TW201420790A - 成膜裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種可更適當地防止蒸氣混入鄰接之蒸鍍頭間之成膜裝置。成膜裝置具備處理容器、複數蒸鍍頭、搬送部及第1排氣機構。處理容器係區劃出處理室。複數蒸鍍頭係並排配置於處理室內，並噴射含有蒸鍍材料蒸氣的氣體。搬送部係在沿複數蒸鍍頭的並排設置方向之搬送路徑上，使基板的成膜面對向於複數蒸鍍頭來搬送基板。第1排氣機構係透過第1排氣口而連接於處理室。此處，搬送路徑係包含有成膜面會與複數蒸鍍頭呈對向之處理區間，第1排氣口係設置於處理室的內壁，其為從成膜面往蒸鍍頭的配置位置方向觀看會與處理區間相重疊之位置處。
Description
本發明之一觀點及實施型態係關於一種成膜裝置。
以往，已知有一種將經氣化後之材料的蒸氣朝基板供應來進行成膜之裝置(參閱例如專利文獻1。)。專利文獻1記載的裝置具備有區劃出基板處理用的處理室之處理容器。該處理容器內配置有在使基板表面朝向下方之狀態下支撐基板並在處理室內往水平方向搬送之搬送機構，以及，沿基板搬送方向配置來對基板表面依序供應成膜材料的蒸氣之複數蒸鍍頭。各蒸鍍頭係連接有用以供應含有成膜材料的蒸氣之蒸氣產生室(氣體供應源)。上述處理室及蒸氣產生室並非相互連通，而是藉由所分別連接之真空幫浦來減壓至特定壓力。然後，各蒸鍍頭間設置有蒸氣區隔壁。搬送機構所搬送之基板會在通過各蒸鍍頭的上方中從各蒸鍍頭被蒸鍍各種材料。藉此於基板上形成層積體。
專利文獻1：日本特開2012-26041號公報
如專利文獻1記載的成膜裝置般，並排複數蒸鍍頭來形成層積體的情況，會有在鄰接之蒸鍍頭間發生兩者的蒸氣混入之虞。配置於各蒸鍍頭間之蒸氣區隔壁雖然在防止上述般的蒸氣混入這一點為有效的，但依成膜條件，若僅藉由物理性遮蔽仍有不充分的情況。於是，本技術領域中乃期望一種可更適當地防止蒸氣混入鄰接之蒸鍍頭間之成膜裝置。
本發明一觀點之成膜裝置具備處理容器、複數蒸鍍頭、搬送部及第1排氣機構。處理容器係區劃出處理室。複數蒸鍍頭係並排配置於處理室內，並噴射含有蒸鍍材料蒸氣的氣體。搬送部係在沿複數蒸鍍頭的並排設置方向之搬送路徑上，使基板的成膜面與複數蒸鍍頭呈對向來搬送基板。第1排氣機構係透過第1排氣口而連接於處理室。此處，搬送路徑係包含有成膜面會與複數蒸鍍頭呈對向之處理區間，第1排氣口係設置於處理室的內壁，其為從成膜面往蒸鍍頭的配置位置方向觀看會與處理區間相重疊之位置處。
此成膜裝置中，係透過形成於與進行蒸鍍的處理區間相重疊之位置處且為處理室的內壁之第1排氣口來將處理室減壓。藉由上述結構，可有效率地抑制因從蒸鍍頭噴射的氣體而導致蒸鍍頭與基板間的空間之壓力上昇。藉由充分降低蒸鍍頭附近的壓力，可減少材料分子擴散或繞進鄰接之蒸鍍頭間。藉此，可更適當地防止蒸氣混入鄰接之蒸鍍頭間。
一實施型態中，可具備有透過第2排氣口而連接於處理室來將處理室減壓之第2排氣機構。第2排氣口可設置於處理室的內壁，其為從成膜面往蒸鍍頭的配置位置方向觀看不會與處理區間相重疊之位置處。如此地，亦可設置有控制處理室整體的壓力之排氣機構。
一實施型態中，第1排氣口可形成於複數蒸鍍頭之間。藉由使排氣機構直接連接於處理室之結構，可有效率地減少材料分子擴散或繞進鄰接之蒸鍍頭間。
一實施型態中，各蒸鍍頭可收納於在噴射方向上具有開口之箱狀的收納室，各收納室可透過開口而連通於處理室，第1排氣機構可連接於收納室，連接有第1排氣機構之收納室的開口可為第1排氣口。藉由將排氣機構連接於和處理室相連通之蒸鍍頭的收納室之結構，不會對基板位置造成影響，可使蒸鍍頭附近的壓力及成膜分佈為一定。
一實施型態中，第1排氣機構可連接於複數收納室。藉由上述結構，相較於各收納室皆具有排氣機構之情況，可使裝置小型化。
一實施型態中，複數蒸鍍頭的並排設置方向上收納室內壁與蒸鍍頭之間所形成之間隙的大小可小於與成膜面呈平行且與複數蒸鍍頭的並排設置方向呈直交之方向上收納室內壁與蒸鍍頭之間所形成之間隙的大小。藉由上述結構，由於從鍍頭噴射的材料會相較於蒸鍍頭的並排設置方向而朝與成膜面呈平行且與複數蒸鍍頭的並排設置方向呈直交之方向被排氣，因此可減少材料分子擴散或繞進鄰接之蒸鍍頭間。
一實施型態中，各蒸鍍頭可設置有改變其與成膜面的距離之驅動機構。藉由上述結構，由於可在噴射變廣之前使材料到達基板，因此可減少材料分子擴散或繞進鄰接之蒸鍍頭間。
一實施型態中，驅動機構可依據第1蒸鍍頭所成膜之膜厚與第2蒸鍍頭所成膜之膜厚的差來改變第2蒸鍍頭之與成膜面的距離。藉由上述結構，可更適當地防止在進行厚度大為不同之成膜的情況下變得明顯之材料的混入。
如以上的說明，依據本發明之一觀點及實施型態，可更適當地防止蒸氣混入鄰接之蒸鍍頭間。
K‧‧‧處理區間
S‧‧‧基板
10‧‧‧成膜裝置
11‧‧‧處理容器
12‧‧‧處理室
16a~16d‧‧‧蒸鍍頭
20a~20d‧‧‧氣體供應源
22‧‧‧驅動裝置(搬送部)
27a、27c、27d‧‧‧真空幫浦(第1排氣機構)
27b‧‧‧真空幫浦(第2排氣機構)
圖1係概略顯示第1實施型態之成膜裝置之圖式。
圖2係顯示圖1所示之蒸鍍頭之立體圖。
圖3係顯示可使用第1實施型態之成膜裝置來製造之有機EL元件的完成狀態一例之圖式。
圖4係概略顯示第2實施型態之成膜裝置之圖式。
圖5係顯示圖4所示之蒸鍍頭及收納室之立體圖。
圖6係概略顯示第3實施型態之成膜裝置之圖式。
圖7為成膜模擬結果的圖表。
圖8(A)~(C)為蒸鍍速度的模擬結果之圖表。
圖9(A)、(B)為層積體濃度的模擬結果之圖表。
圖10(A)、(B)為層積體濃度的模擬結果之表。
圖11(A)、(B)為層積體濃度的模擬結果之圖表。
以下，參閱圖式來針對各種實施型態詳細地說明。此外，各圖式中，針對相同或相當的部分則賦予相同符號。
圖1係概略顯示一實施型態之成膜裝置之圖式。圖1係顯示XYZ直角座標系統。圖1所示之成膜裝置10具有區劃出基板S收納用的處理室12之處理容器11，與用以支撐基板S之台座14。基板S的一側面(成膜面)係在例如鉛直方向(Z方向)上朝向下方。亦即，成膜裝置10為面向下型的成膜裝置。台座14亦可內建有基板S吸附用之靜電夾具。此外，其他實施型態中，成膜裝置亦可為對朝上之成膜面噴附含有蒸鍍材料蒸氣的氣體之型態，亦即，面向上型的成膜裝置。處理容器11係透過形成於處理室12的內壁之排氣口60(第2排氣口)及管12b而連接有真空幫浦27b(第2排氣機構)，可藉由該真空幫浦27b來將處理室12內減壓。有關排氣口60的詳細形成位置將敘述於後。
成膜裝置10具有蒸鍍頭16b，該蒸鍍頭16b具有對基板S噴附含有蒸鍍材料蒸氣的氣體G之噴嘴18b。成膜裝置10亦可另具有蒸鍍頭16a、16c、16d，該等蒸鍍頭16a、16c、16d係分別具有與噴嘴18b相同構造的噴嘴18a、18c、18d。從噴嘴18a、18c、18d可噴出與從噴嘴18b所噴出之蒸鍍材料為不同的蒸鍍材料，且為相互不同的蒸鍍材料。藉此，便可於基板S上連續蒸鍍複數種類的膜。蒸鍍頭16a~16d係於X方向上並排配置於處理室12內。亦即，X方向為蒸鍍頭16a~16d的並排設置方向。
各蒸鍍頭16a~16d係分別收納於在噴射方向上具有開口
41a~41d之箱狀的收納室40a~40d。各收納室40a~40d係透過開口41a~41d而與處理室12相連通。又，圍繞開口41a~41d般，而直立設置有蒸氣區隔壁17a~17d。
蒸鍍頭16a~16d係分別連接於供應含有蒸鍍材料蒸氣的氣體之氣體供應源20a~20d。例如，從氣體供應源20b對蒸鍍頭16b供應氣體G。噴嘴18a~18d的前端形成有例如圓形的噴射口。從該噴射口噴射出含有蒸鍍材料的氣體。此處，氣體供應源20a~20d可分別收納於各自呈箱狀的收納室40a~40d。
成膜裝置10係在與Y方向呈交叉之X方向上具有用以驅動台座14之驅動裝置(搬送部)22。又，成膜裝置10可另具備軌道24。軌道24係安裝於處理容器11的內壁。台座14係藉由例如支撐部14a而連接於軌道24。台座14及支撐部14a係藉由驅動裝置22而在軌道24上滑動般地移動。藉此，基板S會相對於噴嘴18a~18d而相對地移動於X方向。亦即，基板S的搬送路徑係沿X方向(蒸鍍頭16a~16d的並排設置方向)延伸。基板S係藉由移動於X方向，而依序面對噴嘴18a~18d的開口所配置。圖1中之箭頭A表示台座14的移動方向。又，成膜裝置10的處理容器11具有閘閥26a及26b。基板S可通過形成於處理容器11之閘閥26a而被導入至處理室12內，且通過形成於處理容器11之閘閥26b而被搬出至處理室12外。
成膜裝置10除了對處理室12內進行減壓之真空幫浦27b以外，亦具備真空幫浦27a(第1排氣機構)。真空幫浦27a係透過排氣口50(第1排氣口)而連接於處理室12。排氣口50係形成於處理室12的內壁，且露出於基板S的成膜面與蒸鍍頭16a~16d之間的空間(蒸鍍空間)。亦即，基板S的搬送路徑包含有基板S的成膜面與蒸鍍頭16a~16d呈對向之處理區間K，排氣口50係設置於從成膜面往蒸鍍頭16a~16d的配置位置方向(-Z方向)觀看而與處理區間K相重疊之位置處之處理室12的內壁。再者，排氣口50係形成於蒸鍍頭16a~16d間。排氣口50亦可設置於處理室12的中央部處。處理室12中央部處
的壓力容易上昇。因此，藉由將排氣口50設置於處理室12的中央部，可有效率地降低壓力。
另一方面，排氣口60係設置於從成膜面往蒸鍍頭16a~16d的配置位置方向(-Z方向)觀看而不與處理區間K相重疊之位置處之處理室12的內壁。此外，真空幫浦27b亦可不直接連接於處理室12。亦即，亦可將幫浦室等設置於排氣口60與管12b之間。
圖2係顯示一實施型態之蒸鍍頭之立體圖。如圖2所示，蒸鍍頭16b在一實施型態中，可具有複數噴射口14b。從複數噴射口14b將氣體供應源20b所供應之氣體往Z方向的軸線中心噴射。該等噴射口14b可配列於與台座14的移動方向(X方向)呈交叉之方向(即Y方向)。
又，蒸鍍頭16b可內建有加熱器15。一實施型態中，加熱器15會將蒸鍍頭16b加熱至對蒸鍍頭16b所供應之作為蒸氣的蒸鍍材料不會析出之溫度為止。
圖3係顯示可使用一實施型態之成膜裝置來製造之有機EL元件的完成狀態一例之圖式。圖3所示之有機EL元件D可具備有基板S、第1層D1、第2層D2、第3層D3、第4層D4、第5層D5及第6層D6。基板S為玻璃基板般之光學性透明的基板。
基板S的一主面上設置有第1層D1。第1層D1可作為陽極層使用。該第1層D1為光學性透明的電極層，可由例如ITO(Indium Tin Oxide)般之導電性材料所構成。第1層D1係藉由例如濺射法而形成。
第1層D1上依序層積有第2層D2、第3層D3、第4層D4及第5層D5。第2層D2、第3層D3、第4層D4及第5層D5為有機層。第2層D2可為電洞注入層。第3層D3可包含有例如非發光層D3a及非發光層D3b。又，第4層D4可為發光層。第5層D5可為電子輸送層。有機層之第2層D2、第3層D3、第4層D4及第5層D5可使用成膜裝置10而形成。
第5層D5上設置有第6層D6。第6層D6為陰極層，可由例如Ag、Al等所構成。第6層D6可藉由濺射法等而形成。上述結構的元件D可進一步藉由微波電漿CVD等所形成之SiN材料的絕緣性密封膜而被密封。
以上，依據第1實施型態之成膜裝置10，係透過形成於與進行蒸鍍的處理區間K相重疊之位置處且為處理室12的內壁之排氣口50來將處理室12減壓。藉由上述結構，可有效率地抑制因從蒸鍍頭16a~16d噴射的氣體而導致蒸鍍頭16a~16d與基板S間的空間之壓力上昇。藉由充分降低蒸鍍頭16a~16d附近的壓力，可減少材料分子擴散或繞進鄰接之蒸鍍頭間。藉此，可更適當地防止蒸氣混入鄰接之蒸鍍頭間。
又，依據第1實施型態之成膜裝置10，由於排氣口50係形成為露出於基板S的成膜面與蒸鍍頭16a~16d之間的空間般，且真空幫浦27a係直接連接於處理室12，因此可有效率地降低該空間的壓力，從而有效率地減少材料分子擴散或繞進鄰接之蒸鍍頭間。
第2實施型態之成膜裝置10的結構與第1實施型態之成膜裝置10大致相同，相異點為取代真空幫浦27a而具備真空幫浦27c及真空幫浦27d。以下，重點在於說明與第1實施型態之相異點，而省略重複說明。
圖4係概略顯示一實施型態之成膜裝置之圖式。圖4係顯示XYZ直角座標系統。圖4所示之成膜裝置10除了對處理室12內進行減壓之真空幫浦27b以外，亦具備真空幫浦27c(第1排氣機構)及真空幫浦27d(第1排氣機構)。真空幫浦27c係透過管12c而連接於收納蒸鍍頭16a~16c之收納室40a~40c。亦即，真空幫浦27c可連接於複數收納室。收納室40a的底部形成有開口50a，且連接有管12c。同樣地，收納室40b、40c的底部形成有開口50b、50c，且連接有管12c。亦即，真空幫浦27c為對各收納室40a~40c進行減壓之結構。真空幫浦27d係
透過管12d而連接於收納蒸鍍頭16d之收納室40d。亦即，真空幫浦27d可連接於單一的收納室。收納室40d的底部形成有開口50d，且連接有管12d。亦即，真空幫浦27d為對各收納室40d進行減壓之結構。
各收納室40a~40d係透過開口41a~41d而與處理室12相連通。亦即，真空幫浦27c係透過開口41a(第1排氣口)、開口41b(第1排氣口)、開口41c(第1排氣口)而與處理室12相連通。真空幫浦27d係透過開口41d(第1排氣口)而與處理室12相連通。開口41a~41d係形成於處理室12的內壁，且露出於基板S的成膜面與蒸鍍頭16a~16d之間的空間(蒸鍍空間)。排氣口50a~50d係設置於從成膜面往蒸鍍頭16a~16d的配置位置方向(-Z方向)觀看而與處理區間K相重疊之位置處之處理室12的內壁。此處，氣體供應源20a~20d可分別收納於各自呈箱狀的收納室40a~40d。
圖5係顯示一實施型態之蒸鍍頭及收納室之立體圖。如圖5所示，收納室40b的上方具有開口(開口41b)，在不遮避蒸鍍頭16b的噴射之狀態下，將蒸鍍頭16b收納於收納室40b。複數蒸鍍頭的並排設置方向之X方向上，收納室40b的內壁與蒸鍍頭16b之間所形成之間隙的大小可由收納室40b的寬度P1與蒸鍍頭16b的寬度P3之差值(P1-P3)來計算出。另一方面，與成膜面呈平行且直交於X方向之方向上，收納室40b的內壁與蒸鍍頭16b之間所形成之間隙的大小可如圖式般以P2來表示。此處，藉由使P2>(P1-P3)，則相較於沿X方向之方向，可使排氣流更易於生成於沿Y方向之方向。
以上，依據第2實施型態之成膜裝置10，係透過形成於與進行蒸鍍的處理區間K相重疊之位置處且為處理室12的內壁之開口41a~41d來將處理室12減壓。藉由上述結構，可有效率地抑制因從蒸鍍頭16a~16d噴射的氣體而導致蒸鍍頭16a~16d與基板S間的空間之壓力上昇。藉由充分降低蒸鍍頭16a~16d附近的壓力，可減少材料分子擴散或繞進鄰接之蒸鍍
頭間。藉此，可更適當地防止蒸氣混入鄰接之蒸鍍頭間。
又，依據第2實施型態之成膜裝置10，藉由將真空幫浦27c、27d連接於和處理室12相連通之蒸鍍頭16a~16d的收納室40a~40d之結構，不會對基板位置造成影響，可使蒸鍍頭附近的壓力及成膜分佈為一定。再者，藉由真空幫浦27c來將複數收納室排氣，相較於全部收納室皆配置有真空幫浦的情況，可謀求裝置整體的小型化。
第3實施型態之成膜裝置10的結構與第1實施型態之成膜裝置10大致相同，相異點為具備蒸鍍頭16a~16d的升降機構(驅動機構)。以下，重點在於說明與第1實施型態之相異點，而省略重複說明。
圖6係概略顯示一實施型態之成膜裝置之圖式。圖6係顯示XYZ直角座標系統。圖6所示之成膜裝置10具備有使蒸鍍頭16a~16d上下移動於Z方向，藉以改變與成膜面的距離之升降機構。升降機構係藉由例如，以波紋管等之可自由伸縮的組件42a~42d來形成蒸鍍頭16a~16d與氣體供應源20a~20d的連接管，並且，將利用馬達等而於上下方向產生驅動力之驅動部43a~43d連接於蒸鍍頭16a~16d的底部所構成。
藉由升降機構來控制成膜面與蒸鍍頭16a~16d的距離，可藉以控制蒸鍍的擴散分佈。例如，藉由升降機構來將成膜面與蒸鍍頭16a~16d的距離設定為愈短，則可縮短材料的擴散距離。又，當連續成膜膜厚較薄之層與膜厚較厚之層的情況，會有膜厚較薄之層的濃度等極端地降低之虞。因此，例如，亦可依據膜厚的差值來決定升降機構的作動時間點或作動量。
以上，依據第3實施型態之成膜裝置10，可達成與第1實施型態之作用效果同樣的作用效果，且可在噴射變廣之前使材料到達基板，因此可減少材料分子擴散或繞進鄰接之蒸鍍頭間。又，可更適當地防止在連續進行厚度大為不同之成膜的情況下變得明顯之材料的混入。
此外，上述各實施型態係顯示本發明之成膜裝置的一例。本發明之成膜裝置不限於各實施型態之成膜裝置，可將各實施型態之成膜裝置做變化，或是應用於其他裝置。
例如，可在面對噴嘴18a~18d的噴射口之位置(對向位置)處分別配置有能夠阻隔蒸鍍材料之擋門。又，可以例如沿Y方向之旋轉軸為中心來使擋門旋轉，且依需要配置在噴嘴18a~18d的噴射口上，或是從該噴射口上退避。
又，第1實施型態中，排氣口50亦可形成為複數個。又，第2實施型態中，亦可在每個收納室40a~40d皆安裝真空幫浦。
以下，為說明上述效果，本案發明人針對所實施之實施例及比較例加以敘述。
模擬蒸鍍頭16a與蒸鍍頭16b之間的位置和蒸鍍速度(成膜分佈圖形)的關係。此處，係使蒸鍍頭16a與蒸鍍頭16b之間相距500mm。又，蒸鍍頭16a係蒸鍍有圖3的第2層D2，蒸鍍頭16b係蒸鍍有圖3的第3層D3a。將成膜分佈圖形Z(X)以Z0cosnθ來表現。Z0表示X=0情況的Z(X)的值。θ與蒸鍍頭與基板的距離相關，n與壓力相關。模擬中，係依據上述式及實驗結果來作成圖表。將結果顯示於圖7。如圖7所示，可知材料在蒸鍍頭16a與蒸鍍頭16b的中間之250mm的位置處發生混合。因此，確認了若未採取任何對策的情況，第2層D2與第3層D3a之間會形成有兩者相混合後的層。
以相同於上述蒸鍍頭間的材料混入確認之手法來進行模擬。此處，將腔室壓力(成膜面與蒸鍍頭之間的壓力)調整為0.03Pa與0.01Pa來進行比較。將結果顯示於圖8。圖8(A)為腔室壓力0.03Pa的成膜分佈圖形，圖8(B)為圖8(A)的放大圖，圖8(C)為腔室壓力0.01Pa的成膜分佈圖形。圖9(A)為由圖8(B)所算出之濃度之厚度依存性的圖表，圖9(B)為由圖8(C)所算出
之濃度之厚度依存性的圖表。如圖8(B)、(C)或圖9(A)、(B)所示，確認了可藉由降低壓力來減少材料的混入量。又，如圖9(A)所示，腔室壓力為0.03Pa的情況，第2層D2的濃度最大值為96.8%。另一方面，如圖9(B)所示，腔室壓力為0.01Pa的情況，第2層D2的濃度最大值為99.3%。因此，確認了在實施型態所示之排氣機構的位置處(即容易降低腔室壓力之位置處)具備排氣機構對於混入量的降低為有效的。
層積圖3所示之有機EL元件D的第2層D2、第3層D3a、第3層D3b、第4層D4、及第5層D5來進行模擬。首先，作為比較例，模擬圖10(A)所示之膜厚、基板距離處之濃度的厚度依存性之圖表。將結果顯示於圖10(A)及圖11(A)。如圖10(A)所示，由於第2層D2與第3層D3a之間，及第3層D3a與第3層D3b之間的膜厚差較大，故第2層D2的濃度為98.5%，第3層D3b的濃度為99.1%之較低值。接下來，作為實施例，模擬圖10(B)所示之膜厚、基板距離處之濃度的厚度依存性之圖表。將結果顯示於圖10(B)及圖11(B)。如圖10(B)所示，確認了第2層D2的濃度改善為99.9%，第3層D3b的濃度改善為99.9%。因此，確認了可藉由實施型態所示之升降機構來降低混入量。
G‧‧‧氣體
S‧‧‧基板
10‧‧‧成膜裝置
11‧‧‧處理容器
12‧‧‧處理室
12b‧‧‧管
14‧‧‧台座
14a‧‧‧支撐部
16a~16d‧‧‧蒸鍍頭
17a~17d‧‧‧蒸氣區隔壁
18a~18d‧‧‧噴嘴
20a~20d‧‧‧氣體供應源
22‧‧‧驅動裝置(搬送部)
24‧‧‧軌道
26a、26b‧‧‧閘閥
27a‧‧‧真空幫浦(第1排氣機構)
27b‧‧‧真空幫浦(第2排氣機構)
40a~40d‧‧‧收納室
41a~41d‧‧‧開口
50、60‧‧‧排氣口
Claims (8)
- 一種成膜裝置，具備：處理容器，係區劃出處理室；複數蒸鍍頭，係並排配置於該處理室內，並噴射含有蒸鍍材料蒸氣的氣體；搬送部，係在沿該複數蒸鍍頭的並排設置方向之搬送路徑上，使基板的成膜面與該複數蒸鍍頭呈對向來搬送該基板；以及第1排氣機構，係透過第1排氣口而連接於該處理室；其中該搬送路徑包含有該成膜面會與該複數蒸鍍頭呈對向之處理區間；該第1排氣口係設置於該處理室的內壁，其為從該成膜面往蒸鍍頭的配置位置方向觀看會與該處理區間相重疊之位置處。
- 如申請專利範圍第1項之成膜裝置，其具備第2排氣機構，係透過第2排氣口而連接於該處理室，來將該處理室減壓；該第2排氣口係設置於該處理室的內壁，其為從該成膜面往蒸鍍頭的配置位置方向觀看不會與該處理區間相重疊之位置處。
- 如申請專利範圍第1或2項之成膜裝置，其中該第1排氣口係形成於該複數蒸鍍頭之間。
- 如申請專利範圍第1或2項之成膜裝置，其中各蒸鍍頭係收納於在噴射方向上具有開口之箱狀的收納室；各收納室係透過該開口而連通於該處理室；該第1排氣機構係連接於該收納室；連接有該第1排氣機構之該收納室的開口係成為該第1排氣口。
- 如申請專利範圍第4項之成膜裝置，其中該第1排氣機構係連接於複數收納室。
- 如申請專利範圍第4項之成膜裝置，其中該複數蒸鍍頭的並排設置方向上，該收納室內壁與該蒸鍍頭之間所形成之間隙的大小係小於與該成膜面呈平行且與該複數蒸鍍頭的並排設置方向呈直交之方向上，該收納室內壁與該蒸鍍頭之間所形成之間隙的大小。
- 如申請專利範圍第1項之成膜裝置，其中各蒸鍍頭係設置有能夠改變其與該成膜面的距離之驅動機構。
- 如申請專利範圍第7項之成膜裝置，其中該驅動機構係依據第1蒸鍍頭所成膜之膜厚與第2蒸鍍頭所成膜之膜厚的差來改變該第2蒸鍍頭之與該成膜面的距離。
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