TW201427100A - 具有厚膜環繞壁的發光二極體元件基板、元件及製法 - Google Patents

Abstract

一種具有厚膜環繞壁的發光二極體元件基板、元件及製法，其中發光二極體元件包括發光二極體元件基板、發光二極體晶粒及透光封裝層，而發光二極體元件基板則括基板本體、凹陷側邊電極、致能迴路及厚膜遮蔽層，在製作過程中，需在一片區分出多個基板本體的基片上，鑽出多個貫穿基板本體的側面穿孔，並於基板本體的上表面及側面穿孔的壁面濺鍍及電鍍致能迴路及凹陷側邊電極，再將厚膜遮蔽層由上方遮蔽凹陷側邊電極，其中厚膜遮蔽層更形成有一個環繞遮蔽的環繞壁，可供設置在基板本體上的發光二極體晶粒受環繞壁所環繞，再由透光封裝層完整覆蓋封裝。

Description

具有厚膜環繞壁的發光二極體元件基板、元件及製法

本發明係關於一種具有厚膜環繞壁的發光二極體元件基板、元件及製法，尤其是一種可使出光均勻及保護側邊電極的發光二極體元件及其製造方法。

目前發光二極體(LED)已相當普及，LED組件不僅體積小、反應時間快、使用壽命長、亮度不易衰減、且耐震動，因此LED組件漸漸取代包括顯示器背光光源、照相機閃光燈、交通號誌、車頭及車尾燈，甚至逐漸有取代照明燈泡的趨勢。

一般太陽光所提供的白光，在光譜分佈上相當廣泛，且各種波長的成分均具備。但是對於人類視覺而言，真正可以被視覺神經感測的色光，依照其光波長主要區分為波長約為622 nm~780 nm的紅光、波長約為492 nm~577 nm的綠光、及波長約為455 nm~492 nm的藍光，只要三種色光兼備，且彼此以一個預定的比例組合，就會被認定為白光。所以為能提供人類視覺上所認知的白光光源，可以採取紅、綠、藍三色的LED晶粒光源組合；但是更簡單的方式，則是如圖1所示，將藍光LED晶粒1設置在基板40上，經由焊墊42供電使其發出短波長的藍光，再於LED晶粒1發光處塗上一層混有發出黃色螢光的螢光層2，或者是同時混入可發紅光的螢光材料與綠光的螢光材料，LED晶粒1所發的藍光因而被螢光層2部分吸收，並受到激發而從螢光層2射出與藍光互補的黃光或紅綠光，並與LED晶粒1發出且未被吸收而透射出的藍光混合，便可欺騙人類視覺而混合出肉眼所認定的白光。

但在習知技術的製造過程中，由於螢光層2是以膠狀被傾倒在焊接於基板40的LED晶粒1之上，並且任其凝結固著，一旦分佈於LED晶粒1 上的螢光層2厚度不均則形成如圖上標號所示的較薄區域21及較厚區域22，故當LED晶粒1發光時，較薄區域21因為螢光材質較少，透射出的藍光較多，受激發射出的黃色螢光較少，使得射出顏色偏藍；相反地，較厚區域22所吸收藍光與所放射出的黃色螢光較多，使得該區域所發黃光比例較高，使螢光層厚度不同之區域的色光分佈不均。

為解決螢光層厚度分佈不均的問題，已有業者提出如圖2所示之結構，在基板40’上一體化地燒結形成一個杯狀部44’，杯狀部44’中自然形成向內凹陷的容置空間440’；LED晶粒1’則是以覆晶方式成形於一個基板上，並且將基板與LED晶粒1’一同放置於一個模具中，從而將含有螢光粉的膠均勻成形在LED晶粒1’的外表面上，使得將來成形的覆晶LED單體10’具有完整包覆LED晶粒1’的平坦螢光層2’。

另方面，由於成形LED晶粒的過程，通常是在一片晶圓上同時規劃成形例如兩萬顆LED晶粒，最後再將佈局好電路的晶圓分離為眾多的晶粒，因此在分離的過程中，往往會有一定比例的晶粒，其邊界並非完全筆直，而是有些許凹凸的部分存在。上述習知技術在將晶粒覆晶固定於基板上後，需要將LED晶粒反向置入模具中，藉以成形包覆該LED晶粒的螢光層，此時，一旦LED晶粒邊界有所突出，將造成製作上的困難，無謂降低產品良率而提昇製造成本。

再者，亦有業者提出在陶瓷基板上貼附一個預先成形的杯狀環繞壁，並供LED晶粒及螢光層設置其中的解決方案，但一方面，以機械設備貼附的精度有限，誤差常可達數十至數百微米；另方面，貼附效果並非相當牢靠。尤其高亮度LED操作過程中發出高溫，基板與環繞壁受冷熱交互衝擊，更易剝離，使得此種製程製造出的產品，品質不佳，產品定位因而較低。

為解決上述問題，更有業者提出基板形成有環繞壁的發光二極體元件，如圖3所示，其環繞壁44”是透過高精度的光阻膜曝光顯影而成，並非與基板40”同步燒結而成，使得製程較具彈性，可以完全配合市場需求尺 寸，以確保環繞壁44”的大小尺寸精密而符合預期，還可進一步預留些許安裝縫隙，從而容納LED晶粒切割後在邊界處形成的不平整邊緣。但在批次製造發光二極體的過程中，製作側邊電極，往往需要先將發光二極體元件先以條狀分離，並使各側邊暴露，疊置後進行例如濺鍍，再將整條元件逐個分離，並隨後滾鍍而完成側邊電極，過程不僅繁雜，作業上也相當費時。

為能輕易的製作側邊電極，更有如圖4所示的習知技術，是在尚未裁切的基片4'''上，先區分出多個基板40'''的範圍，並在每個基板40'''與基板40'''間，預先形成多個貫穿基片的孔洞48'''，並以網版印刷的方式，在基板正面壓印出如圖5所示之正面的電極42'''以供二極體晶粒導電連接，隨後再將晶粒焊接至例如其中一個正面的電極42'''上，以及焊接導線。最後點螢光膠封裝晶粒及導線，為避免螢光膠流入孔洞48'''內而阻斷未來的側邊電極46'''與正面的電極42'''間順利連結，此時業者會再度以網版印刷方式，將黏稠的玻璃膠3'''預先由基板40'''的正面封住孔洞48'''的上端，藉以避免黏稠度較低的螢光膠流入。

隨後，經由切割基片4'''，使圖中左右相連的基板40'''分離，孔洞48'''因而由側面暴露，再從側面在孔洞48'''處形成側邊電極46'''，使其與正面的電極42'''以及基板背面的電極(圖未示)連結，完成上下電路的導通。但是如圖5所示，即使玻璃膠3'''的黏稠度較高，仍有部分機率會佔據孔洞48'''上端，讓形成的側邊電極46'''無法順利導接至正面的電極42'''，便會造成預定導接的迴路中斷，使得製作出的發光二極體元件成為無法發光或發光效果較差的不良品，良率因而不佳。

因此，如何能製作出一種具有環繞二極體晶粒的環繞壁，以便讓注膠均勻，發光色彩均一；同時簡化側邊電極的製作程序；以及確保側邊電極與正面的電極間導接關係，提升整體製造良率，這都會是本案所要重視的焦點。

本發明之一目的在提供一種使LED晶粒外表之螢光層均勻平坦、使LED元件各不同位置所發之光的波長分佈均勻之發光二極體元件。

本發明之一目的在提供一種具有易於改變規劃尺寸之環繞壁、故可因應客戶需求而提供多樣產品之具有厚膜環繞壁的發光二極體元件基板。

本發明之又一目的在提供一種具有環繞壁，使得LED晶粒置入時不受晶粒邊界不整齊所限制的發光二極體元件基板。

本發明之再一目的在提供一種批次製造時，可輕易設置側邊電極的的發光二極體元件製造方法。

本發明之再一目的在提供一種可以確保側邊電極和正面的電極間導接良好，提升產品良率的發光二極體元件製造方法。

依照本發明揭露的一個具有厚膜環繞壁的發光二極體元件基板，是供發光二極體晶粒設置，該發光二極體元件基板包括：一片基板本體，具有一個上表面、一個下表面、連接前述上下表面的兩側面及連接前述上下表面的兩端緣；至少一個成型於上述兩端緣之一的凹陷側邊電極；一個佈局在至少該上表面的致能迴路，該致能迴路至少包括一個供上述發光二極體晶粒安裝的安裝區，且上述凹陷側邊電極被導接至該致能迴路；及一個設置於至少該上表面的厚膜遮蔽層，由上方遮蔽上述凹陷側邊電極，其中該厚膜遮蔽層形成有至少部分環繞遮蔽該安裝區的環繞壁，以及該環繞壁與該基板共同形成一個使該安裝區被暴露的容置空間。

依照本發明揭露的一個具有厚膜環繞壁的發光二極體元件，包括：一片發光二極體元件基板，包括一片基板本體，具有一個上表面、一個下表 面、連接前述上下表面的兩側面及連接前述上下表面的兩端緣；至少一個成型於上述兩端緣之一的凹陷側邊電極；一個佈局在至少該上表面的致能迴路，該致能迴路至少包括一個安裝區，且上述凹陷側邊電極被導接至該致能迴路；及一個設置於至少該上表面的厚膜遮蔽層，由上方遮蔽上述凹陷側邊電極，其中該厚膜遮蔽層形成有至少部分環繞遮蔽該安裝區的環繞壁，以及該環繞壁與該基板共同形成一個使該安裝區被暴露的容置空間；且該發光二極體元件還包括：至少一個安裝於上述安裝區、並被導接至上述致能迴路的發光二極體晶粒；及一層完整覆蓋該發光二極體晶粒的透光封裝層。

依照本發明揭露的一種具有厚膜環繞壁的發光二極體元件的製造方法，是供至少一個具有一組致能端部的發光二極體晶粒設置，並將一片基片預先區劃成複數個基板本體，前述各基板本體分別具有一個上表面、一個下表面、連接前述上下表面的兩側面及連接前述上下表面的兩端緣，其中該二極體元件的製造方法包括下列步驟：a)分別在前述各基板本體對應前述端緣位置形成複數個貫穿前述上下表面的側面穿孔；b)分別將多個具有一個安裝區的致能迴路佈局在前述各基板本體上表面，並至少分別在前述兩端緣之一及對應該端緣的側面穿孔設置一個導接該對應致能迴路的凹陷側邊電極；及c)將一個厚膜遮蔽層設置於各前述上表面，從上方遮蔽各前述凹陷側邊電極，其中每一上述厚膜遮蔽層分別形成有至少部分環繞遮蔽該安裝區的環繞壁，並與各上述對應基板本體共同形成有使各上述對應安裝區被暴 露的容置空間。

由於本案所揭露之具有厚膜環繞壁的發光二極體元件基板、元件及製法，是以光阻膜曝光顯影疊層出厚膜遮蔽層，其中厚膜遮蔽層形成的環繞壁是以光學方式成形，因此尺寸能夠達到符合預期的精準程度，亦不需針對不同尺寸分別準備特定的不同模具，使得尺寸與形狀的彈性不會受限。

而且在批次的製作過程中，可在尚未切割的基片上先形成複數個貫穿的側面穿孔，有助於凹陷側邊電極的設置，無需再透過額外的側邊電極設置程序，簡化整體作業流程；另方面，由於厚膜遮蔽層是以整片覆蓋在基板的表面，受到厚膜遮蔽層整片張力的支撐，令厚膜遮蔽層只會保持在能遮蔽住側面穿孔的開口處，而不會侵入至側面穿孔內，使得凹陷側邊電極能夠更容易的被設置在側面穿孔內，增加生產良率，進而達成上述所有之目的。

有關本發明之前述及其他技術內容、特點與功效，在以下配合參考圖式之較佳實施例的詳細說明中，將可清楚呈現；此外，在各實施例中，相同之元件，將以相似之標號表示。

本案之具有厚膜環繞壁的發光二極體元件基板、元件及製法的第一較佳實施例，其製作流程如圖6的流程圖所示，首先如步驟101與圖7及圖8所示，係在一片基片66預先區劃成複數彼此連結的複數基板本體60，並分別具有一個上表面601、一個下表面602、兩個側面603及兩個端緣604，其中側面603分別連接上表面601及下表面602，再於步驟102與圖9所示，於每個基板本體60的端緣604方向之間，以工具鑽出多個貫穿上表面601及下表面602的側面穿孔600，再如步驟103與圖10，在各基板本體60的 上表面601、側面穿孔600壁面及下表面602同時濺鍍一層種子層610。

接下來如步驟104及圖11所示，在位於上表面601及下表面602的種子層610上，壓印一層犧牲光阻層620，並以一個具有預定圖案的光罩7設置在犧牲光阻層620表面，隨即曝光，令被光照到的犧牲光阻層620部分固化，再將犧牲光阻層620被遮蔽且未固化部分顯影去除，再來如步驟105及一併參考圖11及圖12，以電鍍的方式將種子層610未被犧牲光阻層620遮敝到的部份增厚，並將剩下的犧牲光阻層620去除，而原先被犧牲光阻層遮敝而未被增厚的種子層610則是用化學蝕刻方式去除，即形成一個致能迴路65，及一個導接該對應致能迴路65的凹陷側邊電極61，其中致能迴路65是佈局在上表面601，並形成有一個安裝區6010，凹陷側邊電極61則是成型於端緣604，並延伸至對應的側面603。

步驟106如圖13所示，於上表面601壓印一層第一光阻膜621，並於步驟107將另一組光罩7覆蓋於第一光阻膜621上進行曝光，使第一光阻膜621裸露部分被固化，隨後將未被固化的第一光阻膜621進行顯影去除，形成如圖14所示的第一光阻膜621具有一個如預定的環繞形狀，若壓印的第一光阻膜621未達預定厚度時，步驟108再如圖15所示，於已經顯影的第一光阻膜621上，增加壓印一層上層光阻膜，做為增厚用的第二光阻膜622，重複上述的曝光與顯影流程，直到達成預定厚度，即成為如圖16及圖17所示，一層設置於上表面601的厚膜遮蔽層62，且凹陷側邊電極61及側面穿孔600更可被厚膜遮蔽層62從上方所遮蔽，而原先未被固化而被顯影去除的部份，則形成一個環繞壁629，其中環繞壁629是呈環繞遮蔽安裝區6010，並與對應的基板本體60共同形成有一個容置空間，使對應的安裝區6010被暴露出，即完成多個發光二極體元件基板6尚未進行分離的結構。

由於厚膜遮蔽層62是以整片覆蓋，受到厚膜遮蔽層62整片張力的支撐，使得厚膜遮蔽層62只會保持在能遮蔽住側面穿孔600的開口處，而不 會侵入至側面穿孔600內，在此階段若再進行電鍍增厚作業，由於側面穿孔600內呈通暢且沒有阻隔物，因此仍可保持迴路的導電性。

接著進一步在發光二極體元件基板上進行後續加工，製作出本案之發光二極體元件，接續步驟109，並如圖18所示，將發光二極體晶粒8安裝至容置空間中的安裝區6010上，本例中之發光二極體晶粒8的二電極端中，其一是形成在發光二極體晶粒8的底部並接致能迴路65，另一電極則形成在發光二極體晶粒8發光面的導電端，由導線81電氣連接至與致能迴路65斷開的凹陷側邊電極61；再於步驟110一併參考如圖19所示，將含有螢光材質之液態膠體的螢光材質膠體9注入環繞壁629內之容置空間中，直到完全覆蓋住發光二極體晶粒8且充滿環繞壁629內，待螢光材質膠體9厚度均勻時，使其固化，令發光二極體晶粒8發出的光穿透螢光材質膠體9即可改變，例如將黃色的螢光材質膠體9覆蓋發出藍色的發光二極體晶粒8，即可產生出白光。

步驟111進行封裝作業，如圖20所示，將尚未被分離的諸多發光二極體元件基板6所構成的完整基材共同置入一個模具50中，模具50內形成有複數分別對應各發光二極體元件基板6的預定形狀模穴，並向模穴中注入透明材質樹脂，經過一定時間後將模具50卸除，即會在各發光二極體元件基板6上形成一個預定形狀之封裝透光層5，並完整覆蓋住發光二極體晶粒8、環繞壁629、及固化後的螢光材質膠體9；最後再於步驟112以例如工具切割或雷射切割，令發光二極體元件基板6分離，製成如圖21所示具有厚膜環繞壁之發光二極體元件。

當然，本例之凹陷側邊電極亦可如圖22所示，分別設置在兩個端緣604位置，令基板本體60的上表面601部分暴露而形成安裝區6010，供發光二極體晶粒8貼附安裝，且發光二極體晶粒8的二電極端，則是都形成在發光面的方向，是以導線81分別電氣連接至兩側的凹陷側邊電極61，同樣能製作出具有厚膜環繞壁之發光二極體元件。

另方面，在本例中，如果要發光二極體元件產生出白光，亦可將三種不同發光顏色的發光二極體晶粒(R.G.B)設置在同一個環繞壁內，令三個發光二極體晶粒發出的光彼此混色而轉換為白光，因此，便可不需再額外在發光二極體晶粒上覆蓋一層螢光材質膠體。

本案之具有厚膜環繞壁的發光二極體元件基板、元件及製法的第二較佳實施例，在本例中，更可在厚膜遮蔽層上另設置一層金屬反射薄膜層，其流程如圖23所示，一開始如步驟201，並如圖24所示，在基板本體60’的上表面601’及厚膜遮蔽層62’上設置一層犧牲光阻膜620’，並再以光罩7’覆蓋，隨即進行曝光及顯影，使得犧牲光阻膜620’露出對應厚膜遮蔽層62’的部份，接下來如步驟202，在厚膜遮蔽層形成一個金屬材質之種子層，再如步驟203，以電鍍的方式令種子層增厚，再將剩於的犧牲光阻膜620’去除掉，最後進行同樣的切割作業，使得本例之發光二極體元件，形成有如圖25所示的金屬反射薄膜層67’，可利用金屬反光之特性，令出光效率有所提升。

本案之具有厚膜環繞壁的發光二極體元件基板、元件及製法的第三較佳實施例，如圖26及圖27所示，在本例中，環繞壁629”的內緣是呈環繞圓狀，而發光二極體晶粒8”的二電極端則是形成於晶粒底面，因此本例之發光二極體晶粒8”可利用覆晶技術，將錫球先附著於發光二極體晶粒8”的電極端，再利用高週波將發光二極體晶粒8”焊接於致能迴路65”與斷開的凹陷側邊電極61”，而螢光材質膠體9”在本例中則是例示為螢光粉末，並以噴粉的方式附著於發光二極體晶粒8”表面。

本發明之具有厚膜環繞壁的發光二極體元件基板、元件及製法，其厚膜環繞壁是以光阻膜曝光顯影疊層所製成，並於基板成形後才設置形成於基板上，精度尺寸相當符合預期，誤差可限制在10 μm以下，且以後製過程在例如陶瓷基板上成形環繞壁，可以提供絕佳之製造彈性，完全配合市場需求。

而且在批次的製作過程中，可在尚未切割的基片上先形成複數個貫穿的側面穿孔，使得凹陷側邊電極可在尚未切割基片的階段，便可設置在基板本體的端緣，並延伸至對應的側面，簡化整體作業流程；再者，厚膜遮蔽層是以整片覆蓋在基板的表面，由於受到厚膜遮蔽層整片張力的支撐，令厚膜遮蔽層只會保持在能遮蔽住側面穿孔的開口處，而不會侵入至側面穿孔內，由於側面穿孔內通暢且沒有阻隔物，因此再次進行電鍍增厚作業時仍可保持迴路的導電性，使得生產良率有所提升，進而達成上述所有之目的。

惟以上所述者，僅本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明申請專利範圍及發明說明書內容所作簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。

1、1’‧‧‧LED晶粒

10’‧‧‧LED單體

2‧‧‧螢光層

21‧‧‧較薄區域

22‧‧‧較厚區域

40、40’、40”、40'''‧‧‧基板

42‧‧‧焊墊

44’‧‧‧杯狀部

44”‧‧‧環繞壁

4'''‧‧‧基片

48'''‧‧‧孔洞

46'''‧‧‧側邊電極

5‧‧‧封裝透光層

50‧‧‧模具

6‧‧‧發光二極體元件基板

61、61”‧‧‧凹陷側邊電極

610‧‧‧種子層

62、62’‧‧‧厚膜遮蔽層

621‧‧‧第一光阻膜

622‧‧‧第二光阻膜

629、629”‧‧‧環繞壁

620、620’‧‧‧犧牲光阻層

65、65”‧‧‧致能迴路

66‧‧‧基片

67’‧‧‧金屬反射薄膜層

60、60’‧‧‧基板本體

601、601’‧‧‧上表面

602‧‧‧下表面

603‧‧‧側面

604‧‧‧端緣

600‧‧‧側面穿孔

6010‧‧‧安裝區

7、7’‧‧‧光罩

8、8”‧‧‧發光二極體晶粒

81‧‧‧導線

9、9”‧‧‧螢光材質膠體

440’‧‧‧容置空間

42'''‧‧‧電極

3'''‧‧‧玻璃膠

圖1是一種習知技術的發光二極體元件結構側視圖；圖2是另一種習知技術的發光二極體元件結構爆炸圖；圖3是又一種習知技術的發光二極體元件結構側視圖；圖4是再一種習知技術的發光二極體元件結構側視圖；圖5是圖4發光二極體元件的孔洞設有玻璃膠的側視圖；圖6是本案之具有厚膜環繞壁的發光二極體元件基板、元件及製法的第一較佳實施例的製作流程圖；圖7是本案之具有厚膜環繞壁的發光二極體元件基板尚未切割的俯視圖；圖8是圖7之發光二極體元件基板的側視圖；圖9是圖8之發光二極體元件基板開設有多個側面穿孔的側視圖；圖10是圖9之發光二極體元件基板的上表面、下表面及側面穿孔的壁面濺鍍一層種子層的側視圖；圖11是圖10之發光二極體元件基板位於上表面的種子層設置一層犧 牲光阻膜及光罩的側視圖；圖12是圖11之發光二極體元件的種子層電鍍增厚及蝕刻成致能迴路及凹陷側邊電極的側視圖；圖13是圖12之發光二極體元件的上表面附著一層第一光阻膜及光罩的側視圖；圖14是圖13之第一光阻膜曝光及顯影後形成一個預定形狀的側視圖；圖15是圖14之第一光阻膜上再附著一層第二光阻膜的側視圖；圖16是圖15之第一光阻膜及第二光膜共同構成一個具有環繞壁的厚膜遮蔽層；圖17是圖16之發光二極體元件基板設置有厚膜遮蔽層的俯視圖；圖18是圖17之發光二極體元件基板設置有發光二極體晶粒，並連接導線至凹陷側邊電極的側視圖；圖19是圖18之環繞壁內設置螢光材質膠體的側視圖；圖20是圖19之發光二極體元件基板設置一層封裝透光層的側視圖；圖21是圖20之發光二極體元件基板彼此分離，並完成發光二極體元件的側視圖；圖22是圖21之發光二極體元件的發光二極體晶粒是連接兩條線至對應的凹陷側邊電極的側視圖；圖23是本案之具有厚膜環繞壁的發光二極體元件基板、元件及製法的第二較佳實施例的製作流程圖；圖24是本案之發光二極體元件基板另在厚膜遮蔽層上另設置一層犧牲光阻膜及光罩的側視圖；圖25是圖24之厚膜遮蔽層設置一層金屬反射薄膜層的側視圖；圖26是本案之具有厚膜環繞壁的發光二極體元件基板、元件及製法的第三較佳實施例的側視圖；及圖27是圖26之發光二極體元件的立體圖。

61‧‧‧凹陷側邊電極

62‧‧‧厚膜遮蔽層

629‧‧‧環繞壁

8‧‧‧發光二極體晶粒

9‧‧‧螢光材質膠體

Claims (10)

1. 一個具有厚膜環繞壁的發光二極體元件基板，是供發光二極體晶粒設置，該發光二極體元件基板包括：一片基板本體，具有一個上表面、一個下表面、連接前述上下表面的兩側面及連接前述上下表面的兩端緣；至少一個成型於上述兩端緣之一的凹陷側邊電極；一個佈局在至少該上表面的致能迴路，該致能迴路至少包括一個供上述發光二極體晶粒安裝的安裝區，且上述凹陷側邊電極被導接至該致能迴路；及一個設置於至少該上表面的厚膜遮蔽層，由上方遮蔽上述凹陷側邊電極，其中該厚膜遮蔽層形成有至少部分環繞遮蔽該安裝區的環繞壁，以及該環繞壁與該基板本體共同形成一個使該安裝區被暴露的容置空間。
2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體元件基板，更包括一層至少部分覆蓋該厚膜遮蔽層的金屬反射薄膜層。
3. 如申請專利範圍第1或2項所述之發光二極體元件基板，其中前述環繞壁係多層光阻疊層。
4. 一個具有厚膜環繞壁的發光二極體元件，包括：一片發光二極體元件基板，包括一片基板本體，具有一個上表面、一個下表面、連接前述上下表面的兩側面及連接前述上下表面的兩端緣；至少一個成型於上述兩端緣之一的凹陷側邊電極；一個佈局在至少該上表面的致能迴路，該致能迴路至少包括一個安裝 區，且上述凹陷側邊電極被導接至該致能迴路；及一個設置於至少該上表面的厚膜遮蔽層，由上方遮蔽上述凹陷側邊電極，其中該厚膜遮蔽層形成有至少部分環繞遮蔽該安裝區的環繞壁，以及該環繞壁與該基板本體共同形成一個使該安裝區被暴露的容置空間；及至少一個安裝於上述安裝區、並被導接至上述致能迴路的發光二極體晶粒；及一層完整覆蓋該發光二極體晶粒的透光封裝層。
5. 如申請專利範圍第4項所述之發光二極體元件，更包括一層設置在該容置空間內、介於上述發光二極體晶粒與該透光封裝層間的螢光材質膠體。
6. 一種具有厚膜環繞壁的發光二極體元件的製造方法，是供至少一個具有一組致能端部的發光二極體晶粒設置，並將一片基片預先區劃成複數個基板本體，前述各基板本體分別具有一個上表面、一個下表面、連接前述上下表面的兩側面及連接前述上下表面的兩端緣，其中該二極體元件的製造方法包括下列步驟：a)分別在前述各基板本體對應前述端緣位置形成複數個貫穿前述上下表面的側面穿孔；b)分別將多個具有一個安裝區的致能迴路佈局在前述各基板本體上表面，並至少分別在前述兩端緣之一及對應該端緣的側面穿孔設置一個導接對應該致能迴路的凹陷側邊電極；及c)將一個厚膜遮蔽層設置於各前述上表面，從上方遮蔽各前述凹陷側邊電極，其中每一上述厚膜遮蔽層分別形成有至少部分環繞遮蔽該安裝區的 環繞壁，並與各上述對應基板本體共同形成有使各上述對應安裝區被暴露的容置空間。
7. 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體元件的製造方法，其中該步驟c)中設置厚膜遮蔽層之步驟更包括下列次步驟：c1)在每一上述基板本體上設置形成一第一層光阻膜；c2)當該第一層光阻膜厚度未達一預定厚度時，於上述光阻膜上增加一層上層光阻膜，直到達到該預定厚度；c3)將一對應該至少一個環繞壁形狀及前述側面穿孔之光罩覆蓋於該光阻膜上進行曝光，使該光阻膜固化；及c4)對該光阻膜進行顯影，形成該至少一個環繞壁及厚膜遮蔽層。
8. 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體元件的製造方法，其中該步驟c)中設置厚膜遮蔽層之步驟更包括下列次步驟：c5)在該厚膜遮蔽層形成一個金屬材質之種子層；及c6)在該種子層上電鍍增厚、並形成一個金屬反射薄膜層。
9. 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體元件的製造方法，更包括在步驟c)後的下列步驟：d)將前述發光二極體晶粒分別安裝在安裝區，並將前述發光二極體晶粒的致能端部分別導接至前述側邊電極及/或致能迴路；e)設置一組具有複數個分別對應該等基板之預定形狀模穴的模具於該基材上，並注入一透明材質，以形成複數個符合該等模穴預定形狀之封裝，完整覆蓋該等發光二極體晶粒、該等環繞壁、及該等固化後之含有螢光材質之膠體 f)切割該基片，形成複數個發光二極體元件。
10. 如申請專利範圍第9項之發光二極體元件的製造方法，更包含在步驟d)與步驟e)間，將含有螢光材質之液態膠體注入該環繞壁的容置空間並覆蓋前述發光二極體晶粒之步驟f)。