TW201740483A - 光學計量之準確度提升 - Google Patents

光學計量之準確度提升 Download PDF

Info

Publication number
TW201740483A
TW201740483A TW106106028A TW106106028A TW201740483A TW 201740483 A TW201740483 A TW 201740483A TW 106106028 A TW106106028 A TW 106106028A TW 106106028 A TW106106028 A TW 106106028A TW 201740483 A TW201740483 A TW 201740483A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
measurement
computer readable
metrology
target
implement
Prior art date
Application number
TW106106028A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI731038B (zh
Inventor
巴拉克 布林高爾茲
伊夫吉尼 古理維克
艾度 亞當
亞爾 飛勒
卓爾 阿陸莫
游波爾 藍哈特
諾佳 夕拉
亞隆 德留
托爾 亞茲
艾爾特沙豐 亞希渥
里拉奇 撒爾通
湯姆 里維安特
Original Assignee
克萊譚克公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 克萊譚克公司 filed Critical 克萊譚克公司
Publication of TW201740483A publication Critical patent/TW201740483A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI731038B publication Critical patent/TWI731038B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
    • G01B9/10—Goniometers for measuring angles between surfaces
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C11/00—Photogrammetry or videogrammetry, e.g. stereogrammetry; Photographic surveying
    • G01C11/04—Interpretation of pictures
    • G01C11/06—Interpretation of pictures by comparison of two or more pictures of the same area
    • G01C11/12—Interpretation of pictures by comparison of two or more pictures of the same area the pictures being supported in the same relative position as when they were taken
    • G01C11/26—Interpretation of pictures by comparison of two or more pictures of the same area the pictures being supported in the same relative position as when they were taken using computers to control the position of the pictures
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7092—Signal processing
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F16/00—Information retrieval; Database structures therefor; File system structures therefor
    • G06F16/20—Information retrieval; Database structures therefor; File system structures therefor of structured data, e.g. relational data
    • G06F16/28—Databases characterised by their database models, e.g. relational or object models
    • G06F16/284—Relational databases
    • G06F16/285—Clustering or classification
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/24—Optical enhancement of defects or not directly visible states, e.g. selective electrolytic deposition, bubbles in liquids, light emission, colour change
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • H01L22/34—Circuits for electrically characterising or monitoring manufacturing processes, e. g. whole test die, wafers filled with test structures, on-board-devices incorporated on each die, process control monitors or pad structures thereof, devices in scribe line

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Databases & Information Systems (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Data Mining & Analysis (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

本發明提供提升計量量測之準確度之方法、計量模組及目標設計。方法提供對多個量測處方及設置之靈活處置且使得能夠使該多個量測處方及設置與指示其與諧振區域及平坦區域之關係之圖譜特徵相關。分開地或以組合方式採用對處方之叢集化、自身一致性測試、對經彙總量測之共同處理、雜訊降低、叢集分析、對具有偏斜單元之圖譜及目標之詳細分析，以提供量測準確度之累積提升。

Description

光學計量之準確度提升
本發明係關於計量領域，且更特定而言係關於在光學計量中達成較佳準確度之技術。
各種光學計量技術要求造成計量信號中之不對稱性之程序變化遠小於某一臨限值，使得不對稱性信號之一部分遠小於由疊對導致之信號不對稱性。然而，實際上，此等程序變化可係相當大的(尤其在晶片開發之研究及開發階段更係如此)，且此等程序變化可誘發藉由計量而報告之疊對中之相當大誤差；亦即，可達到奈米型態藉此消耗疊對計量預算之一顯著部分之誤差。 當前解決方案方法涉及執行使信號中之疊對所誘發不對稱性最佳化且使由其他程序變化導致之不對稱性最小化之處方與目標設計最佳化。最佳化度量可依據計量信號(舉例而言，依據試驗上所估計疊對敏感性)而導出，或最佳化度量可依賴於對校準之外部計量。然而，先前技術方法在訓練中不能可靠地估計計量之不準確度且在運行時根本無法使用傳統處方最佳化(例如，使用用以校準量測之CDSEM -臨界尺寸掃描電子顯微術)來進行此；且對稱之程序變化(舉例而言，一疊對標記之一特定層之厚度之一改變)之存在可使處方最佳化廢棄，此乃因不同處方在訓練中及在運行時在研究與開發期間可不同地執行。此一問題亦可跨越晶圓而發生，此乃因不同處方可在晶圓之不同區域內不同地執行。 WIPO公開案第2016086056號(其以其全文引用方式併入本文中)揭示以下操作之方法：導出計量度量對處方參數之一部分連續相依性、分析所導出相依性、根據該分析而判定一計量處方及根據所判定處方而進行計量量測。該相依性可以一圖譜(諸如一敏感性圖譜)之形式進行分析，在該圖譜中，低敏感性之區域及/或低或零不準確度之點或輪廓以分析方式、以數字方式或以試驗方式被偵測且用於組態量測、硬體及目標之參數以達成高量測準確度。依據其對敏感性圖譜之效應而分析程序變化，且此等效應用於進一步表徵程序變化，以使量測最佳化且使計量既對於不準確源更穩健又相對於晶圓上之不同目標及可獲得量測條件更靈活。
以下係提供對本發明之一初始理解之一簡要概述。該概述既不非要識別關鍵元素，亦不限制本發明之範疇，而僅用作對以下說明之一簡介。 本發明之某些態樣提供一種方法，該方法包括：藉由對至少一個度量之量測值應用一自身一致性測試而識別在該等量測值中彼此對應之量測設置，以產生複數個設置叢集；根據該等叢集之統計特性而判定一最可靠叢集；及依據該所判定最可靠叢集中之至少一個設置而導出一量測結果。 本發明之某些態樣提供一種方法，該方法包括：選擇用於複數個對應晶圓區域之複數個量測設置，其中該等晶圓區域係預定的或即時判定的，且其中該等量測設置係根據至少一個準確度度量而選擇；及利用針對每一對應晶圓區域之該選定量測設置而實施計量量測。 本發明之某些態樣提供一種方法，該方法包括：根據一計量光瞳影像中之鄰近像素值之一平均值而修改該計量光瞳影像中之一像素值以減少該光瞳影像中之隨機雜訊。 本發明之某些態樣提供一種方法，該方法包括：依據使用不同量測設置及/或不同目標對一計量度量進行之多個量測而導出該度量之一值，其中該值係自來自該多個量測之像素之一串接導出。 本發明之某些態樣提供一種方法，該方法包括：藉由對使用複數個設置之複數個計量量測應用一主成分分析(PCA)而導出一量測設置，及選擇展現來自該PCA之小特徵值與大特徵值之一最小比率之一量測設置。 本發明之某些態樣提供一種方法，該方法包括：藉由計算至少一個計量度量之至少兩個值之間的一差而指示計量量測中之不準確度，該至少兩個值係依據至少兩個計量演算法而導出；及設定該所計算差之一臨限值。 本發明之某些態樣提供一種方法，該方法包括：指示一圖譜中接近於一諧振區域之一接近區域，其中該圖譜包括至少一個計量度量對至少一個參數之一至少部分連續相依性，且該圖譜中之該諧振區域對應於一所量測位置中之光學照明之一諧振，該指示係藉由計算光瞳信號或其至少一個函數之一可變性並比較該所計算可變性與一預定義臨限值而實施，其中超過該預定義臨限值指示該接近區域。 本發明之某些態樣提供一種方法，該方法包括：判定一圖譜中之諧振區域，其中該圖譜包括至少一個計量度量對至少一個參數之一至少部分連續相依性，且該圖譜中之該諧振區域對應於一所量測位置中之光學照明之一諧振，該判定係藉由偵測至少一個計量度量之非分析行為而實施，該偵測包括：使一分析函數基底橫跨分析函數在光瞳座標上之一空間、依據該分析函數基底而表達該計量度量及估計該表達之一殘差，其中大於一預定臨限值之一殘差指示該非分析行為。 本發明之某些態樣提供一種計量目標，該計量目標包括沿著至少兩個不同且非垂直量測方向具有週期性結構之複數個目標單元。 本發明之某些態樣提供提供量測準確度之累積提升之方法之組合。 在以下之詳細說明中陳述、有可能可自詳細說明推斷及/或可藉由實踐本發明獲悉本發明之此等、額外及/或其他態樣及/或優點。
相關申請案之交叉參考 本申請案主張於2016年2月24日提出申請之美國臨時專利申請案第62/299,535號之權益，該專利申請案以其全文引用方式併入本文中。 在以下說明中，闡述本發明之各種態樣。出於闡釋目的，陳述特定組態及細節以便提供對實施例之一透徹理解。然而，熟習此項技術者亦將明瞭，可在不具有本文中所呈現之具體細節之情況下實踐本發明。此外，可已省略或簡化眾所周知特徵以便不使本發明模糊。特定參考圖式，強調，所展示之細節係以實例方式且僅出於說明性論述本發明之目的，且係為提供據信最有用之內容及對本發明之原理及概念態樣之易於理解之說明而呈現。就此而言，未試圖比用於本發明之一基本理解所需之結構細節更詳細地展示本發明之結構細節，結合圖式做出之說明使得熟習此項技術者明瞭在實務中可如何體現本發明之數種形式。 在詳細闡釋本發明之至少一項實施例之前，應理解，本發明在其應用中並不限於以下說明中所陳述或圖式中所圖解說明之構造之細節及組件之配置。本發明適用於可以各種方式實踐或實施之其他實施例以及所揭示實施例之組合。同樣，應理解，本文中所採用之措辭及術語係出於說明目的且不應被視為具有限制性。 除非另有具體陳述，否則如依據以下論述顯而易見，應瞭解，在本說明書通篇中，利用諸如「處理」、「計算」、「運算」、「判定」、「增強」或諸如此類之術語之論述係指一電腦或計算系統或者類似電子計算裝置之如下動作及/或程序：將在計算系統之暫存器及/或記憶體內之表示為實體(例如，電子)數量之資料操縱且變換為在計算系統之記憶體、暫存器或其他此類資訊儲存、傳輸或顯示裝置內之類似地表示為實體數量之其他資料。 本發明之實施例提供用於提升準確度(特別係在疊對光學計量中)之高效且經濟方法及機制且提供技術領域之提升。揭示用以達成光學計量中之優越準確度之新穎方法，該等新穎方法旨在於運行時及/或在訓練中遞送極小不準確度。提供提升計量量測之準確度之方法、計量模組及目標設計。方法提供對多個量測處方及設置之靈活處置且使得能夠使該多個量測處方及設置與指示其與諧振區域及平坦區域之關係之圖譜特徵相關。分開地或以組合方式採用對處方之叢集化、自身一致性測試、對經彙總量測之共同處理、雜訊降低、叢集分析、對具有偏斜單元之圖譜及目標之詳細分析，以提供量測準確度之累積提升。圖譜 光學疊對計量係對計量信號所攜載之由兩個微影步驟之間的疊對所致之不對稱性之一計量。此不對稱性存在於電磁信號中，此乃因電磁信號利用攜載疊對資訊之相對相位而反映電場之干擾。特定而言，(i)在疊對散射量測術(不管係光瞳散射量測術還是場散射量測術)中，疊對標記(目標)係一上下光柵結構，且疊對資訊攜載於下部及上部光柵之相對相位中；(ii)在並排類型之疊對散射量測術(例如，參見WIPO公開案第2014062972號)中，疊對標記(目標)包括一緊挨光柵結構，且疊對資訊再次攜載於下部及上部光柵之相對相位中；(iii)在疊對成像中，疊對標記(目標)包括針對分開層之分開標記，且疊對資訊攜載於每一個別標記在偵測器上之位置中，該位置又係個別標記之不同繞射級之間的一干擾結果。 因此，信號之敏感性(亦即，信號不對稱性受所尋求疊對影響之程度)主要受此等信號中之干擾項之大小之改變影響。舉例而言，在上下光柵目標及並排目標中，干擾相位中之某些項取決於自下部及上部光柵散射之光之間的光學路徑差異，該光學路徑差異在分離下部及上部光柵之膜堆疊之厚度中係線性且與波長成反比。其亦取決於如入射角或反射等其他參數且取決於入射光及所反射光之偏光性質。其他性質包含目標屬性以及堆疊與光柵電磁特性。相比而言，在疊對成像中，干擾相位在工具之焦點中亦係線性的且將取決於諸如入射角等其他參數。 以一連續方式觀察計量工具之敏感性如何取決於工具參數且特定而言取決於諸多計量特性(諸如，對波長、焦點、偏光等之敏感性之一階導數、二階導數及更高階導數)之各種差異揭露技術效能之圖譜，如下文所闡釋。此圖譜對於任何標稱堆疊係特定的，且發明人使用模擬及理論已發現，此圖譜在很大程度上獨立於諸多類型之程序變化之意義上是通用的，該等程序變化包含破壞疊對標記之對稱性並導致不準確度之所有程序變化。當然，工具效能亦包含按照定義極大地取決於不對稱程序變化之不準確度，然而，圖譜判定：在圖譜之哪些子區段處，對此等程序變化之敏感性係極強的，且在哪些子區段中，對此等程序變化之敏感性係極弱的，及該敏感性看起來如何。特定而言且在很大程度上，對一特定類型之程序變化敏感之相同區域通常亦對所有其他類型之程序變化敏感，乃因此係由標稱堆疊對疊對之敏感性(亦即，不具有不對稱程序變化之一堆疊之敏感性)決定的。圖 1 係根據先前技術之一光瞳影像90 及一圖譜95 之一高階示意性方塊圖。圖譜95 展現具有零敏感性之光瞳位置90A (跨越光瞳影像呈一弧形之形式)、諧振區域95A 、平坦區域95B 及中間區域95C ，該等區域藉由本發明之各種實施例而分析及處置(例如)以增強計量量測之準確度，如下文所闡釋。 WIPO公開案第2016086056號揭示計量量測中之圖譜之概念，圖譜係一或多個計量度量(例如，散射量測術疊對(SCOL)度量)對一或多個參數之一相依性。作為一非限制性實例，圖譜可表達疊對、疊對(例如，Pupil3S度量)之變化及/或不準確度(所估計疊對減去真實疊對)中之任一者對一或多個程序參數、量測參數及目標參數之相依性。特定而言，如WIPO公開案第2016086056號中所闡述，發明人已發現，圖譜中之特定區域展現與光學系統中之諧振(例如，晶圓層內及/或目標結構之間的照明之諧振)有關之急劇改變，此可用於提供關於所量測區域之較多資訊。 以下提供用以使用關於疊對準確度之圖譜之透視圖之各種技術及藉由信號之各種性質而反映疊對準確度之方式(舉例而言，在光瞳散射量測術中，以疊對準確度取決於光瞳座標之方式)以提升疊對準確度。所揭示方法及工具中之任一者可組合於實際計量方法及工具中以累加由所揭示發明之不同實施例及態樣所提供之益處。對量測及處方之叢集化 圖 2 係根據本發明之某些實施例之量測處方111 當中之自身一致性及多樣性並相應地對量測進行叢集化之一方法100 之一高階示意性圖解。計量工具101 經組態以應用量測處方111 以導出對晶圓60 上之計量目標70 之計量量測。計量工具101 在判定如何調整量測處方111 時通常利用處理單元109 及可能地模擬工具105 。量測處方111 (下文亦稱作設置)依據量測而導出計量度量91 之值，且可用於導出所量測值之圖譜95 ，如上文及WIPO公開案第2016086056號中所闡釋。圖譜95 表達計量度量91 對參數之相依性，該等參數諸如：硬體參數(例如，焦點、光點位置、照明波長及偏光，諸如切趾器之光學元件，及與量測之硬體態樣有關之各種其他參數)、演算法參數(例如，各種軟體參數，諸如每像素權數或演算法臨限值、演算法之類型、所應用處理步驟)及其他處方參數，以及目標設計參數及晶圓上之目標位置-所有該等參數在圖 2 中皆用表示圖譜95 之可能軸線之箭頭示意性地指示。在圖譜95 中可識別諧振區域95A 及平坦區域95B ，如WIPO公開案第2016086056號中所闡釋。 發明人已發現，準確度可藉由判定諸多可能選項中之最準確量測方法而提升，其中使用自身一致性作為準確度之一指示符。假設在藉由全部預期為準確且精確之一組量測(舉例而言，所有量測皆具有一特定類型之良好TMU (總量測不確定性)及良好光瞳所導出度量，及/或根據光學影像或信號、SEM (掃描電子顯微術)影像或信號、TEM (穿透電子顯微術)影像或信號及/或AFM (原子力顯微術)影像或信號中之規定準則，所有量測皆具有良好影像或信號品質)而量測所關注之一實體數量(舉例而言，一特定晶圓位置中之目標70 中之一線條之CD (臨界尺寸)值，或在一特定晶圓位置處以一特定對準方案進行之疊對)時，應產生此等量測之間的一種定量相符性。此可被視為對量測之準確度之一測試(稱作一自身一致性測試)，此可提供找到不同量測並將不同量測融合在一起成為一準確量測之一演算法之一基礎，如下文所揭示。 舉例而言，在疊對計量中，資料展示：在來自圖譜95 中之不同且多樣之平坦區域95B 之諸多設置與其疊對值相符時，該等設置亦最可能係準確的。此相符性可用於在來自平坦區域95B 之設置量測與具有良好或中等光瞳所導出度量之其他量測之間進行區分，但不與其他設置或處方111 中之任一者或幾者相符。此等考量可應用於各種計量度量91 ，例如，亦可應用於CD量測。實務上，發明人已發現，所揭示自身一致性測試通常展現於展示一群組內之量測值方面之一相符性之設置(但其可彼此不相符)之資料及/或模擬群組中。設置之此等群組表示為所量測度量91 之多樣值之一空間92 內之叢集112 (例如，叢集A、B等)且在圖 2 中係示意性地展示的。 找到對應於準確設置之準確群組(叢集112 )可藉由計算群組成員所屬之不同平坦區域95B 之數目及每一群組之成員清單之多樣性以及其他度量(諸如每一群組內之量測值之最大差)而實施。 自身一致性測試可藉由找到設置之群組(叢集112 )並應用一演算法來判定群組(叢集112 )之多樣性而執行。每一叢集112 中之多樣性可以不同方式量化為(例如)一群組中表示不同平坦區域95B 之設置之數目。叢集112 之多樣性可用於估計一群組為準確之可能性(不管其多樣性如何，若其大小較緊湊且設置不相符性較小，則其可能性增加)，並且用於在演算法上分離設置當中由諸如以下各項之因素造成之平凡相符性：量測之一簡單重複，及/或其中設置僅因其來自圖譜95 中之極靠近點而相符之一情況，該等設置在圖 2 中示意性地表示為一平凡設置子集114 。最後，可對群組(叢集112 )及群組內之量測進行排名以提供最佳量測條件之一推薦。 在特定實施例中，量測92 可藉由將每一量測設置111 闡述為一n 維向量而形式化，其中n 係此一量測之獨立實現次數，舉例而言，其上發生量測之晶圓位置之數目。可在數對量測值之間定義一降維量(例如，一純量距離)。該距離可依據原始資料或依據模型項而定義。舉例而言，可使用群組內之最大距離之一臨限值來給出連接之一圖形表示。可建構一m ×m 相鄰矩陣，其中m 係量測設置之數目，其中若兩個量測值i、j 之間的距離低於臨限值且高於0或藉由根據降維量而將連接加權，則元素等於1。使用相鄰矩陣，量測可藉助機器學習及/或圖形理論演算法而叢集化。此選項之一較廣義版本係藉由分析叢集112 之量及大小分佈隨叢集臨限值而變化之方式之頻譜函數並搜尋平線區而適應性地找到叢集112 之典型大小。 每一叢集112 可由諸多量測構成，然而，該等量測可不一定係彼此獨立的，此乃因某些層對機器設置或目標設計不太敏感，在該等層中，量測可彼此不同。計數每一叢集112 中之量測之數目可經修改以僅考量獨立量測。為判定兩個量測之獨立性，可(例如)使用並非用於對本身進行叢集化之度量(諸如，信號所導出度量)而計算兩個量測之間的相關性。可在上文所提及之n 維空間上計算相關性以判定獨立量測。為使一個叢集112 內之兩個處方111 變得獨立，該兩個處方跨越晶圓在量測值上之一界限內必須相符且跨越晶圓在其信號度量中不相符。 另一選擇為或互補地，叢集化可藉由採用資料探勘(data mining)領域之叢集化分析技術而實施。可使用若干種叢集化方法。團(clique)給出並非取樣相依之群組，而是給出重疊叢集。階層式叢集化給出分開之叢集，量測不可出現在兩個叢集中，但在省略量測時可產生不同結果。K均值無重疊，但需要所定義數目個叢集。可使用方法之一組合來找到叢集。 在實施叢集化之後，可連同找到叢集112 之代表性處方一起計算叢集特定之度量(例如，多樣性或直徑)。此等度量可進一步用於將叢集112 以及叢集112 內或叢集112 之間的處方111 排名。每處方之信號所導出度量(如在光瞳散射量測術之情形中自光瞳導出之度量，或在基於成像之疊對之情形中自諧波空間導出之度量)及來自相同叢集中之其他處方之資料兩者皆可用於將每一處方分級並將每一處方排名以提供一組推薦處方。對應自身一致性量度可依據叢集112 之所揭示導出及處理而導出。圖 11 係圖解說明根據本發明之某些實施例之本文中所揭示之方法之一列步驟之一高階示意性流程圖。圖 11 包括本文中所揭示之多種方法，該等方法可分開地或以組合方式實施。該等方法中之任一者之各階段中之任一者可藉由至少一個電腦處理器而實施(階段199 )。 與圖譜中之不同平坦區域有關之設置之叢集化之方法100 可包括：量測處方111 當中之自身一致性及多樣性並相應地對量測進行叢集化。特定實施例包括一電腦程式產品，該電腦程式產品包括一非暫時性電腦可讀儲存媒體，該非暫時性電腦可讀儲存媒體具有隨其體現之電腦可讀程式，該電腦可讀程式經組態以實施方法100 之階段中之任一者；且可能地，一計量模組經組態以實施方法100 之階段中之任一者。方法100 之相關階段中之任一者可藉由一電腦處理器(例如，在處理單元109 中)而實施。 方法100 可包括：藉由對至少一個度量之量測值應用一自身一致性測試而識別在量測值中彼此對應之量測設置以產生複數個設置叢集(階段112A )，其中該識別可在量測值之一空間中使用一距離度量而實施(階段112B )。方法100 進一步包括：根據叢集之統計特性而判定一最可靠叢集(階段113 )，及依據所判定最可靠叢集中之至少一個設置而導出一量測結果(階段115 )。統計特性可至少包括每一叢集之一大小及一多樣性。方法100 可進一步包括：使所識別量測設置與一量測圖譜中之對應至少一個平坦區域相關，該量測圖譜包括至少一個計量度量對至少一個參數之一至少部分連續相依性(階段116 )。對晶圓區域之叢集化 圖 3 係根據本發明之某些實施例之空間叢集化之一方法120 之一高階示意性圖解。方法120 可使用不同處方來量測不同晶圓區域121 (以一非限制性方式示意性地表示為區域A及B)及/或不同位點62 以相對於量測及/或處方111 而產生晶圓60 之一空間叢集化。 發明人已發現，代替其中量測設置在訓練階段被選擇且針對所有後續目標量測保持固定之傳統計量方法，可藉由允許跨越位點62 、晶圓區域121 、晶圓60 、晶圓批等之設置靈活性而提升準確度。術語「設置」係指設定處方參數(諸如圖 2 中示意性地展示，涉及根據其而分析圖譜95 之參數，諸如藉由硬體旋鈕而設定(例如，焦點、光點位置、波長、偏光、切趾))、目標設計參數及/或軟體參數(例如，每像素權數、演算法臨限值等)等等。每量測設置可基於一先驗 模擬而挑選、基於使用量測指標進行之即時判定而挑選、藉由設置參數之某一參數化而挑選，及/或藉由執行多個按目標進行之量測並歸納性地判定最佳設置而挑選。舉例而言，可在一每量測基礎上使用一組準確度相關數量(如光瞳(在光瞳散射量測術中)上之疊對之可變性，或光瞳像素之經組合疊對敏感性)來使整個設置最佳化並找到最佳設置。 如圖3中示意性地圖解說明，晶圓60 上之不同區域121 中之位點可使用不同參數及/或設置122 、124 而量測，及/或晶圓60 上之不同位點62 可使用不同參數及/或設置126 而量測。區域121 可係同心的(例如，一晶圓中心及一晶圓周邊可使用不同設置而量測)、毗鄰的或具有任何其他空間關係。晶圓區域121 與特定位點62 之一組合可用於進一步區別不同量測設置之應用。 有利地，方法120 可經組態以利用個別量測之間的差異來提升總體準確度，尤其係由程序變化所致之差異且特別係相對於在以相同固定設置量測所有目標時對於幾個目標展現低可量測性或增大之不準確度之特定位點62 或區域121 。在圖譜表示95 中，方法120 所提供之靈活性可使得能夠相對於可量測性及/或準確度而調整在圖譜95 之一有利區域中將量測之每量測設置；且避免因程序變化對圖譜95 之改變。 在特定實施例中，術語「區域」121 亦可用於指代具有某些共同圖譜相關性質之設置之一群組，舉例而言落在圖譜95 中之一平坦區域95B 上之一連續波長群組，諸如圖 2 中示意性地圖解說明之叢集112 。因此，方法120 可視情況應用於圖 2 中示意性地圖解說明為區域121 之叢集112 ，且可根據設置之叢集化使用類似處理來提升準確度。 舉例而言，N 個設置參數(例如，硬體及/或軟體參數)可在一線性空間V 中表示為{S 1 ,S 2 , …,S N }，且k 個量測參數(批、晶圓、晶圓上位置等)可表示為{M 1 ,M 2 ,…,M k }。在特定實施例中，方法120 可以一函數S (M )之形式實施每量測靈活性，其中設置旋鈕由量測參數決定。作為一非限制性實例，S (M )可闡述：基於產生最佳指標之偏光跨越晶圓60 針對每一目標位置分開地設定照明偏光。 用以確立上文所闡述之靈活性之一較通用方式係將設置參數之一映射應用於一組廣義參數P 1 、P 2 、…、P L ，使得設置空間參數化為此等參數之函數：。然後，方法120 可包括找到自(例如)與準確度有關之一成本函數Ω (F )之視角來看最佳之函數f (P)。最佳化可相對於跨越圖譜區域之可變性、光瞳所導出度量(如敏感性)之設置或每設置/像素之疊對等等而實施。 作為一高階示意性流程圖參考圖 11 ，方法120 可包括：選擇用於複數個對應晶圓區域之複數個量測設置(階段123 )，其中晶圓區域係預定的或即時判定的，且其中量測設置根據至少一個準確度度量而選擇(階段125 )；及利用針對每一對應晶圓區域之選定量測設置來實施計量量測(階段127 )。如上文所闡述，量測設置可藉由對至少一個度量之量測或模擬值應用一自身一致性測試而根據該等量測或模擬值之一叢集化進行選擇以產生複數個設置叢集，根據叢集之統計特性而判定該複數個設置叢集中用於晶圓區域中之每一者之一最可靠叢集。 特定實施例包括一電腦程式產品，該電腦程式產品包括一非暫時性電腦可讀儲存媒體，該非暫時性電腦可讀儲存媒體具有隨其體現之電腦可讀程式，該電腦可讀程式經組態以實施方法120 之階段中之任一者；且可能地，一計量模組經組態以實施方法120 之階段中之任一者。方法120 之相關階段中之任一者可藉由一電腦處理器(例如，在處理單元109 中)而實施。雜訊降低 圖 4 係根據本發明之某些實施例之光瞳影像之雜訊移除及平滑化之一方法130 之一高階示意性流程圖。方法130 可包括在所揭示實施例中之任一者中及/或獨立於所揭示實施例提升疊對之信雜比以及光瞳所導出度量及演算法之信雜比之預處理階段。雜訊降低134 可藉由使用一空間演算法濾波器(舉例而言，可使用將一像素之值與其鄰近像素之值求平均之一濾波器)而應用於差動信號D1及D2 (藉由量測處方111 而量測)132 。雜訊降低可消除或降低散射量測術信號中可由不同源導致之雜訊(與準確度無關，諸如隨機雜訊)，且藉助不同光瞳度量及/或一特定SCOL量測之疊對而提升疊對量測之品質。一方法130 可用於提升本文中所揭示之其他方法中之任一者。 雜訊降低可在沿垂直於光柵方向(亦即，目標70 中之一週期性結構之量測方向)之方向具有或不具有信號136 相對於反射對稱性之一對稱化之情況下實施。可應用對稱化來產生表徵沿垂直方向138 之不對稱性之光瞳所導出度量及/或依據此等不對稱性而清理信號以提供與自模擬135 導出之圖譜理論及現象學具有經提升擬合之光瞳所導出度量137 。舉例而言，本文中所揭示之各種臨限值可根據模擬所導出值以一較準確方式設定。 作為一高階示意性流程圖參考圖 11 ，方法130 可包括或補充有：根據一計量光瞳影像中之鄰近像素值之一平均值而修改該計量光瞳影像中之一像素值以減少光瞳影像中之隨機雜訊(階段134 )，視情況進一步包括在修改之前使光瞳影像中之像素值對稱化(階段136 )，其中該對稱化係沿為一所量測週期性結構目標之垂直量測方向之一方向。 特定實施例包括一電腦程式產品，該電腦程式產品包括一非暫時性電腦可讀儲存媒體，該非暫時性電腦可讀儲存媒體具有隨其體現之電腦可讀程式，該電腦可讀程式經組態以實施方法130 之階段中之任一者；且可能地，一計量模組經組態以實施方法130 之階段中之任一者。特定實施例包括藉由方法130 之一或多個階段而導出之光瞳影像。方法130 之相關階段中之任一者可藉由一電腦處理器(例如，在處理單元109 中)而實施。經加權光瞳度量 圖 5 係根據本發明之某些實施例之提升光瞳影像內之度量之一方法140 之一高階示意性流程圖。方法140 可經組態以融合來自多個處方之量測值以導出具有經提升準確度之經加權光瞳影像。 發明人已發現，串接來自在設置及目標方面(例如，在波長、偏光、切趾器、目標設計等方面)彼此不同之多個量測之多個光瞳之像素可用於提升量測之準確度。在此串接之後，疊對(或任何其他度量91 )可根據先前技術演算法但使用所有(經串接)像素一起計算。此外，方法140 可包括擴展考量敏感性之基本特徵之先前技術疊對演算法以進一步包括多個光瞳，同時仔細地實施信號正規化，如下文所闡述。 方法140 可包括：串接來自具有不同設置141 之多個量測之光瞳值及/或光瞳影像142 ，提供每一光瞳之度量，及導出多設置經加權度量146 以提供較準確且穩定度量148 ，如下文所闡述。 此外，發明人已發現，此一計算不需要其它輔助儲存，此乃因疊對演算法之本質可細分為幾個數量之可分離總和(separable sum)，使得在計算之前先對每一光瞳進行求和。建議在設置期間作為一參考點以及在運行時間期間使用此疊對演算法。 演算法執行D1 及D2 至形式 之一擬合，其中OFFSET1,2 為目標單元之偏移。該擬合相對於信號特性(諸如信號強度)可被加權或可不被加權。 演算法之一進一步提升涉及添加另一自由度(表示為)，使得每一光瞳具有一附加值。此用作加權。此自由度可係最佳化的，使得總體像素向量具有某一極值特徵，諸如信號所導出數量(如D1 與D2 之組合)之每光瞳之光瞳可變性之一極值。 除跨越所有像素應用標稱疊對演算法之外，亦可實施形式之一額外擬合以使各別參數B 最佳化以增加準確度。一額外提升可藉由使用D1 與D2 之空間中之主分量而達成。 有利地，所揭示演算法相對於不同取樣選擇係特別穩定的。穩定性可使用「穩健性檢查」而量測，其中處方可根據隨機選擇在演算法上被摒棄，且演算法被應用於其餘處方。此階段可利用多個隨機實現而重複，且不同結果經比較以提供對演算法穩定性之一估計。量測比較之方式包含但不限於不同實現與一參考疊對之間的疊對差異、演算法結果與參考之間的最小及最大距離，及出於設置最佳化目的，主導處方在不同隨機實現下之改變。 作為一高階示意性流程圖參考圖 11 ，方法140 可包括或補充有：使用不同量測設置及/或不同目標自度量之多個量測導出一計量度量之一值(階段146A )，其中該值自來自多個量測之像素之一串接142 而導出，該串接相對於該等量測而實施(階段142A )。方法140 可進一步包括根據一加權函數而將像素加權且使加權函數最佳化以使光瞳變化最小化(階段146B )。在特定實施例中，方法140 可進一步包括藉由比較來自量測及/或量測處方及/或所量測目標之不同子集之多個串接之結果而估計一演算法穩定性(階段147 )。 特定實施例包括一電腦程式產品，該電腦程式產品包括一非暫時性電腦可讀儲存媒體，該非暫時性電腦可讀儲存媒體具有隨其體現之電腦可讀程式，該電腦可讀程式經組態以實施方法140 之階段中之任一者；且可能地，一計量模組經組態以實施方法140 之階段中之任一者。特定實施例包括藉由方法140 之一或多個階段而導出之信號(諸如所串接光瞳影像及/或像素)。方法140 之相關階段中之任一者可藉由一電腦處理器(例如，在處理單元109 中)而實施。處方當中之變化分析 圖6係根據本發明之某些實施例之一方法150 之一高階示意性流程圖。方法150 可包括使用對差動信號152 之主成分分析(PCA)154 來分析處方當中之變化。 發明人觀察到，雖然在一理想散射量測術量測中，各種像素之差動信號D1 及D2 應全部駐存於軌跡D1 µ D2 上，但真實量測係嘈雜的且可含有看起來隨機之雜訊，該雜訊可致使像素之線性分佈變寬及/或可添加朝向D1 或D2 或者兩者之偏壓。發明人已發現，光瞳資料之品質可自x,y平面中之像素之散射曲線之高度與寬度之比率推斷出。更特定而言，平面中之散射曲線之主軸可藉由應用PCA154 藉由使由定義之共變異數矩陣對角化而判定。共變異數矩陣之特徵向量及特徵值156 可用於判定疊對。 結果之品質可藉由最短主要值與最長主要值之比率(亦即，藉由較小特徵值與較大特徵值之比率)而判定-比率愈低，所獲得之疊對之品質愈高。D1 中及/或D2 中之偏壓藉由此程序而自動處置，此乃因主軸不受原點之平移影響。 方法150 可進一步包括：自多個量測設置(多個波長、多個目標設計、多個偏光、不同切趾器及/或其他工具旋鈕)獲取像素，如方法140 中所例示，且亦可應用於光瞳像素與設置之任何組合且因此適用於光瞳散射量測術及場散射量測術兩者，且可用於提升用於評估及對處方158 進行叢集化之方法120 。 作為一高階示意性流程圖參考圖 11 ，方法150 可包括或補充有：藉由對使用複數個設置之複數個計量量測應用一PCA而導出一量測設置(階段154A )；及選擇展現來自PCA之小特徵值與大特徵值之一最小比率之一量測設置(階段156A )，例如，相對於共變異數矩陣。方法150 可進一步包括對來自計量量測之複數個像素、可能地來自多個量測之經串接像素且可能地來自包括光瞳散射量測術量測及場散射量測術量測兩者之計量量測之像素應用PCA (階段159 )。 特定實施例包括一電腦程式產品，該電腦程式產品包括一非暫時性電腦可讀儲存媒體，該非暫時性電腦可讀儲存媒體具有隨其體現之電腦可讀程式，該電腦可讀程式經組態以實施方法150 之階段中之任一者；且可能地，一計量模組經組態以實施方法150 之階段中之任一者。方法150 之相關階段中之任一者可藉由一電腦處理器(例如，在處理單元109 中)而實施。演算法有效性旗標 作為一高階示意性流程圖參考圖 11 ，呈現且下文詳細闡釋導出、提供及利用演算法有效性旗標之方法160 。方法160 包括：藉由計算至少一個計量度量之至少兩個值之間的一差而指示計量量測中之不準確度，該至少兩個值係依據至少兩個計量演算法導出(階段163 )；及設定所計算差之一臨限值(階段164 )。在特定實施例中，方法160 進一步包括：作為量測不準確度之一旗標指示符而報告該差(階段166 )，及可能地，使用演算法有效性旗標來提升準確度及/或進一步表徵圖譜(階段168 )。圖 7 係根據本發明之某些實施例之一演算法有效性旗標165 及其藉由方法160 而進行之導算之一高階示意性例示性圖解160A 。演算法有效性旗標165 可用於藉由比較來自不同演算法之結果而評估不準確度。發明人已發現，準確度可藉由使用下文所揭示之光瞳度量而提升。 在散射量測術疊對(SCOL)計量中，信號預期以一理想化方式作用，此在線性近似法中意指差動信號D1 與D2 、在光瞳散射量測術中光瞳上之每像素及每設置之疊對或者在場散射量測術中每設置之疊對藉由D1 與D2 之間的比例係數而判定。由表示真實疊對，在線性近似法中藉由方程式 1 而給出不準確度： 方程式 1 其中u 係與理想信號之每像素及/或每設置偏差(亦即，與一理想目標之信號之偏差，其中不具有不準確度)，且係取決於演算法之一定義良好之函數。舉例而言，可係，其中括號表示量測條件內之一平均值。可如下判定之函數形式。 在給出與理想信號之偏差之任何具體模型u 之情況下，可想出一演算法，該演算法將模型擬合至所量測信號且提供對疊對之一估計。然而，藉由不同演算法而提供之準確度取決於其所基於之假設之準確度，使得需要一種比較不同演算法之準確度之方法。方法160 提供一種用以測試一演算法所基於之假設之方式，此超過常見擬合優度量度。 藉由使用前述基於模型之演算法可得到估計值及，亦即，與理想信號之偏差。此等估計值又可用於估計另一演算法(舉例而言，標稱散射量測術演算法)之各種可量測數量(在一非限制性實例中，光瞳內之每像素疊對之變異數)，然後可比較估計值與所量測數量。任何不匹配係演算法所基於之在模型之後的假設無效之一指示。在一非限制性實例中，f 及u 之變異數除以所量測變異數可用作旗標。注意，由於f 之定義，因此此一旗標可不同於實際變異數。可使用任何其他適當旗標。 方法160 可經組態以提供自兩個不同演算法161 、162 之不準確度導出之旗標165 。當演算法161 之後的假設失敗時，旗標165 在圖 7 中圖解說明為下降到低於1，明顯地，在旗標165 之區域中演算法161 之高不準確度小於1。 特定實施例包括一電腦程式產品，該電腦程式產品包括一非暫時性電腦可讀儲存媒體，該非暫時性電腦可讀儲存媒體具有隨其體現之電腦可讀程式，該電腦可讀程式經組態以實施方法160 之階段中之任一者；且可能地，一計量模組經組態以實施方法160 之階段中之任一者。方法160 之相關階段中之任一者可藉由一電腦處理器(例如，在處理單元109 中)而實施。特定實施例包括包含所計算差之一旗標指示符信號，如本文中所揭示。對接近於諧振區域之區域之偵測 作為一高階示意性流程圖參考圖 11 ，呈現且在下文詳細闡釋導出、提供及利用對接近於諧振區域之區域之指示之方法170 。方法170 包括：指示一圖譜中接近於一諧振區域之一接近區域(階段176 )，其中圖譜包括至少一個計量度量對至少一個參數之一至少部分連續相依性，且圖譜中之諧振區域對應於一所量測位置中之光學照明之一諧振。指示176 可藉由以下方式而實施：計算光瞳信號或其至少一個函數之一可變性(階段172 )，且比較所計算可變性與一預定義臨限值，其中超過預定義臨限值指示接近區域(階段174 )。圖 8 係根據本發明之某些實施例之指示接近區域175A 及其藉由方法170 而進行之導算之一旗標175 之一高階示意性例示性圖解170A 。諧振接近旗標175 可用於指示諧振區域95A 、平坦區域95B 及中間區域95C ，及特定而言，指示處方或設置接近由高不準確度表徵之一諧振區域之接近區域175A 。發明人已發現，準確度可藉由使用下文所揭示之光瞳度量而提升。 在光瞳散射量測術量測中，諧振可藉由光瞳中存在特定特徵而偵測，諸如WIPO公開案第2014062972號中所闡述之敏感性光瞳中之零敏感性像素。然而，期望亦偵測諧振近處以指示接近諧振區域。諧振近處可藉由計算光瞳信號之可變性及/或光瞳信號之任何函數組合(階段172 )而偵測。遠離諧振95A ，此比率具有接近零之一值(參見圖解170A 中之旗標175 )。特定而言，若光瞳信號平坦(已發現，此將對應於圖譜95 中之平坦區域95B )，則旗標175 等於零。接近於諧振95A ，旗標175 之值增加，靠近於諧振95A ，旗標175 之值較大，且在旗標175 之值之峰值或極靠近峰值處，不準確度之輪廓在光瞳影像中於圖譜95 之諧振區域95A 處最顯著。圖解170A 呈現不準確度171 及旗標175 在接近區域175A 處及在諧振區域95A 處(在此處，在所量測堆疊中發生照明諧振)隨作為量測參數之波長發生之改變之一非限制性實例。 特定實施例包括一電腦程式產品，該電腦程式產品包括一非暫時性電腦可讀儲存媒體，該非暫時性電腦可讀儲存媒體具有隨其體現之電腦可讀程式，該電腦可讀程式經組態以實施方法170 之階段中之任一者；且可能地，一計量模組經組態以實施方法170 之階段中之任一者。方法170 之相關階段中之任一者可藉由一電腦處理器(例如，在處理單元109 中)而實施。特定實施例包括包含所計算可變性及/或接近區域之一旗標指示符信號，如本文中所揭示。圖譜之非分析行為之識別 圖 9 係根據本發明之某些實施例之識別圖譜之非分析行為之一方法180 之一高階示意性流程圖。方法180 可包括：藉由使用以下光瞳度量而提升準確度，該方法在光瞳散射量測術中偵測光瞳上之各種數量之非分析(及分析)行為以偵測諧振95A 及平坦區域95B 。此外，發明人已發現，在光瞳散射量測術及場散射量測術兩者中，隨各種工具旋鈕(作為非限制性實例，例如波長及/或偏光)而變之各種數量之非分析行為可用於偵測諧振95A 及平坦區域95B 。 發明人已發現，光瞳181 上之特定函數(在一非限制性實例中，每像素疊對)接近諧振區域95A 以非分析方式作用。類似地，光瞳散射量測術及場散射量測術中之特定函數以非分析方式表現為設置(其可包含波長、偏光等，如上文所闡述，參見圖 2 )之函數。此非分析行為可藉由將光瞳函數181 擬合至一函數基底185 而偵測，該函數基底橫跨(至少以良好近似值)分析函數在光瞳(在光瞳散射量測術中可獲得)上及/或設置空間(在光瞳散射量測術及場散射量測術兩者中可獲得)中之空間。 充分良好地橫跨空間的分析函數之基底185 由表示，其中k 代表光瞳座標且s 代表設置空間中之廣義座標。藉由使方程式 2 中所表達之函數相對於係數ai 最小化而近似地給出一函數在空間上之投影，其中norm定義為有下界之一函數(殘差182 )。 方程式 2 發明人已觀察到，光瞳及/或設置空間上之一分析函數具有一小殘差 182 ，而一非分析函數具有一較高殘差182 ，即使其散度位於光瞳外亦如此。因此，對圖譜95 之接近非分析區域之指示184 可根據殘差182 (例如，相對於一預定義臨限值)之值而產生且可用於提供不準確度之警示186 。 發明人已發現，所建議方法180 之主要能力(major power)係自其敏感性型態而導出-此乃因不僅包含一奇異性之一光瞳及/或一設置區域具有一大殘差182 ，而且「接近」一奇異性之光瞳及/或設置(例如，接近區域175A )亦可展現一大殘差182 。在像素-設置空間中「接近」之定義至少包含小設置改變及程序變化。因此，殘差182 可用於評估程序或工具中之意外改變是否可能影響量測之準確度。 作為一高階示意性流程圖參考圖 11 ，判定圖譜中之諧振區域(其中，圖譜包括至少一個計量度量對至少一個參數之一至少部分連續相依性，且圖譜中之諧振區域對應於一所量測位置中之光學照明之一諧振)之方法180 可包括或補充有偵測至少一個計量度量之非分析行為(階段180A )，該偵測包括：使一分析函數基底橫跨分析函數在光瞳座標上之一空間(階段185A )、依據該分析函數基底而表達計量度量(階段185B )及估計表達式之一殘差(階段182 )，其中大於一預定臨限值之一殘差指示非分析行為(階段186A )。 特定實施例包括一電腦程式產品，該電腦程式產品包括一非暫時性電腦可讀儲存媒體，該非暫時性電腦可讀儲存媒體具有隨其體現之電腦可讀程式，該電腦可讀程式經組態以實施方法180 之階段中之任一者；且可能地，一計量模組經組態以實施方法180 之階段中之任一者。方法150 之相關階段中之任一者可藉由一電腦處理器(例如，在處理單元109 中)而實施。特定實施例包括包含估計之一旗標指示符信號，如本文中所揭示。對角目標單元 發明人已進一步發現，將對角目標單元添加到目標設計及/或包括對角單元之目標設計在本發明之各種實施例中可提供量測之經提升準確度。舉例而言，圖 10 係根據本發明之某些實施例之具有對角單元之例示性非限制性目標設計190 之一高階示意性圖解。 計量目標190 可包括沿著至少兩個不同且非垂直量測方向(例如，由ϕ 1 、ϕ 2 表示的X或Y中之一者及傾斜方向中之任一者)具有週期性結構之複數個目標單元(由S1 、S2 、S3 、S4 、 1 、 2 、 3 示意性地表示)。該等單元以一例示性非限制性方式被分群至兩個替代目標設計190A (沿著X方向，其中具有兩個替代偏斜單元S3 、S4 )及190B (沿著X及Y方向，其中具有兩個替代偏斜單元S3 、 3 )中。量測方向中之至少一者相對另一量測方向(例如，X、Y)可成一角度ϕ (例如，ϕ 1 、ϕ 2 )，其中，角度ϕ經選擇以降低目標單元不對稱性之一效應。在特定實施例中，量測方向可包括相對於彼此(例如，目標設計190B 中之X、Y及兩個ϕ1 )成不同於0°及90°之角度之至少三個量測方向。注意，偏斜單元(例如，S3 、S4 、 3 )可包括經設計與量測軸X相傾斜之各別週期性結構之元件192A ，亦包括沿著或垂直於量測軸X (在所圖解說明非限制性情形中，沿著垂直軸Y)之子元件192B 以便增強偏斜單元之印刷適性，同時維持其偏斜設計-如所詳細圖解說明192 。在下文中，相對於目標設計190A 、190B 以一非限制性方式闡釋目標設計190 之細節，且演示準確度提升。 習用SCOL演算法(例如，一四單元SCOL演算法)依賴於構成目標單元(每一目標單元包括沿著量測方向X或垂直於量測方向X沿方向Y之一週期性結構)之繞射光柵之反轉對稱性。發明人已發現，在實務上，此假設在一定程度上因最終導致疊對量測之不準確度之不同程序變化而被推翻。特定實施例提供經設計以擺脫對組成光柵(週期性結構)之反轉對稱性之要求之目標旋轉演算法。此藉由使用數個週期性之具有不同且非正交方向之目標單元而達成。 每一單元可由上下光柵結構(在兩個不同層中且沿著相同量測方向之兩個週期性結構)構成，如在習用散射量測術目標中。在某些單元中，在頂部光柵與底部光柵之間可引入某一有意疊對(偏移)。與習用SCOL目標之差異在於某些單元具有不同於X或Y軸之其週期性方向。圖 10 中所展示之目標單元設計僅係說明性的，且以一非限制性方式省略設計之細節，諸如沿著相同量測方向之兩個或多於兩個週期性結構(一個在另一個上方或並排)、其之間的偏移以及分段與實體模型化細節。 所揭示目標設計190 致使來自偏斜單元之散射量測術計量信號對於疊對至單元週期性方向上之投影係敏感的。當藉由一單元而量測之疊對在單元旋轉之情況下像一向量一樣變換時，散射量測術信號對寄生目標不對稱性之敏感性經歷一不同類型之變換，(例如)取決於目標設計與特定製造程序之組合，經歷完全不同類型之變換或部分不同類型之變換。以此方式，疊對資訊可與和寄生目標不對稱性有關之資訊解耦。一方面使用對疊對之散射量測術信號敏感性之變換性質之差異，且另一方面使用寄生不對稱性，對寄生不對稱性之一模型化可被開發且用於解耦之實際實施方案，如以下在四單元目標190A 及六單元目標190B 之非限制性實例中所例示。單元之數目及定向可根據特定要求之細節而設計及調整。 目標設計190A 包括表示為S1 、S2 、S3 、S4 之四個單元且具有表 1 中所列之參數，其中疊對向量定義為。表 1 ：一四單元架構之一實例 針對每一單元，差動信號計算為在反轉對稱光瞳點處加上第一繞射級與減去第一繞射級之間的一差。為簡潔起見，在下文中，省略差動信號對光瞳點座標之相依性。模型化假設係：不管光柵方向如何，差動信號針對所有單元對總偏移具有相同函數相依性，其經書寫呈如在方程式 3 中之線性近似形式。 方程式 3 此假設對於相對小角度ϕ 1 、ϕ 2 係合適的，但對於大角度則變得不一致。 對於目標190A 之四個單元，差動信號預期如下，如方程式 4 中所表達，該等方程式構成具有四個未知數之一線性系統： 方程式 4 方程式 4 可縮減為方程式 5 ： 方程式 5 方程式 5 可求解疊對分量，如方程式 6 中所表達，求解疊對向量： 方程式 6 以一非限制性方式，表 2 提供角度ϕ 1 、ϕ 2 之間的關係之兩個特定實例之表達式。表 2 ：目標設計190A 之參數之兩個非限制性實例。 目標設計190B 包括表示為S1 、S2 、S3 、 1 、 2 、 3 之六個單元且具有表 3 中所列之參數，其中疊對向量定義為。表 3 ：一六單元架構之一實例 目標設計190B 中之三個單元S1 、S2 、S3 構成一x組單元(相對於量測方向X)，且另外三個單元 1 、 2 、 3 構成一y組單元(相對於量測方向Y)。針對每一組，可假設方程式 7 中所表達之差動信號參數： 方程式 7 模型化假設係：不管光柵方向如何，差動信號針對一給定組中之所有單元對總偏移具有相同函數相依性。此假設對於相對小角度ϕ 1 似乎有理，但對於大角度將變得不一致。 對於目標190B 之六個單元，差動信號預期如下，如方程式 8 中所表達，該等方程式構成具有六個未知數之一線性系統： 方程式 8 方程式 8 可縮減為方程式 9 ： 方程式 9 方程式 9 可求解疊對分量，如方程式 10 中所表達，求解疊對向量： 方程式 10 以上所給出之實例使用出於例示目的而做出之一特定模型化假設。實務上，不同假設可(例如)基於模擬或校準量測或理論而使用，且提供一同樣良好基礎以用於使用目標設計190 來(特定而言)相對於不對稱程序變化提升計量量測之準確度。 作為一高階示意性流程圖參考圖 11 ，目標設計方法195 可包括：將具有相對於一量測方向為一不同且非垂直方向之至少一個偏斜目標單元添加至沿著量測方向具有週期性結構之目標單元(階段196 )；及視情況，將至少一個偏斜目標單元設計為具有相對量測方向成一角度ϕ之一方向，其中角度ϕ經選擇以降低目標單元不對稱性之一效應(階段197 )。 特定實施例包括一電腦程式產品，該電腦程式產品包括一非暫時性電腦可讀儲存媒體，該非暫時性電腦可讀儲存媒體具有隨其體現之電腦可讀程式，該電腦可讀程式經組態以實施方法195 之階段中之任一者；且可能地，一目標設計模組經組態以實施方法195 之階段中之任一者。方法195 之相關階段中之任一者可藉由一電腦處理器(例如，在處理單元109 中)而實施。特定實施例包括可能地藉由方法195 而導出之目標設計檔案及/或對應目標190 之量測信號，如本文中所揭示。 所揭示方法及工具中之任一者可以任何可操作組合形式組合於實際計量方法及工具中，以累加由所揭示發明之不同實施例及態樣所提供之益處。舉例而言，可組合方法100 、120 、130 、140 、150 、160 、170 、180 及195 之各階段。舉例而言，可分開地使用或組合以下實施例中之任一者： (i) 使用自身一致性作為對計量中之準確度之一指示符及測試。定義設置之多樣性及獨立性，且使用叢集化方法來執行自身一致性測試(例如，參見方法100 )。特定而言，多樣性可藉由識別獨立之量測而表達。相依性可藉由光瞳所導出度量之相關性而建立。叢集化可藉由圖形理論或機器學習技術而建立，諸如團、階層式叢集化或基於分佈之叢集化。當完成叢集化時，臨限值可先驗地或藉由一迭代程序而判定，從而找到一平線區或一內稟性標度。每一量測可處置為n 維空間中之一點，舉例而言，對一晶圓上之n 個位置之量測。維度縮減將此空間映射至所關注之參數之較低維度空間中。一旦已識別所有叢集，便以集體群組度量或以代表性度量執行叢集之排名。 (ii) 允許設置靈活性，使得每一量測可利用一個別組設置參數而做出，以便在不使MAM (移動-獲取-量測)時間顯著降級(例如，參見方法100 及120 )之情況下增加程序變化之穩健性、提升可量測性且降低不準確度。圖譜中之準確度之最佳化可藉由以下方式而達成：藉由簡單地固定特定量測參數而找到圖譜中具有比先前技術中所達成之準確度更佳之一準確度之參數子空間。藉由此等子空間而提供之參數之組合使得能夠以一相關式方式且隨空間及/或時間一起改變多個參數。另外，所揭示方法之組合提供：在使用先進演算法進行之設置最佳化及控制中以處理所涉及之不確定性之一方式並且使用自身一致性、叢集化演算法等找到與外部參考最佳相關之設置。 (iii) 在特定座標系統中，大主軸之斜率提供關於不具有特定類型之不準確度造成之偏壓之疊對之資訊(例如，參見方法130 )。在光瞳散射量測術中使用雜訊降低技術包括Y對稱化、濾波及利用參考影像進行之光瞳校準。 (iv) 將若干量測融合成一單個量測且使標稱疊對演算法或其通則廣義化(例如，參見方法140 )。先進光瞳分析及將設置合併至廣義光瞳中會提升量測之準確度。在光瞳空間中組合多個設置之多個量測進一步提升準確度。此外，所揭示方法藉由使一光瞳所導出度量極端化而提供多個量測之經組合光瞳空間中之加權之一最佳化。 (v) 共變異數矩陣之大特徵值與小特徵值之間的比率給出對量測之穩定性及量測之誤差之一指示(例如，參見方法150 )。此外，藉由使用多個像素、量測及設置之主分量而計算疊對及其品質進一步增加量測之所達成準確度。 (vi) 使用對光瞳散射量測術信號與其理想形式(自基於信號之模型化之一演算法而獲得)之偏差之一估計，以彼模型為基礎之假設之有效性之一量度可藉由使用偏差之知識而導出，以便預測其他可量測數量。用以匹配量測之此等預測之失敗充當在基於模型之演算法之基礎上之假設失敗之一指示(例如，參見方法160 )。存在用於藉由使用其對其他可量測數量之預測而測試在所量測資料擬合至之一模型之基礎上之假設之有效性之旗標。 (vii) 存在一組旗標，該組旗標藉由檢查跨越其獨立定義之子量測之信號(如光瞳散射量測術中之光瞳像素或成像中之信號諧波)之變異數而指示圖譜中之一附近諧振(例如，參見方法170 )。某些旗標可用於甚至在光瞳上不存在一零敏感性輪廓時藉由使用光瞳上之適當函數之可變性及分析性而偵測諧振。所揭示方法允許使用諧振設置及視為對於先前技術中之單個設置演算法不充分之其他設置。 (viii) 偵測信號中反映圖譜上之所涉及設置及/或靠近所涉及設置之信號中之附近諧振行為及/或對比度逆轉之非分析行為(例如，參見方法180 )。 (ix) 存在新穎目標設計，該新穎目標設計針對疊對且針對圖案不對稱性使用旋轉群組之不同表示來分離信號不對稱性與疊對以及信號不對稱性與線條不對稱性(例如，參見方法195 及目標190 )。新穎目標設計允許將疊對與圖案不對稱性解耦且因此放寬對標準疊對散射量測術目標中所應用之目標圖案反轉對稱性之關鍵假設。 此等實施例之組合提供優於先前技術之以下例示性優點： (i) 因圖形理論性質而降低對一組初始設置之敏感性。 (ii) 提供對設置與其群組之間的關系結構之一較忠實說明。 (iii) 識別資料中之等價類且避免實體上類似量測之過度表示或避免使處方再次發生。 (iv) 將依據叢集成員之集體性質或每一叢集之一代表性處方之性質而導出之不同叢集排名。 (v) 存在新穎旗標，該等新穎旗標依據圖譜之全域特徵而導出其存在及用處且反映於自身一致性中。 (vi) 指示有問題量測條件(諧振)之接近度(即使處於遠離諧振之某一距離處)，從而致使量測相對於對稱程序變化較穩健。 (vii) 依據一組給定所量測資料而偵測基於模型之演算法之有效性，從而使得能夠針對一組給定所量測資料而選擇一準確基於模型之演算法。 (viii) 移除與疊對量測之某些偏壓且基於量測(其中每一像素視為一量測)在差動信號平面中之分佈而評估量測之品質。 (ix) 使用多個光瞳演算法會使所報告計量度量對取樣不太敏感且給出對此穩健性之一估計。 (x) 使用多個光瞳演算法而非參考計量來估計單個設置量測之準確度。 上文參考根據本發明之實施例之方法、設備(系統)及電腦程式產品之流程圖圖解及/或部分圖闡述本發明之態樣。將理解，該等流程圖圖解及/或部分圖中之每一部分以及該等流程圖圖解說明及/或部分圖中之若干部分之組合可由電腦程式指令來實施。此等電腦程式指令可被提供至一一般用途電腦、特殊用途電腦或其他可程式化資料處理設備之一處理器以產生一機器，以使得該等指令(其經由電腦或其他可程式化資料處理設備之處理器執行)形成用於實施流程圖及/或部分圖或者其若干部分中所規定之動作之手段。 此等電腦程式指令亦可儲存於一電腦可讀媒體中，該電腦可讀媒體可引導一電腦、其他可程式化資料處理設備或其他裝置以一特定方式起作用，以使得儲存於該電腦可讀媒體中之指令產生包含實施流程圖及/或部分圖或者其若干部分中所規定之功能/行為之指令之一製品。 亦可將該等電腦程式指令載入至一電腦、其他可程式化資料處理設備或其他裝置上以致使在該電腦、其他可程式化設備或其他裝置上執行一系列操作步驟，以產生一電腦實施處理程序，使得在該電腦或其他可程式化設備上執行之指令提供用於實施流程圖及/或部分圖或者其若干部分中所規定之功能/行為之程序。 前述流程圖及各圖式圖解說明根據本發明之各種實施例之系統、方法及電腦程式產品之可能實施方案之架構、功能性及操作。就此來說，流程圖或部分圖中之每一部分可表示代碼模塊、分段或部分，其包括用於實施指定邏輯功能之一或多個可執行指令。亦應注意，在某些替代實施方案中，部分中所註明之功能可不以各圖中所註明之次序發生。舉例而言，事實上，取決於所涉及之功能性，可實質上同時執行兩個連續展示之部分，或有時可以相反次序執行該等部分。亦將注意，部分圖及/或流程圖圖解之每一部分以及部分圖及/或流程圖圖解之若干部分之組合可藉由執行規定功能或行為之基於特殊用途硬體之系統或者特殊用途硬體與電腦指令之組合而實施。 在以上說明中，一實施例係本發明之一實例或實施方案。「一項實施例」、「一實施例」、「特定實施例」或「某些實施例」之各種出現未必全部係指相同實施例。儘管可在一單項實施例之內容脈絡中闡述本發明之各種特徵，但該等特徵亦可分開地或以任何適合組合形式提供。相反地，儘管本文為了清晰起見可在分開之實施例之內容脈絡中闡述本發明，但亦可在一單項實施例中實施本發明。本發明之特定實施例可包含來自上文所揭示之不同實施例之特徵，且某些實施例可倂入有來自上文所揭示之其他實施例之元件。在一特定實施例之內容脈絡中對本發明之元件之揭示並不視為限制其僅用於特定實施例中。此外，應理解，可以各種方式執行或實踐本發明且可在除了以上說明中概述之實施例之外的特定實施例中實施本發明。 本發明並不限於彼等圖式或對應說明。舉例而言，流程不必移動穿過每一所圖解說明之方框或狀態，或依與所圖解說明及闡述完全相同之次序。除非另有定義，否則本文中所使用之技術及科學術語之意義通常將如本發明所屬技術中之熟習此項技術者所理解。雖然已關於有限數目項實施例闡述了本發明，但此等實施例不應被視為對本發明之範疇之限制，而是作為較佳實施例中之某些較佳實施例之例證。其他可能之變化形式、修改形式及應用亦在本發明之範疇內。因此，本發明之範疇應不受至此已闡述之內容限制，而受隨附申請專利範圍及其法定等效形式限制。
60‧‧‧晶圓
62‧‧‧位點
70‧‧‧計量目標/目標
90‧‧‧光瞳影像
90A‧‧‧光瞳位置
91‧‧‧計量度量/所量測度量/度量
92‧‧‧空間/量測
95‧‧‧圖譜
95A‧‧‧諧振區域/諧振
95B‧‧‧平坦區域
95C‧‧‧中間區域
100‧‧‧方法
101‧‧‧計量工具
105‧‧‧模擬工具
109‧‧‧處理單元
111‧‧‧量測處方/處方/量測設置
112‧‧‧叢集
114‧‧‧平凡設置子集
120‧‧‧方法
121‧‧‧晶圓區域/區域
122‧‧‧參數/設置
124‧‧‧參數/設置
126‧‧‧參數/設置
160A‧‧‧高階示意性例示性圖解
161‧‧‧演算法
162‧‧‧演算法
165‧‧‧演算法有效性旗標/旗標
170A‧‧‧高階示意性例示性圖解/圖解
171‧‧‧不準確度
175‧‧‧旗標/諧振接近旗標
175A‧‧‧接近區域
190‧‧‧例示性非限制性目標設計/計量目標/目標設計/所揭示目標設計/對應目標/目標
190A‧‧‧目標設計/四單元目標/目標
190B‧‧‧目標設計/六單元目標/目標
192‧‧‧偏斜設計
192A‧‧‧元件
192B‧‧‧子元件
S1‧‧‧目標單元/單元
S2‧‧‧目標單元/單元
S3‧‧‧目標單元/偏斜單元/單元
S4‧‧‧目標單元/偏斜單元/單元
ϕ 1‧‧‧角度/相對小角度
ϕ 2‧‧‧角度/相對小角度
1‧‧‧目標單元/單元
2‧‧‧目標單元/單元
3‧‧‧目標單元/偏斜單元/單元
為更好地理解本發明之實施例及展示可如何實施本發明，現在將僅以實例方式參考附圖，在附圖中，通篇中相似元件符號指示對應元件或區段。 在附圖中：圖 1 係根據先前技術之一光瞳影像及一圖譜之一高階示意性方塊圖。圖 2 係根據本發明之某些實施例之量測處方當中之自身一致性及多樣性並相應地對量測進行叢集化之一方法之一高階示意性圖解。圖 3 係根據本發明之某些實施例之空間叢集化之一方法之一高階示意性圖解。圖 4 係根據本發明之某些實施例之光瞳影像之雜訊移除及平滑化之一方法之一高階示意性流程圖。圖 5 係根據本發明之某些實施例之提升光瞳影像內之度量之一方法之一高階示意性流程圖。圖 6 係根據本發明之某些實施例之分析處方當中之變化之一方法之一高階示意性流程圖。圖 7 係根據本發明之某些實施例之一演算法有效性旗標及其藉由對應方法而進行之導算之一高階示意性例示性圖解。圖 8 係根據本發明之某些實施例之指示接近區域及其藉由對應方法而進行之導算之一旗標之一高階示意性例示性圖解。圖 9 係根據本發明之某些實施例之識別圖譜之非分析行為之一方法之一高階示意性流程圖。圖 10 係根據本發明之某些實施例之具有對角單元之例示性非限制性目標設計之一高階示意性圖解。圖 11 係圖解說明根據本發明之某些實施例之本文中所揭示之方法之一列步驟之一高階示意性流程圖。
60‧‧‧晶圓
70‧‧‧計量目標/目標
91‧‧‧計量度量/所量測度量/度量
92‧‧‧空間/量測
95‧‧‧圖譜
95A‧‧‧諧振區域/諧振
95B‧‧‧平坦區域
100‧‧‧方法
101‧‧‧計量工具
105‧‧‧模擬工具
109‧‧‧處理單元
111‧‧‧量測處方/處方/量測設置
112‧‧‧叢集
114‧‧‧平凡設置子集

Claims (49)

  1. 一種方法，其包括： 藉由對至少一個度量之量測值應用一自身一致性測試而識別在該等量測值中彼此對應之量測設置，以產生複數個設置叢集， 根據該等叢集之統計特性而判定一最可靠叢集，及 依據該所判定最可靠叢集中之至少一個設置而導出一量測結果。
  2. 如請求項1之方法，其中在該等量測值之一空間中使用一距離度量來實施該識別。
  3. 如請求項1之方法，其中該等統計特性至少包括每一叢集之一大小及一多樣性。
  4. 如請求項1之方法，其進一步包括：使該等所識別量測設置與一量測圖譜中之對應至少一個平坦區域相關，該量測圖譜包括至少一個計量度量對至少一個參數之一至少部分連續相依性。
  5. 一種電腦程式產品，其包括一非暫時性電腦可讀儲存媒體，該非暫時性電腦可讀儲存媒體具有隨其體現之電腦可讀程式，該電腦可讀程式經組態以實施如請求項1至4中任一項之方法。
  6. 一種計量模組，其經組態以實施如請求項1至4中任一項之方法。
  7. 一種方法，其包括： 選擇用於複數個對應晶圓區域之複數個量測設置，其中該等晶圓區域係預定的或即時判定的，且其中該等量測設置係根據至少一個準確度度量而選擇，及 利用針對每一對應晶圓區域之該選定量測設置而實施計量量測。
  8. 如請求項7之方法，其中根據藉由對至少一個度量之量測或模擬值應用一自身一致性測試而對該等量測或模擬值進行之一叢集化來選擇該等量測設置，以產生複數個設置叢集，根據該等叢集之統計特性而判定該複數個設置叢集中用於該等晶圓區域中之每一者之一最可靠叢集。
  9. 一種電腦程式產品，其包括一非暫時性電腦可讀儲存媒體，該非暫時性電腦可讀儲存媒體具有隨其體現之電腦可讀程式，該電腦可讀程式經組態以實施如請求項7或8之方法。
  10. 一種計量模組，其經組態以實施如請求項7或8之方法。
  11. 一種方法，其包括：根據一計量光瞳影像中之鄰近像素值之一平均值而修改該計量光瞳影像中之一像素值以減少該光瞳影像中之隨機雜訊。
  12. 如請求項11之方法，其進一步包括：在該修改之前使該等光瞳影像中之像素值對稱化，其中該對稱化係沿為一所量測週期性結構目標之垂直量測方向之一方向。
  13. 一種電腦程式產品，其包括一非暫時性電腦可讀儲存媒體，該非暫時性電腦可讀儲存媒體具有隨其體現之電腦可讀程式，該電腦可讀程式經組態以實施如請求項11或12之方法。
  14. 一種計量模組，其經組態以實施如請求項11或12之方法。
  15. 一種光瞳影像，其係依據如請求項11或12之方法而導出。
  16. 一種方法，其包括：依據使用不同量測設置及/或不同目標對一計量度量進行之多個量測而導出該度量之一值，其中該值係自來自該多個量測之像素之一串接而導出。
  17. 如請求項16之方法，其進一步包括：根據一加權函數而將該等像素加權，及使該加權函數最佳化以使光瞳變化最小化。
  18. 如請求項16之方法，其進一步包括：藉由比較來自該等量測之不同子集之多個串接之結果而估計一演算法穩定性。
  19. 一種電腦程式產品，其包括一非暫時性電腦可讀儲存媒體，該非暫時性電腦可讀儲存媒體具有隨其體現之電腦可讀程式，該電腦可讀程式經組態以實施如請求項17或18之方法。
  20. 一種計量模組，其經組態以實施如請求項17或18之方法。
  21. 一種信號，其包括根據如請求項17或18之方法而導出之像素之串接。
  22. 一種方法，其包括：藉由對使用複數個設置之複數個計量量測應用一主成分分析(PCA)而導出一量測設置；及選擇展現來自該PCA之小特徵值與大特徵值之一最小比率之一量測設置。
  23. 如請求項22之方法，其進一步包括對來自該等計量量測之複數個像素應用該PCA。
  24. 如請求項23之方法，其中該等計量量測包括光瞳散射量測術量測及場散射量測術量測兩者。
  25. 一種電腦程式產品，其包括一非暫時性電腦可讀儲存媒體，該非暫時性電腦可讀儲存媒體具有隨其體現之電腦可讀程式，該電腦可讀程式經組態以實施如請求項22至24中任一項之方法。
  26. 一種計量模組，其經組態以實施如請求項22至24中任一項之方法。
  27. 一種方法，其包括：藉由計算至少一個計量度量之至少兩個值之間的一差而指示計量量測中之不準確度，該至少兩個值係依據至少兩個計量演算法而導出；及設定該所計算差之一臨限值。
  28. 如請求項27之方法，其進一步包括：作為量測不準確度之一旗標指示符而報告該差。
  29. 一種電腦程式產品，其包括一非暫時性電腦可讀儲存媒體，該非暫時性電腦可讀儲存媒體具有隨其體現之電腦可讀程式，該電腦可讀程式經組態以實施如請求項27或28之方法。
  30. 一種計量模組，其經組態以實施如請求項27或28之方法。
  31. 一種旗標指示符信號，其包括根據如請求項27之方法而得出之所計算差。
  32. 一種方法，其包括：指示一圖譜中接近於一諧振區域之一接近區域，其中該圖譜包括至少一個計量度量對至少一個參數之一至少部分連續相依性，且該圖譜中之該諧振區域對應於一所量測位置中之光學照明之一諧振，該指示係藉由計算光瞳信號或其至少一個函數之一可變性並比較該所計算可變性與一預定義臨限值而實施，其中超過該預定義臨限值指示該接近區域。
  33. 如請求項32之方法，其進一步包括：作為量測不準確度之一旗標指示符而報告該所計算可變性。
  34. 一種電腦程式產品，其包括一非暫時性電腦可讀儲存媒體，該非暫時性電腦可讀儲存媒體具有隨其體現之電腦可讀程式，該電腦可讀程式經組態以實施如請求項32或33之方法。
  35. 一種計量模組，其經組態以實施如請求項32或33之方法。
  36. 一種旗標指示符信號，其包括根據如請求項33之方法而得出之所計算可變性。
  37. 一種方法，其包括：判定一圖譜中之諧振區域，其中該圖譜包括至少一個計量度量對至少一個參數之一至少部分連續相依性，且該圖譜中之該諧振區域對應於一所量測位置中之光學照明之一諧振，該判定係藉由偵測至少一個計量度量之非分析行為而實施，該偵測包括：使一分析函數基底橫跨分析函數在光瞳座標上之一空間、依據該分析函數基底而表達該計量度量及估計該表達之一殘差，其中大於一預定臨限值之一殘差指示該非分析行為。
  38. 如請求項37之方法，其進一步包括：作為諧振之一旗標指示符而報告該殘差。
  39. 一種電腦程式產品，其包括一非暫時性電腦可讀儲存媒體，該非暫時性電腦可讀儲存媒體具有隨其體現之電腦可讀程式，該電腦可讀程式經組態以實施如請求項37或38之方法。
  40. 一種計量模組，其經組態以實施如請求項37或38之方法。
  41. 一種旗標指示符信號，其包括根據如請求項38之方法而進行之估計。
  42. 一種計量目標，其包括沿著至少兩個不同且非垂直量測方向具有週期性結構之複數個目標單元。
  43. 如請求項42之計量目標，其中該等量測方向中之至少一者相對另一量測方向成一角度ϕ，其中該角度ϕ經選擇以降低目標單元不對稱性之一效應。
  44. 如請求項42之計量目標，其中該等量測方向包括相對於彼此成不同於0°及90°之角度之至少三個量測方向。
  45. 一種如請求項42至44中任一項之計量目標之目標設計檔案。
  46. 一種如請求項42至44中任一項之計量目標之量測信號。
  47. 一種目標設計方法，其包括：將具有相對於一量測方向為一不同且非垂直方向之至少一個偏斜目標單元添加至沿著該量測方向具有週期性結構之目標單元。
  48. 如請求項47之目標設計方法，其進一步包括：將該至少一個偏斜目標單元設計為具有相對該量測方向成一角度ϕ之一方向，其中該角度ϕ經選擇以降低目標單元不對稱性之一效應。
  49. 一種電腦程式產品，其包括一非暫時性電腦可讀儲存媒體，該非暫時性電腦可讀儲存媒體具有隨其體現之電腦可讀程式，該電腦可讀程式經組態以實施如請求項47或48之方法。
TW106106028A 2016-02-24 2017-02-23 光學計量之準確度提升 TWI731038B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662299535P 2016-02-24 2016-02-24
US62/299,535 2016-02-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201740483A true TW201740483A (zh) 2017-11-16
TWI731038B TWI731038B (zh) 2021-06-21

Family

ID=59685543

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110119930A TWI780741B (zh) 2016-02-24 2017-02-23 光學計量之準確度提升
TW106106028A TWI731038B (zh) 2016-02-24 2017-02-23 光學計量之準確度提升
TW111137513A TW202303095A (zh) 2016-02-24 2017-02-23 光學計量之準確度提升

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110119930A TWI780741B (zh) 2016-02-24 2017-02-23 光學計量之準確度提升

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111137513A TW202303095A (zh) 2016-02-24 2017-02-23 光學計量之準確度提升

Country Status (8)

Country Link
US (2) US20180047646A1 (zh)
EP (1) EP3420581B1 (zh)
JP (2) JP6979964B2 (zh)
KR (1) KR20180110169A (zh)
CN (2) CN108701625B (zh)
IL (1) IL287799B2 (zh)
TW (3) TWI780741B (zh)
WO (1) WO2017147261A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI691047B (zh) * 2018-02-08 2020-04-11 日商斯庫林集團股份有限公司 資料處理方法、資料處理裝置以及資料處理程式

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108701625B (zh) * 2016-02-24 2023-07-14 科磊股份有限公司 光学计量的准确度提升
KR102370347B1 (ko) 2017-02-02 2022-03-04 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 메트롤로지 방법 및 장치 및 연계된 컴퓨터 제품
WO2018217232A1 (en) * 2017-05-22 2018-11-29 Kla-Tencor Corporation Zonal analysis for recipe optimization and measurement
EP3480659A1 (en) * 2017-11-01 2019-05-08 ASML Netherlands B.V. Estimation of data in metrology
US10837919B2 (en) * 2017-11-06 2020-11-17 Kla Corporation Single cell scatterometry overlay targets
EP3575874A1 (en) * 2018-05-29 2019-12-04 ASML Netherlands B.V. Metrology method, apparatus and computer program
US10962951B2 (en) 2018-06-20 2021-03-30 Kla-Tencor Corporation Process and metrology control, process indicators and root cause analysis tools based on landscape information
JP7329597B2 (ja) * 2018-11-21 2023-08-18 ケーエルエー コーポレイション 実験計画法および応答曲面モデルを使用するプロセス最適化
WO2020123014A1 (en) * 2018-12-14 2020-06-18 Kla Corporation Per-site residuals analysis for accurate metrology measurements
US11073768B2 (en) 2019-06-26 2021-07-27 Kla Corporation Metrology target for scanning metrology
US11340060B2 (en) * 2019-07-23 2022-05-24 Kla Corporation Automatic recipe optimization for overlay metrology system
US11360397B2 (en) * 2019-09-17 2022-06-14 Kla Corporation System and method for application of harmonic detectivity as a quality indicator for imaging-based overlay measurements
CN111241067B (zh) * 2020-01-14 2022-05-03 智恒科技股份有限公司 一种水务大数据挖掘建模管理方法、装置、设备和介质
TWI828441B (zh) * 2022-11-24 2024-01-01 陽程科技股份有限公司 自動組裝機之光學模組對位方法

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7809180B2 (en) * 2004-07-05 2010-10-05 Panasonic Corporation Method of generating image of component
CN100585615C (zh) * 2004-07-29 2010-01-27 新加坡科技研究局 检测系统
US7626701B2 (en) * 2004-12-27 2009-12-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus with multiple alignment arrangements and alignment measuring method
US7374957B2 (en) * 2005-07-11 2008-05-20 Asml Netherlands B.V. Method of calibrating or qualifying a lithographic apparatus or part thereof, and device manufacturing method
TWI288365B (en) * 2005-12-07 2007-10-11 Metal Ind Res & Dev Ct Design and image processing method of fiducial marks for the motion control system of two plates alignment
US20070150565A1 (en) * 2005-12-22 2007-06-28 Arun Ayyagari Surveillance network system
JP4707605B2 (ja) 2006-05-16 2011-06-22 三菱電機株式会社 画像検査方法およびその方法を用いた画像検査装置
WO2007141588A1 (en) * 2006-06-02 2007-12-13 Nokia Corporation Split exit pupil expander
US7937167B1 (en) * 2006-08-12 2011-05-03 Hewlett-Packard Development Company L. P. Methodology to program sensors into collaborative sensing groups
US7710572B2 (en) * 2006-11-30 2010-05-04 Asml Netherlands B.V. Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
US20090182529A1 (en) * 2008-01-14 2009-07-16 International Business Machines Corporation Determining signal quality of optical metrology tool
GB0804499D0 (en) * 2008-03-11 2008-04-16 Metryx Ltd Measurement apparatus and method
US8248617B2 (en) * 2008-04-22 2012-08-21 Zygo Corporation Interferometer for overlay measurements
JP2010091361A (ja) 2008-10-07 2010-04-22 Yamatake Corp 画像検査方法および画像検査装置
US8452572B2 (en) * 2008-11-17 2013-05-28 Cisco Technology, Inc. Distributed sample survey technique for data flow reduction in sensor networks
DE102010029651A1 (de) * 2010-06-02 2011-12-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Betrieb einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit Korrektur von durch rigorose Effekte der Maske induzierten Abbildungsfehlern
US8666703B2 (en) * 2010-07-22 2014-03-04 Tokyo Electron Limited Method for automated determination of an optimally parameterized scatterometry model
US9052709B2 (en) * 2010-07-30 2015-06-09 Kla-Tencor Corporation Method and system for providing process tool correctables
US8582114B2 (en) * 2011-08-15 2013-11-12 Kla-Tencor Corporation Overlay metrology by pupil phase analysis
EP2865003A1 (en) * 2012-06-26 2015-04-29 Kla-Tencor Corporation Scanning in angle-resolved reflectometry and algorithmically eliminating diffraction from optical metrology
US9329033B2 (en) * 2012-09-05 2016-05-03 Kla-Tencor Corporation Method for estimating and correcting misregistration target inaccuracy
WO2014062972A1 (en) * 2012-10-18 2014-04-24 Kla-Tencor Corporation Symmetric target design in scatterometry overlay metrology
US10242290B2 (en) * 2012-11-09 2019-03-26 Kla-Tencor Corporation Method, system, and user interface for metrology target characterization
US9576861B2 (en) * 2012-11-20 2017-02-21 Kla-Tencor Corporation Method and system for universal target based inspection and metrology
US9909982B2 (en) * 2013-03-08 2018-03-06 Kla-Tencor Corporation Pupil plane calibration for scatterometry overlay measurement
US9857291B2 (en) * 2013-05-16 2018-01-02 Kla-Tencor Corporation Metrology system calibration refinement
US9726984B2 (en) * 2013-07-09 2017-08-08 Kla-Tencor Corporation Aperture alignment in scatterometry metrology systems
WO2015031337A1 (en) * 2013-08-27 2015-03-05 Kla-Tencor Corporation Removing process-variation-related inaccuracies from scatterometry measurements
US9442077B2 (en) * 2013-08-28 2016-09-13 Kla-Tencor Corp. Scratch filter for wafer inspection
JP6635926B2 (ja) * 2014-02-12 2020-01-29 ケーエルエー コーポレイション 不正確さを低減し且つコントラストを維持する充填要素を有する計測ターゲット
US10152654B2 (en) * 2014-02-20 2018-12-11 Kla-Tencor Corporation Signal response metrology for image based overlay measurements
US9734568B2 (en) * 2014-02-25 2017-08-15 Kla-Tencor Corporation Automated inline inspection and metrology using shadow-gram images
JP6378927B2 (ja) * 2014-04-25 2018-08-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ 計測システムおよび計測方法
US10352876B2 (en) * 2014-05-09 2019-07-16 KLA—Tencor Corporation Signal response metrology for scatterometry based overlay measurements
US9606069B2 (en) * 2014-06-25 2017-03-28 Kla-Tencor Corporation Method, apparatus and system for generating multiple spatially separated inspection regions on a substrate
CN112698551B (zh) 2014-11-25 2024-04-23 科磊股份有限公司 分析及利用景观
CN108701625B (zh) * 2016-02-24 2023-07-14 科磊股份有限公司 光学计量的准确度提升

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI691047B (zh) * 2018-02-08 2020-04-11 日商斯庫林集團股份有限公司 資料處理方法、資料處理裝置以及資料處理程式
US11274995B2 (en) 2018-02-08 2022-03-15 SCREEN Holdings Co., Ltd. Data processing method, data processing device, and computer-readable recording medium having recorded thereon data processing program

Also Published As

Publication number Publication date
IL287799A (en) 2022-01-01
TWI780741B (zh) 2022-10-11
JP2019512166A (ja) 2019-05-09
WO2017147261A1 (en) 2017-08-31
TW202303095A (zh) 2023-01-16
TWI731038B (zh) 2021-06-21
US11862522B2 (en) 2024-01-02
JP7319342B2 (ja) 2023-08-01
EP3420581B1 (en) 2021-12-08
IL287799B2 (en) 2023-02-01
EP3420581A1 (en) 2019-01-02
CN116936393A (zh) 2023-10-24
EP3420581A4 (en) 2020-01-15
US20210175132A1 (en) 2021-06-10
CN108701625A (zh) 2018-10-23
US20180047646A1 (en) 2018-02-15
KR20180110169A (ko) 2018-10-08
JP2022019770A (ja) 2022-01-27
TW202134601A (zh) 2021-09-16
CN108701625B (zh) 2023-07-14
JP6979964B2 (ja) 2021-12-15
IL287799B (en) 2022-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201740483A (zh) 光學計量之準確度提升
TWI711096B (zh) 光學計量學之方法，電腦程式產品，及計量學模組
US20220163320A1 (en) Monitoring system and method for verifying measurements in pattened structures
TWI639060B (zh) 自散射量測移除製程變化相關之不準確
TWI649572B (zh) 用於計量目標之特性化之方法、計量系統及用於計量系統之視覺使用者介面
CN113412485B (zh) 用于选择设计文件的系统、计算机可读媒体及实施方法
TW201706723A (zh) 度量衡方法及設備、電腦程式及微影系統