TW201400183A - 光觸媒、此光觸媒的製造方法及用途 - Google Patents

光觸媒、此光觸媒的製造方法及用途 Download PDF

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Abstract

本發明攸關一種光觸媒、此光觸媒的製造方法及用途。此光觸媒含有硫化鋅鎘固溶液半導體、金屬化合物半導體及過渡金屬，其中硫化鋅鎘固溶液半導體是以Zn1-XCdXS一般式表示且0<X<1，金屬化合物半導體是選自於由金屬氧化物、金屬硫化物、金屬硒化物、金屬碲化物所組成的群組，過渡金屬是選自於由IB、VIIIB族金屬所組成的群組。

Description

光觸媒、此光觸媒的製造方法及用途
本發明關於一種光觸媒、其製造方法及用途。更明確地說，本發明係有關一種硫化鋅鎘系光觸媒、其製造方法與用途。
氫氣具備潔淨無毒、取之不盡、高熱能值等特性，因此氫能被認為是未來的能源主流。此外，氫氣燃燒時僅產生水蒸氣，對環境無汙染之虞，因此氫能也被視為「綠色能源」。於現今工業技藝中，氫氣主要是以石化燃料裂解法及電解法製備取得。石化燃料裂解法主要是將如甲烷、甲醇等石化材料於高溫(約700-850℃)下進行重組反應；以甲烷為例，反應簡示如下：CH4+H2O → CO+3H2 CO+H2O → CO2+H2。因此除了氫氣外，石化燃料裂解法同時還會產生一氧化碳及二氧化碳等有害氣體，對環境而言將造成汙染。電解法主要是導入電能至水中使水裂解，反應簡示如下：2H2O → 2H2+O2。然而，電解法只是將電能轉換成另一種型式的能源來使用，究其源頭，電能大多直接或間接地從燃燒能或核能轉換而來，因此對環境而言仍會造成相當程度的汙染。
光觸媒是利用吸收光線後產生電子、電洞，來活化水或氧氣以形成氫氧自由基或負氧離子進行氧化還原反應。於1972年，日本東京大學學者藤 嶋昭(Akira Fujishima)及本多健一(Kenichi Honda)發表一篇使用二氧化鈦光觸媒分解水產生氫氣的相關論文(請參閱Nature,1972,238,37-38)。由於光觸媒所吸收的光線主要是太陽光，且使用光觸媒產生氫氣的同時不會產生一氧化碳及二氧化碳，對環境而言不會造成汙染，因此給予現今工業技藝衝擊性的影響。之後，陸陸續續有許多光觸媒被研究發現可用來分解水產生氫氣。
硫化鋅鎘系光觸媒是目前常見用來分解水產生氫氣的一種光觸媒。理論上，硫化鋅鎘系光觸媒至少具有硫化鋅及硫化鎘二種能隙(energy band gap)大小不同及能帶結構(electronic band structure)不同的半導體材料，所以可吸收波長範圍較廣的光線以產生更多的電子、電洞，從而產生更多氫氣。但實際上，硫化鋅鎘系光觸媒仍存在著產氫速率過低的問題，一般來說，其在太陽光下測得的產氫速率約為1,000-2,000μmol/h/g。再者，硫化鋅鎘系光觸媒還存在著使用壽命過短的問題。上述種種問題影響著硫化鋅鎘系光觸媒於現今工業技藝上的應用價值。
職是之故，開發一種光觸媒，可以改善習知硫化鋅鎘系光觸媒過低的產氫速率及過短的使用壽命，乃為從事光觸媒研發之相關人士或業者，極需解決的問題。
本發明之目的在於提出一種光觸媒，此光觸媒是以硫化鋅鎘為主體，並搭配合適的金屬化合物半導體及過渡金屬，從而具備有相對於習知硫化鋅鎘系光觸媒高的產氫速率及長久的使用壽命。
於是，為實現前述及/或其他目的，本發明提供一種光觸媒，其包含： 硫化鋅鎘固溶液半導體、金屬化合物半導體及過渡金屬。其中，硫化鋅鎘固溶液半導體是以Zn1-XCdXS一般式表示且0<X<1；金屬化合物半導體是選自於由金屬氧化物、金屬硫化物、金屬硒化物、金屬碲化物所組成的群組；過渡金屬是選自於由IB、VIIIB族金屬所組成的群組。
經實驗後，發現本發明之光觸媒於太陽光、紫外光或可見光下測得的產氫速率至少約為習知硫化鋅鎘系光觸媒的二倍強，且於太陽光、紫外光或可見光下600小時以上後測得的產氫速率仍具有相當不錯的效能，因此本發明之光觸媒的使用壽命相對於習知硫化鋅鎘系光觸媒長久。另一方面，經實驗後，更發現可透過改變硫化鋅鎘固溶液半導體一般式中的X值或調整所選用之組成物間的相對重量比例，從而控制本發明光觸媒的產氫速率及使用壽命。
因此，於本發明揭露的範圍內，更提出一種本發明之光觸媒用於在太陽光、紫外光或可見光下進行光催化產生氫氣的用途。
本發明之另一目的在於提出一種本發明之光觸媒的製造方法，此製造方法包含以下步驟：(A)將一鋅源、一鎘源及一硫源加入至一界面活性劑以得到一第一前驅液且第一前驅液中有一析出物，並熱處理析出物以得到一第一固態物；(B)將第一固態物加入至一混合液以得到一第二前驅液，並熱處理第二前驅液以得到一第二固態物，其中混合液含有(1)一氧源、另一硫源、一硒源或一碲源及(2)一金屬源；以及(C)將第二固態物加入至一含IB或VIIIB族金屬源溶液以得到一第三前驅液，對第三前驅液進行還原反應並熱處理第三前驅液以得到本發明之光觸媒。
於本發明的製造方法中，可以透過調配所使用之材料間的相對重量比 例，從而控制本發明之光觸媒的產氫速率及使用壽命。
首先，針對本文使用的術語予以定義如下：
本文「固溶液」乙詞，其英文譯為「solid solution」，意指一種含有二種以上化學物種的均勻結晶相。本文的「硫化鋅鎘固溶液半導體」乙詞，意謂硫化鋅及硫化鎘共同形成的均勻結晶相，使用Zn1-XCdXS一般式表示，其中X表示鎘原子相對於硫原子的莫耳比例，1-X則表示鋅原子相對於硫原子的莫耳比例，且0<X<1，較佳地為0.1≦x≦0.9。
本發明乃是針對習知硫化鋅鎘系光觸媒的產氫速率過低及使用壽命過短等問題而提出的發明。本發明更是經過不斷嘗試使用多種不同金屬化合物半導體及過渡金屬搭配硫化鋅鎘後，所選出最為合適的組合。
於本發明一實施例中，揭示一種可在太陽光、紫外光或可見光下進行光催化產生氫氣的光觸媒。本實施例之光觸媒可依實際需求製備成不同形態，例如為粉體或薄膜。除了含有硫化鋅鎘固溶液半導體外，本實施例之光觸媒尚含有金屬化合物半導體及過渡金屬。
金屬化合物半導體可以擔載於硫化鋅鎘固溶液半導體，或者也可以混合於硫化鋅鎘固溶液半導體。金屬化合物半導體主要是與硫化鋅鎘固溶液半導體組合，用來增強在太陽光、紫外光或可見光下的光吸收率，產生電子、電洞，來活化水以形成氫氧自由基，進行氧化還原反應而產生氫氣，從而提升本實施例之光觸媒的產氫速率。
適用於本實施例的金屬化合物半導體為金屬氧化物、金屬硫化物、金屬硒化物或金屬碲化物。舉例來說，金屬氧化物可以為但不限於PdO、PbO、 FeO、CoO、NiO、MnO、ZnO、CdO、HgO、SnO、CuO、Cu2O、Ag2O、Hg2O、Fe2O3、Ce2O3、Cr2O3、In2O3、Gd2O3、Bi2O3、Sb2O3、Mn2O3、Mn3O4、Fe3O4、Nb2O5、V2O5、TiO2、MnO2、CeO2、WO3或此等任一組合。舉例來說，金屬硫化物可以為但不限於PdS、PbS、FeS、CoS、NiS、MnS、ZnS、CdS、HgS、SnS、CuS、Cu2S、Ag2S、Hg2S、Fe2S3、Ce2S3、Cr2S3、In2S3、Gd2S3、Bi2S3、Sb2S3、Nb2S5、CeS2、WS2、WS3或此等任一組合。舉例來說，金屬硒化物可以為但不限於PdSe、PbSe、FeSe、CoSe、NiSe、MnSe、ZnSe、CdSe、HgSe、SnSe、CuSe、Cu2Se、Ag2Se、Hg2Se、Fe2Se3、Ce2Se3、Cr2Se3、In2Se3、Gd2Se3、Bi2Se3、Sb2Se3、Nb2Se5、CeSe2、WSe2、WSe3或此等任一組合。舉例來說，金屬碲化物可以為但不限於PdTe、PbTe、FeTe、CoTe、NiTe、MnTe、ZnTe、CdTe、HgTe、SnTe、CuTe、Cu2Te、Ag2Te、Hg2Te、Fe2Te3、Ce2Te3、Cr2Te3、In2Te3、Gd2Te3、Bi2Te3、Sb2Te3、Nb2Te5、CeTe2、WTe2、WTe3或此等任一組合。
過渡金屬可以擔載於硫化鋅鎘固溶液半導體及金屬化合物半導體，或者也可以混合於硫化鋅鎘固溶液半導體及金屬化合物半導體。當硫化鋅鎘固溶液半導體及金屬化合物半導體產生的電子、電洞再結合時，氧化還原反應將終止以致無法產生氫氣。而過渡金屬主要是用來避免硫化鋅鎘固溶液半導體及金屬化合物半導體在太陽光、紫外光或可見光下產生的電子、電洞再結合，從而提升本實施例之光觸媒的產氫速率。
適用於本實施例的過渡金屬為IB或VIIIB族金屬，例如為但不限於鉑、鈀、金、鎳、釕、鋨或此等任一組合。
值得說明的是，金屬化合物半導體及過渡金屬相對於硫化鋅鎘固溶液 半導體的重量比例過高或過低均不適當。過高或過低時，則會影響本實施例之光觸媒的產氫速率及使用壽命。於本實施例中，以硫化鋅鎘固溶液半導體占100重量份為基準，金屬化合物半導體較佳地占0.1-10重量份，而過渡金屬較佳地占0.1-5重量份。
於此，關於本實施例之光觸媒的製造方法將於下文進行詳細說明：
首先，於稱取適量的一鋅源、一鎘源、一硫源及一界面活性劑後，將鋅源、鎘源及硫源加入至界面活性劑以得到一第一前驅液且析出有一析出物於第一前驅液中，並在高於室溫下熱處理析出物以得到一第一固態物。適用本實施例此步驟的熱處理可以為乾燥處理及/或鍛燒處理。
於一可能實施方式中，可以先使用離心方式自第一前驅液中分離出析出物，再乾燥、鍛燒處理析出物以得到第一固態物。於另一可能實施方式中，可以直接乾燥、鍛燒處理在第一前驅液中的析出物以得到第一固態物。
鋅源主要是用來供給本實施例之光觸媒中硫化鋅鎘固溶液半導體所需的鋅原子，可以為但不限於醋酸鋅、氯化鋅、硝酸鋅...等；鎘源主要是用來供給本實施例之光觸媒中硫化鋅鎘固溶液半導體所需的鎘原子，可以為但不限於醋酸鎘、氯化鎘、硝酸鎘...等；硫源主要是用來供給本實施例之光觸媒中硫化鋅鎘固溶液半導體所需的硫原子，可以為但不限於硫化鈉、硫化鉀、硫化銨...等。因此，第一固態物實質上為一本實施例之光觸媒中硫化鋅鎘固溶液半導體組成的固態物。
將鋅源、鎘源及硫源加入至界面活性劑以析出有析出物時，析出物通常是被界面活性劑所形成的微胞所包覆，所以界面活性劑主要是用來控制析出物的形態、尺寸，進而使本實施例之光觸媒的尺寸、形態均質化，可 以為但不限於十二烷基磺酸鈉(sodium dodecyl-sulfate，SDS)、溴化四乙胺(tetraethylammonium bromide，TEAB)、溴化四己胺(tetrahexylammonium bromide)...等。
接著，於稱取適量的(1)一氧源、另一硫源、一硒源或一碲源及(2)一金屬源並配製成一混合液後，將前述步驟得到的第一固態物加入至混合液以得到一第二前驅液，並在高於室溫下熱處理第二前驅液以得到一第二固態物。適用本實施例此步驟的熱處理可以為乾燥處理及/或鍛燒處理。
氧源、另硫源、硒源或碲源主要是分別用來給予本實施例之光觸媒中金屬化合物半導體所需的氧原子、硫原子、硒原子或碲原子；金屬源主要是用來給予本實施例之光觸媒中金屬化合物半導體所需的金屬原子。因此，第二固態物實質上為一本實施例之光觸媒中硫化鋅鎘固溶液半導體及金屬化合物半導體組成的固態物。
視實際狀況，氧源、另硫源、硒源或碲源及金屬源可以為至少二不同的材料來源，氧源可以為但不限於過氧化氫、氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化銨...等，另硫源可以為但不限於硫化鈉、硫化鉀、硫化銨...等，硒源可以為但不限於硒氫化鈉、二硒氫化鈉、四氯化硒...等，碲源可以為但不限於碲氫化鈉、二碲氫化鈉、四氯化碲...等，金屬源為金屬鹽類，例如為但不限於氯化鈀、硝酸鉛...等。於一可能實施方式中，可以先將至少二不同的材料來源混合配製成混合液，再將第一固態物加入至混合液以得到第二前驅液，並熱處理第二前驅液以得到第二固態物。
另視實際狀況，氧源、另硫源、硒源或碲源及金屬源可以為單一材料來源，例如為但不限於金屬氧化物(像氧化鈀...等)、金屬硫化物(像硫化 鈀...等)、金屬硒化物(像硒化鋅...等)或金屬碲化物(像碲化鋅...等)。於一可能實施方式中，可以先將單一材料來源配製成混合液，再將第一固態物加入至混合液以得到第二前驅液，並熱處理第二前驅液以得到第二固態物。
最後，配製適量的一含IB或VIIIB族金屬源溶液後，將前述步驟得到的第二固態物加入至含IB或VIIIB族金屬源溶液以得到一第三前驅液，再對第三前驅液進行還原反應並在高於室溫下熱處理第三前驅液以得到本實施例之光觸媒。適用本實施例此步驟的還原反應可以為光還原反應、超音波還原反應、化學還原反應或此等任一組合。適用本實施例此步驟的熱處理可以為乾燥處理及/或鍛燒處理。
於一可能實施方式中，可以先於UV光下對第三前驅液進行光還原反應，再乾燥處理第三前驅液以得到本實施例之光觸媒。
含IB或VIIIB族金屬源溶液主要是用來供應本實施例之光觸媒中過渡金屬，可以為但不限於氯鉑酸溶液...等。
茲以下列具體例以進一步例示說明本發明。
<實驗例1-47>
取硝酸鋅、氯化鎘、硫化鈉並分別溶解於三不同SDS水溶液，將SDS中的硝酸鋅溶液及SDS中的氯化鎘溶液先行混合，再緩慢地倒入SDS中的硫化鈉溶液以得到一第一前驅液，此時第一前驅液中析出有一黃色析出物。
於室溫下使用離心方式(離心條件為：轉速約9,000rpm、時間約3分鐘)自第一前驅液中分離出黃色析出物，再使用去離子水清洗黃色析出物至少一次。將黃色析出物置於50-100℃的烘箱內並乾燥處理，接著將黃色 析出物置於400-550℃的高溫爐內並鍛燒處理，以得到一黃色的硫化鋅鎘固溶液半導體粉體(即第一固態物)。
取氯化鈀及硫化鈉，並加入至去離子水中配製成一混合液，接著取適量之硫化鋅鎘固溶液半導體粉體並加入至混合液中以得到一第二前驅液。將第二前驅液置於50-100℃的烘箱內並乾燥處理，以得到一擔載有硫化鈀的硫化鋅鎘固溶液半導體粉體(即第二固態物)。
於配製一氯鉑酸溶液後，取適量之擔載有硫化鈀的硫化鋅鎘固溶液半導體粉體加入至氯鉑酸溶液以得到一第三前驅液。接著，先於功率200W、波長365nm的UV光下照射第三前驅液而對第三前驅液進行還原反應，再將第三前驅液置於50-100℃的烘箱內並乾燥處理，以得到一擔載有硫化鈀及鉑的硫化鋅鎘固溶液半導體粉體(即光觸媒)。
請參閱表1、欄2-5，係表列著實驗例1-47所使用之材料間的相對比例。「Cd/(Zn+Cd)(莫耳比例)」代表氯化鎘中鎘原子莫耳數相對於氯化鎘中鎘原子及硝酸鋅中鋅原子莫耳數總和的比例；「SDS水溶液濃度(wt%)」代表SDS重量相對於SDS水溶液重量的比例；「PdS(wt%)」代表硫化鈀重量相對於硫化鋅鎘固溶液半導體粉體重量的比例；「Pt(wt%)」代表氯鉑酸溶液中鉑原子重量相對於硫化鋅鎘固溶液半導體粉體重量的比例。
<實驗例48-119>
實驗例48-119的光觸媒是根據實驗例1-47揭示的方法製造，除了使用表2表列的金屬化合物半導體取代氯化鈀及硫化鈉。
請參閱表2、欄2-6，係表列著實驗例48-119所使用之材料及相對比例。「Cd/(Zn+Cd)(莫耳比例)」、「SDS水溶液濃度(wt%)」、「Pt(wt%)」如前文所定義；「金屬化合物半導體」中的次分類「種類」代表所使用的金屬化合物半導體：「金屬化合物半導體」中的次分類「wt%」代表所使用之金屬化合物半導體重量相對於硫化鋅鎘固溶液半導體粉體重量的比例。
<對照例1-18>
對照例1-18的光觸媒是根據實驗例1-47揭示的方法製造，除了使用表3表列之所使用材料的相對比例。
請參閱表3、欄2-5，係表列著對照例1-18所使用之材料間的相對比例。「Cd/(Zn+Cd)(莫耳比例)」、「SDS水溶液濃度(wt%)」、「PdS(wt%)」、「Pt(wt%)」如前文所定義。
<分析例>
取0.2克上述實驗例及對照例的光觸媒並加入至一裝有550毫升犧牲液(0.225M Na2S．9H2O及0.225M Na2SO3)的燒瓶內，再將燒瓶放置於太陽光下。
表1、欄6及表3、欄6，係分別說明著實驗例1-47及對照例1-18得到之光觸媒於太陽光下且未攪拌時測得的產氫速率。表2、欄7，係說明著實驗例48-119得到之光觸媒於太陽光下且攪拌時測得的產氫速率。歸納上述表格，可以發現：(1)當擔載有硫化鈀及鉑時，光觸媒於太陽光下的產氫速率至少提升約2倍以上(從表1的實驗例15、16、18、22、24、28、29及表3的對照例5可以看出)；(2)當擔載有不同的金屬化合物半導體時，光觸媒於太陽光下的產氫速率同樣具有相當不錯的效能(從表2的實驗例49、53-78及81-119可以看出)；以及(3)當攪拌時，光觸媒於太陽光下的產氫速率將可大幅提升(從表1的實驗例9、36、47及表2的實驗例49、50、51可以看出)。
為進一步瞭解光觸媒的使用壽命，取0.2克實驗例23、29及31得到之光觸媒並加入至一裝有550毫升犧牲液的燒瓶內，再將燒瓶放置於太陽光下並定期更換犧牲液。表4，係說明著於太陽光下不同累積時間後測得的產氫速率。歸納下述表格，可以發現：當於太陽光下600小時後，光觸媒於太陽光下的產氫速率仍具有相當不錯的效能(從表4的實驗例29、31及表3的對照例5、8可以看出)，表示說實驗例23、29及31得到之光觸媒的使用壽命至少可以長達600小時以上。
根據上述說明，於一方面，證實了本實施例之光觸媒於太陽光、紫外光或可見光下測得的產氫速率至少約為習知硫化鋅鎘系光觸媒的二倍強。另一方面，證實了本實施例之光觸媒於太陽光、紫外光或可見光下600小時以上後測得的產氫速率仍具有相當不錯的效能，因此本實施例之光觸媒的使用壽命相對於習知硫化鋅鎘系光觸媒長久。再一方面，證實了可藉由改變硫化鋅鎘固溶液半導體一般式中的X值或調配所選用之組成物間的相對重量比例，從而控制本實施例之光觸媒的產氫速率及使用壽命。
顯然地，依照上面實施例中的描述，本發明可能有許多的修正與差異。因此需要在其附加的權利要求項之範圍內加以理解，除了上述詳細的描述外，本發明還可以廣泛地在其他的實施例中施行。上述僅為本發明之較佳實施例，並非用以限定本發明之申請專利範圍；凡其它未脫離本發明所揭示之精神下所完成的等效改變或修飾，均應包含在下述申請專利範圍內。

Claims (13)

  1. 一種光觸媒，係包括：硫化鋅鎘固溶液半導體，係以Zn1-xCdxS一般式表示且0<x<1；金屬化合物半導體，係選自於由金屬氧化物、金屬硫化物、金屬硒化物、金屬碲化物所組成的群組；以及過渡金屬，係選自於由IB、VIIIB族金屬所組成的群組。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之光觸媒，係包括100重量份的該硫化鋅鎘固溶液半導體、0.1-10重量份的該金屬化合物半導體及0.1-5重量份的該過渡金屬。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之光觸媒，其中0.1≦x≦0.9。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之光觸媒，其中該金屬化合物半導體係為PdO、PbO、FeO、CoO、NiO、MnO、ZnO、CdO、HgO、SnO、CuO、Cu2O、Ag2O、Hg2O、Fe2O3、Ce2O3、Cr2O3、In2O3、Gd2O3、Bi2O3、Sb2O3、Mn2O3、Mn3O4、Fe3O4、Nb2O5、V2O5、TiO2、MnO2、CeO2、WO3或此等任一組合。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之光觸媒，其中該金屬化合物半導體係為PdS、PbS、FeS、CoS、NiS、MnS、ZnS、CdS、HgS、SnS、CuS、Cu2S、Ag2S、Hg2S、Fe2S3、Ce2S3、Cr2S3、In2S3、Gd2S3、Bi2S3、Sb2S3、Nb2S5、CeS2、WS2、WS3或此等任一組合。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之光觸媒，其中該金屬化合物半導體係為PdSe、PbSe、FeSe、CoSe、NiSe、MnSe、ZnSe、CdSe、HgSe、SnSe、CuSe、Cu2Se、Ag2Se、Hg2Se、Fe2Se3、Ce2Se3、Cr2Se3、In2Se3、Gd2Se3、Bi2Se3、Sb2Se3、Nb2Se5、CeSe2、WSe2、WSe3或此等任一組合。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之光觸媒，其中該金屬化合物半導體係為PdTe、PbTe、FeTe、CoTe、NiTe、MnTe、ZnTe、CdTe、HgTe、SnTe、CuTe、Cu2Te、Ag2Te、Hg2Te、Fe2Te3、Ce2Te3、Cr2Te3、In2Te3、Gd2Te3、Bi2Te3、Sb2Te3、Nb2Te5、CeTe2、WTe2、WTe3或此等任一組合。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之光觸媒，其中該過渡金屬係為鉑、鈀、金、鎳、釕、鋨或此等任一組合。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之光觸媒，其形態係為粉體或薄膜。
  10. 一種如申請專利範圍第1項所述之光觸媒的製造方法，係包括：(A)將一鋅源、一鎘源及一硫源加入至一界面活性劑以得到一第一前驅液且該第一前驅液中有一析出物，並熱處理該析出物以得到一第一固態物；(B)將該第一固態物加入至一混合液以得到一第二前驅液，並熱處理該第二前驅液以得到一第二固態物，其中該混合液含有(1)一氧源、另一硫源、一硒源或一碲源及(2)一金屬源；以及(C)將該第二固態物加入至一含IB或VIIIB族金屬源溶液以得到一第三前驅液，對該第三前驅液進行還原反應並熱處理該第三前驅液以得到該光觸媒。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之製造方法，其中該步驟(A)的熱處理、該步驟(B)的熱處理以及該步驟(C)的熱處理係獨立選自於乾燥處理及/或鍛燒處理。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之製造方法，其中該步驟(C)的還原反應係為光還原反應、超音波還原反應、化學還原反應或此等任一組合。
  13. 一種如申請專利範圍第1至9項中任一項所述之光觸媒用於在太陽光、紫外光或可見光下進行光催化產生氫氣的用途。
TW101123092A 2012-06-27 2012-06-27 光觸媒、此光觸媒的製造方法及用途 TWI438032B (zh)

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