TW201520764A - 資料儲存設備及其操作方法 - Google Patents

Abstract

一種資料儲存設備包括一轉譯區，其適於進行用於將第一位址映射資料轉譯成第二位址映射資料之一轉譯操作，及一操作記憶體裝置，其適於儲存該第二位址映射資料。

Description

資料儲存設備及其操作方法

各種實施例係關於一種資料儲存設備，尤指關於用於管理該資料儲存設備之位址映射資料的一種方法。

典型電腦環境已轉型成電腦不受時與地限制而可得之普遍存在的電腦工作形式。因此，諸如手機、數位相機或膝上型電腦之可攜式電子設備已被廣泛地使用。此種可攜式電子設備通常利用記憶體裝置來使用資料儲存設備。

使用記憶體裝置之資料儲存設備因為其等不具有機械驅動單元而具有極佳的穩定性及持久性、具有極快的資訊存取速度，及具有相對低的功率消耗。具此等性質之等資料儲存設備包括通用串列匯流排(USB)記憶體裝置、具各種介面之記憶卡，及固態驅動器(在下文中稱為SSD)。

該等資料儲存設備可在一外部設備之請求下進行讀取及寫入操作，且在此例下可接收邏輯位址。該等資料儲存設備可進行用於將所接收之邏輯位址轉譯成在該等資料儲存設備中之實體位址之一位址映射操作。為了進行該位址映射操作，該等資料儲存設備可管理位址映射資料並將該位址映射資料儲存在該記憶體裝置中。該等資料儲存設備可在需要一時間點將該位址映射資料載入操作記憶體裝置中，並可使用該位址映射資料。

本文描述用於有效管理位址映射資料之一資料儲存設備的一種操作方法。

在本發明之一示例性實施例中，一資料儲存設備可包括一轉譯區，其適於進行將第一位址映射資料轉譯成第二位址映射資料之一轉譯操作；及一操作記憶體裝置，其適於儲存該第二位址映射資料。

在本發明之另一示例性實施例中，一資料儲存設備可包括一轉譯區，其適於進行將第一位址映射資料轉譯成第二位址映射資料之一轉譯操作，一決定區，其適於基於該第二位址映射資料之一尺寸決定是否將該第一位址映射資料替代為該第二位址映射資料，及一操作記憶體裝置，其適於基於該決定區之一決定而儲存該第二位址映射資料或該第一位址映射資料。

在本發明之又一示例性實施例中，一資料儲存設備之操作方法可包括將第一位址映射資料轉譯成第二位址映射資料、將該第二位址映射資料之一尺寸與一參考尺寸作比較、基於該比較之一結果決定是否將該第一位址映射資料替代為該第二位址映射資料，及基於該決定之一結果選擇性地將該第二位址映射資料及該第一位址映射資料儲存在一操作記憶體裝置中。

根據本發明之一示例性實施例之一資料儲存設備及其一操作方法可有效率地管理位址映射資料。

100‧‧‧資料處理系統

110‧‧‧主機設備

115‧‧‧介面

120‧‧‧資料儲存設備

130‧‧‧非揮發性記憶體裝置

135‧‧‧位址映射資料

140‧‧‧控制器

141‧‧‧微處理器

142‧‧‧操作記憶體裝置

143‧‧‧處理單元

144‧‧‧轉譯區

145‧‧‧逆轉譯區

146‧‧‧緩衝區

200‧‧‧資料處理系統

210‧‧‧主機設備

215‧‧‧介面

220‧‧‧資料儲存設備

230‧‧‧非揮發性記憶體裝置

235‧‧‧位址映射資料

240‧‧‧控制器

241‧‧‧微處理器

242‧‧‧操作記憶體裝置

242a‧‧‧記憶體區域

242b‧‧‧正規區域

242c‧‧‧轉譯區域

243‧‧‧處理單元

244‧‧‧轉譯區

245‧‧‧逆轉譯區

246‧‧‧緩衝區

247‧‧‧決定區

250‧‧‧記憶體區域

LA‧‧‧邏輯位址

lth‧‧‧長度

nm_sg‧‧‧正規映射區段

nm_sg 1‧‧‧第一正規映射區段

nm_sg 2‧‧‧第二正規映射區段

PA‧‧‧實體位址

st_PA‧‧‧開始位址

S110~S130‧‧‧步驟

S210~S220‧‧‧步驟

S310~S340‧‧‧步驟

S410~S460‧‧‧步驟

S460a~S460c‧‧‧步驟

S510~S570‧‧‧步驟

S610~S660‧‧‧步驟

tr_sg,tr_sg 0-tr_sg n‧‧‧轉譯映射區段

up_nm_sg‧‧‧更新正規映射區段

up_tr_sg‧‧‧更新轉譯映射區段

本文配合所附圖式描述特徵、態樣及實施例，其中：

第1圖係說明根據本發明之一實施例之包括一資料儲存設備之一資料處理系統的一方塊圖。

第2圖係用於解釋其中第1圖之一轉譯區及一逆轉譯區分別進行一轉譯操作及一逆轉譯操作之一方法的一示意圖。

第3圖係用於解釋第1圖之資料儲存設備之一第一操作方法的一流程圖。

第4圖係說明當進行第3圖之一操作程序時在每一步驟中傳輸之資料流的一示意圖。

第5圖係用於解釋第1圖之資料儲存設備之一第二操作方法的一流程圖。

第6圖係用於解釋根據第5圖之一操作方法的一示意圖。

第7圖係用於解釋第1圖之資料儲存設備之一第三操作方法的一流程圖。

第8圖係用於解釋如第7圖之一操作方法的一示意圖。

第9圖係說明當進行第7圖之操作程序時在每一步驟中傳輸之資料流的一示意圖。

第10圖係用於解釋第1圖之資料儲存設備之一第四操作方法的一流程圖。

第11圖係用於解釋根據第10圖之一操作方法的一示意圖。

第12圖係說明當進行第10圖之一操作程序時在每一步驟中傳輸之資料流的一示意圖。

第13圖係用於解釋其中第1圖之資料儲存設備進行備份之一方法的一流程圖。

第14圖係說明當進行第13圖之操作程序時在每一步驟中傳輸之資料流的一示意圖。

第15圖係說明根據本發明之另一實施例之包括一資料儲存設備之一資料處理系統的一方塊圖。

第16圖係用於解釋第15圖之一決定區之替代決定與一決定參考尺寸之間之一關係之一示意圖。

第17圖係說明第15圖之一操作記憶體裝置之一實施例的一方塊圖。

第18圖係說明第15圖之操作記憶體裝置之另一實施例的一方塊圖。

第19圖係用於解釋第15圖之資料儲存設備之一操作方法的一流程圖。

第20圖係用於解釋決定第19圖之一映射區段之一替代之一程序的一示意 圖。

第21圖至第24圖係說明當進行第19圖之操作程序時在每一步驟中傳輸之資料流的示意圖。

第25圖係用於解釋第15圖之資料儲存設備之另一操作方法的一流程圖。

第26圖至第29圖係說明當進行第25圖之一操作程序時在每一步驟中傳輸之資料流的示意圖。

第30圖係用於解釋其中該位址映射資料之單元改變之例的一示意圖，一轉譯操作及一逆轉譯操作在該位址映射資料上進行。

第31圖係用於解釋第15圖之操作記憶體裝置之一資料管理方法的一圖示。

下文中，將參考隨附圖示藉由示例性實施例在以下描述根據本發明之一資料儲存設備及其一操作方法。然而，本發明不限於本文所述之實施例，而是可以其它形式體現。提供實施例以描述本發明，使得本發明所屬技術領域中具有通常知識者輕易地了解。

在圖式中，本發明之實施例不限於所說明之特定形式，但為清楚起見而放大。在本說明書中，使用特定術語以描述本發明，但未限制本發明之範疇。

在本說明書中，諸如「及/或」包括任何複數個相關項目或該複數個相關項目之組合之間的任何項目。此外，應了解當一元件提及經「連接」或「耦合」至另一元件時，其可係直接地連接或耦合至另一元件或可存在插入其間之元件。相反地，當一元件提及經「直接連接」或「直接耦合」至另一元件時，不存在插入其間之元件。本文所用術語係僅出於描述特定實施例之目的而非意欲限制本發明。如本文所用，單數形式亦意欲包括複數形式，除非本文中清楚另外指明。應進一步了解術語「包括」、「包括」、「具有」及或「有」在 本文使用時指明所述特徵、整數、步驟、操作、元件及/或組件，但未排除一或多個其它特徵、整數、步驟、操作、元件、組件及/或其群組之存在或添加。

下文中，本發明之實施例將參考隨附圖示詳細地描述。

第1圖為說明根據本發明之一實施例之包括一資料儲存設備之一資料處理系統的一方塊圖。

參照第1圖，一資料處理系統100可包括一主機設備110及一資料儲存設備120。

例如，該主機設備110可包括可攜式電子設備諸如手機、MP3播放器或膝上型電腦，或是電子設備諸如桌上型電腦、遊戲機、電視或投影機。

可操作該資料儲存設備120以回應主機110之請求。該資料儲存設備120可儲存由主機110處理之資料。即，可使用該資料儲存設備120作為該主機設備110之儲存設備。

該主機設備110及該資料儲存設備120可經由一介面115彼此電氣耦接。該介面115可包括一標準介面諸如序列先進技術附件(SATA)、平行先進技術附件(PATA)、通用串列匯流排(USB)、小型電腦系統介面(SCSI)、串列附接SCSI(SAS)、週邊組件互連(PCI)、高速週邊組件互連(PCI-express)、多媒體記憶卡(MMC)介面或通用快閃儲存(UFS)介面。該主機設備110及該資料儲存設備120可經由該介面115之系統下之一互連路徑交換一讀取請求、寫入請求或資料。

該資料儲存設備120可包括一非揮發性記憶體裝置130及一控制器140。

該非揮發性記憶體裝置130即使關閉電源源後仍可保留所儲存之資料。該非揮發性記憶體裝置130可經由一寫入操作儲存自該主機設備110提供之資料。該非揮發性記憶體裝置130可經由一讀取操作提供該主機設備110所儲存之資料。

該控制器140可包括一微處理器141、一操作記憶體裝置142及一處理單元143。

該微處理器141可控制該資料儲存設備120之一般操作。該微處理器141可控制針對該非揮發性記憶體裝置130之一寫入操作或一讀取操作以回應來自該主機設備110之一寫入請求或一讀取請求。該微處理器141可驅動稱作快閃轉譯層(本文中稱為FTL)之韌體以控制該資料儲存設備120之一般操作。

該操作記憶體裝置142可儲存由該微處理器141驅動之FTL。該操作記憶體裝置142可儲存該微處理器141所使用之各種類型的資料以控制該資料儲存設備120。尤其，該操作記憶體裝置142可儲存自該非揮發性記憶體裝置130讀取之位址映射資料135。

該位址映射資料135可包括複數個片段之位址映射資訊。該位址映射資訊可包括對應於邏輯位址之實體位址。該邏輯位址可由該主機設備110與該讀取請求或該寫入請求一起提供。該實體位址可指示在該非揮發性記憶體裝置130中之一實際位置，針對該主機設備110之讀取請求或寫入請求之一操作在該非揮發性記憶體裝置130中進行。該位址映射資訊可由該微處理器141參照，該微處理器141執行自該主機設備110提供之一邏輯位址(下文中稱為一請求邏輯位址)轉譯為該非揮發性記憶體裝置130之一實體位址(下文中稱為一請求實體位址)的一位址轉譯操作。

由於該位址映射資料135太大而無法儲存在該操作記憶體裝置142中，且對於驅動該資料儲存設備120而言係必要之極重要的資訊，因此該位址映射資料135可儲存在該非揮發性記憶體裝置130中。所儲存之位址映射資料135可分成諸區段作為一基本單元。下文中，分成該等區段之位址映射資料135經定義為映射區段。例如，可藉由該等區段自該非揮發性記憶體裝置130讀取該位址映射資料135。在該等讀取映射區段儲存在該操作記憶體裝置142之前可將 其等提供給該處理單元143。

該處理單元143可包括一轉譯區144、一逆轉譯區145及一緩衝區146。

該轉譯區144可在該映射區段(即一正規映射區段)上進行一轉譯操作以產生一轉譯映射區段。即，該轉譯區144可將該正規映射區段轉譯成轉譯映射區段。該轉譯區144可將該正規映射區段轉譯成該轉譯映射區段以使得該轉譯映射區段之一尺寸小於該正規映射區段之一尺寸。

例如，當該正規映射區段包括含有對應於序列邏輯位址之序列實體位址之序列映射資料以及不同於該序列映射資料之隨機映射資料時，該轉譯區144可轉譯該正規映射區為該轉譯映射區段，使得該序列映射資料與該隨機映射資料之個別開始位址及長度包含在內。

該逆轉譯區145可在該轉譯映射區段上進行一逆轉譯操作以產生該正規映射區段。即，該逆轉譯區145可將該轉譯映射區段逆轉譯成正規映射區段。該逆轉譯區145可參照包括在該轉譯映射區段中之開始位址及長度而產生該正規映射區段以使得一實體位址對應於一邏輯位址或序列實體位址分別對應於序列邏輯位址。例如，當新位址映射資訊在該正規映射區段上更新時，該逆轉譯區145可進行該逆轉譯操作。在另一實例中，該逆轉譯區145可進行逆轉譯操作以備份一逆轉譯正規映射區段。

該緩衝區146可暫時儲存該正規映射區段或該轉譯映射區段以允許該轉譯區144或該逆轉譯區145可進行該轉譯操作或該逆轉譯操作。該緩衝區146可包括分別對應該轉譯區144及該逆轉譯區145之區域，即，分別由該轉譯區144及該逆轉譯區145使用之區域。第1圖說明緩衝區146包括在該處理單元143中之例。然而，該緩衝區146可提供於該處理單元143外側。

第2圖係用於解釋其中第1圖之轉譯區144及逆轉譯區145分別進 行一轉譯操作及一逆轉譯操作之一方法的一示意圖。

在以下詳細說明中，其描述一個正規映射區段nm_sg為2K位元且一個位址映射資訊為4位元之一實例。該正規映射區段nm_sg包括512片段位址映射資訊，即，對應於邏輯位址LA=0至LA=511之實體位址。

當該正規映射區段nm_sg如第2圖說明配置時，該正規映射區段nm_sg可包括序列映射資料seq1及seq2及隨機映射資料rdm1及rdm2。該序列映射資料seq1及seq2可包括對應於序列邏輯位址LA之序列實體位址PA。該序列映射資料seq1及seq2可指示一週期，在該週期中，二或多於二個之實體位址PA已依序地分配至序列邏輯位址LA。除了該序列映射資料外之資料可係隨機映射資料rdm1及rdm2。該隨機映射資料rdm1及rdm2並非序列映射資料，且可指示一週期，在該週期中未依序地分配二或多於二個之實體位址PA。

參照第2圖，舉例而言，自對應於一邏輯位址LA=0之一實體位址PA=0至對應於一邏輯位址LA=100之一實體位址PA=100之一週期指示第一序列映射資料seq1，因為二或多於二個實體位址PA=0至PA=100已依序地分配至該等序列邏輯位址LA=0至LA=100。例如，對應於一邏輯位址LA=101之一實體位址PA=156指示第一隨機映射資料rdm1，因為二或多於二個實體位址PA未依序地分配至序列邏輯位址LA。例如，自對應於一邏輯位址LA=102之一實體位址PA=212至對應於一邏輯位址LA=171之一實體位址PA=281之一週期指示第二序列映射資料seq2，因為該等二或多於二個實體位址PA=212至PA=281已依序地分配至該等序列邏輯位址LA=102至LA=171。例如，對應於一邏輯位址LA=511之一實體位址PA=121指示第二隨機映射資料rdm2，因為二或多於二個實體位址PA未依序地分配至序列邏輯位址LA。

該轉譯區(第1圖之144)可在包括該序列映射資料及該隨機映射資料之正規映射區段nm_sg上進行一轉譯操作以產生一轉譯映射區段tr_sg，以 使得該序列映射資料與該隨機映射資料之一開始位址st_PA及一長度lth包括於該轉譯映射區段tr_sg中。該開始位址st_PA指示已首先分配在該序列映射資料與該隨機映射資料中之一實體位址PA。該長度lth指示包括在該序列映射資料與該隨機映射資料中之實體位址PA之數目。即，該長度lth指示自該開始位址st_PA(對應於序列邏輯位址LA)分配之實體位址PA之數目。例如，在該第一序列映射資料seq1中，該開始位址st_PA為0且該長度lth為101。該轉譯區144可進行一轉譯操作，使得該轉譯映射區段tr_sg包括該開始位址st_PA=0及該長度lth=101，而非該正規映射區段nm_sg之第一序列映射資料seq1。以此一方式，該轉譯區144可進行一轉譯操作，使得該轉譯映射區段tr_sg包括開始位址st_PA=156及長度lth=1，而非該正規映射區段nm_sg之第一隨機映射資料rdm1。此外，該轉譯區144可進行一轉譯操作，使得該轉譯映射區段tr_sg包括該開始位址st_PA=212及該長度lth=70，而非該正規映射區段nm_sg之第二序列映射資料seq2。此外，該轉譯區144可進行一轉譯操作，使得該轉譯映射區段tr_sg包括該開始位址st_PA=121及該長度lth=1，而非該正規映射區段nm_sg之第二隨機映射資料rdm2。

該逆轉譯區(第1圖之145)可參照包括在該轉譯映射區段tr_sg中之開始位址st_PA及長度lth而產生該正規映射區段nm_sg以分別使得一實體位址PA對應於一邏輯位址LA或序列實體位址PA對應於序列邏輯位址LA。詳細而言，該逆轉譯區145可將該轉譯映射區段tr_sg逆轉譯成正規映射區段nm_sg，以使得自該開始位址st_PA以該長度lth分配該實體位址PA對應於該序列邏輯位址LA。

第3圖為解釋第1圖之資料儲存設備120之一第一操作方法的一流程圖。第3圖說明當自該非揮發性記憶體裝置(第1圖之130)提供該正規映射區段時之一操作方法。

第4圖係說明當進行第3圖之操作程序時在每一步驟中傳輸之資 料流的一示意圖。在第4圖中，該正規映射區段nm_sg及該轉譯映射區段tr_sg之流程示意圖係以虛線指示。

下文中，參考第3圖及第4圖，將描述該資料儲存設備(第1圖之120)之操作方法。

在步驟S110中，儲存於該非揮發性記憶體裝置130中之正規映射區段nm_sg可提供至該轉譯區144。

在步驟S120中，該轉譯區144可將所提供之正規映射區段nm_sg轉譯成轉譯映射區段tr_sg。該緩衝區146可暫時地儲存所產生之轉譯映射區段tr_sg。

在步驟S130中，可將該轉譯映射區段tr_sg儲存在該操作記憶體裝置142中。

第5圖為解釋第1圖之資料儲存設備120之一第二操作方法的一流程圖。第5圖說明自儲存在該操作記憶體裝置(第1圖之142)中之轉譯映射區段tr_sg擷取必要之位址映射資訊的程序。

第6圖為解釋根據第5圖之操作方法的一示意圖。

下文中，參考第5圖及第6圖，將描述該資料儲存設備(第1圖之120)之操作方法。

在步驟S210中，可提供儲存在該操作記憶體裝置142中之轉譯映射區段tr_sg。所提供之轉譯映射區段tr_sg指示針對必要位址映射資訊之一特定轉譯映射區段tr_sg。

參照第6圖，可將轉譯映射區段tr_sg 0至tr_sg n儲存在該操作記憶體裝置142中。例如，第零個轉譯映射區段tr_sg 0相關於自該邏輯位址LA=0至該邏輯位址LA=511之位址映射資訊，且該第一個轉譯映射區段tr_sg 1相關於自一邏輯位址LA=512至一邏輯位址LA=1023之位址映射資訊。例如，當自該主機設 備110提供之一請求邏輯位址LA為49時，可提供該第零個轉譯映射區段tr_sg 0。

在步驟S220中，該微處理器(第1圖之141)可自所提供之轉譯映射區段tr_sg擷取必要位址映射資訊。該微處理器141可經由算術操作擷取必要位址映射資訊，即，對應於一請求邏輯位址之一請求實體位址。對應於該轉譯映射區段tr_sg之某一開始位址st_PA之一邏輯位址定義為一開始邏輯位址。例如，在第6圖中，對應於該開始位址st_PA=0之一開始邏輯位址LA為0。

例如，該請求實體位址可如下計算：

當一①等式(k=(請求邏輯位址)-(開始邏輯位址))滿足，且一②等式(0k<長度)滿足時，則一③等式(請求實體位址=(開始位址)+k)滿足。

對於儲存在第零個轉譯映射區段tr_sg 0中之開始位址st_PA=0及長度lth=101，對應於一請求邏輯位址LA=49之一請求實體位址可計算如下。

由於根據①等式及k=49-0=49且根據②等式049<101，根據③等式該請求實體位址=0+49=49。

第7圖為解釋第1圖之資料儲存設備120之一第三操作方法的一流程圖。第7圖說明當更新該正規映射區段以反映新位址映射資訊時之一操作方法。

第8圖為解釋如第7圖之操作方法的一示意圖。

第9圖係說明當進行第7圖之操作程序時在每一步驟中傳輸之資料流的一示意圖。在第9圖中，該轉譯映射區段tr_sg及該正規映射區段nm_sg之流程示意圖係以虛線指示。

下文中，參考第7圖至第9圖，將描述該資料儲存設備(第1圖之120)之操作方法。

在步驟S310中，儲存於該操作記憶體裝置142中之轉譯映射區段tr_sg可提供至該逆轉譯區145。所提供之轉譯映射區段tr_sg係欲更新之一特定轉 譯映射區段tr_sg以反映新位址映射資訊。

參照第8圖，可將轉譯映射區段tr_sg 0至tr_sg n儲存在該操作記憶體裝置142中。例如，當將一實體位址PA=211分配至一邏輯位址LA=101作為新位址映射資訊，可提供該第零個轉譯映射區段tr_sg 0至該逆轉譯區145。

在步驟S320中，該逆轉譯區145可將所提供之轉譯映射區段tr_sg逆轉譯成正規映射區段nm_sg。該緩衝區146可暫時地儲存所產生之正規映射區段nm_sg。

在步驟S330中，可更新該正規映射區段nm_sg以反映該新位址映射資訊。該更新可由該微處理器(第1圖之141)進行。例如，參照第8圖，對應於該邏輯位址LA=101之一實體位址可由現存的PA=156更新至新的PA=211。

在步驟S340中，可將該更新正規映射區段up_nm_sg備份在該非揮發性記憶體裝置130中。可在產生之後將該更新正規映射區段up_nm_sg立即備份。

第10圖為解釋第1圖之資料儲存設備120之一第四操作方法的一流程圖。第10圖說明當更新該正規映射區段以反映新位址映射資訊之另一操作方法。

第11圖為解釋根據第10圖之操作方法的一示意圖。

第12圖係說明當進行第10圖之操作程序時在每一步驟中傳輸之資料流的一示意圖。在第12圖中，該轉譯映射區段tr_sg及該正規映射區段nm_sg之流程示意圖係以虛線指示。

下文中，參考第10圖至第12圖，將描述該資料儲存設備(第1圖之120)之操作方法。

在步驟S410中，儲存於該操作記憶體裝置142中之轉譯映射區段tr_sg可提供至該逆轉譯區145。所提供之轉譯映射區段tr_sg係欲更新之一特定轉 譯映射區段tr_sg以反映該新位址映射資訊。

參照第11圖，可將轉譯映射區段tr_sg 0至tr_sg n儲存在該操作記憶體裝置142中。例如，當將一實體位址PA=211分配至一邏輯位址LA=101作為新位址映射資訊時，可提供該第零個轉譯映射區段tr_sg 0至該逆轉譯區145。

在步驟S420中，該逆轉譯區145可將所提供之轉譯映射區段tr_sg逆轉譯成正規映射區段nm_sg。該緩衝區146可暫時地儲存所產生之正規映射區段nm_sg。

在步驟S430中，可更新該正規映射區段nm_sg以反映該新位址映射資訊。該更新可由該微處理器(第1圖之141)執行。例如，參照第11圖，對應於該邏輯位址LA=101之一實體位址可由現存的PA=156更新至新的PA=211。可將該更新正規映射區段up_um_sg提供至該轉譯區144。

在步驟S440中，該轉譯區144可將該更新正規映射區段up_nm_sg轉譯成一更新轉譯映射區段up_tr_sg。參照第11圖，可產生該更新轉譯映射區段up_tr_sg，新位址映射資訊已反映在其中。

在步驟S450中，可將該更新轉譯映射區段up_tr_sg儲存在該操作記憶體裝置142中。即，在該更新正規映射區段up_um_sg產生之後無法立即備份在該非揮發性記憶體裝置130中。其可轉譯成待儲存於該操作記憶體裝置142中之更新轉譯映射區段up_tr_sg。

在步驟S460中，可進行該非揮發性記憶體裝置130之備份。可在該更新轉譯映射區段up_tr_sg儲存於該操作記憶體裝置142中並經過一預定時間後進行備份。

第13圖為解釋其中該資料儲存設備120進行備份之一方法的一流程圖。第13圖說明第10圖之步驟S460的一詳細流程圖。

第14圖係說明當進行第13圖之操作程序時在每一步驟中傳輸之 資料流的一示意圖。在第14圖中，該更新正規映射區段up_nm_sg及該更新轉譯映射區段up_tr_sg之流程示意圖係以虛線指示。

下文中，參考第13圖及第14圖，將描述該資料儲存設備進行備份之方法。

在步驟S460a中，儲存於該操作記憶體裝置142中之更新轉譯映射區段up_tr_sg可提供至該逆轉譯區145。在步驟S460b中，該逆轉譯區145可將該更新轉譯映射區段up_tr_sg逆轉譯成該更新正規映射區段up_nm_sg。該緩衝區146可暫時地儲存所產生之更新正規映射區段up_nm_sg。在步驟S460c中，可將該更新正規映射區段up_nm_sg備份在該非揮發性記憶體裝置130中。

在該轉譯區(第1圖之144)之轉譯操作中，將該正規映射區段壓縮以產生該轉譯映射區段。例如，包括在該轉譯映射區段中之一開始位址及一長度可分別為4位元及1位元。在此一例中，甚至當包括在該正規映射區段中之某序列映射資料包括僅兩片段之位址映射資料時，8位元之對應序列映射資料(=4位元×2)可經由該轉譯操作而壓縮成5位元(=4位元+1位元)。由於該序列映射資料之序列長度很長，因此一壓縮效果很大。例如，由於包括在第2圖之正規映射區段nm_sg之404位元(4位元×101)的第一序列映射資料seq1可經由該轉譯操作而壓縮成5位元(=4位元+1位元)，壓縮效果比先前之例的效果更大。

該轉譯區144可同時對包括在正規映射區段中之序列映射資料及隨機映射資料進行轉譯操作。當該轉譯區144轉譯該隨機映射資料時，在轉譯後該隨機映射資料之尺寸可較轉譯前之尺寸大。然而，其亦可受到具有在該正規映射區段中之一長序列長度之序列映射資料的壓縮效應影響。否則，例如，若所有正規映射區段僅包括隨機映射資料，可不產生基於該轉譯操作之一壓縮效果。下文中，考量基於該轉譯操作之壓縮效果，根據本發明之另一實施例之一資料儲存設備可儲存該轉譯映射區段。

第15圖係說明根據本發明之另一實施例之包括一資料儲存設備之一資料處理系統的一方塊圖。

一資料處理系統200可包括一主機設備210及一資料儲存設備220。該資料儲存設備220可包括一非揮發性記憶體裝置230及一控制器240。該控制器240可包括一微處理器241、一操作記憶體裝置242及一處理單元243。該處理單元243可包括一轉譯區244、一逆轉譯區245、一緩衝區246及一決定區247。

該決定區247可決定是否將該正規映射區段替代成轉譯映射區段。該決定區247可決定是否基於該轉譯映射區段之尺寸進行替代。為此，該決定區247可計算該轉譯映射區段之尺寸。該決定區247可將該轉譯映射區段之尺寸與一預設決定參考尺寸作比較。例如，當該轉譯映射區段之尺寸小於該決定參考尺寸時，該決定區247可決定將該正規映射區段替代成轉譯映射區段。例如，當該轉譯映射區段之尺寸等於或大於該決定參考尺寸時，該決定區247可決定不將該正規映射區段替代成轉譯映射區段。可將該決定參考尺寸設定為等於或小於該正規映射區段之尺寸。

該轉譯映射區段或正規映射區段可基於該決定區247之決定而儲存於該操作記憶體裝置242。即，當該決定區247決定將該正規映射區段替代成轉譯映射區段時，該轉譯映射區段可儲存於該操作記憶體裝置242中。當該決定區247決定不將該正規映射區段替代成轉譯映射區段時，該正規映射區段可儲存於該操作記憶體裝置242中。

第16圖為解釋第15圖之決定區247之替代決定與決定參考尺寸之間之關係的一示意圖。參照第16圖，該轉譯映射區段tr_sg 0至tr_sg n之尺寸小於個別之正規映射區段nm_sg 0至nm_sg n之尺寸。該轉譯映射區段tr_sg 0至tr_sg n之尺寸依所列順序減少。即，壓縮效果以該轉譯映射區段tr_sg 0至tr_sg n之順序增加。

由於該轉譯映射區段tr_sg之尺寸小於該正規映射區段nm_sg之尺寸，可將該決定參考尺寸設定成等於或小於該正規映射區段nm_sg之尺寸。該決定區(第15圖之247)可不同地根據該決定參考尺寸之一設定值決定以一特定轉譯映射區段tr_sg替代。例如，當設定該決定參考尺寸為一x值時，該決定區247可決定以轉譯映射區段tr_sg j至tr_sg n替代且可不決定以轉譯映射區段tr_sg 0至tr_sg i替代。

在另一實例中，當將該決定參考尺寸設定成實質上等於該正規映射區段nm_sg之尺寸(即，2K位元)時，且若該轉譯映射區段tr_sg之尺寸小於該正規映射區段nm_sg之尺寸，則該決定區247可不管壓縮效果而決定將該正規映射區段替代成轉譯映射區段。因此，該決定區247可決定以轉譯映射區段tr_sg 0至tr_sg n替代。

即，僅當隨著預設決定參考尺寸小而產生較大壓縮效果時，該決定區247可決定該映射區段之替代。

第17圖係說明第15圖之操作記憶體裝置242之一實施例的一方塊圖；參照第17圖，該操作記憶體裝置242可包括一記憶體區域242a。由於該正規映射區段nm_sg或該轉譯映射區段tr_sg取決於該決定區(第15圖之247)關於映射區段之一替代之決定而可儲存於該記憶體區域242a中，則正規映射區段與轉譯映射區段(其尺寸彼此不同)可儲存於該記憶體區域242a中。該記憶體區域242a可經由將在之後描述之管理方法配置。

第18圖係說明第15圖之操作記憶體裝置242之另一實施例的一方塊圖。

參照第18圖，該操作記憶體裝置242可包括兩個記憶體區域，即一正規區域242b及一轉譯區域242c。該正規映射區段nm_sg可儲存在該正規區域 242b中。該轉譯映射區段tr_sg可儲存在該轉譯區域242c中。當該正規映射區段nm_sg及該轉譯映射區段tr_sg(其尺寸彼此不同)分別儲存於該等兩個記憶體區域242b及242c時，與彼此一起儲存相比可更有效率地管理。在第18圖中，該正規區域242b及該轉譯區域242c包括在一操作記憶體裝置中。然而，該正規區域242b及該轉譯區域242c可分別包括在彼此不同之操作記憶體裝置中。

在第15圖中說明之其它元件或單元之詳細組態及操作方法可類似於由第1圖及第2圖所描述之組態及操作方法。因此，將省略其詳細說明。

第19圖係解釋第15圖之資料儲存設備220之一操作方法的一流程圖。第19圖說明一程序，其中該轉譯區(第15圖之244)在所提供之正規映射區段上進行一轉譯操作，且該決定區(第15圖之247)決定以所產生之轉譯映射區段替代。

第20圖係解釋用於決定第19圖之映射區段之一替代之一程序的一示意圖。

下文中，參考第15圖、第19圖及第20圖，將描述第15圖之資料儲存設備220之操作方法。

在步驟S510中，可將一正規映射區段提供至該轉譯區244。

在步驟S520中，該轉譯區244可將所提供之正規映射區段轉譯成轉譯映射區段。

在步驟S530中，該決定區247可將該轉譯映射區段之尺寸與決定參考尺寸作比較。該決定區247可決定該轉譯映射區段之尺寸是否小於該決定參考尺寸。當該轉譯映射區段之尺寸小於該決定參考尺寸時(是)，該程序可進行至步驟S540。當該轉譯映射區段之尺寸等於或大於該決定參考尺寸時(否)，該程序可進行至步驟S560。

例如，參照第20圖，當該轉譯區244將該第一正規映射區段nm_sg 1轉譯成該第一轉譯映射區段tr_sg 1時，該第一正規映射區段nm_sg 1可自轉譯前之2K位元(=4位元×512)壓縮成轉譯後之5位元(=4位元+1位元)。當將該決定參考尺寸設定成512位元時，由於該第一轉譯映射區段tr_sg 1之尺寸5位元小於該決定參考尺寸512位元，該程序可進行至步驟S540。

在另一實例中，參照第20圖，當該轉譯區244將該第二正規映射區段nm_sg 2轉譯成該第二轉譯映射區段tr_sg 2時，該第二正規映射區段nm_sg 2可自轉譯前之2K位元(=4位元×512)壓縮成轉譯後之1315位元(=(4位元+1位元)×263)。當將該決定參考尺寸設定成512位元時，由於該第二轉譯映射區段tr_sg 2之尺寸1315位元大於該決定參考尺寸512位元，該程序可進行至步驟S560。

參考第19圖，在步驟S540中，該決定區247可決定將該正規映射區段替代成轉譯映射區段。

在步驟S550中，可將該轉譯映射區段儲存在該操作記憶體裝置242中。例如，可將該第一轉譯映射區段tr_sg 1儲存在該操作記憶體裝置242中。

在步驟S560中，該決定區247可決定不將該正規映射區段替代成轉譯映射區段。

在步驟S570中，可將該正規映射區段儲存在該操作記憶體裝置242中。例如，可將該第二正規映射區段nm_sg 2儲存在該操作記憶體裝置242中。

第21圖至第24圖係說明當進行第19圖之操作程序時在每一步驟中傳輸之資料流的示意圖。在第21圖至第24圖中，該轉譯映射區段tr_sg及該正規映射區段nm_sg之流程示意圖係以虛線指示。

第21圖說明資料流①(第19圖之程序①)，其中在步驟S510中將儲存在該非揮發性記憶體裝置230中之正規映射區段nm_sg提供至該轉譯區244，且在步驟S540中該決定區247決定將該正規映射區段nm_sg替代為該轉譯映射區段tr_sg。

第22圖說明資料流②及③(第19圖之程序②及③)，其中在步驟S510中將儲存在該非揮發性記憶體裝置230中之正規映射區段nm_sg提供至該轉譯區244，且在步驟S560中該決定區247決定不將該正規映射區段nm_sg替代為該轉譯映射區段tr_sg。

第23圖說明資料之流程①(第19圖之程序①)，其中在步驟S510中將該更新正規映射區段up_nm_sg提供至該轉譯區244，且在步驟S540中該決定區247決定將該更新正規映射區段up_nm_sg替代為該更新轉譯映射區段up_tr_sg。

第24圖說明資料流②及③(第19圖之程序②及③)，其中在步驟 S510中將該更新正規映射區段up_nm_sg提供至該轉譯區244，且在步驟S560中該決定區247決定不將該更新正規映射區段up_nm_sg替代為該更新轉譯映射區段up_tr_sg。

例如，參考第23圖及第24圖，可逆轉譯及更新自該操作記憶體裝置242提供之轉譯映射區段tr_sg以提供作為該更新正規映射區段up_nm_sg。

第25圖係解釋第15圖之資料儲存設備220之另一操作方法的一流程圖。

該資料儲存設備(第15圖之220)之操作方法(其已參照第19圖描述)根據該決定區(第15圖之247)關於該映射區段之一替代之決定，包括步驟S550，其中該轉譯映射區段係儲存於該操作記憶體裝置(第15圖之242)中，或步驟S570，其中該正規映射區段係儲存於該操作記憶體裝置242中。

不論該決定區247關於該映射區段之替代的決定為何，該資料儲存設備220(將參照第25圖描述)可較佳地將該正規映射區段儲存於該操作記憶體裝置242中。該轉譯區244可進行將該正規映射區段轉譯為該轉譯映射區段之一轉譯操作。該決定區247可決定是否基於該轉譯映射區段之尺寸將該正規映射區段替代為該轉譯映射區段。當進行該轉譯操作時，該操作記憶體裝置242可儲存 該正規映射區段。為此，自該非揮發性記憶體裝置(第15圖之130)中讀取之正規映射區段可提供至該轉譯區244且同時提供至該操作記憶體裝置242。

當該決定區247決定不替代該映射區段時，該資料儲存設備220可實質上保持儲存在該操作記憶體裝置242中之正規映射區段不變。因此，與其中該決定區247決定不替代該映射區段後儲存該正規映射區段之例相較，該資料儲存設備220可以一較快速度操作。

參照第25圖，在步驟S610中，可將該正規映射區段提供至該操作記憶體裝置242及該轉譯區段244中。接著，可同時進行步驟S620及步驟S630。

在步驟S620中，可將提供之正規映射區段儲存在該操作記憶體裝置242中。

在步驟S630中，該轉譯區244可將該正規映射區段轉譯成轉譯映射區段。

在步驟S640中，該決定區247可將該轉譯映射區段之尺寸與該決定參考尺寸作比較。該決定區247可決定該轉譯映射區段之尺寸是否小於該決定參考尺寸。當該轉譯映射區段之尺寸小於該決定參考尺寸時(是)，該程序可進行至步驟S650。當該轉譯映射區段之尺寸等於或大於該決定參考尺寸時(否)，該程序可進行至步驟S670。

在步驟S650中，該決定區247可決定將該正規映射區段替代成轉譯映射區段。

在步驟S660中，可將該轉譯映射區段儲存在該操作記憶體裝置242中。例如，該轉譯映射區段可覆寫在該操作記憶體裝置242之一區域上，該正規映射區段已在步驟S620中儲存在該操作記憶體裝置242中。

在步驟S670中，該決定區247可決定不將該正規映射區段替代成該轉譯映射區段。先前儲存之正規映射區段實質上保留著。

第26圖至第29圖係說明當進行第25圖之操作程序時在每一步驟中傳輸之資料流的示意圖。在第26圖及第29圖中，該轉譯映射區段tr_sg及該正規映射區段nm_sg之流程示意圖係以虛線指示。

第26圖說明資料流①及②(第25圖之程序①及②)，其中在步驟S610中將儲存在該非揮發性記憶體裝置230中之正規映射區段nm_sg提供至該轉譯區244，且在步驟S650中該決定區247決定將該正規映射區段nm_sg替代為該轉譯映射區段tr_sg。根據該流程①，該正規映射區段nm_sg可較佳地儲存在該操作記憶體裝置242之記憶體區域250中。接著，根據該流程②，該轉譯映射區段tr_sg可覆寫在該操作記憶體裝置242之記憶體區域250上。

第27圖說明資料流①及③(第25圖之程序①及③)，其中在步驟S610中將儲存在該非揮發性記憶體裝置230中之正規映射區段nm_sg提供至該轉譯區244，且在步驟S670中該決定區247決定不將該正規映射區段nm_sg替代為該轉譯映射區段tr_sg。根據該流程①，在步驟S620中較佳地儲存在該操作記憶體裝置242中之正規映射區段nm_sg可實質上保留著。

第28圖說明資料流①及②(第25圖之程序①及②)，其中在步驟S610中將更新之正規映射區段nm_sg提供至該轉譯區244，且在步驟S650中該確定區247確定以將該更新正規映射區段up_nm_sg替代為該更新轉譯映射區段up_tr_sg。根據該流程①，在步驟S620中，該更新正規映射區段up_nm_sg可較佳地儲存在該操作記憶體裝置242之記憶體區域250中。接著，根據該流程②，該更新轉譯映射區段up_tr_sg可覆寫在該操作記憶體裝置242之記憶體區域250上。

第29圖說明資料流①及③(第25圖之程序①及③)，其中在步驟S610中將更新之正規映射區段nm_sg提供至該轉譯區244，且在步驟S670中該決定區247決定不將更新正規映射區段up_nm_sg替代為該更新轉譯映射區段up_tr_sg。根據該流程①，在步驟S620中較佳地儲存在該操作記憶體裝置242中 之正規映射區段nm_sg可實質上保留著。

例如，參考第28圖及第29圖，可逆轉譯及更新自該操作記憶體裝置242提供之轉譯映射區段tr_sg以提供作為該更新正規映射區up_nm_sg。

第30圖係解釋其中該位址映射資料之單元改變之例的一示意圖，一轉譯操作及一逆轉譯操作在該位址映射資料上進行。

根據本發明之實施例之處理單元(第15圖之243)可在該位址映射資料(第15圖之235)上以各種單元進行轉譯操作及逆轉譯操作。例如，前述之處理單元243在該位址映射資料235上基於區段進行該轉譯操作及該逆轉譯操作。即，該處理單元243可藉由該單元進行該轉譯操作及該逆轉譯操作，在該單元中，正規映射資料(即包括位址映射資訊之位址映射資料，該轉譯區(第15圖之244)在其上尚未進行轉譯操作)係接收自該非揮發性記憶體裝置(第15圖之230)。在另一實例中，該處理單元243可由該單元進行該轉譯操作及該逆轉譯操作，該單元小於該正規映射資料自該非揮發性記憶體裝置230接收於其中之單元。此時，當改變位址映射資料之一單元(該轉譯操作於其上進行)時，該決定區(第15圖之247)可不同地進行關於以轉譯位址映射資料替代之決定(即位址映射資料，該轉譯操作已由該轉譯區244於其上進行)。

例如，第30圖說明由正規映射區段nm_sg分割出之第一正規位址映射資料nm_md 1及第二正規位址映射資料nm_md 2。該第一正規位址映射資料nm_md 1及該第二正規位址映射資料nm_md 2包括1K位元，其小於該區段尺寸(即，2K位元)。

當該正規映射區段nm_sg轉譯成該轉譯映射區段tr_sg時，該正規映射區段nm_sg可自轉譯前之2K位元(=4位元×512)轉譯為轉譯後之1315位元(=(4位元+1位元)×263)。當將該決定參考尺寸設定成512位元時，由於該轉譯映射區段tr_sg之尺寸1315位元大於該決定參考尺寸512位元，該決定區247可決定 不以該轉譯映射區段tr_sg替代。因此，可將該正規映射區段nm_sg儲存在該操作記憶體裝置242中。

當該第一正規位址映射資料nm_md 1經轉譯成第一轉譯位址映射資料tr_md 1時，該第一正規位址映射資料nm_md 1可自轉譯前之1K位元(=4位元×256)轉譯為轉譯後之35位元(=(4位元+1位元)×7)。當將該決定參考尺寸設定成512位元時，由於該第一轉譯位址映射資料tr_md 1之尺寸35位元小於該決定參考尺寸512位元，該決定區247可決定以該第一轉譯位址映射資料tr_md 1替代。因此，可將該第一轉譯位址映射資料tr_md 1儲存在該操作記憶體裝置242中。

當第二正規位址映射資料nm_md 2經轉譯成第二轉譯位址映射資料tr_md 2時，該第二正規位址映射資料nm_md 2可自轉譯前之1K位元(=4位元×256)轉譯為轉譯後之1280位元(=(4位元+1位元)×256)。當將該決定參考尺寸設定成512位元時，由於該第二正規位址映射資料nm_md 2之尺寸1280位元大於該決定參考尺寸512位元時，該決定區247可決定不以該第二轉譯位址映射資料tr_md 2替代。因此，可將該第二正規位址映射資料nm_md 2儲存在該操作記憶體裝置242中。

即，當該轉譯區(第15圖之244)基於一區段(即，以2K位元)進行該轉譯操作時，將該正規映射區段nm_sg儲存於該操作記憶體裝置242中。然而，當該轉譯區244以1K位元進行轉譯操作時，該第一轉譯位址映射資料tr_md 1及該第二正規位址映射資料nm_md 2可儲存於該操作記憶體裝置242中。該操作記憶體裝置242可進一步確保後者之733位元(=2K位元-(35位元+1280位元))的儲存空間多於前者。

第31圖係解釋該操作記憶體裝置242之一資料管理方法的一示意圖。

①說明當正規映射區段與轉譯映射區段(其尺寸彼此不同)儲存於該操作記憶體裝置(第15圖之242)中時無效資料保留之狀態。例如，當將該轉譯映射區段覆寫在一記憶體區域(該等正規映射區段已儲存於其中)上時，區域101a至101c可存在，無效資料已儲存在其中。

可配置該等區域101a至101c以確保可儲存該等正規映射區段於其中之區域。例如，可複製一第四轉譯映射區段tr_sg 4至該區域101a，可複製一第五轉譯映射區段tr_sg 5至該區域101b，且可複製一第六轉譯映射區段tr_sg 6至該區域101c。

②說明其中在該操作記憶體裝置242中確保可儲存該等正規映射區段之區域能力。

儘管以上已描述某些實施例，本發明所屬技術領域之通常知識者應了解所述之實施例僅作示例用。因此，本文所述之資料儲存設備及其操作方法應不受限於所述之實施例。而是，本文所述之資料儲存設備及其操作方法應僅根據以下申請專利範圍而限制。

100‧‧‧資料處理系統

110‧‧‧主機設備

115‧‧‧介面

120‧‧‧資料儲存設備

130‧‧‧非揮發性記憶體裝置

135‧‧‧位址映射資料

140‧‧‧控制器

141‧‧‧微處理器

142‧‧‧操作記憶體裝置

143‧‧‧處理單元

144‧‧‧轉譯區

145‧‧‧逆轉譯區

146‧‧‧緩衝區

Claims (20)

1. 一種資料儲存設備，其包括：一轉譯區，其適於進行將第一位址映射資料轉譯成第二位址映射資料之一轉譯操作；及一操作記憶體裝置，其適於儲存該第二位址映射資料。
2. 如申請專利範圍第1項之資料儲存設備，其中該第二位址映射資料之一尺寸小於該第一位址映射資料之一尺寸。
3. 如申請專利範圍第1項之資料儲存設備，其進一步包含：一微處理器，其適於自該第二位址映射資料擷取位址映射資訊。
4. 如申請專利範圍第3項之資料儲存設備，其中該微處理器擷取對應於自一主機設備請求之一邏輯位址之一實體位址作為該位址映射資訊。
5. 如申請專利範圍第1項之資料儲存設備，其進一步包含：一非揮發性記憶體裝置，其適於備份該第一位址映射資料。
6. 如申請專利範圍第5項之資料儲存設備，其中該轉譯區藉由一第一單元進行該轉譯操作，在該第一單元中自該非揮發性記憶體裝置提供該第一位址映射資料。
7. 如申請專利範圍第5項之資料儲存設備，其中該轉譯區藉由一第二單元進行該轉譯操作，該第二單元小於一第一單元，在該第一單元中自該非揮發性記憶體裝置提供該第一位址映射資料。
8. 如申請專利範圍第1項之資料儲存設備，其進一步包含：一逆轉譯區，其適於進行一逆轉譯操作以用於將該第二位址映射資料反向地轉譯為第一位址映射資料。
9. 如申請專利範圍第8項之資料儲存設備，其中當進行用於反射在該第一位址映射資料中之新位址映射資訊之一更新操作時，該逆轉譯區進行該逆轉 譯操作。
10. 如申請專利範圍第8項之資料儲存設備，其中該逆轉譯區進行用於將待備份之第二位址映射資料反向地轉譯之逆轉譯操作。
11. 一種資料儲存設備，其包括：一轉譯區，其適於進行將第一位址映射資料轉譯成第二位址映射資料之一轉譯操作；一決定區，其適於進行基於該第二位址映射資料之一尺寸決定是否將該第一位址映射資料替代為該第二位址映射資料；及一操作記憶體裝置，其適於基於該決定區之一決定而儲存該第二位址映射資料或該第一位址映射資料。
12. 如申請專利範圍第11項之資料儲存設備，其中該決定區適於將該第二位址映射資料之尺寸與一決定參考尺寸作比較。
13. 如申請專利範圍第12項之資料儲存設備，其中該決定區在該第二位址映射資料之尺寸小於該決定參考尺寸時決定將該第一位址映射資料替代為該第二位址映射資料，且在該第二位址映射資料之尺寸等於或大於該決定參考尺寸時決定保留該第一位址映射資料。
14. 如申請專利範圍第12項之資料儲存設備，其中將該決定參考尺寸設定為等於或小於該第一位址映射資料之一尺寸。
15. 如申請專利範圍第11項之資料儲存設備，其中，當決定替代該第一位址映射資料時，將該第二位址映射資料儲存在該操作記憶體裝置中，且當決定保留該第一位址映射資料時，將該第一位址映射資料儲存在該操作記憶體裝置中。
16. 如申請專利範圍第11項之資料儲存設備，其中該操作記憶體裝置包含：一第一記憶體區域，其適於儲存該第一位址映射資料；及 一第二記憶體區域，其適於儲存該第二位址映射資料。
17. 如申請專利範圍第11項之資料儲存設備，其中當進行該轉譯操作時，該操作記憶體裝置儲存該第一位址映射資料，並基於該決定區之決定選擇性地儲存該第二位址映射資料。
18. 如申請專利範圍第17項之資料儲存設備，其中，當決定替代該第一位址映射資料時，該操作記憶體裝置將所儲存之第一位址映射資料替代為該第二位址映射資料，且當決定保留該第一位址映射資料時，該操作記憶體裝置保留所儲存之第一位址映射資料。
19. 一種資料儲存設備之操作方法，其包含：將第一位址映射資料轉譯成第二位址映射資料；將該第二位址映射資料之一尺寸與一參考尺寸作比較；基於該比較之一結果，決定是否將該第一位址映射資料替代為該第二位址映射資料；及基於該決定之一結果，選擇性地將該第二位址映射資料及該第一位址映射資料儲存在一操作記憶體裝置。
20. 如申請專利範圍第19項之操作方法，該第一及第二位址映射資料之選擇性儲存包含：當該第一位址映射資料經轉譯成該第二位址映射資料時，將該第一位址映射資料儲存在該操作記憶體裝置中，及基於該決定之結果將儲存在該操作記憶體裝置中之第一位址映射資料替代為該第二位址映射資料。