TW201805728A

TW201805728A - 獲得量測的方法、用於執行處理步驟的設備、度量衡設備、器件製造方法

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Publication number: TW201805728A
Application number: TW106115403A
Authority: TW
Inventors: 哈奇爾金希可利; 石橋真史; 戴凡溫蒂喬漢娜瑪汀娜范; 威廉賽納克里斯汀羅伊羅夫斯; 納馬拉艾略特葛雷德麥克; 里茲維拉曼; 米切爾庫柏斯; 艾密爾彼得舒密特－韋佛; 艾瑞克亨利亞德里安德爾維尼
Original assignee: Ａｓｍｌ荷蘭公司
Priority date: 2016-05-12
Filing date: 2017-05-10
Publication date: 2018-02-16
Also published as: TWI754153B; CN109154781B; US20220035259A1; KR20210013648A; KR102353216B1; WO2017194289A1; US20190137892A1; TWI811958B; US11175591B2; TW202219658A; KR20190005955A; CN113467195A; KR102513021B1; KR20220010588A; CN109154781A; TWI668518B; US11774862B2; TW201937310A

Abstract

在執行一微影處理步驟之前或之後自橫越一基板(W')之部位獲得量測。此等量測之實例包括在將一圖案施加至該基板之前進行的對準量測，及在已施加一圖案之後的諸如疊對之效能參數之量測。自所有可能量測部位(302)當中選擇一量測部位集合(606、606'或606'')。回應於使用量測部位之一初步選擇(610)而獲得之量測，動態地選擇(202c)該等經選擇量測部位之至少一子集。可使用初步高度量測以選擇用於對準之量測部位。在本發明之另一態樣中，基於諸如高度量測之補充資料或歷史資料來偵測離群值量測。

Description

獲得量測的方法、用於執行處理步驟的設備、度量衡設備、器件製造方法

本發明係關於自橫越一或多個基板之部位獲得量測的方法。本發明可應用於(例如)微影設備中或度量衡設備中。本發明進一步係關於使用此微影設備來製造器件之方法，且係關於用於實施此方法之部分的資料處理設備及電腦程式產品。

微影設備為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影設備可用於(例如)積體電路(IC)製造中。在彼情況下，圖案化器件(其被替代地稱作光罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。此圖案可轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分的網路。已知的微影設備包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。微影程序之關鍵效能參數為疊對誤差。此誤差(常常被簡單地稱作「疊對」)為在將產品特徵相對於形成於先前層中之特徵置放於正確位置中時的誤差。隨著器件結構變得愈來愈小，疊對規格變得愈來愈嚴格。在微影設備內，通常基於提供於基板上之對準標記之量測來施加晶圓對準模型，該等量測係作為每一圖案化操作之初步步驟而進行。如今，對準模型包括高階模型，以校正晶圓之非線性失真。亦可擴展對準模型以考量其他量測及/或諸如在圖案化操作期間之熱變形之計算效應。然而，每晶圓之可用時間並不准許量測所有對準標記，且不可避免地必須在速度與準確度之間作出折衷。當前，藉助於諸如(例如) US2012008127A1中所描述之進階程序控制(APC)及(例如) US2013230797A1中所描述之晶圓對準模型的方法來控制及校正疊對誤差。近年來已引入進階程序控制技術，且進階程序控制技術使用橫靠經施加器件圖案而施加至基板之度量衡目標之量測。檢測設備可與微影設備分離，或整合於微影設備內。雖然對準模型及進階程序控制已極大地縮減疊對，但並非所有誤差皆被校正。此等誤差中之一些誤差可為(例如)不可校正的雜訊，但理論上可使用可用技術來校正其他誤差，但實務上並不經濟地可校正其他誤差。舉例而言，吾人仍可設想高階模型，但此等高階模型又將需要位置量測之較高空間密度。再者，即使存在可能量測部位之高空間密度，實際上量測此數目個量測部位亦將不利地影響度量衡設備之微影程序的產出率。因此，根據改良諸如疊對之關鍵效能參數的觀點，常見的是定義捕捉基板之最重要特徵的量測「配方(recipe)」。若已知的是某一類型之處理在經歷彼程序之基板的失真中產生特定「指紋(fingerprint)」，則可選擇量測部位集合而以最大化在圖案化步驟中校正彼指紋之機會的方式捕捉彼指紋。然而，所出現的問題為程序指紋可甚至在單一晶圓批次的情況下仍相當廣泛地變化。針對一個晶圓給出良好疊對效能之量測部位集合可能並不會針對下一晶圓給出良好疊對效能。相同原理適用於已經經受微影程序之基板上的度量衡應用中之量測部位之選擇。影響對準及度量衡效能兩者之另一問題為異常樣本或「離群值(outlier)」。在對準資料中，離群值可為受到非常局域化的原因(諸如晶圓下方之污染)影響之位置量測。然而，當此量測包括於對準模型中時，異常量測之影響可蔓延，從而遍及過度寬廣的區域使疊對效能降級。相似地，效能度量衡中之離群值可造成雜訊及進階效能控制迴路降級。

本發明旨在改良量測結果之相關性(主要是微影程序之效能相關性)而不會必定增加需要被量測之量測部位之數目。根據本發明之一態樣，提供一種在執行一微影處理步驟之前或之後自橫越一基板之部位獲得量測的方法，其中自所有可能量測部位當中選擇一量測部位集合，且在每一經選擇部位處對該基板上之一結構之一屬性進行一量測，其中至少部分地回應於與使用量測部位之一初步選擇而獲得之量測相關聯之一指紋的辨識來動態地選擇該等經選擇量測部位之至少一子集。該量測部位集合之動態選擇會允許在每基板基礎上選擇對於效能改良最可能相關之部位，而不會必定增加量測之總數目及量測時間。甚至在基板之間存在程序變化的情況下，仍可縮減原本可能被預期為由挑選有限量測部位集合引起之效能損失。該微影處理步驟可為在微影設備中執行之圖案化步驟，或其可為在另一設備中執行之化學或物理處理步驟。在量測部位之初步選擇時進行的量測及/或在經選擇量測部位集合處進行之量測可在微影設備或其他處理設備內進行，或其可在單獨度量衡設備中進行。在量測部位之初步選擇時進行的量測可屬於如在經選擇量測部位集合處獲得之量測的量測類型，或屬於不同類型。在量測部位之初步選擇時進行的量測可與在經選擇量測部位集合處獲得之量測在同一設備中進行，或在不同設備中進行。在本文中所揭示之一些實例中，基於初步部位處之對準量測來動態地選擇用於對準量測(其量測基板之平面中的位置偏差)之部位。在其他實例中，基於高度量測(平面外位置偏差)來動態地選擇用於對準量測之部位。在微影處理步驟之前進行的量測之實例包括為了定位待施加於微影設備中之圖案而進行的對準量測。在微影處理步驟之後進行的量測之實例包括諸如疊對之效能參數之量測。本發明進一步提供一種用於在一微影程序中執行一處理步驟之設備，該設備包括用於在執行該處理步驟之前進行一基板之量測的一量測系統，該量測系統經配置以使用如上文所闡述的根據本發明之一方法在橫越該基板之一經選擇部位集合處獲得量測。本發明進一步提供一種度量衡設備，其經配置以使用如上文所闡述的根據本發明之一方法在橫越一基板之一經選擇部位集合處獲得結構之一或多個屬性之量測。本發明進一步提供一種製造器件之方法，其包括一微影處理步驟，其中，在執行該微影處理步驟之前或之後，藉由如上文所闡述的根據本發明之一方法在橫越一基板之一經選擇部位集合處獲得量測，且其中使用該等所獲得量測以調整該微影處理步驟之參數以用於處理該基板及/或另外基板。在一另外獨立態樣中，本發明提供一種判定用於在一基板上之一量測部位處進行之一量測之一加權因子的方法，該方法包含以下步驟：將一品質測試應用於該量測，該品質測試係至少部分地基於與該量測部位相關聯之補充資料；及基於該品質測試之一結果來判定該加權因子。在一些實施例中，該補充資料包含基於經先前處理基板之統計資料。可以各種方式利用該加權因子，例如以縮減離群值量測對未來處理之影響。在一些實施例中，可藉由修改現有設備之控制軟體來實施本發明之設備及方法。本發明進一步提供一種電腦程式產品，其包含用於致使一或多個處理器在上文所闡述之該設備中實施該方法之態樣的機器可讀指令。該電腦程式產品可包含儲存於一非暫時性儲存媒體中之該等機器可讀指令。

在詳細地描述本發明之實施例之前，有指導性的是呈現可供實施本發明之實施例的實例環境。圖1在100處將微影設備LA展示為實施高容量微影製造程序之工業設施之部分。在本實例中，製造程序經調適以用於在諸如半導體晶圓之基板上製造半導體產品(積體電路)。熟習此項技術者將瞭解，可藉由以此程序之變體來處理不同類型之基板而製造各種各樣的產品。半導體產品之生產純粹地用作現今具有極大商業意義之實例。在微影設備(或簡稱為「微影工具」100)內，在102處展示量測站MEA且在104處展示曝光站EXP。在106處展示控制單元LACU。在此實例中，每一基板造訪量測站及曝光站已被施加圖案。舉例而言，在光學微影設備中，投影系統用以使用經調節輻射及投影系統將產品圖案自圖案化器件MA轉印至基板上。此轉印係藉由在輻射敏感抗蝕劑材料層中形成圖案之影像而進行。本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。圖案化MA器件可為將圖案賦予至由圖案化器件透射或反射之輻射光束的光罩或倍縮光罩。熟知的操作模式包括步進模式及掃描模式。眾所周知，投影系統可以多種方式與用於基板及圖案化器件之支撐系統及定位系統合作，以將所要圖案施加至橫越基板之許多目標部分。可使用可程式化圖案化器件以代替具有固定圖案之倍縮光罩。舉例而言，輻射可包括處於深紫外線(DUV)或極紫外線(EUV)波帶中之電磁輻射。本發明亦適用於(例如)藉由電子束進行的其他類型之微影程序，例如，壓印微影及直寫微影。微影設備控制單元LACU控制各種致動器及感測器之所有移動及量測，從而致使設備收納基板W及倍縮光罩MA且實施圖案化操作。LACU亦包括用以實施與設備之操作相關之所要計算的信號處理及資料處理能力。實務上，控制單元LACU將被實現為許多子單元之系統，該等子單元各自處置設備內之子系統或組件的即時資料獲取、處理及控制。在曝光站EXP處將圖案施加至基板之前，在量測站MEA處處理基板，使得可進行各種預備步驟。該等預備步驟可包括使用位階感測器來映射基板之表面高度，及使用對準感測器來量測基板上之對準標記之位置。對準標記係以規則柵格圖案標稱地配置。然而，歸因於在產生標記時之不準確度且亦歸因於基板貫穿其處理而發生之變形，標記會偏離理想柵格。因此，在設備將以極高準確度於正確部位處印刷產品特徵的情況下，除了量測基板之位置及定向以外，對準感測器實務上亦必須詳細地量測橫越基板區域之許多標記之位置。微影設備LA可屬於具有兩個基板台之所謂的雙載物台類型，每一基板台具有由控制單元LACU控制之定位系統。在曝光站EXP處曝光一個基板台上之一個基板的同時，可在量測站MEA處將另一基板裝載至另一基板台上，使得可進行各種預備步驟。因此，對準標記之量測極耗時，且提供兩個基板台會實現設備之產出率的實質增加。若在基板台處於量測站以及處於曝光站時位置感測器IF不能夠量測基板台之位置，則可提供第二位置感測器以使能夠在兩個站處追蹤基板台之位置。替代地，可組合量測站與曝光站。舉例而言，已知的是具有單一基板台，在曝光前量測階段期間量測載物台暫時耦接至該單一基板台。本發明並不限於任一類型之系統。在生產設施內，設備100形成「微影製造單元(litho cell)」或「微影叢集(litho cluster)」之部分，該「微影製造單元」或「微影叢集」亦含有塗佈設備108以用於將感光抗蝕劑及其他塗層施加至基板W以供設備100圖案化。在設備100之輸出側處，提供烘烤設備110及顯影設備112以用於將經曝光圖案顯影成實體抗蝕劑圖案。在所有此等設備之間，基板處置系統負責支撐基板且將基板自一台設備轉移至下一台設備。常常統稱為「塗佈顯影系統(track)」之此等設備係在塗佈顯影系統控制單元之控制下，塗佈顯影系統控制單元自身受到監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影設備控制單元LACU來控制微影設備。因此，不同設備可經操作以最大化產出率及處理效率。監督控制系統SCS接收配方資訊R，配方資訊R非常詳細地提供待執行以產生每一經圖案化基板之步驟的定義。一旦已在微影製造單元中施加及顯影圖案，就將經圖案化基板120轉移至諸如在122、124、126處所說明之其他處理設備。廣範圍之處理步驟係由典型製造設施中之各種設備實施。出於實例起見，此實施例中之設備122為蝕刻站，且設備124執行蝕刻後退火步驟。將另外物理及/或化學處理步驟應用於另外設備126等等。可需要眾多類型之操作以製造真實器件，諸如材料之沈積、表面材料特性之改質(氧化、摻雜、離子植入等等)、化學機械拋光(CMP)等等。實務上，設備126可表示在一或多個設備中執行之一系列不同處理步驟。眾所周知，半導體器件之製造涉及此處理之許多重複，以在基板上逐層地建置具有適當材料及圖案之器件結構。因此，到達微影叢集之基板130可為新近製備之基板，或其可為先前已在此叢集中或在另一設備中完全地被處理之基板。相似地，取決於所需處理，基板132在離開設備126時可被返回以用於同一微影叢集中之後續圖案化操作，其可被指定用於不同叢集中之圖案化操作，或其可為待發送以用於切割及封裝之成品。產品結構之每一層需要不同處理步驟集合，且用於每一層處之設備126可在類型方面完全不同。另外，即使在待由設備126應用之處理步驟在大型設施中標稱地相同的情況下，亦可存在並行地工作以對不同基板執行步驟126之若干假設相同的機器。此等機器之間的小設置差異或疵點可意謂其以不同方式影響不同基板。即使為每一層相對共有之步驟(諸如蝕刻(設備122))亦可由標稱地相同但並行地工作以最大化產出率之若干蝕刻設備實施。實務上，此外，不同層根據待蝕刻之材料的細節而需要不同蝕刻程序，例如，化學蝕刻、電漿蝕刻；且需要特殊要求，諸如各向異性蝕刻。可在其他微影設備中執行先前及/或後續程序，如剛才所提及，且可甚至在不同類型之微影設備中執行先前及/或後續程序。舉例而言，器件製造程序中在諸如解析度及疊對之參數方面要求極高之一些層相比於要求較不高之其他層可在更進階的微影工具中予以執行。因此，一些層可曝光於浸潤類型微影工具中，而其他層曝光於「乾式」工具中。一些層可曝光於在DUV波長下工作之工具中，而其他層係使用EUV波長輻射而曝光。為了正確地且一致地曝光由微影設備曝光之基板，需要檢測經曝光基板以量測屬性，諸如後續層之間的疊對誤差、線厚度、臨界尺寸(CD)等等。因此，經定位有微影製造單元LC之製造設施亦包括度量衡系統MET，度量衡系統MET收納已在微影製造單元中處理之基板W中之一些或全部。將度量衡結果直接或間接提供至監督控制系統(SCS) 138。若偵測到誤差，則可對後續基板之曝光進行調整，尤其是在度量衡可足夠迅速地且快速地進行而使得同一批量之其他基板仍待曝光的情況下。另外，已經曝光之基板可被剝離及重工以改良良率，或被捨棄，藉此避免對已知有缺陷之基板執行進一步處理。在基板之僅一些目標部分有缺陷之狀況下，可僅對良好的目標部分執行進一步曝光。圖1中亦展示度量衡設備140，其經提供以用於在製造程序中對所要載物台處之產品進行參數量測。現代微影生產設施中之度量衡設備之常見實例為散射計(例如，角度解析散射計或光譜散射計)，且其可應用於在設備122中之蝕刻之前量測在120處之經顯影基板之屬性。在使用度量衡設備140的情況下，可判定(例如)諸如疊對或臨界尺寸(CD)之重要效能參數並不滿足經顯影抗蝕劑中之指定準確度要求。在蝕刻步驟之前，存在經由微影叢集來剝離經顯影抗蝕劑且重新處理基板120之機會。亦眾所周知，藉由監督控制系統SCS及/或控制單元LACU 106隨著時間推移而進行小調整，可使用來自設備140之度量衡結果142以在微影叢集中維持圖案化操作之準確執行，藉此最小化產品不合格且需要重工之風險。當然，可應用度量衡設備140及/或其他度量衡設備(圖中未繪示)以量測經處理基板132、134及傳入基板130之屬性。本發明係關於在可用於量測集合之時間並不准許量測橫越基板之所有可能部位的狀況下的量測部位之動態選擇。可在圖1之製造設施中之各種操作中應用此動態選擇。舉例而言，作為圖案化操作之部分，當量測基板上之對準標記時，可在量測部位之選擇中應用該等技術。替代地或另外，量測部位之動態選擇可應用於度量衡設備140中之度量衡目標之選擇。將以相似方式在對準之內容背景中描述詳細實例，該對準可接著易於應用於度量衡設備140中。對準程序背景圖2說明用以在圖1之實例中所使用的雙載物台類型之微影設備中將目標部分(例如，晶粒)曝光於基板W上的步驟。首先將描述根據習知實務之程序。本發明並不限於雙載物台設備。本文中所揭示之動態選擇技術可應用於時間並不准許在每一基板上之所有可能量測部位處量測任何類型之量測的任何情形中。在量測站MEA處所執行之步驟係在點框內之左側，而右側展示曝光站EXP處所執行之步驟。有時，基板台WTa、WTb中之一者將處於曝光站，而另一者處於量測站，如上文所描述。出於此描述之目的，假定基板W已經被裝載至曝光站中。在步驟200處，藉由未展示之機構將新基板W'裝載至設備。並行地處理此兩個基板以便增加微影設備之產出率。最初參看新近裝載之基板W'，此基板可為先前未經處理之基板，其係運用新光阻予以製備以供在器件中進行第一次曝光。然而，一般而言，所描述之微影程序將僅僅為一系列曝光及處理步驟中之一個步驟，使得基板W'已經通過此設備及/或其他微影設備達若干次，且亦可經歷後續程序。特別針對改良疊對效能之問題，任務係確保新圖案被確切地施加於已經經受圖案化及處理之一或多個循環之基板上的正確位置中。此等處理步驟逐漸地在基板中引入失真，該等失真必須被量測及校正以達成令人滿意的疊對效能。可在其他微影設備中執行先前及/或後續圖案化步驟，如剛才所提及，且可甚至在不同類型之微影設備中執行先前及/或後續圖案化步驟。舉例而言，器件製造程序中在諸如解析度及疊對之參數方面要求極高之一些層相比於要求較不高之其他層可在更進階的微影工具中予以執行。因此，一些層可曝光於浸潤類型微影工具中，而其他層曝光於「乾式」工具中。一些層可曝光於在DUV波長下工作之工具中，而其他層係使用EUV波長輻射而曝光。在202處，使用基板標記P1等等及影像感測器(圖中未繪示)之對準量測用以量測及記錄基板相對於基板台WTa/WTb之對準。另外，將使用對準感測器AS來量測橫越基板W'之若干對準標記。在一個實施例中，此等量測用以建立「晶圓柵格」，該晶圓柵格極準確地映射橫越基板之標記之分佈，包括相對於標稱矩形柵格之任何失真。在步驟204處，亦使用位準感測器LS來量測晶圓高度(Z)相對於X-Y位置之映圖。通常，僅使用高度映圖以達成經曝光圖案之準確聚焦。主要地，僅使用高度映圖以達成經曝光圖案之準確聚焦。可另外出於其他目的而使用高度映圖。當裝載基板W'時，接收配方資料206，配方資料206定義待執行之曝光，且亦定義晶圓以及先前對晶圓產生及待產生之圖案之屬性。將在202、204處進行的晶圓位置、晶圓柵格及高度映圖之量測添加至此等配方資料，使得可將配方及量測資料208之完整集合傳遞至曝光站EXP。舉例而言，對準資料之量測包含以與為微影程序之產品之產品圖案成固定或標稱固定關係而形成的對準目標之X位置及Y位置。恰好在曝光之前採取之此等對準資料用以產生對準模型，該對準模型具有將該模型擬合至該資料之參數。此等參數及該對準模型將在曝光操作期間用以校正當前微影步驟中所施加之圖案之位置。在使用中之模型內插經量測位置之間的位置偏差。習知對準模型可能包含四個、五個或六個參數，該等參數一起以不同維度定義「理想」柵格之平移、旋轉及按比例調整。如US 2013230797A1中進一步所描述，使用更多參數之進階模型為吾人所知。在210處，調換晶圓W'與W，使得經量測基板W'變為基板W，從而進入曝光站EXP。在圖1之實例設備中，藉由交換設備內之支撐件WTa及WTb來執行此調換，使得基板W、W'保持準確地被夾持及定位於彼等支撐件上，以保留基板台與基板自身之間的相對對準。因此，一旦已調換該等台，就為了使用用於基板W (以前為W')之量測資訊202、204以控制曝光步驟而必需判定投影系統PS與基板台WTb (以前為WTa)之間的相對位置。在步驟212處，使用光罩對準標記M1、M2來執行倍縮光罩對準。在步驟214、216、218中，將掃描運動及輻射脈衝施加於橫越基板W之順次目標部位處，以便完成數個圖案之曝光。藉由在執行曝光步驟時使用量測站處所獲得之對準資料及高度映圖，使此等圖案相對於所要部位準確地對準，且尤其是相對於先前放於同一基板上之特徵準確地對準。在步驟220處自設備卸載現在被標註為W''之經曝光基板，以根據經曝光圖案而經歷蝕刻或其他程序。量測部位之選擇參看圖3之(a)，基板300可為當前經歷步驟202處之對準量測的基板W'。點陣列302表示橫越基板300而分佈之可能量測部位。在圖2之對準量測步驟202中，此點陣列將對應於橫越基板而分佈之對準標記全集。在另一實施例中，其可表示(例如)疊對或焦點量測目標中的不同類型之度量衡目標結構。在可(例如)對空白基板或對產品結構自身執行度量衡的情況下，可能量測部位無需由任何特定結構界定。在所說明之實例中，對於微影設備之對準感測器存在90個對準標記且因此存在90個可能量測部位以用於步驟202中。在執行步驟202時，通常選擇量測部位集合，其少於可能量測部位全集304。此係因為在步驟202中花費之時間必須在量測站及曝光站處之晶圓之總循環時間內，否則設備之產出率將降級。在圖3之(b)之實例中，經選擇量測部位集合306包含(例如)來自90個可能部位之全集當中之28個部位。在習知程序中，此選擇被定義於配方資料206中，配方資料206在裝載步驟200中隨著基板W'而被遞送。配方對於一批量中之所有基板通常相同，但配方通常將針對每一類型之產品及層而自訂。熟習此項技術者將理解，在此實例中，諸如90及28之數目係純粹地作為實例而給出，且此為使製造者判定給定基板將存在多少量測部位及每基板應量測彼等量測部位中之多少量測部位的問題。在典型半導體晶圓處理設施之狀況下，全部可能量測點可(例如)在70、80或100之範圍內，而針對在高容量製造期間之量測而選擇的數目可(例如)在20、30或40之範圍內。此等數目係純粹地出於說明而提及，且特定數目係不重要的。圖4之(a)表示可在橫越模擬基板400之複數個量測部位處使用對準標記而量測的位置偏差之值。可看出，在X方向及Y方向上的位置偏差之分佈並非隨機的，而是展現可辨識的「指紋」。在此狀況下，指紋係由在圖解上疊置之兩個橢圓形形狀概述。經量測偏差描述基板之一個半部中之大體上逆時針失真，及另一半部中之大體上順時針失真。在此實例中，該等半部配置於左側及右側，且吾人可說此圖案展現θ = 90°之「漩渦角(swirl angle)」。此等指紋起因於(例如)微影設備外部之熱處理步驟。可觀測到其他類型之熱指紋，及來自不同處理步驟的其他類型之指紋。圖4之(a)中之量測係自完全可能量測部位全集導出。為了界定量測部位縮減集(其仍捕捉關於特定基板之失真的最多資訊)，應理想地基於影響基板之特定指紋之知識來界定圖3之(b)中所說明之經選擇量測部位集合。然而，圖4之(b)說明此途徑之問題。對於36個不同基板之樣本，在垂直軸線上標繪漩渦角θ，且沿著水平軸線標繪基板ID。此實例中之36個基板包含來自六個樣本批次中之每一者的六個樣本基板。所有批次皆與同一產品及層相關。可看出漩渦角θ隨著個別基板不同而相當廣泛地變化。當然，漩渦圖案之幅度亦可隨著晶圓不同而變化。自此觀測可見，針對一個基板上之指紋而最佳化的經選擇量測部位集合對於另一基板上之指紋可能並非最佳的。若提前知曉指紋，則可能有可能定義量測部位之自訂選擇作為用於每一基板之配方資料206之部分。然而，除了在某種程度上自基板已被選擇之處理步驟之歷史預測指紋的可能性之外，將不存在知曉個別指紋而不招致額外量測負擔之方式。圖5說明在效能參數疊對方面的此晶圓間(wafer-to-wafer)指紋變化之結果。在水平軸線上自左至右標繪相同的36個基板。在任意垂直標度上，針對X方向及Y方向分離地標繪疊對偏差OVD。將記住，所採取之量測集合將傳遞至對準模型，且用以控制基板上之圖案定位。此實例中之疊對偏差被定義為經由使用較少數目個經選擇量測部位之對準模型而獲得的疊對效能相較於在正使用所有可能量測部位或在任何速率下之顯著較大數目個量測部位的情況下已獲得的效能之間的差。圖5展示，在X方向上，存在歸因於小的經選擇量測部位集合之使用的某一疊對偏差，但晶圓與樣本之間的變化並非極大。然而，在Y方向上，存在可歸因於小的經選擇集合之使用的一些大得多的疊對偏差，且此等疊對偏差可隨著晶圓不同而強烈地變化。量測部位之動態選擇-對準實例簡要地回至圖2，此處展示一些額外步驟，該等步驟允許視需要針對每一個別基板執行量測部位之動態選擇，以便達成較佳效能而不增加量測部位之總數目且因此不增加總量測類型。動態選擇功能在圖2中被標註為600。此功能(其可為設備之現有控制軟體內的額外模組)接收在基板上之量測部位之初步選擇時量測的位置偏差(對準量測)作為輸入。動態選擇功能快速地處理此等量測且判定待用於完成對準量測步驟202之動態選擇604。動態選擇可以配方資料206中所定義之方式予以執行。動態選擇亦可至少部分地參考內容脈絡資料608予以定義，內容脈絡資料608可描述(例如)基板之處理歷史。內容脈絡資料608可甚至直接描述先前在個別基板中觀測或預期之指紋。在一簡單實施例中，量測部位之初步選擇可為最終選擇之第一子集，且可回應於運用初步選擇而獲得之量測結果及任何額外子集來添加最終選擇之一或多個另外子集。現在將參考圖6來描述此方法之實例。在圖6中，在對準量測步驟202及動態選擇功能600與每一基板相關時，以流程圖之形式表示對準量測步驟202及動態選擇功能600之功能。方法開始於步驟200，在步驟200處接收新基板W'及配方資料206。在步驟202a處，回應於配方資料，進行量測部位之初步選擇。在該圖中之左側，展示基板W'之佈局，其中所有可能量測部位302在該佈局上。量測部位之初步選擇610被指示為八個圈定點。使數目八及量測部位之初步選擇之部位允許運用儘可能少的量測來識別很可能存在指紋之基板。來自初步選擇之量測602轉至分析步驟202b。在分析步驟202b中，將一或多個分析技術及準則應用於自量測部位之初步選擇獲得的量測。在步驟202c處使用此分析之結果以判定量測部位中之一些或全部以形成針對基板而選擇之量測部位集合。在說明中，在三個替代集合當中進行選擇。在說明中，三個替代集合或包含與初步選擇相同的量測部位。未必為此狀況，但在量測時間及量測結果珍貴的情況下，將不希望藉由在另外操作中不使用步驟202a中所進行之量測而「浪費」該等量測。在已判定經選擇量測部位中之一些或全部的情況下，在步驟202d中對此等部位進行量測。一旦已針對量測部位之完整集合進行量測，方法就轉至步驟204，例如，如在圖2中所見。在圖2之方法中，遞送來自全部經選擇量測部位集合之量測612作為量測及配方資料208之部分。取決於實施，可反覆地判定經選擇量測部位集合，如由202e處之返回路徑所展示。接著單獨地或與自量測部位之初步選擇獲得之量測602組合地使用在步驟202d中獲得之量測來再次執行分析步驟202b。在每一反覆時，步驟202b中之分析可相同，或其可不同。在每一反覆時，步驟202b中之分析可應用單一準則集合，或其可包含依序地或並行執行之多個步驟。在每一分析步驟之後，判定經選擇量測部位集合之另外量測子集，且在步驟202d中進行另外量測。以此方式，可自一或多個子集組裝所使用之最終經動態選擇之量測部位集合，該等子集中之一或多者可包括量測部位之初步選擇中的一些或全部。在一簡單實例中，量測部位集合可包含多於20個部位，例如28個部位，而量測部位之初步選擇包含少於10個部位，例如8個部位。假定彼等八個部位在28個部位當中，則將瞭解，回應於進行初步選擇之量測，動態地選擇經選擇量測部位中之20個量測部位。量測部位之初步選擇(意謂點之部位及/或數目)可(例如)由使用者基於慣例而定義。替代地，初步選擇可由動態取樣軟體自身通告。其可基於量測全集而憑經驗予以自動地更新，如由圖6中之選用步驟202f所說明。如所提及，量測部位之初步選擇可形成經選擇量測部位集合之第一子集，而回應於使用第一子集而獲得之量測來判定(在步驟202c處)經選擇量測部位集合之第二子集。在使用反覆途徑的情況下，可回應於使用第一量測部位子集及第二量測部位子集而獲得之量測來判定經選擇量測部位集合之第三(及第四等等)子集。如圖6之實例中所說明，經動態選擇之量測部位集合可包括自數個預定義子集606、606'、606''當中動態地選擇之子集。替代地，可完全動態地組裝該選擇，而無量測部位之預定義分佈。再次參看圖4之實例，在一些實施例中，至少部分地藉由辨識一或多個預定義指紋來選擇經動態選擇之量測部位子集。此可(例如)用以區分基板400之指紋與某一其他種類之指紋，或用以區分基板400之指紋與具有不同定向之相似指紋。相應地執行步驟202b及202c處之分析及選擇。在使用與圖4及圖5中相同之樣本集合的情況下，圖7展示平均疊對偏差OVD之改良，平均疊對偏差OVD係藉由根據所觀測指紋僅使用相同大小之量測部位集合但針對每一基板動態地選擇該集合而獲得。換言之，對於36個基板中之每一者，已量測八個量測部位之初步選擇610，且接著已動態地選擇額外量測部位，以獲得為三個選項606、606'及606''中之一者的經選擇量測部位集合。此等量測部位集合中之每一者僅具有與習知實例中所使用之單一集合306相同的量測部位數目28。然而，由於每一集合中之量測部位之不同分佈，該分佈被較佳地最佳化為在每一晶圓上所發現之指紋。比較圖7與圖5將立即看出，遍及36個晶圓之整個樣本，可歸因於有限量測部位集合之使用的疊對偏差極大地縮減。雖然圖7中之效能對於使用現有集合相對良好地執行之彼等晶圓數目13至17並非較差，但相較於使用量測部位全集所看到之情形，晶圓1至12、晶圓18至24及晶圓26至36皆展示在Y方向上顯著縮減之疊對偏差。為了達成此改良，每晶圓不花費額外量測時間。當然，必須提供處理能力以執行分析步驟及基於初步選擇的另外量測部位之選擇，而無延遲。可藉由在微影設備控制單元LACU內程式化一或多個處理器來實施合適處理。替代地，必要時可添加專用處理。圖8為圖5及圖7所展示之結果之另一表示。在圖8之(a)中，當使用單一量測部位集合時，向量在橫越基板之不同部位處展示X方向及Y方向上之疊對偏差，如在圖5中。遍及36個晶圓之全集的結果堆疊於此圖解中。可看出，疊對偏差之一些極值集中於基板之某些區中(圖式中之左上部及右下部)。另一方面，在圖8之(b)中，當自三個量測部位集合606、606'、606''當中進行動態選擇時，吾人看到疊對偏差遍及樣本中之所有晶圓的平均值。不再看到疊對偏差之極值，且橫越整個基板之疊對偏差值相對均一。關於基板400之實例指紋，為了判定進行三個替代選擇中之哪一者，可執行分析步驟202b以便根據初步選擇中所看到之指紋之漩渦角θ來分類該指紋。在另一實施例中，經動態選擇之量測部位集合可包括藉由辨識在經選擇量測部位中之一者處之統計上例外的量測而選擇的至少一個部位。用於在所進行之量測當中辨識「離群值」(有時亦被稱為「梯級(flyer)」)的各種準則為吾人所知。倘若在至此存在經選擇集合時留存一些空間以將至少一個額外量測部位添加至經選擇集合，則一或多個點可為可回應於離群值之偵測而添加的經添加量測部位。對離群值之偵測的一種形式之回應可為(例如)提供增加離群值附近之量測點之密度。此情形之目的將為使用量測部位全集來判定「離群值」量測僅僅為異常量測，抑或為基板上之實體異常之指示。如將關於度量衡應用所提及，下文進一步可將「離群值附近」之量測點定義為整體上在基板上同一附近處之點，或可參考場內部位來定義該等量測點，該場內部位在場內之離群值量測點附近，但在基板上之別處的場部位處。當反覆地執行該方法時，可參考初步選擇及/或參考較大量測部位集合來執行離群值之辨識。在一個實施中，例如，在已進行初步選擇作為第一量測部位子集之後，可藉由辨識指紋來判定第二量測部位子集，且接著可參考在第一及/或第二子集中所發現之離群值來判定第三(可能更小)量測部位子集。在其他實施例中，經動態選擇之量測部位集合包括藉由辨識遍及複數個經選擇量測部位之統計上例外的量測分佈而選擇的至少一個部位。作為一實例，可執行分析步驟202b以便將某一統計分析應用於自量測部位之初步選擇獲得的結果。可(例如)參考用作效能指示符及/或在基板之後續處理中用作對準模型或其類似者的模型來應用此分析。量測部位之密度可在所獲得量測與經擬合模型偏離大於某一臨限值之區中增加。當然，臨限值可以許多方式予以定義。如已經提及，量測部位之動態之目的中之一者係在發生所關注效應之基板區處增加量測部位之密度。詳言之，在程序效應正造成經量測資料當中之變化之空間頻率較高的情況下，將需要量測部位之較高密度。因此，在分析步驟202b之一些實施例中，可遍及已經獲得之量測計算梯度。可接著執行選擇步驟202c，以便在遍及複數個經選擇量測部位觀測梯度之彼等基板區中增加量測部位之密度。取決於是否使用反覆方法，可遍及量測部位之初步選擇觀測梯度，及或遍及在先前反覆中已判定的經選擇量測部位之某一較大子集觀測梯度。返回參看圖6，在任何或所有上述實施例中，作為選用特徵，可部分地基於量測部位之初步選擇610之量測且部分地基於運用基板所接收之內容脈絡資訊608來選擇經動態選擇集合。亦可在判定部位之初步選擇時應用內容脈絡資訊，使得初步選擇無需對於每一基板為相同的。內容脈絡資訊可應用於分析步驟中，例如以判定或導引關於哪些類型之指紋將被預期的分析。內容脈絡資訊可應用於選擇及設計步驟202c中。舉例而言，內容脈絡資訊可指示在特定基板之先前處理中已使用若干熱處理工具中之哪一者。藉由來自過去基板之機器學習，可獲得此知識且使用此知識以預測指紋之類型及/或指紋之定向及/或量值幅度。公開專利申請案WO2015049087A1描述基於統計分析以在存在不同內容脈絡資料的情況下辨識及預測不同指紋之發生的各種方法。舉例而言，在使用主成份分析(PCA)之實施例中，指紋可被表示為主成份。可使用此分析之結果(例如)以接收在本基板中所觀測之指紋(主成份或其類似者)之資訊，及/或關於可基於在過去具有相似處理歷史之基板中所觀測之指紋而預測的指紋之存在的兩個接收資訊。如公開專利申請案中所闡釋，本方法中所採取之量測可添加至統計分析中所使用之資料庫，使得機器學習程序繼續。度量衡設備實例再次參看圖1，來自數個可能量測部位當中的量測部位之動態選擇可應用於諸如圖1所展示之生產設施中之度量衡設備140的度量衡設備(檢測設備)中，其同樣可應用於微影設備100內之對準標記之量測。在此實施例中，可能量測部位集合可藉由專用度量衡目標結構在基板上之存在而定義。實例為用於疊對度量衡以及亦用於焦點及劑量度量衡、線寬(CD)等等之目標。微影設備內之對準感測器及/或微影設備內或與微影設備緊密地整合之度量衡工具亦可用以進行效能參數之量測，且不僅用以在準備即將發生的圖案化步驟時進行位置量測。在使用疊對之實例作為效能參數的情況下，可在基板上之產品區域周圍及/或內的部位處提供疊對目標。若目標結構之形式必定不同於先前實施例中所量測之對準標記之形式，則度量衡目標結構之部位可不同。如已經提及，有時量測可並不需要專用度量衡結構。其可在產品結構上或在空白區域上執行。在彼狀況下，正被量測之結構可為基板上之單層或多層結構，其中在基板之平面中無空間變化。然而，出於本發明之目的而假定將以某一方式定義可能量測部位集合。自此，可進行量測部位之初步選擇。接著可回應於在量測部位之初步選擇時進行的量測來定義一或多個另外量測部位子集，從而動態地建置量測部位集合以用於量測基板。因此，上文已參考圖3至圖8而描述的選擇初步子集及經動態選擇之量測部位集合的方法可同樣地在微影程序之後應用於效能參數之量測，此係因為該等方法用以在準備微影圖案化步驟時進行位置偏差之量測。圖9為使用圖1之生產設施中之度量衡設備140之方法的流程圖，其運用量測部位之動態選擇。在步驟902處，經由微影設備及一或多個其他步驟來處理基板，直至準備好量測程序參數(例如，疊對)為止。在904處，將基板裝載至度量衡設備140中，度量衡設備140經裝備以在橫越基板之數個可能量測部位處量測程序參數。如在上文所描述之對準量測的狀況下，在高容量製造環境中，時間並不准許在每一晶圓上或甚至在晶圓之代表性樣本上量測一量測部位全集。因此，必須判定較小量測部位集合。在步驟904內，應用與上文參考圖6所描述之方法相同或相似的方法以自橫越基板之經動態選擇之量測部位集合獲得量測。使用經動態選擇之量測部位集合會允許每一量測集合甚至在存在自晶圓至晶圓之程序變化的情況下仍更準確地捕捉每一晶圓之相關特徵。在步驟906處，在一個實例中，經由進階程序控制及其他機構來回饋經處理基板上之效能參數之度量衡結果以改良相同及/或其他基板之後續處理之效能。舉例而言，可更新微影配方及/或用於其他處理步驟之配方，以達成經改良效能。替代地及/或另外，在步驟908處，可更新用於未來基板之度量衡的配方。如前所述，可藉由內容脈絡資料以及歷史效能資料之統計分析來告知此等步驟中之任一者或全部。如前所述，量測部位之動態選擇可基於某些指紋之辨識，其可基於離群值及/或其他統計例外之辨識。原則上，兩種狀況下之目標皆係獲得更多有用的量測資訊，而非僅僅增加量測部位之數目。對於度量衡操作，每基板所量測之點數目可少於由對準感測器作為圖案化操作之部分而量測之點數目或實務上比其大得多。然而，此自然地取決於每量測所花費之時間，且亦取決於對每一基板抑或僅對代表性樣本進行量測。在需要密集取樣之度量衡環境中，常見的是每晶圓量測數百個點。在存在雜訊及變化的程序指紋的情況下始終獲得資訊之問題皆趨向於增加針對較密集度量衡取樣之需求。在應用為本發明之主題之動態選擇的原理的情況下，可避免取樣密度之隨意增加，同時確保所採取之量測較佳地針對於所關注屬性。在經選擇集合之大小最終可比上文所描述之對準程序中所使用之量測部位集合大得多的情況下，可預期到，點之初步選擇亦應稍微大於上文所提及之八或10。如上文所描述，可辨識諸如漩渦圖案、圓形及/或「冕狀(crowning)」效應之某些指紋，且量測部位之額外密度提供於基板之相關區中。此等實例指紋為場間指紋之實例，其表示遍及基板之參數變化。在度量衡環境中，亦可進行量測以捕捉場內指紋，而不僅捕捉場間指紋。在此狀況下，在一或多個場中之某一部位處進行之統計上例外的量測可被辨識，且用以在其他場中之對應部位處觸發額外量測。此為增加如上文所描述之「離群值」附近之取樣密度時的變化。熟習此項技術者將知曉如何調適以上實例之教示以將其應用於場內變化之內容背景中。再者，可應用機器學習以輔助動態選擇程序，正如參考圖6所描述。在該等實施例中之任一者中，可預期到(例如)，量測點之初步選擇包含少於經選擇量測部位集合中所需要之量測部位數目的一半，視情況少於該量測部位數目的三分之一或四分之一。在待選擇之量測部位之總數目僅在20至40之範圍內的情況下，初步選擇中之量測數目可少於15或少於10。另一方面，在待選擇之量測部位之總數目在200至400之範圍內的情況下，初步選擇中之量測數目可少於150、少於100或少於50。如已經提及，可以初步選擇開始而反覆地判定最終量測部位集合之連續子集，其各自基於較大數目個先前量測部位。在另一實例中，在(例如)唯一目標係增加「離群值」附近之取樣密度的情況下，可定義大部分量測部位集合而不參考當前量測資料。接著可僅動態地選擇小子集，例如少於全部經選擇量測部位的四分之一或少於全部經選擇量測部位的八分之一。離群值偵測及移除現在將描述與在微影設備(諸如以上圖1及圖2所說明之微影設備)之操作中偵測離群值(異常量測)相關的問題及解決方案。本文中所揭示之離群值偵測及移除技術形成本發明之獨立態樣，該等離群值偵測及移除技術可與上文所描述之可變佈局技術組合地或與其他已知或未來佈局組合地使用。離群值偵測及移除技術將在對準量測之內容背景中予以描述，但可同樣地應用於效能度量衡之內容背景中，包括應用於上文所描述之度量衡實例中。在微影設備中，如上文已經描述，藉由每晶圓之晶圓對準來校正晶圓變形。對準感測器AS自用於給定標記類型及佈局之對準標記讀取晶圓變形(位置偏差)。對於每一對準標記，針對x方向及y方向獲得與標稱位置之偏差，該偏差表示晶圓變形。接著藉由預定義對準模型(比如多項式(例如，高達五階))或更進階的模型來模型化此對準資料。偶爾地，離群值歸因於不同原因而發生在對準資料中。當離群值被不正確地篩選時，歸因於在曝光期間引入大的假晶圓可校正誤差，彼等離群值造成疊對效能劣化。尤其地，當使用高階或進階對準模型時，對疊對之負面影響可為顯著的，且引起晶圓上之大區域劣化。圖10說明由在實例生產情形中所量測之一系列42個晶圓內之兩個晶圓中之此等離群值造成的問題。在圖10之(a)中，晶圓間晶圓可校正誤差變化被給出為趨勢標繪圖1002。用於此說明之資料係在已施加圖案之後取自經密集量測之疊對資料。沿著水平軸線表示晶圓ID編號。看出晶圓26及37相比於其他晶圓具有較大變化。圖10之(b)及圖10之(c)分別針對晶圓26及37展示橫越晶圓之疊對誤差分佈。在此等晶圓指紋中，在突出顯示區1004、1006中觀測到較大疊對值。在圖(d)及圖(e)中，已發現，疊對誤差之此等大區實際上由異常對準量測1008、1010之隔離例項引起。當比較此等位置與由高度感測器LS獲得之映圖時，可發現，在晶圓表面高度地彎曲的情況下，該等位置與所謂的「熱點」對應。此等熱點之常見原因為晶圓背部上或基板台WTa/WTb上之污染。在圖10之(b)及圖10之(c)中看到的受影響區在範圍上比熱點自身大得多，且需要自對準資料移除離群值，以縮減熱點對效能及良率之影響。儘管離群值量測可為熱點之彼部位處之位置偏差的正確量測，但其並不表示遍及較大區之晶圓變形，且將較佳的是在使用離群值以控制新圖案之定位之前移除離群值。一種用於移除離群值之當前方法係定義臨限值以篩選彼等離群值。對於給定對準模型，若殘差值大於晶圓上之標記的臨限值，則其將被判斷為離群值且被篩出。此篩出可涉及完全地忽視經量測值，在對準模型中將其降加權(down-weight)，或取代替代值。然而，特別在所使用之對準模型為經特定地設計以捕捉晶圓之較高頻率變化的高階模型時，已發現，並非所有離群值皆如此明顯，且簡單臨限值無法完全地將其篩出。在不錯誤地將有效量測識別為離群值且不損失高階對準模型之所要益處的情況下，無法縮減篩選臨限值。現在參看圖11，呈現用於偵測及視情況校正針對給定晶圓所獲得之對準資料中之離群值的一些替代方法。將在上文已經描述之圖6之方法的內容背景中呈現該等方法，但此僅作為可應用本發明之此態樣的內容背景之一個實例。下文將描述另外變體。在圖6及圖11之實例中，遞送已在步驟202c中所判定之量測部位集合處進行的量測集合612。舉例而言，量測部位集合可具有在606'處所指示之佈局，但其可為完全密集佈局或任何其他佈局。然而，在使用用於對準或用於程序控制之量測集合之前，基於一或多個品質測試來執行加權步驟1102。品質測試係基於補充資料1104，而非僅僅基於當前量測集合。藉由分析步驟1106來遞送補充資料1104。品質測試可將量測或量測部位中之一或多者識別為離群值，例如被標註為1007之量測。接著暗示零加權或某一較低加權。在以下一些實例中，使用包含與當前量測相同之類型但在經先前處理晶圓上進行之量測的歷史資料1108來執行分析步驟1106。在其他實例中，分析步驟1106係基於在當前晶圓上(例如，在自高度感測器LS獲得之高度資料上)進行的另一類型之量測。在此等實例中，若高度資料係可用的，則原則上可在步驟202d中進行量測之前執行分析步驟及品質測試。高度資料可用於(例如)由不同感測器AS、LS進行之量測之序列可不同於圖3所說明之序列的實施例中。高度資料可用於(例如)對準量測及高度量測之序列包括單獨粗略及精細量測步驟而非圖3所說明之簡單序列的實施例中。在步驟1110處，輸出經修改量測集合1112，其中使用藉由品質測試而判定之加權以完全地或部分地抑制在離群值部位1107處進行之量測。在尚未進行或仍未完全地進行量測之狀況下，可輸出經修改量測部位集合，而非經修改量測集合。在圖11中之1112a至1112c處說明不同類型之經修改量測集合之三個實例。在1112a處，說明在所識別離群值部位1107處刪除或忽略量測之簡單狀況。在簡介及申請專利範圍之術語中，刪除或忽略量測或量測部位為零加權之一個實施。取決於實施，可較佳的是保持量測，但使其乘以零，或可較佳的是藉由某一邏輯步驟來刪除或忽略該量測。在1112b處，說明對離群值之偵測作出回應的替代方法，該離群值取代在相鄰部位處獲得之量測。在已經根據部分佈局606'而進行量測612的情況下，取決於特定實施，添加另外量測可為或可並非耗時的。在1112c處，說明對離群值1107之偵測作出回應的另外替代方法。此處，基於分析及補充資料1104將量測之計算或估計值取代為實際量測。下文將描述此情形之實例。若在步驟1102中偵測之離群值數目過大，則可執行步驟1114以拒絕晶圓。如已經提及，可應用不同類型之補充資料及分析以實施圖11之方法之原理。在一個實例中，使用包含對準資料之歷史資料1108及關於每量測部位之歷史晶圓間變化的統計分析1106來識別離群值。若新量測具有在歷史上預期的範圍外之大變化，則需要將其排除(零加權)或降加權。在一實例中，基於在六參數(6PAR)擬合之後的對準量測之殘差來計算晶圓對準之向量映圖(6par殘差)及其每點之晶圓間變化。已發現，當針對晶圓間變化設定臨限值以代替僅針對當前晶圓設定值時，可較成功地偵測真離群值。詳言之，所揭示之方法避免將碰巧具有高殘差值之量測標註為離群值，其中高殘差值實際上係基於歷史資料而預期。此外，該方法現在可偵測具有相對低殘差值之離群值，其中高殘差值將基於歷史資料而預期。僅基於當前晶圓之殘差的習知方法將根本不將此等量測偵測為離群值。在基於歷史量測資料之另一實例中，使用用以使用多變量分析作為一種類型之統計分析步驟1106來偵測離群值的提議而偵測離群值。主成份分析(PCA)為用以將資料集分解成主要成份之統計工具，且其可成功地應用於對準資料。PCA之原理及PCA至對準、疊對及其類似者之量測的應用被描述於公開專利申請案WO2015049087A1 (Ypma等人)中，該專利申請案之內容係以引用的方式併入本文中。量測值橫越晶圓之空間分佈被分解成成份向量集合，其被稱作所觀測資料之主成份(或「本徵晶圓(Eigen wafer)」)。在該公開專利申請案中，使用PCA以促進微影製造程序中之不同誤差之原因及效應的分析。當資料集被分解成其主成份時，可計算每一成份之重要性。圖12說明針對圖10所說明之實例生產資料所計算之主成份之重要性。沿著水平軸線指示主成份編號PC#，而在垂直軸線上標繪「可釋方差(explained variance)」EV。曲線1202說明第一主成份如何佔優勢以用於闡釋在對準資料中觀測到什麼，其中重要性沿著斜率1204減小。在成份4之後存在緩得多的斜率1206，且可針對此曲線判定肘點以判定最重要成份。總而言之，前幾個成份為最重要成份，且足以描述大部分所觀測資料。剩餘成份可被視作雜訊。參看圖13，且接著考慮到離群值將不在前幾個主成份中被捕捉，本實例僅使用主要成份來重新建構原始資料。因此，可在步驟1102中藉由品質測試來偵測離群值。在圖13中，對於「問題」晶圓#26及#37，標繪圖M展示實際上獲得之對準量測。此等量測事實上為在減去經擬合至實際經量測值之對準模型之後的殘差，例如，來自6PAR模型之殘差。熟習此項技術者將完全地瞭解，對於每一應用及每一類型之量測，參考經量測值抑或經量測值之殘差或其他經處理版本來偵測離群值係設計選擇之問題。標繪圖R展示基於歷史資料1104在PCA分析之後僅使用前5個成份而重新建構之資料。標繪圖M-R展示在比較經量測值與經重新建構值時所獲得之差(差量)。對於大多數量測，差量接近於零，且離群值係清晰可見的，如所突出顯示。在基於差量而對對準資料加權的情況下，可以各種方式產生經修改量測資料，如已經提及。作為一簡單實例，當每點之差量大於預定義臨限值時，步驟1110可僅僅排除任何經量測對準標記(結果1112a)。視情況，可代替地使用來自相鄰點之量測(結果1112b)。替代地，當點之差量(M-R)大於預定義臨限值時，步驟1110可運用基於經重新建構資料之估計(在標繪圖R中)來替換離群值量測(在標繪圖M中) (結果1112c)。離群值之定義極靈活。所描述技術亦可應用於資料平滑化。藉由移除較高編號成份，可達成平滑化及篩選。在另一實例中，補充資料並非基於先前晶圓上之歷史量測，而是基於當前晶圓上之不同量測。用於偵測熱點之所關注特定量測為由高度感測器LS作為曝光(圖3)之前的量測程序之部分而獲得的晶圓高度資料。分析步驟1106處理高度資料以識別「熱點」，亦即，局域不平坦度區域。在圖10之實例中，當檢查晶圓平坦度映圖時，在晶圓#26及#37中觀測到熱點。對應於晶圓平坦度資料中之此等熱點之部位處的對準量測可在品質測試步驟1102中被加旗標為可疑。此等可疑對準向量之大小低於正常離群值臨限值，使得其不被自對準模型排除，從而產生圖10之(b)及圖10之(c)所展示之大削弱效能區。當僅比較彼等標記之大小與同一晶圓中之其他標記時，其顯然並非離群值；尤其在晶圓37中，彼等標記甚至小於許多其他標記。在品質測試中將高度資料用作補充資料會允許將此等可疑標記仍然識別為離群值。如在先前實例中，可以各種方式產生經修改量測資料。作為一簡單實例，步驟1110可僅僅排除與所識別熱點相關聯之任何經量測對準標記(結果1112a)。視情況，可代替地使用來自相鄰點之量測(結果1112b)。若另外資料(諸如運用PCA分析之歷史資料)係可用的，則可取代估計值(結果1112c)。在圖14中，在使用以上方法以排除晶圓#26及#37中之經指示離群值之後模擬疊對之晶圓間變化。可比較經更新趨勢標繪圖1402與圖10之(a)中之趨勢。此良好地表明在成功地移除對準離群值的情況下可避免效能之偏移。(應注意，對於圖14，吾人僅針對晶圓26及37模擬離群值移除之效應。其他晶圓亦可具有改良可能性，圖14中未展示)。替代實例在實例實施例之以上描述中，假定在量測部位之初步選擇時所量測的屬性及在經動態選擇之量測部位集合處所量測的屬性為相同屬性，且在兩個步驟中進行相同類型之量測。在彼狀況下，初步量測部位集合可為用以遞送量測集合之量測部位集合之第一子集。然而，替代實施例係可能的，在替代實施例中，在部位之初步選擇時進行的量測具有一個特性，且係使用一種類型之量測方法及設備予以執行，而經動態選擇之量測部位集合用以運用不同量測設備或方法來量測不同屬性。作為一實例，在一個此類實施例中，初步對準量測集合可用以判定用於不同種類之度量衡的部位之動態選擇。在部位之初步選擇時進行的量測可由某一種類之攝影機進行，且用以動態地判定用於量測對準標記或量測諸如CD或疊對之效能參數的部位之選擇。舉例而言，在量測部位之初步選擇時進行的高度量測可用以動態地判定用於量測對準、CD或疊對之量測部位集合。舉例而言，在部位之初步選擇時進行的高度量測可用以識別應採取較高密度之對準量測的區，或反之亦然。在部位之初步選擇時運用一個感測配方(指定波長、偏振等等之特定組合)進行的一或多個屬性之量測可用以使用不同配方來動態地判定用於量測對準或高度之量測部位集合。相同原理可延伸至在度量衡方法中量測不同屬性。在初步部位子集處進行之量測之類型不同於在經選擇部位集合處進行之量測之類型的狀況下，將理解，可在不同類型之量測中涉及不同類型之目標結構。對於諸如對準或疊對之量測，可提供特定目標結構。對於諸如晶圓高度之量測，高度感測器可操作而無需提供特定目標結構。在任何狀況下，片語「目標結構」涵蓋表面或層結構以及產品結構，或專用對準標記或度量衡目標。現在將參考圖15至圖17來描述兩個實例。此等實例皆為在部位之初步選擇時進行的高度量測可用以識別應採取較高密度之對準量測的區的狀況之實例。在微影中，捕捉對於每一晶圓為不同之晶圓高度剖面。高度變化影響經對準位置，但當前在由客戶定義對準策略時並不考量高度變化。如已經描述，對準策略通常針對所有晶圓為相同的。因此，歸因於晶圓之高度剖面之變化的晶圓間疊對變化之部分並未由對準系統良好地校正。在圖15至圖17之方法中，使用經量測晶圓高度剖面以針對每一個別晶圓最佳化對準策略。提議用以使用高度剖面之兩種方法：(圖15及圖16)基於定義「典型」晶圓高度剖面之預定群組來指派對準標記之部位的方法；及(圖17)使用晶圓剖面之高度資訊而基於預定「規則」或策略來指派對準標記之部位的方法。在該等實例中，梯度資訊係自高度剖面導出且用以選擇對準配方。在兩種方法中，「離線」程序基於歷史資料來判定規則或群組。「線上」程序接著使用此資訊以針對每一新晶圓最佳化對準策略。圖15之(a)為離線程序之流程圖。步驟如下。在步驟1502中，搜集用於晶圓群體之高度資料。在步驟1504中，將高度資料轉換為梯度資料。在步驟1506中，基於在梯度資料中所觀測之某些特性圖案將群體劃分成群組。階層式叢集技術為吾人所熟知，該等階層式叢集技術可經應用以執行此叢集。來自UV高度感測器之資料集之分析被呈現於Schmitt-Weaver等人之論文「Computational overlay metrology with adaptive data analytics」中，論文10145-31，呈現於SPIE進階微影2017，San Jose，美國加利福尼亞，2017年2月26日至3月2日。圖16展示在經處理晶圓群體1602中藉由階層式叢集程序1604而識別的用於六個子群體或群組之特性梯度分佈。六個群組具有梯度之特性分佈，且被標註為A至F。在每一標繪圖中，較暗陰影指示具有較低梯度之區域(平坦區域)，而較亮陰影指示具有較高梯度之區域。在圖16之下部部分中，作為實例而將用於群組A及群組B之分佈展示為放大。實務上，當然，一個群組將以彩色標繪，且此等黑色及白色版本係僅為了與專利規則之相容性而展示。全色標繪圖被展示於上文所提及之SPIE 2017論文中。視需要，可單獨地處理X方向及Y方向上之梯度，但標繪圖一起展示X及Y上之梯度向量的量值。區A1、A2、A3以及B1、B2及B3被標註於各別標繪圖上。在步驟1508中，對於每一群組，判定對準策略，其包括量測部位之特定分佈。存在極少變化之區(亦即，黑暗區域)無需密集對準標記取樣，而具有快速改變(梯度)之區將受益於較密集對準取樣。對於前兩個群組，最佳化量測部位集合1610A被展示為上覆於群組A分佈上，且最佳化量測部位1610B被展示為上覆於群組B分佈上。在該等實例中，群組A之分佈中之區A1及A3為在經量測高度映圖中具有相對高梯度之區，而區A2具有相對低梯度。因此，最佳化量測部位集合在區A1及A3中具有較大密度之量測部位。相似地，群組B之分佈中之區B1及B3為在經量測高度映圖中具有相對高梯度之區，而區B2具有相對低梯度。在標繪圖之黑色及白色版本中不可見的是，區B1中之梯度高於區B3中之梯度。因此，最佳化量測部位集合具有較大密度之量測部位，該密度在區B1中最大，且量測部位之密度在區B2中最低。將理解，此內容背景中之術語「最佳化」並不暗示「最好」或「最佳」部位集合之任何絕對觀念。實際上，真「最佳」部位集合係無法達成的，此係因為其將特定於每一個別晶圓，且亦將取決於哪些效能參數將被最大化。「最佳化」量測部位集合因此應被理解為係指適應於晶圓或晶圓群組且相較於可使用用於所有晶圓之通用量測部位集合而達成之情形意欲改良微影程序之效能之一或多個參數的任何量測部位集合。總而言之，在此實例方法中，吾人使用來自許多批次之許多晶圓之高度資料中之一些或全部來判定特性群組。舉例而言，來自特定製造設施之許多晶圓之分析揭露存在六個特性群組，如圖16所說明。合適軟體將量測部位標記分佈於適當區中且定義適當對準模型/色彩/階。最後，在步驟1510中，將與每一群組相關聯之最佳化對準策略儲存於資料庫1512中。亦儲存與每一群組相關聯之特性圖案(梯度映圖)。資料庫可(例如)儲存於微影工具100之控制單元LACU內，以用於藉由線上程序進行快速擷取。圖15之(b)說明使用離線程序之結果以針對待處理之每一晶圓1520選擇最佳化對準策略的線上程序。在1522處，將新晶圓1520裝載至微影工具100 (量測站MEA)中。亦同樣參看圖2及圖6之實例，提及針對對準及高度之量測步驟202及204可按任一次序執行，且每一步驟202、204可劃分成粗略及精細部分。對於本實例，假定在用於量測部位全集之精細對準量測(步驟202d)之前執行至少一粗略高度量測步驟(將其稱為204a)。因此，在步驟1524 (204a)中，至少粗略地橫越基板量測高度值。在步驟1526處，計算與圖16所展示之高度梯度映圖相似的高度梯度映圖。在步驟1528 (202c)處，在使用來自藉由離線程序而儲存之資料庫1512之資料的情況下，線上程序識別哪一群組最好地匹配於針對當前晶圓所量測之梯度映圖，且擷取定義用於所識別群組之最佳化對準策略的參數。在步驟1530 (202d)處，使用最佳化量測部位集合來進行對準量測。當然，亦可進行諸如精細高度映圖之另外量測。在1532處使用對準量測及其他量測之結果來執行曝光(圖案化)步驟。又，步驟1524並不限於高度量測，且亦可進行粗略對準量測。圖17說明另一方法，該方法再次包含離線程序(a)及線上程序(b)。原理再次係基於初步高度及梯度量測來選擇用於對準之量測部位，但實施係不同的。圖17之(a)為基於高度及梯度之此第二方法中之離線程序的流程圖。離線程序之目的係基於梯度之密度來判定用於對準標記部位指派之「規則」或策略。舉例而言，在晶圓之平坦區域中，梯度遍及大區域為相同的。在具有廣泛變化的高度剖面之區中，梯度將更多地變化。因此，量測部位之選擇隨梯度之密度而變。此等策略儲存於微影工具控制單元LACU中以用於藉由線上軟體進行快速擷取。此實例中之離線程序之步驟如下。在步驟1702中，搜集用於晶圓群體之高度資料。在步驟1704中，將高度資料轉換為梯度資料。在步驟1706中，離線程序僅僅基於梯度之量值來判定用於量測部位選擇之一或多個「規則」或策略，而非將晶圓群體劃分成群組。舉例而言，在晶圓之平坦區域中，梯度將遍及大區域具有相對低量值。在具有廣泛變化的高度剖面之區中，梯度將具有較大量值。在步驟1710中，將用於判定最佳化對準策略之規則或策略儲存於資料庫1712中。資料庫可(例如)儲存於微影工具100之控制單元LACU內，以用於藉由線上程序進行快速擷取。圖17之(b)說明使用離線程序之結果以針對待處理之每一晶圓1720選擇最佳化對準策略的線上程序。在1722處，將新晶圓1720裝載至微影工具100 (量測站MEA)中。再次同樣參看圖2及圖6之實例，假定在用於量測部位全集之精細對準量測(步驟202d)之前執行至少一粗略高度量測步驟(將其稱為204a)。因此，在步驟1724 (204a)中，至少粗略地橫越基板量測高度值。在步驟1726處，計算高度梯度映圖，該高度梯度映圖可類似於圖16所展示之特性標繪圖中之一者，或可不同於之前所看到的任一者。在步驟1728處，在使用藉由離線程序而儲存於資料庫1712中之規則的情況下，線上程序產生最佳化對準策略，該最佳化對準策略包括適應於當前晶圓1720之特定梯度映圖的最佳化量測部位集合。在步驟1730 (202d)處，使用最佳化量測部位集合來進行對準量測。當然，亦可進行諸如精細高度映圖之另外量測。在1732處使用對準量測及其他量測之結果來執行曝光(圖案化)步驟。又，步驟1524並不限於高度量測，且亦可進行粗略對準量測。總而言之，線上程序使用「規則」來分佈量測部位。策略可使用一或多個關鍵效能指示符(KPI)。實例KPI可用以達成小片梯度區域至儲存於掃描器上以分佈標記之參考集合的最佳擬合。相較於基於群組之方法，此方法之優點為其為完全地自動的；無需用以識別群組之設置。在概述圖15至圖17之替代實例的情況下，共同特徵為使用高度映圖以影響對準標記之取樣。換言之，雖然對準標記用以量測遍及基板之平面內位置偏差(X及Y)，但用於對準之量測部位之動態選擇可基於初步部位集合處之高度(Z位置)的量測。初步部位可為粗略高度映射程序或精細高度映射程序之樣本點。在用於高度之量測部位與用於對準之量測部位之間未必存在一對一對應性。呈現兩種實例方法，而熟習此項技術者可設想許多變體。如在較早實例中，現在每晶圓而定義對準策略，以代替對準策略對於批次中之每一晶圓為相同的。使用針對每一個別晶圓而最佳化之對準策略將會縮減晶圓間疊對變化。此將在總製造系統中具有較精確回饋控制之額外益處，此係因為用於計算回饋校正參數之經取樣晶圓較相似。替代地，可實現另一益處，亦即，將需要對較少晶圓進行取樣以用於計算回饋校正參數，以達成相同效能。舉例而言，有可能需要對每批次三個晶圓進行取樣以提供足夠好的回饋控制，而在先前需要四個晶圓。作為額外優點，由高度感測器量測之梯度可用於以更準確方式解譯對準標記之經量測位置。假設作為量測程序之部分而偵測標記不對稱性。知曉局域梯度可允許微影設備區分對準標記之所觀測不對稱性係由微影程序中之物理及/或化學處理步驟造成的狀況，及因為標記定位於基板之陡峭傾斜部分上而出現不對稱性的狀況。此狀況可(例如)由局域污染造成，且可造成如由對準感測器所看到的標記之實體變形。本發明之另外實施例係由編號條項揭示： 1. 一種在執行一微影處理步驟之前或之後自橫越一基板之部位獲得量測的方法，其中自所有可能量測部位當中選擇一量測部位集合，且在每一經選擇部位處對該基板上之一結構之一屬性進行一量測，其中回應於使用量測部位之一初步選擇而獲得之量測來動態地選擇該等經選擇量測部位之至少一子集。 2. 如條項1之方法，其中量測部位之該初步選擇包括該經選擇量測部位集合之一第一子集，該經選擇量測部位集合之一第二子集係回應於使用該初步選擇而獲得之該等量測予以動態地選擇。 3. 如條項2之方法，其中回應於使用該第一量測部位子集及該第二量測部位子集而獲得之量測來判定該經選擇量測部位集合之一第三子集。 4. 如前述條項中任一項之方法，其中該初步選擇中之量測部位之數目包含少於該經選擇集合中之量測部位之數目的一半，視情況少於四分之一。 5. 如前述條項中任一項之方法，其中該經動態選擇之量測部位子集包含少於該經選擇量測部位集合之一半，視情況少於四分之一。 6. 如前述條項中任一項之方法，其中該經動態選擇之量測部位集合包括選自數個預定義子集之至少一子集。 7. 如前述條項中任一項之方法，其中至少部分地藉由辨識一或多個預定義指紋來選擇該經動態選擇之量測部位子集。 8. 如前述條項中任一項之方法，其中該經動態選擇之量測部位子集包括藉由辨識在該等經選擇量測部位中之一者處之一統計上例外的量測而選擇的至少一個部位。 9. 如前述條項中任一項之方法，其中該經動態選擇之量測部位子集包括藉由辨識遍及複數個該等經選擇量測部位之一統計上例外的量測分佈而選擇的至少一個部位。 10. 如前述條項中任一項之方法，其中至少部分地回應於遍及複數個該等經選擇量測部位而觀測之一梯度來判定該經動態選擇之量測部位子集。 11. 如前述條項中任一項之方法，其中部分地基於該初步選擇之該等量測且部分地基於運用該基板所接收之內容脈絡資訊來選擇該經動態選擇之子集。 12. 如前述條項中任一項之方法，其中處理複數個基板，該量測部位集合之該選擇係針對每一基板而個別地進行。 13. 如條項12之方法，其中量測部位之該初步選擇對於該等基板中之每一者為相同的。 14. 如前述條項中任一項之方法，其進一步包含如下所述之一步驟：將一品質測試應用於該等量測，且基於該品質測試之一結果而將一零加權或縮減加權應用於被識別為離群值之一或多個量測。 15. 如條項14之方法，其中該品質測試係基於該等量測與基於經先前處理基板之統計資料的一比較。 16. 如條項15之方法，其中該統計資料表示橫越該等經先前處理基板之一量測變化，且該品質測試係基於一當前量測與在該等先前基板上之對應部位處所見之變化範圍的一比較。 17. 如條項16之方法，其中使用相對於一經擬合模型之殘差值來判定該變化。 18. 如條項15之方法，其中該統計資料表示描述遍及該等先前基板之量測空間分佈的一成份向量集合。 19. 如條項18之方法，其中該品質測試比較一量測與由該等成份向量中之一或多者預測之一值。 20. 如條項15至19中任一項之方法，其中運用至少部分地基於該統計資料之一值來替換該離群值量測。 21. 如條項14至20中任一項之方法，其中該品質測試係至少部分地基於對該基板量測之高度資料。 22. 如條項14至21中任一項之方法，其中將一零加權應用於離群值量測。 23. 如條項14至22中任一項之方法，其中運用在一相鄰位置處進行之一量測來替換該離群值量測。 24. 如前述條項中任一項之方法，其中該等量測為在將一基板裝載至一微影設備中之後進行之位置量測，該方法進一步包含使用該等位置量測而將一圖案施加至該基板。 25. 如條項24之方法，其中回應於使用量測部位之該初步選擇而獲得之高度量測來動態地選擇平面內位置偏差之量測部位。 26. 如條項25之方法，其中回應於在該等高度量測中觀測之梯度來動態地選擇平面內位置偏差之量測部位。 27. 如條項1至26中任一項之方法，其中該等量測為在一微影處理步驟之後對該基板執行的一效能參數之量測。 28. 如條項27之方法，其進一步包含至少部分地基於該效能參數之該等量測來控制一後續微影處理步驟。 29. 如條項27或28之方法，其進一步包含至少部分地基於該效能參數之該等量測來控制一後續度量衡步驟。 30. 如條項27至29中任一項之方法，其中該等量測為作為一效能參數之疊對之量測。 31. 一種用於在一微影程序中執行一處理步驟之設備，該設備包括用於在執行該處理步驟之前進行一基板之量測的一量測系統，該量測系統經配置以使用一如條項1至30中任一項之方法在橫越該基板之一經選擇部位集合處獲得量測。 32. 如條項29之設備，其中該處理步驟為將一圖案施加至該基板之一步驟。 33. 如條項32之設備，其中該等量測為用於相對於已經存在於該基板上之特徵來定位該圖案的對準量測。 34. 一種電腦程式產品，其含有機器可讀指令之一或多個序列，該等機器可讀指令用於致使一處理器件或處理器件系統控制該量測系統以在一如條項31至33中任一項之設備中執行如條項1至31中任一項之方法。 35. 一種度量衡設備，其經配置以使用一如條項1至30中任一項之方法在橫越一基板之一經選擇部位集合處獲得結構之一或多個屬性之量測。 36. 一種電腦程式產品，其含有機器可讀指令之一或多個序列，該等機器可讀指令用於致使一處理器件或處理器件系統控制一度量衡設備以在一如條項35之設備中執行如條項1至30中任一項之方法。 37. 一種製造器件之方法，其包括一微影處理步驟，其中，在執行該微影處理步驟之前或之後，藉由一如條項1至30中任一項之方法在橫越一基板之一經選擇部位集合處獲得量測，且其中使用該等所獲得量測以調整該微影處理步驟之參數以用於處理該基板及/或另外基板。 38. 一種判定用於在一基板上之一量測部位處進行之一量測之一加權因子的方法，該方法包含以下步驟：將一品質測試應用於該量測，該品質測試係至少部分地基於與該量測部位相關聯之補充資料；及基於該品質測試之一結果來判定該加權因子。 39. 如條項38之方法，其中該補充資料包含基於經先前處理基板之統計資料。 40. 如條項39之方法，其中該統計資料表示橫越該等經先前處理基板之一量測變化，且該品質測試係基於該量測與在該等經先前處理基板上之對應部位處所見之該變化的一比較。 41. 如條項40之方法，其中使用相對於一經擬合模型之殘差值來判定該變化。 42. 如條項39之方法，其中該統計資料表示描述該等經先前處理基板之量測空間分佈的一成份向量集合。 43. 如條項42之方法，其中該品質測試比較該量測與由該等成份向量中之一或多者預測之一值。 44. 如條項39至43中任一項之方法，其中運用至少部分地基於該統計資料之一值來替換使用該品質測試而識別之一離群值量測。 45. 如條項38至45中任一項之方法，其中該品質測試係至少部分地基於對該基板量測之高度資料。 46. 如條項38至45中任一項之方法，其中將一零加權應用於使用該品質測試而識別之一離群值量測。 47. 如條項38至46中任一項之方法，其中運用一相鄰位置處之一量測來替換使用該品質測試而識別之一離群值量測。 48. 一種電腦程式產品，其含有機器可讀指令之一或多個序列，該等機器可讀指令用於致使一處理器件或處理器件系統接收在橫越一基板之部位處進行的量測且執行如條項38至47中任一項之方法以判定用於該等量測之一加權因子。 49. 一種度量衡設備，其經配置以在橫越一基板之一經選擇部位集合處獲得結構之一或多個屬性之量測，該度量衡設備經進一步配置以使用一如條項38至47中任一項之方法而將一加權因子應用於該等量測。 50. 一種製造器件之方法，其包括一微影處理步驟，其中，在執行該微影處理步驟之前或之後，在橫越一基板之一經選擇部位集合處獲得量測，其中藉由一如條項38至47中任一項之方法來獲得用於該等量測之加權因子，且其中使用根據該等加權因子而修改之該等所獲得量測以調整該微影處理步驟之參數以用於處理該基板及/或另外基板。結論總之，本發明提供一種自橫越一基板或數個基板之部位獲得量測的方法，其中應用量測部位之動態選擇以增加所獲得量測之相關性。詳言之，可應用基板特定取樣方案，而非在基板上應用固定取樣方案，基板特定取樣方案係回應於幾個初始量測予以動態地判定。回應於量測部位之初步選擇時的量測之結果來動態地定義量測部位集合會允許更有效地使用量測時間之可用預算。在經動態選擇之量測部位集合處進行之量測的類型可相同於或不同於在量測部位之初步選擇時進行之量測的類型。在類型相同的情況下，可組合在部位之初步選擇時進行的量測與在經動態選擇之部位處進行的彼等量測，以進行單一量測集合以供分析。所揭示方法允許提供一種微影設備及操作微影設備之方法，其中可在無需額外量測的情況下或甚至在量測之數目縮減的情況下改良諸如疊對之效能參數。可在使用或不使用額外內容脈絡資訊的情況下執行動態選擇。可維持及/或增加產出率而無原本可能會引起之效能損失。在其他實施例中，所揭示方法允許提供一種度量衡設備及操作度量衡設備之方法，其中可在無需額外量測的情況下(或在量測之數目縮減的情況下)獲得微影程序之效能參數之較相關量測。可維持及/或增加產出率而無原本可能會引起之量測有用性損失。根據本發明之第二態樣，可較可靠地使用一或多種類型之補充資料來偵測及去加權(de-weight)或移除離群值。該方法不需要新硬體；其可藉由調適軟體及工作方式而加以應用。其使用可能已經存在於微影工具或度量衡工具中或至少存在於工具之經連接控制系統中的可用資訊。其需要對產出率不產生負面影響，除非需要在不同部位處重複量測以取代離群值量測。在效能方面，可獲得疊對(或其他效能參數)之晶圓間變化之縮減。藉由縮減所報告資料之變化，在控制迴路(APC迴路)中亦存在較少雜訊。藉由消除由晶圓對準離群值造成之疊對誤差，會改良良率/重工率。當應用該方法以偵測疊對度量衡中之離群值時可獲得相似益處。在所描述態樣中之任一者中，可使用含有機器可讀指令之一或多個序列的電腦程式來實施本發明之一實施例，該等機器可讀指令描述辨識由對準感測器獲得之位置資料中之特性且應用如上文所描述之校正的方法。此電腦程式可(例如)在圖1之控制單元LACU或某一其他控制器內(例如，在度量衡設備140內)執行。亦可提供儲存有此電腦程式之資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)。本發明之廣度及範疇不應由上述例示性實施例中之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者進行界定。

#26‧‧‧晶圓
#37‧‧‧晶圓
100‧‧‧微影設備LA/微影工具
102‧‧‧量測站MEA
104‧‧‧曝光站EXP
106‧‧‧控制單元LACU
108‧‧‧塗佈設備
110‧‧‧烘烤設備
112‧‧‧顯影設備
120‧‧‧基板
122‧‧‧其他處理設備/蝕刻站
124‧‧‧其他處理設備
126‧‧‧其他處理設備/步驟
130‧‧‧傳入基板
132‧‧‧經處理基板
134‧‧‧經處理基板
140‧‧‧度量衡設備
142‧‧‧度量衡結果
200‧‧‧步驟
202‧‧‧步驟
202a‧‧‧步驟
202b‧‧‧步驟
202c‧‧‧步驟
202d‧‧‧步驟
202e‧‧‧步驟
202f‧‧‧步驟
204‧‧‧步驟
204a‧‧‧步驟
206‧‧‧配方資料
208‧‧‧配方及量測資料
210‧‧‧步驟
212‧‧‧步驟
214‧‧‧步驟
216‧‧‧步驟
218‧‧‧步驟
220‧‧‧步驟
300‧‧‧基板
302‧‧‧點陣列/量測部位
304‧‧‧可能量測部位全集
306‧‧‧經選擇量測部位集合/單一集合
400‧‧‧模擬基板
600‧‧‧動態選擇功能
602‧‧‧量測
604‧‧‧動態選擇
606‧‧‧預定義子集/選項/量測部位集合
606'‧‧‧預定義子集/選項/量測部位集合/佈局
606''‧‧‧預定義子集/選項/量測部位集合
608‧‧‧內容脈絡資料/內容脈絡資訊
610‧‧‧量測部位之初步選擇
612‧‧‧量測
902‧‧‧步驟
904‧‧‧步驟
906‧‧‧步驟
908‧‧‧步驟
1002‧‧‧趨勢標繪圖
1004‧‧‧突出顯示區
1006‧‧‧突出顯示區
1008‧‧‧異常對準量測
1010‧‧‧異常對準量測
1102‧‧‧加權步驟/品質測試步驟
1104‧‧‧補充資料
1106‧‧‧統計分析步驟
1107‧‧‧離群值部位
1108‧‧‧歷史資料
1110‧‧‧步驟
1112‧‧‧經修改量測集合
1112a‧‧‧結果
1112b‧‧‧結果
1112c‧‧‧結果
1114‧‧‧步驟
1202‧‧‧曲線
1204‧‧‧斜率
1206‧‧‧斜率
1402‧‧‧趨勢標繪圖
1502‧‧‧步驟
1504‧‧‧步驟
1506‧‧‧步驟
1508‧‧‧步驟
1510‧‧‧步驟
1512‧‧‧資料庫
1520‧‧‧晶圓
1522‧‧‧步驟
1524‧‧‧步驟
1526‧‧‧步驟
1528‧‧‧步驟
1530‧‧‧步驟
1532‧‧‧步驟
1602‧‧‧群體
1604‧‧‧階層式叢集程序
1610A‧‧‧最佳化量測部位
1610B‧‧‧最佳化量測部位
1702‧‧‧步驟
1704‧‧‧步驟
1706‧‧‧步驟
1712‧‧‧資料庫
1720‧‧‧晶圓
1722‧‧‧步驟
1724‧‧‧步驟
1726‧‧‧步驟
1728‧‧‧步驟
1730‧‧‧步驟
1732‧‧‧步驟
A‧‧‧群組
A1‧‧‧區
A2‧‧‧區
A3‧‧‧區
B‧‧‧群組
B1‧‧‧區
B2‧‧‧區
B3‧‧‧區
EV‧‧‧可釋方差
M‧‧‧標繪圖
M-R‧‧‧標繪圖
PC#‧‧‧主成份編號
R‧‧‧配方資訊/標繪圖
R‧‧‧標繪圖
SCS‧‧‧監督控制系統
W‧‧‧基板
W'‧‧‧基板
W''‧‧‧基板
X‧‧‧位置/方向
Y‧‧‧位置/方向

現在將參考隨附示意性圖式而僅作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中：圖1描繪微影設備連同形成用於半導體器件之生產設施的其他設備；圖2示意性地說明根據已知實務且根據本發明之一實施例而修改的圖1之微影設備中之量測程序及曝光程序；圖3展示(a)可用於實例晶圓上之量測的量測部位之分佈，及(b)針對在高容量製造期間之量測而選擇的實例量測部位集合；圖4說明(a)半導體晶圓上之程序誘發性指紋之實例，及(b)取自若干批次之晶圓樣本中之晶圓之間的指紋之變化；圖5說明遍及圖4之(b)中所展示之同一晶圓樣本的微影程序之效能參數之偏差，該偏差可歸因於使用經選擇量測部位集合；圖6說明根據本發明之第一實施例的用於針對個別基板動態地選擇量測部位集合之經修改方法；圖7說明微影程序之效能參數之偏差，該偏差經計算以針對遍及與圖5相同之晶圓樣本的每一晶圓動態地模擬選擇量測部位集合之效應；圖8說明(a)在使用相同經選擇量測部位之狀況下及(b)使用經動態選擇之量測部位集合的效能偏差之空間分佈；圖9說明本發明之第二實施例中的度量衡及程序控制之方法；圖10 (包含圖10之(a)至圖10之(e))說明量測資料(例如，實際實例中之對準資料)中之離群值問題；圖11說明根據本發明之第二態樣之各種實施例的用於偵測離群值且縮減其影響之技術；圖12說明根據基於主成份分析之實例離群值偵測方法的統計分析原理；圖13說明在圖10之實例中使用圖12之原理來偵測離群值；圖14說明相較於圖10之(a)之實例的問題晶圓上之經改良疊對效能；圖15說明本發明之第三實施例中的度量衡及控制之方法，該方法包含(a)離線程序及(b)線上程序；圖16說明圖15之方法中的高度梯度映圖及量測部位之動態選擇；且圖17說明本發明之第四實施例中的度量衡及控制之方法，該方法包含(a)離線程序及(b)線上程序。

200‧‧‧步驟

202a‧‧‧步驟

202b‧‧‧步驟

202c‧‧‧步驟

202d‧‧‧步驟

202e‧‧‧步驟

202f‧‧‧步驟

206‧‧‧配方資料

302‧‧‧點陣列/量測部位

602‧‧‧量測

606‧‧‧預定義子集/選項/量測部位集合

606'‧‧‧預定義子集/選項/量測部位集合/佈局

606"‧‧‧預定義子集/選項/量測部位集合

608‧‧‧內容脈絡資料/內容脈絡資訊

610‧‧‧量測部位之初步選擇

612‧‧‧量測

W'‧‧‧基板

Claims

一種在執行一微影處理步驟之前或之後自橫越一基板之部位獲得量測的方法，其中自所有可能量測部位當中選擇一量測部位集合，且在每一經選擇部位處對該基板上之一結構之一屬性進行一量測，其中至少部分地回應於與使用量測部位之一初步選擇而獲得之量測相關聯之一指紋的辨識來動態地選擇該等經選擇量測部位之至少一子集。
如請求項1之方法，其中量測部位之該初步選擇包括該經選擇量測部位集合之一第一子集，該經選擇量測部位集合之一第二子集係回應於使用該初步選擇而獲得之該等量測予以動態地選擇。
如請求項1或2之方法，其中該初步選擇中之量測部位之數目包含少於該經選擇集合中之量測部位之數目的一半，視情況少於四分之一。
如請求項1之方法，其中該經動態選擇之量測部位子集包括藉由辨識以下各者而選擇之至少一個部位：a)在該等經選擇量測部位中之一者處之一統計上例外的量測；或b)遍及複數個該等經選擇量測部位之一統計上例外的量測分佈。
如請求項1或2之方法，其中至少部分地回應於遍及複數個該等經選擇量測部位而觀測之一梯度來判定該經動態選擇之量測部位子集。
如請求項1之方法，其中部分地基於運用該基板所接收之內容脈絡資訊來選擇該經動態選擇之子集。
如請求項1之方法，其進一步包含如下所述之一步驟：將一品質測試應用於該等量測，且基於該品質測試之一結果而將一零加權或縮減加權應用於被識別為離群值之一或多個量測。
如請求項7之方法，其中該品質測試係基於該等量測與基於經先前處理基板之統計資料的一比較。
如請求項7或8之方法，其中該品質測試係至少部分地基於對該基板量測之高度資料。
如請求項9之方法，其中運用在一相鄰位置處進行之一量測來替換該離群值量測。
如請求項1之方法，其中該等量測為在將一基板裝載至一微影設備中之後進行之位置量測，該方法進一步包含使用該等位置量測而將一圖案施加至該基板。
如請求項11之方法，其中回應於使用量測部位之該初步選擇而獲得之高度量測來動態地選擇平面內位置偏差之量測部位。
如請求項12之方法，其中回應於在該等高度量測中觀測之梯度來動態地選擇平面內位置偏差之量測部位。
一種用於在一微影程序中執行一處理步驟之設備，該設備包括用於在執行該處理步驟之前進行一基板之量測的一量測系統，該量測系統經配置以使用一如請求項1之方法在橫越該基板之一經選擇部位集合處獲得量測。
一種度量衡設備，其經配置以使用一如請求項1之方法在橫越一基板之一經選擇部位集合處獲得結構之一或多個屬性之量測。