TW201502482A - 含具有共同密封室之壓力感測器與參考感測器之自校正壓力感測器系統 - Google Patents

Abstract

一種自校正壓力感測器系統可測量氣體或液體之壓力。該系統可包括一壓力感測器，一參考感測器，以及一漂移補償系統。該壓力感測器可包括其中一面暴露於該氣體或液體以及另一面形成一密封室之一壁的一壓力感測撓性隔膜。該參考感測器可包括兩面都在同一個密封室內或暴露於該密封室的一參考撓性隔膜。該漂移補償系統可基於來自該壓力感測器之訊號產生表示該氣體或液體之壓力的資訊，以及基於來自該參考感測器之訊號補償此訊號的漂移。藉由在單一連續步驟中沉積或成長一單一材料層，可實質同時地製成該壓力感測撓性隔膜與該參考撓性隔膜。

Description

含具有共同密封室之壓力感測器與參考感測器之自校正壓力感測器系統 相關申請案之交互參考

本申請案基於及主張申請於2013年12月9日之美國專利申請案第14/101,177號，標題為“SELF-CALIBRATING PRESSURE SENSOR SYSTEM WITH PRESSURE SENSOR AND REFERENCE SENSOR THAT SHARE COMMON SEALED CHAMBER”，代理人簽號：086400-0204(MKS-231US)以及申請於2013年4月4日之美國臨時專利申請案第61/808,443號，標題為“AUTO-ZEROING PRESSURE SENSOR”，代理人簽號：086400-0171(MKS-231PR)的優先權。併入該等申請案的全部內容作為參考資料。

發明所屬之技術領域

本揭示內容係有關於用於感測氣體或液體之壓力的壓力感測器以及有關於微機電系統(MEMS)技術。

壓力感測器可用來感測氣體或液體的壓力。

使用前，壓力感測器可用已知壓力校準。然而，壓力感測器的準確度可能由於老舊及環境條件造成壓力感測器改變特性而劣化。因此，壓力感測器可能需要重覆地再校正，這會增加成本以及有時壓力感測器需要暫時移除壓力感測功能的執行。

提供參考感測器以協助校正。該參考感測器可暴露於與壓力感測器相同的環境，除了參考感測器對氣體或液體壓力變化不敏感以外。然後，參考感測器的變化可用漂移補償系統補償壓力感測器的漂移。不過，漂移補償的準確度可能會被壓力感測器與參考感測器的不相等削減。增加參考感測器也可能增加製造成本以及壓力感測器系統的大小。

一種自校正壓力感測器系統可測量氣體或液體之壓力。該系統可包括一壓力感測器，一參考感測器，以及一漂移補償系統。該壓力感測器可包括其中一面暴露於該氣體或液體以及另一面形成一密封室之一壁的一壓力感測撓性隔膜。該參考感測器可包括兩面都在同一個密封室內或暴露於該密封室的一參考撓性隔膜。該漂移補償系統可基於來自該壓力感測器之訊號產生表示該氣體或液體之壓力的資訊，以及基於來自該參考感測器之訊號補償來自該壓力感測器之訊號的漂移。

該壓力感測器可包括一壓力電極，該壓力電極與該壓力感測撓性隔膜隔開以及與壓力感測撓性隔膜形成電容隨著該液體或氣體之壓力而改變的一電容器。

該壓力感測器可具有在1至1000微米之間的特徵平面尺寸，在0.1至20微米之間的特徵共形層厚度，以及由矽、二氧化矽、氮化矽或金屬組成的一或更多層。

在該壓力電極與該壓力感測隔膜之間的空間可不暴露於該氣體或液體。

該壓力電極可具有與該氣體或液體隔離的兩面。

該壓力電極可在該密封室內。

該參考感測器可包括一參考電極，該參考電極與該參考撓性隔膜隔開以及與該參考撓性隔膜形成電容不隨著該液體或氣體之壓力變化 而改變的一電容器。

該參考感測器可具有在1至1000微米之間的特徵平面尺寸，在0.1至20微米之間的特徵共形層厚度，以及由矽、二氧化矽、氮化矽或金屬組成的一或更多層。

在該參考電極與該參考撓性隔膜之間的空間可不暴露於該氣體或液體。

該參考電極可具有與該氣體或液體隔離的兩面。

該參考電極可在該密封室內。

該兩個撓性隔膜可呈實質平坦以及由一單晶材料製成。

該兩個撓性隔膜的大小、形狀、厚度及材料組合物可實質相同。

該壓力感測器與該參考感測器的大小、形狀、厚度及材料組合物可實質相同。

該自校正壓力感測器系統可包括一環境感測器，其係經定位成可感測該壓力感測器放置於其中之環境的變化，而非該氣體或液體的壓力變化。

一種製作用以測量氣體或液體壓力之自校正壓力感測器系統的方法可包括：製作包含一壓力感測撓性隔膜的一壓力感測器，該壓力感測撓性隔膜經定位成有一面暴露於該氣體或液體，以及製作包含一參考撓性隔膜的一參考感測器，該參考撓性隔膜經定位成沒有面暴露於該氣體或液體。藉由在單一連續步驟中沉積或成長一單一材料層，可實質同時地製成該壓力感測撓性隔膜與該參考撓性隔膜。

該單一材料層可為單晶材料。

藉由在單一連續步驟中沉積或成長一單一材料層，可實質同時地製成該壓力感測器與該參考感測器的電極。

藉由在單一連續步驟中沉積或成長一單一材料層，可實質同 時地製作在該壓力感測器中之該電極與該壓力感測撓性隔膜之間的空間以及在該參考感測器中之該電極與該參考撓性隔膜之間的空間。

審閱以下示範具體實施例、附圖及專利申請項的詳細說明可 明白以上及其他的組件、步驟、特徵、目標、效益及優點。

101‧‧‧壓力感測器

103‧‧‧參考感測器

105‧‧‧層

107、109‧‧‧層

111‧‧‧層

113‧‧‧壓力感測撓性隔膜

115‧‧‧參考撓性隔膜

117‧‧‧絕緣層

119‧‧‧層

121、123‧‧‧電極

125‧‧‧帽蓋

127‧‧‧進口室

129‧‧‧密封室

131‧‧‧參考室

133‧‧‧吸氣劑

135‧‧‧開口

201‧‧‧參考感測器

203‧‧‧壓力感測器

205、207‧‧‧電接頭

209‧‧‧上帽蓋

211‧‧‧進口室

212‧‧‧層

213‧‧‧參考室

217‧‧‧參考撓性隔膜

219‧‧‧撓性壓力感測隔膜

221、223‧‧‧開口

225‧‧‧密封室

301‧‧‧自校正壓力感測器系統

303‧‧‧壓力感測器

305‧‧‧參考感測器

307‧‧‧環境感測器

309‧‧‧漂移補償系統

311‧‧‧顯示器

附圖為示範具體實施例。它們未圖示所有的具體實施例。另 外或替代地，可使用其他的具體實施例。顯而易見或多餘的細節可省略以節省空間或供更有效地圖解說明。有些具體實施例可用附加組件或步驟及/或在沒有所有圖示組件或步驟下可實施。當相同的元件符號出現在不同的附圖時，這是指相同或類似的組件或步驟。

第1圖舉例圖示可用微機電系統(MEMS)沉積、圖案化及蝕 刻技術同時製成的壓力感測器與匹配參考感測器。

第2A圖至第2D圖的不同透視圖舉例圖示可用微機電系統(MEMS)沉積、圖案化及蝕刻技術同時製成的壓力感測器與匹配參考感測器。第2A圖為上視圖；第2B圖圖示移除上帽蓋的同一個上視圖；第2C圖為仰視圖；第2D圖圖示移除底層的同一個仰視圖；以及第2E圖為圖示共享密封室之一部份的橫截面圖。

第3圖舉例圖示自校正壓力感測器系統。

此時描述數個示範具體實施例。另外或替代地，可使用其他的具體實施例。顯而易見或多餘的細節可省略以節省空間或供更有效地圖解說明。有些具體實施例可用附加組件或步驟及/或在沒有所有提及組件或步驟下可實施。

第1圖舉例圖示可用微機電系統(MEMS)沉積、圖案化及蝕刻技術同時製成的壓力感測器101與匹配參考感測器103。更特別的是，可 同時逐層地製成壓力感測器101與匹配參考感測器103的每個對應組件。可沉積及/或成長每一層以及可由任何材料製成，例如矽、二氧化矽、氮化矽或金屬。在沉積後，可圖案化每一層以便標定該層中待移除之部份的界線，以及該等部份隨後可用蝕刻製程移除。結果可為用於壓力感測器101及參考感測器103結構，如第1圖所示，其係包括在1至1000微米之間的平面尺寸以及在0.1至20微米之間的特徵共形層厚度。

基板層105可由矽、玻璃或藍寶石製成。在層111之後可為其他層107及109。層111可用作可形成壓力感測器101之一部份的實質平坦壓力感測撓性隔膜113，以及同時在同一個連續沉積步驟期間可形成參考感測器103之一部份的相同實質平坦參考撓性隔膜115。層111可由任何材料製成，例如單晶材料。

在絕緣層117後，可沉積、圖案化及蝕刻一導電層，例如導電摻雜多晶矽層119以便形成可為壓力感測器101之一部份的電極121以及同時在同一個連續沉積步驟期間可為參考感測器103之一部份的電極123。電極121及123可各自與它們的隔膜113及115隔開，以及各自與彼等之隔膜結合可形成各自電容隨著隔膜之變化而改變的電容器。在此組態下，形成隔膜的層可由金屬或摻矽導體製成。電極可在共享密封室129內或形成其牆體。

在其他具體實施例中，可能沒有電極而有一或更多應變計(strain gauge)裝在各個隔膜上。在這些其他具體實施例中，可用應變計的訊號變化偵測隔膜的變化。

可沉積、圖案化及蝕刻一或更多額外層以便形成保護電極121及123的帽蓋125。

不同的蝕刻層可合作以在壓力感測器101及/或參考感測器103內形成各種室。

例如，不同的蝕刻層可合作以形成壓力將會被測量的氣體或 液體可流動通過的進口室127。壓力感測器101之隔膜113的一面可形成進口室127之一壁因而暴露於壓力將會被測量的氣體或液體。隔膜113的另一面可形成密封室129之一壁。

同樣的，不同的層可合作以在參考感測器103中形成參考室 131，參考室131的一面可包括參考撓性隔膜115的一面。參考室131可包括吸氣劑(getter)133，它可包括吸收參考室131中之雜質(例如，氧、氮、氫、一氧化碳)的材料種類。例如，吸氣劑133可由鋯合金、鉭合金、鈮合金、釷合金、鈦合金、鎂合金及/或鋇合金製成或包含彼等。參考撓性隔膜115的另一面可形成共享密封室129的另一壁。參考撓性隔膜115可包括氣體可行進通過它的開口135，從而導致參考撓性隔膜115的兩面及壓力感測撓性隔膜113的一面都暴露於共享密封室129而在此共享。參考室131與共享密封室129之間可能有額外或不同的氣體通路。

待測量氣體或液體的對應壓力變化以及壓力感測撓性隔膜 113的老化及/或周圍環境除待測量氣體或液體壓力變化以外的變化，例如溫度、濕度及/或大氣壓力的變化，會造成壓力感測撓性隔膜113改變。另一方面，只有參考撓性隔膜115的老化及/或周圍環境的變化會造成參考撓性隔膜115改變。因此，老化/環境變化造成參考撓性隔膜115與壓力感測撓性隔膜113有相同的變化。因此，撓性隔膜115的變化測量值可用作壓力感測撓性隔膜113也由同一個老化/環境變化導致的變化示值(indication)。

壓力感測器101與參考感測器103之對應組件(例如隔膜113 及115)的大小、形狀、厚度及/或材料組合物可實質相同。這有助於確保參考撓性隔膜115由老化/環境變化引起的變化與壓力感測撓性隔膜113由老化/環境變化引起的變化實質相同。

第2A圖至第2D圖的各種透視圖舉例圖示同時可用微機電 系統(MEMS)沉積、圖案化及蝕刻技術製成的壓力感測器203與匹配參考感測器201。

第2A圖圖示該等感測器的上視圖。通過電接頭(electrical connection)205可製成參考感測器201的電接頭。通過電接頭207可製成壓力感測器203的電接頭。壓力感測器203與匹配參考感測器201可具有與圖示於第1圖之上述壓力感測器101及參考感測器103相同或不同的組態及用相同或不同的製程製成。該等感測器可用上帽蓋209覆蓋。

第2B圖圖示與第2A圖相同但是移除上帽蓋209的感測器上視圖。

第2C圖圖示該等感測器的仰視圖。可提供壓力感測器203的進口室211，它可與第1圖的進口室127相同或不同。進口室211可通過底層212以及可暴露於壓力將會被測量的氣體或液體。

第2D圖圖示與第2C圖相同但是底層212被移除的仰視圖。如圖示，有與第1圖之參考室131相同或不同的參考室213。也可能有與第1圖之撓性參考隔膜115相同或不同的參考撓性隔膜217，以及與第1圖之撓性壓力感測隔膜113相同或不同的撓性壓力感測隔膜219。撓性參考隔膜217也可具有穿過它的一或更多開口，例如開口221及223，該等開口中之一者可與第1圖的開口135相同或不同。

第2E圖為該等感測器的橫截面圖，其係圖示共享密封室225之一部份。共享密封室225可與第1圖的共享密封室129相同或不同。

第3圖舉例圖示一自校正壓力感測器系統301。如圖示，自校正壓力感測器系統301可包括壓力感測器303、參考感測器305、環境感測器307、漂移補償系統309、以及顯示器311。

壓力感測器303與參考感測器305可各自與第1圖的壓力感 測器101及參考感測器103或第2A圖至第2D圖的壓力感測器203及參考感測器201相同或不同。

可將環境感測器307組態成可感測該壓力感測器放置於其 中的環境之變化，例如環境的溫度、濕度及/或壓力變化或內應力(internal stress)的變化。不過，可將環境感測器307組態成對於待測量氣體或液體的壓力變化不敏感。

可將漂移補償系統309組態成可接收來自壓力感測器303、 參考感測器305及環境感測器307分別表示待測量氣體或液體之壓力、壓力感測器之老化及環境的訊號。可將漂移補償系統309組態成可基於來自該壓力感測器之訊號303產生表示待測量氣體或液體之壓力的資訊，但是它有補償壓力感測器303之訊號由老化/環境變化造成以參考感測器305之訊號呈現的漂移，及/或補償以環境感測器307之訊號呈現的環境變化。可將漂移補償系統309組態成在壓力感測器303只有大氣壓力時，基於參考感測器305及/或環境感測器307的訊號，可自動調整它的輸出為零。另外或替代地，在氣體或液體壓力出現在已知是在零點校準壓力時，可將漂移補償系統309組態成可自動調整它的輸出為零。當氣體或液體不再是在零點校準壓力時，漂移補償系統309可繼續做必要的調整。

可將漂移補償系統309組態成基於一或更多演算法可提供 此種補償。例如，演算法之一是壓力感測器303的訊號可減去參考感測器305的訊號，藉此產生表示氣體或液體之壓力的訊號，自動補償參考感測器305的老化/環境變化從而壓力感測器303的老化/環境變化。另一演算法基於該環境之變化與壓力感測器303及/或參考感測器305所提供之測量值的已知關係可進一步以如用環境感測器307及/或參考感測器305偵得的環境變化補償此測量值。這些已知關係可用經驗及/或通過計算來確定。

漂移補償系統309可即時操作，從而提供老化及環境變化的 補償，而自校正壓力感測器301不需要退出它的壓力感測工作。

漂移補償系統309的輸出可表示待測量氣體或液體有做老 化及環境變化補償的壓力。此輸出可輸送至可顯示此經補償之測量值的顯示器311。另外或替代地，此輸出可輸送至基於測得及補償過之壓力來進行操作及/或可儲存該資訊供未來使用的另一系統。

漂移補償系統309可用離散或整合電子電路及/或通用電腦 實現。該硬體可包括一或更多處理器，有形記憶體(例如，隨機存取記憶體(RAMs)、唯讀記憶體(ROMs)及/或可程式化唯讀記憶體(PROMS))、有形儲存裝置(例如，硬碟驅動器、CD/DVD驅動器及/或快閃記憶體)、系統匯流排、視訊處理組件、網路通訊組件、輸入/輸出埠及/或使用者介面裝置(例如，鍵盤、指向裝置、顯示器、麥克風、聲音重現系統及/或觸控螢幕)。

也可包括軟體(例如，一或更多作業系統、裝置驅動器、應 用程式及/或通訊程式)。若包括，該軟體可包括程式設計指令以及可包括相關資料及程式庫。可將該等程式設計指令組態成可實現一或更多演算法以實現如本文所述之漂移補償系統309的一或更多功能。漂移補償系統309所執行之每個功能的描述也構成執行該功能之該(等)演算法的描述。該軟體可儲存於一或更多非暫時性有形儲存裝置上或中，例如一或更多硬碟驅動器、CDs、DVDs及/或快閃記憶體。該軟體可呈原始碼及/或目標碼格式。 相關資料可儲存於任何一種揮發性及/或非揮發性記憶體中。該軟體可載入非暫時性記憶體以及由一或更多處理器執行。

已討論的組件、步驟、特徵、目標、效益及優點只是用來圖解說明。它們或與它們有關的討論均非旨以任何方式在限制保護的範疇。也預料有許多其他的具體實施例。這些包括有有較少額外及/或不同組件、步驟、特徵、目標、效益及優點的具體實施例。這些也包含其中組件及/或步驟以不同方式配置及/或排序的具體實施例。

例如，壓力感測器及參考感測器可能不共享同一個密封室， 而是各自有它們自己與另一個所使用之密封室分離的密封室。

除非另有說明，在包括下列專利申請請求項之本專利說明書 提及的所有測量值、數值、額定值、位置、大小、尺寸及其他規格都只是近似值而非精確值。希望它們具有與相關功能及所屬慣用技藝一致的合理範圍。

本揭示內容中已提及的所有文章、專利、專利申請案及其他 發行物併入本文作為參考資料。

片語「用於...之構件」在用於專利申請項中時旨在及應被解 釋成可涵蓋已加以描述的對應結構及材料及其等效物。類似地，片語「用於...之步驟」在用於專利申請項中時旨在及應被解釋成可涵蓋已加以描述的對應動作及其等效物。專利申請項沒有此等片語意謂該專利申請項並非旨在及不應被解釋成不受限於該等對應結構、材料或動作或彼等的等效物。

保護的範疇只受限於下列專利申請請求項。該範疇旨在及應 被解釋成儘可能廣泛地與用於專利申請請求項之語言在按照專利說明書及後續審查歷史解釋時的普通意思一致，除非提出特定的意思，以及涵蓋所有結構及功能等效物。

諸如“第一”及“第二”之類的關係用語可單獨用來區別一與 另一個實體或動作，而不一定要求或暗示它們之間有任何實際關係或順序。 用語“包括(comprises、comprising)”及任何其他變體在用於本專利說明書及專利申請請求項中之元件清單時旨在表明該清單沒有排它性以及可包括其他的元件。同樣，在沒有進一步的限制下，前面帶有“一(a或an)”的元件不排除存在種類相同的額外元件。

該等專利申請請求項無一旨在涵蓋未能滿足專利法第101、 102或103章節之要求的專利標的，也不應以此一方式解釋它們。藉此不主 張此專利標的的任何非故意涵蓋範圍。除了此段落剛剛所描述的之外，已描述或圖示的任何事物無一旨在或不應被解釋成可導致任何組件、步驟、特徵、目標、效益、優點或等效物可貢獻給公眾，無論它在專利申請項是否有提及。

提供本摘要以協助讀者迅速地確定本技術揭示內容的本質。它是在了解不會被用來解釋或限制專利申請項的範疇或意思下提交。此外，前面詳細描述的各種特徵結構在各種實施例中群組化在一起以簡化揭示內容。此揭示方法不應被解釋成要求所主張的具體實施例需要比在各個專利申請請求項明確提出的還多的特徵。反而，如以下專利申請請求項反映的，存在少於單一揭示具體實施例之所有特徵的發明標的。因此，以下專利申請請求項在此併入【實施方式】中，其中每一專利申請請求項靠自己成為單獨主張的專利標的。

101‧‧‧壓力感測器

103‧‧‧參考感測器

109‧‧‧層

111‧‧‧層

113‧‧‧壓力感測撓性隔膜

115‧‧‧參考撓性隔膜

117‧‧‧絕緣層

119‧‧‧層

121、123‧‧‧電極

125‧‧‧帽蓋

127‧‧‧進口室

129‧‧‧密封室

131‧‧‧參考室

133‧‧‧吸氣劑

135‧‧‧開口

Claims (21)

1. 一種用以測量氣體或液體壓力之自校正壓力感測器系統，其係包含：包含一壓力感測撓性隔膜(diaphragm)的一壓力感測器，該壓力感測撓性隔膜經定位成有一面暴露於該氣體或液體以及另一面形成一密封室的一壁；包含一參考撓性隔膜的一參考感測器，該參考撓性隔膜的兩面都在該密封室內或暴露於該密封室；以及一漂移(drift)補償系統，其係：接收來自該壓力感測器及該參考感測器的訊號；基於來自該壓力感測器的訊號，產生表示該氣體或液體之壓力的資訊；以及基於來自該參考感測器之訊號的變化，補償來自該壓力感測器之訊號的漂移。
2. 如申請專利範圍第1項所述之自校正壓力感測器系統，其中：該壓力感測器包含一壓力電極，該壓力電極與該壓力感測撓性隔膜隔開以及與該壓力感測撓性隔膜形成電容隨著該液體或氣體之壓力而改變的一電容器；該壓力感測器有在1至1000微米之間的特徵平面尺寸，在0.1至20微米之間的特徵共形層厚度(characteristic conformal layer thickness)，以及由矽、二氧化矽、氮化矽或金屬組成的一或更多層；以及在該壓力電極與該壓力感測隔膜之間的空間不暴露於該氣體或液體。
3. 如申請專利範圍第2項所述之自校正壓力感測器系統，其中該壓力電極有都與該氣體或液體隔離的兩面。
4. 如申請專利範圍第3項所述之自校正壓力感測器系統，其中該壓力電極在該密封室內。
5. 如申請專利範圍第2項所述之自校正壓力感測器系統，其中：該參考感測器包含一參考電極，該參考電極與該參考撓性隔膜隔開以及與該參考撓性隔膜形成電容不隨著該液體或氣體之壓力變化而改變的一電容器；該參考感測器有在1至1000微米之間的特徵平面尺寸，在0.1至20微米之間的特徵共形層厚度，以及由矽、二氧化矽、氮化矽或金屬組成的一或更多層；以及在該參考電極與該參考撓性隔膜之間的空間不暴露於該氣體或液體。
6. 如申請專利範圍第5項所述之自校正壓力感測器系統，其中該參考電極有都與該氣體或液體隔離的兩面。
7. 如申請專利範圍第6項所述之自校正壓力感測器系統，其中該參考電極在該密封室內。
8. 如申請專利範圍第1項所述之自校正壓力感測器系統，其中該兩個撓性隔膜呈實質平坦以及由一單晶材料製成。
9. 如申請專利範圍第1項所述之自校正壓力感測器系統，其中該兩個撓性隔膜的大小、形狀、厚度及材料組合物實質相同。
10. 如申請專利範圍第9項所述之自校正壓力感測器系統，其中該壓力感測器與該參考感測器的大小、形狀、厚度及材料組合物實質相同。
11. 如申請專利範圍第1項所述之自校正壓力感測器系統，其更包含一環境感測器，其係經定位成可感測該壓力感測器放置於其中之環境的變化，而非該氣體或液體的壓力變化。
12. 一種製作用以測量氣體或液體壓力之自校正壓力感測器系統的方法，其係包含下列步驟：製作包含一壓力感測撓性隔膜的一壓力感測器，該壓力感測撓性隔膜經定位成有一面暴露於該氣體或液體；以及製作包含一參考撓性隔膜的一參考感測器，該參考撓性隔膜經定位成沒有面暴露於該氣體或液體，其中藉由在單一連續步驟中沉積或成長一單一材料層，實質同時地製成該壓力感測撓性隔膜與該參考撓性隔膜。
13. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該單一材料層為一單晶材料。
14. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該壓力感測器與該參考感測器的製作步驟包括製作平面尺寸在1至1000微米之間、特徵共形層厚度在0.1至20微米之間、以及一或更多層的矽、二氧化矽、氮化矽或金屬。
15. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中：該壓力感測撓性隔膜的另一面形成一密封室的一壁；以及 該參考撓性隔膜的兩面都在該密封室內。
16. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該兩個撓性隔膜呈實質平坦以及由一單晶材料製成。
17. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該兩個撓性隔膜的大小、形狀及厚度實質相同。
18. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該壓力感測器與該參考感測器的大小、形狀、厚度及材料組合物實質相同。
19. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其更包括：製作一環境感測器，其係經定位成可感測該壓力感測器放置於其中之環境的變化，而非該氣體或液體的壓力變化。
20. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中：該壓力感測器包含一電極，該電極與該壓力感測撓性隔膜隔開以及與壓力感測撓性隔膜形成電容隨著該液體或氣體之壓力而改變的一電容器；以及該參考感測器包含一電極，該電極與該參考撓性隔膜隔開以及與該參考撓性隔膜形成電容不隨著該液體或氣體之壓力而改變的一電容器。
21. 如申請專利範圍第20項所述之方法，其中：藉由在單一連續步驟中沉積或成長一單一材料層，實質同時地製成該壓力感測器與該參考感測器的電極；以及 藉由在單一連續步驟中沉積或成長一單一材料層，實質同時地製作在該壓力感測器中之該電極與該壓力感測撓性隔膜之間的空間以及在該參考感測器中之該電極與該參考撓性隔膜之間的空間。