TW201542028A - 具有改良溫度均勻性的加熱平台 - Google Patents

Abstract

本發明大體上描述一種具有改良溫度均勻性的加熱平臺。各種實例提供平臺部分，其具有與其熱耦合的金屬化層。電接觸件可連接到金屬化層並被配置成傳導用於加熱金屬化層以及平臺部分的電流。電接觸件可包含電導體以及電阻加熱元件，電阻加熱元件被配置成當電流流過其時將加熱，從而產生減少從平臺部分吸收到電接觸件中的熱量的熱塊。

Description

具有改良溫度均勻性的加熱平台

本發明的實施例大體上涉及基板處理的領域，且更確切地說涉及具有用以維持平臺溫度均勻性的電力接觸件的高溫平臺。

離子植入是藉由已激發的離子直接轟擊基板，而將化學物質沈積到基板中的工藝。在半導體製造中，離子植入機主要用於改變目標材料的導電性的類型及水準的摻雜工藝。在積體電路(integrated circuit，IC)基板以及其薄膜結構中的精確的摻雜濃度(doping profile)對於恰當的IC性能是重要的。為了實現所需的摻雜濃度，可以不同的劑量並且在不同的能量下植入一或多種離子物質。

在一些離子植入工藝中，所需摻雜濃度是藉由在高溫(例如，在攝氏150到600度之間)下在目標基板中植入離子而實現。加熱目標基板可藉由在離子植入工藝期間將基板支撐在加熱平臺上來實現。典型加熱平臺可包含一或多個加熱元件，例如經由電 接觸件連接到電源的金屬化層。在操作期間，這些電接觸件可從金屬化層吸收一些熱，從而可有效地作為可降低加熱平臺的在鄰近於電接觸件的局部區域中的溫度的小散熱器。如將瞭解，加熱平臺的部分之間的任何溫度變化可能會影響傳遞到目標基板的熱的均勻性，這又可能不利地影響離子植入工藝。在一些情況下，此等溫度變化可能引起加熱平臺翹曲、彎曲，或甚至裂開。

鑒於前述，應理解需要確保加熱平臺中經由電連接件的熱損失被最小化，以便確保實質上均勻的平臺溫度。

提供此發明內容是為了以簡化形式介紹下文在具體實施方式中進一步描述的一系列概念。此發明內容並非意圖識別所主張的標的物的關鍵特徵或基本特徵，並且也非意圖作為對確定所主張的標的物的範圍的輔助。

大體來說，本發明的各種實施例提供具有改良溫度均勻性的加熱平臺。根據本發明的加熱平臺的第一示範性實施例可包含平臺部分、與所述平臺部分相連接的金屬化層、用於選擇性地加熱所述平臺部分的金屬化層，以及耦合到所述金屬化層以用於將電傳導到所述金屬化層的電接觸件，所述電接觸件包含電導體及電阻加熱元件，所述電阻加熱元件被設定大小並被配置成當電流經所述電阻加熱元件時增加電導體的一部分的溫度，從而最小化由電接觸件從金屬化層及平臺部分中的至少一者吸收的熱。

根據本發明的加熱平臺的第二示範性實施例可包含平臺部分；與平臺部分相關聯的金屬化層；支撐平臺部分的基底；安 置在平臺部分與基底之間的輻射遮罩，所述輻射遮罩用於減少從平臺部分到基底的熱傳遞；以及耦合到金屬化層並被配置成傳導電流以用於加熱金屬化層及平臺部分的電接觸件，所述電接觸件包含電導體及安置成與輻射遮罩及電導體接觸的熱傳導元件，熱傳導元件被配置成從輻射遮罩傳導熱到電導體，以最小化由電接觸件從金屬化層及平臺部分中的至少一者吸收的熱。

100、200、300、400、500、600、700‧‧‧平臺

102、202、302、402、602、702‧‧‧平臺部分

104、204、404、504、704‧‧‧輻射遮罩

106、406、706‧‧‧基底

108、408、708‧‧‧電極

110、310、410、610、710‧‧‧支撐表面

112、412、712‧‧‧臺面結構

114、414、714‧‧‧介面區域

116、216、316、416、516、616、716‧‧‧金屬化層

118、218、418、718‧‧‧電接觸件

120、122、220、222、420、720、722‧‧‧電導體

124、224、724‧‧‧電阻加熱元件

424、524、726‧‧‧熱傳導元件

現將藉由舉例參考附圖描述所揭示的裝置的各種實施例，在所述附圖中：圖1為根據本發明的實施例的第一示範性加熱平臺的部分橫截面圖。

圖2為根據本發明的實施例的第二示範性加熱平臺的部分橫截面圖。

圖3為根據本發明的實施例的第三示範性加熱平臺的部分橫截面圖。

圖4為根據本發明的實施例的第四示範性加熱平臺的部分橫截面圖。

圖5為根據本發明的實施例的第五示範性加熱平臺的部分橫截面圖。

圖6為根據本發明的實施例的第六示範性加熱平臺的部分橫截面圖。

圖7為根據本發明的實施例的第七示範性加熱平臺的部分橫截面圖。

本發明的實施例提供電源與加熱平臺之間的電接觸。在操作期間，所揭示的電接觸件的佈置可用於最小化從加熱平臺所吸收的熱量，以便最大化平臺中的溫度均勻性。如將瞭解，所揭示的電接觸件可實施在加熱平臺中，所述加熱平臺可用於在基板的處理期間支撐基板。舉例來說，加熱平臺可在離子植入工藝、電漿沉積工藝、蝕刻工藝、化學機械平坦化工藝或半導體基板將支撐在加熱平臺上的大體上任何工藝期間用於支撐基板。因此，描述示範性加熱平臺。然而，應瞭解，本發明的實施例不受本文中所描述的示範性加熱平臺限制，且可適用於在用於各種半導體製造工藝中的各種其他平臺應用中的任一者中。

圖1為示範性加熱平臺100的部分剖示圖。平臺100可包含平臺部分102、輻射遮罩104及基底106，其可以各種已知方式中的任一方式以垂直間隔堆疊關係耦合在一起。輻射遮罩104可用於減少從平臺部分102傳遞到相對冷的基底106的熱量。應瞭解，輻射遮罩因此可被配置成用於將熱遠離基底106的反射回平臺部分102。

平臺部分102可由適當耐熱材料形成，耐熱材料包含但不限於例如氧化鋁、氮化鋁、氮化硼或類似介電陶瓷的陶瓷材料。輻射遮罩104可由適當熱反射材料形成，熱反射材料包含但不限於鋁、不銹鋼、鈦或其他低輻射金屬。基底106可為掃描機構(圖中未示)的部分，或其可耦合到所述掃描機構，所述掃描機構能夠在處理操作期間以各種角度及/或旋轉位置定向平臺部分102 (及位於其上的基板)。

平臺部分102可包含用於產生靜電力的一或多個嵌入於其中的電極108，所述靜電力用於將基板(圖中未示)夾緊到平臺部分的支撐表面110上。平臺部分102的支撐表面110可為光滑的，或其可具備臺面結構112以用於減少與基板的背面接觸及用於減少背面顆粒的產生。平臺部分102的支撐表面110可另外具備多個可產生在支撐表面110與安裝在其上的基板之間的間隙的空腔或介面區域114。在一些實施例中，可供應這些介面區域114氣體，以用於改良或調節平臺部分102與其上安裝的基板之間的熱接觸。

金屬化層116可安置在平臺部分102的背面(圖1中的下面)上，以用於如下文將進一步所描述加熱平臺部分。金屬化層116可包含可印刷在平臺部分102的背面上或以其他方式應用到平臺部分102的背面，並以玻璃或其他電絕緣材料的層覆蓋的多個金屬跡線。當將電流施加到金屬化層116時，其可將電能量轉換成可經由平臺部分102傳導的熱，從而加熱安置於其中的基板。可藉由連接到電力供應器(圖中未示)的電接觸件118將電流供應到金屬化層116。雖然圖1中圖式顯示僅一個電接觸件118，但應理解平臺100可具備用於經由多個連接點，而將電流供應給金屬化層116的若干額外實質上類似的電接觸件。大體上，應提供至少兩個電接觸件以促進電流流經金屬化層116。

電接觸件118可包含第一低電阻電導體120及第二低電阻電導體122(例如，銅或鎳導線)，其可藉由安置在輻射遮罩104下方的電阻加熱元件124彼此耦合。電阻加熱元件124可由導電 材料形成，所述導電材料具有比第一電導體120及第二電導體122相對較高的電阻。在一個非限制性實例中，電阻加熱元件124可為導電線圈，在一個非限制性示範性實施例中所述導電線圈為鎳鉻合金線圈(Nichrome coil)。電阻加熱元件124可用以將由第一電導體120供應的電流量轉換成熱，從而增加電阻加熱元件124及第二電導體122的溫度。剩餘電流可流經電阻加熱元件124並流動到第二電導體122中以加熱金屬化層116及平臺部分102。

所說明實施例圖式顯示以水準佈置(即，電阻加熱元件的軸線大體上平行於平臺部分102及輻射遮罩104的平面)定位的電阻加熱元件124。應瞭解，此定向並非至關重要，且實際上電阻加熱元件可改為與平臺部分102及輻射遮罩104的平面正交而定位，或電阻加熱元件可以與所述平面成斜角而定向。電阻加熱元件的定向的類似變化也將適用于本文所揭示的替代實施例。

如上文所描述，電阻加熱元件124可形成為線圈，以用於最大化在給定空間量中的電阻加熱元件124的長度。此線圈可具有如圖1中所示的空心，或可具備機械支撐核心，例如可由介電質材料形成。應瞭解電阻加熱元件124可使用可類似地用以在傳送電流的同時將電流量轉化成熱的眾多其他結構及配置來實施。舉例來說，電阻加熱元件124可替代性地通過電阻材料塊、電阻材料帶或電阻材料網來體現。可預期且在不脫離本發明之下實施許多其他實施例。

在操作平臺100期間，電流可經由電接觸件118施加到金屬化層116，從而以上文所描述的方式加熱金屬化層116及平臺部分102。同時，電接觸件118中的電流可將電阻加熱元件124加 熱到預定溫度或溫度範圍。舉例來說，電阻加熱元件124或其至少一部分可被加熱到接近加熱平臺部分102的溫度(例如，攝氏150到600度)的溫度。在一個非限制性實施例中，電阻加熱元件124可被配置成當平臺部分102被加熱時加熱到與平臺部分102的溫度相差不超過攝氏100度的溫度。應瞭解，被加熱的電阻加熱元件124的確切溫度將取決於電阻加熱元件124的幾何形狀及材料以及施加到電阻加熱元件124的電流量。如此加熱的情況下，電阻加熱元件124可產生將第二電導體122的溫度增加到接近或等於平臺部分102的溫度的溫度的熱塊，因此最小化或消除從平臺部分吸收到電接觸件118中的熱。如將瞭解，如果電接觸件118比加熱平臺部分102顯著冷，那麼冷點會形成在平臺部分102中鄰近於電接觸件118的區域中，而可藉由防止或至少減少冷點的嚴重度而將更好的溫度均勻性提供給平臺部分102。

上文所描述的平臺100可預期地可使用各種替代性配置來實施而不脫離本發明的範圍。舉例來說，參看圖2，說明圖式顯示根據本發明的替代性加熱平臺200的部分剖示圖的框圖。平臺200可具有關於圖1的平臺100描述的一些或全部特徵，其中類似元件具有類似參考標號，以數字「2」開頭。然而，平臺200不同於平臺100，因為平臺200的電接觸件218(包含第一電導體220及第二電導體222，以及電阻加熱元件224)位於輻射遮罩204與平臺部分202之間，而平臺100的電阻加熱元件124位於輻射遮罩104與基底106之間。藉由將電接觸件218、第一電導體220、第二電導體222以及電阻加熱元件224安置在輻射遮罩204與平臺部分202之間，電阻加熱元件224的大小可被設定成較小(與 圖1的實施例相比)，因為其將位於形成於輻射遮罩與平臺部分之間的相對較高溫度區域中。

參看圖3，說明圖式顯示根據本發明的另一替代性加熱平臺300的部分剖示圖的框圖。平臺300可具有關於圖1的平臺100描述的一些或全部特徵，其中類似元件具有類似參考標號，以數字「3」開頭。平臺300不同於平臺100(以及平臺200)，因為在此實施例中的金屬化層316嵌入於平臺部分302內。此佈置可藉由將金屬化層316包夾於介電質材料(例如，氧化鋁)的兩個獨立層之間實現。此配置提供相對於平臺100及平臺200的背面金屬化層116及背面金屬化層216的優點，因為金屬化層316更靠近平臺部分302的支撐表面310而定位，且因此可更高效地加熱支撐表面310(即，在到達支撐表面310之前分散到整個平臺部分302中的熱較少)。

圖4說明圖式顯示示範性加熱平臺400的一部分的剖示圖的框圖。此實施例的加熱平臺400可類似於關於圖1描述的加熱平臺100，其中類似元件具有類似參考標號，以數字「4」開頭。如所描繪，平臺400可包含平臺部分402、輻射遮罩404及基底406，其可藉由例如機械扣件(圖中未示)而以垂直地間隔堆疊關係耦合在一起。輻射遮罩404可隔離熱平臺部分402且可防止或減少從平臺部分402到冷基底406的熱遷移。平臺部分402可由包含但不限於氧化鋁的適當的導熱材料形成。輻射遮罩404可由包含但不限於鋁的適當的熱反射材料形成。基底406可為掃描機構(圖中未示)的部分或耦合到所述掃描機構，以用於在處理操作期間促進平臺部分402的各種角度及/或旋轉的運動。

平臺部分402可具有嵌入於其中的用於產生靜電力的電極408，所述靜電力可將基板(圖中未示)保持在平臺部分402的支撐表面410上。平臺部分402的支撐表面410可為光滑的，或其可具備臺面結構412以用於減少與基板的背面接觸及用於減少背面顆粒的產生。平臺部分402的支撐表面410可另外具備多個可產生在支撐表面410與安裝在其上的平臺之間的間隙的空腔或介面區域414。在一些實施例中，可供應這些介面區域414氣體，以用於改良或調節平臺部分402與基板之間的熱接觸。

金屬化層416可安置在平臺部分402的背面(圖4中的下面)上，以用於如下文將進一步所描述加熱平臺部分。金屬化層416可包含可印刷在平臺部分的背面上或以其他方式應用到平臺部分的背面，並以玻璃或其他電絕緣材料的層覆蓋的多個金屬跡線。當將電流施加到金屬化層416時，其可將電能量轉換成可輻射到平臺部分402中並穿過平臺部分402的熱，從而加熱安置於其中的基板。電流可藉由連接到電力供應器(圖中未示)的電接觸件418供應到金屬化層416。雖然圖4的部分視圖中僅圖式顯示單一電接觸件418，但應理解平臺400可具備用於經由多個連接點而將電流供應給金屬化層416的若干額外實質上類似的電接觸件。

電接觸件418可包含可穿過熱傳導元件424的低電阻電導體420(例如，銅或鎳導線)，熱傳導元件424可安置在輻射遮罩404下方並與輻射遮罩404接觸。熱傳導元件424可由具有高熱導率及低導電性的材料形成。在一個非限制性實例中，熱傳導元件424可為氧化鋁塊。在如此佈置的情況下，熱傳導元件424 可吸收來自輻射遮罩404的熱且可傳導該熱到電導體420，從而增加電導體420的接近熱傳導元件424的部分的溫度。藉由增加電導體420的溫度，可最小化或消除從平臺400到電接觸件418的熱吸收。

如上文所描述，熱傳導元件424可由以套筒方式圍繞電導體420的氧化鋁塊形成。應瞭解，熱傳導元件424可使用可類似地用以從輻射遮罩404傳送熱量到電導體420的眾多其他結構及配置來實施。舉例來說，電導體420可粘附(例如，用熱傳導膏)到熱傳導元件424的外表面而不是穿過熱傳導元件424。或者，熱傳導元件424可由將電導體420連接到熱輻射遮罩404的熱傳導電絕緣材料的導線、條帶或網狀物體現。可不脫離本發明地預期實施許多其他實施例。

在平臺400的操作期間，電流可經由電接觸件418施加到金屬化層416，從而以上文所描述的方式加熱金屬化層416及平臺部分402。平臺部分402的背面可輻射熱，熱的一部分可由輻射遮罩404吸收。由於兩個元件之間的接觸，此熱中的一些可被傳輸到熱傳導元件424並以上文所描述的方式傳導到電導體420，從而將電導體420的一部分加熱到預定溫度或溫度範圍。舉例來說，電導體420的一部分可為被加熱到接近加熱平臺部分402的溫度(例如，攝氏150到600度)的溫度。應瞭解，電導體420的加熱部分的確切溫度將取決於電導體420及熱傳導元件424的幾何形狀及材料，以及由平臺部分402輻射的熱量。

因為電導體420的加熱部分可接近平臺部分402的溫度，所以可減少、最小化或消除從平臺部分吸收到電接觸件418 中的熱量。如將瞭解，如果電接觸件418比加熱平臺部分402顯著冷，那麼冷點會形成於平臺部分402中鄰近於電接觸件418的區域中，而可藉由最小化或消除冷點而增加平臺部分402的溫度均勻性。

可預期地，上文所描述的平臺400可使用各種替代性配置來實施而不脫離本發明的範圍。舉例來說，參看圖5，說明圖式顯示根據本發明的替代性加熱平臺500的部分剖示圖的框圖。此實施例的加熱平臺500可類似於關於圖4描述的加熱平臺400，其中類似元件具有類似參考標號，以數字「5」開頭。平臺500不同於平臺400，因為平臺500的熱傳導元件424位於輻射遮罩204上方，而平臺400的熱傳導元件424位於輻射遮罩404下方。

參看圖6，說明圖式顯示根據本發明的另一替代性加熱平臺600的部分剖示圖的框圖。此實施例的加熱平臺600可類似於關於圖4及圖5描述的加熱平臺400及加熱平臺500，其中類似元件具有類似參考標號，以數字「6」開頭。平臺600不同於平臺400及平臺500，因為金屬化層616嵌入於平臺部分602內。此可藉由將金屬化層616包夾於介電質材料(例如，氧化鋁)的兩個獨立層之間實現。此配置提供相對於平臺400及平臺500的背面金屬化層416及背面金屬化層516的優點，因為金屬化層616更靠近平臺部分602的支撐表面610而定位，且因此可更高效地加熱支撐表面610(即，在到達支撐表面610之前在整個平臺部分602中分散的熱較少)。

圖7說明圖式顯示示範性加熱平臺700的一部分的剖示圖的框圖。此實施例的加熱平臺700可類似於關於圖1及圖4描 述的加熱平臺100及加熱平臺400(再次，類似元件具有類似參考標號，以數字「7」開頭)。如所描繪，平臺700可包含平臺部分702、輻射遮罩704及基底706，其可用例如機械扣件(圖中未示)而以垂直地間隔堆疊關係(例如)耦合在一起。輻射遮罩704可隔離熱平臺部分702且可防止或減少從平臺部分702到相對冷基底706的熱遷移。平臺部分702可由包含但不限於氧化鋁的適當的導熱材料形成。輻射遮罩704可由包含但不限於鋁的適當的熱反射材料形成。基底706可由適當剛性及耐熱材料形成，且可耦合到可促進平臺700的各種角度及/或旋轉的運動的掃描器機構(圖中未示)。

平臺部分702可具有嵌入於其中的用於產生靜電力的電極708，所述靜電力可將基板(圖中未示)保持在平臺部分702的支撐表面710上。平臺部分702的支撐表面710可為光滑的，或其可具備臺面結構712以用於減少與基板的背面接觸及用於減少背面顆粒的產生。平臺部分702的支撐表面710可另外具備多個可產生在支撐表面710與安裝在其上的平臺之間的間隙的空腔或介面區域714。在一些實施例中，可供應這些介面區域714背面氣體，以用於改良或調節平臺部分702與基板之間的熱接觸。

金屬化層716可安置在平臺部分702的背面(圖7中的下面)上，以用於如下文將進一步所描述加熱平臺部分702。金屬化層716可包含可印刷在平臺部分702的背面上或以其他方式應用到平臺部分702的背面並以玻璃或其他電絕緣材料的層覆蓋的多個金屬跡線。當將電流施加到金屬化層716時，其可將電能量轉換成可輻射到平臺部分702中並穿過平臺部分702的熱，從而 加熱安置於其中的基板。電流可藉由連接到電力供應器(圖中未示)的電接觸件718供應到金屬化層716。雖然圖7的部分視圖中僅圖式顯示一個電接觸件718，但應理解平臺700可具備用於經由多個連接點而將電流供應給金屬化層716的若干額外實質上類似電接觸件。

電接觸件718可為上文所描述的電接觸件118與電接觸件418的混合，且可包含可藉由安置在輻射遮罩704下方的電阻加熱元件724而彼此耦合的第一低電阻電導體720及第二低電阻電導體722(例如，銅或鎳導線)。第二電導體722可穿過可安置在輻射遮罩704下方並與輻射遮罩704接觸的熱傳導元件726。電阻加熱元件724可實質性等同于上文所描述的電阻加熱元件124，且熱傳導元件726可實質性等同于上文所描述的熱傳導元件424。

在平臺700的操作期間，電流可經由電接觸件718施加到金屬化層716，從而以上文所描述的方式加熱金屬化層716及平臺部分702。同時，在電接觸件718中的電流可如上文所描述將電阻加熱元件724加熱到預定溫度或溫度範圍，且熱傳導元件726可如上文所描述將熱從輻射遮罩704傳導到第二電導體722的一部分。在如此加熱的情況下，電阻加熱元件724及第二電導體722可產生減輕從平臺部分702吸收到電接觸件718中的熱量的熱塊。如果電接觸件718比加熱平臺部分702顯著冷，那麼冷點會形成於平臺部分702中鄰近於電接觸件718的區域中，而可藉由防止或至少減少冷點的嚴重度將更好的溫度均勻性提供給平臺部分702。

可預期地，上文所描述的平臺700可使用各種替代性配置來實施而不脫離本發明的範圍。舉例來說，電阻加熱元件724及熱傳導元件726中的一或兩者可位於輻射遮罩704上方，如圖2及圖5中所示。替代性地或另外，金屬化層716可嵌入於平臺部分702內，如圖3及圖6中所示。

如本文所使用，以單數形式敍述並以字「一」進行的元件或步驟應理解為不排除多個元件或步驟，除非明確地敍述此排除。此外，對本發明的「一個實施例」的提及並不意圖解釋為排除併入有所敍述特徵的額外實施例的存在。

本發明的範圍不受本文所描述的具體實施例限制。實際上，所屬領域的一般技術人員除本文所描述的那些實施例和修改外根據以上描述和附圖將瞭解本發明的其他實施例和對本發明的修改。這些其他實施例和修改意圖屬於本發明的範圍。此外，儘管本文已出於特定目的在特定環境中在特定實施方案的上下文中描述了本發明，但所屬領域一般技術人員將認識到，本發明的效用不限於此，並且本發明可有利地在許多環境中實施用於許多目的。因此，應鑒於如本文所描述的本發明的全部廣度和精神來解釋所附申請專利範圍。

100‧‧‧平臺

102‧‧‧平臺部分

104‧‧‧輻射遮罩

106‧‧‧基底

108‧‧‧電極

110‧‧‧支撐表面

112‧‧‧臺面結構

114‧‧‧介面區域

116‧‧‧金屬化層

118‧‧‧電接觸件

120、122‧‧‧電導體

124‧‧‧電阻加熱元件

Claims (15)

1. 一種加熱平臺，包括：平臺部分；金屬化層，其與所述平臺部分相連接，所述金屬化層用於選擇性地加熱所述平臺部分；以及電接觸件，其耦合到所述金屬化層以用於傳導電力到所述金屬化層，所述電接觸件包括：電導體；以及電阻加熱元件，所述電阻加熱元件被設定大小並被配置成當電流經所述電阻加熱元件時增加所述電導體的一部分的溫度，從而最小化由所述電接觸件從所述金屬化層以及所述平臺部分中的至少一者吸收的熱。
2. 如申請專利範圍第1項所述的加熱平臺，其中所述電阻加熱元件為金屬線圈。
3. 如申請專利範圍第1項所述的加熱平臺，其中所述電阻加熱元件被配置成當所述平臺部分被加熱時，加熱到與所述平臺部分的溫度相差不超過攝氏100度的溫度。
4. 如申請專利範圍第1項所述的加熱平臺，其中所述電導體包括藉由所述電阻加熱元件彼此耦合的第一電導體以及第二電導體。
5. 如申請專利範圍第1項所述的加熱平臺，進一步包括支撐所述平臺部分以及所述金屬化層的基底。
6. 如申請專利範圍第5項所述的加熱平臺，進一步包括安置在所述平臺部分與所述基底之間的輻射遮罩，所述輻射遮罩被 配置成減少從所述平臺部分到所述基底的熱傳遞。
7. 如申請專利範圍第6項所述的加熱平臺，其中所述電接觸件進一步包括安置成與所述輻射遮罩以及與所述電導體的一部分接觸的熱傳導元件，所述熱傳導元件被配置成將熱從所述輻射遮罩傳導到所述電導體。
8. 如申請專利範圍第7項所述的加熱平臺，其中所述熱傳導元件為圍繞所述電導體並緊靠所述輻射遮罩的導熱材料塊。
9. 一種具有改良溫度均勻性的加熱平臺，包括：平臺部分；金屬化層，其與所述平臺部分相連接；基底，其支撐所述平臺部分；輻射遮罩，其安置在所述平臺部分與所述基底之間，所述輻射遮罩用於減少從所述平臺部分到所述基底的熱傳遞；以及電接觸件，其耦合到所述金屬化層並被配置成傳導用於加熱所述金屬化層以及所述平臺部分的電流，所述電接觸件包括：電導體；以及熱傳導元件，其安置成與所述輻射遮罩以及所述電導體接觸，所述熱傳導元件被配置成將熱從所述輻射遮罩傳導到所述電導體，以最小化由所述電接觸件從所述金屬化層以及所述平臺部分中的至少一者吸收的熱。
10. 如申請專利範圍第9項所述的加熱平臺，其中所述熱傳導元件為圍繞所述電導體並緊靠所述輻射遮罩的導熱材料塊。
11. 如申請專利範圍第9項所述的加熱平臺，其中所述熱傳導元件被配置成當所述平臺部分被加熱時，將所述電導體的一部 分加熱到與所述平臺部分的溫度相差不超過攝氏100度的溫度。
12. 如申請專利範圍第9項所述的加熱平臺，其中所述電接觸件進一步包括電阻加熱元件，所述電阻加熱元件被配置成當電流流經其中時增加溫度，從而減少從所述平臺部分吸收到所述電接觸件中的熱量。
13. 如申請專利範圍第12項所述的加熱平臺，其中所述電阻加熱元件為金屬線圈。
14. 如申請專利範圍第12項所述的加熱平臺，其中所述電導體包括藉由所述電阻加熱元件彼此耦合的第一電導體以及第二電導體。
15. 如申請專利範圍第9項所述的加熱平臺，其中所述平臺部分以及所述熱傳導元件安置在所述輻射遮罩的同一側。