TW201400892A - 多模光纖與包含此種光纖的系統 - Google Patents

多模光纖與包含此種光纖的系統 Download PDF

Info

Publication number
TW201400892A
TW201400892A TW102119177A TW102119177A TW201400892A TW 201400892 A TW201400892 A TW 201400892A TW 102119177 A TW102119177 A TW 102119177A TW 102119177 A TW102119177 A TW 102119177A TW 201400892 A TW201400892 A TW 201400892A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
fiber
refractive index
core
mhz
full mode
Prior art date
Application number
TW102119177A
Other languages
English (en)
Inventor
Scott Robertson Bickham
Dana Craig Bookbinder
Ming-Jun Li
Pushkar Tandon
Original Assignee
Corning Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US13/484,970 external-priority patent/US8837890B2/en
Application filed by Corning Inc filed Critical Corning Inc
Publication of TW201400892A publication Critical patent/TW201400892A/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/02—Optical fibres with cladding with or without a coating
    • G02B6/028—Optical fibres with cladding with or without a coating with core or cladding having graded refractive index
    • G02B6/0288—Multimode fibre, e.g. graded index core for compensating modal dispersion
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/02—Optical fibres with cladding with or without a coating
    • G02B6/028—Optical fibres with cladding with or without a coating with core or cladding having graded refractive index
    • G02B6/0281—Graded index region forming part of the central core segment, e.g. alpha profile, triangular, trapezoidal core
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/02—Optical fibres with cladding with or without a coating
    • G02B6/028—Optical fibres with cladding with or without a coating with core or cladding having graded refractive index
    • G02B6/0283—Graded index region external to the central core segment, e.g. sloping layer or triangular or trapezoidal layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/02—Optical fibres with cladding with or without a coating
    • G02B6/02004—Optical fibres with cladding with or without a coating characterised by the core effective area or mode field radius
    • G02B6/02009—Large effective area or mode field radius, e.g. to reduce nonlinear effects in single mode fibres
    • G02B6/02023—Based on higher order modes, i.e. propagating modes other than the LP01 or HE11 fundamental mode
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/02—Optical fibres with cladding with or without a coating
    • G02B6/036—Optical fibres with cladding with or without a coating core or cladding comprising multiple layers
    • G02B6/03616—Optical fibres characterised both by the number of different refractive index layers around the central core segment, i.e. around the innermost high index core layer, and their relative refractive index difference
    • G02B6/03638—Optical fibres characterised both by the number of different refractive index layers around the central core segment, i.e. around the innermost high index core layer, and their relative refractive index difference having 3 layers only
    • G02B6/0365—Optical fibres characterised both by the number of different refractive index layers around the central core segment, i.e. around the innermost high index core layer, and their relative refractive index difference having 3 layers only arranged - - +

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Abstract

一種示例性多模光纖包括梯度折射率玻璃芯，該梯度折射率玻璃芯具有41微米至80微米範圍中之直徑、具有小於2.04的alpha梯度折射率及在0.6%與1.8%之間的範圍中之最大相對折射率。包層包括低折射率環形部分。光纖具有在1200nm與1700nm之間的至少一個波長下大於2.5GHz-km之全模式(overfilled)頻寬。

Description

多模光纖與包含此種光纖的系統 【相關申請案之交互參照】
本申請案主張於2012年5月31日申請的美國優先權專利申請案第13/484970號以及於2012年7月20日申請的美國申請案第13/553899號之優先權的權益，該等申請案之內容作為本申請案之依據並以全文引用之方式併入本文中，且由此主張優先權之權益。
本發明大體上係關於光纖通信，且更特定而言，本發明係關於多模光纖，該多模光纖可特別有益於用於1310 nm及/或1550 nm窗口中之分波長多工。
高效能計算與資料中心安裝通常要求大量處理器對處理器互連，且由於歸因於大芯直徑的更鬆弛對準公差，在該等系統中使用多模(MM)光纖成本低收效大的。通常利用相對廉價的VCSEL鐳射源在850 nm波長窗口中操作該等系統。光纖在850 nm下具有相對高的波散，且此導致光學信號之快速擴展。此高波散為最大系統長度之關鍵限制，特別是 在25 GHz及更高的資料調變率下。另外，光纖衰減在850 nm下相對高，且當系統長度大於數十公尺時，此對效能產生負面影響。
根據一些實施例，提供了多模光纖。光纖包括梯度折射率玻璃芯，該梯度折射率玻璃芯具有41微米至80微米範圍中之直徑、具有alpha剖面(其中1.95≦α≦2.04)之梯度折射率及在0.6%與1.8%之間的範圍中(例如0.6%至1.6%)之最大相對折射率。光纖亦包括環繞芯並與芯接觸之包層。包層包括低折射率環形部分。光纖進一步具有在1200 nm與1700 nm之間(例如在1260 nm與1610 nm之間)的至少一個波長下大於2500 MHz-km之全模式頻寬。
較佳地，芯具有數值孔徑NA，其中0.16<NA<0.26。根據一些實施例，包層包括內環形部分，該內環形部分具有在徑向位置處量測之相對折射率delta △2，在該徑向位置處第一導數d(△/△1MAX)/d(r/R1)等於-2.5。
根據一些實施例，包層包含環繞芯並與芯接觸之內環形部分、環繞內環形部分的低折射率環形部分以及環繞低折射率環形部分並與低折射率環形部分接觸之外環形部分。
高效能計算與資料中心安裝通常要求大量的處理器對處理器互連，且與利用單模(SM)光纖之系統相比，在該等系統中使用本文所述之多模光纖導致歸因於較不嚴格對準公差之較低的連接器成本。另外，由於較低的光纖波散及衰減，在1310 nm及/或1550 nm窗口中操作之系統提供優於在 850 nm下操作的習知系統之顯著效能優勢。此對於25 GHz及更高之資料調變率特別重要，在25 GHz及更高之資料調變率下，光學信號之波散擴展導致大的減損。另外，在1310 nm及/或1550 nm窗口中使用矽光子收發器之高資料率系統有利地要求比習知的在850 nm下操作之基於VCSEL的系統少得多的電功率。本文所述之光纖與系統可有利地與VCSEL及矽光子鐳射源兩者一起用於1310 nm或1550 nm窗口中。
需要能夠在1310 nm窗口中傳輸在25 GHz或更高速率下經調變之至少一個信號越過至少100 m之距離的多模光纖。本文所述之光纖實施例能夠在1310 nm窗口中傳輸在25 GHz或更高速率下經調變之至少四個信號越過至少100 m之距離。本文所述之一些光纖實施例亦能夠在1310 nm窗口中傳輸在25 GHz或更高速率下經調變之至少四個信號越過至少300 m之距離。本文所述之一些光纖實施例亦能夠在1310 nm窗口中傳輸在25 GHz或更高速率下經調變之至少四個信號越過至少500 m之距離。
類似地，需要能夠在1550 nm窗口中傳輸在25 GHz或更高速率下經調變之至少一個信號越過至少100 m之距離的多模光纖。本文所述之光纖實施例能夠在1550 nm窗口中傳輸在25 GHz或更高速率下經調變之至少四個信號越過至少100 m之距離。本文所述之一些光纖實施例亦能夠在1550 nm窗口中傳輸在25 GHz或更高速率下經調變之至少四個信號越過至少300 m之距離。本文所述之一些光纖實施例亦能夠在1550 nm窗口中傳輸在25 GHz或更高速率下經調變之至少四 個信號越過至少500 m之距離。
在以下詳細描述中將陳述額外特徵及優勢，且在某種程度上，對熟習此項技術者而言，該等特徵及優勢將通過彼等描述容易顯而易見或者藉由實踐本文中所描述之實施例(包括以下實施方式、申請專利範圍及隨附圖式)而認識到。
應瞭解，以上一般描述及以下詳細描述兩者僅為示例性的，且意欲提供用以理解申請專利範圍之本質與特徵之概覽或框架。包括隨附圖式以提供進一步理解，且隨附圖式併入本說明書中並組成本說明書之一部分。該等圖式說明一個或更多個實施例，並與描述一起用以解釋各種實施例之原理及操作。
10‧‧‧玻璃部分
20‧‧‧芯
30‧‧‧內環形部分
40‧‧‧低折射率環形部分
50‧‧‧外環形部分
60‧‧‧包層
100‧‧‧多模光纖
200‧‧‧系統
204‧‧‧光源
206‧‧‧光源
208‧‧‧外部調變器
210‧‧‧光偵測器
212‧‧‧多工器
214‧‧‧去多工器
R1‧‧‧半徑
R2‧‧‧外半徑
R3‧‧‧半徑
R4‧‧‧外半徑
W2‧‧‧寬度
W3‧‧‧寬度
△2‧‧‧相對折射率
△4‧‧‧相對折射率
△3MIN‧‧‧最小相對折射率
△1MAX‧‧‧最大相對折射率
第1圖為根據一個實施例的具有低折射率環形部分的多模光纖之示例性實施例的玻璃部分橫截面之折射率剖面的示意圖(未按比例繪製)；第2圖為第1圖的多模光纖之橫截面視圖(未按比例繪製)；第3圖為圖示多模光纖的示例性實施例之折射率剖面之曲線圖；第3A圖為圖示多模光纖的另一個示例性實施例之折射率剖面之曲線圖；第4圖為圖示隨多模光纖的三個示例性實施例的波長而變之大彎折損失；及第5圖為利用多模光纖的一個實施例之傳輸系統之 示意圖。
現將詳細參考較佳實施例，該等較佳實施例之實例圖示於隨附圖示中。在任何可能情況下，相同元件符號將在各個圖式中用於指代相同或相似部件。
「折射率剖面」為折射率或相對折射率與波導光纖半徑之間的關係。
「相對折射率」定義為△=100×[n(r)2-nc1 2]]/2n(r)2，其中n(r)為自光纖的中心線的徑向距離r處之折射率，且nc1為1310 nm波長下的外包層之平均折射率。除非另外指明，當光纖直徑為125微米時，藉由對在約45微米與55微米之間的半徑範圍內之折射率取平均值來決 定nc1，例如，其中在45≦r≦55微米範圍 中存在N個資料點，且N至少為2。在光纖直徑2*R4不等於125微米之實施例中，藉由對約0.72*R4與0.88*R4之間的半徑範圍內的折射率取平均值來決定nc1。在一個態樣中，包層包含實質上純的二氧化矽。在其他態樣中，包層可包含具有增加折射率的一或多個摻雜劑(例如，GeO2、Al2O3、P2O5、TiO2、ZrO2、Nb2O5及/或Ta2O5)之二氧化矽，在此情況下，包層相對於純二氧化矽為「上摻雜的(up-doped)」。包層亦可包含具有降低折射率的一或多個摻雜劑(例如，F及/或B)之二氧化矽，在此情況下，包層相對於純二氧化矽為「下摻雜的(down-doped)」。如本文中所使用，由delta或△表示 相對折射率，且除非另外指明，相對折射率的值通常以「%」為單位。術語：相對折射率delta、delta、△、△%、%△、delta %、% delta及百分比delta可在本文中互換使用。在區域的折射率小於包層的折射率之情況下，相對折射率為負數且被稱為具有低折射率，且除非另外指明，在相對折射率最小的點處計算相對折射率。在區域的折射率大於二氧化矽的折射率之情況下，相對折射率為正數且該區域可被稱為凸起的或具有正折射率，且除非另外指明，在相對折射率最大的點處計算相對折射率。
「上摻雜劑」在本文中被視為具有相對於純的未摻雜SiO2提高折射率之傾向的摻雜劑。「下摻雜劑」在本文中被視為具有相對於純的未摻雜SiO2降低折射率之傾向的摻雜劑。當伴隨有非上摻雜劑的一或多個其他摻雜劑時，上摻雜劑可存在於具有負相對折射率之光纖的區域中。同樣，非上摻雜劑的一或多個其他摻雜劑可存在於具有正相對折射率之光纖的區域中。當伴隨有非下摻雜劑的一或多個其他摻雜劑時，下摻雜劑可存在於具有正相對折射率之光纖的區域中。同樣，非下摻雜劑的一或多個其他摻雜劑可存在於具有負相對折射率之光纖的區域中。
如本文中所使用，1310 nm窗口定義為自1200 nm至1400 nm的波長範圍，或者此波長範圍的子集。舉例而言，自1260 nm至1400 nm、1260 nm至1360 nm、1270 nm至1350 nm、1280 nm至1340 nm，或1290 nm至1330 nm(例如，1260 nm、1290 nm、1310 nm、1330 nm、1350 nm、1370 nm，或 1400 nm)。
如本文中所使用，1550 nm窗口定義為自1500 nm至1600 nm的波長範圍，或者此波長範圍的子集。舉例而言，自1520 nm至1580 nm、1530 nm至1570 nm、1540 nm至1600 nm、1540 nm至1580 nm，或1530 nm至1570 nm(例如，1500 nm、1510 nm、1520 nm、1530 nm、1540 nm、1560 nm、1570 nm、1580 nm、1590 nm，或1600 nm)。
如本文中所使用，光纖的數值孔徑意指如使用標題為「Measurement Methods and Text Procedures-Numerical Aperture」的TIA SP3-2839-URV2 FOTP-177 IEC-60793-1-43中闡述之方法量測的數值孔徑。
如本文中所使用，術語梯度折射率、「α-剖面」或「alpha剖面」意指用△表達的相對折射率剖面，△係以「%」為單位，其中r為半徑且△遵循以下方程式： 其中△0為經推測r=0的相對折射率，R1為芯的半徑(亦即，△(r)為零之半徑(見第1圖))，且α係為實數的指數。對於階變折射率剖面，alpha值大於或等於10。對於梯度折射率剖面，alpha值小於10。如本文中所使用，術語「抛物線的」包括：實質上抛物線形狀的折射率剖面，該等剖面可在芯中的一或多個點處自2.0的α值輕微變化；以及具有微小變化及/或中心線下沉之剖面。例證本發明之模型化折射率剖面具有係完美alpha剖面之梯度折射率芯。實際製造的光纖可具有與 完美alpha剖面之微小偏差，包括諸如中心線處的下沉或尖峰及/或芯的外界面處的擴散尾之特徵。然而，可藉由將所量測的相對折射率剖面數值擬合至在自0.1 R1≦r≦0.9 R1半徑範圍內的alpha剖面來獲得alpha及△0之準確值。在不具有諸如中心線處的下沉或尖峰之不完美性的理想的梯度折射率光纖中，△0=△1MAX，其中△1MAX為芯的最大折射率。在其他情況下，自0.1 R1≦r≦0.9 R1的數值擬合獲得之△0的值可大於或小於△1MAX。
提供了展示提供增強的效能特性之芯直徑的多模光纖之各種實施例。多模光纖經揭示具有梯度折射率玻璃芯及環繞芯並與芯接觸的包層。根據本文揭示的實施例，芯直徑為41微米至約80微米。在一些示例性實施例中，芯直徑在約60微米與約65微米之間，該芯直徑與市售的62.5微米MMF之芯直徑相當。在其他示例性實施例中，芯直徑在約47微米與約53微米之間，該芯直徑與市售的50微米MMF之芯直徑相當。在一些示例性實施例中，芯直徑在約70微米與78微米之間，此允許耦接至光學收發器之較大的對準公差。在其他示例性實施例中，芯直徑在約41微米與約50微米之間，此減少光纖中傳播模態的數目並允許較高的頻寬。
芯亦包括具有不小於1.95且不大於2.04的alpha(α)值之梯度折射率，該梯度折射率較佳地等於或小於2.03，且更佳地在1.96與2.03之間，且甚至更佳地在1.974與2.02之間(例如，1.974、1.975、1.976、1.978、1.979、1.98、1.981、1.982、1.983、1.985、1.99、2.002、2.006、2.007、 2.008、2.009、2.01、2.012、2.015，或在所述諸值之間)。該等alpha值允許1310 nm窗口中的高光纖頻寬。芯進一步具有在0.6%與1.8%(較佳地，0.6%至1.6%)之間的範圍中之最大折射率，例如，0.6%、0.65%、0.7%、0.8%、0.85%、0.9%、0.95%、1%、1.05%、1.1%、1.2%、1.3%、1.5%、1.6%、1.7%、1.8%。在一些實施例中，芯具有在0.7%與1.2%之間的範圍中之最大折射率。在其他實施例中，芯具有在0.85%與1.15%之間、較佳地在0.88%與1.1%之間且更佳地在0.9%與1.05%之間的範圍中之最大折射率。舉例而言，在一些實施例中，芯進一步具有0.9%、0.93%、0.95%、0.98%、1%或1.05%之最大相對折射率delta。
在本文所述的實施例中，包層包括低折射率環形部分。較佳地，包層包含環繞芯並與芯接觸之內環形部分、環繞內環形部分的低折射率環形部分以及環繞低折射率環形部分並與低折射率環形部分接觸之外環形部分。
在一些實施例中，光纖具有在1310 nm下大於2500 MHz-km之全模式頻寬，且在一些實施例中，具有在1310 nm下大於3750 MHz-km之全模式頻寬。在一些實施例中，光纖進一步具有在1310 nm下大於5000 MHz-km之全模式頻寬，且在一些實施例中，光纖進一步具有在1310 nm下大於6000 MHz-km或甚至7500 MHz-km之全模式頻寬。在一些實施例中，全模式頻寬在自1290 nm至1330 nm範圍中的所有波長下大於2500 MHz-km，且在較佳實施例中，在自1290 nm至1330 nm範圍中的所有波長下大於3750 MHz-km、5000 MHz-km或甚至7500 MHz-km。在其他實施例中，全模式頻寬在自1270 nm至1350 nm範圍中的所有波長下大於2500 MHz-km，且在較佳實施例中，在自1270 nm至1350 nm範圍中的所有波長下大於3750 MHz-km、5000 MHz-km或甚至7500 MHz-km。1 GHz-km等於1000 MHz-km。
在一些實施例中，光纖具有在1550 nm下大於2500 MHz-km之全模式頻寬，且在一些實施例中，具有在1550 nm下大於3750 MHz-km之全模式頻寬。在一些實施例中，光纖進一步具有在1550 nm下大於5000 MHz-km之全模式頻寬，且在一些實施例中，光纖進一步具有在1550 nm下大於6000 MHz-km或甚至7500 MHz-km之全模式頻寬。在一些實施例中，全模式頻寬在自1530 nm至1570 nm範圍中的所有波長下大於2500 MHz-km，且在較佳實施例中，在自1530 nm至1570 nm範圍中的所有波長下大於3750 MHz-km、5000 MHz-km或甚至7500 MHz-km。在其他實施例中，全模式頻寬在自1510 nm至1590 nm範圍中的所有波長下大於2500 MHz-km，且在較佳實施例中，在自1510 nm至1590 nm範圍中的所有波長下大於3750 MHz-km、5000 MHz-km或甚至7500 MHz-km。在一些實施例中，全模式頻寬在1500 nm與1600 nm之間的一或多個波長下等於或大於5.0 GHz-km。
參考第1圖，根據一個實施例圖示多模光纖100的玻璃部分10之橫截面的折射率剖面之示意圖。玻璃部分10包括梯度折射率玻璃芯20與環繞芯20並與芯20接觸之玻璃包層60。根據一個實施例，芯20可包括摻雜有鍺的二氧化 矽。根據其他實施例，可在芯20中(特別是在或靠近光纖100之中心線處)單獨或組合使用除鍺之外的摻雜劑(諸如Al2O3或P2O5)。在此實施例中，包層60包括內環形部分30、低折射率環形部分40及外環形部分50。內環形部分30環繞芯20並與芯20接觸。低折射率環形部分40環繞內環形部分30並與內環形部分30接觸。外環形部分50環繞低折射率環形部分40並與低折射率環形部分40接觸。包層60可進一步包括額外部分(未圖示)，諸如環繞外環形部分50之其他玻璃部分。光纖100可進一步包括一或多個保護性塗層，該一或多個保護性塗層包括環繞包層60的丙烯酸胺基甲酸酯與丙烯酸酯初級及次級塗層。
同時參考第1圖與第2圖，圖示多模光纖100之玻璃部分10具有芯20，芯20具有外半徑R1。根據一些實施例，芯外半徑R1為20.5>R1>40微米，該芯外半徑對應於在41微米與80微米之間的芯直徑。舉例而言，芯直徑可為41微米、42微米、45微米、48微米、50微米、55微米、60微米、62.5微米、65微米、70微米、72微米、75微米、78微米或80微米，或者在上述諸值之間。在一些實施例中，梯度折射率芯具有不大於2.04之alpha(α)值。舉例而言，在一些實施例中，(α)值在1.9與2.04之間。在一些實施例中，梯度折射率芯具有在1.98與2.02之間的alpha(α)值。在該等實施例中，較佳地，玻璃芯20進一步具有在0.6%至1.6%的範圍中且在一些實施例中在0.7%至1.2%之範圍中之最大相對折射率△1MAX。
在一些實施例中，梯度折射率芯具有在1.95與1.99之間且較佳地在1.975與1.985之間的alpha(α)值。在該等實施例中，較佳地，玻璃芯20進一步具有在0.7%至1.6%(例如，在1.75%與1.55%之間)的範圍中之最大相對折射率△1MAX。
舉例而言，在一些實施例中，α為1.95、1.97、1.975、1.976、1.977、1.978、1.98、1.981、1.982、1.982、1.983、1.984、1.985、1.987、1.99、2.0、2.005、2.007、2.009、2.01、2.015、2.02、2.03或2.04，或在所述諸值之間。
根據一個實施例，芯外半徑R1在22.5微米至27.5微米之範圍中，該芯外半徑對應於在45微米至55微米範圍中之芯直徑。在一些實施例中，梯度折射率芯具有小於2.04之alpha(α)值。舉例而言，根據一個實施例，玻璃芯20具有梯度折射率，該梯度折射率具有約1.97至約2.02之alpha(α)值。在此實施例中，玻璃芯20進一步具有在0.9%至1.1%之範圍中的最大相對折射率△1MAX。根據另一個實施例，芯梯度折射率具有在1.975與2.02之間的alpha，且芯20具有在0.95%至1.05%範圍中之最大相對折射率△1MAX。
根據一個實施例，芯外半徑R1在22.5微米至27.5微米之範圍中，該芯外半徑對應於在45微米至55微米範圍中之芯直徑。在一些實施例中，梯度折射率芯具有小於2.04之alpha(α)值。舉例而言，根據一個實施例，玻璃芯20具有梯度折射率，該梯度折射率具有約1.97至約2.02之alpha(α)值。在此實施例中，玻璃芯20進一步具有在0.9%至1.1% 之範圍中的最大相對折射率△1MAX。根據另一個實施例，芯梯度折射率具有在1.975與2.02之間的alpha，且芯20具有在0.95%至1.05%之範圍中的最大相對折射率△1MAX。
包層60的內包層部分30具有外半徑R2、寬度W2、相對折射率△2及最大相對折射率△2MAX。如第3A圖所示，R2定義為半徑，在該半徑下，正規化折射率剖面相對於正規化半徑之導數(本文中亦稱為正規化斜率及正規化第一導數)，d(△/△1MAX)/d(r/R1)，等於-2.5。折射率△2為在第一導數d(△/△1MAX)/d(r/R1)等於-2.5的半徑下之相對折射率，△1MAX為最大芯delta且R1為芯半徑，藉由將芯折射率剖面擬合至alpha剖面來估算該芯半徑，如以下進一步描述。內包層部分30之寬度W2可在0.5微米至4.0微米之範圍中，且根據一些實施例，較佳地在0.5微米與2.5微米之間，例如0.5 μm≦W2≦2.5 μm。內包層部分30之外半徑R2較佳地在23微米至40微米之範圍中。在一些實施例中，內包層之最大相對折射率△2MAX小於約0.1%。在其他實施例中，內包層之最大相對折射率△2MAX小於約0.0%。在其他實施例中，內包層之最大相對折射率△2MAX在約-0.1%與約0.1%之間。
包層60之低折射率環形部分40具有最小相對折射率△3MIN且自R2延伸至R3，其中R3為△3(r)首次達到大於-0.05%的值之半徑，自△3(r)=△3MIN之半徑徑向向外延伸。低折射率環形部分40具有徑向寬度W3=R3-R2。在一個實施例中，低折射率環形部分40具有至少1微米之寬度W3。W3較佳地在2微米與10微米之間，更佳地在2微米與8微米之間， 且甚至更佳地在2微米與6微米之間。低折射率環形部分40可具有外半徑R3，該外半徑R3在27微米至45微米、更佳地28微米至32微米之範圍中，例如30微米至45微米，或35微米至45微米。低折射率環形部分40具有小於約-0.2%之最小相對折射率△3MIN，且更佳地，折射率△3MIN可在-0.3%至-0.7%之範圍中。低折射率環具有小於或等於△2且亦小於△1MAX之最小相對折射率△3MIN。
低折射率環形部分具有剖面容量V3，在本文中定義如下： 其中R2為如上文定義的低折射率環形部分之半徑，且R3為如上文定義的低折射率環形部分之外半徑。對於本文揭示之光纖，V3的絕對值較佳地大於20%-μm2，在一些實施例中大於40%-μm2，在其他實施例中大於60%-μm2，更佳地大於80%-μm2，例如：大於90%-μm2、大於95%-μm2、大於100%-μm2，或大於110%-μm2。在一些較佳實施例中，V3的絕對值大於60%-μm2且小於200%-μm2。在其他較佳實施例中，V3的絕對值大於80%-μm2且小於160%-μm2。在其他較佳實施例中，V3的絕對值大於80%-μm2且小於140%-μm2。在其他較佳實施例中，V3的絕對值大於60%-μm2且小於120%-μm2。
在一些實施例中，低折射率環形部分40包含摻雜有 氟及/或硼之二氧化矽。在一些實施例中，低折射率環形部分40包含非週期性地安置或週期性地安置或者同時非週期性及週期性地安置之空隙。藉由「非週期性地安置」或「非週期性分佈」，吾人意指，當截取光纖之橫截面(諸如垂直於縱軸之橫截面)時，非週期性地安置的空隙橫越光纖之一部分隨機或非週期性地分佈。沿著光纖長度在不同點處截取之類似橫截面將展現不同的橫截面孔型樣，亦即，各種橫截面將具有不同的孔型樣，其中空隙分佈與空隙尺寸不匹配。亦即，空隙或空隙係非週期性的，亦即，空隙並非週期性地安置於光纖結構中。該等空隙沿著光纖之長度(亦即，平行於縱軸)伸展(延長)，但對於傳輸光纖之通常長度而言，並非延伸整個光纖之整個長度。空隙可含有一或多種氣體，諸如氬氣、氮氣、氪氣、CO2、SO2，或氧氣，或者空隙可含有實質上沒有氣體之真空；無論存在或不存在任何氣體，環形部分50中之折射率由於空隙之存在而降低。儘管不欲受理論束縛，但據信，空隙沿著光纖之長度延伸少於數公尺，且在許多情況下沿著光纖之長度延伸少於1公尺。本文揭示的光纖100可藉由利用預成型固結條件之方法製成，該等預成型固結條件有效導致大量氣體被截留於固結的玻璃毛坯中，由此致使在固結的玻璃光纖中預成型空隙構造。不必採取措施來移除該等空隙，所得的預成型體用於形成具有空隙之光纖或在光纖中形成空隙。如本文中所使用，當在垂直於光纖的縱軸之垂直橫截面中觀察光纖時，孔的直徑為端點安置於界定孔之二氧化矽內表面上之最長線段。
根據一些實施例，包層60之外環形部分50具有外半徑R4且具有相對折射率△4，相對折射率△4大於△2且大於△3MIN並小於△1MAX。因此，在此實施例中△1MAX>△4>△2>△3MIN。然而應理解，其他實施例為可能的。舉例而言，△4可等於△2(例如，見表1)。或者，△2可大於△4。根據一個實施例，外半徑R4為約62.5微米，由此導致外光纖直徑為約125微米。
徑向對稱光纖之折射率剖面取決於徑向坐標r且不依賴方位坐標φ。在多數光纖中，包括以下揭示之實例，折射率剖面僅展示小的折射率反差，且光纖可經假設為僅弱波導的。若同時滿足該等條件，則馬克士威方程式可簡化為純量波方程式，該方程式之解為線性極化(LP)模態。
對於給定波長，用於給定折射率剖面的純量波方程式之徑向方程式具有對於r傾向於零之解，r僅對於傳播常數β之某些離散值無限大。純量波方程式之該等特徵向量(橫向電場)為光纖之波導模態，且特徵值為傳播常數βlm，其中l為方位指數且m為徑向指數。在梯度折射率光纖中，可將LP模態劃分為群組，藉由原則模數的通用值p=l+2m-1指定該等群組。該等群組中的模態具有幾乎退化的傳播常數及截止波長，且該等模態傾向於以相同的群組速率經由光纖傳播。
數值孔徑(NA)定義為入射光之最大角度(相對於光纖的軸線)的正弦，該入射光藉由完全內反射變得完全限制於光纖中。可以表明，此條件得出關係，其中n1為梯度折射率芯的最大折射率。使用delta(△)定義，此表 達式可轉換為以下方程式：
根據量測標準FOTP-204使用全模式發射來量測給定波長下的全模式頻寬。可根據T.A.Lenahan的「Calculation of Modes in an Optical Fiber Using the Finite Element Method and EISPACK」，Bell Sys.Tech.J.,vol.62,pp.2663-2695(1983)中概述之流程來計算模型化頻寬，該參考文獻之全部揭示內容在此通過引用方式併入本文中。此參考文獻之方程式47用於計算模態延遲；然而需注意，必須以dk2 c1/dω2替換dkc1/dω2項，其中kc1=2π*nc1/λ且ω=2π/λ。模態延遲通常每個單位長度經正規化且以ns/km為單位。所計算的頻寬亦假設折射率剖面為理想的、沒有諸如中心線下沉之攝動，且因此代表用於給定設計之最大頻寬。
藉由繞10 mm、20 mm或30 mm直徑的心軸(例如，「2×10 mm直徑大彎折損失」或「2×20 mm直徑大彎折損失」)纏繞2匝及量測歸因於使用環形通量(EF)發射條件之彎曲之衰減增加而根據FOTP-62(IEC-60793-1-47)來決定大彎折效能。藉由發射全模式脈衝至2 m長度的習知(亦即，非彎曲不敏感的)50 μm多模光纖之輸入端中來獲得環形通量，該多模光纖部署有靠近中點的1×25 mm直徑之心軸。標準的50微米多模光纖具有約50微米之芯直徑、約0.2之數值孔徑及包含梯度折射率芯與均質包層之折射率剖面。標準的50 μm光纖之輸出端熔接至受測光纖，且所量測之彎 曲損失為規定彎曲條件下的衰減與沒有彎曲之情況下的衰減之比率。
多模光纖100具有在1290 nm與1610 nm之間的至少一個波長下大於2500 MHz-km之全模式頻寬及小於0.26(較佳地為0.16至0.26且更佳地為0.17至0.21)之數值孔徑NA。較佳地，全模式頻寬在1310 nm或1550 nm下大於3750 MHz-km，且在一些實施例中在1310 nm下在1310 nm或1550 nm下大於5000 MHz-km。本文揭示的一些光纖實施例具有在1310 nm下大於6000 MHz-km之全模式頻寬，且在一些光纖實施例中具有在1310 nm下大於7500 MHz-km之全模式頻寬。在一些實施例中，全模式頻寬在自1290 nm至1330 nm範圍中的所有波長下大於2500 MHz-km，且在較佳實施例中，全模式頻寬在自1290 nm至1330 nm範圍中的所有波長下大於3750 MHz-km、5000 MHz-km或甚至7500 MHz-km。在其他實施例中，全模式頻寬在自1270 nm至1350 nm範圍中的所有波長下大於2500 MHz-km，且在較佳實施例中，全模式頻寬在自1270 nm至1350 nm範圍中的所有波長下大於3750 MHz-km、5000 MHz-km或甚至7500 MHz-km。
本文揭示的一些光纖實施例具有在1350 nm下大於6000 MHz-km之全模式頻寬，且在一些光纖實施例中具有在1350 nm下大於7500 MHz-km之全模式頻寬。在一些實施例中，全模式頻寬在自1530 nm至1570 nm範圍中的所有波長下大於2500 MHz-km，且在較佳實施例中，全模式頻寬在自1530 nm至1570 nm範圍中的所有波長下大於3750 MHz-km、 5000 MHz-km或甚至7500 MHz-km。在其他實施例中，全模式頻寬在自1510 nm至1590 nm範圍中的所有波長下大於2500 MHz-km，且在較佳實施例中，全模式頻寬在自1510 nm至1590 nm範圍中的所有波長下大於3750 MHz-km、5000 MHz-km或甚至7500 MHz-km。
本文揭示的一些光纖實施例具有在1310 nm下小於2 dB之2×10 mm大彎折損失，且其他光纖實施例具有在1310 nm下小於1.5 dB之2×10 mm大彎折損失。在一些實施例中，2×10 mm大彎折損失小於1.0 dB且在一些實例中2×10 mm大彎折損失在1310 nm下甚至小於0.8 dB。本文揭示的一些光纖實施例具有在1310 nm下小於0.7 dB之2×15 mm大彎折損失，且其他光纖實施例具有在1310 nm下小於0.5 dB之2×15 mm大彎折損失。在一些實施例中，2×15 mm大彎折損失小於0.4 dB且在一些實例中2×15 mm大彎折損失在1310 nm下甚至小於0.3 dB。本文揭示的一些光纖實施例具有小於0.6 dB之2×20 mm大彎折損失，且其他光纖實施例具有在1310 nm下小於0.4 dB之2×20 mm大彎折損失。在一些實施例中，2×20 mm大彎折損失小於0.3 dB且在一些實例中2×20 mm大彎折損失在1310 nm下甚至小於0.2 dB。
本文揭示的一些光纖實施例具有在1550 nm下小於2 dB之2×10 mm大彎折損失，且其他光纖實施例具有在1550 nm下小於1.5 dB之2×10 mm大彎折損失。在一些實施例中，2×10 mm大彎折損失小於1.0 dB且在一些實例中 2×10 mm大彎折損失在1550 nm下甚至小於0.8 dB。本文揭示的一些光纖實施例具有在1550 nm下小於0.7 dB之2×15 mm大彎折損失，且其他光纖實施例具有在1550 nm下小於0.5 dB之2×15 mm大彎折損失。在一些實施例中，2×15 mm大彎折損失小於0.4 dB且在一些實例中2×10 mm大彎折損失在1550 nm下甚至小於0.3 dB。本文揭示的一些光纖實施例具有小於0.6 dB之2×20 mm大彎折損失，且其他光纖實施例具有在1550 nm下小於0.4 dB之2×20 mm大彎折損失。在一些實施例中，2×20 mm大彎折損失小於0.3 dB且在一些實例中2×20 mm大彎折損失在1550 nm下甚至小於0.2 dB。
實例
表1至表4概述根據本文揭示的發明且如第1圖所示的各種實例，該等實例大體上佈置於四組多模光纖實施例中，該四組多模光纖實施例經模型化具有各種特性。根據折射率剖面參數模型化多模光纖之各種光學特性。該等參數包括芯的相對折射率△1MAX、外芯半徑R1及梯度折射率alpha(α)參數。另外，參數包括內環形部分40的相對折射率△2、內環形部分40的半徑R2及內環形部分40的寬度W2。進一步地，參數包括低折射率部分50的最小相對折射率△3MIN及低折射率部分50的外半徑R3。其他計算結果包括在1270 nm、1280 nm、1290 nm、1310 nm、1330 nm、1340 nm及1350 nm下的全模式頻寬、在1310 nm下的傳播LP模數、在1310 nm下的波散及波散斜率、在1310 nm下的衰減、微米級的芯 直徑以及數值孔徑。在表1至表4的實例中，光纖具有歸因於(a)具有1.95與2.04之間的(α)值之芯及(b)內環形部分40的最佳化寬度W2之在1310 nm窗口中的高全模式頻寬(BW)。每一實施例之最佳寬度取決於芯、內環形部分及低折射率環形部分的最大相對折射率。該等折射率剖面允許全模式頻寬在1310 nm下大於2500 MHz-km，且在一些較佳實施例中，1310 nm下的全模式頻寬大於3750 MHz-km、5000 MHz-km或甚至7500 MHz-km。在一些實施例中，全模式頻寬在自1290 nm至1330 nm範圍中的所有波長下大於2500 MHz-km，且在較佳實施例中，全模式頻寬在自1290 nm至1330 nm範圍中的所有波長下大於3750 MHz-km、5000 MHz-km或甚至7500 MHz-km。在其他實施例中，全模式頻寬在自1270 nm至1350 nm範圍中的所有波長下大於2500 MHz-km，且在較佳實施例中，全模式頻寬在自1270 nm至1350 nm範圍中的所有波長下大於3750 MHz-km、5000 MHz-km或甚至7500 MHz-km。
表1展示八個模型化實施例，在該等實施例中，多模光纖100展現45微米與55微米之間的芯直徑，且芯具有0.9%與1%之間的最大相對折射率△1MAX。在該等示例性光纖實施例中，1.98≦α≦2.04，且在較佳實施例中在1.99≦α≦2.03之範圍中。全模式頻寬在1310 nm下大於7500 MHz-km(7.5 GHz-km)，且在一些實施例中全模式頻寬在1310 nm下大於10 GHz-km或甚至15 GHz-km。該等實施例之數值孔徑在0.185與0.215之間。波散在1310 nm下小於5 ps/nm/km，且衰減在1310 nm下小於0.7 dB/km。
表2展示七個實施例，在該等實施例中，多模光纖100展現41微米與80微米之間的芯直徑，且芯具有0.8%與 1.3%之間的最大相對折射率△1MAX。在該等示例性光纖實施例中，1.98≦α≦2.04，且在較佳實施例中在1.99≦α≦2.03之範圍中。全模式頻寬在1310 nm下大於7500 MHz-km(7.5 GHz-km)，且在一些實施例中全模式頻寬在1310 nm下大於10 GHz-km或甚至15 GHz-km。該等實施例之數值孔徑在0.185與0.215之間。波散量級在1310 nm下小於5 ps/nm/km，且衰減在1310 nm下小於0.7 dB/km。
表3展示六個實施例，在該等實施例中，多模光纖100展現41微米與80微米之間的芯直徑，且芯具有0.6%與1.6%之間的最大相對折射率△1MAX。在該等示例性光纖實施例中，1.98≦α≦2.04，且在較佳實施例中在1.99≦α≦2.03之範圍中。全模式頻寬在1310 nm下大於7500 MHz-km(7.5 GHz-km)，且在一些實施例中全模式頻寬在1310 nm下大於10 GHz-km或甚至15 GHz-km。波散量級在1310 nm下小於5 ps/nm/km，且衰減在1310 nm下小於0.7 dB/km。在該等實施例之子集中，芯直徑在50微米與80微米之間，且芯具有1.3%與1.6%之間的最大相對折射率△1MAX。實施例的此子集之數值孔徑在0.23與0.26之間。在該等實施例之另一個子集中，芯直徑在41微米與50微米之間，且芯具有0.6%與0.9%之間的最大相對折射率△1MAX。實施例的此子集之數值孔徑在0.16與0.19之間。
表4展示八個實施例，在該等實施例中，多模光纖100展現41微米與80微米之間的芯直徑，且芯具有0.6%與0.9%之間的最大相對折射率△1MAX。在該等示例性光纖實施例中，1.98≦α≦2.04，且在較佳實施例中在1.99≦α≦2.03之範圍中。全模式頻寬在1310 nm下大於7500 MHz-km(7.5 GHz-km)，且在一些實施例中全模式頻寬在1310 nm下大於10 GHz-km或甚至15 GHz-km。波散量級在1310 nm 下小於5 ps/nm/km，且衰減在1310 nm下小於0.7 dB/km。該等實施例之數值孔徑在0.16與0.19之間。在一些實施例中，芯直徑在45微米與55微米之間，在其他實施例中，芯直徑在60微米與65微米之間，且在其他實施例中，芯直徑在41微米與50微米之間。
如表1至表4中可見，光纖實例1至光纖實例28之每一者具有在1310 nm下大於2500 MHz-km之全模式頻寬。根據至少一些實施例，光纖具有在1310 nm下大於5000 MHz-km之全模式頻寬。根據至少一些實施例，光纖具有在1310 nm下大於7.5 GHz-km之全模式頻寬。根據至少一些實施例，光纖具有在1310 nm下大於10 GHz-km之全模式頻寬。根據至少一些實施例，光纖具有在1310 nm下大於20 GHz-km之全模式頻寬。在一些實施例中，全模式頻寬在自1290 nm至1330 nm範圍中的所有波長下大於2500 MHz-km，且在較佳實施例中，全模式頻寬在自1290 nm至1330 nm範圍中的所有波長下大於3750 MHz-km、5000 MHz-km或甚至7500 MHz-km。在其他實施例中，全模式頻寬在自1270 nm至1350 nm範圍中的所有波長下大於2500 MHz-km，且在較佳實施例中，全模式頻寬在自1270 nm至1350 nm範圍中的所有波長下大於3750 MHz-km、5000 MHz-km或甚至7500 MHz-km。
表1中的光纖實例闡明多模光纖具有45微米至55微米的範圍中之梯度折射率芯直徑且具有環繞芯並包含低折射率環形部分的包層。該等光纖實例具有在1310 nm下大於2.5 GHz-km之全模式頻寬。更特定而言，表1的光纖具有在1310 nm下大於5 GHz-km且在1310 nm下甚至大於10 GHz-km之全模式頻寬。類似地，表2闡明光纖具有在1310 nm 下大於11.5 GHz-km且在1310 nm下甚至大於15 GHz-km之全模式頻寬。
較佳地，光纖具有小於0.21之數值孔徑且芯包含小於2.02(且較佳地<2.01)之alpha值。至少一些該等光纖實施例(例如，見示例性光纖8，及示例性光纖19至示例性光纖28)具有極大的全模式頻寬，例如，在1310 nm下大於20 GHz-km的全模式頻寬。
所製造的光纖實例29至光纖實例32
實例29.將長一公尺、直徑26.15 mm的實心玻璃棒裝載至車床上，該實心玻璃棒包含GeO2-SiO2梯度折射率芯(為具有近似抛物線形狀之純二氧化矽之最大折射率的近似0.75%)。將85公克SiO2(密度為0.36 g/cc)煙灰火焰沉積至棒上，且在1000℃下於氦氣與3%氯氣組成之氛圍中將該總成乾燥2小時。在此步驟之後，以6 mm/min向下驅動而在100%氦氣氛圍中通過設為1500℃之熱區域，以便使煙灰燒結為光學預成型體，該光學預成型體包含GeO2-SiO2梯度折射率芯及二氧化矽第一包層。隨後將預成型體裝載至車床上並以如下方式火焰沉積與燒結547公克SiO2(密度為0.36 g/cc)煙灰。首先在1125℃下於氦氣與3%氯氣組成之氛圍中將總成乾燥1小時，然後在1125℃下於氦氣環境中淨化30分鐘。隨後將總成以14 mm/min向下驅動而在包含氦氣與7.4% SiF4之氛圍中通過設為1460℃之熱區域，以便將煙灰燒結為過包覆預成型體，該過包覆預成型體包含氧化鍺-二氧化矽梯度折射率芯、二氧化矽內包層及氟摻雜第二包層。將預成型體拉 伸為一公尺×18.75 mm直徑之棒，隨後將棒置放於火焰沉積有1879公克SiO2煙灰之車床上。隨後藉由首先在1000℃下於氦氣與3%氯氣組成的氛圍中將總成乾燥2小時，然後以6 mm/min向下驅動而在100%氦氣氛圍中通過1500℃下之熱區域來燒結該總成。此流程將煙灰燒結為光學預成型體，該光學預成型體包含GeO2-SiO2梯度折射率芯、二氧化矽第一包層、氟摻雜第二包層及二氧化矽外包層。隨後使該預成型體在設為1000℃下的氬氣淨化保溫爐中置放24小時。使用具有約8 cm長度且設為近似2000℃的熱區域之拉伸爐以10 m/s將該預成型體拉伸為10 km長度之125微米直徑的光纖。於表5中闡述光纖的所量測特性。
實例30.將長一公尺、直徑26.04 mm的預成型體裝載至車床上，該預成型體包含GeO2-SiO2梯度折射率芯(為具有近似抛物線形狀之純二氧化矽之最大折射率的近似0.91%)及二氧化矽第一包層。梯度折射率芯的直徑與玻璃預成型體的直徑之比率為近似0.94。以如下方式火焰沉積與燒結596公克SiO2(密度為0.36 g/cc)煙灰。首先在1125℃下於包含氦氣與3%氯氣之氛圍中將總成乾燥1小時，然後在1125℃下於氦氣環境中淨化30分鐘。隨後將總成以14 mm/min向下驅動而在氦氣與4.76% SiF4組成的氛圍中通過設為1460℃之熱區域，以便將煙灰燒結為過包覆預成型體，該過包覆預成型體包含氧化鍺-二氧化矽梯度折射率芯、二氧化矽內包層及氟摻雜第二包層。隨後將預成型體置放在火焰沉積有3575公克SiO2煙灰之車床上。隨後藉由首先在1000℃下於氦氣與3% 氯氣組成的氛圍中將總成乾燥2小時，然後以6 mm/min向下驅動而在100%氦氣氛圍中通過1500℃下之熱區域來燒結該總成。此流程將煙灰燒結為光學預成型體，該光學預成型體包含GeO2-SiO2梯度折射率芯、二氧化矽第一包層、氟摻雜第二包層及二氧化矽外包層。隨後將該預成型體在設為1000℃下的氬氣淨化保溫爐中置放24小時。使用具有約8 cm長度且設為近似2000℃的熱區域之拉伸爐以10 m/s將該預成型體拉伸為10 km長度之125微米直徑的光纖。於表5中闡述光纖的所量測特性。
實例31.將長一公尺、直徑17.93 mm的預成型體裝載至經設計用於外部氣相沉積之車床上，該預成型體包含GeO2-SiO2梯度折射率芯(為具有近似抛物線形狀之純二氧化矽之最大折射率的近似0.91%)及二氧化矽第一包層。梯度折射率芯的直徑與玻璃預成型體的直徑之比率為近似0.94。以如下方式火焰沉積與燒結172公克SiO2(密度為0.36 g/cc)煙灰。首先在1125℃下於氦氣與3%氯氣組成之氛圍中將總成乾燥1小時，然後在1125℃下於氦氣環境中淨化30分鐘。隨後將總成以14 mm/min向下驅動而在氦氣與7.4% SiF4組成的氛圍中通過設為1460℃之熱區域，以便將煙灰燒結為過包覆預成型體，該過包覆預成型體包含氧化鍺-二氧化矽梯度折射率芯、二氧化矽內包層及氟摻雜第二包層。隨後將預成型體置放在火焰沉積有1255公克SiO2煙灰之車床上。隨後藉由首先在1000℃下於氦氣與3%氯氣組成的氛圍中將總成乾燥2小時，然後以6 mm/min向下驅動而在100%氦氣氛圍中通過 1500℃下之熱區域來燒結該總成。此流程將煙灰燒結為光學預成型體，該光學預成型體包含GeO2-SiO2梯度折射率芯、二氧化矽第一包層、氟摻雜第二包層及二氧化矽外包層。隨後將該預成型體在設為1000℃下的氬氣淨化保溫爐中置放24小時。使用具有約8 cm長度且設為近似2000℃的熱區域之拉伸爐以10 m/s將該預成型體拉伸為10 km長度之125微米直徑的光纖。於表5中闡述光纖的所量測特性。
實例32.將長一公尺、直徑18.08 mm的預成型體裝載至經設計用於外部氣相沉積之車床上，該預成型體包含GeO2-SiO2梯度折射率芯(為具有近似抛物線形狀之純二氧化矽之最大折射率的近似0.93%)。以如下方式火焰沉積與燒結1255公克SiO2煙灰。首先在1000℃下於氦氣與3%氯氣組成的氛圍中將總成乾燥2小時，然後以6 mm/min向下驅動而在100%氦氣氛圍中通過設為1500℃之熱區域。此流程將煙灰燒結為光學預成型體，該光學預成型體包含GeO2-SiO2梯度折射率芯及二氧化矽外包層。隨後將該預成型體在設為1000℃下的氬氣淨化保溫爐中置放24小時。使用具有約8 cm長度且設為近似2000℃的熱區域之拉伸爐以10 m/s將該預成型體拉伸為10 km長度之125微米直徑的光纖。於表5中闡述光纖的所量測特性。
表5展示實例29至實例32，在該等實例中，多模光纖100展現45微米與65微米之間的芯直徑，且芯具有0.7%與1.2%之間的最大相對折射率△1MAX。在實例29至實例31中，內環形部分30包含大於約0.5微米且小於約4微米之寬 度W2。在示例性光纖實施例29、示例性光纖實施例30及示例性光纖實施例31中，1.98≦α≦2.04。實例32具有大於2.06之alpha值且不包含具有低折射率之內環形部分，且因此全模式頻寬在1300 nm下小於2500 MHz-km。實例29至實例31之全模式頻寬在1300 nm下大於3750 MHz-km(3.75 GHz-km)，且在實例30與實例31中全模式頻寬在1300 nm下大於7.5 GHz-km。實例31之全模式頻寬在1300 nm下亦大於10 GHz-km。該等實施例之數值孔徑在0.16與0.24之間，且對於實例30及實例31，數值孔徑係在0.185與0.215之間。對於實例29至實例31，1310 nm下之衰減小於0.7 dB/km，且對於實例30及實例31，衰減小於0.5 dB/km。
表6至表9概述大體上根據本文揭示的發明且如第1圖所示的多模光纖實例33至多模光纖實例53中的光纖100之實施例的各種模型化特性。根據折射率剖面參數模型化多模光纖之各種光學特性。該等參數包括芯的相對折射率△1MAX、外芯半徑R1及梯度折射率alpha(α)參數。另外，參數包括內環形部分40的相對折射率△2、內環形部分40的半徑R2及內環形部分40的寬度W2。進一步地，參數包括低折射率部分50的最小相對折射率△3MIN及低折射率部分50的外半徑R3。其他計算結果包括在1510 nm、1520 nm、1530 nm、1540 nm、1550 nm、1560 nm、1570 nm、1580 nm及1590 nm下的全模式頻寬、在1550 nm下的波散及波散斜率、在1550 nm下的衰減、微米級的芯直徑以及數值孔徑。在表6至表9的實例中，光纖具有歸因於(a)具有1.95與2.04之間的(α)值之芯及(b)內環形部分40的最佳化寬度W2之1550 nm窗口中的高全模式頻寬(BW)。每一實施例之最佳寬度取決於芯、內環形部分及低折射率環形部分的最大相對折射率。該等折射率剖面允許全模式頻寬在1550 nm下大於2500 MHz-km，且在一些較佳實施例中，1310 nm下的全模式頻寬大於3750 MHz-km、5000 MHz-km或甚至7500 MHz-km。在一些實施例中，全模式頻寬在自1530 nm至1580 nm範圍中 的所有波長下大於2500 MHz-km，且在較佳實施例中，全模式頻寬在自1530 nm至1580 nm範圍中的所有波長下大於3750 MHz-km、5000 MHz-km或甚至7500 MHz-km。在其他實施例中，全模式頻寬在自1520 nm至1590 nm範圍中的所有波長下大於2500 MHz-km，且在較佳實施例中，全模式頻寬在在自1520 nm至1590 nm範圍中的所有波長下大於3750 MHz-km、5000 MHz-km或甚至7500 MHz-km。在其他實施例中，全模式頻寬在自1510 nm至1590 nm範圍中的所有波長下大於2500 MHz-km，且在較佳實施例中，全模式頻寬在自1510 nm至1590 nm範圍中的所有波長下大於3750 MHz-km、5000 MHz-km或甚至7500 MHz-km。在一些實施例中，全模式頻寬在自1500 nm至1600 nm範圍中的所有波長下大於2500 MHz-km，且在較佳實施例中，全模式頻寬在自1500 nm至1600 nm範圍中的所有波長下大於3750 MHz-km、5000 MHz-km或甚至7500 MHz-km。較佳地，全模式頻寬在自1500 nm至1700 nm範圍中的所有波長下大於2500 MHz-km。
第3圖圖示具有如以上關於第1圖所述之折射率剖面的光纖之內環形部分30之折射率剖面。第3圖中所示之實例為根據表1中提供的實例1配置之多模光纖，且該多模光纖包含梯度折射率芯及環繞芯之包層，其中該包層包含內環形部分、環繞內環形部分之低折射率環形部分及環繞低折射率環形部分之外環形部分。芯具有24.8微米之外半徑R1，且內環形部分包含0.86微米之寬度。玻璃芯與內包層具有不同的alpha值。第3A圖圖示折射率剖面及正規化折射率剖面之導數。
第4圖圖示圍繞具有15 mm直徑的心軸兩匝之實例30至實例32的所量測彎曲損失。實例30(正方形)與實例31(三角形)包含具有低折射率之內環形區段且實例30與實例31具有在1310 nm下小於0.5 dB的2×15 mm彎曲損失。2×15 mm彎曲損失在1260 nm與1400 nm之間的所有波長下亦小於0.5 dB。實例32(實線)不包含具有低折射率之內環形區段，且實例32具有在1310 nm下以及在1260 nm與1400 nm之間的所有波長下大於約0.7 dB的2×15 mm彎曲損失。
第5圖圖示利用多模光纖100的光學傳輸系統之一個實施例。根據一些實施例，多模光纖100耦接至在1200 nm 與1700 nm(例如，1260 nm至1400 nm或1490 nm至1610 nm)之間操作且經調變處於大於20 GHz(例如，25 GHz)的位元率之至少一個光源204。光纖100光學地為多模光纖，且光纖100包含41 μm至80 μm直徑的一梯度折射率一梯度折射率玻璃芯及包含外包層部分之包層；其中光纖具有在1310 nm或1550 nm之波長下大於2.5 GHz-km之全模式頻寬、小於約2.04(且較佳地小於2.03)之alpha、小於5 ps/nm/km之波散量級及在操作波長(例如，1310 nm或1550 nm)下小於0.7 dB/km之衰減。接收器或光偵測器210光學耦接至多模光纖100且經結構化以能夠偵測大於1200 nm的波長中之波長，例如在1200 nm與1700 nm之間(例如，1260 nm至1400 nm，或1490至1610 nm)。
根據一些實施例，光纖100耦接至VCSEL，且在大於20 GHz之速率下調變VCSEL。根據一些實施例，光纖100耦接至在1200 nm至1400 nm範圍或1260 nm至1400 nm範圍中(例如，1260 nm至1360 nm、1260 nm、1290 nm、1310 nm、1330 nm、1350 nm、1370 nm，或1400 nm)操作之矽-光子光源。因此，表1至表9中的示例性光纖1至示例性光纖28適合用於光學傳輸系統中。根據一個實施例，系統200包含：(i)收發器，該收發器包含至少一個光源206(例如，VCSEL或矽-光子鐳射)，其中該光源在1200 nm與1400 nm之間(例如，在1260 nm與1400 nm之間，或在1260 nm與1360 nm之間，或在1270 nm與1350 nm之間，或在1280 nm與1340 nm之間)的一或多個波長下經調變處於25 GHz或更 高(且較佳地，根據一些實施例，以40 GHz或更高)之位元率；(ii)至少一個多模光纖100；及(iii)接收器，該接收器包含至少一個光偵測器210。在一個實施例中，收發器包含經調變處於25 GHz或更高的位元率之N個光源，如第5圖所示。收發器亦可包含至少一個外部調變器208，該外部調變器208將至少一個光源調變為處於25 GHz或更高的位元率。收發器可進一步包含多工器(Mux)212，該多工器212將來自N個光源之N個波長多工為單個波導。接收器可進一步包含去多工器(Demux)212，該去多工器212將光學信號去多工為N個波長並將該等波長光學耦合至N個光偵測器210。光偵測器210光學耦接至多模光纖100且能夠偵測1200 nm至1700 nm波長範圍中之波長。
根據一些實施例，光纖100包含梯度折射率玻璃芯、環繞芯之內包層區域及外包層；且光纖100具有在1260 nm與1400 nm波長範圍中的操作波長下大於5 GHz-km之全模式頻寬、小於約2.04且較佳地小於2.02之alpha、小於10 ps/nm/km之波散量級以及在操作波長下小於0.7 dB/km之衰減。根據其他實施例，光纖100包含梯度折射率玻璃芯、環繞芯之內包層區域及外包層；且光纖100具有在1490 nm至1610 nm波長範圍中的操作波長下大於5 GHz-km之全模式頻寬、小於約2.04且較佳地小於2.02之alpha、小於10 ps/nm/km之波散量級以及在操作波長下小於0.7 dB/km之衰減。在一些實施例中，舉例而言，光源206(例如，VCSEL或矽-光子鐳射)經調變處於至少30 GHz的位元率，在一些實施例中為至 少35 GHz或37 GHz，在一些實施例中為至少40 GHz，且在一些實施例中為至少45 GHz。光纖的一些實施例具有在1260 nm與1360 nm之間的一或多個波長下大於4.7 GHz-km之全模式頻寬，且光纖的一些實施例具有在1290 nm與1330 nm之間的所有波長下大於4.7 GHz-km之全模式頻寬；且光纖的一些實施例具有在1270 nm與1350 nm之間的所有波長下大於4.7 GHz-km之全模式頻寬。
注意，亦可利用除VCSEL之外的光源，例如在1200 nm與1700 nm之間(例如在1200 nm與1400 nm或1260 nm與1400 nm之間(例如，在1260 nm與1360 nm之間)，或者在1490 nm與1700 nm(例如，1490 nm至1610 nm))之間的波長下操作之混合矽鐳射(例如，矽-光子鐳射)。舉例而言，藉由直接將基於磷化銦的晶圓接合至預先圖案化的矽光子晶片來製造混合矽鐳射。舉例而言，此技術描述於A.W.Fang等人的「Electrically pumped hybrid AlGaInAs-silicon evanescent laser」，Optics Express vol.14，pp.9203-9210(2006年10月)之公開案中。當施加電壓至經接合晶片時，由基於磷化銦的材料產生之光直接耦合至矽波導中，形成混合矽鐳射206。此技術的一個主要優勢為將許多鐳射併入單個晶片上之能力及來自該等鐳射之輸出可經多工至單個輸出中，該單個輸出隨後耦合至多模光纖100。舉例而言，1250 nm至1370 nm範圍中之兩個、四個、八個或十六個波長可經調變處於25 GHz或更高的位元率、多工至單個輸出通道中且隨後光學耦合至多模光纖100之輸入端。多模光纖100之輸出端光學耦合至 接收器，該接收器去多工1200 nm至1700 nm範圍(例如，1250 nm至1370 nm範圍，或1490 nm至1610 nm)中的兩個、四個、八個或十六個波長且將該等波長光學耦合至能夠偵測光學信號之光偵測器。
舉例而言，此系統之一個實施例包含：(i)至少一個VCSEL 206，VCSEL在1260 nm與1360 nm之間的一或多個波長下以25 GHz或更高的(且較佳地，根據一些實施例，以40 GHz或更高)之位元率傳輸；(ii)多模光纖100；及(iii)至少一個光偵測器210。舉例而言，多模光纖100包含梯度折射率玻璃芯20、環繞芯並與芯接觸的內包層部分30及環繞內包層部分30的低折射率環形包層部分40。低折射率環形部分40具有小於約-0.2%之相對折射率delta及至少1微米之寬度，其中芯20具有大於20.5微米且小於40微米之半徑、在0.6%與1.6%之間(較佳地在0.8%與1.3%之間)的最大相對折射率以及小於約2.04(較佳地小於2.03)之alpha。多模光纖100具有在1260 nm與1360 nm之間或1500 nm與1600 nm之間的一或多個波長下大於4.7 GHz-km之全模式頻寬、小於10 ps/nm/km的波散量級及小於0.7 dB/km之衰減。
上述系統實施例具有一或多個以下優勢：能量效率及位元率。電功率消耗為現代資料中心之嚴重問題，且利用較長波長(≧1200 nm)光源(諸如VCSEL(≧1200 nm或≧1260 nm，或其他光源))結合多模光纖100之較長系統將緩解在850 nm下操作之傳輸系統所面臨之某些能量消耗問題。另外，若傳輸系統之操作波長為約850 nm，則對增加35 GHz-km以上的系統速度有顯著阻礙。結合多模光纖100利用較長波長光源(例如，≧1300 nm)(例如基於In-Ga-As半導體的VCSEL)允許傳輸系統具有比當前可用之傳輸系統顯著更高之傳輸速度(例如，≧20 GHz，或≧25 GHz，或≧35 GHz，或甚至≧40 GHz)。
熟習此項技術者將顯而易見，在不背離申請專利範圍之精神或範疇的前提下，可做出各種修改及改變。
R1‧‧‧半徑

Claims (20)

  1. 一種多模光纖，該多模光纖包含：一梯度折射率玻璃芯，該梯度折射率玻璃芯具有41微米至80微米範圍中之一直徑、具有一alpha剖面的一梯度折射率，及在0.6%與1.8%之間的範圍中之一最大相對折射率△1MAX，其中1.9≦α≦2.04；及一包層，該包層環繞該芯並與該芯接觸，該包層包含：環繞該芯並與該芯接觸之一內環形部分，該內環形部分具有在半徑R2處量測之相對折射率delta △2，在該半徑R2處第一導數d(△/△1MAX)/d(r/R1)等於-2.5；及環繞該內環形部分之一低折射率環形部分，其中該光纖具有在1260 nm與1610 nm之間的至少一個波長下大於2500 MHz-km之一全模式頻寬。
  2. 如請求項1所述之光纖，其中(i)該光纖芯具有一數值孔徑NA，且0.16<NA<0.26；(ii)該包層包含環繞該低折射率環形部分並與該低折射率環形部分接觸之一外環形部分；及(iii)該光纖具有在1310 nm下大於3750 MHz-km之一全模式頻寬。
  3. 如請求項1所述之光纖，其中(i)該光纖芯具有一數值孔徑NA，且0.16<NA<0.26；(ii)該包層包含環繞該低折射率環形部分並與該低折射率環形部分接觸之一外環形部分；及(iii)該光纖具有在1550 nm 下大於3750 MHz-km之一全模式頻寬。
  4. 如請求項1所述之光纖，其中該低折射率環形部分具有小於-0.2%之一最小相對折射率△3MIN及至少1微米之一寬度。
  5. 如請求項3所述之光纖，其中該低折射率環形部分具有在-0.25%與-0.7%之間之一最小相對折射率△3MIN。
  6. 如請求項1所述之光纖，其中該芯具有在0.7%與1.2%之間的一最大相對折射率△1MAX。
  7. 如請求項1所述之光纖，其中該芯之該數值孔徑在0.17≦NA≦0.23之範圍中。
  8. 如請求項1所述之光纖，其中該光纖具有對於以下波長之間的所有波長大於2500 MHz-km之一全模式頻寬：(i)1260 nm與1360 nm；或(ii)1520 nm至1580 nm。
  9. 如請求項1所述之光纖，其中該光纖具有對於以下波長之間的所有波長大於3750 MHz-km之一全模式頻寬：(i)1270 nm與1350 nm；或(ii)1530 nm與1570 nm。
  10. 如請求項1所述之光纖，其中該光纖具有在1310 nm或1550 nm下大於5000 MHz-km之一全模式頻寬。
  11. 如請求項1所述之光纖，其中該光纖具有在1310 nm下大於7500 MHz-km之一全模式頻寬。
  12. 如請求項11所述之光纖，其中該光纖具有對於在1270 nm與1350 nm之間的所有波長大於5000 MHz-km之一全模式頻寬。
  13. 如請求項1所述之光纖，其中該光纖具有在1550 nm下大於7500 MHz-km之一全模式頻寬。
  14. 如請求項13所述之光纖，其中該光纖具有對於在1520 nm與1580 nm之間的所有波長大於5000 MHz-km之一全模式頻寬。
  15. 如請求項1所述之光纖，其中該芯具有小於2.02之一alpha。
  16. 一種系統，該系統包含：(i)至少一個光源，該至少一個光源在1200 nm與1700 nm之間的一或多個操作波長下以25 GHz或更高的一位元率傳輸；(ii)至少一個多模光纖，該至少一個多模光纖光學耦接至該光源，該光纖包含41 μm至80 μm直徑的一梯度折射率 一梯度折射率玻璃芯及一包層，該包層包含一外包層部分，其中該光纖具有在1200 nm與1700 nm之間的至少一個波長下大於2.5 GHz-km之一全模式頻寬、一小於約2.04之alpha及小於10 ps/nm/km的一波散量級以及在該一或多個操作波長下小於0.7 dB/km之一衰減；及(iii)一偵測器，該偵測器光學耦接至該多模光纖且能夠偵測1200 nm至1700 nm之間的一波長。
  17. 如請求項16所述之系統，其中該芯具有大於20.5微米且小於40微米之一半徑、在0.6%與1.6%之間的一最大相對折射率△1MAX，且該光纖具有在以下波長之間的一或多個波長下大於5.0 GHz-km之一全模式頻寬：(i)1200 nm與1400 nm；或(ii)1500 nm與1600 nm。
  18. 如請求項16所述之系統，其中所述包層包含：環繞該芯並與該芯接觸之一內環形部分，該內環形部分具有在該半徑R2處量測之相對折射率delta △2，在該半徑R2處第一導數d(△/△1MAX)/d(r/R1)等於-2.5；及環繞該內包層部分的一低折射率環形部分，該低折射率環形部分具有小於約-0.2%之一相對折射率delta △3MIN及至少1微米之寬度，且該光纖具有在1200 nm與1400 nm之間或者在1500 nm與1600 nm之間的一或多個波長下大於5.0 GHz-km之一全模式頻寬。
  19. 如請求項16所述之系統，其中該至少一個光源為至少一 個VCSEL。
  20. 如請求項16所述之系統，其中該至少一個光源為至少一個矽-光子鐳射。
TW102119177A 2012-05-31 2013-05-30 多模光纖與包含此種光纖的系統 TW201400892A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/484,970 US8837890B2 (en) 2012-05-31 2012-05-31 Multimode optical fiber and system comprising such fiber
US13/553,899 US8977092B2 (en) 2012-05-31 2012-07-20 Multimode optical fiber and system comprising such fiber

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201400892A true TW201400892A (zh) 2014-01-01

Family

ID=48577940

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102119177A TW201400892A (zh) 2012-05-31 2013-05-30 多模光纖與包含此種光纖的系統

Country Status (10)

Country Link
US (1) US8977092B2 (zh)
EP (1) EP2856225B1 (zh)
JP (1) JP6235004B2 (zh)
KR (1) KR20150018825A (zh)
CN (1) CN104685394B (zh)
BR (1) BR112014029805A2 (zh)
IN (1) IN2014DN10066A (zh)
RU (1) RU2014153527A (zh)
TW (1) TW201400892A (zh)
WO (1) WO2013181182A1 (zh)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9709731B2 (en) * 2012-09-05 2017-07-18 Ofs Fitel, Llc Multiple LP-mode fiber designs for mode-division multiplexing
US9671552B2 (en) * 2012-09-05 2017-06-06 Ofs Fitel, Llc 9 LP-mode fiber designs for mode-division multiplexing
JP6363703B2 (ja) * 2013-06-26 2018-07-25 ドラカ コムテック ベー ヴェー 漏洩モードの影響を抑えた曲げに強い多モード光ファイバ
US8837888B1 (en) * 2013-08-02 2014-09-16 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Multimode optical fiber including a core and a cladding
US20150226916A1 (en) * 2014-02-07 2015-08-13 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Multi mode optical fiber
JP2017134290A (ja) * 2016-01-28 2017-08-03 株式会社フジクラ 光デバイス
US9841559B2 (en) * 2016-02-24 2017-12-12 Corning Incorporated Multimode fiber with intermediate clad layer
US10295734B2 (en) * 2016-05-17 2019-05-21 Corning Incorporated Optical fiber for both multimode and single-mode operation and transmission system therefor
US10126495B2 (en) * 2016-06-29 2018-11-13 Corning Incorporated Coated low loss optical fiber with small diameter
JP6717098B2 (ja) * 2016-07-25 2020-07-01 住友電気工業株式会社 マルチモード光ファイバ
EP3577499B1 (en) 2017-02-03 2023-06-07 Draka Comteq France Multimode optical fiber optimized to operate around 1060 nm, and corresponding multimode optical system
US11473982B2 (en) * 2017-03-02 2022-10-18 Ofs Fitel, Llc Broad bandwidth graded index multimode optical fiber for distributed temperature sensing in the 1550 NM region
KR102033405B1 (ko) * 2017-11-21 2019-10-17 한국광기술원 낮은 굽힘손실을 갖는 광섬유
CN109358391B (zh) * 2018-06-06 2020-10-02 长飞光纤光缆股份有限公司 一种低宏弯损耗的单模耦合光纤
EP4090636A1 (en) 2020-01-17 2022-11-23 Corning Incorporated Reduced coating diameter chlorine-doped silica optical fibers with low loss and microbend sensitivity
US11327223B2 (en) 2020-04-15 2022-05-10 Corning Incorporated Multimode optical fiber with increased bandwidth
CN111562648B (zh) * 2020-04-30 2022-12-16 江苏永鼎光纤科技有限公司 一种包层组分优化的大有效模面积低损耗光纤
CN113847998B (zh) * 2021-09-22 2022-11-25 长飞光纤光缆股份有限公司 一种具较大带宽的分布式温度传感光纤

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59232302A (ja) * 1983-06-15 1984-12-27 Sumitomo Electric Ind Ltd 光伝送用フアイバ
JP4141914B2 (ja) * 2003-07-18 2008-08-27 株式会社フジクラ グレーテッドインデックス型マルチモードファイバおよびその製造方法
US7787731B2 (en) 2007-01-08 2010-08-31 Corning Incorporated Bend resistant multimode optical fiber
US20090169163A1 (en) * 2007-12-13 2009-07-02 Abbott Iii John Steele Bend Resistant Multimode Optical Fiber
US8385702B2 (en) 2009-05-28 2013-02-26 Corning Incorporated Bend resistant multimode optical fiber
FR2946436B1 (fr) * 2009-06-05 2011-12-09 Draka Comteq France Fibre optique multimode a tres large bande passante avec une interface coeur-gaine optimisee
FR2953605B1 (fr) * 2009-12-03 2011-12-16 Draka Comteq France Fibre optique multimode a large bande passante et a faibles pertes par courbure
FR2953030B1 (fr) * 2009-11-25 2011-11-18 Draka Comteq France Fibre optique multimode a tres large bande passante avec une interface coeur-gaine optimisee
FR2953606B1 (fr) * 2009-12-03 2012-04-27 Draka Comteq France Fibre optique multimode a large bande passante et a faibles pertes par courbure
US7903918B1 (en) * 2010-02-22 2011-03-08 Corning Incorporated Large numerical aperture bend resistant multimode optical fiber

Also Published As

Publication number Publication date
US8977092B2 (en) 2015-03-10
KR20150018825A (ko) 2015-02-24
CN104685394B (zh) 2018-11-09
US20130322837A1 (en) 2013-12-05
BR112014029805A2 (pt) 2017-06-27
JP6235004B2 (ja) 2017-11-22
RU2014153527A (ru) 2016-07-20
WO2013181182A1 (en) 2013-12-05
JP2015521300A (ja) 2015-07-27
EP2856225A1 (en) 2015-04-08
IN2014DN10066A (zh) 2015-08-21
CN104685394A (zh) 2015-06-03
EP2856225B1 (en) 2021-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201400892A (zh) 多模光纖與包含此種光纖的系統
US8644664B2 (en) Broad-bandwidth optical fiber
US8009950B2 (en) Multimode fiber
JP6031276B2 (ja) 多モード光ファイバ
JP5945447B2 (ja) 高帯域幅で放射線耐性のマルチモード光ファイバ
US8798423B2 (en) Single-mode optical fiber
US8483535B2 (en) High-bandwidth, dual-trench-assisted multimode optical fiber
US8798424B2 (en) Single-mode optical fiber
US9014525B2 (en) Trench-assisted multimode optical fiber
US8971683B2 (en) Multimode optical fiber and systems comprising such fiber
US8837890B2 (en) Multimode optical fiber and system comprising such fiber
US11733449B2 (en) Ultra-low-loss coupled-core multicore optical fibers
EP2299303A2 (en) Multimode optical fibre with reduced bending loss
KR101273801B1 (ko) 구부림 손실 강화 광섬유
US10359563B2 (en) Few-mode optical fiber
KR101731743B1 (ko) 대유효면적 광섬유
WO2011112846A1 (en) Multicore fibers and associated structures and techniques
TW201348766A (zh) 抗彎曲漸變多模光纖
CN111474626A (zh) 一种多芯光纤
CN1180281C (zh) 单模光纤及其制备方法和用途
Tarzi Bashi An overview on the fiber optic technologies