TW201707864A - 化學機械研磨修整器及其製法 - Google Patents

Abstract

本創作提供一種化學機械研磨修整器，其包含：一基板具有一表面與複數內凹部，該等內凹部內凹成型於該基板之表面；複數金屬柱固設於該等內凹部內，各金屬柱包含一凹槽，該凹槽內凹成型於各金屬柱相對於該基板之一端；複數研磨顆粒，各研磨顆粒藉由一硬焊層設於對應之凹槽內，各研磨顆粒具有一研磨尖端，該等硬焊層包含一硬焊材料與一金屬材料。本創作個別調整各金屬柱於內凹部之深度，藉此控制各研磨尖端的高度，以使該等研磨尖端的高度達到一致，令該等研磨顆粒於修整拋光墊時能被有效的利用。本創作另提供一種化學機械研磨修整器的製法。

Description

化學機械研磨修整器及其製法

本創作係關於一種化學機械研磨修整器，特別係關於一種具有金屬柱之化學機械研磨修整器；本創作另關於一種化學機械研磨修整器的製法。

化學機械研磨(chemical mechanical polishing，CMP)因其具有可大面積平坦化之特點，因此目前是半導體製程中不可或缺的方法，其係以一置於載台上之拋光墊(pad)，並於拋光墊之表面加入研磨液(slurry)，藉載台之旋轉帶動拋光墊對晶圓表面進行拋光，使晶圓表面平坦以利進行後續製程。而拋光墊之表面需維持一定的粗糙度才能夠保持其拋光之效率，但因在拋光的過程中，拋光晶圓所產生的碎屑會和研磨液混合而逐漸在拋光墊表面形成一硬化層，該硬化層會降低拋光效率，進而縮短拋光墊的使用壽命。

因此，在拋光過程中需有一化學機械研磨修整器(CMP pad conditioner)持續對拋光墊之表面進行修整，以維持拋光墊表面之粗糙度，延長拋光墊的使用壽命。如圖5所示，現行之化學機械研磨修整器包含一基板80、一焊料層81與複數鑽石磨料82，該基板80呈圓盤狀並係由不鏽鋼所製成，該基板80具有一上表面，該焊料層塗佈於該基板80之上表面，該等鑽石磨料82鋪設於該焊料層81之上，藉由該焊料層81使該等鑽石磨料82固定於該基板80上。藉由現行之化學機械研磨修整器之鑽石磨料82對於拋光墊進行修整，使拋光墊的表面維持一定的粗糙度以保持拋光墊拋光之效率。

然而，如圖6所示，由於該等鑽石磨料82係鋪設於該焊料層81上，各鑽石磨料82之尖端821相對於該基板80之上表面的距離均不相同，即各鑽石磨料82之尖端821的高度均不相同，而於修整拋光墊時，僅尖端821相對較遠離該基板80之上表面的鑽石磨料82可修整到拋光墊，而其餘尖端821相對較靠近該基板80之上表面的鑽石磨料82將無法對於修整拋光墊作出貢獻，係導致該等鑽石磨料82的利用效率低落。

本創作之目的在於改善現行之化學機械研磨修整器之研磨顆粒的尖端之高度不一致，而使得研磨顆粒的利用效率低落之問題。本創作之另一目的在於改善研磨顆粒因燒結而出現裂痕之現象。

本創作提供一種化學機械研磨修整器，其包含： 一基板，具有一表面與複數內凹部，該等內凹部內凹成型於該基板之表面； 複數金屬柱，其固設於該等內凹部內，各金屬柱包含一凹槽，該凹槽係內凹成型於各金屬柱相對於該基板之一端； 複數研磨顆粒，各研磨顆粒藉由一硬焊層設於對應之凹槽內，各研磨顆粒具有一研磨尖端，各研磨尖端係位於該研磨顆粒相對於該金屬柱之一端，且各研磨尖端相對於該基板之表面的距離均相等，該等硬焊層包含一硬焊材料與一金屬材料。

較佳的是，其中以該硬焊層之總重為基準，該硬焊材料之含量佔該硬焊層的60至95重量百分比；該金屬材料之含量佔該硬焊層的5至40重量百分比。

較佳的是，其中該硬焊材料係包含至少一選自由鎳、鉻、硼、矽、鐵、碳及其組合所組成之群組。

較佳的是，其中以該硬焊材料之總重為基準，該硬焊材料含有2重量百分比至50重量百分比的鉻、2重量百分比至50重量百分比的硼、2重量百分比至50重量百分比的矽、2重量百分比至50重量百分比的鐵、0.01重量百分比至5重量百分比的碳，而其餘含量為鎳。

更佳的是，其中以該硬焊材料之總重為基準，該硬焊材料含有2重量百分比至12重量百分比的鉻、1重量百分比至5重量百分比的硼、1重量百分比至10重量百分比的矽、1重量百分比至10重量百分比的鐵、0.01重量百分比至0.1重量百分比的碳，而其餘含量為鎳。

較佳的是，其中該金屬材料係包含至少一選自由鐵、鉬、鎳、錳、鉻、矽、碳及其組合所組成之群組。

較佳的是，其中以該金屬材料之總重為基準，該金屬材料含有0.1重量百分比至10重量百分比的鉬、1重量百分比至30重量百分比的鎳、0.1重量百分比至20重量百分比的錳、1重量百分比至30重量百分比的鉻、0.1重量百分比至15重量百分比的矽、0.001重量百分比至1重量百分比的碳，而其餘含量為鐵。

更佳的是，其中以該金屬材料之總重為基準，該金屬材料含有0.5重量百分比至5重量百分比的鉬、1重量百分比至20重量百分比的鎳、0.5重量百分比至5重量百分比的錳、10重量百分比至25重量百分比的鉻、0.1重量百分比至5重量百分比的矽、0.01重量百分比至0.1重量百分比的碳，而其餘含量為鐵。

另擇的是，其中以該金屬材料之總重為基準，該金屬材料含有100重量百分比的鎳。

另擇的是，其中以該金屬材料之總重為基準，該金屬材料含有100重量百分比的鐵。

較佳的是，其中各金屬柱包含一底部、一頂部與該凹槽，各金屬柱之底部透過一結合層固設於所對應之內凹部內，該頂部係一體成型地接合於該底部，且該凹槽係內凹成型於該頂部。

較佳的是，其中該結合層之材料為陶瓷材料、硬焊材料、電鍍材料、金屬材料或高分子材料。更佳的是高分子材料係為環氧樹脂、聚酯樹脂、聚丙烯酸樹脂或酚醛樹脂。

較佳的是，其中該等研磨顆粒係為鑽石、立方氮化硼、氧化鋁或碳化矽等高硬度性質之材質。

較佳的是，其中該等金屬柱之材質為不鏽鋼或鐵。

較佳的是，其中該等內凹部貫穿該基板。

本創作之化學機械研磨修整器可個別調整個金屬柱於內凹部之深度，藉此控制各研磨尖端的高度，以使得該等研磨尖端的高度達到一致，令該等研磨顆粒於修整拋光墊時均能被有效的利用。

再者，該等硬焊層中包含該硬焊材料與該金屬材料，係得以減小該等金屬柱、該等硬焊層和該等研磨顆粒間的熱膨脹係數的差異，藉此減少該等金屬柱、該等硬焊層和該等研磨顆粒間之內應力，以降低該等研磨顆粒出現裂痕的機率。

本創作另提供一種化學機械研磨修整器的製造方法，其包含： 提供一基板，該基板具有一表面和複數內凹部，該等內凹部內凹成型於該基板之表面； 將各金屬柱設於對應之內凹部內，各金屬柱包含一凹槽，該凹槽係內凹成型於各金屬柱相對於該基板之一端； 將複數研磨顆粒藉由複數硬焊層設於該等金屬柱之凹槽內，以得一待硬焊結構，各研磨顆粒具有該研磨尖端，各研磨尖端係位於該研磨顆粒相對於該金屬柱之一端，該等硬焊層包含一硬焊材料與一金屬材料； 燒結該待硬焊結構，以得一化學機械研磨修整器。

較佳的是，其中以該硬焊層之總重為基準，該硬焊材料之含量佔該硬焊層的60至95重量百分比；該金屬材料之含量佔該硬焊層的5至40重量百分比。

較佳的是，其中該硬焊材料係包含至少一選自由鎳、鉻、硼、矽、鐵、碳及其組合所組成之群組。

較佳的是，其中以該硬焊材料之總重為基準，該硬焊材料含有2重量百分比至50重量百分比的鉻、2重量百分比至50重量百分比的硼、2重量百分比至50重量百分比的矽、2重量百分比至50重量百分比的鐵、0.01重量百分比至5重量百分比的碳，而其餘含量為鎳。

更佳的是，其中以該硬焊材料之總重為基準，該硬焊材料含有2重量百分比至12重量百分比的鉻、1重量百分比至5重量百分比的硼、1重量百分比至10重量百分比的矽、1重量百分比至10重量百分比的鐵、0.01重量百分比至0.1重量百分比的碳，而其餘含量為鎳。

較佳的是，其中該金屬材料係包含至少一選自由鐵、鉬、鎳、錳、鉻、矽、碳及其組合所組成之群組。

較佳的是，其中以該金屬材料之總重為基準，該金屬材料含有0.1重量百分比至10重量百分比的鉬、1重量百分比至30重量百分比的鎳、0.1重量百分比至20重量百分比的錳、1重量百分比至30重量百分比的鉻、0.1重量百分比至15重量百分比的矽、0.001重量百分比至1重量百分比的碳，而其餘含量為鐵。

更佳的是，其中以該金屬材料之總重為基準，該金屬材料含有0.5重量百分比至5重量百分比的鉬、1重量百分比至20重量百分比的鎳、0.5重量百分比至5重量百分比的錳、10重量百分比至25重量百分比的鉻、0.1重量百分比至5重量百分比的矽、0.01重量百分比至0.1重量百分比的碳，而其餘含量為鐵。

另擇的是，其中以該金屬材料之總重為基準，該金屬材料含有100重量百分比的鎳。

另擇的是，其中以該金屬材料之總重為基準，該金屬材料含有100重量百分比的鐵。

較佳的是，其中各金屬柱包含一底部、一頂部與該凹槽，該頂部係一體成型地接合於該底部，且該凹槽係內凹成型於該頂部； 而將各金屬柱設於對應之內凹部內之步驟包含： 將各金屬柱之底部固設於對應之內凹部內。

較佳的是，其中將各金屬柱之底部固設於對應之內凹部內之步驟包含： 將各金屬柱之底部透過一結合層固設於對應之內凹部內，該結合層之材料為陶瓷材料、硬焊材料、電鍍材料、金屬材料或高分子材料。更佳的是高分子材料係為環氧樹脂、聚酯樹脂、聚丙烯酸樹脂或酚醛樹脂。

較佳的是，其中燒結該待硬焊結構，以得該化學機械研磨修整器之步驟包含： 以溫度800°C至1100°C燒結該待硬焊結構，以得該化學機械研磨修整器。

較佳的是，其中該等金屬柱之材質為不鏽鋼或鐵。

本創作之製法所製成之化學機械研磨修整器可個別調整個金屬柱於內凹部之深度，藉此控制各研磨尖端的高度，以使得該等研磨尖端的高度達到一致，令該等研磨顆粒於修整拋光墊時均能被有效的利用。

如圖1和圖2所示，本實施例提供一種化學機械研磨修整器1的製造方法，係先提供一基板10，該基板10具有一表面11和複數內凹部12，該等內凹部12內凹成型於該基板10之表面11。於另一實施例中，該等內凹部係內凹成型於該基板之表面並貫穿該基板。

將複數金屬柱20藉由複數結合層50設於該等內凹部12內，各金屬柱20於該等內凹部12內的深度可隨製程的需求調整。各金屬柱20包含一底部21、一頂部22與一凹槽23，該底部21透過該結合層50固設於所對應之內凹部12內，該頂部22係一體成型地接合於該底部21，且該凹槽23係內凹成型於該頂部22，並且設置於相對該底部21之一端。該結合層50之材料為高分子材料，高分子材料為環氧樹脂。

將複數研磨顆粒40藉由複數硬焊層30設於該等金屬柱20之凹槽23內，以得一待硬焊結構，各研磨顆粒40具有一研磨尖端41，各研磨尖端41係位於該研磨顆粒40相對於該金屬柱20之一端。各硬焊層30包含一硬焊材料與一金屬材料，該硬焊材料和該金屬材料係呈粉末狀，以該硬焊層之總重為基準，該硬焊材料之含量為70 重量百分比(weight percentage，wt%)，該金屬材料之含量為30 wt%，換言之，該硬焊材料和該金屬材料之重量比為7：3，該硬焊材料包含鎳、鉻、硼、矽、鐵與碳，且以該硬焊材料之總重為基準，鉻佔7 wt%、硼佔3.1 wt%、矽佔4.5 wt%、鐵佔3 wt%、碳佔0.06 wt%，而其餘含量為鎳，該金屬材料包含鐵、鉬、鎳、錳、鉻、矽與碳，且以該金屬材料之總重為基準，鎳佔4 wt%、鉬佔3 wt%、錳佔2 wt%、鉻佔18 wt%、矽佔1 wt%與碳佔0.03 wt%，而其餘含量為鐵。

以溫度950°C燒結該待硬焊結構，以得該化學機械研磨修整器1。

本實施例另提供一種化學機械研磨修整器1，其包含：該基板10、該等金屬柱20、該等硬焊層30與該等研磨顆粒40。

該基板10呈圓盤狀並為不鏽鋼材質，該基板10具有該表面11與該等內凹部12，該等內凹部12內凹成型於該基板10之表面11。

該等金屬柱20為不鏽鋼材質並固設於該等內凹部12內，各金屬柱20包含一底部21、一頂部22與一凹槽23，各金屬柱20之底部21透過該結合層50固設於所對應之內凹部12內，該結合層50之材料為高分子材料，高分子材料為環氧樹脂。在本實施例中，各金屬柱20之底部21以金屬硬焊法並透過該結合層50裝設固定於對應之內凹部12內。

該頂部22係一體成型地接合於該底部21，且該凹槽23係內凹成型於該頂部22，並且設置於相對該底部21之一端。

該等硬焊層30設於該等金屬柱20之凹槽23內，各硬焊層30包含一硬焊材料與一金屬材料，該硬焊材料和該金屬材料係呈粉末狀，以該硬焊層之總重為基準，該硬焊材料之含量為70 wt%，該金屬材料之含量為30 wt%，換言之，該硬焊材料和該金屬材料之重量比為7：3，該硬焊材料包含鎳、鉻、硼、矽、鐵與碳，且以該硬焊材料之總重為基準，鉻佔7 wt%、硼佔3.1 wt%、矽佔4.5 wt%、鐵佔3 wt%、碳佔0.06 wt%，而其餘含量為鎳，該金屬材料包含鐵、鉬、鎳、錳、鉻、矽與碳，且以該金屬材料之總重為基準、鎳佔4 wt%、鉬佔3 wt%、錳佔2 wt%、鉻佔18 wt%、矽佔1 wt%與碳佔0.03 wt%，而其餘含量為鐵。

該等研磨顆粒40的材質為人造鑽石並藉由該等硬焊層30固設於該等金屬柱20之凹槽23內，各研磨顆粒40具有該研磨尖端41，各研磨尖端41係位於該研磨顆粒40相對於該金屬柱20之一端，且各研磨尖端41相對於該基板10之表面11的距離均相等，即各研磨尖端41的高度均相等。具體而言，如圖3所示，該等研磨顆粒40以金屬硬焊法並透過硬焊層30固設於該等金屬柱20之凹槽23內。

本實施例之化學機械研磨修整器1中各研磨尖端41的高度可透過調整對應之金屬柱20設於內凹部23中的深度來控制，藉使該等研磨尖端41的高度達到一致，使得該等研磨顆粒40於修整拋光墊時均能被有效的利用。對照例

本對照例提供一種化學機械研磨修整器，其大致係由實施例所提供之方法所製成，本對照例與實施例之差別在於，本對照例之硬焊層僅具有該硬焊材料。

如圖4所示，於本對照例所形成之化學機械研磨修整器中，該等研磨顆粒出現裂痕，其係由於燒結時，該等金屬柱、該等硬焊層和該等研磨顆粒的熱膨脹係數不同，因此待該化學機械研磨修整器冷卻後，該等金屬柱、該等硬焊層和該等研磨顆粒間存在有內應力，而使得該等金屬柱、該等硬焊層和該等研磨顆粒產生變形現象，進而導致該等研磨顆粒出現裂痕。

以上所述僅是本創作的較佳實例而已，並非對本創作做任何形式上的限制，雖然本創作已以較佳實施例揭露如上，然而並非用以限定本創作，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本創作技術方案的範圍內，當可利用上述揭示的技術內容做出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本創作之技術方案的內容，依據本創作的技術實質對以上實施例作任何簡單修改、等同變化與修改，均仍屬於本創作技術方案的範圍內。

1‧‧‧化學機械研磨修整器
10‧‧‧基板
11‧‧‧表面
12‧‧‧內凹部
20‧‧‧金屬柱
21‧‧‧底部
22‧‧‧頂部
23‧‧‧凹槽
30‧‧‧硬焊層
40‧‧‧研磨顆粒
41‧‧‧研磨尖端
50‧‧‧結合層
80‧‧‧基板
81‧‧‧焊料層
82‧‧‧鑽石研磨顆粒
821‧‧‧尖端

圖1為本創作之實施例的化學機械研磨修整器之一剖面圖。 圖2為本創作之實施例的化學機械研磨修整器之另一剖面圖。 圖3為本創作之實施例的化學機械研磨修整器之金屬柱及研磨顆粒的電子 顯微鏡圖。 圖4為本創作之對照例的化學機械研磨修整器之金屬柱及研磨顆粒的電子 顯微鏡圖。 圖5為現有技術之化學機械研磨修整器之外觀圖。 圖6為現有技術之化學機械研磨修整器之剖面圖。

1‧‧‧化學機械研磨修整器

10‧‧‧基板

11‧‧‧表面

12‧‧‧內凹部

20‧‧‧金屬柱

21‧‧‧底部

22‧‧‧頂部

23‧‧‧凹槽

30‧‧‧硬焊層

40‧‧‧研磨顆粒

41‧‧‧研磨尖端

50‧‧‧結合層

Claims (29)

1. 一種化學機械研磨修整器，其包含： 一基板，具有一表面與複數內凹部，該等內凹部內凹成型於該基板之表面； 複數金屬柱，其固設於該等內凹部內，各金屬柱包含一凹槽，該凹槽係內凹成型於各金屬柱相對於該基板之一端；以及 複數研磨顆粒，各研磨顆粒藉由一硬焊層設於對應之凹槽內，各研磨顆粒具有一研磨尖端，各研磨尖端係位於該研磨顆粒相對於該金屬柱之一端，且各研磨尖端相對於該基板之表面的距離均相等，該等硬焊層之材料包含一硬焊材料與一金屬材料。
2. 依據請求項1所述之化學機械研磨修整器，其中以該硬焊層之總重為基準，該硬焊材料之含量佔該硬焊層的60至95重量百分比；該金屬材料之含量佔該硬焊層的5至40重量百分比。
3. 依據請求項1所述之化學機械研磨修整器，其中該硬焊材料係包含至少一選自由鎳、鉻、硼、矽、鐵、碳及其組合所組成之群組。
4. 依據請求項3所述之化學機械研磨修整器，其中以該硬焊材料之總重為基準，該硬焊材料含有2重量百分比至50重量百分比的鉻、2重量百分比至50重量百分比的硼、2重量百分比至50重量百分比的矽、2重量百分比至50重量百分比的鐵、0.01重量百分比至5重量百分比的碳，而其餘含量為鎳。
5. 依據請求項3所述之化學機械研磨修整器，其中以該硬焊材料之總重為基準，該硬焊材料含有2重量百分比至12重量百分比的鉻、1重量百分比至5重量百分比的硼、1重量百分比至10重量百分比的矽、1重量百分比至10重量百分比的鐵、0.01重量百分比至0.1重量百分比的碳，而其餘含量為鎳。
6. 依據請求項1所述之化學機械研磨修整器，其中該金屬材料係包含至少一選自由鐵、鉬、鎳、錳、鉻、矽、碳及其組合所組成之群組。
7. 依據請求項6所述之化學機械研磨修整器，其中以該金屬材料之總重為基準，該金屬材料含有0.1重量百分比至10重量百分比的鉬、1重量百分比至30重量百分比的鎳、0.1重量百分比至20重量百分比的錳、1重量百分比至30重量百分比的鉻、0.1重量百分比至15重量百分比的矽、0.001重量百分比至1重量百分比的碳，而其餘含量為鐵。
8. 依據請求項6所述之化學機械研磨修整器，其中以該金屬材料之總重為基準，該金屬材料含有0.5重量百分比至5重量百分比的鉬、1重量百分比至20重量百分比的鎳、0.5重量百分比至5重量百分比的錳、10重量百分比至25重量百分比的鉻、0.1重量百分比至5重量百分比的矽、0.01重量百分比至0.1重量百分比的碳，而其餘含量為鐵。
9. 依據請求項6所述之化學機械研磨修整器，其中以該金屬材料之總重為基準，該金屬材料含有100重量百分比的鎳。
10. 依據請求項6所述之化學機械研磨修整器，其中以該金屬材料之總重為基準，該金屬材料含有100重量百分比的鐵。
11. 依據請求項1所述之化學機械研磨修整器，其中各金屬柱包含一底部、一頂部與該凹槽，各金屬柱之底部透過一結合層固設於所對應之內凹部內，該頂部係一體成型地接合於該底部，且該凹槽係內凹成型於該頂部。
12. 依據請求項11所述之化學機械研磨修整器，其中該結合層之材料為陶瓷材料、硬焊材料、電鍍材料、金屬材料或高分子材料。
13. 依據請求項1所述之化學機械研磨修整器，其中該等研磨顆粒係為鑽石、立方氮化硼、氧化鋁或碳化矽。
14. 依據請求項1所述之化學機械研磨修整器，其中該等金屬柱之材質為不鏽鋼或鐵。
15. 依據請求項1所述之化學機械研磨修整器，其中該等內凹部貫穿該基板。
16. 一種化學機械研磨修整器的製造方法，其包含： 提供一基板，該基板具有一表面和複數內凹部，該等內凹部內凹成型於該基板之表面； 將各金屬柱設於對應之內凹部內，各金屬柱包含一凹槽，該凹槽係內凹成型於各金屬柱相對於該基板之一端； 將複數研磨顆粒藉由複數硬焊層設於該等金屬柱之凹槽內，以得一待硬焊結構，各研磨顆粒具有該研磨尖端，各研磨尖端係位於該研磨顆粒相對於該金屬柱之一端，該等硬焊層包含一硬焊材料與一金屬材料； 燒結該待硬焊結構，以得一化學機械研磨修整器。
17. 依據請求項16所述之化學機械研磨修整器的製造方法，其中以該硬焊層之總重為基準，該硬焊材料之含量佔該硬焊層的60至95重量百分比；該金屬材料之含量佔該硬焊層的5至40重量百分比。
18. 依據請求項16所述之化學機械研磨修整器的製造方法，其中該硬焊材料係包含至少一選自由鎳、鉻、硼、矽、鐵、碳及其組合所組成之群組。
19. 依據請求項18所述之化學機械研磨修整器的製造方法，其中以該硬焊材料之總重為基準，該硬焊材料含有2重量百分比至50重量百分比的鉻、2重量百分比至50重量百分比的硼、2重量百分比至50重量百分比的矽、2重量百分比至50重量百分比的鐵、0.01重量百分比至5重量百分比的碳，而其餘含量為鎳。
20. 依據請求項18所述之化學機械研磨修整器的製造方法，其中以該硬焊材料之總重為基準，該硬焊材料含有2重量百分比至12重量百分比的鉻、1重量百分比至5重量百分比的硼、1重量百分比至10重量百分比的矽、1重量百分比至10重量百分比的鐵、0.01重量百分比至0.1重量百分比的碳，而其餘含量為鎳。
21. 依據請求項16所述之化學機械研磨修整器的製造方法，其中該金屬材料係包含至少一選自由鐵、鉬、鎳、錳、鉻、矽、碳及其組合所組成之群組。
22. 依據請求項21所述之化學機械研磨修整器的製造方法，其中以該金屬材料之總重為基準，該金屬材料含有0.1重量百分比至10重量百分比的鉬、1重量百分比至30重量百分比的鎳、0.1重量百分比至20重量百分比的錳、1重量百分比至30重量百分比的鉻、0.1重量百分比至15重量百分比的矽、0.001重量百分比至1重量百分比的碳，而其餘含量為鐵。
23. 依據請求項21所述之化學機械研磨修整器的製造方法，其中以該金屬材料之總重為基準，該金屬材料含有0.5重量百分比至5重量百分比的鉬、1重量百分比至20重量百分比的鎳、0.5重量百分比至5重量百分比的錳、10重量百分比至25重量百分比的鉻、0.1重量百分比至5重量百分比的矽、0.01重量百分比至0.1重量百分比的碳，而其餘含量為鐵。
24. 依據請求項21所述之化學機械研磨修整器的製造方法，其中以該金屬材料之總重為基準，該金屬材料含有100重量百分比的鎳。
25. 依據請求項21所述之化學機械研磨修整器的製造方法，其中以該金屬材料之總重為基準，該金屬材料含有100重量百分比的鐵。
26. 依據請求項16所述之化學機械研磨修整器的製造方法，其中各金屬柱包含一底部、一頂部與該凹槽，該頂部係一體成型地接合於該底部，且該凹槽係內凹成型於該頂部； 而將各金屬柱設於對應之內凹部內之步驟包含： 將各金屬柱之底部固設於對應之內凹部內。
27. 依據請求項26所述之化學機械研磨修整器的製造方法，其中將各金屬柱之底部固設於對應之內凹部內之步驟包含： 將各金屬柱之底部透過一結合層固設於對應之內凹部內，該結合層之材料為陶瓷材料、硬焊材料、電鍍材料、金屬材料或高分子材料。
28. 依據請求項16所述之化學機械研磨修整器的製造方法，其中燒結該待硬焊結構，以得該化學機械研磨修整器之步驟包含： 以溫度800°C至1100°C燒結該待硬焊結構，以得該化學機械研磨修整器。
29. 依據請求項16所述之化學機械研磨修整器的製造方法，其中該等金屬柱之材質為不鏽鋼或鐵。