TW201518898A

TW201518898A - 樞軸組件及應用樞軸組件之擴充結構

Info

Publication number: TW201518898A
Application number: TW102139814A
Authority: TW
Inventors: Yen-Cheng Lin; Hsin-Liang Chen
Original assignee: Inventec Corp
Priority date: 2013-11-01
Filing date: 2013-11-01
Publication date: 2015-05-16
Also published as: TWI506403B

Abstract

一種樞軸組件包含一第一樞接件及一第二樞接件。第一樞接件包含一軸部及一凸部。軸部具有一外壁面。凸部設於外壁面。第二樞接件具有一軸孔及位於形成軸孔之一內壁面的多個凹部。這些凹部各具有一第一面及一第二面。這些第一面及這些第二面依序沿以軸孔之中心軸為一旋轉軸線的一旋轉方向交錯排列，且每一第一面與內壁面之夾角係異於每一第二面與內壁面之夾角。軸孔分別樞設於軸孔，且凸部卡合於這些凹部之一。本發明更包含應用此樞軸組件之擴充結構。藉此，避免插設於一第一擴充組件之記憶體與插設於一第二擴充組件之記憶體相互干涉。

Description

樞軸組件及應用樞軸組件之擴充結構

本發明係關於一種樞軸組件，特別是一種順轉之旋轉阻力異於逆轉之旋轉阻力的樞軸組件及應用樞軸組件之擴充結構。

電腦主機的中央處理單元(Central Processing Unit，CPU)係以隨機存取記憶體(Random Access Memory，RAM)當作資料儲存區，中央處理單元的計算結果與程式指令皆放置於隨機存取記憶體，而當程式執行需要時，可取用儲存區裡的資料。

但現今電腦主機的功能越來越強大，對於資料處理速度與資料量的需求亦相對增加。因此，使用者通常會希望能夠增加記憶體插槽的數量以擴充記憶體的容量。目前業者的作法為在主機板之記憶體插槽上插設具有多個記憶體擴充插槽之記憶體擴充結構，以擴充電腦主機之記憶體的數量。為了增加記憶體擴充槽之數量，設計人員會提高記憶體擴充槽之排列密度。記憶體擴充結構一般包含有雙擴充基板及雙樞接組件。雙擴充基板透過雙樞接組件可相對閉合或展開。在展開或閉合記憶體擴充結構時，則位於相對擴充基板之記憶體易因記憶體排列較密集而相互干涉。如此一來，將造成組裝人員使用上之不便。

本發明在於提供一種樞軸組件及應用樞軸組件之擴充結構，藉以改善記憶體擴充結構在展開或閉合時，位於相對擴充基板之記憶體易因記憶體排列較密集而相互干涉的問題。

本發明所揭露的擴充結構包含一第一擴充組件、一第二擴充組件及一樞接組件。樞接組件包含一第一樞接件、一第二樞接件及一第三樞接件。第一樞接件連接於第一擴充組件。第二樞接件連接於第二擴充組件。第一樞接件與第二樞接件各具有一軸孔及位於軸孔之一內壁面上的多個凹部。每一凹部具有相對的一第一面及一第二面。每一第一面與內壁面之間的夾角係異於及每一第二面與內壁面之間的夾角。第三樞接件之相對兩側各包含一軸部及位於軸部上的一凸部。二軸部分別樞設於二軸孔，且二凸部分別位於第一樞接部之這些凹部之一及第二樞接部之這些凹部之一。

本發明所揭露的樞軸組件包含一第四樞接件及一第五樞接件。第四樞接件包含一軸部及一凸部。軸部具有一外壁面。凸部設於外壁面。第五樞接件具有一軸孔及位於形成軸孔之一內壁面的多個凹部。這些凹部各具有一第一面及一第二面。這些第一面及這些第二面依序沿以軸孔之中心軸為一旋轉軸線的一旋轉方向交錯排列，且每一第一面與內壁面之夾角係異於每一第二面與內壁面之夾角。軸孔分別樞設於軸孔，且凸部卡合於這些凹部之一。

根據上述本發明所揭露的樞軸組件及應用樞軸組件之擴充結構，由於第一夾角與第二夾角皆小於90度，且第一夾角異於第二夾角。因此，二軸部相對軸孔樞轉時，順時針旋轉方向的旋轉阻力會異於逆時針的旋轉阻力，進而使第一擴充組件與第二擴充組件的樞轉速度不一致，以避免插設於第一擴充組件之記憶體與插設於第二擴充組件之記憶體相互干涉。

以上關於本發明內容的說明及以下實施方式的說明係用以示範與解釋本發明的原理，並且提供本發明的專利申請範圍更進一步的解釋。

10‧‧‧擴充結構

20‧‧‧基板

22‧‧‧電性插槽

30‧‧‧記憶體

100‧‧‧第一擴充組件

110‧‧‧第一電路板

120‧‧‧第一電連接部

130‧‧‧第一擴充插槽

200‧‧‧第二擴充組件

210‧‧‧第二電路板

220‧‧‧第二電連接部

230‧‧‧第二擴充插槽

300‧‧‧樞接組件

310‧‧‧第一樞接件

311‧‧‧軸孔

312‧‧‧內壁面

313‧‧‧凹部

314‧‧‧第一面

315‧‧‧第二面

316‧‧‧軸部

317‧‧‧凸部

320‧‧‧第二樞接件

321‧‧‧軸孔

322‧‧‧內壁面

323‧‧‧凹部

324‧‧‧第一面

325‧‧‧第二面

326‧‧‧軸部

327‧‧‧凸部

330‧‧‧第三樞接件

331‧‧‧軸部

332‧‧‧外壁面

333‧‧‧凸部

334‧‧‧軸孔

335‧‧‧凹部

340‧‧‧第四樞接件

341‧‧‧軸部

342‧‧‧凸部

350‧‧‧第五樞接件

351‧‧‧軸孔

352‧‧‧凹部

第1圖為根據本發明第一實施例之擴充結構的平面示意圖。

第2圖為第1圖之擴充結構的展開示意圖。

第3A圖為第1圖之部分放大之平面示意圖。

第3B圖為第3A圖之部分放大之平面示意圖。

第3C圖為第3A圖之部分放大之平面示意圖。

第4圖為第1圖之擴充結構之閉合的動作示意圖。

第5圖為第1圖之擴充結構之展開的動作示意圖。

第6圖為根據本發明第二實施例之擴充結構的平面示意圖。

第7圖為根據本發明第三實施例之樞接組件的平面示意圖。

請參照第1圖至第3C圖。第1圖為根據本發明第一實施例之擴充結構的平面示意圖。第2圖為第1圖之擴充結構的展開示意圖。第3A圖為第1圖之部分放大之平面示意圖。第3B圖為第3A圖之部分放大之平面示意圖。第3C圖為第3A圖之部分放大之平面示意圖。

如第1圖所示，本實施例之擴充結構10用以插設於基板20上之電性插槽22。擴充結構10包含一第一擴充組件100、一第二擴充組件200及一樞接組件300。

如第2圖所示，第一擴充組件100包含一第一電路板110、一第一電連接部120及至少一第一擴充插槽130。第一電連接部120電性連接於第一電路板110。至少第一擴充插槽130電性連接第一電路板110。

第二擴充組件200包含一第二電路板210、一第二電連接部220及至少一第二擴充插槽230。第二電連接部220 電性連接於第二電路板210。至少第二擴充插槽230電性連接第二電路板210。第一電連接部120與第二電連接部220分別用以耦接於二電性插槽22。第一擴充插槽130與第二擴充插槽230分別用以電性插接記憶體30。

第一擴充組件100與第二擴充組件200可透過樞接組件300相對樞轉而具有相對靠攏的一收合位置及一展開位置。當第一擴充組件100與第二擴充組件200位於收合位置時，第一擴充插槽130與第二擴充插槽230的位置彼此交錯排列。更進一步來說，本實施例之第一擴充插槽130較第二擴充插槽230遠離樞接組件300。

如第3A圖與第3B圖所示，樞接組件300包含一第一樞接件310、一第二樞接件320及一第三樞接件330。第一樞接件310連接於第一電路板110。第二樞接件320連接於第二電路板210。第一樞接件310與第二樞接件320各具有一軸孔311、321及位於軸孔311、321之一內壁面312、322上的多個凹部313、323。每一凹部313、323具有相對的一第一面314、324及一第二面315、325。第一樞接件310之每一凹部313之第一面314具有一第一法線方向N1。軸孔311具有遠離中心軸C1之多個第一徑向方向R1。與第一法線方向N1相交之第一徑向方向R1和第一法線方向N1之外積而定義出一第一方向(同負X軸所指之方向)。

如第3A圖與第3C圖所示，第二樞接件320之每一凹部323之第一面324具有一第二法線方向N2。軸孔321具有遠離中心軸C2之多個第二徑向方向R2。與第二法線方向N2相交之第二徑向方向R2和第二法線方向N2之外積而定義出一第二方向(同負X軸所指之方向)。換言之，第一方向N1等於第二方向N2。此外，每一第一面314、324與內壁面312、322之間的夾角θ 1係異於每一第二面315、325與內壁面312、322之間的夾角θ 2。

進一步來說，每一第一面314、324與內壁面312、 322之間具有一第一夾角θ 1。每一第二面315、325與內壁面312、322之間具有一第二夾角θ 2。在本實施例中，第一夾角θ 1與第二夾角θ 2皆小於90度，且第一夾角θ 1大於第二夾角θ 2。

此外，在本實施例中，相鄰之第一面314、324 與第二面315、325彼此相連。但並不以此為限，在其他實施例中，相鄰之第一面314、324與第二面315、325之間也可以保持一間隙。

第三樞接件330之相對兩側各包含一軸部331及位於軸部331之一外壁面332上的一凸部333。二軸部331分別樞設於二軸孔311、321，且二凸部333分別位於第一樞接部310之這些凹部313之一及第二樞接部320之這些凹部323之一。

接著，說明樞接組件300及擴充結構10之作動原理。請參閱第4圖與第5圖。第4圖為第1圖之擴充結構之閉合的動作示意圖。第5圖為第1圖之擴充結構之展開的動作示意圖。

由於第一夾角θ 1與第二夾角θ 2皆小於90度，且第一夾角θ 1大於第二夾角θ 2。因此，二軸部331相對軸孔311、321樞轉時，順時針旋轉方向的旋轉阻力會大於逆時針的旋轉阻力。

當使用者要將第一擴充組件100與第二擴充組件200樞轉至閉合位置時，第一擴充組件100係沿順時針方向(如箭頭a所指之方向)旋轉而遇較大之旋轉阻力，而第二擴充組件200係沿逆時針方向(如箭頭b所指之方向)旋轉而遇較小之旋轉阻力。因此，第二擴充組件200會先樞轉至閉合位置，第一擴充組件100才會樞轉至閉合位置(如第4圖所示)，使得第一擴充組件100上插設之記憶體30與第二擴充組件200上插設之記憶體30不會相互干涉。

反之，當使用者要將第一擴充組件100與第二擴充組件200樞轉至展開位置時，第一擴充組件100係沿逆時針方向(如箭頭b所指之方向)旋轉而遇較小之旋轉阻力，而第二擴充組件100係沿順時針方向(如箭頭a所指之方向)旋轉而遇較大之旋轉阻力。因此，第一擴充組件100會先離開閉合位置，第二擴充組件200才會離開閉合位置(如第5圖所示)，使得第一擴充組件100上插設之記憶體30與第二擴充組件200 上插設之記憶體30不會相互干涉。

請參閱第6圖。第6圖為根據本發明第二實施例之擴充結構的平面示意圖。本實施例與上述第1圖之實施例相似，故僅針對相異處進行說明。

本實施例之擴充結構10包含一第一擴充組件100、一第二擴充組件200及一樞接組件300。

樞接組件300包含一第一樞接件310、一第二樞接件320及一第三樞接件330。第一樞接件310連接於第一擴充組件100。第二樞接件320連接於第二擴充組件200。第一樞接件310與第二樞接件320各具有一軸部316、326及凸部317、327。軸部316、326之結構相似於上述第3A圖之軸部331之結構。凸部317、327之結構相似於上述第3A圖之凸部333之結構，故不再贅述。

第三樞接件330之相對兩側各包含一軸孔334及一凹部335。軸孔334之結構相似於上述第3A圖之軸孔311、321之結構。凹部335之結構相似於上述第3A圖之凹部313、323之結構，故不再贅述。

上述之樞接組件300係適用於雙樞轉軸之擴充結構10，但並不以此為限，樞接組件300也可以適用於單樞轉軸之結構上。接下來以單樞轉軸之樞接組件300進行說明。請參閱第7圖，第7圖為根據本發明第三實施例之樞接組件的平面示意圖。

本實施例之樞接組件300包含一第四樞接件340及一第五樞接件350。

第四樞接件340包含一軸部341及一凸部342。軸部341之結構相似於上述第3A圖之軸部331之結構。凸部342之結構相似於上述第3A圖之凸部333之結構，故不再贅述。

第五樞接件350具有一軸孔351及多個凹部352。軸孔351之結構相似於上述第3A圖之軸孔311、321之結構。凹部352之結構相似於上述第3A圖之凹部313、323之結構，故不再贅述。

根據上述本發明所揭露的樞軸組件及應用樞軸組件之擴充結構，由於第一夾角與第二夾角皆小於90度，且第一夾角大於第二夾角。因此，二軸部相對軸孔樞轉時，順時針旋轉方向的旋轉阻力會大於逆時針的旋轉阻力，進而使第一擴充組件與第二擴充組件的樞轉速度不一致，以避免插設於第一擴充組件之記憶體與插設於第二擴充組件之記憶體相互干涉。

雖然本發明的實施例揭露如上所述，然並非用以限定本發明，任何熟習相關技藝者，在不脫離本發明的精神和範圍內，舉凡依本發明申請範圍所述的形狀、構造、特徵及數量當可做些許的變更，因此本發明的專利保護範圍須視本說明書所附的申請專利範圍所界定者為準。