TW201401936A - 用於處理前級真空管線中廢氣的設備 - Google Patents

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Abstract

在某些具體實施例中，一種在處理一基材處理系統一前級真空管線中廢氣的設備，可以包含一介電管，該介電管經配置以與該基材處理系統之該前級真空管線連接，以允許一廢氣流從該前級真空管線通過該介電管；一射頻線圈關於該介電管之一外部表面捲繞，該射頻線圈具有一第一端以提供一射頻輸入至該射頻線圈，該射頻線圈第一端位靠近於該介電管之一第一端，而一第二端位靠近於該介電管之一第二端；一分接頭連接至該射頻線圈，以提供一射頻回程路徑，該分接頭位於該介電管第一端與該介電管之一中央部分之間。

Description

用於處理前級真空管線中廢氣的設備
本發明之多數具體實施例一般而言與基材處理設備有關。
某些廢物處理系統使用提供至位靠近一介電管附近一射頻線圈中央部分的射頻(RF)能量，促成流過一介電管的廢氣點燃，以形成電漿。然而，本發明者已經觀察到，該介電管的內部壁部分，可能隨時間產生不良的腐蝕情況。
因此，本發明者提供一種改良的廢物處理系統，以在一前級真空管中處理一處理廢氣。
在此提供一種處理一基材處理系統一前級真空管線中廢氣的設備。在某些具體實施例中，一種在處理一基材處理系統一前級真空管線中廢氣的設備可以包含一介電管，該介電管經配置以與該基材處理系統之該前級真空管線連接，以允許一廢氣流從該前級真空管線通過該介電管；一射頻線圈關於該介電管之一外部表面捲繞，該射頻線圈具有一第一端以提供一射頻輸入至該射頻線圈，該射頻線圈第一端位靠 近於該介電管之一第一端，而一第二端位靠近於該介電管之一第二端；一分接頭連接至該射頻線圈，以提供一射頻回程路徑，該分接頭位於該介電管第一端與該介電管之一中央部分之間。
在某些具體實施例中，一種基材處理系統可以包含 一處理腔室、一前級真空管線，該前級真空管線與該處理腔室連接，以允許一廢氣流來自該處理腔室、一真空幫浦，該真空幫浦與該前級真空管線連接，以從該處理腔室通過該前級真空管線排出廢氣；及一介電管，該介電管與該前級真空管線連接，順應於該前級真空管線，並位於該真空幫浦與該處理腔室之間，以允許一廢氣流從該前級真空管線通過該介電管，該介電管具有一射頻線圈，該射頻線圈關於該介電管之一外部表面捲繞，該射頻線圈具有一第一端以提供一射頻輸入至該射頻線圈，該第一端位靠近於該介電管之一第一端，而一第二端位靠近於該介電管之一第二端，一分接頭則連接至該射頻線圈，以提供一射頻回程路徑，該分接頭位於該介電管第一端與該介電管之一中間之間。
本發明其他與進一步之具體實施例則於以下敘述。
100‧‧‧處理系統
102‧‧‧處理腔室
104‧‧‧廢氣
106‧‧‧真空幫浦
108‧‧‧前級真空管
110‧‧‧電力來源
112‧‧‧排放埠口
202‧‧‧介電管
208‧‧‧射頻線圈
210‧‧‧第一端
212‧‧‧中央部分
214‧‧‧第二端
218‧‧‧射頻電力來源
220‧‧‧第一電容器
222‧‧‧第二電容器
224‧‧‧射頻回程路徑
226‧‧‧第二分接頭
228‧‧‧分接頭
230‧‧‧通道
232‧‧‧外部表面
234‧‧‧內部空間
236‧‧‧通道
238‧‧‧第二朝外延伸凸緣
240‧‧‧第一朝外延伸凸緣
242‧‧‧循環器
246‧‧‧第一端
248‧‧‧覆蓋層
250‧‧‧內部壁
252‧‧‧O形環
以上簡要總結並於以下詳細討論之本發明多數具體實施例，可以參考在該等伴隨圖式中所描繪本發明之該例證實施例的方式獲得瞭解。然而要注意該等伴隨圖式僅描述此發明之一般具體實施例，並因此不視為限制本發明之觀點，本發明可以允許其他相同效果之具體實施例。
第1圖為根據本發明某些具體實施例之一處理系 統，該處理系統適合與在一前級真空管中處理廢氣之設備一起使用。
第2圖為根據本發明某些具體實施例，於一前級真 空管中處理廢氣之一種設備。
為了促進瞭解，已經盡可能使用相同的參考數字指 定在該等圖式中共用的相同元件。該等圖式並不按比例繪製，並可能為了清楚而簡化。在不另外說明下，可認為一具體實施例之該等元件與特徵能夠有利的整合至其他具體實施例中。
在此提供處理一前級真空管中廢氣的設備。相較於傳統利用電漿驅動氣體處理系統而言，本發明設備之具體實施例能有利的使元件(例如，一介電或陶瓷管)腐蝕能夠減少、消減或消除。
第1圖為根據本發明某些具體實施例之一處理系統100的結構圖式，該處理系統100適合與在一前級真空管中處理廢氣之設備一起使用。該處理系統100一般而言包含一處理腔室102、連接至該處理腔室102之一前級真空管108，以及用於處理連接至該前級真空管之廢氣104的設備。
該處理腔室102可為適合對一基材進行處理之任何處理腔室。在某些具體實施例中，該處理腔室102可為一處理工具之部分，例如一種集束工具、在線處理工具或其他類似工具。這種工具的非限制示例包含基材處理系統，像是在 半導體、顯示器、太陽能或發光二極體(LED)製造程序中所使用的那些系統。
該前級真空管108連接至該處理腔室102之一排放 埠口112，並促成廢氣從該處理腔室102移除。該廢氣可為任何氣體，例如需要從該處理腔室102移除的處理氣體或氣體副產品。該前級真空管108可連接至一真空幫浦106或其他適用的幫浦設備，以將廢氣從該處理腔室102汲出至適當的下游廢物處理配備(像是污染減量配備或其他類似配備)。 在某些具體實施例中，該真空幫浦106可為一粗抽幫浦或前級幫浦，像是一種乾式機械幫浦或其他類似幫浦。在某些具體實施例中，該真空幫浦106可具有可變幫浦流量，可被設定為想要的程度，例如，用以控制該前級真空管108或於該前級真空管108中提供額外壓力控制。
用於處理廢氣104之設備位順應於該前級真空管 108，並促成來自該處理腔室102之廢氣的處理或減排。一電力來源110，像是一射頻電力來源則連接至用於處理廢氣104之該設備，以提供處理廢氣104之該設備電力，以促成該廢氣的電漿處理。該電力來源110於所需頻率及所需電力下提供射頻能量，以在處理廢氣104之該設備之中形成電漿，因此流通過處理廢氣104之該設備的廢氣便利用該電漿處理(例如，至少部分被裂解為一或更多個離子、自由基、元素、較小分子或其他類似物)。在某些示例具體實施例中，該電力來源110為一可變頻率電力來源，可以在一頻率範圍內提供射頻能量。在某些示例具體實施例中，該電力來源110於大 約1.9至大約3.2MHz下可以提供大約2至大約3kW的射頻能量。
參考第2圖，處理廢氣104之該設備一般而言包含 一介電管202、關於該介電管202一外部表面232捲繞之一射頻線圈208，以及與該射頻線圈208連接之一分接頭228(例如，一第一分接頭)。該介電管202經配置以設置順應於該前級真空管108。例如在某些具體實施例中，處理廢氣104之該設備可以包含一凸緣，該凸緣位於處理廢氣104之該設備之任一端上，以促成與該前級真空管108的連接，例如以螺栓方式連接。
該介電管202可以任何適用的介電材料製成，以允 許射頻電力傳輸至該介電管202之一內部空間234，以促成電漿的點燃，例如像是礬土(Al2O3)的陶瓷材料。此外，該介電管202可以具有任何適宜尺寸，以允許來自一前級真空管的廢氣流動，並通過該介電管202進行處理。例如，在某些具體實施例中，該介電管202可以具有大約6至大約15英吋的長度。在某些具體實施例中，該介電管202可以具有大約1.5至大約4英吋的直徑。
該介電管202經配置以位順應於一處理腔室之一前 級真空管(例如，以上敘述之該處理腔室102前級真空管108)，因此廢氣從該前級真空管流通過該介電管202內部空間234。在某些具體實施例中，該介電管202可以包含一第一朝外延伸凸緣240與一第二朝外延伸凸緣238，該第一朝外延伸凸緣240位於該介電管202第一端210上，該第二朝外延 伸凸緣238位於該介電管202第二端214上，以促成該介電管202連接至該前級真空管108。在某些具體實施例中，該第一朝外延伸凸緣240與該第二朝外延伸凸緣238之一或兩者可以包含複數通道230、236，該等通道230、236經配置以允許熱轉換流體流通過該第一朝外延伸凸緣240與該第二朝外延伸凸緣238之一或兩者，以促成控制該介電管202的溫度。在所述具體實施例中，一熱轉換流體供應或循環器242、244可與該複數通道230及/或236連接。在某些具體實施例中，一O形環252可位於該介電管202之一或兩端上，以促成形成與該前級真空管108的密封。
該射頻線圈208關於該介電管202一外部表面232捲繞，並從該介電管202之一第一端210延伸至該介電管202之一第二端214。該射頻線圈208可以關於該介電管202外部表面捲繞任意次數，以足夠提供具有一需求密度之均勻射頻能量至該介電管202內部空間234，以促成該介電管202中廢氣的點燃，以形成電漿。例如在某些具體實施例中，該射頻線圈可以具有大約5至大約15圈。在某些具體實施例中，每一圈與相鄰圈之間的距離大約0.25至大約0.75英吋。在某些具體實施例中，(在248處以虛線表示之)一覆蓋層可位靠近該射頻線圈208，以避免一操作者與該射頻線圈208之間的直接接觸。
本發明者已經觀察到利用連接至一射頻線圈中央部分之一射頻電力來源之廢物處理系統，可促成該介電管中電漿的點燃。例如，傳統廢物處理系統可包含關於一管線捲繞 之射頻線圈，其中只在一線圈中央圈數之間提供射頻能量，但不在靠近該線圈該等端部處提供射頻能量。本發明者已經觀察到在所述系統中，該等中央線圈承載該射頻電流，以電感耦合方式將該射頻能量連接至該內部空間，以形成電漿。 因此，該射頻電流關於該射頻線圈中央部分產生一磁場(B磁場)。這種磁場避免相鄰線圈(例如，該線圈的一前半部圈數)也提供電感耦合電力，因為這種電感耦合電力會造成一相反方向的磁場。
此外，本發明者已經觀察到位靠近做為多數寄生電 容器之端部之多數傳導端平板，會使該線圈之被供給電力端(該射頻輸入)對該電漿而言做為一高電壓電容器，因而形成一高電壓浮動線圈區段以及強電容耦合充電，因此於該介電管中形成不想要的電漿的電容耦合區域。本發明者已經觀察到這種電容耦合區域可能在該電漿之中造成不希望存在的離子加速，並被引導朝向該介電管之該等內部壁，因而形成腐蝕。例如，在該電漿中具有氟氣(F2)的情況中，便可能引導氟離子朝向該介電管之一內部壁前進，因而造成腐蝕。 在某些情況中，例如該管係由氧化鋁(Al2O3)所製成，該鋁質與氟氣(F2)便可能結合形成氟化鋁(AlFx)，並重新沈積於該介電管之中。
據此在某些具體實施例中，該電力來源110(例如， 一射頻電力來源218)可以連接至該射頻線圈208第一端246，該第一端246位靠近於該介電管202第一端210。在所述具體實施例中，該分接頭228可以與該射頻線圈208連接， 並位於該介電管202第一端210與該介電管202一中心部分212之間，以提供該射頻電力一回程路徑。藉由將該射頻電力來源218耦合至該射頻線圈208第一端246與該分接頭228的方式，以上敘述高電壓浮動線圈區段與相關的電容耦合電漿區域便可被消除，因而減少或消除將離子引導朝向該介電管202該等內部壁250的情況，藉此減少、降低或消除該介電管202的腐蝕。該分接頭228可以沿著該射頻線圈208於該介電管202第一端210與該介電管202中央部分212之間的任何圈處，與該射頻線圈208連接，例如，像是在從該介電管202第一端210起算該射頻線圈208之前五圈之中連接。
在某些具體實施例中，一第二分接頭226可以連接 至該射頻回程路徑224，並比該分接頭228更位靠近於該介電管202第二端214。該第二分接頭226位於與該分接頭228之不同位置處，並提供透過在該射頻線圈208不同圈數耦合射頻能量的彈性，例如對於不同應用而言可能具有不同的電漿要求。在某些具體實施例中，可以沿著該射頻線圈208多數不同位置處提供多數額外分接頭，以提供隨需求沿著該射頻線圈208配置該射頻路徑的彈性。在某些具體實施例中，該第二分接頭226可以位於該介電管202第二端214與該分接頭228之間。
在某些具體實施例中，一或更多個電容器可連接至 該射頻電力來源218。例如在某些具體實施例中，一第一電容器220可連接至該射頻電力來源218，並位於該射頻電力來源218與該射頻線圈208之間。該第一電容器220可以具有大約 500至大約5000微微法拉(pF)的電容，或在某些具體實施例中具有大約3000pF的電容。替代的或組合的，在某些具體實施例中，一第二電容器222可連接至該射頻電力來源218，並位於該射頻電力來源218與該射頻回程路徑224之間。該第二電容器222可以具有大約500至大約5000微微法拉(pF)的電容，或在某些具體實施例中具有大約2000pF的電容。該第一與第二電容器220、222利用可變頻率電力供應(例如，該電力來源110)的方式產生共振負載。
操作上，可將從該處理腔室102的流出體汲引經過 該前級真空管108並通過處理廢氣104之該設備。可由該電力來源110提供射頻能量至該射頻線圈，以在處理廢氣104之該設備之中形成電感電漿。相較於在該電漿處理裝置之中具有電容耦合電漿形成區域的傳統設備而言，處理廢氣104之該設備的配置可有利的提供一種較長的服務壽命。
雖然以上已經指導本發明之多數具體實施例，但本 發明之其他與進一步的具體實施例可在不背離本發明基本構想下進行設計。
110‧‧‧電力來源
202‧‧‧介電管
208‧‧‧射頻線圈
210‧‧‧第一端
212‧‧‧中央部分
214‧‧‧第二端
218‧‧‧射頻電力來源
220‧‧‧第一電容器
222‧‧‧第二電容器
224‧‧‧射頻回程路徑
226‧‧‧第二分接頭
228‧‧‧分接頭
230‧‧‧通道
232‧‧‧外部表面
234‧‧‧內部空間
236‧‧‧通道
238‧‧‧第二朝外延伸凸緣
240‧‧‧第一朝外延伸凸緣
242‧‧‧循環器
246‧‧‧第一端
248‧‧‧覆蓋層
250‧‧‧內部壁
252‧‧‧O形環

Claims (20)

  1. 一種在一基材處理系統之一前級真空管線中，處理一廢氣的設備，該設備包括：一介電管，該介電管經配置以與該基材處理系統前級真空管線連接，以允許一廢氣流從該前級真空管線通過該介電管；一射頻線圈，該射頻線圈關於該介電管之一外部表面捲繞，該射頻線圈具有一第一端以提供一射頻輸入至該射頻線圈，該射頻線圈第一端位靠近於該介電管之一第一端，而一第二端位靠近於該介電管之一第二端；及一分接頭，該分接頭連接至該射頻線圈，以提供一射頻回程路徑，該分接頭位於該介電管第一端與該介電管之一中央部分之間。
  2. 如請求項1所述之設備，進一步包括：一射頻電力來源，該射頻電力來源與該射頻線圈之一第一端連接，以提供射頻電力至該射頻線圈。
  3. 如請求項2所述之設備，進一步包括：一第一電容器，該第一電容器與該射頻電力來源連接，並位於該射頻電力來源與該射頻線圈第一端之間。
  4. 如請求項2所述之設備，進一步包括：一第二電容器，該第二電容器與該射頻電力來源連接，並位於該射頻電力來源與該射頻回程路徑之間。
  5. 如請求項1至請求項4之任一項所述之設備，其中該介電管係由鋁製成。
  6. 如請求項1至請求項4之任一項所述之設備，其中該分接頭於該射頻線圈第一端大約五圈之中，與該射頻線圈連接。
  7. 如請求項1至請求項4之任一項所述之設備，其中該介電管包括：一第一朝外延伸凸緣，該第一朝外延伸凸緣位於該介電管第一端上；及一第二朝外延伸凸緣，該第二朝外延伸凸緣位於該介電管第二端上，其中該第一朝外延伸凸緣與該第二朝外延伸凸緣之每一個都將該介電管連接至該前級真空管線。
  8. 如請求項7所述之設備，其中該第一朝外延伸凸緣與該第二朝外延伸凸緣之每一個都包括複數個通道，以允許一熱轉換流體流通過該第一朝外延伸凸緣與該第二朝外延伸凸緣之每一個。
  9. 如請求項1至請求項4之任一項所述之設備，其中該介電管具有一大約6至大約15英吋的長度。
  10. 如請求項1至請求項4之任一項所述之設備，其中該介電管具有一大約1.5至大約4英吋的直徑。
  11. 如請求項1至請求項4之任一項所述之設備，其中該射頻線圈具有一大約5至大約15圈的長度。
  12. 如請求項1至請求項4之任一項所述之設備，其中該射頻線圈具有一大約1.5至大約4英吋的直徑。
  13. 如請求項1至請求項4之任一項所述之設備，其中該射頻線圈之各圈之間的一距離大約0.25至大約0.75英吋。
  14. 一種基材處理系統，該系統包括： 一處理腔室；一前級真空管線，該前級真空管線與該處理腔室連接，以允許一廢氣流來自該處理腔室；一真空幫浦，該真空幫浦與該前級真空管線連接，以從該處理腔室通過該前級真空管線排出廢氣；及一介電管，該介電管順應著該前級真空管線而與該前級真空管線連接，並位於該真空幫浦與該處理腔室之間，以允許一廢氣流從該前級真空管線通過該介電管，該介電管具有一射頻線圈，該射頻線圈關於該介電管之一外部表面捲繞，該射頻線圈具有一第一端以提供一射頻輸入至該射頻線圈，該第一端位靠近於該介電管之一第一端，而一第二端位靠近於該介電管之一第二端，一分接頭則連接至該射頻線圈，以提供一射頻回程路徑，該分接頭位於該介電管第一端與該介電管之一中間之間。
  15. 如請求項14所述之基材處理系統，進一步包括：一射頻電力來源，該射頻電力來源與該射頻線圈之一第一端連接，以提供射頻電力至該射頻線圈。
  16. 如請求項14所述之基材處理系統，其中該介電管包括：一第一朝外延伸凸緣，該第一朝外延伸凸緣位於該介電管第一端上；及一第二朝外延伸凸緣，該第二朝外延伸凸緣位於該介電管第二端上，其中該第一朝外延伸凸緣與該第二朝外延伸凸緣之每一個都將該介電管連接至該前級真空管線。
  17. 如請求項16所述之基材處理系統，其中該第一朝外延伸 凸緣與該第二朝外延伸凸緣之每一個都包括複數個通道，以允許一熱轉換流體流通過該第一朝外延伸凸緣與該第二朝外延伸凸緣之每一個。
  18. 如請求項17所述之基材處理系統，其中該第一朝外延伸凸緣與該第二朝外延伸凸緣之每一個都包括多數個通道，以允許一熱轉換流體流通過該第一朝外延伸凸緣與該第二朝外延伸凸緣之每一個都的每一個。
  19. 如請求項14至請求項18之任一項所述之基材處理系統，其中該介電管係由鋁製成。
  20. 如請求項14至請求項18之任一項所述之基材處理系統，其中該分接頭於該射頻線圈第一端大約五圈之中，與該射頻線圈連接。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9240308B2 (en) 2014-03-06 2016-01-19 Applied Materials, Inc. Hall effect enhanced capacitively coupled plasma source, an abatement system, and vacuum processing system
US9230780B2 (en) 2014-03-06 2016-01-05 Applied Materials, Inc. Hall effect enhanced capacitively coupled plasma source
US9378928B2 (en) 2014-05-29 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Apparatus for treating a gas in a conduit
KR20230051311A (ko) * 2014-09-12 2023-04-17 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 반도체 프로세싱 장비 유출물의 처리를 위한 제어기
US10187966B2 (en) * 2015-07-24 2019-01-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for gas abatement
US10535506B2 (en) 2016-01-13 2020-01-14 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for deposition cleaning in a pumping line
JP2019514222A (ja) * 2016-04-13 2019-05-30 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 排気冷却用装置
US10435787B2 (en) 2016-11-14 2019-10-08 Applied Materials, Inc. Hydrogen partial pressure control in a vacuum process chamber
US10777394B2 (en) 2016-12-09 2020-09-15 Applied Materials, Inc. Virtual sensor for chamber cleaning endpoint
KR102306675B1 (ko) 2017-05-19 2021-09-28 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 액체 및 고체 유출물의 수집 및 가스 유출물로의 후속 반응을 위한 장치
CN111318151A (zh) * 2018-12-17 2020-06-23 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 应用于半导体腔室的净化系统
US11745229B2 (en) 2020-08-11 2023-09-05 Mks Instruments, Inc. Endpoint detection of deposition cleaning in a pumping line and a processing chamber
CN112973299B (zh) * 2021-03-31 2022-08-26 江西有源工业废物回收处理有限公司 一种真空管线中的废气处理设备
US11664197B2 (en) 2021-08-02 2023-05-30 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for plasma generation

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3958883A (en) * 1974-07-10 1976-05-25 Baird-Atomic, Inc. Radio frequency induced plasma excitation of optical emission spectroscopic samples
US4795880A (en) * 1986-09-11 1989-01-03 Hayes James A Low pressure chemical vapor deposition furnace plasma clean apparatus
US6193802B1 (en) * 1995-09-25 2001-02-27 Applied Materials, Inc. Parallel plate apparatus for in-situ vacuum line cleaning for substrate processing equipment
US6194628B1 (en) 1995-09-25 2001-02-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cleaning a vacuum line in a CVD system
US6017221A (en) 1995-12-04 2000-01-25 Flamm; Daniel L. Process depending on plasma discharges sustained by inductive coupling
US6888040B1 (en) * 1996-06-28 2005-05-03 Lam Research Corporation Method and apparatus for abatement of reaction products from a vacuum processing chamber
EP1203441A1 (en) * 1999-07-13 2002-05-08 Tokyo Electron Limited Radio frequency power source for generating an inductively coupled plasma
US6291938B1 (en) 1999-12-31 2001-09-18 Litmas, Inc. Methods and apparatus for igniting and sustaining inductively coupled plasma
US6905663B1 (en) 2000-04-18 2005-06-14 Jose I. Arno Apparatus and process for the abatement of semiconductor manufacturing effluents containing fluorine gas
US6508198B1 (en) * 2000-05-11 2003-01-21 Applied Materials Inc. Automatic tuning in a tapped RF transformer inductive source of a plasma reactor for processing a semiconductor wafer
JP2002210330A (ja) 2001-01-19 2002-07-30 Pearl Kogyo Kk 半導体プロセス用排ガス処理装置
US6685803B2 (en) * 2001-06-22 2004-02-03 Applied Materials, Inc. Plasma treatment of processing gases
EP1525602A2 (en) 2002-07-31 2005-04-27 Lam Research Corporation Method for adjusting voltage on a powered faraday shield
US20040235299A1 (en) * 2003-05-22 2004-11-25 Axcelis Technologies, Inc. Plasma ashing apparatus and endpoint detection process
JP2005087938A (ja) 2003-09-19 2005-04-07 Toyo Electric Mfg Co Ltd プラズマ式ガス処理装置
KR100561848B1 (ko) * 2003-11-04 2006-03-16 삼성전자주식회사 헬리컬 공진기형 플라즈마 처리 장치
KR101001743B1 (ko) 2003-11-17 2010-12-15 삼성전자주식회사 헬리컬 자기-공진 코일을 이용한 이온화 물리적 기상 증착장치
US20070051388A1 (en) 2005-09-06 2007-03-08 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for using high frequency chokes in a substrate deposition apparatus
KR100806041B1 (ko) 2006-08-29 2008-02-26 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 소자 제조방법
US8968438B2 (en) * 2007-07-10 2015-03-03 Innovalight, Inc. Methods and apparatus for the in situ collection of nucleated particles
JP5645659B2 (ja) * 2007-07-20 2014-12-24 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ ガス配送用のｒｆチョーク、ガス配送用のｒｆチョークを有するプラズマ処理装置及び方法
US8747762B2 (en) 2009-12-03 2014-06-10 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for treating exhaust gas in a processing system

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