TW201631887A - 用以提供用於可變阻抗匹配電路之控制信號的裝置及其方法 - Google Patents

Abstract

用以提供用於可變阻抗匹配電路的控制訊號之裝置包括控制模組，控制模組配置成產生控制訊號，用於調整耦合至天線模組之可變阻抗匹配電路的阻抗。控制模組配置成根據從位於接近天線模組的感測器電路收到之感測器訊號，產生控制訊號。感測器訊號包括與天線模組發射的電磁訊號之功率有關的資訊。

Description

用以提供用於可變阻抗匹配電路之控制信號的裝置及其方法

本揭示係關於可變阻抗匹配，特別關於提供用於可變阻抗匹配電路之控制訊號的裝置及其方法。

現有的行動應用(例如智慧型手機及/或平板電腦)對於內部天線效率具有強烈的依賴。天線的失配特徵在於天線阻抗的相位及電壓駐波比(VSWR)。在完美匹配期間，天線阻抗具有理想的VSWR=1。但是，事實上，在天線失配期間，VSWR值可以高達11至13。這會導致功率下降，造成行動裝置性能變差。

100‧‧‧裝置

101‧‧‧控制模組

102‧‧‧控制訊號

103‧‧‧感測器訊號

104‧‧‧可變阻抗匹配電路

105‧‧‧傳送器模組

106‧‧‧天線模組

113‧‧‧感測器電路

200‧‧‧傳送器配置

201‧‧‧控制模組

204‧‧‧可變阻抗匹配電路

205‧‧‧傳送器模組

206‧‧‧天線模組

207‧‧‧功率放大器

208‧‧‧雙工器模組

209‧‧‧耦合器模組

211‧‧‧回饋接收器模組

214‧‧‧偵測器電路

215‧‧‧數位轉換器電路

500‧‧‧訊號產生機構

501‧‧‧用於產生控制訊號的機構

600‧‧‧傳送器

604‧‧‧可變阻抗匹配電路

605‧‧‧傳送器模組

606‧‧‧天線模組

628‧‧‧裝置

700‧‧‧行動裝置

710‧‧‧收發器模組

720‧‧‧基頻帶處理器模組

730‧‧‧電源單元

僅以舉例說明方式、以及參考附圖，在下述中說明裝置及/或方法的某些實例，其中，圖1顯示提供用於可變阻抗匹配電路的控制訊號之裝 置；圖2顯示包含提供用於可變阻抗匹配電路的控制訊號之裝置的傳送器配置；圖3A至3D顯示提供用於可變阻抗匹配電路的控制訊號之裝置中的碼選取；圖4A及4B顯示提供用於可變阻抗匹配電路的控制訊號之裝置中的碼迴路；圖5顯示訊號產生機構；圖6顯示包含提供用於可變阻抗匹配電路的控制訊號之裝置或訊號產生機構之收發器的傳送器；圖7顯示包含提供用於可變阻抗匹配電路的控制訊號之裝置或訊號產生機構之行動裝置700及/或蜂巢式電話。

圖8顯示提供用於可變阻抗匹配電路的控制訊號之方法的流程圖。

【發明內容及實施方式】

現在將參考顯示某些實施例之附圖，更完整地說明各式各樣的實施例。在圖式中，為了清楚起見，放大線、層、及/或區域的粗細、因此，雖然實施例能夠具有各式各樣的修改及替代形式，但是，於此，將詳細說明圖式中顯示的實施例。但是，應瞭解，並非要將舉例說明的實施例限定於揭示的特定形式，相反地，實施例涵蓋落在申請專利範圍的範圍之內的所有修改、均等、及替代。在所有圖式說明中，類似代號意指 類似的元件。

將瞭解，當元件被稱為「連接」或「耦合」至另一元件時，其係直接連接或耦合至其它元件或是存在有中間元件。相反地，當元件被稱為「直接連接」或「直接耦合」至另一元件時，無中間元件存在。用以說明元件之間的關係的其它文字應以類似方式闡釋(例如，「在...之間」相對於「直接在...之間」、「相鄰於」相對於「直接相鄰於」、等等)。

此處使用的術語僅為了說明顯示的實施例，並非要限定的。除非文中另外清楚表示，否則，如同此處所使用般，單數形式「一(a)」、「一(an)」及「定冠詞(the)」也包含複數形式。將進一步瞭解，當此處使用「包括(comprises)」、「包括(comprising)」、「包含(includes)」、及/或「包含(including)」時，係指明所述的特點、整體、步驟、操作、元件及/或組件的存在，但未排除一或更多其它特點、整體、步驟、操作、元件、組件及/或其族群的存在。

除非另外指明，否則此處使用的所有術語(包含技術及科學術語)具有與習於此舉例說明的實施例所屬之技藝的一般技術者一般瞭解之意義相同的意義。又將瞭解例如字典中使用的一般定義之術語等術語應解釋為具有與相關技術的背景中的意義相符的意義，而且，除非此處明確表明，否則不應以理想化或過度拘泥的形式來解釋。

在下述中，各式各樣的實施例係關於無線或行動通訊系統中使用的裝置(例如行動裝置、蜂巢式電話、基地台)或裝置的組件(例如傳送器、收發器)。

舉例而言，行動通訊系統對應於例如第3代合夥專案(3GPP)標準化的行動通訊系統，例如行動通訊全球系統(GSM)、GSM演進強化資料速率(EDGE)、GSM EDGE無線電接取網路(GERAN)、高速分封接取(HSPA)、通用陸面無線電接取網路(UTRAN)或演進的UTRAN(E-UTRAN)、長程演進(LTE)或進階LTE(LTE-A)，或是依據不同標準的行動通訊系統，例如全球互通微波接取(WIMAX)IEEE 802.16或是無線區域網路(WLAN)IEEE 802.11，根據分時多接取(TDMA)、分頻多接取(FDMA)、正交分頻多接取(OFDMA)、分碼多接取(CDMA)等的任何一般系統。同義地使用行動通訊系統及行動通訊網路等詞。

行動通訊系統包括可操作以與行動收發器傳輸無線電訊號之眾多傳輸點或基地台收發器。在這些實施例中，行動通訊系統包括行動收發器、中繼站收發器及基地台收發器。中繼站收發器及基地台收發器由一或更多中央單元及一或更多遠端單元構成。

行動收發器或行動裝置相當於智慧型電話、蜂巢式電話、使用者設備(UE)、膝上型電腦、筆記型電腦、個人數位助理(PDA)、通用序列匯流排(USB)棒、平板電腦、汽車、等等。依3GPP術語，行動收發器或終端也稱為UE或是線上使用者。基地台收發器位於網路系統之固定的或不動的部份。基地台收發器相當於遠端無線電頭、傳輸點、存取點、巨胞、小胞、微胞、微微胞、飛胞、快捷(metro)胞等等。小胞一詞意指小於巨胞的任何胞，亦即微胞、微微胞、飛胞、或 快捷胞。此外，飛胞被視為小於微微胞，微微胞被視為小於微胞。基地台收發器可為有線網路的無線介面，能夠對UE、行動收發器或是中繼收發器傳送及接收無線電訊號。此無線電訊號符合無線電訊號，舉例而言，依3GPP標準化，一般而言，與上述列出的系統中之一或更多相符。因此，基地台收發器相當於節點B、e節點B、BTS、接取點、等等。中繼站收發器相當於基地台收發器與行動台收發器之間的通訊路徑中的中間網路節點。中繼站收發器可以分別將從行動收發器收到的訊號遞送至基地台收發器、將從基地台收發器收到的訊號遞送給行動台收發器。

行動通訊系統可以是蜂巢式的。胞一詞意指傳輸點、遠端單元、遠端頭、遠端無線電頭、基地台收發器、中繼收發器或節點B、e節點B分別提供的無線電服務之涵蓋區。可以同義地使用胞及基地台收發器等詞。在某些實施例中，胞相當於扇區。舉例而言，使用扇區天線，可以取得扇區，扇區天線提供用於涵蓋圍繞基地台收發器或遠端單元之角度區的特徵。在某些實施例中，舉例而言，基地台收發器或遠端單元可以分別操作涵蓋120°(在三個胞的情形)、60°(在六個胞的情形)的三或六個胞涵蓋扇區。類似地，中繼收發器可以在其涵蓋區中建立一或更多胞。行動收發器可以向至少一胞註冊或與其相關聯，亦即，其可以與胞相關聯，以致於可以使用專用通道、鏈路或連接而在相關聯胞的涵蓋區中的網路與行動裝置之間交換資料。行動收發器因而直接或間接地向中繼站或基地台收發器註冊或與其相關聯，其中，間接註冊或相 關聯可以經由一或更多中繼收發器。

圖1顯示提供用於可變阻抗匹配電路的控制訊號之裝置100。

裝置100包含控制模組101，配置成產生控制訊號102，用於調整耦合至天線模組之可變阻抗匹配電路的至少部份之阻抗。

控制模組101配置成根據從位於近接天線模組的感測器電路收到之感測器訊號103，產生控制訊號102。

感測器訊號103包含與天線模組發射的電磁訊號之功率有關的資訊。

由於根據天線模組真正發射的功率而調整可變阻抗匹配電路，所以，可以更準確地調整及/或控制發射的功率。舉例而言，這導致裝置實施於其中之傳送器模組的性能增進。

舉例而言，裝置100包含或是實施於包含提供用於可變阻抗匹配電路的控制訊號之電路的半導體晶片上或是晶粒上。裝置100配置成提供控制訊號102給用於傳送訊號(例如高頻或射頻訊號)及/或接收訊號(例如基頻帶訊號)的傳送器、接收器、或收發器的可變阻抗匹配電路。舉例而言，裝置100可以實施於行動電話或行動裝置中。

舉例而言，天線模組106可以是內部元件(例如，與裝置100相整合)或是連接至裝置之外部元件。舉例而言，天線模組106配置成根據傳送器模組產生的高頻(無線電波)傳送訊號而發射能量或功率。舉例而言，有時，天線模組106容易受到外部干擾(例如，由於使用者的頭部或手的位置)。舉例而 言，這些干擾可以改變天線模組106的(負載)阻抗，造成遞送要傳送給天線模組106及後續由天線模組106發射的資訊訊號之傳輸線之間的阻抗失配。舉例而言，當傳輸線具有特徵阻抗(例如50Ω)時，天線模組106無法匹配傳輸線特徵阻抗，造成天線模組失配引起的駐波反射。

可變阻抗匹配電路104配置成符合連接傳輸模組105至天線模組106的傳輸線與天線模組負載阻抗之間的阻抗。舉例而言，可變阻抗匹配電路104配置成改變或調變傳輸線(例如TRL)與天線模組106之間的阻抗，以致於執行最大功率轉移的是傳輸線及負載(例如天線模組)。舉例而言，可變阻抗匹配電路104包含至少一可調阻抗組件。舉例而言，至少一可調阻抗組件包含至少一可調電容器電路及可調電感器電路，用於調變阻抗。舉例而言，可變阻抗匹配電路104包含可調電容器網或是可調電感器網、或是包含電容器及電感器的混合之網路(例如T網路、L網路或π網路)。舉例而言，藉由匹配可變阻抗匹配電路的阻抗至天線模組阻抗，可以降低反射的(無線電)波或是反射的(無線電)訊號。舉例而言，可變阻抗匹配電路104包含天線調諧器電路。

舉例而言，感測器電路113可以位於離天線模組5mm至5cm(或例如5mm至20mm，或例如5mm至10mm)之間的距離。感測器電路113包含耦合至偵測器電路的場探測電路。舉例而言，偵測器電路(例如肖特基二極體偵測器或肖特基二極體r.m.s(均方根)偵測器)可以配置成決定天線模組106發射的及場探測(感測器)電路113感測的電磁EM訊號的r.m.s(均 方根)功率(或是EM訊號旳磁場成分)。感測器電路113包含磁阻線圈、霍爾感測器電路、電容電路、電感電路、及微條電感器電路、或是任何能夠感測天線模組發射的(經由空氣或大氣)射頻電磁(波)訊號之感測器電路。舉例而言，感測器電路113又經由一或更多電路組件(例如肖特基二極體r.m.s偵測器、及類比對數位ADC轉換器)及/或偵測器介面而耦合至控制模組。感測器電路113配置成以例如10μs至30μs(感測)時間間隔之感測頻率，測量天線模組發射的電磁訊號之功率。舉例而言，感測器電路113配置成以10μs至0.2s之間的時間間隔，測量天線模組發射的電磁訊號之功率。舉例而言，感測器電路配置成每10μs至30μs(例如每20μs)、或是每10μs至0.2s，重複地測量天線模組發射的電磁訊號的功率。

感測器電路113又配置成根據電磁訊號的功率測量以產生感測器訊號。由感測器電路提供給控制模組及由控制模組接收的感測器訊號103包含與天線模組發射的電磁訊號的功率有關的資訊。舉例而言，感測器訊號103包含與天線模組發射的電磁訊號的磁場成分的功率有關的資訊。選擇性地、增加地或替代地，感測器訊號包含發射的電磁訊號的電場成分的功率有關的資訊。舉例而言，感測器電路113包括與發射的電磁訊號的電場成分的功率成比例的電壓或電流，或是包括與發射的電磁訊號的電場成分的功率成比例的值。

裝置100可以耦合至傳送器模組105或是包括傳送器模組105，傳送器模組105包含一或更多電路組件(例如功率放大器及/或雙工器及/或本地振盪器電路及/或混合器)，所述一 或更多電路組件配置成執行基頻帶訊號升頻至要被傳送至天線模組的高頻(射頻)傳輸訊號。

傳送器模組105可為又包含接收器模組之收發器模組的一部份，接收器模組也包含配置成執行天線模組接收的高頻帶訊號降頻至基頻帶訊號之一或多個電路元件。

傳送器模組105、控制模組101及可變阻抗匹配電路104可以實施於共同半導體晶粒上。感測器電路113可以實施於共同半導體晶粒之外的另一(不同的)半導體晶粒上。

裝置100又包含耦合模組。傳送器模組105經由耦合器模組而耦合至可變阻抗匹配電路(例如天線調諧器模組)。舉例而言，傳送器模組經由例如具有特徵阻抗(例如50Ω)的至少一傳輸線而耦合至耦合器模組(例如指向性耦合器模組)。

舉例而言，耦合器模組配置成提供傳送訊號及傳送訊號的反射部份(例如反射訊號)的取樣，以致於可以各別地測量傳送訊號及反射訊號。舉例而言，耦合器模組可以配置成根據傳送器模組(對天線模組)提供(或產生)的高頻傳送訊號以提供前饋訊號。舉例而言，順向傳送波訊號是由傳送器模組產生且經由傳輸線而傳送至天線模組。舉例而言，耦合器模組也配置成根據來自天線模組之(由傳送器模組)收到的高頻傳送訊號之反射部分以提供反饋訊號。舉例而言，反饋訊號是根據反射波訊號，而反射波訊號是根據傳輸線與天線模組之間的阻抗失配。舉例而言，耦合器模組可由(或作為)指向(或指向性)耦合器實施。依此方式，耦合器模組可用以提供傳送訊號及反射訊號的取樣，用於順向傳送功率及反射功率的測量。

裝置100包含回饋接收器模組。舉例而言，耦合器模組可以配置成經由至少一(另外的)傳輸線及衰減器模組(用於降低前饋訊號或逆向回饋訊號的振幅)提供前饋訊號及反饋訊號給回饋接收器模組。

回饋接收器模組包含至少一偵測器(例如RF偵測器及/或相位偵測器)，配置成接收(或偵測)經過衰減的前饋訊號及經過衰減的反體訊號。回饋接收器模組包含控制電路、或是可以耦合至控制模組(例如控制模組101)，控制模組101配置成根據前饋訊號(例如前饋訊號的功率)及反饋訊號(例如反饋訊號的功率)而測量反射係數或是電壓駐波比(VSWR)值(振幅值)。舉例而言，回饋接收器模組或是控制模組(例如控制模組101)也配置成根據前饋訊號及反饋訊號(例如前饋訊號與反饋訊號之間的相位偏移)而決定相位偏移值。

決定的相位偏移值及VSWR值可以用以決定控制碼(例如第一或啟始內定控制碼)，控制碼可由控制模組用以產生用於調整可變阻抗匹配電路的阻抗之控制訊號。舉例而言，內定控制碼可為藉以預期合理阻抗匹配之控制碼(例如，藉以使性能標示符符合例如功率配送改良(PDI)值之控制碼)。舉例而言，可以測試另外的控制碼，以增進或最佳化性能值，例如增進功率配送改良值。舉例而言，可以根據內容控制碼以選取要受測試之另外的控制碼。

使用回饋接收器模組及/或控制模組以決定(第一或啟始)內定控制碼可以允許容易地決定內定控制碼(例如以減少的迭代次數)。在某些實施例中，回饋接收器模組可以從裝置中選 擇性地省略。取代根據VSWR振幅及/或回饋接收器模組或控制模組決定的相位值以決定(第一或啟始)內定控制碼，可以迭代地決定內定控制碼。但是，這會要求更大的迭代次數。

舉例而言，控制模組101可以配置成根據選取的控制碼以產生控制訊號。由於裝置100的控制模組101配置成根據感測器訊號103以產生控制訊號102，所以，可以根據天線模組發射的功率而產生控制訊號102。

舉例而言，控制模組101可以配置成從儲存在記憶體模組(例如非依電性記憶體電路)中的眾多控制碼中選取控制碼。舉例而言，控制模組101可以配置成產生控制訊號102，用於調整可變阻抗匹配電路的至少部份之阻抗。在某些實施例中，眾多控制碼可為與預定的VSWR(振幅)及相位值相關聯的預定控制碼。舉例而言，眾多控制碼可以根據預定的VSWR振幅值而配置在一或更多碼集合。

(至少一)控制碼包含阻抗調整資訊，用於調整可變阻抗匹配電路的至少一可調阻抗組件的阻抗。舉例而言，可變阻抗匹配電路包含二至四個可變阻抗組件(例如，電容器或電感器)。舉例而言，阻抗調整資訊包含電容值及電感值中至少之一，以用於調整可變阻抗匹配電路的至少部份之阻抗。

舉例而言，控制模組101可以配置成選取控制碼作為內定調整碼(例如，在電力開啟期間，內定控制碼可以根據測得的VSWR振幅及相位值)。舉例而言，控制模組101可以配置成另外地選取另外的控制碼序列，用以產生用於調整可變阻抗匹配電路的至少部份(例如可調阻抗組件)之阻抗的另外的控 制訊號序列。舉例而言，控制模組101可以配置成環繞內定調整碼以辨識提供更大或最大功率給天線模組之碼。舉例而言，控制模組可以配置成選取(以選取頻率)不同的控制碼。舉例而言，碼選取的頻率可以不同於或同於感測器電路執行的感測測量之感測頻率。在某些實施例中，控制模組可以配置成選取不同的控制碼以用於以10μs至30μs的時間間隔來產生控制訊號。

舉例而言，由於根據天線模組發射的電磁訊號的功率以選取用於調諧可變阻抗匹配電路之碼，所以，這可降低碼選取對導因於可變阻抗匹配電路本身(例如天線調諧器)之阻抗變異的依賴性。舉例而言，控制訊號的產生對於導因於天線模組及其它電路組件(例如印刷電路板的耦合器電路或電路組件)的負載變異之波動或干擾可以較不靈敏。

現有的行動應用(智慧型手機、平板電腦)因人體部份在天線上的波動(或干擾)(例如來自手及/或頭的影響)而高度地依賴內部天線效率。舉例而言，在技術領域中，這些干擾相當於內部天線的強烈失配。舉例而言，失配特徵在於新的天線阻抗之相位及/或VSWR(例如振幅)。舉例而言，藉由內定，可將天線阻抗視為50Ω(VSWR=1及任何角度)。但是，舉例而言，在失配的情形中，VSWR可以達到高達11至13的值，甚至更大。在某些情形中，失配損失與轉發器增益損失一起可達到12至14dB的值。因此，舉例而言，對於2G(第2代無線技術)，功率會從1瓦特掉至63mW。舉例而言，12dB會造成功率15.8倍小。

舉例而言，圍繞(或近接)天線設置場感測器可以與追蹤演繹法一起顯著地增加在所有可能的導因於頭及/或手的影響(或其它干擾)之Z ANT(天線阻抗)之發射功率。此外，舉例而言，天線調諧器的測量會造成對天線調諧器(AT)、耦合器及PCB(例如印刷電路板)的組件之寬容度的低靈敏性，而能在任何施加的頻率之情形中確保最大可利用的發射功率。施加用於AT碼的自行研究演繹法可以增進功能。舉例而言，可以更快速地執行穩態解決之道。圍繞暫時最佳化集合(例如內定碼集合)之碼集合旋轉可以用於收發器的TX(例如傳送器)及RX(接收器)鏈，藉以避免僅主導TX及使其不平衡。

舉例而言，可以添加場感測器(例如感測器電路)113以控制發射的功率。此添加的感測器允許Z ANT(天線模組的阻抗)容易被追蹤。舉例而言，在Z ANT測試(例如，使用耦合器模組及回饋接收器之VSWR振幅及相位測試)以及選取新的AT(天線調諧器)碼(例如內定控制碼)之後，韌體開始環繞經過圍繞選取的碼集合之碼，以及感測器對產生較大功率的碼進行測試。舉例而言，具有較大功率的碼被稱為「新的更新」。舉例而言，環繞「新的更新」的碼將立即繼續以找到新的最佳化碼。系統因而使用會在天線中產生最大功率之最佳的AT碼集。

舉例而言，場感測器(例如感測器電路)113設置成接近天線，而足夠靈敏以對天線模組發射的功率作有條件的場測量。舉例而言，感測器不會使天線性能變差。實際上，感測器可以植入或為連接至電流回饋接收器(FBR)或肖特基二極體 (例如肖特基二極體偵測器)或甚至是作為RF功率測試器(r.m.s)的接收器鏈之晶片電感器或是微條電感器。感測器可以從真正(例如事實上)發射的(r.m.s)功率之觀點，評估藉由AT(天線調諧器)碼之所有操作。

圖2顯示包含傳送器配置200，其包含用以提供用於可變阻抗匹配電路204的控制訊號之裝置。

傳送器配置200至少包含功率放大器207(PA)、耦合器模組209(例如射頻RF耦合器)、回饋接收器模組FBR 211(用於RF測量)、多件50Ω微條線之傳輸線(例如TRL1至TRL4)，及可變阻抗匹配電路204(例如，可切換的天線調諧器AT)。傳送器配置200包含傳送器模組205(包含功率放大器(PA)207及其它電路組件)以及具有可變複合天線阻抗ANT ZX之天線模組206。

舉例而言，傳送器模組205可以配置成產生高頻傳送訊號，高頻傳送訊號會從傳送器模組205傳送至天線模組206以由天線模組發射。舉例而言，傳送器模組205可以配置成至少執行基頻帶訊號(例如具有小於100MHz或小於500MHz之位於基頻帶域中的頻寬)升頻(例如，選擇性地放大及濾波)至裝置的射頻域。藉由混合基頻帶訊號與振盪器訊號以產生要送至外部接收器或是要遞送至天線模組之高頻傳送訊號(如射頻訊號)，而執行此點。

舉例而言，(高頻)傳送訊號包含多個具有一或更多頻帶(例如位於500MHz與10GHz之間)之訊號部份。舉例而言，傳送器模組205又包含或是耦合至用於放大高頻傳送訊號的 功率放大器207。在某些實施例中，傳送器模組205可以是收發器模組的一部份或是包含收發器模組，收發器模組配置成執行基頻帶訊號升頻至高頻傳送訊號以及執行高頻的收到的訊號降頻至低頻基帶訊號。舉例而言，傳送訊號可由天線模組傳送及接收。

傳送器配置200包含雙工器模組(DUP)208。雙工器模組208可以配置成允許使用相同的天線模組來傳送或接收具有傳送頻率的傳送訊號及具有不同的接收器頻率之接收器訊號。傳送器(或收發器模組205可以耦合至雙工器模組208。雙工器模組可以經由至少一傳輸線TRL4而耦合至耦合器模組209。

傳送器配置200包含耦合器模組209。耦合器模組209設於(或耦合於)傳送器模組205與天線模組206之間。舉例而言，耦合器模組209可以設於(或耦合於)傳送器模組205與可變阻抗匹配電路204之間。舉例而言，耦合器模組209可以設於(或耦合於)雙工器模組208與可變阻抗匹配電路204之間。舉例而言，傳送器模組205可以經由雙工器模組208、耦合器模組209及至少一傳輸線TRL4而耦合至可變阻抗匹配電路204。舉例而言，傳輸線TRL4將雙工器模組208耦合至耦合器模組209。

舉例而言，耦合器模組209可以配置成根據傳送器模組提供的高頻傳送訊號而提供前饋訊號以及根據從天線模組206接收的高頻傳送訊號的反射部份而提供反饋訊號。舉例而言，耦合器模組209可以經由至少一傳輸線TRL2而耦合至可 變阻抗匹配電路204。

耦合器模組209(例如實施成4埠指向耦合器或二個3埠指向耦合器)包含輸入埠、輸出埠、順向耦合埠(F)及逆向耦合(R)埠。所有埠都符合特徵阻抗(例如在寬頻的50Ω負載)。控制訊號(例如FW/RW及例如E/D)可由控制模組201產生以控制耦合器模組209的埠之耦合。舉例而言，控制訊號可以控制順向耦合埠及逆向耦合埠耦合至特徵阻抗(例如電阻器)及/或衰減器模組212。舉例而言，輸入埠可以藉由電連接或經由一或更多其它電元件(例如功率放大器及/或濾波器)而耦合至傳送器模組205。例如，輸出埠可以配置成藉由電連接或經由一或更多其它電元件(例如天線開關及/或濾波器)而耦合至可變阻抗匹配電路204的天線模組206。舉例而言，在順向耦合埠取得的訊號主要是由提供至輸入埠的訊號造成。舉例而言，由逆耦合埠取得的訊號主要由在逆耦合埠收到的訊號造成。換言之，在順向耦合提供的前饋訊號主要由在輸入埠收到的傳送訊號造成，以及，反饋訊號主要由在輸出埠收到之逆波訊號造成(例如由天線失配或接近裝置的物體反射造成)。

舉例而言，(高頻)傳送訊號可提供給耦合器模組的輸入埠。傳送訊號的主要部份從耦合器模組209的輸出埠提供給天線模組206。傳送訊號的次要部份由於順向耦合埠及耦合器模組的輸入埠的耦合(造成前饋訊號)而提供給耦合器模組的順向耦合埠。之後，舉例而言，雖然傳送訊號的一部份因天線失配(例如，導因於天線的變化阻抗負載)及/或在裝置附近的物體之訊號部份的一或更多反射(回波)而被反射，但是，傳送 訊號可由天線模組206傳送。

可以從傳送訊號導出前饋訊號。舉例而言，前饋訊號可以是傳送訊號本身的一部份，或是傳送訊號藉由傳送路徑與耦合器模組209的耦合元件(例如配置成接近傳送路徑的指向耦合器或轉換器)的電容或電感耦合而造成前饋訊號。舉例而言，裝置200包含代表配置在傳送路徑中的耦合器模組209之指向耦合器(舉例而言，在傳送訊號放大之後)。指向耦合器209從傳送訊號(施加至輸入埠)導出前饋訊號(在順向耦合埠)。

類似地，可以從傳送訊號導出反饋訊號。根據從傳送器模組205由天線模組206收到的傳送訊號之反射部份，產生反饋訊號。換言之，反饋訊號主要由在連接至天線模組206或可變阻抗匹配電路204之埠處收到的反向波訊號造成(例如，由天線失配或在裝置近處的物體之反射造成)。舉例而言，反饋訊號可以是在耦合器模組209本身的輸出埠收到的反向波之一部份。藉由電容地及/或電感地耦合反向傳送路徑與耦合器模組209的耦合元件，在輸出埠收到的反向波可以造成反饋訊號(例如，配置成接近傳送路徑之指向耦合器或轉換器)。

舉例而言，耦合器模組209可以耦合至回饋接收器模組211、以及回饋接收器模組211，及/或控制模組201可以配置成根據前饋訊號及反饋訊號而決定VSWR值(例如mag輸出)或是相位偏移值(pha)。耦合器模組209可以經由衰減器模組212及耦合於回饋接收器模組211與衰減器模組212之間的至 少一傳輸線TRL3，而耦合至回饋接收器模組211。回饋接收器模組211可以經由偵測器介面216而連接至衰減器模組212。

由於並非總是知道全[S]矩陣(例如包括與傳輸線TRL1及TRL2、AT阻抗有關的值之散射矩陣)以及AT[S]矩陣(包括與AT阻抗有關的值之散射矩陣)，所以，所決定的內定控制碼並無法總是在傳輸線與天線模組之間提供最佳化的阻抗匹配。

因此，傳送器配置200包含感測器電路213，配置成測量天線模組發射的射頻(RF)訊號的功率，以致於用於控制或改變可變阻抗匹配網路204的控制碼可以根據自天線模組發射的真實功率。

感測器電路213(例如電感式場探測)可以設於與天線模組206相距5mm至5cm之間的距離處。舉例而言，感測器電路213可以配置成測量天線模組206發射的射頻(RF)能量之一部份。感測器電路213可以耦合至配置成產生r.m.s訊號之偵測器電路214(例如，r.m.s偵測器，例如肖特基二極體r.m.s偵測器)。偵測器電路214可以耦合至類比對數位轉換器電路ADC 215，類比對數位轉換器電路ADC 215配置成產生數位r.m.s感測器訊號，數位r.m.s感測器訊號包含與天線模組發射的電磁訊號的功率相關的r.m.s功率資訊。ADC電路215可以經由偵測器介面(例如216)而分別連接至偵測器電路214。

舉例而言，ADC電路215可以配置成提供(數位)感測器訊號給可變阻抗匹配電路204。控制模組209可以配置成環繞經過圍繞選取的內定控制碼之眾多另外的控制碼(例如另外的 控制碼序列)，而感測器電路213根據另外的控制碼序列而測量天線模組發射的電磁訊號之功率。

舉例而言，可變阻抗匹配電路204可以經由至少一傳輸線TRL1而耦合至天線模組。天線調諧器AT(例如，可變阻抗匹配電路)204可用以增加配送給天線的功率。AT可被調諧至內定的天線阻抗，內定的天線阻抗在一般的情形中不一定等於50Ω。AT可以具有可依碼改變的二至四個可切換電容器。在真實的維護中，測量系統界定一直變化的電流天線阻抗。測得的阻抗可以由新的AT碼動態地匹配至50Ω或其它所需阻抗。

控制模組201可以耦合至可變阻抗匹配電路204，以及，可以配置成根據控制碼的選取而產生控制訊號。控制模組201可以配置成根據基於前饋訊號及反饋訊號之控制碼的選取而產生控制訊號(例如第一內定控制訊號)。舉例而言，控制模組可以配置成根據從前饋訊號及反饋訊號導出的電壓駐波比(VSWR)振幅值及相位偏移值，而選取控制碼(作為內定控制碼)。接著，控制模組201可以配置成根據環繞內定控制碼的碼而產生一或更多另外的控制訊號，以決定改良的內定控制碼。

天線調諧器AT適應程序包含由回饋接收器測量的耦合器埠(順向及逆向)及被計算的ZIN。舉例而言，ZIN可以是在AT-TRL2對測得的(複變)輸入阻抗。天線調諧器AT可以負載(或具有)未知的複變阻抗ZX-TRL1。然後，機板軟體可以計算或決定複變阻抗ZX(真正的值)。ZX可為包含TRL1件及天線模組 阻抗(ZANT)之複變阻抗。舉例而言，以VSWR/PHASE(例如VSWR振幅及相位)表示的ZX(真正的)直接地顯示哪一碼集合(例如，哪一內定碼集合)必須被選取。數個碼集合可以儲存在機板，用於VSWR=3,5,7,9,...13以及具有22.5度階差的相位。機板軟體可以建立適當的碼集合以用於調諧天線調諧器AT。ZX適應化完成。

在[S]矩陣定義中的誤差會導致強烈的PDI劣化，從可能的7至9dB至中度的2至3dB，有時是0至-2db功率。由於僅有未知的阻抗Z ANT可以被適當地校正及測量，但是，AT及TRL1/TRL2矩陣未知，所以，工廠校正無法完全解決此間題。

配合上述或下述實施例，提及更多細節及態樣(例如用於提供控制訊號的裝置、控制模組、控制訊號、可變阻抗匹配電路、可調整組件、天線模組、感測器訊號、感測器電路、傳送器模組、耦合器模組、回饋接收器模組、及傳輸線)。圖2中所示的實施例包括一或更多選加的特點，對應於與上述(例如圖1)或下述(例如圖3A至8)提出的概念或是一或更多實施例之一或更多態樣。

圖3A至3C顯示根據實施例之碼選取。

圖3A顯示碼集合310的實例。各控制碼包含阻抗調整資訊。舉例而言，各碼集合包含或含有十進位碼(C1、C2、C3)以調諧眾多可調整的組件。

舉例而言，控制模組(例如101、201)可以配置成根據從碼集合選取的控制碼以產生控制訊號。各碼集合包含眾多控 制碼。在一碼集合中的控制碼可以與相同的預測的預定電壓駐波比值但是不同的預定相位偏移值相關連。舉例而言，圖3A顯示VSWR=7、及VSWR相位值根據22.5度的階差增量而不同之碼集合。

可以在實驗室中預先產生碼集合，用於平均天線調諧器AT及傳輸線TRL1/TRL2特徵。舉例而言，預定的或預產生的控制碼包含根據不同的VSWR或相位值而特徵化之不同的阻抗調整值，用於使天線模組阻抗匹配傳線阻抗(例如50Ω阻抗)。例如圖3A中所示的碼集合對應於圖3B中所示的阻抗。眾多碼(及碼集合)可以儲存在記憶體模組中(例如非依電性記憶體電路)，記憶體模組實施成為裝置的一部份(例如與控制模組在相同的半導體晶片上)、或是在不同的半導體晶片上。

圖3B顯示對應於天線調諧器碼集合之計算的或測量的天線阻阬的圖320。

舉例而言，圖3B顯示以VSWR=3,5,7及所有相位特徵化的計算的或測量的天線阻抗Z。對應的(保證匹配的)天線調諧器AT碼可以儲存在記憶體中。每一天線阻抗Z ANT角度(例如360/16=22.5度)可以由對應的碼C1、C2、C3代表。對於每一VSWR=3,5至13，碼集合都存在。對於每一22.5度階差，每一碼集合都具有16個子組。舉例而言，星號326顯示對應於5與7之間的VSWR、以及45與67.5度之間的角度之測量的Z ANT。在從第一內定控制碼開始的碼集合迴路中，測試周圍的碼327，以決定造成天線的最大發射功率之控制碼。

圖3C顯示根據實施例之碼集合迴路330的實施例。舉例而言，控制模組可以配置成根據回饋接收器模組提供之VSWR及相位偏移值測量以選取(第一)內定控制碼(例如碼1)。控制模組接著開始環繞經過圍繞(第一)內定控制碼的碼。

舉例而言，如圖3C所示，每一子格(舉例而言，對於LTE為每一1ms)，控制模組跳至新的碼集合(例如從碼1開始，然後碼2，然後碼3，然後碼4)。換言之，控制模組可以選取一或更多另外的控制碼。控制模組可以接收對應於各選取的另外的控制碼之感測器訊號。根據場探測r.m.s輸出測量，控制模組可以決定哪一碼產生較大或較高的發射輸出功率。

舉例而言，碼1及碼2具有相同的VSWR值、但是不同的相位值，以及碼3及碼4具有相同的VSWR值(與碼1及碼2不同)及不同的相位值。舉例而言，碼1及4具有相同相位但不同的VSWR值，碼2及3具有相同相位(不同於碼1及4)但不同的VSWR值。結果，可以辨識更佳的相位及更佳的VSWR碼集合。

根據內定的控制碼(例如碼1)，控制模組配置成選取眾多的或序列的另外的控制碼。舉例而言，控制模組可以配置成根據與內定控制碼相關連的預定的相位值及預定的電壓駐波比值而選取另外的控制碼序列。在某些實施例中，在另外的控制碼序列中的至少一另外控制碼包含與內定控制碼相同的預定電壓駐波比值或相同的預定相位值之相關連的阻抗調整資訊。舉例而言，假使碼1是選取的內定控制碼，則碼2可 以具有與碼1相同的預定VSWR值、但是不同的相位值。

在某些實施中，與另外控制碼序列中的另外控制碼相關連的另外的預定電壓駐波比值及另外的預定相位值中之一與另外的控制碼序列中先前的另外控制碼相同。舉例而言，假使碼1是內定控制碼，則碼2具有與碼1相同的預定VSWR值及不同的相位值。碼3具有與碼2相同的相位值及不同的預定VSWR值。碼4具有與碼3相同的VSWR值及不同的相位值。

在某些實施例中，在另外的控制碼之序列中的各另外控制碼包含與另外的預定電壓駐波比值及另外的預定相位值相關連的阻抗調整資訊。另外的預定電壓駐波比值及另外的預定相位值位於與內定控制碼的阻抗調整資訊相關連的預定電壓駐波比值及另外的預定相位值的臨界範圍之內。舉例而言，假使另外的控制碼2至4在碼1(內定控制碼)的臨界範圍之內時，可以將它們選取成另外的控制碼序列之部份。

控制模組可以配置成根據基於另外的控制碼而由天線模組發射的電磁訊號之功率而選取另外的控制碼作為(新的暫時)內定控制碼。舉例而言，新的暫時內定控制碼之選取可以根據基於在天線模組測量的發射的功率而由感測器電路提供的感測訊號。舉例而言，控制模組可以配置成假使感測器訊號標示根據另外的控制碼而造成電磁訊號功率增加時，則選取另外的控制碼作為內定控制碼。舉例而言，控制模組可以配置成假使感測器訊號標示根據選取之另外的控制碼而造成電磁訊號功率的最大增加時，選取眾多另外的控制碼中另外的 控制碼作為內定控制碼。

選擇性地、增加地、或替代地，控制模組可以配置成選取控制碼作為內定控制碼及根據內定控制碼的阻抗調整資訊的調整而產生調整的控制碼。調整的控制碼可以用於產生另外的控制訊號，以用於調整可變阻抗匹配電路的至少部份之阻抗。

舉例而言，控制模組可以配置成藉由以預定調整值來調變電容值及電感值中至少之一，以調整阻抗調整資訊。

舉例而言，控制模組可以配置成假使感測器訊號標示根據調整的控制碼而造成電磁訊號的功率增加時，則以包含調整的阻抗資訊之調整的控制碼來更新碼集合。

舉例而言，控制模組可以配置成假使感測器訊號標示根據調整的控制碼而造成電磁訊號的功率增加時，則以包含調整的阻抗資訊之調整的內定控制碼來更新碼集合。

對於AT+TRL1/TRL2的某些平均組合，工廠下載碼集合可以是最佳化的。但是，AT/TRL的實數對(或是實數值)可以不同於預期且難以由校正及/或測量評估。場的感測器(例如場感測器)之存在可以允許選取的碼集合(從預定的LUT)之調整。舉例而言，使用使用的碼集合之自行研究程序，對在+/-1值範圍值中的C1(例如，可以用於調整第一可調整的組件之第一子碼)執行掃描。(舉例而言，以步階增量方式，例如使用階差式的阻抗值增加或扣減，以調整與各可調整的組件相關的阻抗資訊)。

假使感測器訊號增加(例如，假使由天線模組發射較大的 功率時)，則以調整的增量資訊來更新控制碼。舉例而言，假使感測器電路確認以新的子碼測得的功率變成較大時，將C1值改寫成新近的測試。舉例而言，假使發射的功率未增加，則控制碼也可維持不變。對各可調整組件執行相同的調整處理。舉例而言，對C2及/或C3子碼進行相同作業。逐漸地，將用於任何可能的VSWR(振幅)及相位值之所有的C1/C2/C3(例如所有子碼)改寫(更新)。由於雖然AT最初使用最佳碼，但是關於具體的[S]矩陣(例如散射矩陣)之AT碼具有無法被適當準確地界定之參數，所以，這會增進(平均的)發射功率。舉例而言，在韌體FW中更新及改寫選取的碼集合(用於具體的VSWR/相位)0.2秒或更短。

圖3D顯示根據實施例之測得的r.m.s功率317(例如在場探測輸出的r.m.s功率)相對於碼選取318的圖340。舉例而言，圖3D顯示碼集合圈繞期間感測器電路的輸出(功率)。

舉例而言，點A顯示依據內定選取的碼集合之啟始功率。舉例而言，在Z ANT測試之後，選取內定碼集合。當韌體關始環繞經過圍繞選取的碼集合之碼時，感測器測試會給予較大的功率之碼。可以選取不同的碼集合(或多個碼)(例如碼集合2、或是碼集合5)直到選取新的最佳化碼集合為止。具有更大的功率之碼稱為「新近更新」。圍繞「新近更新」碼的環繞立即繼續以找到新的最佳化碼。所以，系統總是使用在天線中造成較大功率之最佳的AT碼集合。

將瞭解，對於在AT輸入(PA輸出)之具有適當的返回損失係數之最小的轉發器損失，搜尋最佳的碼集合是最佳化的 或改良程序。選取的碼集合(舉例而言，在電力開啟時，對第一內定碼)對於某些平均條件是最佳化的：舉例而言，與額定的TRL1/TRL2、額定的AT特徵。相較於最大的可利用功率，上述組件的寬容度會導致較低的效率及較低的發射功率。

舉例而言，為了補償以寬容度解釋的損失，使用校正程序。藉由連接例如Z CALIB阻抗等已知的校正阻抗、以及測得的ZIM阻抗校正至期望值，而執行工廠校正。雖然TRL1/TRL2及AT寬容度本身不一定被準確地評估，但是，此方式可允許以良好準確度來測量未知的ZANT(天線阻抗)。此點之理由是導因於PA/TX(例如功率放大器/傳輸)洩漏至耦合器的F/R(順向及逆向)輸入(-40、...-60dBc)以及F/R輸出(埠)(+/-1dB)之間的失配。

因此，TRL1/TRL2及AT測量誤差的起因不一定消失。這可僅導因於寬容度或是由耦合器缺陷以及很多其它原因一起損壞。ADS模擬顯示由所有因素解釋之不確定區的尺寸：組件寬容度及耦合器缺陷。結果，即使在校正之後，相較於真實的全[S]矩陣(例如，包含關於或考慮天線調諧器及傳輸線TRL1和TRL2的阻抗值之阻抗值之散射矩陣)，選取的碼集合仍然以一角度及VSWR值偏移。對實體AT特徵分析之功率配送改良(PDI)顯示假使選取的碼集合及[S]矩陣未彼此相符時(導因於校正缺陷)，PDI(功率配送改良)會與失配成比例地強烈變差。導因於CODESET及[S]矩陣失配，PDI變差也由1、2及4mm之插入於AT與天線模組之間的增加的傳輸線所造 成。強烈的PDI變差會導因於錯誤校正的[S]矩陣。舉例而言，添加1、2及4mm的條線等同於相當於7.5度、15度及30度的[S]矩陣旋轉。舉例而言，假使碼集合人為地旋轉+30度以補償4mm條線影響時，PDI會恢復至更加良好的值。

儲存於記憶體中之依預定碼集合的天線調諧可以補償天線失配。但是，其不足以取得天線模組發射的最大功率。

天線調諧器AT適應程序包含由回饋接收器測量的耦合器埠(順向及逆向)及被計算的ZIN。舉例而言，ZIN可以是在AT-TRL2對測得的(複變)輸入阻抗。天線調諧器AT可以負載(或具有)未知的複變阻抗ZX-TRL1。然後，機板軟體可以計算或決定複變阻抗ZX(真正的值)。ZX可為包含TRL1件及天線模組阻抗(Z ANT)之複變阻抗。舉例而言，以VSWR/PHASE(例如VSWR振幅及相位)表示的ZX(真正的)直接地顯示哪一碼集合(例如，哪一內定碼集合)必須被選取。數個碼集合可以儲存在機板，用於VSWR=3,5,7,9,...13以及具有22.5度階差的相位。機板軟體可以建立適當的碼集合以用於調諧天線調諧器AT。ZX適應化完成。

在使用耦合器模組(順向及逆向埠)之Z ANT(或ZX)測量(VSWR及角度)時，碼集合必須(或可以)在機板被選取。校正允許阻抗Z ANT被測量但不允許評估AT及TRL1和TRL2寬容度。

使用查詢表LUT(用於預定的碼集合)之方法會因準確預測AT+TRL1/TRL2(天線調諧器阻抗)及因而[S]矩陣之有限的校正能力而導致必要的PDI劣化。嘗試使用反射的功率(在耦 合器的逆向輸出)可以改良返回損失，但是，會因相對於Z ANT之轉發器增益方向及返回損失的相反方向(經常)而使PDI劣化。

舉例而言，藉由圍繞選取的內定控制碼之碼環繞，選取的控制碼可以根據真實的發射功率，以及，降低對未知的天線調諧器阻抗之依賴性。此外，藉由碼環繞，取代強制AT返回至初始條件或參考碼以當在天線中遭遇阻抗變化時造成新阻抗，圍繞已選取的內定碼選取新的碼。因此，舉例而言，可以避免一般與轉回至參考碼位置相關連的天線中的功率下降。舉例而言，在返回至參考碼及再次測量ZANT之前，沒有明確的天線阻抗變化準則、及不必知道與其有關的資訊(例如，天線阻抗變化的程度)。所以，此動作必須被強制執行。結果，無法避免功率下降。因為在此埠很小的訊號、返回損失的相反方向及轉發器增益的改變，所以，返回損失(來自耦合器的逆向埠)無法被用於準確地測試阻抗變化。

在[S]矩陣定義中的誤差會導致強烈的PDI劣化，從可能的7至9dB至中度的2至3dB，有時是0至-2db功率。由於僅有未知的阻抗Z ANT可以被適當地校正及測量，但是，AT及TRL1/TRL2未知，所以，工廠校正無法完全解決此問題。由參考圖3A至3D所述及由裝置的控制模組執行的碼環繞可以避免這些挑戰。

配合上述或下述實施例，提及更多細節及態樣(例如用於提供控制訊號的裝置、控制模組、控制訊號、可變阻抗匹配電路、可調整組件、天線模組、感測器訊號、感測器電路、 碼環繞、碼調整、傳送器模組、耦合器模組、回饋接收器模組、及傳輸線)。圖3A至3D中所示的實施例包括一或更多選加的特點，對應於與上述(例如圖1及2)或下述(例如圖4A至8)提出的概念或是一或更多實施例有關的一或更多態樣。

圖4A及4B顯示根據實施例之提供用於可變阻抗匹配電路的控制訊號之裝置的碼迴繞或環繞之實施例。

圖4A顯示PDI(dB)419相對於相位(度)421之圖410。圖4A又顯示PDI的理想情形422及錯誤的[S]矩陣包含或根據耦合器缺陷和AT寬容度之情形423。在本實施例中，頻率1950MHz、VSWR情形=11、VSWR相位=135度、理想及以4mm的未補償TRL「偏移」之[S]矩陣。

圖4A顯示理想的[S]矩陣422及因4mm的未補償TRL之受損矩陣423之PDI。此4mm模仿導因於耦合器缺陷、AT寬容度及TRL1/2寬容度的全[S]矩陣損壞。PDI劣化可為7.8dB。如圖4B所示，使用VSWR及相位偏移，啟動圍繞選取點的碼集合環繞。

圖4B顯示PDI 424相對於碼集合425的圖420。圖4B顯示選取的(初始的)碼集合(VSWR=11、相位137.5度)之PDI具有很小的值，PDI=0.155dB。當監視感測器輸出時，將碼集合#9(VSWR=13，相位=137.5+22.5=160度)辨識為最佳的碼集合。舉例而言，相較於初始情形(碼集合#5)，其產生PDI=6.7dB或是6.5dB的改良。提出之實施例顯示碼滑動期間界定最佳碼集合的方法之能力。同時，±22.5度的相位階差會造成太大的功率下降(依具體考量的天線調諧器)。假使要求時，使用 約±8至16度之較小相位階差。對於此較小的相位階差，全碼集合的大小變得較大且在追蹤期間取得最佳化碼會耗費更長時間。但是，可以避免大的功率下降且通訊變得更穩定。

配合上述或下述實施例，提及更多細節及態樣(例如用於提供控制訊號的裝置、控制模組、控制訊號、可變阻抗匹配電路、可調整組件、天線模組、感測器訊號、感測器電路、碼環繞、碼調整、傳送器模組、耦合器模組、回饋接收器模組、及傳輸線)。圖4A及4B中所示的實施例包括一或更多選加的特點，對應於與上述(例如圖1至3)或下述(例如圖5至8)提出的概念或是一或更多實施例有關的一或更多態樣。

圖5顯示根據實施例之訊號產生機構500。

訊號產生機構500包含用於產生控制訊號的機構501，配置成產生控制訊號502以用於調整耦合至天線模組之可變阻抗匹配電路的至少部份之阻抗。

用於產生控制訊號的機構501配置成根據從設置成接近天線模組的感測器電路收到的感測器訊號503而產生控制訊號502。

感測器訊號503包含與天線模組發射的電磁訊號的功率有關的資訊。

由於根據天線模組真正發射的功率之可變阻抗匹配電路的調整，可以更準確地調整及/或控制發射的功率。舉例而言，這會導致裝置實施於其中之傳送器模組的性能增進。

舉例而言，感測器訊號503包含與天線模組發射的電磁訊號之磁場成分的功率有關的資訊。舉例而言，感測器電路 包含耦合至偵測器電路的場探測電路。偵測器電路配置成決定天線模組發射的及場探測電路感測的電磁訊號之r.m.s功率。感測器電路包含磁阻線圈、霍爾感測器電路、電容電路、電感電路、及微條感測器電路中至少之一。感測器電路位於離天線模組5mm至5cmm的距離處。

配合上述或下述實施例，提及更多細節及態樣(例如用於提供控制訊號的裝置、控制模組、控制訊號、可變阻抗匹配電路、可調整組件、天線模組、感測器訊號、感測器電路、碼環繞、碼調整、傳送器模組、耦合器模組、回饋接收器模組、及傳輸線)。圖5中所示的實施例包括一或更多選加的特點，對應於與上述(例如圖1至4B)或下述(例如圖6至8)提出的概念或是一或更多實施例有關的一或更多態樣。

圖6顯示根據實施例之傳送器600或收發器。

傳送器600包含耦合至可變阻抗匹配電路604之傳送器模組605。傳送器模組605配置成產生要由天線模組606傳送的高頻傳送訊號。

傳送器600又包含如參考圖1至5所述之裝置628，用以提供用於可變阻抗匹配電路604的控制訊號。

傳送器600又包含天線模組606，配置成根據高頻傳送訊號而發射電磁訊號。

配合上述或下述實施例，提及更多細節及態樣(例如用於提供控制訊號的裝置、控制模組、控制訊號、可變阻抗匹配電路、可調整組件、天線模組、感測器訊號、感測器電路、碼環繞、碼調整、傳送器模組、耦合器模組、回饋接收器模 組、及傳輸線)。圖6中所示的實施例包括一或更多選加的特點，對應於與上述(例如圖1至5)或下述(例如圖7及8)提出的概念或是一或更多實施例有關的一或更多態樣。

圖7顯示行動裝置700及/或行動電話。行動裝置700及/或行動電話包含實施於傳送器或收發器(例如600)內用於提供控制訊號的裝置(例如100)或是用於提供控制訊號的機構(例如500)。此外，行動裝置700包含基頻帶處理器模組720，至少產生要傳送的數位(例如基頻帶)訊號及/或處理基頻帶接收訊號。此外，行動裝置700包含電源單元730，至少供電給傳送器或收發器模組710及基頻帶處理器模組720。

另外的實施例關於行動裝置(例如行動電話、平板電腦或膝上型電腦)，包含上述傳送器或收發器。行動裝置或行動終端可以用於在行動通訊系統中通訊。

配合上述或下述實施例，提及更多細節及態樣(例如用於提供控制訊號的裝置、控制模組、控制訊號、可變阻抗匹配電路、可調整組件、天線模組、感測器訊號、感測器電路、碼環繞、碼調整、傳送器模組、耦合器模組、回饋接收器模組、及傳輸線)。圖7中所示的實施例包括一或更多選加的特點，對應於與上述(例如圖1至6)或下述(例如圖8)提出的概念或是一或更多實施例有關的一或更多態樣。

圖8顯示根據實施例之用以提供用於可變阻抗匹配電路的控制訊號之方法800。

方法800包含從設置成接近天線模組之感測器電路接收810感測器訊號，其中，感測器訊號包含與天線模組發射的電 磁訊號的功率有關的資訊。

方法800又包含產生820控制訊號，用於根據感測器訊號而調整耦合至天線模組之可變阻抗匹配電路的至少部份之阻抗。

由於根據天線模組真正發射的功率而調整可變阻抗匹配電路，所以，可以更準確地調整及/或控制發射的功率。舉例而言，這會導致裝置實施於其中之傳送器模組的性能增進。

選擇性地、增加地、或替代地，方法800又包含從儲存於記憶體模組中的眾多控制碼選取控制碼，其中，眾多控制碼配置於一或更多碼集合中。

選擇性地、增加地、或替代地，方法800又包含根據選取的控制碼而產生控制訊號。

選擇性地、增加地、或替代地，方法800又包含選取不同的控制碼，用於以10μs至30μs之間的時間間隔產生控制訊號。

選擇性地、增加地、或替代地，方法800又包含選取控制碼作為內定調整碼及又選取另外的控制碼序列以用於產生另外的控制訊號序列以調整可變阻抗匹配電路的至少部份之阻抗。

選擇性地、增加地、或替代地，方法800又包含根據導因於基於另外的控制碼而由控制模組產生的另外的控制訊號之與天線模組發射的電磁訊號的功率有關的資訊，選取另外的控制碼作為內定的控制碼。

選擇性地、增加地、或替代地，方法800又包含假使感 測器訊號標示根據另外的控制碼而造成電磁訊號功率增加時，選取另外的控制碼作為內定控制碼。

選擇性地、增加地、或替代地，方法800又包含假使感測器訊號標示根據選取的另外控制碼而造成電磁訊號功率最大的增加時，選取眾多另外的控制碼中的另外控制碼作為內定控制碼。

選擇性地、增加地、或替代地，方法800又包含選取一控制碼作為內定控制碼且根據內定控制碼的阻抗調整資訊之調整而產生調整的控制碼，以及，根據調整的控制碼而產生用於調整可變阻抗匹配電路的至少部份之阻抗的另外控制訊號。

選擇性地、增加地、或替代地，方法800又包含藉由以預定調整值來改變電容值及電感值中至少之一，調整阻抗調整資訊。

選擇性地、增加地、或替代地，方法800又包含假使感測器訊號標示根據調整的另外控制碼而造成電磁訊號功率增加時，以包含調整的阻抗資訊之調整的控制碼更新碼集合。

選擇性地、增加地、或替代地，方法800又包含假使感測器訊號標示根據調整的控制碼而造成電磁訊號功率增加時，選取包含調整的阻抗資訊之調整的控制碼作為內定控制碼。

配合上述或下述實施例，提及更多細節及態樣(例如用於提供控制訊號的裝置、控制模組、控制訊號、可變阻抗匹配電路、可調整組件、天線模組、感測器訊號、感測器電路、 碼環繞、碼調整、傳送器模組、耦合器模組、回饋接收器模組、及傳輸線)。圖8中所示的實施例包括一或更多選加的特點，對應於與上述(例如圖1至7)或下述提出的概念或是一或更多實施例有關的一或更多態樣。

各式各樣的實施例關於機器可讀取的儲存媒體，其包含當執行時會促使機器執行方法800之程式碼。

各式各樣的實施例關於電腦程式，其具有當於電腦或處理器上執行時用於執行方法800之程式碼。

各式各樣的實施例關於機器可讀取的儲存媒體，其包含機器可讀取的指令，當機器可讀取的指令被執行時會實施方法800、或實現裝置100或機構500，以用於提供控制訊號。

各式各樣的實施例關於在行動應用中的作業中具有自行研究的追蹤TX/RX(傳送器及接收器)天線調諧器演繹法。各式各樣的實施例關於使用場感測器及追蹤演繹法之天線調諧的適應方法。舉例而言，使用例如返回損失分析等間接方法並沒有技術能力可以增進天線效率。各式各樣的實施例可以使用發射的功率之直接功率感測器。感測器可以顯示有條件的(未校正的功率規模)功率。舉例而言，使用較大-較小原理，找出最佳的(或是改良的)天線調諧器碼。舉例而言，取決於天線相位，天線效率可以增加2至6dB。此外，所使用的方法顯示對於天線調諧器及使用的耦合器的寬容度之低靈敏性。

需要提供改良的概念，用以提供用於可變阻抗匹配電路的控制訊號，使得傳送器及/或收發器的性能能夠增進。

申請專利範圍的標的可以滿足此需求。

在下述中，實施例係關於另外的實例。實例1是用以提供用於可變阻抗匹配電路的控制訊號之裝置，包括控制模組，配置成產生控制訊號，用於調整耦合至天線模組之可變阻抗匹配電路的阻抗，其中，控制模組配置成根據從位於接近天線模組的感測器電路收到之感測器訊號，產生控制訊號，其中，感測器訊號包括與天線模組發射的電磁訊號之功率有關的資訊。

在實例2中，實例1的標的選擇性地包含感測器訊號，感測器訊號包括與天線模組發射的電磁訊號的磁場成分的功率有關的資訊。

在實例3中，實例1或2的標的選擇性地包含感測器電路，感測器電路包括耦合至偵測器電路之場探測電路，其中，偵測器電路配置成決定天線模組發射的及場探測電路感測的電磁訊號的均方根功率。

在實例4中，任何先前實例的標的選擇性地包含感測器電路，感測器電路包含磁阻線圈、霍爾感測器電路、電容電路、電感電路、及微條電感器電路中至少之一。

在實例5中，任何先前實例的標的選擇性地包含感測器電路，感測器電路位於離該天線模組5mm至5cm的距離處。

在實例6中，任何先前實例的標的選擇性地包含感測器電路，感測器電路配置成以10μs至30μs之間的時間間隔，測量天線模組發射的電磁訊號之功率。

在實例7中，任何先前實例的標的選擇性地包含可變阻抗匹配電路，可變阻抗匹配電路包括至少一可調阻抗組件， 其中，至少一可調阻抗組件包括可調電容器電路及可調電感器電路中至少之一。

在實例8中，任何先前實例的標的選擇性地包含傳送器模組，耦合至可變阻抗匹配電路，其中，傳送器模組配置成產生要由天線模組傳送的高頻傳送訊號。

在實例9中，任何先前實例的標的選擇性地包含位於傳送器模組與天線模組之間的耦合器模組，其中，耦合器模組配置成根據傳送器模組提供的高頻傳送訊號而提供前饋訊號以及根據從天線模組收到的高頻傳送訊號的反射部份而提供反饋訊號，其中，控制模組配置成根據基於前饋訊號及反饋訊號之控制碼的選取而產生控制訊號。

在實例10中，任何先前實例的標的選擇性地包含控制模組，配置成根據從前饋訊號及反饋訊號導出的電壓駐波比值及相位偏移值，而選取控制碼。

在實例11中，任何先前實例的標的選擇性地包含控制模組，配置成從儲存於記憶體模組中的眾多控制碼選取控制碼，其中，眾多控制碼配置於一或更多碼集合中，以及，其中，控制模組配置成根據選取的控制碼而產生控制訊號。

在實例12中，任何先前實例的標的選擇性地包含各碼集合，各碼集合包括與相同預定電壓駐波比值及不同預定相位偏移值相關聯的阻抗調整資訊之眾多控制碼。

在實例13中，實例11或12的標的選擇性地包含控制模組，配置成以10μs至30μs之間的時間間隔，選取用於產生控制訊號的不同控制碼。

在實例14中，實例11至13中任一實例的標的選擇性地包含至少一控制碼，至少一控制碼包括用於調整可變阻抗匹配電路的至少一可調整阻抗組件的阻抗之阻抗調整資訊。

在實例15中，實例14的標的選擇性地包含阻抗調整資訊，阻抗調整資訊包括用於調整可變阻抗匹配電路的阻抗之電容值及電感值中至少之一。

在實例16中，實例11至15中任一實例的標的選擇性地包含控制模組，配置成選取控制碼作為內定調整碼及又選取另外的控制碼序列以用以產生用於調整可變阻抗匹配電路的阻抗之另外控制訊號的序列。

在實例17中，實例11至16中任一實例的標的選擇性地包含控制模組，配置成根據標示基於另外的控制碼而由天線模組發射的電磁訊號的功率之感測器訊號而選取另外的控制碼序列的另外控制碼作為內定控制碼。

在實例18中，實例16或17的標的選擇性地包含控制模組，配置成假使控制訊號標示基於另外的控制碼造成電磁訊號的功率增加時，選取另外的控制碼序列的另外控制碼作為內定控制碼。

在實例19中，實例16至18中任一實例的標的選擇性地包含控制模組，配置成假使感測器訊號標示根據另外控制碼而造成電磁訊號功率最大的增加時，選取另外的控制碼序列中的另外控制碼作為內定控制碼。

在實例20中，實例16至19中任一實例的標的選擇性地包含控制模組，配置成根據與內定控制碼相關聯之預定的相 位值及預定的電壓駐波比值而選取另外的控制碼序列。

在實例21中，實例16至20中任一實例的標的選擇性地包含另外的控制碼序列中的各另外控制碼，各另外控制碼包括位於與內定控制碼的阻抗調整資訊相關聯之預定的相位值及另外的預定電壓駐波比值的臨界範圍內之預定的相位值及另外的預定電壓駐波比值相關聯的阻抗調整資訊。

在實例22中，實例16至21中任一實例的標的選擇性地包含另外的控制碼序列中的至少一另外控制碼作為內定控制碼，所述至少一另外控制碼包括與相同的預定的相位值或相同的預定電壓駐波比值相關聯的阻抗調整資訊。

在實例23中，實例16至22中任一實例的標的選擇性地包含與另外的控制碼的序列中先前的另外控制碼相同之另外的控制碼序列中的另外控制碼相關聯之另外的預定電壓駐波比值及另外的預定相位值中之一。

在實例24中，實例11至22中任一實例的標的選擇性地包含控制模組，配置成選取控制碼作為內定控制碼以及根據內定控制碼的阻抗調整資訊的調整而產生調整的控制碼，其中，調整的控制碼用以產生用於調整可變阻抗匹配電路的阻抗之另外的控制訊號。

在實例25中，實例24的標的選擇性地包含控制模組，配置成藉由以預定調整值改變電容值及電感值中至少之一以調整阻抗調整資訊。

在實例26中，實例24或25中任一實例的標的選擇性地包含控制模組，配置成假使感測器訊號標示根據調整的控制 碼造成電磁訊號的功率增加時，以包括調整的阻抗資訊之調整的控制碼來更新的碼集合。

在實例27中，實例24至26中任一實例的標的選擇性地包含控制模組，配置成假使感測器訊號標示根據調整的控制碼造成電磁訊號的功率增加時，選取包括調整的阻抗資訊之調整的控制碼作為內定控制碼。

實例28是訊號產生機構，包括用於產生控制訊號的機構，配置成產生用於調整耦合至天線模組之可變阻抗匹配電路的阻抗之控制訊號，其中，用於產生控制訊號的機構配置成根據從位於接近天線模組的感測器電路收到之感測器訊號，產生控制訊號，其中，感測器訊號包括與天線模組發射的電磁訊號之功率有關的資訊。

在實例29中，實例28的標的選擇性地包含感測器訊號，感測器訊號包括與天線模組發射的電磁訊號的磁場成分的功率有關的資訊。

在實例30中，實例28或29的標的選擇性地包含感測器電路，感測器電路包括耦合至偵測器電路之場探測電路，其中，偵測器電路配置成決定天線模組發射的及場探測電路感測的電磁訊號的均方根功率。

在實例31中，實例28至30中任一實例的標的選擇性地包含感測器電路，感測器電路包含磁阻線圈、霍爾感測器電路、電容電路、電感電路、及微條電感器電路中至少之一。

在實例32中，實例28至31中任一實例的標的選擇性地包含位於離該天線模組5mm至5cm的距離處。

實例33是傳送器，包括傳送器模組，耦合至可變阻抗匹配電路，其中，傳送器模組配置成產生要由天線模組傳送的高頻傳送訊號；根據任何先前的實例之用以提供用於可變阻抗匹配電路的控制訊號之裝置；以及，天線模組，配置成根據高頻傳送訊號而發射電磁訊號。

實例34是傳送器或收發器，包括根任何先前的實例1至32中任一實例之用以提供用於可變阻抗匹配電路的控制訊號之裝置。

實例35是行動裝置，包括根據實例33或34之傳送器或收發器。

實例36是行動電話，包括根據實例33或34之傳送器或收發器。

實例37是用以提供用於可變阻抗匹配電路的控制訊號之方法，方法包括從設置成接近天線模組之感測器電路接收感測器訊號，其中，感測器訊號包括與天線模組發射的電磁訊號的功率有關的資訊；以及，根據感測器訊號，產生用於調整耦合至天線模組的可變阻抗匹配電路的阻抗之控制訊號。

在實例38中，實例37的標的選擇性地包括從儲存於記憶體模組中的眾多控制碼選取控制碼，其中，眾多控制碼配置於一或更多碼集合中，以及根據選取的控制碼而產生控制訊號。

在實例39中，實例37或38的標的選擇性地包括選取不同的控制碼，用於以10μs至30μs之間的時間間隔產生控制訊號。

在實例40中，實例37至39中任一實例的標的選擇性地包括選取控制碼作為內定調整碼及又選取另外的控制碼序列以用於產生用於調整可變阻抗匹配電路的阻抗之另外控制訊號的序列。

在實例41中，實例38至40中任一實例的標的選擇性地包括根據導因於基於另外的控制碼而由控制模組產生的另外的控制訊號之與天線模組發射的電磁訊號的功率有關的資訊，選取另外的控制碼作為內定的控制碼。

在實例42中，實例38至41中任一實例的標的選擇性地包括假使感測器訊號標示根據另外的控制碼而造成電磁訊號功率增加時，選取另外的控制碼作為內定控制碼。

在實例43中，實例38至42中任一實例的標的選擇性地包括假使感測器訊號標示根據選取的另外控制碼而造成電磁訊號功率最大的增加時，選取眾多另外的控制碼中的另外控制碼作為內定控制碼。

在實例44中，實例38至43中任一實例的標的選擇性地包括選取一控制碼作為內定控制碼且根據內定控制碼的阻抗調整資訊之調整而產生調整的控制碼，以及，根據調整的控制碼而產生用於調整可變阻抗匹配電路的阻抗的另外的控制訊號。

在實例45中，實例38至44中任一實例的標的選擇性地包括藉由以預定調整值來改變電容值及電感值中至少之一，調整阻抗調整資訊。

在實例46中，實例38至45中任一實例的標的選擇性地 包括假使感測器訊號標示根據調整的控制碼而造成電磁訊號功率增加時，以包括調整的阻抗資訊之調整的控制碼來更新碼集合。

在實例47中，實例38至46中任一實例的標的選擇性地包括假使感測器訊號標示根據調整的控制碼而造成電磁訊號功率增加時，選取包含調整的阻抗資訊之調整的控制碼作為內定控制碼。

實例48是機器可讀取的儲存媒體，包含當執行時會促使機器執行實例37至47中之一的方法之程式碼。

實例49是機器可讀取的儲存媒體，包含當執行時會促使機器執行任何實例中主張的方法或裝置之機器可讀取的指令。

實例50是電腦程式，具有程式碼，當在電腦或處理器上執行時，用於執行實例37至47中之一的方法。

實施例又提供電腦程式，當電腦程式於電腦或處理器上執行時，具有用於執行上述方法中之一的程式碼。習於此技藝者將容易瞭解各式各樣的上述方法的步驟可由程式化的電腦執行。此處，某些實施例也要涵蓋程式儲存裝置，例如機器或電腦可讀取的且將機器可執行的或電腦可執行的指令程式編碼之數位資料儲存媒體，其中，指令執行上述方法中的某些或全部動作。程式儲存裝置可以為例如數位記憶體、例如磁碟及磁帶等磁性儲存媒體、硬碟機、或光學可讀取的數位資料儲存媒體。實施例也要涵蓋程式化成執行上述方法的動作之電腦、或是程式化成執行上述方法的動作之(現場)可編 程邏輯陣列((F)PLA))或(現場)可編程閘陣列((F)PGA))。

說明及圖式僅顯示揭示的原理。因此將瞭解，習於此技藝者將能夠設計此處未明確說明或顯示的、具體實施揭示原理的、以及包含在其精神及範圍之內的各式各樣配置。此外，所有此處記載的實施例主要在說明上僅是用於例示之目的以助於讀者瞭解發明人貢獻的揭示原理及概念，以使技藝進步，以及須被解釋為不限於這些具體記載的實例及條件。此外，此處記載揭示之原理、態樣、及實施例以及其特定實例的所有說明是要包含其全等性。

以「用於...的機構」表示之功能區塊(執行某功能)將被視為分別包括配置成執行某功能的電路之功能區塊。因此，「用於某物之機構」也將被瞭解為「配置成用於或適用於某物的機構」。因此，配置成執行某功能的機構並未意指此機構必定一直執行所述功能(在給定的時刻)。

圖式中所示的各式各樣元件的功能，包含標示為「機構」、「用於提供感測器訊號的機構」、「用於產生傳送訊號的機構」等等的任何功能區塊，可以經由使用專用的硬體而提供所述功能，例如「訊號提供器」、「訊號處理單元」、「處理器」、「控制器」、等等以及能夠與適當軟體相關連地執行軟體之硬體。此外，任何此處說明為「機構」的實體可以對應於或被實施成「一或更多模組」、「一或更多裝置」、「一或更多單元」、等等。當由處理器提供時，功能可由單一專用處理器、單一共用處理器、或是眾多個別的處理器提供，所述眾多個別處理器中的某些處理器可以被 共用。此外，明確使用「處理器」或「控制器」等詞不應被視為排它地意指能夠執行軟體的硬體，以及不明確地包含但非限於數位訊號處理器(DSP)硬體、網路處理器、特定應用積體電路(ASIC)、現場可編程閘陣列(FPGA)、用於儲存軟體的唯讀記憶體(ROM)、隨機存取記憶體(RAM)、及非依電性儲存器。也包含其它硬體、傳統的及/或客製的硬體。

習於此技藝者應瞭解，任何方塊圖於此代表具體實施揭示的原理的電路之概念視圖。類似地，將瞭解任何流程圖、流程圖示、狀態轉變圖、虛擬碼、等等都代表實質上呈現於電腦可讀取的媒體上的各式各樣的處理，以及不論是否明確地顯示電腦或處理器，都由電腦或處理器執行。

此外，下述申請專利範圍於此一併列入詳細說明中，其中，各申請專利範圍根據它自己作為分別實施例。雖然各申請專利範圍依賴它自己分別的實施例，但是，須注意，雖然附屬請求項在申請專利範圍中意指與一或更多其它請求項的特定結合，但是其它實施例也包含附屬請求項與各個其它附屬或獨立請求項之申請標的之結合。除非指明特定結合並非所要，否則於此建議這些組合。此外，即使申請項並非直接附屬至獨立請求項，仍然企圖也包含此請求項的特點至任何其它獨立請求項。

又注意，說明書中或申請專利範圍中揭示的方法可以由具有用於執行這些方法的各別動作中的各動作之機構的裝置來實施。

此外，須瞭解，說明書或申請專利範圍中揭示的多個動 作或功能的揭示不應解釋為在特定次序內。因此，除非動作或功能基於技術理由而為不可互換的，否則，多個動作或功能的揭示不會將這些動作或功能侷限於特定次序。此外，在某些實施例中，單一動作可以包含或是分成多個子動作。除非明確排除，否則，可以包含這些子動作作為單一動作的揭示的一部份。

100‧‧‧裝置

101‧‧‧控制模組

102‧‧‧控制訊號

103‧‧‧感測器訊號

104‧‧‧可變阻抗匹配電路

105‧‧‧傳送器模組

106‧‧‧天線模組

113‧‧‧感測器電路

Claims (25)

1. 一種用以提供用於可變阻抗匹配電路的控制訊號之裝置，包括：控制模組，配置成產生控制訊號，用於調整耦合至天線模組之可變阻抗匹配電路的阻抗，其中，該控制模組配置成根據從位於接近該天線模組的感測器電路收到之感測器訊號，產生該控制訊號，其中，該感測器訊號包括與該天線模組發射的電磁訊號之功率有關的資訊。
2. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，該感測器訊號包括與該天線模組發射的該電磁訊號的磁場成分的功率有關的資訊。
3. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，該感測器電路包括耦合至偵測器電路之場探測電路，其中，該偵測器電路配置成決定該天線模組發射的及該場探測電路感測的該電磁訊號的均方根功率。
4. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，該感測器電路包括磁阻線圈、霍爾感測器電路、電容電路、電感電路、及微條電感器電路中至少一者。
5. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，該感測器電路位於離該天線模組5mm至5cm之間的距離處。
6. 如前述申請專利範圍中任一項之裝置，其中，該感測器電路配置成以10μs至30μs之間的時間間隔，測量該天線模組發射的該電磁訊號之功率。
7. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，該可變阻抗匹配電路包括至少一可調阻抗組件，其中，該至少一可調阻抗組件包括可調電容器電路及可調電感器電路中至少一者。
8. 如申請專利範圍第1項之裝置，又包括耦合至該可變阻抗匹配電路之傳送器模組，其中，該傳送器模組配置成產生待由該天線模組傳送的高頻傳送訊號。
9. 如申請專利範圍第8項之裝置，又包括位於該傳送器模組與該天線模組之間的耦合器模組，其中，該耦合器模組配置成根據該傳送器模組提供的該高頻傳送訊號而提供前饋訊號以及根據從該天線模組收到的該高頻傳送訊號的反射部份而提供反饋訊號，其中，該控制模組配置成根據基於該前饋訊號及該反饋訊號之控制碼的選取而產生該控制訊號。
10. 如申請專利範圍第9項之裝置，其中，該控制模組配置成根據從該前饋訊號及該反饋訊號導出的電壓駐波比值及相位偏移值，而選取該控制碼。
11. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，該控制模組配置成從儲存於記憶體模組中的眾多控制碼選取控制碼，其中，該眾多控制碼配置於一或更多碼集合中，以及，其中，該控制模組配置成根據該選取的控制碼而產生該控制訊號。
12. 如申請專利範圍第11項之裝置，其中，各碼集合包括與相同預定電壓駐波比值及不同預定相位偏移值相關聯的阻抗調整資訊之眾多控制碼。
13. 如申請專利範圍第11項之裝置，其中，該控制模組配 置成以10μs至30μs之間的時間間隔，選取用於產生該控制訊號的不同控制碼。
14. 如申請專利範圍第11項之裝置，其中，該至少一控制碼包括用於調整該可變阻抗匹配電路的至少一可調整阻抗組件的阻抗之阻抗調整資訊。
15. 如申請專利範圍第14項之裝置，其中，該阻抗調整資訊包括用於調整該可變阻抗匹配電路的阻抗之電容值及電感值中至少一者。
16. 如申請專利範圍第11項之裝置，其中，該控制模組配置成選取控制碼作為內定調整碼及又選取另外的控制碼序列以用以產生用於調整該可變阻抗匹配電路的阻抗之另外控制訊號的序列。
17. 如申請專利範圍第11項之裝置，其中，該控制模組配置成根據標示基於該另外的控制碼而由該天線模組發射的電磁訊號的功率之感測器訊號而選取該另外的控制碼序列的另外控制碼作為該內定控制碼。
18. 如申請專利範圍第16項之裝置，其中，該控制模組配置成假使該感測訊號標示基於該另外的控制碼造成該電磁訊號的功率增加時，選取該另外的控制碼序列的另外控制碼作為該內定控制碼。
19. 如申請專利範圍第16項之裝置，其中，該控制模組配置成根據與該內定控制碼相關聯之預定的相位值及預定的電壓駐波比值而選取另外的控制碼序列。
20. 如申請專利範圍第16項之裝置，其中，在另外的控制 碼序列中的各另外控制碼包括位於與該內定控制碼的該阻抗調整資訊相關聯之預定相位值及預定電壓駐波比值的臨界範圍內之另外的預定相位值及另外的預定電壓駐波比值相關聯的阻抗調整資訊。
21. 如申請專利範圍第11項之裝置，其中，該控制模組配置成根據該內定控制碼的該阻抗調整資訊的調整而產生調整的控制碼，其中，該調整的控制碼用以產生用於調整該可變阻抗匹配電路的阻抗之另外的控制訊號。
22. 如申請專利範圍第21項之裝置，其中，該控制模組配置成藉由以預定調整值改變電容值及電感值中至少一者以調整該阻抗調整資訊。
23. 如申請專利範圍第21項之裝置，其中，該控制模組配置成假使該感測器訊號標示根據調整的控制碼造成該電磁訊號的功率增加時，以包括調整的阻抗資訊之該調整的控制碼來更新的碼集合。
24. 如申請專利範圍第21項之裝置，其中，該控制模組配置成假使該感測器訊號標示根據該調整的控制碼造成該電磁訊號的功率增加時，選取包括調整的阻抗資訊之該調整的控制碼作為該內定控制碼。
25. 一種用以提供用於可變阻抗匹配電路的控制訊號之方法，該方法包括：從設置成接近天線模組之感測器電路接收感測器訊號，其中，該感測器訊號包括與該天線模組發射的電磁訊號的功率有關的資訊；以及 根據該感測器訊號，產生用於調整耦合至該天線模組的可變阻抗匹配電路的阻抗之控制訊號。