TW201431433A - 一種發光二極體系統及其控制方法 - Google Patents

Abstract

發光二極體(light emitting diode,LED)系統，其包含一基板、至少一特殊應用積體電路(application specific integrated circuit,ASIC)、至少一發光二極體(LED)、一無線接收器以及一無線發射器。每一特殊應用積體電路(ASIC)設置於基板上。每一發光二極體(LED)設置於基板上，並且電氣連接於特殊應用積體電路(ASIC)。無線接收器設置於基板上，並且接收一信號以用於控制特殊應用積體電路(ASIC)無線發射器，其可與無線接收器作信號連接，並且發送信號至無線接收器。

Description

一種發光二極體系統及其控制方法

本發明一般關於一種發光二極體系統及其控制方法，尤有關於一種包含特殊應用積體電路及無線接收器之發光二極體系統及其控制方法。

發光二極體(LEDs)廣泛用於電子裝置中，如顯示器、通訊裝置、及燈。LED技術發展已改善發光二極體(LEDs)之效率及使用壽命，且已使其更小且更輕。然而，大部分發展已針對發光二極體(LEDs)之結構及功能，而非相關的LED系統。發光二極體(LEDs)為LED系統之一般部分，其包含驅動電路及相關的電子元件，如電阻、電容、二極體及電路板。

圖1闡明先前技術LED系統10。先前技術LED系統10包含LED驅動IC 12，以及與LED驅動IC晶片12電氣連接之兩發光二極體(LED)晶片14。裝設LED驅動IC 12以提供發光二極體(LED)晶片14之驅動及功能性電路。LED驅動IC 12包含VIN接腳、SEN接腳、DIM接腳、SW接腳及GND接腳。LED系統10亦包含各種電子元件，包含電阻、電容、Schottky二極體、及電感(其裝設大體上如圖所示)。LED系統10需要相當複雜之製程以將所有電子元件裝設及互連。此外，需要相當大量之電流及電力以驅動電子元件，其產生大量的熱。

鑑於前述，改良之LED系統為本項技藝之所需，其比先前技藝之LED系統更有效率。然而，相關技藝之前述範例以及與其相關之限制乃為說明性而非排除性。在閱讀說明書及研究圖式之後，習知技藝者將更明白相關技藝之其他限制。

在一實施例中，本發明提出一種發光二極體(LED)系統，其包含一基板、至少一特殊應用積體電路(ASIC)、至少一發光二極體 (LED)、一無線接收器以及一無線發射器。每一特殊應用積體電路(ASIC)設置於基板上。每一發光二極體(LED)設置於基板上，並且電氣連接於特殊應用積體電路(ASIC)。無線接收器設置於基板上，並且接收一信號以用於控制特殊應用積體電路(ASIC)無線發射器，其可與無線接收器作信號連接，並且發送信號至無線接收器。

在另一實施例中，本發明提出一種發光二極體(LED)系統，其包含一基板、至少一特殊應用積體電路(ASIC)晶粒、至少一發光二極體(LED)、一無線接收器以及一無線發射器。每一特殊應用積體電路(ASIC)設置於基板上，並且包含複數個積體電路與兩個電源接頭。每一發光二極體(LED)設置於基板上，並且電氣連接於特殊應用積體電路(ASIC)晶粒。無線接收器設置於基板上，並且接收一信號以用於控制特殊應用積體電路(ASIC)晶粒與發光二極體(LED)作出相對於信號的回應動作。無線發射器可與無線接收器作信號連接，並且發送信號至無線接收器以用於控制特殊應用積體電路(ASIC)晶粒與發光二極體(LED)。

在又一實施例中，本發明提出一種發光二極體(LED)系統的控制方法，其包含下列步驟：提供一基板；提供至少一特殊應用積體電路(ASIC)設置於基板上；提供至少一發光二極體(LED)設置於基板上且電氣連接於特殊應用積體電路(ASIC)；提供一無線接收器設置於基板上且接收一信號以用於控制特殊應用積體電路(ASIC)；提供一無線發射器與無線接收器作信號連接，並且發送信號至無線接收器；接收從無線發射器發送至無線接收器之信號以用於控制特殊應用積體電路(ASIC)與發光二極體(LED)。

以下將在本發明之詳細說明連同附圖中，對本發明之上述及其他特徵詳加說明。

參考圖2，LED系統30包含：基板32、裝設在基板32上之 發光二極體(LED,light emitting diode)34、及裝設在基板32上與發光二極體(LED)34電子通訊之特殊應用積體電路(ASIC,application specific integrated circuit)晶粒36。在本實施例中，雖然LED系統30僅包含一個特殊應用積體電路(ASIC)晶粒36，但應當理解的是LED系統可以包含多個特殊應用積體電路(ASIC)晶粒36，並不以此為限。基板32作為安裝基板，且亦提供用以使發光二極體(LED)34及特殊應用積體電路(ASIC)晶粒36運作如一積體化組件之功能。發光二極體(LED)34可包含使用已知製程製造的習知LED。合適的發光二極體(LED)可購自位於Boise ID及中華民國，台灣，苗栗縣之旭明光電股份有限公司(SEMILEDS,INC.)。特殊應用積體電路(ASIC)晶粒36可包含具有特殊應用積體電路38形成於其中之半導體晶粒。

發光二極體(LED)34可包含元素三族之氮化物材料，例如，氮化鎵(GaN)、氮化銦鎵(GaN)、氮化鋁鎵(AlGaN)、氮化鋁銦鎵(AlInGaN)，或是其它鎵、銦或鋁之氮化物材料。此外，發光二極體(LED)34的摻雜層與主動層可以形成在載體基板或合適的材料上，如矽(Si)、碳化矽(SiC)或藍寶石(Al₂O₃)基板。舉例而言，上述發光二極體(LED)34可以是中華民國，台灣，苗栗縣之旭明光電股份有限公司(SEMILEDS,INC.)根據其商標MvpLED^TM所製作的一種超薄垂直發光二極體(vertical light emitting diode,VLED)，並且可以參考旭明光電股份有限公司之美國專利號7,723.718，其發明名稱為“一種磊晶結構之金屬元件”(US Patent No.7323,718.entitled“Epitaxial Stnicture For Metal Devices”)，並已公開了一種製作垂直發光二極體(VLED)的方法。

參考圖13，其為LED系統之發光二極體(LED)34的示意橫剖面圖。發光二極體(LED)34可包含一元件基板72、一垂直發光二極體(VLED)晶粒74設置於元件基板72上，以及一電絕緣之透明鈍化層76封裝覆蓋垂直發光二極體(VLED)晶粒74。在本實施例中，發光二極體(LED)34僅包含一個垂直發光二極體 (VLED)晶粒74設置於元件基板72上，然而在實際應用中，發光二極體(LED)34可以包含多個垂直發光二極體(VLED)晶粒74設置於元件基板72上，並且設置為所需的陣列以形成一個光電元件，如LED顯示器。元件基板72可包含半導體材料，如矽(Si)，或其它種類材料，如砷化鎵(GaAs)、碳化矽(AsGa)、氮化鋁(AlN)、氧化鋁(Al₂O₃)或藍寶石(Al₂O₃)基板。元件基板72也可包含一凹腔78及一背部側80，其中垂直發光二極體(VLED)晶粒74設置於元件基板72上。其中，導電接合層82可以被用於垂直發光二極體(VLED)晶粒74與元件基板72之間的電氣貼合。

請繼續參考圖13，垂直發光二極體(VLED)晶粒74可以被製作並參考公開於美國申請號12/983,436，其發明名稱為“一種垂直發光二極體(VLED)晶粒及其製作方法”(US application serial no.12/983,436 entitled“Vertical Light Emitting Diode(VLED)Die And Method Of Fabrication”)。垂直發光二極體(VLED)晶粒74包含一第一金屬84、第二金屬86、一p型半導體層88設置於第一金屬84上、一多重量子井(MQW)層90設置於p型半導體層88上以及一n型半導體層92設置於多重量子井(MQW)層90上。對於p型半導體層88的較佳材料可包含p-GaN，其它p型半導體層88合適的材料也可包含氮化鋁鎵(AlGaN)、氮化銦鎵(InGaN)或氮化鋁銦鎵(AlInGaN)。對於n型半導體層92的較佳材料可包含p-GaN，其它n型半導體層92合適的材料也可包含氮化鋁鎵(AlGaN)、氮化銦鎵(InGaN)或氮化鋁銦鎵(AlInGaN)。多重量子井(MQW)層90可包含一半導體材料，如GaAs，其同三明治結構設置於兩層半導體材料之間，例如設置於具有較寬能隙(bandgap)的砷化鋁(AlAs)之間。藉由打線封裝導線94將n型半導體層92與垂直發光二極體(VLED)晶粒74電氣連接於元件基板72的電極上。

請再參考如圖2所示，基板32包含具有導線40形成於其上之正面(電路面)，其使特殊應用積體電路(ASIC)晶粒36與發光二 極體(LED)34電氣連接。如同將更進一步說明者，可利用適合的技術(如覆晶封裝(flip chip)或C4接合)，而將特殊應用積體電路(ASIC)晶粒36與發光二極體(LED)34裝設於基板上。基板32可包含矽或其他半導體材料(如砷化鎵)，且可使用習知半導體製程來製造導線40。在一實施例中，基板32可包含碳化矽(SiC)或藍寶石基板(Al₂O₃)。或者，基板32可包含陶瓷材料、印刷電路板(PCB,printed circuit board)材料、金屬核心印刷電路板(PCB)、FR-4印刷電路板(PCB)、金屬導線架、有機導線架、矽酮基座基板、或用於本項技藝之任何封裝基板。

基板32可為任何多角形(例如，正方形、長方形)及任何合適尺寸。此外，基板32可為晶粒尺寸，以使LED系統30具有類似於晶片級封裝(CSP,chip scale package)或單晶片系統(SOC,system on a chip)之晶片級尺寸。或者，基板32可為晶圓尺寸以提供晶圓級系統。

參考圖3，另一實施例LED系統30A本質上類似於LED系統30(圖2)，但包含用以提供額外電氣功能之基板32A。特別是，基板32A包含具有區段42之半導體材料，於該區段形成有用以執行額外電氣功能之特殊應用積體電路(ASICs)44。特殊應用積體電路(ASICs)44能包含整合至基板32A之半導體元件、電路、及基材。例如，特殊應用積體電路(ASICs)44可包含電阻、二極體(p-n)、電容、閘、金氧半場效電晶體(MOSFET,metal-oxide-semiconductor field effect transistor)、及正反器。特殊應用積體電路(ASICs)44能與積體電路結合於特殊應用積體電路(ASIC)晶粒36中，以提供發光二極體(LED)34之智慧型板上(on-board)控制。

半導體基板32A可包含具有特殊應用積體電路(ASICs)44形成於其上(利用習知半導體製造技術，如植入、光圖案化)之一部分半導體晶圓。可將發光二極體(LED)34裝設至基板32A之空白部分，與特殊應用積體電路(ASICs)44隔開，並利用適合的連接元件及互連件與特殊應用積體電路(ASICs)44電氣連接。

如圖4所示，基板32或32A包含背部側(back side)48，其具 有與特殊應用積體電路(ASIC)晶粒36(圖2)及特殊應用積體電路(ASICs)44(圖3)電氣連接之接點46陣列。接點46用來作為將LED系統30(圖2)或30A(圖3)連接至外界之電子設備與電路的端子接點。接點46可包含由可連接材料(如焊錫、金屬或導電聚合物)所製造之凸塊(bump)或焊墊(pad)，用以連接至模組基板、電路板或其他支撐基板上之相對應電極。此外，可以合適之密集面陣列形式配置接點46，如球柵陣列(BGA,ball grid array)或精細球柵陣列(FBGA,fine ball grid array)。再者，可利用適當元件，如形成於基板32或32A上之互連件、導電線、重新分配導線及導電介層窗，而使接點46與特殊應用積體電路(ASIC)晶粒36(圖2)及特殊應用積體電路(ASICs)44(圖3)電氣連接。

接點46可用來結合及擴展特殊應用積體電路(ASIC)晶粒36(圖2)、特殊應用積體電路(ASICs)44(圖3)、及發光二極體(LED)34(圖2)之電氣功能，並提供LED系統30(圖2)或30A(圖3)之智慧型控制。例如，接點44可用來作為a.)多重用途輸入-輸出埠；b.)驅動LED系統30或30A之電力輸入(AC或DC)；c.)調光(dimming)控制埠；d.)電流設定埠；e.)回授感測器埠；f.)通信埠；及g.)一般接地埠。此外，特殊應用積體電路(ASICs)44(圖3)與發光二極體(LED)34(圖2)將形成一個發光二極體積體電路(Integrated LED Circuit)。

參考圖5、5A及5B，闡明將發光二極體(LED)34及特殊應用積體電路(ASIC)晶粒36裝設至LED系統30中的基板32之例示性裝設配置。在圖5A中，LED晶片34具有p-、n-同側構造，且其係利用互連件50及覆晶接合方法如C4(可控制塌陷晶片連接，controlled collapse chip connection)而裝設成板上連接式晶片(COB,chip-on-board)構造。同樣地，特殊應用積體電路(ASIC)晶粒36包含互連件52，且其係以板上連接式晶片構造之形式被覆晶裝設至基板32上。在圖5B中，LED晶片34具有p-、n-不同側構造，且其係利用晶粒貼附接合層54(例如，焊錫、銀膠)、及接合至LED晶片34及基板32上之接點的線接合線路56而裝設至基板32上。

參考圖6、6A及6B，闡明將發光二極體(LED)34及特殊應用積體電路(ASIC)晶粒36裝設至LED系統30A中的基板32A之例示性裝設配置。在圖6A中，LED晶片34具有p-、n-同側構造，且其係利用互連件50及覆晶接合方法如C4(可控制塌陷晶片連接)而裝設成板上連接式晶片(COB,chip-on-board)構造。大體上如先前所述，可以板上連接式晶片構造之形式，將特殊應用積體電路(ASIC)晶粒36覆晶裝設至基板32A上的特殊應用積體電路44上。在圖6B中，LED晶片34具有p-、n-不同側構造，且其係利用晶粒貼附接合層54(例如，焊錫、銀膠)及被接合至LED晶片34及基板32A上之接點的線接合線路56而裝設至基板32A上。

參考圖7及7A，闡明LED系統30或30A之特殊應用積體電路(ASIC)晶粒36及發光二極體(LED)34之例示性電氣結構。如圖7A所示，發光二極體(LED)34能藉由導線40電氣連接至特殊應用積體電路(ASIC)晶粒36上的接地接腳。或者，可將發光二極體(LED)34連接至基板32或32A上的專用接地接腳。

參考圖8及8A，LED系統30或30A亦能包含直接裝設至基板32或32A之多重發光二極體(LEDs)34A-34D。可將發光二極體(LEDs)34A-34D全部設成產生相同波長及色光(例如，紅、綠、藍、白、紫外光、雷射、紅外光)，或可設成產生其不同組合。例如，第一發光二極體(LED)34A可產生白光，第二發光二極體(LED)34B可產生綠光，第三發光二極體(LED)34C可產生藍光，而第四發光二極體(LED)34D可產生紅光。此外，可改變特殊應用積體電路(ASIC)晶粒36及特殊應用積體電路44(圖3)，以提供發光二極體(LEDs)34A-34D之智慧型色彩控制。如圖8A所示，可將發光二極體(LEDs)34A-34D串聯電氣連接並接地至特殊應用積體電路(ASIC)晶粒36上的接地接腳。或者，可將發光二極體(LEDs)34A-34D連接至基板32或32A上的專用接地接腳。

參考圖9及9A，LED系統30或30A亦可包含並聯電氣連接之多重發光二極體(LEDs)34A-34D。又或者，發光二極體(LEDs)34A-34D可以多重平行串列之形式電氣連接，而各串列包 含串聯連接之複數之發光二極體(LEDs)34。

參考圖10、10A及10B，闡明LED系統30或30A之電氣特性。圖10闡明特殊應用積體電路(ASIC)晶粒36的輸入/輸出構造44。一般而言，輸入/輸出構造及特殊應用積體電路(ASIC)晶粒36之特殊應用積體電路被設成可將發光二極體34及特殊應用積體電路(ASIC)晶粒36整合成一積體化組件。圖10A闡明特殊應用積體電路(ASIC)晶粒36的輸出構造，其具有串聯電氣連接至地面的發光二極體(LED)34串列；圖10B闡明特殊應用積體電路(ASIC)晶粒36之輸出構造，其具有電氣連接至地面的單一發光二極體(LED)34。

表1說明特殊應用積體電路(ASIC)晶粒36之輸入埠構造。

LED系統30或30A之某些特徵包含：

● 可調整LED(負載)電流

● LED輸出埠電流可被調成倍數比，為了下列目的：

- 白平衡(白或RGB應用)或白色座標調整

- 亮度校準

● 軟性開-關

● 可調光

- 調光-PWM

- 調光-0-10V

- 調光-TRAC

● 故障安全系統

- 內建安全保護

- 當Tj>150℃超溫

- 過電壓/過載

- 電壓過低鎖定(under voltage lockout)

- 反極性保護

參考圖11A-11C，闡明LED系統30或30A之不同封裝構造。在圖11A中，LED封裝58A包含基板32或32A、特殊應用積體電路(ASIC)晶粒36、及發光二極體(LED)34，本質上如先前所述。此外，發光二極體(LED)34能包含用以產生白光之螢光層60。LED封裝58A亦包含基板32或32A上之聚合物鏡片66，其封裝LED系統30或30A。聚合物鏡片66可包含合適的聚合物，如由造模或其他合適製程所形成之環氧樹脂(epoxy)。

在圖11B中，LED封裝58B包含基板32或32A、特殊應用 積體電路(ASIC)晶粒36、及發光二極體(LED)34，本質上如先前所述。LED封裝58A亦包含基板32或32A上之聚合物鏡片66，其封裝LED系統30或30A。在此實施例中，聚合物鏡片66亦包含用以產生白光之螢光層62。

在圖11C中，LED封裝58C包含基板32或32A、特殊應用積體電路(ASIC)晶粒36、及發光二極體(LED)34，本質上如先前所述。在此實施例中，基板32或32A亦包含其中裝設有特殊應用積體電路(ASIC)晶粒36及發光二極體(LED)34之反射凹部64。

參考圖12，闡明由LED系統30或30A所形成之LED積體電路68之電路簡圖。LED積體電路68包含基板32或32A上的接點46。LED積體電路68亦包含在特殊應用積體電路(ASIC)晶粒36中的特殊應用積體電路38。LED積體電路68亦包含發光二極體34。由於LED積體電路68具有整合性元件電力消耗，故熱生成少於先前技術之LED系統10(圖1)。此外，能將LED系統30或30A製作為較小俾能提供晶片級系統。

參考圖14，闡明LED系統30B可包含一基底32B、一發光二極體(LED)34設置於基板32B上以及一特殊應用積體電路(ASIC)晶粒36B設置於基板32B上，特殊應用積體電路(ASIC)晶粒36B還包含一特殊應用積體電路(ASIC)38B，藉由在基板32B上的導線40B將特殊應用積體電路(ASIC)晶粒36B與發光二極體(LED)34作電氣連接，在一實施例中，也可直接藉由在基板32B上的導線40B將特殊應用積體電路(ASIC)38B與發光二極體(LED)34作電氣連接，但不以此為限。LED系統30B也可包含一無線接收器96及一無線發射器98。無線接收器96設置於基板32B上，並且電氣連接於特殊應用積體電路(ASIC)晶粒36B。無線發射器98發送一信號100至無線接收器96以用於控制特殊應用積體電路(ASIC)晶粒36B。無線發送器98可包含一個獨立的單元或一個行動通信裝置，如行動電話、智慧型電話，可攜式平板電腦、“IPAD”或“IPHONE“，但不以此為限。無線發送器98也可包含一輸入裝置，如鍵盤，以用來接收使用者的輸入並發送信號100。另外，無 線發射器98也可包含自動輸入裝置，如移動檢測器，以用來控制信號100。

如前文所述，特殊應用積體電路(ASIC)晶粒36B可包含輸出埠，輸出埠可電氣連接於發光二極體(LED)34。特殊應用積體電路(ASIC)晶粒36B也可包含兩個電源接頭102、104。電源接頭102、104可以設置於基板32B或特殊應用積體電路(ASIC)晶粒36B上。電源接頭102、104可以電氣連接於AC或DC電源(未圖示)，以用於對LED系統30B提供電源。雖然需經由電源接頭102、104以連結外部的電源，但是無線發送器98卻可以控制特殊應用積體電路(ASIC)晶粒36B，進而控制發光二極體(LED)34，例如，信號100可用於啟動發光二極體(LED)34的開關狀態，並且控制發光二極體(LED)34的亮度。在多個發光二極體(LED)34的實施例中，信號100也可用於分別控制每一個發光二極體(LED)34。此外，特殊應用積體電路(ASIC)38B並非限定僅能設置於特殊應用積體電路(ASIC)晶粒36B上，在一實施例中，特殊應用積體電路(ASIC)38B亦可直接設置於如圖3所述的基板32A上，但不以此為限。

請繼續參考圖14，一種發光二極體(LED)系統的控制方法可包含下列步驟：提供一基板32B；提供至少一特殊應用積體電路(ASIC)38B設置於基板32B上；提供至少一發光二極體(LED)34設置於基板32B上且電氣連接於特殊應用積體電路(ASIC)38B；提供一無線接收器96設置於基板32B上且接收一信號100以用於控制特殊應用積體電路(ASIC)38B；提供一無線發射器98與無線接收器96作信號連接，並且發送信號100至無線接收器96；接收從無線發射器98發送至無線接收器96之信號100以用於控制特殊應用積體電路(ASIC)38B與發光二極體(LED)34。

如此，本說明書揭露改良之LED系統。雖然一些例示性實施樣態及實施例已如上所說明，習知技藝者將認可某些修改、變更、添加、及其次組合。因此下列附加之申請專利範圍及之後採用之申請專利範圍被認為包含所有上述之在其精神及範疇內的修改、 變更、添加及次組合。

10‧‧‧LED系統

12‧‧‧LED驅動IC

14‧‧‧發光二極體晶片

30‧‧‧LED系統

30A‧‧‧LED系統

30B‧‧‧LED系統

32‧‧‧基板

32A‧‧‧基板

32B‧‧‧基板

34‧‧‧發光二極體

34A‧‧‧第一發光二極體

34B‧‧‧第二發光二極體

34C‧‧‧第三發光二極體

34D‧‧‧第四發光二極體

36‧‧‧特殊應用積體電路晶粒

36B‧‧‧特殊應用積體電路晶粒

38‧‧‧特殊應用積體電路

38B‧‧‧特殊應用積體電路

40‧‧‧導線

40B‧‧‧導線

42‧‧‧區段

44‧‧‧特殊應用積體電路

46‧‧‧接點

48‧‧‧背部側

50‧‧‧互連件

52‧‧‧互連件

54‧‧‧晶粒貼附接合層

56‧‧‧線接合線路

58A‧‧‧LED封裝

58B‧‧‧LED封裝

58C‧‧‧LED封裝

60‧‧‧螢光層

62‧‧‧螢光層

64‧‧‧反射凹部

66‧‧‧聚合物鏡片

68‧‧‧LED積體電路

72‧‧‧元件基板

74‧‧‧垂直發光二極體晶粒

76‧‧‧電絕緣之透明鈍化層

78‧‧‧凹腔

80‧‧‧背部側

82‧‧‧導電接合層

84‧‧‧第一金屬

86‧‧‧第二金屬

88‧‧‧p型半導體層

90‧‧‧多重量子井

92‧‧‧n型半導體層

94‧‧‧打線封裝導線

96‧‧‧無線接收器

98‧‧‧無線發射器

100‧‧‧信號

102‧‧‧電源接頭

104‧‧‧電源接頭

將參考圖式闡明例示性實施例。在此揭露之實施例及圖式乃為說明性而非限制性。

圖1為先前技術之LED系統的電路簡圖。

圖2為具有積體元件及智慧型功能之LED系統的示意平面圖。

圖3為具有額外功能內建於半導體基板之LED系統的示意平面圖。

圖4為顯示基板上之電路之LED系統的示意底視圖；圖5為等效於圖2之LED系統的示意平面圖。

圖5A為圖5的示意側視圖，其闡明基板上之特殊應用積體電路(ASIC)及發光二極體(LED)晶片之第一裝設配置。

圖5B為圖5的示意側視圖，其闡明基板上之特殊應用積體電路(ASIC)及發光二極體(LED)晶片之第二裝設配置。

圖6為具有額外功能之LED系統的示意平面圖，等效於圖3。

圖6A為圖6的示意側視圖，其闡明基板上之特殊應用積體電路(ASIC)及發光二極體(LED)晶片之第一裝設配置。

圖6B為圖6的示意側視圖，其闡明基板上之特殊應用積體電路(ASIC)及發光二極體(LED)晶片之第二裝設配置。

圖7為等效於圖2或圖3之LED系統的示意平面圖。

圖7A為圖7之LED系統的示意電路圖。

圖8為具有多重LED晶片串聯電氣連接之LED系統的示意平面圖。

圖8A為圖8之LED系統的示意電路圖。

圖9為具有多重LED晶片並聯電氣連接之LED系統的示意平面圖。

圖9A為圖9之LED系統的示意電路圖。

圖10為LED系統之特殊應用積體電路(ASIC)之電路簡圖。

圖10A為LED系統之特殊應用積體電路(ASIC)之第一輸出構造的 電路簡圖。

圖10B為LED系統之特殊應用積體電路(ASIC)之第二輸出構造的電路簡圖。

圖11A為LED系統之第一密封封裝的示意橫剖面圖。

圖11B為LED系統之第二密封封裝的示意橫剖面圖。

圖11C為LED系統之第三密封封裝的示意橫剖面圖。

圖12為由LED系統所形成之LED積體電路的電路簡圖。

圖13為LED系統之發光二極體(LED)的示意橫剖面圖。

圖14為包含特殊應用積體電路(ASIC)及無線接收器之LED系統的示意橫剖面圖。

30B‧‧‧LED系統

32B‧‧‧基板

34‧‧‧發光二極體

36B‧‧‧特殊應用積體電路晶粒

38B‧‧‧特殊應用積體電路

40B‧‧‧導線

96‧‧‧無線接收器

98‧‧‧無線發射器

100‧‧‧信號

102‧‧‧電源接頭

104‧‧‧電源接頭

Claims (20)

1. 一種發光二極體(LED)系統，其包含：一基板；至少一特殊應用積體電路(ASIC)，其中每一特殊應用積體電路(ASIC)設置於該基板上；至少一發光二極體(LED)，其中每一發光二極體(LED)設置於該基板上，並且電氣連接於該特殊應用積體電路(ASIC)；一無線接收器，其設置於該基板上，並且接收一信號以用於控制該特殊應用積體電路(ASIC)；以及一無線發射器，其可與該無線接收器作信號連接，並且發送該信號至該無線接收器。
2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體(LED)系統，其中該特殊應用積體電路(ASIC)設置於一半導體晶粒上。
3. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體(LED)系統，其中該特殊應用積體電路(ASIC)設置於該基板上。
4. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體(LED)系統，其中該特殊應用積體電路(ASIC)設置於一半導體晶粒上且包含兩個電源接頭。
5. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體(LED)系統，其中該無線發射器可被使用者操控用以發送該信號。
6. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體(LED)系統，其中該無線發射器包含一行動通訊裝置。
7. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體(LED)系統，其中該無線發射器包含一自動輸入裝置。
8. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體(LED)系統，其中該發光二極體(LED)包含一垂直發光二極體(VLED)晶粒。
9. 一種發光二極體(LED)系統，其包含：一基板；至少一特殊應用積體電路(ASIC)晶粒，其中每一特殊應用積 體電路(ASIC)設置於該基板上，並且包含複數個積體電路與兩個電源接頭；至少一發光二極體(LED)，其中每一發光二極體(LED)設置於該基板上，並且電氣連接於該特殊應用積體電路(ASIC)晶粒；一無線接收器，其設置於該基板上，並且接收一信號以用於控制該特殊應用積體電路(ASIC)晶粒與該發光二極體(LED)作出相對於該信號的回應動作；以及
10. 一無線發射器，其可與該無線接收器作信號連接，並且發送該信號至該無線接收器以用於控制該特殊應用積體電路(ASIC)晶粒與該發光二極體(LED)。如申請專利範圍第9項所述之發光二極體(LED)系統，其中該無線發射器可被使用者操控用以發送該信號。
11. 如申請專利範圍第9項所述之發光二極體(LED)系統，其中該無線發射器包含一行動通訊裝置。
12. 如申請專利範圍第9項所述之發光二極體(LED)系統，其中該特殊應用積體電路(ASIC)晶粒包含複數個晶粒。
13. 如申請專利範圍第9項所述之發光二極體(LED)系統，其中該發光二極體(LED)包含一垂直發光二極體(VLED)晶粒。
14. 一種發光二極體(LED)系統的控制方法，其包含下列步驟：提供一基板；提供至少一特殊應用積體電路(ASIC)設置於該基板上；提供至少一發光二極體(LED)設置於該基板上且電氣連接於該特殊應用積體電路(ASIC)；提供一無線接收器設置於該基板上且接收一信號以用於控制該特殊應用積體電路(ASIC)；提供一無線發射器與該無線接收器作信號連接，並且發送該信號至該無線接收器；以及接收從該無線發射器發送至該無線接收器之該信號以用於控制該特殊應用積體電路(ASIC)與該發光二極體 (LED)。
15. 如申請專利範圍第14項所述之控制方法，其中該特殊應用積體電路(ASIC)設置於一半導體晶粒上。
16. 如申請專利範圍第14項所述之控制方法，其中該特殊應用積體電路(ASIC)設置於該基板上。
17. 如申請專利範圍第14項所述之控制方法，其中該特殊應用積體電路(ASIC)設置於一半導體晶粒上且包含兩個電源接頭。
18. 如申請專利範圍第14項所述之控制方法，其中該無線發射器可被使用者操控用以發送該信號。
19. 如申請專利範圍第14項所述之控制方法，其中該無線發射器包含一行動通訊裝置。
20. 如申請專利範圍第14項所述之控制方法，其中該特殊應用積體電路(ASIC)晶粒包含複數個晶粒。