TW201725933A - 減少引線數的加熱器陣列區塊 - Google Patents

減少引線數的加熱器陣列區塊 Download PDF

Info

Publication number
TW201725933A
TW201725933A TW105140094A TW105140094A TW201725933A TW 201725933 A TW201725933 A TW 201725933A TW 105140094 A TW105140094 A TW 105140094A TW 105140094 A TW105140094 A TW 105140094A TW 201725933 A TW201725933 A TW 201725933A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
thermal
thermal elements
heater
subset
elements
Prior art date
Application number
TW105140094A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI638580B (zh
Inventor
考 T. 史溫森
路易斯 P. 史汀豪賽
Original Assignee
瓦特洛威電子製造公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 瓦特洛威電子製造公司 filed Critical 瓦特洛威電子製造公司
Publication of TW201725933A publication Critical patent/TW201725933A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI638580B publication Critical patent/TWI638580B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B1/00—Details of electric heating devices
    • H05B1/02—Automatic switching arrangements specially adapted to apparatus ; Control of heating devices
    • H05B1/0227—Applications
    • H05B1/023—Industrial applications
    • H05B1/0233—Industrial applications for semiconductors manufacturing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Control Of Resistance Heating (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)

Abstract

一熱系統包括多個熱元件。於一形態中，該等熱元件各界定一電阻器及一電流限制裝置。此等多個熱元件具有至少一第一子集的並行熱元件及至少一第二子集的並行熱元件。此系統亦具有連接到該等多個熱元件的多條電力線。此等電力線成對組配來供電給以一並聯集合連接之該等多個熱元件的一子集。各對電力線與一子集內之熱元件的一鄰近並聯集合共用一共同電力線。此外，一子集內之熱元件的該等鄰近並聯集合中的各電流限制裝置係相反。第一及第二子集的並行熱元件共用該共同電力線。

Description

減少引線數的加熱器陣列區塊
本發明有關加熱器系統及其相關控制技術，且特別是，在諸如用於半導體處理之卡盤或容座的應用中，於操作期間可將一精確溫度輪廓傳遞給一加熱目標以補償熱損失及/或其他變動的加熱器系統。
本節的敘述僅提供有關本案揭露內容之背景資訊，且可能不構成習知技術。
在半導體處理技術中，例如於處理期間用來固持一基體(或晶圓)或提供一均勻溫度輪廓給基體之一卡盤或容座。參照圖1，繪示有用於靜電卡盤的一支撐總成10，其包括具有一嵌入式電極14的靜電卡盤12、及透過一附接層18接合到靜電卡盤12的一加熱板或目標16，此附接層典型為一矽酮黏著劑。加熱器20係固接到加熱板或目標16，例如可為一經蝕刻箔片加熱器。加熱器總成同樣透過典型為一矽酮黏著劑的一附接層24接合在一冷卻板22。基體26係置設在靜電卡盤12上，而電極14係連接到一電壓源(圖中未顯示)，以使將基體26固持定位的靜電功率產生。一射頻(RF)或微波電力源(圖中未顯示)可在圍繞支撐總成10之電漿反應器腔室內被耦合到靜電卡盤12。加熱器20因而於不同腔室內電漿半導體處理步驟期間提供必要熱能以在基體26上維持溫度，此等步驟包括電漿增強薄膜沉積或蝕刻。
於基體26之處理的所有階段期間，重要的是靜電卡盤12的溫度輪廓要嚴格控制，以減少所蝕刻之基體26內的處理變異，同時減少整體處理時間。在半導體處理等其他技術中，人們持續期望有用於改良基體上之溫度均勻性的改良裝置及方法。
一熱系統包括多個熱元件。此等熱元件各界定一電阻器及一電流限制裝置。該等多個熱元件具有至少一第一子集的並行熱元件及至少一第二子集的並行熱元件。此系統亦具有連接到該等多個熱元件的多條電力線。此等電力線成對組配來供電給以一並聯集合連接的該等多個熱元件之一子集。各對電力線與一子集內之熱元件的鄰近並聯集合共用一共同電力線。此外，在一子集內之熱元件的鄰近並聯集合中之各電流限制裝置係相反。第一及第二子集的並行熱元件共用該共同電力線。
一加熱器系統包括一加熱目標及固接於該加熱目標的一加熱器。此加熱器具有多個熱元件。各熱元件界定一電阻器及一電流限制裝置。此等多個熱元件具有至少一第一子集的並行熱元件及至少一第二子集的並行熱元件。此系統亦具有連接到該等多個熱元件的多條電力線。此等電力線成對組配來供電給以一並聯集合連接之該等多個熱元件的一子集。各對電力線與一子集內之熱元件的一鄰近並聯集合共用一共同電力線。並且，一子集內之熱元件之該等鄰近並聯集合中的各電流限制裝置係相反。第一及第二子集的並行熱元件共用該共同電力線。
進一步的應用領域將可從本文所提供的描述明顯看出。應了解的是，敘述及特定範例係企圖僅供例示用，且不意欲限制本案揭露內容之範疇。
以下說明書內文在本質上僅具例示性，且不意欲限制本案揭露內容、應用、或用途。例如，本案揭露內容之以下形態係指用於半導體處理的卡盤，而在一些情況中為靜電卡盤。然而，應了解的是，本文所提供的加熱器及系統可被運用在不同應用中，且不限於半導體處理應用。應了解的是，所有圖式中對應的參考標號表示類似或對應的部分及特徵。
參照圖2A，本案揭露內容的一形態為一加熱器50，其包括內嵌有至少一加熱器電路54的一基底加熱器層52。基底加熱器層52具有在那形成通過用以將加熱器電路54連接到一電源(圖中未顯示)的至少一孔洞56 (或通孔)。基底加熱器層52提供主要加熱，而如圖所示置設靠近加熱器層52的一調諧加熱器層60提供來對加熱器50所提供的一熱分佈進行微調。調諧層60包括內嵌之獨立控制的多個個別加熱元件62。至少一孔洞64係形成通過調諧層60用以將該等多個個別加熱元件62連接到電源及控制器(圖中未顯示)。如進一步所示，一路由層66係置設在基底加熱器層52與調諧層60之間，且界定一內部腔穴68。第一組電氣引線70將加熱器電路54連接到電源，此組引線延伸穿過加熱器層孔洞56。第二組電氣引線72將多個加熱元件62連接到電源，且除延伸穿過基底加熱器層52中之孔洞55外，還延伸穿過路由層66的內部腔穴68。應了解的是，路由層66係為選擇性，且加熱器50可在沒有路由層66而僅有基底加熱器層52及調諧加熱器層60的情況下使用。
在另一形態中，不採用提供熱分佈的微調，調諧層60可替代地被用來量測卡盤12中的溫度。此形態針對多個區域特定或分立位置而提供一些溫度相依電阻電路。這些溫度感測器各可經由一多工切換配置個別讀取，以允許使用相對於量測各個別感測器所需之信號線數目實質上更多的感測器，諸如美國第9,123,756號專利所示者，該專利案與本申請案被共同讓渡，且其內容整個藉參考方式併入本文。溫度感測回饋可提供用於控制判定的必要資訊，例如用以控制一特定背側冷卻氣壓區域，來調節基體26到卡盤12的熱流。此種相同回饋亦可用來取代或擴增靠近基底加熱器52裝設的溫度感測器，用於基底加熱區位54之溫度控制或經由輔助冷卻流體熱交換器來平衡板冷卻流體溫度(圖中未顯示)。
在一形態中，基底加熱器層52及調諧加熱器層60係從包封加熱器電路54及調諧層加熱元件62於一聚醯亞胺材料中來形成，用於大致低於250ºC的中階溫度應用中。此外，該聚醯亞胺材料可摻雜以一些材料以提高導熱性。
於其他形態中，基底加熱器層52及/或調諧加熱器層60係由一分層程序形成，其中該層係透過使用與厚膜、薄膜、熱噴塗或溶膠凝膠等相關聯的程序，將一材料施敷或聚集到一基體或另一層來形成。
在一形態中，基底加熱電路54係以Inconel®形成，而調諧層加熱元件62係為一鎳材料。於更一形態中，調諧層加熱元件62係以具有足夠電阻溫度係數的一材料形成，使得該等元件用作為加熱器及溫度感測器。此等加熱器及其材料係揭露於美國第7,196,295號及第8,378,266號專利中，該等專利與本申請案被共同讓渡，且其內容整個藉參考方式併入本文。
本案揭露內容的不同形態包括透過知曉或量測施加在熱阻抗調諧層60中之各個別元件的電壓及/或電流而對層加熱元件62所作之以溫度、功率及/或熱阻抗為基礎的控制，此電壓及/或電流透過乘法及除法轉換成電功率及電阻，於第一情況同等對應於來自這些元件中之各者的熱通量輸出，而於第二情況對應於與元件溫度的一已知關係。這些作法一起可被用來計算及監測各元件上的熱阻抗負載，以允許一操作者或控制系統檢測及補償區域特定的熱變化，此等熱變化可能源自但不限於腔室或卡盤中由於使用或維護、處理誤差、及設備性能降低所致的物理變化。替代地，熱阻抗調諧層60中的個別控制之加熱元件各可被指定一對應於相同或不同特定溫度的設定點電阻，接著在半導體處理期間可修改或閘控源自一基體上的對應區域到基底加熱器層52之熱通量，以控制基體溫度。
於一形態中，基底加熱器50例如藉由使用一矽酮黏著劑或甚至一壓敏附著劑接合到一卡盤51。因此，加熱器層52提供主要加熱，而調諧層60微調或調整加熱輪廓，使得有一均勻或所欲之溫度輪廓被提供給卡盤51及因而基體(圖中未顯示)。
於本案揭露內容的另一形態中，調諧層加熱元件62的熱膨脹係數(CTE)係與調諧加熱器層基體60的CTE相匹配，以提高調諧層加熱元件62於暴露在應變負載時的熱敏性。許多用於雙線控制的合適材料對電阻器溫度裝置(RTD)顯現類似特徵，包括對溫度及應變兩者的電阻敏感度。調諧層加熱元件62之CTE對調諧加熱器層基體60之CTE的匹配降低在實際加熱元件上的應變。並且，隨著操作溫度提升，應變層級亦趨於提高，且因此CTE匹配變成更為重要的一個因素。於一形態中，調諧層加熱元件62係為具有CTE大約15 ppm/ºC的一高純度鎳鐵合金，而包封調諧層加熱元件的聚醯亞胺材料具有大約16 ppm/ºC的CTE。於此形態中，將調諧加熱器層60接合到其他層體的材料顯現彈性特徵，其可將調諧加熱器層60從卡盤12之其他構件物理性解耦合。應了解的是，亦可利用具有可匹配CTE的其他材料，而仍保留在本案揭露內容之範疇內。
現參照圖2B~圖2D，其中繪示具有一基底加熱器層及一調諧層兩者(如以上圖2A中大致所提)的一範例形態加熱器，且大體上以參考編號80表示。加熱器80包括一基板或目標82 (亦稱為一冷卻板)，其在一形態中係為厚度大約16 mm的一鋁板。一基底加熱器84於一形態中如圖所示使用一彈性接合層86固接在基板或目標82。根據本案揭露內容之一形態，一基體88係置設在基底加熱器84之頂部上，且為厚度大約1 mm的鋁材料。基體88係設計成具有導熱性以使必要數量的功率從基底加熱器84消散。由於基底加熱器84具有相當高功率，在沒有一必要的導熱性之情況下，此基底加熱器84可能會在鄰近組件上(從電阻電路跡線)留下「目擊(witness)」標記，因此降低整個加熱器系統的性能。
如先前所提，一調諧加熱器90係置設在基體88之頂部上，且使用一彈性接合層94固接到一卡盤92。卡盤92於一形態中為具有厚度大約2.5 mm的一鋁氧化物材料。應了解的是，本文所提的材料及尺寸僅為例示，而因此本案揭露內容並不限定於本文所提的數個特定形態。此外，調諧加熱器90具有較基底加熱器84為低的功率，且如先前所提，基體88作用來從基底加熱器84消散功率，使得「目擊」標記不會形成在調諧加熱器90上。
基底加熱器84及調諧加熱器90更詳細顯示於圖2C中，其中就基底加熱器84而言顯示範例四個區位，且就調諧加熱器90而言顯示十八個區位。於一形態中，加熱器80係適於配合尺寸450 mm的卡盤使用，然而，由於加熱器80較高的調適熱分佈能力，可配合較大或較小卡盤尺寸利用。另外，高精度的加熱器80可被用在卡盤周邊，或在跨越卡盤的數個預定位置中，而非如本文所繪示呈一堆疊/平坦組態。更且，高精度的加熱器80可用在製程套件、腔室壁、蓋件、氣體管線及噴淋頭等半導體處理設備內的其他構件。應了解的是，本文所繪示及描述的加熱器及控制系統可用於任何數目的應用中，且因此範例半導體加熱器卡盤應用不應被解釋成限制本案揭露內容之範疇。
本案揭露內容亦企圖將基底加熱器84及調諧加熱器90不限於加熱功能。應了解的是，這些分別稱為「基底功能層」及「調諧層」之構件中的一或多者可替代地為一溫度感測器層或其他功能性構件，而仍保留於本案揭露內容之範疇內。
如圖2D中所示，一雙重調諧能力可利用在卡盤12之頂表面上包括一次要調諧層99來提供。此次要調諧層可替代地用作為一溫度感測層而非一加熱層，而仍保留於本案揭露內容之範疇內。因此，任何數目的調諧層加熱器可被利用且不應被限制於本文所繪示及描述者。應了解的是，以下所說明的熱陣列可配合單一加熱器或多個加熱器運用，無論是以層狀或其他組態，而仍保留於本案揭露內容之範疇內。
參照圖3，顯示有用於一熱陣列系統的一熱系統100，諸如圖2A~圖2D中所描述者。熱系統100包括多個熱元件102a、102b、102c及102d。熱元件102a~102d可為能夠產生熱之數個不同元件中的任一者。例如，熱元件102a~102d可為一層狀加熱元件、一經蝕刻箔片元件或一線纏繞元件。
熱元件102a~102d各可界定一電阻器及一電流限制裝置。具體而言，熱元件102a具有一電阻器104a及一電流限制裝置106a。熱元件102b具有一電阻器104b及一電流限制裝置106b。類似地，熱元件102c具有一電阻器104c及一電流限制裝置106c。最後，熱元件102d具有一電阻器104d及一電流限制裝置106d。電流限制裝置106a~106d可為一個二極體、矽控制整流器、或矽控制開關。
據此，熱元件102a~102d各可具有分別與各電流限制裝置106a~106d串接之個別的電阻器104a~104d。並且，熱元件102a及102c以並行樣式彼此連接。此外，亦採並行樣式連接的是熱元件102b及102d。因此，熱元件102a及102c形成第一子集的並行熱元件，而熱元件102b及102d形成第二子集的並行熱元件。
熱系統100亦包括具有第一節點109的第一電力線108，及具有第二節點111的第二電力線110。第一電力線108連接到電阻器104a及104c，而第二電力線110連接到電阻器104b及104d。因此，電力線108及110係成對組配來供電給以一並聯集合連接的多個熱元件102a~102d之子集。
此外，系統100更可包括具有一共同節點113的一共同電力線112。共同電力線112連接到電流限制裝置106a~106d。因此，在一子集內之鄰近並聯集合中的電流限制裝置106a~106d各為相反。換言之，電流限制裝置106a及106c彼此相反，而電流限制裝置106b及106d亦彼此相反。
藉由選擇性提供一電力或接地信號給電力線108、110及112，一電流可傳遞經過各熱元件102a~102d，藉此在電流通過熱元件102a~102d時產生熱。下表顯示分別提供給連至節點109、111及113之電力線108、110及112之電力(PWR)或接地(GND)信號的各種組合。如下表中所示，其中有控制哪一個熱元件102a~102d提供對熱陣列系統的加熱的彈性。
如上表所示，熱系統100係使得依據電力或接地是否施加在各節點109、111及113上，所組配的熱系統100提供一電流經過熱元件102a~102d中之至少一者或熱元件102a~102d中僅一者。並且，如表中可見的，三條引線可被用來選擇性致動四個不同熱元件。作為一範例，若一陣列包括具有共二十四個熱元件的六個熱系統100，則可能需要十八條引線以選擇性控制該等二十四個熱元件中之各者。因此，熱系統100允許減少加熱器之一陣列的引線數，同時允許獨立、接續。此外，熱系統100藉由將引線附接到一電壓源而允許所有引線保持低阻抗。
參照圖4，顯示一熱系統陣列。在此，該陣列包括六個分開的熱系統1100、2100、3100、4100、5100及6100。熱系統1100、2100、3100、4100、5100及6100各由先前描述及以類似參考編號標示的構件所組成。
在此範例中，熱系統1100具有三條引線1108、1110及1112，其各分別具有節點1109、1111及1113。以類似方式，熱陣列系統2100、3100、4100、5100及6100亦各具有各具有節點的三條引線，使引線總數為十八條。如先前所提，此圖中已採用類似的參考編號來標示類似的構件。
類似地，熱陣列系統1100具有熱元件1102a、1102b、1102c及1102d。同樣地，熱陣列系統2100、3100、4100、5100及6100亦各具有四個熱元件。此等熱系統之陣列共含有二十四個熱元件。
控制該等二十四個熱元件係透過利用先前所提的十八條引線來完成。因此，這減少了加熱器陣列之引線數，同時允許獨立、接續控制，而不需實行矩陣或Metcalf (梅凱夫)拓樸結構。此陣列亦具有透過將引線附接到一電壓源而允許所有引線維持在低阻抗的額外優點。此陣列可在來自外部溫度感測器之回饋控制下運作，或可運作為來自基於加熱器電壓除以加熱器電流之比值的回饋之以電阻為基礎的溫度控制。在那個實例中，二極體表示可在系統外校正的一電壓誤差。
參照圖5，顯示另一範例的熱系統200。在此，熱系統200包括前述的熱元件102a~102d與電力線108、110及112。類似的參考編號已用來標示先前所述的元件。於此，熱系統200包括一控制系統210。控制系統210可包括與記憶體214連通的一處理器212，該記憶體含有用來組配該處理器實行說明書中所描述之數個不同方法中之任一者的一些指令。應了解的是，處理器212可為一個以上的處理器。此外，記憶體214如所示可與處理器212分開，或可整合到(多個)處理器212內。
控制系統210可被組配來供電給以一並聯集合連接之多個熱元件102a~102d的一子集。控制系統210亦可被組配來藉由如上表中所述選擇性施加一電壓給電力線108、110及112，來為該等多個熱元件102a~102b中之至少一者提供電流。
現參照圖6，提供一方法300用以控制熱系統。此方法300可被利用來控制所述的任一熱陣列系統，且可由所述的任一控制系統執行。該方法始於方塊310。在方塊312中，控制器計算用於陣列之各熱元件的設定點。例如，電阻設定點可針對各熱元件設定，使得針對那個熱元件的一經量測電阻可被用作為一觸發，以停止供電給那個熱元件。在方塊314中，用於各熱元件的時間窗段可被計算出。此時間窗段可為分配來對一特定熱元件供電的時間。雖然假若熱元件電阻係在設定點之上，控制器仍可就剩餘的時間窗段維持休眠，或可直接移到下一個窗段以對下一個熱元件供電。然而，為人所欲的是，針對各熱元件具有一最小等待時間，使得電力不會不斷地提供給系統供量測目的用而把元件加熱到超越加熱應用所必要者。
並且，應了解的是，方法300可利用外部溫度感測器來判定一或多個熱元件的溫度。因此，來自外部溫度感測器的回饋控制或來自基於加熱器電壓除以加熱器電流之比值的回饋之以電阻為基礎的溫度控制。在利用以電阻為基礎之溫度控制的實例中，二極體表示可在系統外校正的一電壓誤差。
在方塊316中，控制器針對目前的熱元件判斷是否已到達時間窗段的終點。若對目前熱元件而言已到達時間窗段的終點，本方法則沿著線320轉到方塊322。在方塊322中，控制器加一前進到陣列內的下一個熱元件，且程序轉到方塊316繼續下去。若尚未到達時間窗段之終點，則該方法沿著線318到方塊324。在方塊324中，控制器可同時供電給熱元件及量測熱元件的電氣特性。在方塊326中，控制器基於經量測的特性判斷熱元件是否已超過電阻器電路設定點。若已超過該設定點，則該方法可等待直到時間窗段完成，或在一些延遲後沿著線328前進到方塊322。在方塊322中，電阻器電路加一前進到下一個熱元件，且程序前進到方塊316。若熱元件基於經量測的特性尚未超過設定點，則程序沿著線330轉到方塊316繼續下去。
所述之控制器、控制系統或引擎中的任一者可示現在一或多個電腦系統中。圖7中提供了一範例系統。電腦系統400包括用於執行數個指令的一處理器410，諸如上述方法中所描述的那些者。此等指令可被存在一電腦可讀媒體，諸如記憶體412或儲存裝置414，例如碟片驅動機、CD或DVD。此電腦可包括回應於用以在例如電腦監視器的一顯示器裝置418上產生一文字或圖像顯示之數個指令的一顯示控制器416。此外，處理器410可與一網路控制器420通訊，以傳送資料或指令到其他系統，例如其他通用電腦系統。網路控制器420可透過乙太網路(Ethernet)或其他習知協定通訊，以透過多個網路拓撲結構分配處理或提供對資訊的遠端存取，該等網路拓撲結構包括區域網路、廣域網路、網際網路、或其他常用網路拓撲結構。
熟於此技者將注意到的是，以上敘述內容僅表示作為本發明之原理的實施態樣說明。本案說明書並不意圖限制本發明之範疇或應用，因為本發明易於在不脫離如同後附申請專利範圍所界定本發明之精神的前提下予以修改、改變及變化。
10‧‧‧支撐總成
12‧‧‧(靜電)卡盤
14‧‧‧(嵌入式)電極
16‧‧‧加熱板或目標
18、24‧‧‧附著層
20、50‧‧‧加熱器
22‧‧‧冷卻板
26、88‧‧‧基體
51‧‧‧卡盤
52‧‧‧(基體)加熱器層/基體加熱器
54‧‧‧加熱器電路/基底加熱區位
56、64‧‧‧孔洞
60‧‧‧調諧(加熱器)層/熱阻抗調諧層/加熱器層基體
62‧‧‧(調諧層)加熱元件/層加熱元件
66‧‧‧路由層
68‧‧‧內部腔穴
70‧‧‧第一組電氣引線
72‧‧‧第二組電氣引線
80‧‧‧加熱器
82‧‧‧基板或目標
84‧‧‧基底加熱器
86‧‧‧彈性接合層
90‧‧‧調諧加熱器
99‧‧‧次要調諧層
100、200、1100‧‧‧熱系統
102a~102d、1102a~
1102d‧‧‧熱元件
104a~104d‧‧‧電阻器
106a~106d‧‧‧電流限制裝置
108‧‧‧(第一)電力線
109‧‧‧(第一)節點
110‧‧‧(第二)電力線
111‧‧‧(第二)節點
112‧‧‧(共同)電力線
113‧‧‧(共同)節點
210‧‧‧控制系統
212、410‧‧‧處理器
214、412‧‧‧記憶體
300‧‧‧方法
310~326‧‧‧方塊
318、320、328、330‧‧‧線
400‧‧‧電腦系統
414‧‧‧儲存裝置
416‧‧‧顯示控制器
418‧‧‧顯示器裝置
420‧‧‧網路控制器
1108、1110、1112‧‧‧引線
1109、1111、1113‧‧‧節點
2100、3100、4100、5100、6100‧‧‧熱(陣列)系統
為了使揭露內容可以較佳了解，現將以範例方式且參照附圖描述其之不同形式，其中：
圖1係為一先前技術之靜電卡盤的正視側面圖；
圖2A係為具有一調諧層且根據本案揭露內容之一種形態的原理所構成之一加熱器的一部分側視圖；
圖2B係為具有一調諧層或調諧加熱器且根據本案揭露內容之原理所構成之另一形態的一加熱器之一分解側視圖；
圖2C係為一加熱器的一立體分解圖，其繪示有根據本案揭露內容之原理的例示性用於基底加熱器之一四個區位及用於調諧加熱器之十八個區位；
圖2D係為具有一增添調諧層且根據本案揭露內容之原理所構成之另一形態的高精度加熱器系統之一側視圖；
圖3係為繪示根據本案揭露內容之原理之一熱系統的一示意圖；
圖4係為具有二十四個熱元件之六個熱系統的一示意圖；
圖5係為根據本案揭露內容之原理具有一控制系統之熱系統的一示意圖；
圖6係為控制一熱系統之方法的一流程圖；以及
圖7係為用於控制根據本案揭露內容之圖3、圖4及圖5之熱系統的一控制系統之一示意圖。
本文附圖係僅供例示，且不意欲以任何方式限制本案揭露內容之範疇。
51‧‧‧卡盤
52‧‧‧(基體)加熱器層/基體加熱器
54‧‧‧加熱器電路/基底加熱區位
56、64‧‧‧孔洞
60‧‧‧調諧(加熱器)層/熱阻抗調諧層/加熱器層基體
62‧‧‧(調諧層)加熱元件/層加熱元件
66‧‧‧路由層
68‧‧‧內部腔穴
70‧‧‧第一組電氣引線
72‧‧‧第二組電氣引線

Claims (20)

  1. 一種熱系統，其包含： 多個熱元件，該等熱元件各界定一電阻器及一電流限制裝置，該等多個熱元件包含至少一第一子集的並行熱元件及至少一第二子集的並行熱元件；及 連接到該等多個熱元件的多條電力線，該等電力線成對組配來供電給以一並聯集合連接之該等多個熱元件的一子集； 其中各對電力線與一子集內的熱元件之一鄰近並聯集合共用一共同電力線，一子集內的熱元件之該鄰近並聯集合中之各該電流限制裝置係相反，且該第一子集的並行熱元件及該第二子集的並行熱元件共用該共同電力線。
  2. 如請求項1之熱系統，其更包含用以供電給以一並聯集合連接的該等多個熱元件之一子集的一控制系統。
  3. 如請求項2之熱系統，其中該控制系統係組配來提供一電流經過該等多個熱元件中之至少一者。
  4. 如請求項2之熱系統，其中該控制系統係組配來提供一電流經過該等多個熱元件中之僅一者。
  5. 如請求項1之熱系統，其中該電阻器及該電流限制裝置係為串接。
  6. 如請求項1之熱系統，其中該等多條電力線各界定一節點。
  7. 如請求項1之熱系統，其中該電流限制裝置係從由一個二極體、一矽控制整流器及一矽控制開關組成的群組中選出。
  8. 如請求項1之熱系統，其中該電阻器係為從由一層狀加熱元件、一經蝕刻箔片元件或一線纏繞元件組成的群組中選出的一加熱元件。
  9. 如請求項1之熱系統，其中： 該等多條電力線之數量為三；及 該等多個熱元件之數量為四。
  10. 如請求項9之熱系統，其更包含用以供電給以一並聯集合連接的該等多個熱元件之一子集的一控制系統。
  11. 如請求項10之熱系統，其中該控制系統係組配來提供一電流經過該等多個熱元件中之至少一者。
  12. 如請求項11之熱系統，其中該控制系統係組配來提供一電流經過該等多個熱元件中之僅一者。
  13. 一種控制加熱器之溫度的方法，其包含採用根據請求項1之熱系統。
  14. 一種加熱器系統，其包含： 一加熱目標； 固接於該加熱目標的一加熱器，該加熱器包含多個熱元件，該等熱元件各界定一電阻器及一電流限制裝置，該等多個熱元件包含至少一第一子集的並行熱元件及至少一第二子集的並行熱元件；及 連接到該等多個熱元件的多條電力線，該等電力線成對組配來供電給以一並聯集合連接之該等多個熱元件的一子集； 其中各對電力線與一子集內之熱元件的一鄰近並聯集合共用一共同電力線，一子集內之熱元件的該等鄰近並聯集合中之各該電流限制裝置係相反，且該第一子集的並行熱元件及該第二子集的並行熱元件共用該共同電力線。
  15. 如請求項14之加熱器系統，其更包含用以供電給以一並聯集合連接之該等多個熱元件的一子集。
  16. 如請求項15之加熱器系統，其中該控制系統係組配來提供一電流經過該等多個熱元件中之至少一者。
  17. 如請求項15之加熱器系統，其中該控制系統係組配來提供一電流經過該等多個熱元件中之僅一者。
  18. 如請求項14之加熱器系統，其中該電阻器及該電流限制裝置係為串接。
  19. 如請求項14之加熱器系統，其中該電阻器係為從由一層狀加熱元件、一經蝕刻箔片元件或一線纏繞元件組成之群組中選出的一加熱元件。
  20. 如請求項14之加熱器系統，其中： 該等多條電力線之數量為三；及 該等多個熱元件之數量為四。
TW105140094A 2015-12-08 2016-12-05 減少引線數的加熱器陣列區塊 TWI638580B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/962,733 2015-12-08
US14/962,733 US9812342B2 (en) 2015-12-08 2015-12-08 Reduced wire count heater array block

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201725933A true TW201725933A (zh) 2017-07-16
TWI638580B TWI638580B (zh) 2018-10-11

Family

ID=57794337

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105140094A TWI638580B (zh) 2015-12-08 2016-12-05 減少引線數的加熱器陣列區塊

Country Status (7)

Country Link
US (2) US9812342B2 (zh)
EP (1) EP3387671B1 (zh)
JP (2) JP2019505949A (zh)
KR (1) KR101944691B1 (zh)
CN (1) CN108431940B (zh)
TW (1) TWI638580B (zh)
WO (1) WO2017100304A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI756494B (zh) * 2017-11-21 2022-03-01 美商瓦特洛威電子製造公司 具有路由層之多區域台座加熱器

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5973731B2 (ja) * 2012-01-13 2016-08-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びヒータの温度制御方法
US10690414B2 (en) * 2015-12-11 2020-06-23 Lam Research Corporation Multi-plane heater for semiconductor substrate support
KR102235765B1 (ko) * 2018-08-24 2021-04-01 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 정전척 조립체 및 정전척 제조방법
US11692471B1 (en) * 2022-05-03 2023-07-04 Garrett Transportation I Inc. Method for controlling an e-compressor and an e-catalyst to reduce emissions from an internal combustion engine

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1270250A (en) * 1968-09-13 1972-04-12 Tronapplics Ltd Air temperature control apparatus
US5105067A (en) * 1989-09-08 1992-04-14 Environwear, Inc. Electronic control system and method for cold weather garment
JP3243155B2 (ja) * 1995-08-31 2002-01-07 シャープ株式会社 過電流防止装置
US5948298A (en) * 1996-04-26 1999-09-07 Ford Global Technologies, Inc. Battery heating system
US5951896A (en) * 1996-12-04 1999-09-14 Micro C Technologies, Inc. Rapid thermal processing heater technology and method of use
US6355915B1 (en) * 2000-01-18 2002-03-12 Augustine Medical, Inc. Heat/blower unit with load control
KR100495133B1 (ko) * 2002-11-28 2005-06-14 엘에스전선 주식회사 피티씨 서미스터
US7196295B2 (en) 2003-11-21 2007-03-27 Watlow Electric Manufacturing Company Two-wire layered heater system
EP1900253B1 (en) 2005-06-29 2013-07-31 Watlow Electric Manufacturing Company Smart layered heater surfaces
JP4502987B2 (ja) * 2006-01-16 2010-07-14 株式会社テラセミコン バッチ式反応チャンバーのヒーティングシステム
US8466390B2 (en) * 2008-01-08 2013-06-18 Rosemount Aerospace Inc. Heater control architecture for an ice protection system
US8637794B2 (en) * 2009-10-21 2014-01-28 Lam Research Corporation Heating plate with planar heating zones for semiconductor processing
CA2787215C (en) * 2011-08-16 2019-12-31 Railway Equipment Company, Inc. Load balanced track switch heating
KR102006508B1 (ko) * 2011-08-17 2019-08-01 램 리써치 코포레이션 멀티플렉싱된 가열기 어레이의 온도를 모니터링하고 이를 제어하는 시스템 및 방법
US20130047918A1 (en) * 2011-08-22 2013-02-28 Soitec Deposition systems including a precursor gas furnace within a reaction chamber, and related methods
CN104067691B (zh) * 2011-08-30 2017-04-19 沃特洛电气制造公司 高清晰度加热器和操作方法
US8461674B2 (en) * 2011-09-21 2013-06-11 Lam Research Corporation Thermal plate with planar thermal zones for semiconductor processing
FR2984923B1 (fr) * 2011-12-27 2014-11-07 Soitec Silicon On Insulator Systèmes de dépôt comprenant des chambres de réaction configurées pour réaliser des opérations de métrologie in situ et procédés connexes
US11158526B2 (en) * 2014-02-07 2021-10-26 Applied Materials, Inc. Temperature controlled substrate support assembly

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI756494B (zh) * 2017-11-21 2022-03-01 美商瓦特洛威電子製造公司 具有路由層之多區域台座加熱器

Also Published As

Publication number Publication date
US20180061682A1 (en) 2018-03-01
CN108431940B (zh) 2020-12-18
TWI638580B (zh) 2018-10-11
WO2017100304A1 (en) 2017-06-15
US20170162407A1 (en) 2017-06-08
KR101944691B1 (ko) 2019-02-01
JP6775642B2 (ja) 2020-10-28
US10340162B2 (en) 2019-07-02
JP2019505949A (ja) 2019-02-28
CN108431940A (zh) 2018-08-21
EP3387671B1 (en) 2020-07-29
JP2019197902A (ja) 2019-11-14
EP3387671A1 (en) 2018-10-17
KR20180085031A (ko) 2018-07-25
US9812342B2 (en) 2017-11-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI638580B (zh) 減少引線數的加熱器陣列區塊
JP6655044B2 (ja) 液体媒体を有する高精度ヒータシステム
JP6905549B2 (ja) 熱システム
CN103828031B (zh) 用于监测复用加热器阵列的温度并控制该阵列的系统和方法
US12013432B1 (en) Thermal control wafer with integrated heating-sensing elements
US12000885B1 (en) Multiplexed thermal control wafer and coldplate