TW201420500A - 氧化石墨烯的製備方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種具有高產率之製備氧化石墨烯的方法，其係藉由控制反應成分之配比及加入速率來提高產率。

Description

氧化石墨烯的製備方法
本發明係關於一種具有高產率之製備氧化石墨烯的方法，及藉由該方法所製得的氧化石墨烯。
氧化石墨烯(graphite oxide，GO)是在1859年首次人工合成出來(Brodie,Philos.Trans.R.Soc.Lond.149(1859)249.)，之後許多研究人員用這種方式來合成可用於微結構分析的氧化石墨烯(Dékány,et al.Colloid Polym.Sci.276(1998)570)、或進一步合成石墨烯(Bourlinos et al.Langmuir 19(2003)6050；Tamás et al.,Carbon 43(2005)87)、或研究氧化石墨烯的改良(Tamás et al.,Carbon 44(2006)537)。1898年，則有另一種改良的合成方法發表，即Staudenniaier-Hofmann-Hamdi法(Staudenmaier,Ber.Dtsch Chem.Ges.31(1898)1481；Hannes et al.,J.Phys.Chem.B 110(17)(2006)8535；Wang et al.,Carbon 47(2009)68)。不過，以上兩種方式都相當耗時，且由於反應劇烈，可能會產生氯酸鈉自燃或爆炸的問題(Hummers et al.,J.Am.Chem.Soc.80(1958)1339)，因此，1958年時又發表了另一種快速且相對安全的Hummers法來製備氧化石墨烯，其係依序混合硫酸、硝酸鈉、石墨片及過錳酸鉀，之後加入去離子水，以形成氧化石墨烯。近年來，則又發表了使用強氧化劑過氧化苯甲醯(benzoyl peroxide)及細石墨粉末來製備氧化石墨烯的方法(Shen et al.,Chem.Mater.21(2009)3514；Chen et al.,Polymer 44(2003)1781)，該方法需要110℃加熱處理，故須留意防止密封容器爆炸。考量到操作的便利性及安全性，目前最普遍使用的還是 Hummers法。
目前的研究包括將以Hummers法製備的氧化石墨烯用於穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron Microscopy，TEM)的微構造(Wilson et al.,ACS Nano 3(9)(2009)2547)、或經過各種後處理後研究其性質並用作電場效應裝置的原料(Yang et al.,Carbon 47(2009)145；Tung et al.,Nat.Nanotechnol.Jan.4(2009)25)。然而，目前尚未有研究團隊針對Hummers法的合成條件進行改良的文獻。
本發明之目的係提供一種具有高產率之製備氧化石墨烯的方法及藉由該方法所製得的氧化石墨烯，前述方法係習知Hummers法的改良方法，藉由控制反應成分之配比及加入速率來提高產率。
為達上述目的，本發明提供一種製備氧化石墨烯的方法，其包含下列步驟：(a)將硝酸鈉加入硫酸中溶解，得出硝酸鈉之硫酸溶液；(b)將石墨加入前述硝酸鈉之硫酸溶液，得出膨脹石墨；(c)將過錳酸鉀加入前述膨脹石墨，使硝酸鈉與過錳酸鉀之比值(NaNO3/KMnO4)為0.12-0.27，得出石墨懸浮液；(d)在前述石墨懸浮液中加入去離子水，以控制氧化石墨烯之產率，前述去離子水係以2-8 mL/min的速度加入。
在本發明之較佳實施態樣中，前述氧化石墨烯係為具有層狀構造的非晶形氧化石墨烯；更佳者，前述層狀構造係少於12層。
在本發明之較佳實施態樣中，前述方法係進一步包含下列步驟：(e)將得自步驟(d)之懸浮液進行過濾；更加者，前述過濾係通過#200目之濾網。
在本發明之較佳實施態樣中，前述方法係再進一步包含下列步驟：(f)純化得自步驟(e)之濾液；更佳者，前述純化係透過陰離子及陽離子交換樹脂進行。
在本發明之較佳實施態樣中，前述硝酸鈉：硫酸：石墨的比例為0.4-0.8 g：25-40 mL：1.3 g；最佳為0.6 g：25 mL：1.3 g。
在本發明之較佳實施態樣中，前述硝酸鈉與過錳酸鉀之比值(NaNO3/KMnO4)為0.13-0.18；最佳為0.16。
在本發明之實施態樣中，前述硝酸鈉係以6-10 mg/s的速度加入；更佳者，前述硝酸鈉係以8 mg/s的速度加入。
在本發明之實施態樣中，前述石墨係以2-6 mg/s的速度加入；更佳者，前述石墨係以4 mg/s的速度加入。
在本發明之實施態樣中，前述過錳酸鉀係以12-18 mg/s的速度加入；更佳者，前述過錳酸鉀係以15 mg/s的速度加入。
在本發明之較佳實施態樣中，前述去離子水係以1-3 mL/min的速度加入；更佳者，前述去離子水係以2 mL/min的速度加入。
本發明並提供一種具有層狀構造的非晶形氧化石墨烯，其係藉由如前文所述之方法製備得出。
在本發明之較佳實施態樣中，前述非晶形氧化石墨烯之層狀構造係少於12層。
本發明係為Hummers法的改良方法，藉由控制反應成分之配比及加入速率來提高氧化石墨烯的產率。
以下實施例僅為本發明最佳實施態樣之例示，非用以限制本發明之範圍。所屬領域具有通常知識者可藉由本發明之揭露，在不背離本發明之精神的範圍內做出適度的變更和修正。
實施例 實施例一，本發明之氧化石墨烯的製備
首先將0.4 g、0.6 g或0.8 g之硝酸鈉(NaNO3)加入25 mL、30 mL、40 mL之18 M硫酸中，得出不同濃度的硝酸鈉之硫酸溶液。硝酸鈉須緩慢加入硫酸，以使硝酸鈉在一定的時間內能完全溶解。在本實施例中，硝酸鈉係以8 mg/s的速率加入硫酸中。
之後加入1.3 g石墨片(graphite flakes)，使石墨潤濕後得出包含膨脹石墨之化學浴(chemical bath)，並持續於150 rpm攪拌直到製程結束，其中硝酸鈉的Na+與NO3 -離子會插入石墨片中，而形成膨脹石墨。石墨片亦須緩慢加入硝酸鈉之硫酸溶液，否則石墨片會無法充份潤溼。而在本實施例中，石墨片係以4 mg/s的速率加入硝酸鈉之硫酸溶液中。
利用冰浴將前述化學浴之溫度維持在20℃以下，接著在前述化學浴中加入3.0 g、3.8 g或4.6 g之過錳酸鉀(KMnO4)。同前述，過錳酸鉀須緩慢加入，以得出均勻的懸浮液。在本實施例中，過錳酸鉀係以15 mg/s的速率加入化學浴中。
在過錳酸鉀全數加入後，將冰浴移除，此時化學浴之溫度會提高到35±3℃。之後將化學浴滴入溫度為40-50℃的去離子水，以將溫度維持在30℃以上，其滴入速率為2 mL/min、8 mL/min或14 mL/min。過錳酸鉀的加入產生水解反應，並生成氧化石墨烯(graphene oxide，GO)，其反應如下列式(1)及式(2)。
4KMnO4+2H2O → 4KOH+4MnO2+3O2 式(1)
C(石墨片)+nO2 → GO 式(2)
本實施例所製備的樣本編號及相關製備驗條件係如下方表1所示。
加入去離子水時，會發生劇烈的化學反應，產生白煙(氧氣)，即產生泡騰(effervescence)現象；之後化學浴會變成膠狀，且溫度會升高，溫度升高的速率係與去離子水的滴入速率成正比。
以溫的3 wt%過氧化氫溶液(H2O2)稀釋前述膠狀化學浴，過氧化氫會使殘留的過錳酸鉀還原，產生可溶於水的氧化錳(MnO4)及硫酸錳(MnSO4)，故膠狀的化學浴會變成液狀。接著將液狀化學浴於2500 rpm離心10分鐘，收集上方的懸浮液。重複前述稀釋、離心及收集步驟，直到離心步驟無法再行分層為止。
使所收集之懸浮液通過#200目(0.074 mm/網目)的濾網(Bunsekifurui，Mesh 200)進行過濾，將大顆粒不純物及樹脂顆粒篩除。之後，再以陰離子及陽離子交換樹脂(Alfa Aesar，NM-65)，以去除鹽類的不純物質。所得濾液再次離心並乾燥，得出本發明之氧化石墨烯，並稱重計算產率(mg)。
實施例二，本發明之氧化石墨烯製備方法的產率分析
第一圖係實施例一中去離子水滴入速度與氧化石墨烯平均產率的直線圖，在不考慮化學物質濃度的情況下，發現去離子水的滴入速度越快，則氧化石墨烯的產率越低。此外，由於本發明之氧化石墨烯製備方法會產生氧氣，所以會產生泡騰(effervescence)現象；而泡騰的程度也會隨著去離子水滴入速度變快而增加，如此則會使氧氣逸散並降低氧化石墨烯的產率。因此，表1樣本中的最佳去離子水滴入速度為2 mL/min。
硝酸鈉與過錳酸鉀之比值(NaNO3/KMnO4)也會影響氧化石墨烯的產率。NaNO3/KMnO4之比值低，表示NaNO3量低，無法形成足量的膨脹石墨；而NaNO3/KMnO4之比值高，表示KMnO4量低，無法形成氧化石墨烯。以上兩種情形都會使氧化石墨烯的產率降低，如第二圖所示。因此，表1樣本中能獲得最大產率的樣本為樣本2，其最佳硝酸鈉與過錳酸鉀之比值為0.6g/3.8g=0.16。
此外，硫酸濃度也會影響產率(數據未顯示)，其中較佳的硫酸濃度為加入40mL硫酸的樣本，其濃度為94.33%。
實施例三，本發明之氧化石墨烯的特性分析 (1)X射線繞射分析(X-ray diffractometry，XRD)
使用Rigaku之D-max X射線繞射儀並以Cu-Kα輻射光源(λ=1.54018Å，入射角為4°/min)對實施例一所得之氧化石墨烯粉體樣本1-9來進行X射線繞射分析。
氧化石墨烯之XRD光譜在9.8°至10.5°之間會有散射峰，如第三圖(A)之樣本2、4所示。此外，有些樣本會產生峰位移，如第三圖(B)之樣本5所示。樣本5之散射峰位於10.7°，與樣本2相較之下產生0.8°的正位移。此外，樣本5之XRD圖形在22.3°及26.7°的位置有輕微上升，分屬鈣鉛碳矽石(carbolite)和石墨(graphite)，這顯示氧化石墨烯的轉化不完全，故樣本5的產率是所有樣本中最低的(參見第二圖)。
(2)拉曼光譜分析(Raman spectroscopy)
使用Renishaw之RM1000拉曼光譜儀並以633 nm的雷射對實施例一所得之氧化石墨烯粉體樣本1-9進行拉曼光譜分析。
第四圖(A)係所有樣本的拉曼光譜組圖，其中有兩個主要的波峰，包括位於1350 cm-1附近的D帶(D-band)及位於1580 cm-1附近的G帶(G-band)；其中G帶代表氧化石墨烯具有石墨結構，而D帶則表示氧化石墨烯的邊緣或表面有一些缺陷。G帶強度(IG)之平均值為1582.8 cm-1(標準差0.5%)，而D帶與G帶強度之比值(ID/IG)為0.994(標準差1.7%)。G帶波峰之半高寬(full-width at half-maximum，FWHM)平均為81.1 cm-1(標準差5.1%)，顯示所得氧化石墨烯中的石墨團簇(graphite cluster)的大小有些微的變化。
第四圖(B)係顯示樣本2的拉曼光譜，其具有位於2650 cm-1附近的2D石墨烯特徵峰，以及位於2914 cm-1的S3石墨特徵峰。2D特徵峰較寬，顯示樣本2之石墨烯具有層狀構造。
一般而言，氧化石墨烯的原料層狀石墨片(Graphene flake)是塊材；而在製造氧化石墨烯時，傳統的濕式合成法(如Hummers法)會先用篩網篩選顆粒較小的石墨原料，再將其石墨層分離，進而合成為氧化石墨烯。本發明所提供的改良方法在製程前段不需先進行石墨顆粒的篩選，而在合成氧化石墨烯後，僅用極簡易的方法(以#200的篩網分離)就可篩選出具有少層結構的氧化石墨烯。石墨烯的層數愈少，其導電性質愈優異。故以上拉曼光譜分析證明本發明之氧化石墨烯具有少層石墨烯才會出現之2D特徵峰，亦即證實本發明之氧化石墨烯具有少層結構。
(3)穿透式電子顯微鏡分析(Transmission Electron Microscopy，TEM)及選區電子繞射(selected-area electron diffractometry，SAED)
使用STEM Jeol JEMF-2100電子顯微鏡對實施例一所得之氧化石墨烯粉體樣本1-9進行TEM及SAED分析。第五圖(A)係樣本2之石墨烯的TEM照片，可明顯看出本發明之石墨烯係呈絲綢狀。因此，雖然石墨烯具有多層構造，但這些石墨烯薄片係高度可穿透，而在照片底部可見到折疊起來的石墨烯薄片。第五圖(B)亦為樣本2的TEM照片，清楚顯示其捲曲的邊緣，圖中畫線處共有12層石墨烯薄片。第五圖(C)則是樣本2的SAED照片。
前述的XRD實驗已證明本發明所備製的氧化石墨結構少層結構，因此利用TEM及SAED觀察 本發明之石墨烯薄片的外表形貌。如第五圖(A)所示，證實其形態呈絲綢狀，厚度很薄，確為少層結構的特徵。在第五圖(B)的高解析度TEM照片與第五圖(C)的SAED照片中，無法明顯看到結晶格子，但隱約可看在皺折處可觀察到其層數。也就是說，從第五圖(B)中可觀察到原子層間有部份是整齊排列；第五圖(C)亦顯示有明顯的繞點，此乃結晶體所具有的特徵，故顯示本發明之石墨烯薄片不是非晶形石墨烯(amorphous graphene oxide)。
因此，本發明所得之氧化石墨烯具有奈米級的尺寸及具親水性的化學特性，所以可順利地配置於可相容的材料原子或分子級的間隙中，並利用進一步的還原技術將氧化石墨烯還原成導電極佳的石墨烯，諸如染料敏化太陽電池的光電極、透明導電材料的添加物，或者是電解液等，對電性的改善具極佳的表現。
(4)X射線光電子能譜分析(X-ray photoelectron spectroscopy，XPS)
X射線光電子能譜係使用1486.6 eV Al陽極X射線得出。由於XPS的樣本一般含有金，故進行測量時須以Au 4f PES波峰來校正電荷效應(charging effect)，而背景部份則以Shirley背景來校正。之後以Xpspeak 4.1軟體進行峰位擬合(peak fitting)，得出純高斯分布(pure Gaussian)之波峰。
樣本2進行XPS分析後所得的表面化學圖形係如第六圖所示。本發明之石墨烯的C1s及O1s分別位於284.5 eV及530 eV，第六圖(A)係樣本2之C1s詳細光譜，拆解後可發現三個波峰：位於284.6 eV的C=C，占64.18%；位於286.6 eV的C-O，占27.38%；以及位於288.1 eV的C=O，占8.44%。因 此，「C=C」對「C-O+C=O」的比例為1：0.5，顯示本發明所得之氧化石墨烯的石墨結構與碳氧結比為2：1。第二圖(B)則為樣本2之O1s高解析光譜，只顯示C-O鍵結，氧氣部分則未顯示。
(5)透光率分析(light transmittance)
分別將氧化石墨烯樣本1-9與四氫呋喃(tetrahydrofuran，THF)混合，得出不同濃度的氧化石墨烯懸浮液。之後以旋轉塗布的方式前述氧化石墨烯懸浮液塗布於聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)基板上，之後利用Hewlett Packard 8453對所得GO塗層進行透光率分析(light transmittance)。結果係如第七圖所示。本發明之GO的透光度係高於80%。
第七圖(A)顯示使用不同濃度的樣本2進行塗布後所得石墨烯薄層的透光度，一般來說，濃度上升時，透光度會隨之下降，兩者有線性關係。第七圖(B)則是特定樣本的透光度，其中樣本2、樣本6、樣本7的透光度幾乎與單純的PET基板相同，而樣本5的透光度稍低，應是在製備氧化石墨烯懸浮液時產生結塊現象有關。
雖然濕式法所備製的氧化石墨烯之透明膜，其Z軸的接觸電阻大，導電性不佳(數據未顯示)，但由於其透光率高於80%，故於某些元件設計時可用於製作透明夾層，如觸控鍵盤、螢幕、或電容器之應用。
第一圖係去離子水滴入速度與氧化石墨烯平均產率的直線圖。
第二圖係硝酸鈉與過錳酸鉀之比值與氧化石墨烯 產率的曲線圖。
第三圖(A)係為樣本2及4的XRD光譜，(B)則為樣本5的XRD光譜。
第四圖(A)係樣本1-9的拉曼光譜組圖，(B)則為樣本2的拉曼光譜放大圖。
第五圖(A)係樣本2的TEM照片，顯示其具絲網狀構造；(B)係樣本2的TEM照片，顯示其邊緣的多層捲曲構造；(C)係樣本2的SAED圖譜。
第六圖(A)係樣本2之C1s光譜，(B)則為其O1s高解析光譜。
第七圖(A)顯示使用不同濃度的樣本2進行塗布後所得石墨烯薄層的透光度，第七圖(B)則顯示樣本2、5、6、7的透光度與未經塗布之空PET基板的透光度。

Claims (13)

  1. 一種製備氧化石墨烯的方法，其包含下列步驟：(a)將硝酸鈉加入硫酸中溶解，得出硝酸鈉之硫酸溶液；(b)將石墨加入前述硝酸鈉之硫酸溶液，得出膨脹石墨；(c)將過錳酸鉀加入前述膨脹石墨，使硝酸鈉與過錳酸鉀之比值(NaNO3/KMnO4)為0.12-0.27，得出石墨懸浮液；(d)在前述石墨懸浮液中加入去離子水，以控制氧化石墨烯之產率，前述去離子水係以2-8 mL/min的速度加入。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中前述氧化石墨烯係為具有層狀構造的非晶形氧化石墨烯。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中前述層狀構造係少於12層。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其進一步包含下列步驟：(e)將得自步驟(d)之懸浮液進行過濾。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之方法，其進一步包含下列步驟：(f)純化得自步驟(e)之濾液。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中前述硝酸鈉：硫酸：石墨的比例為0.4-0.8 g：25-40 mL：1.3 g。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中前述硝酸鈉與過錳酸鉀之比值(NaNO3/KMnO4)為0.13-0.18。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中前述硝酸鈉係以6-10 mg/s的速度加入。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中前述石墨係以2-6 mg/s的速度加入。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中前述過錳酸鉀係以12-18 mg/s的速度加入。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中前述去離子水係以1-3 mL/min的速度加入。
  12. 一種具有層狀構造的非晶形氧化石墨烯，其係藉由如如申請專利範圍第1項所述之方法製備得出。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之具有層狀構造的非晶形氧化石墨烯，其中前述層狀構造係少於12層。
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CN105000549B (zh) * 2015-01-07 2017-03-29 宁波工程学院 微波辐射快速制备不溶性单层石墨烯的方法
CN104591171B (zh) * 2015-01-20 2016-08-17 宁波工程学院 可见光还原合成可溶性石墨烯复合材料的方法
CN104591170B (zh) * 2015-01-20 2016-08-17 宁波工程学院 可见光还原合成不溶性石墨烯的方法
CN105752974B (zh) * 2016-04-07 2018-06-08 张麟德 氧化石墨烯的纯化方法和氧化石墨烯
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CN106566592B (zh) * 2016-11-01 2019-08-09 清华大学 制备膨化石墨烯润滑剂添加剂的方法、膨化石墨烯剂滑油添加剂和润滑剂
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Mendoza et al. Improving the electrochemical performance of flexible carbon nanotubes based supercapacitors by depositing Ni@ TiO2: W nanoparticles on their anodes
Hunpratub et al. Characterization and electrochemical properties of Carbon/CeO2 composites prepared using a hydrothermal method
Zhao et al. MoS2-based anode materials for lithium-ion batteries: Developments and perspectives
Cui et al. Bismuth-based compounds crystals growth on graphene with various degrees of oxidation