TW201543806A - 電子裝置與其比較器 - Google Patents

Abstract

電子裝置包含取樣單元與放大單元。取樣單元選擇性地對第一輸入信號與第二輸入信號進行取樣，並產生差值信號。放大單元接收差值信號並產生輸出信號，其中放大單元經由第一預設電壓、第二預設電壓、第一系統供應電壓與第二系統供應電壓所驅動。第一預設電壓用以設置放大單元之操作點，且第二預設電壓大於第一系統供應電壓。

Description

電子裝置與其比較器

本發明是有關於一種電子裝置，且特別是有關於一種比較器。

比較器常被利用在各種感測應用中，例如觸控面板之感測電路等等。比較器用以對輸入信號與參考電壓進行比較，以產生比較結果。

目前常見的比較器多以互補式金屬氧化物半導體(CMOS)等方式進行實現。然而，利用CMOS實現之比較器的架構通常會利用到P型電晶體與N型電晶體，因此需要用到較繁瑣的製造程序，而使成本增加。此外，若CMOS之製造程序出現變異，可能會使得比較器之操作失效或產生錯誤的比較結果。

因此，如何能有效降低比較器之製造成本與操作可靠度，實屬當前重要研發課題之一，亦成為當前相關領域亟需改進的目標。

本揭示內容之一態樣係於提供一種電子裝置。電子裝置包含取樣單元與放大單元。取樣單元用以選擇性地對第一輸入信號與第二輸入信號進行取樣，並產生差值信號。放大單元用以接收差值信號並產生輸出信號，其中放大單元經由第一預設電壓、第二預設電壓、第一系統供應電壓與第二系統供應電壓所驅動。第一預設電壓用以設置放大單元之操作點，且第二預設電壓大於第一系統供應電壓。

綜上所述，本揭示內容所揭示之電子裝置能夠在製程變異下藉由多種電壓設置方式有效地提升操作可靠度。

為讓本揭示內容能更明顯易懂，所附符號之說明如下：

100‧‧‧比較器

120‧‧‧取樣單元

140、200、300、400‧‧‧放 大單元

142‧‧‧放大電路

VOUT‧‧‧輸出信號

VIN1、VIN2‧‧‧輸入信號

Q‧‧‧電壓增益

VC1、VC2‧‧‧控制信號

A、B‧‧‧節點

VSIG‧‧‧差值信號

VDD、VSS‧‧‧系統供應電壓

α‧‧‧偏移值

500‧‧‧光感測裝置

VINIT、VCC、VEE‧‧‧預設電壓

503‧‧‧光罩

600‧‧‧霍爾感測裝置

501、502‧‧‧光感測器

601‧‧‧霍爾元件

T1、T2、T3、T4、T5、T6、SW1、SW2、SW3‧‧‧開關

IDS1、IDS2、IDS3、IDS4、IDS6、IF1、IF2‧‧‧電流

C‧‧‧電容

VCC1、VINIT1、VEE1、VS1、VS3‧‧‧電壓

為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：第1A圖為根據本揭示內容之一實施例繪示比較器之示意圖；第1B圖為根據本揭示內容之一實施例繪示第1A圖中之比較器之操作時序圖；第2圖為根據本揭示內容之一實施例繪示一種放大單元的示意圖；第3A圖為根據本揭示內容之一實施例繪示一種放大單元的示意圖；第3B圖為根據本揭示內容之一實施例繪示第3A圖之放大單元在預設電壓調整前之電壓增益與差值信號之 關係曲線圖；第3C圖為根據本揭示內容之一實施例繪示第3A圖之放大單元在預設電壓調整後之電壓增益Q與差值信號之關係曲線圖；第4圖為根據本揭示內容之一實施例繪示一種放大單元的示意圖；第5圖為根據本揭示內容之一實施例繪示一種光感測系統的應用示意圖；以及第6圖為根據本揭示內容之一實施例繪示一種霍爾感測裝置的應用示意圖。

下文係舉實施例配合所附圖式作詳細說明，但所提供之實施例並非用以限制本發明所涵蓋的範圍，而結構操作之描述非用以限制其執行之順序，任何由元件重新組合之結構，所產生具有均等功效的裝置，皆為本發明所涵蓋的範圍。此外，圖式僅以說明為目的，並未依照原尺寸作圖。為使便於理解，下述說明中相同元件將以相同之符號標示來說明。

另外，關於本文中所使用之『耦接』或『連接』，均可指二或多個元件相互直接作實體或電性接觸，或是相互間接作實體或電性接觸，亦可指二或多個元件相互操作或動作。

請參照第1A圖，第1A圖為根據本揭示內容之一 實施例繪示比較器100之示意圖。如第1A圖所示，比較器100包含取樣單元120與放大單元140。取樣單元120用以選擇性地對輸入信號VIN1與輸入信號VIN2進行取樣，並產生差值信號VSIG。放大單元140電性耦接取樣單元120，並用以接收差值信號VSIG，以產生輸出信號VOUT。

於本揭示內容之各個實施例中，放大單元140設置以經由預設電壓VINIT、預設電壓VCC、系統供應電壓VDD與系統供應電壓VSS所驅動。上述之預設電壓VINIT可用以設置放大單元140之操作點，其中預設電壓VCC設置以高於系統供應電壓VDD，系統供應電壓VDD設置以高於系統供應電壓VSS。藉由上述之配置方式，當放大單元140之內部元件因製程誤差或長期使用產生變異時，可相應地將預設電壓VINIT與預設電壓VCC一起調高或調低，以降低內部元件變異之影響。如此，放大單元140操作可靠度得以改善。此處之相關操作將在後續段落詳細說明。

如第1A圖所示，於一些實施例中，取樣單元120包含開關SW1、開關SW2與電容C。開關SW1之第一端用以接收輸入信號VIN1，且開關SW1之控制端用以接收控制信號VC1。開關SW2之第一端用以接收輸入信號VIN2，且開關SW2之控制端用以接收控制信號VC2，其中上述之控制信號VC1與控制信號VC2設置為反相。電容C之第一端(亦即節點A)電性耦接至開關SW1之第二端與開關SW2之第二端。

再者，放大單元140包含開關SW3與放大電路 142。開關SW3之第一端電性耦接電容C之第二端(亦即節點B)，開關SW3之第二端用以接收預設電壓VINIT，且開關SW3之控制端用以接收控制信號VC1。放大電路142電性耦接至開關SW3之第一端(即節點B)，並根據控制信號VC1的時序接收差值信號VSIG與預設電壓VINIT。例如，放大電路142可在開關SW3被控制信號VC1導通時接收預設電壓VINIT，並在開關SW3被控制信號VC1關閉時接收差值信號VSIG與預設電壓VINIT疊加後的訊號，進而產生輸出信號VOUT。

以功能而言，開關SW1用以根據控制信號VC1選擇性地導通，以將輸入信號VIN1傳送至電容C進行儲存。同樣地，開關SW2可根據控制信號VC2選擇性地導通，已將輸入信號VIN2傳送至電容C進行儲存。電容C可根據所儲存之控制信號VC1與控制信號VC2而輸出差值信號VSIG。而開關SW3則根據控制信號VC1選擇性地導通，以將預設電壓VINIT傳送至電容C之第二端，藉此調整差值信號VSIG之信號位準，進而設置放大電路142之操作點。

第1B圖為根據本揭示內容之一實施例繪示第1A圖中之比較器100之操作時序圖。為了方便說明，請一併參照第1A圖與第1B圖。

於時間T1時，控制信號VC1切換至高位準電壓，開關SW1與開關SW3因此導通。輸入信號VIN1可經由開關SW1傳送至電容C，而使節點A之電壓位準切換至輸入信號VIN1之位準。同時，預設電壓VINIT經由開關SW3 傳送至電容C，而使節點B之電壓位準切換至預設電壓VINIT之位準。

於時間T2時，控制信號VC1切換至低位準電壓，開關SW1與開關SW3因此關斷，節點A之電壓位準仍維持在輸入信號VIN1之電壓位準，且節點B之電壓位準亦維持在預設電壓VINIT之電壓位準。

於時間T3時，控制信號VC2切換至高位準電壓，開關SW2因此導通。輸入信號VIN2可經由開關SW2傳送至電容C，而使節點A之電壓位準由輸入信號VIN1之位準切換至輸入信號VIN2之位準，此電位差之變化即為差值信號VSIG，亦即差值信號VSIG=VIN2-VIN1。同時，由於電容C之特性，節點B上亦會產生相同的電位差之變化，節點B之電壓位準因此由預設電壓VINIT之電壓位準往上提升了相同的電位差(亦即約為差值信號VSIG之振幅)。因此，放大電路142可將此差值信號VSIG進行放大。若放大電路142之電壓增益為Q，則可輸出Q倍之差值信號VSIG，亦即輸出信號VOUT=Q*VSIG。

如第1B圖所示，若當輸入信號VIN2大於輸入信號VIN1，則比較器100可輸出具有高位準電壓的輸出信號VOUT。反之，若當輸入信號VIN2小於輸入信號VIN1，則比較器100可輸出具有低位準電壓的輸出信號VOUT。因此，可藉由輸出信號VOUT之電壓位準得知輸入信號VIN1與輸入信號VIN2之比較結果。

本揭示內容以下段落將提出數個實施例，可用以實 現上述的放大單元140所述之功能與操作，但本揭示內容並不僅以下列的實施例為限。

請參照第2圖，第2圖為根據本揭示內容之一實施例繪示一種放大單元200的示意圖。如第2圖所示，放大單元200中的放大電路142包含開關T1與開關T2。開關T1之第一端用以接收系統供應電壓VDD，開關T1之第二端用以產生輸出信號VOUT，且開關T1之控制端用以接收預設電壓VCC。開關T2之第一端電性耦接開關T1之第二端，且開關T2之第二端用以接收系統供應電壓VSS，即輸出信號VOUT皆電性耦接開關T1之第二端與開關T2之第一端，且開關T2之控制端用以接收差值信號VSIG。

實作上，前述的開關T1與開關T2各自具有臨界電壓(threshold voltage)VTH。於正常操作下，預設電壓VCC會設置為大於系統供應電壓VDD與臨界電壓VTH之和的電壓VCC1，亦即VCC=VCC1>VDD+VTH，且預設電壓VINIT設置為電壓VINIT1。如第2圖所示，預設電壓VINT施加於開關T2之控制端，藉此設置放大電路142之操作點。因此，可視實際需求調整電壓VINIT1之值，以將放大電路142操作於適當的操作條件。當製程產生變異或元件老化，而使得開關T1與開關T2之臨界電壓VTH產生變異時，可藉由調整預設電壓VINIT與預設電壓VCC，以改善放大單元140之可靠度。

舉例而言，比較器100可應用於觸控面板之感測電路中。在正常操作時，經由上述之電壓設置，開關T2操作 於飽和區，而開關T1操作於線性區，因此開關T2之電流IDS2與開關T1之電流IDS1可分別表示為下式(1)與式(2)，其中β為開關T1與開關T2之製程參數：IDS2=(β/2)×[(VINT1+VSIG-VSS)-VTH]²…(1)

IDS1=(β/2)×[(VCC1-VOUT)-VTH-1/2(VDD-VOUT)]×(VDD-VOUT)…(2)

在多個觸控面板製造完成後，透過對各個面板進行測試，可得知各個面板之元件是否有出現變異。假設因為製程變異，使得其中一個面板所對應之感測電路中的開關T1與開關T2之臨界電壓VTH相較其他面板之開關T1與開關T2的臨界電壓VTH產生了偏移值α，其中α可為任意值。此時開關T2之IDS2A與開關T1之電流IDS1A可分別表示為下式(3)與式(4)：IDS2A=(β/2)×[(VINIT1+VSIG-VSS)-(VTH+α)]²…(3)

IDS1A=(β/2)×[(VCC1-VOUT)-(VTH+α)-1/2(VDD-VOUT)]×(VDD-VOUT)…(4)

上述偏移值α可藉由自動測試設備對各個面板進行各種電性參數(例如電壓、電流、臨界電壓等等)量測而得知。為了避免製程變異造成放大單元120的電壓增益Q偏移或操作失效，於此實施例中，可將預設電壓VINT設置為電壓VINT1與偏移值α之總和，亦即VINT=VINT1+α，並將預設電壓VCC設置為電壓VCC1與偏移值α之總和，亦即VCC=VCC1+α。將調整後的預設電壓VINT與預設電壓VCC再次帶入上述之式(3)與式(4)，可得到原先之式(1)與 式(2)。也就是說，藉由上述之配置，可改善製程變異或元件老化對開關T1與開關T2帶來之影響，進而使開關T1與開關T2可保持穩定的操作電流。上述調整電壓之操作，可藉由自動化測試設備或控制器所完成，但本揭示內容並不以此為限。

請參照第3A圖，第3A圖為根據本揭示內容之一實施例繪示一種放大單元300的示意圖。在上述第2圖之放大單元200中之放大電路142為單級放大器。在一些實施例中，放大電路142包含了多級串接的放大器，以具有更高的電壓增益Q。舉例而言，相較於放大單元200，放大單元300更經預設由電壓VEE所驅動，且放大單元300中的放大電路142更包含開關T3、開關T4、開關T5與開關T6。其中開關T1與開關T2構成第1級放大器，開關T3與開關T4構成了第2級放大器，且開關T5與開關T6構成了第3級放大器。上述僅為例示，本揭示內容並不以此為限，本領域具有通常知識者可根據所需要的電壓增益Q而選擇相應之放大電路142之架構。

具體而言，開關T1之第一端用以接收系統供應電壓VDD，且開關T1之控制端用以接收預設電壓VCC。開關T2之第一端電性耦接開關T1之第二端，且開關T2之第二端用以接收系統供應電壓VSS，且開關T2之控制端用以接收差值信號VSIG。開關T3之第一端用以接收預設電壓VCC，開關T3之控制端亦用以接收預設電壓VCC。開關T4之第一端電性耦接開關T3之第二端，開關T4之第二端 用以接收預設電壓VEE，且開關T4之控制端電性耦接開關T1之第二端，即開關T4之控制端皆電性耦接開關T1之第二端與開關T2之第一端。開關T5之第一端用以接收系統供應電壓VDD，開關T5之第二端用以產生輸出信號VOUT，且開關T5之控制端電性耦接開關T3之第二端，即開關T5之控制端皆電性耦接開關T3之第二端與開關T4之第一端。開關T6之第一端電性耦接開關T5之第二端，開關T6之第二端用以接收預設電壓VEE，且開關T6之控制端電性耦接開關T4之控制端，即開關T6之控制端皆電性耦接開關T4之控制端、開關T1之第二端與開關T2之第一端。

在正常操作下，預設電壓VEE設置為大於等於供應電壓VSS與臨界電壓VTH之和的電壓VEE1，亦即電壓VEE1≧VSS+VTH，以使開關T3、開關T4與開關T6皆操作於飽和區。因此開關T3之電流IDS3、開關T4之電流IDS4與開關T6之電流IDS6可分別表示為下式(5)、式(6)與式(7)，其中β為開關T1~T6之製程參數，VS1為開關T1之第二端的電壓，VS3為開關T3之第二端的電壓：IDS3=(β/2)×[(VCC1-VS3)-VTH]²…(5)

IDS4=(β/2)×[(VS1-VEE1)-VTH]²…(6)

IDS6=(β/2)×[(VS1-VEE1)-VTH]²…(7)

若感測電路中的多個開關T1~T6之臨界電壓VTH因製程變異產生偏移值α，此時開關T3之IDS3A、開關T4之電流IDS4A與流經開關T6之電流IDS6A可分別表示 為下式(8)、式(9)與式(10)：IDS3A=(β/2)×[(VCC1-VS3)-(VTH+α)]²…(8)

IDS4A=(β/2)×[(VS1-VEE1)-(VTH+α)]²…(9)

IDS6A=(β/2)×[(VS1-VEE1)-(VTH+α)]²…(10)

同樣地，為了避免製程變異之影響，可將預設電壓VCC設置為電壓VCC1與偏移值α之總和，亦即VCC=VCC1+α，並將預設電壓VEE設置為電壓VEE1與偏移值α之差值，亦即VEE=VEE1-α。將調整後的預設電壓VCC與預設電壓VEE再次帶入上述之式(8)、式(9)與式(10)，可得到原先之式(5)、式(6)與式(7)。

由於開關T1與開關T2與先前放大單元200類似，其操作電流之關係亦相同於前述之式(1)~式(4)，故於此不再贅述。藉由上述之多個預設電壓的配置方式，可有效地改善開關T1、開關T2、開關T3、開關T4與開關T6受到變異的影響。

第3B圖為根據本揭示內容之一實施例繪示第3A圖之放大單元300在預設電壓調整前之電壓增益Q與差值信號VSIG之關係曲線圖。第3C圖為根據本揭示內容之一實施例繪示第3A圖之放大單元300在預設電壓調整後之電壓增益Q與差值信號VSIG之關係曲線圖。

請一併參照第3A圖與第3B圖，其中假設上述之偏移值α分別為+3V、+2V、+1V、-1V、-2V與-3V。如第3A圖所示，在預設電壓VINIT、預設電壓VCC與預設電壓VEE尚未進行調整前，若多個開關T1~T6產生變異，會讓 放大單元300之電壓增益Q產生約2~10的變動。若當放大單元300之電壓增益Q過大，可能會使輸出信號VOUT過飽和，而使觸控面板之感測電路的操作失效。

相反地，如第3C圖所示，在預設電壓VINIT、VCC與VEE進行調整後，可看出放大單元300之電壓增益Q因製程變異的影響所產生變化範圍明顯變小，電壓增益Q皆可穩定落約在6~7之數值範圍。

請參照第4圖，第4圖為根據本揭示內容之一實施例繪示一種放大單元400的示意圖。相較於第3A圖中之放大單元300，放大單元400之開關T3之第一端設置以接收系統供應電壓VDD。於此例中，開關T3改操作於線性區，而達到不同的電壓增益Q之應用。其中，放大單元400內之其餘元件與其相關操作與上述第2圖與第3A圖所示之實施例類似，故相關描述於此不再重複贅述。

若當製程產生變異，開關T3之電流IDS3可表示為下式(ll)：IDS3=(β/2)×[(VCC-VS3)-(VTH+α)-1/2(VDD-VS3)]×(VDD-VS3)…(11)

同樣地，預設電壓VCC可設置為電壓VCC1與偏移值α之總和，亦即VCC=VCC1+α，而降低電流IDS3之變異。

值得注意的是，上述放大單元200、300或400之架構僅利用到單一類型之開關，因此可使製程成本降低，並可具有較佳的良率。本領域具有通常知識者可根據實際 需求所需之電壓增益或電路成本而選擇使用上述放大單元200、300或400之架構。上述放大單元200、300或400之架構僅為例示，本揭示內容並不以此為限，本領域具有通常知識者可相應置換其內部開關元件，以達成不同電壓增益。

於本揭示內容之各個實施例中，各個開關可為各類型之電晶體，例如為金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)、底閘型電晶體、頂閘型電晶體、薄膜電晶體等等。上述僅為例示，本發明並不以此為限

請參照第5圖，第5圖為根據本揭示內容之一實施例繪示一種光感測系統500的應用示意圖。本揭示內容所示之比較器100可應用於多種電子裝置，例如前述之觸控面板的感測電路、光感測裝置、霍爾感測裝置等應用。舉例而言，如第5圖所示，光感測裝置500包含光感測器501、光感測器502、光罩503與比較器100。光感測器501與光感測502可為光電二極體、光敏電阻等等。光感測器501用以偵測待測環境之光強度而產生輸入信號VIN1。光罩503設置在光感測器502上，以使光感測器502僅偵測待測環境之背景雜訊，以輸出輸入信號VIN2。如此，利用比較器100所輸出之輸出信號VOUT，可得知濾除背景雜訊後之光強度。其中，取樣單元(例如：第1A圖中的取樣單元120)與放大單元(例如：第1A圖中的放大單元140)之操作與前述第1A圖所示之實施例相同，故相關描述不再重複贅述。

請參照第6圖，第6圖為根據本揭示內容之一實施 例繪示一種霍爾感測裝置600的應用示意圖。如第6圖所示，霍爾感測裝置600包含霍爾元件601與比較器100。霍爾元件601用以根據電流IF1與電流IF2產生不同數值的輸入信號VIN1與輸入信號VIN2。當輸出信號VOUT越大，代表輸入信號VIN1與輸入信號VIN2之電壓差越大，亦即因電流IF1與電流IF2產生之磁場越大。如此，可藉由比較器100量測出霍爾元件100之兩端產生之磁場強度。其中，取樣單元(例如：第1A圖中的取樣單元120)與放大單元(例如：第1A圖中的放大單元140)之操作與前述第1A圖所示之實施例相同，故相關描述不再重複贅述。

綜上所述，本揭示內容所揭示之比較器可具有多種應用，並能夠在製程變異下藉由多種電壓設置方式有效地提升操作可靠度。

雖然本揭示內容已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本揭示內容之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本揭示內容之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧比較器

120‧‧‧取樣單元

140‧‧‧放大單元

142‧‧‧放大電路

VIN1、VIN2‧‧‧輸入信號

VOUT‧‧‧輸出信號

VC1、VC2‧‧‧控制信號

A、B‧‧‧節點

VSIG‧‧‧差值信號

VDD、VSS‧‧‧系統供應電壓

VINIT、VCC‧‧‧預設電壓

SW1、SW2、SW3‧‧‧開關

C‧‧‧電容

Claims (10)

1. 一種電子裝置，包含：一取樣單元，用以選擇性地對一第一輸入信號與一第二輸入信號進行取樣，並產生一差值信號；以及一放大單元，用以接收該差值信號並產生一輸出信號，其中該放大單元經由一第一預設電壓、一第二預設電壓、一第一系統供應電壓與一第二系統供應電壓所驅動，其中該第一預設電壓用以設置該放大單元之一操作點，且該第二預設電壓大於該第一系統供應電壓。
2. 如請求項1所述之電子裝置，其中該放大單元包含一開關，具有一臨界電壓，於正常操作時，該第一預設電壓為一第一電壓，該第二預設電壓為大於該第一系統供應電壓與該臨界電壓的總和的一第二電壓，當該開關發生變異時，該第一預設電壓設置為該第一電壓與該臨界電壓之一偏移值之總和，且該第二預設電壓設置為該第二電壓與該偏移值之總和。
3. 如請求項1所述之電子裝置，其中該取樣單元包含：一電容，用以產生該差值信號；一第一開關，用以根據一第一控制信號選擇性導通，以傳送該第一輸入信號至該電容；以及一第二開關，用以根據一第二控制信號選擇性導通，以傳送該第二輸入信號至該電容，其中該第一控制信號與該 第二控制信號為反相。
4. 如請求項3所述之電子裝置，其中該放大單元包含：一第三開關，用以根據該第一控制信號選擇性導通而傳送該第一預設電壓至該電容，以調整該差值信號之位準。
5. 如請求項4所述之電子裝置，其中該放大單元更經由一第三預設電壓所驅動，該第三預設電壓大於等於該第二系統供應電壓，該放大單元更包含複數個開關，每一該些開關包含一第一端、一第二端與一控制端，該些開關包含：一第四開關，其中該第四開關之該第一端用以接收該第一系統供應電壓，且該第四開關之該控制端用以接收該第二預設電壓；一第五開關，其中該第五開關之該第一端電性耦接該第四開關之該第二端，該第五開關之該第二端用以接收該第二系統供應電壓，且該第五開關之該控制端用以接收該差值信號；一第六開關，其中該第六開關之該第一端用以接收該第二預設電壓或該第一系統供應電壓，且該第六開關之該控制端用以接收該第二預設電壓；一第七開關，其中該第七開關之該第一端電性耦接該第六開關之該第二端，該第七開關之該第二端用以接收該第三預設電壓，且該第七開關之該控制端電性耦接該第四開關之該第二端； 一第八開關，其中該第八開關之該第一端用以接收該第一系統供應電壓，該第八開關之該第二端用以輸出該輸出信號，且該第八開關之該控制端電性耦接該第六開關之該第二端；以及一第九開關，其中該第九開關之該第一端電性耦接該第八開關之該第二端，該第九開關之該第二端用以接收該第三預設電壓，且該第九開關之該控制端電性耦接該第四開關之該第二端。
6. 如請求項5所述之電子裝置，其中於正常操作時，該第三預設電壓為一第一電壓，當該些開關發生變異時，該第一預設電壓設置為該第一電壓與該些開關之一臨界電壓之一偏移值之總和，該第二預設電壓設置為該第二電壓與該偏移值之總和，且該第三預設電壓設置為該第一電壓與該偏移值之差值。
7. 如請求項4所述之電子裝置，其中該放大單元更包含：一第四開關，包含一第一端、一第二端與一控制端，其中該第四開關之該第一端用以接收該第一系統供應電壓，該第四開關之該第二端用以產生該輸出信號，且該第四開關之該控制端用以接收該第二預設電壓；以及一第五開關，包含一第一端、一第二端與一控制端，其中該第五開關之該第一端電性耦接該第四開關之該第二 端，該第五開關之該第一端用以接收該第二系統供應電壓，且該第五開關之該控制端用以接收該差值信號。
8. 一種比較器，該比較器具有一輸出端，用以輸出一輸出信號，該比較器包含：一第一開關，包含一第一端、一第二端與一控制端，其中該第一開關之該第一端用以接收一第一輸入信號，且該第一開關之該控制端用以接收一第一控制信號；一第二開關，包含一第一端、一第二端與一控制端，其中該第二開關之該第一端用以接收一第二輸入信號，且該第二開關之該控制端用以接收一第二控制信號，其中該第一控制信號與該第二控制信號為反相；一電容，其中該電容之一第一端電性耦接該第一開關之該第二端與該第二開關之該第二端；一第三開關，包含一第一端、一第二端與一控制端，其中該第三開關之該第一端電性耦接該電容之一第二端，該第三開關之該第二端用以接收一第一預設電壓，且該第三開關之該控制端用以接收該第一控制信號；一第四開關，包含一第一端、一第二端與一控制端，其中該第四開關之該第一端用以接收一第一系統供應電壓，該第四開關之該第二端電性耦接至該比較器之輸出端，且該第四開關之該控制端用以接收一第二預設電壓；以及一第五開關，包含一第一端、一第二端與一控制端，其中該第五開關之該第一端電性耦接至該電容之該第二端， 該第五開關之該第二端用以接收一第二系統供應電壓，且該第五開關之該控制端電性耦接至該電容之該第二端。
9. 如請求項8所述之比較器，更包含：一第六開關，包含一第一端、一第二端與一控制端，其中該第六開關之該第一端用以接收該第二預設電壓或該第一系統供應電壓，且該第六開關之該控制端用以接收該第二預設電壓；一第七開關，包含一第一端、一第二端與一控制端，其中該第七開關之該第一端電性耦接該第六開關之該第二端，該第七開關之該第二端用以接收一第三預設電壓，且該第七開關之該控制端電性耦接該第四開關之該第二端；一第八開關，包含一第一端、一第二端與一控制端，其中該第八開關之該第一端用以接收該第一系統預設電壓，該第八開關之該第二端電性耦接至該輸出端，且該第八開關之該控制端電性耦接該第六開關之該第二端；以及一第九開關，包含一第一端、一第二端與一控制端，其中該第九開關之該第一端電性耦接該第八開關之該第二端，該第九開關之該第二端用以接收該第三預設電壓，且該第九開關之該控制端電性耦接該第四開關之該第二端。
10. 如請求項9所述之比較器，其中於正常操作時，該第一預設電壓為一第一電壓，該第二預設電壓為大於該第一系統供應電壓與該些開關之一臨界電壓的總和的一第二電 壓，該第三預設電壓為大於等於該第二系統供應電壓的一第三電壓，當該些開關發生變異時，該第一預設電壓設置為該第一電壓與該臨界電壓之一偏移值之總和，該第二預設電壓設置為該第二電壓與該偏移值之總和，且該第三預設電壓設置為該第三電壓與該偏移值之差值。