TW201532334A

TW201532334A - 有機發光顯示設備

Info

Publication number: TW201532334A
Application number: TW103131831A
Authority: TW
Inventors: Jae-Kyung Go
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2014-02-05
Filing date: 2014-09-16
Publication date: 2015-08-16
Also published as: KR20150092823A; US9276049B2; CN104821325A; US20150221707A1; CN110379843A; CN104821325B; CN110379843B; KR102205402B1

Abstract

有機發光顯示設備具有在絕緣層(例如，像素定義層)形成期間能夠減少缺陷之結構。有機發光顯示設備包含具有顯示區域及圍繞顯示區域之周圍區域之基板；於基板之周圍區域上之台階形成層；於基板上橫跨顯示區域及周圍區域之另一絕緣層，其中藉由覆蓋台階形成層，對應至台階形成層之絕緣層之部分的上表面高於絕緣層之其餘部分之上表面；以及於絕緣層上之第一導電層；第一導電層之末端部分靠近對應至台階形成層之絕緣層之部分。

Description

有機發光顯示設備

相關申請案之交互參照

本申請案主張於2014年2月5日向韓國智慧財產局提出之申請案號為10-2014-0013314之優先權，其全部揭露之內容併入此處作為參考。

本發明之一個或多個實施例係關於一種有機發光顯示設備。

一般來說，有機發光顯示設備包含複數個有機發光裝置，其每一個包含像素電極、反向電極、及插入於像素電極與反向電極之間之中間層。中間層包含發射層。在這樣的有機發光顯示設備中，像素電極彼此分開排列，而反向電極相對於複數個有機發光裝置形成為單一整體。此外，反向電極接觸顯示區域外側的電極電源線，及接收預設的電子訊號。

然而，在製造此種可比有機發光顯示設備期間，在電極電源線形成後，且當用於形成絕緣層(例如，像素定義層)之材料塗佈於其上以形成絕緣層時，用於形成絕緣層之材料可能因為下方的電極電源線而無法平滑地塗佈。

根據本發明之一個或多個實施例之態樣，係針對具有在形成絕緣層(例如，像素定義層)期間，能夠減少缺陷之結構之有機發光顯示設備。

其他態樣將部分闡述於下列說明中，而部分將從描述中顯而易見，或可由實施提出的實施例得知。

根據本發明之一個或多個實施例，有機發光顯示設備包含具有顯示區域及圍繞顯示區域之周圍區域之基板，於基板之周圍區域上之台階形成層，於基板上且遍及顯示區域與周圍區域之絕緣層，其中藉由覆蓋台階形成層而對應至台階形成層之絕緣層之部分的上表面，係高於絕緣層其餘部分之上表面；以及於絕緣層之其餘部分上之第一導電層，第一導電層之末端部分接近對應至台階形成層之絕緣層之部分。

基板之上表面與第一導電層之末端部分之上表面之間的距離可小於或等於基板之上表面與對應至台階形成層之絕緣層之部分之上表面之間的距離，第一導電層之末端部分為第一導電層朝向基板之邊緣之部分。第一導電層具有多層結構，且在多層結構中構成最上層下方的層之材料的蝕刻速率可比構成最上層之材料的蝕刻速率高。

第一導電層可包含第一鈦層、於第一鈦層上之鋁層、及於鋁層上之第二鈦層。

基板之上表面與第一導電層之末端部分之上表面之間的距離可等於基板之上表面與對應至台階形成層之絕緣層之部分之上表面之間的距離，第一導電層之末端部分為第一導電層朝向基板之邊緣之部分。

台階形成層之厚度可等於或大於第一導電層之厚度。

台階形成層可包含第一台階形成層及第二台階形成層。

面向台階形成層之第一導電層之末端部分之側表面可接觸絕緣層。

絕緣層可包含對應至第一導電層之末端部分之溝槽或孔洞，且第一導電層之末端部分可位於絕緣層之溝槽或孔洞中。

有機發光顯示設備可更包含於基板與絕緣層之間，且藉由絕緣層之溝槽或孔洞至少部分地暴露之第二導電層，其中第一導電層之末端部分可接觸第二導電層。此外，第二導電層可延伸至台階形成層下方。

台階形成層可具有沿著基板之邊緣側延伸之形狀，且第一導電層也可具有沿著基板之邊緣側延伸之形狀。基板可以是具有包含長邊與短邊之矩形形狀，且基板之邊緣側可為長邊。

台階形成層可沿著基板之邊緣側形成於複數個位置上，且第一導電層可具有沿著基板之邊緣側延伸之形狀。此外，基板可以是具有包含長邊與短邊之矩形形狀，且基板之邊緣側可為長邊。

現在將對其實例描繪於附隨圖式中之實施例進行更加詳細的參照，其中全文中相似元件符號代指相似元件。在這方面，本實施例可具有不同形式且不應被解釋為限於本文所闡述之描述。因此，實施例僅藉由參考附圖於下面說明以解釋本發明描述之態樣。如本文中所使用，詞彙「及/或(and/or)」包含一個或多個相關所列的項目之任何及所有組合。此外，當使用「可(may)」描述本發明實施例時，是指「本發明之一個或多個實施例」。

應理解的是，當層、區域、或元件被指稱「形成於」另一層、區域、或元件「上(formed on)」時，它可直接或間接地形成於其他層、區域、或元件上。也就是說，例如，可存在中介層、區域、或元件。為便於說明，圖式中元件之大小可被誇大。換句話說，由於為了便於說明，在圖式中之元件之大小及厚度被任意性地繪示，因此下列實施例不因此受限。此外，當第一元件被描述為「耦接(coupled)」或「連接(connected)」至第二元件時，第一元件可直接地耦接或連接至第二元件，或第一元件可以一個或多個中介元件插入於其間地間接耦接或連接至第二元件。

在下列實施例，X軸、Y軸、及Z軸不限於直角坐標系之三個軸，且可以更廣泛的意義進行解釋。例如，X軸、Y軸、及Z軸可彼此垂直，或可表示彼此不垂直之不同方向。

第1圖係為根據本發明之實施例之有機發光顯示設備之部分示意性剖面圖。

根據本發明之實施例之有機發光顯示設備，包含含有顯示區域DA與周圍區域PA之基板110，周圍區域PA係顯示區域DA外的非顯示區域。基板110可由任何各種合適的材料形成，像是玻璃材料、金屬、或塑膠材料。複數個薄膜電晶體TFT1被佈置於基板110之顯示區域DA，其中電性耦接(例如，連接)至複數個薄膜電晶體TFT1之有機發光裝置可被排列於顯示區域DA。有機發光裝置與複數個薄膜電晶體TFT1的電性耦接或連接可被理解為，複數個像素電極210與複數個薄膜電晶體TFT1的電性耦接或連接。如果需要，薄膜電晶體TFT2可被佈置於基板110之周圍區域PA。薄膜電晶體TFT2可為用於控制施加至顯示區域DA之電子訊號之電路單元之一部分。

薄膜電晶體TFT1或薄膜電晶體TFT2可包含含有非晶矽、多晶矽、或有機半導體材料之半導體層130、閘極電極150、及源極電極/汲極電極170。位於基板110上之緩衝層120，其係由氧化矽或氮化矽形成，用於平坦化基板110之上表面，及/或用於減少或防止雜質滲透至半導體層130。半導體層130可位於緩衝層120上。

閘極電極150係位於半導體層130上，其為源極電極170與汲極電極170根據施加至閘極電極150之訊號相互電性通訊之處。考慮到相鄰層之黏著性、其上堆疊閘極電極150之表面的表面平坦性及可加工性，閘極電極150可形成單層或多層，其包含從例如：鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、及銅(Cu)選擇的一個或多個材料。於此，為了確保半導體層130與閘極電極150之間之絕緣，由氧化矽及/或氮化矽形成之閘極絕緣層140可插入於半導體層130與閘極電極150之間。

層間絕緣層160可位於閘極電極150上，其中層間絕緣層160可形成為含有氧化矽及/或氮化矽之單層或多層。

源極電極/汲極電極170係佈置於層間絕緣層160上。源極電極/汲極電極170係透過分別形成於層間絕緣層160及閘極絕緣層140中之接觸孔，電性耦接至半導體層130。考慮到導電性，源極電極/汲極電極170可形成含有選自例如，鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、及銅(Cu) 之一種或多種材料的單層或多層。

為了保護具有如上所述結構之薄膜電晶體TFT1，保護層181可設置以覆蓋薄膜電晶體TFT1。保護層181可由無機材料，如氧化矽、氮化矽或氮氧化矽形成。雖然第1圖顯示保護層181具有單層結構，但可於其中進行各種適當的修改。例如，保護層181可具有多層結構。

如果需要，平坦化層182可位於保護層181上。舉例來說，如第1圖所示，如果有機發光裝置(由像素電極210表示)係位於薄膜電晶體TFT1上，平坦化層182可具有平坦的上表面，使得像素電極210形成為平坦的。平坦化層182可由例如，丙烯醯系(acryl-based)有機材料或苯並環丁烯(benzocyclobutene, BCB)形成。雖然第1圖顯示平坦化層182具有單層結構，但可於其中進行各種適當的修改，例如多層結構。

如果需要，保護層181可被省略、平坦化層182可被省略、或保護層181及平坦化層182可結合為單一整體(例如，單層)。

基板110之顯示區域DA中，包含像素電極210、反向電極、及插入於像素電極210與反向電極之間且包含發射層之中間層之有機發光裝置係位於平坦化層182上。在第1圖中，為了便於說明，僅顯示像素電極210。

用於暴露薄膜電晶體TFT1之源極電極/汲極電極170之間至少其中之一的開口，係形成於保護層181及平坦化層182中。藉由透過開口接觸源極電極/汲極電極170而電性耦接至薄膜電晶體TFT1之像素電極210係位於平坦化層182上。像素電極210可形成為透明電極、半透明電極或反射電極。如果像素電極210形成為透明電極或半透明電極，像素電極210可由，例如，ITO、IZO、ZnO、In₂ O₃ 、 IGO、或 AZO形成。如果像素電極210係形成為反射電極，像素電極210可具有由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物形成之反射層；以及由ITO、IZO、ZnO、In₂ O₃ 、 IGO、或 AZO形成之層(即，另一層)。然而，本發明並不限於此，且像素電極210可由各種其他合適的材料形成，且可形成為單層或多層。

有機發光裝置之中間層可含有單體材料(例如，低分子材料)或高分子材料。如果中間層包含單體材料，中間層可包含電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、發射層(EML)、電子傳輸層(ETL)、以及電子注入層(EIL)。如果中間層包含高分子材料，中間層一般可具有包含電洞傳輸層與發射層之結構。然而，本發明並不限於此，且中間層可具有任何其他各種合適的結構。

反向電極可形成於顯示區域DA上以覆蓋顯示區域DA。換句話說，相對於複數個有機發光裝置，反向電極可相對於複數個有機發光裝置形成單一整體，且可對應至複數個像素電極210。反向電極可橫跨 (遍及)基板110之顯示區域DA及周圍區域PA。反向電極可由透明電極、半透明電極或反射電極形成。如果反向電極形成為透明電極或半透明電極，反向電極可包含由具有小功函數的金屬形成之層，例如，Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或其化合物；以及由ITO、IZO、ZnO、或In₂ O₃ 形成之導電或半導電層。如果反向電極形成為反射電極，反向電極可包含由Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或其化合物形成的層。然而，本發明不限於此，且可在反向電極之材料及結構中進行各種適當的修改。

同時，電極電源供應線191與接觸電極電源供應線191之連接線191’被佈置於基板110之顯示區域DA外側之周圍區域PA。反向電極係位於橫跨 (或遍及)基板110之顯示區域DA及周圍區域PA，且接觸周圍區域PA之電極電源供應線191及/或連接線191’。因此，反向電極可接收電極電源，也就是來自電極電源供應線191的電子訊號。

電極電源供應線191可位於基板110之周圍區域PA靠近基板110之顯示區域DA的位置。如第1圖所示，電極電源供應線191可以並行地(例如，同時地)由與薄膜電晶體相同之材料(例如，與薄膜電晶體TFT1及薄膜電晶體TFT2之源極電極/汲極電極170相同之材料)形成。因此，與源極電極/汲極電極170相同，電極電源供應線191可位於層間絕緣層160上。

如第1圖所示，層間絕緣層160係位於橫跨 (或遍及)基板110之顯示區域DA與周圍區域PA。在此，基板110之周圍區域PA中，台階形成層193係插入於基板110與層間絕緣層160之間。因此，對應於台階形成層193之層間絕緣層160之部分之上表面比層間絕緣層160之其餘部分之上表面遠離基板110。換句話說，對應於台階形成層193之層間絕緣層160之部分之上表面係高於層間絕緣層160之其餘部分之上表面。台階形成層193可並行地(例如，同時地)由與薄膜電晶體TFT1及TFT2之閘極電極150相同之材料形成。如果需要，台階形成層193可形成為比閘極電極150厚。

此外，電極電源供應線191係位於層間絕緣層160之其餘部份上，其中電極電源供應線191之末端部分係靠近對應於台階形成層193之層間絕緣層160之部分。在此，電極電源供應線191之末端部分可被理解為於朝向基板110之邊緣的方向，例如，與朝向顯示區域DA之方向相反的方向(+x 方向) 之電極電源供應線191之末端部分。因此，如第1圖之A部分所示，基板110之上表面及電極電源供應線191之朝向基板110之邊緣(+x 方向)之末端部分之上表面之間的距離d₁ ，可小於或等於基板110之上表面與對應於台階形成層193之層間絕緣層160之部分之上表面之間的距離d₂ 。第1圖示出其中台階形成層193之厚度幾乎與電極電源供應線191之厚度相同(例如，基本上相同) 的情況，以及距離d1係與距離d2相同(或基本上相同)。

如上所述，當基板110之上表面與電極電源供應線191之朝向基板110之邊緣(+x 方向)之末端部分之上表面之間之距離d₁ ，變成小於或等於基板110之上表面與對應至台階形成層193之層間絕緣層160之部分的上表面之間之距離d2，且當電極電源供應線191之末端部分係位於靠近對應於台階形成層193之層間絕緣層160之部分時，電極電源供應線191之末端部分之側表面(例如，末端側表面)可不被暴露於外部，或者，即使暴露於外部，曝光導致之影響可被減少或最小化。

如上所述，在可比技術中，電極電源供應線191可以並行地(例如，同時地)由與薄膜電晶體TFT1及薄膜電晶體TFT2之源極電極/汲極電極相同之材料形成，其中電極電源供應線191可具有多層結構且構成最上層之材料的蝕刻速率可小於(或低於)構成其下層之材料的蝕刻速率。因此，對應層(最上層之下方)在形成電極電源供應線191或在其後的操作期間可能被損壞。然而，在根據本實施例之有機發光顯示設備中，這類對層的損壞可有效地防止或減少。

第2圖及第3圖係為根據比較實施例之有機發光顯示設備之部分示意性剖視圖。如第2圖所示，電極電源供應線191包含第一鈦層19c、於第一鈦層19c上之鋁層19b，以及於鋁層19b上之第二鈦層19a。鋁層19b之蝕刻速率係高於第二鈦層19a。

此時，如第2圖所示，如果溝槽或孔洞沒有形成於層間絕緣層中，且電極電源供應線19之末端部分之末端側表面未被層間絕緣層覆蓋且暴露於外部，在形成電極電源供應線19或其他操作期間，鋁層19b可能比第二鈦層19a被蝕刻更多。由於鋁層19b之上表面被第二鈦層19a覆蓋，因此鋁層19b之上表面不會被損壞。然而，如第2圖之A’部分所示，鋁層19b之末端部分暴露於外部，因此相對應部分被蝕刻。結果，電極電源供應線19之末端部分之末端側表面具有向內凹入之形狀。

在像素電極形成後，形成具有用於暴露像素電極之中心部分之開口之像素定義層。對此，如第3圖所示，用於形成像素定義層83之有機材料，像是聚亞醯胺，被塗佈於平坦化層及像素電極上。用於形成像素定義層83之材料係藉由在第3圖中由左至右之方向(+x 方向)移動用於噴塗其之噴嘴而塗佈於平坦化層及像素電極上。在此，如第2圖及第3圖所示，如果電極電源供應線19之末端部分之末端側表面具有向內凹入之形狀，用於形成像素定義層83之材料不會在電極電源供應線19之末端部分之末端朝基板邊緣(+x方向)擴散並會聚集於該處，如第3圖所示。結果，在形成具有均勻厚度之像素定義層83上會有問題。此外，藉由使用(利用)單個大型母玻璃並行地(例如，同時地)製造複數個有機發光顯示設備的情況下，形成像素定義層83之材料可能無法流暢地從一個有機發光顯示設備擴散至另一個有機發光顯示設備。

在本實施例中，如第2圖及第3圖所示，電極電源供應線191可包含第一鈦層、於第一鈦層上之鋁層、及於鋁層上之第二鈦層。或者，電極電源供應線191可具有多層結構，以及在多層結構中，構成最上層下方的層之材料之蝕刻速率可高於構成最上層之材料之蝕刻速率。然而，根據本實施例之有機發光顯示設備的情況下，基板110之上表面與電極電源供應線191朝向基板110(+x方向)之邊緣部分之末端部分之上表面之間之距離d₁ ，變成小於或等於基板110之上表面與相對於台階形成層193之層間絕緣層160之部分之上表面之距離d₂ 。此外，電極電源供應線191之末端部分係位於靠近對應至台階形成層193之層間絕緣層160之部分。因此，塗佈用於形成像素定義層之材料期間，即使用於形成像素定義層之材料不擴散且暫時聚集於電極電源供應線191朝向基板110之邊緣(+x方向)部分之末端部分，聚集之用於形成像素定義層之材料接觸靠近電極電源供應線191之末端部分之對應至台階形成層193之層間絕緣層160之部分之上表面。一旦用於形成像素定義層之材料接觸對應至台階形成層193之層間絕緣層160之部分之上表面，用於形成像素定義層之材料不會停留在電極電源供應線191上，而是沿著層間絕緣層160擴散，且被塗佈於層間絕緣層160上。因此，在根據本發明實施例之有機發光顯示設備的情況下，在製造有機發光顯示設備期間，用於形成像素定義層之材料可被塗佈於顯示區域DA及周圍區域PA上至一均勻厚度。

第4圖係為根據本發明之另一實施例之有機發光顯示設備之部分示意性剖面圖。如第4圖所示，根據本發明實施例之有機發光顯示設備中，基板110之上表面與電極電源供應線191朝向基板110之邊緣(+x 方向)之末端部分之上表面之間之距離d₁ ，可為小於或等於基板110之上表面與對應至台階形成層193之層間絕緣層160之部分之上表面之間之距離d₂ 。第4圖示出距離d₁ 等於距離d2的情況。此外，在根據本發明實施例之有機發光顯示設備的情況下，電極電源供應線191之末端部分之側表面(例如，末端側表面)，也就是，面向台階形成層193之電極電源供應線191之末端部分之側表面(例如，末端側表面)，接觸層間絕緣層160。

換句話說，面向台階形成層193之電極電源供應線191之末端部分之側表面(例如，末端側表面)接觸與對應至台階形成層193之層間絕緣層160之部分的上表面及層間絕緣層160之其餘部分之上表面相互連接之層間絕緣層160之表面之部分。因此，電極電源供應線191之末端部分之側表面(例如，末端側表面)可不被暴露於外部或暴露最小值。如上所述，電極電源供應線191之末端部分之側表面(例如，末端側表面)被層間絕緣層160覆蓋，因而電極電源供應線191之末端部分之側表面(例如，末端側表面)可不被暴露於外部或暴露最小值。結果，可防止或減少(例如，最小化)電極電源供應線191之末端部分之側表面(例如，末端側表面)之損壞，因而用於形成像素定義層之材料可塗佈於顯示區域DA及周圍區域PA上至一均勻厚度。

第5圖係為根據本發明之另一實施例之有機發光顯示設備之部分之示意性剖面圖。如第5圖所示，根據本發明實施例之有機發光顯示設備包含台階形成層193，其中台階形成層193包含第一台階形成層193’與第二台階形成層193’’。如上所述，台階形成層193可具有多層結構以具有適當的厚度(高度)。藉由採用各種其他結構，使台階形成層193具有等於或大於電極電源供應線191之厚度，基板110之上表面與電極電源供應線191朝向基板110(+x方向)邊緣部分之末端部分之上表面之間之距離d₁ ，可變成小於或等於基板110之上表面與對應於台階形成層193之層間絕緣層160之部分之上表面之距離d₂ 。

第6圖係為根據本發明之另一實施例之有機發光顯示設備之部分之示意性剖面圖。如第6圖所示，層間絕緣層160在周圍區域PA中具有對應至電極電源供應線191之末端部分的溝槽(或孔洞)160a，且電極電源供應線191之末端部分係位於層間絕緣層160溝槽(或孔洞)160a中。在此，電極電源供應線191之末端部分可被理解為在朝向基板110之邊緣的方向，即，朝向顯示區域DA之方向的相反方向(+x方向) 之電極電源供應線191的一末端部分。因此，如第1圖之A部分所示，基板100之上表面與電極電源供應線191朝向基板110之邊緣(+x 方向)之末端部分之上表面間之距離d1，可為小於或等於基板110之上表面與對應至台階形成層193之層間絕緣層160之部分的上表面之間之距離d₂ 。特別是，能夠藉由台階形成層193增加基板100之上表面與對應至台階形成層193之層間絕緣層160之部分的上表面之間之距離。

如上所述，當基板100之上表面與電極電源供應線191朝向基板110之邊緣(+x 方向)之末端部分之上表面之距離d1，變成小於或等於基板110之上表面與對應至台階形成層193之層間絕緣層160之部分的上表面之間之距離d₂ 時，電極電源供應線191之末端部分之側表面(例如，末端側表面)可不被暴露於外部或，即使暴露於外部，可減少或最小化暴露導致之影響。

第7圖係為根據本發明之另一實施例之有機發光顯示設備之部分之示意性剖面圖。除了根據本發明實施例之有機發光顯示設備更進一步包含附加導電層192外，根據本發明實施例之有機發光顯示設備係與第6圖之有機發光顯示設備相同。附加導電層192係插入於基板110與層間絕緣層160之間，且至少部分地藉由層間絕緣層160之溝槽(或孔洞)160a暴露。此外，電極電源供應線191之末端部分係位於層間絕緣層160之溝槽(或孔洞)160a中，因而電極電源供應線191接觸附加導電層192。

當藉由蝕刻層間絕緣層160之特定部分而形成溝槽(或孔洞)160a時，下方的層也可能意外地被蝕刻。因此，為了減少或防止這樣的意外蝕刻，附加導電層192可位於將形成溝槽(或孔洞)160a之層間絕緣層160的部分之下。其結果，僅層間絕緣層160可被蝕刻以精確地形成溝槽(或孔洞)160a。附加導電層192可由與薄膜電晶體TFT1及TFT2之閘極電極150相同之材料且並行地(例如，同時地)形成。

同時，附加導電層192可延伸至台階形成層193下面。在此情況下，如第7圖所示，台階形成層193可位於附加導電層192上。如果需要的話，可在其中進行任何修改。例如，絕緣層可插入於附加導電層192與台階形成層193之間。

第8圖係為顯示根據本發明之另一實施例之製造有機發光顯示設備期間之操作示意平面圖。如第8圖所示，複數個有機發光顯示設備可並行地(例如，同時地)藉由在單個大型母玻璃上形成複數個顯示區域DA而製造。此時，具有圍繞顯示區域DA四分之三側之形狀之電極電源供應線191可位於複數個顯示區域DA的每一個的周圍。因此，台階形成層193也可具有像是電極電源供應線191之沿著顯示區域DA之四分之三側之形狀。

就已完成的有機發光顯示設備中而言，台階形成層193可具有沿著基板110之邊緣側延伸之形狀。如果需要的話，電極電源供應線191也可具有沿著基板110之邊緣側延伸之形狀。

同時，如第8圖所示，當每個顯示區域DA具有包含長邊及短邊之矩形形狀，且用於形成像素定義層之材料被塗佈於單個大型母玻璃上以形成像素定義層時，用於形成像素定義層之材料可藉由在第8圖中從左到右的方向(+x方向)移動噴射用於形成像素定義層之材料之噴嘴，而塗佈於平坦化層及層間絕緣層上。在此，為了順利地沿著+x方向往右從第一顯示區域DA塗佈用於形成像素定義層之材料至相鄰第一顯示區域DA的第二顯示區域DA，期望減少或防止用於形成像素定義層之材料被位於第一顯示區域DA及第二顯示區域DA之間之電極電源供應線191截斷。

因此，台階形成層193可具有沿著顯示區域DA之長邊延伸之形狀。如果需要的話，電極電源供應線191也可具有沿著顯示區域DA之長邊延伸之形狀。在此，由於完成之有機發光顯示設備具有包含長邊及短邊之矩形形狀，顯示區域DA之長邊可理解為基板110之長邊。

當用於形成像素定義層之材料塗佈於第8圖中之單個大型母玻璃上以形成像素定義層時，其可被認為係藉由沿垂直方向(y軸方向)，而非第8圖中從左至右的方向(+x方向)，移動噴射用於形成像素定義層之材料之噴嘴，塗佈用於形成像素定義層之材料於平坦化層及層間絕緣層上。然而，就增加形成於單個母玻璃上之顯示區域DA的數量以提高母玻璃之可用性而言，可期望在第8圖中從左至右的方向(+x方向)移動噴射用於形成像素定義層之材料之噴嘴。在此情況下，藉由採用如上所述之結構，在形成像素定義層期間可防止或有效地減少缺陷。

如果需要的話，台階形成層193可沿著基板之邊緣側形成於複數個位置上(就已完成的有機發光顯示設備而言)。在此情況下，電極電源供應線可具有沿著基板之邊緣側延伸之形狀。在此，邊緣側可為基板之長邊與短邊中之長邊。

在此情況下，在對應至台階形成層193之層間絕緣層160上之複數個位置，基板110之上表面與電極電源供應線19朝向基板110之邊緣(+x方向)之末端部分之上表面之間之距離d₁ ，可小於或等於基板110之上表面與對應至台階形成層193之層間絕緣層160之部分的上表面之間之距離d₂ 。因此，在對應至台階形成層193之層間絕緣層160上之複數個位置，塗佈於電極電源供應線上之於用於形成像素定義層之材料，可沿+x方向從電極電源供應線191自然地流至層間絕緣層160之上表面。

雖然已經藉由使用包含層間絕緣層160、閘極絕緣層140、電極電源供應線191、及附加導電層192之詞彙描述根據本發明之實施例之有機發光顯示設備，但本發明不限於此。舉例來說，層間絕緣層160可被指稱為絕緣層、電極電源供應線191可被指稱為位於靠近對應至台階形成層193之絕緣層之部分之第一導電層、以及附加導電層192可被指稱為插入於基板110與絕緣層之間之第二導電層。

如上所述，根據本發明上述一個或多個實施例，可實現具有在形成絕緣層(例如，像素定義層)期間，能夠減少缺陷的結構之有機發光顯示設備。然而，本發明之範疇並不限於此。

應當理解的是，描述於此的例示性實施例應被認為僅為描述意義而不意圖為限制。每個實施例中特徵或態樣之描述應通常地被認為可用於其他實施例中的其他類似特徵或態樣。

雖然本發明之一個或多個例示性實施例已參考附圖作描述，但本技術領域的通常知識者將理解，在未脫離下述申請專利範圍定義之本發明之精神與範疇及其等效的情況下，可對其進行形式和細節上的各種改變。

83‧‧‧像素定義層
110‧‧‧基板
120‧‧‧緩衝層
130‧‧‧半導體層
140‧‧‧閘極絕緣層
150‧‧‧閘極電極
160‧‧‧層間絕緣層
160a‧‧‧溝槽或孔洞
170‧‧‧源極/汲極電極
181‧‧‧保護層
182‧‧‧平坦化層
19、191‧‧‧電極電源供應線
19a‧‧‧第二鈦層
19b‧‧‧鋁層
19c‧‧‧第一鈦層
191’‧‧‧連接線
192‧‧‧附加導電層
193‧‧‧台階形成層
193’‧‧‧第一台階形成層
193’’‧‧‧第二台階形成層
210‧‧‧像素電極
DA‧‧‧顯示區域
PA‧‧‧周圍區域
TFT1、TFT2‧‧‧薄膜電晶體
d₁、d₂‧‧‧距離

這些及/或其他態樣從下列實施例之描述與附圖結合將變得顯而易見且更容易理解，其中：

第1圖係為根據本發明之實施例之有機發光顯示設備之部分之示意性剖面圖；

第2圖及第3圖係為根據比較實施例之有機發光顯示設備之部分之示意性剖視圖；

第4圖係為根據本發明之另一實施例之有機發光顯示設備之部分之示意性剖面圖；

第5圖係為根據本發明之另一實施例之有機發光顯示設備之部分之示意性剖面圖；

第6圖係為根據本發明之另一實施例之有機發光顯示設備之部分之示意性剖面圖；

第7圖係為根據本發明之另一實施例之有機發光顯示設備之部分之示意性剖面圖；以及

第8圖係為顯示根據本發明之另一實施例之製造有機發光顯示設備期間之操作的示意性俯視圖。

110‧‧‧基板

120‧‧‧緩衝層

130‧‧‧半導體層

140‧‧‧閘極絕緣層

150‧‧‧閘極電極

160‧‧‧層間絕緣層

170‧‧‧源極/汲極電極

181‧‧‧保護層

182‧‧‧平坦化層

191‧‧‧電極電源供應線

191’‧‧‧連接線

193‧‧‧台階形成層

210‧‧‧像素電極

DA‧‧‧顯示區域

PA‧‧‧周圍區域

TFT1、TFT2‧‧‧薄膜電晶體

d₁、d₂‧‧‧距離

Claims

一種有機發光顯示設備，其包含：一基板，具有一顯示區域及圍繞該顯示區域之一周圍區域；一台階形成層，於該基板之該周圍區域上；一絕緣層，於該基板上且遍及該顯示區域與該周圍區域，其中藉由覆蓋該台階形成層而對應至該台階形成層之該絕緣層之部分的上表面，係高於該絕緣層之其餘部分之上表面；以及一第一導電層，於該絕緣層之其餘部分上，該第一導電層之一末端部分接近對應至該台階形成層之該絕緣層之部分。
如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該基板之上表面與該第一導電層之該末端部分之上表面之間之距離，小於或等於該基板之上表面與對應至該台階形成層之該絕緣層之部分的上表面之間之距離，該第一導電層之該末端部分為該第一導電層朝向該基板之邊緣之部分。
如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該第一導電層具有一多層結構，以及在該多層結構中，構成最上層下方的層之材料的蝕刻速率比構成最上層之材料的蝕刻速率高。
如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該第一導電層包含一第一鈦層、於該第一鈦層上之一鋁層、以及於該鋁層上之一第二鈦層。
如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該基板之上表面與該第一導電層之該末端部分之上表面的距離，等於該基板之上表面與對應至該台階形成層之該絕緣層之部分之上表面的距離，該第一導電層之該末端部分為該第一導電層朝向該基板之邊緣之部分。
如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該台階形成層之厚度等於或大於該第一導電層之厚度。
如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該台階形成層包含一第一台階形成層及一第二台階形成層。
如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中面向該台階形成層之該第一導電層之該末端部分之側表面接觸該絕緣層。
如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該絕緣層包含對應至該第一導電層之該末端部分之一溝槽或一孔洞，以及該第一導電層之該末端部分位於該絕緣層之該溝槽或該孔洞中。
如申請專利範圍第9項所述之有機發光顯示設備，其進一步包含於該基板與該絕緣層之間，且藉由該絕緣層之該溝槽或該孔洞至少部分地暴露之一第二導電層，其中該第一導電層之該末端部分接觸該第二導電層。
如申請專利範圍第10項所述之有機發光顯示設備，其中該第二導電層延伸至該台階形成層下方。
如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該台階形成層具有沿著該基板之邊緣側延伸之形狀，以及該第一導電層也具有沿著該基板之邊緣側延伸之形狀。
如申請專利範圍第12項所述之有機發光顯示設備，其中該基板具有包含長邊與短邊之矩形形狀，以及該基板之邊緣側為長邊。
如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該台階形成層沿著該基板之邊緣側形成於複數個位置上，以及該第一導電層具有沿著該基板之邊緣側延伸之形狀。
如申請專利範圍第14項所述之有機發光顯示設備，其中該基板具有包含長邊與短邊之矩形形狀，以及該基板之邊緣側為長邊。