TW201523255A - 電子裝置 - Google Patents

Abstract

一種電子裝置，包括晶片、記憶體與開關單元。晶片工作於開機狀態下。記憶體耦接晶片，並存儲韌體，記憶體具有寫入保護控制端，寫入保護控制端透過寫入保護控制路徑與晶片連接，在待機狀態下，記憶體透過在寫入保護控制端輸入一電位信號而關閉一寫入保護功能，使韌體被更新。開關單元位於寫入保護控制路徑上，開關單元受控於與開機狀態關聯的上電信號，在待機狀態下，開關單元斷開，且斷開電位信號透過寫入保護控制路徑傳送至晶片，在開機狀態下，上電信號使開關單元導通而致寫入保護控制路徑連通，以由晶片控制記憶體的寫入保護功能。

Description

電子裝置

一種電子裝置，特別有關於一種具有寫入保護功能及避免電路產生漏電的情況的電子裝置。

一般來說，在目前進階精簡指令集機器(Advanced RISC Machine,ARM)架構的伺服器設計中，擴充卡(Expander)會與串列周邊介面唯讀記憶體(Serial Peripheral Interface Read Only Memory，以下簡稱SPI ROM)連接。在前述的設計上，考慮到伺服器需要在交流狀態時，才能通過嵌入式伺服器管理技術(Integrated Lights-Out,ILO)來燒錄串列周邊介面唯讀記憶體，並且此串列周邊介面記憶體還需要工作在P3V3_STBY的電壓下。

由於串列周邊介面記憶體還需要工作在P3V3_STBY的電壓，因此串列周邊介面唯讀記憶體的寫入保護接腳會與P3V3_STBY的電壓直接連接，以在伺服器工作在交流狀態時，可對串列周邊介面唯讀記憶體進行燒錄。然而，由於串列周邊介面唯讀記憶體的寫入保護接腳會與P3V3_STBY的電壓直接連接，因此會發生P3V3_STBY的電壓漏電給擴充卡的情況，而造成擴充卡產生誤動作。如此，擴充卡與串列週介面唯讀記憶體的連接設計上仍有改善的空間。

本發明在於提供一種電子裝置，藉以保留記憶體的寫入保護功能，且還可避免電路產生漏電的情況。

本發明提供一種電子裝置，具有待機狀態與開機狀態。電子裝置包括晶片、記憶體與開關單元。晶片工作於開機狀態下。記憶體耦接晶片，並存儲韌體，晶片依據韌體運作，記憶體具有寫入保護控制端，寫入保護控制端透過寫入保護控制路徑與晶片連接，記憶體在待機狀態下，透過在寫入保護控制端輸入一電位信號而關閉一寫入保護功能，使韌體被更新。開關單元位於寫入保護控制路徑上，開關單元受控於與開機狀態關聯的上電信號，在待機狀態下，開關單元斷開，且斷開電位信號透過寫入保護控制路徑傳送至晶片，在開機狀態下，上電信號使開關單元導通而致寫入保護控制路徑連通，電位信號的輸入被致無效，由晶片控制記憶體的寫入保護功能。

在一實施例中，前述電子裝置更包含基板管理控制單元。基板管理控制單元耦接記憶體，用於燒錄記憶體。

在一實施例中，前述在電子裝置的待機狀態，待機狀態所對應之待機電壓上拉電位信號並傳送至記憶體，用以對記憶體進行寫入保護，在電子裝置的開機狀態，晶片接收開機電壓，開機電壓上拉電位信號並傳送至記憶體，用以對記憶體進行寫入保護。

在一實施例中，前述開關單元為電晶體。電晶體的源極端極與汲極端分別耦接晶片與記憶體，電晶體的閘極極用以接收上電訊號。

在一實施例中，前述當電子裝置工作於待機狀態時，上電 信號為一低電壓準位，開關單元據以斷開記憶體與晶片之間的耦接。

在一實施例中，前述當電子裝置工作於開機狀態時，上電信號為一高電壓準位，開關單元據以導通記憶體與晶片之間的耦接，使記憶體與晶片可正常通信。

在一實施例中，前述上電信號為一上電完成信號。

在一實施例中，前述記憶體為串列周邊介面唯讀記憶體。

本發明所揭露之電子裝置，藉由在待機狀態下，開關單元斷開且斷開電位信號透過寫入保護控制路徑傳送至晶片、在開機狀態下，上電信號使開關單元導通而致寫入保護控制路徑連通，電位信號的輸入被致無效，由晶片控制記憶體的寫入保護功能，以及記憶體在待機狀態下，透過在寫入保護控制端輸入電位信號而關閉寫入保護功能，使韌體被更新。如此一來，可保留記憶體的寫入保護功能，且還可避免電路產生漏電的情況發生。

有關本發明的特徵與實作，茲配合圖式作實施例詳細說明如下。

100‧‧‧電子裝置

110‧‧‧晶片

120‧‧‧記憶體

121‧‧‧寫入保護控制路徑

130‧‧‧開關單元

140‧‧‧基板管理控制器

D‧‧‧二極體

M‧‧‧電晶體

WP‧‧‧寫入保護控制端

PWD‧‧‧上電信號

V‧‧‧電位信號

第1圖為本發明之電子裝置的部分示意圖。

請參考「第1圖」所示，其為本發明之伺服器的部分示意圖。本實施例之電子裝置100具有開機狀態與待機狀態，且電子裝置100包括晶片110、記憶體120與開關單元130。晶片110工作於開機狀態下。

記憶體120耦接晶片110，並儲存有一韌體(Firmware)。其中，晶片110依據前述韌體運作而實現一功能。另外，記憶體具110有寫入保護控制端WP，且此寫入保護控制端WP透過寫入保護控制路徑121與晶片110連接。

並且，記憶體120在待機狀態下，例如透過在寫入保護控制端輸入一電位信號，而關閉記憶體120的寫入保護功能，使得記憶體110的韌體可被更新。在本實施例中，記憶體120例如為串列周邊介面唯讀記憶體(Serial Peripheral Interface Read Only Memory,SPI ROM)。

開關單元130位於寫入保護控制路徑121上，亦即開關單元130耦接於晶片110與記憶體120之間。並且，開關單元130例如受控於與開機狀態相關連的上電信號PWD。在本實施例中，上電信號PWD例如為上電完成(Power Good)信號。

在電子裝置100的待機狀態下，開關單元130會斷開，且斷開電位信號V會透過寫入保護控制路徑121傳送至晶片110，以阻檔電位信號V影響晶片110。另一方面，在電子裝置100的開機狀態下，上電信號PWD使開關單元130導通而致使寫入保護控制路徑121連通，而使得電位信號V的輸入被致無效。此時，晶片110與記憶體120直接連接，以由晶片110控制記憶體120的寫入保護功能。

在本實施例中，在電子裝置100的待機狀態，待機狀態所對應之待機電壓會上拉電位信號V，並將電位信號V傳送至記憶體120，用以對記憶體120進行寫入保護。另一方面，在電子裝置100的開機狀態，晶片120會接收開機電壓，而此開機電壓會上拉電位信號V，並將電位信號V 傳送至記憶體12，用以對記憶體120進行寫入保護。

進一步來說，前述開關單元130例如為電晶體。電晶體的源極端(Source)與汲極端(Drain)分別耦接晶片110與記憶體120，而電晶體的閘極端(Gate)用以接收上電訊號PWD。

舉例來說，當電子裝置100工作於待機狀態時，上電信號PWD例如為低電壓準位，由於電晶體的閘極端接收到低電壓準位的上電信號PWD，則開關單元130據以斷開記憶體120與晶片110之間的耦接。

另一方面，當電子裝置100工作於開機狀態時，上電信號PWE例如為高電壓準位，由於電晶體的閘極端接收到高地壓準位的上電信號PWD，則開關單元130據以導通記憶體120與晶片100之間的耦接，使記憶體120與晶片110可正常通信。

另外，開關單元130還包括二極體D。二極體D具有陽極端與陰極端，二極體D的陽極端分別耦接電晶體源極端與汲極端。其中，二極體D用以分別箝制壓降在電晶體之源極端與汲極端之間的電壓。

此外，電子裝置100還包括基板管理控制器140。此基板管理控制器140用以對記憶體120進行燒錄。如此一來，藉由上述的配置關係，可避免習知所述由記憶體120之寫入保護控制端所接收之電壓(例如P3V3_STBY)，而漏電給晶片110的情況發生。

本發明之實施例所提出的電子裝置，其藉由在待機狀態下，開關單元斷開且斷開電位信號透過寫入保護控制路徑傳送至晶片、在開機狀態下，上電信號使開關單元導通而致寫入保護控制路徑連通，電位信號的輸入被致無效，由晶片控制記憶體的寫入保護功能，以及記憶體在 待機狀態下，透過在寫入保護控制端輸入電位信號而關閉寫入保護功能，使韌體被更新。如此一來，可保留記憶體的寫入保護功能，且還可避免電路產生漏電的情況發生。

雖然本發明以前述之實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習相像技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之專利保護範圍須視本說明書所附之申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧電子裝置

110‧‧‧晶片

120‧‧‧記憶體

121‧‧‧寫入保護控制路徑

130‧‧‧開關單元

140‧‧‧基板管理控制器

D‧‧‧二極體

M‧‧‧電晶體

WP‧‧‧寫入保護控制端

PWD‧‧‧上電信號

V‧‧‧電位信號

Claims (8)

1. 一種電子裝置，具有一待機狀態與一開機狀態，該電子裝置包括：一晶片，工作於該開機狀態下；一記憶體，耦接該晶片，並存儲一韌體，該晶片依據該韌體運作，該記憶體具有一寫入保護控制端，該寫入保護控制端透過一寫入保護控制路徑與該晶片連接，該記憶體在該待機狀態下，透過在該寫入保護控制端輸入一電位信號而關閉一寫入保護功能，使該韌體被更新；以及一開關單元，位於該寫入保護控制路徑上，該開關單元受控於與該開機狀態關聯的一上電信號，在該待機狀態下，該開關單元斷開且斷開該電位信號透過該寫入保護控制路徑傳送至該晶片，在該開機狀態下，該上電信號使該開關單元導通而致該寫入保護控制路徑連通，該電位信號的輸入被致無效，由該晶片控制該記憶體的該寫入保護功能。
2. 如請求項1所述之電子裝置，更包含一基板管理控制單元，該基板管理控制單元耦接該記憶體，用於燒錄該記憶體。
3. 如請求項1所述之電子裝置，其中在該電子裝置的該待機狀態，該待機狀態所對應之一待機電壓上拉該電位信號並傳送至該記憶體，用以對該記憶體進行寫入保護，在該電子裝置的該開機狀態，該晶片接收一開機電壓，該開機電壓上拉該電位信號並傳送至該記憶體，用以對該記憶體進行寫入保護。
4. 如請求項1所述之電子裝置，其中該開關單元為一電晶體，該電晶體的源極端與汲極端極分別耦接該晶片與該記憶體，該電晶體的閘極端用以 接收該上電訊號。
5. 如請求項1所述之電子裝置，其中當該電子裝置工作於該待機狀態時，該上電信號為一低電壓準位，該開關單元據以斷開該記憶體與該晶片之間的耦接。
6. 如請求項1所述之電子裝置，其中當該電子裝置工作於該開機狀態時，該上電信號為一高電壓準位，該開關單元據以導通該記憶體與該晶片之間的耦接，使該記憶體與該晶片可正常通信。
7. 如請求項1所述之電子裝置，其中該上電信號為一上電完成信號。
8. 如請求項1所述之電子裝置，其中該記憶體為一串列周邊介面唯讀記憶體。