TW201509199A - 高感度聲波傳感器 - Google Patents

高感度聲波傳感器 Download PDF

Info

Publication number
TW201509199A
TW201509199A TW102131367A TW102131367A TW201509199A TW 201509199 A TW201509199 A TW 201509199A TW 102131367 A TW102131367 A TW 102131367A TW 102131367 A TW102131367 A TW 102131367A TW 201509199 A TW201509199 A TW 201509199A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
diaphragm
acoustic wave
positioning member
wave sensor
vibrating portion
Prior art date
Application number
TW102131367A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI507051B (zh
Inventor
zhen-yi Chen
chao-sen Zhang
jun-jie Wang
Yong-xiang ZHANG
Original Assignee
Merry Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Merry Electronics Co Ltd filed Critical Merry Electronics Co Ltd
Priority to TW102131367A priority Critical patent/TWI507051B/zh
Publication of TW201509199A publication Critical patent/TW201509199A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI507051B publication Critical patent/TWI507051B/zh

Links

Landscapes

  • Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)

Abstract

一種高感度聲波傳感器,包含一基板、一背板以及一振膜,其中振膜以其外周緣固定設於基板並覆蓋基板之一開孔,背板具有一定位件連結背板與振膜,進而定義出至少一振動部,而且還有複數個彈性件環設於該振動部之周緣。藉此,振動部具有較小的變形寬度而增加其剛性,有效提升其聲音接收的靈敏度以及訊噪比。

Description

高感度聲波傳感器
本發明為一種聲波傳感器,特別是一種在振膜中央設有定位件,進而定義出可自由振動的一振動部,並且在振動部的周緣設有複數個彈性件,使振動部產生近似活塞位移的上下振動,進而提升聲波傳感器的靈敏度。
微機電麥克風具有體積小以及製程容易的優點,因此大量運用於手機。請參考第1圖,一般習知的聲波傳感器80具有一基板81、一背板82以及一振膜83,其中,振膜83覆蓋在基板81的開孔811上,背板82具有一電極單元85且設置於基板81而與振膜83之間相隔有一間隙84,背板82還具有一連接部821圍繞固定振膜83的外周緣。因此,當聲波傳感器80接收到聲波時,振膜83能夠振動並改變其與電極單元85之間的距離,進而造成電容值的改變。
當聲波傳感器80接收聲波而使振膜83朝聲波行進方向形變時,由於振膜83只有以其周緣固定在基板81上,因此振膜83越接近其中央區域的部分將產生較大的變形量,使得振膜83呈現一開口朝下的弧形,如此不均勻的變形方式將會造成振膜83的有效感測面積A遠小於振膜83的整體面積,進而影響聲波傳感器80的靈敏度以及訊噪比。目前既有的做法是 利用增加振膜厚度或縮小振膜整體面積等方式來增加振膜剛性,以避免振膜產生弧形變形,但容易提高製程複雜度或是製作成本,因此,目前仍缺乏可行的技術方案來解決此一問題。
有鑑於此,本發明之主要目的在於提供一種高感度聲波傳感器,能夠控制振膜的變形寬度,讓振膜產生近似平移的運動,有效提升其聲音接收的靈敏度以及訊噪比。
為了達成上述目的,本發明提供了一種高感度聲波傳感器,包含一基板、一背板以及一振膜,振膜以其外周緣固定設於基板並覆蓋基板之一開孔,並且背板具有一定位件連結振膜,進而定義出至少一振動部,以及複數個彈性件環設於振動部之周緣。
藉此,本發明不需要變動振膜的厚度或是尺寸,振動部的變形寬度會比振膜的整體寬度來得小,使振動部的剛性增加,當聲波傳感器接收聲波時,彈性件會優先產生變形並使振動部產生類似平移的上下振動,有效提升其聲音接收的靈敏度以及訊噪比,也有助於維持製程穩定性與製作成本。
較佳地,定位件為一實心柱、一空心柱或是由複數個實心柱排列構成,除了能定義單一振動部之外,也能使振動部的數量在二個或二個以上。
較佳地,振膜設呈圓形而定位件連結於振膜的中央位置,使振動部為圓環形,或者,當振膜設呈矩形時,定位件是呈直線而定義出二個矩形的振動部,同樣具有均勻的變形與作動。
1‧‧‧聲波傳感器
10‧‧‧基板
11‧‧‧矽底層
12‧‧‧絕緣層
13‧‧‧鏤空槽
14‧‧‧開孔
20‧‧‧振膜
21‧‧‧振動部
30‧‧‧背板
31‧‧‧定位件
32‧‧‧連接部
33‧‧‧音孔
35‧‧‧表面
40‧‧‧彈性件
50‧‧‧電極單元
G‧‧‧間隙
R‧‧‧變形寬度
W‧‧‧邊長
80‧‧‧聲波傳感器
81‧‧‧基板
811‧‧‧開孔
82‧‧‧背板
821‧‧‧連接部
83‧‧‧振膜
84‧‧‧間隙
85‧‧‧電極單元
A‧‧‧有效感測面積
第1圖為習知聲波傳感器之剖視圖。
第2圖為本發明實施例聲波傳感器之橫斷面剖視圖。
第3圖為本發明實施例聲波傳感器以第2圖中3-3剖視線的縱斷面剖視圖。
第4圖為本發明第二實施例聲波傳感器的剖視圖。
第5圖為本發明第三實施例聲波傳感器的剖視圖。
為了能更瞭解本發明之特點所在,本發明提供了一第一實施例並配合圖示說明如下,請參考第2至3圖。本發明的主要元件包含有一基板10、一振膜20、一背板30以及複數個彈性件40,各元件的結構以及相互間的關係詳述如下:請參考第2圖,基板10為一矽底層11以及佈設於矽底層11上方的一絕緣層12所構成,基板10更具有一鏤空槽13貫穿基板10的二面,且鏤空槽13在絕緣層12上形成一呈圓形的開孔14,以供聲波通過。
振膜20以其周緣固定設置於基板10上而覆蓋開孔14,在本實施例中,振膜20的形狀為圓形。當然,本領域技術人員亦可視情況改用方形或其他幾何形狀之振膜,同時對應改變開孔14的外形。
背板30罩設於絕緣層12的上方,具有面向基板10的一表面35而與振膜20之間相隔有一間隙G。此外,背板30具有一定位件31從表面35朝振膜20延伸而成,用來限制振膜20的中央區域產生振動。背板30另開設有複數個音孔33,以供聲波通過,其開設數目可依實際需要改變,並且依 照封裝方式的不同,聲波傳感器1亦可改為從音孔33到振膜20傳播聲波。請參考第3圖,藉由定位件31可以定義出能自由振動之振動部21。在本實施例中,振動部21是介於定位件31周緣與振膜20連接基板10的周緣之間而呈現圓環形。在本實施例中,定位件31為一實心圓柱,本領域技術人員亦可將定位件31改為其他幾何外形的實心柱或是空心柱,進而改變振動部21的幾何形狀或數量。
彈性件40是環設於振動部21相對靠近與遠離該定位件的內外周緣,其設置的數量可依實際需求加以改變。
當聲波經過鏤空槽13或音孔33而到達振膜20時,如第2至3圖所示,具較大彈性的彈性件40將優先產生形變,再加上振動部21的變形寬度R小於振膜20的整體寬度而使得剛性增加,變形的幅度也隨之減少,因此振動部21與彈性件40在聲波的作用下會產生近似平移的上下運動。相較於沒有設置定位件31的情況,雖然會犧牲振膜20的部分感測面積,卻能夠增加有效感測面積,讓聲波傳感器1能在不改變振膜20厚度與材質的前提之下,有效地提升聲音接收的靈敏度以及訊噪比。
本發明另提供了一第二實施例,請參考第4圖,其主要元件與第一實施例大致相同,主要差異在於:定位件31的形狀為一中空圓柱且其外徑小於開孔14的孔徑,此時定位件31可以將振膜20區分為二個區域,形成分別位於定位件31內側與外側的二振動部21,且各振動部21周緣環設複數個彈性件40,因此能夠由複數個振動部21分別對應不同的聲音動態範圍。
本發明再提供了一第三實施例,請參考第5圖,其主要元件 與第一實施例大致相同但主要差異在於:開孔14為方孔且振膜20呈矩形,而定位件31為複數個連接柱以平行於一邊長W的方向直線排列而成。在此情況下,定位件31所圍繞的部分仍能限制振膜20的部分區域產生振動,並使得振動部21的數量為二個,各振動部21之周緣環設複數個彈性件40,而能同樣地調整振動部21的變形寬度。
最後,必須再次說明的是,本發明於前述實施例中所揭露的構成元件僅為舉例說明,並非用來限制本案之範圍,舉凡其他易於思及的結構變化或與其他等效元件的替代,亦應為本案之申請專利範圍所涵蓋。
1‧‧‧聲波傳感器
10‧‧‧基板
11‧‧‧矽底層
12‧‧‧絕緣層
13‧‧‧鏤空槽
14‧‧‧開孔
20‧‧‧振膜
21‧‧‧振動部
30‧‧‧背板
31‧‧‧定位件
32‧‧‧連接部
33‧‧‧音孔
35‧‧‧表面
40‧‧‧彈性件
50‧‧‧電極單元
G‧‧‧間隙

Claims (9)

  1. 一種高感度聲波傳感器,包含一基板、一背板以及一振膜,該振膜以其外周緣固定設於該基板並覆蓋該基板之一開孔,其特徵在於:更具有一定位件連結於該背板與該振膜之間,進而定義出至少一振動部,以及複數個彈性件環設於該振動部之周緣。
  2. 如請求項1所述之高感度聲波傳感器,其中該定位件為一實心柱。
  3. 如請求項1所述之高感度聲波傳感器,其中該定位件為一空心柱。
  4. 如請求項1所述之高感度聲波傳感器,其中該定位件是由複數個連接柱排列構成。
  5. 如請求項1至4其中任一項所述之高感度聲波傳感器,其中該定位件,是從該背板朝向該振膜延伸而連接該振膜。
  6. 如請求項1至4其中任一項所述之高感度聲波傳感器,其中該定位件是從該振膜朝向該背板延伸而連接該背板。
  7. 如請求項1至4其中任一項所述之高感度聲波傳感器,其中該振膜設呈圓形,該定位件連結於該振膜的中央位置並使該振動部為圓環形。
  8. 如請求項3或4其中任一項所述之高感度聲波傳感器,其中該振膜設呈圓形,該定位件連結於該振膜的中央位置,並使該至少一振動部的數量為二個。
  9. 如請求項1至3其中任一項所述之高感度聲波傳感器,其中該振膜設呈矩形,該定位件直線排列,使該至少一振動部的數量為二且設呈矩形。
TW102131367A 2013-08-30 2013-08-30 高感度聲波傳感器 TWI507051B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW102131367A TWI507051B (zh) 2013-08-30 2013-08-30 高感度聲波傳感器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW102131367A TWI507051B (zh) 2013-08-30 2013-08-30 高感度聲波傳感器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201509199A true TW201509199A (zh) 2015-03-01
TWI507051B TWI507051B (zh) 2015-11-01

Family

ID=53186420

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102131367A TWI507051B (zh) 2013-08-30 2013-08-30 高感度聲波傳感器

Country Status (1)

Country Link
TW (1) TWI507051B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114302294A (zh) * 2020-10-08 2022-04-08 阿比特电子科技股份有限公司 微机电系统声学传感器、微机电系统封装结构及其制造方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI595789B (zh) * 2016-02-16 2017-08-11 智動全球股份有限公司 電聲轉換器

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1977564A (zh) * 2004-06-03 2007-06-06 迪芬尼公司 包括多个同轴布置的振动膜的声换能器
EP1694094A1 (en) * 2005-02-18 2006-08-23 AKG Acoustics GmbH Membrane for a dynamic converter
GB2427522B (en) * 2005-06-22 2008-07-16 Gp Acoustics Compound Loudspeaker
TWI343756B (en) * 2009-08-10 2011-06-11 Ind Tech Res Inst Flat loudspeaker structure
TWI366403B (en) * 2008-03-14 2012-06-11 Merry Electronics Co Ltd Diaphragm of acoustic transducer and manufacturing method thereof
CN102065355A (zh) * 2010-05-04 2011-05-18 瑞声声学科技(深圳)有限公司 振膜及包括该振膜的微型发声器
TWM454056U (zh) * 2012-11-06 2013-05-21 Fortune Grand Technology Inc 揚聲器單體

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114302294A (zh) * 2020-10-08 2022-04-08 阿比特电子科技股份有限公司 微机电系统声学传感器、微机电系统封装结构及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI507051B (zh) 2015-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5590616B2 (ja) 単一指向性コンデンサマイクロホンユニット
US9369808B2 (en) Acoustic transducer with high sensitivity
US8731220B2 (en) MEMS microphone
KR101598927B1 (ko) 압전 스피커
US20170257708A1 (en) Acoustic transducer
US10321236B2 (en) Loudspeaker module
KR101630353B1 (ko) 질량체를 가진 압전 스피커 및 그 제조 방법
CN105191352A (zh) 静电容量式传感器、声音传感器以及麦克风
TWI536852B (zh) 電容式麥克風的製作方法
TWI507051B (zh) 高感度聲波傳感器
US20110235829A1 (en) Diaphragm and silicon condenser microphone using same
TWI520625B (zh) 具振膜支撐結構的聲波傳感器
TWI463882B (zh) 揚聲器
US20200322731A1 (en) Acoustic transducer
KR101514567B1 (ko) 음향 소자 및 이를 구비하는 마이크로폰 패키지
KR102201583B1 (ko) 콘덴서 마이크로폰
JP6307171B2 (ja) Memsマイクロホン
CN104581549B (zh) 高感度声波传感器
CN104581585A (zh) 具振膜支撑结构的声波传感器
JP2006245975A (ja) 圧電発音体及び電子機器
JP6010525B2 (ja) 圧電音響素子及び圧電スピーカ
WO2011021341A1 (ja) 電気機械変換器、マイクロフォンおよび電気機械変換器の製造方法
TWI596957B (zh) 電容式麥克風
JP2007306216A (ja) エレクトレットコンデンサマイクロホン
TWI519177B (zh) Double diaphragm acoustic wave sensor