或多個匯流條下方之區中失活。該後塗佈圖案化設備可經進一步組態來切割基板以提供多個電致變色裝置或窗片。該後塗佈設備可經進一步組態來形成電耦合至第一透明導電層之一或多個匯流條。 另一態樣涉及一種用於製造電致變色裝置之系統，該電致變色裝置包括在兩個透明導電層之間的電致變色堆疊，該透明導電層經組態以在電致變色堆疊之表面上傳遞電位且由此引起電致變色裝置之光學切換，該製造設備包括：(a)塗佈設備，其經組態以接收視情況具有上面安置了第一透明導電層之表面之基板；在第一透明導電層上製造電致變色堆疊，其中電致變色堆疊包含電致變色層及反電極層；及在電致變色堆疊上形成第二透明導電層；及(b)後塗佈圖案化設備，其經組態以接收在兩個透明導電層之間具有電致變色堆疊之基板；形成電耦合至第二透明導電層及/或第一透明導電層之一或多個匯流條；及阻斷匯流條材料之滲透。該後塗佈圖案化設備可經進一步組態來切割基板以提供多個電致變色裝置或窗片。該後塗佈設備可經進一步組態來形成電耦合至第一透明導電層之一或多個匯流條。 另一態樣涉及一種製造電致變色裝置之方法，該電致變色裝置包括介於第一透明導電層與第二透明導電層之間的電致變色堆疊，該透明導電層經組態以在電致變色堆疊之表面上傳遞電位且由此引起電致變色裝置之光學切換，該製造方法包括：(a)在未在第一設施中預圖案化之情況下，在玻璃基板上製造電致變色裝置；(b)將包括電致變色堆疊之玻璃基板運輸至第二設施；及(c)在第二設施中執行後處理。在各種實施例中，(c)包括將一或多個匯流條施加至電致變色堆疊。在一些實施例中，該方法亦包括使在後處理期間施加在基板上之一或多個匯流條中之至少一個下方之電致變色堆疊失活。失活可在施加一或多個匯流條之前或之後執行。某些方法包括在(b)之前將密封性密封層施加至電致變色裝置。密封性密封層施加至暴露之(頂部)透明導電氧化物層且可為永久或臨時的，例如，在後一種情況下為可蝕刻掉或以其他方式去除之可剝離塗層或層。在一些實施例中，(c)可包括將包括電致變色堆疊之玻璃基板切割為多個電致變色窗片。在一些實施例中，(c)可包括用雷射對電致變色裝置進行圖案化。 在一些實施例中，失活包括藉由執行選自由以下各項組成之群之處理來敏化電致變色堆疊、第一透明導電層及/或第二透明導電層：施加熱量、輻照、施加化學品或組合物及其組合。 在各種實施例中，(c)包括執行減少短路之操作，該減少短路之操作(i)防止在第二透明導電層與第一透明導電層之間在一或多個匯流條中之至少一個下方的區中形成電短路，及/或(ii)去除已在第二透明導電層與第一透明導電層之間在一或多個匯流條中之至少一者下方的區中形成之電短路，且其中在製造電致變色堆疊及第二透明導電層之後，在實質上不使電致變色裝置在一或多個匯流條中之至少一者下方的區中失活之情況下，執行減少短路之操作。 在一些實施例中，該方法亦包括在(b)之前，對電致變色堆疊提供密封性保護。 在一些實施例中，提供密封性保護包括在電致變色堆疊上形成密封性上塗層。在一些實施例中，密封性上塗層由諸如以下各項之材料製成：聚對二甲苯、基於矽之密封劑、丙烯酸系材料、陶瓷材料、黏著劑材料、乙烯基材料、基於環氧樹脂之密封劑、氧化物-聚合物多層及其組合。 在一些實施例中，該方法亦包括在第二設施處去除密封性上塗層。 在各種實施例中，該方法進一步包括藉由將密封性上塗層加熱至介於約200℃與約700℃之間的溫度來去除該密封性上塗層。 在各種實施例中，該方法進一步包括使用在該第二設施處進行的洗滌操作來去除該密封性上塗層。在一些實施例中，該洗滌操作包括使該密封性上塗層暴露於酸性溶液。在一些實施例中，該洗滌操作包括使該密封性上塗層暴露於鹼性溶液。該鹼性溶液可具有在8與12之間的pH值。 在各種實施例中，該方法進一步包括以機械方式去除該密封性上塗層。 在各種實施例中，該方法進一步包括藉由將該密封性上塗層暴露於電漿蝕刻製程來去除該密封性上塗層。 在各種實施例中，該方法進一步包括自基板剝離該密封性上塗層。 在各種實施例中，該方法進一步包括以選自由鐵及錳組成之群的金屬元素摻雜該密封性上塗層。 在各種實施例中，該密封性上塗層沈積至在約1 μm與約90 μm之間的厚度。 在一些實施例中，包括電致變色堆疊之玻璃基板具有小於約30 nm之粗糙度。 在一些實施例中，該方法亦包括在不受大氣濕度影響之環境中提供包括電致變色堆疊之玻璃基板。在一些實施例中，該環境為氬氣環境。 在一些實施例中，該方法亦包括向包括電致變色堆疊之玻璃基板提供具有與保護材料交錯在一起之電致變色堆疊的至少一個其他玻璃基板。 在各種實施例中，保護材料包括粉末及/或交錯片材。在一些實施例中，交錯片材為米紙。在一些實施例中，該交錯片材為聚甲基丙烯酸甲酯珠粒或椰殼粉 在一些實施例中，不對包括電致變色堆疊之運輸之玻璃基板進行回火。在一些實施例中，該方法亦包括在後處理期間在第二設施處在切割之後對包括電致變色堆疊之玻璃基板進行退火。在一些實施例中，包括電致變色堆疊之運輸之玻璃基板包括電致變色前驅物。在一些實施例中，該方法亦包括在後處理期間在第二設施處在切割之後對包括電致變色堆疊之玻璃基板進行回火。 另一態樣涉及一種製造電致變色裝置之方法，該方法包括：a.在第一透明導電層上沈積包括第一電致變色層及第一反電極層之第一電致變色堆疊；b.在第一電致變色堆疊上沈積包括第二電致變色層及第二反電極層之第二電致變色堆疊，其中電致變色堆疊中之至少一個在電致變色層與反電極層之間的界面處包括超化學計量之氧；c.在第二電致變色堆疊上沈積鋰；d.在第二電致變色堆疊上沈積第二透明導電層以形成電致變色裝置前驅物；及e.在並非將存在匯流條之區的區中有選擇性地激活電致變色裝置前驅物，該匯流條經組態以為第二透明導電層供電。 在一些實施例中，匯流條為非滲透性匯流條。 當在將存在匯流條之該區域內製造匯流條時，該區可被組態成延伸越過匯流條之任何邊緣約0.5 mm至約5 mm。當在將存在匯流條之該區域內製造匯流條時，該區可被組態成延伸越過匯流條之任何邊緣約0.5 mm至約2 mm。當在將存在於匯流條之該區域內製造匯流條時，該區可被組態成延伸越過匯流條之任何邊緣約0.5 mm至約1 mm。 該方法亦可包括使該區失活以抑制第一透明導電層與第二透明導電層之間的電傳導。 在一些實施例中，匯流條包括處於介質中之匯流條導電材料，該介質隔絕導電材料，從而防止該導電材料遷移至第二透明導電層。 另一態樣涉及一種用於製造一電致變色裝置之系統，該電致變色裝置包括在兩個透明導電層之間的電致變色堆疊，該兩個透明導電層經組態以在該電致變色堆疊之表面上傳遞電位，且由此引起該電致變色裝置之光學切換，該製造系統包括：(a)在一第一設施處之第一設備，其經組態以在該第一透明導電層上製造該電致變色堆疊，其中該電致變色堆疊包含一電致變色層及一反電極層，且在該電致變色堆疊上形成該第二透明導電層；及(b)一第二設備，其經組態以執行後處理操作。 在各種實施例中，一保護層在該第一設施中沈積在該第二透明導電層及該電致變色堆疊上。 在各種實施例中，該第二設備經組態以在一第二設施中去除該保護層。 在各種實施例中，該第二設備包括經組態以藉由加熱該保護層來去除該保護層之加熱設備。 在一些實施例中，該第二設備經組態以接收在該兩個透明導電層之間具有該電致變色堆疊之基板，形成電耦合至該第二透明導電層之一或多個匯流條，且阻斷該一或多個匯流條之該材料之滲透。 在一些實施例中，該第一設備包括用於將材料濺鍍至一玻璃基板上之一或多個沈積站。 以下參考附圖進一步描述此等及其他態樣。
以下描述包括用於提供引用之實施例之上下文及/或完整說明之某些細節，然而該引用之實施例可在此等細節中之一些或全部不存在之情況下進行實踐。因此，儘管以特定操作及/或特徵描述一些揭示之實施例，但本申請人並不意在將實施例限於此等操作及/或特徵。在一些情況下，為了闡明所揭示之實施例，並未描述眾所周知之操作及/或特徵。 引言 為簡潔起見，描述關於電致變色(EC)裝置之實施例；然而，本發明之範圍並不限於此。熟習此項技術者將瞭解，所描述之方法及裝置適用於其他薄膜裝置，其中一或多個層夾在兩個薄膜導體層之間。某些實施例涉及光學裝置，亦即，具有至少一個透明導體層之薄膜裝置。在最簡單之形式中，光學裝置包括基板及一或多個材料層，該材料層夾在兩個導體層之間，該導體層中之一個係透明的。在一個實施例中，光學裝置包括透明基板及兩個透明導體層。在另一實施例中，光學裝置包括透明基板、其上安置之下部透明導體層及不透明上部導體層。在另一實施例中，基板係不透明的，且導體層中之一個或兩者係透明的。光學裝置之一些實例包括電致變色裝置、電致發光裝置、光伏裝置、懸浮顆粒裝置(SPD)及其類似者。對於上下文，以下呈現了對電致變色裝置之描述。為方便起見，描述所有固態及無機電致變色裝置；然而，實施例並不受此種方式限制。 將呈現電致變色裝置結構及製造之實例。圖 1A 至圖1C 為電致變色裝置100 之截面示意圖，其展示此種裝置之結構模體。電致變色裝置100 包括玻璃基板102 、擴散障壁層103 、導電層(CL)層104 、EC堆疊106 及另一導電層(CL)112 。基板可由玻璃材料及尤其是建築玻璃或其他抗震裂玻璃材料，例如像基於氧化矽(SOx )之玻璃材料製成。作為更特定之實例，基板可為納鈣玻璃基板或浮動玻璃基板。此類玻璃基板可由例如大致75%之二氧化矽(SiO2 )及Na2 O、CaO及若干少量添加劑構成。然而，基板可由具有合適之光、電、熱及機械特性之任何材料形成。例如，其他合適之基板可包括其他玻璃材料及塑性、半塑性及熱塑性材料(例如，聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚苯乙烯、聚碳酸酯、烯丙基雙甘油碳酸鹽、SAN (苯乙烯丙烯腈共聚物)、聚(4-甲基-1-戊烯)、聚酯、聚醯胺、或鏡子材料。在一些實施中，第一窗板及第二窗板(未展示)中之每一個可例如藉由回火、加熱或化學加強來加強。可併入玻璃基板，使得一或多個基板可用於形成絕緣玻璃單元(IGU)。 EC堆疊106 包括電致變色層(未展示)及離子導電(電子電阻)層(IC) (未展示)。EC堆疊亦可包括相對之反電極層，亦稱為離子儲存層。此層可為或不為電致變色的。一般而言，此類裝置被構造成使得電致變色層為陰極上色的，且反電極層為陽極上色的。儘管此並非限制性的，但此具有以下優點：上色層為互補的，亦即，其同時上色或漂白且因此可實現更深之上色及更中性之上色。 導電層104 及112 通常包括透明導電材料，諸如金屬層、金屬氧化物、合金氧化物及其摻雜型式，且通常稱為「TCO」層，因為其有時由透明導電氧化物或透明金屬氧化物製成。術語「TCO」習知地用於指代廣泛範圍之透明導電材料，該等透明導電材料可形成為導電層，該導電層用於將電位傳遞穿過電致變色裝置之表面以驅動或保持光學轉變。儘管此類材料在本文檔中稱為TCO，但該術語涵蓋透明且亦導電之非氧化物及氧化物，諸如某些極薄之金屬及某些非金屬材料。透明導電材料通常具有明顯大於電致變色材料或反電極材料之導電性。例如，透明導電材料可具有至少約100 µOhm-cm至約600 µOhm-cm之電阻率。另外，透明導電材料可具有至多約10歐姆/平方至約20歐姆/平方之薄層電阻。實例透明層包括氧化銦錫(ITO)、氟化氧化錫(FTO)及氧化鋅鋁(AZO)。如本文所描述之術語「TCO」亦可包括多層結構。例如，TCO可包括第一ITO層、金屬層及第二ITO層，其中金屬層介於兩個ITO層之間。TCO亦可指代具有一或多個透明導電材料層之多層結構。一些TCO亦可包括金屬頂部或底部導電層。 如本文所描述，導電層104 可稱為「第一TCO」、「底部TCO」或「TCO 1」。導電層112 可稱為「第二TCO」或「頂部TCO」或「TCO 2」。然而，一般而言，透明層可由可與裝置堆疊相容之任何透明導電材料製成。一些玻璃基板具備薄之透明導電氧化物層，諸如氟化氧化錫(有時稱為「FTO」)。在一些實施例中，第二TCO實質上係透明的。裝置之實質上透明之部件為藉此至少約80%或至少約90%光透過裝置之裝置。 底部TCO104 為用於形成在玻璃基板或玻璃片材102 上製造之電致變色裝置100 之電極之兩個導電層中之第一個。在一些實例中，玻璃基板102 可預先製造有形成在下伏玻璃102 上之擴散障壁層103 。因此，在一些實施例中，擴散障壁層103 在沈積底部TCO104 、EC堆疊106 (例如，具有電致變色層、離子導體層及反電極層之堆疊)及頂部TCO112 之前沈積。在一些實施例中，玻璃基板102 可預先製造有形成在下伏玻璃102 上之擴散障壁層103 及底部TCO104 兩者。 非滲透性匯流條(如本文所使用之匯流條1或「頂部匯流條」)施加至頂部TCO112 。非滲透性匯流條(如本文所使用之匯流條2或「底部匯流條」)施加在底部TCO104 上未沈積或去除了EC堆疊106 及頂部TCO112 (例如，自遮罩去除，該遮罩保護底部TCO104 免於裝置沈積；或者藉由使用機械磨蝕製程或藉由使用雷射消融製程來去除)之區域。匯流條通常為用於嚮導電層提供電流及電壓，常常用來驅動或維持光學狀態之電連接。匯流條可為滲透或非滲透的。滲透匯流條為通常被壓入(或焊接)穿過一或多個層而與下部導體(例如，位於EC堆疊底部或其一或多個層下方之TCO)接觸之匯流條。習知地，匯流條1及2可由作為液體施加之墨水製成。在一些實施例中，將匯流條1對準，使得其沈積在頂部TCO112 之邊緣上。在各種實施例中，匯流條作為後圖案化製程之部分來施加。匯流條材料可包括液態銀墨。在一些實施例中，匯流條2可為滲透匯流條。在一些實施例中，匯流條2可施加在整個EC堆疊之頂部上，該匯流條向下滲透以接觸第一TCO層。例如，以此方式可使用超聲焊接之匯流條。在此種組態中，可施加隔離線，使其至少穿過頂部TCO112 ，但不滲透穿過底部TCO104 。 TCO層104 及112 可使用匯流條來電連接，該等匯流條可使用絲網及光微影圖案化方法來製造。藉由導電墨水之絲網印刷(或使用另一種圖案化方法)，接著熱固化或燒結墨水來建立裝置之TCO層之間的電連通。圖 1B 為電致變色裝置100 之操作之示意性表示，該電致變色裝置包括基板102 、底部TCO104 、EC電極層106a 、可選之離子導電(電子電阻)層(IC)106b 、反電極層(CE)106c 及頂部TCO112 。元件106a 、106b 及106c 被統稱為電致變色堆疊106 。可操作來將電位施加在整個電致變色堆疊106 上之電壓源實現了電致變色裝置自例如透明狀態至著色狀態之轉變。在各種實施例中，EC堆疊藉由形成與EC電極層直接接觸之反電極層來製造。所得構造不具有IC層或具有IC層，該IC層在沈積EC電極及/或反電極層之後或在此期間原位形成。此類裝置在以下各項中有所描述：於2010年4月30日申請之美國專利第12/772,055號(現為專利第8,300,298號)；及於2010年6月11日申請之美國專利第12/814,279號(現為美國專利第8,764,952號)，該等專利兩者均以引用方式整體併入本文中。 如圖1B 所示，可操作來將電位施加在整個EC堆疊106 上之電壓源116 實現了電致變色裝置100 自例如透明狀態(指代圖1B )至著色狀態(指代圖1C )之轉變。 在正常操作期間，電致變色裝置諸如裝置100 在透明狀態與著色狀態之間可逆地循環。在電致變色裝置100 著色期間，如圖1A 所示之匯流條1 (或如本文所使用之「頂部匯流條」)及匯流條2 (或如本文所使用之「底部匯流條」)被通電，以便於如圖1B 所示般將電位施加在整個電致變色裝置上；例如，底部TCO104 具有負電荷，且頂部TCO112 具有正電荷或者反之亦然。如圖1B 所示，在透明狀態下，電位施加在EC堆疊106 之整個電極(TCO層104 及112 )上以使該堆疊中可用之離子(例如，鋰離子)主要存在於反電極106c 中。若電致變色層106a 包括陰極著色材料，則裝置處於透明狀態。在某些電致變色裝置中，當加載有可用離子時，反電極層106c 可被視作為離子儲存層。 為了理解本文描述之實施例之上下文，如圖 1A 至圖 1C 所示之裝置100 意欲用於說明性目的。本文描述之方法及設備用於識別及減少電致變色裝置中之缺陷，而不管電致變色裝置之結構佈置如何。 層之次序相對於基板102 而言可為反向的。亦即，該等層可呈以下次序：基板、導電層、反電極層、離子導電層、EC層及導電層。反電極層可包括電致變色之或非電致變色之材料。若電致變色層及反電極層兩者均採用電致變色材料，則其中一個應為陰極著色材料，而另一應為陽極著色材料。例如，EC層可採用陰極著色材料，而反電極層可採用陽極著色材料。在電致變色層為氧化鎢，而反電極層為鎢酸鎳時亦為此種情況。 參考圖 1C ，當EC堆疊106 上之電位反轉時，離子傳輸穿過離子導電層106b 到達電致變色層106a 且使得材料進入著色狀態。再次，此假設電致變色裝置中之光學可逆材料為陰極著色型電致變色材料。在某些實施例中，反電極材料中離子之耗盡會引起該反電極材料同樣如所示般著色。換言之，反電極材料為陽極著色型電致變色材料。因此，層106a 及106c 組合來協同地減少透過該堆疊之光之量。當將反向電壓施加至裝置100 時，離子自EC層106a 行進穿過離子導電層106b 而回到反電極層106c 中。因此，裝置變透明。 合適之電致變色裝置之一些實例在以下美國專利申請中有所呈現，每個專利申請以引用方式整體併入：於2009年12月22日申請之美國專利申請案第12/645,111號；於2010年4月30日申請之美國專利申請案第12/772,055號(現為美國專利第8,300,298號)；於2009年12月22日申請之美國專利申請案第12/645,159號(現為美國專利第8,432,603號)；於2010年6月11日申請之美國專利申請案第12/814,279號(現為美國專利第8,764,951號)；於2012年5月2日申請之美國專利申請案第13/462,725號；於2014年5月2日申請之美國臨時專利申請案第61/988,107號；於2013年2月8日申請之美國專利申請案第13/763,505號(現為美國專利第9,007,674號)。 電致變色裝置(諸如相對於圖 1A 至圖1C 描述之彼等)用於例如電致變色窗戶中。電致變色窗戶為包括為透明窗板之電致變色窗片之窗戶，該電致變色窗片之光學特性(諸如色彩或著色程度)在驅動電位被施加至窗片時發生變化。例如，電致變色窗片可著色來過濾掉50%之透過窗板之光，或過濾掉約70%之光。電致變色窗戶可部署在建築物，諸如商業摩天大樓或家庭住宅中，以幫助節省中央供暖或空調系統中使用之能量。例如，電致變色窗片可在暖及天氣著色來減少進入房間之光之量，從而減少用於給房間中之空調供電之能量。例如，基板102 可為在上面製造電致變色裝置之建築玻璃。建築玻璃為用作建築材料之玻璃。建築玻璃通常用在商業建築物中，但亦可用在住宅建築物中，且通常(但不一定)將室內環境與室外環境分隔開來。在某些實施例中，建築玻璃為至少20吋乘以20吋，且可更大，例如，大至約72吋乘以120吋，或大至約72吋乘以144吋。 在一些實施例中，電致變色玻璃整合至絕緣玻璃單元(IGU)中。IGU包括組裝成一個單元之多個玻璃窗板，其意圖通常為最大化由該單元形成之空間中含有之氣體之隔熱特性，同時在整個單元中提供清晰之視覺。除了用於將電致變色玻璃連接至電壓源之電端子之外，併有電致變色玻璃之絕緣玻璃單元與本領域中當前已知之IGU類似。 一般而言，基板及IGU作為整體為長方體。然而，在一些其他實施中，其他形狀(例如，圓形、橢圓形、三角形、曲線形、凸形、凹形)為可能的且可能為希望的。在一些實施中，基板之長度「L」可為處於大致20吋至大致12呎之範圍，每個基板之寬度「W」可為處於大致20吋至大致12呎之範圍，且每個基板之厚度「T」可為處於大致1毫米至大致10毫米之範圍(但基於特定使用者、管理者、管理員、建造者、建築師或所有者之需求，更小及更大之其他長度、寬度或厚度為可能的且可能為希望的)。此外，IGU可包括兩個窗板(未展示)，或在一些其他實施中，IGU可包括三個或更多個窗板。每個窗板可為如上所述之玻璃基板。另外，在一些實施中，窗板中之一或多個自身可為兩個、三個或更多個層或子窗板之層壓結構。 IGU之窗板或基板彼此由隔片間隔開來形成內部體積。圖1D 展示IGU190 之實例，其中隔片195 對應地既介於玻璃191 之兩個窗板之間，亦介於初級密封件192 與二級密封件193 之間。此實例中之隔片195 為內部有乾燥劑194 之中空金屬結構。在一些實施中，內部體積或空隙196 填充有氬氣(Ar)，但在一些其他實施中，內部體積或空隙196 可填充有另一種氣體，諸如另一種稀有氣體(例如，氪氣(Kr)或氙氣(Xe))、另一種(非稀有)氣體、氣體混合物(例如，空氣)。將內部體積或空隙196 填充有氣體諸如Ar、Kr或Xe可減少IGU中之傳導性熱傳遞，此歸因於此等氣體之低導熱性；且改良隔音，此歸因於其增加之原子量。在一些其他實施中，可將內部體積或空隙196 之空氣或其他氣體排空。隔片195 大體決定了內部體積之厚度；亦即，基板之間的間距。在一些實施中，基板之間的間距處於大致0.375"至大致1"之範圍。隔片195 之寬度可為處於大致0.25"至大致1"之範圍。儘管以截面圖展示，但隔片195 可形成在IGU之所有側面(例如，IGU之頂側、底側、左側及右側)周圍。例如，隔片195 可由泡沫或塑性材料形成。然而，在一些其他實施中，隔片195 可由金屬或其他導電材料，例如，金屬管結構形成。第一初級密封件192 黏附並密封性地密封隔片195 及第一窗板或窗片之第二表面中之每一個。第二初級密封件192 黏附且密封性地密封隔片195 及第二窗板或窗片之第一表面中之每一個。在一些實施中，初級密封件192 中之每一個可由黏附性密封劑，例如像PIB (聚異丁烯)形成。濕蒸氣障壁層及密封件形成了密封性空隙。材料充當隔片195 之周界周圍之柔軟之黏性之o形環以在隔片195 與玻璃表面之間形成密封。在一些實施中，IGU亦包括二級密封件193 ，該二級密封件密封性地密封隔片195 之外的整個IGU周圍之邊界。二級密封件193 係出於結構完整性而使用。若填充在IGU之整個周界周圍之間隙中，則相對於邊緣之深度通常為約3mm至約9mm。其在施加時具有焦油之稠度，且之後在運輸之前固化及硬化成類似橡膠之稠度。為此，隔片195 可相對於第一及第二窗板或窗片之邊緣以一定距離嵌入。在一些實施中，二級密封件193 可由黏附性密封劑，例如像矽酮或多硫化物形成。 電致變色裝置(諸如圖1A 所示之電致變色裝置)可能具有某些類型之缺陷(有時顯示為「光暈」)，顯著的為小短路。如本文所使用，術語「缺陷」指代電致變色裝置之缺陷點或區。通常，缺陷為電短路或針孔。短路為跨越離子導電層之局部導電路徑(例如，兩個透明導電層之間的導電路徑)。光暈為裝置中未發生著色之相對較大之可察覺區。短路會阻止電致變色裝置周圍之區域著色，從而導致一小圈材料不能如上所述經受著色及除色。 另外，缺陷可被表徵為可視或不可視。一般而言，電致變色裝置中之缺陷及有時缺陷周圍之區域不會回應於外加電位而改變光學狀態(例如，著色)，該外加電位足以引起電致變色裝置之非缺陷區著色或以其他方式改變光學狀態。缺陷常常會顯示為電致變色窗片或其他裝置中之可視覺辨別之異常。此類缺陷在本文中稱為「可視」缺陷。其他缺陷太小，以致於在正常使用時觀察者在視覺上無法察覺到其(例如，當裝置在白晝時間期間處於著色狀態時，此類缺陷不會產生可察覺之光點或「針孔」)。 短路為跨越離子導電層之局部導電路徑(例如，兩個透明導電層之間的導電路徑)。可能會在第二透明導電層與EC堆疊之另一層之間形成短路。例如，可能會在第二透明導電層與第一透明導電層之間形成短路。通常，引起可視短路之缺陷會具有大約數十微米，有時更小之實體尺寸，此自視覺角度來看為相對較小之缺陷。然而，此等相對較小之缺陷會在著色之電致變色窗片中產生視覺異常，亦即例如直徑約為1厘米，有時更大之「光暈」。 針孔為電致變色裝置之一或多個層出現損壞或失活以致於無法展現電致變色之區。針孔並非電短路，且如上所述，其可能為減少裝置中之電短路之結果。在某些實施例中，針孔具有介於約25微米與約300微米之間、通常介於約50微米與約150微米之間的缺陷尺寸，因此視覺辨別該針孔要比光暈困難得多。通常，為了降低對因減少光暈所致之針孔之視覺感知，人們會將有意產生之針孔之尺寸限制於約100微米或更小。 在一些情況下，電短路藉由以下方式產生：導電顆粒內埋離子導電層及/或內埋整個離子導電層，從而導致反電極層與電致變色層或與其任一者相關聯之透明導電層之間產生電子路徑。 在電致變色裝置製造過程中可能會固有地形成短路。如上所述，在可視短路之情況下，缺陷看起來就像具有擴散邊界之中心帶光區(當裝置處於著色狀態時)，以致於該裝置隨距離短路之中心之距離而逐漸變暗。若電致變色裝置之區域中聚集了大量電短路(可視或不可視)，則其可能會共同地影響該裝置之廣泛區，藉此裝置在此種區中無法進行轉換。此係因為此類區中之EC層與CE層之間的電位差無法達到驅使離子穿過離子導電層所需之臨限位準。 可視短路在裝置變暗時會產生光暈。光暈為裝置中以下此種區：電致變色堆疊上之電短路引起短路周圍之區域將電流排出至該短路中且因此短路周圍之區域不會變暗。如所提及，此等區之直徑可達約1 cm，且因此呈現出會使電致變色窗片在上色時變得對於觀察者而言不美觀之問題。此違背了具有可在著色模式下操作之窗片之目的。當匯流條與底部TCO之間出現多個微短路時，亦可能會在匯流條之邊緣周圍形成光暈。匯流條可能為短路源，以致於微短路共同在匯流條下方形成一個大缺陷。然後，該缺陷導致匯流條之邊緣周圍形成光暈。 由於電致變色裝置在短路處不起作用，材料保持透明，由此在電致變色裝置之其餘部分著色時形成光暈。歷史上，常常會在電致變色窗片之可視區域中出現光暈。可視區域可被定義為電致變色窗片中可能有光經過之區域。在一些實施例中，可視區域可處於IGU或有不透明隔片或框架元件定位在其中之其他「窗戶」佈置之周界內。由View，Inc. of Milpitas，CA首創之裝置設計及製造技術之改良已極大地減少了此種問題。然而，某些新EC技術可能會在存在頂部匯流條之位置處或其附近產生光暈。儘管IGU中使用之隔片正常情況下可遮掩窗片中施加頂部匯流條之區域，但光暈可能會延伸至隔片位置之內緣之外，且對於使用者而言係可視的。在不受特定理論束縛之情況下，咸信匯流條材料遷移至下伏電致變色裝置中會引起短路，從而產生會使未上色區域輻射至可視區域中之效果。此種遷移之一種形式為匯流條材料，諸如銀基液墨填充在電致變色裝置內之裂隙及凹陷中，從而產生短路之情況。此類裂隙及凹陷之寬度可處於約5 µm至約100 µm之尺寸範圍，且其可部分延伸至電致變色裝置中，或者在一些實施例中向下延伸至第一TCO層。在一些實施例中，此等凹陷由外來碎屑產生，該等外來碎屑在施加EC塗層之前污染玻璃之邊緣且隨後隨著時間之推移而移走。短路或潛在缺陷可藉由如本文所述之減少短路之操作來減少。在一些實施例中，潛在短路為藉由所揭示之實施例中之製造方法來減少之潛在缺陷。 一些觀察結果表明頂部TCO115 可能具有直徑小於約100 µm之小針孔。用於在電致變色裝置製造期間沈積頂部TCO之製程可能會引起此類裂隙或缺陷之形成。缺陷常常會顯示為電致變色窗片或其他裝置中之可視覺辨別之異常。此類缺陷在本文中稱為「可視」缺陷。其他缺陷太小，以致於在正常使用時觀察者在視覺上無法察覺到該等缺陷(例如，當裝置在白晝時間期間處於上色狀態時，此類缺陷不會產生可察覺之光點或「針孔」)。 針孔出現在電致變色裝置之一或多個層出現缺失或損壞以致於無法展現電致變色之處。替代地或另外，由其組成或形態所得之固有之TCO特性可能會引起此類缺陷。在觀察到光暈之一些電致變色裝置中，在頂部TCO之裂隙或缺陷中發現了銀，且此等缺陷之截面顯示銀不僅堆積在此等裂隙內，而且可能嵌入玻璃基板附近，從而表明銀可能已經朝向底部TCO遷移，由此侵蝕EC堆疊及底部TCO之多個部分。圖 2 為描繪觀察到光暈之電致變色裝置100 之截面之實例之圖。在圖 2 之實例中，電致變色裝置100 製造有多個層，諸如圖 1A 所示之層，其中銀墨匯流條1施加在第二TCO130 上及電致變色裝置100 之激活之裝置區上方，亦即，主動進行切換之區域(自頂視圖或平面圖角度來看)或區(前述區域之體積)。該圖之擴展部分說明藉由某些揭示之實施例來克服之問題。擴展部分說明第二TCO130 頂上銀155 之堆積物。包圍銀155 之層被提供用來促進成像且並非裝置100 之部分。銀155 已遷移至第二TCO130 在與EC堆疊125 之界面處被充分侵蝕之程度。類似地，EC堆疊125 在銀155 累積之處已被侵蝕，且第一TCO115 在頂表面處已被部分侵蝕。在正常操作中，第二TCO130 、銀155 與第一TCO115 之間的不想要之實體連接可能會形成電短路。此等短路問題會導致光暈之形成。匯流條習知使用液基墨水，諸如銀墨來沈積。在不受特定理論束縛之情況下，相信銀或其他導電匯流條材料遷移穿過第二TCO130 中之缺陷或裂隙，且穿過EC堆疊125 ，從而侵蝕或甚至蝕刻底部TCO115 。匯流條導電材料可能會因電遷移而滲透第二TCO130 。電遷移為由因導電電子與擴散金屬原子之間的動量傳遞而導致導體中之離子之逐漸運動所引起之材料傳輸。無論實際機制如何，導電材料皆可能會侵蝕及/或遷移至匯流條下方之某些激活之裝置區中，從而引起電短路。 某些電致變色裝置藉由以下方式避免了此等短路問題：使頂部匯流條下方原本將為活性電致變色裝置材料之材料失活，或者將頂部匯流條下方之激活之電致變色裝置排除出去。例如，頂部匯流條下方之區可不含電致變色層及/或反電極層。替代地，在一些情況下，電致變色裝置被製造成使得在塗佈EC堆疊及頂部TCO之前除去頂部匯流條正下方之區域中之第一TCO及視情況擴散障壁層。在另一種方法中，製造製程在塗佈之前將劃線施加至底部TCO。此電隔離了上部匯流條區中之下部TCO，且可防止短路之負面作用影響上部匯流條。無論如何實現失活，頂部匯流條下方之電致變色裝置皆不會經受著色。此係有益的，但要求在沈積EC堆疊之前瞭解匯流條之預期位置。只有具有此種瞭解才可定製製程來排除或除去頂部匯流條下方之第一TCO或EC層。此等方法稱為「預圖案化」方法，因為在製造電致變色裝置之前，匯流條之圖案係已知的。此對於一些應用而言係好的，但對於以下此種應用而言卻並非如此：製造商需要保留光學可切換窗戶在大片或大卷塗佈之電致變色玻璃上製造之位置的靈活性。一些圖案化方法在2014年6月4日申請之標題為「THIN-FILM DEVICES AND FABRICATION」之美國專利申請案第14/362,863號中有所描述，該專利申請案以引用方式整體併入本文中。 圖案化被定義為用於改變、修改、處理電致變色裝置之一些區，將材料沈積在該等一些區上，自其去除材料，或以其他方式判定及/或限定該等一些區之製程。可結合判定後續處理中有待切割之電致變色裝置或窗片(有時稱為「窗板」)之尺寸一起來實施圖案化。圖案化包括局部修改整體沈積之EC裝置，此可包括以下任一項或多項：(1)施加匯流條，(2)局部去除材料，(3)使電致變色裝置之區局部失活，(4)局部減少短路，及(5)局部激活電致變色裝置之區，同時使其他區失活。 用於避免此種問題之其他方法涉及將底部TCO沈積在基板上；將基板自沈積室移動至單獨之圖案化室來將底部TCO圖案化，以便於除去底部TCO中將施加匯流條之部分；及將基板與圖案化之底部TCO往回移動至沈積設備中以繼續塗佈裝置之其餘部分。然而，此等方法在沈積設備中使用空斷，由此降低生產率且增加了處理複雜性。此等方法亦要求預先對玻璃進行圖案化，因此其失去了相當大之靈活性。 製造技術中之一些因要在塗佈之前將玻璃基板切割為預定尺寸而稱為「先切割後塗佈」技術。令人遺憾地，通常為濺鍍設備之塗佈設備可能並未針對所有玻璃尺寸進行優化，且使用僅採用單一尺寸之大型玻璃基板之製程來改良處理。本文揭示之各種實施例允許在大型玻璃基板上製造EC堆疊，且隨後限定具有任何尺寸及形狀之窗戶或其他結構之匯流條圖案，而不管係大型的還是略小的。某些實施例涉及「先塗佈、運輸後切割」，其中在一個設施中對大型片材塗佈電致變色裝置，將該大型片材包裝及運輸至另一設施以供後處理及/或圖案化。 一些習知電致變色裝置製造技術採用預先塗佈有底部TCO層及視情況擴散層之玻璃基板。此類基板因將底部TCO之化學性質侷限於如由製造商所沈積之層之化學性質而限制了設計及製造之靈活性。本文揭示之各種實施例允許用由電致變色裝置製造商選擇及/或由電致變色裝置製造商沈積之TCO層來製造EC堆疊。 本文提供了減少電致變色裝置製造中頂部匯流條下方之缺陷之方法。本文描述之一些製造方法形成既無需預圖案化，亦無需受匯流條下方短路之問題困擾之EC塗層。在此等方法中，不管在塗佈之後可能將頂部匯流條施加在何處，所得電致變色裝置皆不會形成短路。在某些實施例中，匯流條可在後圖案化期間施加在整個電致變色裝置上之任何位置處。後圖案化被定義為在沈積電致變色裝置之各層之後執行的製程。在各種實施例中，後圖案化係第一次限定電致變色裝置或窗片之邊界且施加匯流條之時候。可能係第一次出現局部處理，諸如在施加或將施加匯流條之局部區域中應用加熱之時候。塗佈設備可能僅允許進行影響基板整個區域或幾乎整個區域之製程。在一些實施例中，後圖案化包括判定將在何處施加匯流條。後圖案化可由經銷商在不同於塗佈電致變色裝置所處位置之地點執行。本文描述之方法亦為製造過程提供了靈活性。亦即，在一些實施例中，一個設施可在不預圖案化之情況下在玻璃基板上製造電致變色堆疊，具有EC堆疊之基板可運輸至第二設施，且後處理及/或後圖案化可在第二設施中執行。後處理操作可包括施加匯流條、切割、層壓及/或製造IGU (IGU可具有作為其內側及/或外側窗片之層壓件，且層壓件可用作裝配玻璃來取代IGU)。 後圖案化操作亦可包括諸如藉由經由以下方式敏化堆疊來使電致變色裝置之區失活：執行處理，諸如施加熱量、輻照、施加化學品或組合物，及其組合。失活可在施加一或多個匯流條之前或之後執行。在一些實施例中，後圖案化包括諸如藉由施加由抵制電遷移之材料製成之匯流條來執行防止短路或去除短路之減少短路之操作，或者執行本文描述之其他操作。可在後圖案化中執行之減少短路之操作之其他實例包括在將匯流條施加在第二TCO上之前將絕緣蓋層沈積在第二TCO上。 在一些實施例中，失活或減少在製造電致變色裝置之後執行。可在製造IGU之後執行失活方法或減少方法，而不用在IGU製造期間執行失活或減少操作。在此類方法中，可使用習知化學過程及技術來將覆蓋塗層用於電致變色裝置，且可在使施加匯流條之區失活之前使用習知技術來製造IGU。例如，在一些實施例中，製造之IGU可用雷射處理來使IGU中施加匯流條之區失活。在一些實施例中，此等製程可在施加匯流條之前或之後執行。 在本文描述之某些方法中，首先在例如真空整合反應器中沈積電致變色裝置塗層之層，該塗層包括底部TCO、EC堆疊(包括EC層、可選之IC層及CE層)及頂部TCO。隨後，在一些實施例中，在後圖案化期間將基板切割成較小之窗戶。不管隨後是否切割基板，匯流條及如本文所述之共同定位之裝置特徵皆可在施加塗層之後形成。如本文所使用，術語「位置」或「區」被定義為電致變色裝置上之區域，且可指該區域中之電致變色裝置層中之任一或多個。其可由電致變色裝置上之特徵諸如匯流條之區域限定，且在此類情況下，其不僅包括電致變色裝置中位於該特徵正下方之部分，而且包括自周界延伸出某一距離之部分，該距離例如為大約幾毫米，例如，達約5 mm或10 mm，但通常介於約0.5 mm與約5 mm之間，或介於約0.5 mm與約2 mm之間，或介於約0.5 mm與約1 mm之間，或介於約0.1 mm與約3 mm之間，或介於約0.1 mm與約2 mm之間，或介於約0.1 mm與約1 mm。施加頂部匯流條之位置為可在後圖案化期間指定之位置，且此位置下方之電致變色裝置層可被指定為將施加頂部匯流條之區域；亦即，頂部匯流條下方或與其相一致之區域。在以下論述中，短語「匯流條下方」或「頂部匯流條下方」可用於指代此種位置。 本文揭示之方法提供了先塗佈後施加匯流條之靈活性且可稱為「先塗佈後切割」技術。可執行本文描述之某些方法，使得可在一個位置大量製造塗佈玻璃，且在不同之位置可能由不同之實體，諸如最終使用者或下游玻璃供應商來將該塗佈玻璃圖案化。先塗佈後切割之某些態樣在2012年4月25日申請且標題為「ELECTROCHROMIC WINDOW FABRICATION METHODS」之美國專利申請第13/456,056號中有所描述，該專利申請案以引用方式整體併入本文中。 本發明中提供之許多過程歸入兩個一般類別之一中：(1)使電致變色裝置將施加或已施加頂部匯流條之位置下方之區域中失活之過程；及(2)防止電致變色裝置中短路，同時使電致變色裝置在頂部匯流條下方保持激活之過程。屬於第一類別的為產生部分失活，但在某種程度上，有時以佔用者無法明顯察覺之方式著色及除色之裝置之過程。例如，方法可藉由降低頂部匯流條下方之下部TCO之導電性，但在其他態樣卻使EC堆疊保持不變來使裝置之區失活。若下部TCO之失活區為足夠薄的，則該區頂上之裝置堆疊可在暴露於來自失活區周圍之下部TCO之足夠大之電位時著色或除色。如下文所解釋，在第二類別中，用於在不預圖案化情況下防止短路之方法包括基於設備之解決方案、基於材料之解決方案及基於製程之解決方案。 在匯流條下方使裝置失活 減少電致變色裝置中之短路之某些實施例涉及使電致變色裝置中頂部匯流條下方之區域中之位置失活的過程。此種失活可在頂部匯流條下方除了頂部TCO之外的層中之任一或多個上執行，因為頂部TCO用於在施加電位時促進電致變色裝置之著色及除色。本文描述之失活方法可允許後圖案化，使得無需判定將在電致變色裝置上何處施加頂部匯流條即可製造電致變色裝置上之塗層。 一旦失活，失活部分可能不會經受著色。因此，當將電壓施加至電致變色裝置時，失活區域將為透明的。應注意，在一些實施例中，非常接近於失活區域之區域在施加電位時可能仍然會著色。失活區域不會形成短路，從而消除光暈之形成。在一些實施例中，由於施加匯流條之區域被窗戶或IGU上之隔片掩蔽，失活區域對於使用者而言將為不可視的。 失活方法可在沈積電致變色裝置之層期間及/或之後執行。在一些實施例中，失活在後圖案化期間執行，該後圖案化包括在完全製造好EC裝置之後施加匯流條且將電致變色裝置切割成較小單元。 在一些實施例中，方法在沈積期間執行，使得處理施加至整個部分且隨後之失活步驟在後圖案化期間施加至電致變色裝置之局部部分。例如，在一些實施例中，電致變色裝置中匯流條下方之區可暴露於閃光燈退火(FLA)，此利用高能光之脈衝來使基板之表面及基板上之任何塗層快速退火。此種退火方法不同於習知烘箱退火，該烘箱退火加熱整個基板。在一些實施例中，可將遮罩用在要保持失活之區上以防止此種區暴露於閃光燈。在某些實施例中，雷射器可用於實現相同或相似之結果。 將描述某些失活機制。稍後將描述引發此等機制之對應技術。 使裝置失活 裝置之區域可藉由對該區域「下毒」，或者使用機械、光或熱過程破壞該區域來失活。下毒被定義為化學處理電致變色裝置之層或使該層化學改性，從而使該裝置不可操作或失活。在一些實施例中，對電致變色裝置之區域下毒涉及使一種或多種化學品反應或擴散來使該區域失活。例如，下毒可在施加上部匯流條時執行。在一些實施例中，下毒方法並不干擾用於沈積TCO層或EC堆疊之沈積技術。相反，下毒在製造好電致變色裝置之後執行。電致變色裝置在此類情況下亦可使用習知技術來製造。在一些實施例中，電致變色裝置可以下特殊方式製造：準備好電致變色裝置之一或多個層以便在稍後步驟，例如後圖案化時下毒。應注意，在塗佈製程期間應用此類準備技術，且由於許多塗佈工具無法以足夠之精度局部改變塗佈條件，以僅影響將施加匯流條之小的區，因此將對整個電致變色裝置整體應用準備層來下毒之製程。稍後，通常係在後圖案化期間僅在將施加匯流條之位置處執行下毒。 在一些實施例中，電致變色裝置包括一或多個層，該一或多個層在形成時失活，但在隨後之後圖案化期間，在電致變色裝置上未施加或不會施加頂部匯流條之位置處被激活。在一些實施例中，製造不具有離子導電層之電致變色裝置，使得在匯流條下方以外之區被激活時，可固有地形成離子導電層。在一個實例中，裝置層被沈積為電致變色裝置前驅物。電致變色裝置前驅物在2012年10月30日發佈之標題為「ELECTROCHROMIC DEVICES」之美國專利第8,300,298號中有所描述，該專利出於所有目的以引用方式併入本文。此類電致變色裝置前驅物包括當施加適當之驅動力時形成功能性電致變色裝置之層及材料。在一個實例中，加熱電致變色裝置前驅物以在電致變色層與反電極層之間原位形成離子導電電絕緣層。此種技術使用超化學計量之自身可為電絕緣之氧合之電極材料，但裝置前驅物並非功能電致變色裝置。當在鄰接電極層之間的界面處施加例如熱量時，形成離子導電電子絕緣材料。因此，藉由有選擇性地將驅動力例如熱量施加至裝置前驅物堆疊，形成功能性電致變色裝置，將製造頂部透明導體匯流條之位置除外。例如，可諸如藉由使用X-Y繪圖機系統來在整個電致變色裝置前驅物上使用IR加熱元件或熱探針，其中使用者可輸入裝置佈局之坐標且在將施加頂部透明導體層匯流條位置之外的區中施加熱量。在一些實施例中，在幾毫秒內，可施加熱量達到大於約500℃之溫度。在另一實例中，閃光燈退火可用於使基板之表面上之塗層退火，而不需要充分加熱基板來激活匯流條下方以外之區。所得裝置在功能上可能與以下情況相同：在頂部TCO匯流條將經過或現有頂部TCO匯流條下方之區域中，有選擇性地使激活之電致變色裝置失活。因此，本文中對有選擇性地使匯流條下方之區失活之論述在適當之上下文中可被視作為產生等同於藉由有選擇性地激活除了頂部透明導體上製造或將製造匯流條之區之外的區而產生之彼等之電致變色裝置。 在一些實施例中，電致變色裝置實質上可能為失活的。充分使電致變色裝置失活通常會導致降低或消除裝置之電致變色功能或能力，達到此種程度以至在施加足以改變功能電致變色裝置之狀態之電位時，裝置之充分失活之區不會改變光學狀態。電致變色能力為裝置或材料藉由改變光學特性，諸如色彩或著色程度來對外加電位之變化作出回應之能力。 作為實例，層或裝置可藉由破壞或抑制以下各項來失活：(1)裝置之機械特性，(2)裝置之離子及/或導電性，或(3)裝置之電致變色功能。 電致變色裝置中將施加匯流條之區域之機械特性可藉由實體地阻止電致變色裝置之該區域發揮作用來劣化或破壞。機械方法之實例包括施加壓力或研磨該區域。在此種機制中，破壞了電致變色裝置中匯流條下方之結構。若匯流條下方底部TCO上之區域被機械地降解，則甚至在銀自頂部匯流條朝向底部TCO遷移之情況下，皆不會形成短路。在一些實施例中，局部執行機械降解，使得壓力施加在垂直於裝置層之方向上或者藉由剪切動作或研磨來施加壓力以使該裝置在局部區域中失活。在一些實施例中，頂部TCO之特性可被定製為適於機械應力，亦即，在下伏層破裂或以其他方式降解時，該頂部TCO卻不會如此。實例可包括使用熱解FTO，其遠遠硬於下伏電致變色裝置；或極富柔性之頂部TCO，同時下伏EC堆疊保持脆性或壓縮性。在其他實施例中，機械降解藉由由上部TCO下方之裝置層選擇性吸收光能或熱能來執行。例如，裝置層可吸收特定波長之雷射或其他能量，及/或此種能量可有選擇性地聚焦在下伏層中之一或多個中而不會聚焦在頂部TCO中。在一些實施中，機械降解藉由在不使上部TCO降解之情況下有選擇性地加熱EC堆疊層來執行，該上部TCO應被保留以便將電位及電流自上部匯流條傳遞至裝置之整個表面。 在一個實施例中，在裝置之局部區域中施加或誘發交流電以使匯流條下方之裝置失活。電感耦合可有選擇性地用在裝置之區域中。例如，TCO可電感地耦合來接收交流電且在該區域中提供加熱以使其間之EC堆疊失活。可在局部區域中施加磁場來加強電感效應。可使用探針在塗層所處之基板之一側或兩側上接近該塗層來局部/有選擇性地實現電感耦合。此可以高生產率方式來完成。 各種機制可能會限制或降低電致變色裝置中將施加匯流條之區域之離子及/或導電性。在一些實施例中，導電性可藉由以下方式來抑制：使導電材料，諸如底部TCO材料發生化學反應，以產生對電致變色裝置下毒之足夠高電阻之材料。用於使導電材料化學改性之機制及材料之實例包括氧化、鹵化、臭氧化、水合作用(施加水，例如蒸汽，視情況之後將該區域脫水(乾燥)以去除不想要或過量之濕氣)及其類似者。例如，電致變色裝置可藉由將TCO中之氟置換成氧來局部地失活。在另一實例中，不同鹵化物，諸如氯化物、溴化物或碘化物可用於置換基於氟化錫之TCO中之氟化物。氟之置換可藉由沈積含氧層，諸如氧化鈦層來執行，該含氧層用作氧源以在熱激活時擴散至TCO中，從而使電致變色裝置上之位置局部失活。除了氟化物之外的鹵化(或為了滅殺活性而過度氟化)可在適當之條件下用為鹵化物源之鹵素氣體或化合物(例如，光氣為強大之氯化劑)來執行。在一些實施例中，玻璃對TCO界面處之高氧含量層可處理來使電致變色裝置上之位置局部失活。在一些實施例中，在底部TCO中提供高濃度氧以藉由抑制其導電性而對底部TCO下毒。藉由高氧(或其他污染物或氧源，諸如高氯酸鹽、臭氧、磷酸鹽、磺酸鹽及其類似者)濃度而(在頂部匯流條下方)進行之局部下毒可藉由以下方式來執行：自EC堆疊以外之來源—通常係在後圖案化期間—或者自EC堆疊內傳遞氧，之後進行局部激活以增加頂部匯流條下方之氧濃度。可採用各種氧源或供體。在一些實施例中，氧藉由下伏基板自身或塗佈期間形成之某個層來提供。在一個實例中，底部TCO包括氟化氧化錫材料，該材料在後處理期間在熱處理之後局部地改變以增加電致變色裝置之區域中之氧濃度，從而抑制導電性。氧源包括裝置自身之層(無論係藉由其天然組成提供，還是藉由經由在沈積期間提供過量氧而產生之富氧形式來提供)、匯流條材料或其他來源。 氧可藉由各種機制來降低導電性。在一種情況下，氧在下部TCO上或在其內形成鈍化層。在一些實施例中，鈍化層可處於電致變色裝置之不同層上。鈍化層可藉由TCO材料與某種外部材料，諸如匯流條材料之間的反應來產生。在一些情況下，TCO導電性藉由由改變基板溫度或其他過程所引起之內部化學或形態修改(例如，結晶度降低或晶界變多)來降低。 高濃度氧藉由降低導電性來使底部TCO失活之實施例可結合如下所述之局部後處理方法來實踐。例如，在製造之電致變色裝置之處理期間，藉由執行下文描述之局部後處理方法來將高濃度氧提供在已施加或將施加匯流條之位置中。 在各種實施例中，諸如氧及鈉之「毒物」的來源來自EC堆疊內之一些層及/或基板自身。例如，EC堆疊中使用之WB層為超化學計量的，其中化學式為約WO3.3 。在不受特定理論束縛之情況下，咸信過量氧存在於結構內且不限於W原子。有可能使用雷射器來「激活」此過量氧以在局部部分中對電致變色裝置下毒，使得將施加頂部匯流條之區下之電致變色裝置具有約WO2.8 至低於約WO3 之組成。類似之過程可用於改變鈉或存在於納鈣玻璃基板中之其他鹼金屬之化學計量以使底部TCO失活或降低其導電性。 電致變色裝置之區域之電致變色活性可藉由以下方式來抑制或消除：使EC堆疊之氧化鎢基質中之間隙氧反應來產生氧化鎢之富氧形式，該富氧形式不具有電致變色活性且由此使電致變色裝置失活。例如，電致變色氧化鎢可具有亞化學計量式WO2.8 ，而WO3 為非電致變色的。此種反應可結合後處理來執行，使得電致變色裝置中將施加頂部匯流條之位置暴露於過量氧且局部受熱。在一些實施例中，該區域中之電致變色裝置之局部加熱足以將該區域中之電致變色氧化鎢轉換成非電致變色WO3 ，以抑制或消除電致變色活性，而不需要將裝置暴露於過量氧。 在一些實施例中，在該位置中改變或修改電致變色裝置之一或多個層之鋰化，從而抑制電致變色裝置之導電性。例如，可消耗鋰來使匯流條下方之區域失活，或者可在後圖案化期間，在一個位置中形成結構，使得該結構無法支援鋰傳輸，諸如藉由該區域中之局部化學改性而形成之較厚之IC層。 失活方法 此部分描述使電致變色裝置在頂部匯流條下方局部失活之方法。此等方法可引起上文描述之結果(例如，機械破壞、降低TCO導電性、或失去電致變色功能)中之任一或多個。在各種實施例中，失活方法在塗佈來形成電致變色裝置期間及/或在後塗佈處理期間完成。圖 3 為展示電致變色裝置之製造方法之流程圖，其中該方法包括使頂部匯流條下方之區域失活。在操作302 中，在玻璃基板上沈積第一TCO層或底部TCO。在一些實施例中，提供了已沈積底部TCO層之基板。例如，浮動玻璃有時具備氟化氧化錫薄層，有時稱為FTO層。在操作304 中，將EC堆疊沈積在底部TCO層上。EC堆疊可包括如上文相對於圖 1A 至圖 1C 所描述之層。可採用堆疊製造製程之變化，諸如在2013年2月8日申請之美國專利申請案第13/763,505號中所描述，該專利申請案以引用方式整體併入本文中。在操作308 中，可將第二TCO層或頂部TCO沈積在EC堆疊上。執行操作302 、304 及308 形成了電致變色裝置，且此類塗佈可在單一設備中執行。 在一些實施例中，在操作302 、304 或兩者期間，可將材料傳遞至部分製造之電致變色裝置，此可在後續操作，例如後圖案化操作中實現局部失活之前敏化該等層。另外或替代地，可處理部分製造之電致變色裝置來敏化一或多個層。不管敏化模式如何，通常皆會處理裝置之整個表面，因為敏化通常發生於電致變色裝置製造設備，其中大部分基板藉由濺鍍或其他製程來塗佈。術語「敏化」通常用於描述以下過程：在局部施加刺激，諸如將化學品或其他材料傳遞至電致變色裝置，施加輻射或熱量，雷射能，及施加力之後，使電致變色裝置之一些或全部在後處理期間易於失活。在一些實施中，敏化操作在塗佈操作期間執行，此可塗佈基板上之所有或幾乎所有區域。在此類實施中，敏化操作可能會影響電致變色裝置中靠近匯流條之區以外之區，其中會發生後處理修改。後處理可使敏化之電致變色裝置僅在匯流條下方之區中失活或以其他方式修改該敏化之電致變色裝置。因此，敏化表示兩階段過程中之一個階段，在該兩階段過程中，整體發生敏化，且局部後處理失活步驟將敏化之裝置轉換為局部失活之裝置。敏化過程之實例包括沈積含毒物前驅物或封裝毒物之層；將該區域暴露於氧化劑、還原劑、鹵化物、水蒸氣或者其他液體或氣體材料以使該區失活或準備該區域以便使其失活；將該區域暴露於電磁輻射、雷射、微波及其類似者(亦可使用超聲或特超聲能量)；及其組合。 操作378a 及378b 有時稱為後圖案化過程。在一些實施例中，操作378a 可在操作378b 之前或之後執行。在操作378a 中，使電致變色裝置之一或多個位置局部失活。取決於失活機制，此種局部失活在敏化或未敏化之電致變色裝置上執行。在許多實施例中，操作378a 包括對將施加、正施加或已施加頂部匯流條之裝置區域進行處理。在一些實施例中，局部失活處理作為正常電致變色裝置製造之一部分執行。實例處理包括加熱、施加輻射、機械處理、化學處理或其任何組合。在操作378b 中，將匯流條施加在一或多個位置中。將頂部匯流條施加在操作378a 中局部失活之位置中，從而形成具有匯流條之裝置，其中該裝置在頂部匯流條下方失活。在一些實施例中，操作378a 及378b 作為單一操作一起執行。換言之，在378b 中形成頂部匯流條使378a 中之下伏裝置失活。此種雙重目的操作之一個實例涉及將匯流條作為含有一種材料之液體施加，該材料擴散或流動至下伏電致變色裝置且在彼處使該裝置局部失活。在另一實例中，用會使下伏電致變色裝置局部失活之機械壓力施加匯流條。機械壓力可能伴隨加熱或另外施加電磁輻射及/或施加如所描述之一種或多種毒劑。 用於在操作378a 中使電致變色裝置失活之局部加熱方法可包括使電致變色裝置之區域與以下各項接觸(1)雷射輻照或另一種聚焦之非相干輻射(諸如，UV、可見光、或IR源)，(2)固體加熱元件，或(3)閃光燈退火(FLA)。在閃光燈退火中，高頻Xe燈可例如使膜在幾微秒內退火，其在習知方法中原本可能要花費幾分鐘。一個優點為閃光燈退火局部加熱膜堆疊，而不會加熱基板。此等方法可在施加頂部匯流條之前、期間或之後執行。局部加熱方法可使用熱能來使電致變色裝置失活。此種加熱可使受熱之區域具有更大電阻，從而降低或消除電致變色裝置之該區域中形成短路之可能性。例如，可將基板之區域加熱至高溫，諸如超過約200℃或超過約600℃。 用於加熱電致變色裝置之合適設備可為雷射劃線工具。雷射劃線之實例可參見以下各項：於2009年12月22日申請之標題為「FABRICATION OF LOW DEFECTIVITY ELECTROCHROMIC DEVICES」之美國專利申請案第12/645,111號；於2012年4月25日申請之標題為「ELECTROCHROMIC WINDOW FABRICATION METHODS」之美國專利申請案第13/456,056號；及於2012年12月10申請之標題為「THIN-FILM DEVICES AND FABRICATION」之PCT專利申請案第PCT/US2012/068817號，該等申請案以引用方式整體併入本文中。亦可使用閃光燈、紅外加熱器、石英燈、感應線圈、微波產生器、紫外燈及其類似者。 在實施雷射模式時，各種元件係相關的。首先，雷射工具與掃描儀之間可能存在差異。掃描儀通常為雷射工具之部分。掃描儀可根據提供給掃描儀之模式來發光及引導雷射束。掃描儀自身並不會意識到其在給定時間相對於工件之位置。程式碼通常用於提供指令，該等指令引導雷射工具來相對於工件定位掃描儀。在各種實施例中，此種程式碼用於在已執行模式之後使掃描儀重新定位，且引導掃描儀來進行下一個模式，從而確保掃描儀在工件之正確部分處執行下一個模式。掃描儀接收限定一或多個模式之指令(通常呈程式碼之形式)，掃描儀將使用該指令來根據該一或多個模式而發光並引導雷射束。雷射工具接收詳細說明相對於工件在何處定位掃描儀之指令。此等指令可含有有關各個製程/部件之定時及定位之資訊。 用於雷射劃線製程之一或多個雷射器通常(但不一定)為脈衝型雷射器，例如二極體泵浦之固態雷射器。例如，雷射劃線製程可使用合適之雷射器來執行。可提供合適之雷射器之供應商之一些實例包括IPG Photonics公司(Oxford，Massachusetts)；Ekspla (Vilnius，Lithuania)；TRUMPF公司(Farmington，Connecticut)；SPI Lasers LLC (Santa Clara，California)；Spectra-Physics公司(Santa Clara，California)；nLIGHT公司(Vancouver，Washington)；及Fianium公司(Eugene，Oregon)。 例示性電磁輻射包括UV、雷射及其類似者。雷射波長可變化，諸如自約532 nm變化至約10 µm，或自約1064 nm變化至約10 µm。用於加熱之波長不同於去除基板上之材料時使用之波長。雷射輻照使用例如光纖或開放光路來傳遞至基板。加熱可自基板側或EC膜側執行，此取決於基板處置設備及組態參數之選擇。加熱膜所需之能量密度可藉由使雷射束穿過光學透鏡來實現。透鏡根據所希望之形狀及尺寸來聚焦雷射束以加熱基板上之特定區。在一個實施例中，使用「平頂」光束組態，其例如具有介於約0.005 mm2 至約2 mm2 之聚焦面積。在一個實施例中，光束之聚焦水平用於實現所需之能量密度以加熱EC膜堆疊。在一個實施例中，加熱中使用之能量密度為介於約2 J/cm2 與約6 J/cm2 之間。 在一些實施例中，基板可在電致變色裝置上，通常為頂部匯流條下方之一或多個位置中接收局部輻照，使得光能使電致變色裝置失活。局部輻照可由具有適當之波長之雷射器，諸如UV、可見光或IR雷射器來傳遞。非雷射源諸如白熾燈或弧光燈可與聚焦元件一起採用來將輻射傳遞至裝置之精確位置上。在另一實例中，在後圖案化期間使用正或負遮罩，之後藉由雷射器或UV源來對暴露區域進行輻照。暴露區域可為將施加匯流條之位置，或不會施加匯流條(例如，電致變色裝置將有活性)之位置。在局部暴露於輻射之後可發生各種失活機制。在一個實例中，UV輻射分解存在於電致變色裝置中之交聯聚合物及/或使負責裝置中之電致變色活性之發色團失活或破壞該等發色團。 用於使電致變色裝置局部失活之另一種技術涉及對電致變色裝置上之一或多個位置進行化學後處理。可在後處理期間局部地傳遞化學品，或者在塗佈設備中進行電致變色裝置製造期間整體地傳遞該化學品(作為前驅物或所含有之材料)。在一些實施例中，化學後處理包括使用在接觸EC堆疊或底部TCO時會使接觸區域失活之材料來施加匯流條。在一些實施例中，化學品可經由除了匯流條之外的媒介物來傳遞。實例包括直接經由噴灑液體來施加化學品；絲網印刷；氣泡噴射印刷；經由局部噴嘴或歧管或增壓室來施加例如與電致變色裝置塗層接觸並形成臨時封閉體積之氣態化學品。封閉體積填充有氣態化學品，且之後在實現適當之暴露之後將其抽空或沖洗。在此之後或為了排出該體積，可將歧管或增壓室自該裝置移開。在一些實施例中，後處理在包括在電致變色裝置塗佈期間，諸如在操作302 或304 中整體沈積之材料之堆疊上執行。例如，沈積基於鈉之糊料，且隨後在將沈積匯流條之區域中處理該糊料，以使鈉與裝置之該區域接觸並使其失活。後沈積化學毒物之其他實例包括鹵化劑、硫酸鹽、氧化物、過氧化物、磷酸鹽、水、硫化物、氫氧化物、胺、肼、氨、酸及鹼。已知，氧化鎢在與水基材料水合或以其他方式與之反應時會大幅膨脹，由此在藉由此種手段來實現失活之實施例中，應謹慎考慮施加之材料之化學計量。例如，若使用水蒸氣，則傳遞機制係精確的，否則膨脹不僅會破壞電致變色裝置活性，而且會破壞頂部TCO。在一些實施中，用雷射局部處理整體敏化裝置，以釋放化學品或將其前驅物轉換成「毒物」。此等「毒物」方法在一些實施中可如上所述抑制電致變色裝置之導電性。 在一些實施中，上文描述之後處理及/或塗佈方法之組合可用於使電致變色裝置之區域失活。例如，在塗佈電致變色裝置之前或在此期間，可整體施加化學「毒物」或前驅物，而在塗佈之後且在施加匯流條之前，可在匯流條之位置處有選擇性地施加熱後處理。在此實例中，加熱與化學下毒之組合用於使裝置失活。 失活說明1 電致變色裝置可藉由在沈積層時使底部TCO或EC堆疊之另一層暴露於化學「毒物」，諸如氧氣來製造。例如，敏化之底部TCO可藉由以下方式來製造：使玻璃基板暴露於反應劑以便形成氟化氧化錫或氧化銦錫，同時使基板間歇性地暴露於例如多個劑量之過量氧或臭氧。在後圖案化期間，可將共同刺激，諸如藉由雷射輻照產生之熱量施加至一或多個位置以使電致變色裝置在該一或多個位置中失活。在此實例中，電致變色裝置之區域中既存在高濃度氧，亦被加熱之組合使該裝置失活。儘管在製造(塗佈)期間可能已將氧劑量整體施加至整個電致變色裝置，但僅使施加共同刺激之區域失活。 失活說明2 將玻璃基板提供至處理設備，在其中將底部TCO沈積在玻璃基板上。在一些實施例中，底部TCO材料為氟化氧化錫或氧化銦錫。在沈積底部TCO之後，可將底部TCO暴露於鈉化合物以敏化基板之表面。隨後，在含鈉層上製造EC堆疊。例如，可在含鈉層上形成氧化鎢。之後沈積頂部TCO以形成電致變色裝置。在後圖案化期間，用雷射將裝置加熱至高達例如800℃之溫度來使將施加匯流條之區域局部失活，使鈉化合物活化，從而對氟化氧化錫下毒且使該區域失活。在一些實例中，將該區域暴露於雷射亦可能會滲透鈉擴散障壁層以進一步對氟化氧化錫下毒。使用局部熱量來設定條件，使得來自玻璃基板之鈉之量可滲透玻璃基板與第一TCO之間的障壁層而進入至電致變色裝置中以使該電致變色裝置失活。 失活說明3 電致變色裝置可藉由在沈積層時使底部TCO或EC堆疊之另一層暴露於光或熱源，諸如雷射或UV來製造。例如，敏化之底部TCO可藉由以下方式來製造：使玻璃基板暴露於反應劑以便形成氟化氧化錫，同時使基板間歇性地暴露於多個劑量之UV暴露。在製造電致變色裝置之其餘部分之後，可將電致變色裝置上之一或多個位置判定為將施加匯流條之位置。在後圖案化期間，之後可將共同刺激，諸如化學毒物施加至一或多個位置以使電致變色裝置在該一或多個位置中失活。 失活說明4 可照常例如在不預圖案化之情況下在大玻璃片材上製造電致變色裝置塗層。可在相同設施處對塗佈電致變色裝置之玻璃進行後處理，或將其運輸至另一設施以供後處理。在自大片材切割電致變色窗片之前或之後，頂部TCO下方之塗層中之一或多個層藉由將電磁輻射選擇性施加至將要施加頂部匯流條之區域來失活。例如，雷射輻照有選擇性地使一或多個下伏層在所選擇區域中失活。後處理亦可包括雷射邊緣去除、(下部)匯流條焊盤暴露及雷射隔離劃線(若准許)——此等進一步後處理步驟個別或共同可在自母片切割窗片之前或之後執行。 在匯流條下方激活裝置 此部分描述用於製造電致變色裝置之方法，該方法無需使電致變色裝置在頂部匯流條下方失活即可減少頂部匯流條與底部TCO之間的局部短路。亦描述相關聯之裝置。在此等方法中，頂部匯流條下方之裝置區域可經受著色，而不會產生上文描述之問題光暈。減少短路之操作可採用來防止短路之形成及/或消除或減少已經存在之短路之負面作用。在各種實施例中，該方法可在先塗佈後切割程序中執行，因此製造之一些或全部在採取指定匯流條位置所需之步驟之前執行。因此，在塗佈之後，在後圖案化階段期間可首先限定匯流條位置。該處理提供了將匯流條定位在任何窗戶上及將其定位在給定裝置內之任何位置處(包括在裝置之可視或內部區，諸如窗戶中間區中)之靈活性。圖 4A 展示匯流條1置放在窗戶單元400 之可視區之內部中之電致變色裝置之頂視圖之實例。匯流條1在裝置之內部區中施加在頂部TCO層475 上，且匯流條2施加在底部TCO440 上。在一些實施例中，可能希望將匯流條置放在窗戶之內部區中以促進更快速、更有效及/或更均勻之光學切換。在匯流條置放在內部區中之情況下，匯流條可能較佳地係透明的及/或極薄的，諸如寬度為約0.5 mm至約2 mm，厚度以微米計算。在一些實施例中，匯流條可為透明的。透明匯流條在2014年12月24日申請之標題為「OBSCURING BUS BARS IN ELECTROCHROMIC GLASS STRUCTURES」之PCT國際專利申請案第PCT/US2014/72362號中進一步有所描述，該專利申請案以引用方式整體併入本文中。匯流條可置放在自隔片下方視線以外之位置至電致變色窗戶之可視或內部區之任何位置處。 電致變色裝置在頂部匯流條下方著色之減少短路之方法可藉由以下至少三種類別過程中之任一項或多項來完成：(1)修改頂部匯流條之沈積以降低電遷移或其他短路形成機制之實體傾向；(2)在形成短路時修復該短路，或在形成短路之後不久修復該短路，或如本文所述之「自修復」技術；及(3)填充或阻斷頂部TCO中原本將變為用來形成短路之路徑之裂隙。應注意，除了頂部TCO中之裂隙之外，導電匯流條材料亦可能會藉由凹陷，或EC膜堆疊中例如由基板上之外來微粒引起之缺失片段來接觸底部TCO。此等外來微粒可在塗佈製程期間落在基板上或併入至該基板中。 匯流條設計及施加 此部分呈現了減少或消除因電遷移或相關現象所致之短路之匯流條設計之實例，在該相關現象中，來自匯流條之導電材料離開匯流條且穿過上部TCO而最終接觸下部TCO。圖 2 及相關聯之描述中說明了該問題。合適之設計之實例包括以下此種設計：匯流條材料在正常操作期間不容易電遷移；匯流條導電材料提供在防止其進入下伏TCO或EC堆疊之缺陷或裂隙之媒介物或基板中；及/或匯流條具有足夠之黏性性質以致於實質上為固態的，從而使得該匯流條無法填充匯流條之區中之裂隙或凹陷。在如本文所述般修改匯流條結構之實施例中，針孔或裂隙可能仍然存在於頂部TCO中，但匯流條材料並不會移至頂部TCO之針孔或裂隙中，由此減少短路之形成。圖 4B 為可採用來製造具有改型之頂部匯流條之電致變色裝置之一般操作之流程圖。在操作402 中，首先將底部TCO沈積在基板上。在操作404 中，將EC堆疊沈積在底部TCO上。在操作408 中，將第二或頂部TCO沈積在EC堆疊上。應注意，此等操作可使用用於沈積TCO及EC堆疊材料，從而形成如本文中及以引用方式併入之檔案中所描述之電致變色裝置之任何技術來執行。在操作478 中，將匯流條(或在某些實施例中為多個匯流條)施加在電致變色裝置上之一個位置上。此在後圖案化階段期間進行。操作478 為此部分之焦點；此表現出與習知匯流條設計及製造方法之不同。 習知地，匯流條提供為在電致變色裝置表面上乾燥或硬化之墨水或液體介質。在施加期間，液體可藉由裂隙或缺陷而透入至下伏裝置中，隨之攜帶了導電材料。為了解決此問題，可在製造期間使用「非液體」匯流條材料。非液體匯流條之概念包括各種不可移動之匯流條材料，包括固體、凝膠、高黏性液體、玻璃及其類似者。此種不可移動之匯流條中之材料實質上不會流到頂部TCO上之任何裂隙中；換言之，即使有，該材料亦極少形成短路。 黏性液體可為例如含聚合物之銀墨。可採用乾燥處理、燒結及其類似者，其中粉末或其他固相匯流條材料附連至頂部TCO層。乾燥處理技術可採用導電匯流條材料及黏合劑，諸如類似於PVDF及類似材料之聚合物材料之固體混合物。在一些實施中，固體頂部匯流條藉由以下方式來施加至頂部TCO：黏附，來自覆蓋結構諸如隔片之壓力，擴散結合，焊料結合，環氧樹脂，高起始接觸壓力下之冷金屬流，或另一種技術。在一些實施例中，固體匯流條為導線或導電條或箔片，其可藉由來自覆蓋結構之壓力或藉由黏附至頂部TCO而保持在適當之位置。在一些實施例中，不可移動之匯流條材料用於頂部匯流條及底部匯流條兩者，而在一些實施例中，用於頂部匯流條與底部匯流條之材料係不同的。 在某些實施例中，沈積在電致變色裝置上之底部匯流條材料包括實體地防止導電材料透入至裝置中之介質、載體或形式。底部匯流條材料為沈積在頂部TCO上之多層匯流條之子層。在一些實施例中，在頂部TCO上施加匯流條材料之前，將防止導電材料透入至裝置中之材料沈積在頂部TCO上。在一些實施例中，防止導電材料透入至裝置中之材料為施加在頂部TCO上之匯流條材料。此類材料之實例包括：包括石墨及石墨烯之碳材料、氧化鈦、氧化錫、氧化鋅、氧化鋁、氮化鋁、氮化鈦、氮化鉭、鉻、氮化物、SiOx Ny 化合物及其組合。此等材料可在導電材料(例如，銀)上，或者若導電則在頂部TCO與匯流條之間沈積為擴散障壁層。亦即，將導電擴散障壁層材料施加至所選擇之區域，之後將匯流條施加至導電擴散障壁層。含有阻斷介質之匯流條之實例包括導電膠帶，該導電膠帶黏附至裝置且防止導電材料在電致變色裝置之循環或操作期間移至該裝置中。實例匯流條之寬度可為介於約0.5 mm至約4 mm之間，或介於約0.5 mm與約5 mm之間。匯流條之寬度可為約100微米。在一些實施例中，匯流條可具有達約144吋之長度。 在另一種方法中，導電匯流條材料可具有有限之電遷移傾向。此類材料之實例包括銅、鈀、金、鎳、鐵、錫、石墨、石墨烯、銦、鋁、鋅、其他化合物及此等材料之混合物。在一些實施例中，匯流條可用電遷移抑制劑處理。一個非限制性實例可為用磷處理銅匯流條以抑制電遷移，且從而減少短路之形成。在另一實例中，使用匯流條之塑性預應變來將內部空隙及/或位錯引入匯流條材料中。已發現，此類空隙及/或位錯用作遷移物質之內部儲存器，且因此有效地抑制此類物質在某些焊料，例如SnBi焊料中之電遷移。 在一些實例中，頂部匯流條及底部匯流條中之一個或兩者為非滲透性匯流條。滲透匯流條為通常被壓入、焊接或燒結(例如，玻璃料匯流條)穿過一或多個層而與下部導體(例如，位於EC堆疊底部或其一或多個層下方之TCO)接觸之匯流條。非滲透性匯流條為不透入至層中，而在導電層(例如，TCO)之表面上形成電接觸及實體接觸之匯流條。為非滲透或滲透性之固體或黏性匯流條可能會阻止或減少因匯流條材料之形式而帶來之減少。 自修複方法 此部分描述用於「修復」電致變色裝置中之小短路之程序及材料。在裝置製造期間或在此之後不久發生之短路可能會在塗佈製程期間及/或頂部匯流條施加期間出現。修復藉由以下方式來進行：將刺激施加至電致變色裝置以引起「修復」原本將形成短路之實體條件之轉變。轉變可發生在頂部TCO及/或電致變色裝置中之一或多個其他層中；其可能會使構成短路之導電材料或導電材料周圍之材料發生轉變。轉變之實例包括熔化或融合、氧化或還原、或以其他方式化學降解；機械地切割或以其他方式進行結構降解；在一些情況下，每一種施加至導電材料及周圍材料中之任一者或兩者。另一實例包括藉由暴露於輻射，諸如電子束、x射線、雷射、或其他輻射來使晶格中之雜質活化。修復機制可利用熱、電、化學、輻射等刺激。刺激可為例如交流電、熱量、雷射輻照及其類似者。用於電致變色裝置之交流電在2008年12月16日申請之標題為「METHOD FOR REMEDYING SHORT CIRCUITS IN ELECTROCHROMIC DEVICES」之美國專利申請案第12/336,466號中進一步有所描述，該專利申請案以引用方式整體併入本文。 對於上下文，圖 5 展示用於製造具有匯流條之電致變色裝置之操作之處理流程，在該電致變色裝置中，頂部匯流條下方之區域中之短路實現了修復。在操作502 中，首先將第一或底部TCO沈積在玻璃基板上。在操作504 中，將EC堆疊沈積在底部TCO上。在操作508 中，將第二或頂部TCO沈積在EC堆疊上。操作502 、504 及508 形成電致變色裝置。在一些實施例中，底部TCO、頂部TCO、EC堆疊或其組合含有自修復特徵。例如，底部TCO或頂部TCO或兩者可含有特徵，使得該層在匯流條材料透入至其中時自行修復。在操作578 中，可在後圖案化期間將匯流條沈積在電致變色裝置上之一或多個位置上。 如所解釋，匯流條導電材料諸如銀墨可透入至頂部TCO上之凹陷，諸如缺陷中。材料可藉由電遷移、毛細作用、壓力驅動流、重力或另一種機制來滲透。由此，在頂部匯流條下方之區中在頂部TCO與底部TCO之間有效地產生了小短路。在一些自修複方法中，短路藉由以下方式來「修復」：藉由施加刺激來將短路內之導電匯流條材料轉變為不導電或其他失活狀態。電致變色裝置中相對不導電之區可包括小修復短路或具有不導電材料之其他小的區，但該區可能仍然會回應於外加電位而著色。電致變色裝置中實質上非導電或實質上不導電之區會抵制導電，且可能不支援電致變色活性及/或可能不支援不利之短路(例如，產生光暈或顯著增加洩漏電流之短路)。實質上不導電之區可為電致變色裝置中在施加電位之後不著色之區。此種刺激或事件可包括與導電匯流條材料實體接觸、短路中之高電流密度、高溫或另一種條件。在一些自修複方法中，短路藉由以下方式來「修復」：使短路中之導電材料周圍之材料發生轉變，使得該短路不再導通。下文提供了用於防止或減少短路之自修複方法之實例。 自修復機制可藉由使短路失活之化學反應來進行。修復可包括使短路之導電材料或周圍材料與一種或多種化學品接觸。在各種實施中，底部TCO在與缺陷中之匯流條材料接觸之後修復短路。亦即，一旦匯流條材料因電遷移或另一種機制而抵達並接觸底部TCO，底部TCO即可藉由將匯流條材料轉換為導電性較差之材料或以其他方式使匯流條材料失活來「修復」該短路。例如，經由短路傳遞之電能提供刺激，例如經由短路中之電阻加熱來進行自修復。在各種實施例中，由於透入至底部TCO中之匯流條材料佔據小之區域(例如，直徑量級為約5 µm至約100um或更小)，底部TCO之小失活部分對於觀察裝置之某人而言看起來可能係不可視的，特別是在頂部匯流條不透明或部分不透明之情況下。 驅動修復之化學反應之實例包括將匯流條之導電材料轉換成絕緣材料之化學反應。此等反應可使用熱量、UV、雷射、閃光燈退火、短路自身當中流動之電能，例如經由電阻加熱等來催化。實例包括將銀轉換成導電性較差之氯化物或硝酸鹽。例如，匯流條可由銀製成，其中該匯流條中存在鹵素或硝化物。在電致變色裝置之正常操作期間，匯流條材料不會經歷電短路中所經歷之位準之電流峰。因此，若因銀顆粒電遷移至裝置中之裂隙中並因此跨越TCO而形成電短路，則短路中流動之電流將提供足夠之能量(例如熱量)來將銀轉換成鹵化物或硝酸鹽，該鹵化物或硝酸鹽之導電性較差，且因此短路會自身消失，亦即，自修復。此完全不同於要求用雷射消融切割掉/電隔離此類短路之常識。在各種實施例中，選擇具有潛在化學反應性之匯流條材料，其中用於化學反應之驅動力由短路有選擇性地施加。化學反應劑可為單獨的，諸如導電顆粒及匯流條材料中之共反應劑，或者例如導電顆粒可用其上化學地結合之潛在之共反應劑來化學改性。當發生短路時，導電顆粒在某種意義上自反應、自毀滅，因為其會失去或削弱其先前之導電性特性。因此，在該等導電材料在整個電致變色裝置上形成短路的情況下，發生之化學反應確切地被設計來破壞或抑制材料之導電性。 在一些實施例中，可在頂部匯流條下方之短路經歷高電流密度時刺激自修復機制，此會熔化短路中之導電材料、使其破裂、或以其他方式降解該導電材料。此種失活可產生不導電之匯流條材料，該不導電之匯流條材料並不參與短路且因此減少了電致變色裝置上光暈之存在。在一些實施中，當自頂部匯流條流出適度電流時，短路會自然地經歷適當高之電流密度。例如，由於頂部匯流條與頂部匯流條位置正下方之底部TCO之位置之間的距離為頂部匯流條與不為頂部TCO之另一種導電材料之間的最短距離，頂部匯流條下方之區域中之小短路會經歷特別高之電流密度。在短路具有小直徑時尤其如此。可為頂部匯流條選擇材料，使得若或在來自頂部匯流條之材料經歷高電流密度時，使匯流條材料失活。此類材料之實例包括具有足夠電阻之材料，諸如基於聚合物之導體。基於聚合物之導體之電阻可隨高局部電流密度而增大，從而用於使高局部電流密度下方之導電路徑失活。 在一些實施例中，自修復機制藉由高溫來觸發，該高溫可藉由各種機制來誘發，包括使匯流條區接觸或局部暴露於加熱元件；將裝置放在烘箱中或其他高溫環境中；用裝置或其一部分所吸收之輻射來輻照匯流條之區；使電流經過短路及其類似者。作為實例，使電流經過頂部匯流條下方會電阻地加熱短路或其周圍之區。高溫可能會引起短路中之導電材料熔化、破裂、發生化學反應來產生不導電之材料等。在某些實施例中，採用來修復短路之局部溫度處於介於約50℃與約500℃之間，或介於約100℃與350℃之間的範圍。 在許多自修複方法中，來自匯流條之導電材料透入至電致變色裝置中匯流條下方之活性層中，但不會形成光暈。在一些實施例中，自修複方法可涉及沈積特定類型之匯流條材料；或沈積匯流條及電致變色裝置層之特定組合(諸如，特定匯流條及特定底部TCO)；或處理匯流條或電致變色裝置；或其組合。例如，自修複方法可藉由沈積在遷移至底部TCO中之後因與底部TCO化學反應而變得不導電之匯流條材料來執行。在另一實例中，自修複方法可藉由以下方式來使用：製造電致變色裝置，施加匯流條，且處理匯流條，使得處理過之匯流條會在與底部TCO接觸時，或在高電流密度及/或高溫下修復。在一些實施例中，自修複方法可涉及將額外材料併入至匯流條中，或將材料併入至頂部TCO中，使得在匯流條材料遷移穿過頂部TCO時，該材料形成不導電之化合物。在一些實施例中，修復並不會中斷短路，而是使短路周圍之電致變色材料或電致變色裝置之其他部件局部失活，使得在電流可能經過短路時，不會產生光暈。 透明導電層修改 頂部TCO層可在一些實施例中修復或加強來防止或減少短路之形成。如所解釋，所沈積之頂部TCO層中之裂隙或其他缺陷會變為匯流條導電材料遷移穿過其中並因此在電致變色裝置中形成短路之潛在路徑。在此部分之實施例中，頂部TCO經修改來使得匯流條材料被阻止進入缺陷且實質上可能不會遷移穿過該等缺陷。實質上不會遷移之材料為不會顯著離開初始沈積位置之材料。實質上不會遷移之材料通常不會形成短路。在一些實施例中，顯著離開其初始位置之材料會產生短路及/或使鄰近材料降解。在此上下文中，遷移為組分中之原子之淨移動，而不僅僅為該組分內之離子或其他電荷載體之移動。遷移可藉由擴散、對流、電場及其類似者來驅動。圖 6 為用於製造具有改型之頂部TCO之電致變色裝置之操作之處理流程圖。在操作602 中，將第一或底部TCO沈積在玻璃基板上。在操作604 中，將EC堆疊沈積在底部TCO上。在操作608 中，將改型之第二或頂部TCO沈積在EC堆疊上。修改可在沈積頂部TCO之後執行，或者該修改可在TCO沈積製程期間執行。應注意，操作602 及604 可使用用於沈積TCO及EC堆疊材料，從而形成電致變色裝置之任何合適之技術來執行。在操作678 中，在後圖案化期間將匯流條施加在電致變色裝置上之一或多個位置上。 用於修復頂部TCO來消除缺陷之一種技術涉及使材料在頂部TCO中流動來封閉缺陷。此項技術中使用之材料可與TCO材料相同或不同。在一些實施中，TCO材料藉由以下方式來回流：暴露於輻射(例如，來自雷射器或UV燈之輻射)；或塗佈製程期間或之後產生之直接熱量；或閃光燈退火。在一些實施例中，TCO材料無需熱量，諸如藉由使用低溫環氧樹脂就可回流。該過程可完全或部分熔化TCO之頂表面。在某些實施例中，回流並不會引起TCO導電性變小，且在一些情況下，例如由於密封TCO中先前存在之空隙之緣故，其會產生導電性更高之TCO。 在一些實施例中，裂隙可藉由填充除了TCO材料之外的材料來修復。實例材料包括導電或不導電材料，諸如不導電之有機聚合物。材料可例如藉由絲網印刷、噴墨印刷(例如，氣泡噴墨)、噴霧及其類似者以或不以遮罩施加。在一些實施例中，材料作為溶膠凝膠施加。修復過程可涉及用修復材料塗佈頂部TCO來填充在裂隙中，之後去除過載或過量填充材料，從而僅留下裂隙中之材料。例如，過量材料可藉由以下方式來去除：機械刮除及/或研磨；拋光；及/或電漿蝕刻。在填充裂隙之後施加匯流條。儘管裂隙填充有絕緣材料且可能不會著色(亦即，其保持透明)，但此等孔洞處於小之區域中且因此對於使用者而言可能係不可視的。可在施加/將要施加匯流條之區域中整體或僅局部施加絕緣材料。 作為替代，在施加匯流條之前，可用絕緣或不導電材料覆蓋裂隙。在此類實施例中，裂隙或裂隙仍然存在，但匯流條材料因存在蓋層而無法透入至此等裂隙中。當此層為絕緣層時，裝置切換依賴於電容性耦合。例如，含氧化矽之薄層可沈積為蓋層。在其他實施例中，蓋層為導電的，但會阻斷匯流條導電材料之擴散及電遷移。在一些實施例中，蓋體為在塗佈EC堆疊之後形成之可流動之(視情況適形之)蓋體。蓋體亦可防止匯流條材料進入由缺陷引起之裂隙或凹陷，諸如在沈積EC堆疊之後，玻璃中之顆粒出現爆脫之情況；且蓋體在一些實施例中並不藉由實體氣相沈積來沈積。可回蝕或研磨或回拋蓋體以便於填充(覆蓋)裂隙之頂部，同時暴露TCO區域之其餘部分以使其直接接觸匯流條。 製造 電致變色裝置製造方法圖 7 描述用於製造有關光學電致變色裝置之絕緣玻璃單元(IGU)之處理流程700 之各態樣。匯流條、裝置邊緣及/或第一導體層之暴露部分可密封在IGU之初級密封件中。雙重電致變色裝置IGU在2010年8月5日申請且標題為「Multi-pane Electrochromic Windows」之美國專利申請案第12/851,514號(現為美國專利第8,270,059號)中有所描述，該專利申請案以引用方式整體併入本文中。一個實施例為如該申請案中所描述之多窗板窗戶，該多窗板窗戶具有如本文所述之一或多個電致變色裝置。一個實施例為本文描述之不包括光學裝置之失活部分之任何光學裝置。 在操作770 中，提供基板。在一些實施例中，此基板為玻璃基板。在一些實施例中，基板為回火或未回火浮動玻璃。基板可為薄之柔性低鈉玻璃。 就薄之柔性低鈉玻璃態樣描述處理流程700 。儘管不受此種方式之限制，但此等實施例特別適用於將濺鍍之無機電致變色裝置施加至柔性基板。由於柔性玻璃基板可能既為極低缺陷表面，亦為低鈉的，該等玻璃基板可成為在上面製造低缺陷電致變色裝置之極佳基板。實例柔性基板包括薄而耐用之玻璃材料，諸如可自Corning，Incorporated of Corning，New York商購之Gorilla® 玻璃(例如，厚度介於約0.5 mm與約2.0 mm之間)及WillowTM 玻璃。在一個實施例中，柔性基板之厚度小於0.3 mm；在另一實施例中，柔性基板之厚度小於0.2 mm；且在另一實施例中，柔性基板之厚度為約0.1 mm。在某些實施例中，薄之柔性低鈉基板之厚度可小於0.1 mm。 在某些實施例中，裝置製造操作之一些或全部在真空或其他受控環境條件下執行。例如，流水製造製程可涉及使基板穿過一系列互連腔室或站，每一個互連腔室或站與一個特定之製程操作相關聯且每一個互連腔室或站與真空系統或其他壓力控制系統相整合。在一些實施例中，整合式沈積系統包括基板固持器及傳輸機構，其可操作來將建築玻璃或其他基板在位於複數個沈積站時固持在垂直定向上。在一些情況下，整合式沈積系統包括用於使基板在外部環境與整合式沈積系統之間穿過之一或多個裝載鎖定室。在另一實施例中，該複數個沈積站包括用於沈積電致變色層、離子導電層、缺陷減少絕緣層及反電極層中之任一或多個之一或多個站。濺鍍或其他實體氣相沈積系統可用於沈積構成電致變色裝置之個別層中之任一或多個。濺鍍系統亦可用於將鋰沈積在裝置上。 參見操作702 至 708 ，在薄之柔性玻璃基板上製造電致變色裝置。本文描述用於製造電致變色裝置之例示性方法。像在本文描述之，但包括在薄之柔性基板上製造第一透明導體之處理流程700 中般在該柔性基板上製造電致變色裝置。一個實施例為如下所述製造電致變色裝置之方法。應注意，在一些實施例中，圖 3 、圖 4B 、圖 5 及圖 6 中之一些操作可在圖 7 之一些或全部操作期間執行。例如，操作302 、402 、502 及602 可在圖 7 中之操作702 中執行；操作304 、404 、504 及604 可在操作704 至 707 中執行；操作308 、408 、508 及608 可在操作708 中執行；且操作378a 、378b 、478 、578 及678 可在操作778 中執行。 本文描述之光學裝置之第一及第二導體層(例如，底部及頂部TCO)及一或多個材料層可全部為固態之及無機之。在某些實施例中，在柔性玻璃基板上面不具有預施加之透明導體之情況下，作為製造處理流程中之部分在操作702 中施加第一透明導體(第一TCO或底部TCO層)。若所提供之基板包括此層，則可能不需要執行該操作。 在操作702 中沈積之底部TCO包括氧化錫，例如，氟化氧化錫。底部TCO可藉由各種方法來沈積。在一些實施例中，底部TCO可根據如上文相對於圖 5 所描述之操作502 來沈積以形成自修復底部TCO。 不管如何形成底部TCO，皆可在操作704 至 707 中將EC堆疊沈積在底部TCO上。在操作704 中，在操作704 中將第一電致變色層沈積在該底部TCO上。在某些實施例中，第一電致變色層包括陰極電致變色材料。在其他實施例中，該第一電致變色層包括陽極電致變色材料。 在一些情況下，在沈積第一電致變色材料之前加熱基板。第一電致變色材料層通常藉由涉及在真空或其他受控壓力下進行實體或化學氣相沈積之製程來沈積。在典型實施例中，該製程涉及濺鍍靶材，該靶材含有電致變色層中所含有之元素。然而，在替代實施例中，電致變色層在環境壓力下藉由溶液相反應來沈積。 在一個實施中，第一電致變色層含有在兩個操作中沈積之陰極著色型電致變色材料，一個操作提供第一化學計量之基礎材料之子層，且另一操作提供第二化學計量之基礎材料之另一子層。作為實例，陰極著色型電致變色材料為氧化鎢，其具有標稱組成WOx 。第一沈積子層可具有氧化鎢組成，其中x值為約2.7至2.8，且第二沈積子層可具有氧化鎢組成，其中x為約2.85至3.5。在一個實例中，第一子層更厚；例如，該第一子層具有約400 nm之厚度，而第二子層具有約100 nm之厚度。 在沈積第一電致變色層之後，視情況如操作705 所指示般鋰化部分製造之裝置。鋰化操作涉及將鋰金屬或鋰離子傳遞至第一電致變色層中。鋰可藉由濺鍍或其他合適之製程來提供。鋰沈積及鋰沈積製程中使用之靶材之某些態樣在2012年4月20日申請(指定美國)之國際申請案第PCT/US2012/034556號及2012年6月14日申請(指定美國)之國際申請案第PCT/US2012/042514號中有所描述，該等申請案兩者均以引用方式整體併入本文中。 製造製程700 中之下一個操作涉及在操作706 中沈積第二電致變色層(上文大體描述之反電極層之實例)。如同第一電致變色層之沈積，此沈積過程可使用例如實體或化學氣相沈積來完成。若第一電致變色層含有陰極著色型電致變色材料，則第二電致變色層可含有陽極著色型電致變色材料。相反情況同樣成立。若第一電致變色層含有陽極著色型電致變色材料，則第二電致變色層可含有陰極著色型電致變色材料。在某些實施例中，第二電致變色層含有陽極著色型電致變色材料，諸如氧化鎳或鎢摻雜型氧化鎳(有時稱為NiWO)。在一些實例中，在鎢酸鎳充當第二電致變色層之情況下，該第二電致變色層被形成為具有介於約200與300 nm之間的厚度。在一些情況下，僅使用一個電致變色層。離子自非電致變色反電極穿梭至單一電致變色層中且穿梭離開該單一電致變色層而到達該非電致變色反電極。在圖7 之實例中，並未在第一電致變色層與第二電致變色層之間單獨沈積離子導電層。 在沈積第二電致變色層之後，如操作707 中所指示般鋰化包括第一電致變色層及第二電致變色層之裝置。鋰化可如操作705 之上下文中所描述來完成。如所提及，鋰化操作可促進先前嵌入部分製造之電致變色裝置堆疊中之顆粒之噴射。儘管圖7 之處理流程中未展示，但可在促進顆粒噴射之任何步驟之後沈積絕緣保護層。因此，在某些實施例中，可在鋰化操作705 或鋰化操作707 之後執行保護性絕緣層之沈積。 返回圖 7 所示之處理流程，在707 中鋰化裝置之後，下一個製程操作如操作708 中所示般沈積第二或頂部TCO層。此時，已經產生了基礎電致變色裝置所需之所有結構。在一些實施例中，在此操作中，根據如上文相對於圖 5 所描述之操作508 來沈積自修復頂部TCO。在一些實施例中，根據如上文相對於圖 6 所描述之操作608 來沈積操作708 中沈積之改型之頂部TCO層。 在某些實施例中，如所描述之一或多個塗層可在整合式沈積系統中形成在基板(例如，玻璃片材)上，其中該基板在層製造期間之任何時間皆不會離開整合式沈積系統。在一個實施例中，可在整合式沈積系統中製造包括EC堆疊及頂部TCO之電致變色裝置，其中玻璃片材在層製造期間之任何時間皆不會離開整合式沈積系統。在一種情況下，底部TCO層亦可使用整合式沈積系統來形成，其中玻璃片材在EC堆疊及TCO層沈積期間不會離開整合式沈積系統。在一個實施例中，在整合式沈積系統中沈積所有層(例如，擴散障壁層、底部TCO、EC堆疊及頂部TCO)，其中玻璃片材在沈積期間不會離開整合式沈積系統。 在操作776 中，將上塗層視情況施加至電致變色裝置以保護該電致變色裝置。上塗層可作為密封劑，例如作為密封性密封件添加來保護層壓件免受環境影響。在某些實施例中，密封劑亦用作如本文所述之邊緣黏附劑。例如，在一個實施例中，密封劑為聚對二甲苯，例如，聚對二甲苯AF-4 (對-二甲苯衍生物，其亦為特氟隆衍生物)。在另一實施例中，上塗層為矽酮或基於環氧樹脂之密封劑，諸如可自例如Polysciences，Warrington公司，Pennsylvania商購之彼等，或者可自Dow Corning公司，Midland，Michigan商購之彼等。此等密封劑亦可為黏附劑，因此在某些實施例中，上塗程序亦保護退火之薄玻璃之邊緣，且因此可用於取代邊緣處理，或除了邊緣處理之外，亦可使用上塗程序。邊緣處理可類似於上文相對於操作774 描述之邊緣處理。在一個實施例中，處理流程700 並不包括邊緣處理，而是上塗層施加776 即為保護薄退火玻璃基板(及作為整體之電致變色裝置)之邊緣所需之全部操作。在其他實施例中，將如本文所述之一種或多種邊緣處理與上塗組合來實現更穩固之層壓件，該層壓件可耐受溫度變化及環境暴露及撞擊。 在操作778 中，在塗佈基板之後，基板可進行後圖案化，此包括施加匯流條，切割塗佈之基板及製造IGU。合適之後處理之實例包括熱及/或化學調節操作。此類操作在美國專利第12/645,111號中有所描述，該專利以引用方式併入本文中。在一些實施例中，後圖案化可包括如上文相對於圖 3 中之操作378a 所描述般使電致變色裝置之區域局部失活，且如在操作378b 中般施加匯流條。在一些實施例中，後圖案化可包括根據圖 4B 之操作478 來施加非液體匯流條。 在第二或第一TCO層上製造匯流條可在切割基板之前執行。在一些實施例中，製造單一玻璃單元，其中多個透明匯流條可施加在第二TCO上以實現快速切換。藉由將匯流條置放在窗戶之內部區(其可為對於建築物佔用者而言可視之區)中，減小匯流條之間的距離，從而最小化外匯流條之間的區中之歐姆電位降。 電致變色裝置可具有兩個匯流條，一個匯流條用於一個透明導電層。然而，本文之方法亦包括製造每個透明導電層具有超過一個匯流條(確切而言，第一及第二導體層中之每一個之相對側上具有匯流條)之裝置。此在製造原本因薄層電阻及具有大面積之裝置而將使用較長切換時間之大型電致變色裝置之情況下可能係特別有用的。 底部匯流條可藉由首先暴露第一導體或底部TCO層之一部分(匯流條焊盤暴露，或「BPE」)來施加。BPE不需要在整側長度上延伸，其僅需要足夠長，以容納匯流條且為了不在第二導體層上發生短路而在匯流條與第二導體層之間留下一些空間。在一個實施例中，BPE在該側上跨越底部TCO層之長度。 如上所述，在各種實施例中，BPE為以下位置：向下去除材料層之一部分，直至下部電極或其他導電層(例如，透明導電氧化物層)為止，以便於為有待施加之匯流條產生表面，且因此與該電極進行電接觸。所施加之匯流條可為焊接之匯流條、墨水匯流條、固體匯流條、黏性匯流條及其類似者。BPE通常具有矩形面積，但此並非必需；BPE可為任何幾何形狀或不規則形狀。例如，根據需求，BPE可為圓形、三角形、橢圓形、梯形及其他多邊形形狀。形狀可取決於電致變色裝置之組態、承載電致變色裝置之基板(例如，不規則形狀之窗戶)、或甚至例如用於產生該形狀之(例如，材料去除、時間等)更有效之雷射消融模式。在一個實施例中，BPE跨越電致變色裝置一側長度之至少約50%。在一個實施例中，BPE跨越電致變色裝置一側長度之至少約80%。在一個實施例中，BPE實質上為矩形，長度近似等於電致變色裝置之一側，且寬度介於約5 mm與約15 mm之間，在另一實施例中介於約5 mm與約10 mm之間，且在又一實施例中介於約7 mm與約9 mm之間。如所提及，匯流條之寬度可為介於約1 mm與約5 mm之間，寬度通常為約3 mm。 如所提及，在一些實施例中，BPE以任何合適之寬度或在任何希望之位置處製造，因為匯流條可沈積在活性材料上。匯流條寬度可超過BPE之寬度(且因此有匯流條材料接觸下部導體及玻璃(及/或擴散障壁層)兩者)。在BPE完全容納匯流條寬度(亦即，匯流條整體處於下部導體頂上)之實施例中，匯流條之沿著長度之外緣與BPE之外緣對準，或嵌入其中約1 mm至約3 mm。類似地，匯流條與電致變色裝置之間的空間介於約1 mm與約3 mm之間，在另一實施例中介於約1 mm與2 mm之間，且在另一實施例中為約1.5 mm。下文相對於具有為TCO之下部電極之電致變色裝置更詳細地描述BPE之形成。電極可為光學裝置之透明或不透明之任何合適電極，此僅係為了方便起見。 為了製造BPE，將底部TCO之一個區域之沈積材料清除，使得可在底部TCO上製造匯流條。在一個實施例中，此藉由雷射處理來實現，該雷射處理有選擇性地去除沈積膜層，同時使限定位置處之限定區域中之底部TCO暴露出來。在一個實施例中，底部電極及沈積層之吸收特徵被利用來在雷射消融期間實現選擇性，亦即，使得TCO上之EC材料被選擇性去除，同時使TCO材料保持完整。在某些實施例中，亦例如藉由去除沈積期間可能已出現之TCO及EC材料之任何混合物來去除TCO層之上部部分(深度)，以便於確保匯流條之良好電接觸。 在某些實施例中，用於製造BPE之電磁輻射與用於執行邊緣去除之電磁輻射相同。(雷射)輻射使用光纖或開放光路來傳遞至基板。消融可自玻璃側或膜側執行，此取決於對電磁輻射波長之選擇。用於消融膜厚度之能量密度藉由使雷射束穿過光學透鏡來實現。透鏡將雷射束聚焦為所希望之形狀及尺寸，例如，「平頂」具有上文描述之尺寸，在一個實施例中具有介於約0.5 J/cm2 與約4 J/cm2 之間的能量密度。在一個實施例中，如上文針對雷射邊緣去除所描述般完成用於BPE之雷射掃描重疊。在某些實施例中，可變深度消融用於BPE製造。此在下文中進行更詳細之描述。 在某些實施例中，例如，由於EC膜中吸收之選擇性性質，焦面處之雷射處理會導致一定量(介於約10 nm與約100 nm之間)之殘留物，例如，氧化鎢留在下部導體之暴露區域上。由於許多EC材料之導電性不如下伏導體層，在此殘留物上製造之匯流條並不完全與下伏導體接觸，從而導致匯流條至下部導體界面上產生壓降。壓降不但會影響裝置之著色，而且會影響匯流條與下部導體之黏附。克服此問題之一種方式為增加膜去除所使用之能量之量，然而，此種方法會導致光點重疊處形成溝槽，從而不可接受地消耗下部導體。為了克服此問題，在焦面上方執行雷射消融，亦即，雷射束為離焦的。在一個實施例中，雷射束之離焦輪廓為改型之平頂，或「準平頂」。藉由使用離焦之雷射輪廓，可增加傳遞至表面之通量，而不會損壞光點重疊區處之下伏TCO。此種方法最小化了留在暴露之下部導體層上之殘留物之量，且因此允許匯流條與下部導體層之更好接觸。 在形成BPE之後，將匯流條施加至裝置，一個匯流條施加在底部TCO層(例如，第一TCO)之暴露區域BPE上，且一個匯流條施加在裝置之相對側，亦即頂部TCO層(例如，第二TCO)上，第二導體層中不處於第一導體層上方之一部分上。在一些實施例中，以完成電致變色裝置塗層之後電致變色裝置失活所處之區域之寬度並在該區域之位置處製造施加在頂部TCO上之匯流條。沈積在頂部TCO上之匯流條具有的尺寸可使得長度介於約10”與約144”之間，寬度介於約0.5 mm與約5 mm之間，且厚度介於約10 um與1000 um之間。 在將匯流條製造至或以其他方式施加至一或多個導電層之後，可將層壓或未層壓另一窗片之電致變色窗片整合至IGU中，該IGU包括例如用於匯流條之接線及其類似者。在一些實施例中，匯流條中之一個或兩者處於成品IGU之內。在特定實施例中，兩個匯流條皆組態在隔片與IGU之玻璃之間(通常稱為IGU之初級密封件)；亦即，匯流條與用於隔開IGU之窗片之隔片配準。裝置中已被圖案化來去除裝置層之區域可至少部分用來使密封件接觸用於形成IGU之隔片之一個面。因此，導線或接至匯流條之其他連接在隔片與玻璃之間延伸。由於許多隔片由例如不鏽鋼之導電金屬製成，因此希望採取措施來避免因匯流條及接至該匯流條之連接器與金屬隔片之間的電連通所致之短路。用於實現此目的之特定方法及設備在2011年12月6日申請且標題為「IMPROVED SPACERS FOR INSULATED GLASS UNITS」之美國專利申請案第13/312,057號(現為美國專利第8,711,465號)中有所描述，該專利申請案以引用方式整體併入本文中。在本文描述之某些實施例中，方法及所得IGU包括使電致變色裝置之周邊邊緣、匯流條及任何隔離劃線皆處於IGU之初級密封件內。 參考圖 7 ，在操作772 中，可將基板層壓至支撐窗片，例如經回火或熱加強之窗片，該支撐窗片之厚度介於約3 mm與約25 mm之間，在另一實施例中，厚度介於約3 mm與約12 mm之間，且在又一實施例例中，厚度介於約3 mm與約6 mm之間。可將玻璃層壓至回火玻璃或熱加強之玻璃窗片；然而，此僅為處理流程之層壓部分之一個實施例。例如，可將薄之柔性玻璃層壓至塑膠基板。在某些實施例中，將薄之柔性基板層壓至未退火之玻璃窗片，例如，回火或熱加強之玻璃窗片或者另一薄之柔性玻璃。 操作772 中形成之層壓件應具有均勻之表面，例如，層壓黏附劑應在厚度及不含氣泡兩個方面均勻地分佈在經回火窗片與柔性之經退火玻璃基板之間。在柔性基板上具有均勻(例如，實質上呈平面)表面允許各層在隨後沈積時更為均勻。對於吸收裝置，例如，層壓黏附劑應具有高清晰度、低霧度及對於最終光學裝置之規格而言足夠之光透射率。根據需求，層壓層可上色或不上色。上色之層壓層可用於抵消光學裝置之另一部分中之不想要之色彩，或用於增強現有色彩。若層壓黏附劑在處理期間變黃，則可選擇支撐窗片色彩來使最終產品之色彩空間符合規格。層壓層中可使用之染料較佳地對熱及紫外(UV)輻射係高度穩定的。若選擇無機顏料，則該無機顏料在熱或UV下不應催化層壓黏附劑之分解。在一個實施例中，層壓黏附劑被配製成具有橫向彈性(lateral give)，使得能夠適應支撐窗片與薄之柔性窗片之間的熱膨脹係數之差異，而不會因熱衝擊而破裂。 再次參考圖 7 中之處理流程700 ，視情況將邊緣處理施加至層壓件，參見774 。邊緣處理可包括研磨及/或拋光程序，其用於提高邊緣強度或者更充分地保護及/或防護薄之柔性基板之邊緣。在一個實施例中，將薄之柔性玻璃配偶體之邊緣加熱至高溫以使玻璃在周界周圍熔化，從而去除微裂隙且誘發邊緣中之應力來增加強度。在一個實施例中，在層壓之後，研磨及/或拋光柔性之薄之退火玻璃之邊緣，例如，層壓件為「粗切割」層壓件，例如，機械切割之層壓件，該層壓件要經受邊緣研磨及拋光製程來加強薄之退火窗片之邊緣(經回火窗片通常已經具有經研磨及拋光之邊緣)。在所得結構中，儘管經回火支撐窗片及薄之柔性窗片之區域(「覆蓋區域」)係相同的，但薄玻璃之最外側邊緣係傾斜的，例如近似等於經回火窗片之研磨(及視情況拋光)邊緣之曲率。 在清潔之低微粒環境中執行層壓。然而，由於光學裝置製造在層壓之後進行，可在例如電致變色裝置製造之前視情況清潔層壓件，參見774 。例如使用可商購之玻璃清潔設備來執行清潔。 層壓件視情況併入至IGU中。由於本文描述之方法可產生強固之層壓件，因此併入至IGU中係可選的。層壓件可藉由將另一回火之熱加強或聚合物窗片層壓至電致變色裝置來進一步加強，以便於保護柔性經退火窗片及/或電致變色裝置免受撞擊之影響。 在一個實施例中，層壓件併入至IGU中，其中光學裝置(例如電致變色裝置)處於IGU之內部體積內。此可在自大型片材切割層壓件之前或之後完成。在此類實施例中，電致變色裝置可具有或不具有上塗層及/或層壓至電致變色裝置一側之額外之窗片，因為內部體積會保護電致變色裝置。在一個實施例中，層壓件不僅包括上塗層，而且併入至IGU中，其中電致變色裝置處於IGU之內部體積內。此種構造係有用的，例如在IGU之接近內部之窗板及/或初級及二級密封件失效之情況下，電致變色裝置將受上塗層保護而免受環境之影響。IGU可僅具有如本文所述之單一層壓件，例如，雙層窗板IGU，其中IGU之配合窗片為單一玻璃窗片。在其他實施例中，IGU為具有如本文所述之充當IGU之兩個窗板之兩個層壓件之雙層窗板構造。具有如本文所述之一個、兩個或三個層壓件之三層窗板IGU亦處於本文描述之實施例之範圍內。 「先塗佈後切割」方法允許高生產率製造，因為不僅可在單一大面積基板上製造複數個電致變色裝置，而且可在將大型玻璃片材切割成個別窗片之前測試該等電致變色裝置並減少其缺陷。在一個實施例中，在切割大型片材之前，大型玻璃窗板被層壓有與個別電致變色裝置配準之個別加強窗板。在層壓之前，可附接或不附接匯流條；例如，配合窗片可與允許頂部及底部TCO之一些暴露部分之區域共延伸以供後續匯流條附接。在另一實例中，配合窗片為薄之柔性材料，諸如薄之柔性玻璃，該薄之柔性材料實質上與電致變色裝置或整個大型片材共延伸。向下消融薄之柔性配合窗片(及層壓黏附劑，若存在於此等區域中)直至第一導體層及第二導體層為止，使得匯流條可如本文所述般附接至該等導體層。在又一實施例中，薄之柔性配合窗片無論為與整個大型片材共延伸還是與個別電致變色裝置共延伸皆被組態有孔隙，該等孔隙在層壓期間與頂部導體層及BPE配準。在層壓配合窗片之前或之後附接匯流條，因為該等孔隙允許任一操作順序。層壓及匯流條附接可在切割大片材之前或之後單獨執行。 在某些實施例中，在層壓時，匯流條可在層壓之前施加，其中將匯流條施加至BPE及上部TCO，之後在層壓時將該匯流條自此等區域之間擠出，例如至配合窗片之孔隙中或使該匯流條在層壓件之邊緣周圍延伸，以允許在位於層壓區域之外的點處進行引線附接。在另一實施例中，將扁平箔帶施加至頂部導體及BPE，該箔帶延伸越過層壓區，使得導線可在層壓之後焊接至膠帶。在此等實施例中，除非例如層壓配合窗片不覆蓋大型基板之整個表面，否則切割必須先於層壓(例如，相對於本文中之輥對輥實施例所描述)。 層壓或未層壓之窗片可併入至IGU中。在一個實施例中，將個別EC窗片併入至IGU中，且之後使IGU之EC窗片中之一或多個層壓有如在本文中或在美國專利第8,164,818號中所描述之加強窗板(配合窗片)。在其他實施例中，例如，如本文所述，層壓可包括柔性基板，例如，IGU之前述層壓，其中配合窗片為柔性基板；或例如EC窗片直接層壓至柔性基板。另外，相對於圖 8 描述此類實施例。 用於電致變色裝置製造之設備圖 8 描繪形成電致變色裝置之層壓件之輥對輥處理872 ，其中層壓使用配合窗片，該配合窗片可為用於增加支撐之經回火窗片或柔性薄玻璃或甚至為IGU。將基板876 饋送至層壓生產線中，該層壓生產線在此實例中包括傳送機877 。基板876 可為併有至少一個EC窗片之IGU，或者基板876 可為例如本文所述之單塊電致變色裝置，或者基板876 可為上面製造了複數個EC窗片之大型基板。在一些實施例中，基板876 可為根據圖 7 中之製程700 製造之IGU。在一些實施例中，基板876 為有待在圖 7 之操作772 中層壓之玻璃基板。如此處相對於圖 8 之論述中使用之術語「基板」包括光學塗佈電致變色裝置。此類基板可用在輥對輥處理中。在層壓期間可使用柔性之薄而耐用之玻璃材料，諸如可自Corning，Incorporated of Corning，New York商購之Gorilla® 玻璃(例如，厚度介於約0.5 mm與約2.0 mm之間)及WillowTM 玻璃。 在此實例中，將薄而柔性之基板878 (諸如玻璃基板)自卷材饋送至層壓生產線中。在一個實施例中，將一或多個卷材平行地施加至包括複數個電致變色裝置之大型玻璃片材(基板876 自身可為呈卷材形式之薄之柔性玻璃，亦即，該薄之柔性玻璃已塗佈有電致變色裝置塗層且已如本文所述般後圖案化及處理)。例如，將單獨且平行之三卷柔性基板饋送至層壓生產線中，該層壓生產線縱向或橫向地層壓大型玻璃基板，使得三行或三列電致變色裝置各自皆被層壓有柔性基板。因此，使用輥對輥處理，可使大型玻璃片材層壓有柔性配合窗片材料且將該大型玻璃片材切割成個別EC窗片。可在層壓每列時或在層壓整個片材之後切割大型玻璃片材。在某些實施例中，用輥對輥處理來層壓個別EC窗片或含有其之IGU。 將黏附劑施加至基板876 、柔性基板878 、或兩者。輥879 施加足夠之壓力來確保基板876 與柔性基板878 之間結合良好。例如使用雷射器880 來切割柔性基板878 以與其層壓配偶體876 匹配。產生最終層壓結構881 。使用此種輥對輥方法，單塊電致變色裝置、IGU或攜帶複數個EC窗片之大型玻璃片材可用薄之柔性加強窗板來加強，或者例如，薄之柔性EC窗片可用另一薄之柔性玻璃層壓配偶體來加強。此等方法適用於本文描述或其他之任何EC基板。在一個實施例中，將例如已自大面積基板切割之單塊EC窗片饋送至層壓生產線中以使其層壓有柔性基板。在另一實施例中，使上面製造了複數個電致變色裝置之大面積基板層壓有具有對應寬度之柔性基板，且在層壓之後，例如在層壓結束時或在層壓整個大型片材之後自大面積層壓件成列地切割現已層壓之個別電致變色裝置。在另一實施例中，使上面製造了複數個電致變色裝置之大面積基板層壓有具有與個別EC窗片對應之寬度或長度之複數個柔性基板，且在層壓之後，自大面積層壓件(例如個別地或成列(或成行)地)切割現已層壓之電致變色裝置。 在某些實施例中，在一個設施中例如本文所述對大型退火玻璃(例如薄之柔性玻璃)塗佈電致變色裝置塗層，且之後在另一設施中執行後處理。例如，本文描述之實施例提供可在沈積後完成個別電致變色裝置之圖案化來解決頂部匯流條下方之任何短路問題之實例。因此，可對大玻璃片材塗佈裝置塗層，將其儲存及/或運輸至另一設施以便後處理成子窗片。以此方式，例如，製造商可生產塗佈有單塊電致變色裝置塗層之大型玻璃作為其產品。塗佈玻璃可為大片或大卷柔性玻璃。可大量生產塗佈玻璃且將其儲存或運輸至可根據其需要來對塗佈玻璃進行後處理之客戶。在一些實施例中，本文描述之方法用於將塗佈玻璃後處理成複數個電致變色裝置或窗片，該等電致變色裝置或窗片進而可製成層壓件及/或IGU。塗佈玻璃可具有如本文所述之密封性保護層。本文描述之方法為裝置之不帶預圖案化之後處理提供了極大之靈活性。 本文描述之例如不要求在大型玻璃上預圖案化電致變色裝置之實施例為如何對此類大規模塗佈玻璃進行後處理提供了極大之靈活性。例如，在電致變色塗佈製程之後之下游階段決定匯流條置放及EC裝置組態。 「先塗佈、運輸後切割」方法為製造流程提供了另外之優點。例如，塗佈電致變色裝置之退火玻璃可裝載至例如大型運輸貨架中，而並非必需製造及裝載成品IGU及/或層壓件。由於工廠複雜性大幅降低且運輸體積及重量態樣之成本(運費)下降，實現了巨大之資金節省。另外，由於可在下游工廠局部完成後處理，包容了後處理之多樣性。因此，塗佈電致變色裝置之玻璃之單一產品可運輸至多個地點以用於各種定製之後處理。具有集中式塗佈設施及衛星式後處理設施提高了產品及下游產品之品質及一致性，因為電致變色裝置塗佈製程高度集中且相對於下游後處理要使用高技術勞動力。下游客戶(例如IGU製造者)更多地控制產品製造，且此允許最終客戶(窗戶購買者)在定製設計及品質態樣具有更多選擇。另外，將製造製程去集中化允許在大規模塗佈機具有可靠電源之情況下製造窗戶之最重要之部分，由此避免了供電中斷，且相對於大規模運輸樞紐之接近性可能並非至關緊要的(因為運輸變輕且所運輸之裝置每平方呎佔用更少體積)。 儘管此類處置操作係以保持玻璃基板及基板上之透明導電材料之原始品質之方式執行，但基板經常暴露於可能導致劃痕、污跡、指紋、顆粒及污染或對透明導體層之其他損壞的各種環境。當前，難以防止生產線上之劃痕、污跡、指紋、顆粒及污染或其他表面損傷。儘管使用洗滌操作，但基板仍然暴露於透明導電材料可能被劃傷、弄髒、污染或受到指紋及顆粒影響之環境中。 對於「先塗佈、運輸後切割」實施例，可執行以下操作：在玻璃基板上沈積TCO，在玻璃片材上製造EC裝置，封裝片材以進行傳遞(可選)，將玻璃片材運送至下游後處理設施，解封玻璃片材(可選)，對玻璃片材進行回火，視情況洗滌玻璃片材，切割玻璃片材，研磨玻璃片材，洗滌玻璃片材，預劃(可選)，應用匯流條及製造絕緣玻璃單元。在一些實施例中，一種製造電致變色裝置之系統可包括：在第一設施處之第一設備，其中該第一設備在第一透明導電層上製造電致變色堆疊(圖 9 之操作904 )，其中該電致變色堆疊包括電致變色層及反電極層，且在該電致變色堆疊上形成第二透明導電層(圖9 之操作908 )；及(b)經組態以執行後處理操作之第二設備。在一些實施例中，保護層在第一設施中沈積在第二透明導電層及電致變色層上(圖9 之操作976 )，且在操作978 中之後處理包括去除保護層(圖9 之操作978 )。 在某些實施例中，上塗層(例如，用於提供密封性保護之密封性密封層、犧牲塗層或犧牲層)施加至電致變色裝置塗層。在一些實施例中，塗層提供密封性密封以在運輸期間保護塗層，例如在「先塗佈、運輸後切割」實施例中。應理解，術語「犧牲塗層」、「上塗層」及「密封性層」在本文中可互換使用，且可指用於沈積上塗層或密封性層之一或多層材料。一些製造方法包括在洗滌操作期間及/或在回火期間及/或在第二洗滌操作期間及/或在劃線後之第三洗滌操作期間及/或在用EC材料塗佈基板之前立即去除上塗層。 此上塗層可藉由各種技術施加，例如噴塗、浸塗及其類似者。上塗層可為有機、無機塗層或有機與無機材料之組合。上塗層可為丙烯酸系材料及/或陶瓷材料。在各種實施例中，上塗層之組合物包括包括丙烯酸系聚合物或共聚物之鹼溶性樹脂。丙烯酸系聚合物或共聚物可包括以下任何一種或多種化合物：2-丙烯酸、與乙烯基苯之2-甲基聚合物、2-丙烯酸乙酯、2-甲基-2-丙烯酸甲酯及1,2-丙二醇單(2-甲基-2-丙烯酸酯)。丙烯酸系聚合物或共聚物亦包括烯烴-丙烯酸共聚物分散體。用於沈積及均質化塗層組合物之溶劑包括二醇醚，諸如二甘醇單乙醚。表面活性劑可用於乳化鹼溶性聚合物或共聚物。在一些實施例中，可使用非丙烯酸系聚合物或共聚物分散體，諸如乙烯共聚物。在一些實施例中，上塗層沈積有可將塗層組合物轉化成可容易地被水去除之半固態凝膠狀材料之汽提器。在一些實施例中，上塗層可為黏著劑。在一些實施例中，上塗層可為可剝離的或可藉由分層而去除。在一些實施例中，上塗層可為有機材料與無機材料之組合。例如，此類材料可在洗滌過程及/或加熱過程中去除。 在一些實施例中，上塗層可為噴塗之基於有機之塗層，例如，乙烯基層。上塗層可為基於水的、基於有機溶劑的或基於水-有機溶劑的塗層。在一些實施例中，上塗層可包括具有金屬元素之金屬摻雜劑及/或配體，諸如鐵或錳。上塗層可為快速乾燥之材料，且當暴露於特定pH值之溶液時可去除。上塗層可為當加熱至特定溫度(諸如至少650℃之溫度)時可被去除之組合物。上塗層可由不與基板永久化學反應之材料製成，但可沈積在包括透明導體層之玻璃基板上，以減少由於刮痕、污跡、指紋、顆粒或污染而對透明導電層造成的損害。 上塗層可藉由任何合適之沈積製程沈積。例如，在一些實施例中，有機塗層使用有機液體前驅物、水性前驅物或混合之有機-水前驅物溶液沈積，該溶液可噴塗、浸塗或旋塗在基板表面上，以在透明導體層上形成塗層。經選擇用於上塗層之材料取決於在後續操作中用於去除上塗層之去除技術之類型，且取決於上塗層必須耐受之操作以保護透明導體層。在一些實施例中，沈積上塗層包括以液體或固體形式施加該層且在環境溫度下固化該層。固化可包括例如聚合單體前驅物、膠凝前驅物或以其他方式固化前驅物溶液。固化之膜與玻璃結合且產生足夠強之頂層，從而防止下方之透明導體層被劃傷。在一些實施例中，本文描述之上塗層可耐受用金屬刮擦、用玻璃顆粒刮擦、用塑膠刷刮擦或以高壓力在表面上摩擦鋒利之玻璃片材。此類上塗層可適用於保護透明導體層，其中上塗層在稍後之製造操作中被去除，諸如緊接於塗佈EC堆疊之前，因為在稍後之製造操作中去除之上塗層用於保護透明導體層，甚至在切割、研磨、回火及預劃線操作之後的洗滌及刮擦操作中亦如此。 上塗層可沈積至任何合適之厚度，例如取決於在哪個操作中沈積上塗層以及在哪一操作期間去除上塗層。在各種實施例中，該上塗層可沈積至介於約1 μm與約3000 μm之間的厚度。在一些實施例中，上塗層可沈積至介於約1 μm至約90 μm之間、或介於約1 μm與約80 μm之間、或介於約1 μm與約70 μm之間、或介於約1 μm與約60 μm之間、或介於約1 μm與約50 μm，或介於約1 μm與約40 μm之間，或介於約1 μm與約30 μm之間、或介於約1 μm與約20 μm之間、或介於約1 μm與約10 μm之間的厚度。在某些實施例中，上塗層的厚度可介於約500 μm與約3000 μm之間。 此上塗層保護裝置塗層免受濕氣之影響，該濕氣原本在例如頂部TCO中存在裂隙，或頂部TCO自身原本並未在環境與EC堆疊之間提供防潮層之情況下可能會破壞裝置功能。此上塗層可例如在施加電致變色裝置塗層之後立即或在此之後不久施加。例如，大片塗佈玻璃或塗佈有電致變色裝置之連續玻璃片材可穿過噴灑設備及乾燥站例如烘箱之前方、下方或上方。以此方式，不含濕氣之裝置塗層立即被密封及保護免受環境之影響。此在某些情況下可免受針孔形成之影響。另外，電致變色裝置塗層可能經常容易刮壞，此可能會損害功能及/或美感，例如切換均勻性。上塗層保護了該塗層。而且，使塗層免受環境之影響實現了處置之更大靈活性，從而提供更多時間來檢查、包裝、儲存及運輸產品，亦即，擴展了等待時間控制且使該控制更靈活。 密封性上塗層可為永久或臨時的，例如，在下游階段(例如在單獨之後處理設施處)去除之膜。去除可在運輸之後且在諸如回火、施加匯流條、切割、層壓及/或製造IGU之後處理操作之前執行。上塗層之去除可藉由pH溶液/洗滌劑溶液之化學作用或藉由機械刮擦或藉由機械與化學作用之組合來進行。在一些實施例中，可使用化學與機械作用之組合去除上塗層。例如，在一些實施例中，上塗層可藉由用酸性或鹼性溶液(取決於所使用之上塗層材料)洗滌上塗層且自玻璃基板剝離或刮掉來去除。應理解，可使用上塗層之一或多個沈積與去除操作之任何組合。 在一些實施例中，若在洗滌操作期間去除上塗層且洗滌涉及使用鹼性溶液，則上塗層可為可使用在第一洗滌期間使用之鹼性溶液去除之有機塗層。鹼性溶液之pH值可在8與12之間、或在8與10之間、或在8與9之間。上塗層之去除可整合至該過程中，使得對玻璃片材進行回火加熱上塗層，以引起氧化反應、灰化操作或分層，使得上塗層自玻璃片材去除或剝離。例如，在一些實施例中，藉由將上塗層加熱至約200℃至約700℃之間或約500℃至約650℃之間的溫度來去除上塗層。在一些實施例中，若上塗層將在回火期間被去除，則上塗層包括容易在高溫下使用氧化反應、灰化操作或具有或不具有隨後之洗滌步驟之分層技術去除之組合物。在一些實施例中，上塗層可藉由機械去除上塗層來去除。 在一些實施例中，若在第二洗滌期間去除上塗層，其中第二洗滌包括較之於在第一洗滌中使用之溶液較不苛刻之洗滌溶液，則上塗層之組合物可使得其在暴露於第一洗滌之較苛刻之溶液時不會被去除，且在回火期間經受高溫時不會被去除，而當暴露於第二洗滌溶液時將被去除。應理解，上塗層組合物可取決於無需去除上塗層之操作及需去除上塗層之操作而變化。在一個實施例中，洗滌步驟去除部分上塗層或以其他方式製備塗層以便在加熱步驟(例如，回火步驟)中去除。 上塗層之去除可整合至該製程中，使得上塗層被加熱或暴露於電漿以在設備或塗佈設備中去除該層。 在一些實施例中，上塗層不可去除(例如，永久的)。在此類實施例中，針對「先塗佈、運輸後切割」實施例，在上塗層於運輸之前在完整EC裝置上沈積的情況下，上塗層可經受後處理操作，諸如回蝕操作或沿著邊緣之部分去除操作以施加匯流條。去除上塗層之一部分可沿著玻璃片材之周邊邊緣去除上塗層之寬度。去除上塗層可能未必蝕刻掉頂部TCO之任何部分。 在上塗層之替代方案中或除了該上塗層之外，可在氣氛受控環境，例如乾燥環境及/或惰性氣體環境中處置、處理及/或運輸塗佈電致變色裝置之玻璃片材或卷材。另外，塗佈電致變色裝置之片材或卷材可用例如交錯片材、粉末或如玻璃行業中已知之類似臨時保護物來保護。合適之交錯片材可為高度拋光紙，諸如米紙。亦可使用實例交錯粉末，諸如可自Chemetall Group of New Providence，NJ商購之彼等，且該交錯粉末亦包括1986年11月15日之Glass Digest上由Duffer, Paul F.在「How to Prevent Glass Corrosion」中描述之彼等。可使用廣泛範圍之交錯片材，且該交錯片材之範圍為自牛皮紙至高技術性pH值平衡材料。粉末可包括一種類型珠粒，諸如丙烯酸酯或超高分子量(UHMW)珠粒；及防止染色之酸性組分，諸如己二酸。交錯材料之其他實例包括聚甲基丙烯酸甲酯珠粒及椰殼粉。 在某些實施例中，「先塗佈、運輸後切割」方法可藉由以下方式來強化：使用可回火電致變色裝置塗層及/或將塗層提供為作為後處理之部分轉換成功能性EC裝置之裝置前驅物。可回火電致變色裝置在2013年12月20日申請之標題為「TEMPERABLE ELECTROCHROMIC DEVICES」之美國專利申請案第13/137,750號中有所描述，該專利申請案出於所有目的以引用方式併入本文中。電致變色裝置前驅物在於2012年10月30日發佈之標題為「ELECTROCHROMIC DEVICES」之美國專利第8,300,298號中有所描述，該專利出於所有目的以引用方式併入本文。此兩項技術皆允許將一系列層施加至玻璃，其中該層並不用作電致變色裝置。稍後加熱此等層或將其他能量源施加至該層，該能量將該層轉換成功能性電致變色裝置塗層。可回火電致變色裝置塗層在熱處理(在此種情況下為對退火玻璃進行回火)之前可為或不為功能裝置。 例如，對退火玻璃塗佈電致變色裝置前驅物塗層或可回火電致變色裝置塗層。之後可將玻璃運輸至各種設施以供後處理。在一個實施例中，塗佈玻璃包括電致變色裝置前驅物塗層。作為後處理之部分，將塗層暴露於能量，例如熱量，以便於將裝置前驅物塗層轉換成功能性電致變色裝置塗層。此具有在後處理態樣具有更進一步之靈活性之優點，例如，個別後處理人員可決定電致變色裝置轉換之最佳條件。在電致變色裝置前驅物塗層轉換為功能性電致變色裝置塗層之情況下，可在加熱過程之前或之後將玻璃切割成子窗片或裝置。在另一實例中，將可回火電致變色裝置塗層施加至退火玻璃(厚度足以進行回火)。作為後處理之部分，將塗層暴露於能量，例如熱量，以便於對玻璃基板進行回火且視情況將裝置前驅物塗層轉換成功能性電致變色裝置塗層(除非該塗層已經為可耐受回火製程之功能性裝置塗層)。此具有在後處理態樣具有更進一步之靈活性之優點，例如，個別後處理人員可決定回火及/或電致變色裝置轉換之最佳條件。在可回火EC塗層之情況下，在回火之前將玻璃切割成子窗片或裝置。 在一些實施例中，包括第一透明導電層之玻璃基板可藉由對基板進行拋光來變成平面。拋光基板之實例在以下各項中進一步有所描述：於2015年4月14日發佈之標題為「DEFECT-MITIGATION LAYERS IN ELECTROCHROMIC DEVICES」之美國專利第9,007,674號；於2015年4月16日申請之標題為「PARTICLE REMOVAL DURING FABRICATION OF ELECTROCHROMIC DEVICES」之PCT國際申請案第PCT/US2015/26150號；及於2012年9月27日申請之標題為「OPTICAL DEVICE FABRICATION」之PCT國際申請案第PCT/US2012/57606號，該等申請案全部以引用方式整體併入本文中。平面電致變色裝置塗層可延長電致變色裝置塗層可耐受大氣濕度暴露之持續時間。 在一些實施例中，第一透明導電層可沈積為平面層。例如，在一些實施例中，透明導電層可藉由方法諸如PVD來沈積。藉由PVD沈積之此類膜可沈積為無定形的，且之後將該膜催化，使得所得膜常常比以結晶形式沈積之膜更光滑。此主要歸因於沈積溫度。 包括電致變色堆疊之平面玻璃基板可能能夠耐受更長持續時間之大氣濕度暴露。平面可被定義為具有小於約30 nm、或小於約15 nm、或小於約10 nm之峰至峰粗糙度。 結論 儘管出於清楚理解之目的已經以一定細節描述前述實施例，但將顯而易見，可在隨附申請專利範圍之範疇內實踐某些改變及修改。應注意，存在實施本發明實施例之製程、系統及設備之許多替代形式。因此，本發明實施例應被視為說明性的而非限制性的，且該等實施例並不限於本文給出之細節。
100‧‧‧電致變色裝置
102‧‧‧玻璃基板
103‧‧‧擴散障壁層
104‧‧‧導電層(CL)層；第一TCO；底部TCO
105‧‧‧玻璃基板
106‧‧‧EC堆疊
106a‧‧‧EC電極層
106b‧‧‧離子導電(電子電阻)層(IC)
106c‧‧‧反電極層(CE)
110‧‧‧擴散障壁層
112‧‧‧導電層(CL)；第二TCO；頂部TCO
115‧‧‧第一TCO
116‧‧‧電壓源
125‧‧‧EC堆疊
130‧‧‧第二TCO
155‧‧‧銀
190‧‧‧絕緣玻璃單元(IGU)
191‧‧‧玻璃
192‧‧‧初級密封件
193‧‧‧二級密封件
194‧‧‧乾燥劑
195‧‧‧隔片
196‧‧‧內部體積或空隙
302‧‧‧操作(沈積第一透明導電層)
304‧‧‧操作(沈積電致變色堆疊)
308‧‧‧操作(沈積第二透明導電層)
378a‧‧‧操作(使EC裝置在一或多個位置處局部失活)
378b‧‧‧操作(將匯流條施加在一或多個位置上)
400‧‧‧窗戶單元
402‧‧‧操作(沈積第一透明導電層)
404‧‧‧操作(沈積電致變色堆疊)
408‧‧‧操作(沈積第二透明導電層)
440‧‧‧底部TCO
475‧‧‧頂部TCO層
478‧‧‧操作(將非液體匯流條施加在一或多個位置上)
502‧‧‧操作(沈積自修復第一透明導電層)
504‧‧‧操作(沈積電致變色堆疊)
508‧‧‧操作(沈積自修復第二透明導電層)
578‧‧‧操作(將匯流條施加在一或多個位置上)
602‧‧‧操作(沈積第一透明導電層)
604‧‧‧操作(沈積電致變色堆疊)
608‧‧‧操作(沈積改型之第二透明導電層)
678‧‧‧操作(將匯流條施加在一或多個位置上)
700‧‧‧處理流程
702‧‧‧操作(沈積第一TCO層)
704‧‧‧操作(沈積第一電致變色層)
705‧‧‧操作(鋰化(可選))
706‧‧‧操作(沈積第二電致變色層)
707‧‧‧操作(鋰化)
708‧‧‧操作(沈積第二TCO層)
770‧‧‧操作(提供玻璃基板)
772‧‧‧操作(視情況將薄經退火玻璃層壓至較厚的經回火玻璃)
774‧‧‧操作(可選邊緣處理及清潔層壓件)
776‧‧‧操作(施加上塗層)
778‧‧‧操作(後圖案化且製造IGU)
872‧‧‧輥對輥處理
876‧‧‧基板
877‧‧‧傳送機
878‧‧‧柔性基板
879‧‧‧輥
880‧‧‧雷射器
881‧‧‧層壓結構
904‧‧‧操作(在包括第一TCO層之玻璃基板上製造電致變色堆疊)
908‧‧‧操作(沈積第二TCO層)
976‧‧‧操作(施加保護層)
978‧‧‧操作(後圖案化以去除保護層且製造IGU)
圖 1A 至圖 1C 為電致變色裝置之實例之示意性表示。圖 1D 為絕緣玻璃單元之示意性表示。圖 2 為電致變色裝置中之銀堆積物之實例之示意性表示。圖 3 為根據所揭示之實施例執行之操作之處理流程圖。圖 4A 為施加在電致變色裝置上之匯流條之實例之示意性表示。圖 4B 、圖 5 及圖 6 為根據所揭示之實施例執行之操作之處理流程圖。圖 7 為展示根據所揭示之實施例之製造電致變色窗戶之方法之處理流程圖。圖 8 為展示電致變色裝置之輥對輥處理之示意性表示。圖 9 為描繪根據所揭示實施例之製造電致變色窗戶之方法的處理流程圖。

Claims (123)

  1. 一種製造一電致變色裝置之方法，其包含在一基板上製造一電致變色堆疊，而不用首先判定該電致變色裝置上之用於匯流條施加之一或多個區。
  2. 一種製造一電致變色裝置之方法，該電致變色裝置包含一在一第一透明導電層與一第二透明導電層之間的電致變色堆疊，該第一透明導電層及該第二透明導電層經組態以在該電致變色堆疊之表面上傳遞電位，且由此引起該電致變色裝置之光學切換，該方法包含： (a) 接收一基板； (b) 在安置於該基板之一表面上的該第一透明導電層上製造該電致變色堆疊，其中該電致變色堆疊包含一電致變色層及一反電極層； (c) 在該電致變色堆疊上形成該第二透明導電層； (d) 在該第二透明導電層之一區上形成一匯流條，其中該區在該第一透明導電層上方；及 (e) 在製造該電致變色堆疊及該第二透明導電層之後， (i) 使該電致變色裝置在處於該匯流條下方之該區中去活化，但實質上不使該電致變色裝置在不處於該匯流條下方之區中去活化，或 (ii) 使該電致變色裝置在不處於該匯流條下方之該等區中活化，但實質上不使該電致變色裝置在處於該匯流條下方之該區中活化。
  3. 如申請專利範圍第2項之方法，其中(e)在執行(d)之前執行。
  4. 如申請專利範圍第2項之方法，其進一步包含將該基板自該基板之一卷材連續饋送至在該基板上塗佈該電致變色堆疊之一設備。
  5. 申請專利範圍第4項之方法，其中該基板包含一柔性玻璃。
  6. 如申請專利範圍第2項之方法，其進一步包含在該基板之一表面上形成該第一透明導電層。
  7. 如申請專利範圍第6項之方法，其中形成該第一透明導電層、製造該電致變色堆疊及形成該第二透明導電層依序地在一濺鍍塗佈設備中執行，該濺鍍塗佈設備向該基板之該表面塗佈該第一透明導電層及該第二透明導電層以及該電致變色堆疊。
  8. 如申請專利範圍第6項之方法，其中該第一透明導電層在製造該電致變色堆疊之一設備中形成。
  9. 如申請專利範圍第2項之方法，其中操作(b)及(c)依序地在一濺鍍塗佈設備中執行，該濺鍍塗佈設備向該基板之該表面塗佈該第一透明導電層及該第二透明導電層以及該電致變色堆疊，且其中操作(d)在該濺鍍塗佈設備外部執行。
  10. 如申請專利範圍第2項之方法，其中在形成該第二透明導電層之前在未隔離該第一透明導電層之一區的情況下執行該方法。
  11. 如申請專利範圍第2項之方法，其中在形成該第二透明導電層之前在未隔離該電致變色堆疊之一區的情況下執行該方法。
  12. 如申請專利範圍第2項之方法，其中在完成該電致變色裝置及該第二透明導電層之前在不預先界定將在何處形成該第二透明導電層之該匯流條的情況下執行該方法。
  13. 如申請專利範圍第10項之方法，其進一步包含在該第二透明導電層及/或該第一透明導電層上形成一或多個額外匯流條。
  14. 如申請專利範圍第13項之方法，其進一步包含切割該基板以提供多個窗片。
  15. 如申請專利範圍第2項之方法，其中製造該電致變色堆疊包含在該反電極層及/或該電致變色層上沈積元素鋰。
  16. 如申請專利範圍第2項之方法，其中該匯流條具有一達約144吋之長度。
  17. 如申請專利範圍第2項之方法，其中該第二透明導電層實質上為透明的。
  18. 如申請專利範圍第2項之方法，其中該基板之最大尺寸為至少約144吋。
  19. 如申請專利範圍第2項之方法，其中(e)中之該去活化包含降低該第一透明導電層在處於該匯流條下方之該區中之導電性。
  20. 如申請專利範圍第19項之方法，其中降低該導電性包含使該第一透明導電層在處於該匯流條下方之該區中發生化學反應。
  21. 如申請專利範圍第20項之方法，其中該化學反應包含使該第一透明導電層暴露於一反應性氧源，且其中該第一透明導電層包含一透明層。
  22. 如申請專利範圍第21項之方法，其中該透明層係選自由摻雜金屬之氧化物、未摻雜金屬之氧化物、氮化物及金屬組成之群。
  23. 如申請專利範圍第21項之方法，其中該反應性氧源為該基板。
  24. 如申請專利範圍第20項之方法，其中該化學反應包含藉由使該第一透明導電層與一存在於一經施加以形成該匯流條之材料中的組分接觸或藉由使該第一透明導電層暴露於一高溫來形成一鈍化層。
  25. 如申請專利範圍第2項之方法，其中(e)中之該去活化包含防止該電致變色裝置在處於該匯流條下方之該區中鋰化。
  26. 如申請專利範圍第2項之方法，其中該電致變色層包含電致變色金屬氧化物，且其中(e)中之該去活化包含使該電致變色層中之間隙氧與該電致變色金屬氧化物反應，以產生該金屬氧化物之一不具有電致變色活性之化學計量或富氧形式。
  27. 如申請專利範圍第26項之方法，其中該電致變色金屬氧化物為氧化鎢。
  28. 如申請專利範圍第2項之方法，其中(e)中之該去活化包含在處於該匯流條下方之該區中施加過量氧。
  29. 如申請專利範圍第2項之方法，其中(e)包含： (i) 在操作(b)及/或(c)期間，使該電致變色堆疊、該第一透明導電層及/或該第二透明導電層敏化；及 (ii) 在操作(c)之後，在該匯流條下方或附近局部施加一刺激，以使該敏化之電致變色堆疊、該第一透明導電層及/或該第二透明導電層在處於該匯流條下方之該區中去活化，或使該敏化之電致變色堆疊、該第一透明導電層及/或該第二透明導電層在不處於該匯流條下方之該等區中活化。
  30. 如申請專利範圍第29項之方法，其中該敏化包含一選自由施加熱、輻照、施加一化學品或組合物及其組合組成之群的處理。
  31. 如申請專利範圍第29項之方法，其中該刺激係選自由輻照、加熱、暴露於化學品或組合物及其組合組成之群。
  32. 如申請專利範圍第2項之方法，其中在該電致變色裝置之該表面之一可視區上提供該等匯流條中之一或多者。
  33. 如申請專利範圍第2項之方法，其中該匯流條為透明的。
  34. 一種製造一電致變色裝置之方法，該電致變色裝置包含一在一第一透明導電層與一第二透明導電層之間的電致變色堆疊，該第一透明導電層及該第二透明導電層經組態以在該電致變色堆疊之表面上傳遞電位，且由此引起該電致變色裝置之光學切換，該方法包含： (a) 接收一基板； (b) 在安置於該基板之一表面上的該第一透明導電層上製造該電致變色堆疊，其中該電致變色堆疊包含一電致變色層及一反電極層； (c) 在該電致變色堆疊上形成該第二透明導電層； (d) 在該第二透明導電層之一區上形成一匯流條，其中該區在該第一透明導電層上方；及 (e) 執行一減少短路之操作，該減少短路之操作 (i) 防止在該第二透明導電層與該電致變色裝置之一層之間在處於該匯流條下方之該區中形成電短路，及/或 (ii) 去除已在該第二透明導電層與該電致變色裝置之一層之間在處於該匯流條下方之該區中形成之電短路， 其中在製造該電致變色堆疊及該第二透明導電層之後，在實質上不使該電致變色裝置在處於該匯流條下方之該區中去活化的情況下，執行(e)。
  35. 如申請專利範圍第34項之方法，其中(e)在執行(d)之前執行。
  36. 如申請專利範圍第34項之方法，其進一步包含將該基板自該基板之一卷材連續饋送至在該基板上塗佈該電致變色堆疊之一設備。
  37. 如申請專利範圍第36項之方法，其中該基板包含一柔性玻璃。
  38. 如申請專利範圍第34項之方法，其進一步包含在該基板之一表面上形成該第一透明導電層。
  39. 如申請專利範圍第38項之方法，其中形成該第一透明導電層、製造該電致變色堆疊及形成該第二透明導電層依序地在一濺鍍塗佈設備中執行，該濺鍍塗佈設備向該基板之該表面塗佈該第一透明導電層及該第二透明導電層以及該電致變色堆疊。
  40. 如申請專利範圍第34項之方法，其中該第一透明導電層在製造該電致變色堆疊之一設備中形成。
  41. 如申請專利範圍第34項之方法，其中操作(b)及(c)依序地在一濺鍍塗佈設備中執行，該濺鍍塗佈設備向該基板之該表面塗佈該第一透明導電層及該第二透明導電層以及該電致變色堆疊，且其中操作(d)在該濺鍍塗佈設備外部執行。
  42. 如申請專利範圍第34項之方法，其中該減少短路之操作包含藉由在一實質上不會遷移至該第二透明導電層之介質中施加一匯流條導電材料來形成該匯流條。
  43. 如申請專利範圍第42項之方法，其中該介質為一固體。
  44. 如申請專利範圍第42項之方法，其中該介質為一膠帶。
  45. 如申請專利範圍第34項之方法，其中該減少短路之操作包含藉由在一介質中施加一匯流條導電材料來形成該匯流條，該介質隔絕導電材料，由此防止該導電材料遷移至該第二透明導電層。
  46. 如申請專利範圍第34項之方法，其中該減少短路之操作包含在該匯流條與該第二透明導電層之間形成一障壁層。
  47. 如申請專利範圍第46項之方法，其中該障壁層包含一選自由以下各者組成之群的材料：石墨及石墨烯、氧化鈦、氧化錫、氧化鋅、氧化鋁、氮化鋁、氮化鈦、氮化鉭、鉻、氮化物、SiOx Ny 化合物、碳，及其組合。
  48. 如申請專利範圍第34項之方法，其中該減少短路之操作在(d)期間執行，且(d)進一步包含自一組合物形成該匯流條，該組合物包含一抵制電遷移至該第二透明導電層中之導電材料。
  49. 如申請專利範圍第34項之方法，其中該減少短路之操作包含施加一刺激，該刺激修復該第二透明導電層與該電致變色裝置之該層之間的該等現有短路。
  50. 如申請專利範圍第49項之方法，其中施加修復該等現有短路之該刺激包含在該第二透明導電層與該電致變色裝置之該層之間施加電流。
  51. 如申請專利範圍第49項之方法，其中施加修復該等現有短路之該刺激包含至少使該電致變色裝置在該匯流條下方之部分暴露於高溫。
  52. 如申請專利範圍第49項之方法，其中施加修復該等現有短路之該刺激包含至少使該電致變色裝置在處於該匯流條下方之該區中的部分暴露於雷射能量。
  53. 如申請專利範圍第49項之方法，其中施加修復該等現有短路之該刺激包含使該等現有短路與一化學品反應以使得該等現有短路相對不導電。
  54. 如申請專利範圍第34項之方法，其中該減少短路之操作包含阻斷該第二透明導電層中在可能形成該等短路之點處之通路。
  55. 如申請專利範圍第54項之方法，其中該等通路包含該第二透明導電層中之缺陷、凹陷或裂隙。
  56. 如申請專利範圍第54項之方法，其中阻斷該第二透明導電層中之通路包含使該第二透明導電層之至少一部分熔化或流動。
  57. 如申請專利範圍第54項之方法，其中阻斷該第二透明導電層中之通路包含以一材料填充該等通路，該材料阻斷來自該匯流條之材料遷移至該第二透明導電層中。
  58. 如申請專利範圍第54項之方法，其中阻斷該第二透明導電層中之通路包含在(d)中形成該匯流條之前以一實質上不導電之材料覆蓋該第二透明導電層。
  59. 如申請專利範圍第34項之方法，其中在形成該第二透明導電層之前在未隔離該第一透明導電層之一區的情況下執行該方法。
  60. 如申請專利範圍第34項之方法，其中在形成該第二透明導電層之前在未隔離該電致變色堆疊之一區的情況下執行該方法。
  61. 如申請專利範圍第34項之方法，其中在完成該電致變色裝置及該第二透明導電層之前在不預先界定將在何處形成該第二透明導電層之該匯流條的情況下執行該方法。
  62. 如申請專利範圍第59項之方法，其進一步包含在該第二透明導電層及/或該第一透明導電層上形成一或多個額外匯流條。
  63. 如申請專利範圍第62項之方法，其進一步包含切割該基板以提供多個電致變色窗片。
  64. 如申請專利範圍第34項之方法，其中製造該電致變色堆疊包含在該反電極層及/或該電致變色層上沈積元素鋰。
  65. 如申請專利範圍第34項之方法，其中該匯流條具有一達約144吋之長度。
  66. 如申請專利範圍第34項之方法，其中該第二透明導電層實質上為透明的。
  67. 如申請專利範圍第34項之方法，其中該基板之最大尺寸為至少約144吋。
  68. 如申請專利範圍第34項之方法，其中在該電致變色裝置之該表面之一可視區上提供該等匯流條中之一或多者。
  69. 如申請專利範圍第34項之方法，其中該匯流條為透明的。
  70. 一種電致變色裝置，其包含： 一基板，其具有一表面； 一第一透明導電層，其安置在該基板表面上； 一電致變色堆疊，其在該第一透明導電層上，其中該電致變色堆疊包含一電致變色層及一反電極層； 一第二透明導電層，其在該電致變色堆疊上；及 一匯流條，其電耦合至該第二透明導電層之一區， 其中該區在該第一透明導電層上方， 其中該電致變色堆疊安置在該第一透明導電層與該第二透明導電層之間，該第一透明導電層及該第二透明導電層經組態以在該電致變色堆疊之表面上傳遞電位，且由此引起該電致變色裝置之光學切換，且 其中在製造該電致變色堆疊及該第二透明導電層之後，該電致變色堆疊在處於該匯流條下方之該區中被去活化。
  71. 一種電致變色裝置，其包含： 一基板，其具有一表面； 一第一透明導電層，其安置在該基板表面上； 一電致變色堆疊，其在該第一透明導電層上，其中該電致變色堆疊包含一電致變色層及一反電極層； 一第二透明導電層，其在該電致變色堆疊上；及 一匯流條，其電耦合至該第二透明導電層之一區， 其中該區在該第一透明導電層上方， 其中該電致變色堆疊安置在該兩個透明導電層之間，該兩個透明導電層經組態以在該電致變色堆疊之表面上傳遞電位，且由此引起該電致變色裝置之光學切換，且 其中該電致變色堆疊具有活性，且短路及/或潛在缺陷在處於該匯流條下方之該區中得以減少。
  72. 如申請專利範圍第71項之電致變色裝置，其中該等潛在缺陷中之至少一者為一潛在短路。
  73. 一種用於製造一電致變色裝置之系統，該電致變色裝置包含一在兩個透明導電層之間的電致變色堆疊，該兩個透明導電層經組態以在該電致變色堆疊之表面上傳遞電位，且由此引起該電致變色裝置之光學切換，該製造系統包含： (a) 一塗佈設備，其經組態以： 接收一基板，該基板視情況具有一上面安置有一第一透明導電層之表面， 在該第一透明導電層上製造該電致變色堆疊，其中該電致變色堆疊包含一電致變色層及一反電極層，及 在該電致變色堆疊上形成一第二透明導電層；及 (b) 一後塗佈圖案化設備，其經組態以： 接收在該兩個透明導電層之間具有該電致變色堆疊之該基板， 形成電耦合至該第二透明導電層之一或多個匯流條，及 使該下伏裝置在該一或多個匯流條下方之區中去活化。
  74. 如申請專利範圍第73項之系統，其中該後塗佈圖案化設備進一步經組態以形成電耦合至該第一透明導電層之一或多個匯流條。
  75. 如申請專利範圍第73項之系統，其中該後塗佈圖案化設備進一步經組態以切割該基板以提供多個電致變色窗片。
  76. 一種用於製造一電致變色裝置之系統，該電致變色裝置包含一在兩個透明導電層之間的電致變色堆疊，該兩個透明導電層經組態以在該電致變色堆疊之表面上傳遞電位，且由此引起該電致變色裝置之光學切換，該製造系統包含： (a) 一塗佈設備，其經組態以 接收一基板，該基板視情況具有一上面安置有一第一透明導電層之表面， 在該第一透明導電層上製造該電致變色堆疊，其中該電致變色堆疊包含一電致變色層及一反電極層，及 在該電致變色堆疊上形成一第二透明導電層；及 (b) 一後塗佈圖案化設備，其經組態以 接收在該兩個透明導電層之間具有該電致變色堆疊之該基板， 形成電耦合至該第二透明導電層之一或多個匯流條，及 阻斷該匯流條材料之滲透。
  77. 如申請專利範圍第76項之系統，其中該後塗佈圖案化設備進一步經組態以切割該基板以提供多個電致變色窗片。
  78. 一種製造一電致變色裝置之方法，該電致變色裝置包含一在一第一透明導電層與一第二透明導電層之間的電致變色堆疊，該第一透明導電層及該第二透明導電層經組態以在該電致變色堆疊之表面上傳遞電位，且由此引起該電致變色裝置之光學切換，該製造方法包含： (a) 在未在一第一設施中預先圖案化之情況下，在一玻璃基板上製造該電致變色堆疊； (b) 將包括該電致變色堆疊之該玻璃基板運送至一第二設施；及 (c) 在該第二設施中執行後處理。
  79. 如申請專利範圍第78項之方法，其中(c)包含將該玻璃基板切割成多個電致變色窗片。
  80. 如申請專利範圍第79項之方法，其進一步包含使在後處理期間施加在該基板上之一或多個匯流條中之至少一者下方的該電致變色堆疊去活化。
  81. 如申請專利範圍第80項之方法，其中該去活化在施加該一或多個匯流條之前或之後執行。
  82. 如申請專利範圍第80項之方法，其中該去活化包含藉由執行一選自由施加熱、輻照、施加一化學品或組合物及其組合組成之群的處理而使該電致變色堆疊、該第一透明導電層及/或該第二透明導電層敏化。
  83. 如申請專利範圍第78項之方法，其中(c)包含該電致變色堆疊之雷射圖案化。
  84. 如申請專利範圍第78項之方法，其中(c)包含將一或多個匯流條施加至該電致變色堆疊。
  85. 如申請專利範圍第78項之方法，其中(c)包含執行一減少短路之操作，該減少短路之操作(i)防止在該第二透明導電層與該電致變色裝置之一層之間在處於一或多個匯流條中之至少一者下方之一區中形成電短路，及/或(ii)去除已在該第二透明導電層與該電致變色裝置之一層之間在處於一或多個匯流條中之該至少一者下方之該區中形成之電短路，且其中在製造該電致變色堆疊及該第二透明導電層之後，在實質上不使該電致變色裝置在處於一或多個匯流條中之該至少一者下方之該區中去活化的情況下執行該減少短路之操作。
  86. 如申請專利範圍第78項之方法，其進一步包含在(b)之前對該電致變色堆疊提供密封性保護。
  87. 如申請專利範圍第86項之方法，其中提供該密封性保護包含在該電致變色堆疊上方形成一密封性上塗層。
  88. 如申請專利範圍第87項之方法，其中該密封性上塗層係由選自由聚對二甲苯、基於矽之封裝劑、基於環氧樹脂之封裝劑、氧化物-聚合物多層、丙烯酸系材料、陶瓷材料、黏著劑材料、乙烯基材料及其組合組成之群的材料製成。
  89. 如申請專利範圍第87項之方法，其進一步包含在該第二設施處去除該密封性上塗層。
  90. 如申請專利範圍第87項之方法，其進一步包含藉由將該密封性上塗層加熱至一在約200℃與約700℃之間的溫度來去除該密封性上塗層。
  91. 如申請專利範圍第87項之方法，其進一步包含使用一在該第二設施處進行之洗滌操作來去除該密封性上塗層。
  92. 如申請專利範圍第91項之方法，其中該洗滌操作包含使該密封性上塗層暴露於一酸性溶液。
  93. 如申請專利範圍第91項之方法，其中該洗滌操作包含使該密封性上塗層暴露於一鹼性溶液。
  94. 如申請專利範圍第93項之方法，其中該鹼性溶液之一pH值在8與12之間。
  95. 如申請專利範圍第87項之方法，其進一步包含以機械方式去除該密封性上塗層。
  96. 如申請專利範圍第87項之方法，其進一步包含藉由使該密封性上塗層暴露於一電漿蝕刻製程來去除該密封性上塗層。
  97. 如申請專利範圍第87項之方法，其進一步包含自該基板剝離該密封性上塗層。
  98. 如申請專利範圍第87項之方法，其中使該密封性上塗層摻雜選自由鐵及錳組成之群的金屬元素。
  99. 如申請專利範圍第87項之方法，其中將該密封性上塗層沈積至一在約1 μm與約90 μm之間的厚度。
  100. 如申請專利範圍第78項之方法，其中包括該電致變色堆疊之該玻璃基板具有一小於約30 nm之粗糙度。
  101. 如申請專利範圍第78項之方法，其進一步包含在一免受大氣濕氣影響之環境中提供包括該電致變色堆疊之該玻璃基板。
  102. 如申請專利範圍第101項之方法，其中該環境為一氬氣環境。
  103. 如申請專利範圍第78項之方法，其進一步包含向包括該電致變色堆疊之該玻璃基板提供至少一個其他玻璃基板，該至少一個其他玻璃基板具有一與一保護材料交錯在一起之電致變色堆疊。
  104. 如申請專利範圍第103項之方法，其中該保護材料包含一粉末及/或一交錯片材。
  105. 如申請專利範圍第104項之方法，其中該交錯片材為米紙。
  106. 如申請專利範圍第104項之方法，其中該交錯片材為聚甲基丙烯酸甲酯珠粒或椰殼粉。
  107. 如申請專利範圍第78項之方法，其中未對所運送之包括該電致變色堆疊之該玻璃基板進行回火。
  108. 如申請專利範圍第107項之方法，其中所運送之包括該電致變色堆疊之該玻璃基板包含一電致變色前驅物。
  109. 如申請專利範圍第107項之方法，其進一步包含在該後處理期間在該第二設施處在切割之後，對包括該電致變色堆疊之該玻璃基板進行回火。
  110. 如申請專利範圍第108項之方法，其進一步包含在該後處理期間在該第二設施處在切割之後，對包括該電致變色堆疊之該玻璃基板進行退火。
  111. 一種製造一電致變色裝置之方法，該方法包含： a. 在一第一透明導電層上沈積一包含一第一電致變色層及一第一反電極層之第一電致變色堆疊； b. 在該第一電致變色堆疊上沈積一包含一第二電致變色層及一第二反電極層之第二電致變色堆疊，其中該等電致變色堆疊中之至少一者在該等電致變色層與該等反電極層之間的界面處包含超化學計量之氧； c. 在該第二電致變色堆疊上沈積鋰； d. 在該第二電致變色堆疊上沈積一第二透明導電層，以形成一電致變色裝置前驅物；及 e. 有選擇性地使該電致變色裝置前驅物在並非將存在一匯流條之一區的區中活化，該匯流條經組態以向該第二透明導電層供電。
  112. 如申請專利範圍第111項之方法，其中該匯流條為一非滲透性匯流條。
  113. 如申請專利範圍第111項之方法，其中當在將存在該匯流條之該區域內製造該匯流條時，該區經組態以延伸越過該匯流條之任一邊緣約0.5 mm至約5 mm。
  114. 如申請專利範圍第111項之方法，其中當在將存在該匯流條之該區域內製造該匯流條時，該區經組態以延伸越過該匯流條之任一邊緣約0.5 mm至約2 mm。
  115. 如申請專利範圍第111項之方法，其中當在將存在該匯流條之該區域內製造該匯流條時，該區經組態以延伸越過該匯流條之任一邊緣約0.5 mm至約1 mm。
  116. 如申請專利範圍第111項之方法，其進一步包含使該區去活化以抑制該第一透明導電層與該第二透明導電層之間的電傳導。
  117. 如申請專利範圍第111項之方法，其中該匯流條在一介質中包含一匯流條導電材料，該介質隔絕導電材料，由此防止該導電材料遷移至該第二透明導電層。
  118. 一種製造一電致變色裝置之系統，該電致變色裝置包含一在一第一透明導電層與一第二透明導電層之間的電致變色堆疊，該第一透明導電層及該第二透明導電層經組態以在該電致變色堆疊之表面上傳遞電位，且由此引起該電致變色裝置之光學切換，該系統包含： (a) 一在一第一設施處之第一設備，其經組態以 在該第一透明導電層上製造該電致變色堆疊， 其中該電致變色堆疊包含一電致變色層及一反電極層，及 在該電致變色堆疊上形成該第二透明導電層；及 (b) 一第二設備，其經組態以執行後處理操作。
  119. 如申請專利範圍第118項之系統，其中一保護層在該第一設施中沈積在該第二透明導電層及該電致變色堆疊上。
  120. 如申請專利範圍第119項之系統，其中該第二設備經組態以在一第二設施中去除該保護層。
  121. 如申請專利範圍第119項之系統，其中該第二設備包含一經組態以藉由加熱該保護層來去除該保護層之加熱設備。
  122. 如申請專利範圍第118項之系統，其中該第二設備經組態以接收在該兩個透明導電層之間具有該電致變色堆疊之基板，形成電耦合至該第二透明導電層之一或多個匯流條，且阻斷該一或多個匯流條之該材料之滲透。
  123. 如申請專利範圍第118項之系統，其中該第一設備包含用於將材料濺鍍至一玻璃基板上之一或多個沈積站。
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